KR101832536B1 - 발광 장치와 그 제조 방법 - Google Patents

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니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤
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Abstract

색 얼룩(color unevenness)이나 옐로우링의 발생이 방지된 발광 장치를, 저코스트로 제조할 수 있는 발광 장치의 제조 방법을 제공한다. 발광 소자와, 형광체 입자와 광을 반사하는 필러를 포함하는 수지층을 갖는 발광 장치의 제조 방법으로서, 필러보다도 형광체 입자를 우선적으로 침강시키는 형광체 침강(sedimentation) 공정을 포함한다.

Description

발광 장치와 그 제조 방법{LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME}
발광 소자 주변에 형광체층이 형성된 발광 장치와 그 제조 방법에 관한 것이다.
표시 장치나 조명 장치의 광원으로서, 발광 다이오드(LED) 등의 반도체 발광 소자(이하, 간단히 발광 소자라 함)를 이용한 발광 장치의 연구가 진행되고 있다. 이 발광 소자를 이용한 발광 장치는, 종래 사용되고 있었던 형광등이나 백열 전구 등을 대신하는 새로운 광원으로서 주목받고 있다. 특히, LED는, 형광등이나 백열 전구 등의 광원에 비해 수명이 길고, 또한 적은 에너지로 발광이 가능하므로, 차세대의 조명용 광원으로서의 기대가 크다.
이들 중에서도, 특히 백색광의 발광 장치는, 가장 수요가 기대되는 것이며, 적, 청, 녹의 발광 소자를 탑재하여 백색광을 발광하는 것이나, 발광 소자와, 그에 의해 여기되어 보색으로 되는 색을 발광 가능한 형광체를 이용하여 백색광을 발광하는 것이 알려져 있다. 일반 조명으로서 이용하는 경우, 적, 청, 녹의 발광 소자를 이용한 경우에는 연색성이 낮아지므로, 형광체를 이용한 백색 발광 장치가 선호된다. 특히 청색 발광 소자와, YAG 형광체를 이용한 백색 발광 장치가 잘 알려져 있다.
이 발광 소자와 형광체를 이용하여 구성된 발광 장치는, 발광 소자를 덮도록 형광체층을 형성함으로써 제작되지만, 최근에는, 케이스 내에 서브 마운트를 이용하여 발광 소자를 재치한 발광 장치가 이용되고 있고, 그와 같은 발광 장치에서는 광속을 향상시키고 휘도의 저하를 방지하기 위해 다양한 고안이 이루어지고 있다.
예를 들면, 특허문헌 1에는, 수지 케이스 내에 있어서 발광 소자가 재치된 서브 마운트 주변에 산화 티타늄을 혼입한 반사층을 형성하고, 그 반사층 및 발광 소자를 덮도록 형광체를 포함하는 광 투과층을 형성한 구조의 발광 장치가 개시되어 있다.
또한, 특허문헌 2에는, 수지 케이스 내에 있어서 발광 소자가 재치된 서브 마운트의 주위에 1차 밀봉재를 발광 소자의 측면까지 덮도록 충전하여 경화시킨 후, 그 위에 형광체를 포함하는 2차 밀봉재를 충전하여 형광체를 발광 소자의 상면과 1차 밀봉재의 상면에 강제적으로 침강시킨 후 2차 밀봉재를 경화시키는 것이 개시되어 있다.
[특허문헌]
특허문헌 1: 일본 특허 출원 공개 제2005-026401호 공보
특허문헌 2: 일본 특허 출원 공개 제2008-218511호 공보
그러나, 특허문헌 1이나 2에 개시된 발광 장치에서는, 발광 소자의 발광부에 대해 형광체층이 커지면 색 얼룩이나 옐로우링이 생긴다고 하는 문제가 있었다.
이와 같은 문제를 해결하기 위해, 전착이나 인쇄라고 하는 방법으로 발광 소자의 주위에만 형광체층을 형성하는 것이 생각되고 있지만, 전착은 형광체의 입경에 제한이 있고, 형광체의 분급(分級)이 필요해지는 동시에, 전위를 띤 단자나 와이어 부분에도 형광체층이 형성되어 버린다고 하는 문제가 있고, 또한 발광 소자 전체가 전위를 갖도록 특수 처리된 발광 소자도 필요해진다.
한편, 인쇄에는, 상면에 전극을 가진 발광 소자는 와이어 배선이 필요로 되므로 형광체층의 형성이 어렵고, 플립 칩 실장 타입의 발광 소자를 사용한 경우로 한정되는 등의 문제가 있고, 또한 인쇄 정밀도상의 문제도 있다.
따라서, 본 발명은, 색 얼룩이나 옐로우링의 발생이 방지된 발광 장치를, 저코스트로 제조할 수 있는 발광 장치와 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 따른 발광 장치의 제조 방법은, 발광 소자와, 형광체 입자와 광을 반사하는 필러를 포함하는 수지층을 갖는 발광 장치의 제조 방법으로서, 상기 필러보다도 상기 형광체 입자를 우선적으로 침강시키는 형광체 침강 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 발광 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 형광체 침강 공정은, 상기 필러를 포함하는 제1 수지를, 적어도 상기 발광 소자의 상면을 제외한 상기 발광 소자의 주위에 제1 수지층을 도포하는 제1 수지층 형성 공정과, 상기 제1 수지가 경화하기 전에, 상기 형광체 입자를 포함하는 제2 수지를 상기 제1 수지층 및 상기 발광 소자 상에 제2 수지층을 도포하는 제2 수지층 형성 공정과, 제2 수지층을 형성한 후 경화시키기 전에 일정 시간 유지하여 형광체 입자를 침강시키는 침강 공정을 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 제1 발광 장치는, 기체와, 상기 기체의 상면에 마운트부를 통해 실장된 발광 소자와, 상기 발광 소자를 밀봉하는 밀봉 수지를 포함하는 발광 장치로서, 상기 밀봉 수지는, 상기 마운트부 상에서 상기 발광 소자를 덮는 형광체 함유 제1 층과, 상기 마운트부의 주위의 상기 기체 상면에 형성된 형광체 함유 제2 층과, 상기 마운트부의 주위의 상기 형광체 함유 제2 층 상에 형성된 필러 함유층을 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 제1 발광 장치는, 지지 기판 상에 발광 구조부가 접착되어 이루어지는 발광 소자와, 기체와, 상기 발광 소자를 밀봉하는 밀봉 수지를 포함하고, 상기 발광 소자를 상기 기체의 상면에 상기 지지 기판이 대향하도록 실장한 발광 장치로서, 상기 밀봉 수지는, 상기 지지 기판 상에서 상기 발광 소자를 덮는 형광체 함유 제1 층과, 상기 지지 기판의 주위의 상기 기체 상면에 형성된 형광체 함유 제2 층과, 상기 지지 기판의 주위의 상기 형광체 함유 제2 층 상에 형성된 필러 함유층을 갖는 것을 특징으로 한다.
