JP2020150229A - 発光装置およびその製造方法 - Google Patents
発光装置およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020150229A JP2020150229A JP2019048979A JP2019048979A JP2020150229A JP 2020150229 A JP2020150229 A JP 2020150229A JP 2019048979 A JP2019048979 A JP 2019048979A JP 2019048979 A JP2019048979 A JP 2019048979A JP 2020150229 A JP2020150229 A JP 2020150229A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting device
- package
- sealing member
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 51
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 134
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 34
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 22
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims description 12
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 15
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 33
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 23
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 15
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 14
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 13
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- -1 AlInGaP Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000404 calcium aluminium silicate Substances 0.000 description 1
- 235000012215 calcium aluminium silicate Nutrition 0.000 description 1
- WNCYAPRTYDMSFP-UHFFFAOYSA-N calcium aluminosilicate Chemical compound [Al+3].[Al+3].[Ca+2].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O WNCYAPRTYDMSFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940078583 calcium aluminosilicate Drugs 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000009193 crawling Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000011038 discontinuous diafiltration by volume reduction Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LAQFLZHBVPULPL-UHFFFAOYSA-N methyl(phenyl)silicon Chemical compound C[Si]C1=CC=CC=C1 LAQFLZHBVPULPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
Abstract
Description
本開示の発光装置の実施形態を説明する。図1Aは、本開示の発光装置の一実施形態を示す斜視図であり、図1Bは、図1Aに示す発光装置の底面図である。図2Aは、図1Aに示す発光装置の封止部材および光反射性部材を取り除いた状態の平面図であり、図2Bは、図2Aの2B−2B線の位置における発光装置の断面図である。また、図2Cは、図2Bの一部を拡大した断面図である。発光装置101は、パッケージ10と、発光素子20と、封止部材30とを備える。発光装置101は、光反射性部材15および保護素子40をさらに備えていてもよい。
パッケージ10は、発光素子20を収納する筐体として機能する。パッケージ10は、上面10aおよび下面10bと、上面10aに位置する開口11aを備えた凹部11とを有する。本実施形態では、上面10aの外縁は、略矩形形状を有し、パッケージ10は、上面10aの矩形の4つの辺に対応する4つの側面10c〜10fを有する。
発光装置101は、光反射性部材15を備えていてもよい。光反射性部材15は、発光素子20から出射した光を開口11aへ向けて反射させる。光反射性部材15は、凹部11内に配置され、凹部11の内側面11cと、底面11bの少なくとも一部を被覆する。光反射性部材15は、発光素子20の側面からの光取り出しを妨げないように、発光素子20の側面と離間して配置されることが好ましい。
発光素子20は、半導体レーザー、発光ダイオード等の半導体発光素子である。発光素子20の発光波長は任意に選択し得る。例えば、青色、緑色の発光素子としては、ZnSeや窒化物系半導体(InXAlYGa1−X−YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)を用いた発光素子を用いることができる。また、赤色の発光素子としては、GaAs、AlInGaP、AlGaAs系の半導体などを用いることができる。さらに、これ以外の材料からなる半導体発光素子を用いることもできる。用いる発光素子の組成や発光色、大きさや、個数などは目的に応じて適宜選択することができる。また、可視光領域の光だけでなく、紫外線や赤外線を出力する発光素子とすることができる。
発光装置101は発光素子20に加えて、保護素子などの電子部品をさらに備えていてもよい。本実施形態では、発光装置101は保護素子40を備えている。例えば、保護素子40は、ツェナーダイオードであり、発光素子20が静電気等によって破壊されるのを抑制する。
封止部材30は、凹部11内に配置され、発光素子20、導電性ワイヤ21A、21B、22A、保護素子40等を水分、外力、塵芥から保護する。封止部材30は、凹部11内に配置されており、発光素子20、保護素子40および導電性ワイヤ21A、21B、22Bを凹部11内で被覆する。封止部材30は、パッケージ10の上面10aには配置されていない。
発光装置101において色度むらが抑制される理由を説明する。上述したように、発光装置101において封止部材30の上面30aは、大きな平坦領域Rpを含んでいる。このような構造の封止部材30は遠心力を利用して形成する。
次に発光装置101の製造方法を説明する。図4は、本開示の発光装置の製造方法における製造工程を示すフローチャートであり、図5A〜5Eおよび図6Aは、発光装置の製造方法における工程断面図である。図6B〜図6Dは、発光装置の製造方法における平面図である。
まず、図5Aに示すように、上面10aと、上面10aに位置する開口11aを備えた凹部11とを有するパッケージ10を用意する。パッケージ10は前述したようにリード端子14A、14Bと基体13とを含む。本開示の発光装置の製造方法は、1個の発光装置101を製造することも可能であるし、複数の発光装置101を同時に製造することも可能である。複数の発光装置101を同時に製造する場合には、複数のパッケージ10を用意する。発光素子20の実装、封止部材30の配置などにおける製造効率を高めるためには、複数のパッケージ10は、所定のピッチで同一平面上に配列されていることが好ましい。例えば、図6Aに示すように、支持基板300を用意し、支持基板300の上面にパッケージ10の下面10bを接合するように、複数のパッケージ10を所定のピッチで支持基板300上に配置する。
図5Bに示すように、パッケージ10の凹部11の底面11bに発光素子20を配置する。発光素子20を用意し、発光素子20を、接着部材を用いて凹部11の底面11bに接続する。本実施形態では、リード端子14Aの上面に発光素子20を接合する。同様に保護素子40をリード端子14Bの上面に接合する。次に、発光素子20の一対の電極と、リード端子14A、14Bとをそれぞれ導電性ワイヤ21A、21Bで接続する。同様に、保護素子40の電極とリード端子14Aとを導電性ワイヤ22Aで接続する。
発光装置101が光反射性部材15を含む場合、光反射性部材15を配置する工程は、発光素子を配置した後で行うことが好ましい。光反射性部材を配置する工程は、図5Cに示すように、凹部内に、凹部の底面及び内側面を被覆する光反射性部材を配置する。光反射性部材15を形成は、光反射性部材15の母体となる未硬化の樹脂に、上述した光反射性物質を添加し、分散させることによって、未硬化の光反射性部材15’を調製する。次に、未硬化の光反射性部材15’を凹部11の底面における発光素子20と凹部の内側面11cとの間の領域に配置する。これにより、未硬化の光反射性部材15’は凹部11の底面11bの一部および凹部11の内側面11cを覆うように濡れ広がる。この時、保護素子40の一部または全部および導電性ワイヤ22Aの一部または全部を、未硬化の光反射性部材15’で覆ってもよい。その後、未硬化の光反射性部材15’を加熱等によって硬化させ、光反射性部材15を形成する。
図5Dに示すように、パッケージ10の凹部11に、シリコーン樹脂を含む未硬化の封止部材を配置する。まず、未硬化の封止部材30’を調製する。未硬化の封止部材30’として、未硬化のシリコーン樹脂に波長変換部材32を添加し、分散させたものを準備する。得られた未硬化の封止部材30’を、ディスペンサー等を用いてパッケージ10の凹部11内に配置する。この時、未硬化の封止部材30’がパッケージ10の上面10aの開口11aから漏れて、上面10aを覆わないように配置する。未硬化の封止部材30’は凹部11内に位置する発光素子20、保護素子40および導電性ワイヤ21A、21B、22Aを完全に被覆していることが好ましい。ポッティング時の樹脂漏れを考慮して、未硬化の封止部材30’をパッケージ10の凹部11内に配置する際には、未硬化の封止部材30’の上面が、パッケージ10の上面10aよりも低い位置にあるように配置することが好ましい。上面10aと未硬化の封止部材30’の上面とが同じ位置にある場合、次の工程において遠心力を働かせる前に、未硬化の封止部材30’が上面10aに濡れ広がってしまう可能性がある。
凹部11に未硬化の封止部材30’が配置されたパッケージに対して、前記上面と垂直かつ前記凹部の底面に向かう方向に遠心力をかけながら前記未硬化の封止部材を硬化させる。図7Aに示すように、パッケージ10を保持し、回転させることによって遠心力を加えることのできる回転機構を備えたオーブン500を用意する。オーブン500は、アーム511を備えた回転機構510を備える。アーム511は、例えば、アーム511長手方向の中央を中心として回転可能であり、アーム511の両端には、支持枠512が取り付けられている。支持枠512は、複数のパッケージ10が配置された支持基板300または樹脂付きリードフレーム200を支持する支持部513を備えている。支持枠512は、アーム511の両端において、回転機構510の回転軸510aに垂直な平面上であって、回転軸を中心とする円の接線方向に平行な軸511aを中心として回転可能である。
パッケージ10の凹部11内に封止部材30が配置された状態において、樹脂付きリードフレーム200の絶縁部材220および接続部211、212A、212Bを切断し、複数のパッケージ10に個片化する。具体的には、図6Dにおいて破線で示すように、各パッケージ10の境界となる位置で、ブレード等で絶縁部材220および接続部211、212A、212Bを切断することによって、個々のパッケージ10に分割する。これにより、発光装置101が完成する。なお個片化はレーザー加工等、他の公知の方法により行うことができる。
実施形態の発光装置を作製し、色度の配光角依存性を調べた結果を説明する。図8は、上記実施形態の発光装置の製造方法に従い作製した発光装置101(実施例1)の指向角による色度座標yのずれを示す図である。横軸は配光角を示し、縦軸は、CIE色度図におけるy値のずれを0°を基準として示している。参考例1は、工程(E)に従い、遠心力をパッケージに与えた後、回転機構510の回転を停止させ、遠心力が働かない状態で未硬化の封止部材30’を硬化させ作製した発光装置の測定結果を示す。また、参考例2は、遠心力をパッケージに働かせることなく従来の製造工程に従い、作製した発光装置の測定結果を示す。
10a 上面
10b 下面
10c〜10f 側面
11 凹部
11a 開口
11b 底面
11c 内側面
11f 中心
13 基体
14A、14B リード端子
14Ac、14Ae、14Af、14Bd、14Be、14Bf 端面
15 光反射性部材
15s 傾斜面
20 発光素子
20a 上面
21A、21B、22A 導電性ワイヤ
30 封止部材
30a 上面
31 母材
32 波長変換部材
40 保護素子
101 発光装置
110a 回転軸
130 封止部材
130a 上面
151 発光装置
200 樹脂付きリードフレーム
210 リードフレーム
211、212A、212B 接続部
220 絶縁部材
300 支持基板
300a 上面
500 オーブン
510 回転機構
510a 回転軸
511 アーム
511a 軸
512 支持枠
513 支持部
Claims (20)
- 上面と、前記上面に位置する開口を備えた凹部とを有するパッケージを用意する工程と、
前記パッケージの前記凹部の底面に発光素子を配置する工程と、
前記パッケージの前記凹部に、未硬化の封止部材を配置する工程と、
前記未硬化の封止部材が配置されたパッケージに対して、前記上面と垂直かつ前記凹部の底面に向かう方向に遠心力をかけながら前記未硬化の封止部材を硬化させる工程と、
を含む発光装置の製造方法。 - 前記未硬化の封止部材は波長変換部材を含む、請求項1に記載の発光装置の製造方法。
- 前記遠心力の大きさは、100×g(rcf)以上である請求項1または2に記載の発光装置の製造方法。
- 前記硬化させる工程において、前記パッケージの上面に平行な方向には遠心力を働かせない、請求項1から3のいずれかに記載の発光装置の製造方法。
- 前記硬化させる工程は、前記パッケージを前記未硬化の封止部材が硬化する温度以上の温度で保持しながら前記遠心力を前記パッケージに働かせる、請求項1から4のいずれかに記載の発光装置の製造方法。
- 前記未硬化の封止部材はシリコーン樹脂を含む、請求項1から5のいずれかに記載の発光装置の製造方法。
- 前記用意する工程において、複数の前記パッケージが接続されたリードフレームを用意し、
前記配置する工程および前記配置する工程を前記複数のパッケージについて行い、
前記硬化させる工程を前記リードフレーム単位で行う、請求項1から6のいずれかに記載の発光装置の製造方法。 - 前記硬化させる工程において、前記リードフレームを前記遠心力によって変形させる請求項7に記載の発光装置の製造方法。
- 前記保持する工程後、前記複数のパッケージを個片化する工程をさらに含む、請求項8に記載の発光装置の製造方法。
- 上面と、前記上面に位置する開口を備えた凹部とを有するパッケージと、
前記パッケージの前記凹部の底面に配置された発光素子と、
前記パッケージの前記凹部内において、前記発光素子を覆って配置された封止部材と、
を備え、
前記封止部材の上面は平坦領域を含み、
前記平坦領域は、少なくとも前記発光素子の上方の領域を含み、
前平坦領域は、前記パッケージの前記上面よりも下方に位置している、発光装置。 - 前記平坦領域は前記上面全体の面積の80%以上99%以下である請求項10に記載の発光装置。
- 前記封止部材の上面は、前記平坦領域から連続し、前記パッケージの凹部の開口端部に連なる傾斜領域を有する請求項10または11に記載の発光装置。
- 前記傾斜領域は前記平坦領域を取り囲むように位置している、請求項12に記載の発光装置。
- 平面視における前記傾斜領域の幅は0.01mm以上0.60mm以下である、請求項12に記載の発光装置。
- 前記発光素子は前記凹部の底面の中心からシフトした位置に配置されている、請求項10から13のいずれかに記載の発光装置。
- 前記封止部材は、前記パッケージの上面を覆っていない、請求項10から14のいずれかに記載の発光装置。
- 前記平坦領域の表面は、前記凹部の底面に平行である、請求項10から15のいずれかに記載の発光装置。
- 前記封止部材は波長変換部材を含む請求項10から17のいずれかに記載の発光装置。
- 前記波長変換部材は前記封止部材中において、前記パッケージの凹部の底面側に偏在している請求項18に記載の発光装置。
- 前記パッケージの凹部内に配置された光反射性部材をさらに含む請求項10から19のいずれかに記載の発光装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019048979A JP2020150229A (ja) | 2019-03-15 | 2019-03-15 | 発光装置およびその製造方法 |
US16/817,796 US20200295242A1 (en) | 2019-03-15 | 2020-03-13 | Light-emitting device and production method therefor |
DE102020106897.2A DE102020106897A1 (de) | 2019-03-15 | 2020-03-13 | Lichtemittierende vorrichtung und herstellungsverfahren dafür |
CN202010173260.4A CN111697121A (zh) | 2019-03-15 | 2020-03-13 | 发光装置及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019048979A JP2020150229A (ja) | 2019-03-15 | 2019-03-15 | 発光装置およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020150229A true JP2020150229A (ja) | 2020-09-17 |
Family
ID=72241194
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019048979A Pending JP2020150229A (ja) | 2019-03-15 | 2019-03-15 | 発光装置およびその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20200295242A1 (ja) |
JP (1) | JP2020150229A (ja) |
CN (1) | CN111697121A (ja) |
DE (1) | DE102020106897A1 (ja) |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002059982A1 (en) * | 2001-01-24 | 2002-08-01 | Nichia Corporation | Light emitting diode, optical semiconductor elemet and epoxy resin composition suitable for optical semiconductor element and production methods therefor |
JP2003513257A (ja) * | 1999-10-29 | 2003-04-08 | アベリー・デニソン・コーポレイション | コーティング材料の配合および方法のための改良された組み合わせ型試験方法および装置 |
JP2004063554A (ja) * | 2002-07-25 | 2004-02-26 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 液状樹脂の充填・脱泡方法及び充填・脱泡装置 |
JP2009135485A (ja) * | 2007-11-07 | 2009-06-18 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体発光装置及びその製造方法 |
JP2010135763A (ja) * | 2008-11-05 | 2010-06-17 | Toshiba Corp | Ledデバイスの製造装置、ledデバイスの製造方法及びledデバイス |
JP2015128092A (ja) * | 2013-12-27 | 2015-07-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2016072412A (ja) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
JP2017522722A (ja) * | 2014-05-30 | 2017-08-10 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | 湾曲したリードフレーム上にマウントされたled |
JP2017174908A (ja) * | 2016-03-22 | 2017-09-28 | 豊田合成株式会社 | 発光装置の製造方法 |
CN206992137U (zh) * | 2017-06-26 | 2018-02-09 | 广州硅能照明有限公司 | 一种led基板离心装置 |
JP2019175985A (ja) * | 2018-03-28 | 2019-10-10 | 株式会社マルコム | 蛍光体沈降処理装置および発光装置の製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7517728B2 (en) * | 2004-03-31 | 2009-04-14 | Cree, Inc. | Semiconductor light emitting devices including a luminescent conversion element |
JP2008311477A (ja) * | 2007-06-15 | 2008-12-25 | Minami Kk | Ledディスプレーの製造方法及びその装置 |
JP2012028501A (ja) * | 2010-07-22 | 2012-02-09 | Toshiba Corp | 発光装置 |
CN102347418A (zh) * | 2010-08-02 | 2012-02-08 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构及其制造方法 |
TWI552389B (zh) * | 2014-01-28 | 2016-10-01 | 隆達電子股份有限公司 | 發光二極體封裝結構及其方法 |
US9966515B2 (en) * | 2015-12-26 | 2018-05-08 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing the light emitting device |
-
2019
- 2019-03-15 JP JP2019048979A patent/JP2020150229A/ja active Pending
-
2020
- 2020-03-13 US US16/817,796 patent/US20200295242A1/en active Pending
- 2020-03-13 CN CN202010173260.4A patent/CN111697121A/zh active Pending
- 2020-03-13 DE DE102020106897.2A patent/DE102020106897A1/de active Pending
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003513257A (ja) * | 1999-10-29 | 2003-04-08 | アベリー・デニソン・コーポレイション | コーティング材料の配合および方法のための改良された組み合わせ型試験方法および装置 |
WO2002059982A1 (en) * | 2001-01-24 | 2002-08-01 | Nichia Corporation | Light emitting diode, optical semiconductor elemet and epoxy resin composition suitable for optical semiconductor element and production methods therefor |
JP2004063554A (ja) * | 2002-07-25 | 2004-02-26 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 液状樹脂の充填・脱泡方法及び充填・脱泡装置 |
JP2009135485A (ja) * | 2007-11-07 | 2009-06-18 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体発光装置及びその製造方法 |
JP2010135763A (ja) * | 2008-11-05 | 2010-06-17 | Toshiba Corp | Ledデバイスの製造装置、ledデバイスの製造方法及びledデバイス |
JP2015128092A (ja) * | 2013-12-27 | 2015-07-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2017522722A (ja) * | 2014-05-30 | 2017-08-10 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | 湾曲したリードフレーム上にマウントされたled |
JP2016072412A (ja) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
JP2017174908A (ja) * | 2016-03-22 | 2017-09-28 | 豊田合成株式会社 | 発光装置の製造方法 |
CN206992137U (zh) * | 2017-06-26 | 2018-02-09 | 广州硅能照明有限公司 | 一种led基板离心装置 |
JP2019175985A (ja) * | 2018-03-28 | 2019-10-10 | 株式会社マルコム | 蛍光体沈降処理装置および発光装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111697121A (zh) | 2020-09-22 |
DE102020106897A1 (de) | 2020-09-17 |
US20200295242A1 (en) | 2020-09-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6387954B2 (ja) | 波長変換部材を用いた発光装置の製造方法 | |
US9966521B2 (en) | Light emitting device | |
US20140151734A1 (en) | Light-emitting device and method for manufacturing same | |
US8502251B2 (en) | LED module comprising a dome-shaped color conversion layer | |
JP6813599B2 (ja) | Ledパッケージおよびその製造方法 | |
JP2013191872A (ja) | 発光素子パッケージ | |
US11043615B2 (en) | Light-emitting device having a dielectric multilayer film arranged on the side surface of the light-emitting element | |
JP7046796B2 (ja) | 発光装置 | |
KR20190038424A (ko) | 발광 장치 | |
KR101300138B1 (ko) | 발광칩 패키지 | |
JP6485503B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
JP2023001231A (ja) | 発光装置 | |
JP5811770B2 (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
JP7177330B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
US11233184B2 (en) | Light-emitting device and method for manufacturing the same | |
JP2020150229A (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
JP7256372B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
JP7208507B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
JP7082280B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6940775B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
WO2017217549A1 (ja) | 発光装置 | |
WO2023282357A1 (ja) | 発光装置 | |
JP7444718B2 (ja) | 発光装置 | |
CN110323213B (zh) | 发光装置的制造方法 | |
JP2023050923A (ja) | 発光装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200624 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210601 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210608 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210803 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20211005 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220208 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20220614 |