JP7181466B2 - 発光装置 - Google Patents
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Description
さらに以下は、本発明の技術思想を具体化するための発光装置を例示するものであって、本発明を以下に限定するものではない。構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特定的な記載がない限り、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、例示することを意図したものである。また、以下の説明では、特定の方向または位置を示す用語(例えば、「上」、「下」およびそれらの用語を含む別の用語)を用いる場合がある。それらの用語は、参照した図面における相対的な方向または位置をわかり易さのために用いているに過ぎない。各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、理解を容易にする等のために誇張している場合がある。
第1実施形態に係る発光装置100を図1Aから図2Bに基づいて説明する。図1Aでは、凹部13の内部が分かりやすいように封止部材を省略して図示し、さらに第1透光性部材31および第2透光性部材32が発光素子の上面上に位置するため第1発光素子21および第2発光素子22の外縁を破線で図示する。
(Sr,Ca)AlSiN3:Eu(1)
式(1)で表される組成を有する赤色蛍光体を用いることで、発光装置の演色性を向上させつつ、発光装置の光取出しを向上させることができる。
また、第1蛍光体31aの含有量は、例えば、第1透光性部材31の全重量に対して30~80重量%である。
なお、第1透光性部材31および第2透光性部材32は種々の方法で形成される。例えば、第1透光性部材31等は、樹脂材料を印刷、ポッティング又はスプレー法等で形成してもよく、また、シート状またはブロック状の樹脂部材を接着剤等により貼り付けて形成してもよい。また、蛍光体を含む透光性部材は、例えば、電気泳動堆積法等で形成してもよい。
(Y,Lu,Gd)3(Al,Ga)5O12:Ce(2)
(Sr,Ca)AlSiN3:Eu(1)
(Y,Lu,Gd)3(Al,Ga)5O12:Ce(2)
支持体10は、発光素子を配置するための基台である。支持体10は、母体と複数の電極部とを有する。支持体10の母体となる材料は、例えば、樹脂、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム等のセラミックス、パルプ、ガラス、又はこれらの複合材料等の公知の材料を用いることができる。支持体10の母体は、単層構造でもよいし、複数の層を含む多層構造でもよい。
複数のリード11は、導電性を有し、発光素子に給電するための電極として機能する。複数のリードは、母材として、例えば、銅、アルミニウム、金、銀、鉄、ニッケル、又はこれらの合金、燐青銅、鉄入り銅などの金属を用いることができる。これらは単層であってもよいし、積層構造(例えば、クラッド材)であってもよい。特に、母材には安価で放熱性が高い銅を用いることが好ましい。また、複数のリードは、母材の表面に金属層を有していてもよい。金属層は、例えば、銀、アルミニウム、ニッケル、パラジウム、ロジウム、金、銅、又はこれらの合金などを含む。なお、金属層は、複数のリードの全面に設けられていてもよいし、部分的に設けられていてもよい。また、金属層は、リードの上面に形成される領域と、リードの下面に形成される領域とで異なる層にすることができる。例えば、リードの上面に形成される金属層は、ニッケルおよび銀の金属層を含む複数層からなる金属層であり、リードの下面に形成される金属層は、ニッケルの金属層を含まない金属層である。また、例えば、リードの上面に形成される銀等の金属層は、リードの下面に形成される銀等の金属層よりも厚くすることができる。
樹脂部12は、母材となる樹脂材料として、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。具体的には、エポキシ樹脂組成物、シリコーン樹脂組成物、シリコーン変性エポキシ樹脂などの変性エポキシ樹脂組成物、エポキシ変性シリコーン樹脂などの変性シリコーン樹脂組成物、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂組成物、変性ポリイミド樹脂組成物等の硬化体、ポリフタルアミド(PPA)、ポリカーボネート樹脂、ポリフェニレンサルファイド(PPS)、液晶ポリマー(LCP)、ABS樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、PBT樹脂等の樹脂を用いることができる。特に、エポキシ樹脂組成物や変性シリコーン樹脂組成物の熱硬化性樹脂を用いることが好ましい。
また、樹脂部12の樹脂材料として、耐熱性および耐光性に優れたシリコーン樹脂組成物(例えばSMC樹脂)を用いることが好ましい。
第1発光素子21および第2発光素子22は、発光装置100の光源として機能し、さらに蛍光体の励起源となる。発光素子には、例えばLEDチップを用いることができる。発光素子は、半導体層と、素子基板と、電極を有する。電極は、金、銀、錫、白金、ロジウム、チタン、アルミニウム、タングステン、パラジウム、ニッケル又はこれらの合金で構成することができる。半導体材料としては、窒化物半導体を用いることが好ましい。窒化物半導体は、主として一般式InxAlyGa1-x-yN(0≦x、0≦y、x+y≦1)で表される。このほか、InAlGaAs系半導体、InAlGaP系半導体、硫化亜鉛、セレン化亜鉛、炭化珪素などを用いることもできる。発光素子の素子基板は、主として半導体積層体を構成する半導体の結晶を成長可能な結晶成長用基板であるが、結晶成長用基板から分離した半導体素子構造に接合させる接合用基板であってもよい。