TW201547062A - 發光裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種散熱性較高、安裝較為容易之小型之側面發光型發光裝置。 本發明之發光裝置具備：基體，其具備成為發光面側之第1主面、與上述第1主面對向之第2主面、及至少與上述第2主面鄰接之安裝面，並且具有絕緣性之母材與一對連接端子；發光元件，其安裝於上述基體之第1主面；及密封構件，其將上述發光元件密封，並且於上述安裝面與上述基體形成為大致同一平面；於上述基體之第2主面上具有上述一對連接端子與設於上述一對連接端子之間之散熱端子。

Description

發光裝置
本發明係關於一種發光裝置。
自先前以來，於電子設備中使用有各種光源。例如，作為電子設備之顯示面板之背光燈光源等，使用有小型且極薄型之發光裝置。
此種發光裝置係例如將發光元件覆晶安裝於構成封裝之集合基板，於利用螢光體層等被覆之後，分割成各個發光元件。藉此，作為大致晶片尺度之小型發光裝置而製造(例如專利文獻1)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2008-521210號公報
然而，此種發光裝置為小型，故而存在散熱性較低之問題。又，於將此種小型之發光裝置用作側面安裝型之發光裝置之情形時，存在利用焊料向安裝基板之二次安裝時之穩定性或安裝位置之精度(以下稱為安裝性)較差之問題。
因此，提供一種散熱性較高、安裝較為容易之小型之側面發光型發光裝置。
本發明之實施形態之發光裝置具備：基體，其具備成為發光面側之第1主面、與上述第1主面對向之第2主面、及至少與上述第2主面鄰接之安裝面，並且具有絕緣性之母材與一對連接端子；發光元件，其安裝於上述基體之第1主面；及密封構件，其將上述發光元件密封，且於上述安裝面與上述基體形成為大致同一平面；於上述基體之第2主面具有上述一對連接端子與設於上述一對連接端子之間之散熱端子。
根據本發明之實施形態之發光裝置，可形成散熱性較高、安裝較為容易之小型發光裝置。
1‧‧‧基體
2‧‧‧母材
3‧‧‧連接端子
3a‧‧‧外部連接部
3b‧‧‧元件連接部
3c‧‧‧第2連接端子
3d‧‧‧通孔
4‧‧‧散熱端子
4a‧‧‧窄幅部
4aa、4ab‧‧‧窄幅部
4b‧‧‧寬幅部
4c‧‧‧被覆部
5‧‧‧發光元件
7‧‧‧密封構件
8‧‧‧阻焊劑
9‧‧‧透光性構件
10‧‧‧發光裝置
13‧‧‧導電性樹脂
13d‧‧‧通孔
19‧‧‧透光性構件
20‧‧‧發光裝置
21‧‧‧凹部
22‧‧‧母材
23a‧‧‧通孔
23b‧‧‧通孔
23c‧‧‧配線層
23d‧‧‧配線層
30‧‧‧發光裝置
32‧‧‧母材
40‧‧‧發光裝置
41、42、43‧‧‧散熱端子
50‧‧‧發光裝置
51‧‧‧安裝基板
51a‧‧‧絕緣性基板
52‧‧‧安裝側電極
53‧‧‧散熱用圖案
53a‧‧‧切口部
55‧‧‧焊料
60A‧‧‧發光裝置
60B‧‧‧發光裝置
60C‧‧‧發光裝置
60D‧‧‧發光裝置
60E‧‧‧發光裝置
70‧‧‧發光裝置
80‧‧‧發光裝置
90‧‧‧發光裝置
100‧‧‧發光裝置
110‧‧‧發光裝置
120‧‧‧發光裝置
圖1表示本發明之發光裝置之一實施形態，圖1(A)係概略前視圖，圖1(B)係概略後視圖，圖1(C)係概略仰視圖，圖1(D)係概略側視圖。
圖2係圖1之發光裝置之背面之概略局部放大圖。
圖3表示本發明之發光裝置之一實施形態，圖3(A)係概略前視圖，圖3(B)係概略後視圖，圖3(C)係概略仰視圖，圖3(D)係圖3(A)之A-A'線之概略剖視圖。
圖4係圖3之發光裝置之背面之概略局部放大圖。
圖5表示本發明之發光裝置之一實施形態，圖5(A)係概略後視圖，圖5(B)係圖5(A)之B-B'線之概略局部剖視圖。
圖6係表示本發明之發光裝置之一實施形態之概略後視圖。
圖7表示本發明之發光裝置之一實施形態，圖7(A)係概略前視圖，圖7(B)係概略後視圖，圖7(C)係概略仰視圖，圖7(D)係概略俯視圖。
圖8(A)~(E)係表示本發明之發光裝置之背面之散熱端子之變化 例之概略後視圖。
圖9係表示本發明之發光裝置之變化例之概略俯視圖。
圖10係表示本發明之發光裝置之另一變化例之概略俯視圖。
圖11係表示本發明之發光裝置之另一變化例之概略剖視圖。
圖12係表示本發明之發光裝置之另一變化例之概略剖視圖。
圖13A係表示本發明之發光裝置之另一變化例之概略剖視圖。
圖13B係圖13A之局部放大剖視圖。
圖14係表示本發明之發光裝置之另一變化例之概略剖視圖。
圖15係表示將本發明之一實施形態之發光裝置安裝於安裝基板之狀態之概略立體圖。
圖16係表示將本發明之一實施形態之發光裝置安裝於安裝基板之狀態之概略剖視圖。
圖17係表示安裝本發明之一實施形態之發光裝置時之安裝基板與發光裝置之例之概略立體圖。
以下，參照圖式對本發明之實施形態進行說明。但，為了明確說明，有時將各圖式表示之構件之大小或位置關係等誇大。又，於一實施形態、實施例中說明之內容亦可適用於其它實施形態、實施例。
為了明確說明，有時將各圖式表示之構件之大小或位置關係等誇大。
於本說明書中，將發光裝置之光提取面記載為上表面，將與光提取面鄰接或交叉之面記載為側面。有時將側面中之二次安裝時與安裝基板對向之面稱為安裝面。又，有時將構成發光裝置之各要素或各構件之面中之與發光裝置之光提取面對應之面記載為第1主面，將第1主面之相反側之面記載為第2主面，將與第1主面及第2主面和安裝面鄰接或交叉之面(亦即，與發光裝置之側面對應之面)記載為端面。
進而，對與安裝面鄰接之2個主面及側面之構成進行說明時，有時將距安裝面之距離稱為高度。又，有時將距安裝面較近之側稱為下方，將距與安裝面對向之面較近之側稱為上方，將與安裝面水平之方向之位置關係稱為側方。
於各構件之說明中，有時將該構件之主要之面之形狀稱為平面形狀。
本實施形態之發光裝置係側面發光型(稱為側視型)之發光裝置。發光裝置主要具備基體、發光元件及密封構件。
基體具備成為發光面且供安裝發光元件之第1主面、與第1主面對向之第2主面、及至少與第2主面鄰接之安裝面。基體具有絕緣性之母材與將發光元件和外部電性連接之一對連接端子。
密封構件設於基體之第1主面，將發光元件密封，並於上述安裝面與上述基體形成為大致同一平面。
而且，於基體之第2主面，於一對連接端子之間設有散熱端子。
(基體)
基體至少具備絕緣性之母材、與設於絕緣性之母材上之導電性之連接端子與散熱端子。
基體之形狀與母材之外形大致相同。例如，較佳為至少第1主面及第2主面具備長邊方向和與長邊方向交叉或正交之短邊方向之大致長方體形狀。又，較佳為鄰接第2主面之較長之邊之面為安裝面。
於在1個發光裝置搭載1個發光元件之情形時，較佳為基體之長邊方向具有發光元件之一邊之1.5~5倍左右之長度，且較佳為短邊方向具有發光元件之一邊之1.0~2.0倍左右之長度。於在1個發光裝置搭載複數個發光元件之情形時，可根據其數量適當調整。例如，於沿長邊方向搭載2個或3個之情形時，較佳為長邊方向為發光元件之一邊之2.4~6.0倍左右。
(母材)
作為母材之材料，可使用絕緣性且與焊料之潤濕性較連接端子低之材料。例如可列舉：陶瓷、樹脂、介電體、紙漿、玻璃、其等之複合材料(例如複合樹脂)、或該等材料與導電材料(例如金屬、碳等)之複合材料等。作為陶瓷，可列舉：氧化鋁、氮化鋁、氧化鋯、氮化鋯、氧化鈦、氮化鈦或包含其等之混合物之材料。作為複合樹脂，可列舉玻璃環氧樹脂等。
作為樹脂，只要係於該領域中使用之樹脂，則可使用任意之樹脂。具體而言，可列舉：環氧樹脂、雙馬來醯亞胺三嗪(BT)樹脂、聚醯亞胺樹脂、氰酸酯樹脂、聚乙烯醇縮乙醛樹脂、苯氧基樹脂、丙烯酸系樹脂、醇酸樹脂、胺基甲酸酯樹脂等。亦可利用含有萘系環氧樹脂之BT樹脂及其等之組合物、市售品(例如三菱瓦斯化學公司製造：Hl832NS，HL832NSF typeLCA；日立化成公司製造：MCL-E-700G，MCL-E-705G等)、液晶聚合物及其等之組合物。該等樹脂中亦可含有該領域中公知之添加劑、單體、低聚物、預聚物等。其中，較佳為BT樹脂或其組合物。
又，較佳為使用線膨脹係數相對較低之玻璃環氧樹脂、玻璃聚矽氧、玻璃改性聚矽氧之預浸體基板。例如，可適當使用高填充半導體用BGA安裝之領域中使用之玻璃布及填料並將線膨脹係數調整成1~15ppm左右之低線膨脹玻璃環氧樹脂基板。可將於此種母材形成有導電性之配線圖案者用作基體。
又，藉由使用散熱性較高之玻璃布或填料作為此種預浸體基板之材料，可改善發光裝置之散熱性。進而，作為多層基板，亦可於內部內置零件而保持保護元件等之功能。
母材較佳為線膨脹係數與發光元件之線膨脹係數之差為10ppm/℃以內之範圍。藉此，於將發光元件安裝於基體之情形時，可降低因 發光元件與基體之線膨脹係數之差異所引起之發光元件自基體(連接端子)之剝離或對發光元件之不需要之應力負荷。其結果為，不另外使用用於獲得發光元件與基體之間之電性連接之導線等構件，藉由覆晶安裝便可將發光元件之電極與基體之連接端子直接連接，從而可提供更小型/薄膜之發光裝置。
本發明中，線膨脹係數係指藉由TMA法測定之值。只要α1及α2之任一個滿足該值即可，但更佳為兩者均滿足。
構成母材之樹脂較佳為例如玻璃轉移溫度為約250℃以上。藉此，不受安裝發光元件時之溫度變化之影響，可避免發光元件之連接不良等不良情形。其結果為，可提高發光裝置之製造良率。玻璃轉移溫度例如可採用如下等方法中之任一種來測定，即：一面使試樣之溫度緩慢上升或下降，一面測定力學物性之變化、吸熱或發熱之方法(TMA、DSC、DTA等)；一面改變對動態黏彈性測定試樣施加之週期性之力之頻率，一面測定其響應之方法。
1個發光裝置之母材之形狀、大小、厚度等並無特別限定，可適當設定。
母材之厚度亦依據使用之材料、載置之發光元件之種類及構造等，但較佳為約470μm以下。若考慮強度等，則較佳為約20μm以上。為了確保基體整體之強度，母材之彎曲強度較佳為與上述之基體之強度相同。
母材之第1主面側之面之形狀例如可列舉橢圓形、四邊形等多邊形或與其等相近之形狀，其中，較佳為長方形。供安裝發光元件之面之大小較佳為較下述發光元件大。
(連接端子)
連接端子係將發光元件與發光裝置之外部電性連接，並且將發光裝置安裝於安裝基板等時焊料接合之構件。因此，於1個發光裝置 至少設置正負一對。
較佳為連接端子之緣部之至少一部分以與基體之安裝面之一部分一致之方式形成。藉此，於將發光裝置安裝於安裝基板時，可使安裝基板與連接端子接觸(或無限接近)。其結果為，可提高發光裝置之安裝性。
連接端子例如具有與發光元件之電極連接之元件連接部與利用焊料與發光裝置之外部連接之外部連接部。
元件連接部設於第1主面上。一對連接端子之元件連接部較佳為相互對向地設置。藉此，可將發光元件覆晶安裝於元件連接部上。又，較佳為一對元件連接部分別沿不同之基體之端面之方向延伸，並與各自之外部連接部連接。藉此，元件連接部不沿基體之短邊方向排列設置，故而可抑制第1主面之寬度、亦即發光裝置之高度。
外部連接部可設於母材上之任意位置，但較佳為設於基體之兩端面。又，較佳為設於基體之對向之第1主面及基體之第2主面上。藉由如此配置外部連接部，可提高將發光裝置安裝於安裝基板時之對準精度，可提高發光裝置之安裝位置精度。尤其藉由設於兩端面、第1主面及第2主面上，可於端面對向之方向(基體之長邊方向)、第1主面與第2主面對向之方向(基體之厚度方向)之兩者進行對準，故而可提高發光裝置之位置精度。又，藉由擴大發光裝置與焊料接合之面積，可提高發光裝置之安裝強度。
較佳為一對連接端子之外部連接部分別於基體之第1主面或/及第2主面，以於面之長邊方向上對稱之形狀設置。藉此，可提高發光裝置之安裝性。又，較佳為一對連接端子之外部連接部於第1主面或/及第2主面上相互分開距離較大。亦即，較佳為一對連接端子之外部連接部分別沿著基體之短邊方向之邊設置。
連接端子之外部連接部相對於基體之長邊方向之寬度可設為例 如數十~數百μm左右。
連接端子於基體之第1主面上、端面上及/或第2主面上，亦可不必為相同之寬度(例如，基體之短邊方向長度)，亦可為僅一部分窄幅或寬幅地形成。或者，亦可於基體之第1主面及/或第2主面，以成為窄幅之方式，利用絕緣材料(例如，母材等)被覆連接端子之一部分。窄幅之部位較佳為配置於基體之至少第1主面上，更佳為配置於下述密封構件之附近。
藉由配置成為窄幅之部位，於安裝發光裝置之情形時，可抑制接合構件等包含之助焊劑等沿著連接端子之表面浸入至下述密封構件下，進而浸入至發光元件下。又，藉由使元件連接部自沿著基體之長邊方向之端面分開，於安裝發光元件時，與上述同樣可抑制助焊劑之浸入。
連接端子之材料或積層構造較佳為導電性或/及散熱性優異之金屬、例如Cu等。又，較佳為積層有多種金屬之積層構造。又，利用焊料安裝之前之最表面之層較佳為Au。藉此，可防止連接端子之腐蝕或劣化，伴隨於此之焊料之安裝不良。作為此種積層構造，具體而言，於母材為陶瓷等之情形時，可列舉：W/Ni/Au、W/Ni/Pd/Au、W/NiCo/Pd/Au等積層構造。於母材為玻璃環氧樹脂等之情形時，可列舉：Cu/Ni/Au、Cu/Ni/Pd/Au、Cu/NiCu/Ni/Au、Cu/Ni/Pd/Cu/Ni/Pd/Au等。
(散熱端子)
於基體之第2主面具備配置於一對連接端子之間之散熱端子。散熱端子於發光裝置之外部露出，於安裝發光裝置時與焊料連接。
於安裝發光裝置時，焊料和散熱端子之與安裝面鄰接之部位接觸，並自該部位向上方隆起而形成焊料焊腳。藉此，可於發光裝置之第2主面且一對連接端子以外之部分形成對安裝基板之散熱路徑。
散熱端子之高度較佳為較發光裝置之高度低。藉此，可抑制焊料之隆起，而提高發光裝置之安裝性。尤佳為發光裝置之高度之一半以下。藉此，可一面維持發光裝置之安裝性，一面充分形成焊料之焊腳，可確保固著力或散熱性。
散熱端子之寬度可根據發光裝置之大小等適當選擇。例如，於發光裝置之長邊方向之寬度為3mm左右之情形時，為0.1~1mm、0.3~0.6mm左右、較佳為0.4mm左右。
安裝發光裝置時，焊料焊腳之體積較佳為以第1主面之焊料焊腳與第2主面之焊料焊腳之體積大致相等或成為1：1.5左右之方式設置。亦即，較佳為以形成於第1主面之外部連接部之焊料焊腳之體積與將於第2主面之外部連接部和散熱端子形成之焊料焊腳合計之體積大致相等或成為1：1.5左右之方式設置。藉此，可提高第1主面與第2主面對向之方向上之對準性。此種焊腳之大小之調整可藉由調整外部連接部及散熱端子之寬度或高度，調整安裝基板側之安裝電極及散熱圖案之形狀而進行。
較佳為散熱端子以線對稱之形狀設於基體之第2主面之中央。
亦可於一個發光裝置設置複數個散熱端子。於該情形時，較佳為線對稱地設置於安裝面。藉此，可確保發光裝置之散熱性。又，可一面降低散熱端子之高度，一面增大散熱端子之面積，從而可提高發光裝置之安裝性與散熱性。
較佳為散熱端子經由通孔與設於基體之第1主面之端子連接。又，較佳為該端子利用接合構件與發光元件接合。又，較佳為設置複數個通孔。藉此，可有效地自散熱端子釋放自發光元件產生之熱。通孔較佳為以導電性或/及散熱性優異之金屬等材料構成。
於散熱端子具備複數個窄幅部之情形時，較佳為於窄幅部之間，具體而言，於絕緣性之母材設置凹部。藉此，於利用焊料安裝發 光裝置時，可將加熱焊膏時產生之氣體自凹部釋出，而可提高發光裝置之安裝性。
自生產性、安裝性、對準性等觀點而言，散熱端子之平面形狀可進行各種選擇。散熱端子之高度較佳為發光裝置之高度、例如基體之短邊方向之寬度之一半以下左右。藉此，可適度地抑制焊料之隆起，而可提高發光裝置之安裝性。散熱端子亦可利用下述阻焊劑成形為如上所述之形狀。例如，亦可藉由利用阻焊劑被覆連續形成至基體之上端之金屬部之一部分，而形成具有基體之高度之一半以下之高度之散熱端子。
作為散熱端子之材料及積層構造，可使用與上述連接端子之材料相同之材料。
散熱端子可與連接端子同時形成，亦可分別形成。又，積層構造可相同，亦可不同。
連接端子及散熱端子之表面可大致平坦，亦可局部地厚度或積層數不同。亦即，亦可具有凹凸。
於將複數個發光元件搭載於一個發光裝置之情形時，自發光元件之發熱量變多，而有發光裝置之可靠性惡化之虞，但藉由設置散熱端子，可提高發光裝置之可靠性。
