JP2011054736A - 発光装置、平面光源および液晶表示装置 - Google Patents

発光装置、平面光源および液晶表示装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2011054736A
JP2011054736A JP2009201908A JP2009201908A JP2011054736A JP 2011054736 A JP2011054736 A JP 2011054736A JP 2009201908 A JP2009201908 A JP 2009201908A JP 2009201908 A JP2009201908 A JP 2009201908A JP 2011054736 A JP2011054736 A JP 2011054736A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
emitting device
mounting
heat
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2009201908A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuhiro Okamoto
一宏 岡本
Masahiro Konishi
正宏 小西
Masaharu Kitano
雅陽 北野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP2009201908A priority Critical patent/JP2011054736A/ja
Priority to US12/868,171 priority patent/US8410502B2/en
Priority to CN2010102713043A priority patent/CN102005525B/zh
Publication of JP2011054736A publication Critical patent/JP2011054736A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0081—Mechanical or electrical aspects of the light guide and light source in the lighting device peculiar to the adaptation to planar light guides, e.g. concerning packaging
    • G02B6/0083—Details of electrical connections of light sources to drivers, circuit boards, or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H01L2224/48228—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item the bond pad being disposed in a recess of the surface of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48464—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area also being a ball bond, i.e. ball-to-ball
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/647—Heat extraction or cooling elements the elements conducting electric current to or from the semiconductor body

Abstract

【課題】放熱性を向上させることが可能な発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１００は、ＬＥＤチップ１１０と、ＬＥＤチップ１１０が載置されるセラミック基板１２０とを備えている。セラミック基板１２０は、ＬＥＤチップ１１０が載置される載置面１２１ｂと、載置面１２１ｂに対向する裏面１２４と、実装されるときに載置面１２１ｂと裏面１２４との間で実装基板３２０に対向される実装面１２３とを備え、実装面１２３で裏面１２４から載置面１２１ｂ側へ延長され表面に第１熱伝導部材１６２が形成された第１凹部１２３ｇと、ＬＥＤチップ１１０と第１熱伝導部材１６２との間で熱伝導を生じる中間熱伝導部材とを備えている。
【選択図】図１

Description

本発明は、発光装置、平面光源および液晶表示装置に関する。
ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）は、近年の効率向上にともない、電球や蛍光灯よりも省エネルギーの光源として広く使用されるようになってきている。近年では、青色ＬＥＤの開発が進み、青色ＬＥＤと蛍光体とを組み合わせた白色ＬＥＤも実用化されている。白色ＬＥＤは、携帯端末などの小型の液晶バックライト装置の光源として使用されてきている。特に、携帯端末などの薄型化を図るため、サイド発光型の発光装置を用いた液晶バックライト装置が開発されている。液晶バックライト装置に適用されるサイド発光型の発光装置は、液晶パネルの裏面に配置される導光板の端面に対向され、端面から導光板に光を導入する構成となっている。この場合、サイド発光型の発光装置と、導光板と、発光装置が実装される実装基板とによって、液晶バックライト装置用の平面光源が構成される。
上述のサイド発光型の発光装置は、液晶バックライト装置を薄型化できるという利点を有するので、最近では、ノートパソコンなどの中型の液晶バックライト装置や、液晶テレビなどの大型の液晶バックライト装置などにも徐々に利用されてきている。しかし、液晶バックライト装置の大型化にともない、より高輝度の光源が必要となる。さらに、蛍光管などの現状の光源と比べて低コスト化の要請を満たすことも必要となる。
ここで、光源の輝度を高くする手法として、多くのＬＥＤを用いることが挙げられるが、この手法では、低コスト化の要請を満たすことが難しくなる。このため、個々のＬＥＤの性能を向上させて輝度を高くすることが必要となる。個々のＬＥＤの輝度を高くする手法として、ＬＥＤの駆動電流を高くすることが挙げられる。しかし、この手法では、ＬＥＤの発熱量が増大するため、発光装置（ＬＥＤパッケージ）の放熱性、耐熱性の向上が重要となる。
特許文献１には、ＬＥＤチップからの光をパッケージの内壁面によって反射させることで、光取り出し効率を向上させた発光装置が示されている。また、ＬＥＤチップからの光を効率よく反射させるために、パッケージの成形材料となる樹脂中に酸化チタンなどの白色顔料などを混合しインサート成型によりパッケージを形成することが示されている。特許文献２には、パッケージをセラミックパッケージとした発光装置が示されている。
特許第３９７２８８９号公報 特開２００５−１５９３１１号公報
しかし、特許文献１に示されるような樹脂のパッケージは、放熱性、耐熱性が不十分であることから、液晶バックライト装置の大型化には対応できないという問題がある。また、特許文献２に示されるようなセラミックパッケージは、樹脂のパッケージに比べて熱伝導率に優れるものの、放熱性が十分とは言えないという問題がある。
本発明は、上述のような問題に鑑みてなされたものであり、放熱性を向上させることが可能な発光装置、この発光装置を備えた平面光源、およびこの平面光源を備えた液晶表示装置を提供することを目的とする。
本発明は、上述の課題を解決するための手段を以下のように構成している。
本発明に係る発光装置は、発光素子と、上記発光素子が載置されるパッケージ基板とを備えた発光装置であって、上記パッケージ基板は、上記発光素子が載置される載置面と、上記載置面に対向する裏面と、実装されるときに上記載置面と上記裏面との間で実装基板に対向される実装面とを備え、上記実装面で上記裏面から上記載置面側へ延長され表面に第１熱伝導部材が形成された第１凹部と、上記発光素子と上記第１熱伝導部材との間で熱伝導を生じる中間熱伝導部材とを備えることを特徴とする。
上記構成によれば、発光素子で発生した熱を実装基板側へ放出する放熱経路として、実装基板に対向された第１熱伝導部材と、発光素子と第１熱伝導部材との間で熱伝導を生じる中間熱伝導部材を含む放熱経路が形成される。これにより、発光素子で発生した熱を効率よく実装基板側へ放出することが可能になり、発光装置の放熱性を向上させることが可能になる。また、パッケージ基板を実装基板に固定する固定用のろう材を充填可能な空間を確保できるので実装基板に対する実装面の平行性を確保できる。また、発光装置（実装面）を実装基板に実装したとき、側面方向に光を出射することが可能となる。
また、本発明に係る発光装置では、上記中間熱伝導部材は、上記パッケージ基板の内部で上記第１熱伝導部材に連結されて上記発光素子の側へ延長されている第２熱伝導部材を備えることを特徴とする。
上記構成によれば、発光素子で発生した熱を実装基板側へ放出する放熱経路として、パッケージ基板の内部で第１熱伝導部材に連結されて発光素子の側へ延長されている第２熱伝導部材と、第２熱伝導部材に連結された第１熱伝導部材とを含む放熱経路が形成される。これにより、発光素子で発生した熱を効率よく実装基板側へ放出することが可能になり、発光装置の放熱性を向上させることが可能になる。
また、本発明に係る発光装置では、上記発光素子が載置された載置用熱伝導部材を備え、上記載置用熱伝導部材は、上記第２熱伝導部材に連結されていることを特徴とする。
上記構成によれば、発光素子で発生した熱を実装基板側へ放出する放熱経路として、発光素子が載置された載置用熱伝導部材と、載置用熱伝導部材に連結された第２熱伝導部材とを含む放熱経路が形成される。これにより、発光素子で発生した熱を効率よく実装基板側へ放出することが可能になり、発光装置の放熱性を向上させることが可能になる。
また、本発明に係る発光装置では、上記載置用熱伝導部材および上記第２熱伝導部材は、一体に形成されていることを特徴とする。
上記構成によれば、載置用熱伝導部材および第２熱伝導部材を一体に形成できることから、熱伝導性を向上させて、製造工程を簡略化することができる。
また、本発明に係る発光装置では、上記中間熱伝導部材は、パッケージ基板の内部で上記載置面から上記裏面までにわたって配置された第３熱伝導部材と、上記裏面で上記第３熱伝導部材と上記第１熱伝導部材とを連結する第４熱伝導部材とを備えることを特徴とする。
上記構成によれば、発光素子で発生した熱を実装基板側へ放出する放熱経路として、パッケージ基板の内部で載置面から裏面までにわたって配置された第３熱伝導部材と、裏面で第３熱伝導部材と第１熱伝導部材とを連結するように配置された第４熱伝導部材と、第４熱伝導部材に連結された第１熱伝導部材とを含む放熱経路が形成される。これにより、発光素子で発生した熱を効率よく実装基板側へ放出することが可能になり、発光装置の放熱性を向上させることが可能になる。
また、本発明に係る発光装置では、上記発光素子が載置された載置用熱伝導部材を備え、上記載置用熱伝導部材は、上記第３熱伝導部材に連結されていることを特徴とする。
上記構成によれば、発光素子で発生した熱を実装基板側へ放出する放熱経路として、発光素子が載置された載置用熱伝導部材と、載置用熱伝導部材に連結された第３熱伝導部材とを含む放熱経路が形成される。これにより、発光素子で発生した熱を効率よく実装基板側へ放出することが可能になり、発光装置の放熱性を向上させることが可能になる。
また、本発明に係る発光装置では、上記載置用熱伝導部材および上記第３熱伝導部材は、一体に形成されていることを特徴とする。
上記構成によれば、載置用熱伝導部材および第３熱伝導部材を一体に形成できることから、熱伝導性を向上させて、製造工程を簡略化することができる。
また、本発明に係る発光装置では、上記パッケージ基板は、セラミック基板であることを特徴とする。
上記構成によれば、パッケージ基板をセラミック基板で構成することから、耐熱性を向上させ、信頼性を向上させることができる。
また、本発明に係る発光装置では、上記第１凹部は、上記実装面の裏面側から上記載置面に対応する位置まで形成されていることを特徴とする。
上記構成によれば、実装面において、平坦面を確保することができるので、実装基板に対する実装精度を確保できる。
また、本発明に係る発光装置では、上記第１凹部の壁面は、断面円弧状に形成されていることを特徴とする。
上記構成によれば、第１凹部を容易に形成することが可能になる。
また、本発明に係る発光装置では、上記発光素子に接続された内部アノード端子および内部カソード端子を備え、上記内部アノード端子は、上記実装面に設けられた外部アノード端子と接続され、上記内部カソード端子は、上記実装面に設けられた外部カソード端子と接続されていることを特徴とする。
上記構成によれば、内部アノード端子および内部カソード端子を外部アノード端子および外部カソード端子を介して実装基板の配線に接続できる。
また、本発明に係る発光装置では、上記内部アノード端子および内部カソード端子は、それぞれ上記発光素子の載置面と平行な方向に延びていることを特徴とする。
上記構成によれば、パッケージ基板を容易に形成できる。
また、本発明に係る発光装置では、上記外部アノード端子および外部カソード端子は、それぞれ上記実装面の裏面側の端から上記載置面に対応する位置まで設けられていることを特徴とする。
上記構成によれば、外部アノード端子および外部カソード端子と実装基板の配線との接続精度を向上させ、接続の信頼性を確保できる。
また、本発明に係る発光装置では、上記外部アノード端子および外部カソード端子は、それぞれ上記パッケージ基板のコーナー部に形成された第２凹部に設けられていることを特徴する。
上記構成によれば、外部アノード端子および外部カソード端子と実装基板の配線との接続および位置合わせを容易に行うことができる。
また、本発明に係る発光装置では、上記各第２凹部の壁面は、それぞれ断面円弧状に形成されていることを特徴とする。
上記構成によれば、第２凹部を容易に形成することが可能になる。
また、本発明に係る発光装置では、上記内部アノード端子および内部カソード端子が構成する内部端子平面と、上記発光素子の載置面との間には、段差が設けられていることを特徴とする。
上記構成によれば、内部アノード端子および内部カソード端子が短絡することを容易に防止できる。
また、本発明に係る発光装置では、上記内部端子平面は、上記発光素子の載置面よりも裏面側に配置されていることを特徴とする。
上記構成によれば、パッケージ基板を容易に形成することができる。
また、本発明に係る平面光源は、本発明に係る発光装置と、上記発光装置が実装された実装基板と、上記発光装置からの光を導光する導光板とを備えた平面光源であって、上記第１凹部は、上記パッケージ基板を上記実装基板に固定するろう材が充填されていることを特徴とする。
上記構成によれば、実装基板側へ熱を放出する放熱経路として、ろう材を介して実装基板側へ熱を放出する放熱経路を構成するので放熱性を向上させることができる。また、ろう材を第１凹部に充填することから、実装基板に対する実装面の位置決めが高精度となり、導光板から放射される光の均一性を向上させることができる。
また、本発明に係る平面光源は、本発明に係る発光装置と、上記発光装置が実装された実装基板と、上記発光装置からの光を導光する導光板とを備えた平面光源であって、上記第２凹部は、上記パッケージ基板を上記実装基板に固定するろう材が充填されていることを特徴とする。
上記構成によれば、実装基板側へ熱を放出する放熱経路として、ろう材を介して実装基板側へ熱を放出する放熱経路を構成するので放熱性を向上させることができる。また、ろう材を第２凹部に充填することから、実装基板に対する実装面の位置決めが高精度となり、導光板から放射される光の均一性を向上させることができる。
また、本発明に係る液晶表示装置は、本発明に係る平面光源と、液晶パネルとを備える液晶表示装置であって、上記平面光源は、上記液晶パネルのバックライトとされていることを特徴とする。
上記構成によれば、放熱性がよく、光の均一性に優れた平面光源をバックライトとすることから、高精度で均一な表示が可能な液晶表示装置とすることができる。
本発明によれば、発光素子で発生した熱を実装基板側へ放出する放熱経路として、発光素子が載置された載置用熱伝導部材と、実装基板に対向された第１熱伝導部材とを含む放熱経路が形成される。これにより、発光素子で発生した熱を効率よく実装基板側へ放出することが可能になり、発光装置の放熱性を向上させることが可能になる。
また、本発明によれば、本発明に係る発光装置を適用した平面光源および液晶表示装置とすることから、平面光源および液晶表示装置の放熱性を向上させることができる。
本発明の実施形態１に係る発光装置を模式的に示す断面図である。 斜め上方で裏面側から見た実施形態１に係る発光装置を概念的に示す斜視図である。 斜め下方で開口面側から見た実施形態１に係る発光装置を概念的に示す斜視図である。 実施形態２に係る発光装置の製造方法において用いる第１グリーンシート群に形成する配線パターンの概念的な配置を表面に対して模式的に示す平面図である。 第１グリーンシート群に貫通孔を形成し、配線パターンを形成した表面の状態を模式的に示す平面図である。 図５の前に形成した貫通孔（開口）の配置状態を第１グリーンシート群の裏面の状態として模式的に示す底面図である。 図５の状態の後、第１グリーンシート群に電極等を形成した裏面の状態を模式的に示す底面図である。 実施形態２に係る発光装置の製造方法において用いる第２グリーンシート群に貫通孔を形成した表面の状態を模式的に示す平面図である。 同じく第２グリーンシート群に貫通孔を形成した裏面の状態を模式的に示す底面図である。 第１、第２グリーンシート群の積層、焼成後のセラミック基板の表面の状態を模式的に示す平面図である。 第１、第２グリーンシート群の積層、焼成後のセラミック基板の裏面の状態を模式的に示す底面図である ダイシングにより切断されるセラミック基板の裏面の状態を模式的に示す底面図である。 本発明の実施形態３に係る発光装置を模式的に示す断面図である。 図１３の発光装置を開口面側から見た図である。 本発明の実施形態４に係る平面光源および液晶表示装置を模式的に示す断面図である。 斜め下方から見た実施形態５に係る発光装置を概念的に示す斜視図である。 実施形態５に係る発光装置を模式的に示す断面図である。 斜め下方から見た実施形態６に係る発光装置を概念的に示す斜視図である。
本発明を具体化した実施形態について添付図面を参照しながら説明する。
＜実施形態１＞
本発明の実施形態１に係る発光装置について、図１〜図３を参照して説明する。
図１は、本発明の実施形態１に係る発光装置を示す断面図である。図２は、斜め上方から見た実施形態１に係る発光装置を概念的に示す斜視図である。図３は、斜め下方から見た実施形態１に係る発光装置を概念的に示す斜視図である。なお、図１、図２では、発光装置を実装する実装基板の一部を便宜上示している。
実施形態１に係る発光装置１００は、ＬＥＤチップ１１０と、セラミック基板１２０とを備えている。発光装置１００は、実装基板３２０に形成されたランドパターン３２１，３２２，３２３上に実装されている。発光装置１００は、サイド発光型の発光装置として構成されており、実装面１２３を実装基板３２０に対向させて実装したとき側面である開口面１２２に形成された開口１２１ａから光が出射する。
ＬＥＤチップ１１０としては、例えば青色系の発光が可能な窒化ガリウム系の半導体発光素子が用いられる。窒化ガリウム系半導体発光素子は、波長が例えば４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の青色波長領域に発光ピークを有する青色光である１次光を出射する。なお、ＬＥＤチップ１１０の材質は、一例であって、後述する蛍光体を励起可能な波長を有する１次光を発するものであれば特に限定されない。
ＬＥＤチップ１１０の表面には、一対のパッド電極であるＰ側電極１１１およびＮ側電極１１２が形成されている。Ｐ側電極１１１は、内部アノード端子１４１とワイヤ１４３によりワイヤボンディングされている。Ｎ側電極１１２は、内部カソード端子１４２とワイヤ１４３によりワイヤボンディングされている。
セラミック基板１２０は、略直方体状に形成されたパッケージ基板である。セラミック基板１２０は、ＬＥＤチップ１１０が配置されるチップ用凹部１２１を有している。また、セラミック基板１２０は、チップ用凹部１２１の開口１２１ａを有する開口面１２２と、開口面１２２に隣接し実装基板３２０に対向される実装面１２３と、開口面１２２と反対側に設けられる裏面１２４とを備えている。開口面１２２と裏面１２４とは、ともに実装面１２３に対し垂直に形成されている。なお、パッケージ基板は、内部に配置された配線部（例えば、以下に示す内部アノード端子１４１、内部カソード端子１４２など）、熱伝導部材（例えば、以下に示す載置用熱伝導部材１６１、第１熱伝導部材１６２〜第４熱伝導部材１６５など）を含む。
チップ用凹部１２１の開口１２１ａは、例えば長円形に形成されている。チップ用凹部１２１の底部に配置された載置面１２１ｂには、ＬＥＤチップ１１０が配置されている。載置面１２１ｂは、実装面１２３に対し交差する方向に形成されている。載置面１２１ｂには、載置用熱伝導部材１６１が設けられており、載置用熱伝導部材１６１上にＬＥＤチップ１１０が載置されている。載置面１２１ｂには、内部アノード端子１４１の内端部１４１ａおよび内部カソード端子１４２の内端部１４２ａが載置されている。内部アノード端子１４１と内部カソード端子１４２と載置用熱伝導部材１６１とは、それぞれ離間して配置されている。
チップ用凹部１２１の内壁面１２１ｃは、載置面１２１ｂに対し交差する方向に延びている。内壁面１２１ｃには、例えばＡｇめっきなどからなる反射層１３１が形成されている。反射層１３１は、内部アノード端子１４１および内部カソード端子１４２と離間されている。反射層１３１の表面には、保護層であるガラスコートが形成されている。なお、チップ用凹部１２１の形状は、開口面１２２側に向かうほどテーパ状に広がるような形状であってもよい。
チップ用凹部１２１内には、蛍光体含有樹脂１３３が充填されている。したがって、ＬＥＤチップ１１０は、蛍光体含有樹脂１３３により被覆されている。蛍光体含有樹脂１３３としては、例えばシリコーン樹脂中に蛍光体を分散したものが用いられる。
蛍光体は、ＬＥＤチップ１１０が出射する青色光（１次光）を吸収し、蛍光（２次光）を放出する。このようにして発光装置１００は、１次光と２次光を混合して白色光を出射するように構成される。つまり、蛍光体は１次光を吸収して、例えば波長が５５０ｎｍ以上６００ｎｍ以下の黄色波長領域に発光ピークを有する２次光を発する物質（黄色蛍光体）である。したがって、発光装置１００は、１次光と２次光とが混合されて白色光を出射することが可能となる。また、黄色蛍光体の代わりに、緑色蛍光体と赤色蛍光体を混合したものを用いてもよく、このような蛍光体を適用した発光装置１００を液晶用バックライトとして用いた場合は、黄色蛍光体を用いたときに比較して、液晶の表示色の再現領域を広くすることができる。
なお、蛍光体としては、例えばＢＯＳＥ（Ｂａ、Ｏ、Ｓｒ、Ｓｉ、Ｅｕ）などを好適に用いることができる。また、ＢＯＳＥの他、ＳＯＳＥ（Ｓｒ、Ｂａ、Ｓｉ、Ｏ、Ｅｕ）、ＹＡＧ（Ｃｅ賦活イットリウム・アルミニウム・ガーネット）、αサイアロン（（Ｃａ）、Ｓｉ、Ａｌ、Ｏ、Ｎ、Ｅｕ）、βサイアロン（Ｓｉ、Ａｌ、Ｏ、Ｎ、Ｅｕ）等を好適に用いることができる。
内部アノード端子１４１は、薄い金属層であり、配線パターンとして形成される。内部アノード端子１４１は、載置面１２１ｂと平行な方向に延びている。内部アノード端子１４１は、セラミック基板１２０の実装面１２３に設けられた外部アノード端子１５１に接続されている。外部アノード端子１５１は、実装面１２３のコーナー部１２３ａに形成された第２凹部１２３ｂに設けられている。
具体的には、内部アノード端子１４１は、載置面１２１ｂからセラミック基板１２０の内部を貫通しコーナー部１２３ａに向けて延びている。コーナー部１２３ａには、第２凹部１２３ｂが形成されており、第２凹部１２３ｂは、開口面１２２側の端から裏面１２４側の端にわたって延びている。第２凹部１２３ｂの壁面１２３ｃは、断面円弧状に形成されている。なお、第２凹部１２３ｂの壁面１２３ｃの断面形状は、円弧状以外であってもよい。
そして、第２凹部１２３ｂの壁面１２３ｃに外部アノード端子１５１が形成されている。外部アノード端子１５１は、第２凹部１２３ｂの裏面１２４側の端から開口面１２２側へ向けて形成されているが、開口面１２２側の端までは形成されていない。つまり、外部アノード端子１５１は、内部アノード端子１４１と連結する位置まで形成されている。外部アノード端子１５１は、実装基板３２０に形成された電極用のランドパターン３２１（図２参照）に接続される。また、実装状態では、第２凹部１２３ｂ内に、セラミック基板１２０を実装基板３２０に固定するろう材１３４が充填される。第２凹部１２３ｂが開口面１２２側の端から裏面１２４側の端にわたって延びているので、発光装置１００を実装基板３２０に実装する際、ろう材１３４のぬれや溶融具合を容易に確認することが可能になる。なお、セラミック基板１２０の裏面１２４に外部アノード端子１５１と接続する裏面アノード端子を設ける構成としてもよい。こうすれば、検査工程で検査端子を裏面アノード端子に接触させることで、発光装置１００の特性を容易に調べることが可能になる。
内部カソード端子１４２は、薄い金属層であり、配線パターンとして形成される。内部カソード端子１４２は、載置面１２１ｂと平行な方向に延びている。内部カソード端子１４２は、セラミック基板１２０の実装面１２３に設けられた外部カソード端子１５２に接続されている。外部カソード端子１５２は、実装面１２３のコーナー部１２３ｄに形成された第２凹部１２３ｅに設けられている。
具体的には、内部カソード端子１４２は、載置面１２１ｂからセラミック基板１２０の内部を貫通しコーナー部１２３ｄに向けて延びている。コーナー部１２３ｄには、第２凹部１２３ｅが形成されており、第２凹部１２３ｅは、開口面１２２側の端から裏面１２４側の端にわたって延びている。第２凹部１２３ｅの壁面１２３ｆは、断面円弧状に形成されている。なお、第２凹部１２３ｅの壁面１２３ｆの断面形状は、円弧状以外であってもよい。
そして、第２凹部１２３ｅの壁面１２３ｆに外部カソード端子１５２が形成されている。外部カソード端子１５２は、第２凹部１２３ｅの裏面１２４側の端から開口面１２２側へ向けて形成されているが、開口面１２２側の端までは形成されていない。外部カソード端子１５２は、内部カソード端子１４２と連結する位置まで形成されている。この理由については後述する。外部カソード端子１５２は、実装基板３２０に形成された電極用のランドパターン３２２（図２参照）に接続される。また、実装状態では、第２凹部１２３ｅ内に、セラミック基板１２０を実装基板３２０に固定するろう材１３４が充填される。第２凹部１２３ｅが開口面１２２側の端から裏面１２４側の端にわたって延びているので、発光装置１００を実装基板３２０に実装する際、ろう材１３４のぬれや溶融具合を容易に確認することが可能になる。なお、セラミック基板１２０の裏面１２４に外部カソード端子１５２と接続する裏面カソード端子を設ける構成としてもよい。こうすれば、検査工程で検査端子を裏面カソード端子に接触させることで、発光装置１００の特性を容易に調べることが可能になる。
実施形態１では、ＬＥＤチップ１１０で発生した熱を実装基板３２０へ熱伝導により放熱するための放熱経路がセラミック基板１２０に設けられていることを特徴としている。以下、実施形態１の放熱経路について詳しく説明する。
セラミック基板１２０は、載置用熱伝導部材１６１と、第１熱伝導部材１６２と、第２熱伝導部材１６３と、第３熱伝導部材１６４と、第４熱伝導部材１６５とを備えている。これらの熱伝導部材（載置用熱伝導部材１６１、第１熱伝導部材１６２〜第４熱伝導部材１６５）は、セラミック基板１２０よりも熱伝導率が高い金属で形成されている。
載置用熱伝導部材１６１は、薄い金属層であり、例えば配線パターンと同様に形成される。載置用熱伝導部材１６１は、ＬＥＤチップ１１０が接着される接着面を構成する部材である。具体的には、載置用熱伝導部材１６１は、載置面１２１ｂに配置されており、載置用熱伝導部材１６１上にＬＥＤチップ１１０がダイボンディングされている。なお、載置面１２１ｂおよびＬＥＤチップ１１０が接着される接着面を合わせて載置面とすることができる。
第１熱伝導部材１６２は、例えばＡｕめっきなどからなる金属膜として構成されている。第１熱伝導部材１６２は、実装面１２３に沿って形成された第１凹部１２３ｇに設けられている。具体的には、第１凹部１２３ｇは、裏面１２４側の端から開口面１２２側へ向けて延びているが、開口面１２２側の端までは到達していない。つまり、第１凹部１２３ｇは、第２熱伝導部材１６３が第１熱伝導部材１６２に連結される位置まで延びている。したがって、実装面１２３において、第１凹部１２３ｇの端から開口面１２２側の端までの部分を平坦面とすることができるので、実装基板３２０に対する実装精度を確保できる。
また、発光装置１００を製造する際、単一のセラミック母材を適用して多数の発光装置１００を同時に製造し、実装面１２３において切断することで個々の発光装置１００に分離することが量産上好ましい（例えば、実施形態２参照。）が、第１凹部１２３ｇに形成された第１熱伝導部材１６２は切断による影響を受けないという利点を有している。
第１凹部１２３ｇの壁面１２３ｈは、断面円弧状に形成されている。そして、第１凹部１２３ｇの壁面１２３ｈに第１熱伝導部材１６２が形成されている。第１熱伝導部材１６２は、実装基板３２０に形成された放熱用のランドパターン３２３に連結される。第１凹部１２３ｇ内には、セラミック基板１２０を実装基板３２０に固定するろう材１３４が充填される。なお、第１凹部１２３ｇの壁面１２３ｈの断面形状は、円弧状以外であってもよい。
また、第１凹部１２３ｇは、裏面１２４側の端から開口面１２２側へ向けて延びているが、開口面１２２側の端までは到達していない。したがって、ろう材１３４が開口面１２２へ回りこむことを防止できるので、ろう材１３４がチップ用凹部１２１に充填されている蛍光体含有樹脂１３３の表面に接触して劣化させるといった不具合を防止できる。
第２熱伝導部材１６３は、薄い金属層であり、例えば配線パターンと同様に形成される。第２熱伝導部材１６３は、載置用熱伝導部材１６１と第１熱伝導部材１６２とを連結する部材である。実施形態１では、第２熱伝導部材１６３は、載置用熱伝導部材１６１と一体的に形成されている。つまり、載置用熱伝導部材１６１が第１熱伝導部材１６２に向けて延長された構成となっている。このように、第２熱伝導部材１６３を載置用熱伝導部材１６１と一体的に形成する場合は、セラミック基板１２０を容易に形成することができる。
第４熱伝導部材１６５は、例えばＡｕめっきなどからなる金属膜として構成されている。第４熱伝導部材１６５は、裏面１２４に設けられている。第４熱伝導部材１６５は、裏面１２４の略中央部から実装面１２３側に向けて延びるように形成されており、第１凹部１２３ｇの周縁において、第１熱伝導部材１６２と連結されている。
第３熱伝導部材１６４は、例えばＣｕなどのような熱伝導性の高い金属によって形成されている。第３熱伝導部材１６４は、載置用熱伝導部材１６１と第４熱伝導部材１６５とを連結する部材である。第３熱伝導部材１６４は、セラミック基板１２０の内部を貫通するように形成されている。なお、第３熱伝導部材１６４を、載置用熱伝導部材１６１と一体的に形成してもよい。つまり、載置用熱伝導部材１６１を第４熱伝導部材１６５に向けて延長した構成としてもよい。このように、第３熱伝導部材１６４を載置用熱伝導部材１６１と一体的に形成することで、部品点数の削減を図ることが可能になる。
ここで、第３熱伝導部材１６４をセラミック基板１２０の実装面１２３に露出させない構成としているのは、次の理由による。第３熱伝導部材１６４がセラミック基板１２０の実装面１２３に露出していれば、発光装置１００を実装基板３２０に実装する際、熱が第３熱伝導部材１６４側へ直接伝わることで熱逃げが発生し、ろう材１３４が溶けにくくなるからである。このため、実装面１２３と第３熱伝導部材１６４との間にセラミック部材を介在させる構成とすることで、熱逃げを抑制してろう材１３４を素早く溶かすようにしている。
なお、第３熱伝導部材１６４の側面をセラミック基板１２０の実装面１２３に露出させる構成としてもよく、この場合には、後述する放熱性をより一層向上させることが可能である。
また、同様の理由により、外部アノード端子１５１、外部カソード端子１５２、第１熱伝導部材１６２を、上述したように、実装面１２３の開口面１２２側の端と裏面１２４側の端との間の全域にわたって形成するのではなく、部分的に形成するようにしている。ただし、外部アノード端子１５１、外部カソード端子１５２、第１熱伝導部材１６２を、実装面１２３の開口面１２２側の端と裏面１２４側の端との間の全域にわたって形成することも可能である。
次に、実施形態１に係る発光装置１００の載置用熱伝導部材１６１、第１熱伝導部材１６２〜第４熱伝導部材１６５による放熱作用について説明する。なお、載置用熱伝導部材１６１は、必須ではなく、ＬＥＤチップ１１０を、例えば第３熱伝導部材１６４に直接載置することも可能である。
セラミック基板１２０には、ＬＥＤチップ１１０で発生した熱を実装基板３２０へ放出するための放熱経路として、載置用熱伝導部材１６１、第１熱伝導部材１６２〜第４熱伝導部材１６５を含む放熱経路が形成される。これにより、ＬＥＤチップ１１０で発生した熱を効率よく実装基板３２０側へ放出することが可能になり、発光装置１００の放熱性を向上させることが可能になる。
詳細には、ＬＥＤチップ１１０で発生した熱を実装基板３２０側へ放出する放熱経路として、第１放熱経路（ＬＥＤチップ１１０→載置用熱伝導部材１６１→第２熱伝導部材１６３→第１熱伝導部材１６２→放熱用のランドパターン３２３→実装基板３２０）、および、第２放熱経路（ＬＥＤチップ１１０→載置用熱伝導部材１６１→第３熱伝導部材１６４→第４熱伝導部材１６５→第１熱伝導部材１６２→放熱用のランドパターン３２３→実装基板３２０）が形成される。第１放熱経路および第２放熱経路は、載置用熱伝導部材１６１、第１熱伝導部材１６２〜第４熱伝導部材１６５の組み合わせにより構成される放熱経路である。
また、ＬＥＤチップ１１０で発生した熱を実装基板３２０側へ放出する放熱経路として、第３放熱経路（ＬＥＤチップ１１０→載置用熱伝導部材１６１→第２熱伝導部材１６３→第１熱伝導部材１６２→ろう材１３４→放熱用のランドパターン３２３→実装基板３２０）、および、第４放熱経路（ＬＥＤチップ１１０→載置用熱伝導部材１６１→第３熱伝導部材１６４→第４熱伝導部材１６５→第１熱伝導部材１６２→ろう材１３４→放熱用のランドパターン３２３→実装基板３２０）が形成される。第３放熱経路および第４放熱経路は、載置用熱伝導部材１６１、第１熱伝導部材１６２〜第４熱伝導部材１６５および第１凹部１２３ｇ内に充填されたろう材１３４の組み合わせにより構成される放熱経路である。
実施形態１では、上述のような第１放熱経路〜第４放熱経路を介してＬＥＤチップ１１０で発生した熱を効率よく実装基板３２０側へ放出することが可能になり、発光装置１００の放熱性を向上させることが可能になる。したがって、液晶バックライト装置等の大型化にも容易に対応することが可能になる。
以上では、発光装置１００に載置用熱伝導部材１６１、第１熱伝導部材１６２〜第４熱伝導部材１６５が設けられている場合について説明したが、発光装置１００は、少なくとも第１熱伝導部材１６２を含む構成であればさまざまに変形することが可能である。例えば、上述したとおり、載置用熱伝導部材１６１を省略して、ＬＥＤチップ１１０を第３熱伝導部材１６４に直接載置することも可能である。実施形態１に係る発光装置１００は、第１放熱経路〜第４放熱経路のうち少なくとも１つを形成することが可能である。
上述したとおり、実施形態１に係る発光装置１００は、発光素子１１０と、発光素子１１０が載置されるパッケージ基板１２０とを備えた発光装置１００であって、パッケージ基板１２０は、発光素子１１０が載置される載置面１２１ｂと、載置面１２１ｂに対向する裏面１２４と、実装されるときに載置面１２１ｂと裏面１２４との間で実装基板３２０に対向される実装面１２３とを備え、実装面１２３で裏面１２４から載置面１２１ｂ側へ延長され表面に第１熱伝導部材１６２が形成された第１凹部１２３ｇと、発光素子１１０と第１熱伝導部材１６２との間で熱伝導を生じる中間熱伝導部材（第２熱伝導部材１６３、第３熱伝導部材１６４、あるいは、第４熱伝導部材１６５）とを備える。
したがって、発光素子１１０で発生した熱を実装基板３２０側へ放出する放熱経路として、実装基板３２０に対向された第１熱伝導部材１６２と、発光素子１１０と第１熱伝導部材１６２との間で熱伝導を生じる中間熱伝導部材を含む放熱経路が形成される。これにより、発光素子１１０で発生した熱を効率よく実装基板３２０側へ放出することが可能になり、発光装置１００の放熱性を向上させることが可能になる。また、パッケージ基板１２０を実装基板３２０に固定する固定用のろう材１３４を充填可能な空間を確保できるので実装基板３２０に対する実装面１２３の平行性を確保できる。また、発光装置１００（実装面１２３）を実装基板３２０に実装したとき、側面方向に光を出射することが可能となる。
また、発光装置１００では、中間熱伝導部材は、パッケージ基板１２０の内部で第１熱伝導部材１６２に連結されて発光素子１１０の側へ延長されている第２熱伝導部材１６３を備える。したがって、発光素子１１０で発生した熱を実装基板３２０側へ放出する放熱経路として、パッケージ基板１２０の内部で第１熱伝導部材１６２に連結されて発光素子１１０の側へ延長されている第２熱伝導部材１６３と、第２熱伝導部材１６３に連結された第１熱伝導部材１６２とを含む放熱経路が形成される。これにより、発光素子１１０で発生した熱を効率よく実装基板３２０側へ放出することが可能になり、発光装置１００の放熱性を向上させることが可能になる。
また、発光装置１００では、発光素子１１０が載置された載置用熱伝導部材１６１を備え、載置用熱伝導部材１６１は、第２熱伝導部材１６３に連結されている。したがって、発光素子１１０で発生した熱を実装基板３２０側へ放出する放熱経路として、発光素子１１０が載置された載置用熱伝導部材１６１と、載置用熱伝導部材１６１に連結された第２熱伝導部材１６３とを含む放熱経路が形成される。これにより、発光素子１１０で発生した熱を効率よく実装基板３２０側へ放出することが可能になり、発光装置１００の放熱性を向上させることが可能になる。
また、発光装置１００では、載置用熱伝導部材１６１および第２熱伝導部材１６３は、一体に形成されている。したがって、載置用熱伝導部材１６１および第２熱伝導部材１６３を一体に形成できることから、熱伝導性を向上させて、製造工程を簡略化することができる。なお、一体に形成するとは、同一部材を適用して同時に形成することをいう。
また、発光装置１００では、中間熱伝導部材は、パッケージ基板１２０の内部で載置面１２１ｂから裏面１２４までにわたって配置された第３熱伝導部材１６４と、裏面１２４で第３熱伝導部材１６４と第１熱伝導部材１６２とを連結する第４熱伝導部材１６５とを備える。したがって、発光素子１１０で発生した熱を実装基板３２０側へ放出する放熱経路として、パッケージ基板１２０の内部で載置面１２１ｂから裏面１２４までにわたって配置された第３熱伝導部材１６４と、裏面１２４で第３熱伝導部材１６４と第１熱伝導部材１６２とを連結するように配置された第４熱伝導部材１６５と、第４熱伝導部材１６５に連結された第１熱伝導部材１６２とを含む放熱経路が形成される。これにより、発光素子１１０で発生した熱を効率よく実装基板３２０側へ放出することが可能になり、発光装置１００の放熱性を向上させることが可能になる。
また、発光装置１００では、発光素子１１０が載置された載置用熱伝導部材１６１を備え、載置用熱伝導部材１６１は、第３熱伝導部材１６４に連結されている。したがって、発光素子１１０で発生した熱を実装基板３２０側へ放出する放熱経路として、発光素子１１０が載置された載置用熱伝導部材１６１と、載置用熱伝導部材１６１に連結された第３熱伝導部材１６４とを含む放熱経路が形成される。これにより、発光素子１１０で発生した熱を効率よく実装基板３２０側へ放出することが可能になり、発光装置１００の放熱性を向上させることが可能になる。
また、発光装置１００では、載置用熱伝導部材１６１および第３熱伝導部材１６４は、一体に形成されている。したがって、載置用熱伝導部材１６１および第３熱伝導部材１６４を一体に形成できることから、熱伝導性を向上させて、製造工程を簡略化することができる。なお、一体に形成するとは、同一部材を適用して同時に形成することをいう。
また、発光装置１００では、パッケージ基板１２０は、セラミック基板である。したがって、パッケージ基板１２０をセラミック基板で構成することから、耐熱性を向上させ、信頼性を向上させることができる。
また、発光装置１００では、第１凹部１２３ｇは、実装面１２３の裏面１２４側から載置面１２１ｂに対応する位置まで形成されている。したがって、実装面１２３において、平坦面を確保することができるので、実装基板３２０に対する実装精度を確保できる。
また、発光装置１００では、第１凹部１２３ｇの壁面１２３ｈは、断面円弧状に形成されている。したがって、第１凹部１２３ｇを容易に形成することが可能になる。
また、発光装置１００では、発光素子１１０に接続された内部アノード端子１４１および内部カソード端子１４２を備え、内部アノード端子１４１は、実装面１２３に設けられた外部アノード端子１５１と接続され、内部カソード端子１４２は、実装面１２３に設けられた外部カソード端子１５２と接続されている。したがって、内部アノード端子１４１および内部カソード端子１４２を外部アノード端子１５１および外部カソード端子１５２を介して実装基板３２０の配線に接続できる。
また、発光装置１００では、内部アノード端子１４１および内部カソード端子１４２は、それぞれ発光素子１１０の載置面１２１ｂと平行な方向に延びている。したがって、パッケージ基板１２０を容易に形成できる。
また、発光装置１００では、外部アノード端子１５１および外部カソード端子１５２は、それぞれ実装面１２３の裏面１２４側の端から載置面１２１ｂに対応する位置まで設けられている。したがって、外部アノード端子１５１および外部カソード端子１５２と実装基板３２０の配線との接続精度を向上させ、接続の信頼性を確保できる。
また、発光装置１００では、外部アノード端子１５１および外部カソード端子１５２は、それぞれパッケージ基板１２０のコーナー部１２３ａ、１２３ｄに形成された第２凹部１２３ｂ、１２３ｅに設けられている。したがって、外部アノード端子１５１および外部カソード端子１５２と実装基板３２０の配線との接続および位置合わせを容易に行うことができる。
また、発光装置１００では、各第２凹部１２３ｂ、１２３ｅの壁面１２３ｃ、１２３ｆは、それぞれ断面円弧状に形成されている。したがって、第２凹部１２３ｂ、１２３ｅを容易に形成することが可能になる。
＜実施形態２＞
本発明の実施形態２に係る発光装置の製造方法について、図４〜図１２を参照して説明する。なお、実施形態１と共通する事項については、適宜符号を援用する。
実施形態２では、２つのグリーンシート群（４枚のグリーンシートを積層して形成された第１グリーンシート群２１０および４枚のグリーンシートを積層して形成された第２グリーンシート群２３０）を用いることにより、実施形態１に係る発光装置１００を製造する手順について説明する。第１グリーンシート群２１０および第２グリーンシート群２３０は、積層、焼成されてセラミック基板１２０の基材となる集合状態（多数のセラミック基板１２０を同時に形成した状態）のセラミック基板２００を形成する。
図４は、実施形態２に係る発光装置の製造方法において用いる第１グリーンシート群２１０に形成する配線パターンの概念的な配置を表面２１１に対して模式的に示す平面図である。実際の工程では、穴を開けた状態に対して配線パターンを形成するので図５で示す状態となる。
図４に示すように、第１グリーンシート群２１０の表面２１１に、内部アノード端子１４１と内部カソード端子１４２とに対応する配線パターン２１３と、載置用熱伝導部材１６１と第２熱伝導部材１６３とに対応する配線パターン２１４を、めっき導通線によりそれぞれ形成する。配線パターン２１３は、内部アノード端子１４１に対応する複数の配線パターンと、内部カソード端子１４２に対応する複数の配線パターンとが接続して形成されたものである。また、配線パターン２１４は、載置用熱伝導部材１６１に対応する複数の配線パターンと、第２熱伝導部材１６３に対応する複数の配線パターンとが接続して形成されたものである。
図５は、第１グリーンシート群２１０に貫通孔を形成し、配線パターンを形成した表面２１１の状態を模式的に示す平面図である。図６は、図５の前に形成した貫通孔（開口）の配置状態を第１グリーンシート群２１０の裏面２１２の状態として模式的に示す底面図である。
図５に示すように、第１グリーンシート群２１０に、外部アノード端子１５１および外部カソード端子１５２を形成するための貫通孔２１５が複数配置される。また、第１グリーンシート群２１０に、第１熱伝導部材１６２を形成するための貫通孔２１６が複数配置される。貫通孔２１５，２１６は、列方向（図５では縦方向）で交互に繰り返されるように規則的に配置される。貫通孔２１５は、配線パターン２１３が設けられた部分に予め生成されている。貫通孔２１６は、配線パターン２１４が設けられた部分に予め形成されている。
また、図６に示すように、第１グリーンシート群２１０の裏面２１２に、第３熱伝導部材１６４を形成するための開口２１７が予め複数形成されている。開口２１７は、載置用熱伝導部材１６１に対応する配線パターン２１４に至るように形成されている。
図７は、図５の状態の後、第１グリーンシート群２１０に電極等を形成した裏面２１２の状態を模式的に示す底面図である。
図７に示すように、開口２１７内に例えばＣｕなどのような熱伝導性の高い金属からなる金属ペーストを充填する。この金属ペーストが第３熱伝導部材１６４となる。なお、開口２１７の裏面２１２側は、裏面部材２２３によって塞がれる。
そして、第１グリーンシート群２１０の裏面２１２に、裏面アノード端子に対応する裏面電極２２１、裏面カソード端子に対応する裏面電極２２２、第４熱伝導部材１６５に対応する裏面部材２２３をスクリーン印刷によりそれぞれ形成する。
また、貫通孔２１５の内壁に、表面２１１の内部アノード端子１４１に対応する配線パターン２１３と、裏面２１２の裏面電極２２１とを接続するように、内壁電極２２４を形成する。貫通孔２１５の内壁に、表面２１１の内部カソード端子１４２に対応する配線パターン２１３と、裏面２１２の裏面電極２２２とを接続するように、内壁電極２２５を形成する。貫通孔２１６の内壁に、表面２１１の第２熱伝導部材１６３に対応する配線パターン２１４と、裏面２１２の裏面部材２２３とを接続するように、内壁部材２２６を形成する。
図８は、実施形態２に係る発光装置の製造方法において用いる第２グリーンシート群２３０に貫通孔を形成した表面２３１の状態を模式的に示す平面図である。図９は、同じく第２グリーンシート群２３０に貫通孔を形成した裏面２３２の状態を模式的に示す底面図である。
図８、図９に示すように、第２グリーンシート群２３０に、チップ用凹部１２１に対応する貫通孔２３３を複数形成する。そして、貫通孔２３３の内壁に、例えばＡｇペーストの塗布などにより反射層１３１を形成する。また、第２グリーンシート群２３０に、第１グリーンシート群２１０の貫通孔２１５に対応する貫通孔２３４を複数形成する。
次に、第１グリーンシート群２１０の表面２１１上に第２グリーンシート群２３０の裏面２３２を重ね合わせ、両面２１１，２３２を貼り合わせ、両シート群２１０，２３０を積層する。この際、第１グリーンシート群２１０の載置用熱伝導部材１６１に対応する配線パターン２１４と、内部アノード端子１４１および内部カソード端子１４２に対応する配線パターン２１３とが、第２グリーンシート群２３０の貫通孔２３３内に配置される（図１０参照）。また、第１グリーンシート群２１０の貫通孔２１５と、第２グリーンシート群２３０の貫通孔２３４とが連通される。
なお、第２グリーンシート群２３０の貫通孔２３３の底面となる第１グリーンシート群２１０の表面２１１（ＬＥＤチップ１１０の搭載面は除く）と、第２グリーンシート群２３０の反射層１３１の表面とに、保護層としてのガラスコートを塗布してもよい。
次に、第１グリーンシート群２１０の貫通孔２１５，２１６の内壁に形成した内壁電極２２４，２２５および内壁部材２２６の表面（内壁面）に、後述するＡｕめっき層の下地層となる下地金属層をそれぞれ形成する。
図１０は、第１、第２グリーンシート群２１０，２３０の積層、焼成後のセラミック基板２００の表面２０１の状態を模式的に示す平面図である。図１１は、第１、第２グリーンシート群２１０，２３０の積層、焼成後のセラミック基板２００の裏面２０２の状態を模式的に示す底面図である。なお、図１０、図１１では、分割用の分割溝２０３，２０４を２点鎖線で図示している。
図１０、図１１に示すように、セラミック基板２００の表面２０１と裏面２０２とに分割溝２０３，２０４を形成した後、積層した第１グリーンシート群２１０および第２グリーンシート群２３０を焼成し、硬化させる。こうして形成されたセラミック基板２００（セラミック基板１２０の集合体）の裏面２０２の裏面電極２２１，２２２および裏面部材２２３上に、裏面アノード端子、裏面カソード端子、第２熱伝導部材１６３の下地層となる下地金属層をスクリーン印刷によりそれぞれ形成する。
次に、下地金属層を形成した貫通孔２１５，２１６の内壁に形成した下地金属層上にＡｕめっき層を形成する。これにより、外部アノード端子１５１と外部カソード端子１５２と第１熱伝導部材１６２とが形成される。また、セラミック基板２００の裏面２０２に形成した下地金属層上にＡｕめっき層を形成する。これにより、裏面アノード端子と裏面カソード端子と第４熱伝導部材１６５とが形成される。
次に、ＬＥＤチップ１１０を載置用熱伝導部材１６１上にダイボンディングする。ＬＥＤチップ１１０の表面に形成されたＰ側電極１１１およびＮ側電極１１２と、内部アノード端子１４１および内部カソード端子１４２とをそれぞれワイヤ１４３によりワイヤボンディングする。
次に、第２グリーンシート群２３０の貫通孔２３３によって形成されたチップ用凹部１２１内に、蛍光体含有樹脂１３３を充填し、硬化させる。
図１２は、ダイシングにより切断されるセラミック基板２００の裏面２０２の状態を模式的に示す底面図である。図１２では、切断線２０５を２点鎖線で示している。
図１２に示すように、分割溝２０３，２０４の形成後、セラミック基板２００を切断する。この際、実装面１２３となる面を、ブレードダイシングにより切断する。このように、ブレードダイシングにより実装面１２３を形成することで、実装面１２３を平坦面とすることができる。これにより、実装面１２３を実装基板３２０のランドパターン面に隙間なく接触させることができ、発光装置１００の光の出射面を実装基板３２０に平行にすることができる。
その後、分割溝２０３，２０４に沿ってセラミック基板２００を個々のセラミック基板１２０に分割すると、発光装置１００のパッケージ完成品が得られる。
なお、必要に応じて、セラミック基板１２０の裏面１２４の裏面アノード端子および裏面カソード端子に検査端子を接触させて発光装置１００の初期特性の確認を行ったりすればよい。
＜実施形態３＞
本発明の実施形態３に係る発光装置について、図１３、図１４を参照して説明する。なお、実施形態１、実施形態２と共通する事項については、適宜符号を援用する。
図１３は、本発明の実施形態３に係る発光装置を模式的に示す断面図である。図１４は、図１３の発光装置を開口面側から見た側面図である。
実施形態３に係る発光装置１００Ａは、実施形態１に係る発光装置１００と略同様の構成となっているが、内部アノード端子１４１および内部カソード端子１４２が構成する内部端子平面１４０と、ＬＥＤチップ１１０の載置面１２１ｂとの間に段差が設けられている点で、実施形態１に係る発光装置１００とは異なる。
発光装置１００Ａにおいては、内部アノード端子１４１および内部カソード端子１４２が構成する内部端子平面１４０が、ＬＥＤチップ１１０の載置面となる載置用熱伝導部材１６１の表面よりも裏面１２４側に設けられている。
詳細には、セラミック基板１２０のチップ用凹部１２１の載置面１２１ｂには、凹部１３５，１３６が設けられている。凹部１３５の底面に内部アノード端子１４１の内端部１４１ａが配置されている。凹部１３５内にＬＥＤチップ１１０のＰ側電極１１１に接続されたワイヤ１４３の一端が配置されている。
また、凹部１３６の底面に内部カソード端子１４２の内端部１４２ａが配置されている。凹部１３６内にＬＥＤチップ１１０のＮ側電極１１２に接続されたワイヤ１４３の一端が配置されている。
このように、内部アノード端子１４１および内部カソード端子１４２がチップ用凹部１２１の載置面１２１ｂよりも裏面１２４側の一段低い位置に配置されるので、内部アノード端子１４１および内部カソード端子１４２と、チップ用凹部１２１の内壁面１２１ｃに形成された反射層１３１との間にセラミック層を確実に介在させることができる。これにより、内部アノード端子１４１と内部カソード端子１４２とが反射層１３１（例えばＡｇ）を介して短絡することを容易に防ぐことができる。
なお、実施形態３に係る発光装置１００Ａの製造方法としては、上述の段差を形成するために、第２実施形態の第１グリーンシート群２１０および第２グリーンシート群２３０に加え、第１グリーンシート群２１０，第２グリーンシート群２３０間に挟まれる第３グリーンシート群２５０を用いればよい。具体的には、第３グリーンシート群２５０に、ワイヤボンディング用の貫通孔（発光装置１００Ａでは、凹部１３５、凹部１３６として表れる。）を複数形成しておき、各貫通孔の開口を塞ぐように、内部アノード端子１４１および内部カソード端子１４２に対応する配線パターンを第１グリーンシート群２１０の表面２１１に形成すればよい。
上述したとおり、実施形態３に係る発光装置１００Ａでは、内部アノード端子１４１および内部カソード端子１４２が構成する内部端子平面１４０と、発光素子１１０の載置面１２１ｂとの間には、段差が設けられている。したがって、内部アノード端子１４１および内部カソード端子１４２が短絡することを容易に防止できる。
また、発光装置１００では、内部端子平面１４０は、発光素子１１０の載置面１２１ｂよりも裏面１２４側に配置されている。したがって、パッケージ基板１２０を容易に形成することができる。
＜実施形態４＞
本発明の実施形態４に係る平面光源および平面光源をバックライトとして適用した液晶表示装置について、図１５を参照して説明する。なお、実施形態１〜実施形態３と共通する事項については、適宜符号を援用する。
図１５は、本発明の実施形態４に係る平面光源および液晶表示装置を模式的に示す断面図である。
液晶表示装置３００は、平面光源３１０と液晶パネル３６０を備える。平面光源３１０は、発光装置１００と、発光装置１００が実装された実装基板３２０と、発光装置１００の開口面１２２に端面３３１を対向させ実装基板３２０に対面して配置された導光板３３０とを備えている。発光装置１００としては、上述したようなサイド発光型のものが用いられる。上述したように、発光装置１００は、優れた放熱性を有するので、放熱性に優れ、信頼性の高い平面光源３１０を構成できる。
液晶表示装置３００では、平面光源３１０の実装基板が装置筐体３０１に支持され、実装基板３２０の一端に沿って、複数のランドパターン３２１〜３２３が図面の手前から奥の方に向かって配列されている。ランドパターン３２１〜３２３には、発光装置１００の電極用のランドパターン３２１，３２２と放熱用のランドパターン３２３とが含まれている（図２参照）。実装基板３２０の各ランドパターン３２１，３２２，３２３上には、発光装置１００の実装面１２３が、外部アノード端子１５１と外部カソード端子１５２と第１熱伝導部材１６２とを介してろう材１３４により固定されている。
発光装置１００の開口面１２２側には、開口面１２２と所定間隔をおいて実装基板３２０に平行に板状の導光板３３０が配置されている。導光板３３０の上側には、導光板３３０の上面から取り出される光を拡散させ、輝度、色度を均一化させる拡散シートや、拡散させた光を上方向へ方向を揃えて光を取り出す集光シートなどの光学シート３４０が配置されている。さらに、光学シート３４０の上側には、液晶パネル３６０が配置されている。
また、発光装置１００の実装面１２３と反対側の面１２６の上側には、反射シート３５０が配置されている。反射シート３５０は、導光板３３０の発光装置１００側の端部３３２の上側まで延びている。そして、反射シート３５０を、装置筐体３０１の額縁部３０２によって覆う構成となっている。
上述したとおり、実施形態４に係る平面光源３１０は、上述した実施形態１、３、後述する実施形態５、６に係る発光装置１００、１００Ａ、５００、または６００（以下、単に発光装置１００とする。）と、発光装置１００が実装された実装基板３２０と、発光装置１００からの光を導光する導光板３３０とを備えた平面光源３１０であって、第１凹部１２３ｇは、パッケージ基板１２０を実装基板３２０に固定するろう材１３４が充填されている（図１参照）。
したがって、実装基板３２０側へ熱を放出する放熱経路として、ろう材１３４を介して実装基板３２０側へ熱を放出する放熱経路を構成するので放熱性を向上させることができる。また、ろう材１３４を第１凹部１２３ｇに充填することから、実装基板３２０に対する実装面１２３の位置決めが高精度となり、導光板３３０から放射される光の均一性を向上させることができる。
また、平面光源３１０では、発光装置１００と、発光装置１００が実装された実装基板３２０と、発光装置１００からの光を導光する導光板３３０とを備えた平面光源３１０であって、第２凹部１２３ｂ、１２３ｅは、パッケージ基板１２０を実装基板３２０に固定するろう材１３４が充填されている（図２、図３、実施形態１参照）。
したがって、実装基板３２０側へ熱を放出する放熱経路として、ろう材１３４を介して実装基板３２０側へ熱を放出する放熱経路を構成するので放熱性を向上させることができる。また、ろう材１３４を第２凹部１２３ｂ、１２３ｅに充填することから、実装基板３２０に対する実装面１２３の位置決めが高精度となり、導光板３３０から放射される光の均一性を向上させることができる。
上述したとおり、実施形態４に係る液晶表示装置３００は、実施形態４に係る平面光源３１０と、液晶パネル３６０とを備える液晶表示装置３００であって、平面光源３１０は、液晶パネル３６０のバックライトとされている。したがって、放熱性がよく、光の均一性に優れた平面光源３１０をバックライトとすることから、高精度で均一な表示が可能な液晶表示装置３００とすることができる。
＜実施形態５＞
本発明の実施形態５に係る発光装置５００について、図１６、図１７を参照して説明する。なお、実施形態１と共通する事項については、適宜符号を援用する（図１〜図３参照）。ただし、実施形態１では１００番台の符号を付けた事項に、実施形態５では５００番台の符号を付けている。
図１６は、斜め下方から見た実施形態５に係る発光装置５００を概念的に示す斜視図である。図１７は、実施形態５に係る発光装置５００を模式的に示す断面図である。
実施形態５に係る発光装置５００は、実施形態１に係る発光装置１００等と比べると、ＬＥＤチップからの光を反射する反射層が形成されるチップ用凹部が省略されている点が異なっている。
詳細には、発光装置５００は、ＬＥＤチップ５１０と、セラミック基板５２０とを備えている。
ＬＥＤチップ５１０としては、実施形態１において記載したものを用いることができる。ＬＥＤチップ５１０の表面には、一対のパッド電極であるＰ側電極５１１およびＮ側電極５１２が形成されている。Ｐ側電極５１１は、内部アノード端子５４１とワイヤ５４３によりワイヤボンディングされている。Ｎ側電極５１２は、内部カソード端子５４２とワイヤ５４３によりワイヤボンディングされている。
セラミック基板５２０は、略直方体状に形成されたパッケージ基板である。セラミック基板５２０は、ＬＥＤチップ５１０が配置される表面である載置面５２２と、載置面５２２に隣接し実装基板３２０に対向される実装面５２３と、載置面５２２と反対側に設けられる裏面５２４とを備えている。載置面５２２と裏面５２４とは、ともに実装面５２３に対し垂直に形成されている。
載置面５２２には、載置用熱伝導部材５６１が設けられており、載置用熱伝導部材５６１上にＬＥＤチップ５１０が載置されている。載置面５２２には、内部アノード端子５４１および内部カソード端子５４２が載置されている。内部アノード端子５４１と内部カソード端子５４２と載置用熱伝導部材５６１とは、それぞれ離間して配置されている。
載置面５２２上には、蛍光体含有樹脂５３３の封止部が形成されている。したがって、ＬＥＤチップ５１０は、蛍光体含有樹脂５３３により被覆されている。蛍光体としては、実施形態１において記載したものを用いることができる。
内部アノード端子５４１は、薄い金属層であり、配線パターンとして形成される。内部アノード端子５４１は、セラミック基板５２０の実装面５２３に設けられた外部アノード端子５５１に接続されている。外部アノード端子５５１は、実装面５２３のコーナー部５２３ａに形成された第２凹部５２３ｂに設けられている。
具体的には、実装面５２３のコーナー部５２３ａには、第２凹部５２３ｂが形成されており、第２凹部５２３ｂは、載置面５２２側の端から裏面５２４側の端にわたって延びている。第２凹部５２３ｂの壁面５２３ｃは、断面円弧状に形成されている。なお、第２凹部５２３ｂの壁面５２３ｃの断面形状は、円弧状以外であってもよい。
そして、第２凹部５２３ｂの壁面５２３ｃに外部アノード端子５５１が形成されている。外部アノード端子５５１は、第２凹部５２３ｂの裏面５２４側の端から載置面５２２側の端まで形成されている。外部アノード端子５５１は、実装基板３２０に形成された電極用のランドパターン３２１に接続される。また、実装状態では、第２凹部５２３ｂ内に、セラミック基板５２０を実装基板３２０に固定するろう材５３４が充填されている。第２凹部５２３ｂが載置面５２２側の端から裏面５２４側の端にわたって延びているので、発光装置５００を実装基板３２０に実装する際、ろう材５３４のぬれや溶融具合を容易に確認することが可能になる。
内部カソード端子５４２は、薄い金属層であり、配線パターンとして形成される。内部カソード端子５４２は、セラミック基板５２０の実装面５２３に設けられた外部カソード端子５５２に接続されている。外部カソード端子５５２は、実装面５２３のコーナー部５２３ｄに形成された第２凹部５２３ｅに設けられている。
具体的には、実装面５２３のコーナー部５２３ｄには、第２凹部５２３ｅが形成されており、第２凹部５２３ｅは、載置面５２２側の端から裏面５２４側の端にわたって延びている。第２凹部５２３ｅの壁面５２３ｆは、断面円弧状に形成されている。なお、第２凹部５２３ｅの壁面５２３ｆの断面形状は、円弧状以外であってもよい。
そして、第２凹部５２３ｅの壁面５２３ｆに外部カソード端子５５２が形成されている。外部カソード端子５５２は、第２凹部５２３ｅの裏面５２４側の端から載置面５２２側の端まで形成されている。外部カソード端子５５２は、実装基板３２０に形成された電極用のランドパターン３２２に接続される。また、実装状態では、第２凹部５２３ｅ内に、セラミック基板５２０を実装基板３２０に固定するろう材５３４が充填されている。第２凹部５２３ｅが載置面５２２側の端から裏面５２４側の端にわたって延びているので、発光装置５００を実装基板３２０に実装する際、ろう材５３４のぬれや溶融具合を容易に確認することが可能になる。
実施形態５に係る発光装置５００では、セラミック基板５２０は、載置用熱伝導部材５６１と、第１熱伝導部材５６２と、第２熱伝導部材５６３と、第３熱伝導部材５６４と、第４熱伝導部材５６５とを備えている。これらの熱伝導部材５６１〜５６５は、セラミック基板１２０よりも熱伝導率が高い金属で形成されている。
載置用熱伝導部材５６１は、薄い金属層であり、例えば配線パターンと同様に形成される。載置用熱伝導部材５６１は、ＬＥＤチップ５１０が接着される接着面を構成する部材である。具体的には、載置用熱伝導部材５６１は、載置面５２２に配置されており、載置用熱伝導部材５６１上にＬＥＤチップ５１０がダイボンディングされている。
第１熱伝導部材５６２は、例えばＡｕめっきなどからなる金属膜として構成されている。第１熱伝導部材５６２は、実装面５２３に沿って形成された第１凹部５２３ｇに設けられている。具体的には、第１凹部５２３ｇは、裏面５２４側の端から載置面５２２側の端まで形成されている。
第１凹部５２３ｇの壁面５２３ｈは、断面円弧状に形成されている。そして、第１凹部５２３ｇの壁面５２３ｈに第１熱伝導部材５６２が形成されている。第１熱伝導部材５６２は、実装基板３２０に形成された放熱用のランドパターン３２３に連結される。第１凹部５２３ｇ内には、セラミック基板５２０を実装基板３２０に固定するろう材５３４が充填されている。なお、第１凹部５２３ｇの壁面５２３ｈの断面形状は、円弧状以外であってもよい。
第２熱伝導部材５６３は、薄い金属層であり、例えば配線パターンと同様に形成される。第２熱伝導部材５６３は、載置用熱伝導部材５６１と第１熱伝導部材５６２とを連結する部材である。第２熱伝導部材５６３は、載置用熱伝導部材５６１と一体的に形成することが可能である。つまり、載置用熱伝導部材５６１を第１熱伝導部材５６２に向けて延長した構成としてもよい。
第３熱伝導部材５６４は、例えばＣｕなどのような熱伝導性の高い金属によって形成されている。第３熱伝導部材５６４は、載置用熱伝導部材５６１と第４熱伝導部材５６５とを連結する部材である。第３熱伝導部材５６４は、セラミック基板５２０の内部を貫通するように形成されている。第３熱伝導部材５６４は、載置用熱伝導部材５６１と一体的に形成することも可能である。つまり、載置用熱伝導部材５６１を第４熱伝導部材５６５に向けて延長した構成としてもよい。
第４熱伝導部材５６５は、例えばＡｕめっきなどからなる金属膜として構成されている。第４熱伝導部材５６５は、裏面５２４に設けられている。第４熱伝導部材５６５は、裏面５２４の略中央部から実装面５２３側に向けて延びるように形成されており、第１凹部５２３ｇの周縁において、第１熱伝導部材５６２と連結されている。
そして、実施形態５においても、実施形態１および３と同様の第１〜第４放熱経路を介してＬＥＤチップ５１０で発生した熱を効率よく実装基板３２０側へ放出することが可能になり、発光装置５００の放熱性を向上させることが可能になる。したがって、液晶バックライト装置等の大型化にも容易に対応することが可能になる。
また、実施形態５は、実施形態１とは異なり、反射層が形成されるチップ用凹部を設けない構成であるため、チップ用凹部の深さ（開口面から底面までの距離）の分だけ発光装置５００を薄型化することが可能になる。この場合、発光装置５００から出射される光が拡散するが、光の拡散対策としては外部に反射シートなどを配置すればよい。例えば実施形態４において、発光装置１００を発光装置５００に置き換えた場合、発光装置５００から出射された光は、反射シート３５０および表面に反射処理を施した実装基板３２０によって反射される。これにより、発光装置１００の場合と同様に、光を導光板３３０に導入することができる。また、発光装置５００では、発光装置１００と比べて必要なグリーンシートの枚数を削減することができる。
なお、実施形態４に係る発光装置５００の製造方法について簡単に説明すると、まず、貫通孔を形成したグリーンシートを積層し、配線パターンを塗布する。次に、積層したグリーンシートを焼成し、セラミック基板５２０の基材となる集合状態のセラミック基板を形成する。
その後、セラミック基板に形成されている貫通孔を樹脂で塞ぐ。その後、ＬＥＤチップ５１０を載置用熱伝導部材５６１上にダイボンディングし、ＬＥＤチップ５１０のＰ側電極５１１およびＮ側電極５１２と、内部アノード端子５４１および内部カソード端子５４２とをそれぞれワイヤ５４３によりワイヤボンディングする。
その後、第１凹部５２３ｇ内に充填されるろう材５３４と載置面５２２を覆う蛍光体含有樹脂５３３とが接触しないように、第１凹部５２３ｇに対応する貫通孔から所定の間隔をあけて蛍光体含有樹脂５３３を塗布する。この際、各発光装置５００に個別に蛍光体含有樹脂５３３を塗布してもよいし、複数の発光装置５００にまたがるように蛍光体含有樹脂５３３を塗布してもよい。最後に、ダイシングなどの方法で個々の発光装置５００に分割する。
上述したとおり、実施形態５に係る発光装置５００は、発光素子５１０と、発光素子５１０が載置されるパッケージ基板５２０とを備えた発光装置５００であって、パッケージ基板５２０は、発光素子５１０が載置される載置面５２２と、載置面５２２に対向する裏面５２４と、実装されるときに載置面５２２と裏面５２４との間で実装基板３２０に対向される実装面５２３とを備え、実装面５２３で裏面５２４から載置面５２２側へ延長され表面に第１熱伝導部材５６２が形成された第１凹部５２３ｇと、発光素子５１０と第１熱伝導部材５６２との間で熱伝導を生じる中間熱伝導部材（第２熱伝導部材５６３、第３熱伝導部材５６４、あるいは、第４熱伝導部材５６５）とを備える。
したがって、発光素子５１０で発生した熱を実装基板３２０側へ放出する放熱経路として、実装基板３２０に対向された第１熱伝導部材５６２と、発光素子５１０と第１熱伝導部材５６２との間で熱伝導を生じる中間熱伝導部材を含む放熱経路が形成される。これにより、発光素子５１０で発生した熱を効率よく実装基板３２０側へ放出することが可能になり、発光装置５００の放熱性を向上させることが可能になる。また、パッケージ基板５２０を実装基板３２０に固定する固定用のろう材５３４を充填可能な空間を確保できるので実装基板３２０に対する実装面５２３の平行性を確保できる。また、発光装置５００（実装面５２３）を実装基板３２０に実装したとき、側面方向に光を出射することが可能となる。
また、発光装置５００では、中間熱伝導部材は、パッケージ基板５２０の内部で第１熱伝導部材５６２に連結されて発光素子５１０の側へ延長されている第２熱伝導部材５６３を備える。したがって、発光素子５１０で発生した熱を実装基板３２０側へ放出する放熱経路として、パッケージ基板５２０の内部で第１熱伝導部材５６２に連結されて発光素子５１０の側へ延長されている第２熱伝導部材５６３と、第２熱伝導部材５６３に連結された第１熱伝導部材５６２とを含む放熱経路が形成される。これにより、発光素子５１０で発生した熱を効率よく実装基板３２０側へ放出することが可能になり、発光装置５００の放熱性を向上させることが可能になる。
また、発光装置５００では、中間熱伝導部材は、パッケージ基板５２０の内部で載置面５２２から裏面５２４までにわたって配置された第３熱伝導部材５６４と、裏面５２４で第３熱伝導部材５６４と第１熱伝導部材５６２とを連結する第４熱伝導部材５６５とを備える。したがって、発光素子５１０で発生した熱を実装基板３２０側へ放出する放熱経路として、パッケージ基板５２０の内部で載置面５２２から裏面５２４までにわたって配置された第３熱伝導部材５６４と、裏面５２４で第３熱伝導部材５６４と第１熱伝導部材５６２とを連結するように配置された第４熱伝導部材５６５と、第４熱伝導部材５６５に連結された第１熱伝導部材５６２とを含む放熱経路が形成される。これにより、発光素子５１０で発生した熱を効率よく実装基板３２０側へ放出することが可能になり、発光装置５００の放熱性を向上させることが可能になる。
＜実施形態６＞
本発明の実施形態６に係る発光装置６００について、図１８を参照して説明する。なお、実施形態１、実施形態３と共通する事項については、適宜符号を援用する（図１〜図３、図１３参照）。ただし、実施形態１、実施形態３では１００番台の符号を付けた事項に、実施形態６では６００番台の符号を付けている。
図１８は、斜め下方から見た実施形態６に係る発光装置６００を概念的に示す斜視図である。
実施形態６に係る発光装置６００は、実施形態３に係る発光装置１００Ａ等と比べると、熱伝導部材６６１〜６６５がＬＥＤチップ用の配線（端子）としても用いられている点が異なっている。発光装置６００では、熱伝導部材６６１〜６６５がカソード側の配線（端子）を構成している。つまり、ＬＥＤチップ６１０で発生した熱を実装基板３２０へ放出するための放熱経路がカソード側の配線（端子）を兼ねている。なお、アノード側の配線（端子）は、実施形態３に係る発光装置１００Ａなどと同様の構成となっている。
発送装置６００では、ＬＥＤチップ６１０として、上下電極型のＬＥＤチップが用いられている。つまり、ＬＥＤチップ６１０の表面にＰ側電極６１１が形成されており、ＬＥＤチップ６１０の裏面にＮ側電極が形成されている。
また、発光装置６００においては、内部アノード端子６４１が構成する内部端子平面が、ＬＥＤチップ６１０の載置面となる載置用熱伝導部材６６１の表面よりも裏面６２４側に設けられている。
詳細には、セラミック基板６２０のチップ用凹部６２１の底部に配置された載置面６２１ｂには、凹部６３５が設けられている。凹部６３５の底面に内部アノード端子６４１の内端部６４１ａが配置されている。凹部６３５内にＬＥＤチップ６１０の表面に形成されたＰ側電極６１１に接続されたワイヤ６４３の一端が配置されている。
実施形態６に係る発光装置６００では、セラミック基板６２０は、載置用熱伝導部材６６１と、第１熱伝導部材６６２と、第２熱伝導部材６６３と、第３熱伝導部材６６４と、第４熱伝導部材６６５とを備えている。これらの熱伝導部材６６１〜６６５は、セラミック基板６２０よりも熱伝導率が高く、導電性を有する金属で形成されている。
載置用熱伝導部材６６１は、薄い金属層であり、カソード側配線パターンとして形成される。載置用熱伝導部材６６１は、ＬＥＤチップ６１０が載置される載置面を構成する部材である。具体的には、載置用熱伝導部材６６１は、チップ用凹部６２１の載置面６２１ｂに配置されており、載置用熱伝導部材６６１上にＬＥＤチップ６１０が載置されている。ＬＥＤチップ６１０は、裏面に形成されたＮ側電極面でダイボンディングされている。
第１熱伝導部材６６２は、例えばＡｕめっきなどからなる金属膜として構成されている。第１熱伝導部材６６２は、実装面６２３に沿って形成された第１凹部６２３ｇに設けられている。具体的には、第１凹部６２３ｇは、裏面６２４側の端から開口面６２２側へ向けて延びているが、開口面６２２側の端までは到達していない。つまり、第１凹部６２３ｇは、第２熱伝導部材６６３が第１熱伝導部材６６２に連結される位置まで延びている。このため、実装面６２３において、第１凹部６２３ｇの端から開口面６２２側の端までの部分を平坦面とすることができるので、実装基板３２０に対する実装精度を確保できる。
第１凹部６２３ｇの壁面６２３ｈは、断面円弧状に形成されている。そして、第１凹部６２３ｇの壁面６２３ｈに第１熱伝導部材６６２が形成されている。第１熱伝導部材６６２は、実装基板３２０に形成された電極用のランドパターン３２３に接続される。第１凹部６２３ｇ内には、セラミック基板６２０を実装基板３２０に固定するろう材６３４が充填されている。なお、第１凹部６２３ｇの壁面６２３ｈの断面形状は、円弧状以外であってもよい。
第２熱伝導部材６６３は、薄い金属層であり、配線パターンとして形成される。第２熱伝導部材６６３は、載置用熱伝導部材６６１と第１熱伝導部材６６２とを連結する部材である。第２熱伝導部材６６３は、セラミック基板６２０の内部を貫通するように形成されている。実施形態６では、第２熱伝導部材６６３は、載置用熱伝導部材６６１と一体的に形成されている。つまり、載置用熱伝導部材６６１が第１熱伝導部材６６２に向けて延長された構成となっている。このように、第２熱伝導部材６６３が載置用熱伝導部材６６１と一体的に形成されるので、セラミック基板６２０の形成が容易になる。
第３熱伝導部材６６４は、例えばＣｕなどのような熱伝導性の高い金属によって形成されている。第３熱伝導部材６６４は、載置用熱伝導部材６６１と第４熱伝導部材６６５とを連結する部材である。第３熱伝導部材６６４は、セラミック基板６２０の内部を貫通するように形成されている。なお、第３熱伝導部材６６４を、載置用熱伝導部材６６１と一体的に形成してもよい。つまり、載置用熱伝導部材６６１を第４熱伝導部材６６５に向けて延長した構成としてもよい。
第４熱伝導部材６６５は、例えばＡｕめっきなどからなる金属膜として構成されている。第４熱伝導部材６６５は、裏面６２４に設けられている。第４熱伝導部材６６５は、裏面６２４の略中央部から実装面６２３側に向けて延びるように形成されており、第１凹部６２３ｇの周縁において、第１熱伝導部材６６２と連結されている。
そして、実施形態６においても、実施形態１、実施形態３と同様の第１〜第４放熱経路を介してＬＥＤチップ６１０で発生した熱を効率よく実装基板３２０側へ放出することが可能になり、発光装置６００の放熱性を向上させることが可能になる。したがって、液晶バックライト装置等の大型化にも容易に対応することが可能になる。しかも、実施形態６では、熱伝導部材６６１〜６６５がカソード側の配線（端子）と放熱経路の両方の役割を兼ねているので、部品点数を削減でき、製造工程を簡略化することができる。
なお、熱伝導部材６６１〜６６５がアノード側の配線（端子）と放熱経路の両方の役割を兼ねる構成としてもよい。この場合、ＬＥＤチップ６１０として、表面にＮ側電極が形成され、裏面にＮ側電極が形成された上下電極型のＬＥＤチップが用いればよい。そして、Ｐ側電極面を載置用熱伝導部材６６１上にダイボンディングし、Ｎ側電極を内部カソード端子にワイヤボンディングすればよい。
また、熱伝導部材６６１〜６６５の一部を、カソード側またはアノード側の配線（端子）として用いる構成としてもよい。例えば、載置用熱伝導部材６６１と第１熱伝導部材６６２と第２熱伝導部材６６３とを、カソード側またはアノード側の配線（端子）として用いることが可能である。この場合には、第３熱伝導部材６６４をＣｕなどのような金属によって形成することが可能である。
上述したとおり、実施形態６に係る発光装置６００は、発光素子６１０と、発光素子６１０が載置されるパッケージ基板６２０とを備えた発光装置６００であって、パッケージ基板６２０は、発光素子６１０が載置される載置面６２１ｂと、載置面６２１ｂに対向する裏面６２４と、実装されるときに載置面６２１ｂと裏面６２４との間で実装基板３２０に対向される実装面６２３とを備え、実装面６２３で裏面６２４から載置面６２１ｂ側へ延長され表面に第１熱伝導部材６６２が形成された第１凹部６２３ｇと、発光素子６１０と第１熱伝導部材６６２との間で熱伝導を生じる中間熱伝導部材（第２熱伝導部材６６３、第３熱伝導部材６６４、あるいは、第４熱伝導部材６６５）とを備える。
したがって、発光素子６１０で発生した熱を実装基板３２０側へ放出する放熱経路として、実装基板３２０に対向された第１熱伝導部材６６２と、発光素子６１０と第１熱伝導部材６６２との間で熱伝導を生じる中間熱伝導部材を含む放熱経路が形成される。これにより、発光素子６１０で発生した熱を効率よく実装基板３２０側へ放出することが可能になり、発光装置６００の放熱性を向上させることが可能になる。また、パッケージ基板６２０を実装基板３２０に固定する固定用のろう材６３４を充填可能な空間を確保できるので実装基板３２０に対する実装面６２３の平行性を確保できる。また、発光装置６００（実装面６２３）を実装基板３２０に実装したとき、側面方向に光を出射することが可能となる。
また、発光装置６００では、中間熱伝導部材は、パッケージ基板６２０の内部で第１熱伝導部材６６２に連結されて発光素子６１０の側へ延長されている第２熱伝導部材６６３を備える。したがって、発光素子６１０で発生した熱を実装基板３２０側へ放出する放熱経路として、パッケージ基板６２０の内部で第１熱伝導部材６６２に連結されて発光素子６１０の側へ延長されている第２熱伝導部材６６３と、第２熱伝導部材６６３に連結された第１熱伝導部材６６２とを含む放熱経路が形成される。これにより、発光素子６１０で発生した熱を効率よく実装基板３２０側へ放出することが可能になり、発光装置６００の放熱性を向上させることが可能になる。
また、発光装置６００では、中間熱伝導部材は、パッケージ基板６２０の内部で載置面６２１ｂから裏面６２４までにわたって配置された第３熱伝導部材６６４と、裏面６２４で第３熱伝導部材６６４と第１熱伝導部材６６２とを連結する第４熱伝導部材６６５とを備える。したがって、発光素子６１０で発生した熱を実装基板３２０側へ放出する放熱経路として、パッケージ基板６２０の内部で載置面６２１ｂから裏面６２４までにわたって配置された第３熱伝導部材６６４と、裏面６２４で第３熱伝導部材６６４と第１熱伝導部材６６２とを連結するように配置された第４熱伝導部材６６５と、第４熱伝導部材６６５に連結された第１熱伝導部材６６２とを含む放熱経路が形成される。これにより、発光素子６１０で発生した熱を効率よく実装基板３２０側へ放出することが可能になり、発光装置６００の放熱性を向上させることが可能になる。
１００、１００Ａ、５００、６００ 発光装置
１１０、５１０、６１０ ＬＥＤチップ（発光素子）
１２０、５２０、６２０ セラミック基板（パッケージ基板）
１２１ｂ、５２２、６２１ｂ 載置面
１２３、５２３、６２３ 実装面
１２３ｇ、５２３ｇ、６２３ｇ 第１凹部
１２４、５２４、６２４ 裏面
１４１、５４１、６４１ 内部アノード端子
１４２、５４２ 内部カソード端子
１５１、５５１、６５１ 外部アノード端子
１５２、５５２ 外部カソード端子
１６１、５６１、６６１ 載置用熱伝導部材
１６２、５６２、６６２ 第１熱伝導部材
１６３、５６３、６６３ 第２熱伝導部材（中間熱伝導部材）
１６４、５６４、６６４ 第３熱伝導部材（中間熱伝導部材）
１６５、５６５、６６５ 第４熱伝導部材（中間熱伝導部材）
３００ 液晶表示装置
３１０ 平面光源
３２０ 実装基板
３３０ 導光板
３６０ 液晶パネル

Claims (20)

  1. 発光素子と、上記発光素子が載置されるパッケージ基板とを備えた発光装置であって、
    上記パッケージ基板は、上記発光素子が載置される載置面と、上記載置面に対向する裏面と、実装されるときに上記載置面と上記裏面との間で実装基板に対向される実装面とを備え、
    上記実装面で上記裏面から上記載置面側へ延長され表面に第１熱伝導部材が形成された第１凹部と、
    上記発光素子と上記第１熱伝導部材との間で熱伝導を生じる中間熱伝導部材とを備えること
    を特徴とする発光装置。
  2. 請求項１に記載の発光装置であって、
    上記中間熱伝導部材は、上記パッケージ基板の内部で上記第１熱伝導部材に連結されて上記発光素子の側へ延長されている第２熱伝導部材を備えること
    を特徴とする発光装置。
  3. 請求項２に記載の発光装置であって、
    上記発光素子が載置された載置用熱伝導部材を備え、上記載置用熱伝導部材は、上記第２熱伝導部材に連結されていること
    を特徴とする発光装置。
  4. 請求項３に記載の発光装置であって、
    上記載置用熱伝導部材および上記第２熱伝導部材は、一体に形成されていること
    を特徴とする発光装置。
  5. 請求項１に記載の発光装置であって、
    上記中間熱伝導部材は、パッケージ基板の内部で上記載置面から上記裏面までにわたって配置された第３熱伝導部材と、上記裏面で上記第３熱伝導部材と上記第１熱伝導部材とを連結する第４熱伝導部材とを備えること
    を特徴とする発光装置。
  6. 請求項５に記載の発光装置であって、
    上記発光素子が載置された載置用熱伝導部材を備え、上記載置用熱伝導部材は、上記第３熱伝導部材に連結されていること
    を特徴とする発光装置。
  7. 請求項６に記載の発光装置であって、
    上記載置用熱伝導部材および上記第３熱伝導部材は、一体に形成されていること
    を特徴とする発光装置。
  8. 請求項１から請求項７までのいずれか１つに記載の発光装置であって、
    上記パッケージ基板は、セラミック基板であること
    を特徴とする発光装置。
  9. 請求項１から請求項８までのいずれか１つに記載の発光装置であって、
    上記第１凹部は、上記実装面の裏面側から上記載置面に対応する位置まで形成されていること
    を特徴とする発光装置。
  10. 請求項１から請求項９までのいずれか１つに記載の発光装置であって、
    上記第１凹部の壁面は、断面円弧状に形成されていること
    を特徴とする発光装置。
  11. 請求項１から請求項１０までのいずれか１つに記載の発光装置であって、
    上記発光素子に接続された内部アノード端子および内部カソード端子を備え、
    上記内部アノード端子は、上記実装面に設けられた外部アノード端子と接続され、
    上記内部カソード端子は、上記実装面に設けられた外部カソード端子と接続されていること
    を特徴とする発光装置。
  12. 請求項１１に記載の発光装置であって、
    上記内部アノード端子および内部カソード端子は、それぞれ上記発光素子の載置面と平行な方向に延びていること
    を特徴とする発光装置。
  13. 請求項１１または請求項１２に記載の発光装置であって、
    上記外部アノード端子および外部カソード端子は、それぞれ上記実装面の裏面側の端から上記載置面に対応する位置まで設けられていること
    を特徴とする発光装置。
  14. 請求項１３に記載の発光装置であって、
    上記外部アノード端子および外部カソード端子は、それぞれ上記パッケージ基板のコーナー部に形成された第２凹部に設けられていること
    を特徴する発光装置。
  15. 請求項１４に記載の発光装置であって、
    上記各第２凹部の壁面は、それぞれ断面円弧状に形成されていること
    を特徴とする発光装置。
  16. 請求項１２に記載の発光装置であって、
    上記内部アノード端子および内部カソード端子が構成する内部端子平面と、上記発光素子の載置面との間には、段差が設けられていること
    を特徴とする発光装置。
  17. 請求項１６に記載の発光装置であって、
    上記内部端子平面は、上記発光素子の載置面よりも裏面側に配置されていること
    を特徴とする発光装置。
  18. 請求項１から請求項１７までのいずれか１つに記載の発光装置と、
    上記発光装置が実装された実装基板と、上記発光装置からの光を導光する導光板とを備えた平面光源であって、
    上記第１凹部は、上記パッケージ基板を上記実装基板に固定するろう材が充填されていること
    を特徴とする平面光源。
  19. 請求項１４または請求項１５に記載の発光装置と、
    上記発光装置が実装された実装基板と、上記発光装置からの光を導光する導光板とを備えた平面光源であって、
    上記第２凹部は、上記パッケージ基板を上記実装基板に固定するろう材が充填されていること
    を特徴とする平面光源。
  20. 請求項１８または請求項１９に記載の平面光源と、
    液晶パネルとを備える液晶表示装置であって、
    上記平面光源は、上記液晶パネルのバックライトとされていること
    を特徴とする液晶表示装置。
JP2009201908A 2009-09-01 2009-09-01 発光装置、平面光源および液晶表示装置 Pending JP2011054736A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009201908A JP2011054736A (ja) 2009-09-01 2009-09-01 発光装置、平面光源および液晶表示装置
US12/868,171 US8410502B2 (en) 2009-09-01 2010-08-25 Light-emitting device, planar light source including the light-emitting device, and liquid crystal display device including the planar light source
CN2010102713043A CN102005525B (zh) 2009-09-01 2010-09-01 发光装置和具有该发光装置的平面光源以及具有该平面光源的液晶显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009201908A JP2011054736A (ja) 2009-09-01 2009-09-01 発光装置、平面光源および液晶表示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2011054736A true JP2011054736A (ja) 2011-03-17

Family

ID=43624417

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009201908A Pending JP2011054736A (ja) 2009-09-01 2009-09-01 発光装置、平面光源および液晶表示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8410502B2 (ja)
JP (1) JP2011054736A (ja)
CN (1) CN102005525B (ja)

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012074478A (ja) * 2010-09-28 2012-04-12 Asahi Glass Co Ltd 発光素子用基板および発光装置
JP2013038167A (ja) * 2011-08-05 2013-02-21 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2013038173A (ja) * 2011-08-05 2013-02-21 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2013041865A (ja) * 2011-08-11 2013-02-28 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
JP2013110210A (ja) * 2011-11-18 2013-06-06 Stanley Electric Co Ltd 半導体光学装置
KR20150081120A (ko) * 2014-01-03 2015-07-13 엘지이노텍 주식회사 광원 모듈 및 이를 구비한 조명 시스템
JP2016001724A (ja) * 2014-05-21 2016-01-07 日亜化学工業株式会社 発光装置
JPWO2015056590A1 (ja) * 2013-10-15 2017-03-09 シャープ株式会社 実装基板、発光装置及び発光装置の製造方法
JP2018190770A (ja) * 2017-04-28 2018-11-29 日亜化学工業株式会社 発光装置
WO2019221508A1 (ko) * 2018-05-18 2019-11-21 서울반도체 주식회사 발광 다이오드, 발광 다이오드 모듈 및 그것을 갖는 표시 장치
JP2020087978A (ja) * 2018-11-15 2020-06-04 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法、発光装置及び光源装置
JP2020088381A (ja) * 2018-11-15 2020-06-04 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP2021166315A (ja) * 2014-05-21 2021-10-14 日亜化学工業株式会社 発光装置
US11355685B2 (en) 2018-05-18 2022-06-07 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode, light emitting diode module, and display device having the light emitting diode module
WO2023189131A1 (ja) * 2022-03-31 2023-10-05 ローム株式会社 半導体発光装置

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104779246A (zh) * 2014-01-13 2015-07-15 新科实业有限公司 发光组件、背光装置及其制造方法
DE102014102292A1 (de) * 2014-02-21 2015-08-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
JP1547626S (ja) * 2015-08-19 2016-04-11
JP1554165S (ja) * 2016-01-13 2016-07-19
CN105549264A (zh) * 2016-02-16 2016-05-04 武汉华星光电技术有限公司 背光模组及液晶显示装置
CN108807652B (zh) * 2017-04-28 2023-03-21 日亚化学工业株式会社 发光装置
JP6460201B2 (ja) * 2017-04-28 2019-01-30 日亜化学工業株式会社 発光装置
US10615321B2 (en) 2017-08-21 2020-04-07 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device package
KR102450622B1 (ko) * 2017-08-21 2022-10-07 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 패키지
EP3872874B1 (en) 2017-12-22 2023-06-07 Nichia Corporation Light emitting device
CN112331638B (zh) * 2020-09-28 2023-06-06 惠州市聚飞光电有限公司 发光二极管及背光模组

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001345485A (ja) * 2000-06-02 2001-12-14 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2002094122A (ja) * 2000-07-13 2002-03-29 Matsushita Electric Works Ltd 光源装置及びその製造方法
JP2004179438A (ja) * 2002-11-27 2004-06-24 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
JP2004335518A (ja) * 2003-04-30 2004-11-25 Sumitomo Metal Electronics Devices Inc 発光素子収納用パッケージ
JP2005159311A (ja) * 2003-10-30 2005-06-16 Nichia Chem Ind Ltd 半導体素子用の支持体及びその製造方法並びに半導体装置
JP2006013157A (ja) * 2004-06-25 2006-01-12 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2006222358A (ja) * 2005-02-14 2006-08-24 Ngk Spark Plug Co Ltd 発光素子実装用配線基板
JP2008546192A (ja) * 2005-05-30 2008-12-18 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ケーシング本体およびケーシング本体の製造方法
JP2009044112A (ja) * 2007-07-13 2009-02-26 Sharp Corp 素子搭載基板、電子部品、発光装置、液晶バックライト装置、電子部品の実装方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5771254A (en) * 1996-01-25 1998-06-23 Hewlett-Packard Company Integrated controlled intensity laser-based light source
WO2002084750A1 (en) 2001-04-12 2002-10-24 Matsushita Electric Works, Ltd. Light source device using led, and method of producing same
JP4645008B2 (ja) * 2002-06-10 2011-03-09 日亜化学工業株式会社 半導体レーザ装置
JP3972889B2 (ja) 2002-12-09 2007-09-05 日亜化学工業株式会社 発光装置およびそれを用いた面状光源
JP4964512B2 (ja) * 2005-08-02 2012-07-04 シャープ株式会社 窒化物半導体発光装置
US7943953B2 (en) * 2006-01-31 2011-05-17 Kyocera Corporation Light emitting device and light emitting module
EP1926154B1 (en) * 2006-11-21 2019-12-25 Nichia Corporation Semiconductor light emitting device
JP2009088066A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Panasonic Corp 半導体装置
TWI372918B (en) * 2007-12-27 2012-09-21 Everlight Electronics Co Ltd Edge lighting light-emitting diode backlight module

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001345485A (ja) * 2000-06-02 2001-12-14 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2002094122A (ja) * 2000-07-13 2002-03-29 Matsushita Electric Works Ltd 光源装置及びその製造方法
JP2004179438A (ja) * 2002-11-27 2004-06-24 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
JP2004335518A (ja) * 2003-04-30 2004-11-25 Sumitomo Metal Electronics Devices Inc 発光素子収納用パッケージ
JP2005159311A (ja) * 2003-10-30 2005-06-16 Nichia Chem Ind Ltd 半導体素子用の支持体及びその製造方法並びに半導体装置
JP2006013157A (ja) * 2004-06-25 2006-01-12 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2006222358A (ja) * 2005-02-14 2006-08-24 Ngk Spark Plug Co Ltd 発光素子実装用配線基板
JP2008546192A (ja) * 2005-05-30 2008-12-18 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ケーシング本体およびケーシング本体の製造方法
JP2009044112A (ja) * 2007-07-13 2009-02-26 Sharp Corp 素子搭載基板、電子部品、発光装置、液晶バックライト装置、電子部品の実装方法

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012074478A (ja) * 2010-09-28 2012-04-12 Asahi Glass Co Ltd 発光素子用基板および発光装置
JP2013038167A (ja) * 2011-08-05 2013-02-21 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2013038173A (ja) * 2011-08-05 2013-02-21 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2013041865A (ja) * 2011-08-11 2013-02-28 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
JP2013110210A (ja) * 2011-11-18 2013-06-06 Stanley Electric Co Ltd 半導体光学装置
JPWO2015056590A1 (ja) * 2013-10-15 2017-03-09 シャープ株式会社 実装基板、発光装置及び発光装置の製造方法
KR20150081120A (ko) * 2014-01-03 2015-07-13 엘지이노텍 주식회사 광원 모듈 및 이를 구비한 조명 시스템
KR102142712B1 (ko) * 2014-01-03 2020-08-07 엘지이노텍 주식회사 광원 모듈 및 이를 구비한 조명 시스템
JP2020074490A (ja) * 2014-05-21 2020-05-14 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2016001724A (ja) * 2014-05-21 2016-01-07 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN111883630A (zh) * 2014-05-21 2020-11-03 日亚化学工业株式会社 发光装置
JP2021166315A (ja) * 2014-05-21 2021-10-14 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP7148826B2 (ja) 2014-05-21 2022-10-06 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2018190770A (ja) * 2017-04-28 2018-11-29 日亜化学工業株式会社 発光装置
WO2019221508A1 (ko) * 2018-05-18 2019-11-21 서울반도체 주식회사 발광 다이오드, 발광 다이오드 모듈 및 그것을 갖는 표시 장치
US11355685B2 (en) 2018-05-18 2022-06-07 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode, light emitting diode module, and display device having the light emitting diode module
JP2020087978A (ja) * 2018-11-15 2020-06-04 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法、発光装置及び光源装置
JP2020088381A (ja) * 2018-11-15 2020-06-04 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP7186358B2 (ja) 2018-11-15 2022-12-09 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法、発光装置及び光源装置
WO2023189131A1 (ja) * 2022-03-31 2023-10-05 ローム株式会社 半導体発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20110051039A1 (en) 2011-03-03
CN102005525A (zh) 2011-04-06
US8410502B2 (en) 2013-04-02
CN102005525B (zh) 2013-03-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2011054736A (ja) 発光装置、平面光源および液晶表示装置
TWI249864B (en) LED lamp
JP5753446B2 (ja) 半導体発光装置の製造方法
JP4881358B2 (ja) 発光装置
JP5768435B2 (ja) 発光装置
JP5842813B2 (ja) 発光装置および発光装置の製造方法
JP4238681B2 (ja) 発光装置
JP6399017B2 (ja) 発光装置
US10276767B2 (en) Light emitting device
US20100163920A1 (en) Semiconductor light emitting device
JP2012114311A (ja) Ｌｅｄモジュール
TW201228040A (en) Led package
JP2012114284A (ja) Ｌｅｄモジュール及び照明装置
JP4193905B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2012114286A (ja) Ｌｅｄパッケージ
JP2008244165A (ja) 照明装置
JP2012113919A (ja) 照明装置
JP2008071955A (ja) 発光装置
JP2013062416A (ja) 半導体発光装置およびその製造方法
JP2007258620A (ja) 発光装置
JP2023120234A (ja) 発光装置及びｌｅｄパッケージ
JP2012134295A (ja) 半導体発光装置及びその製造方法
JP2008078401A (ja) 照明装置
JP2008251664A (ja) 照明装置
JP2009038184A (ja) 半導体発光装置、光源装置及び面状発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110824

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20111124

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111206

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120203

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120821

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121022

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20121113

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130201

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20130208

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20130308