JP7158647B2 - 発光装置の製造方法 - Google Patents

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Description

実施形態は、発光装置の製造方法に関する。
特許文献1には、側面発光型の発光装置が開示されている。特許文献1の発光装置では、背面側に回路基板を備えることにより発光面と背面との間の厚みが厚くなる傾向がある。
特開2012-124191号公報
実施形態は、小型の発光装置の製造方法を提供することを目的とする。
実施形態に係る発光装置の製造方法は、光反射板上に、一対の電極、半導体積層体及び透光性部材が、前記光反射板の表面に平行な方向に沿って配列された積層体を載置する工程と、前記光反射板上に、前記積層体を覆う光反射部材を形成する工程と、前記光反射部材の上面から各前記電極に到達する一対の孔を形成する工程と、各前記孔の内部及び前記光反射部材の上面上に、前記一対の電極のそれぞれに接続され、相互に離隔した一対の導電部材を形成する工程と、を備える。
実施形態によれば、小型の発光装置の製造方法を実現できる。
第1の実施形態に係る発光装置を示す斜視図である。 第1の実施形態に係る発光装置を示す斜視図である。 第1の実施形態に係る発光装置を示す斜視図である。 第1の実施形態に係る発光装置を第1面側から見た図である。 第1の実施形態に係る発光装置を第3面側から見た図である。 第1の実施形態に係る発光装置を第2面側から見た図である。 第1の実施形態に係る発光装置を示す端面図である。 第1の実施形態に係る発光装置を搭載した光源装置を示す端面図である。 第1の実施形態に係る発光装置を搭載した光源装置を示す正面図である。 第1の実施形態に係る発光装置の製造方法を示す平面図である。 図4Aに示すA-A’線による端面図である。 第1の実施形態に係る発光装置の製造方法を示す平面図である。 図5Aに示すA-A’線による端面図である。 第1の実施形態に係る発光装置の製造方法を示す平面図である。 図6Aに示すA-A’線による端面図である。 第1の実施形態に係る発光装置の製造方法を示す平面図である。 図7Aに示すA-A’線による端面図である。 第1の実施形態に係る発光装置の製造方法を示す平面図である。 図8Aに示すA-A’線による端面図である。 第1の実施形態に係る発光装置の製造方法を示す平面図である。 図9Aに示すB-B’線による端面図である。 図9Aに示すC-C’線による端面図である。 第1の実施形態に係る発光装置の製造方法を示す平面図である。 図10Aに示すB-B’線による端面図である。 図10Aに示すC-C’線による端面図である。 第1の実施形態に係る発光装置の製造方法を示す平面図である。 図11Aに示すB-B’線による端面図である。 図11Aに示すC-C’線による端面図である。 第1の実施形態に係る発光装置の製造方法を示す平面図である。 図12Aに示すB-B’線による端面図である。 図12Aに示すC-C’線による端面図である。 第1の実施形態に係る発光装置の製造方法を示す平面図である。 図13Aに示すB-B’線による端面図である。 図13Aに示すC-C’線による端面図である。 第1の実施形態に係る発光装置の製造方法を示す平面図である。 図14Aに示すB-B’線による端面図である。 図14Aに示すC-C’線による端面図である。 第1の実施形態に係る発光装置の製造方法を示す平面図である。 図15Aに示すB-B’線による端面図である。 図15Aに示すC-C’線による端面図である。 第1の実施形態に係る発光装置の製造方法を示す平面図である。 図16Aに示すB-B’線による端面図である。 図16Aに示すC-C’線による端面図である。 第1の実施形態に係る発光装置の製造方法を示す平面図である。 図17Aに示すB-B’線による端面図である。 図17Aに示すC-C’線による端面図である。 第1の実施形態に係る発光装置の製造方法を示す平面図である。 図18Aに示すB-B’線による端面図である。 図18Aに示すC-C’線による端面図である。 第2の実施形態に係る発光装置を第1面側から見た図である。 第2の実施形態に係る発光装置を第3面側から見た図である。 第2の実施形態に係る発光装置を第2面側から見た図である。 第2の実施形態に係る発光装置を示す端面図である。 第2の実施形態に係る発光装置の製造方法を示す平面図である。 図20Aに示すB-B’線による端面図である。
<第1の実施形態>
先ず、第1の実施形態について説明する。
以下、本実施形態に係る発光装置の構成、及び、発光装置の製造方法について順に説明する。
なお、以下で参照する各図は模式的なものであり、構成要素は適宜強調又は省略されている。また、図間において、構成要素の寸法比は必ずしも一致していない。また、本開示において「垂直」及び「直交」とは、特に他の言及がない限り、2つの直線、辺、面等のなす角度が90°から±3°程度の範囲にある場合を含む。本開示において「平行」とは、特に他の言及がない限り、2つの直線、辺、面等のなす角度が0°から±3°程度の範囲にある場合を含む。更に、本開示において「接続」とは、電気的な接続を意味する。
(発光装置1)
本実施形態に係る発光装置の構成について説明する。
図1A~図1Cは、本実施形態に係る発光装置1を示す斜視図である。
図2Aは本実施形態に係る発光装置1を第1面(光出射面)40a側から見た図であり、図2Bは本実施形態に係る発光装置1を第3面(光出射面の反対側の面)40c側から見た図であり、図2Cは本実施形態に係る発光装置1を第2面(実装面)40b側から見た図であり、図2Dは本実施形態に係る発光装置を示す端面図であり、図1Cに示すD-D’線に沿った端面を示す。図2A~図2Cでは、発光装置1の外観に表れない部分の一部を破線で示している。
図3Aは、本実施形態に係る発光装置1を搭載した光源装置50を示す端面図であり、図3Bはその正面図である。
図1A~図1Cおよび図2A~図2Dに示すように、本実施形態に係る発光装置1は、一対の電極11a及び11bと、一対の電極11a及び11b上に設けられ、一対の電極11a及び11bに接続された半導体積層体12と、半導体積層体12上に設けられた透光性部材13と、を有する積層体15を備える。また、発光装置1は、積層体15を覆い、第1面16aにおいて透光性部材13が露出した光反射部材16と、一対の電極11a及び11bにそれぞれ接続され、光反射部材16の第1面16aに隣接した第2面16bに到達し、相互に離隔した一対の第1導電部材17a及び17bと、第2面16b上に設けられ、一対の第1導電部材17a及び17bにそれぞれ接続され、相互に離隔した一対の第2導電部材18a及び18bと、を備える。
