CN104425757A - 一种有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

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CN104425757A CN201310396236.7A CN201310396236A CN104425757A CN 104425757 A CN104425757 A CN 104425757A CN 201310396236 A CN201310396236 A CN 201310396236A CN 104425757 A CN104425757 A CN 104425757A
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周明杰
黄辉
陈吉星
王平
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Shenzhen Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
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Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
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Abstract

本发明公开了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底、阳极、散射层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，所述散射层包括锂盐掺杂层和铯盐掺杂层，所述锂盐掺杂层为锂盐和有机材料按质量比为1:2～1:10的比例形成的混合材料，所述铯盐掺杂层为铯盐和空穴传输材料按质量比为3:1～6:1的比例形成的混合材料；本发明散射层有效提高器件的发光效率。本发明还公开了该有机电致发光器件的制备方法。

Description

一种有机电致发光器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及有机电致发光领域，特别涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
1987年，美国Eastman Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度，高效率的双层有机电致发光器件（OLED）。10V下亮度达到1000cd/m2，其发光效率为1.51lm/W，寿命大于100小时。
OLED的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道（LUMO），而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道（HOMO）。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。
在传统的发光器件中，器件内部发光材料发出的光大约只有18%是可以发射到外部去的，大部分发出的光会以其他形式消耗在器件外部。研究发现，OLED光损耗大，一部分原因是玻璃和阳极界面之间存在折射率的差（如玻璃与ITO之间的折射率之差，玻璃折射率为1.5，ITO为1.8），光从ITO到达玻璃，就会发生全反射，引起了全反射的损失，从而导致整体出光性能较低。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底、阳极、散射层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极；所述散射层包括锂盐掺杂层和铯盐掺杂层，所述锂盐掺杂层为锂盐和有机材料按质量比为1:2～1:10的比例形成的混合材料，所述铯盐掺杂层为铯盐和空穴传输材料按质量比为3:1～6:1的比例形成的混合材料，本发明有效提高器件的发光效率和出光效能。
第一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底、阳极、散射层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极；所述散射层包括依次层叠的锂盐掺杂层和铯盐掺杂层，所述锂盐掺杂层设置在所述阳极表面上，所述锂盐掺杂层为锂盐和有机材料按质量比为1:2～1:10的比例形成的混合材料，所述铯盐掺杂层为铯盐和空穴传输材料按质量比为3:1～6:1的比例形成的混合材料，所述锂盐为氧化锂（Li2O）、氟化锂（LiF）、氯化锂（LiCl）或溴化锂（LiBr），所述有机材料为2,3,5,6-四氟-7,7,8,8,-四氰基-对苯二醌二甲烷（F4-TCNQ）、4,4,4-三（萘基-1-苯基-铵）三苯胺（（1T-NATA））或二萘基-N,N′-二苯基-4,4′-联苯二胺（（2T-NATA）），所述铯盐为氟化铯（CsF）、碳酸铯（Cs2CO3）、叠氮铯（CsN3）或氯化铯（CsCl），所述空穴传输材料为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）或N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB）。
