JP6852745B2 - 発光装置の製造方法および発光装置 - Google Patents
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Description
本開示は、発光装置の製造方法および発光装置に関する。
従来、凹部を有するパッケージの底面に発光素子を載置した発光装置が知られている。例えば、特許文献１には、カップを持つパッケージのカップの底面に発光素子を載置し、カップの底面および側面を、反射材を含有する第１樹脂の層で覆い、反射材の層をカップの底面側および側面側に配置した発光装置およびその製造方法が開示されている。
上記特許文献の技術では、カップ内に反射材入りの第１樹脂を注入した後、第１樹脂に遠心力をかけることにより、反射材の層をカップの底面側および側面側に配置する。この際、反射材の層の配置は、例えば、カップの底面が外側になるような回転軸で遠心力をかけ、同時に、カップの側面が外側になるような回転軸で遠心力をかけることにより行う。
しかしながら上記技術では、反射材の沈降について高精度な調整が必要であり、反射材の層がカップの底面から側面の上端まで連続して配置されない場合も想定される。そのため、上記特許文献の発光装置の発光効率は高いものの、さらなる改善の余地がある。
しかしながら上記技術では、反射材の沈降について高精度な調整が必要であり、反射材の層がカップの底面から側面の上端まで連続して配置されない場合も想定される。そのため、上記特許文献の発光装置の発光効率は高いものの、さらなる改善の余地がある。
本開示に係る実施形態は、発光効率が高い発光装置の製造方法および発光装置を提供することを課題とする。
本開示の実施形態に係る発光装置の製造方法は、凹部を有するパッケージの前記凹部の底面に発光素子を載置する工程と、前記凹部の側面を第１反射材を含有する第１樹脂で被覆して第１反射層を形成する工程と、前記第１反射層に当接して、前記凹部の底面を第２反射材を含有する第２樹脂で被覆して第２反射層を形成する工程と、前記第２反射層および前記発光素子上に、蛍光体を含有する第３樹脂による光透過層を配置する工程と、を有し、前記第２反射層を形成する工程は、遠心力によって前記第２樹脂に含有される前記第２反射材を沈降させて前記第２反射材を含有する含有層と透光層とをこの順に前記凹部の底面に形成するとともに、前記発光素子の側面の少なくとも一部に前記含有層が対向しないように前記第２反射層を形成する。
本開示の実施形態に係る発光装置の製造方法は、凹部を有するパッケージの前記凹部の底面に発光素子を載置する工程と、前記凹部の側面を第１反射材を含有する第１樹脂で被覆して第１反射層を形成する工程と、前記第１反射層に当接して、前記凹部の底面を第２反射材を含有する第２樹脂で被覆して第２反射層を形成する工程と、前記第２反射層および前記発光素子上に、蛍光体を含有する第３樹脂による光透過層を配置する工程と、を有し、前記第２反射層を形成する工程は、前記第２樹脂を前記凹部の底面における前記凹部の側面と前記発光素子との間にポッティングにより配置し、前記凹部の底面が外側になるような回転軸で前記パッケージに遠心力をかけることにより、前記第１反射層から露出する前記凹部の底面全てを被覆するように前記第２樹脂の形状を変化させるとともに、遠心力がかかった状態で前記第２樹脂を硬化させる。
本開示の実施形態に係る発光装置は、凹部を有するパッケージと、前記凹部の底面に載置された発光素子と、第１反射材を含有する第１樹脂により前記凹部の側面を被覆して形成される第１反射層と、前記第１反射層に当接して、第２反射材を含有する第２樹脂により前記凹部の底面を被覆して形成される第２反射層と、前記第２反射層および前記発光素子上に配置された、蛍光体を含有する第３樹脂による光透過層と、を備え、前記第１反射層は、前記第１反射材が前記第１樹脂中に分散しており、前記第２反射層は、前記第２反射材を含有する含有層と透光層とがこの順に前記凹部の底面に設けられており、前記発光素子の側面の少なくとも一部が前記含有層に対向しない。
本開示に係る実施形態の発光装置の製造方法は、発光効率が高い発光装置を製造することができる。
本開示に係る実施形態の発光装置は、発光効率が高い。
本開示に係る実施形態の発光装置は、発光効率が高い。
実施形態を、以下に図面を参照しながら説明する。ただし、以下に示す形態は、本実施形態の技術思想を具現化するための発光装置の製造方法および発光装置を例示するものであって、以下に限定するものではない。また、実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特定的な記載がない限り、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる例示に過ぎない。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするために誇張していることがある。
《実施形態》
図１Ａは、実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す斜視図である。図１Ｂは、図１ＡのＩＢ−ＩＢ線における断面図である。図１Ｃは、実施形態に係る発光装置の構成の一部を模式的に示す断面図である。
図１Ａは、実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す斜視図である。図１Ｂは、図１ＡのＩＢ−ＩＢ線における断面図である。図１Ｃは、実施形態に係る発光装置の構成の一部を模式的に示す断面図である。
［発光装置］
発光装置１００は、凹部１５を有するパッケージ１０と、凹部１５の底面に載置された発光素子２０と、凹部１５の側面を被覆して形成される第１反射層３０と、第１反射層３０に当接して凹部１５の底面を被覆して形成される第２反射層４０と、第２反射層４０および発光素子２０上に配置された、蛍光体５１を含有する光透過層５０と、備えている。
発光装置１００は、凹部１５を有するパッケージ１０と、凹部１５の底面に載置された発光素子２０と、凹部１５の側面を被覆して形成される第１反射層３０と、第１反射層３０に当接して凹部１５の底面を被覆して形成される第２反射層４０と、第２反射層４０および発光素子２０上に配置された、蛍光体５１を含有する光透過層５０と、備えている。
パッケージ１０は、絶縁性基板２と、絶縁性基板２における基板部２ａの上面に設けられる第１配線部３と、基板部２ａの下面に設けられる第２配線部５と、基板部２ａの側面に設けられる第３配線部６と、第１配線部３と第２配線部５とを電気的に接続するビア４と、を備えている。パッケージ１０は、平面視において略矩形に形成されており、凹部１５を有する。凹部１５の開口は、平面視において略矩形に形成されている。
絶縁性基板２は、発光素子２０を載置する基板部２ａと、この基板部２ａの上面側の周縁に形成される第１壁面部２ｂと、この第１壁面部２ｂに積層される第２壁面部２ｃと、を備えている。絶縁性基板２は、第１壁面部２ｂおよび第２壁面部２ｃの内側となる中央に開口を有する凹形状に形成されている。
基板部２ａ、第１壁面部２ｂ、第２壁面部２ｃは、段差が内側に形成されるように設けられている。第１壁面部２ｂおよび第２壁面部２ｃは、外周側面を同一な側面とし、内周側面が第２壁面部２ｃよりも第１壁面部２ｂが内側に位置するように形成されている。第１壁面部２ｂが第２壁面部２ｃよりも内側に位置することで、後述する第１反射層３０が傾斜し易くなる。なお、凹部１５の側面は段差ではなく底面から開口に向かって幅が大きくなる傾斜面であってもよい。
基板部２ａ、第１壁面部２ｂ、第２壁面部２ｃは、段差が内側に形成されるように設けられている。第１壁面部２ｂおよび第２壁面部２ｃは、外周側面を同一な側面とし、内周側面が第２壁面部２ｃよりも第１壁面部２ｂが内側に位置するように形成されている。第１壁面部２ｂが第２壁面部２ｃよりも内側に位置することで、後述する第１反射層３０が傾斜し易くなる。なお、凹部１５の側面は段差ではなく底面から開口に向かって幅が大きくなる傾斜面であってもよい。
絶縁性基板２としては、例えば、ＰＰＡ（ポリフタルアミド）、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）、または、液晶ポリマー等の熱可塑性樹脂や、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、または、フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂を用いることができる。また、絶縁性基板２は、ガラスエポキシ樹脂、セラミックス、ガラス等を用いることがより好ましい。なお、絶縁性基板２にセラミックスを用いる場合には、特に、アルミナ、窒化アルミニウム、ムライト、炭化ケイ素、窒化ケイ素等を用いることが好ましい。
第１配線部３は、基板部２ａの上面に設けられ、発光素子２０と電気的に接続される。この第１配線部３は、正負一対の電極として第１リード３ａおよび第２リード３ｂを備えており、第１リード３ａおよび第２リード３ｂ上に発光素子２０がフリップチップ実装されている。
第２配線部５は、基板部２ａの下面に設けられ、発光装置１００の外部電極として、外部電源と電気的に接続される。
ビア４は基板部２ａを貫通する貫通孔内に、第３配線部６は基板部２ａの側面に、それぞれ設けられ、第１配線部３と第２配線部５とを電気的に接続している。第１配線部３と第２配線部５とが電気的に接続されれば、ビア４と第３配線部６とのどちらかは省略することができる。
第２配線部５は、基板部２ａの下面に設けられ、発光装置１００の外部電極として、外部電源と電気的に接続される。
ビア４は基板部２ａを貫通する貫通孔内に、第３配線部６は基板部２ａの側面に、それぞれ設けられ、第１配線部３と第２配線部５とを電気的に接続している。第１配線部３と第２配線部５とが電気的に接続されれば、ビア４と第３配線部６とのどちらかは省略することができる。
第１配線部３、第２配線部５および第３配線部６としては、例えば、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、または、これらの一種を含む合金を用いることができる。
また、第１配線部３、第２配線部５および第３配線部６は、表面にめっき層７が形成されていてもよい。めっき層７は、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、または、これらの一種を含む合金を用いることができる。めっき層７がこれらの材料であれば、発光素子２０からの光の反射率をより高めることができる。
また、第１配線部３、第２配線部５および第３配線部６は、表面にめっき層７が形成されていてもよい。めっき層７は、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、または、これらの一種を含む合金を用いることができる。めっき層７がこれらの材料であれば、発光素子２０からの光の反射率をより高めることができる。
発光素子２０は、透光性の基板２１と基板２１上に形成された半導体層２２を含む。基板２１は絶縁性のものを使用できる他、導電性のものも使用することができる。発光素子２０の形状や大きさ等は任意のものを選択できる。発光素子２０の発光色としては、用途に応じて任意の波長のものを選択することができる。例えば、青色（波長４３０〜４９０ｎｍの光）の発光素子２０としては、ＧａＮ系やＩｎＧａＮ系を用いることができる。ＩｎＧａＮ系としては、ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ（０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１、Ｘ＋Ｙ≦１）等を用いることができる。
発光素子２０の厚み（例えば半導体層２２の下面から基板２１の上面までの高さ）は、例えば、１００μｍ以上３００μｍ以下である。
発光素子２０の厚み（例えば半導体層２２の下面から基板２１の上面までの高さ）は、例えば、１００μｍ以上３００μｍ以下である。
第１反射層３０および第２反射層４０は、発光素子２０から出射された光を反射させる部材である。
発光素子２０から出射される光が凹部１５の底面や側面で透過、吸収されないように、凹部１５内の表面は第１反射層３０および第２反射層４０で被覆されることが好ましく、凹部１５内の表面全てが第１反射層３０および第２反射層４０で被覆されることがより好ましい。また、発光素子２０から出射される光の取り出しを妨げないように、発光素子２０の上面および側面は第１反射層３０および第２反射層４０で被覆されないように、発光素子２０の表面は第２反射層４０から露出することが好ましい。
発光素子２０から出射される光が凹部１５の底面や側面で透過、吸収されないように、凹部１５内の表面は第１反射層３０および第２反射層４０で被覆されることが好ましく、凹部１５内の表面全てが第１反射層３０および第２反射層４０で被覆されることがより好ましい。また、発光素子２０から出射される光の取り出しを妨げないように、発光素子２０の上面および側面は第１反射層３０および第２反射層４０で被覆されないように、発光素子２０の表面は第２反射層４０から露出することが好ましい。
第１反射層３０は、第１反射材３１を含有する第１樹脂によりパッケージ１０の凹部１５の側面を被覆して形成されている。第１反射層３０は、発光素子２０の側面から離間して、凹部１５の底面の外縁を被覆している。また、第１反射層３０は、凹部１５の底面の外縁から凹部１５の側面まで連続して被覆している。第１反射層３０は凹部１５の側面の略全てを被覆することがより好ましいが、少なくとも、発光装置１００の断面視において発光素子２０の上面よりも第１反射材３１の上端が高くなるように凹部１５の側面を被覆することが好ましい。
第１反射層３０は、第１反射材３１が第１樹脂中に分散している。ここで、第１反射材３１が第１樹脂中に分散しているとは、反射層としての機能を有する程度に反射材が分散していればよいことを意味し、例えば、従来公知の方法で反射材を含有する樹脂を塗布した場合の分散状態であればよい。なお、第１反射層３０は、反射層としての機能を有していれば、第１反射材３１が部分的に偏って配置されていても構わない。
第１反射層３０に対する第１反射材３１の含有濃度は、例えば１０質量％以上５０質量％以下である。
第１反射層３０が凹部１５の側面を被覆することで、凹部１５の側面による光の透過および吸収を防止することができる。
第１反射層３０に対する第１反射材３１の含有濃度は、例えば１０質量％以上５０質量％以下である。
第１反射層３０が凹部１５の側面を被覆することで、凹部１５の側面による光の透過および吸収を防止することができる。
第２反射層４０は、第１反射層３０に当接して、第２反射材４１を含有する第２樹脂によりパッケージ１０の凹部１５の底面を被覆して形成されている。第２反射層４０は、凹部１５の底面において絶縁性基板２における基板部２ａの上面および第１配線部３を被覆するとともに、第１反射層３０の一部を被覆している。第２反射層４０は、凹部１５の底面を略均一な厚みで被覆している。
第２反射層４０が凹部１５の底面を被覆することで、めっき層７や基板部２ａによる光の透過および吸収を防止することができる。
第２反射層４０が凹部１５の底面を被覆することで、めっき層７や基板部２ａによる光の透過および吸収を防止することができる。
第２反射層４０は、発光素子２０の側面の少なくとも一部が第２反射層４０から露出するように設けられている。ここでは、発光素子２０の側面の半導体層２２側（つまり凹部１５の底面側）に位置する一部のみが第２反射層４０に被覆されており、側面のその他の部位は、第２反射層４０から露出し、光透過層５０で被覆されている。
なお、発光素子２０の側面とは、ここでは、基板２１の側面と半導体層２２の側面とを合わせた部分である。
第２反射層４０は断面視において、第２反射材４１が底面側に偏って配置されている。
第２反射層４０は、第２反射材４１を含有する含有層４０ａと透光層４０ｂとを凹部１５の底面側から順に備えることが好ましい。含有層４０ａは第２反射材４１が沈降してできた層であり、第２反射層４０の深さ方向において、第２反射材４１が高濃度に配置される領域である。透光層４０ｂは第２反射材４１が沈降することにより上方にできる樹脂を主体とする層である。つまり、含有層４０ａと透光層４０ｂとの間には明確な界面は形成されていない。
なお、発光素子２０の側面とは、ここでは、基板２１の側面と半導体層２２の側面とを合わせた部分である。
第２反射層４０は断面視において、第２反射材４１が底面側に偏って配置されている。
第２反射層４０は、第２反射材４１を含有する含有層４０ａと透光層４０ｂとを凹部１５の底面側から順に備えることが好ましい。含有層４０ａは第２反射材４１が沈降してできた層であり、第２反射層４０の深さ方向において、第２反射材４１が高濃度に配置される領域である。透光層４０ｂは第２反射材４１が沈降することにより上方にできる樹脂を主体とする層である。つまり、含有層４０ａと透光層４０ｂとの間には明確な界面は形成されていない。
また、第２反射層４０は、発光素子２０の側面の少なくとも一部が含有層４０ａに対向しないように設けられるが、発光素子２０の側面の略全てが含有層４０ａに対向しないように設けられることが好ましい。つまり、発光素子２０の側面の略全てが含有層４０ａで被覆されないことが好ましい。ここでは、発光素子２０の側面の実装面側の一部の領域のみが含有層４０ａに被覆されており、側面の他の領域は、含有層４０ａから露出し、透光層４０ｂおよび光透過層５０で被覆されている。ここでは、発光素子２０の側面に対して、含有層４０ａで半導体層２２の側面全体を被覆しないように第２反射層４０を配置している。
発光素子２０の半導体層２２の側面の少なくとも一部が含有層４０ａに対向しないように設けられていることで、発光素子２０の側面からの光取り出し効率が向上し、発光素子２０の側方の領域における配光色度を改善することができる。
発光素子２０の半導体層２２の側面の少なくとも一部が含有層４０ａに対向しないように設けられていることで、発光素子２０の側面からの光取り出し効率が向上し、発光素子２０の側方の領域における配光色度を改善することができる。
第２反射層４０は、発光素子２０の側面の少なくとも一部が含有層４０ａに対向しないように設けられていればよい。しかし、前記効果をより向上させるため、含有層４０ａに対向する発光素子２０の側面の面積は少ないほうが好ましく、発光素子２０の側面の全てが含有層４０ａに対向しないように設けられていることがより好ましい（図４、５参照）。
なお、発光素子２０の側面の少なくとも一部が含有層４０ａに対向しないように第２反射層４０が設けられているとは、発光素子２０の全ての側面において、各側面のそれぞれの少なくとも一部が含有層４０ａに対向しないように第２反射層４０が設けられているという意味である。
なお、発光素子２０の側面の少なくとも一部が含有層４０ａに対向しないように第２反射層４０が設けられているとは、発光素子２０の全ての側面において、各側面のそれぞれの少なくとも一部が含有層４０ａに対向しないように第２反射層４０が設けられているという意味である。
第２反射層４０の厚みは、例えば１０μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましい。第２反射層４０の厚みが１０μｍ以上であれば、第２反射層４０を形成し易くなる。また、第２反射層４０の厚みが２００μｍ以下であれば、前記した発光素子２０の側面の少なくとも一部が対向しないように含有層４０ａを設けることによる効果をより向上させることができる。
また、第２反射層４０の厚みを、例えば１０μｍ以上２００μｍ以下の範囲とすることで、第２反射材４１を遠心沈降させる工程において、表面張力による第２反射層４０の発光素子２０の側面への這い上がりを抑制し、第２反射層４０を配置することができる。また、第２反射層４０の厚みが、発光素子２０と、発光素子２０と絶縁性基板２との接合部材（例えばバンプ）の厚み以下であれば、前記した発光素子２０の側面と対向しないように含有層４０ａを設けることによる効果をより向上させることができる。
第２反射層４０における含有層４０ａの厚みは、第２反射層４０の厚みの１０％以上１００％以下であることが好ましく、２５％以上５０％以下であることがより好ましい。
第２反射層４０における含有層４０ａの厚み割合が小さくなるほど、含有層４０ａ中における第２反射材４１の濃度を高くすることができる。含有層４０ａに対する第２反射材４１の含有濃度は、第１反射層３０に対する第１反射材３１の含有濃度よりも大きいことが好ましい。第２反射層４０は発光素子２０の側面を露出させるため、より薄い層で配置されることが好ましい。このため、含有層４０ａにおける第２反射材４１の含有濃度を高くすることで、発光素子２０の側面を露出させることによる光取り出し効率の向上と、凹部１５の底面における光の透過および吸収の抑制を両立させることができる。含有層４０ａに対する第２反射材４１の含有濃度は、例えば５０質量％以上７０質量％とすることができる。
また、発光素子２０の側面の一部が含有層４０ａに対向する場合、含有層４０ａの厚みは、発光素子２０の側面の厚みの１／４以下が好ましく、１／６以下がより好ましく、１／８以下がさらに好ましい。
第２反射層４０における含有層４０ａの厚み割合が小さくなるほど、含有層４０ａ中における第２反射材４１の濃度を高くすることができる。含有層４０ａに対する第２反射材４１の含有濃度は、第１反射層３０に対する第１反射材３１の含有濃度よりも大きいことが好ましい。第２反射層４０は発光素子２０の側面を露出させるため、より薄い層で配置されることが好ましい。このため、含有層４０ａにおける第２反射材４１の含有濃度を高くすることで、発光素子２０の側面を露出させることによる光取り出し効率の向上と、凹部１５の底面における光の透過および吸収の抑制を両立させることができる。含有層４０ａに対する第２反射材４１の含有濃度は、例えば５０質量％以上７０質量％とすることができる。
また、発光素子２０の側面の一部が含有層４０ａに対向する場合、含有層４０ａの厚みは、発光素子２０の側面の厚みの１／４以下が好ましく、１／６以下がより好ましく、１／８以下がさらに好ましい。
第１樹脂および第２樹脂に用いる樹脂材料としては、例えば、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂等が挙げられる。
第１樹脂と第２樹脂とは、同じ樹脂材料を用いてもよいし、異なる樹脂材料を用いてもよい。
第１樹脂と第２樹脂とは、同じ樹脂材料を用いてもよいし、異なる樹脂材料を用いてもよい。
第２樹脂の粘度は、室温（２０±５℃）で、０．３Ｐａ・ｓ以上１５Ｐａ・ｓ以下であることが好ましい。第２樹脂の粘度が０．３Ｐａ・ｓ以上であれば、ポッティングにより凹部１５の底面に第２樹脂を容易に配置しやすい。また、第２樹脂の粘度が１５Ｐａ・ｓ以下であれば、遠心力による第２反射層４０の形状変化が容易となる。さらに遠心力により第２反射材４１を沈降させ易くなる。なお、上述した効果を得るためのより好ましい第２樹脂の粘度は、０．５Ｐａ・ｓ以上６Ｐａ・ｓ以下である。
なお、ここでの第２樹脂の粘度は、第２反射材４１を含有した状態の粘度であり、後述するように、遠心力によって第２樹脂に含有される第２反射材４１を沈降させる前の粘度である。
なお、ここでの第２樹脂の粘度は、第２反射材４１を含有した状態の粘度であり、後述するように、遠心力によって第２樹脂に含有される第２反射材４１を沈降させる前の粘度である。
第１反射材３１および第２反射材４１に用いられる光反射材としては、例えば、酸化チタン、シリカ、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム、チタン酸カリウム、酸化亜鉛、窒化硼素等が挙げられる。なかでも、光反射の観点から、屈折率が比較的高い酸化チタンを用いることが好ましい。
第１反射材３１と第２反射材４１とは、同じ種類であってもよいし、異なる種類であってもよい。
第１反射材３１と第２反射材４１とは、同じ種類であってもよいし、異なる種類であってもよい。
第２反射材４１としては、第２樹脂に用いる樹脂材料よりも比重の大きいものを用いることが好ましい。第２反射材４１と樹脂材料との比重差により、遠心力で第２反射材４１を底面側に沈降させやすくなる。さらに、第２反射材４１に粒径の大きいものを使用することにより、より早く第２反射材４１を底面側に沈降させることができる。
また、遠心力を用いることで第２反射材４１が高密度に配置されるため、粒子間の間隔が小さくなり、光の漏れや光透過が抑制され、第２反射層４０における光反射率を向上させることができる。
第２反射材４１の粒径は、０．１μｍ以上１．０μｍ以下であることが好ましい。第２反射材４１の粒径が０．１μｍ以上であれば、遠心力により第２反射材４１を沈降させ易くなる。また、第２反射材４１の粒径が１．０μｍ以下であれば、可視光を光反射させやすい。第２反射材４１の粒径は、上記観点から、より好ましくは０．４μｍ以上０．６μｍ以下である。
また、遠心力を用いることで第２反射材４１が高密度に配置されるため、粒子間の間隔が小さくなり、光の漏れや光透過が抑制され、第２反射層４０における光反射率を向上させることができる。
第２反射材４１の粒径は、０．１μｍ以上１．０μｍ以下であることが好ましい。第２反射材４１の粒径が０．１μｍ以上であれば、遠心力により第２反射材４１を沈降させ易くなる。また、第２反射材４１の粒径が１．０μｍ以下であれば、可視光を光反射させやすい。第２反射材４１の粒径は、上記観点から、より好ましくは０．４μｍ以上０．６μｍ以下である。
光透過層５０は、蛍光体５１を含有する第３樹脂により形成される。光透過層５０は、第１反射層３０に当接して、第２反射層４０および前記発光素子２０上に配置されて形成されている。
第３樹脂に用いる樹脂材料としては、例えば、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂等が挙げられる。第３樹脂に用いる樹脂材料は、第１樹脂および第２樹脂と同じ樹脂材料であってもよいし、異なる樹脂材料であってもよい。また、第１樹脂および第２樹脂に耐熱性の高い樹脂を用い、第３樹脂に硬質の樹脂を用いることもできる。
シリコーン樹脂は、エポキシ樹脂よりも一般に４５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下付近での耐光性が高く、また、エポキシ樹脂はシリコーン樹脂よりも硬質である。そのため、第１樹脂および第２樹脂にシリコーン樹脂を用い、第３樹脂にエポキシ樹脂を用いてもよい。
第３樹脂に用いる樹脂材料としては、例えば、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂等が挙げられる。第３樹脂に用いる樹脂材料は、第１樹脂および第２樹脂と同じ樹脂材料であってもよいし、異なる樹脂材料であってもよい。また、第１樹脂および第２樹脂に耐熱性の高い樹脂を用い、第３樹脂に硬質の樹脂を用いることもできる。
シリコーン樹脂は、エポキシ樹脂よりも一般に４５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下付近での耐光性が高く、また、エポキシ樹脂はシリコーン樹脂よりも硬質である。そのため、第１樹脂および第２樹脂にシリコーン樹脂を用い、第３樹脂にエポキシ樹脂を用いてもよい。
蛍光体５１は、発光素子２０の上面、第１反射層３０の内側面、および第２反射層４０の上面に配置されている。蛍光体５１を発光素子２０の上面に配置することで、発光素子２０からの光を効率良く波長変換し、外部に放出することができる。また、蛍光体５１を第１反射層３０の内側面に配置することで、第１反射層３０で反射された光を効率良く波長変換し、外部に放出することができる。また、蛍光体５１を第２反射層４０の上面に配置することで、第２反射層４０で反射された光を効率良く波長変換し、外部に放出することができる。
蛍光体５１としては、第３樹脂に用いる樹脂材料よりも比重が大きいものを用いることが好ましい。これにより、第３樹脂中において蛍光体５１を凹部１５の底面側に自然沈降させることができる。また、蛍光体５１は第３樹脂中において遠心力により強制沈降されていてもよい。
蛍光体５１の粒径は、例えば、３μｍ以上５０μｍ以下が挙げられる。
蛍光体５１は、第３樹脂中に分散されていてもよい。第３樹脂中に蛍光体５１を分散することで、発光装置１００から放出される光の配向のバラツキを低減することができる。
蛍光体５１の粒径は、例えば、３μｍ以上５０μｍ以下が挙げられる。
蛍光体５１は、第３樹脂中に分散されていてもよい。第３樹脂中に蛍光体５１を分散することで、発光装置１００から放出される光の配向のバラツキを低減することができる。
蛍光体５１としては、当該分野で公知のものを使用することができる。例えば、ＹＡＧ（Ｙ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ）やシリケート等の黄色蛍光体、ＣＡＳＮ（ＣａＡｌＳｉＮ3：Ｅｕ）やＫＳＦ（Ｋ2ＳｉＦ6：Ｍｎ）等の赤色蛍光体、あるいは、クロロシリケートやＢａＳｉＯ4：Ｅｕ2+等の緑色蛍光体を用いることができる。
［発光装置の動作］
発光装置１００を駆動すると、第１配線部３、ビア４、第２配線部５および第３配線部６を介して外部電源から発光素子２０に電流が供給され、発光素子２０が発光する。発光素子２０が発光した光は、上方へ進む光Ｌ１は、発光装置１００の上方の外部に取り出される。また、下方へ進む光Ｌ２は、含有層４０ａで反射され、凹部１５の開口方向に放出されて発光装置１００の外部に取り出される。また、横方向へ進む光Ｌ３は、第１反射層３０で反射され、凹部１５の開口方向に放出されて発光装置１００の外部に取り出される。これにより発光素子２０から出射された光が凹部１５の底面および側面から漏れるのを極力抑えることができ、光取り出し効率を向上させることができる。また、色ムラを低減させることができる。
発光装置１００を駆動すると、第１配線部３、ビア４、第２配線部５および第３配線部６を介して外部電源から発光素子２０に電流が供給され、発光素子２０が発光する。発光素子２０が発光した光は、上方へ進む光Ｌ１は、発光装置１００の上方の外部に取り出される。また、下方へ進む光Ｌ２は、含有層４０ａで反射され、凹部１５の開口方向に放出されて発光装置１００の外部に取り出される。また、横方向へ進む光Ｌ３は、第１反射層３０で反射され、凹部１５の開口方向に放出されて発光装置１００の外部に取り出される。これにより発光素子２０から出射された光が凹部１５の底面および側面から漏れるのを極力抑えることができ、光取り出し効率を向上させることができる。また、色ムラを低減させることができる。
［発光装置１００の製造方法］
次に、実施形態に係る発光装置の製造方法の一例について説明する。
図２は、実施形態に係る発光装置の製造方法のフローチャートである。図３Ａは、実施形態に係る発光装置の製造方法において、発光素子を載置する工程を示す断面図である。図３Ｂは、実施形態に係る発光装置の製造方法において、第１反射層を形成する工程を示す断面図である。図３Ｃは、実施形態に係る発光装置の製造方法において、第１反射層を形成する工程を示す平面図である。図３Ｄは、実施形態に係る発光装置の製造方法において、第２反射層を形成する工程を示す模式図であり、パッケージの凹部の底面を第２樹脂で被覆し、遠心力によって第２反射材を沈降させる工程を示す模式図である。図３Ｅは、実施形態に係る発光装置の製造方法において、第２反射層を形成する工程を示す断面図であり、遠心力によって第２反射材を沈降させた後の状態を示す断面図である。図３Ｆは、実施形態に係る発光装置の製造方法において、光透過層を配置する工程を示す断面図である。
次に、実施形態に係る発光装置の製造方法の一例について説明する。
図２は、実施形態に係る発光装置の製造方法のフローチャートである。図３Ａは、実施形態に係る発光装置の製造方法において、発光素子を載置する工程を示す断面図である。図３Ｂは、実施形態に係る発光装置の製造方法において、第１反射層を形成する工程を示す断面図である。図３Ｃは、実施形態に係る発光装置の製造方法において、第１反射層を形成する工程を示す平面図である。図３Ｄは、実施形態に係る発光装置の製造方法において、第２反射層を形成する工程を示す模式図であり、パッケージの凹部の底面を第２樹脂で被覆し、遠心力によって第２反射材を沈降させる工程を示す模式図である。図３Ｅは、実施形態に係る発光装置の製造方法において、第２反射層を形成する工程を示す断面図であり、遠心力によって第２反射材を沈降させた後の状態を示す断面図である。図３Ｆは、実施形態に係る発光装置の製造方法において、光透過層を配置する工程を示す断面図である。
発光装置１００の製造方法は、発光素子を載置する工程Ｓ１０１と、第１反射層を形成する工程Ｓ１０２と、第２樹脂を準備する工程Ｓ１０３と、第２反射層を形成する工程Ｓ１０４と、光透過層を配置する工程Ｓ１０５と、を有する。なお、各部材の材質や配置等については、前記した発光装置１００の説明で述べた通りであるので、ここでは適宜、説明を省略する。
（発光素子を載置する工程）
発光素子を載置する工程Ｓ１０１は、凹部１５を有するパッケージ１０の凹部１５の底面に発光素子２０を載置する工程である。
この工程Ｓ１０１では、発光素子２０を凹部１５の底面に載置する。発光素子２０は、電極形成面を実装面として、導電性接着材により凹部の底面の略中央にフリップチップ実装されている。導電性接着材としては、例えば共晶はんだ、導電ペースト、バンプ等を用いればよい。また、発光素子２０はフェイスアップ実装されていてもよく、この場合、非導電性の接着材を用いてもよい。
発光素子を載置する工程Ｓ１０１は、凹部１５を有するパッケージ１０の凹部１５の底面に発光素子２０を載置する工程である。
この工程Ｓ１０１では、発光素子２０を凹部１５の底面に載置する。発光素子２０は、電極形成面を実装面として、導電性接着材により凹部の底面の略中央にフリップチップ実装されている。導電性接着材としては、例えば共晶はんだ、導電ペースト、バンプ等を用いればよい。また、発光素子２０はフェイスアップ実装されていてもよく、この場合、非導電性の接着材を用いてもよい。
（第１反射層を形成する工程）
第１反射層を形成する工程Ｓ１０２は、凹部１５の側面を第１反射材３１を含有する第１樹脂で被覆して第１反射層３０を形成する工程である。
この工程Ｓ１０２では、例えば、ポッティングにより、凹部１５の側面を被覆する第１樹脂を配置する。第１樹脂の凹部１５への配置は、第１樹脂が充填された樹脂吐出装置の先端のノズルから未硬化の樹脂材料を凹部１５の底面の外縁近傍（好ましくは側面との境界）に吐出することで行うことができる。未硬化の第１樹脂は凹部１５の側面に濡れ広がり、凹部１５の側面を被覆する。この際、凹部１５の底面にも第１樹脂が流動するため、第１樹脂は凹部１５の底面の外縁の一部を被覆している。ここでは、第１樹脂が発光素子２０の側面から離間して、かつ、凹部１５の側面の上方に這い上がるように、第１樹脂の粘度および形成位置を調整しておくことが好ましい。第１反射層３０をポッティングにより形成する場合、第１樹脂の粘度は、例えば室温（２０±５℃）で、１Ｐａ・ｓ〜５０Ｐａ・ｓに調整される。
第１反射層を形成する工程Ｓ１０２は、凹部１５の側面を第１反射材３１を含有する第１樹脂で被覆して第１反射層３０を形成する工程である。
この工程Ｓ１０２では、例えば、ポッティングにより、凹部１５の側面を被覆する第１樹脂を配置する。第１樹脂の凹部１５への配置は、第１樹脂が充填された樹脂吐出装置の先端のノズルから未硬化の樹脂材料を凹部１５の底面の外縁近傍（好ましくは側面との境界）に吐出することで行うことができる。未硬化の第１樹脂は凹部１５の側面に濡れ広がり、凹部１５の側面を被覆する。この際、凹部１５の底面にも第１樹脂が流動するため、第１樹脂は凹部１５の底面の外縁の一部を被覆している。ここでは、第１樹脂が発光素子２０の側面から離間して、かつ、凹部１５の側面の上方に這い上がるように、第１樹脂の粘度および形成位置を調整しておくことが好ましい。第１反射層３０をポッティングにより形成する場合、第１樹脂の粘度は、例えば室温（２０±５℃）で、１Ｐａ・ｓ〜５０Ｐａ・ｓに調整される。
また、この工程Ｓ１０２では、予め凹部１５の内面を有機溶剤で浸しておくこともできる。予め凹部１５の内面を有機溶剤で浸しておくことで、第１樹脂の凹部１５の側面への這い上がりを促進することができる。また、凹部１５の側面に濡れ性の高い材料を用いたり、側面の表面を粗面加工したりすること等でも、凹部１５の側面への這い上がりを促進することができる。
なお、硬化前の第１樹脂には第１反射材３１が混合されており、第１樹脂中に含有される第１反射材３１の含有濃度は、１０質量％以上５０質量％以下とすることが好ましい。
第１樹脂は、第１樹脂をポッティングにより凹部１５の底面の外縁近傍に配置することで、第１樹脂が凹部１５の側面に濡れ広がる。なおこの際、第１反射層３０は、第１反射材３１が第１樹脂中に分散した状態である。
その後、例えば、１２０℃以上２００℃以下の温度で第１樹脂を硬化させ、第１反射層３０を形成する。第１樹脂の硬化は、第１樹脂が凹部１５の側面に濡れ広がった後で、パッケージが静置した状態で行うことが好ましい。
この工程Ｓ１０２では、第１反射層３０は、平面視で、内縁部分が円形になるように形成される。
なお、硬化前の第１樹脂には第１反射材３１が混合されており、第１樹脂中に含有される第１反射材３１の含有濃度は、１０質量％以上５０質量％以下とすることが好ましい。
第１樹脂は、第１樹脂をポッティングにより凹部１５の底面の外縁近傍に配置することで、第１樹脂が凹部１５の側面に濡れ広がる。なおこの際、第１反射層３０は、第１反射材３１が第１樹脂中に分散した状態である。
その後、例えば、１２０℃以上２００℃以下の温度で第１樹脂を硬化させ、第１反射層３０を形成する。第１樹脂の硬化は、第１樹脂が凹部１５の側面に濡れ広がった後で、パッケージが静置した状態で行うことが好ましい。
この工程Ｓ１０２では、第１反射層３０は、平面視で、内縁部分が円形になるように形成される。
（第２樹脂を準備する工程）
第２樹脂を準備する工程Ｓ１０３は、２液硬化性の樹脂材料の主剤と第２反射材４１とを混合し、一定時間以上経過後に硬化剤を混合する工程である。
このようにして作製した第２樹脂を用いることで、第２反射材４１と樹脂材料とのなじみを良くし、遠心力により第２反射材４１を沈降させ易くすることができる。硬化剤混合前の温度は室温程度とする。
２液硬化性の樹脂材料としては、例えば、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂等が挙げられる。
２液硬化性の樹脂材料の主剤と第２反射材４１とを混合して経過させる時間は、第２反射材４１をより沈降させ易くする観点から、好ましくは２時間以上である。また、経過させる時間は、製造時間を短縮させる観点から、好ましくは８時間以下である。なお、硬化剤を混合した後は、第２樹脂が硬化する前に次工程に移る。
第２樹脂を準備する工程Ｓ１０３は、２液硬化性の樹脂材料の主剤と第２反射材４１とを混合し、一定時間以上経過後に硬化剤を混合する工程である。
このようにして作製した第２樹脂を用いることで、第２反射材４１と樹脂材料とのなじみを良くし、遠心力により第２反射材４１を沈降させ易くすることができる。硬化剤混合前の温度は室温程度とする。
２液硬化性の樹脂材料としては、例えば、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂等が挙げられる。
２液硬化性の樹脂材料の主剤と第２反射材４１とを混合して経過させる時間は、第２反射材４１をより沈降させ易くする観点から、好ましくは２時間以上である。また、経過させる時間は、製造時間を短縮させる観点から、好ましくは８時間以下である。なお、硬化剤を混合した後は、第２樹脂が硬化する前に次工程に移る。
（第２反射層を形成する工程）
第２反射層を形成する工程Ｓ１０４は、第１反射層３０に当接して、凹部１５の底面を第２反射材４１を含有する第２樹脂で被覆して第２反射層４０を形成する工程である。
この工程Ｓ１０４では、例えば、第１樹脂と同様に、ポッティングにより、凹部１５の底面に未硬化の第２樹脂を配置する。この際、第２樹脂は、凹部１５の底面における凹部１５の側面と発光素子２０との間に配置する。なお、好ましくは、第１反射層３０に接するように第２樹脂を配置する。これにより、第２樹脂の発光素子２０側への流動を抑制することができるため、遠心回転させる前に第２樹脂が発光素子２０の側面へ這い上がってしまうことを抑制することができる。発光素子２０の側面への第２樹脂の這い上がりは、遠心回転で第２樹脂の形状が変化することにより解消されるが、第２樹脂の粘度や遠心回転速度によっては、第２樹脂が発光素子２０の側面に残ってしまう虞がある。このため、遠心回転させる前の第２樹脂は、発光素子２０の側面を被覆していないことが好ましい。
第２反射層を形成する工程Ｓ１０４は、第１反射層３０に当接して、凹部１５の底面を第２反射材４１を含有する第２樹脂で被覆して第２反射層４０を形成する工程である。
この工程Ｓ１０４では、例えば、第１樹脂と同様に、ポッティングにより、凹部１５の底面に未硬化の第２樹脂を配置する。この際、第２樹脂は、凹部１５の底面における凹部１５の側面と発光素子２０との間に配置する。なお、好ましくは、第１反射層３０に接するように第２樹脂を配置する。これにより、第２樹脂の発光素子２０側への流動を抑制することができるため、遠心回転させる前に第２樹脂が発光素子２０の側面へ這い上がってしまうことを抑制することができる。発光素子２０の側面への第２樹脂の這い上がりは、遠心回転で第２樹脂の形状が変化することにより解消されるが、第２樹脂の粘度や遠心回転速度によっては、第２樹脂が発光素子２０の側面に残ってしまう虞がある。このため、遠心回転させる前の第２樹脂は、発光素子２０の側面を被覆していないことが好ましい。
次に、凹部１５の底面に遠心力がかかる方向にパッケージ１０を遠心回転させる。これにより、第２樹脂は凹部１５の底面側に移動し凹部１５の底面を被覆する。なお、この際、第２樹脂が発光素子２０の側面の一部を被覆するとしても、遠心力により発光素子２０の側面の高さ方向への濡れ広がりが抑制される。さらに、この遠心力を利用して、第２樹脂の第２反射材４１を凹部１５の底面側に強制的に沈降させることにより、透光層４０ｂと第２反射材４１を含有する含有層４０ａが形成される。
パッケージ１０の回転は、凹部１５の底面が外側になるような回転軸８０でパッケージ１０に遠心力をかけることにより行うことが好ましい。具体的には、パッケージ１０の上面側に回転軸８０を有するように、回転軸８０を軸として公転するＡ方向にパッケージ１０を移動させる。なお、図３ＤにおけるＢ方向は、凹部１５の底面に平行な方向である。回転軸８０は、凹部１５の底面の略中心を通る垂直線上に位置する凹部１５の底面に平行な軸であり、かつ、パッケージ１０に対して凹部１５の開口部側に位置する。これにより、凹部１５の底面方向に遠心力が働き、第２樹脂のパッケージ１０の高さ方向への広がりが抑制されるとともに、第２樹脂に含有されている第２反射材４１が凹部１５の底面側（図３Ｄにおける矢印Ｃ方向）に強制的に沈降される。この状態で第２樹脂を硬化させることにより、第２反射材４１を含有する含有層４０ａと透光層４０ｂとがこの順に凹部１５の底面に形成される。
また、第２反射層４０は、塗布する量や第２樹脂に含有される第２反射材４１の含有量を適宜調整する。そして、発光素子２０の側面の少なくとも一部に含有層４０ａが対向しないように第２反射層４０を形成する。
パッケージ１０を遠心回転させる際の回転速度や回転数は、第２反射材４１の含有量や粒径等にもよるが、例えば２００ｘｇ以上の遠心力がかかるように、回転数や回転半径を調整すればよい。
パッケージ１０を遠心回転させる際の回転速度や回転数は、第２反射材４１の含有量や粒径等にもよるが、例えば２００ｘｇ以上の遠心力がかかるように、回転数や回転半径を調整すればよい。
なお、製造工程において、個片化前の集合基板の状態でパッケージ１０を遠心回転させる際には、集合基板が平板状であると、集合基板の平面積が大きくなるほど（より詳細には回転方向Ａにおける基板長さが長くなるほど）、集合基板の中心から離れた位置のパッケージ１０は回転軸８０からのずれが生じる。例えば、集合基板において、公転する円周上からＢ方向へのずれが大きくなると、第２樹脂の表面が凹部１５の底面に対して傾斜してしまい、集合基板の中で第２樹脂の表面状態にばらつきが生じる虞がある。このずれを抑制するために、回転半径を大きくすることで抑制することができる。具体的には、回転方向に配置される集合基板の長さの７０倍以上の回転半径とすることで、ずれを抑制することができる。
なお、遠心力により、集合基板が回転半径の円周に沿って撓むような可撓性を有する樹脂パッケージ１０を用いる場合は、上記ずれが生じにくくなるため、非可撓性のパッケージ１０の集合基板よりも大きい集合基板で遠心回転することができる。これにより、一回の処理数を多くすることができる。
なお、遠心力により、集合基板が回転半径の円周に沿って撓むような可撓性を有する樹脂パッケージ１０を用いる場合は、上記ずれが生じにくくなるため、非可撓性のパッケージ１０の集合基板よりも大きい集合基板で遠心回転することができる。これにより、一回の処理数を多くすることができる。
また、この工程Ｓ１０４では、第２反射材４１を沈降させながら第２樹脂を硬化させることが好ましい。第２反射材４１は、光反射の観点から粒径の小さいものを使用することが好ましいが、粒径が小さくなるほど沈降しにくくなるため、この工程では遠心力により凹部１５の底面側に第２反射材４１を強制的に沈降させている。このため、第２反射材４１を沈降させた状態で硬化させるために、本工程では、回転を維持したまま、つまり回転させながら第２樹脂の硬化工程を行うことが好ましい。
なお、回転を止めてから硬化させることも可能であるが、回転が止まると、濡れ性により樹脂が発光素子２０の側面に広がりやすくなってしまう。このため、パッケージ１０を回転させながら第２樹脂を硬化させることで、第２樹脂が発光素子２０の側面に這い上がることを防止することができる。発光素子２０の側面が第２樹脂から露出することにより、光取り出し効率をより向上させることができるとともに、発光装置１００の配光色度をより良好にすることができる。
なお、回転を止めてから硬化させることも可能であるが、回転が止まると、濡れ性により樹脂が発光素子２０の側面に広がりやすくなってしまう。このため、パッケージ１０を回転させながら第２樹脂を硬化させることで、第２樹脂が発光素子２０の側面に這い上がることを防止することができる。発光素子２０の側面が第２樹脂から露出することにより、光取り出し効率をより向上させることができるとともに、発光装置１００の配光色度をより良好にすることができる。
この際、第２樹脂を硬化させる温度は、４０℃以上２００℃以下が挙げられる。硬化させる温度を高くすることで、第２樹脂を硬化させる時間を短縮でき、効率的である。また、遠心沈降させる装置の金属が熱により膨張することで回転軸８０がぶれることを考慮すると、硬化させる温度はなるべく低いことが好ましい。つまり、第２樹脂を硬化させる温度は、効率性の観点から、好ましくは５０℃以上である。また、第２樹脂を硬化させる温度は、回転軸８０がぶれることを考慮し、好ましくは６０℃以下である。８０℃以上で硬化させる際には、少なくとも遠心回転装置の金属部分が８０℃以上とならないように、装置を調整することが好ましい。
なお、第２樹脂を構成する樹脂材料としては、回転するパッケージ１０を４０℃以上の温度に保つことで少なくとも仮硬化状態が得られる樹脂材料を選択することが好ましい。
第２反射材４１を沈降させながら第２樹脂を硬化させる方法としては、例えば、熱風をかけたり、パネルヒータ等を用いたりすることが挙げられる。
なお、第２樹脂を構成する樹脂材料としては、回転するパッケージ１０を４０℃以上の温度に保つことで少なくとも仮硬化状態が得られる樹脂材料を選択することが好ましい。
第２反射材４１を沈降させながら第２樹脂を硬化させる方法としては、例えば、熱風をかけたり、パネルヒータ等を用いたりすることが挙げられる。
（光透過層を配置する工程）
光透過層を配置する工程Ｓ１０５は、第２反射層４０および発光素子２０上に、蛍光体５１を含有する第３樹脂による光透過層５０を配置する工程である。
この工程Ｓ１０５では、ポッティングやスプレー等により、凹部１５内に第３樹脂を配置する。また、蛍光体５１は、第３樹脂中で自然沈降し、発光素子２０の上面、第１反射層３０の内側面、および第２反射層４０の上面に配置される。その後、例えば、１２０℃以上２００℃以下の温度で、第３樹脂を硬化させ、光透過層５０を形成する。
光透過層を配置する工程Ｓ１０５は、第２反射層４０および発光素子２０上に、蛍光体５１を含有する第３樹脂による光透過層５０を配置する工程である。
この工程Ｓ１０５では、ポッティングやスプレー等により、凹部１５内に第３樹脂を配置する。また、蛍光体５１は、第３樹脂中で自然沈降し、発光素子２０の上面、第１反射層３０の内側面、および第２反射層４０の上面に配置される。その後、例えば、１２０℃以上２００℃以下の温度で、第３樹脂を硬化させ、光透過層５０を形成する。
以上、本実施形態に係る発光装置の製造方法および発光装置について、発明を実施するための形態により具体的に説明したが、本発明の趣旨はこれらの記載に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて広く解釈されなければならない。また、これらの記載に基づいて種々変更、改変等したものも本発明の趣旨に含まれる。
《他の実施形態》
図４は、他の実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す断面図である。図５は、他の実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す断面図である。図６は、他の実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す断面図である。図７Ａは、他の実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す斜視図である。図７Ｂは、図７ＡのＶＩＩＢ−ＶＩＩＢ線における断面図である。図８Ａは、他の実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す平面図である。図８Ｂは、図８ＡのＶＩＩＩＢ−ＶＩＩＩＢ線における断面図である。図８Ｃは、図８ＡのＶＩＩＩＣ−ＶＩＩＩＣ線における断面図である。図９Ａは、他の実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す平面図である。図９Ｂは、図９ＡのＩＸＢ−ＩＸＢ線における断面図である。
図４は、他の実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す断面図である。図５は、他の実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す断面図である。図６は、他の実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す断面図である。図７Ａは、他の実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す斜視図である。図７Ｂは、図７ＡのＶＩＩＢ−ＶＩＩＢ線における断面図である。図８Ａは、他の実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す平面図である。図８Ｂは、図８ＡのＶＩＩＩＢ−ＶＩＩＩＢ線における断面図である。図８Ｃは、図８ＡのＶＩＩＩＣ−ＶＩＩＩＣ線における断面図である。図９Ａは、他の実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す平面図である。図９Ｂは、図９ＡのＩＸＢ−ＩＸＢ線における断面図である。
図４に示す発光装置１００Ａは、発光素子２０と凹部１５の底面との間にバンプ６０を設けている。そして、発光装置１００Ａは、バンプ６０を介して、発光素子２０を凹部１５の底面に載置している。これにより、発光素子２０を、発光素子２０の高さ方向へかさ上げしている。そして、発光素子２０の側面が第２反射材４１を含有する含有層４０ａに対向しないように、第２反射層４０が設けられている。また、発光素子２０の半導体層２２が含有層４０ａに対向しないように、第２反射層４０が設けられている。
このような構成とすることで、発光素子２０側面での反射による一次光のロスを低減することができる。また、発光素子２０の側面から取り出せる一次光が増えることで、蛍光体５１の多重励起が抑制され、発光装置１００Ａの配光色度をより改善することができる。
バンプ６０としては、例えばＡｕバンプを用いることができる。
このような構成とすることで、発光素子２０側面での反射による一次光のロスを低減することができる。また、発光素子２０の側面から取り出せる一次光が増えることで、蛍光体５１の多重励起が抑制され、発光装置１００Ａの配光色度をより改善することができる。
バンプ６０としては、例えばＡｕバンプを用いることができる。
図５に示す発光装置１００Ｂは、発光素子２０と凹部１５の底面との間にポスト７０を設けている。そして、発光装置１００Ｂは、ポスト７０を介して、発光素子２０を凹部１５の底面に載置している。これにより、発光素子２０を、発光素子２０の高さ方向へかさ上げしている。そして、発光素子２０の側面が第２反射材４１を含有する含有層４０ａに対向しないように、第２反射層４０が設けられている。また、発光素子２０の半導体層２２が含有層４０ａに対向しないように、第２反射層４０が設けられている。
このような構成とすることで、発光素子２０側面での反射による一次光のロスを低減することができる。また、発光素子２０の側面から取り出せる一次光が増えることで、蛍光体５１の多重励起が抑制され、発光装置１００Ｂの配光色度をより改善することができる。
ポスト７０としては、例えばＣｕポストを用いることができる。
このような構成とすることで、発光素子２０側面での反射による一次光のロスを低減することができる。また、発光素子２０の側面から取り出せる一次光が増えることで、蛍光体５１の多重励起が抑制され、発光装置１００Ｂの配光色度をより改善することができる。
ポスト７０としては、例えばＣｕポストを用いることができる。
図６に示す発光装置１００Ｃは、第２反射層４０の表面が開口部側に凹の表面となっている。パッケージ１０の回転速度を抑えることにより、このような表面状態とすることができる。なお、第２反射層４０は実質的に透光層４０ｂが形成されない状態であってもよい。この場合でも、回転をかけながら、すなわち遠心力がかかった状態で第２樹脂を硬化させることで、第２反射層４０による発光素子２０の側面への這い上がりを抑制しながら、第１反射層３０から露出する凹部１５の底面全てを被覆するように第２樹脂の形状を変化させることができる。
このような構成とすることで、発光素子２０側面での反射による一次光のロスを低減することができる。また、発光素子２０の側面から取り出せる一次光が増えることで、蛍光体５１の多重励起が抑制され、発光装置１００Ｃの配光色度をより改善することができる。
このような構成とすることで、発光素子２０側面での反射による一次光のロスを低減することができる。また、発光素子２０の側面から取り出せる一次光が増えることで、蛍光体５１の多重励起が抑制され、発光装置１００Ｃの配光色度をより改善することができる。
図７Ａ、７Ｂに示す発光装置１００Ｄは、パッケージ１０Ａの凹部１５の底面に、発光素子２０をフェイスアップ実装したものである。発光素子２０は、第２リード３ｂ上に載置されている。そして、ここでは、発光素子２０のＮ側電極がワイヤ２３を介して第１リード３ａに接合され、Ｐ側電極がワイヤ２４を介して第２リード３ｂに接合されている。
発光素子２０をフェイスアップ実装することで、発光素子２０の半導体層２２を光取り出し面側に配置することができ、半導体層２２が含有層４０ａに対向しないようにすることができる。
このような構成とすることで、発光素子２０側面での反射による一次光のロスを低減することができる。また、発光素子２０の側面から取り出せる一次光が増えることで、蛍光体５１の多重励起が抑制され、発光装置１００Ｄの配光色度をより改善することができる。
発光素子２０をフェイスアップ実装することで、発光素子２０の半導体層２２を光取り出し面側に配置することができ、半導体層２２が含有層４０ａに対向しないようにすることができる。
このような構成とすることで、発光素子２０側面での反射による一次光のロスを低減することができる。また、発光素子２０の側面から取り出せる一次光が増えることで、蛍光体５１の多重励起が抑制され、発光装置１００Ｄの配光色度をより改善することができる。
図８Ａ、８Ｂ、８Ｃに示す発光装置１００Ｅは、パッケージ１０Ｂが、平面視で矩形に形成されており、平面視で長方形となる矩形の凹部１５を有する。つまり、パッケージ１０Ｂは、凹部１５の側面が一方向で対向するＸ方向における距離と、Ｘ方向と直交するＹ方向における距離とが異なる。なお、ここでの矩形とは、パッケージ１０Ｂのように、角部の一部を切り欠いた形状や、凹部１５のように、角部が湾曲した形状等、概ね矩形である形状を含むものである。また、パッケージ１０Ｂの構造や部材等は、パッケージ１０Ａに準じたものであり、詳細な図示および説明は省略している。また、図８Ａにおいて、第１反射層３０の湾曲部３２は破線で示し、第２反射層４０の湾曲部は実線で示している。
発光素子２０は、平面視で、凹部１５の底面の中央に載置されている。これにより、発光装置１００Ｅは、平面視で、発光素子２０からＸ方向の凹部１５の側面までの距離と、発光素子２０からＹ方向の凹部１５の側面までの距離とが異なっている。すなわち、発光装置１００Ｅは、パッケージ１０Ｂの長手方向における、発光素子２０の側面と凹部１５の側面との距離が、パッケージ１０Ｂの短手方向における、発光素子２０の側面と凹部１５の側面との距離よりも長い。なお、ここでは、凹部１５の形状を長方形とすることで、長手方向および短手方向における発光素子２０の側面と凹部１５の側面との距離を変えるようにしているが、平面視で、凹部１５の形状を正方形とし、発光素子２０の形状を長方形とすることでもよい。このように、パッケージ１０Ｂおよび発光素子２０は、Ｘ方向およびＹ方向における発光素子２０から凹部１５の側面までの距離が異なるように形成すればよい。
第１反射層３０は、平面視で、Ｘ方向において、発光素子２０に向けて凹状に湾曲して形成される湾曲部３２と、Ｙ方向における凹部１５の側面の少なくとも一部が発光素子２０と対向するように間隙を有して形成される間隙部３３と、を有する。
第１反射層３０の湾曲部３２は、平面視で、Ｘ方向の一方側（図面上、左側）および他方側（図面上、右側）に形成され、パッケージ１０Ｂの長手方向の両側に設けられている。これにより、第１反射層３０は、凹部１５の短辺側の側面を被覆するように設けられている。湾曲部３２は、その凹湾曲部分が発光素子２０の側面の略中央に対向するように形成されている。また、湾曲部３２は、湾曲した部位の最深部が発光素子２０の側面の略中央に対向する位置になるように形成されている。
また、第１反射層３０の間隙部３３は、Ｙ方向の一方側（図面上、上側）および他方側（図面上、下側）において、発光素子２０に対向する部位に第１反射層３０がない隙間を形成するように設けられている。すなわち、平面視で、湾曲部３２の端部３２ａがＹ方向に並行な発光素子２０の側面の延長線上の位置、あるいは延長線上の位置よりも外側にある。これにより、Ｙ方向の凹部１５の側面のうち、発光素子２０に対向する部位は、第１反射層３０に対向することなく凹部１５の側面に光透過層５０を介して対向している。
第１反射層３０の湾曲部３２は、平面視で、Ｘ方向の一方側（図面上、左側）および他方側（図面上、右側）に形成され、パッケージ１０Ｂの長手方向の両側に設けられている。これにより、第１反射層３０は、凹部１５の短辺側の側面を被覆するように設けられている。湾曲部３２は、その凹湾曲部分が発光素子２０の側面の略中央に対向するように形成されている。また、湾曲部３２は、湾曲した部位の最深部が発光素子２０の側面の略中央に対向する位置になるように形成されている。
また、第１反射層３０の間隙部３３は、Ｙ方向の一方側（図面上、上側）および他方側（図面上、下側）において、発光素子２０に対向する部位に第１反射層３０がない隙間を形成するように設けられている。すなわち、平面視で、湾曲部３２の端部３２ａがＹ方向に並行な発光素子２０の側面の延長線上の位置、あるいは延長線上の位置よりも外側にある。これにより、Ｙ方向の凹部１５の側面のうち、発光素子２０に対向する部位は、第１反射層３０に対向することなく凹部１５の側面に光透過層５０を介して対向している。
このような構成とすることで、凹部１５の側面のうち、発光素子２０側面からの距離が短いＹ方向においては、発光素子２０に対向する部位には第１反射層３０が配置されないため、第２反射層４０が第１反射層３０に重なって配置されることがない。そのため、Ｙ方向における第２反射層４０の表面の平坦性が良好となる。これにより、例えば、第３樹脂中において蛍光体５１が沈降して配置される際に、蛍光体５１の沈降層の平坦性が良好となり好ましい。発光素子２０と第１反射層３０との距離が近い場合、第２反射層４０が第１反射層３０に重なって配置されると、発光素子２０の側面近傍で、蛍光体５１が発光素子２０より上方に配置される。これにより、この領域では、蛍光体５１で波長変換された二次光の割合が多くなり発光むらが生じる虞がある。
つまり、平面視において、発光素子２０の外縁と第１反射層３０（第１反射層３０が配置されない側面においては対向する凹部１５の側面）との距離を一定以上確保することで、発光素子２０の外周近傍の領域には平坦な第２反射層４０が形成され、第２反射層４０上の光透過層５０を低い位置に配置することができる。これにより、発光装置１００Ｅから出射する光の配光色度が向上する。このような観点から、平面視における発光素子２０と第１反射層３０との距離は１００μｍ以上とすることが好ましく、３００μｍ以上がより好ましい。また遠心力による第２反射層４０の形成のしやすさから、発光素子２０と第１反射層３０との距離は１５００μｍ以下とすることが好ましい。
また、このような第１反射層３０の形態は、第１反射材を含有する第１樹脂の塗布量を調整したり、塗布位置を調整したり、第１樹脂中の第１反射材の含有量を調整したりすることで制御することができる。第１樹脂中の第１反射材の含有量を調整する場合は、例えば、第１樹脂１００質量部に対して、第１反射材としてアエロジル（登録商標）を２．０質量部以上６．５質量部以下含有させることが挙げられる。
また、ここでは、第１反射層３０は、Ｙ方向における凹部１５の側面において間隙部３３が形成され、発光素子２０に対向する部位には設けられていないものとした。しかしながら、第１反射層３０は、Ｙ方向における凹部１５の側面において、発光素子２０に対向する一部の部位のみに設けられていないものとしてもよい。また、第１反射層３０は、Ｙ方向における凹部１５の側面において、発光素子２０に対向する部位以外に、発光素子２０に対向しない部位の一部にも設けられていないものとしてもよい。つまり、湾曲部３２の端部３２ａの位置をＹ方向の凹部１５の側面に沿って変えることで間隙部３３を設定することができる。
なお、発光装置１００Ｅは、保護素子９０を備えている。保護素子９０は、例えば、ツェナーダイオードである。
なお、発光装置１００Ｅは、保護素子９０を備えている。保護素子９０は、例えば、ツェナーダイオードである。
図９Ａ、９Ｂに示す発光装置１００Ｆは、パッケージ１０Ｃが、平面視で矩形に形成されており、平面視で長方形となる矩形の凹部１５を有する。パッケージ１０Ｃは、支持部材２ｄと、一対の電極である第１リード３ｃおよび第２リード３ｄと、を備えている。支持部材２ｄは、第１リード３ｃおよび第２リード３ｄを所定の配置で支持する部材である。支持部材２ｄの材料としては、例えば、発光装置１００の絶縁性基板２の材料と同じものを用いることができる。第１リード３ｃおよび第２リード３ｄとしては、例えば、発光装置１００の第１配線部３と同様のものを用いることができる。なお、図９Ａにおいて、第２反射層４０は透過させており、第１反射層３０の湾曲部３２は実線で示している。
発光素子２０は、平面視で、凹部１５の底面の中央から凹部１５の一方側にずれた位置に載置されている。ここでは、発光素子２０は、平面視で、凹部１５の底面の中央から、凹部１５のＸ方向の一方側（図面上、左側）にずれるとともにＸ方向と直交するＹ方向の他方側（図面上、下側）にずれた位置に載置されている。具体的には、発光素子２０は、第１リード３ｃ上に載置されているとともに、図面上、凹部１５の中央に対して左斜下側に載置されている。
第１反射層３０は、平面視で、対向する凹部１５の一方向の側面において、一方の側面から他方の側面に向かって湾曲する湾曲部３２を有する。具体的には、第１反射層３０の湾曲部３２は、平面視で、Ｘ方向の一方側における凹部１５の側面から、Ｘ方向の他方側（図面上、右側）における凹部１５の側面に向かって湾曲している。すなわち、湾曲部３２は、平面視で、Ｙ方向の一方から他方に向かって、Ｘ方向の一方側に向けて凹状に湾曲するように設けられている。これにより、第１反射層３０は、Ｘ方向の他方側における凹部１５の短辺側の側面を被覆するように設けられている。また、湾曲部３２の一方の端部３２ａは、Ｙ方向の一方において発光素子２０に対向する位置まで形成されている。さらに、湾曲部３２の他方の端部３２ａは、Ｙ方向の他方において発光素子２０に対向する位置には設けられていない。そのため、第１反射層３０は、発光素子２０の一方の隣り合う２つの側面の大部分に対向して設けられ、他方の隣り合う２つの側面に対向する位置には設けられていない状態となっている。湾曲部３２は、湾曲した部位の最深部が発光素子２０に対向する位置にある。
湾曲部３２の端部３２ａは、Ｙ方向の凹部１５の側面まで伸びている。具体的には、Ｙ方向の一方側（図面上、上側）における凹部１５の側面に位置する端部３２ａが、Ｙ方向の他方側（図面上、下側）における凹部１５の側面に位置する端部３２ａよりも、Ｘ方向の一方側に位置するように設けられている。このようにすることで、湾曲した部位の最深部が発光素子２０に対向する位置になるように湾曲部３２を形成することができる。
このような構成とすることで、Ｘ方向の他方側の発光素子２０の側面から、Ｘ方向の他方側の第１反射層３０までの距離が長くなり、発光装置１００Ｆの配光色度が向上する。
このような構成とすることで、Ｘ方向の他方側の発光素子２０の側面から、Ｘ方向の他方側の第１反射層３０までの距離が長くなり、発光装置１００Ｆの配光色度が向上する。
また、このような第１反射層３０の形態は、第１反射材を含有する第１樹脂の塗布量を調整したり、塗布位置を調整したり、第１樹脂中の第１反射材の含有量を調整したりすることで制御することができる。塗布位置を調整する場合、例えば、塗布位置１６から塗布することが挙げられる。
なお、図８および図９の発光装置１００Ｅ、１００Ｆでは、湾曲部３２の湾曲状態は、曲率半径が大きくなってもよく、小さくなってもよい。また、湾曲部３２は、円弧の一部であってもよい。また、湾曲部３２の最深部の位置は、Ｘ方向およびＹ方向において、適宜、ずらしたものであってもよい。
また、発光装置の製造方法は、前記各工程に悪影響を与えない範囲において、前記各工程の間、あるいは前後に、他の工程を含めてもよい。例えば、製造途中に混入した異物を除去する異物除去工程等を含めてもよい。
また、発光装置の製造方法において、一部の工程は、順序が限定されるものではなく、順序が前後してもよい。例えば、第１反射層を形成する工程を実施した後に、発光素子を載置する工程を実施してもよい。
また、例えば、前記した発光装置の製造方法は、第１反射層を形成する工程の後に、第２樹脂を準備する工程を設けるものとしたが、第２樹脂を準備する工程は、発光素子を載置する工程と第１反射層を形成する工程との間に行ってもよく、発光素子を載置する工程の前に行ってもよい。また、第２樹脂を準備する工程は設けないものであってもよい。
また、例えば、前記した発光装置の製造方法は、第１反射層を形成する工程の後に、第２樹脂を準備する工程を設けるものとしたが、第２樹脂を準備する工程は、発光素子を載置する工程と第１反射層を形成する工程との間に行ってもよく、発光素子を載置する工程の前に行ってもよい。また、第２樹脂を準備する工程は設けないものであってもよい。
２ 絶縁性基板
２ａ 基板部
２ｂ 第１壁面部
２ｃ 第２壁面部
２ｄ 支持部材
３ 第１配線部
３ａ 第１リード
３ｂ 第２リード
３ｃ 第１リード
３ｄ 第２リード
４ ビア
５ 第２配線部
６ 第３配線部
７ めっき層
１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ パッケージ
１５ 凹部
１６ 塗布位置
２０ 発光素子
２１ 基板
２２ 半導体層
２３ ワイヤ
２４ ワイヤ
３０ 第１反射層
３１ 第１反射材
３２ 湾曲部
３２ａ 湾曲部の端部
３３ 間隙部
４０ 第２反射層
４０ａ 含有層
４０ｂ 透光層
４１ 第２反射材
５０ 光透過層
５１ 蛍光体
６０ バンプ
７０ ポスト
８０ 回転軸
９０ 保護素子
１００，１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ，１００Ｄ，１００Ｅ，１００Ｆ 発光装置
Ａ パッケージの回転方向
Ｂ 凹部の底面に平行な方向
Ｃ 第２反射材が沈降する方向
Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３ 光
２ａ 基板部
２ｂ 第１壁面部
２ｃ 第２壁面部
２ｄ 支持部材
３ 第１配線部
３ａ 第１リード
３ｂ 第２リード
３ｃ 第１リード
３ｄ 第２リード
４ ビア
５ 第２配線部
６ 第３配線部
７ めっき層
１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ パッケージ
１５ 凹部
１６ 塗布位置
２０ 発光素子
２１ 基板
２２ 半導体層
２３ ワイヤ
２４ ワイヤ
３０ 第１反射層
３１ 第１反射材
３２ 湾曲部
３２ａ 湾曲部の端部
３３ 間隙部
４０ 第２反射層
４０ａ 含有層
４０ｂ 透光層
４１ 第２反射材
５０ 光透過層
５１ 蛍光体
６０ バンプ
７０ ポスト
８０ 回転軸
９０ 保護素子
１００，１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ，１００Ｄ，１００Ｅ，１００Ｆ 発光装置
Ａ パッケージの回転方向
Ｂ 凹部の底面に平行な方向
Ｃ 第２反射材が沈降する方向
Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３ 光
Claims (13)
- 凹部を有するパッケージの前記凹部の底面に発光素子を載置する工程と、
前記凹部の側面を第１反射材を含有する第１樹脂で被覆して第１反射層を形成する工程と、
前記第１反射層に当接して、前記凹部の底面を第２反射材を含有する第２樹脂で被覆して第２反射層を形成する工程と、
前記第２反射層および前記発光素子上に、蛍光体を含有する第３樹脂による光透過層を配置する工程と、を有し、
前記第２反射層を形成する工程は、前記第１反射層に接するように前記第２樹脂を配置する工程を含み、
前記第２反射層を形成する工程は、遠心力によって前記第２樹脂に含有される前記第２反射材を沈降させて前記第２反射材を含有する含有層と透光層とをこの順に前記凹部の底面に形成するとともに、前記発光素子の側面の少なくとも一部に前記含有層が対向しないように前記第２反射層を形成し、
形成された前記第２反射層から前記発光素子の側面の少なくとも一部が露出し、露出した前記側面が前記光透過層で被覆されている発光装置の製造方法。 - 凹部を有するパッケージの前記凹部の底面に発光素子を載置する工程と、
前記凹部の側面を第１反射材を含有する第１樹脂で被覆して第１反射層を形成する工程と、
前記第１反射層に当接して、前記凹部の底面を第２反射材を含有する第２樹脂で被覆して第２反射層を形成する工程と、
前記第２反射層および前記発光素子上に、蛍光体を含有する第３樹脂による光透過層を配置する工程と、を有し、
前記第２反射層を形成する工程は、前記第１反射層に接するように前記第２樹脂を配置する工程を含み、
前記第２反射層を形成する工程は、前記第２樹脂を前記凹部の底面における前記凹部の側面と前記発光素子との間にポッティングにより配置し、前記凹部の底面が外側になるような回転軸で前記パッケージに遠心力をかけることにより、前記第１反射層から露出する前記凹部の底面全てを被覆するように前記第２樹脂の形状を変化させるとともに、遠心力がかかった状態で前記第２樹脂を硬化させ、
形成された前記第２反射層から前記発光素子の側面の少なくとも一部が露出し、露出した前記側面が前記光透過層で被覆されている発光装置の製造方法。 - 前記第２反射材の沈降は、前記凹部の底面が外側になるような回転軸で前記パッケージに遠心力をかけることにより行う請求項１に記載の発光装置の製造方法。
- 前記第２反射層を形成する工程は、前記第２反射材を沈降させながら前記第２樹脂を硬化させる請求項１または請求項３に記載の発光装置の製造方法。
- 前記第２樹脂を硬化させる温度が４０℃以上２００℃以下である請求項２または請求項４に記載の発光装置の製造方法。
- 前記第２反射材が酸化チタンである請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
- 前記酸化チタンの粒径が、０．１μｍ以上１．０μｍ以下である請求項６に記載の発光装置の製造方法。
- 前記第２樹脂の粘度が、０．３Ｐａ・ｓ以上１５Ｐａ・ｓ以下である請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
- 前記第２反射層を形成する工程の前に、前記第２樹脂を準備する工程を含み、
前記第２樹脂を準備する工程は、２液硬化性の樹脂材料の主剤と前記第２反射材とを混合し、２時間以上経過後に硬化剤を混合する請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。 - 凹部を有するパッケージと、
前記凹部の底面に載置された発光素子と、
第１反射材を含有する第１樹脂により前記凹部の側面を被覆して形成される第１反射層と、
前記第１反射層に当接して、第２反射材を含有する第２樹脂により前記凹部の底面を被覆して形成される第２反射層と、
前記第２反射層および前記発光素子上に配置された、蛍光体を含有する第３樹脂による光透過層と、を備え、
前記第１反射層は、前記第１反射材が前記第１樹脂中に分散しており、前記第２反射層は、前記第２反射材を含有する含有層と透光層とがこの順に前記凹部の底面に設けられており、前記発光素子の側面の少なくとも一部が前記含有層に対向せず、
前記第２反射層から前記発光素子の側面の少なくとも一部が露出し、露出した前記側面が前記光透過層で被覆されている発光装置。 - 前記第１反射層は、平面視で、矩形または正方形に形成された前記凹部の側面が一方向で対向するＸ方向において、前記発光素子に向けて凹状に湾曲して形成される湾曲部と、
前記Ｘ方向と直交するＹ方向における前記凹部の側面の少なくとも一部が前記発光素子と対向するように間隙を有して形成される間隙部と、を有する請求項１０に記載の発光装置。 - 前記発光素子は、平面視で、前記凹部の底面の中央に載置され、
前記パッケージおよび前記発光素子は、平面視で、前記発光素子から前記Ｘ方向の前記凹部の側面までの距離と、前記発光素子から前記Ｙ方向の前記凹部の側面までの距離とが異なる請求項１１に記載の発光装置。 - 前記発光素子は、平面視で、前記凹部の底面の中央から前記凹部の一方側にずれた位置に載置され、
前記第１反射層は、平面視で、対向する前記凹部の一方向の側面において、一方の側面から他方の側面に向かって湾曲する湾曲部を有し、前記湾曲部は、湾曲した部位の最深部が前記発光素子に対向する位置にある請求項１０に記載の発光装置。
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| EP21201179.5A EP3955326A1 (en) | 2018-06-29 | 2019-06-27 | Light emitting device |
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