이상과 같이 구성된 본 발명에 따르면, 색 얼룩이나 옐로우링의 발생이 방지된 발광 장치를, 저코스트로 제조할 수 있는 발광 장치와 그 제조 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 제1 실시 형태의 발광 장치의 단면도이다.
도 2의 (a)∼(d)는 실시 형태의 발광 장치의 제조 플로우를 도시하는 단면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 제2 실시 형태의 발광 장치의 단면도이다.
도 4는 본 발명에 따른 제3 실시 형태의 발광 장치의 단면도이다.
도 5는 본 발명에 따른 제4 실시 형태의 발광 장치의 단면도이다.
도 6은 본 발명에 따른 제2 실시 형태에서 설명한 발광 장치를 실제로 제작하여 그 단면 관찰을 하였을 때의 사진이다.
이하, 본 발명에 따른 실시 형태의 발광 장치에 대해 도면을 참조하면서 설명한다.
단, 이하에 나타내는 실시 형태는, 본 발명의 기술 사상을 구체화하기 위한 발광 장치를 예시하는 것이며, 특허청구범위에 나타내는 부재를, 실시 형태의 부재로 한정하는 것은 아니다. 또한, 실시 형태에 기재되어 있는 구성 부품의 치수, 재질, 형상, 그 상대적 배치 등은, 본 발명의 범위를 한정하는 것은 아니다. 또한, 각 도면이 도시하는 부재의 크기나 위치 관계 등은, 설명을 명확히 하기 위해 과장되어 있는 경우가 있다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 동일한 명칭, 부호에 대해서는 동일 혹은 동질의 부재를 나타내고 있고, 상세 설명을 적절히 생략한다.
[제1 실시 형태]
본 발명에 따른 제1 실시 형태의 발광 장치(10)는, 도 1에 도시한 바와 같이, 오목부(4r)를 갖는 기체(4)와, 그 오목부(4r)의 바닥면(기체의 상면의 일부)에 형성된 볼록부(마운트부)(4a) 상에 실장된 발광 소자(1)와, 오목부(4r)에 충전되어 발광 소자(1)를 밀봉하는 밀봉 수지(6)를 포함하여 구성되어 있다.
그리고, 본 제1 실시 형태의 발광 장치(10)에 있어서, 밀봉 수지(6)는, 마운트부(4a) 상에서 발광 소자(1)를 덮는 형광체 함유 제1 층(6a)과, 마운트부(4a)의 주위의 오목부(4r)의 바닥면측에 형성된 형광체 함유 제2 층(6b)과, 마운트부(4a)의 주위의 형광체 함유 제2 층(6b) 상에 형성된 필러 함유층(6f)을 포함하는 층 구조를 갖고 있다.
이하, 본 제1 실시 형태의 발광 장치(10)를 구성하는 각 구성 부재에 대해 상세하게 설명한다.
<기체(4)>
기체(4)는, 오목부(4r)를 갖고, 오목부(4r)의 바닥면의 중앙부에는, 발광 소자(1)가 실장되는 마운트부(4a)가 형성되고, 마운트부(4a)의 주위에는, 예를 들면 원환 형상의 제2 오목부가 형성되어 있다. 또한, 제2 오목부의 바닥면(기체의 상면의 일부)에는 분리된 2개의 리드 전극(3)이 설치되어 있고, 그 리드 전극(3)은 각각 외부 접속 단자(5)에 접속되어 있다. 기체(4)에 있어서, 마운트부(4a)는 기체 본체와 일체로 구성되어 있어도 되고, 별체의 서브 마운트가 부착되어 있어도 된다.
또한, 기체(4)는, 리드 전극(3)과 외부 접속 단자(5)가 일체화된 수지 또는 세라믹 패키지이어도 되고, 리드 전극(3)과 외부 접속 단자(5)가 형성된 기판을 베이스로 하여 구성되어 있어도 된다.
또한, 기체(4)의 크기나 외형 및 오목부 형상은, 목적이나 용도에 따라 임의의 것으로 할 수 있고, 직사각형, 다각형, 원형 및 그들을 조합한 형상 등을 이용할 수 있다. 또한, 기체(4)의 바람직한 재료로서는, 글래스 에폭시 수지, 세라믹, 열경화성 수지, 열가소성 수지, Al, Cu 등을 들 수 있고, 그들을 조합한 것, 예를 들면 세라믹 중에 Cu를 매립한 것 등을 이용할 수 있다.
<발광 소자(1)>
발광 소자(1)는, 예를 들면 발광 다이오드 등의 반도체 발광 소자이며, 예를 들면 사파이어 기판 상에 GaN을 결정 성장시킴으로써 제작된다. 발광 소자(1)의 발광 피크는, 후술하는 YAG계 형광체와 조합하여 구성되는 경우에는, 예를 들면 460㎚로 설정된다. 도 1에 도시하는 발광 장치(10)에서는, 상면에 정부의 전극이 형성된 발광 소자를 예시하고 있지만, 플립 칩 실장 타입의 발광 소자, Si 기판에 GaN이 접합되어 양면에 전극이 형성된 발광 소자를 이용할 수도 있다. 또한, 목적이나 용도에 따라 이용하는 발광 소자의 조성이나 발광색, 크기나, 개수 등은 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다.
<형광체 함유 제1 층(6a)>
형광체 함유 제1 층(6a)은, 형광체 입자가 혼입된, 예를 들면 실리콘계 수지로 이루어지고, 마운트부(4a) 상에서 발광 소자(1)의 상면 및 측면을 덮고 있다. 형광체 함유 제1 층(6a)에 포함된 형광체 입자는, 발광 소자(1)의 상면 및 측면으로부터의 광에 의해 여기되어 그 여기 광과는 상이한 파장의 광을 발광한다. 형광체 함유 제1 층(6a)을 구성하는 수지로서는, 목적이나 용도에 따라 에폭시계, 하이브리드 실리콘계 수지를 이용할 수도 있다. 혼입되는 형광체 입자는, 예를 들면 (a) Ce 등의 란타노이드계 원소에서 주로 부활되는 희토류 알루민산염 형광체, (b) 체색이 황색인, Y3Al5O12:Ce, (Y0 .8Gd0 .2)3Al5O12:Ce, Y3(Al0 .8Ga0 .2)5O12:Ce, (Y, Gd)3(Al, Ga)5O12의 조성식으로 표현되는 YAG계 형광체를 들 수 있다. 상기 형광체 이외의 형광체로, 동일한 성능, 작용, 효과를 갖는 형광체도 사용할 수 있다.
또한, 혼입되는 형광체는, 필러 함유층(6f)에 혼입되는 필러보다 비중이 무거운 것인 것이 바람직하다.
<형광체 함유 제2 층(6b)>
형광체 함유 제2 층(6b)은, 형광체 함유 제1 층(6a)과 동일한 형광체 입자가 혼입된, 예를 들면 실리콘계 수지로 이루어지고, 마운트부(4a)의 주위의 제2 오목부의 바닥면 상에 형성되어 있다. 형광체 함유 제2 층(6b)을 구성하는 수지는, 목적이나 용도에 따라 에폭시계, 하이브리드 실리콘계 수지를 이용할 수 있지만, 적어도 후술하는 필러 함유층(6f)과 동종의 수지가 이용된다.
<필러 함유층(6f)>
필러 함유층(6f)은, 필러가 혼입된, 예를 들면 실리콘계 수지로 이루어지고, 마운트부(4a)의 주위의 제2 오목부 내에서 형광체 함유 제2 층(6b)을 덮고 있다. 이 필러 함유층(6f)은, 발광 소자(1)로부터의 광(형광체 입자에 의해 파장 변환된 광을 포함함)을 반사하여 광의 취출 효율을 높임과 함께 발광 소자(1)로부터의 광에 의해 형광체 함유 제2 층(6b)에 포함되어 있는 형광체 입자가 여기되는 것을 방지하여, 색 얼룩이나 옐로우링의 발생을 방지하고 있다. 또한, 이 필러 함유층(6f)은, 필러 함유층(6f)의 상면이 마운트부(4a)의 상면과 실질적으로 동일한 높이로 되도록 형성되어 있는 것이 바람직하고, 이에 의해, 발광 소자(1)의 측면으로부터 출사된 광(형광체 입자에 의해 파장 변환된 광을 포함함)이 제2 오목부 내에서 복잡하게 반사를 반복하여 색 얼룩이 생기는 것을 방지할 수 있다.
필러 함유층(6f)을 구성하는 수지는, 목적이나 용도에 따라서는 에폭시계, 하이브리드 실리콘계 수지를 이용할 수도 있다. 혼입되는 필러로서, 바람직하게는 반사율이 높은 TiO2을 이용하지만, 목적이나 용도에 따라 SiO2, Al2O3 등 또는 카본블랙 등이어도 된다. 이들은, 단독으로 이용해도 되고, 혹은 복수를 혼합시킬 수도 있다. 또한, 각각의 부재의 입경이나 농도, 혼합 비율 등은 적절히 선택할 수 있다. 단, 혼입되는 필러는, 형광체 함유 제2 층(6b)에 혼입되는 형광체 입자보다 비중이 가벼운 것인 것이 바람직하다.
이상과 같이 구성된 제1 실시 형태의 발광 장치(10)에 따르면, 전착이나 높은 정밀도의 인쇄 기술 등을 이용하는 일 없이, 후술하는 간이한 제조 방법에 의해, 색 얼룩이나 옐로우링의 발생이 방지된 발광 장치를 저코스트로 제조하는 것이 가능해진다.
다음으로, 제1 실시 형태의 발광 장치의 제조 방법에 대해 설명한다.
본 제조 방법은, 도 1에 도시하는 발광 장치의 제조 방법으로서, 유체인 미경화의 수지 중에 있어서의 형광체 입자의 침강 속도가 필러의 침강 속도보다 빠르게 되도록 형광체 입자의 평균 입경 및 비중과 필러의 평균 입경 및 비중을 설정하여, 미경화의 수지 중에서 필러보다도 형광체 입자를 우선적으로 침강시키는 형광체 침강 공정을 포함하고, 그에 따라 발광 소자(1)의 상면과 측면을 덮는 형광체 함유 제1 층(6a)을 형성함과 함께, 마운트부(4a)의 주위의 제2 오목부에 있어서의 필러 함유층(6f)보다 아래의 바닥면측에 형광체 함유 제2 층(6b)이 형성되도록 하고 있다.
즉, 본 제조 방법은, 발광 소자(1)를 기체(4)의 오목부(4r) 내에 실장하는 실장 공정에 이어서 행해지는 형광체 침강 공정이 후술하는 제1 수지층 형성 공정과 제2 수지층 형성 공정을 포함한다.
이하, 각 공정에 대해 설명한다.
<실장 공정>
이 공정에서는, 기체(4)의 마운트부(4a)의 상면에 발광 소자를 다이 본딩한 후, 발광 소자의 정부의 전극(도시하지 않음)을 와이어 본딩에 의해 각각 리드 전극(3)에 접속한다[도 2의 (a)]. 또한, 도 2의 (a)에 있어서, 참조 부호 2는 본딩 와이어이다.
<제1 수지층 형성 공정>
제1 수지층 형성 공정에서는, 도 2의 (b)에 도시한 바와 같이, 오목부(4r) 내의 마운트부(4a)의 주위의 제2 오목부에 필러를 혼입 분산한 제1 수지를 충전한다. 이 제1 수지는, 필러 함유층(6f) 및 형광체 함유 제2 층(6b)을 구성하는 수지이다. 이 충전은 기체(4)의 마운트부(4a)의 상면을 덮지 않도록, 바람직하게는 마운트부(4a)의 상면보다 10∼100㎛ 낮은 위치까지 충전한다. 충전한 제1 수지층(7)은, 기체(4)의 마운트부(4a)의 측면 및 오목부(4r)의 벽면에의 수지의 올라감 현상과 액상 수지의 표면 장력에 의해 리플렉터 형상(오목 형상)으로 된다.
그리고, 제1 수지를 경화시키는 일 없이, 다음의 제2 수지층 형성 공정을 행한다.
<제2 수지층 형성 공정>
제2 수지층 형성 공정에서는, 도 2의 (c)에 도시한 바와 같이, 제1 수지층(7)을 경화시키기 전에, 형광체 입자를 포함하는 제2 수지를 제1 수지층(7) 상 및 발광 소자(1) 상에 도포하여 제2 수지층(8)을 형성한다.
<형광체 입자의 침강 공정>
제2 수지층(8)을 형성한 후, 예를 들면 소정 시간 이상 상온에서 방치하여, 형광체 입자를 자체 중량에 의해 자연 침강시켜, 기체(4)의 마운트부(4a) 상에 발광 소자(1)의 상면과 측면을 덮는 형광체 함유 제1 층(6a)을 형성함과 함께, 제1 수지층(7)을 하방의 형광체 함유 제2 층(6b)과 형광체 입자를 실질적으로 포함하지 않는 필러 함유층(6f)으로 분리한다[도 2의 (d)].
즉, 본 발명은, 제2 수지층(8) 중을 자체 중량에 의해 가속되어 침강(낙하)해 온 형광체가 제1 수지층(7)을 통과할 때에 필러를 밀어내고 침강할 것이다는(우선적으로 침강하는) 것에 착안하여 이루어진 것으로, 이 현상은, 제2 수지층(8)에 있어서의 형광체의 낙하에 대한 저항이 필러를 포함함으로써 커진 제1 수지층(7)에 있어서의 형광체의 낙하에 대한 저항보다 작은 것을 이용한 것이다.
바꿔 말하면, 형광체 입자가 침강하는 침강 공정이, 형광체 입자가 필러를 통과하여 침강하는 공정을 포함함으로써 본 발명이 이루어지는 것이다.
또한, 제1 수지층(7)에 있어서의 필러는, 형광체보다 상방에 있으면 되고, 예를 들면 형광체보다 상방에서 층 형상으로 침강하고 있어도 된다.
이상과 같이, 본 발명은, 필러의 유무 또는 함유량의 차에 의해 생기는 형광체의 침강에 대한 저항의 차를 이용한 것이며, 제1 수지와 제2 수지로서 동일한 수지를 이용할 수 있고, 제1 수지층(7)과 제2 수지층(8)을 일체화하기 위해서는, 제1 수지와 제2 수지로서 동일한 수지를 이용하는 것이 바람직하다.
또한, 도 1 등에서는, 형광체 함유 제2 층(6b)에는 필러가 전혀 포함되어 있지 않도록 도시하고 있지만, 형광체 함유 제2 층(6b)에 필러가 포함되어 있어도 되는 것은 물론이다. 또한, 필러 함유층(6f)에는 형광체가 전혀 포함되어 있지 않도록 도시하고 있지만, 필러 함유층(6f)의 형광체 함유 제2 층(6b)에 인접하는 영역(하방)에는, 완전히 침강되지 않았던 형광체가 포함되어 있어도 된다.
형광체 입자를 침강시키기 위한 시간은, 형광체 입자의 비중 및 입경과 제1 수지와 제2 수지의 점도에 기초하여 설정되지만, 수지가 자연 경화하는 시간을 고려하여, 예를 들면 형광체 입자의 비중 및／또는 입경을 크게 하거나, 제1 수지나 제2 수지의 점도를 낮게 하여, 침강 공정의 시간을 짧게 할 수도 있다.
이와 같이, 상온에서 방치함으로써, 자체 중량에 의해 형광체 입자를 침강시킬 수 있지만, 또한 침강 시간을 단축하기 위해, 발광 소자(1)의 법선 방향을 향하도록 구성된 스윙식의 원심 분리기를 이용하여 강제 침강할 수도 있다.
<수지 경화>
형광체 입자의 침강이 완료된 후, 제1 수지 및 제2 수지를 경화시킨다.
이상의 공정에 의해, 기체(4)의 마운트부(4a) 상에 발광 소자(1)의 상면과 측면을 덮는 형광체 함유 제1 층(6a)과, 형광체 함유 제2 층(6b)과 형광체 입자를 실질적으로 포함하지 않는 필러 함유층(6f)을 갖는 밀봉 수지(6)에 의해 밀봉된 제1 실시 형태의 발광 장치(10)가 제작된다.
여기서 밀봉 수지(6)는 제1 수지와 제2 수지로 이루어지는 수지인 것은 물론이다.
또한, 형광체 입자의 침강 공정과 수지의 경화 공정은, 스텝 큐어(cure) 내에서 프로그램 제어를 행함으로써 연속해서 행할 수도 있다.
(형광체 입자의 비중 및 입경, 필러의 비중 및 입경의 설정)
본 제1 실시 형태에 있어서의 경화 전의 수지와 같은 유체 중(中)을 침강하는 입자의 속도는, 스토크스의 식 등에 의해 표현되는 바와 같이, 입자의 밀도(비중), 입자의 입경의 2승에 비례하고, 유체의 점도에 반비례한다.
따라서, 통상 사용되는 형광체 입자의 비중이 4∼5 정도이며, 필러로서 이용되는 대표적으로 TiO2의 비중이 4 전후이며, 양자에 큰 차이가 없는 것을 고려하면, 예를 들면 제1 수지와 제2 수지를 대략 동일한 점도로 하고, 형광체 입자의 평균 입경을 필러의 평균 입경의 10배 이상, 바람직하게는 20배 이상, 보다 바람직하게는 30배 이상으로(1자릿수 이상 크게) 함으로써, 실질적으로 형광체 입자만을 수지 내에서 우선적으로 침강시킬 수 있다.
또한, 사용 가능한 형광체 중, 비교적 가벼운 Ca2Si5N8:Eu 형광체(질화물계, 적색 형광체)의 비중이 3 전후이며, 비교적 무거운 Lu3Al5O12 형광체의 비중이 6.7 정도인 것을 고려해도 형광체 입자의 평균 입경을 필러의 평균 입경의 1자릿수 크게(10배 이상으로) 함으로써, 실질적으로 형광체 입자만을 수지 내에서 우선적으로 침강시키는 것이 가능한 것을 이해할 수 있다.
또한, 발광 소자(1)가 발광한 광의 파장 변환층인 형광체 함유 제1 층(6a)의 두께는, 제1 수지 중의 형광체 입자의 양 및 발광 소자(1) 및 마운트부(4a) 상에 형성하는 제2 수지층(8)의 두께를 조정함으로써 원하는 값으로 설정할 수 있다.
또한, 형광체 함유 제1 층(6a) 중 발광 소자(1)의 측면을 덮는 부분의 두께는, 발광 소자(1)의 측면으로부터 마운트부(4a)의 외주 단부까지의 거리의 영향도 받지만, 그 발광 소자(1)의 측면으로부터 마운트부(4a)의 외주 단부까지의 거리는 임의로 설정하는 것이 가능하고, 발광 소자(1)의 측면을 덮는 부분의 두께의 조정도 용이하다.
이상과 같이 구성된 제1 실시 형태의 발광 장치의 제조 방법에 따르면, 전착이나 높은 정밀도로 관리된 인쇄 등을 이용하는 일 없이, 간단한 공정으로, 발광 소자(1)를 덮는 비교적 얇은 형광체 함유 제1 층(6a)을 균일한 막 두께로 형성할 수 있고, 색 얼룩이나 옐로우링의 발생이 방지된 발광 장치를 저코스트로 제조하는 것이 가능해진다.
이상과 같이 구성된 제1 실시 형태의 발광 장치에 따르면, 색 얼룩이나 옐로우링의 발생이 방지된 발광 장치를 염가로 제공할 수 있다.
이상의 제1 실시 형태에서는, 오목부(4r)를 갖는 패키지 타입의 기체(4)를 이용하여 발광 장치를 구성 및 제작한 예를 이용하여 설명하였지만, 본 발명은 이것으로 한정되는 것은 아니고, 평탄한 기판을 기체로서 이용한 발광 장치에 적용할 수도 있다.
다음으로, 기판을 기체로서 이용한 발광 장치에 따른 제2 실시 형태에 대해 설명한다.
[제2 실시 형태]
이하, 도 3을 참조하면서, 본 발명에 따른 제2 실시 형태의 발광 장치에 대해 설명한다.
도 3에 있어서, 도 1의 제1 실시 형태의 발광 장치와 동일한 것에는 동일한 부호를 부여하여 나타내고 있고, 특별히 언급하지 않는 한 이들의 구성은 마찬가지이다.
본 제2 실시 형태의 발광 장치에 있어서, 기판(24)은, 예를 들면 글래스 에폭시로 이루어지는 기판 베이스(24a)에 히트싱크(24b)와 내층 배선(22)이 매설되고, 한쪽의 주면에 형성된 단자 전극(23a, 23b)이 각각 내층 배선(22)을 통해 다른 쪽의 주면에 형성된 외부 접속 단자(25a, 25b)에 접속되어 이루어진다.
기판(24)에 있어서, 히트싱크(24b)는, 대향하는 제1 면과 제2 면을 갖고, 제1 면과 제2 면간의 거리에 의해 정의되는 두께가 기판 베이스(24a)의 두께와 대략 동일하게 되어 있다.
그리고, 히트싱크(24b)는, 제1 면이 기판 베이스(24a)의 한쪽의 주면과 대략 동일 평면 상에 위치하고, 제2 면이 기판 베이스(24a)의 다른 쪽의 주면과 대략 동일 평면 상에 위치하도록 기판 베이스(24a)에 매립되어 있다.
이상과 같이 구성된 기판(24)을 이용하여, 히트싱크(24b)의 제1 면의 위에 서브 마운트(27)를 통해 발광 소자(1)를 다이 본딩하여, 발광 소자의 정부의 전극을 와이어 본딩에 의해 각각 리드 전극(23a, 23b)에 접속한다.
그 후, 그 서브 마운트(27) 및 발광 소자(1)를 둘러싸는 형틀을 서브 마운트로부터 이격하여 기판(24) 상에 설치하고, 제1 실시 형태에서 설명한 오목부(4r)에 상당하는 수지 충전부를 형성한다.
이하, 제1 실시 형태에서 설명한 제1 수지층 형성 공정, 제2 수지층 형성 공정, 형광체 입자 침강 공정, 수지 경화 공정을 거쳐 제2 실시 형태의 반도체 장치는 제작된다.
이상과 같이 제작된 제2 실시 형태의 발광 장치(20)에 있어서, 밀봉 수지(6)는, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 서브 마운트(27) 상에서 발광 소자(1)를 덮는 형광체 함유 제1 층(6a)과, 서브 마운트(27)의 주위의 기판(24)의 한쪽의 주면에 형성된 형광체 함유 제2 층(6b)과, 서브 마운트(27)의 주위의 형광체 함유 제2 층(6b) 상에 형성된 필러 함유층(6f)을 포함하는 층 구조를 갖고 있다.
도 6에, 제2 실시 형태에서 설명한 발광 장치를 실제로 제작하여 그 단면 관찰을 하였을 때의 사진을 나타낸다. 이 사진에서는, 형광체 함유 제2 층(6b) 상에 형성된 필러 함유층(6f)을 포함하는 층 구조가 확인되었다.
이상과 같이 구성된 제2 실시 형태의 발광 장치에 따르면, 색 얼룩이나 옐로우링의 발생이 방지된 발광 장치를 염가로 제공할 수 있다.
이상의 제1 실시 형태 및 제2 실시 형태에서는, 마운트부(4a) 또는 서브 마운트(27)를 이용하고, 그 마운트부(4a) 또는 서브 마운트(27) 상에 발광 소자(1)를 실장하도록 하였다. 또한, 발광 소자(1)에 있어서, 발광면측에 정부의 양방의 전극이 형성되어 있으므로, 마운트부(4a) 또는 서브 마운트(27)는 도전성을 갖고 있어도 갖고 있지 않아도 된다. 그러나, 본 발명은 이것으로 한정되는 것은 아니고, 이하의 실시 형태에 나타내는 바와 같이, 발광 소자 자체가 지지 기판 등에 접합된 발광 소자를 기체 상에 설치하도록 해도 된다.
[제3 실시 형태]
도 4는, 제3 실시 형태의 발광 장치의 구성을 도시하는 단면도이다. 제3 실시 형태의 발광 장치에 있어서, 발광 소자는, 지지 기판(37)에 접합 부재(38)를 개재하여 발광 구조부(120)가 설치되어 이루어진다. 제3 실시 형태의 발광 구조부(120)에 있어서, p형층(13)의 일부가 복수의 개소에서 제거되어, 그 각 개소에 있어서 n형층(12)에 접하도록 복수의 제1 전극(18)이 형성되어 있다. 이 복수의 제1 전극(18)은, 도전성을 갖는 접합 부재(38)에 의해 서로 접속되므로 분리되어 형성되어 있어도 된다. 도 4에서는 제1 전극(18)이 분리되어 도시되어 있지만 실제는 서로 전기적으로 접속되어 있다. 이 제1 전극(18)은, 도전성을 갖는 접합 부재(38)를 통해 지지 기판(37)에 전기적으로 접속되어 있다.
또한, 각 발광 구조부(120)의 p형층(13)에는 각각, 절연층(14)에 의해 접합 부재(38)와 전기적으로 분리된 제2 전극(15)이 형성되어 있다. 또한, 지지 기판(37)과 접합 부재(38)는 동일한 평면 형상을 갖고 있는 것에 대해, p형층(13)과 n형층(12)을 포함하는 발광 구조부의 평면 형상은, 지지 기판(37) 등에 비해 작게 구성되어 있다. 이와 같이 하여, 외측에 배치된 발광 구조부(120)의 제2 전극(15)을 발광 구조부의 외측으로 연장해서 형성하고, 그 외측으로 연장한 제2 전극(15) 상에 패드 전극(16)을 형성하고 있다.
또한, 본 제3 실시 형태의 발광 소자에서는, 도 4에 도시한 바와 같이, n형층(12)의 광 취출면측에 요철부(9)를 형성하고, 광 취출 효율을 향상시켜 외부 양자 효율을 향상시키고 있다. 이 요철부(9) 대신에, 또는 요철부(9) 외에 투명 절연막(17)의 표면에 요철을 형성하도록 해도 된다. 여기서, 요철부(9)의 형상으로서는, 도트 형상, 격자 형상, 허니콤 형상, 브랜치 형상, 사각 형상, 다각 형상, 원 형상 등 다양한 형상의 볼록부 또는 오목부로 할 수 있고, 단면 형상으로서는 사각 형상, 사다리꼴 형상, 뿔체 단면 등으로 할 수 있다. 그 크기는, 적절히 설정되지만, 구체적으로는 개구부, 볼록부, 오목부의 간격, 1변의 길이(사각 형상, 다각 형상), 직경(도트 형상, 원 형상)을, 1∼10㎛, 바람직하게는 2∼5㎛이다.
이 도 4에 도시한 발광 소자는 다음과 같이 하여 제작할 수 있다.
우선, 성장용 기판 상에 예를 들면, 질화물 반도체로 이루어지는 n형층(12), p형층(13)을 적층하여 반도체 적층 구조를 형성한다. n형층(12)과 p형층(13)의 사이에 발광층을 형성하도록 해도 된다.
다음으로, p형층(13)을 복수의 개소에서 제거하여 제1 전극(18)을 형성하기 위해 n형층(12)의 표면을 일부 노출시킨다.
그리고, 노출시킨 n형층(12)의 표면에 제1 전극(18)을 형성하고, p형층(13)의 표면에 제2 전극(15)을 형성한다.
다음으로, 반도체 적층 구조 상에, 예를 들면 SiO2로 이루어지는 절연막(14)을 형성하고, 또한, 지지 기판(37)측에 전기적으로 접속되는 제1 전극(18)의 일부를 노출시킨다.
다음으로, 예를 들면 Ti-Pt-Au으로 이루어지는 접합층을 형성한다.
한편, 예를 들면 Cu-W으로 이루어지는 지지 기판(37)측에도, 기초층의 Ti-Pt-Au의 접합층과, 그 위의 Sn-Au으로 이루어지는 접착층을 형성한다.
그리고, 반도체 적층 구조측과 지지 기판측의 접착층을 열압착하여, 접합한 후, 레이저광을 성장용 기판측으로부터 조사하여 성장용 기판을 제거하여, 또한 n형층(12)에 요철부(9)를 형성한다.
마지막으로, 반도체 적층 구조의 일부를 에칭에 의해 제거하여, 그 외측에 제2 전극(15)을 노출시켜, 투명 절연막(17)과 패드 전극(16)을 형성한다.
이상과 같이 하여, 도 4에 도시하는 발광 소자가 제작된다.
본 제3 실시 형태의 발광 장치에 있어서, 기판(34)은, 예를 들면 글래스 에폭시로 이루어지는 기판 베이스(34a)에 내층 배선(32)이 매설되고, 한쪽의 주면에 형성된 단자 전극(33a, 33b)이 각각 내층 배선(32)을 통해 다른 쪽의 주면에 형성된 외부 접속 단자(35a, 35b)에 접속되어 이루어진다.
이상과 같이 구성된 기판(34)을 이용하여, 단자 전극(33b) 상에, 발광 소자의 지지 기판(37)측을 다이 본딩하여, 발광 소자의 패드 전극(16)을 각각 와이어 본딩에 의해 단자 전극(33a)에 접속한다.
그 후, 발광 소자를 둘러싸는 형틀을 발광 소자로부터 이격하여 설치하고, 수지 충전부를 형성한다.
이하, 제1 실시 형태에서 설명한 제1 수지층 형성 공정, 제2 수지층 형성 공정, 형광체 입자 침강 공정, 수지 경화 공정을 거쳐 제3 실시 형태의 반도체 장치는 제작된다.
이상과 같이 제작된 제3 실시 형태의 발광 장치(30)에 있어서, 밀봉 수지(6)는, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 지지 기판(37)과 접합 부재(38) 상에서 발광 구조부를 덮는 형광체 함유 제1 층(6a)과, 지지 기판(37)과 접합 부재(38)의 주위의 기판(34)의 한쪽의 주면에 형성된 형광체 함유 제2 층(6b)과, 지지 기판(37)과 접합 부재(38)의 주위의 형광체 함유 제2 층(6b) 상에 형성된 필러 함유층(6f)을 포함하는 층 구조를 갖고 있다.
이상과 같이 구성된 제3 실시 형태의 발광 장치에 따르면, 색 얼룩이나 옐로우링의 발생이 방지된 발광 장치를 염가로 제공할 수 있다.
[제4 실시 형태]
도 5는, 제4 실시 형태의 발광 장치(40)의 구성을 도시하는 단면도이다. 제4 실시 형태의 발광 장치에 있어서, 발광 소자의 구성이 이하의 점에서 제3 실시 형태의 발광 소자와는 상이하다.
즉, 제3 실시 형태의 발광 소자와 제4 실시 형태의 발광 소자는 모두 성장 기판을 박리하여 다른 지지 기판을 접착하고 있는 점에서는 동일하지만, 제3 실시 형태의 발광 소자에서는, 발광 구조부의 한쪽의 면의 측으로부터 제1 전극과 제2 전극을 취출하고 있지만, 제4 실시 형태의 발광 소자에서는, 발광 구조부의 한쪽의 면의 측에 제1 전극을 형성하고, 다른 쪽의 면의 측에 제2 전극을 형성하고 있는 점에서 상이하다.
또한, 제4 실시 형태의 발광 장치(40)는, 제3 실시 형태의 기판(34) 대신에, 오목부(44r)를 구비한 패키지(44)를 이용하여 구성하고 있는 점에서 제3 실시 형태와는 상이하다.
또한, 제4 실시 형태의 패키지(44)는, 오목부(44r)에 바닥면에 마운트부(4a)를 구비하고 있지 않은 점에서 제1 실시 형태의 기체(패키지)(4)와는 상이하다.
즉, 제4 실시 형태의 발광 장치(40)에서는, 발광 소자(49)에 접착된 지지 기판(47)이 마운트부(4a) 대신에 발광 구조부(46)를 필요한 높이로 유지하고 있다.
또한, 제4 실시 형태의 발광 장치(40)에서는, 오목부(44r)의 측벽이 상방을 향하여 넓어지도록 경사져, 상방으로의 광의 취출 효율을 향상시키고 있다.
구체적으로는, 제4 실시 형태의 발광 소자(49)는, 다음과 같이 제작된다.
우선, 사파이어 등의 반도체 성장용 기판 상에, n형 반도체층, 발광층, p형 반도체층을 이 순서대로 적층하고, 반도체 적층 구조를 형성한다.
그 후, p형 반도체층의 표면에 p측 전극과 메탈라이즈층을 순서대로 형성한다.
이것과 병행하여, 지지 기판(47) 상에 메탈라이즈층을 형성하고, 메탈라이즈층이 형성된 지지 기판(47)을 뒤집어서, 지지 기판(47)측 메탈라이즈층과 반도체 적층 구조측의 메탈라이즈층을 접합한다. 다음으로 반도체 적층 구조로부터 반도체 성장용 기판을 박리하고, 박리한 것에 의해 노출된 n형 반도체층의 표면에 n측 전극을 형성한다.
이상과 같이 하여, 지지 기판(47)에 발광 구조부(46)가 접착되어 이루어지는 제4 실시 형태의 발광 소자(49)가 제작된다. 또한, 제4 실시 형태의 발광 소자(49)에서는, n측 전극은 부분 전극으로 하고, n측 전극이 형성되어 있지 않은 부분으로부터 광이 출사된다.
이 지지 기판으로서, 예를 들면 실리콘(Si), Ge, SiC 등의 반도체로 이루어지는 반도체 기판, 또는 금속 단체 기판, 또는 서로 비고용 혹은 고용 한계가 작은 2종 이상의 금속의 복합체로 이루어지는 금속 기판을 이용할 수 있다. 이 중, 금속 단체 기판으로서 구체적으로는 Cu를 이용할 수 있다. 또한, 금속 기판의 재료로서 구체적으로는 Ag, Cu, Au, Pt 등의 고도전성 금속으로부터 선택된 1종 이상의 금속과, W, Mo, Cr, Ni 등의 고경도의 금속으로부터 선택된 1종 이상의 금속으로 이루어지는 것을 이용할 수 있다. 반도체 재료의 기판을 이용하는 경우에는, 그것에 소자 기능, 예를 들면 제너 다이오드를 부가한 기판으로 할 수 있다. 또한, 금속 기판으로서는, Cu-W 혹은 Cu-Mo의 복합체를 이용하는 것이 바람직하다.
또한, 본 제4 실시 형태의 발광 장치(40)에 있어서, 기체로서는, 오목부(44r)를 갖는 패키지(44)가 사용된다. 제4 실시 형태의 패키지(44)는, 오목부(44r)의 바닥면에 마운트부가 형성되어 있지 않은 점에서 제1 실시 형태의 기체(4)와는 상이하지만, 그 점을 제외하면 제1 실시 형태의 기체(4)와 기본적인 구성은 마찬가지이다.
본 제4 실시 형태의 발광 장치(40)에 있어서, 패키지(44)는, 예를 들면 수지 또는 세라믹으로 이루어지는 패키지 베이스(44a)에 내층 배선(42)이 매설되고, 오목부(44r)의 바닥면에 형성된 단자 전극(43a, 43b)이 각각 내층 배선(42)을 통해 실장면에 형성된 외부 접속 단자(45a, 45b)에 접속되어 이루어진다.
이상과 같이 구성된 발광 소자(49)와 패키지(44)를 이용하여, 단자 전극(43b) 상에, 발광 소자(49)의 지지 기판(47)측을 다이 본딩하여, 발광 소자(49)의 발광면측에 형성된 전극을 각각 와이어 본딩에 의해 단자 전극(43a)에 접속한다.
그 후, 제1 실시 형태에서 설명한 제1 수지층 형성 공정, 제2 수지층 형성 공정, 형광체 입자 침강 공정, 수지 경화 공정을 거쳐 제3 실시 형태의 반도체 장치는 제작된다.
이상과 같이 제작된 제4 실시 형태의 발광 장치(40)에 있어서, 밀봉 수지(6)는, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 지지 기판(47) 상에서 발광 구조부(46)를 덮는 형광체 함유 제1 층(6a)과, 지지 기판(47)의 주위의 오목부(44r)의 바닥면에 형성된 형광체 함유 제2 층(6b)과, 지지 기판(47)의 주위의 형광체 함유 제2 층(6b) 상에 형성된 필러 함유층(6f)을 포함하는 층 구조를 갖고 있다.
이상과 같이 구성된 제4 실시 형태의 발광 장치에 따르면, 색 얼룩이나 옐로우링의 발생이 방지된 발광 장치를 염가로 제공할 수 있다.
이상의 제3 실시 형태 및 제4 실시 형태와 같이, 본 발명에서는, 기판 상 또는 패키지의 오목부에 형성된 서브 마운트를 이용하는 일 없이, 발광 구조부가 지지 기판 등에 접합된 발광 소자를 기체 상에 설치하도록 해도 된다.
또한, 본 발명에서는, 예를 들면 제3 실시 형태의 기판(34)과 제4 실시 형태의 발광 소자(49)를 조합하는, 또는 제4 실시 형태의 패키지(44)와 제3 실시 형태의 지지 기판(37) 상에 발광 구조부가 설치되어 이루어지는 발광 소자를 조합하는 등, 기체와 발광 소자는 다양한 조합이 가능하다.
이들의 조합에 따른 발광 장치도, 제1 실시 형태∼제4 실시 형태의 발광 장치와 동일한 작용 효과를 갖는다.
[실시예]
[실시예 1]
실시예 1로서, 아래와 같이 하여 발광 장치를 제작하였다.
또한, 본 실시예 1에서는, 수지, 형광체 입자 및 필러는 다음의 것을 사용하였다.
(1) 수지(제1 수지, 제2 수지 공통)
·종류:디메틸계 실리콘 수지
·점도:3.5∼3.9㎩·s
(2) 형광체 입자
·조성:(Y, Gd)3Al5O12:Ce
·비중:4.68
·평균 입경:15㎛
·중심 입경:24㎛
(3) 필러
·조성:TiO2
·비중:3.9∼4.2
·평균 입경:0.25㎛
본 실시예 1에서는, 우선 리드 전극이 형성된 기판 상에 서브 마운트를 통해 발광 소자를 실장하여, 발광 소자의 상면에 형성된 정부의 전극을 각각 리드 전극에 와이어 본딩하였다.
그리고, 서브 마운트 및 발광 소자를 둘러싸는 형틀을 서브 마운트로부터 이격하여 기판 상에 설치하고, 수지 충전부를 형성하였다.
다음으로, 수지 충전부에 있어서의 서브 마운트의 주위의 제2 오목부에 상당하는 부분에, 상기 수지에 상기 필러를 혼입 분산한 제1 수지를 충전하였다. 제1 수지에 있어서의 필러와 수지의 배합비(중량비)는, 수지:필러＝100:33으로 하였다. 이 충전에 있어서, 제1 수지는, 서브 마운트의 상면보다 100㎛ 낮은 위치까지 충전하였다.
그리고, 제1 수지를 경화시키는 일 없이, 제1 수지와 동일한 제2 수지에 상기 형광체 입자를 분산시킨 제1 수지층 위 및 발광 소자(1) 위의 형틀 내에 충전하여 제2 수지층을 형성하여, 형광체 입자를 30℃에서 3시간 자연 침강시켰다.
또한, 제2 수지에 있어서의 형광체 입자와 수지의 배합비(중량비)는, 수지:형광체 입자＝100:25로 하였다.
마지막으로, 50℃에서 3시간, 그 후 승온하여, 다시 180℃에서 2시간의 조건 하에서 수지를 경화시킨 후, 형틀을 제거하였다.
이상과 같이 하여 실시예 1의 발광 장치를 제작한 바, 색 얼룩이나 옐로우링의 발생이 방지된 발광 장치를 제조할 수 있었다.
1, 49 : 발광 소자
2 : 본딩 와이어
4 : 기체
4a : 마운트부
4r : 오목부
5 : 외부 접속 단자
6a : 형광체 함유 제1 층
6b : 형광체 함유 제2 층
6f : 필러 함유층
7 : 제1 수지층
8 : 제2 수지층
9 : 요철부
10, 20, 30, 40 : 발광 장치
12 : n형층
13 : p형층
14 : 절연막
15 : 제2 전극
16 : 패드 전극
17 : 투명 절연막
18 : 제1 전극
23a, 23b, 33a, 33b, 43a, 43b : 단자 전극
24, 34 : 기판
24a : 기판 베이스
24b : 히트싱크
25a, 25b, 35a, 35b, 45a, 45b : 외부 접속 단자
27 : 서브 마운트
30, 40 : 발광 장치
32, 42 : 내층 배선
34a : 기판 베이스
37, 47 : 지지 기판
38 : 접합 부재
44 : 패키지
44a : 패키지 베이스
44r : 오목부
46 : 발광 구조부
49 : 발광 소자
120 : 발광 구조부

Claims (11)

  1. 삭제
  2. 발광 소자와, 형광체 입자와 광을 반사하는 필러를 포함하는 수지층을 갖는 발광 장치의 제조 방법으로서,
    상기 필러보다도 상기 형광체 입자를 우선적으로 침강시키는 형광체 침강 공정을 포함하고,
    상기 형광체 침강 공정은,
    상기 필러를 포함하는 제1 수지를, 적어도 상기 발광 소자의 상면을 제외한 상기 발광 소자의 주위에 제1 수지층으로서 도포하는 제1 수지층 형성 공정과,
    상기 제1 수지가 경화하기 전에, 상기 형광체 입자를 포함하는 제2 수지를 상기 제1 수지층 및 상기 발광 소자 상에 제2 수지층으로서 도포하는 제2 수지층 형성 공정과,
    제2 수지층을 형성한 후 경화시키기 전에 일정 시간 유지하여 형광체 입자를 침강시키는 침강 공정을 포함하는 발광 장치의 제조 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    기체에 형성된 오목부의 바닥면에, 마운트부를 통해 상기 발광 소자를 실장하는 실장 공정을 포함하고,
    상기 제1 수지층 형성 공정에 있어서, 상기 마운트부의 주위에 상기 제1 수지를 충전하는 발광 장치의 제조 방법.
  4. 제2항에 있어서,
    기체의 평탄한 상면에 마운트부를 통해 상기 발광 소자를 실장하고, 상기 마운트부의 주위에 상기 마운트부로부터 이격하여 형틀을 설치하는 공정을 포함하고,
    상기 제1 수지층 형성 공정에 있어서, 상기 마운트부의 주위에 상기 제1 수지를 충전하는 발광 장치의 제조 방법.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 발광 소자는, 지지 기판 상에 발광 구조부가 접착되어 이루어지고,
    기체에 형성된 오목부의 바닥면에, 상기 지지 기판이 대향하도록 상기 발광 소자를 실장하는 실장 공정을 포함하고,
    상기 제1 수지층 형성 공정에 있어서, 상기 지지 기판의 주위에 상기 제1 수지를 충전하는 발광 장치의 제조 방법.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 발광 소자는, 지지 기판 상에 발광 구조부가 접착되어 이루어지고, 기체의 평탄한 상면에 상기 지지 기판이 대향하도록 상기 발광 소자를 실장하고, 상기 마운트부의 주위에 상기 마운트부로부터 이격하여 형틀을 설치하는 공정을 포함하고,
    상기 제1 수지층 형성 공정에 있어서, 상기 마운트부의 주위에 상기 제1 수지를 충전하는 발광 장치의 제조 방법.
  7. 제2항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 형광체 입자의 평균 입경을 상기 필러의 평균 입경보다 10배 이상 크게 한 발광 장치의 제조 방법.
  8. 기체와, 상기 기체의 상면에 마운트부를 통해 실장된 발광 소자와, 상기 발광 소자를 밀봉하는 밀봉 수지를 포함하는 발광 장치로서,
    상기 밀봉 수지는, 상기 마운트부 상에서 상기 발광 소자를 덮는 형광체 함유 제1 층과, 상기 마운트부의 주위의 상기 기체의 상면에 형성된 형광체 함유 제2 층과, 상기 마운트부의 주위의 상기 형광체 함유 제2 층 상에 형성된 필러 함유층을 갖고,
    상기 형광체 함유 제1 층의 상부는, 상기 필러 함유층으로부터 노출되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 형광체 함유 제2 층에 포함되어 있는 형광체 입자의 평균 입경이, 상기 필러의 평균 입경보다 10배 이상 큰 발광 장치.
  10. 지지 기판 상에 발광 구조부가 접착되어 이루어지는 발광 소자와, 기체와, 상기 발광 소자를 밀봉하는 밀봉 수지를 포함하고, 상기 발광 소자를 상기 기체의 상면에 상기 지지 기판이 대향하도록 실장한 발광 장치로서,
    상기 밀봉 수지는, 상기 지지 기판 상에서 상기 발광 소자를 덮는 형광체 함유 제1 층과, 상기 지지 기판의 주위의 상기 기체의 상면에 형성된 형광체 함유 제2 층과, 상기 지지 기판의 주위의 상기 형광체 함유 제2 층 상에 형성된 필러 함유층을 갖고,
    상기 형광체 함유 제1 층의 상부는, 상기 필러 함유층으로부터 노출되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 형광체 함유 제2 층에 포함되어 있는 형광체 입자의 평균 입경이, 상기 필러의 평균 입경보다 10배 이상 큰 발광 장치.
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