JP6205686B2 - 光半導体装置 - Google Patents

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Description

本発明は、ＬＥＤ等の光半導体素子を載置する光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置、および、樹脂付き光半導体装置用リードフレームの製造方法、ならびに半導体装置の製造方法に関する。
従来、ＬＥＤ（発光ダイオード）素子を光源として用いる照明装置が、各種家電、ＯＡ機器、車両機器の表示灯、一般照明、車載照明、およびディスプレイ等に用いられている。このような照明装置の中には、互いに絶縁された端子部を有するリードフレームとＬＥＤ素子とを有する光半導体装置を含むものがある。
このような光半導体装置として、例えば、特許文献１には、ＰＬＣＣ（Plastic leaded chip carrier）タイプの半導体装置が開示されている。特許文献１において、ＰＬＣＣタイプの光半導体装置は、リードフレームを保持する構造体と、ＬＥＤ素子を封止するドーム形カプセル材料とを有している。
ここで、一般に、ＬＥＤ素子を封止する材料には、ＬＥＤ素子の発する光を透過させる透光性樹脂が用いられ、その外周には、光半導体装置の発光効率を向上させるために光反射性樹脂が形成されている。
特開２００７−４９１６７号公報
ところで近年、ＬＥＤ素子を含む光半導体装置を、更に小型化、薄型化にすることが求められている。このため、リードフレームのＬＥＤ素子を載置する面（表面）とは反対側の面（裏面）の端子部を、外部端子として樹脂から露出させて外部基板に実装する構造いわゆる下面実装型構造の光半導体装置が用いられてきている。
このような小型、薄型の光半導体装置においては、樹脂とリードフレームとの接触面積が小さくなることによる樹脂の脱離を防止するために、リードフレーム表面に微細な溝状の凹部を形成し、密着性を高めることが行われている。
しかしながら、上述のような溝状の凹部は、小型化、薄型化が求められる光半導体装置のリードフレームに設けられることから、その配置や大きさには制限を受け、このような微細な溝状の凹部に樹脂を充填することには困難性があった。
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、上述のような微細な溝状の凹部に、樹脂を充填することを容易にすることが可能な光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置、および、樹脂付き光半導体装置用リードフレームの製造方法、ならびに光半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
本発明者は、種々研究した結果、表面側を光半導体素子と接続する内部端子とし、裏面側を樹脂から露出させて外部端子とする構造の端子部を有する下面実装型の光学素子用リードフレームにおいて、前記端子部の表面側に、前記光半導体装置用リードフレームの外周に沿って連続する溝状の凹部を形成し、コーナー部においては、前記溝状の凹部を円弧状に形成することで、上記課題を解決できることを見出して本発明を完成したものである。
本発明は、樹脂封止型の光半導体装置に用いられる光半導体装置用リードフレームにおいて、表面側に位置する内部端子と、裏面側に位置する外部端子とを含む金属基板を有する複数の端子部を備え、各端子部の表面側には、端子部の外周に沿って形成された連続する溝状の凹部が設けられ、前記溝状の凹部が端子部のコーナー部において、円弧状に形成され、前記溝状の凹部が平面視上、複数平行して形成されていることを特徴とする光半導体装置用リードフレームである。
本発明は、前記溝状の凹部は、前記端子部同士が対向する側面まで、連続的に形成されていることを特徴とする光半導体装置用リードフレームである。
本発明は、前記溝状の凹部は、上方が開口するＣ字状断面をもち、凹部の内径は上方開口の長さより大きいことを特徴とする光半導体装置用リードフレームである。
本発明は、上記記載の光半導体装置用リードフレームと、光半導体素子が発する光を反射する光反射性樹脂と、を備えたことを特徴とする樹脂付き光半導体装置用リードフレームである。
本発明は、前記溝状の凹部の少なくとも一部の上に、前記光反射性樹脂が形成されていることを特徴とする樹脂付き光半導体装置用リードフレームである。
本発明は、上記記載の光半導体装置用リードフレームと、前記光半導体装置用リードフレームの表面に載置された光半導体素子と、前記光半導体素子を封止し、前記光半導体素子が発する光の一部を透過する透光性樹脂と、を備えたことを特徴とする光半導体装置である。
本発明は、光半導体素子が発する光を反射する光反射性樹脂が、平面視上、前記透光性樹脂を取り囲むように備えられていることを特徴とする光半導体装置である。
本発明は、前記溝状の凹部の少なくとも一部の上に、前記透光性樹脂が形成されていることを特徴とする光半導体装置である。
本発明は、前記溝状の凹部の少なくとも一部の上に、前記光反射性樹脂が形成されていることを特徴とする光半導体装置である。
本発明は、上記記載の光半導体装置用リードフレームを用いて前記光反射性樹脂を備えた樹脂付き光半導体装置用リードフレームを製造する方法において、前記光半導体装置用リードフレームを準備する工程と、前記端子部の表面、および、前記端子部同士が対向する側面から、前記溝状の凹部に樹脂注入して、前記光反射性樹脂を形成する工程とを備えたことを特徴とする樹脂付き光半導体装置用リードフレームの製造方法である。
本発明は、上記記載の光半導体装置用リードフレームを用いて前記透光性樹脂を備えた光半導体装置を製造する方法において、前記半導体装置用リードフレームを準備する工程と、前記端子部の表面、および、前記端子部同士が対向する側面から、前記溝状の凹部に樹脂注入して、前記透光性樹脂を形成する工程とを備えたことを特徴とする光半導体装置の製造方法である。
本発明は、樹脂封止型の光半導体装置において、表面側に位置する内部端子と、裏面側に位置する外部端子とを含む金属基板を有する複数の端子部を備えた光半導体装置用リードフレームと、前記光半導体装置用リードフレームの表面に載置された光半導体素子と、前記光半導体素子が発する光を反射する光反射性樹脂と、前記光半導体素子が発する光の一部を透過する透光性樹脂とを備え、各端子部の表面側には、端子部の外周に沿って形成された溝状の凹部が設けられ、前記光反射性樹脂および前記透光性樹脂は、いずれも前記凹部内に入り込むことを特徴とする光半導体装置である。
本発明は、前記溝状の凹部は、上方が開口するＣ字状断面をもち、凹部の内径は上方開口の長さより大きいことを特徴とする光半導体装置である。
本発明は、前記溝状の凹部は、端子部の外周に沿って複数平行に配置され、各溝状の凹部は端子部の全周に沿って線状に延びることを特徴とする光半導体装置である。
本発明は、光反射性樹脂は外側の溝状の凹部内に入り込み、透光性樹脂は内側の溝状の凹部内に入り込むことを特徴とする光半導体装置である。
本発明は、光反射性樹脂は外側の溝状の凹部内に入り込み、かつ内側の溝状の凹部に達することを特徴とする光半導体装置である。
本発明は、光反射性樹脂は溝状の凹部内を一部埋め、透光性樹脂は前記溝状の凹部の残部に入り込むことを特徴とする光半導体装置である。
本発明は、表面側に位置する内部端子と、裏面側に位置する外部端子とを含む金属基板を有する複数の端子部を備えた光半導体装置用リードフレームと、前記光半導体素子が発する光を反射する光反射性樹脂とを備え、各端子部の表面側には、端子部の外周に沿って形成された溝状の凹部が設けられ、前記光反射性樹脂は、前記溝状の凹部の残部を残して前記溝状の凹部内を一部埋まることを特徴とする樹脂付き光半導体装置用リードフレームである。
本発明によれば、光半導体装置用リードフレームと樹脂との密着性を高める溝状の凹部が、リードフレームのコーナー部において円弧状に形成されているため、樹脂の流動を阻害する形状の突発的な変化を無くし、溝状の凹部への樹脂の充填を容易にすることができる。
また、前記溝状の凹部を、端子部同士が対向する側面まで連続的に形成することで、端子部の側面から溝状の凹部へ樹脂を注入することや、前記溝状の凹部に残留する気体を端子部の側面から排出することも可能となり、溝状の凹部への樹脂の充填をより確実なものとすることができる。
本発明に係る光半導体装置用リードフレームの平板状の形態の一例を示す平面図である。 図１におけるＲ領域の部分拡大図である。 本発明に係る光半導体装置用リードフレームのパッケージ領域の形態の一例を示す説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。 本発明に係る光半導体装置用リードフレームのコーナー部における溝状の凹部を説明する図であり、（ａ）はパッケージ領域の平面図、（ｂ）はコーナー部の拡大図である。 本発明に係る光半導体装置用リードフレームに光反射性樹脂を樹脂成型した状態を説明する平面図である。 樹脂成型時における樹脂の流れについて説明する図である。 コーナー部における溝状の凹部の形状と樹脂の流れの関係について説明する図である。 本発明に係る光半導体装置用リードフレームの他の例を示す平面図である。 本発明に係る樹脂付き光半導体装置用リードフレームの一例を示す断面図である。 本発明に係る光半導体装置の一例を示す断面図である。 本発明に係る光半導体装置用リードフレームの製造方法の一例を示す模式的工程図である。 本発明に係る光半導体装置の製造方法の一例を示す模式的工程図である。 本発明に係る光半導体装置の変形例を示す図。 本発明に係る光半導体装置の他の変形例を示す図。 本発明に係る光半導体装置の更に他の変形例を示す図。 本発明に係る樹脂付き光半導体装置用リードフレームの変形例を示す断面図。 本発明に係る樹脂付き光半導体装置用リードフレームの変形例を示す図。 本発明に係る樹脂付き光半導体装置用リードフレームの更に他の変形例を示す図。
以下、本発明の光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き半導体装置用リードフレーム、光半導体装置、および、樹脂付き半導体装置用リードフレームの製造方法、ならびに光半導体装置の製造方法について詳細に説明する。
［光半導体装置用リードフレーム］
まず、本発明の光半導体装置用リードフレームについて説明する。
図１は、本発明に係る光半導体装置リードフレームの平板状の形態の一例を示す平面図であり、図２は、図１におけるＲ領域の部分拡大図であり、図３は、本発明に係る光半導体装置用リードフレームのパッケージ領域の形態の一例を示す説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
本発明に係る光半導体装置用リードフレームは、図１、図２に示すように、一般に、銅（Ｃｕ）、銅合金、４２合金（Ｎｉ４０．５％〜４３％のＦｅ合金）、アルミニウム等を材料とする平板状の金属基板に、多面付けされた形態で一括して加工形成される。そして、光反射性樹脂の形成、光半導体素子の載置、および透光性樹脂の形成の各工程を経た後に、パッケージ単位に切断（ダイシング）されて、個々の半導体装置となる。
また、図３に示すように、本発明に係る光半導体装置用リードフレームは、例えば、２個の端子部で１単位のパッケージ（１単位の光半導体装置）を構成し、片方の端子部の表面側に光半導体素子が載置される形態をとることが多いが、光半導体素子が２個の端子部を跨いで載置される形態をとる場合もある。また、端子部とは別に、光半導体素子が載置されるダイパッド部を有する場合もある。
さらに、複数の光半導体素子を用いて１単位の光半導体装置を構成する場合には、光半導体装置用リードフレームも、各光半導体素子に応じた複数の端子部で１単位のパッケージを構成する場合もある。
図１に示す例においては、本発明に係る光半導体装置用リードフレームは、平板状の金属基板に多面付けされた形態をしており、矩形状の外形を有する枠体領域２と、枠体領域２内にマトリックス状に配置された多数のパッケージ領域３とを備えている。複数のパッケージ領域３は、互いにダイシング領域４に設けられた連結部（図示せず）を介して接続されている。
そして、図２に示すように、パッケージ領域３における光半導体装置用リードフレーム１０は、端子部１１と、端子部１１に隣接する端子部１２とを有している。なお、各パッケージ領域３は、それぞれ個々の光半導体装置に対応する領域である。
図２に示すように、各パッケージ領域３内の端子部１２は、その右方に隣接する他のパッケージ領域３内の端子部１１と、連結部１３ａにより連結されている。また、各パッケージ領域３内の端子部１１は、その上方および下方に隣接する他のパッケージ領域３内の端子部１１と、それぞれ連結部１３ｂにより連結されている。同様に、各パッケージ領域３内の端子部１２は、その上方および下方に隣接する他のパッケージ領域３内の端子部１２と、それぞれ連結部１３ｃによって連結されている。ここで、各連結部１３ａ、１３ｂ、１３ｃは、いずれもダイシング領域４に位置している。
なお、最も外周に位置するパッケージ領域３内の端子部１１および端子部１２は、連結部１３ａ、１３ｂ、１３ｃのうちの１つまたは複数によって、枠体領域２に連結されている。
図２に示すように、一つのパッケージ領域３内の光半導体装置用リードフレーム１０における端子部１１と端子部１２との間には、隙間（貫通部）が形成されており、切断（ダイシング）された後には端子部１１と端子部１２とは互いに電気的に絶縁されるようになっている。
続いて、図２に示すパッケージ領域３における本発明に係る光半導体装置用リードフレーム構成を、図３を用いてさらに詳しく説明する。
本発明に係る光半導体装置用リードフレームは、金属基板の表面側に内部端子と裏面側に外部端子を一体的に有する端子部を、一平面内に複数個、それぞれ互いに電気的に独立して配置し、前記端子部の内部端子と光半導体素子の端子とを電気的に接続し、前記端子部の裏面を外部に露出させるように全体を樹脂封止した樹脂封止型の光半導体装置に用いられる光半導体装置用リードフレームであって、前記端子部の表面側には、前記光半導体装置用リードフレームの外周に沿って形成された連続する溝状の凹部を有し、前記溝状の凹部が、前記光半導体装置用リードフレームのコーナー部において、円弧状に形成されていることを特徴とする。
例えば、図３（ａ）に示すように、本発明に係る光半導体装置用リードフレーム１０は、２個の端子部１１、１２を有し、前記端子部１１、１２の表面側には、それぞれ、光半導体装置用リードフレーム１０の外周に沿って形成された連続する溝状の凹部１４ａ、１４ｂを有し、さらに、溝状の凹部１４ａ、１４ｂは、前記光半導体装置用リードフレーム１０のコーナー部において、円弧状に形成されている。
なお、本例においては、端子部１１は、光半導素子が載置されるダイパッドとしても機能するため、隣接する端子部１２よりも大きな面積を有している。
ここで、溝状の凹部１４ａ、１４ｂは、光半導体装置用リードフレーム１０と樹脂との密着性を高めるために形成されるものであり、例えば、光半導体装置用リードフレーム１０の外周から０．０３ｍｍ〜０．８ｍｍの距離を隔てた内側に形成される。
溝状の凹部１４ａ、１４ｂの開口幅（長手方向に垂直な方向の幅）は、例えば、０．０５ｍｍ〜１ｍｍである。また、溝状の凹部１４ａ、１４ｂの深さは、その開口幅の大きさにもよるが、例えば、光半導体装置用リードフレーム１０を構成する金属基板２１の厚さの１／４〜３／４程度であり、典型的には、前記金属基板２１の厚さの１／２程度である。
また、図３（ｂ）に示すように、光半導体装置用リードフレーム１０は、金属基板２１と、金属基板２１上に形成されためっき層２２からなっている。
本発明においては、光半導体装置を小型化、薄型化にするため、光半導体装置用リードフレーム１０を構成する端子部１１および端子部１２は、その表面１１Ａ、１２Ａ側が、光半導体素子と電気的に接続される内部端子（インナーリード）として機能し、その裏面１１Ｂ、１２Ｂ側が、外部基板と電気的に接続される外部端子（アウターリード）として機能する。
金属基板２１の材料としては、例えば銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４０．５％〜４３％のＦｅ合金）、アルミニウム等を挙げることができる。この金属基板２１の厚みは、例えば、０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍとすることが好ましい。
めっき層２２は、端子部１１、１２を構成する金属基板２１の表面および裏面に設けられており、表面側のめっき層２２は、光半導体素子からの光を反射するための反射層として機能する。他方、裏面側のめっき層２２は、外部基板に実装される際の半田との濡れ性を高める役割を果たす。
なお、図３（ｂ）に示す例においては、めっき層２２は、端子部１１および端子部１２ともに、金属基板２１の表面および裏面の全体に設けられているが、本発明において前記めっき層２２は、端子部１１、１２の表面または裏面の所望の部分にのみ形成されていてもよい。
例えば、凹部の内壁と樹脂との密着性を向上させるために、凹部の内部には前記めっき層が形成されていない構成であってもよい。
上述のめっき層２２は、例えば銀（Ａｇ）の電解めっき層からなっており、その厚みは、例えば、０．０２μｍ〜１２μｍの範囲である。
次に、本発明に係る光半導体装置用リードフレームのコーナー部における溝状の凹部の形状について、説明する。
図４は、本発明に係る光半導体装置用リードフレームのコーナー部における凹部の形状を説明する図であり、（ａ）はパッケージ領域の平面図、（ｂ）はコーナー部の拡大図である。
図４（ａ）、（ｂ）に示すように、溝状の凹部１４ａ、１４ｂは、光半導体装置用リードフレーム１０のコーナー部１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄにおいて、円弧状に形成されており、その幅方向の中心線の曲率半径（ｒ）は、端子部１１と端子部１２とが対向する側面１６ａ、１６ｂに平行な方向における溝状の凹部の距離をＬとした場合に、Ｌの１／５倍〜１／２倍の大きさであることが好ましい。
例えば、前記Ｌが２ｍｍの場合には、曲率半径（ｒ）は、０．４ｍｍ〜１ｍｍの範囲とすることが好ましい。
このような構成とすることにより、本発明に係る光半導体装置用リードフレームにおいては、後述する光反射性樹脂や透光性樹脂を形成する際に、各樹脂の流動を阻害することなく、溝状の凹部への樹脂の充填を容易に行うことができる。
ここで、光反射性樹脂を形成する際における、本発明の効果について、以下詳述する。
図５は、本発明に係る光半導体装置用リードフレームに光反射性樹脂を樹脂成型した状態を説明する平面図である。
図５に示すように、枠体領域２の外周部と露出領域３３を除いて、光半導体装置用リードフレーム１は光反射性樹脂３１で覆われており、後に透光性樹脂が形成される露出領域３３には、端子部１１と端子部１２のそれぞれの一部、および端子部１１と端子部１２の隙間が露出している。
この露出領域３３は、樹脂成型金型に設けられた凸部によって、光反射性樹脂３１の注入を妨げることで形成される。
なお、光反射性樹脂３１は、後述する図６に示すように、露出領域３３に対し、すり鉢状の形状に形成されるが、この図５においては、煩雑となるのを避けるため、傾斜面の詳細は省略し、上面のみを表示している。
また、端子部１１と端子部１２の隙間は、後述する図６に示すように、光反射性樹脂３１で埋められているが、この図５においては、煩雑となるのを避けるため、詳細は省略している。
次に、光反射性樹脂が注入される際の樹脂の流れについて説明する。
図６は、樹脂成型時における樹脂の流れについて説明する図である。この図６においては、樹脂の流れを説明するために、光反射性樹脂３１が形成される領域以外の領域を黒く塗りつぶしている。
図６において矢印で示すように、樹脂注入口３２より注入された光反射性樹脂３１は、ダイシング領域４や、端子部１１と端子部１２の隙間等を流れて、露出領域３３を除く全領域に広がって行く。この光反射性樹脂３１の流れは、露出領域３３を回避して流れるため、ダイシング領域４の交点で、ほぼ直角に曲がる方向へも分岐する。
そして、この分岐に際し、端子部１１および端子部１２に設けられた溝状の凹部は、コーナー部において円弧状に形成されているため、上述の流れ方向の変化に対しても樹脂を整流でき、溝状の凹部に気泡を残すことなく、樹脂の充填を確実なものとすることができるのである。
次に、上述の樹脂の整流について、図７を用いて説明する。図７は、コーナー部における溝状の凹部の形状と樹脂の流れの関係について説明する図である。
例えば、上述のような樹脂の流れの中において、溝状の凹部がコーナー部において円弧状に形成されている場合には、図７（ａ）に示すように、樹脂は流動を阻害されることなく、滑らかに流れることができる。
一方、図７（ｂ）に示すように、溝状の凹部がコーナー部において直角に形成されている場合には、例えば、流れに対し垂直な面から抵抗を受ける現象や、流れの方向が乱れてしまうといった現象が生じてしまい、樹脂は流動を阻害され、滑らかに流れることができない。
また、図７（ｃ）に示すように、溝状の凹部がコーナー部において終端を形成している場合には、流れに対し垂直な面から、流れに対して反対方向の抵抗を受ける現象や、終端に気泡が残留してしまうといった現象が生じやすいことになる。
次に、本発明に係る光半導体装置用リードフレームの他の形態について説明する。
図８は、本発明に係る光半導体装置用リードフレームの他の例を示す平面図である。本発明に係る光半導体装置用リードフレームにおいては、前記溝状の凹部が、前記端子部同士が対向する側面まで、連続的に形成されていてもよい。
例えば、図８（ａ）に示すように、本発明に係る光半導体装置用リードフレーム１０の外周に沿って形成される溝状の凹部１４ａは、端子部１１と端子部１２とが対向する側面１６ａまで連続的に形成されていてもよい。
また、同様に、本発明に係る光半導体装置用リードフレーム１０の外周に沿って形成される溝状の凹部１４ｂは、端子部１１と端子部１２とが対向する側面１６ｂまで連続的に形成されていてもよい。
このような構成であれば、端子部の側面から溝状の凹部へ樹脂を注入することや、前記溝状の凹部に残留する気体を端子部の側面から排出することも可能となり、溝状の凹部への樹脂の充填をより確実なものとすることができる。
なお、図８（ａ）においては、溝状の凹部１４ａおよび溝状の凹部１４ｂが、それぞれ、端子部１１と端子部１２とが対向する側面１６ａおよび側面１６ｂまで、連続的に形成されている例を示しているが、本発明においては、溝状の凹部１４ａ、または溝状の凹部１４ｂのどちらか一方が、端子部１１と端子部１２とが対向する側面まで連続的に形成されていてもよい。
また、図８（ａ）においては、溝状の凹部１４ａおよび溝状の凹部１４ｂの両端部が、それぞれ、端子部１１と端子部１２とが対向する側面１６ａおよび側面１６ｂに達している例を示しているが、本発明においては、溝状の凹部の両端部のどちらか一方のみが、前記端子部同士が対向する側面に達している形態であってもよい。
また、本発明に係る光半導体装置用リードフレームにおいては、溝状の凹部が、平面視上、複数並走するように形成されていてもよい。
例えば、図８（ｂ）に示すように、本発明に係る光半導体装置用リードフレーム１０の外周に沿って形成される線状に延びる溝状の凹部１４ａの内周側に、線状に延びる溝状の凹部１４ｃが、平面視上、溝状の凹部１４ａに並走するように、すなわち平行に延びて形成されていてもよい。
また、同様に、本発明に係る光半導体装置用リードフレーム１０の外周に沿って形成される線状に延びる溝状の凹部１４ｂの内周側に、線状に延びる溝状の凹部１４ｄが、平面視上、溝状の凹部１４ｂに並走するように、すなわち平行に延びて形成されていてもよい。
このような構成であれば、上述の形態における効果に加えて、光半導体装置用リードフレームと樹脂との接触面積をさらに増すことができるため、樹脂と光半導体装置用リードフレームとの密着性をより高めることができる。
また、例えば、外周側の溝状の凹部の上に光反射性樹脂を形成し、内周側の溝状の凹部の上に透光性樹脂を形成することで、光半導体装置用リードフレームと、光反射性樹脂および透光性樹脂の両方との密着性を高めることができる。
なお、図８（ｂ）においては、平面視上、外周側と内周側の溝状の凹部２本が、並走するように形成されている例を示しているが、並走する溝状の凹部の数は２本に限られず、３本以上であってもよい。
また、図８（ｂ）においては、端子部１１、および端子部１２のそれぞれに形成された溝状の凹部の両方が、複数並走するように形成されている例を示しているが、本発明においては、端子部１１または端子部１２に形成された溝状の凹部のどちらか一方のみが、複数並走するように形成されていてもよい。
［樹脂付き光半導体装置用リードフレーム］
次に、本発明に係る樹脂付き光半導体装置用リードフレームについて説明する。
図９は、本発明に係る樹脂付き光半導体装置用リードフレームの一例を示す断面図である。本発明に係る樹脂付き光半導体装置用リードフレームは、上述の本発明に係る光半導体装置用リードフレームと、光半導体素子が発する光を反射する光反射性樹脂と、を備えたものである。
上述の光反射性樹脂は、例えば、熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂からなり、光半導体素子が載置される部位の周囲の光半導体装置用リードフレームの表面および側面に形成されるものである。
上述の光反射性樹脂を形成する方法としては、例えば、射出成形やトランスファ成形のように、樹脂成型金型にリードフレームをインサートし、樹脂を注入する方法や、リードフレーム上に樹脂をスクリーン印刷する方法を用いることができる。
ここで、上述のように、本発明に係る端子部１１および端子部１２は、その表面側が、光半導体素子と電気的に接続される内部端子（インナーリード）として機能し、その裏面側が、外部基板と電気的に接続される外部端子（アウターリード）として機能するものである。
それゆえ、本発明に係る樹脂付き光半導体装置用リードフレーム３０においては、図９に示すように、端子部１１および端子部１２の裏面には光反射性樹脂３１は形成されておらず、各端子部１１、１２の裏面が露出した構造になっている。
なお、端子部１１と端子部１２との間に形成された隙間（貫通部）には、光反射性樹脂３１が形成されていることが好ましい。端子部１１と端子部１２とを電気的に絶縁することができ、さらに、この隙間（貫通部）に到達した光も高い反射率で反射させることができ、半導体装置の発光効率を向上することができるからである。
上述の光反射性樹脂に使用される熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂については、特に耐熱性、耐光性および機械的強度の優れたものを選ぶことが望ましい。
例えば、熱可塑性樹脂としては、ポリアミド、ポリフタルアミド、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー、ポリエーテルサルホン、ポリブチレンテレフタレート等を用いることができる。
また、熱硬化性樹脂としては、シリコーン、エポキシ、ポリエーテルイミド、ポリウレタンおよびポリブチレンアクリレート等を用いることができる。
さらにまた、これらの樹脂中に光反射剤として、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、窒化アルミニウムおよび窒化ホウ素のうちいずれかを添加することによって、光の反射率を増大させることも可能である。
本発明においては、前記光反射性樹脂は、前記溝状の凹部の少なくとも一部の上に形成されていることが好ましい。
例えば、図９（ａ）に示すように、光反射性樹脂３１は、端子部１１に設けられた溝状の凹部１４ａ、および端子部１２に設けられた溝状の凹部１４ｂの上に形成されていてもよい。
このような構成とすることにより、光反射性樹脂３１と光半導体装置用リードフレームを構成する端子部１１、１２との密着性を高めることができ、また、光反射性樹脂３１を形成する際に、樹脂の流動を阻害することなく、溝状の凹部１４ａ、１４ｂへの樹脂の充填を容易に行うことができる。
また、本発明においては、例えば、図９（ｂ）に示すように、光反射性樹脂３１は、溝状の凹部１４ａ、１４ｂの外周側に形成されていてもよい。
このような構成であれば、上述のような樹脂付き光半導体装置用リードフレームを用いて、光反射性樹脂で周囲を囲まれた領域に、光半導体素子を封止する透光性樹脂を形成する際に、前記透光性樹脂の流動を阻害することなく、溝状の凹部への透光性樹脂の充填を容易に行うことができる。また、透光性樹脂と光半導体装置用リードフレームとの密着性を高めることができる。
なお、図示はしないが、本発明においては、例えば、図８（ｂ）に示すような複数の溝状の凹部を有する前記光半導体装置用リードフレームを用いて、例えば、外周側の前記溝状の凹部の上に光反射性樹脂を、内周側の前記溝状の凹部の上に透光性樹脂を、それぞれ形成してもよい。
このような構成とすることにより、光反射性樹脂および透光性樹脂の両方の樹脂と、光半導体装置用リードフレームとの密着性を高めることができ、光反射性樹脂、透光性樹脂の各樹脂を形成する際には、各樹脂の流動を阻害することなく、溝状の凹部への各樹脂の充填を容易に行うことができるからである。
［光半導体装置］
次に、本発明に係る光半導体装置について説明する。
図１０は、本発明に係る光半導体装置の一例を示す断面図である。
本発明に係る光半導体装置は、上述の本発明に係る光半導体装置用リードフレームと、前記光半導体装置用リードフレームの表面に載置された光半導体素子と、前記光半導体素子を封止し、少なくとも前記光半導体素子が発する光の一部を透過する透光性樹脂と、を備えたものである。
また、本発明に係る光半導体装置においては、平面視上、前記透光性樹脂を取り囲むように、上述の光反射性樹脂が備えられていてもよい。
例えば、図１０（ａ）に示す例において、本発明に係る光半導体装置４０は、本発明に係る光半導体装置用リードフレームの端子部１１の表面に載置された光半導体素子４２と透光性樹脂４４とを備えており、透光性樹脂４４を取り囲むように、光反射性樹脂３１が備えられている。
上述の光半導体素子としては、例えば、従来一般に用いられているＬＥＤ素子を用いることができる。ここで、ＬＥＤ素子は、発光層として、例えば、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＩｎＧａＰ等の化合物半導体単結晶、または、ＩｎＧａＮ等の各種ＧａＮ系化合物半導体単結晶からなる材料を適宜選ぶことにより、紫外光から赤外光に渡る発光波長を選択することができるものである。
光半導体素子の載置形態としては、例えば、図１０（ａ）、（ｂ）に示すように、２個の端子部１１、１２のいずれか一方をダイパッドとして利用する形態や、例えば、図１０（ｃ）に示すように、２個の端子部１１、１２に跨るような形態がある。また、図示はしないが、端子部とは別のダイパッド部に光半導体素子が載置される形態もある。
例えば、図１０（ａ）、（ｂ）に示すように、光半導体素子４２は、半田等の放熱性接着剤４１により端子部１１上に固定実装され、ボンディングワイヤ４３により、端子部１１および端子部１２に接続される。
ここで、半田の代わりにダイボンディングペーストを用いる場合には、耐光性のあるエポキシ樹脂やシリコーン樹脂からなるダイボンディングペーストを選択することが可能である。
また、ボンディングワイヤ４３は、例えば、金（Ａｕ）等の導電性の良い材料からなり、その一端が光半導体素子４２に接続されるとともに、その他端が各端子部１１、１２に接続される。
なお、光半導体素子と端子部との接続には、例えば、図１０（ｃ）に示すように、ボンディングワイヤに代えて、金−金接合や、半田等の導電性を有する放熱性接着剤４１ａ、４１ｂによって、各端子部１１、１２に接続される方法もある。
また、ＡＣＦ（異方性導電フィルム）、ＡＣＰ（異方性導電ペースト）、ＮＣＦ（非導電性フィルム）、またはＮＣＰ（非導電性ペースト）等を用いて光半導体素子の端子を光半導体装置用リードフレームの端子部に直接接合する方法もある。
次に、透光性樹脂について説明する。本発明に係る透光性樹脂としては、光の取り出し効率を向上させるために、光半導体素子の発光波長において光透過率が高く、また屈折率が高い材料を選択するのが望ましい。例えば、耐熱性、耐光性、及び機械的強度が高いという特性を満たす樹脂として、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂を選択することが可能である。特に、光半導体素子として高輝度ＬＥＤを用いる場合、透光性樹脂は強い光にさらされるため、透光性樹脂は高い耐光性を有するシリコーン樹脂からなることが好ましい。
なお、光反射性樹脂については、上述の本発明の樹脂付き光半導体装置用リードフレームにおいて既に説明したので、ここでは詳細な説明を省略する。
本発明の光半導体装置においては、前記溝状の凹部の少なくとも一部の上に、前記透光性樹脂が形成されていることが好ましい。
例えば、図１０（ａ）に示すように、透光性樹脂４４は、端子部１１に設けられた溝状の凹部１４ａ、および端子部１２に設けられた溝状の凹部１４ｂの上に形成されていてもよい。
このような構成とすることにより、本発明に係る光半導体装置においては、透光性樹脂と光半導体装置用リードフレームとの密着性を高めることができ、また、透光性樹脂を形成する際に、透光性樹脂の流動を阻害することなく、溝状の凹部への透光性樹脂の充填を容易に行うことができる。
また、本発明の光半導体装置においては、前記溝状の凹部の少なくとも一部の上に、前記光反射性樹脂が形成されていることが好ましい。
例えば、図１０（ｂ）に示すように、光反射性樹脂３１は、端子部１１に設けられた溝状の凹部１４ａ、および端子部１２に設けられた溝状の凹部１４ｂの上に形成されていてもよい。
このような構成とすることにより、本発明に係る光半導体装置においては、光反射性樹脂と光半導体装置用リードフレームとの密着性を高めることができ、また、光反射性樹脂を形成する際に、光反射性樹脂の流動を阻害することなく、溝状の凹部への光反射性樹脂の充填を容易に行うことができる。
なお、図示はしないが、本発明においては、例えば、図８に示すような複数の溝状の凹部を有する前記光半導体装置用リードフレームを用いて、例えば、外周側の前記溝状の凹部の上に光反射性樹脂を、内周側の前記溝状の凹部の上に透光性樹脂を、それぞれ形成してもよい。
このような構成とすることにより、光反射性樹脂および透光性樹脂の両方の樹脂と、光半導体装置用リードフレームとの密着性を高めることができ、光反射性樹脂、透光性樹脂の各樹脂を形成する際には、各樹脂の流動を阻害することなく、溝状の凹部への各樹脂の充填を容易に行うことができるからである。
［光半導体装置用リードフレームの製造方法］
次に、本発明に係る光半導体装置用リードフレームの製造方法について説明する。図１１は、本発明に係る光半導体装置用リードフレームの製造方法の一例を示す模式的工程図である。
まず、図１１（ａ）に示すように、平板状の金属基板２１を準備する。この金属基板２１としては、上述のように銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４０．５％〜４３％のＦｅ合金）等からなる金属基板を使用することができる。なお金属基板２１は、その両面に対して脱脂等を行い、洗浄処理を施したものを使用することが好ましい。
次に、金属基板２１の表面および裏面に、それぞれ、レジストパターン５１ａ、５１ｂを形成する（図１１（ｂ））。レジストパターン５１ａ、５１ｂの材料および形成方法は、エッチング用レジストとして従来公知のものを使用することができる。
次に、レジストパターン５１ａ、５１ｂを耐エッチング膜として金属基板２１にエッチングを施し（図１１（ｃ））、その後、レジストパターン５１ａ、５１ｂを除去する（図１１（ｄ））。
上述のエッチングに用いるエッチング液は、使用する金属基板２１の材質に応じて適宜選択することができ、例えば、金属基板２１として銅を用いる場合、通常、塩化第二鉄水溶液を使用し、金属基板２１の両面からスプレーエッチングにて行うことができる。
このエッチング工程により、端子部１１および端子部１２の外形、端子部１１と端子部１２とを絶縁する開口部６１、ならびに、溝状の凹部１４ａ、１４ｂが同時に形成される。
なお、図１１においては省略するが、この工程段階での端子部１１および端子部１２は、例えば、上述の図２に示すように、各連結部１３ａ、１３ｂ、１３ｃを介して多面付けされた形態をしている。
次に、端子部１１および端子部１２を構成する金属基板２１の全面に、例えば、シアン化銀を主成分とした銀めっき液を用いた電解めっきを施すことにより、めっき層２２を形成し、本発明に係る光半導体装置用リードフレーム１を得ることができる（図１１（ｅ））。
なお、めっき層２２を形成する前に、例えば、電解脱脂工程、酸洗工程、銅ストライク工程、を適宜選択し、その後、電解めっき工程を経て、めっき層２２を形成してもよい。
なお、図１１（ａ）〜（ｅ）においては、エッチングにより光半導体装置用リードフレーム１を製造する方法を示したが、本発明においては、プレスによる製造方法を用いても良い。
［樹脂付き光半導体装置用リードフレームの製造方法および光半導体装置の製造方法］
次に、本発明に係る樹脂付き光半導体装置用リードフレームの製造方法および光半導体装置の製造方法について説明する。
図１２は、本発明に係る光半導体装置用リードフレームを用いた光半導体装置の製造方法の一例を示す模式的工程図である。
まず、図１２（ａ）に示すように、上述した工程等によって得られた本発明に係る光半導体装置用リードフレームの表面、および側面に光反射性樹脂３１を形成することにより、本発明に係る樹脂付き光半導体装置用リードフレーム３０を得る。
光反射性樹脂３１の形成は、例えば、所望の形状に加工した金型を用いて、熱可塑性樹脂を射出成型またはトランスファ成型することにより形成することができ、これにより、光半導体装置用リードフレームと光反射性樹脂３１とが一体に結合される。
ここで、図１２（ａ）に示すように、光反射性樹脂３１を溝状の凹部１４ａ、１４ｂの上に形成する場合、本発明においては、前記溝状の凹部が、前記光半導体装置用リードフレームのコーナー部において、円弧状に形成されているため、樹脂の流動を阻害することなく、溝状の凹部への樹脂の充填を容易に行うことができる。
また、例えば、上述の図８（ａ）に示すように、溝状の凹部１４ａ、１４ｂが、端子部１１と端子部１２とが対向する側面１６ａ、１６ｂまで連続的に形成されている場合には、端子部１１、１２の表面からの樹脂注入に加えて、端子部１１と端子部１２が対向する側面からも、前記溝状の凹部に樹脂注入することが可能となり、かつ、前記溝状の凹部に残留する気体を端子部の側面から排出することも可能となり、溝状の凹部１４ａ、１４ｂへの樹脂の充填をより確実なものとすることができる。
次に、図１２（ｂ）に示すように、半田等の放熱性接着剤４１を介して光半導体素子４２を端子部１１上に載置し、ボンディングワイヤ４３により、光半導体素子４２と、端子部１１および端子部１２とを電気的に接続する。
次に、図１２（ｃ）に示すように、光反射性樹脂３１で囲まれた領域の端子部１１および端子部１２の表面に透光性樹脂４４を充填し、透光性樹脂４４により光半導体素子４２を封止する。
ここで、図１２においては示していないが、例えば、上述の図１０（ａ）に示すように、透光性樹脂４４を溝状の凹部１４ａ、１４ｂの上に形成する場合、本発明においては、前記溝状の凹部が、前記光半導体装置用リードフレームのコーナー部において、円弧状に形成されているため、樹脂の流動を阻害することなく、溝状の凹部への透光性樹脂の充填を容易に行うことができる。
また、例えば、上述の図８に示すように、溝状の凹部１４ａ、１４ｂが、端子部１１と端子部１２とが対向する側面１６ａ、１６ｂまで連続的に形成されている場合には、端子部１１、１２の表面からの樹脂注入に加えて、端子部１１と端子部１２が対向する側面からも、前記溝状の凹部に樹脂注入することが可能となり、かつ、前記溝状の凹部に残留する気体を端子部の側面から排出することも可能となり、溝状の凹部１４ａ、１４ｂへの透光性樹脂の充填をより確実なものとすることができる。
次に、従前の方法等を用いて、ダイシング領域４の光反射性樹脂３１および各連結部１３ａ、１３ｂ、１３ｃ（図示せず）を切断して（図１２（ｄ））、本発明に係る光半導体装置４０を得る（図１２（ｅ））。
以上、本発明の光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置、および、樹脂付き光半導体装置用リードフレームの製造方法、ならびに光半導体装置の製造方法について説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。
次に本発明に係る光半導体装置の変形例について図１３乃至図１４により説明する。図１３乃至図１４に示す変形例は光半導体装置用リードフレームの構成が異なるのみであり、他の構成は図１乃至図１２に示す実施の形態と略同一である。
図１３乃至図１４に示す変形例において、図１乃至図１２に示す実施の形態と同一部分には同一符号を符して詳細な説明は省略する。
図１３乃至図１４において、樹脂止型の半導体装置４０は、表面側に位置する内部端子と、裏面側に位置する外部端子とを含む金属基板を有する複数の端子部１１を備えた光半導体装置用リードフレーム１０と、リードフレーム１０の表面に載置された光半導体素子４２と、光半導体素子４２が発する光を反射する光反射性樹脂３１と、光半導体素子４２が発する光の一部を透過する透光性樹脂４４とを備えている。
また端子部１１の表面１１Ａ側には、端子部１１の外周に沿って形成された連続する溝状の凹部１４ａ、１４ｃが設けられている。さらに、端子部１１の外面全域を覆ってめっき層２２が形成されている。
端子部１１の外周に沿って形成された連続する２つの溝状の凹部は、互いに並走するように、すなわち平行に延びて形成されている。
次に溝状の凹部１４ａ、１４ｃと、光反射性樹脂３１および透光性樹脂４４との関係について説明する。
図１３に示すように、光反射性樹脂３１は、外側の溝状の凹部１４ａ内に入り込み、外側の溝状の凹部１４ａと内側の溝状の凹部１４ｃとの間まで達する。
また透光性樹脂４４は内側の溝状の凹部１４ｃ内に入り込んでいる。
このように、光反射性樹脂３１が外側の溝状の凹部１４ａ内に入り込み、透光性樹脂４４が内側の溝状の凹部１４ｃ内に入り込むことにより、光反射性樹脂３１と端子部１１との密着性を高めることができ、また透光性樹脂４４と端子部１１との密着性を高めることができる。
さらに光反射性樹脂３１が外側の溝状の凹部１４ａ内に入り込むことにより、端子部１１と光反射性樹脂３１との間に隙間が形成され、外部から水分が侵入してきても、この水分を凹部１４ａ内に入り込んだ光反射性樹脂３１により遮断することができる。
あるいは、図１４に示すように、光反射性樹脂３１は外側の溝状の凹部１４ａ内に入り込み、かつ内側の溝状の凹部１４ｃに達し、この凹部１４ｃ内を埋めていてもよい。
このように、光反射性樹脂３１が外側の溝状の凹部１４ａ内および内側の溝状の凹部１４ｃ内に入り込むことにより、光反射性樹脂３１と端子部１１との密着性を高めることができる。
さらに光反射性樹脂３１が外側の溝状の凹部１４ａ内に入り込むことにより、端子部１１と光反射性樹脂３１との間に隙間が形成され、外部から水分が侵入してきても、この水分を凹部１４ａ内に入り込んだ光反射性樹脂３１により遮断することができる。
さらにまた、光反射性樹脂３１が内側の溝状の凹部１４ｃを埋めるため、光半導体素子４２が発する光が内側の溝状の凹部１４ｃ内で乱反射することはない。このため光半導体素子４２からの光を透光性樹脂４４を経て、適切に外方へ放射することができる。
なお、図１４において、光反射性樹脂３１が外側の溝状の凹部１４ａと内側の溝状の凹部１４ｂの双方に入り込んでいるが、光反射性樹脂３１が外側の溝状の凹部１４ａに入り込み、かつ内側の溝状の凹部１４ｂ内を一部埋め、透光性樹脂４４が内側の溝状の凹部１４ｂの残部に入り込んでいてもよい。
また、図１乃至図１４に示す実施の形態において、溝状の凹部１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄは、いずれも凹部の上方開口が凹部の内径より大きくなっているが、これに限らず、端子部１１の表面側に溝状の凹部１４ａ、１４ｃを平行に形成するとともに、各凹部１４ａ、１４ｃの形状をＣ字状断面をもつよう形成してもよい（図１５参照）。
図１５に示すように、各溝状の凹部１４ａ、１４ｃは、上方開口をもつＣ字状断面をもっており、各凹部１４ａ、１４ｃの内径Ｗ２は、上方開口の長さＷ１より大きくなっている。
図１５において、光反射性樹脂３１は外側の溝状の凹部１４ａから、外側の溝状の凹部１４ａと内側の溝状の凹部１４ｃとの間まで延び、透光性樹脂４４は内側の溝状の凹部１４ｃまで延びている。
このように溝状の凹部１４ａ、１４ｃが上方が開口するＣ字状断面をもち、凹部１４ａ、１４ｃの内径Ｗ２が上方開口の長さＷ１より大きくなっているため、凹部１４ａ、１４ｃを有する端子部１１と光反射性樹脂３１との間の密着性および端子部１１と透光性樹脂４４との密着性をより向上させることができる。
次に本発明による樹脂付き光半導体装置用リードフレームの変形例について図１６乃至図１８により説明する。
図１６乃至図１８に示す変形例において、図１乃至図１２に示す実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。
まず図１６において、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム３０は、表面側に位置する内部端子と、裏面側に位置する外部端子とを含む金属基板を有する複数の端子部１１、１２を備えた光半導体装置用リードフレーム１０と、光を反射する光反射性樹脂３１とを備えている。そして光反射性樹脂３１内は、露出領域３３となっている。
また端子部１１の表面１１Ａおよび端子部１２の表面１２Ａ側には、端子部１１、１２の外周に沿って形成された連続する溝状の凹部１４ａ、１４ｃおよび１４ｂ、１４ｄが各々が設けられている。さらに、端子部１１の外面全域を覆ってめっき層２２が形成されている。
端子部１１、１２の外周に沿って形成された連続する２つの溝状の凹部１４ａ、１４ｃおよび１４ｂ、１４ｄは、互いに並走するように、すなわち平行に延びて形成されている。
次に溝状の凹部１４ａ、１４ｃおよび１４ｂ、１４ｄと、光反射性樹脂３１との関係について説明する。
図１６に示すように、光反射性樹脂３１は、外側の溝状の凹部１４ａおよび１４ｂ内に入り込み、外側の溝状の凹部１４ａおよび１４ｂと内側の溝状の凹部１４ｃおよび１４ｄとの間まで達し、反射性樹脂３１は内側の溝状の凹部１４ｃおよび１４ｄ内に入り込むことはない。
このように、光反射性樹脂３１が外側の溝状の凹部１４ａおよび１４ｂ内に入り込むことにより、光反射性樹脂３１と端子部１１および１２との密着性を高めることができる。
あるいは、図１７（ａ）に示すように、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム３０は、表面側に位置する内部端子と、裏面側に位置する外部端子とを含む金属基板を有する複数の端子部１１、１２を備えた光半導体装置用リードフレーム１０と、光を反射する光反射性樹脂３１とを備えていてもよい。そして光反射性樹脂３１内は露出領域３３となっている。
また端子部１１の表面１１Ａおよび端子部１２の表面１２Ａ側には、端子部１１、１２の外周に沿って形成された連続する１本の溝状の凹部１４ａ、１４ｂが設けられている。さらに、端子部１１、１２の外面全域を覆ってめっき層２２が形成されている。
次に溝状の凹部１４ａ、１４ｂと、光反射性樹脂３１との関係について説明する。
図１７（ａ）に示すように、光反射性樹脂３１は、連続する１本の溝状の凹部１４ａの一部内に入り込み、溝状の凹部１４ａの他部には入り込んでおらず、また連続する１本の溝状の凹部１４ｂの一部内に入り込み、溝状の凹部１４ｂの他方には入り込んでいない。
あるいは、端子部１１の表面１１Ａ側および端子部１２の表面１２側に、断続的に溝状の凹部１４ａ−１、１４ａ−２および凹部１４ｂ−１、１４ｂ−２を設けてもよい（図１７（ｂ））。
図１７（ｂ）に示すように、端子部１１側では凹部１４ａ−１には光反射性樹脂３１が埋まり、凹部１４ａ−２には光反射性樹脂３１が全く入り込んでいない。
同様に端子部１２側では凹部１４ｂ−１に光反射性樹脂３１が埋まり、凹部１４ｂ−２には光反射性樹脂は入り込んでいない。
あるいは図１８（ａ）（ｂ）に示すように、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム３０は、表面側に位置する内部端子と、裏面側に位置する外部端子とを含む金属基板を有する複数の端子部１１、１２を備えた光半導体装置用リードフレーム１０と、光を反射する光反射性樹脂３１とを備えていてもよい。この場合、光反射性樹脂３１内は露出領域３３となっている。
また端子部１１の表面１１Ａおよび端子部１２の表面１２Ａ側には、端子部１１、１２の外周に沿って形成された連続する１本の溝状の凹部１４ａ、１４ｂが設けられている。さらに、端子部１１、１２の外面全域を覆ってめっき層２２が形成されている。
次に溝状の凹部１４ａ、１４ｂと、光反射性樹脂３１との関係について説明する。
図１８（ａ）（ｂ）に示すように、光反射性樹脂３１は、端子部１１側の凹部１４ａを完全に埋め、端子部２側の凹部１４ｂの他部を残してその一部を埋めている。
あるいは図１８（ｃ）に示すように端子部１１側の凹部１４ａの端部と、端子部１２側の凹部１４ｂの端子部とは互いに一致しておらずにずれていてもよい。この場合、光反射性樹脂３１は端子部１１側の凹部１４ａを完全に埋め、端子部１２側の凹部１４ｂには全く入り込んでいない。
１ 光半導体装置用リードフレーム
２ 枠体領域
３ パッケージ領域
４ ダイシング領域
１０ 光半導体装置用リードフレーム
１１、１２ 端子部
１３、１３ａ、１３ｂ、１３ｃ 連結部
１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ 溝状の凹部
１４ａ−１、１４ａ−２、１４ｂ−１、１４ｂ−２ 溝状の凹部
１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄ コーナー部
１６ａ、１６ｂ 側面
２１ 金属基板
２２ めっき層
３０ 樹脂付き光半導体装置用リードフレーム
３１ 光反射性樹脂
３２ 樹脂注入口
３３ 露出領域
４０ 光半導体装置
４１、４１ａ、４１ｂ 放熱性接着剤
４２ 光半導体素子
４３ ボンディングワイヤ
４４ 透光性樹脂
５１ａ、５１ｂ レジストパターン
６１ 貫通部

Claims (5)

  1. 樹脂封止型の光半導体装置に用いられる光半導体装置用リードフレームにおいて、
    表面側に位置する内部端子と、裏面側に位置する外部端子とを含む金属基板を有する複数の端子部を備え、
    各端子部の表面側には、端子部の外周に沿って形成された連続する溝状の凹部が設けられ、
    前記溝状の凹部が端子部のコーナー部において、円弧状に形成され、
    前記溝状の凹部が平面視上、全周に渡って各端子部同士が対向する辺を除く三辺に、複数並走するように形成されている光半導体装置用リードフレームと、
    前記光半導体装置用リードフレームの表面に載置された光半導体素子と、
    前記光半導体素子を封止し、前記光半導体素子が発する光の一部を透過する透光性樹脂と、を備え、
    光半導体素子が発する光を反射する光反射性樹脂が、平面視上、前記透光性樹脂を取り囲むように設けられ、
    複数の凹部のうち、外側の凹部に囲まれた内側の凹部上に、前記透明性樹脂が設けられ、内側の凹部を囲む外側の凹部上に、前記光反射性樹脂が設けられていることを特徴とする、光半導体装置。
  2. 前記溝状の凹部は、前記端子部同士が対向する側面まで、連続的に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の光半導体装置。
  3. 前記溝状の凹部は、前記端子部同士が対向する側面まで達していないことを特徴とする請求項1に記載の光半導体装置。
  4. 前記溝状の凹部は、上方が開口するＣ字状断面をもち、凹部の内径は上方開口の長さより大きいことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の光半導体装置。
  5. 各端子部の対向する端部は、その垂直断面において、互いに向き合う突出部を有し、各突出部は高さ方向において表面以外の中間部に形成され、各突出部は各端子部のうち、端子部間の空間に向かって最も突出することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の光半導体装置。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6170724B2 (ja) * 2013-05-15 2017-07-26 ローム株式会社 Ｌｅｄモジュール
JP6264777B2 (ja) * 2013-08-12 2018-01-24 大日本印刷株式会社 樹脂付きリードフレーム、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体の製造方法、光半導体装置の製造方法
JP6372737B2 (ja) * 2014-04-10 2018-08-15 大日本印刷株式会社 リードフレーム、樹脂付リードフレームおよびその製造方法、ならびにｌｅｄパッケージおよびその製造方法
JP2015230953A (ja) * 2014-06-04 2015-12-21 大日本印刷株式会社 樹脂付リードフレームおよびその製造方法、リードフレーム、ならびにｌｅｄパッケージおよびその製造方法
WO2016006650A1 (ja) * 2014-07-10 2016-01-14 大日本印刷株式会社 リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、半導体装置の多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体の製造方法、それに使用される射出成形用金型、成形装置
JP6375753B2 (ja) * 2014-07-24 2018-08-22 大日本印刷株式会社 リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、半導体装置の多面付け体
JP6477328B2 (ja) * 2014-09-29 2019-03-06 日亜化学工業株式会社 パッケージの製造方法及び発光装置の製造方法、並びにパッケージ及び発光装置
JP6481349B2 (ja) 2014-12-02 2019-03-13 日亜化学工業株式会社 パッケージの製造方法及び発光装置の製造方法
CN108140703B (zh) 2015-10-27 2020-07-24 创光科学株式会社 氮化物半导体紫外线发光装置及其制造方法
JP6724939B2 (ja) * 2017-10-20 2020-07-15 日亜化学工業株式会社 発光装置
US10615319B2 (en) 2017-10-20 2020-04-07 Nichia Corporation Light emitting device
JP7142517B2 (ja) * 2018-08-28 2022-09-27 サンコール株式会社 バスバーアッセンブリ及びその製造方法
JP6599575B1 (ja) * 2019-02-15 2019-10-30 大口マテリアル株式会社 Ｌｅｄ用リードフレーム

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3618551B2 (ja) * 1998-06-30 2005-02-09 株式会社東芝 光半導体モジュール
JP2004349397A (ja) * 2003-05-21 2004-12-09 Sharp Corp 半導体装置およびそれに用いられるリードフレーム
US7183588B2 (en) * 2004-01-08 2007-02-27 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light emission device
JP4359195B2 (ja) * 2004-06-11 2009-11-04 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法並びに半導体発光ユニット
KR101367380B1 (ko) * 2007-09-28 2014-02-27 서울반도체 주식회사 Ｌｅｄ 패키지
JP2011119557A (ja) * 2009-12-07 2011-06-16 Sony Corp 発光装置及びその製造方法
JP5573176B2 (ja) * 2010-01-14 2014-08-20 大日本印刷株式会社 リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法
JP2011151239A (ja) * 2010-01-22 2011-08-04 Toppan Printing Co Ltd Ｌｅｄ用リードフレーム及びｌｅｄモジュールの製造方法
JP5587625B2 (ja) * 2010-02-01 2014-09-10 アピックヤマダ株式会社 リードフレーム及びｌｅｄパッケージ用基板

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