优选地，所述锂盐掺杂层的厚度为5～20nm，所述铯盐掺杂层的厚度为20～100nm。
优选地，所述玻璃基底的折射率为1.8～2.2，在400nm的光透过率为90%～96%。
采用所述玻璃基底可以缩小现有技术中玻璃和阳极的折射率差，消除玻璃与阳极之间的全反射，使更多的光入射到基板中。
更优选地，所述玻璃基底选自牌号为N-LAF36、N-LASF31A、N-LASF41或N-LASF44的玻璃，所述玻璃基底折射率为1.8～1.9。
所述散射层包括锂盐掺杂层和铯盐掺杂层，所述锂盐掺杂层为锂盐和有机材料形成的混合材料，所述铯盐掺杂层为铯盐和空穴传输材料形成的混合材料，有机材料可提高空穴的传输速率，同时，其HOMO能级较低，可提高空穴的注入能力，而锂盐的功函数较高，可阻挡电子的穿越，有效避免电子到达阳极发生淬灭现象。铯盐掺杂层由铯盐与空穴传输材料组成，铯盐蒸发温度较低，容易加工，成膜性好，铯盐中的金属离子可提高空穴传输材料的规整度，从而提高材料对光子的散射，从而提高出光效率，同时，空穴传输材料提高了空穴的传输，这种方法有利于提高出光效率。
优选地，所述的阳极为铟锡氧化物（ITO）、铝锌氧化物（AZO）或铟锌氧化物（IZO），厚度为80～300nm，更优选地，所述阳极为ITO，厚度为150nm。
优选地，所述空穴注入层的材质为三氧化钼（MoO3）、三氧化钨（WO3）或五氧化二钒（V2O5），厚度为20～80nm，更优选地，所述空穴注入层的材质为WO3，厚度为50nm。
优选地，所述空穴传输层材质为1,1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）或N,N’-（1-萘基）-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB），所述空穴传输层材质厚度为20～60nm，更优选地，所述空穴传输层材质为NPB，厚度为40nm。
优选地，所述发光层材质为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二-β-亚萘基蒽（ADN）、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯（BCzVBi）或8-羟基喹啉铝（Alq3），厚度为5～40nm，更优选地，所述发光层材质为BCzVBi，厚度优选为8nm。
优选地，所述的电子传输层材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑（TAZ）或N-芳基苯并咪唑（TPBI），厚度为40～250nm，更优选地，所述电子传输层材质为TAZ，厚度为60nm。
优选地，所述电子注入层材质为碳酸铯（Cs2CO3）、氟化铯（CsF）、叠氮铯（CsN3）或氟化锂（LiF），厚度为0.5～10nm，更优选地，所述电子注入层材质为CsF，厚度为0.7nm。
优选地，所述阴极为银（Ag）、铝（Al）、铂（Pt）或金（Au），厚度为80～250nm，更优选地，所述阴极为Ag，厚度为120nm。
另一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
（1）提供相应的玻璃基底，将玻璃基底清洗干燥后，在玻璃基底上采用磁控溅射的方法制备阳极；
（2）在阳极上采用热阻蒸镀的方法依次制备锂盐掺杂层和铯盐掺杂层，得到散射层；所述蒸镀压强为5×10-5～2×10-3Pa，蒸镀速率为0.1～1nm/s；
所述锂盐掺杂层为锂盐和有机材料按质量比为1:2～1:10的比例形成的混合材料，所述铯盐掺杂层为铯盐和空穴传输材料按质量比为3:1～6:1的比例形成的混合材料，所述锂盐为Li2O、LiF、LiCl或LiBr，所述有机材料为F4-TCNQ、1T-NATA或2T-NATA，所述铯盐为CsF、Cs2CO3、CsN3或CsCl，所述空穴传输材料为TAPC、TCTA或NPB；
（3）在所述散射层上采用热阻蒸镀的方法依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，得到所述有机电致发光器件。
优选地，所述碳酸盐掺杂层的厚度为50～100nm，所述锂盐掺杂层的厚度为20～80nm。
优选地，所述空穴传输层、发光层、电子注入层和电子传输层的蒸镀条件均为：蒸镀压强为5×10-5～2×10-3Pa，蒸镀速率为0.1～1nm/s。
优选地，所述空穴注入层和阴极的蒸镀条件为：蒸镀压强为5×10-5～2×10-3Pa，蒸镀速率为1～10nm/s。
