CN104124392A - 一种有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种有机电致发光器件及其制备方法。本发明制备的有机电致发光器件采用依次层叠的三元掺杂层和导电氧化物层作为阴极，提高器件的透过率、电子注入能力，使光能更有效地抵达导电阳极玻璃基底，从而提高器件的发光效率，并提高了器件的稳定性。本发明制备方法简单，易于控制和操作，并且原材料容易获得。

Description

一种有机电致发光器件及其制备方法
技术领域
本发明属于有机电致发光领域，具体涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
有机电致发光器件（OLED）是一种以有机材料为发光材料，能把施加的电能转化为光能的能量转化装置。它具有超轻薄、自发光、响应快、低功耗等突出性能，在显示、照明等领域有着极为广泛的应用前景。
有机电致发光器件的结构为三明治结构，在阴极和导电阳极之间夹有一层或多层有机薄膜。在含多层结构的器件中，两极内侧主要包括发光层、注入层及传输层。有机电致发光器件是载流子注入型发光器件，在阳极和阴极加上工作电压后，空穴从阳极，电子从阴极分别注入到工作器件的有机材料层中，两种载流子在有机发光材料中形成空穴-电子对发光，然后光从电极发出。
在传统的发光器件中，一般都是以低功函数的金属或者合金作为阴极，这种结构中，低功函数的金属化学性质活泼，在空气中易于氧化，使器件的稳定性较差，并且阴极的电子注入能力不佳，导致器件的发光效率、出光性能较低。
发明内容
为了解决上述问题，本发明旨在提供一种具有较高出光效率的有机电致发光器件及其制备方法。
第一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极玻璃基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，所述阴极包括依次层叠的三元掺杂层和导电氧化物层；所述三元掺杂层的材质为锌化合物、钠盐和噻吩类小分子按照质量比1:(2～5):(5～15)混合形成的混合材料，其中，所述锌化合物为氧化锌、硫化锌、硒化锌和氯化锌中的一种，所述钠盐为碳酸钠、氯化钠、氟化钠和溴化钠中的一种，所述噻吩类小分子为3-己基噻吩、3-甲基噻吩和3-十二烷基噻吩中的一种；所述导电氧化物层的材质为铟锡氧化物、铝锌氧化物和铟锌氧化物中的一种。
优选地，导电阳极玻璃基底为铟锡氧化物玻璃、铝锌氧化物玻璃和铟锌氧化物玻璃中的一种。更优选地，导电阳极玻璃基底为铟锡氧化物玻璃。
优选地，空穴注入层的材质为三氧化钼（MoO3）、三氧化钨（WO3）和五氧化二钒（V2O5）中的一种。更优选地，空穴注入层的材质为WO3。
优选地，空穴注入层的厚度为20～80nm。更优选地，空穴注入层的厚度为40nm。
优选地，空穴传输层的材质为1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA）和N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺（NPB）中的一种。更优选地，空穴传输层的材质为NPB。
优选地，空穴传输层的厚度为20～60nm。更优选地，空穴传输层的厚度为35nm。
优选地，发光层的材质为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二（β-萘基）蒽（ADN）、4,4’-双（9-乙基-3-咔唑乙烯基）-1,1’-联苯（BCzVBi）和8-羟基喹啉铝（Alq3）中的一种。更优选地，发光层的材质为Alq3。
优选地，发光层的厚度为5～40nm。更优选地，发光层的厚度为28nm。
电子传输层的材质为具有较高的电子迁移率，能有效传导电子的有机分子材料。
优选地，电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、1,2,4-三唑衍生物和1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBi）中的一种。
更优选地，1,2,4-三唑衍生物为3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑（TAZ）。更优选地，电子传输层的材质为Bphen。
优选地，电子传输层的厚度为40～200nm。更优选地，电子传输层的厚度为65nm。
优选地，电子注入层的材质为碳酸铯（Cs2CO3）、氟化铯（CsF）、叠氮铯（CsN3）和氟化锂（LiF）中的一种。更优选地，第二电子注入层的材质为LiF。
优选地，电子注入层的厚度为0.5～10nm。更优选地，电子注入层的厚度为1.2nm。
本发明中，依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层统称为有机发光功能层。
阴极设置在电子注入层上。阴极包括依次层叠的三元掺杂层和导电氧化物层。
三元掺杂层的材质为锌化合物、钠盐和噻吩类小分子按照质量比1:(2～5):(5～15)混合形成的混合材料。
优选地，三元掺杂层的材质为锌化合物、钠盐和噻吩类小分子按照质量比1:(3.5～4):(6.5～11)混合形成的混合材料。
具体地，锌化合物为氧化锌（ZnO）、硫化锌（ZnS）、硒化锌（ZnSe）和氯化锌（ZnCl2）中的一种，钠盐为碳酸钠（Na2CO3）、氯化钠（NaCl）、氟化钠（NaF）和溴化钠（NaBr）中的一种，噻吩类小分子为3-己基噻吩（3HT）、3-甲基噻吩（3AT）和3-十二烷基噻吩（3OT）中的一种。
优选地，三元掺杂层的厚度为50～150nm。
导电氧化物层的材质为铟锡氧化物（ITO）、铝锌氧化物（AZO）和铟锌氧化物（IZO）中的一种。
优选地，导电氧化物层的厚度为150～400nm。
在电子注入层之上制备一层三元掺杂层，由锌化合物、钠盐和噻吩类小分子组成。锌化合物折射率较大，光线从有机发光功能层发射出去不会发生全反射，避免了全反射的损失，同时，锌化合物的透光范围较宽，达到了微米级，可使大部分可见光透过，提高器件的透过率；钠盐的功函数较低，蒸发温度低，有利于提高电子的注入，降低电子的注入势垒，避免能量损失；噻吩类小分子的存在可提高材料整体的结晶程度，使掺杂材料之间的电子陷阱减少，且容易成膜，加快电子的传输，提高传输速率。
然后再在三元掺杂层之上制备导电氧化物层，提高器件的导电性和光的反射率，使光回到底部出射，有效地提高了器件的发光效率。
第二方面，本发明提供了一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
提供清洁的导电阳极玻璃基底；
在所述导电阳极玻璃基底上依次热阻蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层，所述热阻蒸镀的条件为压强5×10-5～2×10-3Pa，所述空穴注入层和电子注入层的蒸镀速率为1～10nm/s，所述空穴传输层、发光层和电子传输层的蒸镀速率为0.1～1nm/s；
在所述电子注入层上制备阴极，所述阴极包括依次层叠的三元掺杂层和导电氧化物层，其中：
所述三元掺杂层通过电子束蒸镀制备，具体操作为将锌化合物、钠盐和噻吩类小分子按照质量比1:(2～5):(5～15)混合得到混合材料，其中，所述锌化合物为氧化锌、硫化锌、硒化锌和氯化锌中的一种，所述钠盐为碳酸钠、氯化钠、氟化钠和溴化钠中的一种，所述噻吩类小分子为3-己基噻吩、3-甲基噻吩和3-十二烷基噻吩中的一种；将所述混合材料通过电子束蒸镀在所述电子注入层上，条件为能量密度10～100W/cm2，得到所述三元掺杂层；
所述导电氧化物层通过磁控溅射方法制备，所述导电氧化物层的材质为铟锡氧化物、铝锌氧化物和铟锌氧化物中的一种，所述磁控溅射的条件为加速电压300～800V，磁场50～200G，功率密度1～40W/cm2；
以上步骤完成后，得到所述有机电致发光器件。
优选地，导电阳极玻璃基底为铟锡氧化物玻璃、铝锌氧化物玻璃和铟锌氧化物玻璃中的一种。更优选地，导电阳极玻璃基底为铟锡氧化物玻璃。
优选地，将导电阳极玻璃基底进行光刻处理，然后剪裁成所需要的大小。
通过对导电阳极玻璃基底的清洗，除去表面的有机污染物。
具体地，导电阳极玻璃基底的清洁操作为：将导电阳极玻璃基底依次用洗洁精、去离子水各超声清洗15min，去除表面的有机污染物，得到清洁的导电阳极玻璃基底。
通过热阻蒸镀的方法，在清洁的导电阳极玻璃基底上依次蒸镀设置空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。其中，热阻蒸镀的条件为压强5×10-5～2×10-3Pa，空穴注入层和电子注入层的蒸镀速率为1～10nm/s，所述空穴传输层、发光层和电子传输层的蒸镀速率为0.1～1nm/s。
优选地，空穴注入层的材质为三氧化钼（MoO3）、三氧化钨（WO3）和五氧化二钒（V2O5）中的一种。更优选地，空穴注入层的材质为WO3。
优选地，空穴注入层的厚度为20～80nm。更优选地，空穴注入层的厚度为40nm。
优选地，空穴传输层的材质为1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA）和N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺（NPB）中的一种。更优选地，空穴传输层的材质为NPB。
优选地，空穴传输层的厚度为20～60nm。更优选地，空穴传输层的厚度为35nm。
优选地，发光层的材质为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二（β-萘基）蒽（ADN）、4,4’-双（9-乙基-3-咔唑乙烯基）-1,1’-联苯（BCzVBi）和8-羟基喹啉铝（Alq3）中的一种。更优选地，发光层的材质为Alq3。
优选地，发光层的厚度为5～40nm。更优选地，发光层的厚度为28nm。
电子传输层的材质为具有较高的电子迁移率，能有效传导电子的有机分子材料。
优选地，电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、1,2,4-三唑衍生物和1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBi）中的一种。
更优选地，1,2,4-三唑衍生物为3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑（TAZ）。更优选地，电子传输层的材质为Bphen。
优选地，电子传输层的厚度为40～200nm。更优选地，电子传输层的厚度为65nm。
优选地，电子注入层的材质为碳酸铯（Cs2CO3）、氟化铯（CsF）、叠氮铯（CsN3）和氟化锂（LiF）中的一种。更优选地，第二电子注入层的材质为LiF。
优选地，电子注入层的厚度为0.5～10nm。更优选地，电子注入层的厚度为1.2nm。
阴极设置在电子注入层上。阴极包括依次层叠的三元掺杂层和导电氧化物层。
三元掺杂层通过电子束蒸镀的方法设置在电子注入层上。
电子束蒸镀条件为能量密度10～100W/cm2。
具体操作为将锌化合物、钠盐和噻吩类小分子按照质量比1:(2～5):(5～15)混合得到混合材料，其中，所述锌化合物为氧化锌、硫化锌、硒化锌和氯化锌中的一种，所述钠盐为碳酸钠、氯化钠、氟化钠和溴化钠中的一种，所述噻吩类小分子为3-己基噻吩、3-甲基噻吩和3-十二烷基噻吩中的一种；将所述混合材料通过电子束蒸镀在所述电子注入层上，得到三元掺杂层。
优选地，将锌化合物、钠盐和噻吩类小分子按照质量比1:(3.5～4):(6.5～11)混合。
优选地，三元掺杂层的厚度为50～150nm。
导电氧化物层通过磁控溅射方法设置在三元掺杂层上。
导电氧化物层的材质为铟锡氧化物（ITO）、铝锌氧化物（AZO）和铟锌氧化物（IZO）中的一种。
磁控溅射的条件为加速电压300～800V，磁场50～200G，功率密度1～40W/cm2。
优选地，导电氧化物层的厚度为150～400nm。
在电子注入层之上制备一层三元掺杂层，由锌化合物、钠盐和噻吩类小分子组成。锌化合物折射率较大，光线从有机发光功能层发射出去不会发生全反射，避免了全反射的损失，同时，锌化合物的透光范围较宽，达到了微米级，可使大部分可见光透过，提高器件的透过率；钠盐的功函数较低，蒸发温度低，有利于提高电子的注入，降低电子的注入势垒，避免能量损失；噻吩类小分子的存在可提高材料整体的结晶程度，使掺杂材料之间的电子陷阱减少，且容易成膜，加快电子的传输，提高传输速率。
然后再在三元掺杂层之上制备导电氧化物层，提高器件的导电性和光的反射率，使光回到底部出射，有效地提高了器件的发光效率。
本发明具有如下有益效果：
（1）本发明制备的有机电致发光器件采用依次层叠的三元掺杂层和导电氧化物层作为阴极，提高器件的透过率、电子注入能力，使光能更有效地抵达导电阳极玻璃基底，从而提高器件的发光效率，并提高了器件的稳定性。
（3）本发明制备方法简单，易于控制和操作，并且原材料容易获得。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例1提供的有机电致发光器件的结构图；
图2是本发明实施例1提供的有机电致发光器件与对比例提供的有机电致发光器件的电流密度与电流效率的关系图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
以下为具体实施例及对比例部分，其中，“/”表示层叠，“：”表示前者与后者的质量比。
实施例1
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
（1）将ITO玻璃基底用洗洁精、去离子水各超声清洗15min，得到清洁的导电阳极玻璃基底；
（2）在高真空镀膜系统（沈阳科学仪器研制中心有限公司）中，压强为8×10-5Pa的条件下，在清洁的导电阳极玻璃基底上依次热阻蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；
具体地，在本实施例中，空穴注入层的材质为WO3，厚度为40nm；空穴传输层的材质为NPB，厚度为35nm；发光层的材质为Alq3，厚度为28nm；电子传输层的材质为Bphen，厚度为65nm；电子注入层的材质为LiF，厚度为1.2nm；
其中，WO3和LiF的蒸镀速率为3nm/s，NPB、Alq3和Bphen的蒸镀速率为0.2nm/s；
（3）在压强为8×10-5Pa的条件下，在电子注入层上制备阴极：
先电子束蒸镀制备三元掺杂层，具体操作为将ZnS、NaCO3和3HT按照质量比1:4:11混合得到混合材料，将该混合材料通过电子束蒸镀在电子注入层上，条件为能量密度35W/cm2，得到三元掺杂层，厚度为100nm；
再磁控溅射制备导电氧化物层，导电氧化物层的材质为ITO，厚度为250nm，磁控溅射条件为加速电压400V，磁场150G，功率密度30W/cm2；
以上步骤完成后，得到一种有机电致发光器件，结构具体表示为：ITO/WO3/NPB/Alq3/Bphen/LiF/ZnS:NaCO3:3HT(1:4:11)/ITO。
图1是本实施例的有机电致发光器件的结构示意图。如图1所示，该有机电致发光器件的结构包括依次层叠的导电阳极玻璃基底10、空穴注入层20、空穴传输层30、发光层40、电子传输层50、电子注入层60和阴极70（包括三元掺杂层701、导电氧化物层702）。
实施例2
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
（1）将AZO玻璃基底用洗洁精、去离子水各超声清洗15min，得到清洁的导电阳极玻璃基底；
（2）在高真空镀膜系统（沈阳科学仪器研制中心有限公司）中，压强为2×10-3Pa的条件下，在清洁的导电阳极玻璃基底上依次热阻蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；
具体地，在本实施例中，空穴注入层的材质为MoO3，厚度为80nm；空穴传输层的材质为NPB，厚度为60nm；发光层的材质为ADN，厚度为5nm；电子传输层的材质为TAZ，厚度为200nm；电子注入层的材质为CsF，厚度为10nm；
其中，MoO3和CsF的蒸镀速率为10nm/s，NPB、ADN和TAZ的蒸镀速率为0.1nm/s；
（3）在压强为2×10-3Pa的条件下，在电子注入层上制备阴极：
先电子束蒸镀制备三元掺杂层，具体操作为将ZnO、NaCl和3AT按照质量比1:5:15混合得到混合材料，将该混合材料通过电子束蒸镀在电子注入层上，条件为能量密度100W/cm2，得到三元掺杂层，厚度为150nm；
再磁控溅射制备导电氧化物层，导电氧化物层的材质为AZO，厚度为400nm，磁控溅射条件为加速电压300V，磁场200G，功率密度1W/cm2；
以上步骤完成后，得到一种有机电致发光器件，结构具体表示为：AZO/MoO3/NPB/ADN/TAZ/CsF/ZnO:NaCl:3AT(1:5:15)/AZO。
实施例3
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
（1）将IZO玻璃基底用洗洁精、去离子水各超声清洗15min，得到清洁的导电阳极玻璃基底；
（2）在高真空镀膜系统（沈阳科学仪器研制中心有限公司）中，压强为5×10-5Pa的条件下，在清洁的导电阳极玻璃基底上依次热阻蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；
具体地，在本实施例中，空穴注入层的材质为WO3，厚度为20nm；空穴传输层的材质为TAPC，厚度为30nm；发光层的材质为BCzVBi，厚度为40nm；电子传输层的材质为TPBi，厚度为60nm；电子注入层的材质为Cs2CO3，厚度为0.5nm；
其中，WO3和Cs2CO3的蒸镀速率为1nm/s，TAPC、BCzVBi和TPBi的蒸镀速率为1nm/s；
（3）在压强为5×10-5Pa的条件下，在电子注入层上制备阴极：
先电子束蒸镀制备三元掺杂层，具体操作为将ZnSe、NaF和3OT按照质量比1:2:5混合得到混合材料，将该混合材料通过电子束蒸镀在电子注入层上，条件为能量密度10W/cm2，得到三元掺杂层，厚度为50nm；
再磁控溅射制备导电氧化物层，导电氧化物层的材质为IZO，厚度为50nm，磁控溅射条件为加速电压800V，磁场50G，功率密度40W/cm2；
以上步骤完成后，得到一种有机电致发光器件，结构具体表示为：IZO/WO3/TAPC/BCzVBi/TPBi/Cs2CO3/ZnSe:NaF:3OT(1:2:5)/IZO。
实施例4
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
（1）将IZO玻璃基底用洗洁精、去离子水各超声清洗15min，得到清洁的导电阳极玻璃基底；
（2）在高真空镀膜系统（沈阳科学仪器研制中心有限公司）中，压强为5×10-4Pa的条件下，在清洁的导电阳极玻璃基底上依次热阻蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；
具体地，在本实施例中，空穴注入层的材质为V2O5，厚度为30nm；空穴传输层的材质为TCTA，厚度为20nm；发光层的材质为DCJTB，厚度为5nm；电子传输层的材质为Bphen，厚度为40nm；电子注入层的材质为CsN3，厚度为1nm;
其中，V2O5和CsN3的蒸镀速率为5nm/s，TCTA、DCJTB和Bphen的蒸镀速率为0.2nm/s；
（3）在压强为5×10-4Pa的条件下，在电子注入层上制备阴极:
先电子束蒸镀制备三元掺杂层，具体操作为将ZnCl、NaBr和3HT按照质量比1:3.5:6.5混合得到混合材料，将该混合材料通过电子束蒸镀在电子注入层上，条件为能量密度50W/cm2，得到三元掺杂层，厚度为120nm；
再磁控溅射制备导电氧化物层，导电氧化物层的材质为ITO，厚度为350nm，磁控溅射条件为加速电压600V，磁场100G，功率密度15W/cm2；
以上步骤完成后，得到一种有机电致发光器件，结构具体表示为：IZO/V2O5/TCTA/DCJTB/Bphen/CsN3/ZnCl:NaBr:3HT(1:3.5:6.5)/AZO。
对比例
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
（1）将ITO玻璃基底用洗洁精、去离子水各超声清洗15min，得到清洁的导电阳极玻璃基底；
（2）在高真空镀膜系统（沈阳科学仪器研制中心有限公司）中，压强为8×10-5Pa的条件下，在清洁的导电阳极玻璃基底上依次热阻蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极；
具体地，在本实施例中，空穴注入层的材质为WO3，厚度为40nm；空穴传输层的材质为NPB，厚度为35nm；发光层的材质为Alq3，厚度为28nm；电子传输层的材质为Bphen，厚度为65nm；电子注入层的材质为LiF，厚度为1.2nm；阴极的材质为Ag，厚度为150；
其中，WO3、LiF和Ag的蒸镀速率为3nm/s，NPB、Alq3和Bphen的蒸镀速率为0.2nm/s；
以上步骤完成后，得到一种有机电致发光器件，结构具体表示为：ITO/WO3/NPB/Alq3/Bphen/LiF/Ag。
利用美国吉时利公司的Keithley2400测试电学性能，色度计（日本柯尼卡美能达公司，型号：CS-100A）测试亮度和色度，光纤光谱仪（美国海洋光学公司，型号：USB4000）测试电致发光光谱。
图2是实施例1的有机电致发光器件与对比例的有机电致发光器件的电流密度与电流效率的关系图。其中，曲线1为实施例1的有机电致发光器件的电流密度与电流效率的关系图；曲线2为对比例提供的有机电致发光器件的电流密度与电流效率的关系图。
从图2中可以看到，在不同电流密度下，实施例1的电流效率都比对比例的要大，实施例1的最大的电流效率效率为14.62cd/A，而对比例的仅为11.53cd/A，这说明，本发明制备的提高器件的透过率，提高电子的注入，使光线散射，提高出光效率，同时提高器件的导电性和光的反射率，有效提高发光效率。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的导电阳极玻璃基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，所述阴极包括依次层叠的三元掺杂层和导电氧化物层；所述三元掺杂层的材质为锌化合物、钠盐和噻吩类小分子按照质量比1:(2～5):(5～15)混合形成的混合材料，其中，所述锌化合物为氧化锌、硫化锌、硒化锌和氯化锌中的一种，所述钠盐为碳酸钠、氯化钠、氟化钠和溴化钠中的一种，所述噻吩类小分子为3-己基噻吩、3-甲基噻吩和3-十二烷基噻吩中的一种；所述导电氧化物层的材质为铟锡氧化物、铝锌氧化物和铟锌氧化物中的一种。
2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述导电阳极玻璃基底为铟锡氧化物玻璃、铝锌氧化物玻璃和铟锌氧化物玻璃中的一种。
3.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的材质为三氧化钼、三氧化钨和五氧化二钒中的一种；空穴传输层的材质为1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺和N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺中的一种；发光层的材质为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二（β-萘基）蒽、4,4’-双（9-乙基-3-咔唑乙烯基）-1,1’-联苯和8-羟基喹啉铝中的一种；电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物和1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的一种；电子注入层的材质为碳酸铯、氟化铯、叠氮铯和氟化锂中的一种。
4.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述三元掺杂层的材质为锌化合物、钠盐和噻吩类小分子按照质量比1:(3.5～4):(6.5～11)混合形成的混合材料。
5.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供清洁的导电阳极玻璃基底；
在所述导电阳极玻璃基底上依次热阻蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层，所述热阻蒸镀的条件为压强5×10-5～2×10-3Pa，所述空穴注入层和电子注入层的蒸镀速率为1～10nm/s，所述空穴传输层、发光层和电子传输层的蒸镀速率为0.1～1nm/s；
在所述电子注入层上制备阴极，所述阴极包括依次层叠的三元掺杂层和导电氧化物层，其中：
所述三元掺杂层通过电子束蒸镀制备，具体操作为将锌化合物、钠盐和噻吩类小分子按照质量比1:(2～5):(5～15)混合得到混合材料，其中，所述锌化合物为氧化锌、硫化锌、硒化锌和氯化锌中的一种，所述钠盐为碳酸钠、氯化钠、氟化钠和溴化钠中的一种，所述噻吩类小分子为3-己基噻吩、3-甲基噻吩和3-十二烷基噻吩中的一种；将所述混合材料通过电子束蒸镀在所述电子注入层上，条件为能量密度10～100W/cm2，得到所述三元掺杂层；
所述导电氧化物层通过磁控溅射方法制备，所述导电氧化物层的材质为铟锡氧化物、铝锌氧化物和铟锌氧化物中的一种，所述磁控溅射的条件为加速电压300～800V，磁场50～200G，功率密度1～40W/cm2；
以上步骤完成后，得到所述有机电致发光器件。
6.如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述导电阳极玻璃基底为铟锡氧化物玻璃、铝锌氧化物玻璃和铟锌氧化物玻璃中的一种。
7.如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述三元掺杂层的材质为锌化合物、钠盐和噻吩类小分子按照质量比1:(3.5～4):(6.5～11)混合形成的混合材料。
8.如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述空穴注入层的材质为三氧化钼、三氧化钨和五氧化二钒中的一种；空穴传输层的材质为1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺和N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺中的一种；发光层的材质为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二（β-萘基）蒽、4,4’-双（9-乙基-3-咔唑乙烯基）-1,1’-联苯和8-羟基喹啉铝中的一种；电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物和1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的一种；电子注入层的材质为碳酸铯、氟化铯、叠氮铯和氟化锂中的一种。
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