於該情形時，散熱端子較佳為設於第2主面中之複數個發光元件之間、亦即第1主面中之與發光元件之間之部分對向之位置。藉此，可有效地釋放來自發光元件之熱。
於基體之第1主面，除了一對連接端子之外，亦可設置第2連接端子。又，亦可於第2連接端子安裝發光元件。例如，藉由將2個發光元件分別與一對連接端子之一者和第2連接端子進行電性連接，可串聯地連接複數個發光元件。
又，較佳為散熱端子與該第2連接端子連接。自發光裝置之小型 化之觀點而言，難以進行於第1主面上露出此種第2連接端子並利用焊料接合。尤其，於第2連接端子設於在基體之長邊方向上對向之一對元件連接部之間，且將一對外部連接部設於基體之長邊方向之兩端之情形較為困難。但，藉由將此種第2連接端子經由貫通母材之通孔與設於第2主面之散熱端子連接，無關第2連接端子或一對連接端子之形狀、位置，均可於第2主面側形成散熱路徑，而可提高發光裝置之散熱性。
再者，散熱端子可兼具與發光裝置之外部電性連接之電極之作用而具有極性，亦可不具有極性。
為了一次地製造複數個發光裝置，基體亦可使用由各個發光裝置用之基體之1個單位以複數個單位、例如矩陣狀地連結而成之複合基體。
於使用複合基體製造發光裝置之情形時，散熱端子較佳為具有於與安裝面鄰接之部位設置之窄幅部、與於窄幅部之上方寬度較窄幅部寬之寬幅部。於自複合基體將發光裝置單片化時，有於基體之端面之構件產生毛邊之虞，但藉由於窄幅部進行切斷，可減少毛邊。
(阻焊劑)
於基體之第2主面，亦可具備與焊料之潤濕性較連接端子及散熱端子更低之阻焊劑。藉此，可於安裝發光裝置時控制焊料形成之位置，而可防止端子間之橋接或短路等。阻焊劑通常由具有絕緣性之樹脂組合物形成，並設置成膜狀。
阻焊劑設於基體之表面，例如設於一對連接端子間、連接端子與散熱端子間、複數個散熱端子間或母材之表面。又，亦可被覆連接端子及/或散熱端子之一部分。又，於散熱端子之高度較基體之高度低之情形時，阻焊劑較佳為設於散熱端子之上方。藉此，可於適當之部位形成焊料。
如上所述，阻焊劑可劃定散熱端子之形狀。例如，可藉由利用阻焊劑被覆以較散熱端子更大之面積設置之金屬部之至少一部分，將自阻焊劑露出之部分設為散熱端子。又，同樣於設有複數個散熱端子之情形時，可利用具有複數個切口之阻焊劑被覆一個金屬部，並將於複數個切口部露出之部分設為複數個散熱端子。
又，阻焊劑可將散熱端子與一對連接端子分離。
基體亦可為其本身構成電容器、變阻器、齊納二極體、橋接二極體等保護元件者。又，亦可為於其一部分例如以多層構造或積層構造之形態具備實現該等元件之功能之構造。藉由利用實現此種元件功能者，不另外搭載零件便可作為發光裝置發揮功能。其結果為，可使提高靜電耐壓等之高性能之發光裝置更小型化。
再者，基體不限於在板狀之母材之表面設有薄膜狀之連接端子及散熱端子者，亦可為將成型樹脂與板狀之金屬引線一體成形者。亦即，連接端子或/及散熱端子亦可為其一部分埋入成形樹脂中，且於發光裝置之外部自成形樹脂露出之端子。
(發光元件)
發光元件例如包含：透光性之元件基板、積層於元件基板上之半導體積層體、及形成於半導體積層體之表面之一對電極。
半導體積層體係將例如第1半導體層(例如，n型半導體層)、發光層、第2半導體層(例如，p型半導體層)依序積層，有助於發光之積層體。
半導體積層體於同一面側(例如第2半導體層側之面，表面)具有與第1半導體層電性連接之第1電極(正或負)和與第2半導體層電性連接之第2電極(負或正)兩者。
第1半導體層、發光層及第2半導體層之種類、材料等並無特別限定，例如，可列舉III-V族化合物半導體、II-VI族化合物半導體等 各種半導體。具體而言，可列舉InXAlYGa1-X-YN(0≦X，0≦Y，X+Y≦1)等氮化物系之半導體材料，並可使用InN、AlN、GaN、InGaN、AlGaN、InGaAlN等。各層之膜厚及層構造可利用該領域中公知者。
發光元件之形狀並無特別限定，較佳為光提取面具有長邊方向與短邊方向之四邊形或與其近似之形狀。發光元件之大小可根據發光裝置之大小適當調整其上限。例如，可列舉發光元件之一邊之長度為100μm~2mm左右。於發光裝置為側視型之情形時，較佳為長邊方向與短邊方向之邊之長度之比為2：1~50：1左右之矩形。要求薄型化之側面發光型之發光裝置不易提高高度，但藉由搭載如此於長邊方向上較長之發光元件，可形成高輸出之發光裝置。
(第1電極及第2電極)
第1電極及第2電極較佳為形成於半導體積層體之同一面側(於存在元件基板之情形時，為其相反側之面)。藉此，可進行使基體之正負之連接端子、和發光元件之第1電極與第2電極對向而接合之覆晶安裝。
第1電極及第2電極可藉由例如Au、Pt、Pd、Rh、Ni、W、Mo、Cr、Ti等或其等之合金之單層膜或積層膜形成。具體而言，可列舉自半導體層側以Ti/Rh/Au、W/Pt/Au、Rh/Pt/Au、W/Pt/Au、Ni/Pt/Au、Ti/Rh等之方式積層之積層膜。膜厚亦可為於該領域中使用之膜之膜厚之任一種。
較佳為第1電極及第2電極分別將對自發光層出射之光之反射率較電極之其它材料高之材料層作為該等電極之一部分配置於接近第1半導體層及第2半導體層之側。作為反射率較高之材料，可列舉具有銀或銀合金或鋁之層。於使用銀或銀合金之情形時，為了防止銀之遷移，較佳為形成被覆其表面(較佳為上表面及端面)之被覆層。作為被覆層，例如可列舉含有鋁、銅、鎳等之單層或積層層。
第1電極及第2電極只要分別與第1半導體層及第2半導體層電性連接，電極之整個面便可不與半導體層接觸，第1電極之一部分亦可不位於第1半導體層上，及/或，第2電極之一部分亦可不位於第2半導體層上。
第1電極及第2電極之形狀可根據半導體積層體之形狀、基體之連接端子(更具體而言，元件連接部)之形狀等進行設定。第1電極、第2電極及元件連接部較佳為將各自之平面形狀形成為四邊形或與四邊形相近之形狀。藉此，利用自對準效應，可容易地進行半導體積層體與基體之接合及對位。於該情形時，較佳為至少於與基體連接之半導體積層體之最表面，第1電極及第2電極之平面形狀大致相同。
於將發光元件進行覆晶安裝之情形時，於第1電極及第2電極之上表面，亦可分別於與基體之連接端子連接之部分形成突起部。藉此，易於將密封構件填充至發光元件與基體之間，可減少自發光元件發出之光透過基體之情形。又，可將發光元件與基體牢固地接合，而可提高發光裝置之可靠性。
設於發光元件之電極之突起部之上表面形狀與連接端子之安裝發光元件之部分之平面形狀較佳為大致相同。藉此，藉由自對準效應，可容易地進行發光元件之安裝。
此種突起部可自形成有突起部之電極之上表面起以任意高度設置，例如較佳為以數μm~100μm左右之高度設置。
作為包含半導體成長用之基板、電極之厚度，發光元件之厚度較佳為800μm以下，500μm以下，更佳為400μm以下，300μm以下，200μm以下，且約150μm以上。發光元件之大小較佳為一邊為約數mm以下，例如更佳為一千數百μm以下。
發光元件搭載於基體上。尤其，發光元件較佳為覆晶安裝於在基體上對向設置之一對連接端子。具體而言，於基體之連接端子接合 設於發光元件之基板之相反側之第1電極及第2電極。
接合可使用該領域中公知之材料之接合構件進行。例如可列舉：錫-鉍系、錫-銅系、錫-銀系、金-錫系等焊料(具體而言，以Ag、Cu與Sn為主成分之合金、以Cu與Sn為主成分之合金、以Bi與Sn為主成分之合金等)、共晶合金(以Au與Sn為主成分之合金、以Au與Si為主成分之合金、以Au與Ge為主成分之合金等)銀、金、鈀等導電性膏、凸塊、各向異性導電材、低熔點金屬等釺料等。其中，藉由使用焊料，可使上述連接端子發揮高精度之自對準效應。因此，容易將發光元件安裝於適當部位，而可提高量產性，製造更小型之發光裝置。
例如，接合構件較佳為2~50μm左右之厚度。
接合方法例如可列舉於基體之連接端子上配置接合構件與熔融助劑(助焊劑)，於其上配置發光元件之後，加熱至300℃左右進行回焊之方法等。
於基體上搭載之發光元件既可為1個，亦可為複數個。發光元件之大小、形狀、發光波長可適當選擇。於搭載複數個發光元件之情形時，其配置亦可不規則，例如亦可呈矩陣等規則性地或週期性地配置。複數個發光元件可為串聯、並聯、串並聯或並串聯之任一連接形態，又，亦可以能夠獨立地驅動之方式形成電路。
(密封構件)
密封構件設於基體之第1主面，將發光元件密封。於上述安裝面上，與上述基體形成為大致同一平面。
密封構件之材料並無特別限定，可列舉陶瓷、樹脂、介電體、紙漿、玻璃或其等之複合材料等。
作為適用於密封構件之樹脂，可列舉熱固性樹脂、熱塑性樹脂、其等之改性樹脂或含有1種以上該等樹脂之混合樹脂等。具體而言，可列舉環氧樹脂組合物、改性環氧樹脂組合物(聚矽氧改性環氧 樹脂等)、聚矽氧樹脂組合物、改性聚矽氧樹脂組合物(環氧改性聚矽氧樹脂等)、混合聚矽氧樹脂、聚醯亞胺樹脂組合物、改性聚醯亞胺樹脂組合物、聚醯胺樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚對苯二甲酸丁二酯樹脂、聚對苯二甲酸環己烷二甲醇酯樹脂、聚鄰苯二甲醯胺(PPA)、聚碳酸酯樹脂、聚苯硫醚(PPS)、液晶聚合物(LCP)、ABS樹脂、酚樹脂、丙烯酸系樹脂、PBT樹脂、尿素樹脂、BT樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂等樹脂。較佳為不易因來自發光元件之光或熱等而劣化之熱固性樹脂。
密封構件可為透光性，但較佳為對來自發光元件之光之反射率為60%以上之遮光性材料，更佳為70%、80%或90%以上之遮光性材料。藉此，可將自發光元件發出之光有效地自發光元件之上表面提取。
因此，上述之材料較佳為例如於樹脂中含有二氧化鈦、二氧化矽、二氧化鋯、鈦酸鉀、氧化鋁、氮化鋁、氮化硼、高鋁紅柱石、氧化鈮、硫酸鋇、各種稀土類氧化物(例如，氧化釔、氧化釓)等光反射材、光散射材或著色材等。
密封構件亦可含有玻璃纖維、矽灰石等纖維狀填料、碳等無機填料、散熱性較高之材料(例如，氮化鋁等)。藉此，可提高密封構件或/及發光裝置之強度或硬度。
較佳為該等添加物相對於例如密封構件之全部重量含有10~95重量%左右。
藉由含有光反射材，可高效地反射來自發光元件之光。尤其藉由使用光反射率較基體高之材料(例如，於基體中使用氮化鋁之情形時，使用含有二氧化鈦之矽樹脂作為密封構件)，可一面確保操作性，一面減小基體之大小，而提高發光裝置之光提取效率。藉由使密封構件含有散熱性較高之材料，可提高發光裝置之散熱性。
密封構件之外形只要將發光元件密封且於發光裝置之安裝面上與基體形成為大致同一平面，則並無特別限定，例如亦可為圓柱、四邊形柱等多邊形柱或與該等形狀相近之形狀、圓錐台、四角錐台等多角錐台，亦可為一部分為透鏡狀等。其中，較佳為具有於基體之長邊方向上細長之長方體形狀。
密封構件係成為發光裝置之安裝面之沿著長邊方向之端面之至少一者與沿著基體之長邊方向之端面之一者形成同一面，但更佳為於與安裝面對向之側之端面亦與基體形成同一面。藉此，可利用密封構件形成發光裝置之外表面，不增大發光裝置之外形，而可增大光提取面之面積，從而可提高光提取效率。於在基體之第1主面設置連接端子之外部連接部之情形時，較佳為密封構件配置於較基體之第1主面之沿著短邊方向之緣部之更內側，但亦可被覆基體之第1主面之大致整個面。亦即，自光提取面觀察時，密封構件之外形與基體之外形亦可大致相同。藉此，可使發光裝置小型。
此處，同一面不僅自嚴格之意義上而言，且於密封構件略有圓弧形狀之情形時，只要該圓弧形狀之任一部分與基體之端面一致即可。
於自光提取面側觀察之情形時，密封構件之大小較佳為較發光元件更大之平面面積。尤佳為其最外形之長邊方向之寬度具有發光元件一邊之1.0~4.0倍左右之一邊之長度。具體而言，較佳為100~1000μm左右，更佳為200~800μm左右。
密封構件之厚度(亦稱為自光提取面側觀察時自發光元件之端面至密封構件之最外形為止之寬度或發光元件之側面之密封構件之最小寬度)可列舉例如0~100μm左右，較佳為5~80μm左右，10~50μm左右。
密封構件較佳為以與發光元件之1個側面之一部分或全部接觸， 並被覆發光元件之側面之方式配置，且較佳為以包圍發光元件之整個周圍之方式與發光元件接觸配置。
密封構件較佳為以將安裝之發光元件與基體之間填充之方式設置。藉此，可提高發光裝置之強度。配置於發光元件與基體之間之密封構件亦可為與被覆發光元件之上表面及側面之材料不同之材料。藉此，可於配置於發光元件之上表面及側面之密封構件與配置於發光元件與基體之間之構件之間，分別賦予適當之功能。
例如，配置於發光元件之側面之密封構件可設為反射率較高之材料，配置於發光元件與基體之間之構件可設為使二者之密接性牢固之材料。
密封構件所使用之樹脂較佳為具有例如約100ppm/℃以下之線膨脹係數，較佳為100℃以下之玻璃轉移溫度。藉此，可減輕密封構件與基體被剝離之擔憂。
密封構件可藉由任意之方法形成。於密封構件為樹脂之情形時，可藉由例如網版印刷、灌注、轉注成形、壓模等形成。於使用成形機之情形時，亦可使用脫模膜。於密封構件為熱固性樹脂之情形時，較佳為轉注成形。
(透光性構件)
於發光裝置之光提取面，亦可基於保護發光元件等目的而設置透光性構件。
於發光元件被遮光性之密封構件被覆之情形時，透光性構件較佳為被覆密封構件之上表面。透光性構件之端面可被密封構件被覆，但亦可不被覆。
透光性構件較佳為使自發光層出射之光之60%以上透過者，進而較佳為使70%、80%或90%以上透過者。作為此種構件，可為與密封構件相同之構件，但亦可為不同之構件。例如，可列舉聚矽氧樹脂、 聚矽氧改性樹脂、環氧樹脂、酚樹脂、聚碳酸酯樹脂、丙烯酸系樹脂、TPX樹脂、聚降冰片烯樹脂或含有1種以上該等樹脂之混合樹脂等樹脂、玻璃等。其中，較佳為聚矽氧樹脂或環氧樹脂，尤其以耐光性、耐熱性優異之聚矽氧樹脂為更佳。
透光性構件中較佳為含有被來自發光元件之光激發之螢光體者。
螢光體可使用該領域中公知者。例如可列舉被鈰活化之釔鋁石榴石(YAG)系螢光體、被鈰活化之鎦鋁石榴石(LAG)、被銪及/或鉻活化之含氮之鋁矽酸鈣(CaO-Al2O3-SiO2)系螢光體、被銪活化之矽酸鹽((Sr，Ba)2SiO4)系螢光體、β塞隆螢光體、CASN系或SCASN系螢光體等氮化物系螢光體、KSF系螢光體(K2SiF6：Mn)、硫化物系螢光體等。藉此，可設為出射可見波長之一次光及二次光之混色光(例如，白色系)之發光裝置、被紫外光之一次光激發而出射可見波長之二次光之發光裝置。
例如，螢光體之中心粒徑較佳為30μm以下。中心粒徑可藉由市售之粒子測定器或粒度分佈測定器等進行測定及算出。又，螢光體亦可為例如稱為所謂之奈米晶體、量子點之發光物質。
再者，螢光體不限於在透光性構件中含有，例如亦可作為其它構件而設於遠離發光裝置之位置。
透光性構件亦可含有填充材料(例如，擴散劑、著色劑等)。例如，可列舉二氧化矽、氧化鈦、氧化鋯、氧化鎂、玻璃、螢光體之晶體或燒結體、螢光體與無機物之結合材之燒結體等。亦可任意調整填充材之折射率。例如，可列舉1.8以上。
螢光體及/或填充材較佳為例如相對於透光性構件之全部重量為10~80重量%左右。
形成透光性構件之方法例如可列舉：片狀地成形透光性構件且 以熱熔方式或利用接著劑接著之方法、藉由電泳沈積法使螢光體附著後含浸透光性樹脂之方法、灌注、轉注成形或壓縮成形、利用澆鑄箱進行之成形、噴霧法、靜電塗佈法、印刷法等。
其中，較佳為噴霧法，尤佳為呈脈衝狀即間歇性地噴射噴霧之脈衝噴霧方式。藉此，可抑制螢光體分佈之偏差，可均勻地出射波長轉換後之光，可避免產生發光元件之色不均等。
透光性構件之厚度並無特別限定，例如可列舉1~300μm左右，較佳為1~100μm左右，更佳為5~100μm左右，2~60μm左右，5~40μm左右。
透光性構件之上表面可平坦，但亦可為具有微細之凹凸之形狀或透鏡形狀等。
發光裝置亦可適用於將複數個發光裝置以複合基板一併製造，並最終分離成各個發光裝置而進行製造之方法。亦即，準備複數個發光元件，將該等複數個發光元件與連結有複數個基體之複合基體之複數個連接端子分別接合，並利用密封構件或透光性構件一體地被覆複數個發光元件，其後，將密封構件及基體進行分割，藉此，可製造複數個發光裝置。
