JP5870611B2 - 発光装置及びその製造方法 - Google Patents
発光装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5870611B2 JP5870611B2 JP2011227564A JP2011227564A JP5870611B2 JP 5870611 B2 JP5870611 B2 JP 5870611B2 JP 2011227564 A JP2011227564 A JP 2011227564A JP 2011227564 A JP2011227564 A JP 2011227564A JP 5870611 B2 JP5870611 B2 JP 5870611B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- phosphor
- emitting element
- resin
- filler
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 23
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 151
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 90
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 90
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 73
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 claims description 56
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 52
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 23
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 21
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 16
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims description 15
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 13
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 45
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 4
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 150000004645 aluminates Chemical class 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
- C09K11/025—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
- C09K11/7774—Aluminates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
- H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Description
そして、特許文献2のような半導体発光装置では、発光素子の発光層付近で蛍光物質が密に詰まり過ぎ、発光素子からの光が外部へ放出され難く、色むらを生じる。
これにより、発光素子からの光と、発光素子からの光を吸収して蛍光体が波長変換した光とが効率良く混色し、色むらが解消された発光装置を提供することができる。
これにより、発光装置に作用する力の方向を常に一定に保ち、無機粒子を設けた蛍光体とフィラーのそれぞれの堆積層の厚さをほぼ均一にすることができる。
これにより、樹脂に拡散剤を含有して遠心沈降させる工程において、拡散剤が樹脂中に沈降することなく分散し、光を効率良く混色することができる。
これにより、発光素子からの光と、発光素子からの光を吸収して蛍光体が波長変換した光とが効率良く混色し、色むらが解消された発光装置を提供することができる。
これにより、発光層から放出される光が蛍光体で過剰に波長変換されることを防ぐことができる。
これにより、発光素子からの光と、発光素子からの光を吸収して蛍光体が波長変換した光とが効率良く混色し、色むらが解消された発光装置を提供することができる。
これにより、蛍光体の凝集を防ぎ、樹脂中での蛍光体の分散性が向上する。
これにより、波長変換される光の量を抑えることができる。
第一の実施形態について図面を用いて詳述する。図1は、第一の実施形態に係る発光装置の概略図である。図3は、本発明の製造方法の一工程を示す概略図であり、無機粒子を表面に有する蛍光体を示している。
発光層12を有する発光素子11が、パッケージ10の凹部底面にフェイスアップで配置され、発光素子11の正負電極(図示せず)はボンディングワイヤ16によって、パッケージに固定されている金属製の各リード電極(図示せず)に接続されている。パッケージ10の凹部底面に固定された発光素子11は、透光性の樹脂13で封止されている。発光素子11の上面、及びパッケージ11の凹部底面で発光層12の下側には蛍光体堆積層14を有し、発光層12は発光素子11の側面において、蛍光体堆積層14から露出している。蛍光体堆積層14の少なくとも上面はさらにフィラー堆積層15が設けられている。発光層12は少なくとも蛍光体堆積層14から露出していればよく、フィラー堆積層15によって覆われていてもよい。すなわち、パッケージ10の凹部の底面に蛍光体を含有する蛍光体堆積層14からなる第1の下層が設けられ、その上面にフィラーを含有するフィラー堆積層15からなる第1の上層が設けられる。フィラー堆積層15からなる第1の上層は、発光素子11の側面において発光層12を覆っていてもよい。また、発光素子11の上面に蛍光体堆積層14からなる第2の下層が設けられ、その上面にフィラー堆積層15からなる第2の上層が設けられる。さらにまた、樹脂13が、発光素子11と、蛍光体堆積層14からなる第1,第2の下層と、フィラー堆積層15からなる第1,第2の上層と、を封止している。発光層12がフィラー堆積層15で覆われることにより、発光層12から発光素子11の側面方向へ放出された光と、発光層12から放出されパッケージ10の凹部底面の蛍光体堆積層14で波長変換された光とが、フィラー堆積層15を通過する際に拡散されてより混色がなされるのでよい。
