CN109103317B - 具有发光功能的透光板及其制造方法 - Google Patents
具有发光功能的透光板及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109103317B CN109103317B CN201810635218.2A CN201810635218A CN109103317B CN 109103317 B CN109103317 B CN 109103317B CN 201810635218 A CN201810635218 A CN 201810635218A CN 109103317 B CN109103317 B CN 109103317B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- light
- transmitting
- substrate
- film
- transmissive substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 354
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 92
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 60
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 45
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 17
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 16
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 263
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 19
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 19
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 14
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 11
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 10
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 9
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 9
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 8
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 7
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 7
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 7
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 5
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 5
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 5
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 5
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 5
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 5
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 4
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 4
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000219 Ethylene vinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000003490 calendering Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 2
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 2
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 2
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 1
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000011370 conductive nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- UFRKOOWSQGXVKV-UHFFFAOYSA-N ethene;ethenol Chemical compound C=C.OC=C UFRKOOWSQGXVKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004715 ethylene vinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 125000001165 hydrophobic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000010023 transfer printing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/10—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
- H01L25/13—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/405—Reflective materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0756—Stacked arrangements of devices
Abstract
本发明提供具有发光功能的透光板及其制造方法。是将LED裸片直接搭载于透光性基板的构造,提高光的取出效率。提供一种透光板,该透光板具有透光性基板、设置于透光性基板的表面或者背面或者表面和背面两面上的布线图案、以及与布线图案接合的LED裸片。在透光性基板的搭载有LED裸片的面的相反侧配置有反射膜。布线图案的至少一部分和反射膜均由对导电性颗粒进行烧结而成的导电材料构成。
Description
技术领域
本发明涉及搭载1个以上的光源并能够发光的透光板。
背景技术
在专利文件1中公开了如下结构,将LED搭载在信用卡等的树脂制的基板上,改变其发光颜色,由此显示结算信息。此外,在专利文献2中公开了如下结构:将有机EL发光面板搭载在树脂制的1C卡上,利用其发光位置或者发光图案来显示余额。
另一方面,在专利文献3中公开了如下结构:在透明的基板上涂覆分散有导电性颗粒的溶液之后,通过照射光,对导电性颗粒进行烧结来形成布线图案,在该布线图案上搭载发光元件等。通过对导电性颗粒进行光烧结,基板的温度上升变为局部性的,因此,无需对透明基板整体进行加热,就能够在保持基板的透明性的同时直接形成布线图案。
专利文献1:日本特开2008-234595号公报
专利文献2:日本特开2008-217215号公报
专利文献3:日本特开2016-184621号公报
发明内容
在将LED搭载在树脂制基板上的情况下,通常使用将LED裸片(LED die)与衬底等进行了裸片结合等的被封装的LED。其理由是,在通过裸片结合或引线键合将LED裸片接合到基板时基板被加热的温度(180℃以上)使树脂制基板产生变形。另一方面,有机EL元件能够直接搭载在树脂制的膜上,但有机EL抗湿性弱,因此需要防湿结构,现状是需要将有机EL封入到玻璃制的壳体内。LED封装和有机EL元件的玻璃制壳体都具有厚度,因此妨碍薄型化。
另一方面,如专利文献3那样,通过使用利用光对导电性颗粒进行烧结的方法,能够在不对基板造成损伤的情况下,形成布线图案,将LED裸片与基板上的布线图案直接接合。
但是,在将LED裸片直接搭载于透明基板上的情况下,产生如光的取出效率低的问题。
本发明的目的在于虽然是将LED裸片直接搭载于透光性基板的结构但提高光的取出效率。
为了达成上述目的,根据本发明,提供一种透光板,该透光板具有:透光性基板:布线图案,其设置于透光性基板的表面或者背面或者表面和背面两面;以及LED裸片,其与布线图案接合。在透光性基板的搭载有LED裸片的面的相反侧配置有反射膜。布线图案的至少一部分和反射膜的至少一部分均由对导电性颗粒进行烧结而成的导电材料构成。
根据本发明,是将LED裸片直接搭载于透光性基板的构造,能够提高光的取出效率。
附图说明
图1是第1实施方式的具有发光功能的透光板的剖视图。
图2的(a)是第1实施方式的具有发光功能的透光板的部分剖视图,(b)是部分俯视图。
图3的(a)是示出第1实施方式的具有发光功能的透光板发出的光的指向特性的说明图,(b)是示出比较例发出的光的指向特性的说明图。
图4是第1实施方式的具有发光功能的透光板的另一例子的剖视图。
图5是第1实施方式的具有发光功能的透光板的另一例子的部分剖视图。
图6是第1实施方式的具有发光功能的透光板的另一例子的部分剖视图。
图7是在第1实施方式的具有发光功能的透光板上还具有透光膜的结构的部分剖视图。
图8的(a)和(b)是在第1实施方式的具有发光功能的透光板上还具有透镜的结构的部分剖视图。
图9的(a)~(e)是示出第1实施方式具有发光功能的透光板的制造方法的剖视图。
图10的(a)~(c)是第2实施方式的具有发光功能的透光板的部分剖视图。
图11的(a)~(e)是第2实施方式的具有发光功能的透光板的部分俯视图。
图12是在第2实施方式的具有发光功能的透光板上还具有透光膜的结构的部分剖视图。
图13是在第2实施方式的具有发光功能的透光板上还具有透光膜的结构的部分剖视图。
图14的(a)和(b)是在第2实施方式的具有发光功能的透光板的透光膜上具有缺口的结构的部分剖视图。
图15的(a)和(b)是在第2实施方式的具有发光功能的透光板的透光膜上具有缺口的结构的部分剖视图。
图16的(a)和(b)是在第2实施方式的具有发光功能的透光板的透光膜上具有缺口的结构的部分剖视图,(c)和(d)是部分俯视图。
图17的(a)~(d)是在第2实施方式的具有发光功能的透光板上还具有透镜的结构的部分剖视图。
图18的(a)~(d)是在第2实施方式的具有发光功能的透光板上还具有透镜的结构的部分剖视图。
图19的(a)~(g)是示出第2实施方式的具有发光功能的透光板的制造方法的说明图。
图20的(a)~(g)是示出第2实施方式的具有发光功能的透光板的制造方法的说明图。
图21的(a)是第3实施方式的具有发光功能的透光板的部分剖视图,(b)是比较例的透光板的部分剖视图。
图22的(a)是第3实施方式的具有发光功能的透光板的另一例子的部分剖视图,(b)是比较例的透光板的部分剖视图。
图23是第3实施方式的具有发光功能的透光板的又一例子的部分剖视图。
图24的(a)是第4实施方式的具有发光功能的透光板的部分剖视图,(b)是部分俯视图。
图25的(a)~(f)是示出第4实施方式的具有发光功能的透光板的制造方法的剖视图。
图26的(a)是第5实施方式的具有发光功能的透光板的部分剖视图,(b)是第5实施方式的具有发光功能的透光板的另一例子的部分剖视图。
图27的(a)是第6实施方式的具有发光功能的透光板的部分剖视图,(b)是第6实施方式的具有发光功能的透光板的另一例子的部分剖视图。
图28的(a)~(g)是示出第6实施方式的具有发光功能的透光板的制造方法的剖视图。
图29的(a)是第7实施方式的具有发光功能的透光板的部分剖视图,(b)、(c)是第7实施方式的具有发光功能的透光板的另一例子的部分剖视图。
图30的(a)和(b)是具有发光功能的透光板的另一例子的剖视图。
图31的(a)是具有发光功能的透光板的另一例子的剖视图,(b)是具有发光功能的透光板的另一例子的剖视图。
标号说明
1、1B:LED裸片;2、21、22:透光性基板;3:布线图案;4:反射层;5、6:透光膜;7:透镜;8:菲涅耳透镜;11:缺口。
具体实施方式
使用附图对本发明的一个实施方式进行说明。
<第1实施方式>
如图1的剖视图、图2的(a)、(b)的一部分的剖视图和俯视图所示,第1实施方式的具有发光功能的透光板具有:透光性基板2:布线图案3,其设置在透光性基板2的表面上;以及LED裸片1,其与布线图案3接合。在透光性基板2的搭载有LED裸片1的区域的背面侧配置有反射膜4。布线图案3的至少一部分和反射膜4均由对导电性颗粒进行烧结而成的导电材料构成。此外,LED裸片1利用对导电性颗粒进行烧结而成的导电材料而接合到布线图案3。
如上所述,利用对导电性颗粒进行烧结而成的导电材料构成布线图案3,LED裸片1也利用对导电性颗粒进行烧结而成的导电材料而接合到布线图案3,由此,能够通过利用热或光等电磁波、微波等的局部加热,形成线宽度较细的布线图案3、以及LED裸片1与布线图案3的微细的接合部。因此,即使透光性基板2为树脂,也能够在不会由于加热而损害透明性的情况下,并且不使透光性基板发生变形,而将LED裸片1安装到透光性基板2上。
一般而言,未封装的LED裸片1微细至几平方毫米左右以下,因此,通过安装到透光性基板2上,能够提供较薄且具有发光功能的透光板。这时,在使用树脂制的膜作为透光性基板2的情况下,还能够提供较薄且柔软的透光板(膜)。
此外,在本实施方式中,在透光性基板2的搭载有LED裸片1的区域的背面侧配置有反射膜4。由此,能够如图3的(a)那样利用反射膜4将LED裸片1射出的光中的射出到背面侧的光朝上方反射。因此,与不具有反射膜4的情况相比,能够进一步提高LED裸片1发出的光从上方的取出效率。
此外,在本实施方式中,反射膜4也由对导电性颗粒进行烧结而成的导电材料构成,因此,能够在不损害透光性基板2的透明性的情况下形成。
LED裸片1、布线图案3和反射膜4的面积较小,因此,光被遮挡的面积相对于透光性基板2整体也较小。因此,通过如图1那样将多个LED裸片1搭载于透光性基板2,在不使LED裸片1点亮的情况下,成为如下的透光板:外部光在微细的LED裸片1、布线图案3和反射膜4之间通过,光透过透光性基板2。
另一方面,在使LED裸片1点亮的情况下,成为如下的发光板:外部光透过透光性基板2,且从LED裸片1发出的光直接朝上方射出以及被反射膜4和布线图案3反射后朝上方射出。
这时,如图3的(a)所示,LED裸片1发出的光的指向特性通过配置有反射膜4,还能够使向横向的光的强度比未配置有反射膜的比较例的结构(图3的(b))强。因此,相邻的LED裸片1发出的光的指向特性的重叠较大,与比较例相比更能够减少透光性基板2的主平面方向的发光强度不匀。此外,在相邻的LED裸片1的发光波长不同的情况下,指向特性的重叠较大,因此,与比较例相比更能够减少混色不匀。
另外,如图4~图6所示,可以在透光性基板2的背面侧也搭载有LED裸片1。在该情况下,如图4那样,背面侧的LED裸片1与反射膜4接合,反射膜4也可以构成为兼用作搭载于背面侧的LED裸片1的布线图案3。此外,如图6那样,也可以在透光性基板2的上表面的配置有背面侧的LED裸片1的区域配置第2反射膜4。通过使背面侧的LED裸片1的发光方向朝向上方(透光性基板2侧),能够提供搭载于上表面侧的LED裸片1和搭载于背面侧的LED裸片1双方均向上方发出光的透光板。这时,如图6那样,还能够构成为,利用上表面侧的第2反射膜4反射背面侧的LED裸片1向上方发出的光,并且利用背面侧的反射膜4进行反射而朝上方射出。此外,通过使背面侧的LED裸片1的发光方向朝向下方(与透光性基板2相反的一侧),还能够提供从透光性基板2的上方和下方都发出光的双面发光的透光板。此外,在这些情况下,在相邻的LED裸片1的发光波长不同的情况下,来自LED裸片1的指向特性(扩散性)由于由反射膜4进行的光反射而发生变化,能够更加提高混色性。
此外,如图7那样,也可以在透光性基板2的表面上,以将LED裸片埋入的方式配置透光膜5。这样,通过配置透光膜5,LED裸片1与透光膜5之间的折射率差小于LED裸片1与空气之间的折射率差,因此,能够提高LED裸片1的光取出效率。此外,通过使用具有阻隔性的透光膜5,能够提高LED裸片1和布线图案3的耐腐蚀性。此外,如图7那样,通过在基板2的背面侧还配置具有阻隔性的透光膜6,能够提高反射膜4的耐腐蚀性。
并且,如图8的(a)、(b)那样,也可以在LED裸片的上方的透光膜5的表面配置透镜7或菲涅耳透镜8。由此,能够提高来自透光膜5的光取出效率,或进行取向性、指向性等光学特性的控制。在使用菲涅耳透镜8的情况下,与使用透镜7的情况相比,能够实现薄型化。作为将透镜7或菲涅耳透镜8形成于透光膜5的表面的方法,例如,除了切削加工法、或利用模具进行转印法以外,还能够使用接合其他途径成型的透镜的方法等。此外,透镜7、菲涅耳透镜8还能够为与透光膜5一体的构造。
此外,本实施方式的透光板的布线图案3的至少一部分由对导电性颗粒进行烧结而成的导电材料构成。在导电性颗粒的烧结中使用局部加热。例如,通过照射光、微波等电磁波,进行加热烧结。具体而言,作为电磁波,能够使用包含紫外光、可见光、红外光、微波的波段在内的电磁波。在电磁波烧结的情况下,根据需要,聚集电磁波,照射到配置于透光性基板2上的应形成布线图案3的部位的导电性颗粒。由此,形成布线图案3时的加热区域为所聚集的电磁波的光斑直径的范围,极其局部化,能够使局部的热传递到周围的透光性基板2,散热到空气中。通过实施该方法,能够抑制透光性基板2的温度上升,能够在不对透光性基板2造成损伤的情况下,形成布线图案3。因此,还能够使用树脂等作为透光性基板2。
此外,在电磁波烧结中,通过根据需要与基于热的烧结结合,能够形成布线的厚度与宽度之比(纵横比)大且电阻低的微细的布线图案3,因此,能够减小布线图案3覆盖透光性基板2的面积。能够减小布线图案3遮挡外部光或来自LED裸片1的光的面积,从而能够维持透光性基板2的透明性。由此,能够减小布线图案3覆盖透光性基板2的面积,并且,能够形成为低电阻。例如,布线图案3的厚度与宽度的比率优选为厚度/宽度=1/100以上,更优选为厚度/宽度=5/100以上,特别优选厚度/宽度=10/100以上的情况。此外,在向布线图案3供给大电流的情况下,优选为厚度/宽度=20/100以上。更优选布线图案3的厚度大于宽度的情况。
作为一例,布线图案3的大小形成为宽度1μm以上、厚度1nm~50μm左右。此外,布线图案3的电阻率优选为10-4Q·cm以下,特别优选为10-6Q·cm级的低电阻。
另外,通过使用被布线图案3中使用的含导电性颗粒的油墨材料吸收的波长且透过透光性基板2的波长的电磁波,还能够在形成布线图案3时以不聚集的方式照射电磁波,形成微细的布线图案3。在该情况下,透光性基板2也使电磁波透过,因此,即使对整体照射电磁波,也不会产生由于透光性基板2自身的电磁波吸收而引起的温度上升,能够仅对布线图案3的部分进行加热。
此外,以通过电磁波烧结等使布线图案3直接固定粘着到透光性基板2的方式形成布线图案3,由此,布线图案3能够对LED裸片1发光时的发热进行热传递,高效地传递到透光性基板2。由此,能够提高LED裸片1的散热性能。
另外,也可以使用除了对导电性颗粒进行烧结以后的导电材料以外的材料形成布线图案3的一部分。例如,可以在基板2的表面粘贴铜箔等金属物质之后,通过蚀刻法等形成为期望的布线形状,根据需要形成电镀的布线图案3。
LED裸片1优选通过电磁波烧结与布线图案接合。通过使用电磁波烧结法,能够抑制透光性基板2的温度上升,并将LED裸片1接合到布线图案3。另外,也可以在形成布线图案3时,同时将LED裸片1接合到布线图案3,也可以在形成布线图案3之后,将含有导电性颗粒的物质涂覆在布线图案3上等,进而在搭载了LED裸片1之后,通过电磁波烧结,将LED裸片1和布线图案3接合起来。
通过电磁波烧结进行LED裸片1与布线图案3的接合,由此,即使透光性基板2弯曲并施加变形应力,接合部也难以产生断裂或剥离,能够提高耐久性。
另外,在图1中示出了将布线图案3形成于透光性基板2的LED裸片1的搭载面的例子,但布线图案3的一部分也可以配置在透光性基板2的背面。这时,也可以使配置在背面侧的布线图案3的一部分兼用作反射膜4。
在本实施方式中,作为透光性基板2,例如能够使用10~1000μm厚度的较薄的基板或膜。即使是这种较薄的基板2,也能够如本实施方式那样,通过电磁波烧结,安装LED裸片1。作为透光性基板2的材质,例如,除玻璃以外,还能够使用以PS(聚苯乙烯)、PP(聚丙烯)、PC(聚碳酸酯)、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)、聚酰亚胺、丙烯酸、环氧树脂、硅酮等有机成分为主体的物质等。透光性基板2例如能够通过熔化挤压成型法、溶液浇筑法、压延(calendaring)法等公知的方法来形成。为了提高透光性基板2与构成布线图案3、反射膜4的导电材料之间的密合性,可以对透光性基板2实施表面处理。例如,进行等离子处理、UV(紫外线)处理、涂覆偶联剂等的处理。
布线图案3的形成所使用的导电性颗粒例如能够使用Au、Ag、Cu、Pd、ITO、Ni、Pt、Fe等导电性金属和导电性金属氧化物中的1个以上。为了高效地进行基于电磁波的烧结,优选提高包含导电性颗粒的油墨的电磁波吸收特性,导电性颗粒的一部分或者全部优选成为纳米尺寸的形状。作为一例,包含的颗粒尺寸为10~150nm。
作为LED裸片1,使用发出期望波长的光的LED裸片。
作为透光膜5、6的材质,优选为使光透过的膜。作为该材质,例如,除玻璃以外,还能够使用硅酮、环氧树脂、PS(聚苯乙烯)、PP(聚丙烯)、PC(聚碳酸酯)、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)、聚酰亚胺、聚氨酯、氟等透光性的树脂材料。特别是,优选为具有阻隔性的材质,例如,优选使用EVOH(乙烯-乙烯醇共聚物)、环氧树脂、硅酮、丙烯酸等。
<<具有发光功能的透光板的制造方法>>
接着,使用图9的(a)~(e),对第1实施方式的具有发光功能的透光板的制造方法进行说明。这里,对如下例子进行说明:对于布线图案3,使用作为电磁波的光,对包含导电性颗粒、溶剂、分散剂的油墨进行烧结。
首先,如图9的(a)那样,准备分散有导电性颗粒的溶液(油墨),以期望的形状将其涂覆在透光性基板2的表面。涂覆方法例如能够使用喷墨、分配、柔印、凹版、凹版胶印、丝网印刷方法等方法。由此,在透光性基板2的表面形成导电性颗粒的膜121。根据需要对膜121进行加热,使溶剂蒸发而使其干燥。另外,膜121的形状可以以成为应形成的布线图案3的形状的方式进行涂覆,也可以是均匀的膜。在是均匀的膜的情况下,通过后道工序去除除布线图案3以外的区域。
为了使所形成的未烧结的膜121的微颗粒烧结,例如通过照射电磁波或光而仅局部地对布线部进行加热,使导电性颗粒烧结。电磁波能够使用如闪光灯的光那样的脉冲波、如激光那样的连续波、如微波那样的长波长的电磁波。这里,作为一例,使用光。首先,如图9的(b)那样,将LED裸片1以使其电极31a与膜121接触的方式搭载在未烧结的布线图案3上。接着,如图9的(c)那样,使光束12透过透光性基板2而照射到膜121。利用该方法,例如能够通过光束12的照射,同时或者连续地进行布线图案3的形成、以及LED裸片1与布线图案3的连接。具体而言,从透光性基板2的未形成有膜121的一侧向电极31a与透光性基板2之间的区域照射光束12,对膜121的导电性颗粒进行电磁波烧结,形成作为与电极31a的连接区域的布线图案3。并且,照射光束12,还形成其它布线图案3。形成顺序也可以在形成其它布线图案之后形成作为LED裸片1的电极连接区域的布线图案3。
此外,还能够在形成布线图案3之后,在布线图案3与电极31a之间还涂覆含未烧结的导电性颗粒的油墨,在搭载LED裸片1的电极31a之后,进一步照射光束12,由此,形成电极连接区域。
接着,如图9的(d)那样,在透光性基板2的背面,将分散有导电性颗粒的溶液(油墨)等涂覆成反射膜4的形状,形成未烧结的膜121。溶液和涂覆方法与图9的(a)的工序相同。
最后,如图9的(e)那样,照射光束12来对膜121进行烧结,形成反射膜4。综上所述,能够制造具有发光功能的透光板。
另外,还能够采用对二者照射光以便能够同时对图案3和反射膜4进行烧结的构造。
进一步说明对照射光束12的导电性颗粒进行烧结的机制。膜121中的、被照射有光束12的区域的导电性颗粒吸收光的能量,温度上升。由此,导电性颗粒以比构成该颗粒的材料的主体(bulk)的熔点低的温度熔化,伴随导电性颗粒的温度上升,溶化的导电性纳米颗粒与相邻的颗粒直接融合。由此,对导电性颗粒彼此进行烧结,在透光性基板2的上表面形成导电性的布线图案3。这时,熔化后的导电性颗粒固定粘接到透光性基板2。特别是,如图9的(c)的工序那样,通过从透光性基板2的未形成有膜121的一侧的面照射光束12,能够提高透光性基板2与布线图案3的界面的固定粘接强度。
另外,如上所述,膜121的受到光束12的照射的区域的导电性颗粒通过照射光而温度上升,该热用于导电性颗粒的烧结,并且,传递到周围的膜121和透光性基板2,从而散热。因此,仅膜121中的受到光束12的照射的区域、或者仅受到该光束12的照射的区域及其附近区域到达可烧结导电性颗粒的温度,其外侧区域的膜121、透光性基板2的温度未达到使构成它们的材料熔化或变质的温度。即,在本实施方式中,通过仅对膜121的一部分区域照射光束12,能够抑制透光性基板2的温度上升,能够防止由于透光性基板2的电磁波烧结引起的变形、失真、白色浑浊等变质。此外,在透光性基板2为柔性的情况下,能够维持该柔性。但是,光照射的方法不限于该方法,还能够对透光性基板整体照射闪光等,使膜121烧结。
在图9的(c)、(e)的工序中,优选将所形成的布线图案3和反射膜4形成为多孔质(多孔的)。即,相邻的导电性颗粒彼此不是全体完全熔化相互混合,而优选以在接触的界面处烧结,在烧结而成的导电性颗粒间的至少一部分中形成空孔的温度来进行电磁波烧结。例如,作为光束12,使用激光,以不使通过的透光性基板2熔化的程度的照射强度照射到膜121,由此,能够短时间内向照射有光束12的膜121的区域投入比较大的能量,能够对导电性颗粒进行加热而使其熔化并进行烧结,并且通过停止激光的光束12的照射,能够借助向周围的膜121或透光性基板2的热传递迅速地冷却,因此,能够形成多孔质的布线图案。换言之,通过在使用激光的光束12对膜121进行烧结时,调节光束12的照射强度以使膜121成为适当的温度,能够形成多孔质的布线图案3。作为具体例子,作为透光性基板2,使用延伸后的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜(熔点250℃左右、耐热温度150℃左右),在调整激光的光束12的强度以维持透光性基板2的形状,从透光性基板2的背面照射到膜121、对膜121的导电性颗粒进行烧结的情况下,能够形成多孔质的布线图案3。
在布线图案3为多孔质的情况下,如上所述,布线图案3自身具有追随性(挠性),因此,在使柔性的透光性基板2发生变形的情况下,布线图案3也追随该变形,因此,布线图案3难以从透光性基板2剥离,也难以产生裂纹等。因此,能够提供难以产生断线的、柔性的基板2。
另外,在图9的(c)、(e)的工序中,可以在将照射到膜121时的光束12的形状通过使其通过掩模而整形为布线图案3的形状之后进行照射,也可以是,扫描照射点为圆形或矩形的光束12来描绘布线图案3。
在LED裸片1的周围设置透光膜5、在背面侧设置透光膜6的情况下,通过例如喷涂、浸涂、湿涂等方法将未固化的树脂涂覆在透光性基板2上,使其固化。或者,可以通过例如层压法、热封等方法对预先成型为膜状的树脂进行接合,也可以针对自粘性的树脂,利用其粘接性进行接合。
具体而言,例如,能够使用在通过期望的方法将未固化的透光膜5的材料填充到LED裸片1的周围之后通过热或UV等期望的方法使其固化的方法。此外,还能够以夹着LED裸片1与透光性基板2相对的方式配置其他的透光性基板,在通过毛细管现象或真空注入技术使树脂填充到2个透光性基板的间隙之后,通过期望的方法使其固化。作为透光膜5、6的材质,例如,能够使用环氧树脂、硅酮树脂、聚氨酯树脂、氟树脂、丙烯酸树脂等透光性的树脂材料。
另外,如图8的(a)、(b)那样,可以在将透镜7、菲涅耳透镜8配置在透光膜5之上的情况下,将预先分体地成型的透镜7和菲涅耳透镜8搭载在透光膜5之上,还能够通过将透光膜5成型为透镜7、菲涅耳透镜8的形状,与透光膜5一体地形成透镜7、菲涅耳透镜8。在将透镜7、菲涅耳透镜8分体地进行成型的情况下,其材质与透光膜5、6的材质同样,例如能够使用环氧树脂、硅酮树脂、聚氨酯树脂、氟树脂、丙烯酸树脂等透光性的树脂材料。
在图9的(c)的工序中,当然还能够从透光性基板2的设置有膜121的一侧的面照射光束12。在该情况下,搭载LED裸片1的电极的连接部分中无法使用电磁波烧结,但能够对其它布线图案3进行烧结,因此,还能够并行地实施电极连接部和布线图案形成的工序。
另外,照射的光束12的波长使用可被膜121中包含的导电性颗粒吸收的波长。照射的光可以是紫外光、可见光、红外光中的任意的光,也可以是微波。例如,在使用了Ag、Cu、Au、Pd等作为导电性颗粒的情况下,能够使用400~600nm左右的可见光。
在结束图9的各工序以后,在具有未照射光的膜121的区域的情况下,不产生烧结,因此,在之后的工序中去除。例如,能够使用有机溶剂等来去除膜121。此外,通过追加照射光,或进行加热,还能够使膜121进行烧结。
对包含在形成布线图案3和反射膜4的工序中使用的导电性微颗粒的油墨进行进一步说明。该油墨是分散有1μm以下的纳米尺寸的导电性颗粒的溶液。导电性颗粒例如能够使用Au、Ag、Cu、Pd、ITO、Ni、Pt、Fe等导电性金属和导电性金属氧化物中的1种以上。导电性颗粒的粒径可以仅是小于1μm的纳米颗粒,也可以对小于1μm的纳米颗粒和1μm以上的微颗粒进行混合。溶液的溶剂优选使用乙醇、乙二醇等有机溶剂或水,但也可以包含在环氧树脂、硅酮、聚氨酯树脂中。在溶剂中添加提高分散性的添加剂(聚乙烯基吡咯烷酮等聚合物成分、胺等),为了提高固定粘接力,还可以添加树脂成分(环氧树脂、硅酮、聚氨酯等)。
<第2实施方式>
使用图10的(a)~(c)和图11的(a)~(e),对第2实施方式的具有发光功能的透光板进行说明。
如图10的(a)那样,与第1实施方式同样,第2实施方式的具有发光功能的透光板具有:透光性基板2:布线图案3,其设置在透光性基板2的表面;以及LED裸片1,其与布线图案3接合。布线图案3的至少一部分由对导电性颗粒进行烧结而成的导电材料构成,LED裸片1利用对导电性颗粒进行烧结而成的导电材料而接合到布线图案3。这些标注与第1实施方式相同的标号的结构是与第1实施方式相同的结构。
在第2实施方式中,在透光性基板2中,在LED裸片1的附近,在透光性基板2的厚度方向上设有缺口11,在缺口11中填充有反射材料。
这样,通过设置填充有反射材料的缺口11,即使在从LED裸片1发出的光的一部分在入射到透光性基板2之后在透光性基板2的面内方向上前进的情况下,也能够将其朝上方进行反射。因此,能够提高光向LED裸片1的上方的取出效率,并能够防止光沿面内方向在透光性基板2中传导。
如图11的(a)~(e)那样,缺口11以包围LED裸片1的方式设置1个以上。图11的(a)、(c)至(e)的例子为了避开布线图案3,能够将缺口11分割为多个。
此外,缺口11优选相对于透光性基板2的表面倾斜。通过控制该倾斜角度,能够控制对通过透光性基板2而到达缺口11的反射材料的光进行反射的方向。
优选的是,在透光性基板2的背面配置反射膜4,缺口11包围的区域被反射膜4覆盖。由此,能够利用反射膜4将到达了透光性基板2的背面的光朝上方反射,因此,进一步提高光向上方的取出效率。
此外,如图10的(b)那样,缺口11可以是设置至透光性基板2的厚度的中途的结构(半切)。作为缺口11仅至厚度的中途的构造,能够朝向上方反射一部分的光,因此,可获得提高光的取出效率的效果。
如图10的(c)那样,缺口11可以为从透光性基板2的背面侧切开的构造。如后所述,缺口11能够通过钻孔加工、激光加工或利用模具的冲压加工等形成,但在激光加工的情况下,如图10的(c)所示,具有激光入射侧的缺口的直径大于激光射出侧的缺口的直径的特征。利用该特征,例如,如图10的(c)那样,能够使缺口11的侧面倾斜。
填充到缺口11中的反射材料可以为使散射剂分散的树脂等任意的反射材料,但也可以使用对导电性颗粒进行烧结而成的导电材料。特别是,在填充缺口11的材料是与构成布线图案3的对导电性颗粒进行烧结而成的导电材料相同的情况下,优选能够与形成布线图案3的工序连续或者同时形成。
此外,如图12、图13所示,也可以是,以将LED裸片1埋入的方式用透光膜5覆盖透光性基板2的表面。在该情况下,如图14的(a)、(b)和图15的(a)、(b)那样,可以在透光膜5的LED裸片1的附近,在透光膜5的厚度方向上设置第2缺口12,也在第2缺口12中填充反射材料。第2缺口12可以设置于透光膜5的整个厚度方向上,也可以为半切。另外,第2缺口12可以从透光膜5的上部切开来设置,还能够从透光膜5或者透光性基板2的背面侧切开来设置。
由此,能够利用填充有反射材料的第2缺口12反射在透光膜5中沿横向前进的光,使其朝向上方射出,因此,能够进一步提高光从上方的取出效率。
缺口11和第2缺口12可以如图14的(a)、图15的(a)那样以连续的方式形成,也可以如图14的(b)、图15的(b)那样不连续地形成。
此外,也可以如图16的(a)、(b)那样不在透光性基板2上设置缺口11,而仅在透光膜5中设置缺口12。缺口12可以如图16的(c)示出其俯视图那样,以包围LED裸片1的方式连续设置,也可以如图16的(d)那样,避开布线图案3而分割为多个设置。
此外,如图17的(a)~(d)和图18的(a)~(d)所示,可以在LED裸片1的上方的透光膜5的表面配置透镜7或者菲涅耳透镜8。由此,能够借助透镜7或者菲涅耳透镜8的作用,进一步提高LED裸片1的射出光的取出效率,并且能够控制取向性、指向性等光学特性。
接着,对第2实施方式的具有发光功能的透光板的制造方法进行说明。这里,以下对制造图10的(a)的透光板的例子进行说明。
首先,如图19的(a)、(b)那样,准备透光性基板2,形成缺口11。作为缺口11的形成方法,例如使用木板加工机、车床、激光加工、利用模具的转印等加工技术。在激光加工的情况下,能够较容易地调节缺口的方向、角度、深度等尺寸、形状、位置等。
接着,如图19的(c)那样,与第1实施方式的图9的(a)的工序同样,涂覆分散有导电性颗粒的油墨等,形成作为布线图案3的未烧结的膜121,并且也在缺口11中填充油墨,形成未烧结的填充部123。
如图19的(d)那样,与第1实施方式的图9的(b)的工序同样,将LED裸片1搭载在膜121上。
而且,在图19的(e)的工序中,与图9的(c)的工序同样,将光束12照射到膜121,对导电性颗粒进行烧结,形成布线图案3,并将布线图案3和LED裸片1接合,并且,也照射到填充部123,对导电性颗粒进行烧结,形成反射材料。光束12的照射可以针对膜121和填充部123同时进行,也可以分开进行。
接着,在图19的(f)、(g)的工序中,与图9的(d)、(e)的工序同样,利用分散有导电性颗粒的油墨,形成作为反射膜4的未固化的膜121,照射光束12进行烧结,形成反射膜4。综上所述,能够制造图10的(a)的具有发光功能的透光板。
接着,使用图20的(a)~(g),对制造图10的(a)的透光板的另一方法进行说明。在图20的(a)~(g)的制造方法中,形成缺口11的时机与图19的(a)~(g)的制造方法不同。
首先,如图20的(a),(b)那样,在形成缺口11之前,形成作为布线图案3的未固化的膜121,搭载LED裸片1。在该状态下,如图20的(c)那样形成缺口11,填充分散有导电性颗粒的油墨,形成填充部123。然后,在图20的(e)的工序中,与图19的(e)的工序同样,通过照射光束12来对膜121进行烧结,形成布线图案3,并将布线图案3与LED裸片1接合,并且,对填充部123进行烧结,使其变化为反射材料。图20的(f)、(g)的工序与图19的(f)、(g)的工序同样地形成反射膜4。通过以上工序,能够制造图10的(a)的具有发光功能的透光板。
缺口11可以在形成布线图案3之前形成,也可以在之后形成。也可以在形成作为布线图案3的未固化的膜121或者作为反射膜4的未固化的膜121之前形成缺口11。可以在形成作为布线图案3的膜121或者作为反射膜4的膜121的同时进行导电性颗粒分散油墨向缺口11的填充,也可以分别进行。作为布线图案3的膜121、作为反射膜4的膜121和缺口11内的导电性颗粒分散油墨的烧结当然能够分别单独进行,还能够通过采取光能够统一照射的构造,同时照射光来统一进行烧结。此外,在缺口11内被烧结的导电性颗粒分散油墨具有导电性,因此,也能够作为通孔利用。
图19和图20中的任意一个制造工序也能够同时对布线图案3和缺口11的反射材料进行烧结,因此,不使制造工序大幅增加,就能够制造具有填充有反射材料的缺口11的透光板。
<第3实施方式>
使用图21~图23对第3实施方式的具有发光功能的透光板进行说明。
如在第1实施方式中使用图3~图6所说明的那样,在搭载了发光波长不同的多个LED裸片1的情况下,本实施方式的具有反射膜4的透光板能够提高混色性。在第3实施方式中,对提高了混色性的透光板的另一结构进行说明。
图21的(a)是第3实施方式的具有发光功能的透光板的部分剖视图,且是与第1实施方式的图5的透光板类似的结构,但将配置于透光性基板2的背面侧的反射膜4与配置于背面侧的LED裸片1Y的布线图案3连结起来,反射膜4和布线图案3相互兼具有作为布线的功能和作为反射膜的功能。
配置于透光性基板2的上表面的LED裸片1B发出蓝色光,配置于背面侧的LED裸片1Y发出黄色光。其它结构与第1实施方式的图5的结构相同。
这样,通过将透光性基板2的背面侧的反射膜4与布线图案3连结起来,两者覆盖透光性基板2的背面的面积变大,因此,能够利用透光性基板2的背面的反射膜4和布线图案3,将从上表面的LED裸片1B朝下方射出的蓝色光朝向上方反射。因此,能够提高搭载于透光性基板2的上表面的LED裸片1B发出的蓝色光与搭载于背面的LED裸片1Y发出的黄色光的混色性。
对此,对作为不具有反射膜4的比较例的图21的(b)的透光板与图21的(a)的第3实施方式的透光板进行对比,进一步进行说明。
关于来自LED裸片1B、1Y的发光强度,通常,中心部(与发光面大致垂直的方向)的发光强度变大,周边部的发光强度变小。这时,关于从各个LED裸片1B、1Y射出一定的发光量以上的发光量的角度范围的区域,将发出蓝色光的LED裸片1B称作区域LB,将发出黄色光的LED裸片1Y称作区域LY。如图21的(b)的比较例那样,在未配置有反射膜4的情况下,能够在区域LB与区域LY重叠的区域LW中,获得蓝色光和黄色光适当地混色后的、期望的色度范围的白色光。另一方面,其周边部中,蓝色光和黄色光中的某一方的光的发光强度变得更大,难以获得期望的色度范围的白色光。
这时,当如第3实施方式的图21的(a)的透光板那样,配置有与透光性基板2的下表面连结的反射膜4和布线图案3时,从LED裸片1B的下表面侧射出的蓝色光的一部分被透光性基板2与反射膜4以及布线图案3之间的接触面(界面)反射,向上表面方向放出。由此,蓝色光的一部分的光BLB放出到比作为比较例的图21的(b)中的射出蓝色光的区域LW靠外侧的区域、且为黄色光的射出区域LY。因此,在本实施方式的图21的(a)的结构中蓝色光到达在比较例(图21的(b))中蓝色光未到达的该范围,能够获得期望的色度范围的白色光。
此外,在使用柔性基板作为透光性基板2的情况下,当透光性基板2弯曲时,透光性基板2与布线图案3之间的接触面也追随该弯曲而弯曲,因此,在透光性基板2发生了弯曲的状态时,也能够发挥提高混色性的效果。
另外,严格而言,在光入射到透光性基板2时和射出时产生光的折射,或在透光性基板2上产生界面反射,但在图21中省略了该现象的记载。
图22的(a)是第3实施方式的透光板的另一例子,LED裸片1B和LED裸片1Y二者均配置于透光性基板2的上表面。在透光性基板2的搭载有LED裸片1B、1Y的区域的背面分别配置有反射膜4,反射膜4被连结起来。
在图22的(a)的透光板中,从LED裸片1B的下表面侧射出的光BLB和从LED裸片1Y的下表面侧射出的光BLY二者的一部分被透光性基板2与反射膜4之间的接触面反射,向上表面方向放出。由此,当将本实施方式的图22的(a)的结构与比较例的未配置有反射膜的图22的(b)的结构进行比较时,在本实施方式的图22的(a)的结构中蓝色光到达在比较例(图22的(b))中蓝色光未到达的范围,此外,在本实施方式的图22的(a)的结构中黄色光到达在比较例(图22的(b))中黄色光未到达的范围。因此,可知能够通过图22的(a)的结构获得期望的色度范围的白色光。
图23是第3实施方式的透光板的又一例子,是在图21的(a)的透光板的结构中将对背面侧的LED裸片1Y的射出光的一部分LY进行反射的微细的反射膜4配置于透光性基板2的上表面的结构。由此,如图23那样,LED裸片1Y射出的黄色光的一部分LY被透光性基板2与上表面侧的反射膜4之间的接触面反射,进而被透光性基板2与背面侧的反射膜4之间的接触面反射,向上方放出。因此,在图23的结构中黄色光LY到达在图21的(a)的结构中黄色光未到达的区域LB,除了图21的(a)的效果以外,还能够实现可获得期望的色度范围的白色光的效果。
这样,第3实施方式的透光板能够比以往更扩大可获得期望的色度范围的白色光的区域,能够提高混色性。
<第4实施方式>
如在图24的(a)、(b)中剖视图和俯视图所示,第4实施方式的具有发光功能的透光板具有:第1透光性基板21;布线图案3,其设置在透光性基板21的上表面;LED裸片1,其与布线图案3接合;第2透光性基板22,其配置在透光性基板21的搭载有LED裸片1的面的相反侧;以及反射膜4,其配置于被透光性基板21和透光性基板22夹着的位置处。布线图案3的至少一部分和反射膜4的至少一部分均由对导电性颗粒进行烧结而成的导电材料构成。反射膜4的上表面与透光性基板21直接接合,下表面与透光性基板22直接接合,将透光性基板22固定于透光性基板21。
由此,第4实施方式的具有发光功能的透光板是将LED裸片1直接搭载在透光性基板21上的构造,并能够提高光的取出效率。
反射膜4与透光性基板21、22直接接合,因此,兼具使透光性基板21与透光性基板22粘接的粘接层的作用。因此,也可以不在反射膜4之外另外设置用于使反射膜4与透光性基板21、22粘接的粘接层。由此,能够提供比利用粘接层将反射膜4与透光性基板21、22粘接而得到的透光板更薄的透光板。此外,由此,能够提供比以往更薄的多层构造的透光板,因此,能够将多层构造的透光板搭载于期望的布线上。
此外,反射膜4与透光性基板21、22直接接合,因此,能够从透光性基板21接收LED裸片1发光时的发热,进行热传递并高效地传递到透光性基板22,使其从透光性基板22散热。由此,能够提高LED裸片1的散热性能。
并且,反射膜4的双面被透光性基板21、22夹着而接合,因此,与反射膜4未被透光性基板21、22夹着的情况相比,反射膜4的露出面变少,由此,反射膜4的耐腐蚀性提高。
此外,在本实施方式中,在透光性基板21的搭载有LED裸片1的区域的下表面侧的区域上配置有反射膜4。由此,能够如图24的(a)那样,利用反射膜4将LED裸片1射出的光中的向下表面侧射出的光朝上方反射。另一方面,在未配置有反射膜4的情况下,从LED裸片1的上表面侧、侧面侧射出的光向上表面方向放出,但从LED裸片1的下表面侧射出的光未向上表面方向放出。因此,通过配置反射膜4,与不具有反射膜4的情况相比,能够更提高LED裸片1发出的光从上方的取出效率。另外,严格而言,在光入射到透光性基板21、22时和射出时产生光的折射,或在透光性基板21、22中产生界面反射,但在各图中省略了该现象的记载。
在配置有多个LED裸片1的情况下,与各LED裸片1的位置对应地变更反射膜4的位置、宽度,由此,能够变更混合从各LED裸片1发出的光的范围。
<<第4实施方式的具有发光功能的透光板的制造方法>>
接着,使用图25的(a)~(e),对第4实施方式的具有发光功能的透光板的制造方法进行说明。这里,对如下例子进行说明:对于布线图案3,使用作为电磁波的光对包含导电性颗粒、溶剂、分散剂的油墨进行烧结。
首先,如图25的(a)那样,准备分散有导电性颗粒的溶液(油墨),将其以期望的形状涂覆在透光性基板21的上表面。由此,在透光性基板21的上表面形成导电性颗粒的膜121。
为了使所形成的未烧结的膜121的微颗粒烧结,例如通过照射电磁波或光而仅局部地对布线部进行加热,使导电性颗粒烧结。具体而言,首先,将LED裸片1以使其电极(未图示)与膜121接触的方式搭载于未烧结的布线图案3。接着,如图25的(b)那样,使光束12从透光性基板21的下表面透过透光性基板21照射到膜121。
接着,如图25的(c)那样,准备透光性基板22,在其上表面将分散有导电性颗粒的溶液(油墨)等涂覆成反射膜4的形状,形成未烧结的膜121。溶液和涂覆方法与图25的(a)的工序相同。
接着,如图25的(d)那样,使构成涂覆在透光性基板22上的膜121的溶液浓缩,形成浓缩后的膜122。具体而言,使用烤箱等对形成有涂覆后的未烧结的膜121的透光性基板22进行加热,使膜121的溶剂成分部分蒸发,由此,形成导电性颗粒的浓度相对于油墨较高的膜122。该加热温度设定为比溶剂的沸点低,且是以在溶剂中不产生由于加热引起的气泡的程度在膜122的上表面残留粘度的程度的温度(该加热温度因溶剂而不同,为60℃以上250℃以下左右)。当使膜121的溶剂成分蒸发时,油墨的浓度变高,因此,膜122容易与透光性基板21接合。
接着,如图25的(e)那样,以由透光性基板21的下表面和透光性基板22的上表面夹着膜122的方式,使搭载有LED裸片1的透光性基板21附着于膜122的上表面。
另外,将构成图25的(d)的膜121的溶液浓缩的工序可以在由透光性基板21、22夹着图25的(e)的膜121的工序之后进行,但如果该工序在使膜121的上表面附着于透光性基板21之前进行,膜121的露出面积更大,因此,溶剂容易蒸发,是优选的。此外,在油墨的浓度高至即使油墨的溶剂不蒸发也能够将反射膜4与透光性基板21、22接合的程度的情况下,能够省略使溶剂蒸发的工序。
最后,如图25的(f)那样,以从透光性基板22的下表面侧透过透光性基板22来照射光束12,对膜122进行烧结。由此,形成反射膜4,并且与反射膜4相接的透光性基板21、22的界面熔化,因此,反射膜4与透光性基板21、22直接接合。具体而言,反射膜4的上表面与透光性基板21直接接合,反射膜4的下表面与透光性基板22直接接合。综上所述,能够制造具有发光功能的透光板。
如上所述,在第4实施方式的具有发光功能的透光板的制造方法中,无需设置使反射膜4与透光性基板21、22粘接的粘接层的工序,因此,与需要粘接层的透光板相比,能够更减少工时。并且,在不需要粘接层的该方法中,无需为了粘接粘接层所需的热、紫外线等和构成粘接层的材料,因此,能够削减成本。
此外,在该方法中,仅通过加热提高导电性颗粒相对于油墨的浓度,就能够提供比以往更薄的透光板,因此,容易制造较薄的透光板。此外,也可以在透光性基板22的下表面侧进一步层叠反射膜、透光性基板,还能够较容易地制造层叠有多个透光性基板的透光板。
另外,在本例子中,对在透光性基板22的上表面形成浓缩的膜122之后形成反射膜4的例子进行了说明,但也可以在透光性基板21的下表面形成膜122之后,在透光性基板21、22之间夹着膜122,形成反射膜4。
另外,在图25的(b)的工序中,向膜121照射时的光束12的形状可以在使光束12通过掩模而整形为布线图案3的形状之后进行照射,也可以是,使照射点为圆形或矩形的光束12进行扫描来描绘布线图案3。此外,使布线图案3与透光性基板21接合的方法可以通过如下方式实施:以与使反射膜4与透光性基板21、22接合的方法相同的方式,在对搭载有LED裸片1的透光性基板21进行加热来使膜121的溶剂蒸发之后进行烧结。
<第5实施方式>
使用图26的(a)、(b)对第5实施方式的具有发光功能的透光板进行说明。
第5实施方式的具有发光功能的透光板在透光性基板22的下表面侧还搭载有LED裸片1B。在该情况下,在透光性基板22的下表面侧还设有布线图案3,在透光性基板22的下表面侧的布线图案3上接合有LED裸片1B。
另外,透光性基板21的上表面的布线图案3、透光性基板22的下表面侧的布线图案3可以是也兼用作反射膜的作用的结构。此外,如图26的(b)那样,也可以在第1透光性基板21的上表面搭载多个LED裸片1。
如图26的(a)、(b)所示,从LED裸片1的下表面侧射出的光的一部分被透光性基板21与布线图案3之间的接触面(界面)、透光性基板22与反射膜4之间的界面反射,向上表面方向放出。此外,反射膜4对LED裸片1B朝上方发出的光进行反射,进而透光性基板22的下表面侧的布线图案3对该反射光进行反射,朝上方射出。
这样,能够提供如下透光板:通过将反射膜4的配置配置成使LED裸片1B的发光方向朝上方(透光性基板21侧),搭载于透光性基板21的上表面侧的LED裸片1和搭载于透光性基板22的下表面侧的LED裸片1B双方均朝上方发出光。
在第1透光性基板21的上表面搭载有多个LED裸片1的情况下,优选在透光性基板21的搭载有各LED裸片1的区域的下表面侧的区域分别配置有反射膜4。此外,虽然未图示,但也可以在透光性基板22的上表面侧的搭载有LED裸片1B的区域(被透光性基板21、22夹着的位置)中也配置反射膜4,这些的反射膜4也可以连结起来。
在反射膜4连结的情况下,反射膜4覆盖透光性基板21的下表面的面积变大,因此,能够利用反射膜4和布线图案3将从LED裸片1向下方射出的光朝上方反射的量增加。
另外,通过使LED裸片1B的发光方向朝向下方(透光性基板21的相反侧),还能够提供从透光性基板22的上方和下方都发出光的双面发光的透光板。
此外,在使用柔性基板作为透光性基板21、22的情况下,当透光性基板21、22弯曲时,透光性基板21、22与布线图案3之间的接触面也追随该弯曲而弯曲,因此,在透光性基板21、22发生了弯曲的状态时,也能够发挥提高混色性的效果。
<第6实施方式>
使用图27的(a)、(b)对第6实施方式的具有发光功能的透光板进行说明。
在第6实施方式中,在透光性基板21中,在LED裸片1的附近,在透光性基板21的厚度方向上设有缺口11,在缺口11中填充有反射材料。
这样,通过设置填充有反射材料的缺口11,即使在从LED裸片1发出的光的一部分入射到透光性基板21之后在透光性基板21的面内方向上前进的情况下,也能够将其朝上方反射。因此,能够提高光向LED裸片1的上方的取出效率,并能够防止光在透光性基板21中沿面内方向传导。
缺口11可以如图27的(a)所示地设置有1个,也可以如图27的(b)所示地设置有二个等多个。此外,也可以在透光性基板22上设置缺口11,在该缺口11中填充反射材料。此外,缺口11可以相对于透光性基板21的上表面倾斜,也可以通过控制该倾斜角度,控制对通过透光性基板21而到达了缺口11的反射材料的光进行反射的方向。
透光性基板21的缺口11所包围的区域的下表面优选被反射膜4覆盖。由此,能够利用反射膜4将被填充到缺口11中的反射材料反射并到达了透光性基板21的下表面的光朝上方反射,因此,光向上方的取出效率进一步提高。
<<第6实施方式的具有发光功能的透光板的制造方法>>
接着,对第6实施方式的具有发光功能的透光板的制造方法进行说明。这里,以下,对如下例子进行说明:使用作为电磁波的光,对于布线图案3,对包含导电性颗粒溶剂、分散剂的油墨进行烧结,制造图28的(a)~(g)的透光板。
首先,如图28的(a)那样,准备透光性基板21,形成二个缺口11。
另外,在通过激光加工形成缺口11的情况下,具有激光入射侧的缺口的直径大于激光射出侧的缺口的直径的特征。因此,在使缺口11相对于透光性基板21的上表面倾斜时,能够利用该特征,较容易地使缺口11的侧面倾斜。
接着,在图28的(b)的工序中,与第4实施方式的图25的(a)的工序同样,在透光性基板21的上表面涂覆分散有导电性颗粒的油墨等,形成作为布线图案3的未固化的膜121,并在缺口11中也填充油墨,形成未固化的填充部123。然后,将LED裸片1搭载在膜121上。
接着,在图28的(c)的工序中,与第1实施方式的图25的(b)的工序同样,将光束12照射到膜121,对导电性颗粒进行烧结,形成布线图案3,并将布线图案3和LED裸片1接合,并且,也照射到填充部123,对导电性颗粒进行烧结,形成反射材料。光束12的照射可以针对膜121和填充部123同时进行,也可以分开进行。
图28的(d)~(g)的工序与图25的(c)~(f)的工序相同。
另外,形成缺口的顺序不限于上述例子,也可以在将LED裸片1搭载在膜121上之后形成。此外,缺口11可以在形成布线图案3之前形成,也可以在之后形成。也可以在形成作为布线图案3的未固化的膜121或者作为反射膜4的未固化的膜121之前形成缺口11。将导电性颗粒分散油墨向缺口11的填充可以与形成作为布线图案3的膜121或者作为反射膜4的膜121同时进行,也可以分开进行。作为布线图案3的膜121、作为反射膜4的膜121和缺口11内的导电性颗粒分散油墨的烧结当然能够分别单独进行,还能够通过采取光统一照射的构造,同时照射光来统一进行烧结。此外,在缺口11内被烧结的导电性颗粒分散油墨具有导电性,因此,也能够作为通孔利用。
在图28的制造工序中,能够同时对布线图案3和缺口11的反射材料进行烧结,因此,与图25的制造工序相比,不会使制造工序大幅增加,就能够制造具有填充有反射材料的缺口11的透光板。
<第7实施方式>
使用图29的(a)~(c)对第7实施方式的具有发光功能的透光板进行说明。
如图29的(a)所示,在第7实施方式中,透光性基板21的厚度和透光性基板22的厚度均不均匀。具体而言,透光性基板21是使下表面相对于上表面倾斜以使两个端部的厚度不同的部件,透光性基板22是使上表面相对于下表面倾斜以使两个端部的厚度不同的部件。配置成透光性基板21的较薄的端部和透光性基板22的较厚的端部相对、且透光性基板21的厚的端部和透光性基板22的薄的端部相对。
在透光性基板21与透光性基板22之间配置有多个反射膜,第1反射膜41被夹持在透光性基板21的薄的端部与透光性基板22的厚的端部的附近,第2反射膜42被夹持在透光性基板21的厚的端部与透光性基板22的薄的端部的附近。另外,如图29的(b)所示,也可以配置于透光性基板21的搭载有LED裸片1的区域的下表面侧,除了图29的(a)所示的1反射膜41和第2反射膜42以外,反射膜4也可以配置于透光性基板21的搭载有LED裸片1的区域的下表面侧,被这些透光性基板21、22夹着的反射膜也可以连结起来。
图29的(c)所示的透光性板是第7实施方式的透光性板的变形例,在下表面倾斜的透光性基板21与上表面倾斜的透光性基板22之间配置有厚度均匀的透光性基板23。并且,在该透光性板中,在透光性基板21的下表面与透光性基板23的上表面之间配置有反射膜4,在透光性基板23的下表面与透光性基板22的上表面之间也配置有反射膜4。
这样,通过组合配置上表面、下表面倾斜的透光性基板,配置成反射膜4的上表面相对于LED裸片1的下表面倾斜。因此,第4实施方式的透光板与使用了厚度均匀的透光性基板21、22的透光板相比,反射膜4的光的反射方向不同。这样,通过改变透光性基板的上表面、下表面的倾斜,能够控制从LED裸片1的下表面侧射出并被反射膜4反射的光的反射方向。
此外,如图29的(a)、(c)所示,在反射膜4未配置于透光性基板21的搭载有LED裸片1的区域的下表面侧的情况下,在透光性基板21与透光性基板22之间、透光性基板21与透光性基板23之间以及透光性基板23与透光性基板22之间分别存在空气层,因此,利用透光性基板21、22、23与空气的折射率之差,在透光性基板21的倾斜的下表面、透光性基板23的上表面、透光性基板23的下表面、透光性基板22的倾斜的表面、透光性基板22的下表面,对从LED裸片1射出的光的一部分进行反射,剩余的光折射并透过。由此,从反射位置在横向上偏离的多个反射面向上方分别反射光,因此,能够将1个LED裸片1发出的光看作从多重光源发出的光。
接下来,对第4实施方式~第7实施方式的透光板所使用的材料、烧结方法和变形进行说明。另外,除以下所记载的结构以外,还能够采用在第1实施方式~第3实施方式中所说明的材料、烧结方法等。
<<各部件的材料>>
首先,对第4实施方式~第7实施方式的透光板所使用的各部件的材料进行说明。
透光性基板21和透光性基板22的厚度、材料可以相同,如图30的(a)、(b)所示,也可以不同。作为透光性基板21、22的材料,通过使用相互不同的有机材料、或组合不同的有机材料,能够将各透光性基板的用途区别为安装用、增强用等。
作为透光性基板21、22,例如能够使用1μm以上的基板或较薄的膜。在使用了聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等作为透光性基板的情况下,这些材料的疏水基比硅酮等少,因此,与布线图案3、反射膜4的接合性变高。
另外,透光性基板21、22不限于树脂,也可以是由陶瓷、玻璃等无机材料构成的基板。在使用光作为导电性颗粒的烧结的加热方法的情况下,透光性基板21、22使用使该波长的光透过的透光性基板,但在以不使用光的方式进行加热的情况下,也可以不是透明的。
作为一例,布线图案3的大小形成为宽度1μm以上、厚度0.01μm~50μm左右。
另外,对构成反射膜4的导电性颗粒进行烧结而成的导电材料可以是与构成布线图案3的对导电性颗粒进行烧结而成的导电材料相同的导电材料。此外,可以在配置于透光性基板21的下表面侧的多个反射膜4中使用分别对相同的导电性颗粒进行烧结而成的导电材料,也可以使用不同的导电材料。通过改变布线图案3、反射膜4所使用的导电性颗粒的种类和量,能够提供具有各种反射特性的透光板。
特别是,当在形成反射膜4的油墨中含有聚乙烯吡咯烷酮时,反射膜4容易与透光性基板21、22接合,因此是优选的。
<<烧结>>
另外,作为构成布线图案3、反射膜4的导电性颗粒的烧结,对向膜121、122照射光束12的电磁波烧结的例子进行了说明,但烧结的方法不限于上述例子。例如,也可以通过对形成有膜121、122的透光性基板21、22进行加热,进行烧结。电磁波烧结与基于基板的加热的烧结相比能够在短时间内使要烧结的部位成为高温,因此,能够使膜121、122所附着的透光性基板21、22的界面容易熔化。因此,电磁波烧结与基于基板的加热的烧结相比更能够提高透光性基板21、22与反射膜4的接合力。
<<变形>>
接下来,对能够应用于上述各透光板的各种结构进行说明。
配置于上述各透光板的LED裸片1例如可以利用对导电性颗粒进行烧结而成的导电材料与布线图案3接合,如图31的(a)所示,将电阻、电容器、1C等电源、电子部件90(以下,称作电子部件等90)搭载于透光性基板21的上表面,经由布线图案3而与所搭载的电子部件等90电连接。此外,如图31的(b)所示,多个LED裸片1可以配置在透光性基板21的上表面侧。并且,电子部件等90可以与LED裸片1配置于不同的基板上。
此外,虽然未图示,但也可以通过在透光性基板22的下表面侧配置使反射膜4的厚度进一步变薄后的膜(0.001μm以上50μm以下),设置具有半反射镜特性的膜。并且,也可以将滤色器配置于透光性基板21、22中的至少一部分。通过变更半反射器、滤色器的配置,能够提供反射特性、透射特性不同的透光板。
并且,虽然未图示,但在透光性基板21的上表面、LED裸片1的周围、反射膜4的周围、透光性基板21与透光性基板22之间等配置有将LED裸片1或反射膜4埋入那样的透光膜。LED裸片1与透光膜之间的折射率差小于LED裸片1与空气之间的折射率差,因此,通过配置透光膜,能够进一步提高LED裸片1的光取出效率。通过将透光膜配置在被透光性基板21和透光性基板22夹着的反射膜4的周围,能够进一步提高反射膜4的耐腐蚀性。此外,通过使用具有阻隔性的透光膜,能够提高被透光膜覆盖的LED裸片1、布线图案3、反射膜4等部件的耐腐蚀性。
此外,在将其它透光性基板配置在透光性基板21的上表面侧并用这些透光性基板夹持LED裸片1并在这些透光性基板的间隙中配置透光膜的情况、或在透光性基板21与透光性基板22之间配置透光膜的情况等下,还能够在通过毛细管现象或真空注入技术在2个透光性基板的间隙中填充树脂之后,通过期望的方法使其固化。
上述第1至第7实施方式的透光板能够切换透明状态和发光状态,因此,通过用于例如汽车的挡风玻璃或后玻璃等,在通常的状态下是透明的,根据需要,能够使其发光来进行显示或照明。因此,能够使用在挡风玻璃上进行显示的平视显示器或在紧急时在后玻璃上对后续车辆进行规定显示的构造。
此外,除这些以外,还优选应用于照明设备(点发光/面发光照明、柔性照明、汽车用照明(内部、外部)等)、显示设备(透视显示器、可佩戴显示器、平视显示器、液晶的背光灯等)、演出设备(游艺设备(个人计算机)用的演出照明和显示等)、一般民用家电、通信设备、OA设备等。
Claims (30)
1.一种具有发光功能的透光板,其特征在于,
该具有发光功能的透光板具有:一张透光性基板;布线图案,其设置于所述透光性基板的表面或者背面或者表面和背面两面;以及LED裸片,其与所述布线图案接合,
在所述透光性基板的搭载有所述LED裸片的面的相反侧配置有反射膜,
所述布线图案的至少一部分和所述反射膜的至少一部分均由对导电性颗粒进行烧结而成的导电材料构成,
所述反射膜配置于所述透光性基板的搭载有所述LED裸片的区域的背面侧,
所述反射膜兼用作布线图案,
在所述透光性基板的背面侧也搭载有LED裸片,所述背面侧的LED裸片与所述反射膜接合,所述反射膜兼用作搭载于所述背面侧的LED裸片的布线图案。
2.根据权利要求1所述的具有发光功能的透光板,其特征在于,
所述LED裸片利用对所述导电性颗粒进行烧结而成的导电材料与所述布线图案接合。
3.根据权利要求1所述的具有发光功能的透光板,其特征在于,
所述透光性基板的表面被透光膜覆盖,该透光膜被配置成将所述LED裸片埋入。
4.根据权利要求3所述的具有发光功能的透光板,其特征在于,
在所述LED裸片的位置的所述透光膜的表面配置有透镜。
5.根据权利要求1所述的具有发光功能的透光板,其特征在于,
所述反射膜大于所述LED裸片。
6.根据权利要求1所述的具有发光功能的透光板,其特征在于,
在所述透光性基板中,在所述LED裸片的附近,在所述透光性基板的厚度方向上设有缺口,在所述缺口中填充有反射材料。
7.根据权利要求6所述的具有发光功能的透光板,其特征在于,
所述缺口形成为包围所述LED裸片,所述反射膜被配置成覆盖所述缺口所包围的区域的至少一部分。
8.根据权利要求1所述的具有发光功能的透光板,其特征在于,
搭载有二个以上的所述LED裸片,并且,所述二个以上的LED裸片包含发光波长不同的两种以上的LED裸片。
9.根据权利要求6所述的具有发光功能的透光板,其特征在于,
所述反射材料是与构成所述布线图案的对导电性颗粒进行烧结而成的导电材料相同的材料。
10.根据权利要求6所述的具有发光功能的透光板,其特征在于,
所述缺口被设置成包围所述LED裸片,并且相对于所述基板的表面倾斜。
11.根据权利要求6所述的具有发光功能的透光板,其特征在于,
所述缺口被设置至所述基板的厚度方向的中途。
12.根据权利要求6所述的具有发光功能的透光板,其特征在于,
所述透光性基板的表面被透光膜覆盖,该透光膜被配置成将所述LED裸片埋入,
在所述透光膜中,在所述LED裸片的附近,在厚度方向上设有第2缺口,在所述第2缺口中填充有反射材料。
13.根据权利要求1所述的具有发光功能的透光板,其特征在于,
所述LED裸片通过电磁波烧结与所述布线图案接合。
14.根据权利要求1所述的具有发光功能的透光板,其特征在于,
所述布线图案的厚度与宽度的比率即厚度/宽度为1/100以上。
15.根据权利要求1所述的具有发光功能的透光板,其特征在于,
所述布线图案与所述透光性基板直接固定粘接。
16.一种具有发光功能的透光板,其特征在于,该具有发光功能的透光板具有:
第1透光性基板;
布线图案,其设置在所述第1透光性基板的上表面;
LED裸片,其与所述布线图案接合;
第2透光性基板,其设置在所述第1透光性基板的搭载有所述LED裸片的面的相反侧;以及
反射膜,其配置在被所述第1透光性基板和所述第2透光性基板夹着的位置处,
所述布线图案的至少一部分和所述反射膜的至少一部分均由对导电性颗粒进行烧结而成的导电材料构成,
所述反射膜的上表面与所述第1透光性基板直接接合,下表面与所述第2透光性基板直接接合,所述第2透光性基板固定于所述第1透光性基板。
17.根据权利要求16所述的具有发光功能的透光板,其特征在于,
所述反射膜配置于所述第1透光性基板的搭载有所述LED裸片的区域的下表面侧的区域,将从所述LED裸片射出的光的一部分向上方反射。
18.根据权利要求16所述的具有发光功能的透光板,其特征在于,
所述第1透光性基板和第2透光性基板是上表面和下表面中的一方的面相对于另一方的面倾斜以使得两个端部的厚度不同的部件,被配置成所述第1透光性基板的薄的端部与所述第2透光性基板的厚的端部相对且所述第1透光性基板的厚的端部与所述第2透光性基板的薄的端部相对。
19.根据权利要求18所述的具有发光功能的透光板,其特征在于,
在所述第1透光性基板与所述第2透光性基板之间配置有第1反射膜和第2反射膜,所述第1反射膜被夹持在所述第1透光性基板的薄的端部与所述第2透光性基板的厚的端部之间的附近,所述第2反射膜被夹持在所述第1透光性基板的厚的端部与所述第2透光性基板的薄的端部之间的附近。
20.根据权利要求16所述的具有发光功能的透光板,其特征在于,
在所述第2透光性基板的下表面侧还配置有第3反射膜,所述第3反射膜的至少一部分由对导电性颗粒进行烧结而成的导电材料构成。
21.根据权利要求20所述的具有发光功能的透光板,其特征在于,
所述第3反射膜兼用作布线图案。
22.根据权利要求16所述的具有发光功能的透光板,其特征在于,
搭载有二个以上的所述LED裸片,并且所述二个以上的LED裸片包含发光波长不同的两种以上的LED裸片。
23.根据权利要求16所述的具有发光功能的透光板,其特征在于,
在所述第1透光性基板中,在所述LED裸片的附近,在厚度方向上设有缺口,在所述缺口中填充有反射材料。
24.根据权利要求23所述的具有发光功能的透光板,其特征在于,
所述反射材料是对导电性颗粒进行烧结而成的导电材料。
25.根据权利要求23所述的具有发光功能的透光板,其特征在于,
所述反射材料是与构成所述布线图案的对导电性颗粒进行烧结而成的导电材料相同的材料。
26.根据权利要求16所述的具有发光功能的透光板,其特征在于,
所述第1透光性基板由与所述第2透光性基板不同的材料构成。
27.一种透光板的制造方法,其特征在于,该透光板的制造方法进行如下工序:
将分散有导电性颗粒的溶液涂覆在第1透光性基板的上表面而形成第1膜的工序;
对所述第1膜的导电性颗粒进行烧结的工序;
将分散有导电性颗粒的溶液涂覆在第2透光性基板的上表面而形成第2膜的工序;
以由所述第1透光性基板的下表面和所述第2透光性基板的上表面夹持被涂覆于所述第2透光性基板的上表面的所述第2膜的方式,使所述第1透光性基板附着到所述第2膜的上表面的工序;以及
对所述第2膜进行烧结,形成反射膜的工序。
28.根据权利要求27所述的透光板的制造方法,其特征在于,
在所述第2透光性基板的上表面形成膜的工序包含将构成涂覆于所述第2透光性基板的膜的所述溶液浓缩而形成浓缩后的膜的工序。
29.根据权利要求28所述的透光板的制造方法,其特征在于,
形成所述浓缩后的膜的工序是对涂覆了分散有所述导电性颗粒的溶液的所述第2透光性基板进行加热的工序,对该第2透光性基板进行加热的温度是低于所述溶液中包含的溶剂的沸点的温度。
30.根据权利要求29所述的透光板的制造方法,其特征在于,
对所述第2透光性基板进行加热的温度还是不会在所述溶剂中产生由于加热导致的气泡的温度。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017121607A JP6998138B2 (ja) | 2017-06-21 | 2017-06-21 | 発光機能を備えた光透過プレート、および、その製造方法 |
JP2017-121607 | 2017-06-21 | ||
JP2018-095496 | 2018-05-17 | ||
JP2018095496A JP7085894B2 (ja) | 2018-05-17 | 2018-05-17 | 発光機能を備えた光透過プレートおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109103317A CN109103317A (zh) | 2018-12-28 |
CN109103317B true CN109103317B (zh) | 2024-04-02 |
Family
ID=64693516
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201810635218.2A Active CN109103317B (zh) | 2017-06-21 | 2018-06-20 | 具有发光功能的透光板及其制造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10665576B2 (zh) |
CN (1) | CN109103317B (zh) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018049981A (ja) * | 2016-09-23 | 2018-03-29 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置、および、その製造方法 |
KR102391610B1 (ko) * | 2017-08-04 | 2022-04-28 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 반도체 소자 패키지 및 광원 장치 |
CN109768152B (zh) * | 2018-12-29 | 2020-11-27 | 中山市木林森电子有限公司 | 一种led封装体及其制造方法 |
WO2020172405A1 (en) * | 2019-02-21 | 2020-08-27 | Dialight Corporation | Led lighting assembly with integrated power conversion and digital transceiver |
KR20200114055A (ko) * | 2019-03-27 | 2020-10-07 | 주식회사 엘지화학 | 투명 발광소자 디스플레이 |
US11239397B2 (en) * | 2019-12-11 | 2022-02-01 | Mikro Mesa Technology Co., Ltd. | Breathable and waterproof micro light emitting diode display |
DE102022102368A1 (de) * | 2022-02-01 | 2023-08-03 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Bedienelement und verfahren |
DE102022104459A1 (de) | 2022-02-24 | 2023-08-24 | Ams-Osram International Gmbh | Optoelektronische leuchtvorrichtung und verfahren |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005191203A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Kyocera Corp | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 |
CN102192423A (zh) * | 2010-03-12 | 2011-09-21 | 旭硝子株式会社 | 发光装置 |
JP2016207757A (ja) * | 2015-04-17 | 2016-12-08 | シチズン電子株式会社 | Led発光装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4905009B2 (ja) * | 2006-09-12 | 2012-03-28 | 豊田合成株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP2008217215A (ja) | 2007-03-01 | 2008-09-18 | Dainippon Printing Co Ltd | 非接触icカード |
JP2008234595A (ja) | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Jcb:Kk | 情報提示システムおよびその方法 |
US8497519B2 (en) * | 2011-05-24 | 2013-07-30 | Tsmc Solid State Lighting Ltd. | Batwing LED with remote phosphor configuration |
CN102842667B (zh) * | 2011-06-24 | 2015-02-04 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构及其制造方法 |
JP6473361B2 (ja) | 2015-03-25 | 2019-02-20 | スタンレー電気株式会社 | 電子デバイスの製造方法、および、電子デバイス |
CN107195751B (zh) * | 2016-03-14 | 2020-01-14 | 光宝光电(常州)有限公司 | 发光二极管封装结构 |
-
2018
- 2018-06-13 US US16/007,470 patent/US10665576B2/en active Active
- 2018-06-20 CN CN201810635218.2A patent/CN109103317B/zh active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005191203A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Kyocera Corp | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 |
CN102192423A (zh) * | 2010-03-12 | 2011-09-21 | 旭硝子株式会社 | 发光装置 |
JP2016207757A (ja) * | 2015-04-17 | 2016-12-08 | シチズン電子株式会社 | Led発光装置およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN109103317A (zh) | 2018-12-28 |
US20180374834A1 (en) | 2018-12-27 |
US10665576B2 (en) | 2020-05-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN109103317B (zh) | 具有发光功能的透光板及其制造方法 | |
JP5396215B2 (ja) | 半導体発光装置の製造方法、半導体発光装置および液晶表示装置 | |
EP2760057B1 (en) | White light emitting diodes package containing plural blue light-emitting diodes | |
TWI502230B (zh) | 光導元件 | |
CN102651442B (zh) | 发光二极管光源 | |
GB2438440A (en) | Composite light guiding device | |
CN110198864B (zh) | 具有外部发光信号的车辆窗玻璃、包含该窗玻璃的车辆和制造 | |
US9810402B2 (en) | Light conversion substrate and light emitting package and automobile lamp including the same | |
CN109917584B (zh) | 照明装置和显示装置 | |
US20140328082A1 (en) | Lighting panel | |
KR20120131712A (ko) | 발광소자 패키지 | |
KR102019499B1 (ko) | 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템 | |
JP2023508126A (ja) | 光電子デバイス | |
US10955700B2 (en) | Transparent panel provided with light emitting function | |
TW201523095A (zh) | 背光模組及其製造方法 | |
JP2021131928A (ja) | 発光モジュールの製造方法及び発光モジュール | |
JP6998138B2 (ja) | 発光機能を備えた光透過プレート、および、その製造方法 | |
KR101997250B1 (ko) | 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템 | |
JP7085894B2 (ja) | 発光機能を備えた光透過プレートおよびその製造方法 | |
KR20130017689A (ko) | 발광소자 어레이 | |
JP7037278B2 (ja) | 表示デバイス | |
US11355684B2 (en) | Multilayer circuit substrate and manufacturing method thereof | |
CN113251392A (zh) | 一种动态图案发光的汽车玻璃窗 | |
KR102098162B1 (ko) | 발광소자 패키지 | |
KR101797968B1 (ko) | 발광소자 패키지 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |