JP7186358B2 - 発光装置の製造方法、発光装置及び光源装置 - Google Patents

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Description

実施形態は、発光装置の製造方法、発光装置及び光源装置に関する。
特許文献１には、側面発光型の発光装置が開示されている。特許文献１の発光装置では、背面側に回路基板を備えることにより発光面と背面との間の厚みが厚くなる傾向がある。
特開２０１２－１２４１９１号公報
実施形態は、小型の発光装置の製造方法、発光装置及び光源装置を提供することを目的とする。
実施形態に係る発光装置の製造方法は、光反射部材内に複数の積層体が第１方向に配列された中間構造体であって、各前記積層体は、前記第１方向と交差する第２方向に配列された一対の電極、前記一対の電極と接続する半導体積層体および透光性部材を含み、前記一対の電極が前記光反射部材から露出する第１面を有する中間構造体を準備する工程と、前記第１面において、前記複数の積層体のうち隣接する２つの積層体の間にある前記光反射部材に第１溝を形成する工程と、前記第１面上および前記第１溝内に、導電膜を形成する工程と、前記第１面における前記一対の電極間の電極間領域を被覆する前記導電膜を除去し、前記電極間領域に位置する前記光反射部材を露出させる工程と、前記第１溝内にある前記導電膜のうち、前記第１溝を挟んで隣接する２つの前記電極間領域の間に位置する部分を除去するように、前記第１溝の幅以上の幅を有し、かつ前記第１溝の深さ以上の深さを有する孔を形成する工程と、前記第１溝を通って前記光反射部材および前記導電膜を切断し、複数の発光装置を得る工程と、を備える。
実施形態に係る発光装置は、構造体と、一対の第１導電膜と、一対の第２導電膜と、を備える。前記構造体は、一対の電極を有する発光素子と、前記発光素子上に設けられた透光性部材と、前記発光素子及び前記透光性部材を含む積層体の側面を被覆する光反射部材と、を有する。前記構造体は、前記一対の電極が前記光反射部材から露出する第１面と、前記第１面と連続し前記光反射部材からなる第２面とを有する。前記一対の第１導電膜は、前記構造体の前記第１面上に設けられ、前記一対の電極と接続する。前記一対の第２導電膜は、前記構造体の前記第２面上に設けられ、前記一対の第１導電膜と連続して設けられている。前記構造体の前記第２面には、前記一対の第２導電膜の間に、内面が前記光反射部材からなる凹部が形成されている。
実施形態に係る光源装置は、前記発光装置と、前記構造体の前記第２面に対向する位置に設けられた実装基板と、前記第２導電膜を前記実装基板に接合する接合部材と、を備える。前記光反射部材の前記第２面のうち、前記一対の電極側の第１領域は、前記透光性部材側の第２領域に対して凹んでいる。前記接合部材は、前記実装基板と前記第１領域との間に配置されている。
実施形態によれば、小型の発光装置の製造方法、発光装置及び光源装置を実現できる。
実施形態に係る発光装置の製造方法を示す平面図である。 図１Ａに示すＡ－Ａ’線による断面図である。 実施形態に係る発光装置の製造方法を示す平面図である。 図２Ａに示すＡ－Ａ’線による断面図である。 実施形態に係る発光装置の製造方法を示す平面図である。 図３Ａに示すＡ－Ａ’線による断面図である。 実施形態に係る発光装置の製造方法を示す平面図である。 図４Ａに示すＡ－Ａ’線による断面図である。 実施形態に係る発光装置の製造方法を示す平面図である。 図５Ａに示すＢ－Ｂ’線による断面図である。 実施形態に係る発光装置の製造方法を示す平面図である。 図６Ａに示すＢ－Ｂ’線による断面図である。 実施形態に係る発光装置の製造方法を示す平面図である。 図７Ａに示すＢ－Ｂ’線による断面図である。 実施形態に係る発光装置の製造方法を示す平面図である。 図８Ａに示すＣ－Ｃ’線による断面図である。 実施形態に係る発光装置の製造方法を示す平面図である。 図９Ａに示すＣ－Ｃ’線による断面図である。 実施形態に係る発光装置の製造方法を示す平面図である。 図１０Ａに示すＣ－Ｃ’線による断面図である。 実施形態に係る発光装置の製造方法を示す平面図である。 図１１Ａに示すＣ－Ｃ’線による断面図である。 実施形態に係る発光装置の製造方法を示す平面図である。 図１２Ａに示すＣ－Ｃ’線による断面図である。 実施形態に係る光源装置を示す断面図である。 実施形態に係る光源装置を示す正面図である。 実施形態に係る発光装置を示す正面図である。 実施形態に係る発光装置を示す背面図である。 実施形態に係る発光装置を示す下面図である。 変形例に係る発光装置の製造方法を示す平面図である。 図１５Ａに示すＡ－Ａ’線による断面図である。 第２の変形例に係る発光装置の一例を示す正面図である。 第２の変形例に係る発光装置の他の例を示す正面図である。
＜実施形態＞
以下、実施形態に係る発光装置の製造方法、製造後の発光装置の構成、この発光装置を搭載した光源装置の構成について順に説明する。
なお、以下で参照する各図は模式的なものであり、構成要素は適宜強調又は省略されている。また、図間において、構成要素の寸法比は必ずしも一致していない。また、本開示において「垂直」または「直交」とは、特に他の言及がない限り、２つの直線、辺、面等の間の角度が９０°から±３°程度の範囲にある場合を含む。本開示において「平行」とは、特に他の言及がない限り、２つの直線、辺、面等の間の角度が０°から±３°程度の範囲にある場合を含む。
本実施形態に係る発光装置の製造方法について説明する。本実施形態に係る発光装置の製造方法は、中間構造体２３を準備する工程と、第１溝１０６を形成する工程と、導電膜２５を形成する工程と、電極間領域１０７、１０８に位置する光反射部材２１を露出させる工程と、孔１０９を形成する工程と、複数の発光装置１を得る工程と、を備える。
図１Ａ～図１２Ｂは、本実施形態に係る発光装置の製造方法を示す図である。図１Ａ、図２Ａ、図３Ａ～図１２Ａは平面図であり、図１Ｂ、図２Ｂ、図３Ｂ～図１２Ｂは各平面図に対応する断面図である。図１Ｂは図１Ａに示すＡ－Ａ’線による断面図であり、図１Ａと同じ工程を示す。図２Ｂ～図４Ｂについても同様である。図５Ｂは図５Ａに示すＢ－Ｂ’線による断面図であり、図５Ａと同じ工程を示す。図６Ｂ及び図７Ｂについても同様である。図８Ｂは図８Ａに示すＣ－Ｃ’線による断面図であり、図８Ａと同じ工程を示す。図９Ｂ～図１２Ｂについても同様である。
（中間構造体２３を準備する工程）
まず、光反射部材２１内に複数の積層体２０が第１方向に配列された中間構造体２３を準備する。各積層体２０は、第１方向と交差する第２方向に配列された一対の電極、前記一対の電極１２ａ，１２ｂと接続する半導体積層体１１および透光性部材１６を含む。中間構造体２３は、一対の電極１２ａ，１２ｂが光反射部材２１から露出する第１面２３ａを有する。中間構造体２３を準備する工程は、以下に説明する製造工程の一例により製造して準備してもよく、予め製造された中間構造体２３を購入する等して準備してもよい。
以下、中間構造体２３を製造して準備する場合の一例を順に説明する。
先ず、図１Ａ及び図１Ｂに示すように、基板１００を準備する。基板１００は、例えば、母材として絶縁性の基材を有し、上面１００ａに金属層１０１ａ及び金属層１０１ｂが位置している。金属層１０１ａ及び金属層１０１ｂは複数対あり、例えばマトリクス状に配列されている。
本明細書においては、説明の便宜上、ＸＹＺ直交座標系を採用する。金属層１０１ａが配列された方向、及び、金属層１０１ｂが配列された方向を「Ｘ方向」（第１方向）とし、対をなす金属層１０１ａ及び金属層１０１ｂが配列された方向を「Ｙ方向」（第２方向）とし、Ｘ方向及びＹ方向に対して直交する方向、すなわち、上面１００ａに対して垂直な方向を「Ｚ方向」（第３方向）とする。
金属層１０１ａおよび金属層１０１ｂは、図１Ｂで示すように、上面に凸部１０１ｃを備えることができる。凸部１０１ｃは、後述する発光素子１０の電極と対向する領域に位置する。凸部１０１ｃの上面の平面形状は、対応する発光素子１０の電極の平面形状と略同じ形状であることが好ましい。これにより、接合部材１０３を介して一対の凸部１０１ｃ上に発光素子１０を配置する際に、発光素子１０にセルフアライメントが効果的に働き、発光素子１０の実装精度を向上させることができる。例えば、凸部１０１ｃおよび発光素子１０の電極の平面形状は、それぞれの対応する辺が略同じ長さ（許容範囲は±５％以下であり、好ましくは±３％以下である）を有する矩形状とすることができる。なお、本実施形態においては、図を簡略化するために、基板１００に金属層１０１ａ及び１０１ｂが４対のみ設けられた例を示しているが、これには限定されず、より多くの金属層１０１ａ及び１０１ｂが設けられてもよい。
基板１００は、後述するように、発光装置１となる段階では除去される。基板１００の最大厚みは、例えば、１００μｍ以上５００μｍ以下であり、２００μｍ以上３００μｍ以下であることが好ましい。これにより、基板１００の強度を保ちつつ、基板１００の除去工程を容易にすることができる。基板１００の母材としては、例えば、ガラス繊維強化樹脂を用いることができる。ガラス繊維強化樹脂は、例えば、熱膨張係数が３ｐｐｍ/℃?１０ｐｐｍ/℃のＢＴレジンを用いる事が好ましい。これにより、接合部材１０３としてＡｕＳｎ合金等の融点の高い接合部材を用いることができる。また、ガラス繊維強化樹脂は、熱膨張係数が１４?１５ｐｐｍ/℃のＦＲ４材であってもよい。これにより、接合部材１０３として融点が低い半田等を用いることで、基板１００の信頼性を向上させることができる。また、母材中に含まれるガラス繊維は、例えば３０重量％～７０重量％であり、４０重量％～６０重量％であることが好ましい。これにより、基板１００の除去工程を容易に行うことができる。
金属層１０１ａおよび金属層１０１ｂは、例えば銅や銅合金等を母材として用いることができる。また、金属層１０１ａおよび金属層１０１ｂは、銅又は銅合金の母材上に、リンを含むニッケルめっき、パラジウムめっき、第１金めっきおよび第２金めっきを順に備えることができる。銅又は銅合金を含む母材上に上記のめっきを積層することで、銅または銅合金に含まれる銅成分が拡散することを抑制でき、さらに金属層１０１ａ等の表面における酸化や硫化等の腐食を抑制することができる。これにより、例えば、基板１００を長期間に渡って保管したとしても、基板１００の劣化を抑制することができる。