素子基板の母材としては、サファイア、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、シリコン、炭化珪素、ガリウム砒素、ガリウム燐、インジウム燐、硫化亜鉛、酸化亜鉛、セレン化亜鉛、ダイヤモンドなどが挙げられる。なかでも、サファイアが好ましい。素子基板の厚さは、適宜選択でき、例えば0.02mm以上1mm以下であり、素子基板の強度および/又は発光装置の厚さの観点において、0.05mm以上0.3mm以下であることが好ましい。例えば、第1発光素子21の素子基板の厚みを第2発光素子22の素子基板の厚みより薄くすることで、第1発光素子21の高さを第2発光素子22の高さよりも低くすることができる。第1発光素子21および第2発光素子22は、それぞれの発光ピーク波長を同等でもよく、第1発光素子21および第2発光素子22は、それぞれの発光ピーク波長を異なるようにしてもよい。
第1透光性部材31は第1発光素子21の上面上に位置し、第2透光性部材32は第2発光素子22の上面上に位置する。第1透光性部材31は、第1蛍光体31aを含む。第1透光性部材および第2透光性部材は、発光素子の上面と直接接して配置していてもよいし、発光素子の上方に位置して発光素子の上面との間に別の部材(例えば、上述した保護層)が位置していてもよい。
発光装置100は、第1透光性部材31および第2透光性部材32を覆う封止部材40を備える。封止部材40は、発光素子等を外力や埃、水分などから保護することができる。封止部材40は、発光素子から出射される光の60%以上を透過するもの、さらに80%以上を透過するものが好ましい。封止部材40の母材としては、樹脂部12で用いられる樹脂材料を用いることができる。母材となる樹脂材料として、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができ、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂またはこれらを1つ以上含む樹脂を用いることができる。封止部材は単一層から形成することもでき、また、複数層から構成することもできる。また、封止部材40には、酸化チタン、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウムなどの光散乱粒子を分散させることができる。
発光装置100は、静電耐圧を向上させるために保護素子51、52を備えることができる。保護素子は、1つであってもよいし、複数あってもよい。例えば、図1Aに示すように、1つの発光素子に対して1つの保護素子を配置することができる。発光装置100では、各発光素子の導電路が別になっているので、それぞれの発光素子に対して1つの保護素子を配置することで、発光装置100の静電耐圧をより向上させることができる。
第2実施形態に係る発光装置200を図3Aおよび図3Bに基づいて説明する。図3Aでは、凹部13の内部が分かりやすいように封止部材を省略して図示し、さらに第1透光性部材31および第2透光性部材32が発光素子の上面上に位置するため第1発光素子21および第2発光素子22の外縁を破線で図示する。発光装置200は、支持体が第1リード、第2リードおよび第3リードの3つのリードを備える点で、第1実施形態に係る発光装置100と主に異なる。
10 支持体
11 リード
11a 第1リード
11b 第2リード
11c 第3リード
11d 第4リード
12 樹脂部
21 第1発光素子
22 第2発光素子
31 第1透光性部材
31a 第1蛍光体
32 第2透光性部材
40 封止部材
41a 第2蛍光体
Claims (7)
- 支持体と、
前記支持体上に配置され、それぞれの発光ピーク波長が430nm以上480nm以下である第1発光素子および第2発光素子と、
前記第1発光素子の上面に配置され、発光ピーク波長が500nm以上680nm以下である第1蛍光体を含む第1透光性部材と、
前記第2発光素子の上面に配置される第2透光性部材と、
前記第1透光性部材および前記第2透光性部材を覆い、第2蛍光体を含む封止部材と、を備え、
前記第1発光素子および前記第2発光素子はそれぞれ独立して駆動可能であり、
前記第1透光性部材から出射される光の色度のx値が、前記第2透光性部材から出射される光の色度のx値よりも大きく、
前記第1発光素子の高さが前記第2発光素子の高さよりも低く、前記第1発光素子の上方に位置する前記第2蛍光体の量が、前記第2発光素子の上方に位置する前記第2蛍光体の量よりも多い発光装置。 - 前記第2蛍光体の発光ピーク波長は、前記第1蛍光体の発光ピーク波長よりも短い、請求項1に記載の発光装置。
- 前記第1発光素子の高さが前記第2発光素子の高さよりも7μm以上低い請求項1または2に記載の発光装置。
- 前記第1発光素子の側面の少なくとも一部が前記第1透光性部材から露出し、
前記第2発光素子の側面の少なくとも一部が前記第2透光性部材から露出する、請求項1~3のいずれか1項に記載の発光装置。 - 前記発光装置は、
前記第1発光素子だけを駆動させたときに、色温度2000~4000K の光を発し、
前記第2発光素子だけを駆動させたときに、色温度5000~8000Kの光を発する、請求項1~4のいずれか1項に記載の発光装置。 - 前記発光装置は色温度2000~8000Kの光を発する、請求項1~5のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記支持体は第1リード、第2リード、第3リードおよび第4リードを有し、
前記第1発光素子は前記第1リードの上面に配置され、
前記第2発光素子は前記第2リードの上面に配置され、
前記第3リードは、前記第1発光素子の一の電極と電気的に接続され、
前記第4リードは、前記第2発光素子の一の電極と電気的に接続される、請求項1~6のいずれか1項に記載の発光装置。
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