以下、各構成部材を詳細に説明する。
積層体15及び光反射部材16により、構造体40が構成されている。構造体40の形状は概ね直方体であり、第1面40a、第2面40b、第3面40c、第4面40d、第5面40e及び第6面40fを有している。発光装置1は、第2面40bを実装面とし、第2面40bと実装基板の上面が対向して配置される側面発光型(サイドビュータイプ)の発光装置である。
構造体40の第1面40aは発光装置1の光出射面であり、光反射部材16の第1面16a及び透光性部材13によって構成されている。構造体40の第2面40bは発光装置1の実装面であり、光反射部材16の第2面16b並びに一対の第1導電部材17a及び17bの先端面によって構成されている。構造体40の第3面40cは第1面40aの反対側の面であり、光反射部材16の第3面16c、電極11a及び11b、並びに、第1導電部材17a及び17bによって構成されている。構造体40の第4面40dは例えば、全体が光反射部材16によって構成されている。第4面40dは第2面40bの反対側に位置している。構造体40の第5面40e及び第6面40fは、第1面40a、第2面40b、第3面40c及び第4面40dに隣接した面であり、例えば、全体が光反射部材16によって構成されている。第6面40fは第5面40eの反対側に位置している。
構造体40は、少なくとも1つの積層体15を有する。積層体15は、発光装置1の光源として機能し、発光素子10と透光性部材13とを有する。発光素子10は、例えば発光ダイオード(Light Emitting Diode:LED)であり、半導体積層体12と、一対の電極11a及び11bを有する。半導体積層体12においては、n層、発光層、p層が積層されており、n層及びp層のうち一方は電極11aに接続されており、他方は電極11bに接続されている。構造体40は、第3面40cにおいて、一対の電極11a及び11bの表面に金等の金属層を有することができる。これにより、一対の電極11a及び11bが銅等の酸化しやすい部材からなる場合であっても、各電極の表面が酸化することを抑制できる。
一対の電極11a及び11bは、構造体40の第3面40cにおいて、光反射部材16から露出している。これにより、発光素子10が発する熱を構造体40の第3面40cから効率的に排出することができる。図1Bに示す例では、第3面40cは平坦であり、一対の電極11a及び11bの周囲には光反射部材16が設けられている。第3面40cにおいて露出した電極11a及び11bの形状は例えば矩形である。
透光性部材13は、発光素子10上に設けられている。発光素子10上に透光性部材13を配置することで、外部応力から発光素子10を保護することができる。透光性部材13の側面は、光反射部材16によって被覆されている。これにより、発光領域と非発光領域とのコントラストが高くなり、見切り性の良好な発光装置を得ることができる。図1A~図2Dに示す例では、光出射面である第1面40aは平坦であり、透光性部材13の周囲には光反射部材16が設けられている。
透光性部材13は、蛍光体層13a、蛍光体層13b及び透光層13cのうち、少なくとも1つを有する。透光性部材13は蛍光体層13aを有することが好ましい。蛍光体層13a及び13bは蛍光体を含有する。これにより、発光素子10が発する光と、蛍光体が発する光とを混色して、所望の混色光を出力することができる。蛍光体は、蛍光体層に均一に分散させてもよく、また、蛍光体層の上面よりも発光素子10側に偏在させてもよい。蛍光体層の上面よりも発光素子10側に蛍光体を偏在させることで、水分に弱い蛍光体が水分によって劣化することを抑制できる。水分に弱い蛍光体としては、例えばマンガン賦活フッ化物系蛍光体を挙げることができる。マンガン賦活フッ化物系蛍光体は、スペクトル線幅の比較的狭い発光が得られるため、色再現性の観点において好ましい蛍光体である。1つの蛍光体層には、1種の蛍光体が含まれていてもよく、複数種の蛍光体が含まれていてもよい。
透光性部材13は複数の蛍光体層を有することができる。例えば、透光性部材13は、マンガン賦活フッ化物系蛍光体を含有する蛍光体層と、βサイアロン系蛍光体を含有する蛍光体層とを含むことができる。なお、蛍光体層は単層でもよく、単層の蛍光体層にマンガン賦活フッ化物系蛍光体及びβサイアロン系蛍光体が含有されてもよい。
図1A~図2Dに示す例では、透光性部材13において、蛍光体層13a、蛍光体層13b及び透光層13cがこの順に積層されている。蛍光体層13a及び13bにおいては、それぞれ、透明材料からなる母材中に蛍光体が含有されている。これにより、発光装置1は、発光素子10が出力する光と、蛍光体層13a中の蛍光体が放射する光と、蛍光体層13b中の蛍光体が放射する光を混色して、所望の混色光を出力することができる。一例では、発光素子10は青色の光を出力し、蛍光体層13aは緑色の光を放射し、蛍光体層13bは赤色の光を放射し、発光装置1全体としては白色の光を出力する。透光層13cは透明材料からなり、蛍光体を実質的に含有していない。なお、本明細書において「実質的に含有していない」とは、不可避的な混入は許容することを意味する。
積層体15は、発光素子10と透光性部材13との間、及び発光素子10の側面上に、導光部材14を有することができる。導光部材14は、発光素子10の側面を被覆し、発光素子10の側面から出射される光を発光装置1の上面(光出射面である第1面40a)方向に導光する。発光素子10の側面に導光部材14を配置することで、発光素子10の側面に到達した光の一部がこの側面で反射されて発光素子10内に再進入し、減衰することを抑制できる。導光部材14は、発光素子10の上面及び側面を被覆することができる。これにより、発光素子10と導光部材14との密着強度を向上させることができる。導光部材14は、例えば、樹脂材料を母材として含む部材である。樹脂材料としては、例えば、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などの透光性の樹脂を好適に用いることができる。なお、導光部材14は、光の透過率が高いことが好ましい。そのため、導光部材14は、光を反射、吸収又は散乱する物質は有していないことが好ましい。導光部材14には、光反射部材16よりも発光素子10からの光の透過率が高い部材が選択される。
光反射部材16は、発光装置1の外表面を構成する。図1A~図1Cおよび図2A~図2Dで示す発光装置1では、光反射部材16は、構造体40の第1面(光出射面)40a、第2面(実装面)40b、第3面40c、第4面40d、第5面40e及び第6面40fの何れの外表面にも位置している。また、光反射部材16は、発光素子10の側面と、透光性部材13の側面を被覆している。光反射部材16が発光素子10の側方に位置することで、発光素子10の側方に出射される光を光反射部材16で反射することができ、上方向に効率的に光を取り出すことができる。光反射部材16は、発光素子10の下面も被覆することが好ましい。これにより、例えば、発光素子10から下方に出射される光を上方に反射させることができる。また、光反射部材16が発光素子10の下面を被覆することで、発光素子10と光反射部材16との密着強度を向上させることができる。光反射部材16は、構造体40の第4面40dに位置する第1部材16eと、第4面40d以外の面に位置する第2部材16fと、を有する。
導光部材14と発光素子10との熱膨張率差(これを「第1の熱膨張率差ΔT30」と称する)と、光反射部材16と発光素子10との熱膨張率差(これを「第2の熱膨張率差ΔT40」と称する)とを比較したときに、例えば、ΔT40<ΔT30となるように、光反射部材16の材料を選択することが好ましい。これにより、導光部材14が発光素子10から剥離することを抑制できる。
一対の第1導電部材17a及び17bは、構造体40の第3面40c上に設けられている。第1導電部材17aは、一端が電極11aに接続され、他端が構造体40の第2面40bに到達している。第1導電部材17bは、一端が電極11bに接続され、他端が構造体40の第2面40bに到達している。第1導電部材17aと第1導電部材17bは相互に離隔している。第1導電部材17a及び17bは導電性材料からなり、例えば、固体化した導電ペーストからなる。一対の第1導電部材17a及び17bのそれぞれの形状は、例えば、半円柱状である。
一対の第1導電部材17a及び17bは、構造体40の第5面40e及び第6面40fから離隔していることが好ましい。これにより、後述の如く、接合部材52a及び52bを用いて発光装置1を実装基板51上に実装する際に、第5面40e及び第6面40fの外側に接合部材52a及び52bが流れていくことを抑制できる。その結果、接合部材52a及び52bを含んだ発光装置1の実装面積を小さくすることができる。例えば、エッジ型の液晶表示装置の光源として、実装基板上に複数の発光装置を配置したものを用いる場合、発光装置間は暗部になりやすい。しかし、第1導電部材17a及び17bを上記のように配置すれば、実装基板上に一の発光装置の第5面40eと隣接する他の発光装置の第6面40fとが対向するように複数の発光装置を配置する場合に、各発光装置間の距離を短くすることができる。これにより、各発光装置間において、暗部となる領域を減らすことができる。また、第5面40e又は第6面40fと第3面40cとの境界を含む発光装置1の角部は、外力により欠けや変形が生じやすい。しかし、第1導電部材17a及び17bが第5面40e及び第6面40fから離隔していることにより、発光装置1の角部に上記の外力が生じたとしても、その外力が第1導電部材17a及び17bに及ぼす影響を低減できる。
なお、第1導電部材17a及び17bは、構造体40の第5面40e及び第6面40fまで延出していてもよい。この場合、例えば、第1導電部材17a及び17bの端部を第5面40e及び第6面40fの端部と一致させることができる。また、第1導電部材17a及び17bの一部を、第3面40cに加えて第5面40e及び第6面40fにも形成することができる。これにより、発光装置1の放熱性を向上させることができる。
構造体40の第3面40cに位置する光反射部材16は、一対の電極11a及び11bのそれぞれから第2面40bに向かう一対の溝19a及び19bを有し、一対の第1導電部材17a及び17bがそれぞれの一対の溝19a及び19b内にそれぞれ配置されている。これにより、光反射部材16と第1導電部材17a及び17bとの密着強度を向上させることができる。
溝19a及び溝19bは、例えば、相互に平行であり、且つ、相互に離隔している。溝19aの一端は電極11aに到達し、溝19aの他端は第2面40bに到達している。溝19bの一端は電極11bに到達し、溝19bの他端は第2面40bに到達している。溝19aの一端は、電極11aの外縁よりも電極11aの内側に位置していてもよい。これにより、溝19a内に配置された第1導電部材17aと、発光素子10の電極11aとの密着強度が向上する。同様に、溝19bの一端は、電極11bの外縁よりも電極11bの内側に位置していてもよい。これにより、第1導電部材17bと電極11bとの密着強度が向上する。溝19a及び溝19bは、後述するように例えば第2面40b側からレーザ光を照射することで形成することができる。
構造体40の第2面40b上には、一対の第2導電部材18a及び18bが設けられている。第2導電部材18a及び18bは導電性材料からなり、例えば、ニッケル(Ni)層、白金(Pt)層及び金(Au)層が、光反射部材16側から順に積層された多層膜である。第2導電部材18aと第2導電部材18bは相互に離隔している。第2導電部材18aは第1導電部材17aに接続されており、第2導電部材18bは第1導電部材17bに接続されている。一対の第2導電部材18a及び18bが構造体40の第2面40b上に形成されていることで、発光素子10が発する熱を第2面40b側に効率的に放熱することができる。第2導電部材18a及び18bの形状は、例えば、矩形の平板状である。
構造体40の第2面40bにおいて、第2導電部材18a及び18bは、光出射面である第1面40aから離隔していることが好ましい。これにより、後述の如く、接合部材52a及び52bを用いて発光装置1を実装基板51上に実装する際に、接合部材52a及び52bが第1面40a側に流れていくことを抑制し、透光性部材13の露出面の一部が接合部材52a及び52bによって覆われることを抑制できる。この結果、発光装置1から出射される光が接合部材52a及び52bによって遮られる可能性を低減することができる。
なお、第2導電部材18a及び18bは、第1面40aまで延出していてもよい。この場合、例えば、第2導電部材18a及び18bの端部を第1面40aの端部と一致させることができる。また、第2導電部材18a及び18bの一部を、第2面40bに加えて第1面40aにも形成することができる。これにより、発光装置1の放熱性を向上させることができる。