基板１００は、上面１００ａに、認識対象部１０２を有することが好ましい。認識対象部１０２は上面１００ａ側からみたときの金属層１０１ａおよび金属層１０１ｂとの位置関係を把握するための目印である。認識対象部１０２は、例えば、導電性材料で形成されたマークである。認識対象部１０２は、凸部、凹部または凸部と凹部を組み合わせた形状とすることができる。認識対象部１０２の位置及び数は任意であるが、後の工程において光反射部材２１によって覆われない位置に配置する。
認識対象部１０２は、金属層１０１ａおよび金属層１０１ｂを形成する工程と同時に形成することができる。金属層１０１ａおよび金属層１０１ｂを形成する工程と同時に認識対象部１０２を形成することで、後述する認識対象部１０２を目印とした素子載置工程等の位置精度が向上する。認識対象部１０２は、例えば、銅又は銅合金の母材上に、リンを含むニッケルめっき、パラジウムめっき、第１金めっきおよび第２金めっきを順に備えた部材とすることができる。
次に、図２Ａ及び図２Ｂに示すように、金属層１０１ａ上及び金属層１０１ｂ上に接合部材１０３を設ける。接合部材１０３は、例えば半田である。金属層１０１ａおよび金属層１０１ｂが凸部１０１ｃを有する場合は、凸部１０１ｃ上に接合部材１０３を設ける。そして、認識対象部１０２を基準として、基板１００に発光素子１０を実装する。発光素子１０は、例えば、発光ダイオード（Light Emitting Diode：ＬＥＤ）である。発光素子１０には、半導体積層体１１と、一対の電極１２ａ及び１２ｂが設けられている。発光素子１０は、一対の電極１２ａ及び１２ｂの下面と、基板１００の金属層１０１ａおよび金属層１０１ｂの上面とが対向するように実装される。発光素子１０は、半導体積層体１１の一対の電極１２ａ及び１２ｂと接続する面の反対側の面に成長基板を有していてよい。半導体積層体１１においては、ｎ層、発光層及びｐ層が積層されている。ｎ層及びｐ層のうちの一方は電極１２ａに接続されており、他方は電極１２ｂに接続されている。電極１２ａ及び１２ｂは例えば銅（Ｃｕ）等の金属材料からなる。発光素子１０を基板１００に搭載することにより、発光素子１０の電極１２ａは接合部材１０３を介して金属層１０１ａに接続され、電極１２ｂは接合部材１０３を介して金属層１０１ｂに接続される。
次に、図３Ａ及び図３Ｂに示すように、透光性部材１６を準備する。透光性部材１６は、図３Ａ及び図３Ｂに示すように、好適には蛍光体層１４と透光層１５とが積層された部材である。蛍光体層１４は蛍光体を含有し、透光層１５は実質的に蛍光体を含有しない。蛍光体を実質的に含有しないとは、蛍光体が不可避的に混入することを排除しないことを意味する。なお、透光性部材１６は、蛍光体層１４のみでもよく、透光層１５のみでもよい。蛍光体層１４および／または透光層１５は、単層でもよく複数層でもよい。蛍光体層１４が複数層である場合、発光素子１０の光を吸収して緑色の光を放射する緑色蛍光体を含有する層と、発光素子１０の光を吸収して赤色の光を放射する赤色蛍光体を含有する層とを備えることができる。また、例えば、蛍光体層１４は単層であり、一の層に緑色蛍光体および赤色蛍光体を含有していてもよい。
次に、発光素子１０の上面上に接着剤層１３を配置し、発光素子１０と透光性部材１６とを接着させる。透光性部材１６が蛍光体層１４および透光層１５を有する場合、蛍光体層１４と接着剤層１３とが接触する向きで発光素子１０の上面上に透光性部材１６が接着される。透光性部材１６を接着させた後の接着剤層１３（以下、導光部材１３という）は、発光素子１０の上面に加えて発光素子１０の側面を被覆することが好ましい。これにより、透光性部材１６と発光素子１０との接着力を向上させることができる。また、導光部材１３は、発光素子１０の発光層を被覆していることが好ましい。これにより、発光素子１０の側面に到達した光の一部が側面で反射され発光素子１０内で減衰することを抑制でき、その光を導光部材１３を通して発光素子１０の外側に取り出すことができる。
接着剤層１３および導光部材１３は、光の透過率が高いことが好ましい。そのため、通常は、接着剤層１３および導光部材１３に、光を反射、吸収又は散乱する添加物は実質的に含有しないことが好ましい。添加物を実質的に含有しないとは、添加物が不可避的に混入することを排除しないことを意味する。なお、接着剤層１３および導光部材１３は、光拡散粒子及び／又は蛍光体を含有してもよい。
このようにして、図４Ａ及び図４Ｂに示すように、基板１００上に、第２方向（Ｙ方向）に配列された一対の電極１２ａ及び１２ｂ、一対の電極１２ａ及び１２ｂと接続する半導体積層体１１、及び半導体積層体１１上に配置された透光性部材１６を含む積層体２０が複数形成される。
次に、図５Ａ及び図５Ｂに示すように、基板１００上に光反射部材２１を形成する。光反射部材２１は、金属層１０１ａ及び１０１ｂ、接合部材１０３、並びに積層体２０を覆う。光反射部材２１を形成する工程は、例えば、複数の積層体２０が形成された基板１００を金型内に配置し、金型内に光反射部材２１となる樹脂材料を注入し、樹脂材料を固体化することにより行うことができる。光反射部材２１は、認識対象部１０２を覆わないように形成することが好ましい。これにより、後述する第２溝１０５を形成する工程において、認識対象部１０２を基準として精度良く第２溝１０５を形成することができる。光反射部材２１は、例えば、白色樹脂により形成する。これにより、基板１００上に光反射部材２１及び複数の積層体２０を含む中間構造体２３が形成される。中間構造体２３においては、光反射部材２１内に複数の積層体２０が第１方向（Ｘ方向）に沿って配列されている。
図６Ａ及び図６Ｂにおいて、中間構造体２３の下面を第１面２３ａとし、上面を第２面２３ｂとする。中間構造体２３の第１面２３ａは第２面２３ｂの反対側の面であり、基板１００の上面１００ａに対向している。図６Ａ及び図６Ｂで示すように、中間構造体２３の第２面２３ｂにおいて、認識対象部１０２を基準として、第２方向（Ｙ方向）に延びる溝１０５ａ及び１０５ｂと、第１方向（Ｘ方向）に延びる溝１０５ｃとを形成することが好ましい。つまり、認識対象部１０２を基準として、得られる発光装置１の発光面側の形状を形成することが好ましい。これにより、発光装置１の発光面側の形状を精度良く形成することができる。
図６Ａでは、第１方向（Ｘ方向）において、溝１０５ａと溝１０５ｂは交互に配列されている。溝１０５ａは溝１０５ｂよりも太く、かつ、深くなっている。溝１０５ａ及び１０５ｂを総称して「第２溝１０５」という。第２溝１０５は、光反射部材２１における積層体２０間毎に１本ずつ形成する。第２溝１０５は、第３方向（Ｚ方向）において、中間構造体２３を貫通しないことが好ましい。これにより、中間構造体２３の強度の低下を抑制することができ、後の工程を容易にする。溝１０５ｃは、例えば、溝１０５ａと同じ幅であり、同じ深さである。溝１０５ａ、溝１０５ｂおよび溝１０５ｃは、ダイシングやレーザ等により形成することができる。なお、溝１０５ａ及び溝１０５ｂは、同じ幅でもよく、また同じ深さでもよい。これにより、例えば、溝１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃを１種類のブレードにより形成することができる。
ここで、溝１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃの幅および深さの好ましい形態について説明する。
溝１０５ａの幅は、中間構造体２３の第２面２３ｂにおいて、第１方向（Ｘ方向）において隣接する積層体２０間の離隔距離の例えば０．２倍～０．９倍であり、０．３倍～０．７５倍であることが好ましい。また、溝１０５ａの幅は、中間構造体２３の第２面２３ｂにおいて、２５μｍ以上２００μｍ以下であり、５０μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。
溝１０５ｂの幅は、中間構造体２３の第２面２３ｂにおいて、第１方向（Ｘ方向）において隣接する積層体２０間の離隔距離の例えば０．１５倍～０．５倍であり、０．２倍～０．３５倍であることが好ましい。また、溝１０５ｂの幅は、中間構造体２３の第２面２３ｂにおいて、２５μｍ以上１５０μｍ以下であり、４０μｍ以上８０μｍ以下であることが好ましい。
溝１０５ｃの幅は、中間構造体２３の第２面２３ｂにおいて、第２方向（Ｙ方向）において隣接する積層体２０間の離隔距離の例えば０．２５倍～０．６５倍であり、０．３倍～０．５５倍であることが好ましい。また、溝１０５ｃの幅は、２５μｍ以上２００μｍ以下であり、５０μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。
溝１０５ａおよび溝１０５ｂの底面は、第３方向（Ｚ方向）において、発光素子１０の上面よりも下側に位置することが好ましい。これにより、光反射部材２１のうち、溝１０５ａの側面１０５ａ１と透光性部材１６の側面１６ａとの間に位置する部分２１ａ、及び、溝１０５ｂの側面１０５ｂ１と透光性部材１６の側面１６ｂとの間に位置する部分２１ｂの第１方向（Ｘ方向）における厚さを、それぞれ所望の厚さにすることができる。これにより、例えば、光反射部材２１の部分２１ａ及び２１ｂのそれぞれの厚さを、透光性部材１６の側面１６ａ及び１６ｂから出射した光が部分２１ａ及び２１ｂを透過して外側に漏れ出ることを抑制できるような厚さとすることができる。この結果、光出射面３０ａにおける光取出性が良好な発光装置１を得ることができる。光反射部材２１の部分２１ａ及び２１ｂの厚さは、それぞれ、例えば、１５μｍ～５０μｍであり、２０μｍ～３０μｍであることが好ましい。また、部分２１ａ及び部分２１ｂの厚さは、それぞれ、例えば、第１方向（Ｘ方向）における発光素子１０の厚みの３／４０倍～１／４倍であり、１／１０倍～３／２０倍であることが好ましい。
また、溝１０５ｂの底面は、第３方向（Ｚ方向）において、溝１０５ａの底面よりも上側に位置することが好ましい。後述する第１溝１０６を形成する工程では、好適には、第１溝１０６は溝１０５ｂに貫通せず、かつ、溝１０５ｂに対向して形成される。このような場合に、溝１０５ｂの底面を溝１０５ａの底面よりも上側に位置させることで、第１溝１０６を第３方向（Ｚ方向）において深く形成することができる。その結果、第１溝１０６内の導電膜２５を形成する領域を広く確保することができる。これにより、得られる発光装置１の実装面に位置する導電膜２５の面積が大きくなるため、接合部材５２を介して発光装置１を実装基板５１に実装する際に発光装置１と実装基板５１との接合強度を向上させることができる。一方で、溝１０５ａの底面を溝１０５ｂの底面よりも下側に位置させることで、溝１０５ａにより形成される側面１０５ａ１と積層体２０の側面との間にある光反射部材２１の厚みを広い範囲で所望の厚みにすることができる。これにより、例えば、該領域の光反射部材２１の厚みを、積層体２０の側面から外側に出る光が光反射部材２１を透過して外側に漏れ出ることを抑制した厚みとすることができる。なお、溝の底面が曲面である場合は、曲面全体を溝の底面とする。
次に、図７Ａ及び図７Ｂに示すように、中間構造体２３の第２面２３ｂに位置する光反射部材２１を除去する。これにより、新たに形成された第２面２３ｂにおいて透光性部材１６の透光層１５が露出する。光反射部材２１を除去する工程は、第２面２３ｂに位置する光反射部材２１に加えて、その下方に位置する透光性部材１６の透光層１５の一部を除去してもよい。蛍光体層１４の上方に透光層１５が位置することで、光反射部材２１を除去する工程において、蛍光体層１４が意図せず除去される可能性を低減することができる。光反射部材２１を除去する方法としては、研削、エッチング、切削、ブラスト等の公知の方法を用いることができる。なお、中間構造体２３の第２面２３ｂを除去する工程は、第２溝１０５および溝１０５ｃを形成する工程の前に行ってもよい。
次に、図８Ａ及び図８Ｂに示すように、中間構造体２３の第２面２３ｂを、粘着シート１２１を介して、キャリア１２２に固定する。キャリア１２２は、例えば、シリコンウェハ又は金属基板である。以後の説明においては、これまでの説明に対して、図示の上下方向を逆転させる。すなわち、図１Ａ～図７Ｂにおいては、半導体積層体１１から透光性部材１６に向かう方向を図示の上方向としていたが、図８Ａ～図１２Ｂにおいては、透光性部材１６から半導体積層体１１に向かう方向を図示の上方向とし、説明もこれに合わせて記載する。
次に、基板１００を除去する。基板１００を除去する工程においては、基板の上側から発光素子１０の電極１２ａ及び電極１２ｂの一部の範囲までを、例えば、研削機械を用いて研削が行われる。基板１００を除去する工程では、光反射部材２１の一部および接合部材１０３の一部が除去される。なお、接合部材１０３は、一部のみが除去されてもよく、全てが除去されてもよい。基板１００を除去することで、後の工程において製造される発光装置１を小型化することができる。基板１００の除去方法としては、研削、エッチング、切削、ブラスト等の公知の方法を用いることができる。特に、基板１００を除去する方法として研削を用いることが好ましい。これにより、光反射部材２１の露出面、電極１２ａ及び電極１２ｂの露出面、及び、接合部材１０３の露出面が同一平面上に位置し、中間構造体２３の第１面２３ａを平坦にすることができる。その結果、複数の発光装置１において発光装置１の形状等のばらつきを抑制することができる。基板１００を除去することにより、中間構造体２３を準備することができる。中間構造体２３の第１面２３ａにおいて、電極１２ａ及び１２ｂが露出する。基板１００を除去することにより、得られる発光装置１の発光面から背面までの厚みを小さくすることができ、小型の発光装置１を得ることができる。
また、基板１００を除去する工程の後に、洗浄工程を行うことが好ましい。洗浄工程を行うことにより、中間構造体２３の表面に基板１００等の除去くずが付着して残存していたとしても、除去くずを効果的に除去することができる。洗浄工程は、気体若しくは液体の吹き付け、固体二酸化炭素等の昇華する粒子の吹き付け、又は液体に浸漬等をすることにより行われる。
以上が、中間構造体２３を製造して準備する場合の一例の説明である。なお、前述したように、中間構造体２３を準備する工程は、例えば図８Ａおよび図８Ｂで示す中間構造体２３を購入する等して準備してもよい。
（第１溝１０６を形成する工程）
次に、図９Ａ及び図９Ｂに示すように、中間構造体２３の第１面２３ａにおいて、隣接する積層体２０の間にある光反射部材２１に、第２方向（Ｙ方向）に延びる第１溝１０６を形成する。第１溝１０６は、後述する導電膜２５を形成する工程において、発光装置１の実装面となる面に導電膜２５を配置するために形成される。中間構造体２３が第２溝１０５を有する場合、例えば第１溝１０６は溝１０５ｂに対向する位置に形成される。第１溝１０６は溝１０５ｂには到達させないことが好ましい。これにより、導電膜２５が発光面側に意図せず形成されることを防止することができる。
第１溝１０６は、１つおきの第２溝１０５に対向する位置に形成されることが好ましい。図９Ａ及び図９Ｂでは、第１溝１０６は、溝１０５ｂに対向する位置に形成され、溝１０５ａに対向する位置には形成されていない。図９Ａ及び図９Ｂで示す中間構造体２３では、積層体２０と隣接する積層体２０の間に、１つの第１溝１０６が配置している。つまり、２つの積層体２０で１つの第１溝１０６を共通して備えている。これにより、１つの積層体２０に対して１つの第１溝１０６を形成する場合に比べて、複数の積層体２０間の距離を小さくすることができる。その結果、中間構造体２３から得られる発光装置１の取り個数を増加させることができる。
第１溝１０６の幅は、第１方向（Ｘ方向）において隣接する電極１２ａ間の離隔距離の例えば０．４５倍～０．６倍であり、０．５倍～０．５５倍であることが好ましい。また、第１溝１０６の幅は、中間構造体２３の第１面２３ａにおいて、１００μｍ以上１８０μｍ以下であり、１２０μｍ以上１６０μｍ以下であることが好ましい。また、第１溝１０６の幅は、溝１０５ａ及び溝１０５ｂの幅よりも大きくすることができる。これにより、第１溝１０６内に形成される導電膜２５の体積を増やすことができ、得られる発光装置１の放熱性を向上させることができる。
（導電膜２５を形成する工程）
次に、図１０Ａ及び図１０Ｂに示すように、中間構造体２３の第１面２３ａ上及び第１溝１０６の内面上に導電膜２５を形成する。導電膜２５を形成する方法としては、スパッタ、蒸着、塗布、スタンピング、印刷、ＡＬＤ、ＣＶＤ、めっき等の公知の方法を用いることができる。特に、導電膜２５を形成する方法としてスパッタを用いることが好ましい。スパッタを用いることで、第１面２３ａにおいて露出する電極１２ａ及び１２ｂと、第１面２３ａおよび第１溝１０６の内面に位置する光反射部材２１との接合強度が向上しやすくなる。これにより、第１面２３ａ上および第１溝１０６の内面上から導電膜２５が剥がれることを抑制することができる。
導電膜２５は、耐腐食性や耐酸化性に優れたものを用いることが好ましい。例えば、導電膜２５の最表面の層は、金や白金等の白金族元素の金属である。特に、導電膜２５の最表面は、はんだ付け性の良好な金であることが好ましい。
導電膜２５は単一の材料の一層のみで構成されてもよく、異なる材料の層が積層されて構成されていてもよい。導電膜２５は、金、銀、錫、白金、ロジウム、チタン、ルテニウム、モリブデン、タンタル、アルミニウム、タングステン、パラジウム若しくはニッケル、又はこれらの合金を含む層で構成することができる。特に、導電膜２５は、ルテニウム、モリブデン、タンタル等の高融点の金属を含むことが好ましい。これにより、導電膜２５の耐熱性を向上させることができる。例えば、導電膜２５が複数の層から構成される場合、これらの高融点の金属を、導電膜２５の最表層の内側に設けることで、半田に含まれるＳｎが発光装置１内に拡散していくことを抑制できる。導電膜２５は、例えば、Ｎｉ／Ｒｕ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ等の積層構造とすることができる。また、ルテニウム等の高融点の金属を含む金属層の厚みとしては、１０Å～１０００Å程度が好ましい。
（電極間領域１０７，１０８に位置する光反射部材２１を露出させる工程）
次に、例えば、レーザ光の照射、エッチング法、ブラスト又はフォトリソグラフィ法により、導電膜２５を選択的に除去する。具体的には、第１面２３ａにおける電極１２ａと電極１２ｂとの間の電極間領域１０７を被覆する導電膜２５を除去すると共に、隣り合う電極１２ａ間、及び、隣り合う電極１２ｂ間の領域であって、第１溝１０６が形成されていない電極間領域１０８を被覆する導電膜２５を除去する。これにより、電極間領域１０７及び１０８に位置する光反射部材２１が露出する。一方、電極１２ａ及び１２ｂは、導電膜２５によって覆われている。また、第１溝１０６の内面も導電膜２５によって覆われている。
導電膜２５を選択的に除去する方法として、レーザ光の照射を用いることが好ましい。レーザ光の照射を用いることでマスクなどを用いることがなく、導電膜２５のパターニングをすることができる。また、導電膜２５にレーザ光を照射させることで、レーザアブレーションを生じさせ導電膜２５の一部を除去することができる。なお、レーザアブレーションとは、固体の表面に照射されるレーザ光の照射強度がある大きさ（閾値）以上になると、固体の表面が除去される現象のことである。
レーザ光の照射を用いて導電膜２５を除去する場合には、レーザ光の波長は、導電膜２５に対する反射率が低い波長、例えば反射率が９０％以下である波長を選択することが好ましい。例えば、導電膜２５の最表面が金（Ａｕ）である場合には、赤色領域（例えば６４０ｎｍ）のレーザよりも、緑色領域（例えば５５０ｎｍ）より短い発光波長のレーザを用いることが好ましい。これにより、レーザアブレーションを効率よく発生させ、量産性を高めることができる。
第１面２３ａにおける導電膜２５の平面形状は、矩形状、円形状、楕円形状、またはこれらの形状の組み合わせとすることができる。また、第１面２３ａにおける導電膜２５の外縁は、直線、曲線または直線と曲線を組み合わせた形状とすることができる。例えば、第１面２３ａにおける導電膜２５の平面形状は、Ｌ字状やＴ字状とすることができる。また、電極１２ａ上の導電膜２５の平面形状と電極１２ｂ上の導電膜２５の平面形状とは異なっていてもよい。それぞれの導電膜２５の平面形状を異ならせることで、例えば、発光装置１の極性を区別しやすくなる。
第１面２３ａ上に位置する導電膜２５の厚みと第１溝１０６の内面に位置する導電膜２５の厚みとは、同じでもよく、異なっていてもよい。第１面２３ａ上に位置する導電膜２５の厚みが第１溝１０６の内面に位置する導電膜２５の厚みよりも厚い場合、発光素子１０が発する熱を第１面２３ａ上に位置する導電膜２５を介して外部に効率的に放熱することができる。また、第１溝１０６の内面に位置する導電膜２５の厚みが第１面２３ａ上に位置する導電膜２５の厚みよりも厚い場合、発光素子１０が発する熱を第１溝１０６の内面に位置する導電膜２５を介して実装基板側に効率的に放熱することができる。導電膜２５の厚みは、例えば、０．０１μｍ～０．２μｍであり、０．０５μｍ～０．１μｍであることが好ましい。
また、第１面２３ａ上に位置する導電膜２５と、第１溝１０６の内面に位置する導電膜２５とは、得られる発光装置１を実装する際に接合部材によって互いに電気的に接続される限り、部分的に離隔して配置されてもよい。例えば、第１面２３ａと第１溝１０６の内面との接続部分である角部において、第１面２３ａ上に位置する導電膜２５と第１溝１０６の内面に位置する導電膜２５とは離隔していてもよい。第１面２３ａと第１溝１０６の内面との接続部分である角部は、外力により欠けや変形が生じやすい。そのため、その角部の近傍において、第１面２３ａ上に位置する導電膜２５と第１溝１０６の内面に位置する導電膜２５とを離隔して配置することで、該角部に上記の外力が生じたとしても、その外力がそれぞれの導電膜２５に影響を及ぼす可能性を低減することができる。第１面２３ａ上に位置する導電膜２５と、第１溝１０６の内面に位置する導電膜２５との離隔距離は、例えば、溶融前におけるブロック状の接合部材（例えば半田）の厚みに対して半分以下とすることができる。
（孔１０９を形成する工程）
次に、図１１Ａ及び図１１Ｂに示すように、中間構造体２３の第１溝１０６と重なる位置に孔１０９を形成する。孔１０９は、例えば、ドリルにより形成する。孔１０９は、第１溝１０６と重なる位置であって、隣り合う２つの電極間領域１０７の間に形成する。第１方向（Ｘ方向）における孔１０９の幅、例えば、孔１０９の直径は、第１溝１０６の幅以上とする。また、孔１０９の深さは、第１溝１０６の深さよりも深くする。孔１０９は、溝１０５ｂに到達させてもよい。孔１０９により、第１溝１０６が第２方向（Ｙ方向）で分断されて、第１溝１０６内に形成された導電膜２５のうち、第１溝１０６を挟んで隣接する２つの電極間領域１０７の間に位置する部分が除去される。これにより、導電膜２５における電極１２ａに接続された部分と、電極１２ｂに接続された部分とが分離される。
孔１０９は、ドリルやレーザ等の公知の方法で形成することができる。ドリルにより孔１０９を形成する場合、先端が先細りのドリルを用いて形成することが好ましい。これにより、局所的に孔１０９を設けやすくなり、孔１０９を形成する工程が容易になる。また、先端が先細りのドリルにより、第３方向（Ｚ方向）において中央の深さが最大となりやすい。また、先端が先細りのドリルを用いる場合、孔１０９の形状は、最深部では略円錐形状となり、孔１０９の開口近傍では略円柱形状となる。
第１方向（Ｘ方向）における孔１０９の幅は、第１溝１０６の幅よりも広い。これにより、導電膜２５を確実に分離することができる。但し、孔１０９の幅は、第１方向（Ｘ方向）において、孔１０９の最も幅が広い部分が発光素子１０の側面に接しないように設定される。第１方向（Ｘ方向）において、孔１０９の最も幅が広い部分と発光素子１０の側面との離隔距離は、例えば、１５μｍ～５０μｍであり、２０μｍ～３０μｍであることが好ましい。これにより、得られる発光装置１において、発光素子１０の光が孔１０９の内面から外側に漏れ出ることを抑制することができる。孔１０９の幅は、例えば、１４０μｍ～２２０μｍであり、１６０μｍ～２００μｍであることが好ましい。
また、孔１０９の深さは、第１溝１０６の深さよりも深い。これにより、導電膜２５を確実に分離することができる。なお、第３方向（Ｚ方向）において、孔１０９の底面は、発光素子１０の上面よりも下側に位置することができる。これにより、得られる発光装置１において、透光性部材１６の側面から外側に出る光が孔１０９を介して外側に漏れ出ることを抑制することができる。孔１０９の深さは、例えば、１０μｍ～２００μｍであり、５０μｍ～１５０μｍであることが好ましい。
（複数の発光装置１を得る工程）
次に、図１２Ａ及び図１２Ｂに示すように、中間構造体２３を第１面２３ａ側から切断して、第３溝１１０を形成する。第３溝１１０は、溝１０５ａ及び溝１０５ｂに対向する位置に形成される。第３溝１１０は、溝１０５ａ及び溝１０５ｂに到達させる。これにより、第３溝１１０、溝１０５ａ及び溝１０５ｂは、中間構造体２３を第３方向（Ｚ方向）に貫通し、中間構造体２３を分割する。このように、第３溝１１０を形成することにより、第１溝１０６を通って導電膜２５及び光反射部材２１が切断される。この結果、複数の発光装置１が得られる。切断方法としては、例えば、中間構造体２３の切断面に水等の流体を当てながらダイシングにより切断することが好ましい。これにより、切断によって生じる熱に起因して光反射部材２１等が変形することを抑制することができる。なお、切断方法としては、ドライカット法を含むダイシングやレーザ等の公知の切断方法を用いることができる。
第３溝１１０の幅は、溝１０５ａ及び溝１０５ｂの幅よりも大きくし、第１溝１０６の幅よりも小さくすることが好ましい。第３溝１１０の幅を溝１０５ａ及び溝１０５ｂの幅よりも大きくすることで、一対の電極１２ａ及び１２ｂ側の発光装置１の幅が透光性部材１６側の発光装置１の幅よりも大きくなることを抑制することができる。これにより、発光装置１の小型化を達成することができる。また、第３溝１１０の幅が第１溝１０６の幅よりも小さいことで、第１溝１０６内に形成された導電膜２５の一部を残留させることができる。また、第１方向（Ｘ方向）において、第３溝１１０の最も幅が広い部分と発光素子１０の側面との離隔距離が、例えば２０μｍ～６０μｍになるように、好適には３０μｍ～４０μｍになるように設定されることが好ましい。これにより、発光素子１０の側面から出る光が外側に漏れ出ることを抑制することができる。第３溝１１０の幅は、例えば、６０μｍ～１４０μｍであり、８０μｍ～１２０μｍであることが好ましい。
第３溝１１０の深さは、溝１０５ａ及び溝１０５ｂに到達する深さに設定される。なお、第３溝１１０は、第３方向（Ｚ方向）において、第３溝１１０の最も深い部分（底面）が発光素子１０の上面よりも上側に位置するように形成されることが好ましい。これにより、透光性部材１６の側方に位置する光反射部材２１を厚く残すことができる。その結果、透光性部材１６の側面１６ａ及び１６ｂから外側に出る光が光反射部材２１を透過して外側に漏れ出ることを抑制することができる。第３溝１１０の深さは、例えば、５０μｍ～３００μｍであり、１００μｍ～２００μｍであることが好ましい。また、溝１０５ａと対向する第３溝１１０の深さと、溝１０５ｂと対向する第３溝１１０の深さとは異なっていてもよい。例えば、溝１０５ｂと対向する第３溝１１０の深さは、溝１０５ａと対向する第３溝１１０の深さよりも深くすることができる。これにより、発光装置１の実装面側に形成される凹みを大きくすることができる。その結果、例えば、接合部材５２を介して発光装置１を実装基板５１上に配置する際に、接合部材５２の量が過剰であったとしても、接合部材５２の余剰分を凹み内に収容することができる。これにより、発光装置１の光出射面３０ａが傾斜した状態で発光装置１が配置されたりする可能性を低減することができる。
次に、上述の如く製造された本実施形態に係る発光装置、及び、この発光装置が搭載された光源装置について説明する。
図１３Ａは本実施形態に係る光源装置を示す端面図であり、図１３Ｂは光源装置の正面図である。
図１４Ａは本実施形態に係る発光装置を示す正面図であり、図１４Ｂは発光装置の背面図であり、図１４Ｃは発光装置の下面図である。
図１３Ｂは光源装置５０を図１３Ａに示す方向Ｄから見た図である。図１４Ａは発光装置１を図１３Ａに示す方向Ｄから見た図であり、図１４Ｂは発光装置１を方向Ｅから見た図であり、図１４Ｃは発光装置１を方向Ｆから見た図である。
本実施形態に係る光源装置５０は、実装基板５１、発光装置１及び一対の接合部材５２を備える。発光装置１は、一対の接合部材５２により、実装基板５１に接合されている。接合部材５２は、例えば、半田又は導電性ペーストである。なお、図１４Ａ～図１４Ｃにおいては、実装基板５１及び接合部材５２は図示を省略している。
（発光装置１）
以下、図１３Ａ、図１３Ｂ、図１４Ａ～図１４Ｃを参照して、本実施形態に係る発光装置１について説明する。発光装置１は、一対の電極を有する発光素子１０と、発光素子１０上に設けられた透光性部材１６と、発光素子１０及び透光性部材１６を含む積層体２０の側面を被覆する光反射部材２１とを有する構造体３０と、構造体３０の第１面に設けられた一対の第１導電膜２５Ａと、構造体３０の第２面に設けられた一対の第２導電膜２５Ｂとを有する。
構造体３０は、光出射面３０ａと、光出射面３０ａの反対側に位置する第１面３０ｂと、光出射面３０ａおよび第１面３０ｂに接続され第１面３０ｂに連続する第２面３０ｄと、第２面３０ｄの反対側に位置する第３面３０ｃと、第４面３０ｅ及び第５面３０ｆを含む。光出射面３０ａは第２面３０ｄ、第３面３０ｃ、第４面３０ｅ及び第５面３０ｆと稜線を介して連続している。また、第１面３０ｂは、第２面３０ｄ、第３面３０ｃ、第４面３０ｅ及び第５面３０ｆと稜線を介して連続している。第４面３０ｅ及び第５面３０ｆは平坦であり、全体が光反射部材２１により形成されている。
本明細書においては、構造体３０の各面と対応する発光装置１の面を、構造体３０の光出射面３０ａおよび第１面３０ｂ等と同じ用語を用いて説明する。発光装置１は、第２面３０ｄを実装面とし、第２面３０ｄと実装基板５１の上面５１ａとが対向して配置される側面発光型（サイドビュータイプ）の発光装置である。なお、光出射面３０ａは、図１Ａ及び図１Ｂ等に示す基板１００の上面１００ａに対して平行であり、同じ方向を向いている。
構造体３０は、少なくとも１つの積層体２０を有する。積層体２０は、発光装置１の光源として機能し、発光素子１０と透光性部材１６とを有する。発光素子１０は、例えば発光ダイオード（Light Emitting Diode：ＬＥＤ）であり、半導体積層体１１と、一対の電極１２ａ及び１２ｂを有する。半導体積層体１１においては、ｎ層、発光層、ｐ層が積層されており、ｎ層及びｐ層のうち一方は電極１２ａに接続されており、他方は電極１２ｂに接続されている。一対の電極１２ａおよび１２ｂは、構造体３０の第１面３０ｂにおいて、光反射部材２１から露出する。これにより、発光素子１０が発する熱を構造体の第１面３０ｂから効率的に放熱することができる。図１３Ａでは、第１面３０ｂは平坦であり、電極１２ａ及び１２ｂの周囲には光反射部材２１が設けられている。
透光性部材１６は、発光素子１０上に設けられる。発光素子１０上に透光性部材１６を配置することで、外部応力から発光素子１０を保護することができる。透光性部材１６の側面は、光反射部材２１に被覆される。これにより、発光領域と非発光領域とのコントラストが高くなり、見切り性の良好な発光装置とすることができる。図１３Ａおよび図１４Ａでは、光出射面３０ａは平坦であり、透光性部材１６の周囲には光反射部材２１が設けられている。
透光性部材１６は、蛍光体層１４および／または透光層１５を有することができる。透光性部材１６は、蛍光体を含有する蛍光体層１４を有することが好ましい。これにより、発光素子１０が発する光と、蛍光体が発する光とを混色して、所望の混色光を出力することができる。蛍光体は蛍光体層１４に均一に分散させてもよく、また、蛍光体層１４の上面よりも発光素子１０側に蛍光体を偏在させてもよい。蛍光体層１４の上面よりも発光素子１０側に蛍光体を偏在させることで、水分に弱い蛍光体の水分による劣化を容易に抑制することができる。水分に弱い蛍光体としては、例えばマンガン賦活フッ化物系蛍光体を挙げることができる。マンガン賦活フッ化物系蛍光体は、スペクトル線幅の比較的狭い発光が得られるため、色再現性の観点において好ましい蛍光体である。蛍光体は、１種の蛍光体であってもよく、また複数種の蛍光体であってもよい。
蛍光体層１４は、複数の蛍光体層を有することができる。例えば、蛍光体層１４は、マンガン賦活フッ化物系蛍光体を含有する蛍光体層と、βサイアロン系蛍光体を含有する蛍光体層とを含むことができる。なお、蛍光体層１４は単層でもよく、単層の蛍光体層１４にマンガン賦活フッ化物系蛍光体およびβサイアロン系蛍光体が含有されてもよい。
積層体２０は、発光素子１０と透光性部材１６との間に導光部材１３を配置することができる。導光部材１３は、発光素子１０の側面を被覆し、発光素子１０の側面から出射される光を発光装置１の上面（光出射面３０ａ）方向に導光する。発光素子１０の側面に導光部材１３を配置することで、発光素子１０の側面に到達した光の一部が該側面で反射され発光素子１０内で減衰することを抑制することができる。導光部材１３は、発光素子１０の上面および側面を被覆することができる。これにより、発光素子１０と導光部材１３との密着強度を向上させることができる。導光部材１３は、例えば、樹脂材料を母材として含む部材である。樹脂材料としては、例えば、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などの透光性の樹脂を好適に用いることができる。なお、導光部材１３は、光の透過率が高いことが好ましい。そのため、導光部材１３は、光を反射、吸収又は散乱する物質は有していないことが好ましい。導光部材１３は、光反射部材２１よりも発光素子１０からの光の透過率が高い部材が選択される。
光反射部材２１は、発光装置１の外表面を構成する。図１３Ａ、図１３Ｂ、図１４Ａ～図１４Ｃで示す発光装置１では、光反射部材２１は、光出射面３０ａ、第１面３０ｂ、第２面３０ｄ、第３面３０ｃ、第４面３０ｅ及び第５面３０ｆの何れの外表面にも位置している。また、光反射部材２１は、発光素子１０の側面と、透光性部材１６の側面とを被覆している。光反射部材２１が発光素子１０の側方に位置することで、発光素子１０の側方に出射される光を光反射部材２１で反射することができ、上方向に効率的に光を取り出すことができる。光反射部材２１は、発光素子１０の下面も被覆することが好ましい。これにより、例えば、発光素子１０から下方に出射される光を上方に反射させることができる。また、光反射部材２１が発光素子１０の下面を被覆することで、発光素子１０と光反射部材２１との密着強度を向上させることができる。
光反射部材２１は、例えば、導光部材１３と発光素子１０との熱膨張率差（これを「第１の熱膨張率差ΔＴ３０」と称する）と、光反射部材２１と発光素子１０との熱膨張率差（これを「第２の熱膨張率差ΔＴ４０」と称する）とを比較したときに、ΔＴ４０＜ΔＴ３０となるように、光反射部材２１の材料を選択することが好ましい。これにより、導光部材１３が発光素子１０から剥離することを抑制することができる。
第３面３０ｃは光反射部材２１により形成されている。第３面３０ｃは、一対の電極１２ａ及び１２ｂ側に配置された電極側領域３０ｃ１と、透光性部材１６側に配置された光出射側領域３０ｃ２とを含む。電極側領域３０ｃ１は、第３面３０ｃから第２面３０ｄに向かう方向において、光出射側領域３０ｃ２よりも凹んでいる。なお、電極側領域３０ｃ１は第３溝１１０の側面であり、光出射側領域３０ｃ２は溝１０５ａの側面１０５ａ１である。
図１４Ｃに示すように、第２面３０ｄは、一対の電極１２ａ及び１２ｂ側に配置された第１領域３０ｄ１（電極側領域）と、透光性部材１６側に配置された第２領域３０ｄ２（光出射側領域）と、第１領域３０ｄ１と第２領域３０ｄ２との間に配置された中間領域３０ｄ３とを含んでいる。中間領域３０ｄ３は第２領域３０ｄ２（光出射側領域）に対して凹んでおり、第１領域３０ｄ１（電極側領域）は中間領域３０ｄ３に対して凹んでいる。従って、第１領域３０ｄ１（電極側領域）は第２領域３０ｄ２（光出射側領域）に対して凹んでいる。これにより、発光装置１を実装基板５１に実装する際に、実装基板５１と第１領域３０ｄ１（電極側領域）との間に接合部材５２を配置しやすくなる。第２領域３０ｄ２（光出射側領域）は溝１０５ｂの側面１０５ｂ１であり、中間領域３０ｄ３は第３溝１１０の側面であり、第１領域３０ｄ１（電極側領域）は第１溝１０６の側面である。
第２面３０ｄには、凹部３０ｇが形成されている。凹部３０ｇは第１面３０ｂから第１領域３０ｄ１（電極側領域）を貫通し、中間領域３０ｄ３の一部にまで到達している。これにより、第１領域３０ｄ１（電極側領域）は凹部３０ｇによって２つの部分に分断されている。凹部３０ｇは、一対の第２導電膜２５Ｂの間に位置している。なお、凹部３０ｇは第２領域３０ｄ２（光出射側領域）内に到達していてもよい。発光装置１は、例えば凹部３０ｇ内に後述する接着剤等を入り込ませることで、発光装置１と実装基板５１との接合強度を向上させることができる。
一対の第１導電膜２５Ａは、構造体３０の第１面３０ｂ上に設けられている。一対の第１導電膜２５Ａは、相互に離隔しており、一対の電極１２ａ及び１２ｂをそれぞれ覆い、電極１２ａ及び１２ｂにそれぞれ接続されている。発光装置１の第１面３０ｂでは、光反射部材２１と、一対の第１導電膜２５Ａのみが露出している。一対の第１導電膜２５Ａが第１面３０ｂに位置することで、発光素子１０が発する熱を第１面３０ｂ側から効率的に放熱することができる。
第１面３０ｂにおいて、第１導電膜２５Ａは、第３面３０ｃから離隔していることが好ましい。これにより、半田等の接合部材を用いて発光装置１を実装基板上に実装する際に、発光装置１にツームストーン現象が起きたり、発光装置１の光出射面３０ａが傾斜した状態で発光装置１が配置されたりする可能性を低減することができる。
なお、第１導電膜２５Ａは、第３面３０ｃまで延出していてもよい。この場合、例えば、第１導電膜２５Ａの端部を第３面３０ｃの端部と一致させることができる。また、第１導電膜２５Ａの一部を、第１面３０ｂに加えて第３面３０ｃにも形成することができる。これにより、発光装置１の放熱性を向上させることができる。
また、第１面３０ｂにおいて、一対の第１導電膜２５Ａは、第４面３０ｅおよび第５面３０ｆから離隔していることが好ましい。これにより、接合部材を用いて発光装置１を実装基板上に実装する際、第４面３０ｅおよび第５面３０ｆの外側に接合部材が流れていくことを抑制することができる。その結果、接合部材を含んだ発光装置１の実装面積を小さくすることができる。例えば、エッジ型の液晶表示装置の光源として、実装基板上に複数の発光装置を配置したものを用いる場合、発光装置間は暗部になりやすい。しかし、第１導電膜２５Ａを上記の配置にした発光装置１では、実装基板上に一の発光装置の第４面３０ｅと隣接する他の発光装置の第５面３０ｆとが対向するように複数の発光装置を配置する場合に、各発光装置間の距離を短くすることができる。これにより、各発光装置間において、暗部となる領域を減らすことができる。また、第４面３０ｅ等と第１面３０ｂとの接続部分を含む発光装置１の角部は、外力により欠けや変形が生じやすい。しかし、第１導電膜２５Ａが第４面３０ｅ等から離隔していることで、発光装置１の角部に上記の外力が生じたとしても、その外力が第１導電膜２５Ａに影響を及ぼす可能性を低減することができる。
なお、第１導電膜２５Ａは、第４面３０ｅおよび第５面３０ｆまで延出していてもよい。この場合、例えば、第１導電膜２５Ａの端部を第４面３０ｅおよび第５面３０ｆの端部と一致させることができる。また、第１導電膜２５Ａの一部を、第１面３０ｂに加えて第４面３０ｅおよび第５面３０ｆにも形成することができる。これにより、発光装置１の放熱性を向上させることができる。
一対の第２導電膜２５Ｂは、構造体３０の第２面３０ｄの第１領域３０ｄ１（電極側領域）上に設けられている。一対の第２導電膜２５Ｂは、相互に離隔しており、一対の第１導電膜２５Ａとそれぞれ連続して設けられている。これにより、一対の第２導電膜２５Ｂの一方は、一対の第１導電膜２５Ａの一方と一体的に形成され、一方の導電膜２５を構成し、電極１２ａに接続されている。また、一対の第２導電膜２５Ｂの他方は、一対の第１導電膜２５Ａの他方と一体的に形成され、他方の導電膜２５を構成し、電極１２ｂに接続されている。一対の導電膜２５は、発光装置１の実装用電極として機能する。第２導電膜２５Ｂは、第２面３０ｄ（実装面）において、中間領域３０ｄ３上、第２領域３０ｄ２（光出射側領域）上、及び、凹部３０ｇの内面上には、設けられていない。一対の第２導電膜２５Ｂが第２面３０ｄに位置することで、発光素子１０が発する熱を第２面３０ｄ側から効率的に放熱することができる。
第２面３０ｄにおいて、第２導電膜２５Ｂは、光出射面３０ａから離隔していることが好ましい。これにより、接合部材を用いて発光装置１を実装基板上に実装する際、発光面となる光出射面３０ａ側に接合部材が流れていくことを抑制することができる。その結果、発光装置１から出射される光が接合部材によって遮られる等の可能性を低減することができる。
なお、第２導電膜２５Ｂは、光出射面３０ａまで延出していてもよい。この場合、例えば、第２導電膜２５Ｂの端部を光出射面３０ａの端部と一致させることができる。また、第２導電膜２５Ｂの一部を、第２面３０ｄに加えて光出射面３０ａにも形成することができる。これにより、発光装置１の放熱性を向上させることができる。
また、第２面３０ｄにおいて、第２導電膜２５Ｂは、第４面３０ｅおよび第５面３０ｆから離隔していることが好ましい。これにより、接合部材を用いて発光装置１を実装基板上に実装する際、第４面３０ｅおよび第５面３０ｆの外側に接合部材が流れていくことを抑制することができる。その結果、接合部材を含んだ発光装置１の実装面積を小さくすることができる。例えば、エッジ型の液晶表示装置の光源として、実装基板上に複数の発光装置を配置したものを用いる場合、発光装置間は暗部になりやすい。しかし、第２導電膜２５Ｂを上記の配置にした発光装置１では、実装基板上に一の発光装置の第４面３０ｅと隣接する他の発光装置の第５面３０ｆとが対向するように複数の発光装置を配置する場合に、各発光装置間の距離を短くすることができる。これにより、各発光装置間において、暗部となる領域を減らすことができる。また、第４面３０ｅ等と第２面３０ｄとの接続部分を含む発光装置１の角部は、外力により欠けや変形が生じやすい。しかし、第２導電膜２５Ｂが第４面３０ｅ等から離隔していることで、発光装置１の隅部に上記の外力が生じたとしても、その外力が第２導電膜２５Ｂに影響を及ぼす可能性を低減することができる。
なお、第２導電膜２５Ｂは、第４面３０ｅおよび第５面３０ｆまで延出していてもよい。この場合、例えば、第２導電膜２５Ｂの端部を第４面３０ｅおよび第５面３０ｆの端部と一致させることができる。また、第２導電膜２５Ｂの一部を、第２面３０ｄに加えて第４面３０ｅおよび第５面３０ｆにも形成することができる。これにより、発光装置１の放熱性を向上させることができる。
（光源装置５０）
次に、図１３Ａおよび図１３Ｂを参照して、実装基板５１上に発光装置１が配置された光源装置５０について説明をする。発光装置１は、第２面３０ｄが実装面となるように実装基板５１上に配置されている。
実装基板５１は、基材と基材上に形成される配線パターンとを有する。実装基板５１は、例えば、長手方向および短手方向を有する長尺状の部材である。実装基板５１上には、複数の発光装置１を配置することができ、複数の発光装置１は、好適には実装基板５１の長手方向に沿って実装基板５１上に配置される。
発光装置１と実装基板５１とは、一対の接合部材５２により主に接合される。一対の接合部材５２は、導電性を有し、半田等の部材が用いられる。また、発光装置１と実装基板５１とは、一対の接合部材５２とは別に、さらに接着部材５３を用いて接合することができる。接着部材５３は、例えば、絶縁性の接着剤である。図１３Ｂで示す光源装置５０では、接着部材５３は、発光装置１の第２面３０ｄ（実装面）と実装基板５１の上面５１ａとを接合している。一対の接合部材５２に加えて接着部材５３を用いることで、発光装置１と実装基板５１との接合強度をより強固にすることができる。
一対の接合部材５２は、少なくとも、発光装置１の第２面３０ｄの第１領域３０ｄ１（電極側領域）と実装基板５１の上面５１ａとの間に配置されており、一対の第２導電膜２５Ｂにそれぞれ接触している。これにより、接合部材５２は発光装置１を実装基板５１に接合している。接合部材５２は、例えば、発光装置１の第１面３０ｂ（背面）上、及び、第２面３０ｄ（実装面）の中間領域３０ｄ３と実装基板５１との間にも配置されており、第１導電膜２５Ａにも接触している。
発光装置１の第２面３０ｄ（実装面）において、接着部材５３が接する領域は、一対の接合部材５２の間に位置することが好ましい。これにより、接着部材５３として絶縁性の接着材料を用いた場合に、例えば、一対の接合部材５２が意図せず接することを抑制することができる。つまり、発光装置１の第２面３０ｄ（実装面）において、一対の接合部材５２の間に絶縁性の接着部材５３を配置することで、各端子の電気的な短絡を容易に抑制することができる。また、接着部材５３が接合部材５２よりも外側に位置しないことで、接着部材５３が第４面３０ｅおよび第５面３０ｆの外側に流れ込むことを抑制することができる。特に、接着部材５３となる材料の粘度が接合部材５２となる材料の粘度よりも低い場合に特に有用である。これにより、発光装置１の実装面積を小さくすることができる。
また、接着部材５３は、凹部３０ｇ内に配置することができる。これにより、接着部材５３と発光装置１との密着強度が向上する。また、光源装置５０が接着部材５３を有しない場合であっても、発光装置１が第２面３０ｄ（実装面）において凹部３０ｇを有することで、一対の接合部材５２が意図せず接することを抑制することができる。
接着部材５３は、例えば、エポキシ樹脂を用いることができる。これにより、例えば、光反射部材２１の母材となる樹脂材料としてエポキシ樹脂を用いることで、接着部材５３と発光装置１との接合強度を高くすることができる。発光装置１の第２面３０ｄ（実装面）において、接着部材５３は光反射部材２１のみと接していてよい。
以下、本発明の一実施形態に係る発光装置１の製造方法、発光装置１および光源装置５０の各構成要素について説明する。
（発光素子１０）
発光素子１０は、例えばＬＥＤチップである。発光素子１０は、例えば、紫外～可視域の発光が可能な窒化物半導体（ＩｎｘＡｌｙＧａ１－ｘ－ｙＮ、０≦ｘ、０≦ｙ、ｘ＋ｙ≦１）を含む半導体積層構造を有し得る。発光素子１０の発光ピーク波長は、発光装置の発光効率、蛍光体の励起スペクトル及び混色性等を考慮して、４００ｎｍ以上５３０ｎｍ以下が好ましく、４２０ｎｍ以上４９０ｎｍ以下がより好ましく、４５０ｎｍ以上４７５ｎｍ以下がさらに好ましい。
発光素子は１つでもよく、２つ以上でもよい。発光素子が複数ある場合は、複数の発光素子は、例えば、青色光を出射する複数の青色発光素子、青色光、緑色光および赤色光をそれぞれ出射する３つの発光素子、または、青色光を出射する発光素子と緑色光を出射する発光素子とを組み合わせたものを用いることができる。発光装置１を液晶表示装置等の光源として用いる場合、発光素子として、青色光を出射する１つの発光素子、青色光を出射する２つの発光素子、青色光を出射する３つ以上の発光素子、または、青色光を出射する発光素子と緑色光を出射する発光素子とを組み合わせたものを用いることが好ましい。青色光を出射する発光素子と緑色光を出射する発光素子は、いずれも半値幅が４０ｎｍ以下の発光素子を用いることが好ましく、半値幅が３０ｎｍ以下の発光素子を用いることがより好ましい。これにより、青色光および緑色光が容易に鋭いピークを持つことができる。その結果、例えば、発光装置を液晶表示装置等の光源として用いる場合、液晶表示装置は高い色再現性を達成することができる。また、複数の発光素子は、直列、並列、または直列と並列を組み合わせた接続方法で電気的に接続することができる。
発光素子１０の平面形状は、特に限定されないが、正方形状や一方向に長い長方形状とすることができる。また、発光素子１０の平面形状として、六角形状やその他の多角形状としてもよい。発光素子１０は、一対の正負電極を有する。正負電極は、金、銀、銅、錫、白金、ロジウム、チタン、アルミニウム、タングステン、パラジウム、ニッケル又はこれらの合金で構成することができる。発光素子１０の側面は、発光素子１０の上面に対して垂直であってもよいし、内側又は外側に傾斜していてもよい。
（透光性部材１６）
透光性部材１６は発光素子１０上に設けられ、発光素子１０を保護する部材である。透光性部材１６は、単層であってもよく多層であってもよい。透光性部材１６が複数の層を有する場合、各層の母材は同じであってもよく、異なっていてもよい。
透光性部材１６の母材としては、発光素子１０の光に対して透光性を有するものが用いられる。本明細書において透光性を有するとは、発光素子１０の発光ピーク波長における光透過率が、６０％以上であることを指し、好ましくは７０％以上であり、より好ましくは８０％以上である。透光性部材１６の母材は、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、又はこれらの変性樹脂を用いることができる。また、透光性部材１６の母材はガラスであってもよい。特に、シリコーン樹脂及びエポキシ樹脂は、耐熱性及び耐光性に優れるため好適に用いられる。シリコーン樹脂としては、ジメチルシリコーン樹脂、フェニル－メチルシリコーン樹脂、ジフェニルシリコーン樹脂などが挙げられる。なお、本明細書における変性樹脂とは、ハイブリッド樹脂を含む。
透光性部材１６は、光拡散粒子を含有していてもよい。光拡散粒子としては、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛などが挙げられる。光拡散粒子は、これらのうちの１種を単独で、又はこれらのうちの２種以上を組み合わせて用いることができる。特に、光拡散粒子として、線膨張係数の小さい酸化珪素を用いることが好ましい。また、光拡散粒子として、ナノ粒子を用いることが好ましい。これにより、発光素子が発する光の散乱が増大し、蛍光体の使用量を低減することができる。なお、ナノ粒子とは粒径が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の粒子のことをいう。また、本明細書における粒径とは、主にＤ５０で定義される。
透光性部材１６は、蛍光体を含むことができる。蛍光体は、発光素子１０が発する一次光の少なくとも一部を吸収して、一次光とは異なる波長の二次光を発する部材である。蛍光体は、以下に示す蛍光体のうちの１種を単独で、又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
蛍光体としては、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えばＹ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）、ルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えばＬｕ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）、テルビウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えばＴｂ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）、シリケート系蛍光体（例えば（Ｂａ，Ｓｒ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ）、クロロシリケート系蛍光体（例えばＣａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２：Ｅｕ）、βサイアロン系蛍光体（例えばＳｉ６－ｚＡｌｚＯｚＮ８－ｚ：Ｅｕ（０＜ｚ＜４．２））、ＳＧＳ系蛍光体（例えばＳｒＧａ２Ｓ４：Ｅｕ）、アルカリ土類アルミネート系蛍光体（例えば（Ｂａ,Ｓｒ,Ｃａ）ＭｇｘＡｌ１０Ｏ１７－ｘ:Ｅｕ,Ｍｎ）、αサイアロン系蛍光体（例えばＭｚ（Ｓｉ，Ａｌ）１２（Ｏ，Ｎ）１６（但し、０＜ｚ≦２であり、ＭはＬｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｙ、及びＬａとＣｅを除くランタニド元素）、窒素含有アルミノ珪酸カルシウム系蛍光体（例えば（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ）、マンガン賦活フッ化物系蛍光体（一般式（Ｉ）Ａ２［Ｍ１－ａＭｎａＦ６］で表される蛍光体（但し、上記一般式（Ｉ）中、Ａは、Ｋ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｒｂ、Ｃｓ及びＮＨ４からなる群から選ばれる少なくとも１種であり、Ｍは、第４族元素及び第１４族元素からなる群から選ばれる少なくとも１種の元素であり、ａは０＜ａ＜０．２を満たす））が挙げられる。イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体は、Ｙの一部をＧｄで置換することで発光ピーク波長を長波長側にシフトさせることができる。また、マンガン賦活フッ化物系蛍光体の代表例としては、マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体（例えばＫ２ＳｉＦ６：Ｍｎ）が挙げられる。
また、透光性部材１６は、蛍光体と例えばアルミナなどの無機物との焼結体、又は蛍光体の板状結晶であってもよい。
透光性部材１６は、蛍光体を含む蛍光体層１４と、蛍光体を実質的に含有しない透光層１５を備えることができる。蛍光体層１４の上面上に透光層１５を備えることで、透光層１５が保護層として機能を果たし、蛍光体層１４内の蛍光体の劣化を抑制することができる。なお、蛍光体を実質的に含有しないとは、蛍光体が不可避的に混入することを排除しないことを意味する。
（光反射部材２１）
光反射部材２１は、発光装置１の上面方向への光取り出し効率の観点から、発光素子１０の発光ピーク波長における光反射率が、７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、９０％以上であることがさらに好ましい。さらに、光反射部材２１は、白色であることが好ましい。光反射部材２１は、母材となる樹脂材料に光反射性物質を含有することができる。光反射部材２１は、液体状の樹脂材料を固体化することにより得ることができる。光反射部材２１は、トランスファ成形、射出成形、圧縮成形またはポッティング法などにより形成することができる。
光反射部材２１は、母材として樹脂材料を含むことができる。母材となる樹脂材料は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。具体的には、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂などの変性エポキシ樹脂、エポキシ変性シリコーン樹脂などの変性シリコーン樹脂、変成シリコーン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、変性ポリイミド樹脂、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）、ポリカーボネート樹脂、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ＡＢＳ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ＰＢＴ樹脂等の樹脂を用いることができる。特に、光反射部材２１の樹脂材料として、耐熱性および耐光性に優れたエポキシ樹脂やシリコーン樹脂の熱硬化性樹脂を用いることが好ましい。
光反射部材２１は、上記の母材となる樹脂材料に、光反射性物質を含有することが好ましい。光反射性物質としては、発光素子からの光を吸収しにくく、且つ、母材となる樹脂材料に対して屈折率差の大きい部材を用いることが好ましい。このような光反射性物質は、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム等である。
（接着剤層１３、導光部材１３）
導光部材１３は、発光素子１０の側面を被覆し、発光素子１０の側面から出射される光を発光装置の上面方向に導光する。つまり、発光素子１０の側面に到達した光の一部は側面で反射され発光素子１０内で減衰するが、導光部材１３はその光を導光部材１３内に導光し発光素子１０の外側に取り出すことができる。接着剤層１３および導光部材１３は、光反射部材２１で例示した樹脂材料を用いることができる。特に、接着剤層１３および導光部材１３として、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などの熱硬化性の透光性樹脂を用いることが好ましい。なお、接着剤層１３および導光部材１３は、光の透過率が高いことが好ましい。そのため、通常は、接着剤層１３および導光部材１３に、光を反射、吸収又は散乱する添加物は実質的に含有しないことが好ましい。添加物を実質的に含有しないとは、添加物が不可避的に混入することを排除しないことを意味する。なお、接着剤層１３および導光部材１３は、上述の透光性部材１６と同様の光拡散粒子及び／又は蛍光体を含有してもよい。
光反射部材２１、導光部材１３および透光性部材１６は、母材となる樹脂材料としてエポキシ樹脂を選択することができる。固体化した際にシリコーン樹脂よりも強度の高いエポキシ樹脂を選択することで、発光装置１の強度を向上させることができる。また、各部材の母材を同一種の樹脂材料で形成することで、各部材の密着強度を向上させることができる。また、接着部材５３としてエポキシ樹脂を選択した場合、接着部材５３と光反射部材２１等との接合強度を向上させることができる。
（実装基板５１）
実装基板５１は、ガラスエポキシ樹脂、セラミック又はポリイミドなどからなる板状の母材を備えている。また、実装基板５１は、母材上に、銅、金、銀、ニッケル、パラジウム、タングステン、クロム、チタン、又はこれらの合金などからなるランド部や配線パターンを備えている。ランド部や配線パターンは例えばメッキ、積層圧着、貼り付け、スパッタ、蒸着、エッチングなどの方法を用いて形成される。
（接合部材５２）
接合部材５２は、当該分野で公知の材料のいずれをも用いることができる。具体的には、接合部材５２は、例えば、錫－ビスマス系、錫－銅系、錫－銀系、金－錫系等の半田（具体的には、ＡｇとＣｕとＳｎとを主成分とする合金、ＣｕとＳｎとを主成分とする合金、ＢｉとＳｎとを主成分とする合金等）、共晶合金（ＡｕとＳｎとを主成分とする合金、ＡｕとＳｉとを主成分とする合金、ＡｕとＧｅとを主成分とする合金等）、銀、金、パラジウム等の導電性ペースト、バンプ、異方性導電材、低融点金属等のろう材等が挙げられる。
（接着部材５３）
接着部材５３は、例えば、透光性部材１６で列挙したエポキシ樹脂等の樹脂材料や接合部材５２で列挙した部材を用いることができる。接合部材５２および接着部材５３は、同一の部材であってもよく、別の部材であってもよい。接合部材５２および接着部材５３が異なる部材である場合、接合部材５２は導電性の材料である半田を選択し、接着部材５３はエポキシ樹脂等の樹脂材料を選択することができる。
次に、本実施形態の効果について説明する。
本実施形態においては、図９Ａ及び図９Ｂに示す工程において、中間構造体２３の第１面２３ａに第１溝１０６を形成し、図１０Ａ及び図１０Ｂに示す工程において、第１面２３ａ上及び第１溝１０６の内面上に導電膜２５を形成し、電極間領域１０７を被覆する導電膜２５を除去し、図１１Ａ及び図１１Ｂに示す工程において、第１溝１０６を分断するように孔１０９を形成することにより、導電膜２５における電極１２ａに接続された部分と電極１２ｂに接続された部分とを分離し、図１２Ａ及び図１２Ｂに示す工程において、溝１１０を形成することにより、第１溝１０６を通って光反射部材２１および導電膜２５を切断している。これにより、第１溝１０６の内面上に形成された導電膜２５が、光出射面に対して交差した面に形成された外部電極となる。このようにして、光出射面３０ａに対して交差した第２面３０ｄに電極が設けられた発光装置１を効率よく製造することができる。
また、本実施形態においては、図６Ａ及び図６Ｂに示す工程において、第１溝１０６及び第３溝１１０よりも細い溝１０５ａ及び１０５ｂを形成している。これにより、中間構造体２３において、積層体２０同士をより近い位置に配置することができる。この結果、発光装置１の生産性が向上する。
更に、本実施形態においては、図１Ａ～図５Ｂに示す工程において、基板１００上に金属層１０１ａ及び１０１ｂを設け、これを起点として中間構造体２３を形成している。これにより、中間構造体２３を容易に且つ精度よく作製できる。また、図８Ａ及び図８Ｂに示す工程において、基板１００を除去することにより、中間構造体２３の第１面２３ａにおいて、電極１２ａ及び１２ｂを露出させることができる。
更にまた、基板１００に認識対象部１０２を形成しておくことにより、図６Ａ及び図６Ｂに示す工程において、認識対象部１０２を基準として溝１０５ａ、１０５ｂ及び１０５ｃを形成することにより、溝１０５ａ、１０５ｂ及び１０５ｃを精度よく形成できる。
本実施形態に係る発光装置１においては、光出射面３０ａに対して交差した第２面３０ｄ上に第２導電膜２５Ｂが設けられている。このため、第２導電膜２５Ｂを実装用電極として発光装置１を実装基板５１に実装すると、光出射面３０ａを実装基板５１の上面５１ａに対して交差させることができる。この結果、光Ｌの出射方向が実装基板５１の上面５１ａに対して略平行な側面発光型の光源装置５０を実現することができる。
更にまた、本実施形態に係る発光装置１においては、第２面３０ｄ（実装面）の第１領域３０ｄ１（電極側領域）が第２領域３０ｄ２（光出射側領域）に対して凹んでいる。これにより、発光装置１を実装基板５１に実装する際に、実装基板５１と第１領域３０ｄ１（電極側領域）との間に接合部材５２を配置することができる。この結果、実装基板５１に対する発光装置１の向きが安定する。
なお、第１溝１０６内に導電性ペーストを埋め込み、この導電性ペーストを固体化させ、固体化した導電性ペーストの一部に例えば非貫通の溝を形成し、その後、スパッタ法等により導電膜２５を形成してもよい。これにより、導電膜２５の強度が向上し、断線を抑制することができる。
＜第１の変形例＞
次に、第１の変形例について説明する。
図１５Ａは本変形例に係る発光装置の製造方法を示す平面図であり、図１５Ｂは図１５Ａに示すＡ－Ａ’線による断面図である。
図１５Ａ及び図１５Ｂが示す工程は、前述の実施形態における図１Ａ及び図１Ｂが示す工程に相当する。
図１５Ａ及び図１５Ｂに示すように、本変形例においては、基板１００の金属層１０１ａ及び１０１ｂにおいて、凸部１０１ｃの上面に窪み１０１ｄが形成されている。これにより、金属層１０１ａ及び１０１ｂの凸部１０１ｃに接合部材１０３を塗布したときに、塗布量が過剰だったとしても、接合部材１０３の余剰分を窪み１０１ｄに入り込ませることができる。これにより、例えば、発光素子１０の電極１２ａ及び１２ｂの周囲に位置する接合部材１０３の量を抑制することができ、基板１００を除去した後に露出する接合部材５３の量を抑制することができる。その結果、導電膜２５を選択的に除去するレーザアブレーション等の工程を容易にすることができる。本変形例における上記以外の製造方法、構成及び効果は、前述の実施形態と同様である。
＜第２の変形例＞
次に、第２の変形例について説明する。
図１６Ａは本変形例に係る発光装置の一例を示す正面図であり、図１６Ｂは本変形例に係る発光装置の他の例を示す正面図である。
図１６Ａ及び図１６Ｂに示すように、本変形例に係る発光装置２ａの光出射面３０ａ上には、光反射性物質を含む反射材料４５が配置されている。反射材料４５は、例えば、発光素子１０の直上に位置する光出射面３０ａ上に配置される。光出力が最も大きい発光素子１０の直上に光反射性物質を含む反射材料４５を配置することで、発光素子１０の直上に出射される光出力を低減することができ、発光装置１の光出射面３０ａの全体から出射される光出力を平坦化させやすくなる。反射材料４５全体に対する光反射性物質の含有量は、例えば５重量％～７５重量％であり、８重量％～６５重量％が好ましい。また、発光装置２ａは、光出射面３０ａ上に反射材料４５を１層のみ備えてもよく、反射材料４５が複数積層されたものを備えてもよい。
図１６Ａに示すように、反射材料４５は、透光層１５の端縁から離隔した領域に配置されていてもよい。この場合、反射材料４５の平面形状は、発光装置２ａの光出射面３０ａが長手と短手を有する場合、長手方向に長い形状であることが好ましい。これにより、発光装置１の光出射面３０ａの全体から出射される光出力を平坦化させやすい。又は、図１６Ｂに示すように、反射材料４５は、透光層１５の端縁に接する領域に配置されていてもよい。例えば、反射材料４５の平面形状は、光出射面３０ａにおける対向する一対の辺に重なるように配置してもよい。これにより、光出射面３０ａの短手方向に出射される光出力に対して長手方向に出射される光出力をさらに高めることができる。なお、反射材料４５の平面形状は、上記以外にも種々の形状とすることができる。
本発明は、例えば、表示装置の光源等に利用することができる。
１、２ａ、２ｂ：発光装置
１０：発光素子
１１：半導体積層体
１２ａ、１２ｂ：電極
１３：接着剤層（導光部材）
１４：蛍光体層
１５：透光層
１６：透光性部材
１６ａ、１６ｂ：側面
２０：積層体
２１：光反射部材
２１ａ、２１ｂ：部分
２３：中間構造体
２３ａ：第１面
２３ｂ：第２面
２５：導電膜
２５Ａ：第１導電膜
２５Ｂ：第２導電膜
３０：構造体
３０ａ：光出射面
３０ｂ：第１面
３０ｃ：第３面
３０ｃ１：電極側領域
３０ｃ２：光出射側領域
３０ｄ：第２面（実装面）
３０ｄ１：第１領域（電極側領域）
３０ｄ２：第２領域（光出射側領域）
３０ｄ３：中間領域
３０ｅ：第４面
３０ｆ：第５面
３０ｇ：凹部
４５：反射材料
５０：光源装置
５１：実装基板
５１ａ：上面
５２：接合部材
５３：接着部材
１００：基板
１００ａ：上面
１０１ａ、１０１ｂ：金属層
１０１ｃ：凸部
１０１ｄ：窪み
１０２：認識対象部
１０３：接合部材
１０５ａ、１０５ｂ：溝（第２溝）
１０５ａ１、１０５ｂ１：側面
１０５ｃ：溝
１０６：溝（第１溝）
１０７、１０８：電極間領域
１０９：孔
１１０：第３溝
１２１：粘着シート
１２２：キャリア
Ｌ：光

Claims (8)

  1. 光反射部材内に複数の積層体が第１方向に配列された中間構造体であって、各前記積層体は、前記第１方向と交差する第２方向に配列された一対の電極、前記一対の電極と接続する半導体積層体および透光性部材を含み、前記一対の電極が前記光反射部材から露出する第１面を有する中間構造体を準備する工程と、
    前記第１面において、前記複数の積層体のうち隣接する２つの積層体の間にある前記光反射部材に第１溝を形成する工程と、
    前記第１面上および前記第１溝内に、導電膜を形成する工程と、
    前記第１面における前記一対の電極間の電極間領域を被覆する前記導電膜を除去し、前記電極間領域に位置する前記光反射部材を露出させる工程と、
    前記第１溝内にある前記導電膜のうち、前記第１溝を挟んで隣接する２つの前記電極間領域の間に位置する部分を除去するように、前記第１溝の幅以上の幅を有し、かつ前記第１溝の深さ以上の深さを有する孔を形成する工程と、
    前記第１溝を通って前記光反射部材および前記導電膜を切断し、複数の発光装置を得る工程と、
    を備えた発光装置の製造方法。
  2. 前記中間構造体を準備する工程は、
    前記中間構造体の前記第１面と反対側の第２面において、前記２つの積層体の間にある前記光反射部材に第２溝を形成する工程を有し、
    前記第１溝を形成する工程において、前記第２溝の幅よりも大きい幅を有する前記第１溝を、前記第２溝と対向するように形成する請求項１に記載の発光装置の製造方法。
  3. 前記第１溝を形成する工程において、１つおきの前記第２溝に対向する位置に前記第１溝を形成する請求項２に記載の発光装置の製造方法。
  4. 前記中間構造体を準備する工程は、
    基板上に前記複数の積層体を前記一対の電極が前記基板の上面に対向するように配置する工程と、
    前記基板上に、前記基板及び前記複数の積層体を覆うように前記光反射部材を配置する工程と、
    をさらに有し、
    前記中間構造体は前記第１面と前記基板の上面とが対向するように配置され、前記基板の上面における前記光反射部材に覆われていない領域には認識対象部が形成されており、
    前記第２溝は、前記認識対象部を基準として形成され、
    前記中間構造体を準備する工程の後で、前記第１溝を形成する工程の前に、前記基板を除去することにより、前記一対の電極を露出させる工程をさらに備えた請求項２または３に記載の発光装置の製造方法。
  5. 前記中間構造体を準備する工程は、
    前記光反射部材における 前記中間構造体の前記第２面側に位置する部分を除去することにより、前記透光性部材を露出させる工程をさらに有する請求項２～４のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。
  6. 一対の電極を有する発光素子と、前記発光素子上に設けられた透光性部材と、前記発光素子及び前記透光性部材を含む積層体の側面を被覆する光反射部材と、を有し、前記一対の電極が前記光反射部材から露出する第１面と、前記第１面と連続し前記光反射部材からなる第２面とを有する構造体と、
    前記構造体の前記第１面上に設けられ、前記一対の電極と接続する一対の第１導電膜と、
    前記構造体の前記第２面上に設けられ、前記一対の第１導電膜と連続して設けられた一対の第２導電膜と、
    を備え、
    前記構造体の前記第２面には、前記一対の第２導電膜の間に、内面が前記光反射部材からなる凹部が形成された、発光装置。
  7. 前記光反射部材の前記第２面のうち、前記一対の電極側の第１領域は、前記透光性部材側の第２領域に対して凹んでいる、請求項６に記載の発光装置。
  8. 請求項７記載の発光装置と、
    前記構造体の前記第２面に対向する位置に設けられた実装基板と、
    前記実装基板と前記第１領域との間に配置され、前記第２導電膜を前記実装基板に接合する接合部材と、
    を備えた光源装置。
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