本発明の第一の実施形態に係る発光装置は、発光素子11の発光層12が蛍光体堆積層14から露出しているので、光の進行方向としては、発光素子11からの光は直接発光装置100の外部へ放出されるものと、発光層12から上面へ向かい、発光素子11の上面の蛍光体堆積層14を通過して無機粒子22を表面に有する蛍光体20で波長変換され発光装置100の外部へ放出されるものと、発光層12から発光層12の下側に位置する蛍光体堆積層14へ向かい、無機粒子22を表面に有する蛍光体20で波長変換され且つ反射して、発光装置100の外部へ放出されるものと、がある。
これにより、発光層12から放出される光が蛍光体で過剰に波長変換されることを防ぐことによって、蛍光体で波長変換された光の色味が抑えられ、混色状態を改善することができる。また、樹脂中に蛍光体を分散させた際に懸念される封止樹脂量(高さ)への依存性が低くなり、色調のばらつきが抑制される。
次に、第二の実施形態に係る発光装置について説明する。図2は、第二の実施形態に係る発光装置の概略図である。第二の実施形態に係る発光装置は、発光素子41がサブマウント31上に配置される以外は、第一の実施形態と実質的に同様である。
第三の実施形態に係る発光装置は、無機粒子22を表面に有する蛍光体20において、蛍光体粒子21の表面を、蛍光体粒子21と材質の異なる被覆材で蛍光体の表面を略平滑な膜状に被覆し、さらに無機粒子22をコーティングする構成とすることもできる。この構成以外は第一又は第二の実施形態と実質的に同様である。
発光素子は、例えば、発光ダイオード等の半導体発光素子であり、当該分野で使用されているもののいずれをも使用することができる。発光素子の発光ピークは、後述のYAG系蛍光体と組み合わせて構成される場合には、例えば、460nmに設定される。図1に示す発光装置100では、上面に正負の電極が形成された発光素子を例示しているが、フリップチップ実装タイプの発光素子、Si基板にGaNが張り合わせられて両面に電極が形成された発光素子を用いることもできる。また、目的や用途に応じて用いる発光素子の組成、発光色、大きさ、個数などは目的に応じて適宜選択することができる。
パッケージは、発光素子が載置可能な凹部底面を有し、凹部底面(パッケージの上面の一部)には分離された2つのリード電極(図示せず)が設けられており、そのリード電極はそれぞれ外部接続端子(図示せず)に接続されている。パッケージの凹部底面には、発光素子を配置するためのマウントを、パッケージと一体で構成してもよいし、別体のサブマウント又は台座が取り付けられていてもよい。
無機粒子は、蛍光体粒子の表面全体を被覆、あるいは蛍光体粒子の表面を一部露出して付着している(コーティング)。特にコーティングを蛍光体粒子表面全体に一様に成されている蛍光体で効果が発揮され、このとき、表面全体に亘って一様であれば、無機粒子が蛍光体粒子の表面全体を覆っていても、蛍光体粒子の表面の一部が無機粒子から露出していてもよい。コーティングは蛍光体粒子表面に均一に適用することが望ましく、均一であれば薄膜あるいは粒径1〜10nmの微粒子の凝集によるコーティングであってもよい。
無機粒子の材質としては、金属酸化物あるいは金属窒化物が好ましい。金属元素としてAl、Si、またはIn、Gaその他希土類が挙げられ、これら元素のいずれか一つまたは複数を用いることで好適なコーティングが得られる。
また、コーティングは多層に施すことも可能であり、例えば、蛍光体粒子の表面をリン酸塩等のリンを含む化合物でコーティングした後、無機粒子でさらにコーティングすることもできる。
蛍光体粒子は無機粒子によってコーティングされており、発光素子からの光により励起されてその励起光とは異なる波長の光を発光する。蛍光体粒子は、例えば、(a)Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される希土類アルミン酸塩蛍光体、(b)体色が黄色である、Y3Al5O12:Ce、(Y0.8Gd0.2)3Al5O12:Ce、Y3(Al0.8Ga0.2)5O12:Ce、(Y,Gd)3(Al,Ga)5O12の組成式で表されるYAG系蛍光体が挙げられる。上記蛍光体粒子以外の蛍光体粒子であって、同様の性能、作用、効果を有する蛍光体粒子も使用することができる。2種類以上の比重の異なる蛍光体粒子を使用してもよい。また、蛍光体粒子は、フィラー堆積層のフィラーより比重が重いものであることが好ましい。大きさが異なる蛍光体粒子、フィラーを用いてもよく、これらを混ぜることによってより密に充填した堆積層とすることができる。
樹脂は、発光素子を封止するための部材であり、目的や用途に応じて、フェニル系シリコーン樹脂、ジメチル系シリコーン樹脂、硬質ハイブリットシリコーン樹脂等のシリコーン系樹脂、エポキシ系樹脂を用いることができる。樹脂には蛍光体粒子、無機粒子を表面に有する蛍光体、フィラー、拡散剤等を含有させることができる。樹脂は、後述する蛍光体堆積層の無機粒子を表面に有する蛍光体及びフィラー堆積層のフィラーより比重が軽いものであることが好ましい。
蛍光体堆積層は、無機粒子を表面に有する蛍光体を混入した樹脂で凹部を有するパッケージに配置された発光素子を封止した後、パッケージを遠心回転させることにより、樹脂中の無機粒子を表面に有する蛍光体が発光素子側に沈降した堆積物からなる。蛍光体堆積層中に樹脂が入り込んでいてもよい。蛍光体堆積層は発光素子が配置されたパッケージの底面に対してほぼ平坦である。
