JP6481349B2 - パッケージの製造方法及び発光装置の製造方法 - Google Patents

パッケージの製造方法及び発光装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6481349B2
JP6481349B2 JP2014244525A JP2014244525A JP6481349B2 JP 6481349 B2 JP6481349 B2 JP 6481349B2 JP 2014244525 A JP2014244525 A JP 2014244525A JP 2014244525 A JP2014244525 A JP 2014244525A JP 6481349 B2 JP6481349 B2 JP 6481349B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
package
lead
lead electrode
mold
pair
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2014244525A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2016111067A (ja
Inventor
耕治 阿部
耕治 阿部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Corp
Original Assignee
Nichia Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nichia Corp filed Critical Nichia Corp
Priority to JP2014244525A priority Critical patent/JP6481349B2/ja
Priority to US14/956,393 priority patent/US9741909B2/en
Publication of JP2016111067A publication Critical patent/JP2016111067A/ja
Priority to US15/643,477 priority patent/US10074783B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6481349B2 publication Critical patent/JP6481349B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/54Encapsulations having a particular shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Description

本開示は、パッケージの製造方法及び発光装置製造方法に関するものである。
発光ダイオード(以下、LED)の製造工程の中に、パッケージの成形工程がある。中でも金型でリードフレームを挟み込み、液状の樹脂を注入していく成形方法であるトラスファーモールドが一般的に使用されている。しかしながら、これらの製造方法では、リードフレームと金型との隙間に樹脂が流れ込んで樹脂バリが発生する。これらの樹脂バリは、LED素子やワイヤのボンディング不良を発生させるので、バリを除去する必要がある。そのため、従来、成形工程の次工程にバリ取り工程がある。
こうした製造工程では、成形工程での条件の最適化、例えば金型のクランプ力を増大させる、1枚のリードフレームで成形するLED個数を減らす、樹脂の粘度を上げて流れにくくする等の対策が行われている。
また、特許文献1には、表面にめっき層を形成したリードフレームにおいて、金属部を露出させたい部分(LED実装部、ワイヤボンディング部)の境界のめっきを盛り上げて突出させることで、バリの低減が可能であることが開示されている。
特許文献1に記載された金型には、パッケージの凹部に対応する形状の凸部が設けられており、リードフレームを挟み込んだときに、金型の凸部は、LED実装部等の境界に盛り上げられためっきに当接して押圧する。
特開2014−29995号公報
しかしながら、特許文献1に記載された製造方法では、事前にリードフレームのめっき層に突出部を形成する工程が必要になる。
本開示は、バリの発生を抑制することのできるパッケージ及び発光装置簡便に製造する方法を提供する。
本開示に係るパッケージは、金属板からなる一対のリード電極と樹脂成形体とを備えて発光素子を収容するための凹部が形成され前記凹部に前記一対のリード電極が露出したパッケージであって、前記一対のリード電極の少なくとも一方のリード電極は、前記凹部の底面部に露出した前記金属板の表面の周縁に沿って溝部を有していることとした。
また、本開示に係る発光装置は、前記パッケージと、前記パッケージの前記凹部に収容されて前記一対のリード電極の一方のリード電極に実装された前記発光素子とを備えていることとした。
また、本開示に係るパッケージの製造方法は、金属板からなる一対のリード電極と樹脂成形体とを備えて発光素子を収容するための凹部が形成され前記凹部に前記一対のリード電極が露出したパッケージの製造方法であって、前記凹部に対応した形状の凸部を有する上金型と、前記上金型に対応する下金型とを備え、前記凹部の底面部に露出した前記金属板の表面の周縁に対応した位置に沿って突出する突出部が前記凸部の表面に形成された金型を用いて、前記突出部を前記一対のリード電極の少なくとも一方のリード電極に当接させるように前記一対のリード電極を挟み込む工程と、前記一対のリード電極を挟み込んだ金型に樹脂を注入する工程と、前記注入された樹脂を硬化して前記樹脂成形体を生成する工程と、前記上金型と下金型とを取り外す工程と、を有することとした。
