JP2015154007A - 発光装置の製造方法および発光装置 - Google Patents
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Abstract
Description
このようなLED素子の表面に蛍光体を形成する方法として、発光装置の蛍光体層(波長変換層)をスプレーコート法で形成することで、LED素子上に均一な厚さ(均一な蛍光体分布)の蛍光体層を形成する技術が開示されている(例えば、特許文献1参照)。
本発明に係る発光装置によれば、発光素子近傍の反射率を向上させることで、光取り出し効率に優れる発光装置とすることができる。
はじめに、本発明の発光装置について説明する。
図1(a)、(b)に示すように、発光装置100は、ここでは、基材1と、基材1上に設けられた導電部材2a,2bと、導電部材2a,2b上に設けられた導電性接着剤3a,3bと、導電性接着剤3a,3b上に設けられた発光素子10と、基板(実装基板)20の表面に設けられた被覆層50と、発光素子10の表面および被覆層50の表面に設けられた蛍光体層40と、を主に備える。ここでは、基材1と、導電部材2a,2bとで、実装基板20を構成している。なお、本発明の構成を分かりやすく示すために、図1(a)では、図1(b)において図示している蛍光体層40および被覆層50の図示を省略している。
図1(a)、(b)に示すように、実装基板20は、発光素子10等の電子部品が実装される基板であり、ここでは、基材1と、基材1上に設けられた導電部材2a,2bと、を備える。
実装基板20(あるいは基材1)は、図1(a)に示すように、ここでは矩形平板状に形成されている。なお、実装基板20(あるいは基材1)のサイズや形状は特に限定されず、発光素子10の数や配列間隔等、目的および用途に応じて適宜選択することができる。
基材1は、導電部材2a,2bを介して発光素子10等の電子部品が実装される部材である。
基材1の材料としては、絶縁性材料を用いることが好ましく、かつ、発光素子10から放出される光や外光等が透過しにくい材料を用いることが好ましい。また、ある程度の強度を有する材料を用いることが好ましい。具体的には、セラミックス(Al2O3、AlN等)あるいは樹脂、または、金属板の表面に絶縁層を設けた部材が挙げられる。セラミックスの中でも、低温焼結セラミックス(LTCC)は光反射率を高めやすいため、好ましく用いることができる。
導電部材2a,2bは、外部と、発光素子10等の電子部品とを電気的に接続し、これら電子部品に、外部からの電流(電力)を供給するための部材である。
導電部材2a,2bの材料は、上述の基材1として用いられる材料や、発光装置100の製造方法等によって適宜選択することができる。例えば、銅、アルミニウム、金、銀、タングステン、鉄、ニッケル等の金属、または、鉄−ニッケル合金、りん青銅、鉄入り銅、モリブデン等が挙げられる。
後述する被覆層形成工程が電着塗装法で行われる場合、導電部材2a,2bは、被覆層を形成するための電極として用いることができる。
導電性接着剤3a,3bは、発光素子10の電極と導電部材2a,2bとを電気的に接続する部材である。
導電性接着剤としては、従来公知のものを用いればよく、例えば、スタッドバンプやめっきバンプ、半田等が挙げられる。スタッドバンプの材質としてはAuまたはその合金がよく用いられる。めっきバンプの材質としてはAuのみ、若しくはCu、またはNiをベースに表面をAuとした積層構造が用いられる。導電性接着剤3a,3bの厚みとしては、例えば、10μm〜20μmである。
発光素子10は、例えば、発光面と反対側の面(図1(b)では導電性接着剤3a,3bが接続する側の面)に正と負の電極パッドを有し、導電性接着剤3a,3bを介して導電部材2a,2bと接続されて基材1上(実装基板20上)に実装されている。ここでは、n側電極が、導電性接着剤3aを介して負極である導電部材2aと接続され、p側電極が、導電性接着剤3b,3bを介して正極である導電部材2bと接続されている。なお、発光面とは、実装基板20に実装したときに、基材1と対向する側の面と反対側で、発光装置100の光取り出し方向側の面である。
発光素子10は、光取り出し面側にサファイア等の透光性の基板を有することが好ましい。また、可視光領域の光だけでなく、紫外線や赤外線を出力する発光素子10とすることもできる。
なお、発光装置100は、青色発光素子と、黄色蛍光体とを組み合わせることで、白色LED素子とすることができる。
被覆層50は、光反射性の層である。
被覆層50は、発光素子10からの光の少なくとも一部を反射させる光反射性の材料を含有している。光反射性の材料としては、例えば、SiO2、Al2O3、TiO2、ZrO2、BaSO4、MgO等が挙げられる。光反射性の材料は、これらのうちの一種以上を用いればよい。
また、被覆層50には、光反射性の材料に加え、所望に応じて着色剤、光拡散剤、フィラー、蛍光部材等を含有させることもできる。
また、被覆層50は、単一の部材で形成することもできるし、あるいは、2層以上の複数の層として形成することもできる。
導電部材2a,2bの表面に被覆層50を設けることで、発光素子10の表面以外の発光素子10近傍で反射率が向上し、光取り出し効率に優れた発光装置となる。この効果は、被覆層50がより発光素子10の近傍に設けられることでさらに向上する。
被覆層50の厚みとしては、例えば10〜30μmである。なお、被覆層50の厚みは、必ずしも導電性接着剤3a,3bの厚みより厚い必要はない。
被覆層50は、導電部材2a,2b上に形成される場合には、絶縁性の材料であることが好ましい。
蛍光体層40は、発光素子10および被覆層50の表面に形成された、蛍光体を含む層であり、発光素子10および被覆層50の表面を被覆するものである。蛍光体層40は、少なくとも発光素子10の表面に形成されていればよいが、前記した背景技術の項目で説明したとおり、スプレー法で形成された蛍光体層40は実装基板20の表面(ここでは被覆層50の表面)にも不可避的に形成されてしまう。そのため、蛍光体層40は、ここでは発光素子10が載置された部位以外の被覆層50の表面および実装基板20の表面にも形成されている。ただし、点光源性を向上させる観点からいえば、被覆層50上および実装基板20上の蛍光体層40の面積は少ないほど好ましい。
蛍光体層の厚みとしては、例えば10〜200μmがあげられる。
蛍光体層40を構成する蛍光体は、波長変換部材として発光素子10からの光の少なくとも一部を吸収して異なる波長を有する光を発する蛍光部材である。
以上説明した発光素子10、蛍光体層40、被覆層50は、例えば図3に示すように、透光性樹脂等の封止部材60で封止されることが好ましい。封止部材60の形状はどのようなものでもよく、発光装置に求められる特性に応じて、略直方体、半球形状、複数の半球を組み合わせた形状などを用いることができる。
次に、本発明に係る発光装置の製造方法について、図1、2を参照しながら説明する。
以下、各工程について説明する。なお、発光装置の各部材の詳細については、前記した発光装置で説明したとおりであるので、ここでは、適宜説明を省略する。
基板準備工程は、導電部材2a,2bを備えた基板(実装基板)20を準備する工程であり、例えば、基材1上に導電部材2a,2bを形成する工程である。導電部材2a,2bの形成は従来公知の方法で行えばよく、例えば、めっき、蒸着、基材1への貼り付け等によって形成する。基材1への貼り付けの場合は、基材1と導電部材2a,2bとは、樹脂等の接着剤で接着させることができる。導電部材2a,2bは、導電部材2a,2bの材料を基材1の一面に形成した後に、エッチング等で成形してもよい。
ダイボンディング工程は、実装基板20上に発光素子10を実装する工程である。このダイボンディング工程では、導電部材2a,2bの上面に発光素子10を実装する。
発光素子10の実装方法は、特に限定されるものではなく、通常用いられる方法で行えばよい。例えばAu―Sn、Sn−Ag−Cu等の半田や、導電部材を含有したエポキシ樹脂、金属のバンプ等により、発光素子10と導電部材2a,2bとを接合すればよい。
被覆層形成工程は、発光素子10の実装後に、実装基板20の表面のうち、発光素子10が実装されていない部位に、光反射性の材料を含む被覆層50を形成する工程である。
被覆層50を形成する方法としては、特に限定されるものではないが、例えば、電着塗装法(電気沈着法)または静電塗装法によって形成することが好ましい。
電着塗装法では、光反射性の材料を懸濁させた溶液を入れた電着槽に、一方の電極となる、発光素子10が実装された実装基板20と、他方の電極となる対電極とを浸漬させ、電極間に電圧を印加する。なお、実装基板20側には、光反射性の材料が帯電する極性と異なる極性の電圧を印加する。これによって、光反射性の材料が電気泳動して、実装基板20における、導電部材2a,2bの表面に付着する。この際、発光素子10が絶縁体であれば、光反射性の材料は発光素子10に付着しない。一方、発光素子10が導電体である場合は、発光素子10をマスクしたり、後記する他の方法を用いたりすればよい。被覆層50の厚さは、電極間に通電する電流および時間で定められるクーロン量を調整することで制御することができる。
この電着塗装法に用いる溶媒は、特に限定されないが、IPA(イソプロピルアルコール)などのアルコール系溶媒を好適に用いることができる。
蛍光体層形成工程は、前記被覆層形成工程の後に、発光素子10および被覆層50の表面に、蛍光体を含む蛍光体層40をスプレーにより形成する工程である。
蛍光体層40を形成する方法としては、スプレーによる形成(スプレー法)を用いる。スプレー法を用いれば、発光素子10および被覆層50の表面に略均一な厚さに蛍光体層40を形成することができる。なお、塗布する材料として蛍光体を含むスラリーを用いると、材料の飛散が防止されてスプレーがしやすく、また、発光素子10に蛍光体が均一に付着しやすくなる。
通常のスプレー法である連続塗布の場合は、塗布量が多くなって材料が飛散しやすいため、ノズル速度を速くする必要がある。一方、パルススプレー法は間欠吐出なので、単位時間当たりの塗布量が少なくノズルをゆっくり動かすことができ、発光素子10の側面や極小空間にも塗布液を塗りやすい。
図2に示すように、パルススプレー装置30は、スラリーSLを貯蔵するシリンジ31,32と、シリンジ31,32同士を連結する配管33と、スラリーSLを射出するスプレーノズル34と、を主に備える。
また、シリンジ31,32内部には、スラリーSLと圧縮気体31b,32bとの間にプランジャー31a,32aが設けられている。プランジャー31a,32aは、スラリーSLと圧縮気体31b,32bを隔てさせるので、圧縮気体31b,32bのスラリーSLへの溶解を低減することができる。
スプレーノズル34には、液体通路としての配管33が接続されている。スプレーノズル34には、エアを送り込むためのエアコンプレッサ(図示省略)が接続されている。スプレーノズル34は角度調整も可能であり、載置台70に対して傾斜させることができるようになっている。
まず、蛍光体を混合させたスラリー(蛍光体スラリー)を用意する。蛍光体スラリーは、蛍光体と樹脂と溶剤とを混合させたものを用いることができ、例えば、蛍光体とシリコーン樹脂とn-ヘプタンとを混合したものである。蛍光体スラリーの調合比は、質量比で、蛍光体:樹脂:溶剤=2〜40:5〜20:10〜200とすることが好ましい。
このような調合比であれば、よりスプレーがしやすく、また、発光素子に蛍光体が均一に付着しやすくなる。なお、パルススプレー法以外のスプレー法においても、このような調合比を好適に適用できる。
次に、十分に攪拌混合させた蛍光体スラリーをパルススプレー装置30のシリンジ31,32に投入する。そして、蛍光体スラリーをシリンジ31,32間で移動させて攪拌し、パルススプレーにより塗布する。その際、蛍光体スラリーを発光素子10の上面および側面にできるだけ均等に塗布できるように、スプレーノズル34を移動させながら塗布する。
このように蛍光体スラリーを塗布した後、樹脂を仮硬化して、蛍光体の層を形成する。その層の上に、同様の方法で蛍光体スラリーを塗布し、仮硬化して、二層目の蛍光体層を形成する。これを繰り返し、所望の発光色が得られる厚みまで蛍光体の層を積層する。このようにして、複数の層からなる蛍光体層40が形成される。
すなわち、前記に示す発光装置の製造方法や発光装置の形態は、本発明の技術思想を具体化するための発光装置の製造方法や発光装置を例示するものであって、本発明は、前記の製造方法や形態に限定するものではない。また、特許請求の範囲に示される部材等を、実施の形態の部材に特定するものではない。特に、実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特定的な記載がない限りは、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例にすぎない。
以下、本発明の他の実施形態について説明する。
図3に示すように、発光装置100Aは、導電部材2a,2bと発光素子10とが、接合部材80a,80bにより接合されている。
前記した発光装置100では、バンプ3a,3bを介して導電部材2a,2b上に発光素子10を載置した。しかしながら、図3に示すように、接合部材80a,80bを用いて、共晶接合あるいは樹脂接合により、導電部材2a,2b上に発光素子10を載置してもよい。
共晶接合の材料としては、例えば、AuとSnとを主成分とする合金、AuとSiとを主成分とする合金、AuとGeとを主成分とする合金等が挙げられる。中でもAuSnが特に好ましい。また、樹脂接合の材料としては、導電性の材料を含有する樹脂を用いればよい。
図4(a)、(b)に示すように、発光装置100Bは、基板(実装基板)20が、発光素子10が実装される実装部Aと、実装部Aの周囲を取り囲んで形成された溝部Gと、を有する。なお、実装基板20は、ここでは、基材1(1a,1b,1c)、および、導電部材2a,2b,2cからなるものである。また、本発明の構成を分かりやすく示すために、図4(a)では、図4(b)において図示している蛍光体層40および被覆層50の図示を省略している。ここで、実装部Aの周囲とは、発光素子10の四方を取り囲む、発光素子10近傍の部位である。また、本形態では、基材1cの部位も発光素子10の周囲であり、発光素子10の近傍に含まれるものである。
さらに、前記した発光装置100Bにおいて、蛍光体層40が設けられた溝部Gにさらに光反射性部材を埋設してもよい。図5に示すように、発光装置100Cは、溝部G(図4参照)に、光反射性部材90が埋設されている。このような形態であれば、光反射性部材90により発光素子10近傍の反射率がさらに向上する。また、溝部Gに付着した蛍光体が発光しにくいため、より点光源性に優れたものとなる。
光反射性部材90の形成は、例えば、固定された実装基板20の上側において、実装基板20に対して上下方向あるいは水平方向等に移動(可動)させることができる樹脂吐出装置(図示省略)を用いて行うことができる(特開2009−182307号公報参照)。
例えば、導電部材2a,2bの表面には、導電部材2a,2bにおける光反射の効率を向上させる金属部材を設けてもよい。金属部材の材料としては、特に限定されないが、例えば、銀のみ、あるいは、銀と、銅、金、ロジウム等の高反射率の金属との合金、または、これら、銀や各合金を用いた多層膜等を用いることができる。金属部材を設ける方法としては、めっき法、スパッタ法、蒸着法、薄膜を接合させる方法等を用いることができる。
保護素子は、発光素子10から離間した位置に形成されることが好ましい。これにより、蛍光体層40が保護素子に付着しづらくなるため、発光素子10からのみの発光となりやすくなり、発光装置の点光源性が維持され、また発光素子10からの発光を阻害しにくくすることができる。このような構成としては、例えば、導電部材2a,2bが発光素子10の近傍から延伸する延伸部を有しており、その延伸部に保護素子を実装した構成があげられる。
なお、前記したその他の形態については、発光装置100B、100Cの導電部材2cについても、導電部材2a,2bと同様の形態とすることができる。
2a,2b,2c 導電部材
3a,3b 導電性接着剤(バンプ)
10 発光素子
20 実装基板
30 パルス式のスプレー装置(パルススプレー装置)
31,32 シリンジ
31a,32a プランジャー
31b,32b 圧縮気体
33 配管
34 スプレーノズル
40 蛍光体層
50 被覆層
60 封止部材
70 載置台
80a,80b 接合部材
90 光反射性部材
100,100A,100B,100C 発光装置
A 実装部
G 溝部
SL スラリー
SP スプレー
Claims (10)
- 基板上に発光素子を実装するダイボンディング工程と、
前記実装後に、前記基板の表面のうち、前記発光素子が実装されていない部位に、光反射性の材料を含む被覆層を形成する被覆層形成工程と、
前記被覆層形成工程の後に、前記発光素子および前記被覆層の表面に、蛍光体を含む蛍光体層をスプレーにより形成する蛍光体層形成工程と、を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。 - 前記蛍光体層形成工程におけるスプレーが、前記蛍光体を含むスラリーを塗布するものであることを特徴とする請求項1に記載の発光装置の製造方法。
- 前記蛍光体を含むスラリーは、質量比で、蛍光体:樹脂:溶剤=2〜40:5〜20:10〜200であることを特徴とする請求項2に記載の発光装置の製造方法。
- 前記蛍光体層形成工程におけるスプレーが、パルス式のスプレーであることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
- 前記基板は、基材と、当該基材上に設けられた導電部材とを備え、前記被覆層を、電着塗装法または静電塗装法によって形成することを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
- 前記基板は、前記発光素子が実装される実装部と、当該実装部の周囲に形成された溝部と、を有することを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
- 前記蛍光体層形成工程の後に、前記溝部に光反射性部材を埋設する光反射性部材埋設工程を含むことを特徴とする請求項6に記載の発光装置の製造方法。
- 基板と、
前記基板上に実装された発光素子と、
前記基板の表面のうち、前記発光素子が実装されていない部位に形成された、光反射性の材料を含む被覆層と、
前記発光素子および前記被覆層の表面に略均一な厚みで形成された複数の層からなる、蛍光体を含む蛍光体層と、を備えることを特徴とする発光装置。 - 前記基板は、前記発光素子が実装される実装部と、当該実装部の周囲に形成された溝部と、を有することを特徴とする請求項8に記載の発光装置。
- 前記溝部に、光反射性部材が埋設されていることを特徴とする請求項9に記載の発光装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014028860A JP6237316B2 (ja) | 2014-02-18 | 2014-02-18 | 発光装置の製造方法および発光装置 |
US14/554,202 US9461214B2 (en) | 2013-11-29 | 2014-11-26 | Light emitting device with phosphor layer |
US15/149,640 US9978914B2 (en) | 2013-11-29 | 2016-05-09 | Light emitting device with phosphor layer |
US15/259,691 US10128416B2 (en) | 2013-11-29 | 2016-09-08 | Method for manufacturing light emitting device with phosphor layer |
US16/158,080 US10381525B2 (en) | 2013-11-29 | 2018-10-11 | Method for manufacturing light emitting device with phosphor layer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014028860A JP6237316B2 (ja) | 2014-02-18 | 2014-02-18 | 発光装置の製造方法および発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015154007A true JP2015154007A (ja) | 2015-08-24 |
JP6237316B2 JP6237316B2 (ja) | 2017-11-29 |
Family
ID=53895937
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014028860A Active JP6237316B2 (ja) | 2013-11-29 | 2014-02-18 | 発光装置の製造方法および発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6237316B2 (ja) |
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JP6237316B2 (ja) | 2017-11-29 |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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