优选地，所述阳极的磁控溅射条件为：加速电压为300～800V，磁场为50～200G，功率密度为1～40W/cm2。
优选地，所述清洗干燥是将玻璃基底依次用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上，清洗干净后风干。
优选地，所述玻璃基底的折射率为1.8～2.2，在400nm的光透过率为90%～96%。
更优选地，所述玻璃基底选自牌号为N-LAF36、N-LASF31A、N-LASF41或N-LASF44的玻璃，所述玻璃基底折射率为1.8～1.9。
优选地，所述的阳极为ITO、AZO或IZO，厚度为80～300nm，更优选地，所述阳极为ITO，厚度为150nm。
优选地，所述空穴注入层的材质为三氧化钼（MoO3）、三氧化钨（WO3）或五氧化二钒（V2O5），厚度为20～80nm，更优选地，所述空穴注入层的材质为WO3，厚度为50nm。
优选地，所述空穴传输层材质为TAPC、TCTA或NPB，所述空穴传输层材质厚度为20～60nm，更优选地，所述空穴传输层材质为NPB，厚度为40nm。
优选地，所述发光层材质为DCJTB、ADN、BCzVBi或Alq3，厚度为5～40nm，更优选地，所述发光层材质为BCzVBi，厚度优选为8nm。
优选地，所述的电子传输层材质为Bphen、TAZ或TPBI，厚度为40～250nm，更优选地，所述电子传输层材质为TAZ，厚度为60nm。
优选地，所述电子注入层材质为Cs2CO3、CsF、CsN3或LiF，厚度为0.5～10nm，更优选地，所述电子注入层材质为CsF，厚度为0.7nm。
优选地，所述阴极为Ag、Al、Pt或Au，厚度为80～250nm，更优选地，所述阴极为Ag，厚度为120nm。
所述散射层包括锂盐掺杂层和铯盐掺杂层，所述锂盐掺杂层为锂盐和有机材料形成的混合材料，所述铯盐掺杂层为铯盐和空穴传输材料形成的混合材料，有机材料可提高空穴的传输速率，同时，其HOMO能级较低，可提高空穴的注入能力，而锂盐的功函数较高，可阻挡电子的穿越，有效避免电子到达阳极发生淬灭现象。铯盐掺杂层由铯盐与空穴传输材料组成，铯盐蒸发温度较低，容易加工，成膜性好，铯盐中的金属离子可提高空穴传输材料的规整度，从而提高空穴传输材料对光子的散射，从而提高出光效率，同时，空穴传输材料提高了空穴的传输，这种方法有利于提高出光效率。
实施本发明实施例，具有以下有益效果：
本发明通过制备散射层，可使光发生散射，使向两侧发射的光散射回到中间，这种方法有利于提高出光效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例1有机电致发光器件的结构示意图；
图2是本发明实施例1与对比实施例有机电致发光器件的亮度与流明效率关系图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施方式中的附图，对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述。
实施例1
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
（1）选用牌号为N-LASF44的玻璃（折射率为1.8，在400nm的光透过率为96%）作为玻璃基底1，将玻璃基底1依次用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上，清洗干净后风干。然后在玻璃基底1上采用磁控溅射的方法制备阳极2，阳极2材质为ITO，厚度为150nm，磁控溅射的加速电压为700V，磁场为120G，功率密度为250W/cm2；
（2）在阳极2上采用热阻蒸镀的方法制备厚度为15nm的锂盐掺杂层31，锂盐掺杂层的材质为Li2O和F4-TCNQ按质量比为1:3形成的混合材料（表示为Li2O:F4-TCNQ），蒸镀时采用的压强为8×10-4Pa，蒸镀速率为0.2nm/s；然后在锂盐掺杂层上采用热阻蒸镀的方法制备厚度为15nm的铯盐掺杂层32，铯盐掺杂层32的材质为CsF和NPB按质量比为4:1形成的混合材料（表示为CsF:NPB），热阻蒸镀的蒸镀压强为8×10-4Pa，蒸镀速率为0.2nm/s，得到散射层3；
（3）在散射层3上采用热阻蒸镀的方法依次制备空穴注入层4、空穴传输层5、发光层6、电子传输层7、电子注入层8和阴极9，得到有机电致发光器件，其中，
空穴注入层4的材质为WO3，蒸镀时采用的压强为8×10-4Pa，蒸镀速率为2nm/s，蒸镀厚度为50nm；
空穴传输层5材质为NPB，蒸镀时采用的压强为8×10-4Pa，蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀厚度为40nm；
发光层6材质为BCzVBi，蒸镀时采用的压强为8×10-4Pa，蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀厚度为8nm；
