CN105633244A - 电致发光器件、具有其的显示装置与照明装置 - Google Patents
电致发光器件、具有其的显示装置与照明装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105633244A CN105633244A CN201610081830.0A CN201610081830A CN105633244A CN 105633244 A CN105633244 A CN 105633244A CN 201610081830 A CN201610081830 A CN 201610081830A CN 105633244 A CN105633244 A CN 105633244A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electroluminescent device
- electrode
- rete
- oxide
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 77
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 75
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 62
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 50
- 239000008187 granular material Substances 0.000 claims description 30
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims description 28
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 22
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical group O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 9
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 6
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N iron oxide Inorganic materials [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NDLPOXTZKUMGOV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoferriooxy)iron hydrate Chemical compound O.O=[Fe]O[Fe]=O NDLPOXTZKUMGOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 claims description 3
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 3
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 abstract 4
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 13
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 11
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 4
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- -1 4-butyl phenyl Chemical group 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- BEQNOZDXPONEMR-UHFFFAOYSA-N cadmium;oxotin Chemical compound [Cd].[Sn]=O BEQNOZDXPONEMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AIACLXROWHONEE-UHFFFAOYSA-N 2,3-dimethylcyclohexa-2,5-diene-1,4-dione Chemical compound CC1=C(C)C(=O)C=CC1=O AIACLXROWHONEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LOIBXBUXWRVJCF-UHFFFAOYSA-N 4-(4-aminophenyl)-3-phenylaniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1C1=CC=CC=C1 LOIBXBUXWRVJCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DNWNZRZGKVWORZ-UHFFFAOYSA-N calcium oxido(dioxo)vanadium Chemical compound [Ca+2].[O-][V](=O)=O.[O-][V](=O)=O DNWNZRZGKVWORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YMNMFUIJDSASQW-UHFFFAOYSA-N distrontium;oxygen(2-);vanadium Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V].[V].[Sr+2].[Sr+2] YMNMFUIJDSASQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000002372 labelling Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004880 oxines Chemical group 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical group [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 239000013047 polymeric layer Substances 0.000 description 1
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/42—Transparent materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本申请提供了一种电致发光器件、具有其的显示装置与照明装置。该电致发光器件包括第一电极、发光层、第二电极与至少一个膜层，其中，发光层设置在第一电极的表面上；第二电极设置在发光层的远离第一电极的表面上，各膜层设置在第一电极与发光层之间，和/或设置在第二电极与发光层之间，其中，至少一个膜层包括有机主体与光散射颗粒，光散射颗粒分散在有机主体中，有机主体具有导电性。该电致发光器件中的至少一个膜层中包括光散射颗粒，光散射颗粒减少了全反射发生的概率，增加了电致发光器件的发光效率，进而增加了电致发光器件的外量子效率。
Description
技术领域
本申请涉及光电器件技术领域，具体而言，涉及一种电致发光器件、具有其的显示装置与照明装置。
背景技术
外量子效率(externalquantumefficiency，简称EQE)是表征在观测方向上电致发光器件发出的光子数与注入器件的电子数之间的比值，是评价器件性能最重要的指标。EQE＝γχηPLηOC，其中，γ是指注入电子与空穴发生复合的比例；χ是指激子发生复合后产生辐射跃迁的比例；ηPL是指发光材料的荧光量子产率；ηOC是发射光子的出光率。以上四个系数对EQE的影响是等效的。
电致发光器件在工作状态下，从各自的电极发射出电子和空穴，电子和空穴在发光层中复合，在电致发光器件中，发光层中超过70％的生成光会损失，只有相对少量的光可作为“可用的”光穿过透明电极出现。电致发光器件通常是不同材料层叠而成，光从高折射率层向低折射率层射入时，器件内部具有平行的层结构，使得大部分入射光因为全反射损失掉了，大大降低了器件的出光率。
因此，现有技术中的电致发光器件的出光率不高，并影响器件的外量子效率。
发明内容
本申请旨在提供一种电致发光器件、具有其的显示装置与照明装置，以解决现有技术中的电致发光器件中的出光率较低的问题。
为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种电致发光器件，该电致发光器件包括第一电极、发光层、第二电极与至少一个膜层，其中，发光层设置在上述第一电极的表面上；第二电极设置在上述发光层的远离上述第一电极的表面上，各膜层设置在上述第一电极与上述发光层之间，和/或设置在上述第二电极与上述发光层之间，其中，至少一个上述膜层包括有机主体与光散射颗粒，上述光散射颗粒分散在上述有机主体中，上述有机主体具有导电性。
进一步地，上述电致发光器件还包括导电性保护层，上述导电性保护层设置在包括上述有机主体与上述光散射颗粒的上述膜层的至少一个表面上。
进一步地，上述有机主体的折射率与上述光散射颗粒的折射率之差大于或等于0.5。
进一步地，上述光散射颗粒的平均粒径在20～500nm之间，优选在50～400nm之间。
进一步地，上述散射颗粒的体积占上述膜层的体积的至少20％，优选至少50％。
进一步地，上述光散射颗粒具有导电性。
进一步地，上述光散射颗粒为球体颗粒或椭球体颗粒。
进一步地，上述光散射颗粒为氧化钛颗粒、氧化钽颗粒、氧化铌颗粒、氧化锆颗粒、氧化铝颗粒、氧化钨颗粒、氧化锑颗粒、氧化钒颗粒、氧化钼颗粒、氧化硅颗粒、氧化铬颗粒、氧化铁颗粒、氧化铜颗粒、氧化铅颗粒、氧化钇颗粒、氧化锰颗粒、氧化锡颗粒、氧化锌颗粒、硫化铅颗粒、硫化锌颗粒、硫化镉颗粒、碲化锌颗粒与硒化镉颗粒中的一种或多种。
进一步地，上述电致发光器件采用薄膜封装，上述薄膜的厚度小于或等于20μm，优选小于或等于2μm。
进一步地，上述电致发光器件为量子点电致发光器件，上述发光层为量子点发光层。
进一步地，上述量子点发光层包括量子点材料，上述量子点材料为红色量子点材料、绿色量子点材料和蓝色量子点材料中的一种或多种。
为了实现上述目的，根据本申请的另一个方面，提供了一种显示装置，该显示装置包括电致发光器件，该电致发光器件为上述的电致发光器件。
为了实现上述目的，根据本申请的再一个方面，提供了一种照明装置，该照明装置包括电致发光器件，该电致发光器件为上述的电致发光器件。
应用本申请的技术方案，电致发光器件中的至少一个膜层包括含有光散射颗粒，该膜层也可以称为光提取层，当发光层发出的光经过光散射颗粒能够从发光层发出的光一部分通过透明电极直接发射出去，另一部分被透明电极反射回来，然后被膜层中的光散射颗粒散射，又一次发射出去，其中的一部分经过透明电极传播出去，另一部分被散射颗粒散射到不透明的电极，被其反射之后，再经过一次膜层，由于光散射颗粒的分布是随机的，因此光线经过散射颗粒后也是随机的，减少了全反射发生的概率，从而增加了电致发光器件的发光效率，进而增加了电致发光器件的外量子效率。该膜层设置在电致发光器件的内部，并且导电的有机主体材料能够保证该层具有较好的导电性。
附图说明
构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本申请的进一步理解，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
图1示出了本申请一种典型实施方式提出的电致发光器件的结构示意图；
图2示出了本申请一种优选实施例提供的电致发光器件的结构示意图；以及
图3示出了本申请一种优选实施例提供的电致发光器件的结构示意图。
其中，上述附图包括以下附图标记：
10、第一电极；15、导电性保护层；20、第一膜层；30、发光层；40、第二膜层；50、第二电极。
具体实施方式
应该指出，以下详细说明都是例示性的，旨在对本申请提供进一步的说明。除非另有指明，本文使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属技术领域的普通技术人员通常理解的相同含义。
需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。
正如背景技术所介绍的，现有技术中的量子点电致发光器件中的出光率较低，为了解决如上述的技术问题，本申请提出了一种量子点电致发光器件、具有其的显示装置与照明装置。
本申请一种典型的实施方式中，提出了一种电致发光器件，该电致发光器件包括：第一电极10、发光层30、第二电极50与至少一个膜层，其中，发光层30设置在上述第一电极10的表面上；第二电极50设置在上述散射层的远离上述发光层30的表面上；上述膜层设置在上述第一电极10与上述发光层30之间，和/或设置在上述第二电极50与上述发光层30之间，其中，至少一个上述膜层包括有机主体与光散射颗粒，上述光散射颗粒分散在上述有机主体中，且有机主体具有导电性。图1示出了一种电致发光器件的结构示意图，该电致发光器件包括一个膜层，称为第一膜层20，第一膜层20设置在第一电极10与发光层30之间。
具体地，有机主体的材料可以为聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸、2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰二甲基对苯醌、聚乙烯咔唑、N,N'-二苯基-N,N'-(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(DOFL-TPD)、N',N'-双(4-丁基苯基),-N',N'-双(苯基)联苯胺)、N',N'-双(3-甲基苯基),-N',N'-双(苯基)-9,9-二辛基芴、聚((9,9-二辛基芴-2,7-二基)-共(4,4'-(N-(4-仲-丁基苯基)二苯胺))、2-(4-联苯基)-5-苯基-1,3,4-噁二唑)、8-羟基喹啉铝、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑、4,7-二苯基-1,10-菲啰啉、(1，3-二[2-(2，2’-联吡啶-6-基)-1，3，4-噁二唑-5-基]苯、(1，4-二[2-(2，2’-联吡啶-6-基)-1，3，4-噁二唑-5-基]苯、(2，6-二[2-(2，2’-联吡啶-6-基)-1，3，4-噁二唑-5-基]苯材料中的一种或多种。但是有机主体的材料并不限于上述列举中的材料，本领域技术人员可以根据具体的情况选择合适的具有导电性的有机主体材料。
本领域技术人员公知的是第一电极10与第二电极50中至少有一个电极是透明电极，本领域技术人员可以根据实际情况选择合适的第一电极10和第二电极50的材料。
上述的电致发光器件中的膜层包括含有光散射颗粒，该膜层也可以称为光提取层，当发光层30发出的光经过光散射颗粒能够从发光层30发出的光一部分通过透明电极直接发射出去，另一部分被透明电极反射回来，然后被膜层中的光散射颗粒散射，又一次发射出去，其中的一部分经过透明电极传播出去，另一部分被散射颗粒散射到不透明的电极，被其反射之后，再经过一次膜层，由于光散射颗粒的分布是随机的，因此光线经过散射颗粒后也是随机的，减少了全反射发生的概率，从而增加了电致发光器件的发光效率，进而增加了电致发光器件的外量子效率。该膜层设置在电致发光器件的内部，并且导电的有机主体材料能够保证该层具有较好的导电性。膜层可以同时作为电子传输/注入层，空穴传输/注入层等功能层，也可以是区别于前述功能层的一层。
本申请的另一种实施例中，上述电致发光器件还包括导电性保护层15，上述导电性保护层15设置在包括有机主体与光散射颗粒的膜层的至少一个表面上。导电性保护层15可以设置在膜层与发光层30之间，如图2所示，当包括光散射颗粒与有机主体的第一膜层设置在第一电极10与发光层30之间时，即器件中的第一膜层20是光提取层时，导电性保护层15也可以设置在第一膜层20与第一电极10之间。
当包括光散射颗粒与有机主体的膜层设置在第二电极50与发光层30之间时，该膜层称为第二膜层40，导电性保护层15还可以设置在第二膜层40与第二电极50之间。上述的导电性保护层15能够起到防止第二膜层40粗糙导致的漏电和短路问题，导电性保护层15的材料可以是氮化硅或氧氮化硅。
为了使得导电性保护层15能够更好地避免膜层粗糙导致的漏电和短路问题，本申请优选导电性保护层15的厚度在10～100nm之间。
本申请的又一种实施例中，上述有机半导体与上述光散射颗粒的折射率之差大于或等于0.5。一般来说，折射率差越大，膜层的散射能力越强，光提取效率就越高。
为了进一步保证膜层的光提取效果，且避免膜层表面的粗糙度过大造成漏电或短路问题，本申请优选上述光散射颗粒的平均粒径在20～500nm之间，进一步优选在50～400nm之间。
散射颗粒占膜层的体积含量越大，散射作用越大，光提取效果越好。但是散射颗粒含量增加的同时，膜层表面粗糙度会变大，会增加漏电的风险。所以，为了避免光散射颗粒过多导致粒子凝集或者使得膜层表面产生凸起刺穿它结构层，进而导致电致发光器件产生漏电或短路问题，且同时保证器件具有较好的光提取效果，本申请优选散射颗粒的体积占膜层的体积的至少20％，优选至少50％，本申请中的散射颗粒的体积是指所有分散在一个膜层中的所有的散射颗粒的体积总和。
优选地，所述散射颗粒具有导电性，这样能够进一步保证膜层的导电性能，进一步保证了电致发光器件的光电性能。
本申请的一种是实施例中，上述光散射颗粒的表面光滑，上述光散射颗粒为球体颗粒或椭球体颗粒。这样的形状能够进一步保证膜层的表面的粗糙度较小，进而能够避免其由于表面粗糙度较大导致的漏电或短路问题。
为了进一步保证光散射颗粒的加入能够增加量子点电致发光器件的发光效率，并且同时保证不影响膜层应有的传输载流子的作用，本申请优选上述光散射颗粒为氧化钛颗粒、氧化钽颗粒、氧化铌颗粒、氧化锆颗粒、氧化铝颗粒、氧化钨颗粒、氧化锑颗粒、氧化钒颗粒、氧化钼颗粒、氧化硅颗粒、氧化铬颗粒、氧化铁颗粒、氧化铜颗粒、氧化铅颗粒、氧化锰颗粒、氧化锡颗粒、氧化锌颗粒、硫化铅颗粒、氧化钇颗粒、硫化锌颗粒、硫化镉颗粒、碲化锌颗粒与硒化镉颗粒中的一种或多种。
为了更好地保护电致发光器件，保证其的性能，本申请优选电致发光器件采用薄膜封装，薄膜的厚度小于或等于20μm，优选小于或等于2μm。薄膜封装是对发光器件的外层设置与其接触的层叠式薄膜，薄膜封装可以是化学气相沉积或者真空蒸镀无机阻隔层和聚合物薄膜形成的Barix结构(采用聚合物层和无机阻隔层交错堆叠形成的封装结构)，防止水氧渗透，并且膜层光滑。为了适应现代社会对电子设备的轻薄化需求，且厚度越薄越好。并且薄膜封装较少造成光损失。
上述电致发光器件可以为有机电致发光器件，也可以是量子点电致发光器件，本申请的一种实施例中，上述电致发光器件为量子点电致发光器件，发光层30为量子点发光层。
本申请中的量子点发光层包括量子点材料，上述量子点材料为红色量子点材料、绿色量子点材料和蓝色量子点材料中的一种或多种。本领域技术人员可以根据实际情况选择合适的量子点材料。
优选地，上述量子点材料包括量子点与上述量子点表面配位的配体，上述配体为巯基类配体、磷酸根类配体、胺基类配体或羧酸根类配体。配体与量子点表面稳定配位，提高量子点的稳性。
本申请的另一种实施例中，如图3所示，上述第一电极10为阳极，上述第二电极50为阴极，上述电致发光器件包括两个同时包括有机主体与光散射颗粒的膜层，分别为第一膜层20与第二膜层40，第一膜层20设置在上述第一电极10与上述量子点发光层30之间，第二膜层40设置在第二电极50与量子点发光层30之间。
本申请的另一种实施例中，电致发光器件中还包括功能层。该功能层可以为电子传输层、电子注入层、空穴传输层或空穴注入层。电致发光器件可以同时包括多个功能层。