また、第2導電部材18a及び18bは、第5面40e及び第6面40fから離隔していることが好ましい。これにより、接合部材を用いて発光装置1を実装基板上に実装する際、第5面40e及び第6面40fの外側に接合部材が流れていくことを抑制することができる。その結果、接合部材を含んだ発光装置1の実装面積を小さくすることができる。
なお、第2導電部材18a及び18bは、第5面40e及び第6面40fまで延出していてもよい。この場合、例えば、第2導電部材18a及び18bの端部を第5面40e及び第6面40fの端部と一致させることができる。また、第2導電部材18a及び18bの一部を、第2面40bに加えて第5面40e及び第6面40fにも形成することができる。これにより、発光装置1の放熱性を向上させることができる。
構造体40の第3面40cにおいては、一対の電極11a及び11b並びに一対の第1導電部材17a及び17bが露出している。電極11a及び11b並びに第1導電部材17a及び17bの露出面も含めて、第3面40cは略平坦である。一方、第2導電部材18a及び18bは、構造体40の第2面40bから突出している。第1導電部材17a及び第2導電部材18aにより導電部材20aが構成され、第1導電部材17b及び第2導電部材18bにより導電部材20bが構成される。
次に、本実施形態に係る発光装置1を用いた光源装置50について説明する。
図3A及び図3Bに示すように、発光装置1は、光源装置50の一部を構成する。光源装置50においては、実装基板51が設けられており、実装基板51の実装面51aに、一対の接合部材52a及び52bを介して、発光装置1が搭載されている。発光装置1は、構造体40の第2面40bが実装基板51の実装面51aに対向する向きで配置されている。接合部材52a及び52bは導電性材料からなり、例えば、半田からなる。
実装基板51の配線は、一対の接合部材52a及び52bを介して、発光装置1の一対の第2導電部材18a及び18bにそれぞれ接続されている。これにより、一対の接合部材52a及び52bを介して、発光装置1に電力が供給され、発光装置1より光Lが出射される。光Lの主な出射方向は、実装基板51の実装面51aに対して略平行である。このようにして、側面発光型の光源装置50が実現される。実装基板51上には、複数の発光装置1を配置することができ、複数の発光装置1は、好適には実装基板51の実装面51aに平行な一方向に沿って配置される。
なお、図3Bに示すように、接合部材52aと接合部材52bとの間に、樹脂材料からなる接着部材53を設けてもよい。この場合、発光装置1は、一対の接合部材52a及び52bに加えて、接着部材53によっても、実装基板51に接合される。これにより、発光装置1と実装基板51との接合強度をより強固にすることができる。また、接着部材53が一対の接合部材52a及び52bの間に位置することで、例えば、一対の接合部材52a及び52bが溶融した際に、互いに意図せず接することを抑制できる。つまり、一対の接合部材52a及び52bの間に絶縁性の接着部材53を配置することで、発光装置1における電気的な短絡を容易に抑制することができる。接着部材53は、例えば、エポキシ樹脂により形成することができる。光反射部材16の母材となる樹脂材料としてエポキシ樹脂を用いれば、接着部材53と光反射部材16との接合強度をより一層向上させることができる。発光装置1のうち、光反射部材16のみが接着部材53と接していてもよい。
次に、本実施形態に係る発光装置の製造方法について説明する。
本実施形態に係る発光装置の製造方法は、光反射板112上に、一対の電極11a及び11b、半導体積層体12並びに透光性部材13が、光反射板112の表面112aに平行な方向に沿って配列された積層体23を載置する工程と、光反射板112上に、積層体23を覆う光反射部材116を形成する工程と、光反射部材116の上面116aから各電極11a及び11bに到達する一対の孔119a及び119bを形成する工程と、各孔119a及び119bの内部及び光反射部材116の上面116a上に、一対の電極11a及び11bのそれぞれに接続され、相互に離隔した一対の導電部材20a及び20bを形成する工程と、を備える。
図4A~図18Cは、本実施形態に係る発光装置の製造方法を示す図である。図4A~図18Aは平面図であり、図4B~図18B、図9C~図18Cは、各平面図に対応する端面図である。図4Bは図4Aに示すA-A’線による端面図であり、図4Aと同じ工程を示す。図5A~図8Bについても同様である。図9Bは図9Aに示すB-B’線による端面図であり、図9Aと同じ工程を示す。図9Cは図9Aに示すC-C’線による端面図であり、図9Aと同じ工程を示す。図10A~図18Cについても同様である。
(積層体23を準備する工程)
先ず、積層体23を準備する。積層体23においては、一対の電極11a及び11b、半導体積層体12並びに透光性部材13が、一方向に沿って配列されている。積層体23は、以下に説明する製造工程の一例により製造して準備してもよく、予め製造された積層体23を購入する等して準備してもよい。以下、積層体23を製造して準備する場合の一例を順に説明する。
図4A及び図4Bに示すように、固定板101を準備する。固定板101は、例えば弾性材料からなる。次に、固定板101の表面101a上に、透光層102を設ける。透光層102上に、蛍光体層103を設ける。蛍光体層103においては、透明な母材中に蛍光体が分散されている。蛍光体層103においては、異なる種類の蛍光体を含む複数の層が積層されていてもよい。透光層102及び蛍光体層103により、透光性板104が構成される。このようにして、固定板101上に透光性板104を設ける。透光性板104は、後の工程において分割されることにより、複数の透光性部材13となる。換言すれば、透光性板104は、分離されていない複数の透光性部材13を含んでいる。
図5A及び図5Bに示すように、透光性板104上に、接着剤層14aを介して、発光素子10を搭載する。例えば、複数の発光素子10をマトリクス状に配置する。発光素子10においては、一対の電極11a及び11b、並びに、半導体積層体12が設けられている。発光素子10は、一対の電極11a及び11bが上方を向くように、透光性板104に搭載する。このとき、接着剤層14aの一部は、透光性板104と半導体積層体12との間からはみ出て、半導体積層体12の側面に付着する。接着剤層14aを固体化させると、導光部材14となる。