また、本開示に係る発光装置の製造方法は、前記パッケージの製造方法でパッケージを製造する工程と、前記パッケージに形成された前記凹部に前記発光素子を実装する工程を有することとした。
本開示に係るパッケージ及び発光装置によれば、バリの発生を抑制することができる。
また、本開示に係るパッケージ及び発光装置の製造方法によれば、バリの発生を抑制したパッケージ及び発光装置を簡便に製造することができる。
実施形態に係る発光装置の概略を示す図であり、発光装置の全体を示す斜視図である。 実施形態に係る発光装置の概略を示す図であり、図1のII−II矢視方向を示した断面図である。 実施形態に係る発光装置の概略を示す図であり、発光装置の上面図である。 実施形態に係る発光装置の製造に用いるパッケージ製造用金型の一例を示した斜視図である。 実施形態に係る発光装置の製造工程の概略を示す図であり、図1のII−II線に対応した位置におけるリード電極と金型の配置を模式的に示す断面図である。 実施形態に係るパッケージの製造工程の概略を示す図であり、上金型と下金型でリード電極を挟持する工程を模式的に示す断面図である。 実施形態に係るパッケージの製造工程の概略を示す図であり、樹脂注入及び硬化後の断面図である。 実施形態に係るパッケージの製造工程の概略を示す図であり、上金型を脱型する工程を模式的に示す断面図である。 実施形態に係るパッケージの製造工程の概略を示す図であり、図1のIX−IX線に対応した位置における樹脂注入及び硬化後の断面図である。
<実施形態>
実施形態を、以下に図面を参照しながら説明する。但し、以下に示す形態は、本発明の技術思想を具現化するための発光装置を例示するものであって、以下に限定するものではない。また、実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特定的な記載がない限り、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる例示に過ぎない。尚、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするために誇張していることがある。
図1は、実施形態に係る発光装置の概略を示す図であり、発光装置の全体を示す斜視図である。図2は、実施形態に係る発光装置の概略を示す図であり、図1のII−II矢視方向を示した断面図である。図3は、実施形態に係る発光装置の概略を示す図であり、発光装置の上面図である。発光装置1は、パッケージ90と、発光素子2と、ワイヤWと、封止部材40と、を備えている。
パッケージ90は、金属板からなる一対のリード電極20,30と樹脂成形体10とを備えている。発光素子2を収容するための凹部10aが形成され、凹部10aに一対のリード電極20,30が露出している。
パッケージ90は、全体の形状が略直方体であって、上面に発光素子2を収容するためのカップ状の凹部(キャビティ)10aが形成されている。このパッケージ90は、金属板からなる一対のリード電極20,30が凹部10aの底面部10cに露出するように樹脂成形体10によって一体的に保持されてなる。
樹脂成形体10は、第1リード電極20及び第2リード電極30を固定している。また、樹脂成形体10は、平面視で矩形の対向する2辺から、第1リード電極20及び第2リード電極30の一端部が突出するように形成されている。また、樹脂成形体10は、平面視で矩形の他の対向する2辺により、第1リード電極20及び第2リード電極30を挟み込むように形成されている。これにより、樹脂成形体10は、第1リード電極20及び第2リード電極30を凹部10aの底面部10cに離間して固定している。
また、樹脂成形体10の外側面11aにはゲート痕50が成形されている。ゲート痕50は、金型の注入口から樹脂を注入する際に、注入口部分に成形される樹脂成形体(ゲート)のうち、二次加工の切削工程によって残った突起物をいう。ここでは、後記する注入口77の断面形状が半円形状であるため、ゲート痕50は、断面半円の柱状体を呈するものとした。即ち、ゲート痕50の形状は、注入口の断面形状に従って成形される。
樹脂成形体10は、平面視で円形の凹部10aを中央に形成している。この樹脂成形体10の高さ、長さ、幅は特に限定されず、目的及び用途に応じて適宜選択することができる。
樹脂成形体10の材質としては、例えば熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂を挙げることができる。熱可塑性樹脂の場合、例えば、ポリフタルアミド樹脂、液晶ポリマー、ポリブチレンテレフタレート(PBT)、不飽和ポリエステルなどを用いることができる。熱硬化性樹脂の場合、例えば、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂などを用いることができる。
凹部10aは、側面部10b及び底面部10cを有し、底面部10cに向けて幅狭となる円錐台形状を呈する。発光素子2から発光された光は、側面部10bによって反射され、側面部10bの角度を適宜変えることで、光を集中又は拡散させることができる。底面部10cは、第1リード電極20と、第2リード電極30と、樹脂成形体10の一部である間隙部10eとからなる。間隙部10eは、第1リード電極20と第2リード電極30が短絡しないように、第1リード電極20と第2リード電極30の間に設けられている。
凹部10aの側面部10bにおいて光を効率よく反射するために、樹脂成形体10に光反射部材が含有されていても構わない。光反射部材は、例えば、酸化チタン、ガラスフィラー、シリカ、アルミナ、酸化亜鉛等の白色フィラーなどの光反射率の高い材料である。反射率は可視光の反射率が70%以上、若しくは80%以上が好ましい。特に、発光素子の出射する波長域において反射率が70%以上、若しくは80%以上が好ましい。酸化チタン等の配合量は5重量%以上、50重量%以下であればよく、10重量%〜30重量%が好ましいが、これに限定されない。
第1リード電極20は、第1インナーリード部20aと、第1アウターリード部20bと、を備えている。
第1インナーリード部20aは、平面視において樹脂成形体10の内側及び樹脂成形体10の下に位置するリード部分をいう。第1インナーリード部20aの形状は平面視では略矩形であるが、形状はこれに限定されず、一部に切り欠き、凹み、凸部等を設けたものでもよい。
第1アウターリード部20bは、平面視において樹脂成形体10の外側に位置するリード部分をいう。第1アウターリード部20bの形状は平面視では矩形であるが、形状はこれに限定されず、一部に切り欠き、凹み、凸部等を設けたものでもよい。
第2リード電極30は、第2インナーリード部30aと、第2アウターリード部30bと、を備えている。
第2インナーリード部30aは、平面視において樹脂成形体10の内側及び樹脂成形体10の下に位置するリード部分をいう。第2インナーリード部30aの形状は平面視では略矩形であるが、形状はこれに限定されず、一部に切り欠き、凹み、凸部等を設けたものでもよい。
第2アウターリード部30bは、平面視において樹脂成形体10の外側に位置するリード部分をいう。第2アウターリード部30bの形状は平面視では矩形であるが、形状はこれに限定されず、一部に切り欠き、凹み、凸部等を設けたものでもよい。
第1リード電極20と第2リード電極30とは、パッケージ90の底面において、樹脂成形体10の外側に露出して形成されている。パッケージ90の外側底面は、外部の基板に実装される側の面である。第1リード電極20と第2リード電極30は、樹脂成形体10の間隙部10eにより離間させて配置されており、発光装置として使用される際、アノード電極、カソード電極として使用される。
なお、ここでは、第2リード電極30は、第1リード電極20よりも長く形成されているが、第1リード電極20及び第2リード電極30の長さ、幅、厚さは特に限定されず、目的及び用途に応じて適宜選択することができる。第1リード電極20、第2リード電極30は、例えば、鉄、銅、リン青銅、銅合金等の電気良導体を用いて形成される。また、発光素子2からの光の反射率を高めるため、第1リード電極20及び第2リード電極30に、金、銀、銅又はアルミニウム等の金属めっきを施してもよい。
第1リード電極20は、金属を露出させる部分(ワイヤボンディングされる部分)と樹脂成形体10との境に溝部4が設けられている。
第2リード電極30は、金属を露出させる部分(発光素子2がダイボンディングされる部分)と樹脂成形体10との境に溝部5が設けられている。
これら溝部4,5は、凹部10aの底面部10cに露出した金属板の表面の周縁に沿って形成されている。ここでは、溝部5は、発光素子2を実装するための領域を囲むように環状に形成されていることとした。発光素子2を実装するための領域とは、具体的には、第2インナーリード部30aにおいて凹部10aの底面部10cに露出した領域のことである。
このような溝部4,5は、例えば後記する上金型70に設けられた突出部78,79を第1リード電極20及び第2リード電極30に押し付けることで形成される。溝部4,5が形成されることで、パッケージ製造用金型により固定されて注入される樹脂が溝部4,5を越えて凹部10aの底面部10cの中央に入り込むことを防止できる。第1リード電極20、第2リード電極30の材質や樹脂形成体10の大きさ等により溝部4、5の幅、深さは適宜変更される。溝部4、5の幅は5μm〜300μmが好ましく、特に50μm〜150μmが好ましい。また、溝部4、5の深さは5μm〜300μmが好ましく、特に10μm〜100μmが好ましい。
発光素子2は、パッケージ90の第2リード電極30の上に実装されている。ここで用いられる発光素子2は形状や大きさ等が特に限定されない。発光素子2の発光色としては、用途に応じて任意の波長のものを選択することができる。例えば、青色(波長430〜490nmの光)の発光素子としては、GaN系やInGaN系を用いることができる。InGaN系としては、InXAlYGa1-X-YN(0≦X≦1、0≦Y≦1、X+Y<1)等を用いることができる。
ワイヤWは、発光素子2や保護素子等の電子部品と、第1リード電極20や第2リード電極30を電気的に接続するための導電性の配線である。ワイヤWの材質としては、Au、Ag(銀)、Cu(銅)、Pt(白金)、Al(アルミニウム)等の金属、及び、それらの合金を用いたものが挙げられるが、特に、熱伝導率等に優れたAuを用いるのが好ましい。なお、ワイヤWの太さは特に限定されず、目的及び用途に応じて適宜選択することができる。
封止部材40は、パッケージ90の凹部10a内に発光素子2等を覆うように設けられている。封止部材40は、発光素子2等を、外力、埃、水分などから保護すると共に、発光素子2等の耐熱性、耐候性、耐光性を良好なものとするために設けられている。封止部材40の材質としては、熱硬化性樹脂、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ユリア樹脂等の透明な材料を挙げることができる。このような材料に加えて、所定の機能を持たせるために、蛍光体や光反射率が高い物質等のフィラーを含有させることもできる。
封止部材40は、例えば蛍光体を混合することで、発光装置1の色調調整を容易にすることができる。なお、蛍光体としては、封止部材40よりも比重が大きく、発光素子2からの光を吸収し、波長変換するものを用いることができる。蛍光体は、封止部材40よりも比重が大きいと、第1リード電極20及び第2リード電極30の側に沈降するので好ましい。具体的には、例えば、YAG(Y3Al512:Ce)やシリケート等の黄色蛍光体、あるいは、CASN(CaAlSiN3:Eu)やKSF(K2SiF6:Mn)等の赤色蛍光体、を挙げることができる。
封止部材40に含有させるフィラーとしては、例えば、SiO2、TiO2、Al23、ZrO2、MgO等の光反射率が高い物質を好適に用いることができる。また、所望外の波長をカットする目的で、例えば、有機や無機の着色染料や着色顔料を用いることができる。
<金型>
次に、本実施形態に係る発光装置のパッケージの製造に用いる金型について説明する。図4は、実施形態に係る発光装置の製造に用いるパッケージ製造用金型の一例を示した斜視図である。パッケージ製造用金型Kは、上金型70と下金型71とを備えている。
上金型70は、上金型70の上部を構成する平板の本体部72と、本体部72の端部から枠状に形成された外壁部73と、外壁部73に成形された第1切欠き部74a及び第2切欠き部74bと、樹脂成形体10の凹部10aを成形する凸部75と、外壁部73と凸部75の間に形成される凹溝部76と、外壁部73の一部を水平方向に連通して切り欠いた注入口77とを有する。
凸部75の底面には、第1底面部75aと、第2底面部75bと、第3底面部75cと、突出部78と、突出部79とが設けられている。
第1底面部75aは、ワイヤWが接合される第1リード電極20の側に配置されており、平坦に形成されている。
第2底面部75bは、発光素子2が載置される第2リード電極30の側に配置されており、平坦に形成されている。
第3底面部75cは、第1底面部75aと第2底面部75bとの間に配置されて平坦に形成されており、樹脂成形体10の一部である間隙部10eを成形するものである。この第3底面部75cは、第1底面部75a及び第2底面部75bよりも突出している。
突出部78は、第2底面部75bを取り囲むようにその周縁に沿って突出しており、後記する第1工程において第2リード電極30に当接される。突出部78は、パッケージ90の凹部10aの底面部10cに露出した第2リード電極30の表面の周縁に対応した位置に沿って突出している。この突出部78は第3底面部75cよりも突出している。
突出部79は、第1底面部75aを取り囲むようにその周縁に沿って突出しており、後記する第1工程において第1リード電極20に当接される。突出部79は、パッケージ90の凹部10aの底面部10cに露出した第1リード電極20の表面の周縁に対応した位置に沿って突出している。この突出部79は第3底面部75cよりも突出している。
下金型71は、所定の厚みを有する板材であって、表面が平坦に形成されている。下金型71は、上金型70と当接されることにより、所定の空間部を成形するものである。
<発光装置の製造方法>
次に、本実施形態に係る発光装置の製造方法について説明する。図5は、実施形態に係る発光装置の製造工程の概略を示す図であり、図1のII−II線に対応した位置におけるリード電極と金型の配置を模式的に示す断面図である。図6は、実施形態に係るパッケージの製造工程の概略を示す図であり、上金型と下金型でリード電極を挟持する工程を模式的に示す断面図である。図7は、実施形態に係るパッケージの製造工程の概略を示す図であり、樹脂注入及び硬化後の断面図である。図8は、実施形態に係るパッケージの製造工程の概略を示す図であり、上金型を脱型する工程を模式的に示す断面図である。図9は、実施形態に係るパッケージの製造工程の概略を示す図であり、図1のIX−IX線に対応した位置における樹脂注入及び硬化後の断面図である。
ここでは、図示を省略するが、一対の第1リード電極20及び第2リード電極30となる金属板の組が吊りリードによって複数個接続されたリードフレームを用いることとする。また、このリードフレーム上の前記金属板の組のことを、第1リード電極20及び第2リード電極30と呼ぶ。
まず、図5に示すように、上金型70及び下金型71の間に第1リード電極20及び第2リード電極30を配置する。第1リード電極20及び第2リード電極30は、短絡を防ぐための間隙部10e(図2参照)の間隔を開けて配置する。
本実施形態の発光装置1の製造方法は、一例として下記第1工程から第9工程を有する。
第1工程は、例えばパッケージ製造用金型Kを用いて、突出部78,79を一対のリード電極20,30に当接させるように一対のリード電極20,30を挟み込む工程である。ここでは、図6に示すように、上金型70と下金型71で第1リード電極20及び第2リード電極30を挟持する。
具体的には、上金型70の第2切欠き部74bが、第2リード電極30の第2アウターリード部30bに相当する部分に当接すると共に、上金型70の突出部78が、第2リード電極30の第2インナーリード部30aに相当する部分に当接する。また、上金型70の第1切欠き部74aが、第1リード電極20の第1アウターリード部20bに相当する部分に当接すると共に、上金型70の突出部79が、第1リード電極20の第1インナーリード部20aに相当する部分に当接する。これにより、上金型70と下金型71によって空間部80,81が形成される。
第1工程では、上金型70の凸部75に形成された第2底面部75bが第2リード電極30に接触しないように、また、第1底面部75aが第1リード電極20に接触しないような金型のクランプ力で第1リード電極20及び第2リード電極30を挟み込む。このとき、上金型70の凸部75に形成された突出部78の先端は第2リード電極30に入り込むが、突出部78に周囲が囲まれた第2底面部75bは、第2リード電極30に当接しないので、空間部82が形成される。同様に、突出部79の先端は第1リード電極20に入り込むが、突出部79に周囲が囲まれた第1底面部75aは、第1リード電極20に当接しないので、空間部83が形成される。
第2工程は、一対のリード電極20,30を挟み込んだパッケージ製造用金型Kに樹脂Jを注入する工程である。ここでは、図6、図7に示すように、上金型70と下金型71によって形成された空間部80,81に、注入口77からトランスファーモールドにより樹脂Jを注入する。この第2工程では、第1リード電極20及び第2リード電極30は、上金型70及び下金型71によって挟持されているため、樹脂Jを注入する際に第1リード電極20及び第2リード電極30がバタつかず、バリの発生を抑制することができる。なお、上金型70の凸部75には突出部78,79が設けられているため、樹脂Jは空間部82,83に入り込みにくくなっている。
第3工程は、パッケージ製造用金型Kに注入された樹脂Jを硬化して樹脂成形体10を生成する工程である。ここでは、樹脂Jとして例えばエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を注入した場合、上金型70及び下金型71を加熱して樹脂Jを所定の時間加熱して硬化させる。なお、例えばポリフタルアミド樹脂のような熱可塑性樹脂を注入する場合、射出成形で成形することができる。この場合、熱可塑性樹脂を高温にして溶融させ、低温の金型に入れて冷却により硬化させればよい。
第4工程は、上金型70と下金型71とを取り外す工程である。ここでは、例えば図8に示すように上金型70を脱型する。これにより、第1リード電極20及び第2リード電極30が樹脂成形体10によって一体的に保持されてなるパッケージが完成する。
なお、前記第3工程にて樹脂Jを硬化させたとき、上金型70の注入口77を含む断面、つまり、図1のIX−IX矢視方向に相当する断面では、図9に示すように、注入口77部分にゲート84が成形される。このゲート84は、上金型70を脱型した後で、樹脂成形体10の外側面11aに沿って公知の切削機械で切削される(第5工程)。これにより、ゲート84の切削痕としてゲート痕50が成形される。
第6工程は、パッケージ90に形成された凹部10aに発光素子2を実装する工程である。本実施形態において、発光素子2は、上面に一対のn電極及びp電極が形成された片面電極構造の素子であるものとした。この場合、発光素子2は、その裏面が絶縁性のダイボンド部材で第2リード電極30に接合され、上面の一方の電極がワイヤWによって第1リード電極20に接続され、上面の他方の電極がワイヤWによって第2リード電極30に接続される。
第7工程は、パッケージ90の凹部10a内に発光素子2を覆うように封止部材40を充填する工程である。ここでは、図2に示すように、パッケージ90の樹脂成形体10に囲まれた凹部10a内に封止部材40を塗布し、発光素子2を封止する。このとき、封止部材40を樹脂成形体10の凹部10aの上面まで滴下する。樹脂成形体10の凹部10a内に封止部材40を充填する方法は、例えば、射出、圧縮や押出などを用いることもできる。封止部材40には、蛍光体を混合させておくことが好ましい。これにより、発光装置の色調節を容易に行うことができる。
第8工程は、凹部10aに充填された封止部材40を硬化する工程である。ここでは、封止部材40として例えばシリコーン樹脂などの熱硬化性樹脂を注入した場合、樹脂を所定の時間加熱して硬化させる。
第9工程は、リードフレームからパッケージ90を切り離す工程である。ここでは、リードフレームから樹脂成形体10と一対のリード電極20,30とを切断し、パッケージ90を個片化する。ここで、リードフレームの吊りリードを切断する治具は、例えばリードカッターを用いることができる。
以上の方法により、発光装置1を形成することができる。
以上説明したように実施形態に係るパッケージの製造に用いるパッケージ製造用金型Kでは、図6及び図7に示すように上金型70と下金型71によって第1リード電極20及び第2リード電極30をクランプし、樹脂Jを注入させるときに、上金型70に突出部78,79が存在しない場合に比べてクランプする面積が減少する。そのため、上金型70の突出部78,79にクランプ力が集中し、上金型70の突出部78,79と第1リード電極20及び第2リード電極30とが密に密着する。したがって、樹脂Jが、空間部82,83、すなわち、第1リード電極20及び第2リード電極30上の金属露出部へと流れ出しにくくなる。これにより、実施形態に係るパッケージ及び発光装置は、バリの発生を抑制することができる。
このことから、パッケージの成形工程後に従来必要としている、凹部10aの底面部10cのバリを除去する工程を不要にすることができる。したがって、実施形態に係るパッケージ及び発光装置の製造方法によれば、バリの発生を抑制することのできるパッケージ及び発光装置を簡便に製造することができる。その結果、コストダウン、リードタイムの短縮につながる。
加えて、従来のように上金型の凸部に突出部が存在しない場合、金型でリードフレームを挟持した場合、金型による加工の痕跡が生じると共に、金型のクランプ圧と熱により、第1リード電極20及び第2リード電極30のめっきの光沢度が変化してしまう。このため、成形前に、第1リード電極20及び第2リード電極30のめっきの光沢度を上げていたとしても、成形後には光沢度が下がり、LEDの光束が低下し、出力も下がってしまう。
しかしながら、実施形態に係るパッケージの製造に用いるパッケージ製造用金型Kの上金型70には突出部78,79が存在するので、上金型70の凸部75に形成された第1底面部75a及び第2底面部75bと、第1リード電極20及び第2リード電極30の金属露出部との接触がなくなる。そのため、第1リード電極20及び第2リード電極30のめっきの光沢度を低下させずに成形することができる。これにより、従来のLEDの出力が低下する問題を解消することができる。
また、パッケージ製造用金型Kの上金型70には突出部78,79が存在するので、クランプする面積が従来よりも小さく、上金型70の突出部78,79のみにクランプ圧が集中するため、1枚のリードフレームから製造できるLEDの取り個数を増やすこともできる。
また、上金型70の突出部78,79のみにクランプ圧が集中するため、パッケージ製造用金型K自体のクランプ圧を従来の金型に比べて例えば半分ほどの値に低減することができる。その結果、金型装置の寿命が長くなる効果もある。
また、発光装置1のパッケージ90は、第1リード電極20及び第2リード電極30に溝部4,5が形成されているので、封止部材40との接触面積が増加し、封止部材40との密着性が向上する。さらに、パッケージ90は、凹部10aに露出した第1リード電極20及び第2リード電極30の金属露出部のめっきの光沢度を低下させずに成形されるので、発光装置1の光束の低下を抑制し、出力低下を防止することができる。
<実施例1>
以下に、本発明の実施例を説明する。図4に示すような、突出部78,79を設けた凸部75を組み込んだパッケージ製造用金型Kを使用してトランスファーモールド機を使用して成形を行った。
突出部78,79がない形状の凸部75を組み込んだ従来の金型を使用したときに樹脂バリが発生した従来のクランプ圧条件及び注入圧条件にて、パッケージ製造用金型Kを使用して成形を行いバリの発生の確認を行った。
その結果、パッケージ製造用金型Kを使用した場合、第1リード電極20及び第2リード電極30の双方の金属露出部へのバリの発生がないことが確認できた。
また、上金型70の凸部75に形成された第2底面部75bが、パッケージ90の凹部10aに露出した第2リード電極30の金属露出部に接触しなかったことを確認できた。この金属露出部は、溝部5を除く第2インナーリード部30aの中央部分のことである。
また、上金型70の凸部75に形成された第1底面部75aが、パッケージ90の凹部10aに露出した第1リード電極20の金属露出部に接触しなかったことを確認できた。この金属露出部は、溝部4を除く第1インナーリード部20aの中央部分のことである。
<変形例>
パッケージ90の第1リード電極20及び第2リード電極30の双方にそれぞれ溝部4,5が形成されているものとして説明したが、いずれか一方のリード電極にだけ溝部を設けるようにしてもよい。このような溝部は、パッケージ製造用金型Kにおいて、上金型70に突出部78又は突出部79だけを形成して一対のリード電極20,30のうちのいずれか一方に当接させるように一対のリード電極20,30を挟み込めばよい。なお、パッケージ製造用金型Kにおいて上金型70及び下金型71は、図4に示した形状に限定されず、適宜変更が可能である。
パッケージ90の凹部10aは、傾斜を設けず円筒形状を呈するように形成してもよい。
また、凹部10aの側面部10bは、必ずしも平坦である必要はなく、側面部10bを凸凹に成形することにより、樹脂成形体10と封止部材40との界面の密着性を向上させるように成形してもよい。また、凹部10aは、本実施形態においては平面視円形に成形したが、楕円形を呈するように成形してもよい。また、樹脂成形体10は、本実施形態においては長方形に成形したが、平面視円形、楕円形、他の多角形状としてもよい。
リード電極は、本実施形態のように、少なくとも正負一対の電極(第1リード電極20及び第2リード電極30)が一組あればよいが、3つ以上のリード電極を設けてもよい。
発光素子2は、第2リード電極30の代わりに第1リード電極20の上に実装することもできる。発光装置1が例えば2個の発光素子2を備える場合、第1リード電極20及び第2リード電極30の上にそれぞれ発光素子2を実装することもできる。発光素子を実装していないインナーリード部に、保護素子を実装してもよい。
発光素子2は、例えば、n電極(又はp電極)が素子基板の裏面に形成された対向電極構造(両面電極構造)の素子であってもよい。また、発光素子2は、フェイスアップ型に限らず、フェイスダウン型でもよい。フェイスダウン型の発光素子を用いるとワイヤを不要とすることができる。
発光装置1の製造方法では、予め発光素子2をパッケージ90に実装した後に個片化して製造したが、個片化されたパッケージ90に発光素子2を実装するようにしてもよい。
本発明に係る発光装置は、液晶ディスプレイのバックライト光源、各種照明器具、大型ディスプレイ、広告や行き先案内等の各種表示装置、さらには、デジタルビデオカメラ、ファクシミリ、コピー機、スキャナ等における画像読取装置、プロジェクタ装置などに利用することができる。
1 発光装置
2 発光素子
4,5 溝部
10 樹脂成形体
10a 凹部
10b 側面部
10c 底面部
10e 間隙部
11a 外側面
20 第1リード電極
20a 第1インナーリード部
20b 第1アウターリード部
30 第2リード電極
30a 第2インナーリード部
30b 第2アウターリード部
40 封止部材
50 ゲート痕
70 上金型
71 下金型
72 本体部
73 外壁部
74a 第1切欠き部
74b 第2切欠き部
75 凸部
75a 第1底面部
75b 第2底面部
75c 第3底面部
76 凹溝部
77 注入口
78,79 突出部
80,81,82,83 空間部
84 ゲート
90 パッケージ
J 樹脂
K パッケージ製造用金型
W ワイヤ

Claims (4)

  1. 金属板からなる一対のリード電極と樹脂成形体とを備えて発光素子を収容するための凹部が形成され前記凹部に前記一対のリード電極が露出したパッケージの製造方法であって、
    前記一対のリード電極は、前記樹脂成形体からなる間隙部によって離間しており、
    前記一対のリード電極の少なくとも一方のリード電極は、前記凹部の底面部に露出した前記金属板の表面に、前記金属板の表面の周縁に沿う溝部と前記溝部に囲まれた中央部分とを有し、
    前記凹部の底面部に露出した前記金属板の表面は、前記溝部と前記中央部分とからなり、
    前記溝部の一部は、前記中央部分と前記間隙部との境に設けられており、
    前記凹部に対応した形状の凸部を有する上金型と、前記上金型に対応する下金型とを備え、前記凹部の底面部に露出した前記金属板の表面の周縁に対応した位置に沿って突出する突出部が前記凸部の表面に形成された金型を用いて、前記突出部を前記一対のリード電極の少なくとも一方のリード電極に当接させるように前記一対のリード電極を挟み込み前記突出部により前記リード電極に前記溝部を形成する工程と、
    前記一対のリード電極を挟み込んだ金型に樹脂を注入する工程と、
    前記注入された樹脂を硬化して前記樹脂成形体を生成する工程と、
    前記上金型と下金型とを取り外す工程と、し、
    前記上金型と前記下金型とによって前記一対のリード電極を挟み込む工程は、
    環状の前記突出部に囲まれた前記凸部の表面が前記一対のリード電極に接触しないような金型のクランプ力で前記リード電極を挟み込むパッケージの製造方法。
  2. 前記上金型と前記下金型とによって挟み込む前記一対のリード電極は、複数の前記一対のリード電極が接続されたリードフレームに一体的に設けられたものであり、
    前記リードフレームから前記パッケージを切り離す工程を有する請求項に記載のパッケージの製造方法。
  3. 請求項1または請求項2に記載のパッケージの製造方法でパッケージを製造する工程と、
    前記パッケージに形成された前記凹部に前記発光素子を実装する工程を有する発光装置の製造方法。
  4. 前記凹部内に前記発光素子を覆うように封止部材を充填する工程を有する請求項に記載の発光装置の製造方法。
JP2014244525A 2014-12-02 2014-12-02 パッケージの製造方法及び発光装置の製造方法 Active JP6481349B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014244525A JP6481349B2 (ja) 2014-12-02 2014-12-02 パッケージの製造方法及び発光装置の製造方法
US14/956,393 US9741909B2 (en) 2014-12-02 2015-12-02 Package, light emitting device, and methods of manufacturing the package and the light emitting device
US15/643,477 US10074783B2 (en) 2014-12-02 2017-07-07 Package and light emitting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014244525A JP6481349B2 (ja) 2014-12-02 2014-12-02 パッケージの製造方法及び発光装置の製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018221486A Division JP6717361B2 (ja) 2018-11-27 2018-11-27 発光装置及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016111067A JP2016111067A (ja) 2016-06-20
JP6481349B2 true JP6481349B2 (ja) 2019-03-13

Family

ID=56079697

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014244525A Active JP6481349B2 (ja) 2014-12-02 2014-12-02 パッケージの製造方法及び発光装置の製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (2) US9741909B2 (ja)
JP (1) JP6481349B2 (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102588807B1 (ko) * 2016-12-15 2023-10-13 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 반도체 소자 패키지 및 그 제조방법, 자동 초점 장치
DE102018118697B4 (de) 2017-08-03 2023-08-10 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Bauelement mit Begrenzungselement
JP7297768B2 (ja) * 2017-09-19 2023-06-26 ルミレッズ ホールディング ベーフェー 発光デバイス及びその製造方法
JP6879262B2 (ja) 2018-05-08 2021-06-02 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP7453553B2 (ja) * 2018-12-28 2024-03-21 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4359195B2 (ja) 2004-06-11 2009-11-04 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法並びに半導体発光ユニット
JP2006311749A (ja) 2005-04-28 2006-11-09 Yazaki Corp グロメット
KR100632003B1 (ko) 2005-08-08 2006-10-09 삼성전기주식회사 열전달부에 오목부가 형성된 led 패키지
JP4952233B2 (ja) 2006-04-19 2012-06-13 日亜化学工業株式会社 半導体装置
JP5224665B2 (ja) 2006-08-25 2013-07-03 パナソニック株式会社 リードフレームおよびパッケージ部品および半導体装置およびパッケージ部品の製造方法
US8093619B2 (en) * 2006-12-28 2012-01-10 Nichia Corporation Light emitting device
JP5004601B2 (ja) * 2007-01-22 2012-08-22 パナソニック株式会社 パッケージ部品の製造方法および半導体装置の製造方法
JP5496570B2 (ja) 2009-08-05 2014-05-21 シャープ株式会社 発光装置
JP5544987B2 (ja) * 2010-04-01 2014-07-09 日立化成株式会社 多価カルボン酸縮合体、熱硬化性樹脂組成物、光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置
JP5554691B2 (ja) 2010-11-26 2014-07-23 アピックヤマダ株式会社 Ledチップ実装用基板の金型、及び、ledチップ実装用基板の製造方法
JP5743184B2 (ja) 2011-01-12 2015-07-01 大日本印刷株式会社 半導体装置およびその製造方法ならびに照明装置
JP2012204754A (ja) * 2011-03-28 2012-10-22 Toppan Printing Co Ltd Led発光素子用リードフレーム、およびその製造方法、並びにそれを用いたledパッケージ
JP2013058739A (ja) * 2011-08-17 2013-03-28 Dainippon Printing Co Ltd 光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置、および、光半導体装置用リードフレームの製造方法
JP6205686B2 (ja) 2011-08-23 2017-10-04 大日本印刷株式会社 光半導体装置
JP5935577B2 (ja) 2011-08-23 2016-06-15 大日本印刷株式会社 光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、および光半導体装置
JP5632047B2 (ja) 2012-06-27 2014-11-26 大日本印刷株式会社 リードフレームおよびその製造方法、樹脂付リードフレームおよびその製造方法、ならびにledパッケージおよびその製造方法
DE102012215705B4 (de) * 2012-09-05 2021-09-23 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Gehäuse für ein optisches bauelement, baugruppe, verfahren zum herstellen eines gehäuses und verfahren zum herstellen einer baugruppe
US9548261B2 (en) * 2013-03-05 2017-01-17 Nichia Corporation Lead frame and semiconductor device
JP2014192211A (ja) * 2013-03-26 2014-10-06 Toppan Printing Co Ltd Led発光素子用リードフレーム及びその製造方法とledパッケージの製造方法
JP2015099874A (ja) * 2013-11-20 2015-05-28 凸版印刷株式会社 電子素子パッケージ、およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US10074783B2 (en) 2018-09-11
US20170309800A1 (en) 2017-10-26
US9741909B2 (en) 2017-08-22
US20160155911A1 (en) 2016-06-02
JP2016111067A (ja) 2016-06-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11043623B2 (en) Package including lead component having recess
EP2711995A1 (en) Light-emitting device and method for manufacturing same
US10074783B2 (en) Package and light emitting device
US20220102592A1 (en) Light emitting device package having lead electrode with varying height
US9893258B2 (en) Package, light emitting device, and methods of manufacturing the package and the light emitting device
JP6206442B2 (ja) パッケージ及びその製造方法、並びに発光装置
TWI593133B (zh) 封裝之製造方法及發光裝置之製造方法、與封裝及發光裝置
JP6566092B2 (ja) パッケージ、発光装置及びそれらの製造方法
JP7417150B2 (ja) 発光装置
US10490704B2 (en) Light emitting device and method of producing the same
JP6717361B2 (ja) 発光装置及びその製造方法
JP6733786B2 (ja) パッケージ、発光装置及びそれらの製造方法
JP6668742B2 (ja) 発光装置、並びにパッケージ及びその製造方法
US10777719B2 (en) Base member, and method of manufacturing light emitting device using same
JP2015015327A (ja) Ledモジュール及びそれを備える照明装置
JP5511881B2 (ja) Ledパッケージ用基板、ledパッケージ用基板の製造方法、ledパッケージ用基板のモールド金型、ledパッケージ、及び、ledパッケージの製造方法
JP6604193B2 (ja) 発光装置、並びにパッケージ及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170629

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20180413

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180417

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180612

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20180911

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20181127

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20181205

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190115

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190128

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6481349

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250