CN102651442B - 发光二极管光源 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 52
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 230000037237 body shape Effects 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 11
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 5
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 241000218202 Coptis Species 0.000 description 2
- 235000002991 Coptis groenlandica Nutrition 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000011514 reflex Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
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Abstract
本发明涉及一种发光二极管光源，包括基板、形成在该基板的上表面的反射杯、收容在该反射杯内的发光二极管芯片、一个透明体以及一个反射层。该透明体位于该反射杯内。该透明体具有一个远离该基板的第一表面以及与该第一表面相对的第二表面。该发光二极管芯片设置在该透明体的第一表面上。该反射层设置在该透明体的第二表面与基板的上表面之间。该发光二极管芯片发出的光部分直接出射，另外一部分经过该反射层反射后出射。
Description
技术领域
本发明涉及一种光源，尤其涉及一种发光二极管光源。
背景技术
发光二极管作为一种高效的发光源，具有环保、省电、寿命长等诸多特点已经被广泛的运用于各种领域。
发光二极管可应用于光源模组。发光二极管的出光角度一般为90度至120度，其中央(出光角约为0度至30度)的光线强度较强，周围的光线强度较弱，导致整个光源模组的出光不均匀。并且，设置在基板上的发光二极管发出的光从远离基板的出光面出射，而与出光面相对的面并不能出光，从而使得发光二极管的光萃取效率较低。进而使得具有该发光二极管的光源模组的应用受到一定的限制。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种出光均匀且光萃取效率较高的发光二极管光源。
一种发光二极管光源，包括基板、形成在该基板的上表面的反射杯、收容在该反射杯内的发光二极管芯片、一个透明体以及一个反射层。该透明体位于该反射杯内。该透明体具有一个远离该基板的第一表面以及与该第一表面相对的第二表面。该发光二极管芯片设置在该透明体的第一表面上。该反射层设置在该透明体的第二表面与基板的上表面之间。该发光二极管芯片发出的光部分直接出射，另外一部分经过该反射层反射后出射。
所述发光二极管芯片设置在该透明体上，该发光二极管芯片发出的部分光线直接出射，其余部分光可经反射层反射后再出射，从而可增加该发光二极管光源的出光均匀度。并且，由于该发光二极管芯片的相对两侧发出的光线均可出射，从而可增加该发光二极管的光萃取效率。
附图说明
图1是本发明第一实施例提供的发光二极管光源的剖面示意图。
图2是本发明第二实施例提供的发光二极管光源的剖面示意图。
图3是本发明第三实施例提供的发光二极管光源的剖面示意图。
图4是本发明第四实施例提供的发光二极管光源的剖面示意图。
主要元件符号说明
发光二极管光源 100、200、300、400
基板 10、20
上表面 101、301
反射杯 11、21、31、41
凹槽部 111
第一引脚 12、22、32、42
第二引脚 13、23、33、43
接触段 121、131
接线段 122、132、322、332
连接段 123、133
发光二极管芯片 14、24、34、44
金线 141、142
第一出光面 143
第二出光面 144
封装体 15、25、35、45
透明体 16、26、36、46
第一表面 161、361
第二表面 162、262、362、462
侧面 363
反射层 17、27、37、47
反射体 28、48
上底面 281、481
下底面 282、482
凹槽 39
第一部分 311
第二部分 312
具体实施方式
下面将结合附图对本发明实施例作进一步的详细说明。
图1所示为本发明第一实施例提供的发光二极管光源100。该发光二极管光源100包括基板10、形成在该基板10上的反射杯11、分别固定于基板10相对两端的第一引脚12及第二引脚13、收容在该反射杯11内的发光二极管芯片14、覆盖在该发光二极管芯片14上的封装体15、设置在基板10上的一个透明体16以及一个反射层17。
在本实施例中，该基板10为一长方体形，其具有一个上表面101，该上表面101为平面。
该反射杯11形成在该基板10的上表面101上。该反射杯11呈环状，其中部形成一凹槽部111。在本实施例中，该反射杯11的内表面形成有反射材料(未标示)，如金属银层、金属铜层或者其他光学反射镀层等。该基板10与反射杯11可以由LCP(Liquid Crystal Polymer，即液晶高分子)材料一体制成，也可以为不同材料分开制造，比如所述反射杯11由LCP材料制成，而基板10为硅基板、塑料基板或陶瓷基板。另外，在制作中，所述LCP材料中可以混入塑胶(Plastic)粒子、陶瓷(Ceramic)粒子或者高挥发性溶液。
该第一引脚12及第二引脚13均由金属材料制成，并弯折成U型，分别穿置于基板10的相对两端。第一引脚12与第二引脚13相互隔开以避免短路。第一引脚12及第二引脚13均包括位于基板10底面的接触段121、131、位于基板10的上表面101且暴露于反射杯11内的接线段122、132及连接接触段121、131及接线段121、132的连接段123、133。该接触段121、131用于与外部的电路(图未示)连接以将电能输入进发光二极管芯片内。该接线段122、132用于与发光二极管芯片14电连接，以驱动发光二极管芯片14发光。该接线段122、132平行于接触段121、131且垂直于连接段123、133。
该透明体16设置在该基板10的上表面101上，且位于该第一引脚12与该第二引脚13之间。在本实施例中，该透明体16位于该反射杯11底部的中心处。该透明体16具有远离该基板10的上表面101的第一表面161以及与该第一表面161相对的第二表面162。该透明体16呈长方体形，该第一表面161与该第二表面162为平面。在本实施例中，该透明体16的高度大于该第一引脚12与第二引脚13的高度。该透明体16为玻璃。当然，该透明体16也可以由其他透明材料制成，如硅或者环氧树脂。该透明体16在透光的同时，并可用于散发发光二极管芯片14工作时产生的热量。
该反射层17设置在该透明体16的第二表面162与基板10的上表面101之间。在本实施例中，该反射层17的下表面与该基板10的上表面101在同一平面上。该反射层17可以为金属层，如银、铜等。该反射层17与第一引脚12、第二引脚13电隔绝设置。
该发光二极管芯片14设置在该透明体的第一表面161上。在本实施例中，该发光二极管芯片14设置在该第一表面161的中心处。该发光二极管芯片14的两个电极通过两个金线141、142分别连接至第一引脚12及第二引脚13的接线段122、132以实现电性导通。该发光二极管芯片14具有一远离该透明体16的第一出光面143以及与其相对的第二出光面144。
该封装体15覆盖在该发光二极管芯片14上，且收容于该反射杯11的凹槽部111内。该封装体15由聚碳酸酯或者聚甲基丙烯酸甲酯等透明材料所制成。
该发光二极管芯片14的第一出光面143发出的光线直接透过封装体15或者经反射杯11的内表面反射后出射。该发光二极管芯片14的第二出光面144发出的光线先行透过该透明体16再经该反射层17反射而出。经反射层17反射的光线或透过该透明体16及封装体15射出，或直接透过封装体15射出。
该发光二极管芯片14的第一出光面143与第二出光面144发出的光线均可透过该封装体15出射，特别是第二出光面144朝向基板10方向的光线亦可经由设置在对应位置上的反射层17反射，从而可以增加该发光二极管的光萃取效率。并且，该发光二极管光源100包括有透明体16与反射层17，发光二极管芯片14的第二出光面144发出的光线可经反射层17反射并透过该透明体16向四周出射，从而可使该发光二极管光源100的出光均匀。
请参阅图2，本发明第二实施例提供的发光二极管光源200。该发光二极管光源200与该发光二极管光源100结构基本相同。该发光二极管光源200包括基板20、形成在该基板20上的反射杯21、分别固定于基板20相对两端的第一引脚22及第二引脚23、收容在该反射杯21内的发光二极管芯片24、覆盖在该发光二极管芯片24上的封装体25、设置在基板20上的一个透明体26以及一个反射层27。
该发光二极管光源200与该发光二极管光源100不同之处在于，该发光二极管光源200进一步包括一个反射体28。该反射体28设置在该透明体26内，且位于该透明体26的第二表面262上。在本实施例中，该位于该透明体26的第二表面262的中心处。该反射体28呈台体状，其具有远离该透明体26的第二表面262的上底面281以及与其相对的下底面282，且该上底面的面积小于该下底面。该反射体28的高度小于该透明体26的高度。该反射体28与该反射层27一体成型，均由具有高反射效率的金属制成，如银、铜等。当然，该反射体28也可以设置在该透明体26其他位置，并且也可以与该反射层27分开形成。
请参阅图3，本发明第三实施例的发光二极管光源300。该发光二极管光源300与该发光二极管光源100结构基本相同。该发光二极管光源300包括基板30、形成在该基板30上的反射杯31、分别固定于基板20相对两端的第一引脚32及第二引脚33、收容在该反射杯31内的发光二极管芯片34、覆盖在该发光二极管芯片34上的封装体35、设置在基板30上的一个透明体36以及一个反射层37。
该发光二极管光源300与该发光二极管光源100不同之处在于，该发光二极管光源300的基板30的上表面301包括第一部分311以及第二部分312。该基板30的上表面301上形成有一个凹槽39，该基板30上表面301的第二部分312为该凹槽39的底面。
该第一引脚32及第二引脚33的接线段322、332设置于该基板30上表面301的第一部分311且暴露于反射杯31内。
该透明体36设置在该基板30的凹槽39内，即设置在该基板30上表面301的第二部分312上。该透明体36包括远离该基板30第二部分312的第一表面361、与其相对的第二表面362、以及设置在该第一表面361与该第二表面362之间的侧面363。在本实施例中，该透明体36的第一表面361与该基板30上表面301的第一部分311在同一平面上。如此，可减少该发光二极管光源300的封装结构的整体厚度。
该反射层37设置在该透明体36的第二表面362以及侧面363上。
请参阅图4，本发明第四实施例提供的发光二极管光源400。该发光二极管光源400与该发光二极管光源300结构基本相同。该发光二极管光源400包括基板40、形成在该基板40上的环状反射杯41、分别固定于基板40相对两端的第一引脚42及第二引脚43、收容在该反射杯41内的发光二极管芯片44、覆盖在该发光二极管芯片44上的封装体45、设置在基板40上的一个透明体46以及一个反射层47。
该发光二极管光源400与该发光二极管光源300不同之处在于，该发光二极管光源400进一步包括一个反射体48。
该反射体48设置在该透明体46内，且位于该透明体46的第二表面462上。在本实施例中，该位于该透明体46的第二表面462的中心处。该反射体48呈台体状，其具有远离该透明体46的第二表面462的上底面481以及与其相对的下底面482，且该上底面的面积小于该下底面。该反射体48的高度小于该透明体46的高度。该反射体48与该反射层47一体成型，均由具有高反射效率的金属制成，如银、铜等。当然，该反射体48也可以设置在该透明体46其他位置，并且也可以与该反射层47分开形成。
可以理解的是，本领域技术人员还可于本发明精神内做其它变化，只要其不偏离本发明的技术效果均可。这些依据本发明精神所做的变化，都应包含在本发明所要求保护的范围之内。
Claims (9)
1.一种发光二极管光源，包括基板，形成在该基板的上表面的反射杯，以及收容在该反射杯内的发光二极管芯片，其特征在于：该发光二极管光源进一步包括一个透明体以及一个反射层，该透明体位于该反射杯内，该透明体具有一个远离该基板的第一表面以及与该第一表面相对的第二表面，该发光二极管芯片设置在该透明体的第一表面上，该反射层设置在该透明体的第二表面与基板的上表面之间，该发光二极管芯片发出的光部分直接出射，另外一部分经过该反射层反射后出射，该透明体内设置反射体，该反射体呈台体状并位于该透明体的第二表面中心处。
2.如权利要求1所述的发光二极管光源，其特征在于，该透明体为玻璃。
3.如权利要求1所述的发光二极管光源，其特征在于：该基板的上表面为一平面。
4.如权利要求1所述的发光二极管光源，其特征在于，该基板的上表面包括第一部分以及第二部分，该基板上表面上形成有一个凹槽，该基板上表面的第二部分为该凹槽的底面，该透明体设置在该基板的凹槽内。
5.如权利要求4所述的发光二极管光源，其特征在于，该透明体包括设置在该第二表面与该第一表面之间的侧面，该反射层设置在该透明体的第二表面以及该侧面上。
6.如权利要求4所述的发光二极管光源，其特征在于，该透明体的第一表面与该基板上表面的第一部分在同一水平面上。
7.如权利要求1所述的发光二极管光源，其特征在于，该反射杯的内表面设置有反射材料。
8.如权利要求1所述的发光二极管光源，其特征在于，还包括固定于基板相对两端且相互隔开的第一引脚及第二引脚，该透明体位于该第一引脚与该第二引脚之间。
9.如权利要求8所述的发光二极管光源，其特征在于，该透明体的高度大于第一、第二引脚的厚度。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201110040688.2A CN102651442B (zh) | 2011-02-23 | 2011-02-23 | 发光二极管光源 |
| TW100107004A TWI463702B (zh) | 2011-02-23 | 2011-03-03 | 發光二極體光源 |
| US13/288,030 US8569789B2 (en) | 2011-02-23 | 2011-11-03 | Light emitting diode package with reflective layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201110040688.2A CN102651442B (zh) | 2011-02-23 | 2011-02-23 | 发光二极管光源 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102651442A CN102651442A (zh) | 2012-08-29 |
| CN102651442B true CN102651442B (zh) | 2015-01-07 |
Family
ID=46652595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201110040688.2A Active CN102651442B (zh) | 2011-02-23 | 2011-02-23 | 发光二极管光源 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8569789B2 (zh) |
| CN (1) | CN102651442B (zh) |
| TW (1) | TWI463702B (zh) |
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| US10264196B2 (en) | 2016-02-12 | 2019-04-16 | Contrast, Inc. | Systems and methods for HDR video capture with a mobile device |
| CA3033242A1 (en) | 2016-08-09 | 2018-02-15 | Contrast, Inc. | Real-time hdr video for vehicle control |
| US11265530B2 (en) | 2017-07-10 | 2022-03-01 | Contrast, Inc. | Stereoscopic camera |
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| US8569789B2 (en) | 2013-10-29 |
| TW201236205A (en) | 2012-09-01 |
| TWI463702B (zh) | 2014-12-01 |
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