JP6471641B2 - 発光装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、発光装置の製造方法に関する。

従来から、液晶テレビ用バックライトや照明器具などの光源として、発光素子を備える発光装置が広く用いられている。そして、その使用形態に応じて、種々のパッケージ形態を有するもの、特に、小型で薄型のサイドビュー型の発光装置が提案されている（例えば、特許文献１，２）。
そして、このように、小型、薄型であっても、強固に実装基板に固定することができる発光装置を、容易又は高精度に製造する方法の確立が求められている。

特開２０１５−８８２０号公報 特開２０１２−１４６８９８号公報

本発明の実施形態は、小型のサイドビュー型の発光装置を、容易又は高精度に製造する方法を提供することを目的とする。

本発明の実施形態に係る発光装置の製造方法は、主発光面と反対側の面に一対の電極を有する２つの発光素子を、前記電極を上向きにして隣接するように基体上に配置し、一方の前記発光素子の前記電極から他方の前記発光素子の前記電極にわたる一対の導電部材を形成し、少なくとも前記発光素子間を被覆する遮光部材を形成し、前記発光素子間の前記一対の導電部材及び前記遮光部材を、前記主発光面に対して垂直な方向に切断することを含む。

本発明の実施形態に係る発光装置の製造方法によれば、小型のサイドビュー型の発光装置を、容易又は高精度に製造することができる。

図１Ａは、実施形態１の発光装置の製造方法に係る、発光素子を基体上に配置する工程を示す概略平面図である。図１Ｂは、図１ＡのＸ−Ｘ’線における概略断面図である。図１Ｃは、実施形態１の発光装置の製造方法に係る、導電部材を形成する工程を示す概略平面図である。図１Ｄは、図１ＣのＸ−Ｘ’線における概略断面図である。図１Ｅ及び図１Ｆは、実施形態１の発光装置の製造方法に係る、遮光部材を形成する工程を示す概略断面図である。図１Ｇ及び図１Ｈは、実施形態１の発光装置の製造方法に係る、導電部材を切断する工程を示す概略断面図である。図１Ｉは、実施形態１に係る発光装置を実装基板に実装した発光モジュールを発光面側から見た概略正面図である。図１Ｊは、実施形態１に係る発光装置の概略断面図である。 図２Ａは、実施形態２の発光装置の製造方法に係る、発光素子を基体上に配置する工程を示す概略断面図である。図２Ｂは、実施形態２の発光装置の製造方法に係る、遮光部材を形成する工程を示す概略平面図である。図２Ｃは、図２ＢのＸ−Ｘ’線における概略断面図である。図２Ｄは、実施形態２の発光装置の製造方法に係る、導電部材を形成する工程を示す概略断面図である。図２Ｅ及び図２Ｆは、実施形態２の発光装置の製造方法に係る、導電部材を切断する工程を示す概略断面図である。 図３Ａ〜図３Ｄは、実施形態３の発光装置の製造方法に係る、遮光部材の凹部を形成する工程を示す概略断面図である。図３Ｅは、実施形態３の発光装置の製造方法に係る、導電部材を形成する工程を示す概略断面図である。図３Ｆは、実施形態３の発光装置の製造方法に係る、導電部材を切断する工程を示す概略断面図である。 図４Ａ及び図４Ｂは、実施形態４の発光装置の製造方法に係る、第１の遮光部材を形成する工程を示す概略断面図である。図４Ｃは、実施形態４の発光装置の製造方法に係る導電部材を形成する工程を示す概略断面図である。図４Ｄ及び図４Ｅは、実施形態４の発光装置の製造方法に係る、第２の遮光部材を形成する工程を示す概略断面図である。図４Ｆ及び図４Ｇは、実施形態４の発光装置の製造方法に係る、導電部材を切断する工程を示す概略断面図である。 図５は、図４Ｃの概略平面図である。 図６Ａ及び図６Ｂは、実施形態５の発光装置の製造方法に係る、導電部材を形成する工程を示す概略平面図である。

以下、本発明の実施形態について適宜図面を参照して説明する。ただし、以下に説明する発光装置及びその製造方法は、実施形態の技術的思想を具現化するためのものであって、以下に限定するものではない。特に、構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、本発明の技術的範囲を限定するものではなく、単なる説明例であり、説明を明確にするために誇張していることがある。以下に記載される実施形態は、各構成等を適宜組み合わせて適用できる。

＜実施形態１＞
図１Ａは、実施形態１の発光装置の製造方法に係る、発光素子を基体上に配置する工程を示す概略平面図である。図１Ｂは、図１ＡのＸ−Ｘ’線における概略断面図である。図１Ｃは、実施形態１の発光装置の製造方法に係る、導電部材を形成する工程を示す概略平面図である。図１Ｄは、図１ＣのＸ−Ｘ’線における概略断面図である。図１Ｅ及び図１Ｆは、実施形態１の発光装置の製造方法に係る、遮光部材を形成する工程を示す概略断面図である。図１Ｇ及び図１Ｈは、実施形態１の発光装置の製造方法に係る、導電部材を切断する工程を示す概略断面図である。図１Ｉは、実施形態１に係る発光装置を実装基板に実装した発光モジュールを発光面側から見た概略正面図である。図１Ｊは、実施形態１に係る発光装置の概略断面図である。実施形態１では、少なくとも以下の工程を行うことで、各々の発光装置１０を形成する。
まず、図１Ａ及び図１Ｂに示されるように、２つの発光素子２は、主発光面Ｍと、主発光面Ｍと反対側の面であって一対の電極２ａ、２ｂを有する面と、を備えており、電極２ａ、２ｂを上向きにして隣接するように基体１上に配置する。
そして、図１Ｃ及び図１Ｄに示されるように、一方の発光素子２の電極２ａ、２ｂから他方の発光素子２の電極２ａ、２ｂにわたる一対の導電部材３（３ａ、３ｂ）を形成する。言い換えると、一方の発光素子２と他方の発光素子２の電極上を架橋する一対の導電部材３（３ａ、３ｂ）を形成する。
その後、図１Ｅ及び図１Ｆに示されるように、少なくとも発光素子２間を被覆する遮光部材４を形成する。
そして、図１Ｇ及び図１Ｈに示されるように、少なくとも、発光素子２間の一対の導電部３ａ、３ｂ及び遮光部材４を、主発光面Ｍに対して垂直な方向に切断する。実施形態１では、この切断面を発光装置１０の実装面Ｓとすることができる。
さらに、適宜遮光部材４を発光素子２の側面に沿って切断することで、図１Ｊに示されるように、主発光面Ｍに対して実装面Ｓが垂直なサイドビュー型の発光装置１０に個片化することができる。
以上のように、実施形態１では、導電部材３を形成してから遮光部材４を形成する。なお、後述するように、各工程の順序を入れ替えてもよく、それらの形態については、実施形態２〜４で詳述する。
以下、実施形態１の各工程について図面を用いて詳細に説明する。

（発光素子の基体上への配置）
図１Ａ及び図１Ｂに示されるように、主発光面Ｍと、主発光面Ｍと反対側の面であって一対の電極２ａ、２ｂを有する面と、を備える２つの発光素子２を、電極２ａ、２ｂを上向きにして隣接するように基体１上に配置する。
まず、発光素子２を少なくとも２つ準備する。発光素子２は、少なくとも発光層を含む半導体層を含み、主発光面Ｍと、主発光面Ｍと反対側の面であって正負一対の電極２ａ、２ｂを有する面と、を有する。このように、ウエハ状態から個々に分離した発光素子２を、選別を行った後に、所望の配光を有するものだけを基体１上に配置することができるので、歩留まりよく発光装置を形成することができる。

発光素子２の平面形状は、円形、楕円形、三角形、四角形及び六角形等の多角形等のいずれであってもよい。また、発光素子２の大きさ及び厚みは、適宜選択することができる。実施形態１では、例えば、平面形状が矩形の発光素子２を用いることができる。

また、発光素子２を配置する基体１を準備する。基体１は、後に導電部材及び遮光部材を切断する前に除去してもよいし、導電部材及び遮光部材とともに切断することで、発光装置の一部として用いてもよい。

次に、準備した発光素子２を、基体１上へ配置する。実施形態１では、２つの発光素子２を１組として、１組以上の発光素子２を基体１上に配置し、後の工程において、それぞれの組に対して少なくとも一対の導電部材を、２つの発光素子が向かい合う側の面と反対側の面から突出しないように形成することができる。これにより、個々の発光装置に個片化したときに、実装面と反対側の上面から導電部材が露出しない、光吸収の少ないサイドビュー型の発光装置を無駄なく効率的に形成することが可能である。しかし、これに限らず、３つ以上の発光素子を配置してもよい。この形態については、実施形態５で詳述する。

実施形態１では、発光素子２の電極２ａ、２ｂを上向きに、つまり、主発光面Ｍが基体１と接する（対向する）ように、２つの発光素子２を隣接させて基体１上に配置する。これにより、後の工程において電極上に導電部材を形成しやすく、さらに、主発光面Ｍを露出させるように遮光部材を形成しやすい。
また、２つの発光素子２は、一方の発光素子２の一対の電極２ａ、２ｂと、他方の発光素子２の一対の電極２ａ、２ｂとが対向するように（すなわち、実施形態１では２つの発光素子２の長手方向の側面が対向するように）配置することが好ましい。これにより、一方の発光素子２の１つの電極と、他方の発光素子２の１つの電極とが対向する（すなわち、２つの発光素子２の短手方向の側面が対向する）ように配置する場合に比べ、後の工程において導電部材を少ない量で容易に形成しやすい。

さらに、２つの発光素子２は、それぞれの発光素子２の異極同士が隣接するように配置することが好ましい。具体的には、図１Ａに示されるように、一方の発光素子２の正電極２ａと他方の発光素子２の負電極２ｂとが対向し、且つ、一方の発光素子２の負電極２ｂと他方の発光素子２の正電極２ａとが対向するように、２つの発光素子２を配置することが好ましい。これにより、発光装置の実装面において、正負の端子（正負の電極に接続するそれぞれの導電部材）の左右の位置を同じにすることができる。
なお、２つの発光素子２において、それぞれの発光素子２の同極同士が隣接するように配置してもよい。これにより、発光素子２の向きを変更せずに同じ向きで配置することができるので、基体１上への配置が容易である。さらに、実装面において正負の端子の左右の位置が異なる発光装置を形成することができる。

２つの発光素子２の配置間隔は、任意に設定することができる。この間隔は、後述する遮光部材の厚みに影響を与える。よって、所望の遮光部材の厚みとできるように、間隔の広狭を調整することが好ましい。例えば、発光素子の配置精度、後の個片化工程における切断位置精度、遮光部材の構成にもよるが、３０μｍ〜３００μｍ程度の間隔を空けて配置することができる。これにより、後の工程において導電部材を形成しやすく、且つ、主発光面以外から漏れる光を十分に遮光可能な遮光部材を形成することができる。さらに、取り数を確保することができ、効率よく発光装置を製造することができる。

基体１上に発光素子２を配置する際、例えば、予め基体１及び／又は発光素子２に接着剤を配置しておき、該接着剤により発光素子２を基体１上に固定することができる。接着剤としては、樹脂等の当該分野で公知のものを用いることができ、特に、基体１を発光装置の一部として用いる場合は、透光性を有する樹脂を用いることが好ましい。なお、粘着性を有する基体１を用いる場合は、基体１の粘着性によって、発光素子２を基体上に固定してもよい。これにより、少ない工程数で効率よく発光素子２を配置することができる。

（導電部材の形成）
実施形態１では、次に、図１Ｃ及び図１Ｄに示されるように、一方の発光素子２の電極から他方の発光素子２の電極にわたる一対の導電部材３を形成する。すなわち、２つの発光素子２上に架橋するように、一対の導電部材３を形成する。実施形態１では、２つの発光素子２の隣接する異極にわたる導電部材３を形成することができる。具体的には、一方の発光素子２の正電極２ａと他方の発光素子２の負電極２ｂとにわたる導電部材３ａと、一方の発光素子２の負電極２ｂと他方の発光素子２の正電極２ａとにわたる導電部材３ｂを形成することができる。

導電部材３は、発光素子２間において発光素子２の電極２ａ、２ｂの上面よりも下側まで形成することが好ましい。これにより、後の工程において、発光素子間の一対の導電部材３及び遮光部材を切断した切断面（発光装置の実装面）から導電部材を露出させやすい。また、発光装置の短絡を防ぐために、導電部材３を半導体層に直接接触しないように設けることが好ましい。したがって、実施形態１では、例えば、発光素子２間において、電極２ａ、２ｂの側面を被覆し、且つ、電極２ａ、２ｂの下面よりも上側までの領域に導電部材３を形成することができる。この場合、電極２ａ、２ｂの厚みを厚く設けておくことで、導電部材３を半導体層に直接接触しないように形成しやすい。例えば、実施形態１では、電極２ａ、２ｂの厚みを１０μｍ以上、より好ましくは５０μｍ以上とすることができる。これにより、導電部材３が半導体層と接触することを防ぐことができる。また、発光装置の実装面から露出する導電部材の面積を確保することができる。なお、発光素子２の電極２ａ、２ｂの厚みは異なっていてもよい。

発光素子２の表面が絶縁部材によって被覆されて絶縁性が確保される場合には、導電部材３を電極２ａ、２ｂの下面よりも下側、例えば半導体層の側面まで形成してもよい。これにより、発光装置の実装面に露出する導電部材３の面積を広くすることができ、放熱性、実装性が高い発光装置を形成することができる。ただし、導電部材３は、発光素子２の主発光面Ｍよりも上側までの領域に形成することが好ましい。すなわち、導電部材３は、発光素子２間の基体１と接触しないように形成することが好ましい。これにより、発光装置において、導電部材３が主発光面Ｍと同一面上に露出されることによる光吸収を抑制することができる。

導電部材は、例えば、導電性ペースト又は半田を用いて、ポッティング、描画、印刷、溶射等の塗布法で配置し、加熱によって硬化することで形成できる。これにより、鍍金等で導電部材を形成する場合と比べて、コストと時間を削減することができる。特に、実施形態１のように遮光部材よりも先に導電部材３を形成する場合は、導電部材３として半田を塗布することが好ましい。これにより、所望の量の導電部材を所望の位置に形成しやすく、一対の電極２ａ、２ｂの上面にわたる一対の導電部材３ａ、３ｂを形成しやすい。なお、半田としては、比較的高融点であるＡｕＳｎを用いると、発光装置を実装基板へ実装する際の導電部材３の再溶融を防止することができ好ましい。

なお、実施形態１のように、遮光部材４よりも先に導電部材３を形成する場合は、前述のような所望の領域に導電部材３を保持させるために、配置する際の導電部材３の粘度を調整することが好ましい。例えば、導電部材３として粘度５０Ｐａ・ｓ〜５００Ｐａ・ｓ、より好ましくは粘度２００Ｐａ・ｓ〜３００Ｐａ・ｓ程度のＡｕＳｕペーストを準備し、適宜量を調整しながら所望の領域に形成することができる。このように、粘度を調整した導電部材３を用いることで、導電部材３を所望の位置に保持させておくことができるので、少ない工程数で効率よく発光装置を形成することができる。

（遮光部材の形成）
実施形態１では、次に、図１Ｅ及び図１Ｆに示すように、少なくとも発光素子２間を被覆する遮光部材４を形成する。具体的には、主発光面Ｍを露出させるように、２つの発光素子２及び一対の導電部材３を被覆する遮光部材４を基体１上に形成する。これにより、発光素子２の一対の導電部材３ａ、３ｂを絶縁させることができ、さらに、主発光面Ｍ以外からの光漏れを防止することができる。

ここで、図１Ｆに示すように、遮光部材４の上面から導電部材３が露出するように形成してもよい。例えば、図１Ｅに示すように、遮光部材４を導電部材３の上面まで被覆する高さで形成しておき、切削や研磨等によって遮光部材４の上部を除去することで、導電部材３を露出させることができる。または、遮光部材４及び導電部材３の上部を除去することで、導電部材３を露出させてもよい。製造工程における上面側は、発光装置の背面側となるので、このように導電部材３の上面を露出させておくことで、発光装置の背面からも端子として導電部材３を露出させることができる。これにより、放熱性、実装性が高い発光装置を形成しやすい。

遮光部材４としては、樹脂等の母材に光反射性又は光吸収性物質を含有させたものを用いることができ、トランスファーモールド、コンプレッションモールド、スクリーン印刷、ポッティング等で成形、硬化させることで形成できる。特に、導電部材３の下方の発光素子２間まで確実に遮光部材４を形成できることから、コンプレッションモールド、トランスファーモールドが好ましい。
なお、遮光部材は、前述のように一度に形成（形成した遮光部材の一部を除去する形態も一度に形成すると表す）してもよいし、さらに遮光部材を設けてもよい。すなわち、遮光部材を複数回に分けて形成してもよい。この形態については、実施形態４で詳述する。

（導電部材の切断）
次に、実施形態１では、図１Ｇ及び図１Ｈに示すように、発光素子２間の一対の導電部材３及び遮光部材４を、発光素子２の主発光面Ｍに対して垂直に交差する方向に切断する。これにより、発光装置の発光面（主発光面Ｍ）に対して垂直で、且つ一対の導電部材３が露出される発光装置１０の実装面Ｓを形成することができる。実施形態１では、さらに発光素子２の側面に沿って平行に遮光部材４を切断することで、図１Ｈに示すように、個々の発光装置１０に個片化することができる。

基体１上に配置する発光素子の平面形状は、前述のように特に限定されないが、同じ形状のものを用いると、導電部材３及び／又は遮光部材４を発光素子に沿って切断しやすい。実施形態１では、２つの矩形の発光素子２の側面が対向するように配置しているので、発光素子２の側面に沿って導電部材３及び／又は遮光部材４を切断しやすく、効率的に個々の発光装置を個片化することができる。

切断は、当該分野で公知の切断方法、例えば、ブレード５を用いたブレードダイシングや、レーザダイシング、カッタースクライブ等を利用することができる。

前述のように個片化することで、図１Ｉに示すように、実装基板６に実装する場合に、実装面Ｓが主発光面Ｍに対して垂直なサイドビュー型の発光装置１０を形成することができる。実施形態１のように、一対の導電部材３を、２つの発光素子にわたるように導電性ペーストや共晶合金を配置して形成することで、鍍金等で導電部材を形成する場合に比べて時間及びコストを低減して発光装置を形成することができる。さらに、遮光部材形成工程において、導電部材３の上面を露出させておくことで、発光装置１０の背面Ｕからも一対の導電部材３を露出させることができる。これにより、放熱性及び実装基板６への実装性の高い発光装置１０を形成することができる。また、実装後に、前方から発光装置に応力が負荷される場合でも、背面側に倒れ難い発光装置１０を形成することができる。
なお、実装面から露出する各導電部材の面積は、発光装置を実装基板へ実装する際に接合強度が十分に確保できる程度であると好ましく、例えば、実装面から露出する各導電部材の面積は、それぞれ０．０３ｍｍ^２以上とすることができる。また、実装面から露出する各導電部材の面積は、発光装置を実装基板へ実装したときにショートしない程度であれば、大きいほど好ましい。

（その他の工程）
以上の工程の他に、例えば、波長変換層を形成する工程、透光層を形成する工程、端子被覆膜を形成する工程等を適宜行ってもよい。

波長変換層を形成する工程では、主発光面Ｍから出射される光を所望の波長に変換する波長変換層７を、主発光面Ｍを被覆するように形成することができる。波長変換層７としては、例えば樹脂やガラス等の母材に蛍光体等の波長変換材料を含有したものを用いることができる。波長変換７は、スプレー、印刷、塗布、貼り付け等の所望の方法で形成することができる。前述のように、波長変換材料を含有した透光性の樹脂等からなる基体１を用い、基体１を波長変換層７として用いてもよい。また、周縁を遮光部材の枠で囲まれた波長変換層を予め形成しておき、主発光面に貼り付けることで、見切りの良い発光装置を形成することが可能である。

透光層を形成する工程は、発光装置の発光面（具体的には、波長変換層７や主発光面Ｍ）上に、透光性を有する透光層８を形成する工程である。透光層８を形成することで、発光装置の発光面を保護することができる。透光層８としては、例えば透光性を有する樹脂やガラス等を用いることができる。また、フィラー等を含有させることで、光の取り出し向上や、タック性を低減させることが可能である。透光層８は、例えばスプレー、印刷、塗布、貼り付け等の所望の方法で形成することができる。
なお、波長変換層７を形成する工程、透光層８を形成する工程は、一対の導電部材３ａ、３ｂの切断（個片化）前に行うことが好ましい。

端子被覆膜を形成する工程は、発光素子２間の一対の導電部材３ａ、３ｂ及び遮光部材４を切断して露出させた実装面の一対の導電部材３ａ、３ｂ、すなわち発光装置の端子を保護する端子被覆膜９を形成する工程である。端子被覆膜９としては、金、銀、ニッケル、アルミニウム、ロジウム、銅、又はこれらの合金などを用いることができる。端子被覆膜９は、例えば、厚み０．０３μｍ〜０．５μｍで設けることができる。これにより、導電部材の劣化を防止することができる。端子被覆膜９は、例えば鍍金やスパッタ等によって形成することができる。特に、実装面Ｓの遮光部材４及び一対の導電部材３ａ、３ｂ上に、例えばスパッタ等で一体に被覆膜を形成後、実装面Ｓの全体にレーザを照射することで、遮光部材４上に形成された被覆膜のみを除去することができ、端子被覆膜９を効率的に形成することができる。また、レーザを照射することで実装面Ｓが粗面化され、発光装置のタック性を低減させることができる。なお、端子被覆膜９は、実装面Ｓに露出する導電部材３ａ、３ｂの他、発光装置の背面Ｕ、側面、上面から導電部材が露出されている場合は、適宜その導電部材を被覆するように設けてもよい。

以下、各構成部材について詳細に説明する。

（発光素子）
発光素子２は、当該分野で一般的に用いられる発光ダイオード、レーザダイオード等を用いることができる。例えば、窒化物系半導体（Ｉｎ_XＡｌ_YＧａ_1-X-YＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）、ＧａＰ、ＧａＡｓなどのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体、ＺｎＳｅ、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体等、種々の半導体を利用することができる。なお、発光素子２は、半導体層を成長させるための基板を有していてもよい。基板としては、サファイア等の絶縁性基板、ＳｉＣ、ＺｎＯ、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ダイヤモンド、窒化物半導体と格子接合するニオブ酸リチウム、ガリウム酸ネオジム等の酸化物からなる基板が挙げられる。なお、基板はレーザリフトオフ法等を利用して除去されていてもよい。

（基体）
基体１は、前述のようにシート状の樹脂、セラミックス、ガラス等を用いることができる。特に、耐熱性の観点から、シート状のポリイミド樹脂を用いることが好ましい。
基体１の平面形状、大きさ、厚み等は、配置する発光素子２の大きさや数によって適宜調整することができる。特に、均一な厚みを有し、その表面が平坦なシート状の基体１であると、発光素子２を安定的に配置しやすく好ましい。

基体１を発光装置の一部として用いる場合は、透光性を有していると好ましく、発光素子２からの光の透過率が６０％以上、７０％以上、８０％以上、９０％以上であるものが好ましい。
特に、基体１を発光装置の一部として用いる場合は、基体１として樹脂を用いることが好ましく、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、エポキシ変性樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ＴＰＸ樹脂、ポリノルボルネン樹脂、又はこれらの樹脂を１種以上含むハイブリッド樹脂等の樹脂等によって形成されたものが挙げられる。なかでも、シリコーン樹脂又はエポキシ樹脂が好ましく、特に耐光性、耐熱性に優れるシリコーン樹脂が好ましい。

さらに、基体１を発光装置の一部として用いる場合、基体１に発光素子からの光を波長変換する波長変換部材、例えば、蛍光体及び／又は発光物質を含有させると、発光装置の波長変換層として用いることができる。
蛍光体及び／又は発光物質は、当該分野で公知のものを使用することができる。例えば、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）系蛍光体、セリウムで賦活されたルテチウム・アルミニウム・ガーネット（ＬＡＧ）、ユウロピウム及び／又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム（ＣａＯ−Ａｌ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂）系蛍光体、ユウロピウムで賦活されたシリケート（（Ｓｒ，Ｂａ）₂ＳｉＯ₄）系蛍光体、βサイアロン蛍光体、ＣＡＳＮ系又はＳＣＡＳＮ系蛍光体等の窒化物系蛍光体、ＫＳＦ系蛍光体（Ｋ₂ＳｉＦ₆：Ｍｎ）、硫化物系蛍光体等、ナノクリスタル、量子ドットと称される発光物質等が挙げられる。発光物質の材料としては、半導体材料、例えば、ＩＩ−ＶＩ族、ＩＩＩ−Ｖ族、ＩＶ−ＶＩ族半導体、具体的には、ＣｄＳｅ、コアシェル型のＣｄＳ_xＳｅ_1-x／ＺｎＳ、ＧａＰ等のナノサイズの高分散粒子が挙げられる。

基体１は、フィラー（例えば、拡散剤、着色剤等）を含んでいてもよい。例えば、シリカ、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム、ガラス、蛍光体の結晶又は焼結体、蛍光体と無機物の結合材との焼結体等が挙げられる。

（導電部材）
導電部材３としては、導電性ペースト又は共晶合金を用いることができ、例えば、錫−ビスマス系、錫−銅系、錫−銀系、金−錫系などの半田、ＡｕとＳｎとを主成分とする合金、ＡｕとＳｉとを主成分とする合金、ＡｕとＧｅとを主成分とする合金等の共晶合金、あるいは、銀、金、パラジウムなどの導電性ペースト、又はこれらを組み合わせた材料によって形成することができる。実施形態１のように、遮光部材４よりも先に導電部材を形成する場合、言い換えると、発光素子２間に導電部材を保持させるように形成する場合は、前述のように、ＡｕＳｎ系の半田を用いることが好ましい。また、実施形態２以降で詳述するように、遮光部材４を形成した後に導電部材を形成する場合、言い換えると、遮光部材の凹部に導電部材を形成する場合や、２つの発光素子の電極上に架橋するように、遮光部材上にわたって一対の導電部材を設ける場合は、比較的低温で硬化可能な導電性ペーストを用いることが好ましい。これにより、遮光部材の変色や劣化を抑制し、発光装置の光取り出し効率を維持することができる。

（遮光部材）
遮光部材４は、例えば、母材である樹脂に光反射性又は光吸収性物質を含有させた材料により形成することができる。これにより、遮光部材４を所望の形状に成形しやすい。樹脂としては、例えば、シリコーン樹脂、変成シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変成エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、変成ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、アクリレート樹脂、ユリア樹脂、アクリル樹脂、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）等が挙げられる。これらは単独で又は２種以上の樹脂を組み合わせて用いてもよい。特に、耐熱性、耐候性の観点から、シリコーン系の樹脂を含むことが好ましい。
なお、遮光部材４の厚みは、例えば１０μｍ〜１００μｍとすることで、主発光面Ｍ以外からの発光素子の光を十分に遮光しつつ、小型の発光装置を形成することができる。

光反射性又は光吸収性物質としては、例えば、セラミックス、二酸化チタン、二酸化ケイ素、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、ムライト、酸化ニオブ、酸化亜鉛、硫酸バリウム、各種希土類酸化物（例えば、酸化イットリウム、酸化ガドリニウム）等が挙げられる。光反射性又は光吸収性物質は、遮光部材の全重量において、約２０重量％〜８０重量％程度含有されていることが好ましく、約３０重量％〜７０重量％程度がより好ましい。これにより、遮光部材の遮光性及び強度を確保することができる。

＜実施形態２＞
図２Ａは、実施形態２の発光装置の製造方法に係る、発光素子を基体上に配置する工程を示す概略断面図である。図２Ｂは、実施形態２の発光装置の製造方法に係る、遮光部材を形成する工程を示す概略平面図である。図２Ｃは、図２ＢのＸ−Ｘ’線における概略断面図である。図２Ｄは、実施形態２の発光装置の製造方法に係る、導電部材を形成する工程を示す概略断面図である。図２Ｅ及び図２Ｆは、実施形態２の発光装置の製造方法に係る、導電部材を切断する工程を示す概略断面図である。なお、図２Ａ〜図２Ｆでは、一対の導電部材のうち、１つの導電部材２３ａのみを図示する。実施形態２の発光装置の製造方法では、実施形態１と異なり、導電部材を形成する前に、導電部材を設ける位置に一対の凹部を有する遮光部材を形成する。これにより、導電部材を、所望の領域に容易に形成することができる。
具体的には、まず、図２Ａに示されるように、主発光面Ｍと、その反対側の面であって一対の電極２ａ、２ｂを有する面と、を備える２つの発光素子２を、電極２ａ、２ｂを上向きにして隣接するように基体１上に配置する。
次に、図２Ｂ及び図２Ｃに示されるように、一方の発光素子２の電極２ａ、２ｂから他方の発光素子２の電極２ａ、２ｂにわたる一対の凹部２４ａ、２４ｂを有する遮光部材２４を形成する。言い換えると、それぞれの発光素子２の電極２ａ、２ｂの少なくとも一部が、凹部を形成する面の一部となるように（凹部内に露出されるように）、遮光部材２４の一対の凹部２４ａ、２４ｂを形成する。
そして、図２Ｄに示されるように、一対の凹部２４ａ内にそれぞれ導電部材２３ａを形成する。
次に、図２Ｅに示されるように、発光素子２間の一対の導電部材２３ａ及び遮光部材２４を主発光面Ｍに対して垂直に交差する方向に切断する。

実施形態２では、凹部２４ａ、２４ｂを有する遮光部材２４は、例えば、所望の凹部を形成可能な凸形状を有する金型を用いて形成することができる。金型を用いることで、凹部を所望の領域まで形成しやすく、発光素子２間において導電部材が形成される凹部２４ａ、２４ｂと発光素子２の側面との間に遮光部材２４を存在させることができる。したがって、発光素子２の半導体層まで達する深さの凹部２４ａ、２４ｂを形成し、発光装置の実装面から露出する導電部材３ａ、３ｂの面積を広くして放熱性や実装性を確保しつつ、短絡や光吸収が起こりにくい信頼性の高い発光装置を形成することが可能である。

一対の凹部２４ａ、２４ｂの底面は、少なくとも電極２ａ、２ｂの上面が露出する深さまで設けることが好ましい。特に、発光素子間２の遮光部材２４の凹部の底面は、電極２ａ、２ｂの上面よりも下側まで設けることが好ましい。これにより、発光装置の実装面から露出する導電部材３ａ、３ｂの面積を大きくできる。なお、発光素子２間の凹部２４ａ、２４ｂの底面は、発光素子２の主発光面Ｍよりも上側までの深さで設けられることが好ましい。これにより、導電部材を主発光面Ｍと同一面上に露出しないように形成でき、光吸収の少ない発光装置を形成しやすい。

実施形態２では、図２Ｃに示されるように、１つの凹部内で深さが異なる凹部２４ａを形成することができる。実施形態２の凹部２４ａ、２４ｂは、その底面が一対の電極２ａ、２ｂ上において電極の上面が露出する深さで設けられ（以降、浅い凹部２４ｑと記載することがある）、発光素子２間において電極の上面よりも下側まで、且つ、主発光面Ｍよりも上側までの深さ（以降、深い凹部２４ｓと記載することがある）で設けられる。すなわち、段差を有する凹部を形成することができる。このような凹部２４ａ、２４ｂを形成すると、発光素子間に一対の導電部材を架橋させつつ、深い凹部２４ｓによって発光装置の実装面Ｓから露出する導電部材の面積を大きく確保することができる。
なお、浅い凹部２４ｑの深さは、例えば３０μｍ〜１００μｍとすることができる。そうすることで、凹部に導電部材を形成したときに、導電部材が凹部の外へ溢れにくい。また、深い凹部２４ｓ（浅い凹部からさらに凹んでいる部分の深さ）は、例えば３０μｍ〜１００μｍとすることができる。そうすることで、発光装置の実装面から十分な面積の導電部材を露出させやすい。

なお、凹部２４ａ、２４ｂの形成領域は、以下のように設定することが好ましい。凹部２４ａ、２４ｂは、発光素子２の配列方向において、少なくとも凹部を架橋させる電極と電極の対向する側面よりも外側まで、より好ましくは、凹部を架橋させる電極の上面から上面まで設けることが好ましい。これにより、導電部材と電極２ａ、２ｂとの接触面積を十分に確保することができ、放熱性のよい発光装置を形成しやすい。なお、発光素子２間の深い凹部２４ｓは、発光素子２の配列方向において、隣接する発光素子２の側面が露出しないように形成することが好ましい。これにより、導電部材２３と発光素子２の間に遮光部材２４を存在させることができ、短絡が発生しにくく、導電部材による光吸収の少ない発光装置を形成しやすい。なお、凹部２４ａ、２４ｂは、図２Ｂに示されるように、他方の凹部と離間して形成することが好ましい。例えば、一方の凹部と他方の凹部を１００μｍ〜１５０μｍ離間させて形成することが好ましい。これにより、一対の凹部２４ａ、２４ｂに形成される一対の導電部材を絶縁させることができる。また、凹部２４ａ、２４ｂは、後の個片化工程において切断される発光素子２の側面に平行な切断面のうち、発光装置の側面となる面よりも外側まで形成してもよい。これにより、発光装置の側面からも導電部材を露出させることができ、発光装置と実装基板との接合強度を高めることができる。なお、凹部２４ａ、２４ｂは、後の個片化工程において切断される発光素子２の側面に平行な切断面のうち、発光装置の上面となる面よりも内側に形成することが好ましい。これにより、実装基板に実装する際の接着剤による光吸収が少ない発光装置を形成しやすい。

なお、凹部２４ａ、２４ｂは前述のように１つの凹部内で深さが異なっていなくてもよく、均一な深さで形成されていてもよい。例えば、電極の上面までの深さの一対の凹部を形成することができる。これにより、複雑な形状の金型を用いなくてもよいので、コストを削減することができる。また、凹部２４ａ、２４ｂを、後に切断される発光素子２の側面に平行な切断面のうち、発光装置の上面となる面よりも外側まで形成し、発光装置の上面からも導電部材２３が露出するように形成してもよい。この形態については、実施形態５で詳述する。

図２Ｂに示されるように、導電部材が形成される凹部２４ａ、２４ｂは、平面視で矩形状に形成することができる。また、導電部材が形成される凹部２４ａ、２４ｂを、平面視で発光素子間において幅広になる形状に形成してもよい。例えば、凹部２４ａ、２４ｂの平面形状は、円形、楕円形、六角形等に形成してもよい。この場合、後の工程で、発光素子間の一対の導電部材の幅広部分及び遮光部材を主発光面に対して垂直に切断することで、実装面に向かって幅広の導電部材を有する発光装置を形成することができる。これにより、発光装置の放熱性を向上させやすい。なお、このように平面視で比較的複雑な形状の凹部であっても、実施形態２のように金型を用いれば、容易に形成することができる。

実施形態２では、導電部材２３を凹部２４ａ、２４ｂに形成するので、導電部材２３の材料、粘度、形成方法は自由に選択することができる。特に、Ａｇペースト等の導電性ペーストを用いてポッティングによって形成することが好ましい。Ａｇペースト等の導電性ペーストは、半田等に比べて比較的溶融温度が低いため、実施形態２のように、導電部材よりも先に遮光部材を形成する場合でも、遮光部材の変色や劣化を抑制して導電部材２３を形成することができる。また、導電部材２３をポッティングで形成することで、深い凹部２４ｓ、浅い凹部２４ｑへ段階的に供給しやすく、凹部へ隙間なく導電部材２３を充填することができる。なお、印刷法によれば、密に形成された凹部へ効率よく導電部材２３を形成することができる。

実施形態２では、図２Ｆに示されるように、発光装置２０の実装面Ｓ及び背面Ｕ（製造工程における上面側）から、一対の導電部材２３ａを露出させることができる。これにより、発光装置２０の放熱性、実装性を向上させることができる。なお、背面Ｕ上にさらに遮光部材を形成し、遮光部材に挟まれた一対の導電部材を切断することで、発光装置を形成してもよい。これにより、一対の導電部材を保護しつつ、個々の発光装置２０に個片化することができる。
上述した工程以外は、実質的に実施形態１と同様の工程を行うことができるため、詳細な説明は省略する。

なお、一対の凹部は、実施形態２のように金型の凸形状によって形成する他、例えば、発光素子２を被覆するように遮光部材を設けた後、遮光部材の一部を除去することで形成してもよい。この形態については、実施形態３で詳述する。

＜実施形態３＞
図３Ａ〜図３Ｄは、実施形態３の発光装置の製造方法に係る、遮光部材の凹部を形成する工程を示す概略断面図である。図３Ｅは、実施形態３の発光装置の製造方法に係る、導電部材を形成する工程を示す概略断面図である。図３Ｆは、実施形態３の発光装置の製造方法に係る、導電部材を切断する工程を示す概略断面図である。実施形態３の発光装置３０の製造方法では、遮光部材３４の一対の凹部の形成方法が、実施形態２と異なる。なお、図３Ａ〜図３Ｆでは、一対の凹部のうち、１つの凹部３４ａのみを図示する。また、一対の導電部材のうち、１つの導電部材３３ａのみを図示する。
実施形態３では、まず、実施形態１，２と同様に、基体１上に２つの発光素子２を隣接するように配置する。
そして、図３Ａに示されるように、少なくとも発光素子２間を被覆する遮光部材３４を一体に設ける。
その後、図３Ｂに示されるように、適宜ハーフダイシング、マスクを用いたエッチング等の公知の方法で遮光部材３４の一部を除去することで、凹部３４ａを形成する。特に、汎用性や加工精度の観点から、ハーフダイシングで凹部３４ａを形成することが好ましい。

具体的には、遮光部材を、トランスファーモールド、コンプレッションモールド、スクリーン印刷、ポッティング等で、基体１上に配置された２つの発光素子２を埋設するように、一対の電極２ａ、２ｂの上面よりも高い位置まで設ける。そして、所望の凹部が形成可能な形状、太さのブレードで、導電部材を架橋させる電極の上面を被覆する遮光部材と、その間の遮光部材とが連続的に除去されるようにハーフダイシングする。または、導電部材を架橋させる電極の上面を被覆する遮光部材及び導電部材の一部と、その間の遮光部材とが連続的に除去されるようにハーフダイシングする。ハーフダイシングは、例えば発光素子２の電極２ａ、２ｂの下面よりも上側まで行われることが好ましい。これにより、発光素子２を損傷させることなく遮光部材及び電極の一部を除去し、凹部３４ａを形成することができる。

なお、太さの異なるブレードを用い、実施形態３と同様に浅い凹部３４ｑと深い凹部３４ｓからなる凹部３４ａを設けてもよい。例えば、図３Ａ及び図３Ｂに示されるように、太いブレード５ａによって、２つの発光素子の電極２ａ、２ｂの上面から上面までの幅であって、且つ、電極２ａ、２ｂの上面から下面のいずれかまでの深さで設けられる浅い凹部３４ｑを形成することができる。また、図３Ｃ及び図３Ｄに示されるように、細いブレード５ｂによって、発光素子２間において、発光素子２の側面まで至らない幅で、浅い凹部３４ｑの底面から主発光面Ｍよりも上側までの深さで設けられる深い凹部３４ｓを形成することができる。なお、浅い凹部３４ｑと深い凹部３４ｓを形成する順番は特に限定されず、深い凹部３４ｓを形成してから浅い凹部３４ｑを形成してもよい。

上述した工程以外は、実質的に実施形態２と同様の工程を行うことができる。具体的には、図３Ｅに示されるように、導電部材３４ａを形成し、図３Ｆに示されるように、個々の発光装置３０に個片化する。なお、前述のように、導電部材及び遮光部材の上面（発光装置の背面Ｕ）上にさらに遮光部材を形成し、遮光部材に挟まれた一対の導電部材を切断することで、発光装置を形成してもよい。これにより、一対の導電部材を保護しつつ、個々の発光装置に個片化することができる。

以上のように、実施形態３の発光装置の製造方法によれば、ブレードの太さや形状、ハーフダイシングの深さ等を制御することで、複雑な形状の金型を用いることなく、容易に所望の凹部を有する遮光部材３４を形成することができる。したがって、コストを削減しつつ、所望の領域に精度よく導電部材を形成することができる。

＜実施形態４＞
図４Ａ及び図４Ｂは、実施形態４の発光装置の製造方法に係る、第１の遮光部材を形成する工程を示す概略断面図である。図４Ｃは、実施形態４の発光装置の製造方法に係る導電部材を形成する工程を示す概略断面図である。なお、図４Ｃは、図５のＸ−Ｘ’線における概略断面図である。図４Ｄ及び図４Ｅは、実施形態４の発光装置の製造方法に係る、第２の遮光部材を形成する工程を示す概略断面図である。図４Ｆ及び図４Ｇは、実施形態４の発光装置の製造方法に係る、導電部材を切断する工程を示す概略断面図である。なお、図４Ａ〜図４Ｇでは、一対の導電部材のうち、１つの導電部材４３ａのみを図示する。実施形態４の発光装置の製造方法では、遮光部材を複数回に分けて形成する点で、実施形態１〜３と異なる。
実施形態４では、まず、図４Ｂに示されるように、主発光面Ｍと、主発光面Ｍと反対側であって一対の電極２ａ、２ｂを有する面と、を有する２つの発光素子２を、電極２ａ、２ｂを上向きにして隣接するように基体１上に配置する。
次に一対の電極２ａ、２ｂの上面が露出するように、少なくとも発光素子間を被覆する第１の遮光部材４４ａを形成する。第１の遮光部材４４ａは、例えば図４Ａに示されるように、基体１上に配置した２つの発光素子２を一体に被覆する遮光部材を形成し、一対の電極２ａ、２ｂが露出するように切削・研磨等で遮光部材（及び導電部材）の一部を除去することで形成することができる。
次に、図４Ｃに示されるように、一方の発光素子２の電極２ａ、２ｂから他方の発光素子２の電極２ａ、２ｂにわたる一対の導電部材４３ａを形成する。このとき、それぞれの導電部材４３ａは、一方の発光素子２の電極上から、発光素子２間の第１の遮光部材４４ａ上、他方の発光素子２の電極上へ連続的に形成する。
次に、図４Ｅに示されるように、一対の導電部材４３ａ及び第１の遮光部材４４ａを被覆する第２の遮光部材４４ｂを形成する。より詳細には、第１の遮光部材４４ａ及び電極２ａ、２ｂの上面に、少なくとも導電部材４３ａの側面を被覆する第２の遮光部材４４ｂを形成する。第２の遮光部材４４ｂは、例えば図４Ｄに示されるように、導電部材４３ａの上面よりも高い位置まで遮光部材を設け、導電部材４３ａの上面が露出するように、その一部を切削・研磨等で除去することで形成することができる。これにより、発光装置４０の背面Ｕからも一対の導電部材４３ａを露出させることができる。
そして、少なくとも発光素子２間の第１の遮光部材４４ａ及び一対の導電部材４３を、主発光面Ｍに対して垂直に切断し、個片化することで、発光装置４０を形成することができる。なお、導電部材４３の上面が第２の遮光部材４４ｂに被覆された状態で、発光素子２間の第１の遮光部材４４ａ及び第２の遮光部材４４ｂで挟まれた一対の導電部材４３ａを主発光面Ｍに対して垂直に切断してもよい。これにより、一対の導電部材を保護しつつ、個々の発光装置４０に個片化することができる。
上述した工程以外は、実質的に実施形態１と同様の工程を行うことができる。

このような発光装置の製造方法によって、複雑な形状の金型や、ハーフダイシングによる高い加工精度を要さずに、容易に所望の領域に一対の導電部材を形成しやすい。

図５は、図４Ｃの概略平面図である。実施形態４では、半田等の導電部材４３（４３ａ、４３ｂ）を、金属からなる発光素子２の電極２ａ、２ｂ上を架橋するように、電極２ａ、２ｂ及び発光素子２間の第１の遮光部材４４ａ上に連続するように配置する。樹脂を母材とする第１の遮光部材４４ａ上は、金属に比べて半田等の導電部材４３ａ、４３ｂが濡れにくいので、導電性ペーストを用いてマスク印刷で形成すると、第１の遮光部材４４ａ上にも連続的に導電部材４３を形成しやすく好ましい。実施形態４では、図５に示されるように、第１の遮光部材４４ａ上の導電部材４３ａ、４３ｂの幅が、電極２ａ、２ｂ上の導電部材４３ａ、４３ｂの幅に比べて細く形成されることがある。これにより、発光装置４０の実装面Ｓにおいてそれぞれの導電部材４３ａ、４３ｂの間隔を十分に確保することができ、実装基板へ実装した際の発光装置４０の短絡を防止することができる。

＜実施形態５＞
図６Ａ及び図６Ｂは、本発明の実施形態５の発光装置の製造方法を説明する概略平面図である。実施形態５は、３つ以上の発光素子２を一組として、それらの発光素子２の電極上にわたる一対の導電部材５３（５３ａ、５３ｂ）を形成する点で、実施形態１〜４と異なる。

例えば、図６Ａに示されるように、３つ以上の発光素子２（図中では４つ）を一組として、電極２ａ、２ｂが上向きになるように基体１上に列方向に配置し、隣接する各発光素子の電極上に連続するように一対の導電部材５３（５３ａ、５３ｂ）を形成する。
そして、発光素子２及び導電部材５３を被覆する遮光部材を形成し、少なくとも各発光素子２間の一対の導電部材５３及び遮光部材を主発光面Ｍに垂直な方向に切断することで、実装面Ｓから一対の導電部材５３が露出するサイドビュー型の発光装置に個片化することができる。
実施形態５では、例えば図６Ａの一点破線で示される位置で切断することで、実装面Ｓと反対側の発光装置の上面からも一対の導電部材を露出させることができ、上面、下面のいずれかを実装面として自由に選択可能な発光装置を形成することができる。この場合、発光装置の上面と下面のうち、主発光面に対して正負の端子（正負の電極に接続するそれぞれの導電部材５３ａ、５３ｂ）の左右の位置が同じとなる面を実装面として選択できるので、２つの発光素子２を基体１上に配置する際に、それぞれの発光素子２の同極同士が隣接（対向）するように配置してもよい。

また、図６Ｂに示されるように、例えば、隣り合う行（又は列）の一方の行（又は列）の発光素子２の一対の電極と、他方の行（又は列）の発光素子２の一対の電極とが対向するように、発光素子２を基体１上に配置し、隣り合う４つの発光素子の対向する４つの電極上にわたる導電部材５３ｃを形成する。
そして、発光素子２間の導電部材５３ｃ及び遮光部材を主発光面に垂直に（図中の一点破線で示される位置で）切断することで、発光装置の実装面及び側面から導電部材が露出する発光装置を形成することができる。これにより、放熱性、実装性が高い発光装置を形成しやすい。

なお、実施形態５では、遮光部材よりも先に導電部材５３ａ、５３ｂ、５３ｃを形成する形態を示したが、これに限らず、３つ以上の発光素子２の電極上にわたる一対の凹部を有する遮光部材を形成し、凹部に導電部材を形成してもよい。これにより、発光素子の電極上の所望の領域に、精度よく導電部材を形成しやすい。

本発明の実施形態に係る発光装置は、照明用光源、各種インジケーター用光源、車載用光源、ディスプレイ用光源、液晶のバックライト用光源、センサー用光源、信号機等、種々の発光装置に使用することができる。

１ 基体
２ 発光素子
２ａ、２ｂ 電極
３（３ａ、３ｂ）、２３ａ、４３（４３ａ、４３ｂ）、５３（５３ａ、５３ｂ）、５３ｃ 導電部材
４、２４、３４、４４ 遮光部材
４４ａ 第１の遮光部材
４４ｂ 第２の遮光部材
２４ａ、２４ｂ、３４ａ 凹部
２４ｑ、３４ｑ 浅い凹部
２４ｓ、３４ｓ 深い凹部
５、５ａ、５ｂ ブレード
６ 実装基板
７ 波長変換層
８ 透光層
９ 端子被覆膜
１０、２０、３０、４０ 発光装置

Claims (16)

1. 主発光面と反対側の面に一対の電極を有する２つの発光素子を、前記電極を上向きにして隣接するように基体上に配置し、
   少なくとも前記発光素子間を被覆する遮光部材を形成した後、該遮光部材に、一方の前記発光素子の前記電極から他方の前記発光素子の前記電極にわたる一対の凹部を形成し、
   その後、前記凹部において、一方の前記発光素子の前記電極から他方の前記発光素子の前記電極にわたる一対の導電部材を形成し、
   前記発光素子間の前記一対の導電部材及び前記遮光部材を、前記主発光面に対して垂直な方向に切断することを含む発光装置の製造方法。
2. 主発光面と反対側の面に一対の電極を有する２つの発光素子を、前記電極を上向きにして隣接するように基体上に配置し、
   一方の前記発光素子の前記電極から他方の前記発光素子の前記電極にわたる一対の導電部材を形成し、
   少なくとも前記発光素子間を被覆し、かつ前記導電部材の上面を露出させるように遮光部材を形成し、
   前記発光素子間の前記一対の導電部材及び前記遮光部材を、前記主発光面に対して垂直な方向に切断することを含む発光装置の製造方法。
3. 主発光面と反対側の面に一対の電極を有する２つの発光素子を、前記電極を上向きにして隣接するように基体上に配置し、
   一方の前記発光素子の前記電極から他方の前記発光素子の前記電極にわたる一対の導電部材を形成し、
   少なくとも前記発光素子間を被覆する遮光部材を形成し、
   前記発光素子間の前記一対の導電部材及び前記遮光部材を、前記主発光面に対して垂直な方向に切断して、互いに隣接する２つの面に前記導電部材を露出させることを含む発光装置の製造方法。
4. 前記導電部材は、導電性ペースト又は共晶合金である請求項１〜３のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
5. 一方の前記発光素子の前記電極から他方の前記発光素子の前記電極にわたる一対の凹部を有する前記遮光部材を形成した後、前記凹部に前記導電部材を形成する請求項２、３又は請求項２もしくは３に従属する請求項４のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
6. 前記凹部は、金型による成形で形成する請求項１、請求項２又は３に従属する請求項５のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
7. 前記凹部は、前記発光素子を被覆するように前記遮光部材を設けた後、前記遮光部材の一部を除去することで形成する請求項１、請求項２又は３に従属する請求項５のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
8. 前記凹部は、前記発光素子間において前記電極の上面よりも下側、且つ、前記主発光面よりも上側まで形成される請求項１、請求項２又は３に従属する請求項５〜７のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
9. 前記導電部材を形成した後に、前記発光素子及び前記導電部材を前記遮光部材で被覆する請求項２、３又は請求項２もしくは３に従属する請求項４のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
10. 前記導電部材は、前記発光素子間において前記電極の上面よりも下側、且つ、前記主発光面よりも上側まで形成される請求項１〜９のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
11. 前記２つの発光素子は、それぞれの発光素子の異極同士が隣接するように配置する請求項１〜１０のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
12. 前記遮光部材は、第１の遮光部材と第２の遮光部材とを含み、
    前記電極の上面が露出するように前記第１の遮光部材を形成した後、
    一方の前記発光素子の前記電極から他方の前記発光素子の前記電極にわたる前記一対の導電部材を形成し、
    その後、前記導電部材及び前記第１の遮光部材を被覆する前記第２の遮光部材を形成することを含む請求項１〜１１のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
13. 前記発光素子間において前記一対の導電部材及び前記遮光部材を切断した切断面が発光装置の実装面であり、前記実装面に対して垂直な主発光面側が発光装置の発光面である請求項１〜１２のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
14. 前記遮光部材を、前記基体の上面まで配置する請求項１〜１３のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
15. 透光性を有し、前記発光素子からの光を波長変換可能な波長変換部材を含有する前記基体を用い、前記基体を、前記発光素子間の前記一対の導電部材及び前記遮光部材と一緒に切断する請求項１〜１４のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
16. さらに、前記遮光部材を前記発光素子の側面に対して平行に切断することで、個々の発光装置に個片化する請求項１〜１５のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。