第一电极10的材料为铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化锡、铝锌氧化物、钒酸锶、钒酸钙或镉锡氧化物。同样地，本领域技术人员可以根据实际情况选择合适的材料。
本申请优选上述第二电极50的材料为Ag、Au和/或Al，也就是说第二电极50的材料可以为Ag、Au或Al；也可以是Ag与Au的合金、Au与Al的合金，Ag与Al的合金，也可以是Ag、Au与Al的合金，还可以是Ag的合金、Au的合金或Al的合金。本领域技术人员可以根据实际情况选择合适的第一电极10的材料。
本申请一种实施例中，上述第一电极10的材料为铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化锡、铝锌氧化物或镉锡氧化物；第二电极50的材料为Ag、Au和/或Al，优选为Ag。
本申请的再一种实施例中，上述电致发光器件还包括基底，上述基底设置在上述第一电极10远离上述发光层30的表面，或者上述基底设置在上述第二电极50的远离上述膜层的表面，当第一电极10为阳极时，基底与第一电极10接触设置，当第二电极50为阳极时，基底与第二电极50接触设置。另外地，本领域技术人员公知的是，第一电极10与第二电极50中至少有一个电极为透明电极，当阳极为透明电极时，基板也必须是透明的。
本申请的另一种典型的实施方式中，提供了一种显示装置，该显示装置包括电致发光器件，该电致发光器件为上述的电致发光器件。
由于该显示装置包括上述的电致发光器件，使得其的发光率较高，进而使得其外量子效率较高。
本申请的再一种典型的实施方式中，提供了一种照明装置，该照明装置包括，该电致发光器件为上述的电致发光器件。
该照明设备中由于具有上述的电致发光器件，其发光率较高，进而使得其外量子效率较高。
为了使得本领域技术人员能够更加清楚地了解本申请的技术方案，以下将结合具体的实施例与对比例来详细地说明本申请的技术方案。
实施例1
量子点电致发光器件包括第一电极、第一膜层、量子点发光层与第二电极。其中，第一电极为ITO阳极，第一膜层包括有机主体与光散射颗粒，有机主体为聚乙烯咔唑，光散射颗粒为氧化钛颗粒，其粒径为20nm，占膜层的体积含量的20％，聚乙烯咔唑与氧化钛颗粒的折射率差为1.2。量子点发光层包括量子点材料，量子点材料包括发射波长为635nm的红光量子点与该量子点表面配位的油酸配体，第二电极的材料为Ag。
实施例2
有机电致发光器件包括第一电极、第一膜层、有机发光层(即有机发射层)与第二电极。其中，第一电极为ITO阳极，第一膜层包括有机主体与光散射颗粒，有机主体为聚乙烯咔唑，光散射颗粒为氧化钛颗粒，其粒径为50nm，占膜层的体积含量的50％，聚乙烯咔唑与氧化钛颗粒的折射率差为1.2。有机发光层为磷光主体材料EB915和红光掺杂材料IrCou6，第二电极的材料为Ag。
实施例3
量子点电致发光器件从下至上依次包括第一电极、导电性保护层、第一膜层、量子点发光层、功能层与第二电极。其中，第一电极为ITO阳极，第一膜层包括有机主体与光散射颗粒，有机主体为聚乙烯咔唑，光散射颗粒为氧化铌颗粒，其粒径为500nm，占膜层的体积含量的60％，聚乙烯咔唑与氧化铌颗粒的折射率差为0.7，量子点发光层包括量子点材料，量子点材料包括发射波长为635nm的红光量子点与该量子点表面配位的油酸配体，第二电极的材料为Ag，导电性保护层为氮化硅层。
实施例4
量子点电致发光器件从下至上依次包括第一电极、导电性保护层、第一膜层、量子点发光层、功能层与第二电极。其中，第一电极为ITO阳极，第一膜层包括有机主体与光散射颗粒，有机主体为聚乙烯咔唑，光散射颗粒为氧化铌颗粒，其粒径为400nm，占膜层的体积含量的60％，聚乙烯咔唑与氧化铌颗粒的折射率差为0.7，量子点发光层包括量子点材料，量子点材料包括发射波长为635nm的红光量子点与该量子点表面配位的油酸配体，第二电极的材料为Ag，导电性保护层为氮化硅层。
实施例5
量子点电致发光器件从下至上依次包括第一电极、导电性保护层、第一膜层、量子点发光层、功能层与第二电极。其中，第一电极为ITO阳极，第一膜层包括有机主体与光散射颗粒，有机主体为聚乙烯咔唑，光散射颗粒为氧化钛颗粒，其粒径为200nm，占膜层的体积含量的60％，聚乙烯咔唑与氧化钛颗粒的折射率差为1.2，量子点发光层包括量子点材料，量子点材料包括发射波长为635nm的红光量子点与该量子点表面配位的油酸配体，第二电极的材料为Ag，导电性保护层为氮化硅层。
实施例6
与实施例5的区别在于：第一膜层的有机主体为聚乙烯咔唑，光散射颗粒为氧化锆，有机主体与光散射颗粒的折射率差为0.5。
实施例7
与实施例5的区别在于，第一膜层有包括相邻的两层，与量子点发光层接触设置的为下层，下层的有机主体为聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸，光散射颗粒为二氧化钛，有机主体与光散射颗粒的折射率差为1.4，光散射颗粒的平均粒径为200nm，远离量子点发光层的为上层，上层与实施例5相同。
实施例8
与实施例5的区别在于，第一膜层中的光散射颗粒的平均粒径为600nm。
实施例9
与实施例5的区别在于，第一膜层中的有机主体为聚乙烯咔唑，光散射颗粒为氧化钇，二者的折射率差值为0.3。
实施例10
与实施例5的区别在于，量子点电致发光器件中不包括导电性保护层。
实施例11
与实施例5的区别在于，光散射颗粒的体积含量占第一膜层的体积含量的10％。
实施例12
与实施例5的区别在于，量子点电致发光器件中还包括第二膜层与功能层，第二膜层设置在第二电极与上述量子点发光层之间，功能层设置在第二膜层与量子点发光层之间，第二膜层的有机主体为3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑，光散射颗粒为氧化铝颗粒，有机主体与光散射颗粒的折射率差为0.3，光散射颗粒的平均粒径为200nm，功能层为8-羟基喹啉铝(Alq3)。
对比例1
与实施例1的区别在于，量子点电致发光器件中的第一膜层中不包含光散射颗粒。
采用PHOTORESEARCH公司生产的PR670光谱光度/色度/辐射度计，在电流密度为2mA/cm2的条件下，测试上述各实施例与对比例的量子点电致发光器件的外量子效率(EQE)外量子效率越大，发光率越高，测试结果见表1。
表1
由表1的数据可知，本申请中的电致发光器件具有较高的外量子效率，并且，电致发光器件包括导电性保护层，有机主体的折射率与光散射颗粒的折射率之差大于或等于0.5，光散射颗粒的平均粒径在20～500nm之间，散射颗粒占膜层的体积含量的至少20％时，电致发光器件的出光率较高，进而使得外量子效率更高。
从以上的描述中，可以看出，本申请上述的实施例实现了如下技术效果：
1)、本申请的电致发光器件中的膜层包括含有光散射颗粒，发光层发出的光经过光散射颗粒能够的散射作用，能够将部分由于全反射作用困在器件内部的光提取出去，进而增加了电致发光器件的外量子效率。
2)本申请的显示装置包括上述的电致发光器件，使得其外量子效率较高。
3)本申请的照明装置包括上述的电致发光器件，使得其外量子效率较高。
以上上述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (13)
1.一种电致发光器件，其特征在于，所述电致发光器件包括：
第一电极(10)；
发光层(30)，设置在所述第一电极(10)的表面上；
第二电极(50)，设置在所述发光层(30)的远离所述第一电极(10)的表面上；
至少一个膜层，设置在所述第一电极(10)与所述发光层(30)之间，和/或设置在所述第二电极(50)与所述发光层(30)之间，其中，至少一个所述膜层包括有机主体与光散射颗粒，所述光散射颗粒分散在所述有机主体中，所述有机主体具有导电性。
2.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述电致发光器件还包括导电性保护层(15)，所述导电性保护层(15)设置在包括所述有机主体与所述光散射颗粒的所述膜层的至少一个表面上。
3.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述有机主体的折射率与所述光散射颗粒的折射率之差大于或等于0.5。
4.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述光散射颗粒的平均粒径在20～500nm之间，优选在50～400nm之间。
5.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述散射颗粒的体积占所述膜层的体积的至少20％，优选至少50％。
6.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述散射颗粒具有导电性。
7.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述光散射颗粒为球体颗粒或椭球体颗粒。
8.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述光散射颗粒为氧化钛颗粒、氧化钽颗粒、氧化铌颗粒、氧化锆颗粒、氧化铝颗粒、氧化钨颗粒、氧化锑颗粒、氧化钒颗粒、氧化钼颗粒、氧化硅颗粒、氧化铬颗粒、氧化铁颗粒、氧化铜颗粒、氧化铅颗粒、氧化钇颗粒、氧化锰颗粒、氧化锡颗粒、氧化锌颗粒、硫化铅颗粒、硫化锌颗粒、硫化镉颗粒、碲化锌颗粒与硒化镉颗粒中的一种或多种。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的电致发光器件，其特征在于，所述电致发光器件采用薄膜封装，所述薄膜的厚度小于或等于20μm，优选小于或等于2μm。
10.根据权利要求1至8中任一项所述的电致发光器件，其特征在于，所述电致发光器件为量子点电致发光器件，所述发光层(30)为量子点发光层。
11.根据权利要求10所述的电致发光器件，其特征在于，所述量子点发光层包括量子点材料，所述量子点材料为红色量子点材料、绿色量子点材料和蓝色量子点材料中的一种或多种。
12.一种显示装置，包括电致发光器件，其特征在于，所述电致发光器件为权利要求1至11中任一项所述的电致发光器件。
13.一种照明装置，包括电致发光器件，其特征在于，所述电致发光器件为权利要求1至11中任一项所述的电致发光器件。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610081830.0A CN105633244B (zh) | 2016-02-05 | 2016-02-05 | 电致发光器件、具有其的显示装置与照明装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610081830.0A CN105633244B (zh) | 2016-02-05 | 2016-02-05 | 电致发光器件、具有其的显示装置与照明装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105633244A true CN105633244A (zh) | 2016-06-01 |
| CN105633244B CN105633244B (zh) | 2018-10-12 |
Family
ID=56047977
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610081830.0A Active CN105633244B (zh) | 2016-02-05 | 2016-02-05 | 电致发光器件、具有其的显示装置与照明装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105633244B (zh) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106206979A (zh) * | 2016-06-30 | 2016-12-07 | 纳晶科技股份有限公司 | 电致发光器件、具有其的显示装置与照明装置 |
| CN106292074A (zh) * | 2016-10-17 | 2017-01-04 | 纳晶科技股份有限公司 | 光致发光器件及具有其的发光器件 |
| CN108957939A (zh) * | 2018-08-01 | 2018-12-07 | 张家港康得新光电材料有限公司 | 投影膜与包括其的投影系统 |
| CN108957938A (zh) * | 2018-08-01 | 2018-12-07 | 张家港康得新光电材料有限公司 | 投影膜与包括其的投影系统 |
| CN108957928A (zh) * | 2018-08-01 | 2018-12-07 | 张家港康得新光电材料有限公司 | 投影膜与包括其的投影系统 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101587941A (zh) * | 2009-06-25 | 2009-11-25 | 彩虹集团公司 | 一种有机电致发光显示器件 |
| CN101682001A (zh) * | 2007-05-10 | 2010-03-24 | 伊斯曼柯达公司 | 具有改进光输出的电致发光器件 |
| CN102544334A (zh) * | 2011-01-19 | 2012-07-04 | 南京第壹有机光电有限公司 | 一种高效发光的电致发光器件 |
| WO2013042745A1 (ja) * | 2011-09-21 | 2013-03-28 | パナソニック株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| CN104183724A (zh) * | 2013-05-22 | 2014-12-03 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制作方法 |
| CN104425733A (zh) * | 2013-09-03 | 2015-03-18 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
-
2016
- 2016-02-05 CN CN201610081830.0A patent/CN105633244B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101682001A (zh) * | 2007-05-10 | 2010-03-24 | 伊斯曼柯达公司 | 具有改进光输出的电致发光器件 |
| CN101587941A (zh) * | 2009-06-25 | 2009-11-25 | 彩虹集团公司 | 一种有机电致发光显示器件 |
| CN102544334A (zh) * | 2011-01-19 | 2012-07-04 | 南京第壹有机光电有限公司 | 一种高效发光的电致发光器件 |
| WO2013042745A1 (ja) * | 2011-09-21 | 2013-03-28 | パナソニック株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| CN104183724A (zh) * | 2013-05-22 | 2014-12-03 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制作方法 |
| CN104425733A (zh) * | 2013-09-03 | 2015-03-18 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106206979A (zh) * | 2016-06-30 | 2016-12-07 | 纳晶科技股份有限公司 | 电致发光器件、具有其的显示装置与照明装置 |
| CN106292074A (zh) * | 2016-10-17 | 2017-01-04 | 纳晶科技股份有限公司 | 光致发光器件及具有其的发光器件 |
| CN106292074B (zh) * | 2016-10-17 | 2020-03-31 | 纳晶科技股份有限公司 | 光致发光器件及具有其的发光器件 |
| CN108957939A (zh) * | 2018-08-01 | 2018-12-07 | 张家港康得新光电材料有限公司 | 投影膜与包括其的投影系统 |
| CN108957938A (zh) * | 2018-08-01 | 2018-12-07 | 张家港康得新光电材料有限公司 | 投影膜与包括其的投影系统 |
| CN108957928A (zh) * | 2018-08-01 | 2018-12-07 | 张家港康得新光电材料有限公司 | 投影膜与包括其的投影系统 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105633244B (zh) | 2018-10-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7902748B2 (en) | Electroluminescent device having improved light output | |
| CN106953020B (zh) | 一种有机发光显示器件和有机发光显示装置 | |
| CN103180993B (zh) | 有机电致发光器件 | |
| KR101658691B1 (ko) | 안정적이고 모든 용액에 처리 가능한 양자점 발광 다이오드 | |
| US9825258B2 (en) | Layered structure for OLED device, method for manufacturing the same, and OLED device having the same | |
| KR101115154B1 (ko) | 유기 발광 소자 및 이의 제조방법 | |
| CN105633244B (zh) | 电致发光器件、具有其的显示装置与照明装置 | |
| CN105449112B (zh) | 量子点电致发光器件、具有其的显示装置与照明装置 | |
| Yu et al. | Molding hemispherical microlens arrays on flexible substrates for highly efficient inverted quantum dot light emitting diodes | |
| US20170186985A1 (en) | Organic light emitting diode and organic light emitting diode display device including the same | |
| US10651339B2 (en) | Light emitting element and display device including the same | |
| TW201301612A (zh) | 有機電致發光元件 | |
| CN104321900B (zh) | 用于有机电子器件的基板 | |
| CN104769739B (zh) | 透明导电膜和包含所述透明导电膜的有机发光器件 | |
| KR20120047481A (ko) | 양자 발광 소자 | |
| CN1938880A (zh) | 电致发光装置中的中间层与电致发光装置 | |
| CN111146346A (zh) | 顶发光型量子点电致发光二极管及其制备方法 | |
| CN113130794B (zh) | 一种量子点发光二极管及其制备方法 | |
| CN112341606B (zh) | 化合物及其制备方法和量子点发光二极管 | |
| CN106058072B (zh) | 电致发光器件、具有其的显示装置与照明装置 | |
| CN104508854B (zh) | 用于有机电子器件的基板 | |
| KR20170112452A (ko) | 유기발광소자 | |
| CN106206979A (zh) | 电致发光器件、具有其的显示装置与照明装置 | |
| CN101931059B (zh) | 一种双导电极、基于双导电极的oled器件及制备方法 | |
| CN104300084A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |