WO2012121304A1 - 発光装置及び発光装置を備えた照明装置 - Google Patents

発光装置及び発光装置を備えた照明装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2012121304A1
WO2012121304A1 PCT/JP2012/055875 JP2012055875W WO2012121304A1 WO 2012121304 A1 WO2012121304 A1 WO 2012121304A1 JP 2012055875 W JP2012055875 W JP 2012055875W WO 2012121304 A1 WO2012121304 A1 WO 2012121304A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
light
light emitting
phosphor
emitting
wavelength conversion
Prior art date
Application number
PCT/JP2012/055875
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
寛明 作田
Original Assignee
三菱化学株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to JP2011-050224 priority Critical
Priority to JP2011050224 priority
Application filed by 三菱化学株式会社 filed Critical 三菱化学株式会社
Publication of WO2012121304A1 publication Critical patent/WO2012121304A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L51/00, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L51/00, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L51/00, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L51/00, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light emitting diodes [LED]
    • H05B45/20—Controlling the colour of the light
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/20—Light sources comprising attachment means
    • F21K9/23—Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings
    • F21K9/232—Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings specially adapted for generating an essentially omnidirectional light distribution, e.g. with a glass bulb
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/60—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction
    • F21K9/64—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction using wavelength conversion means distinct or spaced from the light-generating element, e.g. a remote phosphor layer
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V3/00—Globes; Bowls; Cover glasses
    • F21V3/04—Globes; Bowls; Cover glasses characterised by materials, surface treatments or coatings
    • F21V3/10—Globes; Bowls; Cover glasses characterised by materials, surface treatments or coatings characterised by coatings
    • F21V3/12—Globes; Bowls; Cover glasses characterised by materials, surface treatments or coatings characterised by coatings the coatings comprising photoluminescent substances
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2113/00—Combination of light sources
    • F21Y2113/10—Combination of light sources of different colours
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2113/00—Combination of light sources
    • F21Y2113/10—Combination of light sources of different colours
    • F21Y2113/13—Combination of light sources of different colours comprising an assembly of point-like light sources
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials

Abstract

　発光装置１は、第１ＬＥＤ１８及び第２ＬＥＤ１９から放射される光の全てが共通蛍光部材２１に入射され、これら第１ＬＥＤ１８及び第２ＬＥＤ１９から波長変換されて放射される光（矢印Ａ２、Ｂ２）と、当該共通蛍光部材２１により波長変換して得られる光（Ｃ）と、共通波長変換部材２１にて波長変換されずに通過した光（Ａ１、Ｂ１）とを含んで合成した光を共通蛍光部材２１から放射する。

Description

発光装置及び発光装置を備えた照明装置

　本発明は、複数の光を合成して放射可能な発光装置及びこの発光装置を備えた照明装置に関する。

　半導体発光素子として例えばＬＥＤチップを用いたＬＥＤ発光素子は、さまざまな照明装置や表示装置などの光源として従来より広く用いられている。近年では、単一の発光色のＬＥＤ発光素子を用いるだけではなく、発光色の異なる複数のＬＥＤ発光素子を組み合わせた発光装置も開発され使用されている。例えば、特許文献１には、赤色ＬＥＤ発光素子、緑色ＬＥＤ発光素子及び青色ＬＥＤ発光素子を用いた発光装置が開示されている。この発光装置では、各ＬＥＤ発光素子に供給される駆動電流を調整し、各ＬＥＤ発光素子から発せられた光を合成することによって所望の白色光を得ている。

　また、ＬＥＤチップが発する光を蛍光体によって波長変換してから発光するようにしたＬＥＤ発光体が開発され、このようなＬＥＤ発光素子を組み合わせた発光装置が、例えば特許文献２に開示されている。特許文献２の発光装置では、青色ＬＥＤチップを用いて青色光を発する青色ＬＥＤ発光素子と、青色ＬＥＤチップが発した青色光により励起されて緑色光を発する緑色蛍光体を青色ＬＥＤチップに組み合わせた緑色ＬＥＤ発光素子と、青色ＬＥＤチップが発した青色光により励起されて赤色光を発する赤色蛍光体を青色ＬＥＤチップに組み合わせた赤色ＬＥＤ発光素子とが用いられている。そして、これらの青色ＬＥＤ発光素子、緑色ＬＥＤ発光素子及び赤色ＬＥＤ発光素子がそれぞれ発する光の合成によって優れた演色性を確保すると共に、各発光ユニットの光出力を調整することにより発光装置の発光色を多彩に変化させることができるようになっている。

　また、赤色蛍光体、緑色蛍光体及び青色蛍光体を混合して形成された波長変換部材でＬＥＤ発光素子が発する光を波長変換することにより、所望の白色光を得るようにした発光装置が特許文献３に開示されている。この発光装置では、近紫外光を発する近紫外ＬＥＤチップが用いられると共に、近紫外ＬＥＤチップが発する近紫外光を所望の白色光に波長変換するように赤色蛍光体、緑色蛍光体及び青色蛍光体が組み合わされた波長変換部材が用いられる。

　特許文献３の発光装置において、波長変換部材は、所望の色温度の白色光が得られるように各蛍光体が混合された第１波長変換部材と、この第１波長変換部材とは色温度の異なる白色光が得られるように各蛍光体が混合された第２波長変換部材とからなっている。基板には環状のリフレクタが設けられ、リフレクタの内部が仕切り部材によって２つの領域に分割されている。そして、それぞれの領域にＬＥＤチップが配列されると共に、一方の領域には第１波長変換部材が収容され、他方の領域には第２波長変換部材が収容されている。

　このようにして構成された発光装置では、第１波長変換部材から放射される白色光と、第２波長変換部材から放射される白色光とが合成されて得られる合成光が発光装置から放射される。このとき、一方の領域の近紫外ＬＥＤチップに対する供給電力と、他方の領域の近紫外ＬＥＤチップに対する供給電力とを調整することにより、第１の波長変換部材の蛍光体が発する白色光の色温度から、第２の波長変換部材の蛍光体が発する白色光の色温度までの間の任意の色温度に調整した白色光が得られるようになっている。

　また、紫外放射又は紫色の可視光を発するＬＥＤチップと、当該紫外放射又は紫色の可視光を吸収して有色光を発する蛍光体を有する波長変換部材とを複数種類備えた構成の発光装置が特許文献４に開示されている。この発光装置では、２つ以上の波長変換部材がその一部分において互いに重なり合って構成されている。

　このようにして構成された特許文献４の発光装置は、波長変換部材が互いに重なり合った一部分において、重なり合っている各波長変換部材の発する光が合成されることで、各波長変換部材の発する光の合成光が得られる。特許文献４の発光装置では、この合成光を含めて、各波長変換部材が発した光をさらに合成することで白色光が得られるようになっている。

特開２００６－４８３９号公報 特開２００７－１２２９５０号公報 国際公開第２００９／０６３９１５号パンフレット 国際公開第２０１０／０９０２８９号パンフレット

　特許文献３の発光装置では、第１波長変換部材から放射される光と第２波長変換部材から放射される光とがそれぞれ異なる領域から放射される。それぞれの波長変換部材から放射される光を照明光などとして使用した場合、波長変換部材に含まれる蛍光体の特性によって、ＬＥＤチップから発せられる光をそのまま合成して照明光として使用する場合に比べれば、それぞれの波長変換部材から放射される２種類の光の分離が生じにくくなっている。しかしながら、第１波長変換部材から放射される光と第２波長変換領域から放射される光とがそれぞれ異なる領域から放射されるため、２種類の光の分離が十分に抑制されているとはいえず、依然として改善の余地がある。

　さらに、第１波長変換部材と第２波長変換部材を含む発光部を覆うように配光レンズを設け、その配光レンズの焦点を前記発光部の発光面に合わせた場合には、配光レンズの特性によって、第１波長変換部材と第２波長変換部材とに区分けされた発光面を強調して照射面に投影してしまい、照射面において色分離が生じてしまうという問題があった。それを防ぐために、配光レンズの焦点を発光面から照射面側にずらして設置した場合には、照射面における色分離は抑制されるものの、配光レンズの設計どおりの配光角とならず、照度や照射領域が大きく変わってしまうという問題があった。

　特許文献４の発光装置では、波長変換部材が重なり合っている部分から合成光が発せられることで、各波長変換部材から放射される光の分離が部分的に緩和されることとなる。しかしながら、各波長変換部材において重なり合っていない部分における光の放射は、上記特許文献３の発光装置と同様、各波長変換部材から放射される異なる種類の光がそれぞれ異なる領域から放射されるため、依然として光の分離が生じ得る。このため特許文献４の発光装置においても光の分離が十分に抑制されているとはいえない。

　本発明はこのような問題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、複数の光を合成して放射可能な発光装置において、これら複数の光の分離を良好に抑制可能な発光装置を提供することにある。

　上記した目的を達成するために、本発明の発光装置は、第１半導体発光素子及び第２半導体発光素子を発光源として有し、これら第１半導体発光素子及び第２半導体発光素子の発光により得られる合成光を放射する発光装置であって、前記第１半導体発光素子と、当該第１半導体発光素子が発した光の一部を波長変換する第１波長変換部材とを有し、当該第１半導体発光素子が発した光及び当該第１波長変換部材により波長変換された光を放射する第１発光部と、前記第２半導体発光素子と、当該第２半導体発光素子が発した光の一部を波長変換する第２波長変換部材とを有し、当該第２半導体発光素子が発した光及び当該第２波長変換部材により波長変換された光を放射する第２発光部と、前記第１発光部及び第２発光部の放射する光の全てが入射されるように配置され、前記第１半導体発光素子及び前記第２半導体発光素子の少なくとも一方が発した光の一部を波長変換する共通波長変換部材を備え、前記共通波長変換部材は、当該共通波長変換部材により波長変換して得られた光と、当該共通波長変換部材にて波長変換されずに通過した前記第１半導体発光素子が発した光及び第２半導体発光素子が発した光と、前記第１波長変換部材により波長変換された光及び前記第２波長変換部材により波長変換された光と、を合成した合成光を放射する、ことを特徴とする。

　このように構成された発光装置によれば、第１半導体発光素子から発せられる光と、第１波長変換部材にて波長変換されて発せられる光とが、第１発光部から放射される光となる。また、第２半導体発光素子から発せられる光と、第２波長変換部材にて波長変換されて発せられる光とが、第２発光部から放射される光となる。そして、この第１発光部及び第２発光部から放射される光の全てが入射されるよう共通波長変換部材が配置されているので、これら第１発光部及び第２発光部から波長変換されて放射される光と、共通波長変換部材により波長変換して得られる光と、共通波長変換部材にて波長変換されずに通過した光とを含む合成光が当該共通波長変換部材から放射される。

　この発光装置の具体的な構成として、例えば前記第１半導体発光素子及び前記第２半導体発光素子は、それぞれ近紫外光を発する近紫外半導体発光素子であってもよい。或いは、前記第１半導体発光素子及び前記第２半導体発光素子はそれぞれ青色光を発する青色半導体発光素子であってもよい。また、これに代えて、前記第１半導体発光素子及び前記第２半導体発光素子のうち、一方は近紫外光を発する近紫外半導体発光素子であり、他方は青色光を発する青色半導体発光素子であってもよい。

　前記第１波長変換部材は、前記第１半導体発光素子が発した光により励起され第１のピーク波長の光を発する第１蛍光体を有し、前記第２波長変換部材は、前記第２半導体発光素子が発した光により励起され第２のピーク波長の光を発する第２蛍光体を有し、前記共通波長変換部材は、前記第１半導体発光素子及び第２半導体発光素子の少なくとも一方が発した光により励起され、前記第１のピーク波長の光及び前記第２のピーク波長の光よりも短いピーク波長の光を発する蛍光体を有することが好ましい。また、前記第１波長変換部材及び前記第２波長変換部材と、前記共通波長変換部材との間に光導波層を設けてもよいし、前記第１波長変換部材及び前記第２波長変換部材と、前記共通波長変換部材とのそれぞれの対向面が直接的に接合されていてもよい。

　前記第１波長変換部材及び前記第２波長変換部材と、前記共通波長変換部材との間に空間を設けてもよい。

　前記共通波長変換部材は、平板状に形成されていてもよい。

　または、前記共通波長変換部材は、ドーム状に形成されていてもよい。そして、前記共通波長変換部材は、前記第１発光部及び前記第２発光部を覆うように配置されて外殻をなすように形成されていてもよいし、もしくは、前記共通波長変換部材の放射する光の全てが入射され、前記共通波長変換部材を覆うように配置されており、前記合成光を散乱して放射する外装部材を備え、前記共通波長変換部材は、前記第１発光部及び前記第２発光部を覆うように、かつ、前記第１発光部及び前記第２発光部と前記外装部材との間に形成されていてもよい。

　前記第１発光部と前記第２発光部との対向面は、直接的に接合されており、前記共通波長変換部材は、別個の構成部材でなっていてもよい。または、前記第１発光部、前記第２発光部及び前記共通波長変換部材は、それぞれ別個の構成部材でなっていてもよい。

　また例えば、前記第１半導体発光素子のみが発光したときに共通波長変換部材から放射される合成光は第１色温度の白色光であり、前記第２半導体発光素子のみが発光したときに共通波長変換部材から放射される合成光は、前記第１色温度と異なる第２色温度の白色光であってもよい。

　このような白色光を得る場合の発光装置の具体的な構成として、前記第１半導体発光素子及び前記第２半導体発光素子はそれぞれ近紫外光を発する近紫外半導体発光素子であり、前記第１波長変換部材は、前記第１半導体発光素子の発した光により励起され赤色光を発する赤色蛍光体、前記第１半導体発光素子の発した光により励起され緑色光を発する緑色蛍光体及び前記第１半導体発光素子の発した光により励起され青色光を発する青色蛍光体を有し、前記第２波長変換部材は、前記第２半導体発光素子の発した光により励起され赤色光を発する赤色蛍光体、前記第２半導体発光素子の発した光により励起され緑色光を発する緑色蛍光体及び前記第２半導体発光素子の発した光により励起され青色光を発する青色蛍光体を有し、前記共通波長変換部材は、前記第１半導体発光素子及び前記第２半導体発光素子の少なくとも一方が発した光により励起され青色光を発する青色蛍光体を有するようにしてもよい。このような構成により、第１半導体発光素子の発した近紫外光は、第１波長変換部材の赤色蛍光体、緑色蛍光体及び青色蛍光体により赤色光、緑色光及び青色光に波長変換されるとともに、当該第１波長変換部材を通過した近紫外光は共通波長変換部材の青色蛍光体により青色光に波長変換され、これら赤色光、緑色光、青色光が合成されて当該共通波長変換部材から放射されることで白色光が得られる。一方、第２半導体発光素子の発した近紫外光は、第２波長変換部材の赤色蛍光体、緑色蛍光体及び青色蛍光体により赤色光、緑色光及び青色光に波長変換され、当該第２波長変換部材を通過した近紫外光は共通波長変換部材の青色蛍光体により青色光に波長変換され、これら赤色光、緑色光、青色光が合成されて当該共通波長変換部材から放射されることで白色光が得られる。従って、これらの白色光を共通波長変換部材から合成して放射することができる。

　また、前記第１半導体発光素子及び前記第２半導体発光素子はそれぞれ近紫外光を発する近紫外半導体発光素子であり、前記第１波長変換部材は、前記第１半導体発光素子の発した光により励起され赤色光を発する赤色蛍光体を有し、前記第２波長変換部材は、前記第２半導体発光素子の発した光により励起され緑色光を発する緑色蛍光体を有し、前記共通波長変換部材は、前記第１半導体発光素子及び前記第２半導体発光素子の少なくとも一方が発した光により励起され青色光を発する青色蛍光体を有するようにしてもよい。このような構成により、第１半導体発光素子の発した近紫外光は、第１波長変換部材の赤色蛍光体により赤色光に波長変換されるとともに、当該第１波長変換部材を通過した近紫外光は共通波長変換部材の青色蛍光体により青色光に波長変換され、これら赤色光及び青色光が合成されて当該共通波長変換部材から放射されることで白色光が得られる。一方、第２半導体発光素子の発した近紫外光は、第２波長変換部材の緑色蛍光体により緑色光に波長変換され、当該第２波長変換部材を通過した近紫外光は共通波長変換部材の青色蛍光体により青色光に波長変換され、これら緑色光及び青色光が合成されて当該共通波長変換部材から放射されることで白色光が得られる。従って、これらの白色光を共通波長変換部材から合成して放射することができる。

　或いは、前記第１半導体発光素子及び前記第２半導体発光素子はそれぞれ近紫外光を発する近紫外半導体発光素子であり、前記第１波長変換部材は、前記第１半導体発光素子の発した光により励起され赤色光を発する第１の赤色蛍光体を有し、前記第２波長変換部材は、前記第２半導体発光素子の発した光により励起され緑色光を発する緑色蛍光体及び前記第２半導体発光素子の発した光により励起され青色光を発する青色蛍光体を有し、前記共通波長変換部材は、前記第１半導体発光素子及び前記第２半導体発光素子の少なくとも一方が発した光により励起され赤色光を発する第２の赤色蛍光体、及び前記第１半導体発光素子及び前記第２半導体発光素子の少なくとも一方が発した光により励起され青色光を発する青色蛍光体を有し、前記第２の赤色蛍光体は、前記第１の赤色蛍光体が発する赤色光よりも狭い帯域幅の赤色光を発するように構成されていてもよい。このような構成により、第１半導体発光素子の発した近紫外光は、第１波長変換部材の第１の赤色蛍光体により広い帯域幅の赤色光に波長変換されるとともに、当該第１波長変換部材を通過した近紫外光は共通波長変換部材の青色蛍光体及び第２の赤色蛍光体によりそれぞれ青色光及び狭い帯域幅の赤色光に波長変換され、これら青色光、広い帯域幅の赤色光及び狭い帯域幅の赤色光が合成されて当該共通波長変換部材から放射されることで白色光が得られる。一方、第２半導体発光素子の発した近紫外光は、第２波長変換部材の緑色蛍光体及び青色蛍光体によりそれぞれ緑色光及び青色光に波長変換され、当該第２波長変換部材を通過した近紫外光は共通波長変換部材の青色蛍光体及び第２の赤色蛍光体によりそれぞれ青色光及び狭い帯域幅の赤色光に波長変換され、これら緑色光、青色光及び狭い帯域幅の赤色光が合成されて当該共通波長変換部材から放射されることで白色光が得られる。従って、これらの白色光を共通波長変換部材から合成して放射することができる。

　また、前記第１半導体発光素子及び前記第２半導体発光素子はそれぞれ青色光を発する青色半導体発光素子であり、前記第１波長変換部材は、前記第１半導体発光素子の発した光により励起され赤色光を発する第１の赤色蛍光体を有し、前記第２波長変換部材は、前記第２半導体発光素子の発した光により励起され緑色光を発する緑色蛍光体を有し、前記共通波長変換部材は、前記第１半導体発光素子及び前記第２半導体発光素子の少なくとも一方が発した光により励起され赤色光を発する第２の赤色蛍光体、及び前記第１半導体発光素子及び前記第２半導体発光素子の少なくとも一方が発した光により励起され緑色光を発する緑色蛍光体を有し、前記第２の赤色蛍光体は、前記第１の赤色蛍光体が発する赤色光よりも狭い帯域幅の赤色光を発するように構成されていてもよい。このような構成により、第１半導体発光素子の発した青色光は、第１波長変換部材の第１の赤色蛍光体により広い帯域幅の赤色光に波長変換されるとともに、当該第１波長変換部材を通過した青色光は、一部が共通波長変換部材の緑色蛍光体及び第２の赤色蛍光体によりそれぞれ緑色光及び狭い帯域幅の赤色光に波長変換されると共に、残部が共通波長変換部材を通過し、これら青色光、緑色光、広い帯域幅の赤色光及び狭い帯域幅の赤色光が合成されて当該共通波長変換部材から放射されることで白色光が得られる。一方、第２半導体発光素子の発した青色光は、第２波長変換部材の緑色蛍光体により緑色光に波長変換され、当該第２波長変換部材を通過した青色光は、一部が共通波長変換部材の緑色蛍光体及び第２の赤色蛍光体によりそれぞれ緑色光及び狭い帯域幅の赤色光に波長変換される共に、残部が共通波長変換部材を通過し、これら青色光、緑色光及び狭い帯域幅の赤色光が合成されて当該共通波長変換部材から放射されることで白色光が得られる。従って、これらの白色光を共通波長変換部材から合成して放射することができる。

　また、前記第１半導体発光素子は近紫外光を発する近紫外半導体発光素子であり、前記第１波長変換部材は、前記第１半導体発光素子の発した光により励起され赤色光を発する赤色蛍光体及び前記第１半導体発光素子の発した光により励起され青色光を発する青色蛍光体を有し、前記第２半導体発光素子は青色光を発する青色半導体発光素子であり、前記第２波長変換部材は、前記第２半導体発光素子の発した光により励起され赤色光を発する赤色蛍光体を有し、前記共通波長変換部材は、前記第１半導体発光素子及び前記第２半導体発光素子の少なくとも一方が発した光により励起され緑色光を発する緑色蛍光体を有するようにしてもよい。このような構成により、第１半導体発光素子の発した近紫外光は、第１波長変換部材の赤色蛍光体及び青色蛍光体により赤色光及び青色光に波長変換されるとともに、当該第１波長変換部材を通過した近紫外光は共通波長変換部材の緑色蛍光体により緑色光に波長変換され、これら赤色光、青色光、緑色光が合成されて当該共通波長変換部材から放射されることで白色光が得られる。一方、第２半導体発光素子の発した青色光は、第２波長変換部材の赤色蛍光体により赤色光に波長変換され、当該第２波長変換部材を通過した青色光は、一部が共通波長変換部材の緑色蛍光体により緑色光に波長変換されると共に、残部が共通波長変換部材を通過し、これら青色光、赤色光、緑色光が合成されて当該共通波長変換部材から放射されることで白色光が得られる。従って、これらの白色光を共通波長変換部材から合成して放射することができる。

　或いは、前記第１半導体発光素子は近紫外光を発する近紫外半導体発光素子であり、前記第１波長変換部材は、前記第１半導体発光素子の発した光により励起され赤色光を発する赤色蛍光体、前記第１半導体発光素子の発した光により励起され青色光を発する青色蛍光体、及び前記第１半導体発光素子の発した光により励起され緑色光を発する緑色蛍光体を有し、前記第２半導体発光素子は青色光を発する青色半導体発光素子であり、前記第２波長変換部材は、前記第２半導体発光素子の発した光により励起され赤色光を発する赤色蛍光体及び前記第２半導体発光素子の発した光により励起され緑色光を発する緑色蛍光体を有し、前記共通波長変換部材は、前記第１半導体発光素子及び前記第２半導体発光素子の少なくとも一方が発した光により励起され黄色光を発する黄色蛍光体を有するようにしてもよい。この場合には、第１半導体発光素子の発した近紫外光は、第１波長変換部材の赤色蛍光体、青色蛍光体、及び緑色蛍光体により赤色光、青色光、緑色光に波長変換されると共に、当該第１波長変換部材を通過した後に共通波長変換部材の黄色蛍光体により黄色光に波長変換され、これら赤色光、青色光、緑色光、及び黄色光が合成して当該共通波長変換部材から放射されることで白色光が得られる。一方、第２半導体発光素子の発した青色光は、第２波長変換部材の赤色蛍光体及び緑色蛍光体により赤色光及び緑色光に波長変換されると共に、当該第２波長変換部材を通過した後に共通波長変換部材の黄色蛍光体により黄色光に波長変換され、これら青色光、赤色光、緑色光、黄色光が合成されて当該共通波長変換部材から放射されることで白色光が得られる。従って、これらの白色光を共通波長変換部材が合成して放射することができる。

　さらに、前記第１発光部は前記第１半導体発光素子が前記第１波長変換部材に取り囲まれて構成され、前記第２発光部は前記第２半導体発光素子が前記第２波長変換部材に取り囲まれて構成されていてもよい。または、前記第１発光部は前記第１半導体発光素子が第１波長変換部材と離間して設けられており、前記第２発光部は前記第２半導体発光素子が第２波長変換部材と離間して設けられていてもよい。

　また、上記した目的を達成するために、本発明の発光装置として、第１半導体発光素子及び第２半導体発光素子を発光源として有し、これら第１半導体発光素子及び第２半導体発光素子の発光により得られる合成光を放射する発光装置であって、前記第１半導体発光素子と、当該第１半導体発光素子が発した光の一部を波長変換する第１波長変換部材とを有し、当該第１半導体発光素子が発した光及び当該第１波長変換部材により波長変換された光を放射する第１発光部と、前記第２半導体発光素子を有し、当該第２半導体発光素子が発した光を放射する第２発光部と、前記第１発光部及び第２発光部の放射する光の全てが入射されるように配置され、前記第１半導体発光素子及び前記第２半導体発光素子の少なくとも一方が発した光の一部を波長変換する共通波長変換部材を備え、前記共通波長変換部材は、当該共通波長変換部材により波長変換して得られた光と、当該共通波長変換部材にて波長変換されずに通過した前記第１半導体発光素子が発した光及び第２半導体発光素子が発した光と、前記第１波長変換部材により波長変換された光と、を合成した合成光を放射する、ことを特徴とするものでもよい。

　このように構成された発光装置によれば、第１半導体発光素子から発せられる光と、第１波長変換部材にて波長変換されて発せられる光とが、第１発光部から放射される光となる。また、第２半導体発光素子から発せさられる光が、第２発光部から放射される光となる。そして、この第１発光部及び第２発光部から放射される光の全てが入射されるように共通波長変換部材が配置されているので、第１発光部から波長変換されて放射される光と、当該共通波長変換部材により波長変換して得られる光と、共通波長変換部材にて波長変換されずに通過した光と、を含む合成光が当該共通波長変換部材から放射される。

　この発光装置の具体的な構成として、例えば前記第１半導体発光素子及び前記第２半導体発光素子はそれぞれ青色光を発する青色半導体発光素子であってもよい。または、前記第１半導体発光素子は近紫外光を発する近紫外半導体発光素子であり、前記第２半導体発光素子は青色光を発する青色半導体発光素子であってもよい。

　また、前記第１の波長変換部材は、前記第１半導体発光素子が発した光により励起され第１のピーク波長の光を発する第１の蛍光体を有し、前記共通波長変換部材は、前記第１半導体発光素子及び第２半導体発光素子の少なくとも一方が発した光により励起され、前記第１のピーク波長の光よりも短いピーク波長の光に変換する蛍光体を有することが好ましい。

　また、前記第１波長変換部材と前記共通波長変換部材との間に光導波層を設けてもよい。または、前記第１波長変換部材と前記共通波長変換部材との対向面が直接的に接合されていてもよい。

　前記第１波長変換部材及び前記第２波長変換部材と、前記共通波長変換部材との間に空間を設けてもよい。

　前記共通波長変換部材は、平板状に形成されていてもよい。

　または、前記共通波長変換部材は、ドーム状に形成されていてもよい。そして、前記共通波長変換部材は、前記第１発光部及び前記第２発光部を覆うように配置されて外殻をなすように形成されていてもよいし、もしくは、前記共通波長変換部材の放射する光の全てが入射され、前記共通波長変換部材を覆うように配置されており、前記合成光を散乱して放射する外装部材を備え、前記共通波長変換部材は、前記第１発光部及び前記第２発光部を覆うように、かつ、前記第１発光部及び前記第２発光部と前記外装部材との間に形成されていてもよい。

　前記第１発光部と前記第２発光部との対向面は、直接的に接合されており、前記共通波長変換部材は、別個の構成部材でなっていてもよい。または、前記第１発光部、前記第２発光部及び前記共通波長変換部材は、それぞれ別個の構成部材でなっていてもよい。

　前記第１半導体発光素子及び前記第２半導体発光素子はそれぞれ青色光を発する青色半導体発光素子であり、前記第１波長変換部材は、前記第１半導体発光素子の発した光により励起され赤色光を発する赤色蛍光体を有し、前記共通波長変換部材は、前記第１半導体発光素子及び前記第２半導体発光素子の少なくとも一方が発した光により励起され黄色光を発する黄色蛍光体を有するようにしてもよい。この場合には、第１半導体発光素子の発した青色光は、第１波長変換部材の赤色蛍光体により赤色光に波長変換され、当該第１波長変換部材を通過した青色光は、一部が共通波長変換部材の黄色蛍光体により黄色光に波長変換されると共に、残部が共通波長変換部材を通過し、これら青色光、赤色光及び黄色光が合成して当該共通波長変換部材から放射されることで白色光が得られる。一方、第２半導体発光素子の発した青色光は、一部が共通波長変換部材の黄色蛍光体により黄色光に波長変換されると共に、残部が共通波長変換部材を通過し、これら青色光及び黄色光が合成されて当該共通波長変換部材から放射されることで白色光が得られる。従って、これらの白色光を共通波長変換部材が合成して放射することができる。

　また、前記第１半導体発光素子及び前記第２半導体発光素子はそれぞれ青色光を発する青色半導体発光素子であり、前記第１波長変換部材は、前記第１半導体発光素子の発した光により励起され赤色光を発する赤色蛍光体を有し、前記共通波長変換部材は、前記第１半導体発光素子及び前記第２半導体発光素子の少なくとも一方が発した光により励起され緑色光を発する緑色蛍光体を有するようにしてもよい。この場合には、第１半導体発光素子の発した青色光は、第１波長変換部材の赤色蛍光体により赤色光に波長変換され、当該第１波長変換部材を通過した青色光は、一部が共通波長変換部材の緑色蛍光体により緑色光に波長変換されると共に、残部が共通波長変換部材を通過し、これら青色光、赤色光及び緑色光が合成して当該共通波長変換部材から放射されることで白色光が得られる。一方、第２半導体発光素子の発した青色光は、一部が共通波長変換部材の緑色蛍光体により緑色光に波長変換されると共に、残部が共通波長変換部材を通過し、これら青色光及び緑色光が合成されて当該共通波長変換部材から放射されることで白色光が得られる。従って、これらの白色光を共通波長変換部材が合成して放射することができる。

　或いは、前記第１半導体発光素子及び前記第２半導体発光素子はそれぞれ青色光を発する青色半導体発光素子であり、前記第１波長変換部材は、前記第１半導体発光素子の発した光により励起され赤色光を発する赤色蛍光体を有し、前記共通波長変換部材は、前記第１半導体発光素子及び前記第２半導体発光素子の少なくとも一方が発した光により励起され黄色光を発する黄色蛍光体、及び前記第１半導体発光素子及び前記第２半導体発光素子の少なくとも一方が発した光により励起され緑色光を発する緑色蛍光体を有するようにしてもよい。この場合には、第１半導体発光素子の発した青色光は、第１波長変換部材の赤色蛍光体により赤色光に波長変換され、当該第１波長変換部材を通過した青色光は、一部が共通波長変換部材の黄色蛍光体及び緑色蛍光体によりそれぞれ黄色光及び緑色光に波長変換されると共に、残部が共通波長変換部材を通過し、これら青色光、赤色光、黄色光及び緑色光が合成して当該共通波長変換部材から放射されることで白色光が得られる。一方、第２半導体発光素子の発した青色光は、一部が共通波長変換部材の黄色蛍光体及び緑色蛍光体によりそれぞれ黄色光及び緑色光に波長変換されると共に、残部が共通波長変換部材を通過し、これら青色光、黄色光及び緑色光が合成されて当該共通波長変換部材から放射されることで白色光が得られる。従って、これらの白色光を共通波長変換部材が合成して放射することができる。

　前記第１半導体発光素子は近紫外光を発する近紫外半導体発光素子であり、前記第１波長変換部材は、前記第１半導体発光素子の発した光により励起され青色光を発する青色蛍光体を有し、前記第２半導体発光素子は青色光を発する青色半導体発光素子であり、前記共通波長変換部材は、前記第１半導体発光素子及び前記第２半導体発光素子の少なくとも一方が発した光により励起され赤色光を発する赤色蛍光体、及び前記第１半導体発光素子及び前記第２半導体発光素子の少なくとも一方が発した光により励起され緑色光を発する緑色蛍光体を有するようにしてもよい。

　または、前記第１半導体発光素子は近紫外光を発する近紫外半導体発光素子であり、前記第１波長変換部材は、前記第１半導体発光素子の発した光により励起され青色光を発する青色蛍光体を有し、前記第２半導体発光素子は青色光を発する青色半導体発光素子であり、前記共通波長変換部材は、前記第１半導体発光素子及び前記第２半導体発光素子の少なくとも一方が発した光により励起され黄色光を発する黄色蛍光体を有するようにしてもよい。

　さらに、前記第１発光部は前記第１半導体発光素子が前記第１波長変換部材に取り囲まれて構成され、前記第２発光部は前記第２半導体発光素子が光導波体に取り囲まれて構成されていてもよい。または、前記第１発光部は前記第１半導体発光素子が第１波長変換部材と離間して設けられていてもよい。

　上述したいずれかの発光装置において、前記第１発光部及び前記第２発光部との間には、これら第１発光部及び第２発光部が放射する光を遮断する仕切り部材が設けられているのが好ましい。また、上述したいずれかの発光装置において、前記共通波長変換部材は、入射した光により励起され青色光を発する青色蛍光体を含んでもよい。または、前記共通波長変換部材は、入射した光により励起され黄色光を発する黄色蛍光体を含んでもよいまたは、前記共通波長変換部材は、入射した光により励起され緑色光を発する緑色蛍光体を含んでもよい。

　さらに、上述したいずれかの発光装置において、前記第１波長変換部材は、入射した第１半導体発光素子が発した光により励起され赤色光を発する赤色蛍光体を含んでいてもよい。

　また、上述したいずれかの発光装置において、前記共通波長変換部材における前記発光源側の面が、凸形状をなしていてもよい。また、上述したいずれかの発光装置は、光源として照明装置に適用することが可能である。この場合、この照明装置は、上述したいずれかの発光装置と、前記第１半導体発光素子及び前記第２半導体発光素子の発光を制御する制御手段とを備えるようにしてもよい。

　このような照明装置において、前記発光装置は、前記光混合部材が放射する光を入射する入射部と、前記入射部から入射した光を予め定められた方向に放射する出射部とを有した配光部材を更に備えていてもよい。また、配光部材が配光レンズであり、当該配光レンズの焦点が前記共通波長変換部材の発光面上にあってもよい。

　本発明の発光装置によれば、第２発光部から放射される光が、第２半導体発光素子から発せられる光と第２波長変換部材にて波長変換された光とからなる場合、及び第２発光部から放射される光が第２半導体発光素子から発せられる光のみからなる場合のいずれにおいても、第１発光部及び第２発光部に対して共通して設けられている共通波長変換部材に、第１発光部及び第２発光部が放射する光の全てが入射されて共通波長変換部材に含まれる蛍光体粒子によって散乱されることになるので、第１発光部が放射した光、第２発光部が放射した光、及び共通波長変換部材にて波長変換されて得られた光が十分に混合された合成光として放射され、当該発光装置が放射する光について複数種類の光の分離を良好に抑制することができる。

　このような発光装置において、特に、第１半導体発光素子及び第２半導体発光素子をそれぞれ近紫外光を発する近紫外半導体発光素子とした場合、これらの半導体発光素子で発された光は、第１波長変換部材または第２波長変換部材、共通波長変換部材のそれぞれの波長変換部材により波長変換され、発光装置はこれら波長変換して得られた光を合成して放射するため、半導体発光素子が発した光をそのまま発光装置から放射する場合に比べ演色性に優れた光を得ることができる。

　これに代えて、第１半導体発光素子及び前記第２半導体発光素子をそれぞれ青色光を発する青色半導体発光素子とした場合、発光装置は半導体発光素子が発した光の一部を波長変換することなく利用して合成光を得るため、波長変換に伴う効率低下を抑え、近紫外光を用いる場合に比べ、発光装置の発光効率を高めることができる。さらに、前記第１半導体発光素子及び前記第２半導体発光素子のうち、一方を近紫外半導体発光素子とし、他方を青色半導体発光素子とした場合には、演色性に優れた合成光を得られる近紫外光と、発光効率に優れた合成光を得られる青色光との配分を変えることで高演色性モードと高発光効率モードとを必要に応じて切り換えたり、調整したりすることできる。

　例えば、第１半導体発光素子を近紫外半導体発光素子、第２半導体素子を青色半導体発光素子とした場合に、第１波長変換部材に赤色蛍光体及び青色蛍光体を有し、第２波長変換部材に赤色蛍光体を有し、共通波長変換部材に緑色蛍光体を有することで、第１半導体発光素子のみを発光させた場合は、第２半導体素子のみを発光させた場合に比べて演色性の高い合成光が得られ、第２半導体発光素子のみを発光させた場合は、第１半導体素子のみを発光させた場合に比べて発光効率の高い合成光が得られる。また、同じく第１半導体発光素子を近紫外半導体発光素子、第２半導体素子を青色半導体発光素子とした場合に、第１波長変換部材に赤色蛍光体、青色蛍光体、及び緑色蛍光体を有し、第２波長変換部材に赤色蛍光体及び緑色蛍光体を有し、共通波長変換部材に黄色蛍光体を有するようにすると、発光装置は４つの発光色を用いてなる合成光を得られることとなり、３つの発光色を用いた合成光よりも、さらに演色性の高い光を放射できる。従って、第１半導体発光素子及び第２半導体素子の発光を調整することで、高演色性モードと高発光効率モードとの調整が可能となる。

　このような演色性及び発光効率の調整は、第２発光部に第２波長変換部材を設けず、第２発光部から放射される光が第２半導体発光素子から発せられる光のみからなる場合においても、第１半導体発光素子を近紫外半導体発光素子、第２半導体素子を青色半導体発光素子とすることで可能となる。

　具体的には、第１波長変換部材に青色蛍光体を有し、共通波長変換部材に赤色蛍光体及び緑色蛍光体を有することで、第１発光部から放射される光は演色性が高く、第２発光部から放射される光は青色半導体素子から発生される光を用いることから第１発光部から放射される光よりも発光効率が高いものとなる。または、第１波長変換部材に青色蛍光体を有し、共通波長変換部材に黄色蛍光体を有することでも、同様の効果を得ることができる。

　このように、第１半導体発光素子を近紫外半導体素子、第２半導体素子を青色半導体素子とした発光装置によれば、例えば発光装置から放射される白色光の色温度を一定にしつつ高演色性モード及び高発光効率モードの使い分けを行うことができる。また、第１発光部及び第２発光部とも波長変換部材を備えた発光装置の場合、第１半導体発光素子のみを発光させた場合に共通波長変換部材から放射される合成光を第１色温度の白色光とし、第２半導体発光素子のみを発光させた場合に共通波長変換部材から放射される光を第１色温度と異なる第２色温度の白色光とした場合、第１半導体発光素子と第２半導体発光素子の発光を調整することにより、共通波長変換部材から放射される光において、第１色温度から第２色温度までの間の色温度の白色光を得ることができる。これにより、照明装置などで所望の色温度の白色光を得られるようにしたり、色温度の調整が可能な照明光を得られるようにする場合に好適である。

　さらに、第１波長変換部材が第１のピーク波長の光を発する第１蛍光体を有し、第２波長変換部材が第２のピーク波長の光を発する第２蛍光体を有し、共通波長変換部材においては、当該第１のピーク波長の光及び第２のピーク波長の光よりも短いピーク波長の光を発する蛍光体を有するようにすることで、当該共通波長変換部材は、すでに１度波長変換されている光を再度波長変換する、いわゆるカスケード励起を低減することができる。従って、発光装置における発光効率の低下を抑制することができる。また、第２発光部が第２波長変換部材を備えていない発光装置においても、第１波長変換部材が第１のピーク波長の光を発する第１蛍光体を有し、共通波長変換部材が当該第１の波長の光よりも短いピーク波長の光を発する蛍光体を有することで、同様の効果が得られる。

　また、波長変換部材と共通波長変換部材との間に光導波層を設けた場合には、当該光導波層において第１発光部から放射される光及び第２発光部から放射される光の拡散が生じ、これらの光の混合が促進される。一方、このような光導波層を設けることなく、波長変換部材と共通波長変換部材との対向面を直接的に接合した場合には、発光装置の構成が簡易になり、製造工程の減少やコストの低減を図ることができる。

　また、発光部の具体的な構成としては、半導体発光素子を波長変換部材により取り囲んで構成することで、半導体発光素子からの光を当該波長変換部材により確実に取り込むことができるため発光装置の発光効率を向上させることができる。または、半導体発光素子と波長変換部材とを離間して発光部を構成してもよく、この場合は、半導体発光素子の発光により生じる熱が直接波長変換部材に伝達されることがないことから、波長変換部材の熱劣化を抑制することができる。

　また、第１発光部及び第２発光部との間に光を遮断する仕切り部材を設けることで、第１発光部から放射された光が第２発光部への入射したり、第２発光部から放射された光が第１発光部への入射したりするのを当該仕切り部材により遮断することができる。これにより、一方の発光部において波長変換された光が他方の発光部において再度波長変換されるようなことを防ぎ、発光装置における発光効率の低下を防ぐことができる。

　なお、仕切り部材を、光を透過する材料で形成してもよい。その場合には、第１発光部から放射された光及び第２発光部から放射された光の混合が促進され、当該発光装置が放射する光の分離を良好に抑制することができる。

　さらに、第１発光部及び第２発光部との間においては、例えば第１半導体発光素子から発した光が第２波長変換部材に伝搬し、当該第２波長変換部材でも波長変換されて共通波長変換部材に向けて放射されることにより本来得ようとする発光装置の合成光の特性からずれが生じるという悪影響がある。これに対し光を遮断する仕切り部材を設けることで、このような悪影響を考慮せずに済むことから、第１波長変換部材及び第２発光部材の蛍光体の配分量を容易に決定することができる。

　また、共通波長変換部材における前記発光源側の面を凸形状とした場合には、当該共通波長変換部材によるレンズ効果が生じ、第１発光部及び第２発光部から放射される光の取り出し性を向上させることができる。上述したような発光装置を照明装置に適用すれば、上述したような様々な効果により、質の高い照明光を照明装置から得ることができる。

　そして、このような照明装置に配光部材を備えるようにした場合、共通波長変換部材にて混合されて放射された光は、配光部材の入射部から配光部材内に入射した後、配光部材の出射部から予め定められた方向に放射される。従って、照明装置から放射される照明光の拡散を、配光部材によって抑えることができる。また、発光装置から放射された光は当該配光部材内でも混合されるため、照明装置から放射された照明光においては光の分離を更に効果的に抑制することができる。

　さらに、配光部材としての配光レンズを共通波長変換部材を覆うように設け、そのレンズの焦点を共通波長変換部材の発光面に合わせた場合でも、照射面における色分離を抑制しつつ、レンズの設計どおりの配光角とすることができ、照度や照射領域を設計どおりの所定のものにすることができる。

本発明の第１実施例に係る発光装置の概略構成を示す斜視図である。 図１の発光装置を模式的に示す平面図である。 図２中のIII－III線に沿う発光装置の概略断面図である。 図１の発光装置を照明装置に適用した場合の電気回路構成を示す回路図である。 図４の電気回路構成における各トランジスタの作動状態、及び各ＬＥＤチップの駆動電流の一例を示すタイムチャートである。 発光装置の全体構成の変形例を図３と同様に示す発光装置の概略断面図である。 発光装置の全体構成の変形例を図３と同様に示す発光装置の概略断面図である。 発光装置の全体構成の変形例を図３と同様に示す発光装置の概略断面図である。 発光装置の全体構成の変形例を図３と同様に示す発光装置の概略断面図である。 発光装置の全体構成の変形例を図３と同様に示す発光装置の概略断面図である。 発光装置の全体構成の変形例を図３と同様に示す発光装置の概略断面図である。 発光装置の全体構成の変形例を図３と同様に示す発光装置の概略断面図である。 図１の発光装置を照明装置に適用する場合の変形例を模式的に示す平面図である。 図１１中のXI－XI線に沿う発光装置及び配光レンズの概略断面図である。 本発明の第２実施例に係る発光装置の図３と同様に示す概略断面図である。 本発明の第３実施例に係る発光装置の概略構成を示す斜視図である。 図１４の発光装置を模式的に示す平面図である。 図１５中のXVI－XVI線に沿う発光装置の概略断面図である。 図１６の断面における第１凹部及び第２凹部周辺の要部拡大図である。 本発明の第４実施例に係る発光装置を含む照明装置の概略構成を示す側面図である。 図１８中のXIX－XIX線に沿う発光装置の概略部分断面図である。 図１８中のXIX－XIX線に沿う第４実施例の変形例の発光装置の概略部分断面図である。 図１８中のXIX－XIX線に沿う第４実施例の更に他の変形例の発光装置の概略部分断面図である。 図１８中のXIX－XIX線に沿う第５実施例の発光装置の概略部分断面図である。 図１８中のXIX－XIX線に沿う第５実施例の変形例の発光装置の概略部分断面図である。 図１８中のXIX－XIX線に沿う第５実施例の更に他の変形例の発光装置の概略部分断面図である。 複数の発光装置を含む照明装置の例の概略構成を示す斜視図である。 図２５中のXXVI－XXVI線に沿う照明装置の概略断面図である。 図２５に示す複数の発光装置を含む照明装置の例の概略上面図である。

　以下、図面を参照し本発明の実施の形態について詳細に説明する。なお、本発明は以下に説明する内容に限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲において任意に変更して実施することが可能である。また、以下の説明に用いる図面は、いずれも本発明による発光装置などを模式的に示すものであって、理解を深めるべく部分的な強調、拡大、縮小、または省略などを行っている場合があり、各構成部材の縮尺や形状等を正確に表すものとはなっていないことがある。更に、以下の説明で用いる様々な数値は、いずれも一例を示すものであり、必要に応じて様々に変更することが可能である。

＜第１実施例＞
（発光装置の全体構成）
　図１は、本実施例に係る発光装置１の概略構成を示す斜視図であり、図２は発光装置１を模式的に示す平面図である。また、図３は図２中のIII－III線に沿う発光装置１の概略断面図であり、図４は発光装置１を後述の照明装置に適用した場合の電気回路構成を示す回路図である。図１及び図２に示すように、発光装置１は、電気絶縁性に優れて良好な放熱性を有したアルミナ系セラミックからなる基板２を備えており、この基板２のチップ実装面２ａには、４個の第１ＬＥＤチップ３（第１半導体発光素子）及び４個の第２ＬＥＤチップ４（第２半導体発光素子）が実装されている。

　更に、基板２のチップ実装面２ａには、これら第１ＬＥＤチップ３及び第２ＬＥＤチップ４を取り囲むように、環状且つ円錐台形状のリフレクタ５が設けられている。そして、このリフレクタ５の内側は、仕切り部材６によって第１領域７ａと第２領域７ｂとに分割されている。但し、図１に示すように、仕切り部材６の高さはリフレクタ５の高さより低くなっており、リフレクタ５の内側の仕切り部材６より上方の第３領域８においては、第１領域７ａと第２領域７ｂとが一体化している。