电子传输层7的材质为TAZ，蒸镀时采用的压强为8×10-4Pa，蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀厚度为60nm；
电子注入层8的材质为CsF，蒸镀时采用的压强为8×10-4Pa，蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀厚度为0.7nm；
阴极9的材质为Ag，蒸镀时采用的压强为8×10-4Pa，蒸镀速率为2nm/s，蒸镀厚度为120nm。
图1为本实施例制备的有机电致发光器件的结构示意图，本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底1、阳极2、散射层3、空穴注入层4、空穴传输层5、发光层6、电子传输层7、电子注入层8和阴极9，散射层3包括三元掺杂层31和铜化合物掺杂层32，具体结构表示为：
玻璃基底/ITO/Li2O:F4-TCNQ/CsF:NPB/WO3/NPB/BCzVBi/TAZ/CsF/Ag。
实施例2
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
（1）选用牌号为N-LAF36的玻璃（折射率为1.8，在400nm的光透过率为95%）作为玻璃基底，将玻璃基底依次用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上，清洗干净后风干。然后在玻璃基底上采用磁控溅射的方法制备阳极，阳极材质为IZO，厚度为80nm，磁控溅射的加速电压为300V，磁场为50G，功率密度为40W/cm2。
（2）在阳极上采用热阻蒸镀的方法制备厚度为5nm的锂盐掺杂层，锂盐掺杂层的材质为LiF和1T-NATA按质量比为1:2形成的混合材料（表示为LiF:1T-NATA），热阻蒸镀的蒸镀压强为2×10-3Pa，蒸镀速率为1nm/s，然后在锂盐掺杂层上采用热阻蒸镀的方法制备厚度为100nm的铯盐掺杂层，铯盐掺杂层的材质为Cs2CO3和TAPC按质量比为6:1形成的混合材料（表示为Cs2CO3:TAPC），热阻蒸镀的蒸镀压强为2×10-3Pa，蒸镀速率为1nm/s，得到散射层；
（3）在散射层上采用热阻蒸镀的方法依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，得到有机电致发光器件，其中，
空穴注入层的材质为V2O5，蒸镀时采用的压强为2×10-3Pa，蒸镀速率为1nm/s，蒸镀厚度为40nm；
空穴传输层材质为TCTA，蒸镀时采用的压强为2×10-3Pa，蒸镀速率为1nm/s，蒸镀厚度为45nm；
发光层材质为ADN，蒸镀时采用的压强为2×10-3Pa，蒸镀速率为1nm/s，蒸镀厚度为8nm；
电子传输层的材质为TPBi，蒸镀时采用的压强为2×10-3Pa，蒸镀速率为1nm/s，蒸镀厚度为65nm；
电子注入层的材质为CsN3，蒸镀时采用的压强为2×10-3Pa，蒸镀速率为1nm/s，蒸镀厚度为10nm；
阴极的材质为Al，蒸镀时采用的压强为2×10-3Pa，蒸镀速率为10nm/s，蒸镀厚度为80nm。
本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底、阳极、散射层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。具体结构表示为：
玻璃基底/IZO/LiF:1T-NATA/Cs2CO3:TAPC/V2O5/TCTA/ADN/TPBi/CsN3/Al。
实施例3
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
（1）选用牌号为N-LASF31A的玻璃（折射率为1.9，在400nm的光透过率为92%）作为玻璃基底，将玻璃基底依次用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上，清洗干净后风干。然后在玻璃基底上采用磁控溅射的方法制备阳极，阳极材质为AZO，厚度为300nm，磁控溅射的加速电压为800V，磁场为200G，功率密度为1W/cm2。
（2）在阳极上采用热阻蒸镀的方法制备厚度为10nm的锂盐掺杂层，锂盐掺杂层的材质为LiCl和2T-NATA按质量比为1:10形成的混合材料（表示为LiCl:2T-NATA），蒸镀时采用的压强为5×10-5Pa，蒸镀速率为0.1nm/s；然后在锂盐掺杂层上采用热阻蒸镀的方法制备厚度为20nm的铯盐掺杂层，铯盐掺杂层的材质为CsN3和TCTA按质量比为3:1形成的混合材料（表示为CsN3:TCTA），蒸镀时采用的压强为5×10-5Pa，蒸镀速率为0.1nm/s，得到散射层；
（3）在散射层上采用热阻蒸镀的方法依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，得到有机电致发光器件，其中，
空穴注入层的材质为MoO3，蒸镀时采用的压强为5×10-5Pa，蒸镀速率为10nm/s，蒸镀厚度为20nm；
空穴传输层材质为NPB，蒸镀时采用的压强为5×10-5Pa，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为60nm；
发光层材质为Alq3，蒸镀时采用的压强为5×10-5Pa，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为40nm；
电子传输层的材质为Bphen，蒸镀时采用的压强为5×10-5Pa，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为200nm；
电子注入层的材质为LiF，蒸镀时采用的压强为5×10-5Pa，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为0.5nm；
阴极的材质为Au，蒸镀时采用的压强为5×10-5Pa，蒸镀速率为10nm/s，蒸镀厚度为100nm。
本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底、阳极、散射层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。具体结构表示为：
玻璃基底/AZO/LiCl:2T-NATA/CsN3:TCTA/MoO3/TAPC/Alq3/Bphen/LiF/Au。
实施例4
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
（1）选用牌号为N-LASF41的玻璃（折射率为1.83，在400nm的光透过率为90%）作为玻璃基底，将玻璃基底依次用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上，清洗干净后风干。然后在玻璃基底上采用磁控溅射的方法制备阳极，阳极材质为ITO，厚度为180nm，磁控溅射的加速电压为600V，磁场为100G，功率密度为30W/cm2。
（2）在阳极上采用热阻蒸镀的方法制备厚度为12nm的锂盐掺杂层，锂盐掺杂层的材质为LiBr和F4-TCNQ按质量比1:7形成的混合材料（表示为LiBr:F4-TCNQ），蒸镀时采用的压强为2×10-4Pa，蒸镀速率为0.5nm/s；然后在锂盐掺杂层上采用热阻蒸镀的方法制备厚度为35nm的铯盐掺杂层，铯盐掺杂层的材质为CsCl和NPB按质量比为5:1形成的混合材料（表示为CsCl:NPB），蒸镀时采用的压强为2×10-4Pa，蒸镀速率为5nm/s，得到散射层；
（3）在散射层上采用热阻蒸镀的方法依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，得到有机电致发光器件，其中，
空穴注入层的材质为MoO3，蒸镀时采用的压强为2×10-4Pa，蒸镀速率为5nm/s，蒸镀厚度为80nm。
空穴传输层材质为TCTA，蒸镀时采用的压强为2×10-4Pa，蒸镀速率为0.5nm/s，蒸镀厚度为60nm；
发光层材质为DCJTB，蒸镀时采用的压强为2×10-4Pa，蒸镀速率为0.5nm/s，蒸镀厚度为10nm；
电子传输层的材质为TAZ，蒸镀时采用的压强为2×10-4Pa，蒸镀速率为0.5nm/s，蒸镀厚度为35nm；
电子注入层的材质为Cs2CO3，蒸镀时采用的压强为2×10-4Pa，蒸镀速率为0.5nm/s，蒸镀厚度为3nm；
阴极的材质为Pt，蒸镀时采用的压强为2×10-4Pa，蒸镀速率为6nm/s，蒸镀厚度为250nm。
本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底、阳极、散射层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。具体结构表示为：
玻璃基底/ITO/LiBr:F4-TCNQ/CsCl:NPB/MoO3/NPB/DCJTB/TAZ/Cs2CO3/Pt。
对比实施例
为体现为本发明的创造性，本发明还设置了对比实施例，对比实施例与实施例1的区别在于对比实施例中未设置散射层，对比实施例有机电致发光器件的具体结构为：玻璃基底/ITO/WO3/NPB/BCzVBi/TAZ/CsF/Ag，分别对应玻璃基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。
效果实施例
采用光纤光谱仪（美国海洋光学Ocean Optics公司，型号：USB4000），电流-电压测试仪（美国Keithly公司，型号：2400）、色度计（日本柯尼卡美能达公司，型号：CS-100A）测试有机电致发光器件的流明效率与亮度的变化曲线，以考察器件的发光效率，测试对象为实施例1与对比实施例有机电致发光器件。测试结果如图2所示。图2是本发明实施例1与对比实施例有机电致发光器件的流明效率与与亮度的关系图，其中，曲线1代表实施例1，曲线2代表对比实施例。
从附图2上可以看到，在不同亮度下，实施例1的流明效率都比对比实施例的要大，实施例1最大的流明效率为3.0lm/W，而对比例的仅为2.1lm/W，而且对比实施例的流明效率随着亮度的增大而快速下降，这说明，这说明，本发明散射层可以提高空穴的注入能力，阻挡电子的穿越，提高空穴传输材料的规整度，同时散射层散射能力强，从而提高器件的出光效率。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的玻璃基底、阳极、散射层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极；所述散射层包括依次层叠的锂盐掺杂层和铯盐掺杂层，所述锂盐掺杂层设置在所述阳极表面上，所述锂盐掺杂层为锂盐和有机材料按质量比为1:2～1:10的比例形成的混合材料，所述铯盐掺杂层为铯盐和空穴传输材料按质量比为3:1～6:1的比例形成的混合材料，所述锂盐为氧化锂、氟化锂、氯化锂或溴化锂，所述有机材料为2,3,5,6-四氟-7,7,8,8,-四氰基-对苯二醌二甲烷、4,4,4-三（萘基-1-苯基-铵）三苯胺或二萘基-N,N′-二苯基-4,4′-联苯二胺，所述铯盐为氟化铯、碳酸铯、叠氮铯或氯化铯，所述空穴传输材料为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺。
2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述锂盐掺杂层的厚度为5～20nm，所述铯盐掺杂层的厚度为20～100nm。
3.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述玻璃基底的折射率为1.8～2.2，在400nm的光透过率为90%～96%。
4.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的材质为三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒。
5.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输层的材质为1,1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N,N’-（1-萘基）-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺。
6.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层材质为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯或8-羟基喹啉铝。
7.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下操作步骤：
（1）提供相应的玻璃基底，将玻璃基底清洗干燥后，在玻璃基底上采用磁控溅射的方法制备阳极；
（2）在阳极上采用热阻蒸镀的方法依次制备锂盐掺杂层和铯盐掺杂层，得到散射层；所述热阻蒸镀压强为5×10-5～2×10-3Pa，蒸镀速率为0.1～1nm/s；
所述锂盐掺杂层为锂盐和有机材料按质量比为1:2～1:10的比例形成的混合材料，所述铯盐掺杂层为铯盐和空穴传输材料按质量比为3:1～6:1的比例形成的混合材料，所述锂盐为氧化锂、氟化锂、氯化锂或溴化锂，所述有机材料为2,3,5,6-四氟-7,7,8,8,-四氰基-对苯二醌二甲烷、4,4,4-三（萘基-1-苯基-铵）三苯胺或二萘基-N,N′-二苯基-4,4′-联苯二胺，所述铯盐为氟化铯、碳酸铯、叠氮铯或氯化铯，所述空穴传输材料为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺；
（3）在所述散射层上采用热阻蒸镀的方法依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，得到所述有机电致发光器件。
8.如权利要求7所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述锂盐掺杂层的厚度为5～20nm，所述铯盐掺杂层的厚度为20～100nm。
9.如权利要求7所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述空穴传输层、发光层、电子注入层和电子传输层的热阻蒸镀条件均为：蒸镀压强为5×10-5～2×10-3Pa，蒸镀速率为0.1～1nm/s。
10.如权利要求7所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述阴极和空穴注入层的热阻蒸镀条件均为：蒸镀压强为5×10-5～2×10-3Pa，蒸镀速率为1～10nm/s。
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