フィラー堆積層は、フィラーを混入した樹脂で凹部を有するパッケージに配置された発光素子を封止した後、パッケージを遠心回転させることにより、樹脂中のフィラーが発光素子側に沈降した堆積物からなる。フィラー堆積層中に樹脂が入り込んでいてもよい。樹脂に混入されたフィラーにより、硬化前の樹脂の粘度を調整、また、硬化後の樹脂の硬さ及び線膨張係数の調整が比較的容易になる。フィラーは蛍光体堆積層の無機粒子を表面に有する蛍光体より比重が軽いものであることが好ましく、フィラー堆積層は、蛍光体堆積層の上面を被覆して堆積している。また、発光素子の正負電極(図示せず)とパッケージに固定されている金属製の各リード電極(図示せず)を接続しているボンディングワイヤの全部もしくは少なくとも一部を覆って堆積している。フィラー堆積層により、発光素子からの光(無機粒子を表面に有する蛍光体により波長変換された光を含む)を反射して光の取り出し効率を高めるとともに、ワイヤの断線を防止することができる。
またコントラストを高める意味では、光の透過を損なわない範囲でカーボン等の黒色顔料も用いることが出来る。これらは単独で用いてもよいし、或いは複数を混合させることもできる。また、それぞれの部材の粒径や濃度、混合比率などは適宜選択することができる。
次に、本発明に係る発光装置の製造方法について説明する。なお、以下に説明する以外の事項については、一般的な発光素子及び発光装置の製造方法と同様である。
図1は、第一の実施形態に係る発光装置の概略図であり、図2は第二の実施形態に係る発光装置の概略図である。図3〜5は本発明の製造方法の一工程を示す概略図である。
凹部を有するパッケージ10の凹部底面に発光素子11をダイボンディングした後、発光素子11の正負の電極(図示せず)をワイヤ16によりそれぞれパッケージ10に設けられたリード電極(図示せず)に接続する。
蛍光体粒子21に無機粒子22をコーティングし、無機粒子22を表面に有する蛍光体20を作製する。コーティングの方法には、化学気相反応法を用いる他、気相原料を用いる方法、液相原料を用いる方法などがある。あるいは、エチルシリケートの加水分解によって酸化ケイ素のコーティングを得るゾル−ゲル法を用いてもよい。
発光素子11の実装工程と蛍光体20の準備工程の後、流体である未硬化の樹脂に、無機粒子22を表面に有する蛍光体20と、フィラーとを混入分散させ、樹脂30とする。樹脂30にはさらに拡散剤を含有させることもできる。この樹脂30をパッケージ10にポッティング又は印刷により充填し、発光素子11を封止する。樹脂30は後に、透光性を有し透明な樹脂13と、蛍光体堆積層14と、フィラー堆積層15を構成する樹脂である。
そして、蛍光体堆積層14、フィラー堆積層15が形成された後、樹脂13、蛍光体堆積層14、フィラー堆積層15を硬化させ、発光装置100又は200を得る。
実施例1の発光装置を、図1に基づいて説明する。図1は第一の実施形態に係る発光装置の概略図であり、以下のようにして発光装置100を作製した。
(1)樹脂13
・種類:フェニル系シリコーン樹脂
・粘度:200〜20000mPa・s
(2)蛍光体粒子21
・組成:Y3Al5O12:Ce
・比重:4.6
・平均粒径:10.5μm
・中心粒径:12.5μm
(3)無機粒子22
・種類:コロイダルシリカ(SiO2)
・平均粒径:10〜20nm
(4)フィラー
・組成:SiO2
・比重:2.2
・平均粒径:6.8μm
11、41 発光素子
12、42 発光層
13、30、43 樹脂
14、44 蛍光体堆積層
15、45 フィラー堆積層
16、46 ワイヤ
20 無機粒子を表面に有する蛍光体
21 蛍光体粒子
22 無機粒子
31 サブマウント
100、200 発光装置
Claims (7)
- 発光素子と、凹部を有するパッケージと、蛍光体とフィラーと拡散剤が含有された樹脂と、を備えた発光装置の製造方法であって、
比重の大小関係が、(蛍光体)>(フィラー)>(樹脂)=(拡散剤)である、蛍光体とフィラーと拡散剤を樹脂に含有させて粘度を調整し、それらを樹脂中で分散させる工程と、
前記凹部の底面に配置した発光素子を前記粘度が調整された樹脂で封止する工程と、
前記パッケージを遠心回転させることにより、前記蛍光体と前記フィラーとを前記発光素子の上と前記凹部の底面に向かって前記樹脂中を沈降させ、
前記凹部の底面側に、前記発光素子の発光層の高さよりも低い蛍光体堆積層を形成し、その蛍光体堆積層の上に形成されるフィラー堆積層にて前記発光層の側面を被覆するとともに、
前記拡散剤は沈降させることなく前記樹脂中に分散させる工程と、を有することを特徴とする発光装置の製造方法。 - 前記蛍光体を無機粒子でコーティングする工程を有する請求項1に記載の発装置の製造方法。
- 前記遠心回転させる工程において、遠心力と重力の合力の方向を前記発光素子の上面の法線方向に一致させる請求項1または2に記載の発光装置の製造方法。
- 平均粒径の大小関係が、(蛍光体)>(フィラー)である請求項1から3のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
- 発光素子と、その発光素子を配置する凹部を有するパッケージと、蛍光体とフィラーと拡散剤が含有された樹脂と、を備えた発光装置であって、
比重の大小関係が、(蛍光体)>(フィラー)>(樹脂)=(拡散剤)であり、
前記凹部の底面側および前記発光素子の上面を覆う蛍光体堆積層の上に、フィラー堆積層が配置され、前記凹部の底面側に配置された蛍光体堆積層は、前記発光素子の発光層の高さよりも低く、前記凹部の底面側に配置された蛍光体堆積層の上に配置されたフィラー堆積層が、前記発光層の側面を被覆しており、
前記拡散剤が前記フィラー堆積層を覆う樹脂中に分散されていることを特徴とする発光装置。 - 前記蛍光体は、表面に無機粒子を有することを特徴とする請求項5に記載の発光装置。
- 前記凹部の底面に前記発光素子よりも大きいサブマウントを有し、前記発光素子が前記サブマウント上に配置されており、