　これらリフレクタ５及び仕切り部材６は、樹脂、金属、セラミックなどで形成することができ、接着剤などを用いて基板２に固定される。リフレクタ５及び仕切り部材６は全体として光を透過しない材料で形成されているのが好ましい。特に本実施例ではリフレクタ５及び仕切り部材６は光を透過しない材料で形成されている。但し、リフレクタ５及び仕切り部材６に導電性を有した材料を用いる場合は、後述する配線パターンに対して電気的な絶縁性を持たせるための処理が必要となる。また、仕切り部材６を、光を透過する材料で形成しても良い。その場合の材料として、後述する光導波層で例示する材料を用いることができる。

　なお、本実施例における第１ＬＥＤチップ３及び第２ＬＥＤチップ４の数は一例であって、必要に応じて増減可能である。即ち、それぞれを１個ずつとすることも可能であり、また両者で数を異ならせることも可能である。また、基板２の材質についても、本実施例で採用したアルミナ系セラミックに限定されるものではなく、基板２に適した様々な材質を採用することが可能であって、例えば、セラミック、樹脂、ガラスエポキシ、樹脂中にフィラーを含有した複合樹脂などから選択された材料を用いてもよい。また、基板２のチップ実装面２ａにおける光の反射性を良くして発光装置１の発光効率を向上させる上では、アルミナ粉末、シリカ粉末、酸化マグネシウム、酸化チタンなどの白色顔料を含むシリコーン樹脂を用いるのが好ましい。更に、放熱性を向上させる上では、銅製基板やアルミ製基板などのような金属製の基板を用いることも可能である。但し、金属製基板を用いる場合には、電気的絶縁を間に介して配線基板に配線パターンを形成する必要がある。

　また、上述したリフレクタ５及び仕切り部材６の形状も一例を示すものであって、様々に変更可能である。例えば、予め成形したリフレクタ５及び仕切り部材６に代えて、ディスペンサなどを用い、基板２のチップ実装面２ａにリフレクタ５に相当する環状壁部を形成し、その後に仕切り部材６に相当する仕切り壁を形成するようにしてもよい。この場合、これら環状壁部及び仕切り壁部に用いる材料には、例えばペースト状の熱硬化性樹脂材料またはＵＶ硬化性樹脂材料などがあり、無機フィラーを含有させたシリコーン樹脂が好適である。この場合も、環状壁部及び仕切り壁部には光を透過しない材料を用いるのが好ましい。

　図１及び図２に示すように、リフレクタ５内の第１領域７ａには、４個の第１ＬＥＤチップ３が仕切り部材６の延設方向と平行に一列に配置され、リフレクタ５内の第２領域７ｂには、第１ＬＥＤチップ３の配列方向と同方向に４個の第２ＬＥＤチップ４が一列に配置されている。なお、図２では、便宜上リフレクタ５及び仕切り部材６を破線で示している。

　基板２のチップ実装面２ａには、第１ＬＥＤチップ３及び第２ＬＥＤチップ４のそれぞれに駆動電流を供給するための配線パターン９及び配線パターン１０が、図２に示すように形成されている。配線パターン９は、その一方の端部に外部接続用の外部接続ランド９ａが形成されており、他方の端部側は、図２に示すように第１ＬＥＤチップ３の配列方向に沿って延設されている。また、配線パターン９は、リフレクタ５内の第２領域７ｂに位置する中間部分から、図２に示すように第２ＬＥＤチップ４の配列方向に沿って分岐されている。

　一方、配線パターン１０は、その一方の端部に外部接続用の外部接続ランド１０ａが形成されており、他方の端部側は、図２に示すように第１ＬＥＤチップ３の配列方向に沿って延設されている。また、配線パターン１０は、リフレクタ５内の第２領域７ｂに位置する中間部分から、図２に示すように第２ＬＥＤチップ４の配列方向に沿って分岐されている。

　図２に示すように、４個の第１ＬＥＤチップ３は、配線パターン９と配線パターン１０との間に互いに並列に接続されており、いずれもアノードを配線パターン９側としている。また、４個の第２ＬＥＤチップ４も、配線パターン９と配線パターン１０との間に、互いに並列に接続されており、いずれもカソードを配線パターン９側としている。このようにして第１ＬＥＤチップ３及び第２ＬＥＤチップ４が基板２に実装されることにより、発光装置１では図４に示すような電気回路が構成される。即ち、第１ＬＥＤチップ３及び第２ＬＥＤチップ４は互いに極性を逆にして、外部接続ランド９ａと外部接続ランド１０ａとの間に並列に接続されている。

　より具体的には、第１ＬＥＤチップ３及び第２ＬＥＤチップ４のそれぞれは、駆動電流供給用の２つの電極（図示省略）を基板２側の面に有している。そして、各第１ＬＥＤチップ３は、その一方の電極（ｐ電極）が配線パターン９に接続されると共に、その他方の電極（ｎ電極）が配線パターン１０に接続されている。また、各第２ＬＥＤチップ４は、その一方の電極（ｐ電極）が配線パターン１０に接続されると共に、その他方の電極（ｎ電極）が配線パターン９に接続されている。

　このような第１ＬＥＤチップ３及び第２ＬＥＤチップ４の実装、並びに両電極の配線パターン９及び１０への接続は、フリップチップ実装を採用し、図示しない金属バンプを介し、共晶ハンダを用いて行っている。なお、第１ＬＥＤチップ３及び第２ＬＥＤチップ４の基板２への実装方法は、これに限定されるものではなく、これらＬＥＤチップの種類や構造などに応じて適切な方法を選択することが可能である。例えば、第１ＬＥＤチップ３及び第２ＬＥＤチップ４をそれぞれ上述したような基板２の所定位置に接着固定した後、第１ＬＥＤチップ３及び第２ＬＥＤチップ４のそれぞれの電極をワイヤボンディングで対応する配線パターンに接続するダブルワイヤボンディングを採用してもよいし、一方の電極を上述のように配線パターンに接合すると共に、他方の電極をワイヤボンディングで配線パターンに接続するシングルワイヤボンディングを採用してもよい。

　図３に示すように、リフレクタ５内の第１領域７ａには、仕切り部材６の高さまで、第１蛍光部材（第１波長変換部材）１２が４個の第１ＬＥＤチップ３をそれぞれ取り囲むように覆って収容されている。また、リフレクタ５内の第２領域７ｂには、同様に仕切り部材６の高さまで、第２蛍光部材（第２波長変換部材）１３が４個の第２ＬＥＤチップ４をそれぞれ取り囲むように覆って収容されている。なお、図１においては、便宜上これら第１蛍光部材１２及び第２蛍光部材１３を省略している。

　第１蛍光部材１２は、第１ＬＥＤチップ３が発する光（矢印Ａ１）によって励起され、第１ＬＥＤチ