該密封構件及基體之分割可利用使用有例如刀片、雷射之分割/加工等該領域中公知之方法。
如上所述之發光裝置利用焊料安裝於安裝基板並進行電性連接。例如，如圖15~圖17所示，於在絕緣性基板51a及其表面具備正負一對安裝側電極52與散熱用圖案53之安裝基板51上，使用焊料55將發光裝置10接合並安裝。焊料55係在設於第1主面、第2主面、及二者之間之端面之4個面上之一對外部連接部3a與散熱端子4，於各個面形成焊料焊腳而接合。
例如於外部連接部之高度為0.3mm~0.4mm之情形時，焊料與 發光裝置之外部連接部接合而形成之焊料焊腳之大小為50μm~350μm左右，更佳為100~250μm左右，且較佳為沿遠離發光裝置之方向擴散設置。高度較佳為150μm~400μm左右。
與設於第1主面之外部連接部接合之焊料焊腳較佳為與形成於在端面設置之外部連接部之焊料焊腳相較，遠離發光裝置之方向之距離較小。第1主面處於發光裝置之發光面側，因此，藉由縮小設於第1主面之焊料焊腳，可縮短發光裝置與發光裝置之光入射之構件(例如導光板)之距離。而且，藉由使端面之焊料焊腳之大小較第1主面之焊料焊腳大，可提高發光裝置之安裝強度。
如圖12之剖視圖所示，散熱端子4利用焊料55與散熱用圖案53接合。散熱端子4具有發光裝置50之高度之約一半左右之高度。藉此，可提高發光裝置之安裝性。阻焊劑8設於散熱端子4之上方，將與散熱端子4連續之被覆部4c被覆。阻焊劑8不會被焊料55潤濕，故而被阻焊劑8被覆之被覆部4c不與焊料55連接。
再者，散熱端子4亦可與和接合外部連接部3a者相同之安裝側電極52接合。
圖13中表示發光裝置與安裝基板51之一例。安裝基板51之構造並無特別限定，但於在散熱端子4之窄幅部之間設有凹部之情形時，安裝散熱端子之電極或圖案較佳為於安裝時成為凹部正下方之位置具有切口部53a。藉由設置此種切口部，可將於焊料安裝時產生之氣體自切口部有效地釋出。
以下，基於圖式具體地說明本發明之發光裝置之實施形態。
(實施形態1)
如圖1A~圖1D及圖2所示，本實施形態之發光裝置10具備：基體1，其具有正負一對連接端子3與於表面具備連接端子3之絕緣性之母材2；2個發光元件5，其等安裝於基體1之第1主面之連接端子3；遮光 性之密封構件7，其設於基體之第1主面上，且含有被覆2個發光元件5之側面之光反射材；散熱端子4，其設於基體1之第2主面之母材2上；及透光性構件9，其含有螢光體，將2個發光元件5與密封構件7之上表面連續被覆。
2個發光元件5於基體之第1主面上於各個發光元件之長邊方向上排列，並覆晶安裝於連接端子3。發光元件之外形於圖1A中由虛線表示。
如圖1B所示，散熱端子4於2個發光元件5之間，以線對稱之形狀設於基體1之長邊方向中央。又，於基體1之第2主面上，於一個連接端子3與散熱端子4之間具有阻焊劑8。阻焊劑8被覆作為成為散熱端子之金屬部之一部分的被覆部4c，且自阻焊劑8露出之部分成為散熱端子4。再者，於圖1(B)及圖2中，被覆部4c之外形由虛線表示。
基體1係第1主面及第2主面之長邊方向之寬度為3.5mm、短邊方向之寬度(高度)為0.4mm、厚度為0.2mm之大致長方體形狀。
連接端子3自母材2之第1主面經由側面設於母材2之第2主面、亦即基體之第2主面上。外部連接部3a於基體1之第1主面及第2主面上與母材2之短邊方向之邊接觸，且遍及母材2之整個高度方向而設成寬度0.175mm之帶狀。又，於基體1之側面，以被覆母材2之整個面之方式設置。外部連接部3a於在基體1之第1主面與第2主面上對向之位置以大致相同之形狀設置。
散熱端子4設於一對連接端子之間且基體1之第2主面之長邊方向之中央部。散熱端子以較發光裝置之高度低之高度、亦即與母材之安裝面對向之面分開地設置。窄幅部4a於與發光裝置10之安裝面鄰接之部位，更詳細而言於安裝面以其端部一致之方式設置。散熱端子4之窄幅部4a係基體之長邊方向之寬度為0.2mm，高度為0.03mm。窄幅部4a於其上方與寬幅部4b連結。寬幅部4b係基體1之長邊方向之寬度 為0.4mm、高度為0.18mm且寬度向上方變窄之大致半圓形。窄幅部4a與寬幅部4b以使寬度於窄幅部4a之靠近寬幅部4b之部分變寬之方式平緩地連接。散熱端子4係作為整體，基體1之長邊方向之寬度為0.4mm，高度為0.2mm。
阻焊劑8以於基體1之長邊方向上與連接端子3分開0.13mm且基體1之長邊方向之寬度成為1.95mm之方式設置。而且，以包圍散熱端子4之周圍、更詳細而言包圍側方與上方之方式設置。阻焊劑8藉由以使散熱端子4露出之方式被覆散熱端子4之寬幅部4b上方之被覆部4c，而劃定散熱端子4(更詳細而言為寬幅部4b)之形狀。
於基體1之第2主面，於窄幅部4a之兩側方且寬幅部4b之下方之部分和阻焊劑8與連接端子3之間之部分，露出絕緣性之母材2。
密封構件7之外形係寬度為3.0mm、高度為0.4mm、厚度為0.25mm之大致長方體形狀。
(實施形態2)
如圖3A~圖3D及圖4所示，本實施形態之發光裝置20具備：基體1，其具有正負一對連接端子3與於表面具備連接端子3之絕緣性之母材2；2個發光元件5，其等安裝於基體1之第1主面之連接端子3；遮光性之密封構件7，其設於基體1之第1主面上，且含有被覆2個發光元件5之側面之光反射材；散熱端子4，其設於基體1之第2主面之母材2上；及透光性構件9，其含有螢光體，且將2個發光元件5與密封構件7之上表面連續被覆。
如圖3A、圖3B及圖4所示，2個發光元件5(於圖3A中，由虛線表示外形)與基體1之第1主面側一對連接端子之元件連接部3b之任一者及第2連接端子3接合。第2連接端子3c設於2個發光元件5之間且相互對向設置之一對連接端子之元件連接部3b之間。第2連接端子3經由貫通母材2之通孔3d與設於基體1之第2主面側之散熱端子4連續設置。
散熱端子4具有2個窄幅部4aa、4ab及與其等連接之1個寬幅部4b。2個窄幅部4aa、4ab係基體1之長邊方向之寬度於與安裝面鄰接之部分為0.1mm，於與寬幅部接合之部分為0.25mm，且相互以0.2mm之間隔分開。於2個窄幅部4aa、4ab之間，母材2以大致半圓形狀露出。寬幅部4b係基體1之長邊方向之寬度為0.5mm、高度為0.2mm之大致矩形形狀。於寬幅部4b具有2個與第2連接端子3c連續之通孔3d。通孔3d之外形於圖3B中由虛線表示。
於本實施形態中，膜狀之阻焊劑8與散熱端子4分開，不被覆散熱端子4。阻焊劑8設於母材2上，且於一對連接端子3各者與散熱端子4之間設有2個。
除此之外，具有與實施形態1相同之形態。
(實施形態3)
如圖5A及圖5B所示，本實施形態之發光裝置30於散熱端子4之2個窄幅部4aa、4ab之間之母材2上設有凹部21。凹部21於基體1之安裝面側與第2主面側具有開口部。於凹部21內露出有作為母材2之材料之絕緣構件。除此之外，具有與第2實施形態相同之形態。
(實施形態4)
本實施形態之發光裝置40如圖6所示，分別具有窄幅部4a與寬幅部4b之3個散熱端子41、42、43於基體1之第2主面沿基體之長邊方向排列，且相對於基體1之長邊方向及安裝面之面線對稱地設置。3個之中，中央之散熱端子42設於基體1之長邊方向之中央部。阻焊劑8被覆金屬部中由虛線表示其外形之被覆部4c，使3個散熱端子41、42、43露出。藉由如此設置複數個散熱端子，不提高散熱端子4之高度，便可確保發光裝置之散熱性。
除此之外，具有與第2實施形態相同之形態。
(實施形態5)
圖7A~7D中表示本實施形態之發光裝置50。發光裝置50具備1個發光元件5。基體1之長邊方向之長度設定成發光元件5之長邊方向之長度之1.6倍左右。於基體1之背面，於該一對連接端子3與散熱端子4之間設有自發光裝置50之上表面遍及至底面之阻焊劑8。一對連接端子3於自阻焊劑8露出之部分分別具有成為窄幅之區域。於該成為窄幅之區域之發光裝置之上表面與底面鄰接之部分，母材2以大致矩形之形狀露出。散熱端子4藉由利用阻焊劑8被覆與一對連接端子3之任1個一體之金屬部而劃定形狀。除此之外，具有與實施形態1之發光裝置10實質上相同之形態。
於該發光裝置50中，亦具有與實施形態1至4之發光裝置相同之效果。
(實施形態6)
如圖8A~8E所示，本實施形態之發光裝置60A~60E除了與實施形態5之發光裝置50與散熱構件4之形狀不同以外，具有實質上相同之方式。
圖8A所示之發光裝置60A之散熱構件4係寬幅部之寬度設成基體1之寬度之0.3倍左右。
圖8B所示之發光裝置60B之散熱構件4係窄幅部4a之寬度設成寬幅部4b之寬度之0.15倍左右。
圖8C所示之發光裝置60C之散熱構件4係窄幅部4a之寬度設成寬幅部4b之寬度之0.7倍左右。
圖8D所示之發光裝置60D之散熱構件4係寬幅部4b設成大致半圓形狀。
圖8E所示之發光裝置60E之散熱構件4係寬幅部4b設成大致長方形狀。
(實施形態7)
如圖9所示，本實施形態之發光裝置70除了將母材2之厚度設為與密封構件7之厚度大致相同程度以外，具有與實施形態5之發光裝置50實質上相同之形態。
(實施形態8)
如圖10所示，本實施形態之發光裝置80除了將母材2之厚度設為密封構件7之厚度之2.7倍左右以外，具有與實施形態5之發光裝置50實質上相同之形態。
(實施形態9)
如圖11所示，本實施形態之發光裝置90載置有3個發光元件5，且於各發光元件之間設有2個元件連接部3c。該等2個元件連接部3c經由通孔3d分別與散熱端子4b連接。為了設置3個發光元件5，將母材22之長邊方向之長度設定成發光元件5之長邊方向之長度之4.5倍左右。又，透光性構件19之側面被密封構件7被覆。除此之外，具有與實施形態2之發光裝置20實質上相同之形態。
(實施形態10)
如圖12所示，本實施形態之發光裝置100除了填充樹脂中含有導電性物質之導電性樹脂而形成貫通母材2之通孔3d以外，具有與實施形態2之發光裝置20實質上相同之形態。
(實施形態11)
本實施形態之發光裝置110如圖13A、13B所示，自搭載發光元件5之側起依序積層第1層、第2層、第3層而構成母材32。進而，具備貫通第1層之通孔23a、貫通第2層之通孔13d、貫通第3層之通孔23b。具備設於第1層及第2層之間且連接通孔23a及通孔13d之配線層23c、設於第2層及第3層之間且連接通孔13d及通孔23b之配線層23d。利用該等通孔23a、13d、23b及配線層23c、23d，將第2連接端子3c與散熱端子4b連接。除此之外，具有與實施形態2之發光裝置20實質上相同之 形態。
(實施形態12)
如圖14所示，本實施形態之發光裝置120除了將透光性構件19之側面利用密封構件7被覆以外，具有與實施形態2之發光裝置20實質上相同之形態。
[產業上之可利用性]
本發明之發光裝置可用於液晶顯示器之背光燈光源、各種照明器具、大型顯示器、廣告、目的地指南等各種顯示裝置，進而可用於數位攝錄影機、傳真機、影印機、掃描儀等中之圖像讀取裝置、投影機裝置等。
1‧‧‧基體
2‧‧‧母材
3‧‧‧連接端子
4‧‧‧散熱端子
4a‧‧‧窄幅部
4b‧‧‧寬幅部
4c‧‧‧被覆部
5‧‧‧發光元件
7‧‧‧密封構件
8‧‧‧阻焊劑
9‧‧‧透光性構件
10‧‧‧發光裝置

Claims (14)

  1. 一種發光裝置，其具備：基體，其具備成為發光面側之第1主面、與上述第1主面對向之第2主面、及至少與上述第2主面鄰接之安裝面，並且具有絕緣性之母材與一對連接端子；發光元件，其安裝於上述基體之第1主面；及密封構件，其將上述發光元件密封，且於上述安裝面與上述基體形成為大致同一平面；且於上述基體之第2主面，具有上述一對連接端子與設於上述一對連接端子之間之散熱端子。
  2. 如請求項1之發光裝置，其中上述連接端子設於上述基體之上述第1主面與上述第2主面之間之端面、上述基體之上述第1主面及上述第2主面上。
  3. 如請求項1或2之發光裝置，其中上述散熱端子較上述連接端子之高度低。
  4. 如請求項1至3中任一項之發光裝置，其中於上述散熱端子之上方具有阻焊劑。
  5. 如請求項4之發光裝置，其中於上述連接端子與上述散熱端子之間具有上述阻焊劑。
  6. 如請求項1至5中任一項之發光裝置，其中上述發光元件於上述發光裝置之長邊方向上排列而設有複數個。
  7. 如請求項6之發光裝置，其中上述散熱端子設於上述複數個發光元件之間之位置。
  8. 如請求項7之發光裝置，其中上述複數個發光元件安裝於上述一對連接端子與第2連接端子，上述第2連接端子利用通孔與上述 散熱端子連接。
  9. 如請求項1至8中任一項之發光裝置，其中上述散熱端子於與上述安裝面鄰接之部位具有窄幅部，於上述窄幅部之上方具有寬度較上述窄幅部寬之寬幅部。
  10. 如請求項9之發光裝置，其中上述窄幅部設有複數個。
  11. 如請求項1至10中任一項之發光裝置，其中上述密封構件為遮光性，將上述發光元件之側面被覆。
  12. 如請求項1至11中任一項之發光裝置，其中上述發光元件經覆晶安裝。
  13. 如請求項4至12中任一項之發光裝置，其中上述阻焊劑將以較上述散熱端子大之平面面積設置之金屬部之至少一部分被覆，自上述阻焊劑露出之金屬部之一部分為上述散熱端子。
  14. 如請求項1至13中任一項之發光裝置，其中上述散熱端子具有極性。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI706105B (zh) * 2018-06-26 2020-10-01 日商卡爾特辦公裝飾股份有限公司 照明裝置

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6661890B2 (ja) 2014-05-21 2020-03-11 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6484982B2 (ja) * 2014-09-30 2019-03-20 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
TW201526315A (zh) * 2015-02-17 2015-07-01 Xiu-Zhang Huang 覆晶式發光二極體及其製造方法
CN113130725A (zh) * 2015-03-31 2021-07-16 科锐Led公司 具有包封的发光二极管和方法
KR102373329B1 (ko) * 2015-04-30 2022-03-11 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP1547626S (zh) * 2015-08-19 2016-04-11
JP1554165S (zh) * 2016-01-13 2016-07-19
JP6693369B2 (ja) 2016-09-21 2020-05-13 豊田合成株式会社 光源および発光装置の実装方法
JP6834762B2 (ja) * 2016-09-29 2021-02-24 豊田合成株式会社 発光装置及び電子部品
US10199552B2 (en) * 2016-09-29 2019-02-05 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device and electronic component
JP6565895B2 (ja) * 2016-12-26 2019-08-28 日亜化学工業株式会社 半導体装置用パッケージ及び半導体装置
JP6699580B2 (ja) * 2017-02-09 2020-05-27 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6432639B2 (ja) * 2017-04-28 2018-12-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
WO2019080104A1 (zh) * 2017-10-27 2019-05-02 瑞仪光电(苏州)有限公司 Led光源模组及其制造方法
US11686896B2 (en) 2017-10-27 2023-06-27 Radiant Opto-Electronics(Suzhou) Co., Ltd. LED light source module
JP7098930B2 (ja) * 2017-12-28 2022-07-12 住友大阪セメント株式会社 光変調器及びそれを用いた光送信装置
USD892068S1 (en) * 2018-04-13 2020-08-04 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package
USD892067S1 (en) * 2018-04-13 2020-08-04 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package
USD889421S1 (en) * 2018-04-13 2020-07-07 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package
USD889422S1 (en) * 2018-04-13 2020-07-07 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package
USD919582S1 (en) * 2018-04-13 2021-05-18 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package
JP7161100B2 (ja) * 2018-09-25 2022-10-26 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
USD881143S1 (en) * 2018-10-12 2020-04-14 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package
USD881142S1 (en) * 2018-10-12 2020-04-14 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package
USD894853S1 (en) * 2018-10-12 2020-09-01 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package
CN111430528B (zh) * 2019-01-10 2021-11-05 深圳市聚飞光电股份有限公司 一种发光装置及其显示装置
CN110112278A (zh) * 2019-04-25 2019-08-09 深圳市聚飞光电股份有限公司 一种安装基板及其发光装置
JP7307874B2 (ja) 2019-04-26 2023-07-13 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光モジュール
RU202751U1 (ru) * 2020-08-11 2021-03-04 Постовой Денис Александрович Диодная сборка

Family Cites Families (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3227295B2 (ja) * 1993-12-28 2001-11-12 松下電工株式会社 発光ダイオードの製造方法
JP3741512B2 (ja) * 1997-04-14 2006-02-01 ローム株式会社 Ｌｅｄチップ部品
US6093940A (en) 1997-04-14 2000-07-25 Rohm Co., Ltd. Light-emitting diode chip component and a light-emitting device
JP2000156528A (ja) * 1998-11-19 2000-06-06 Sharp Corp 発光素子
JP2001024312A (ja) * 1999-07-13 2001-01-26 Taiyo Yuden Co Ltd 電子装置の製造方法及び電子装置並びに樹脂充填方法
JP2001345485A (ja) 2000-06-02 2001-12-14 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2001352105A (ja) 2000-06-08 2001-12-21 Stanley Electric Co Ltd 表面実装型発光素子
JP2002237673A (ja) * 2001-02-08 2002-08-23 Murata Mfg Co Ltd 回路基板装置
KR20050097946A (ko) * 2003-01-20 2005-10-10 샤프 가부시키가이샤 광센서 필터용의 투명 수지 조성물, 광센서 및 그 제조방법
US7000052B2 (en) * 2003-02-24 2006-02-14 Cisco Technology, Inc. System and method for configuring and deploying input/output cards in a communications environment
JP2006093565A (ja) * 2004-09-27 2006-04-06 Kyocera Corp 発光素子用配線基板ならびに発光装置およびその製造方法
TW200637033A (en) * 2004-11-22 2006-10-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Light-emitting device, light-emitting module, display unit, lighting unit and method for manufacturing light-emitting device
WO2006112039A1 (ja) * 2005-04-01 2006-10-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 表面実装型光半導体装置およびその製造方法
TW200711190A (en) * 2005-08-17 2007-03-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Surface mounted semiconductor device and method for manufacturing same
US20070187701A1 (en) * 2006-02-16 2007-08-16 Goon Wooi K Compact multi-LED light source with improved heat dissipation
JPWO2007099796A1 (ja) * 2006-02-22 2009-07-16 日本板硝子株式会社 発光ユニット、照明装置及び画像読取装置
CN100530721C (zh) * 2006-08-24 2009-08-19 亿光电子工业股份有限公司 适用于超薄型led封装的基板及其封装方法
TW200814362A (en) * 2006-09-13 2008-03-16 Bright Led Electronics Corp Light-emitting diode device with high heat dissipation property
US7631986B2 (en) * 2006-10-31 2009-12-15 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Lighting device package
JP2008147605A (ja) * 2006-11-14 2008-06-26 Harison Toshiba Lighting Corp 発光装置及びその製造方法並びに実装基板
US20100025722A1 (en) 2006-11-14 2010-02-04 Harison Toshiba Lighting Corp. Light emitting device, its manufacturing method and its mounted substrate
JP2009117536A (ja) * 2007-11-05 2009-05-28 Towa Corp 樹脂封止発光体及びその製造方法
JP2009188005A (ja) 2008-02-04 2009-08-20 Panasonic Corp 表面実装型半導体装置
JP2009194213A (ja) * 2008-02-15 2009-08-27 Sanyo Electric Co Ltd 電子部品
JP5227677B2 (ja) 2008-06-23 2013-07-03 スタンレー電気株式会社 Ｌｅｄの実装構造、ｌｅｄ光源及びこれを備えたバックライト装置
TWI456784B (zh) * 2008-07-29 2014-10-11 Nichia Corp 發光裝置
JP2010103294A (ja) * 2008-10-23 2010-05-06 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
JP5521325B2 (ja) 2008-12-27 2014-06-11 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP2011054736A (ja) * 2009-09-01 2011-03-17 Sharp Corp 発光装置、平面光源および液晶表示装置
CN102044535B (zh) * 2009-10-26 2012-08-08 佛山市国星光电股份有限公司 一种户外显示屏用的smd led器件及其显示模组
JP5340191B2 (ja) * 2010-02-02 2013-11-13 日東電工株式会社 光半導体装置
JP5640632B2 (ja) * 2010-03-12 2014-12-17 旭硝子株式会社 発光装置
KR20110111243A (ko) * 2010-04-02 2011-10-10 아사히 가라스 가부시키가이샤 발광 소자 탑재 기판 및 이 기판을 사용한 발광 장치
JP2012028501A (ja) * 2010-07-22 2012-02-09 Toshiba Corp 発光装置
CN102376845A (zh) * 2010-08-17 2012-03-14 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管的封装结构
JP2012099544A (ja) * 2010-10-29 2012-05-24 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置の製造方法
JP5693194B2 (ja) * 2010-12-14 2015-04-01 シチズン電子株式会社 発光ダイオード
US20120153311A1 (en) * 2010-12-17 2012-06-21 Intematix Corporation Low-cost solid-state based light emitting devices with photoluminescent wavelength conversion and their method of manufacture
US8455908B2 (en) * 2011-02-16 2013-06-04 Cree, Inc. Light emitting devices
US20120261689A1 (en) * 2011-04-13 2012-10-18 Bernd Karl Appelt Semiconductor device packages and related methods
JP5770006B2 (ja) * 2011-04-15 2015-08-26 シチズン電子株式会社 半導体発光装置
JP2013008772A (ja) * 2011-06-23 2013-01-10 Citizen Electronics Co Ltd 側面実装型ｌｅｄ
JP2013033909A (ja) * 2011-06-29 2013-02-14 Hitachi Cable Ltd 発光素子搭載用基板及びｌｅｄパッケージ
JP5937315B2 (ja) * 2011-08-11 2016-06-22 シチズン電子株式会社 発光ダイオード
JP5933959B2 (ja) * 2011-11-18 2016-06-15 スタンレー電気株式会社 半導体光学装置
JP2013110199A (ja) * 2011-11-18 2013-06-06 Citizen Electronics Co Ltd Ｌｅｄ発光装置
JP5940799B2 (ja) * 2011-11-22 2016-06-29 新光電気工業株式会社 電子部品搭載用パッケージ及び電子部品パッケージ並びにそれらの製造方法
CN103137825B (zh) * 2011-11-30 2016-06-01 光宝电子(广州)有限公司 发光二极管基板结构、发光二极管单元及其光源模块
DE102012212968A1 (de) 2012-07-24 2014-01-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches halbleiterbauteil mit elektrisch isolierendem element
JP6127468B2 (ja) 2012-11-22 2017-05-17 日亜化学工業株式会社 発光装置
US9673364B2 (en) 2013-07-19 2017-06-06 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing the same
JP6273124B2 (ja) * 2013-11-08 2018-01-31 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄ照明装置
JP2015207754A (ja) 2013-12-13 2015-11-19 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6478735B2 (ja) * 2014-03-18 2019-03-06 株式会社クラレ 電子デバイスの保護シート
DE102014103828A1 (de) * 2014-03-20 2015-09-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen
JP6318844B2 (ja) * 2014-05-20 2018-05-09 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6661890B2 (ja) * 2014-05-21 2020-03-11 日亜化学工業株式会社 発光装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI706105B (zh) * 2018-06-26 2020-10-01 日商卡爾特辦公裝飾股份有限公司 照明裝置

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