前記サブマウントの一部を覆う蛍光体堆積層の上に前記フィラー堆積層が配置されていることを特徴とする請求項5または6に記載の発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011227564A JP5870611B2 (ja) | 2010-11-05 | 2011-10-17 | 発光装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010248343 | 2010-11-05 | ||
JP2010248343 | 2010-11-05 | ||
JP2011227564A JP5870611B2 (ja) | 2010-11-05 | 2011-10-17 | 発光装置及びその製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015197604A Division JP5971393B2 (ja) | 2010-11-05 | 2015-10-05 | 発光装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012114416A JP2012114416A (ja) | 2012-06-14 |
JP5870611B2 true JP5870611B2 (ja) | 2016-03-01 |
Family
ID=46018962
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011227564A Active JP5870611B2 (ja) | 2010-11-05 | 2011-10-17 | 発光装置及びその製造方法 |
JP2015197604A Active JP5971393B2 (ja) | 2010-11-05 | 2015-10-05 | 発光装置及びその製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015197604A Active JP5971393B2 (ja) | 2010-11-05 | 2015-10-05 | 発光装置及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8471454B2 (ja) |
JP (2) | JP5870611B2 (ja) |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BR112013004504B1 (pt) * | 2010-08-31 | 2022-02-22 | Nichia Corporation | Método para fabricar um dispositivo emissor de luz e dispositivo emissor de luz |
JP2014041993A (ja) | 2012-07-24 | 2014-03-06 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
JP6291734B2 (ja) * | 2013-06-28 | 2018-03-14 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US9728685B2 (en) | 2013-02-28 | 2017-08-08 | Nichia Corporation | Light emitting device and lighting device including same |
JP6107475B2 (ja) * | 2013-06-28 | 2017-04-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP6291735B2 (ja) * | 2013-07-05 | 2018-03-14 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US11041118B2 (en) | 2013-08-29 | 2021-06-22 | Nichia Corporation | Fluoride fluorescent material and method for producing the same as well as light emitting device using the same |
US9461214B2 (en) | 2013-11-29 | 2016-10-04 | Nichia Corporation | Light emitting device with phosphor layer |
JP6237316B2 (ja) * | 2014-02-18 | 2017-11-29 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法および発光装置 |
JP6221696B2 (ja) * | 2013-11-29 | 2017-11-01 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法および発光装置 |
JP6394742B2 (ja) * | 2014-03-14 | 2018-09-26 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
US9755116B2 (en) | 2014-03-14 | 2017-09-05 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light emitting device |
JP6187509B2 (ja) | 2014-03-14 | 2017-08-30 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP6615557B2 (ja) * | 2015-09-30 | 2019-12-04 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
WO2017217549A1 (ja) * | 2016-06-17 | 2017-12-21 | シチズン電子株式会社 | 発光装置 |
US10886437B2 (en) | 2016-11-03 | 2021-01-05 | Lumileds Llc | Devices and structures bonded by inorganic coating |
JP7011411B2 (ja) * | 2017-07-03 | 2022-01-26 | シチズン電子株式会社 | Led照明装置 |
JP7092474B2 (ja) | 2017-08-21 | 2022-06-28 | シチズン電子株式会社 | 発光装置 |
US11043621B2 (en) | 2018-07-09 | 2021-06-22 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing light emitting device |
JP7372512B2 (ja) * | 2018-09-28 | 2023-11-01 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置および発光装置の製造方法 |
JP2020066599A (ja) * | 2018-10-25 | 2020-04-30 | ロート製薬株式会社 | 複合粉体、皮膚外用組成物、及び無機蛍光粉体の蛍光強度増強方法 |
DE102018131296A1 (de) * | 2018-12-07 | 2020-06-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements |
JP7181466B2 (ja) * | 2019-03-28 | 2022-12-01 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP7277760B2 (ja) | 2019-08-19 | 2023-05-19 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP7288203B2 (ja) * | 2020-03-31 | 2023-06-07 | 日亜化学工業株式会社 | 波長変換部材及びその製造方法 |
CN113471350A (zh) * | 2020-03-31 | 2021-10-01 | 日亚化学工业株式会社 | 波长转换构件及其制造方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3775081B2 (ja) * | 1998-11-27 | 2006-05-17 | 松下電器産業株式会社 | 半導体発光装置 |
JP2004172586A (ja) * | 2002-11-07 | 2004-06-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Led照明光源 |
DE60330892D1 (de) * | 2002-11-08 | 2010-02-25 | Nichia Corp | Lichtemissionsbauelement, leuchtstoff und verfahren zur herstellung eines leuchtstoffs |
JP2005277331A (ja) | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Kyocera Corp | 発光装置および照明装置 |
KR20080027355A (ko) * | 2005-06-30 | 2008-03-26 | 마츠시다 덴코 가부시키가이샤 | 발광 장치 |
KR100723247B1 (ko) * | 2006-01-10 | 2007-05-29 | 삼성전기주식회사 | 칩코팅형 led 패키지 및 그 제조방법 |
JP2007227791A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置の製造方法および発光装置 |
JP2008063446A (ja) * | 2006-09-07 | 2008-03-21 | Sharp Corp | 被覆蛍光体およびその製造方法ならびに被覆蛍光体を含む発光装置 |
JP2008218511A (ja) | 2007-02-28 | 2008-09-18 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体発光装置及びその製造方法 |
JP5230171B2 (ja) * | 2007-06-05 | 2013-07-10 | シャープ株式会社 | 発光装置、発光装置の製造方法、電子機器および携帯電話機 |
JP2008311477A (ja) * | 2007-06-15 | 2008-12-25 | Minami Kk | Ledディスプレーの製造方法及びその装置 |
US8167674B2 (en) * | 2007-12-14 | 2012-05-01 | Cree, Inc. | Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force |
JP5540466B2 (ja) * | 2008-01-19 | 2014-07-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP2010135763A (ja) * | 2008-11-05 | 2010-06-17 | Toshiba Corp | Ledデバイスの製造装置、ledデバイスの製造方法及びledデバイス |
JP5239941B2 (ja) * | 2009-02-26 | 2013-07-17 | 豊田合成株式会社 | 発光装置の製造方法 |
TWI356514B (en) * | 2009-03-19 | 2012-01-11 | Lextar Electronics Corp | Light emitting diode package |
-
2011
- 2011-10-17 JP JP2011227564A patent/JP5870611B2/ja active Active
- 2011-10-25 US US13/281,103 patent/US8471454B2/en active Active
-
2013
- 2013-03-15 US US13/834,343 patent/US8827759B2/en active Active
-
2015
- 2015-10-05 JP JP2015197604A patent/JP5971393B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8471454B2 (en) | 2013-06-25 |
US8827759B2 (en) | 2014-09-09 |
US20130214286A1 (en) | 2013-08-22 |
JP2012114416A (ja) | 2012-06-14 |
JP5971393B2 (ja) | 2016-08-17 |
US20120112623A1 (en) | 2012-05-10 |
JP2016026404A (ja) | 2016-02-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5971393B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
JP6519311B2 (ja) | 発光装置 | |
US8138671B2 (en) | Color-stable phosphor converted LED | |
RU2570356C2 (ru) | Светоизлучающее устройство и способ его изготовления | |
TWI226357B (en) | Wavelength-converting reaction-resin, its production method, light-radiating optical component and light-radiating semiconductor-body | |
US8098005B2 (en) | White light emitting device | |
US8183584B2 (en) | High efficient phosphor-converted light emitting diode | |
JP5332921B2 (ja) | 半導体発光装置、照明装置、及び画像表示装置 | |
CN103717701B (zh) | 涂布的磷光体和包含该磷光体的发光装置 | |
WO2011129320A1 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
JP2018178116A (ja) | 複合材料を使った発光装置、複合材料の製造方法、および光学フィルム | |
US11011683B2 (en) | Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component | |
JP6065408B2 (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
JP2016225514A (ja) | 発光装置の製造方法 | |
TW201301581A (zh) | 製造光轉換物質層之方法、其組成物及包括該光轉換物質層之組件 | |
JP2007157943A (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
JP2010004034A (ja) | 半導体発光装置、照明装置、および画像表示装置 | |
CN110938424A (zh) | 一种量子点与纳米片互联的组装复合材料及其制备方法 | |
CN112166354A (zh) | 波长转换元件以及光源装置 | |
JP2016154179A (ja) | 発光装置、及びその製造方法 | |
JP6068473B2 (ja) | 波長変換粒子、波長変換部材及び発光装置 | |
US10038125B2 (en) | Light-emitting device and method for manufacturing the same | |
JP2011222852A (ja) | 光半導体装置 | |
TW201205899A (en) | Light emitting device package and method of manufacturing the same | |
WO2017217549A1 (ja) | 発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140605 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150330 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150414 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150609 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20150804 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151005 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20151013 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20151215 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20151228 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5870611 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |