CN104425732A - 一种有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

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CN104425732A CN201310395210.0A CN201310395210A CN104425732A CN 104425732 A CN104425732 A CN 104425732A CN 201310395210 A CN201310395210 A CN 201310395210A CN 104425732 A CN104425732 A CN 104425732A
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黄辉
陈吉星
王平
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Shenzhen Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
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Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
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Abstract

本发明公开了一种有机电致发光器件及其制备方法，该有机电致发光器件包括依次层叠的玻璃基底、阳极、散射层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，散射层包括碳酸盐掺杂层和锂盐掺杂层，碳酸盐掺杂层为碳酸盐和小分子有机硅按质量比为1:8～1:20的比例形成的混合材料，锂盐掺杂层为锂盐和小分子有机硅按质量比为7:1～15:1的比例形成的混合材料，碳酸盐为碳酸钙、碳酸镁、碳酸锌或碳酸钡，锂盐为氧化锂、氟化锂、氯化锂或溴化锂，小分子有机硅为二苯基二（o-甲苯基）硅、p-二（三苯基硅）苯、1,3-双（三苯基硅）苯或p-双（三苯基硅）苯；本发明散射层有效提高器件的发光效率。

Description

一种有机电致发光器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及有机电致发光领域，特别涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
1987年，美国Eastman Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度，高效率的双层有机电致发光器件（OLED）。10V下亮度达到1000cd/m2，其发光效率为1.51lm/W，寿命大于100小时。
OLED的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道（LUMO），而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道（HOMO）。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。
在传统的发光器件中，器件内部发光材料发出的光大约只有18%是可以发射到外部去的，大部分发出的光会以其他形式消耗在器件外部。研究发现，OLED光损耗大，一部分原因是玻璃和阳极界面之间存在折射率的差（如玻璃与ITO之间的折射率之差，玻璃折射率为1.5，ITO为1.8），光从ITO到达玻璃，就会发生全反射，引起了全反射的损失，从而导致整体出光性能较低。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极；所述散射层包括碳酸盐掺杂层与锂盐掺杂层，所述碳酸盐掺杂层为碳酸盐和小分子有机硅形成的混合材料，所述锂盐掺杂层为锂盐和小分子有机硅形成的混合材料，本发明有效提高器件的发光效率和出光效能。
第一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底、阳极、散射层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极；所述散射层包括依次层叠的碳酸盐掺杂层和锂盐掺杂层，所述碳酸盐掺杂层设置在所述阳极表面上，所述碳酸盐掺杂层为碳酸盐和小分子有机硅按质量比为1:8～1:20的比例形成的混合材料，所述锂盐掺杂层为锂盐和小分子有机硅按质量比为7:1～15:1的比例形成的混合材料，所述碳酸盐为碳酸钙（CaCO3）、碳酸镁（MgCO3）、碳酸锌（ZnCO3）或碳酸钡（BaCO3），所述锂盐为氧化锂（Li2O）、氟化锂（LiF）、氯化锂（LiCl）或溴化锂（LiBr），所述小分子有机硅为二苯基二（o-甲苯基）硅（UGH1）、p-二（三苯基硅）苯（UGH2）、1,3-双（三苯基硅）苯（UGH3）或p-双（三苯基硅）苯（UGH4）。
优选地，所述碳酸盐掺杂层的厚度为50～100nm，所述锂盐掺杂层的厚度为20～80nm。
优选地，所述玻璃基底的折射率为1.8～2.2，在400nm的光透过率为90%～96%。
采用所述玻璃基底可以缩小现有技术中玻璃和阳极的折射率差，消除玻璃与阳极之间的全反射，使更多的光入射到基板中。
更优选地，所述玻璃基底选自牌号为N-LAF36、N-LASF31A、N-LASF41或N-LASF44的玻璃，所述玻璃基底折射率为1.8～1.9。
所述散射层包括碳酸盐掺杂层和锂盐掺杂层，所述碳酸盐掺杂层为碳酸盐和小分子有机硅形成的混合材料，所述锂盐掺杂层为锂盐和小分子有机硅形成的混合材料，宽能隙的小分子有机硅的HOMO能级很低，可提高空穴的注入能力，而且小分子有机硅玻璃化转变温度都很低（50℃以下），极易结晶，结晶后的晶体结构对光有散射作用，加强光的散射，提高出光效率，碳酸盐晶粒较大，可进一步加强膜层对光的散射；锂盐掺杂层中的小分子有机硅可以使碳酸盐掺杂层与锂盐掺杂层之间的势垒降低到最低，提高了空穴的传输，而锂盐的功函数较高，可阻挡电子的穿越，有效避免电子到达阳极发生淬灭现象。最终有效提高器件的发光效率。
优选地，所述的阳极为铟锡氧化物（ITO）、铝锌氧化物（AZO）或铟锌氧化物（IZO），厚度为80～300nm，更优选地，所述阳极为ITO，厚度为150nm。
优选地，所述空穴注入层的材质为三氧化钼（MoO3）、三氧化钨（WO3）或五氧化二钒（V2O5），厚度为20～80nm，更优选地，所述空穴注入层的材质为WO3，厚度为50nm。
优选地，所述空穴传输层材质为1,1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）或N,N’-（1-萘基）-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB），所述空穴传输层材质厚度为20～60nm，更优选地，所述空穴传输层材质为NPB，厚度为40nm。
优选地，所述发光层材质为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二-β-亚萘基蒽（ADN）、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯（BCzVBi）或8-羟基喹啉铝（Alq3），厚度为5～40nm，更优选地，所述发光层材质为BCzVBi，厚度优选为21nm。
优选地，所述的电子传输层材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑（TAZ）或N-芳基苯并咪唑（TPBI），厚度为40～250nm，更优选地，所述电子传输层材质为TAZ，厚度为140nm。
优选地，所述电子注入层材质为碳酸铯（Cs2CO3）、氟化铯（CsF）、叠氮铯（CsN3）或氟化锂（LiF），厚度为0.5～10nm，更优选地，所述电子注入层材质为CsF，厚度为0.7nm。
优选地，所述阴极为银（Ag）、铝（Al）、铂（Pt）或金（Au），厚度为80～250nm，更优选地，所述阴极为Ag，厚度为130nm。
另一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
（1）提供相应的玻璃基底，将玻璃基底清洗干燥后，在玻璃基底上采用磁控溅射的方法制备阳极；
（2）在所述阳极上采用电子束蒸镀的方法制备碳酸盐掺杂层，然后在所述碳酸盐掺杂层上采用热阻蒸镀的方法制备锂盐掺杂层，得到散射层；所述电子束蒸镀的能量密度为10～l00W/cm2；所述热阻蒸镀压强为5×10-5～2×10-3Pa，蒸镀速率为0.1～1nm/s；
所述散射层包括碳酸盐掺杂层与锂盐掺杂层，所述碳酸盐掺杂层为碳酸盐和小分子有机硅按质量比为1:8～1:20的比例形成的混合材料，所述锂盐掺杂层为锂盐和小分子有机硅按质量比为7:1～15:1的比例形成的混合材料，所述碳酸盐为CaCO3、MgCO3、ZnCO3或BaCO3，所述锂盐为Li2O、LiF、LiCl或LiBr，所述小分子有机硅为UGH1、UGH2、UGH3或UGH4；
（3）在所述散射层上采用热阻蒸镀的方法依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，得到所述有机电致发光器件。
优选地，所述碳酸盐掺杂层的厚度为50～100nm，所述锂盐掺杂层的厚度为20～80nm。
优选地，所述空穴传输层、发光层、电子注入层和电子传输层的蒸镀条件均为：蒸镀压强为5×10-5～2×10-3Pa，蒸镀速率为0.1～1nm/s。
优选地，所述空穴注入层和阴极的蒸镀条件为：蒸镀压强为5×10-5～2×10-3Pa，蒸镀速率为1～10nm/s。
优选地，所述阳极的磁控溅射条件为：加速电压为300～800V，磁场为50～200G，功率密度为1～40W/cm2。
优选地，所述清洗干燥是将玻璃基底依次用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上，清洗干净后风干。
优选地，所述玻璃基底的折射率为1.8～2.2，在400nm的光透过率为90%～96%。
更优选地，所述玻璃基底选自牌号为N-LAF36、N-LASF31A、N-LASF41或N-LASF44的玻璃，所述玻璃基底折射率为1.8～1.9。
优选地，所述的阳极为ITO、AZO或IZO，厚度为80～300nm，更优选地，所述阳极为ITO，厚度为150nm。
优选地，所述空穴注入层的材质为三氧化钼（MoO3）、三氧化钨（WO3）或五氧化二钒（V2O5），厚度为20～80nm，更优选地，所述空穴注入层的材质为WO3，厚度为50nm。
优选地，所述空穴传输层材质为TAPC、TCTA或NPB，所述空穴传输层材质厚度为20～60nm，更优选地，所述空穴传输层材质为NPB，厚度为40nm。
优选地，所述发光层材质为DCJTB、ADN、BCzVBi或Alq3，厚度为5～40nm，更优选地，所述发光层材质为BCzVBi，厚度优选为11nm。
优选地，所述的电子传输层材质为Bphen、TAZ或TPBI，厚度为40～250nm，更优选地，所述电子传输层材质为TAZ，厚度为140nm。
优选地，所述电子注入层材质为Cs2CO3、CsF、CsN3或LiF，厚度为0.5～10nm，更优选地，所述电子注入层材质为CsF，厚度为0.7nm。
优选地，所述阴极为Ag、Al、Pt或Au，厚度为80～250nm，更优选地，所述阴极为Ag，厚度为130nm。
所述散射层包括碳酸盐掺杂层与锂盐掺杂层，所述碳酸盐掺杂层为碳酸盐和小分子有机硅形成的混合材料，所述锂盐掺杂层为锂盐和小分子有机硅形成的混合材料，宽能隙的小分子有机硅的HOMO能级很低，可提高空穴的注入能力，而且小分子有机硅玻璃化转变温度都很低（50℃以下），极易结晶，结晶后的晶体结构对光有散射作用，加强光的散射，提高出光效率，碳酸盐晶粒较大，可进一步加强膜层对光的散射；锂盐掺杂层中的小分子有机硅可以使碳酸盐掺杂层与锂盐掺杂层之间的势垒降低到最低，提高了空穴的传输，而锂盐的功函数较高，可阻挡电子的穿越，有效避免电子到达阳极发生淬灭现象，最终有效提高器件的发光效率。
实施本发明实施例，具有以下有益效果：
本发明通过制备散射层，可使光发生散射，使向两侧发射的光散射回到中间，这种方法有利于提高出光效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例1有机电致发光器件的结构示意图；
图2是本发明实施例1与对比实施例有机电致发光器件的亮度与流明效率关系图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施方式中的附图，对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述。
实施例1
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
（1）选用牌号为N-LASF44的玻璃（折射率为1.8，在400nm的光透过率为96%）作为玻璃基底1，将玻璃基底1依次用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上，清洗干净后风干。然后在玻璃基底1上采用磁控溅射的方法制备阳极2，阳极2材质为ITO，厚度为150nm，磁控溅射的加速电压为700V，磁场为120G，功率密度为250W/cm2；
（2）在阳极2上采用电子束蒸镀的方法制备厚度为60nm的碳酸盐掺杂层31，碳酸盐掺杂层31的材质为CaCO3和UGH2按质量比为1:12形成的混合材料（表示为CaCO3:UGH2），电子束蒸镀的能量密度为25W/cm2；然后在碳酸盐掺杂层31上采用热阻蒸镀的方法制备厚度为60nm的锂盐掺杂层32，锂盐掺杂层32的材质为Li2O和UGH1按质量比为10:1形成的混合材料（表示为Li2O:UGH1），热阻蒸镀的蒸镀压强为8×10-4Pa，蒸镀速率为0.2nm/s，得到散射层3；
（3）在散射层3上采用热阻蒸镀的方法依次制备空穴注入层4、空穴传输层5、发光层6、电子传输层7、电子注入层8和阴极9，得到有机电致发光器件，其中，
空穴注入层4的材质为WO3，蒸镀时采用的压强为8×10-4Pa，蒸镀速率为2nm/s，蒸镀厚度为50nm；
空穴传输层5材质为NPB，蒸镀时采用的压强为8×10-4Pa，蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀厚度为40nm；
发光层6材质为BCzVBi，蒸镀时采用的压强为8×10-4Pa，蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀厚度为21nm；
电子传输层7的材质为TAZ，蒸镀时采用的压强为8×10-4Pa，蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀厚度为140nm；
电子注入层8的材质为CsF，蒸镀时采用的压强为8×10-4Pa，蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀厚度为0.7nm；
阴极9的材质为Ag，蒸镀时采用的压强为8×10-4Pa，蒸镀速率为2nm/s，蒸镀厚度为130nm。
图1为本实施例制备的有机电致发光器件的结构示意图，本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底1、阳极2、散射层3、空穴注入层4、空穴传输层5、发光层6、电子传输层7、电子注入层8和阴极9，散射层3包括三元掺杂层31和铜化合物掺杂层32，具体结构表示为：
玻璃基底/ITO/CaCO3:UGH2/Li2O:UGH1/WO3/NPB/BCzVBi/TAZ/CsF/Ag。
实施例2
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
（1）选用牌号为N-LAF36的玻璃（折射率为1.8，在400nm的光透过率为95%）作为玻璃基底，将玻璃基底依次用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上，清洗干净后风干。然后在玻璃基底上采用磁控溅射的方法制备阳极，阳极材质为IZO，厚度为80nm，磁控溅射的加速电压为300V，磁场为50G，功率密度为40W/cm2。
（2）在阳极上采用电子束蒸镀的方法制备厚度为50nm的碳酸盐掺杂层，碳酸盐掺杂层的材质为MgCO3和UGH1按质量比为1:20形成的混合材料（表示为MgCO3:UGH1），电子束蒸镀的能量密度为10W/cm2；然后在碳酸盐掺杂层上采用热阻蒸镀的方法制备厚度为80nm的锂盐掺杂层，锂盐掺杂层的材质为LiF和UGH3按质量比为7:1形成的混合材料（表示为LiF:UGH3），热阻蒸镀的蒸镀压强为2×10-3Pa，蒸镀速率为1nm/s，得到散射层；
（3）在散射层上采用热阻蒸镀的方法依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，得到有机电致发光器件，其中，
空穴注入层的材质为V2O5，蒸镀时采用的压强为2×10-3Pa，蒸镀速率为1nm/s，蒸镀厚度为40nm；
空穴传输层材质为TCTA，蒸镀时采用的压强为2×10-3Pa，蒸镀速率为1nm/s，蒸镀厚度为45nm；
发光层材质为ADN，蒸镀时采用的压强为2×10-3Pa，蒸镀速率为1nm/s，蒸镀厚度为8nm；
电子传输层的材质为TPBi，蒸镀时采用的压强为2×10-3Pa，蒸镀速率为1nm/s，蒸镀厚度为65nm；
电子注入层的材质为CsN3，蒸镀时采用的压强为2×10-3Pa，蒸镀速率为1nm/s，蒸镀厚度为10nm；
阴极的材质为Al，蒸镀时采用的压强为2×10-3Pa，蒸镀速率为10nm/s，蒸镀厚度为80nm。
本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底、阳极、散射层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。具体结构表示为：
玻璃基底/IZO/MgCO3:UGH1/LiF:UGH3/V2O5/TCTA/ADN/TPBi/CsN3/Al。
实施例3
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
（1）选用牌号为N-LASF31A的玻璃（折射率为1.9，在400nm的光透过率为92%）作为玻璃基底，将玻璃基底依次用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上，清洗干净后风干。然后在玻璃基底上采用磁控溅射的方法制备阳极，阳极材质为AZO，厚度为300nm，磁控溅射的加速电压为800V，磁场为200G，功率密度为1W/cm2。
（2）在阳极上采用电子束蒸镀的方法制备厚度为100nm的碳酸盐掺杂层，碳酸盐掺杂层的材质为ZnCO3和UGH3按质量比为1:8形成的混合材料（表示为ZnCO3:UGH3），电子束蒸镀的能量密度为100W/cm2；然后在碳酸盐掺杂层上采用热阻蒸镀的方法制备厚度为20nm的锂盐掺杂层，锂盐掺杂层的材质为LiCl和UGH1按质量比为15:1形成的混合材料（表示为LiCl:UGH1），蒸镀时采用的压强为5×10-5Pa，蒸镀速率为0.1nm/s，得到散射层；
（3）在散射层上采用热阻蒸镀的方法依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，得到有机电致发光器件，其中，
空穴注入层的材质为MoO3，蒸镀时采用的压强为5×10-5Pa，蒸镀速率为10nm/s，蒸镀厚度为20nm；
空穴传输层材质为TAPC，蒸镀时采用的压强为5×10-5Pa，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为60nm；
发光层材质为Alq3，蒸镀时采用的压强为5×10-5Pa，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为40nm；
电子传输层的材质为Bphen，蒸镀时采用的压强为5×10-5Pa，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为200nm；
电子注入层的材质为LiF，蒸镀时采用的压强为5×10-5Pa，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为0.5nm；
阴极的材质为Au，蒸镀时采用的压强为5×10-5Pa，蒸镀速率为10nm/s，蒸镀厚度为100nm。
本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底、阳极、散射层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。具体结构表示为：
玻璃基底/AZO/ZnCO3:UGH3/LiCl:UGH1/MoO3/TAPC/Alq3/Bphen/LiF/Au。
实施例4
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
（1）选用牌号为N-LASF41的玻璃（折射率为1.83，在400nm的光透过率为90%）作为玻璃基底，将玻璃基底依次用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上，清洗干净后风干。然后在玻璃基底上采用磁控溅射的方法制备阳极，阳极材质为ITO，厚度为180nm，磁控溅射的加速电压为600V，磁场为100G，功率密度为30W/cm2。
（2）在阳极上采用电子束蒸镀的方法制备厚度为70nm的碳酸盐掺杂层，碳酸盐掺杂层的材质为BaCO3和UGH4按质量比1:150形成的混合材料（表示为BaCO3:UGH4），电子束蒸镀的能量密度为40W/cm2；然后在碳酸盐掺杂层上采用热阻蒸镀的方法制备厚度为70nm的锂盐掺杂层，锂盐掺杂层的材质为LiBr和UGH4按质量比为8:1形成的混合材料（表示为LiBr:UGH4），蒸镀时采用的压强为2×10-4Pa，蒸镀速率为0.5nm/s，得到散射层；
（3）在散射层上采用热阻蒸镀的方法依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，得到有机电致发光器件，其中，
空穴注入层的材质为MoO3，蒸镀时采用的压强为2×10-4Pa，蒸镀速率为5nm/s，蒸镀厚度为80nm。
空穴传输层材质为NPB，蒸镀时采用的压强为2×10-4Pa，蒸镀速率为0.5nm/s，蒸镀厚度为60nm；
发光层材质为DCJTB，蒸镀时采用的压强为2×10-4Pa，蒸镀速率为0.5nm/s，蒸镀厚度为10nm；
电子传输层的材质为TAZ，蒸镀时采用的压强为2×10-4Pa，蒸镀速率为0.5nm/s，蒸镀厚度为35nm；
电子注入层的材质为Cs2CO3，蒸镀时采用的压强为2×10-4Pa，蒸镀速率为0.5nm/s，蒸镀厚度为3nm；
阴极的材质为Pt，蒸镀时采用的压强为2×10-4Pa，蒸镀速率为6nm/s，蒸镀厚度为250nm。
本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底、阳极、散射层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。具体结构表示为：
玻璃基底/ITO/BaCO3:UGH4/LiBr:UGH4/MoO3/NPB/DCJTB/TAZ/Cs2CO3/Pt。
对比实施例
为体现为本发明的创造性，本发明还设置了对比实施例，对比实施例与实施例1的区别在于对比实施例中未设置散射层，对比实施例有机电致发光器件的具体结构为：玻璃基底/ITO/WO3/NPB/BCzVBi/TAZ/CsF/Ag，分别对应玻璃基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。
效果实施例
采用光纤光谱仪（美国海洋光学Ocean Optics公司，型号：USB4000），电流-电压测试仪（美国Keithly公司，型号：2400）、色度计（日本柯尼卡美能达公司，型号：CS-100A）测试有机电致发光器件的流明效率与亮度的变化曲线，以考察器件的发光效率，测试对象为实施例1与对比实施例有机电致发光器件。测试结果如图2所示。图2是本发明实施例1与对比实施例有机电致发光器件的流明效率与与亮度的关系图。
从附图2上可以看到，在不同亮度下，实施例1的流明效率都比对比例的要大，最大的流明效率为3.4lm/W，而对比例的仅为2.4lm/W，而且对比例的流明效率随着亮度的增大而快速下降，这说明，碳酸盐掺杂层可以提高空穴的注入能力，加强光的散射，提高出光效率，锂盐掺杂层可以使两层掺杂层之间的势垒降低到最低，提高了空穴的传输，避免发生淬灭现象。这种方法有利于提高出光效率。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的玻璃基底、阳极、散射层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极；所述散射层包括依次层叠的碳酸盐掺杂层和锂盐掺杂层，所述碳酸盐掺杂层设置在所述阳极表面上，所述碳酸盐掺杂层为碳酸盐和小分子有机硅按质量比为1:8～1:20的比例形成的混合材料，所述锂盐掺杂层为锂盐和小分子有机硅按质量比为7:1～15:1的比例形成的混合材料，所述碳酸盐为碳酸钙、碳酸镁、碳酸锌或碳酸钡，所述锂盐为氧化锂、氟化锂、氯化锂或溴化锂，所述小分子有机硅为二苯基二（o-甲苯基）硅、p-二（三苯基硅）苯、1,3-双（三苯基硅）苯或p-双（三苯基硅）苯。
2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述碳酸盐掺杂层的厚度为50～100nm，所述锂盐掺杂层的厚度为20～80nm。
3.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述玻璃基底的折射率为1.8～2.2，在400nm的光透过率为90%～96%。
4.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的材质为三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒。
5.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输层材质为1,1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N,N’-（1-萘基）-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺。
6.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层材质为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯或8-羟基喹啉铝。
7.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下操作步骤：
（1）提供相应的玻璃基底，将玻璃基底清洗干燥后，在玻璃基底上采用磁控溅射的方法制备阳极；
（2）在所述阳极上采用电子束蒸镀的方法制备碳酸盐掺杂层，然后在所述碳酸盐掺杂层上采用热阻蒸镀的方法制备锂盐掺杂层，得到散射层；所述电子束蒸镀的能量密度为10～l00W/cm2；所述热阻蒸镀压强为5×10-5～2×10-3Pa，所述蒸镀速率为0.1～1nm/s；
所述碳酸盐掺杂层为碳酸盐和小分子有机硅按质量比为1:8～1:20的比例形成的混合材料，所述锂盐掺杂层为锂盐和小分子有机硅按质量比为7:1～15:1的比例形成的混合材料，所述碳酸盐为碳酸钙、碳酸镁、碳酸锌或碳酸钡，所述锂盐为氧化锂、氟化锂、氯化锂或溴化锂，所述小分子有机硅为二苯基二（o-甲苯基）硅、p-二（三苯基硅）苯、1,3-双（三苯基硅）苯或p-双（三苯基硅）苯；
（3）在所述散射层上采用热阻蒸镀的方法依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，得到所述有机电致发光器件。
8.如权利要求7所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述碳酸盐掺杂层的厚度为50～100nm，所述锂盐掺杂层的厚度为20～80nm。
9.如权利要求7所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述空穴传输层、发光层、电子注入层和电子传输层的热阻蒸镀条件均为：蒸镀压强为5×10-5～2×10-3Pa，蒸镀速率为0.1～1nm/s。
10.如权利要求7所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述阴极和空穴注入层的热阻蒸镀条件为：蒸镀压强为5×10-5～2×10-3Pa，蒸镀速率为1～10nm/s。
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