TWI832948B - 發光裝置及發光裝置之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種高發光效率之發光裝置及發光裝置之製造方法。 發光裝置100具備：基板2，其具備包圍第1區域16之槽部17；發光元件20，其載置於第1區域16；第1被覆構件30，其設置於槽部17之槽內，並且被覆發光元件20之側面之至少一部分；及透光性構件50，其設置於第1被覆構件30及發光元件20上；第1被覆構件30具備：含有層30a，其設置於槽部17之槽內且含有第1反射材；及透光層30b，其被覆發光元件20之側面之至少一部分。

Description

發光裝置及發光裝置之製造方法
本發明係關於一種發光裝置及發光裝置之製造方法。
先前，已知有基板上載置有發光元件之發光裝置。例如，於專利文獻1中揭示有一種發光裝置，該發光裝置具備：封裝體，其具有具備側面與底面之凹部，且具備於上述底面上與上述側面相隔且包圍元件載置區域之線狀或點狀之槽部；發光元件，其安裝於上述元件載置區域；透光性樹脂，其被覆上述發光元件，且與上述槽部之內面相接；及光反射性樹脂，其自上述凹部之側面連續地形成至上述槽部之外側上端緣。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2017-204623號公報
[發明所欲解決之問題]
於上述專利文獻之技術中，對於發光效率，存在進一步改善之餘地。 本發明之實施形態之課題在於提供一種高發光效率之發光裝置及發光裝置之製造方法。 [解決問題之技術手段]
本發明之實施形態之發光裝置具備：基板，其具備包圍第1區域之槽部；發光元件，其載置於上述第1區域；第1被覆構件，其設置於上述槽部之槽內，並且被覆上述發光元件之側面之至少一部分；及透光性構件，其設置於上述第1被覆構件及上述發光元件上；上述第1被覆構件具備：含有層，其設置於上述槽部之槽內且含有第1反射材；及透光層，其被覆上述發光元件之側面之至少一部分。
本發明之實施形態之發光裝置之製造方法包含如下步驟：準備具備包圍第1區域之槽部之基板；將發光元件載置於上述第1區域；於上述槽部之槽內填充含有第1反射材之第1樹脂；對上述第1樹脂施加離心力，使上述第1樹脂中含有之上述第1反射材沈降，形成具有設置於上述槽部之槽內且含有上述第1反射材之含有層及將上述發光元件之側面之至少一部分被覆之透光層的第1被覆構件；及於上述第1被覆構件及上述發光元件上形成透光性構件。 [發明之效果]
本發明之實施形態之發光裝置能夠提昇發光效率。 本發明之實施形態之發光裝置之製造方法能夠製造發光效率較高之發光裝置。
以下，一面參照圖式一面對實施形態進行說明。但，以下所示之形態係例示用以使本實施形態之技術思想具體化之發光裝置及發光裝置之製造方法者，而不被以下限定。又，實施形態中記載之構成零件之尺寸、材質、形狀、及其相對配置等只要無特定之記載，則並非旨在將本發明之範圍僅限定於此，以上所述僅為例示。再者，各圖式表示之構件之大小或位置關係等存在為使說明明確而誇大之情形。
《實施形態》 [發光裝置] 圖1A係模式性表示實施形態之發光裝置之構成之立體圖。圖1B係模式性表示實施形態之發光裝置之構成之俯視圖，且係透過一部分觀察之狀態之俯視圖。圖1C係圖1A之IC-IC線處之剖視圖。
發光裝置100具備：基板2，其具備包圍第1區域之槽部17；發光元件20，其載置於第1區域；第1被覆構件30，其設置於槽部17之槽內，並且被覆發光元件20之側面之至少一部分；及透光性構件50，其設置於第1被覆構件30及發光元件20上。進而，發光裝置100中，第1被覆構件30具備：含有層30a，其設置於槽部17之槽內且含有第1反射材；及透光層30b，其被覆發光元件20之側面之至少一部分。
即，發光裝置100具備包含基板2之封裝體10、發光元件20、第1被覆構件30、第2被覆構件40及透光性構件50。 以下，對發光裝置100之各構成進行說明。
封裝體10具有凹部15，該凹部15包含包括基板2之底面與樹脂壁3之側面。凹部15之開口係例如於俯視下將1個角部與其他角部改變形狀而形成為大致矩形。 基板2包括：一對引線電極，其等包括第1引線電極2a與第2引線電極2b；及樹脂成形體2c，其保持第1引線電極2a與第2引線電極2b。 第1引線電極2a露出於凹部15之底面，且與發光元件20及金屬線23連接。第2引線電極2b露出於凹部15之底面，且與金屬線24連接。
第1引線電極2a具備包圍載置發光元件20之區域即第1區域16之槽部17。此處，槽部17係以發光元件20之側面之正下方之部位位於槽部17之內側上端緣之方式形成。即，槽部17形成於沿著發光元件20之外側面之位置。此處，槽部17於俯視下矩形環狀地包圍第1區域16。但，槽部17亦可以圓環狀、菱形環狀等其他形狀包圍第1區域16。
包圍第1區域之槽部17之寬度既可遍及整周大致相同，亦可局部變粗。槽部17之寬度較佳為30 μm以上200 μm以下。若槽部17之寬度為30 μm以上，則下述含有層30a容易收納於槽部17之槽內。另一方面，若槽部17之寬度為200 μm以下，則可減少第1被覆構件30之量。又，基板2之強度提昇。 槽部17之深度較佳為10 μm以上150 μm以下。若槽部17之深度為10 μm以上，則下述含有層30a容易收納於槽部17之槽內。又，容易使第1反射材沈降。另一方面，若槽部17之深度為150 μm以下，則可減少第1被覆構件30之量。
槽部17較佳為與發光元件20接近地設置。具體而言，槽部17較佳為形成於與發光元件20相距之距離為100 μm以下之位置。即，較佳為以發光元件20之側面與槽部17之內側上端緣之距離成為100 μm以下之方式形成。若與發光元件20相距之距離為100 μm以下，則來自發光元件20之光容易被含有層30a反射，發光效率提昇。再者，於使發光效率更容易提昇之情形時，槽部17較佳為更靠近發光元件20，更佳為以槽部17之槽內側面沿著發光元件20之外側面之方式，形成於與發光元件20相距0 μm之位置。再者，若槽部17之外側上端緣於俯視下位於較發光元件20之外緣更靠外側，則發光元件20之側面之正下方之部位亦可位於槽部17上。於該情形時，考慮到發光元件20之安裝性及散熱性，較佳為發光元件20之側面與槽部17之內側上端緣之距離設為50 μm以下之距離。
作為第1引線電極2a及第2引線電極2b，例如可使用Fe、Cu、Ni、Al、Ag、Au或包含其等之一種之合金。 又，第1引線電極2a及第2引線電極2b亦可於表面形成有鍍覆層。鍍覆層例如可使用Au、Ag、Cu、Pt或包含其等之一種之合金。若鍍覆層為該等材料，則可進一步提昇自發光元件20出射至引線電極側之光之反射率。
樹脂壁3係形成於基板2之上表面側之周緣。樹脂壁3係沿著基板2之外側面形成外壁面，且內壁面以自基板2朝向凹部15之開口方向使開口變闊之方式傾斜地形成。再者，樹脂壁3亦設置於基板2之上表面上形成之槽內，藉此，樹脂壁3與基板2之密接性提昇。 作為樹脂壁3及樹脂成形體2c，例如可使用PA(聚醯胺)、PPA(聚鄰苯二甲醯胺)、PPS(聚苯硫醚)或液晶聚合物等熱塑性樹脂、或環氧樹脂、聚矽氧樹脂、改性環氧樹脂、聚胺酯樹脂或酚樹脂等熱固性樹脂。 樹脂壁3及樹脂成形體2c亦可利用同一構件一體地成形。
發光元件20係若施加電壓則自己發光之半導體元件。此處，發光元件20包含透光性之支持基板21與形成於支持基板21上之半導體層22。支持基板21不僅可使用絕緣性者，亦可使用導電性者。發光元件20之形狀或大小等可選擇任意者。作為發光元件20之發光色，可根據用途選擇任意波長者。例如，作為藍色(波長430～490 nm之光)、綠色(波長495～565 nm之光)之發光元件20，可使用採用氮化物系半導體(InX AlY Ga1 － X － Y N、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)、GaP等者。作為紅色(波長610～700 nm之光)之發光元件20，不僅可使用氮化物系半導體元件，亦可使用GaAlAs、AlInGaP等。 發光元件20之厚度(例如自支持基板21之下表面至半導體層22之上表面為止之高度)例如為100 μm以上300 μm以下。
發光元件20係於上表面具備一對元件電極，且於封裝體10之凹部15之底面面朝上安裝於第1引線電極2a。而且，此處，發光元件20之一元件電極經由金屬線23等導電構件接合於第1引線電極2a，另一元件電極經由金屬線24等導電構件接合於第2引線電極2b。 藉由面朝上安裝發光元件20，可將發光元件20之半導體層22配置於上表面側(即，發光裝置100之光提取面側)。藉此，可設為半導體層22之側面不被第1被覆構件30被覆。 藉由設為此種構成，可減少發光元件20側面處之反射造成之一次光之損耗。又，藉由可自發光元件20之側面提取之一次光增多，而可進一步改善發光裝置100之配光特性。
第1被覆構件30係設置於槽部17之槽內，並且將發光元件20之側面之一部分被覆而形成。第1被覆構件30由含有第1反射材之第1樹脂形成。此處，第1被覆構件30係於槽部17之部位自凹部15之底面側依次設置有含有第1反射材之含有層30a及不含第1反射材之透光層30b。含有層30a設置於槽部17之槽內，且填充於槽部17之槽內。藉由將含有層30a設置於槽部17之槽內，能夠避免含有層30a與發光元件20之側面對向，並且更容易反射來自發光元件20之光，從而發光效率提昇。 透光層30b設置於含有層30a上，並且被覆第2被覆構件40之一部分。又，透光層30b被覆發光元件20之側面之一部分，但亦可被覆側面之全部。 再者，此處，所謂發光元件20之側面係指將支持基板21之側面與半導體層22之側面合併而成之部分。
含有層30a係第1反射材沈降而成之層，且係於第1被覆構件30之深度方向上高濃度地配置第1反射材之區域。透光層30b係藉由第1反射材沈降而出現於上方之以樹脂為主體之層。即，於含有層30a與透光層30b之間未形成明確之界面。 再者，含有層30a較佳為以不被覆發光元件20之側面之方式設置。根據此種構成，來自發光元件20之側面之光提取效率提昇，從而可改善發光元件20之側方之區域中之配光特性。
作為用於第1樹脂之樹脂材料，例如可例舉環氧樹脂、改性環氧樹脂、聚矽氧樹脂、改性聚矽氧樹脂等熱固性樹脂等。 第1樹脂之黏度較佳為室溫(20±5℃)下為0.3 Pa・s以上15 Pa・s以下。若第1樹脂之黏度為0.3 Pa・s以上，則容易藉由灌注將第1樹脂配置於凹部15之底面。又，若第1樹脂之黏度為15 Pa・s以下，則離心力引起之第1被覆構件30之形狀變化變得容易。進而容易藉由離心力使第1反射材沈降。再者，用以獲得上述效果之更佳之第1樹脂之黏度為0.5 Pa・s以上6 Pa・s以下。 再者，此處之第1樹脂之黏度係含有第1反射材之狀態之黏度，且係如下所述藉由離心力使第1樹脂中含有之第1反射材沈降前之黏度。
作為用於第1反射材之光反射材，例如可例舉氧化鈦、二氧化矽、氧化矽、氧化鋁、氧化鋯、氧化鎂、鈦酸鉀、氧化鋅、氮化硼等。其中，根據光反射之觀點，較佳為使用折射率相對較高之氧化鈦。 作為第1反射材，較佳為使用比重較用於第1樹脂之樹脂材料更大者。因第1反射材與樹脂材料之比重差而容易利用離心力使第1反射材沈降於槽部17之槽內。進而，藉由第1反射材中使用粒徑較大者，可使第1反射材更快地沈降於槽部17之槽內。 又，由於藉由使用離心力高密度地配置第1反射材，故粒子間之間隔變小，光之洩漏或光透過得以抑制，從而能夠使含有層30a中之光反射率提昇。 第1反射材之粒徑較佳為0.1 μm以上1.0 μm以下。若第1反射材之粒徑為0.1 μm以上，則容易藉由離心力使第1反射材沈降。又，若第1反射材之粒徑為1.0 μm以下，則容易使可見光進行光反射。根據上述觀點，第1反射材之粒徑更佳為0.4 μm以上0.6 μm以下。
第2被覆構件40係使自發光元件20出射之光反射之構件。 較佳為，存在槽部17之部位以外之凹部15內之表面被第2被覆構件40被覆，以避免自發光元件20出射之光於凹部15之底面或側面透過、吸收。
第2被覆構件40係將封裝體10之凹部15之側面被覆而形成。又，第2被覆構件40係自凹部15之側面連續地被覆至槽部17之外側上端緣。即，第2被覆構件40係自凹部15之側面之上端連續地被覆至槽部17之外側上端緣而形成。第2被覆構件40由含有第2反射材之第2樹脂形成。第2被覆構件40更佳為被覆凹部15之側面之高度方向之大致全部，但較佳為以至少於發光裝置100之剖視下，第2反射材之上端高於發光元件20之上表面之方式被覆凹部15之側面。第2被覆構件40係設置於自樹脂壁3之內壁面至槽部17之近前處之間。再者，第2被覆構件40係以於自槽部17之外側至特定位置為止之間透光層30b將上表面覆蓋之方式形成。
第2被覆構件40係於第2樹脂中分散有第2反射材。此處，所謂於第2樹脂中分散有第2反射材係指反射材以具有作為反射層之功能之程度分散即可，例如，利用先前公知之方法塗佈含有反射材之樹脂之情形時之分散狀態即可。再者，第2被覆構件40若具有作為反射層之功能，則亦可將第2反射材局部偏倚地配置。 第2反射材相對於第2被覆構件40之含有濃度例如為10質量%以上50質量%以下。 藉由第2被覆構件40被覆凹部15之底面及側面，可防止凹部15之底面及側面引起之光之透過及吸收。
作為用於第2樹脂之樹脂材料，例如可例舉環氧樹脂、改性環氧樹脂、聚矽氧樹脂、改性聚矽氧樹脂等熱固性樹脂等。作為用於第2反射材之光反射材，例如可例舉氧化鈦、二氧化矽、氧化矽、氧化鋁、氧化鋯、氧化鎂、鈦酸鉀、氧化鋅、氮化硼等。其中，根據光反射之觀點，較佳為使用折射率相對較高之氧化鈦。
透光性構件50係配置於第1被覆構件30、發光元件20及第2被覆構件40上而形成。透光性構件50由透過光之樹脂形成。 作為透光性構件50之樹脂中使用之樹脂材料，例如可例舉環氧樹脂、改性環氧樹脂、聚矽氧樹脂、改性聚矽氧樹脂等熱固性樹脂等。透光性構件50之樹脂中使用之樹脂材料可為與上述第1樹脂及第2樹脂相同之樹脂材料，亦可為不同之樹脂材料。又，亦可第1樹脂及第2樹脂中使用耐熱性高之樹脂，透光性構件50之樹脂係使用硬質之樹脂。
再者，上述第1樹脂較佳為較透光性構件50之樹脂為軟質。第1樹脂係配置於發光元件20與基板2之接合區域附近之構件，因此，較佳為使用對於熱不易膨脹且對於熱具有柔軟性之材料，以避免因熱膨脹而受到過度之應力。 聚矽氧樹脂一般而言450 nm以上500 nm以下附近之耐光性高於環氧樹脂，又，環氧樹脂較聚矽氧樹脂為硬質。因此，亦可第1樹脂及第2樹脂中使用聚矽氧樹脂，透光性構件50之樹脂中使用環氧樹脂。
透光性構件50亦可含有波長轉換構件。作為波長轉換構件，例如可例舉螢光體。又，透光性構件50亦可結合目的，含有漫射材、填料等。 作為螢光體，可使用該領域中公知者。例如，可使用YAG(Y3 Al5 O12 ：Ce)或矽酸鹽等黃色螢光體、CASN(CaAlSiN3 ：Eu)或KSF(K2 SiF6 ：Mn)等紅色螢光體、或者氯矽酸鹽或BaSiO4 ：Eu2+ 等綠色螢光體。 作為漫射材，可使用該領域中公知者。例如，可使用鈦酸鋇、氧化鈦、氧化鋁、氧化矽等。
[發光裝置之動作] 若驅動發光裝置100，則經由第1引線電極2a及第2引線電極2b自外部電源對發光元件20供給電流，從而發光元件20發光。發光元件20發出之光係向上方行進之光被提取至發光裝置100之上方之外部。又，向下方行進之光被含有層30a及第2被覆構件40反射而朝向凹部15之開口方向發射，被提取至發光裝置100之外部。又，向橫向行進之光被第2被覆構件40反射而朝向凹部15之開口方向發射，被提取至發光裝置100之外部。藉此，可極力抑制自發光元件20出射之光自凹部15之底面及側面洩漏，從而發光裝置100之光提取效率提昇。又，發光裝置100之色不均減少。又，發光裝置100因於槽部17之槽內設置有含有層30a，故提取效率提昇，發光效率提昇。
[發光裝置100之製造方法] 繼而，對實施形態之發光裝置之製造方法之一例進行說明。 圖2係實施形態之發光裝置之製造方法之流程圖。圖3A係表示於實施形態之發光裝置之製造方法中載置發光元件之步驟之剖視圖。圖3B係表示於實施形態之發光裝置之製造方法中形成第2被覆構件之步驟之剖視圖。圖3C係表示於實施形態之發光裝置之製造方法中填充第1樹脂之步驟之剖視圖。圖3D係表示於實施形態之發光裝置之製造方法中形成第1被覆構件之步驟之模式圖，且係表示藉由離心力使第1反射材沈降之步驟之模式圖。圖3E係表示於實施形態之發光裝置之製造方法中形成第1被覆構件之步驟之剖視圖，且係表示藉由離心力使第1反射材沈降後之狀態之剖視圖。圖3F係表示於實施形態之發光裝置之製造方法中形成透光性構件之步驟之剖視圖。
發光裝置100之製造方法包含：準備基板之步驟S101，其係準備具備包圍第1區域16之槽部17之基板2之步驟；載置發光元件之步驟S102，其係將發光元件20載置於第1區域16之步驟；形成第2被覆構件之步驟S103，其係自凹部15之側面利用第2樹脂連續地被覆至槽部17之外側上端緣，形成第2被覆構件40之步驟；準備第1樹脂之步驟S104；填充第1樹脂之步驟S105，其係於槽部17之槽內填充含有第1反射材之第1樹脂之步驟；形成第1被覆構件之步驟S106，其係對第1樹脂施加離心力，使第1樹脂中含有之第1反射材沈降，形成具有設置於槽部17之槽內且含有第1反射材之含有層30a及將發光元件20之側面之至少一部分被覆之透光層30b的第1被覆構件30；及形成透光性構件之步驟S107，其係於第1被覆構件30及發光元件20上形成透光性構件50之步驟。 再者，關於各構件之材質或配置等，因如上述發光裝置100之說明中所述，故此處適當省略說明。
(準備基板之步驟) 準備基板之步驟S101係準備具備包圍第1區域16之槽部17之基板之步驟。 於該步驟S101中，準備具有凹部15之封裝體10，該凹部15包含包括基板2之底面與樹脂壁3之側面。 於該步驟S101中，首先，於第1引線電極2a形成包圍第1區域16之槽部17。槽部17例如可藉由蝕刻或衝壓而形成。再者，第1引線電極2a及第2引線電極2b視需要藉由無電解鍍覆或電解鍍覆而於表面形成鍍覆層。又，第1引線電極2a及第2引線電極2b亦可於形成槽部17時一併形成設置有樹脂壁3之槽。其次，將第1引線電極2a及第2引線電極2b配置於封裝體製造用之模具，將用以形成樹脂壁3及樹脂成形體2c之樹脂注入至模具中，使樹脂硬化。藉此，製造於基板2具備槽部17之封裝體10。 再者，作為步驟S101，亦可準備預先形成有槽部之基板。
(載置發光元件之步驟) 載置發光元件之步驟S102係將發光元件20載置於第1區域16之步驟。 於該步驟S102中，將發光元件20載置於封裝體10之凹部15之底面。此處，將發光元件20載置於第1引線電極2a上。發光元件20係將電極形成面作為主要之光提取面，將與電極形成面為相反側之面作為安裝面，藉由非導電性接著材料而面朝上安裝於凹部15之底面。作為非導電性接著材料，例如使用環氧樹脂、聚矽氧樹脂等接著材料即可。又，發光元件20亦可覆晶安裝，於該情形時，使用導電性接著材料進行安裝。作為導電性接著材料，例如使用共晶焊料、導電膏、凸塊等即可。
(形成第2被覆構件之步驟) 形成第2被覆構件之步驟S103係自凹部15之側面利用第2樹脂連續地被覆至槽部17之外側上端緣為止，形成第2被覆構件40之步驟。 於該步驟S103中，例如藉由灌注而配置將凹部15之側面被覆之第2樹脂。第2樹脂對凹部15之配置可藉由自填充有第2樹脂之樹脂噴出裝置之前端之噴嘴將未硬化之樹脂材料朝凹部15之底面之外緣附近(較佳為與側面之邊界)噴出而進行。未硬化之第2樹脂係潤濕擴散至凹部15之側面，將凹部15之側面被覆。此時，第2樹脂亦流動至凹部15之底面，因此，第2樹脂被覆凹部15之底面之一部分。此處，較佳為以於凹部15之底面流動之第2樹脂到達槽部17之外側上端緣且不潤濕擴散至槽部17之方式，且以向凹部15之側面之上方攀爬之方式，預先調整第2樹脂之黏度及配置位置。於藉由灌注形成第2被覆構件40之情形時，第2樹脂之黏度例如於室溫(20±5℃)下調整為1 Pa・s以上50 Pa・s以下。 若第2樹脂流動至槽部17之槽內，則存在第2樹脂越過槽部17之內側上端緣，潤濕擴散至發光元件20之側面，阻礙自側面之光提取之虞，因此，較佳為第2樹脂不被覆槽部17之槽內。
再者，封裝體10亦可預先進行利用有機溶劑浸泡凹部15之內面之處理。藉由預先進行利用有機溶劑浸泡凹部15之內面之處理，可促進第2樹脂向凹部15之側面之攀爬。又，藉由凹部15之側面中使用濡濕性較高之材料或對側面之表面進行粗糙面加工等，亦可促進向凹部15之側面之攀爬。 再者，於硬化前之第2樹脂中混合有第2反射材，且第2樹脂中含有之第2反射材之含有濃度較佳為設為10質量%以上50質量%以下。 第2樹脂係藉由灌注將第2樹脂配置於凹部15之底面之外緣附近，藉此，第2樹脂潤濕擴散至凹部15之側面。再者，此時，第2被覆構件40為第2反射材分散於第2樹脂中之狀態。 此後，例如，以120℃以上200℃以下之溫度使第2樹脂硬化，形成第2被覆構件40。第2樹脂之硬化較佳為於第2樹脂潤濕擴散至凹部15之側面之後，於封裝體靜置之狀態下進行。
(準備第1樹脂之步驟) 準備第1樹脂之步驟S104係將2液硬化性之樹脂材料之主劑與第1反射材混合，且經過固定時間以上後混合硬化劑的步驟。 藉由使用以此方式製作之第1樹脂，可使第1反射材與樹脂材料之相容性變得良好，從而容易藉由離心力使第1反射材沈降。硬化劑混合前之溫度設為室溫左右。 作為2液硬化性之樹脂材料，例如可例舉聚矽氧樹脂、改性聚矽氧樹脂、環氧樹脂、改性環氧樹脂等。 根據更容易使第1反射材沈降之觀點，將2液硬化性之樹脂材料之主劑與第1反射材混合後經過之時間較佳為2小時以上。又，根據使製造時間縮短之觀點，經過之時間較佳為8小時以下。再者，將硬化劑混合之後，於第1樹脂硬化之前移至下一步驟。 再者，第1反射材相對於未硬化之第1樹脂之含有濃度例如為約15質量%以上60質量%以下。
(填充第1樹脂之步驟) 填充第1樹脂之步驟S105係於槽部17之槽內填充含有第1反射材之第1樹脂31之步驟。 於該步驟S105中，例如藉由灌注而於凹部15之側面與槽部17之外側上端緣之間配置未硬化之第1樹脂31。具體而言，於自凹部15之側面連續地被覆至槽部17之外側上端緣為止之第2被覆構件40上配置未硬化之第1樹脂31。藉由於槽部17附近之第2被覆構件40上配置第1樹脂，第1樹脂流入槽部17內，從而填充於槽部17內。未硬化之第1樹脂31較佳為例如配置於發光元件20之對向之側面附近之兩個部位，藉由第1樹脂自身之重量或離心力而流入槽內，從而填充於槽內。藉此，流入槽內之第1樹脂係與凹部15之底面平行地於槽內移動，因此，可抑制於將第1樹脂填充於槽內之前，第1樹脂於垂直方向上潤濕擴散。  即，藉由不直接向槽部17內灌注第1樹脂31，可抑制第1樹脂向發光元件20側流動，從而可抑制於離心旋轉前第1樹脂向發光元件20之側面攀爬。第1樹脂向發光元件20之側面之攀爬係藉由第1樹脂之形狀因離心旋轉進行變化而消除，但存在因第1樹脂之黏度或離心旋轉速度，第1樹脂中之第1反射材殘留於發光元件20之側面之虞。因此，較佳為，離心旋轉前之第1樹脂不被覆發光元件20之側面。  再者，於第1樹脂因樹脂之黏度等而不易流向槽內時，亦可藉由灌注等直接於槽內配置第1樹脂31。
(形成第1被覆構件之步驟) 形成第1被覆構件之步驟S106係如下步驟，即，對槽部17中配置有第1樹脂之基板施加離心力，使第1樹脂中含有之第1反射材沈降，形成具有設置於槽部17之槽內且含有第1反射材之含有層30a及將發光元件20之側面之至少一部分被覆之透光層30b的第1被覆構件30。
於該步驟S106中，朝向離心力作用於凹部15之底面之方向使基板2、即封裝體10離心旋轉。利用該離心力，使第1樹脂中之第1反射材強制性沈降於凹部15之底面側，藉此，形成作為第1反射材之沈降層之高密度地配置有第1反射材之含有層30a、及作為上澄液之透光層30b。藉由如此利用離心沈降形成含有層30a，可一面減少第1樹脂中含有之第1反射材之含量，並且一面將第1反射材之粒子高密度地配置於底面側。藉此，可形成設置於槽部17之槽內之含有層30a、及將發光元件20之側面之一部分被覆之透光層30b。 再者，於填充第1樹脂之步驟S105中，藉由離心力使第1樹脂流入槽內之情形時，可同時地進行用以使第1樹脂流入槽內之離心旋轉與本步驟S106中進行之離心旋轉。
如圖3D所示，封裝體10之旋轉較佳為藉由利用如基板2之上表面、即凹部15之底面成為外側之旋轉軸90對封裝體10施加離心力而進行。具體而言，以於封裝體10之上表面側具有旋轉軸90之方式，使封裝體10於以旋轉軸90為軸進行公轉之A方向上移動。再者，圖3D中之B方向係與凹部15之底面平行之方向。圖3D中，B方向以伴隨封裝體10之移動之方式記載有3個，但實際上為連續。 旋轉軸90係位於穿過凹部15之底面之大致中心之垂直線上之與凹部15之底面平行之軸，且相對於封裝體10位於凹部15之開口部側。藉此，離心力作用於凹部15之底面方向上，第1樹脂向封裝體10之高度方向上之擴散得以抑制，並且第1樹脂中含有之第1反射材被強制性沈降於凹部15之底面側(圖3D中之箭頭C方向)。藉由於該狀態下使第1樹脂硬化，而於槽部17之部位將含有第1反射材之含有層30a與透光層30b依次形成於凹部15之底面。
又，第1被覆構件30被適當調整塗佈之量或第1樹脂中含有之第1反射材之含量。 使封裝體10離心旋轉時之旋轉速度或轉速亦取決於第1反射材之含量或粒徑等，但以例如200 xg以上之離心力進行作用之方式調整轉速或旋轉半徑即可。
再者，於製造步驟中，以單片化前之集合基板之狀態使封裝體10離心旋轉時，若集合基板為平板狀，則集合基板之平面面積越大(更詳細而言，旋轉方向A上之基板長度越長)，遠離集合基板之中心之位置之封裝體10越產生與旋轉軸90之偏移。例如，若於集合基板中自公轉之圓周上朝B方向之偏移變大，則存在第1樹脂之表面相對於凹部15之底面傾斜，於集合基板之中第1樹脂之表面狀態中產生偏差之虞。為抑制該偏移，可藉由增大旋轉半徑而抑制。具體而言，可藉由設為配置於旋轉方向之集合基板之長度之70倍以上之旋轉半徑而抑制偏移。 再者，藉由離心力，而於集合基板具有沿著旋轉半徑之圓周撓曲之類可撓性之樹脂封裝體10之情形時，不易產生上述偏移，因此，可利用較非可撓性之封裝體10之集合基板更大之集合基板進行離心旋轉。藉此，可增多一次之處理數。作為此種具有可撓性之集合基板，例如可例舉以引線連結而成之樹脂封裝體。
又，於該步驟S106中，較佳為一面使第1反射材沈降、即於離心力作用之狀態下，一面使第1樹脂硬化。第1反射材較佳為使用粒徑小者，但粒徑越小越難沈降，因此，於該步驟S106中，藉由離心力使第1反射材強制性沈降於凹部15之底面側。因此，為了於已使第1反射材沈降之狀態下進行硬化，較佳為於該步驟S106中，在維持著旋轉下，即，一面旋轉一面進行第1樹脂之硬化步驟。 再者，亦可於停止旋轉之後進行硬化，但若旋轉停止，則樹脂容易因濡濕性而擴散至發光元件20之側面。因此，藉由一面使封裝體10旋轉一面使第1樹脂硬化，可防止第1樹脂攀爬至發光元件20之側面。藉由發光元件20之側面自第1樹脂露出，可使光提取效率進一步提昇，並且可使發光裝置100之配光特性更良好。
此時，使第1樹脂硬化之溫度可例舉40℃以上200℃以下。藉由提高硬化之溫度，可縮短使第1樹脂硬化之時間，從而較為效率。又，若考慮進行離心沈降之裝置之金屬因熱而膨脹，導致旋轉軸90振動，則較佳為硬化之溫度儘可能地低。即，根據效率性之觀點，使第1樹脂硬化之溫度較佳為50℃以上。又，考慮旋轉軸90振動之情況，使第1樹脂硬化之溫度較佳為60℃以下。以80℃以上硬化時，較佳為以至少離心旋轉裝置之金屬部分不成為80℃以上之方式調整裝置。 再者，作為構成第1樹脂之樹脂材料，較佳為選擇藉由將旋轉之封裝體10保持為40℃以上之溫度而至少獲得暫時硬化狀態之樹脂材料。 作為一面使第1反射材沈降一面使第1樹脂硬化之方法，例如可例舉吹送熱風或使用板式加熱器等。
(形成透光性構件之步驟) 形成透光性構件之步驟S107係於第1被覆構件30、第2被覆構件40及發光元件20上形成透光性構件50之步驟。 於該步驟S107中，藉由灌注或噴灑等而於凹部15內配置透光性構件50之樹脂。此後，例如以120℃以上200℃以下之溫度使透光性構件50之樹脂硬化，形成透光性構件50。
以上，藉由用以實施發明之形態，對發光裝置及發光裝置之製造方法更具體地進行了說明，但本發明之主旨不限於該等記載，而必須基於申請專利範圍之記載廣泛地解釋。又，基於該等記載所為之各種變更、改變等所得者亦包含於本發明之主旨中。
《其他實施形態》 圖4係模式性表示其他實施形態之發光裝置之構成之剖視圖。圖5A係對於其他實施形態之發光裝置模式性表示槽部之構成之俯視圖。圖5B係對於其他實施形態之發光裝置模式性表示槽部之構成之俯視圖。圖5C係對於其他實施形態之發光裝置模式性表示槽部之構成之俯視圖。
圖4所示之發光裝置100A具備保護元件60。保護元件60係於上表面具備元件電極，且於封裝體10之凹部15之底面面朝上安裝於第2引線電極2b。而且，此處，保護元件60之電極經由金屬線25等導電構件，接合於第1引線電極2a。保護元件60係例如齊納二極體。 保護元件60於載置發光元件之步驟S102中載置於封裝體10之凹部15之底面即可。
又，發光裝置亦可為具備複數個發光元件20者。而且，例如於具備2個發光元件20之情形時，如圖5A所示，槽部17亦可為以1個俯視下呈矩形環狀之槽部17包圍2個發光元件20者。又，如圖5B所示，槽部17亦可為以俯視下呈矩形環狀之槽部17分別包圍2個發光元件20者。又，如圖5C所示，槽部17亦可為2個發光元件20相鄰之部分之槽部17成為一體之形狀。
又，以上說明之發光裝置係設為面朝上安裝發光元件者，但亦可為覆晶安裝發光元件者。於將發光元件覆晶安裝之情形時，較佳為使用子安裝基板、凸塊或後段電極等作為台座，將發光元件朝向發光元件之高度方向加高。於將發光元件覆晶安裝之情形時，半導體層配置於基板之凹部之底面側(發光裝置之基板側)，但可藉由將發光元件朝向發光元件之高度方向加高，而避免半導體層之側面之一部分或整體被第1被覆構件被覆。 又，以上說明之發光裝置設為使用具有凹部之封裝體，將發光元件載置於凹部之底面者，但發光裝置亦可為使用平板之基板，且將發光元件載置於基板上者。
又，發光裝置之製造方法亦可於不對上述各步驟造成不良影響之範圍內，於上述各步驟之間或前後包含其他步驟。例如，亦可包含於製造中途將混入之異物去除之異物去除步驟等。
又，於發光裝置之製造方法中，一部分步驟不限定順序，順序亦可顛倒。例如，上述發光裝置之製造方法設為於形成第2被覆構件之步驟之後設置準備第1樹脂之步驟，但準備第1樹脂之步驟既可於形成第2被覆構件之步驟之前進行，亦可於載置發光元件之步驟之前進行，且可於準備基板之步驟之前進行。又，亦可不設置準備第1樹脂之步驟。 又，形成第2被覆構件之步驟設為於載置發光元件之步驟之後且準備第1樹脂之步驟之前進行，但形成第2被覆構件之步驟既可於載置發光元件之步驟之前進行，又，亦可於形成第1被覆構件之步驟之後且形成透光性構件之步驟之前進行。 [實施例]
以下，對實施例進行說明。 圖6係表示第1實施例中使用之發光裝置之構造之圖像。圖7A係表示第1實施例中之第1樹脂之塗佈量與光通量之關係之曲線圖。圖7B係表示第1實施例中之指向角造成之色度座標x之偏移之曲線圖。圖7C係表示第1實施例中之指向角造成之色度座標y之偏移之曲線圖。圖7D係表示第1實施例中之指向角造成之色度座標x之偏移之曲線圖。圖7E係表示第1實施例中之指向角造成之色度座標y之偏移之曲線圖。圖8A係對於第2實施例中使用之發光裝置表示發光元件載置後塗佈第2樹脂之後之狀態之圖像。圖8B係對於第2實施例中使用之發光裝置表示進而塗佈第1樹脂後之狀態之圖像。圖8C係對於第2實施例中使用之發光裝置表示進而對第1樹脂施加離心力使反射材離心沈降後之狀態之圖像。圖8D係對於第2實施例中使用之發光裝置表示元件電極之圖像。圖8E係對於第2實施例中使用之發光裝置表示形成透光性構件後之狀態之圖像。圖9A係表示第2實施例中之色調與光通量之關係之曲線圖。圖9B係表示第2實施例中之各樣品與光通量之關係之曲線圖。
[第1實施例] 製作圖6所示之構造之發光裝置。圖6所示之構造之發光裝置係除了第1樹脂之塗佈量互不相同以外大致相同。首先，準備於凹部之底面形成有槽部之封裝體。於凹部之底面配置第1引線電極與第2引線電極，槽部形成於第1引線電極上。對引線電極實施鍍Au。槽部係寬度設為100 μm且深度設為100 μm之剖視大致半圓形狀。 其次，將發光元件載置於凹部之底面。繼而，利用含有第2反射材之第2樹脂被覆凹部之底面及側面，形成第2被覆構件。繼而，對於實施例，於槽部之槽內填充含有第1反射材之第1樹脂，且藉由離心沈降使第1反射材沈降之後進行硬化，形成第1被覆構件。第1樹脂之塗佈量如圖6、圖7A～圖7E所示設為0.10 mg、0.12 mg、0.14 mg、0.16 mg，塗佈位置D設為2處。再者，圖7B～圖7E之項目欄之數值為第1樹脂之塗佈量。第1樹脂中包含之第1反射材之濃度設為37.5質量%。又，對於比較例，未設置第1被覆構件。繼而，於第1被覆構件、第2被覆構件及發光元件上形成含有螢光體之透光性構件。
作為發光元件，使用發光峰值波長為約442 nm之氮化物系半導體元件。作為第1反射材，使用平均粒徑約280 nm之氧化鈦，作為第2反射材，使用平均粒徑約500 nm之氧化鈦。作為螢光體，使用YAG：Ce。作為第1樹脂，使用樹脂黏度3.5 Pa・s之聚矽氧樹脂，作為第2樹脂，使用樹脂黏度1.0 Pa・s之聚矽氧樹脂，作為透光性構件之樹脂，使用與第1樹脂同樣之樹脂黏度3.5 Pa・s之聚矽氧樹脂。
對於以此方式製作之各樣品，測定色調x=0.32之光通量。光通量之測定係利用使用積分球之總光通量測定裝置，將比較例之發光裝置之光通量設為100%，算出各樣品之相對光通量。將該結果示於圖7A。如圖7A所示，於槽部之槽內設置有第1被覆構件之樣品與槽部之槽內未設置第1被覆構件之樣品相比，光通量變高。又，對於實施例之樣品，與不設置槽部而形成第1被覆構件之情形相比，使第1反射材離心沈降前之第1樹脂不流向發光元件側。因此，製造步驟中之作業容易，從而量產性優異。
再者，作為參考，對各樣品測定指向角造成之色度座標x、y之偏移。將指向角以與圖1A之IC-IC線正交之方向(0°方向)為基準之情形時之配光色度Δx、Δy分別示於圖7B、圖7C，將指向角以圖1A之IC-IC線之方向(90°方向)為基準之情形時之配光色度Δx、Δy分別示於圖7D、圖7E。此處，配光色度Δx、Δy係以正面方向之色度座標為基準，表示發光裝置之指向角造成之色度座標之偏移。如圖7B～圖7E所示，於槽部之槽內設置有第1被覆構件之樣品與槽部之槽內未設置第1被覆構件之樣品相比，配光色度Δx、Δy中未發現明顯之差。 即，於實施例之樣品中，藉由離心沈降而於槽內形成含有第1反射材之含有層，且發光元件之側面之大致全部自含有層露出，因此，自發光元件側面之光提取不被含有層阻礙。因此，不使配光色度變差，可僅使光通量提昇。
[第2實施例] 按照第1實施例之發光裝置之製作方法製成各樣品。於第2實施例中，作為實施例，將使用技術機I(旋轉半徑0.65 m)使第1反射材以轉速700 rpm離心沈降所得者、使用技術機II(旋轉半徑0.1 m)使第1反射材以轉速3000 rpm離心沈降所得者製作各9個樣品。第1樹脂塗佈量全部設為0.09 mg。又，作為比較例，將槽部之槽內未設置第1被覆構件者(無離心沈降)製作9個樣品。圖8A～圖8E係使用技術機I之樣品之各製作步驟中之圖像。
對以此方式製作之各樣品，分析色調與光通量之關係。光通量之測定係利用使用積分球之總光通量測定裝置，於室溫約25℃之環境下進行。將該結果示於圖9A。又，根據圖9A之結果算出色調x=0.32之光通量。將該結果示於圖9B。如圖9B所示，於槽部之槽內設置有第1被覆構件之樣品與槽部之槽內未設置第1被覆構件之樣品相比，光通量變高。又，使用離心力較技術機I更高之技術機II之樣品之光通量更高。 [產業上之可利用性]
本發明之實施形態之發光裝置可用於液晶顯示器之背光光源、各種照明器具、大型顯示器、廣告或終點指南等之各種顯示裝置、進而數位攝錄影機、傳真機、影印機、掃描儀等中之圖像讀取裝置、投影機裝置等。
2:基板 2a:第1引線電極 2b:第2引線電極 2c:樹脂成形體 3:樹脂壁 10:封裝體 15:凹部 16:第1區域 17:槽部 20:發光元件 21:支持基板 22:半導體層 23:金屬線 24:金屬線 25:金屬線 30:第1被覆構件 30a:含有層 30b:透光層 31:第1樹脂 40:第2被覆構件 50:透光性構件 60:保護元件 90:旋轉軸 100:發光裝置 100A:發光裝置 A:封裝體之旋轉方向 B:與凹部之底面平行之方向 C:第1反射材沈降之方向 D:塗佈位置 S101:步驟 S102:步驟 S103:步驟 S104:步驟 S105:步驟 S106:步驟 S107:步驟
圖1A係模式性表示實施形態之發光裝置之構成之立體圖。 圖1B係模式性表示實施形態之發光裝置之構成之俯視圖，且係透過一部分觀察之狀態之俯視圖。 圖1C係圖1A之IC-IC線處之剖視圖。 圖2係實施形態之發光裝置之製造方法之流程圖。 圖3A係表示於實施形態之發光裝置之製造方法中載置發光元件之步驟之剖視圖。 圖3B係表示於實施形態之發光裝置之製造方法中形成第2被覆構件之步驟之剖視圖。 圖3C係表示於實施形態之發光裝置之製造方法中填充第1樹脂之步驟之剖視圖。 圖3D係表示於實施形態之發光裝置之製造方法中形成第1被覆構件之步驟之模式圖，且係表示藉由離心力使第1反射材沈降之步驟之模式圖。 圖3E係表示於實施形態之發光裝置之製造方法中形成第1被覆構件之步驟之剖視圖，且係表示藉由離心力使第1反射材沈降後之狀態之剖視圖。 圖3F係表示於實施形態之發光裝置之製造方法中形成透光性構件之步驟之剖視圖。 圖4係模式性表示其他實施形態之發光裝置之構成之剖視圖。 圖5A係對於其他實施形態之發光裝置模式性表示槽部之構成之俯視圖。 圖5B係對於其他實施形態之發光裝置模式性表示槽部之構成之俯視圖。 圖5C係對於其他實施形態之發光裝置模式性表示槽部之構成之俯視圖。 圖6係表示第1實施例中使用之發光裝置之構造之圖像。 圖7A係表示第1實施例中之第1樹脂之塗佈量與光通量之關係之曲線圖。 圖7B係表示第1實施例中之指向角造成之色度座標x之偏移之曲線圖。 圖7C係表示第1實施例中之指向角造成之色度座標y之偏移之曲線圖。 圖7D係表示第1實施例中之指向角造成之色度座標x之偏移之曲線圖。 圖7E係表示第1實施例中之指向角造成之色度座標y之偏移之曲線圖。 圖8A係對於第2實施例中使用之發光裝置表示發光元件載置後塗佈第2樹脂後之狀態之圖像。 圖8B係對於第2實施例中使用之發光裝置表示進而塗佈第1樹脂後之狀態之圖像。 圖8C係對於第2實施例中使用之發光裝置表示進而對第1樹脂施加離心力使反射材離心沈降後之狀態之圖像。 圖8D係對於第2實施例中使用之發光裝置表示元件電極之圖像。 圖8E係對於第2實施例中使用之發光裝置表示形成透光性構件後之狀態之圖像。 圖9A係表示第2實施例中之色調與光通量之關係之曲線圖。 圖9B係表示第2實施例中之各樣品與光通量之關係之曲線圖。
2:基板
2a:第1引線電極
2b:第2引線電極
2c:樹脂成形體
3:樹脂壁
10:封裝體
15:凹部
16:第1區域
17:槽部
20:發光元件
21:支持基板
22:半導體層
23:金屬線
24:金屬線
30:第1被覆構件
30a:含有層
30b:透光層
40:第2被覆構件
50:透光性構件
100:發光裝置

Claims (13)

  1. 一種發光裝置，其具備：基板，其具備包圍第1區域之槽部；發光元件，其載置於上述第1區域；第1被覆構件，其設置於上述槽部之槽內，並且由含有第1反射材之第1樹脂形成，使上述發光元件之上表面露出，且被覆上述發光元件之側面之至少一部分；及透光性構件，其設置於上述第1被覆構件及上述發光元件上，其中上述第1被覆構件具備：含有層，其係於深度方向上，上述第1反射材沈降而高濃度地配置上述第1反射材；及透光層，其位於上述含有層之上方，且被覆上述發光元件之側面之至少一部分。
  2. 如請求項1之發光裝置，其具備具有凹部之封裝體，該凹部包含包括上述基板之底面與樹脂壁之側面，且更具備第2被覆構件，該第2被覆構件係自上述凹部之側面連續地被覆至上述槽部之外側上端緣，且含有第2反射材。
  3. 如請求項1或2之發光裝置，其中上述槽部之寬度為30μm以上200μm以下。
  4. 如請求項1或2之發光裝置，其中上述槽部之深度為10μm以上150μm以下。
  5. 如請求項1或2之發光裝置，其中上述槽部形成於與上述發光元件相距之距離為100μm以下之位置。
  6. 如請求項1或2之發光裝置，其中上述透光性構件含有波長轉換構件。
  7. 一種發光裝置之製造方法，其包含如下步驟：準備具備包圍第1區域之槽部之基板；將發光元件載置於上述第1區域；於上述槽部之槽內填充含有第1反射材之第1樹脂；對上述第1樹脂施加離心力，使上述第1樹脂中含有之上述第1反射材沈降，形成具有設置於上述槽部之槽內且含有上述第1反射材之含有層及將上述發光元件之側面之至少一部分被覆之透光層的第1被覆構件；及於上述第1被覆構件及上述發光元件上形成透光性構件。
  8. 如請求項7之發光裝置之製造方法，其中準備上述基板之步驟係準備具有凹部之封裝體，該凹部包含包括上述基板之底面與樹脂壁之側面，且於填充上述第1樹脂之步驟之前，包含自上述凹部之側面利用第2樹脂連續地被覆至上述槽部之外側上端緣，形成第2被覆構件之步驟。
  9. 如請求項7或8之發光裝置之製造方法，其中形成上述第1被覆構件之步驟係於上述離心力作用之狀態下使上述第1樹脂硬化。
  10. 如請求項9之發光裝置之製造方法，其中使上述第1樹脂硬化之溫度為40℃以上200℃以下。
  11. 如請求項7或8之發光裝置之製造方法，其中上述第1樹脂之黏度為0.3Pa‧s以上15Pa‧s以下。
  12. 如請求項7或8之發光裝置之製造方法，其中於填充上述第1樹脂之步驟之前包含準備上述第1樹脂之步驟，且準備上述第1樹脂之步驟係將2液硬化性之樹脂材料之主劑與上述第1反射材混合，經過2小時以上後混合硬化劑。
  13. 如請求項7或8之發光裝置之製造方法，其中上述透光性構件含有波長轉換構件。
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