図6A及び図6Bに示すように、透光性板104を分割し、透光性部材13及び発光素子10を含む積層体23を複数個作製する。透光性板104を分割する工程は、図6Aで示すように、発光素子10の列毎に複数の積層体23が連なった状態で分割することが好ましい。これにより、後の工程の積層体23を回転して配置する工程が容易になる。なお、透光性板104を分割する工程は、積層体23毎に分割してもよい。この段階では、各積層体23に複数の発光素子10が含まれていてもよい。
固定板101が伸縮性を有する部材である場合、図7A及び図7Bに示すように、固定板101を積層体23の配列方向に沿って拡張させる。これにより、積層体23間の距離を増加させて、所定の距離とすることができる。
図8A及び図8Bに示すように、積層体23を、透光性部材13から発光素子10に向かう方向が固定板101の表面101aに平行な方向になるように回転させる。
(積層体23を載置する工程)
一方、図9A~図9Cに示すように、支持体110上に、固定シート111を設け、その上に、光反射板112を設ける。なお、図を簡略化するために、図9Aにおいては、支持体110及び固定シート111を省略している。図10A以降の平面図についても同様である。
図10A~図10Cに示すように、固定板101上に設けられた複数の積層体23を、支持体110上に固定シート111を介して設けられた光反射板112上に配列させる。これにより、光反射板112上に複数の積層体23を載置する。このとき、各積層体23の向きは、一対の電極11a及び11b、半導体積層体12及び透光性部材13が、光反射板112の表面112aに平行な方向に沿って配列されるような向きとなる。複数の積層体23は、図10Aで示すように、隣り合う2つの積層体23を、それぞれの積層体23の一対の電極11a及び11bが相互に対向するように載置することが好ましい。すなわち、ある積層体23の電極11aが隣の積層体23の電極11aと対向し、ある積層体23の電極11bが隣の積層体23の電極11bと対向することが好ましい。例えば、ノズルにより、固定板101から積層体23をピックアップし、光反射板112上にドロップオフする際に、一部の積層体23を180度回転させることにより、上述のような配列とすることができる。これにより、隣り合う2つの積層体23に対して、後の工程を同時に行うことができ、製造工程のリードタイムを効率よく短縮することができる。
複数の積層体23が連なった状態である場合は、図11A~図11Cに示すように、透光性板104を発光素子10毎に分割する。これにより、透光性板104が発光素子10毎に分割されて透光性部材13が形成される。透光性板104のうち、透光層102が透光層13cとなり、蛍光体層103が蛍光体層13a及び13bとなる。なお、図11A~図11Cにおいては、蛍光体層13bは図示を省略している。図12A~図18Cについても同様である。このようにして、積層体23が発光素子10毎に分割される。なお、1つの積層体23に複数の発光素子10を含ませてもよい。
(光反射部材116を形成する工程)
図12A~図12Cに示すように、光反射板112上に、複数の積層体23を覆う光反射部材116を形成する。
好適には、図13A~図13Cに示すように、光反射部材116の上面116aを研削する。これにより、光反射部材116の厚みを所望の厚さに調整することができる。光反射部材116の上面116aは、エッチング、切削、ブラスト等の公知の方法により研削してもよい。
(一対の孔119a及び119bを形成する工程)
図14A~図14Cに示すように、光反射部材116の上面116aから、一対の孔119a及び119bを複数対形成する。孔119aは対向して配置された2つの電極11aの双方に到達させ、孔119bは対向して配置された2つの電極11bの双方に到達させる。孔119aは電極11a内に進入させ、孔119bは電極11b内に進入させることが好ましい。これにより、孔119a及び119b内に配置される一対の導電部材20a及び20bと、電極11a及び11bとの密着強度が向上する。孔119a及び119bを形成する方法は、例えば、レーザ光の照射、エッチング、ブラスト等の公知の方法を用いることができる。孔119a及び119bを形成する方法として、レーザ光の照射を用いることが好ましい。レーザ光を照射することでマスクなどを用いることがなく、光反射部材の一部のみを除去することができる。光反射部材の一部を除去する方法としてレーザ光の照射を用いる場合には、レーザ光の波長は、光反射部材に対する反射率が低い波長、例えば反射率が90%以下である波長を選択することが好ましい。レーザ光の例は、約10600nmの波長を有するレーザ光を出力するCOレーザ、約1064nmの波長を有するレーザ光を出力するNd:YAGレーザ、または、約1064nmの波長を有するレーザ光を出力するNd:YVOレーザ等である。あるいは、非線形光学現象を利用した高調波を発するレーザ光、例えば、第2高調波(約532nm)のレーザ光を出力するNd:YAGレーザを用いることも可能である。
(一対の導電部材20a及び20bを形成する工程)
図15A~図15Cに示すように、一対の孔119a及び119b内に、例えば、導電材料として銀または金の導電ペーストを埋め込む。そして、例えば、熱処理を施すことにより、導電ペーストを固体化させる。これにより、孔119a内に導電部材117aが形成され、孔119b内に導電部材117bが形成される。導電部材117a及び117bの形状は、例えば、円柱形である。
図16A~図16Cに示すように、例えばスパッタ法により、光反射部材116の上面116a上の全体に、導電膜118を形成する。導電膜118は、例えば、ニッケル層、白金層及び金層が光反射部材116側から順に積層された多層膜である。導電膜118は導電部材117a及び117bに接続される。
図17A~図17Cに示すように、例えば、レーザ光の照射、フォトリソグラフィ法及びエッチング法により、導電膜118を選択的に除去して、パターニングする。これにより、導電膜118を複数対の第1部分(第2導電部材18a)及び第2部分(第2導電部材18b)に区画する。1つの第2導電部材18aは1つの導電部材117aに接続され、他の導電部材117a及び全ての導電部材117bからは離隔されるようにする。また、1つの第2導電部材18bは1つの導電部材117bに接続され、他の導電部材117b及び全ての導電部材117aからは離隔されるようにする。導電部材117a及び第2導電部材18aにより、電極11aに接続された導電部材20aが構成され、導電部材117b及び第2導電部材18bにより、電極11bに接続された導電部材20bが構成される。このようにして、各孔119a及び119bの内部及び光反射部材116の上面116a上に、一対の電極11a及び11bのそれぞれに接続され、相互に離隔した一対の導電部材20a及び20bが形成される。
導電膜118を選択的に除去する方法として、レーザ光の照射を用いることが好ましい。レーザ光の照射を用いることでマスクなどを用いることがなく、導電膜118のパターニングをすることができる。また、導電膜118にレーザ光を照射させることで、レーザアブレーションを生じさせ導電膜118の一部を除去することができる。なお、レーザアブレーションとは、固体の表面に照射されるレーザ光の照射強度がある大きさ(閾値)以上になると、固体の表面が除去される現象のことである。
レーザ光の照射を用いて導電膜118を除去する場合には、レーザ光の波長は、導電膜118に対する反射率が低い波長、例えば反射率が90%以下である波長を選択することが好ましい。例えば、導電膜118の最表面が金(Au)である場合には、赤色領域(例えば640nm)のレーザ光よりも、緑色領域(例えば550nm)より短い発光波長のレーザ光を用いることが好ましい。これにより、レーザアブレーションを効率よく発生させ、量産性を高めることができる。
なお、導電部材117a及び117bを形成する工程と導電膜118を形成する工程は、同じ工程であってもよく、異なる工程であってもよい。例えば、光反射部材116の上面116a上に導電ペーストを塗布し、孔119a及び119bの内部および光反射部材116の上面116aに同時に導電膜を形成してもよい。これにより、工程の簡略化が可能となる。
図18A~図18Cに示すように、光反射板112、光反射部材116、導電部材117a及び117bを、積層体23毎、例えば、発光素子10毎に分割する。これにより、分割された光反射板112は光反射部材16の第1部材16eとなり、分割された光反射部材116は光反射部材16の第2部材16fとなる。このようにして、積層体23毎に光反射部材16が形成される。また、導電部材117aは2つの第1導電部材17aとなり、導電部材117bは2つの第1導電部材17bとなる。このようにして、固定シート111上に、複数の発光装置1が製造される。発光装置1は、固定シート111から剥がす、又は、固定シート111を除去することにより、個別に扱うことができる。
以下、本実施形態に係る発光装置1の製造方法、発光装置1及び光源装置50に含まれる各構成要素について、具体例を説明する。
(発光素子10)
発光素子10は、例えばLEDチップである。発光素子10は、例えば、紫外~可視域の発光が可能な窒化物半導体(InAlGa1-x-yN、0≦x、0≦y、x+y≦1)を含む半導体積層構造を有し得る。発光素子10の発光ピーク波長は、発光装置1の発光効率、蛍光体の励起スペクトル及び混色性等を考慮して、400nm以上530nm以下が好ましく、420nm以上490nm以下がより好ましく、450nm以上475nm以下がさらに好ましい。
発光装置1に含まれる発光素子10は1つでもよく、2つ以上でもよい。発光装置1に発光素子10が複数含まれる場合は、複数の発光素子は、例えば、青色光を出射する複数の青色発光素子、青色光、緑色光及び赤色光をそれぞれ出射する3つの発光素子、または、青色光を出射する発光素子と緑色光を出射する発光素子とを組み合わせたものを用いることができる。発光装置1を液晶表示装置等の光源として用いる場合、発光素子として、青色光を出射する1つの発光素子、青色光を出射する2つの発光素子、青色光を出射する3つ以上の発光素子、または、青色光を出射する発光素子と緑色光を出射する発光素子とを組み合わせたものを用いることが好ましい。青色光を出射する発光素子と緑色光を出射する発光素子は、いずれも半値幅が40nm以下の発光素子を用いることが好ましく、半値幅が30nm以下の発光素子を用いることがより好ましい。これにより、青色光及び緑色光が容易に鋭いピークを持つことができる。その結果、例えば、発光装置を液晶表示装置等の光源として用いる場合、液晶表示装置は高い色再現性を達成することができる。また、複数の発光素子は、直列、並列、または直列と並列を組み合わせた接続方法で電気的に接続することができる。
発光素子10の平面形状は、特に限定されないが、正方形状や一方向に長い長方形状とすることができる。また、発光素子10の平面形状として、六角形状やその他の多角形状としてもよい。発光素子10は、一対の正負電極を有する。正負電極は、金、銀、銅、錫、白金、ロジウム、チタン、アルミニウム、タングステン、パラジウム、ニッケル又はこれらの合金で構成することができる。発光素子10の側面は、発光素子10の上面に対して垂直であってもよいし、内側又は外側に傾斜していてもよい。
(透光性部材13)
透光性部材13は発光素子10上に設けられ、発光素子10を保護する部材である。透光性部材13は、単層であってもよく多層であってもよい。透光性部材13が複数の層を有する場合、各層の母材は同じであってもよく、異なっていてもよい。
透光性部材13の母材としては、発光素子10が発する光に対して透光性を有するものが用いられる。本明細書において透光性を有するとは、発光素子10の発光ピーク波長における光透過率が、60%以上であることを指し、好ましくは70%以上であり、より好ましくは80%以上である。透光性部材13の母材は、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、又はこれらの変性樹脂を用いることができる。特に、シリコーン樹脂及びエポキシ樹脂は、耐熱性及び耐光性に優れるため好適に用いられる。シリコーン樹脂としては、ジメチルシリコーン樹脂、フェニル-メチルシリコーン樹脂、ジフェニルシリコーン樹脂などが挙げられる。なお、本明細書における変性樹脂とは、ハイブリッド樹脂を含む。また、透光性部材13の母材はガラスであってもよい。
透光性部材13は、光拡散粒子を含有してもよい。光拡散粒子としては、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛などが挙げられる。光拡散粒子は、これらのうちの1種を単独で、又はこれらのうちの2種以上を組み合わせて用いることができる。特に、光拡散粒子として、線膨張係数の小さい酸化珪素を用いることが好ましい。また、光拡散粒子として、ナノ粒子を用いることが好ましい。これにより、発光素子が発する光の散乱が増大し、蛍光体の使用量を低減することができる。なお、ナノ粒子とは粒径が1nm以上100nm以下の粒子のことをいう。また、本明細書における粒径とは、主にD50で定義される。
透光性部材13は、蛍光体を含むことができる。蛍光体は、発光素子10が発する一次光の少なくとも一部を吸収して、一次光とは異なる波長の二次光を発する部材である。蛍光体は、以下に示す蛍光体のうちの1種を単独で、又は2種以上を組み合わせて用いることができる。また、透光性部材13は、蛍光体と例えばアルミナなどの無機物との焼結体、又は蛍光体の板状結晶であってもよい。
蛍光体としては、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(例えばY(Al,Ga)12:Ce)、ルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(例えばLu(Al,Ga)12:Ce)、テルビウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(例えばTb(Al,Ga)12:Ce)、シリケート系蛍光体(例えば(Ba,Sr)SiO:Eu)、クロロシリケート系蛍光体(例えばCaMg(SiOl2:Eu)、βサイアロン系蛍光体(例えばSi6-zAl8-z:Eu(0<z<4.2))、SGS系蛍光体(例えばSrGa:Eu)、アルカリ土類アルミネート系蛍光体(例えば(Ba,Sr,Ca)MgAl1017-x:Eu,Mn)、αサイアロン系蛍光体(例えばMz(Si,Al)12(O,N)16(但し、0<z≦2であり、MはLi、Mg、Ca、Y、及びLaとCeを除くランタニド元素))、窒素含有アルミノ珪酸カルシウム系蛍光体(例えば(Sr,Ca)AlSiN:Eu)、マンガン賦活フッ化物系蛍光体(一般式(I)A[M1-aMn]で表される蛍光体(但し、上記一般式(I)中、Aは、K、Li、Na、Rb、Cs及びNHからなる群から選ばれる少なくとも1種であり、Mは、第4族元素及び第14族元素からなる群から選ばれる少なくとも1種の元素であり、aは0<a<0.2を満たす))が挙げられる。イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体は、Yの一部をGdで置換することで発光ピーク波長を長波長側にシフトさせることができる。また、マンガン賦活フッ化物系蛍光体の代表例としては、マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体(例えばKSiF:Mn)が挙げられる。
透光性部材13は、蛍光体を含む蛍光体層13a及び/又は13bと、蛍光体を実質的に含有しない透光層13cを備えることができる。蛍光体層13bの上面上に透光層13cを備えることで、透光層13cが保護層として機能を果たし、蛍光体層13b内の蛍光体の劣化を抑制することができる。
(光反射部材16)
光反射部材16は、発光装置1の上面方向への光取り出し効率の観点から、発光素子10の発光ピーク波長における光反射率が、70%以上であることが好ましく、80%以上であることがより好ましく、90%以上であることがさらに好ましい。さらに、光反射部材16は、白色であることが好ましい。光反射部材16は、母材となる樹脂材料に光反射性物質を含有することができる。光反射部材16は、液体状の樹脂材料を固体化することにより得ることができる。光反射部材16は、トランスファ成形、射出成形、圧縮成形またはポッティング法などにより形成することができる。
光反射部材16は、母材として樹脂材料を含むことができる。母材となる樹脂材料は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。具体的には、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂などの変性エポキシ樹脂、エポキシ変性シリコーン樹脂などの変性シリコーン樹脂、変成シリコーン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、変性ポリイミド樹脂、ポリフタルアミド(PPA)、ポリカーボネート樹脂、ポリフェニレンサルファイド(PPS)、液晶ポリマー(LCP)、ABS樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、PBT樹脂等の樹脂を用いることができる。特に、光反射部材16の樹脂材料として、耐熱性及び耐光性に優れたエポキシ樹脂やシリコーン樹脂の熱硬化性樹脂を用いることが好ましい。
光反射部材16においては、上記の母材となる樹脂材料が光反射性物質を含有することが好ましい。光反射性物質としては、発光素子10からの光を吸収しにくく、且つ、母材となる樹脂材料に対して屈折率差の大きい部材を用いることが好ましい。このような光反射性物質は、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム等である。
(接着剤層14a、導光部材14)
導光部材14は、発光素子10の側面を被覆し、発光素子10の側面から出射される光を発光装置1の上面方向、すなわち、第1面40a側に導光する。接着剤層14a及び導光部材14の材料は、光反射部材16で例示した樹脂材料を用いることができる。特に、接着剤層14a及び導光部材14として、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などの熱硬化性の透光性樹脂を用いることが好ましい。なお、接着剤層14a及び導光部材14は、光の透過率が高いことが好ましい。そのため通常、接着剤層14a及び導光部材14は、光を反射、吸収又は散乱する添加物は実質的に含有しないことが好ましい。なお、接着剤層14a及び導光部材14は、上述の透光性部材13と同様の光拡散粒子及び/又は蛍光体を含有してもよい。
光反射部材16、導光部材14及び透光性部材13の母材となる樹脂材料として、エポキシ樹脂を選択することができる。固体化した際にシリコーン樹脂よりも強度の高いエポキシ樹脂を選択することで、発光装置1の強度を向上させることができる。また、各部材の母材を同一種の樹脂材料で形成することで、各部材間の密着強度を向上させることができる。また、上述の接着部材53としてエポキシ樹脂を選択した場合、接着部材53と光反射部材16等との接合強度を向上させることができる。
(実装基板51)
実装基板51は、ガラスエポキシ樹脂、セラミック又はポリイミドなどからなる板状の母材を備えている。また、実装基板51は、母材上に、銅、金、銀、ニッケル、パラジウム、タングステン、クロム、チタン、又はこれらの合金などからなるランド部や配線パターンを備えている。ランド部や配線パターンは例えばメッキ、積層圧着、貼り付け、スパッタ、蒸着、エッチングなどの方法を用いて形成される。
(接合部材52a及び52b)
接合部材52a及び52bには、当該分野で公知の材料をいずれも用いることができる。具体的には、接合部材52a及び52bの材料として、例えば、錫-ビスマス系、錫-銅系、錫-銀系、金-錫系等の半田(具体的には、AgとCuとSnとを主成分とする合金、CuとSnとを主成分とする合金、BiとSnとを主成分とする合金等)、共晶合金(AuとSnとを主成分とする合金、AuとSiとを主成分とする合金、AuとGeとを主成分とする合金等)、銀、金、パラジウム等の導電性ペースト、バンプ、異方性導電材、低融点金属等のろう材等が挙げられる。
(接着部材53)
接着部材53を設ける場合は、例えば、透光性部材13で列挙したエポキシ樹脂等の樹脂材料、又は、接合部材52a及び52bで列挙した材料により、接着部材53を形成することができる。接合部材52a及び52bと、接着部材53は、同一の材料により形成してもよく、別の材料により形成してもよい。接合部材52a及び52b、接着部材53を異なる材料により形成する場合は、接合部材52a及び52bは導電性の材料である半田により形成し、接着部材53はエポキシ樹脂等の樹脂材料により形成することができる。
次に、本実施形態の効果について説明する。
本実施形態においては、図4A~図7Bに示す工程では、固定板101上で積層体23を形成する。そして、図8A及び図8Bに示す工程において、積層体23を回転させて横倒しにした後、図10A~図10Cに示す工程において、支持体110上に固定シート111を介して設けられた光反射板112上に転写させる。その後、図11A~図18Cに示す工程において、支持体110上で積層体23を加工する。このため、常に上方からの加工により、発光装置1を製造することができる。この結果、発光装置1を容易に製造することができる。
また、本実施形態においては、第2導電部材18a及び18bが発光装置1の外部電極として機能する。図3A及び図3Bに示すように、第2導電部材18a及び18bを接合部材52a及び52bを介して実装基板51に接続することにより、側面発光型の発光装置1を実現することができる。構造体40の第3面40c側には、第1導電部材17a及び17bしか設けられていないため、発光装置1の小型化が可能である。
また、本実施形態においては、図14A及び図14Bに示す工程において、光反射部材116の上面116aから、一対の孔119a及び119bを複数対形成し、図15A及び図15Bに示す工程において、孔119a及び119b内に導電部材117a及び117bを形成し、図18A~図18Cに示す工程において、導電部材117a及び117bを、それぞれ、2つの第1導電部材17a及び2つの第1導電部材17bに分割している。これにより、第1導電部材17a及び17bの位置を正確に決定することができる。この結果、例えば、第1導電部材17aと第1導電部材17bとが短絡することを防止できる。また、第1導電部材17a及び17bが構造体40の第3面40cから突出することがなく、第3面40cを平坦にすることができるため、発光装置1をより小型化することができる。
<第2の実施形態>
次に、第2の実施形態について説明する。
図19Aは本実施形態に係る発光装置2を第1面40a側から見た図であり、図19Bは本実施形態に係る発光装置2を第3面40c側から見た図であり、図19Cは本実施形態に係る発光装置2を第2面40b側から見た図であり、図19Dは本実施形態に係る発光装置2を示す端面図である。
(発光装置2)
図19A~図19Dに示すように、本実施形態に係る発光装置2においては、電極11a及び11b、並びに、第1導電部材17a及び17bが光反射部材16中に埋め込まれている。このため、電極11a及び11b、並びに、第1導電部材17a及び17bは、構造体40の第3面40cには露出していない。但し、第1導電部材17a及び17bの一方の先端面は、第2面40bにおいて露出しており、第2導電部材18a及び18bにそれぞれ接続されている。第1導電部材17a及び17bの形状は柱状であり、例えば、円柱状である。
次に、本実施形態に係る発光装置の製造方法について説明する。
図20Aは本実施形態に係る発光装置2の製造方法を示す平面図であり、図20Bは図20Aに示すB-B’線による端面図である。
先ず、図4A~図13Cに示す工程を実施する。この工程の詳細な内容は、第1の実施形態と同様である。
次に、図20A及び図20Bに示すように、光反射部材116に、上面116a側から孔119a及び119bを形成する。このとき、第1の実施形態とは異なり、孔119aは電極11a毎に形成し、孔119bは電極11b毎に形成する。すなわち、孔119aの数は電極11aの数と同じとし、孔119bの数は電極11bの数と同じとする。
その後、図15A~図15Cと同様な工程を実施して、孔119a内に第1導電部材17aを形成すると共に、孔119b内に第1導電部材17bを形成する。次に、図16A~図17Cと同様な工程を実施して、第2導電部材18a及び18bを形成する。次に、図18A~図18Cと同様な工程を実施して、光反射部材116及び光反射板112を発光素子10毎に分割する。このとき、隣り合う第1導電部材17a間及び隣り合う第1導電部材17b間を切断し、切断面が第1導電部材17a及び17bを通過しないようにする。このようにして、本実施形態に係る発光装置2が製造される。
本実施形態によれば、電極11a及び11b、並びに、第1導電部材17a及び17bが光反射部材16中に埋め込まれており、外部に露出していないため、外部環境に起因する劣化要因、例えば、水分や酸素から、電極11a及び11b、並びに、第1導電部材17a及び17bを保護することができる。このため、発光装置2は耐久性及び信頼性が高い。本実施形態における上記以外の構成、製造方法及び効果は、前述の第1の実施形態と同様である。
本発明は、例えば、表示装置の光源等に利用することができる。
1、2:発光装置
10:発光素子
11a、11b:電極
12:半導体積層体
13:透光性部材
13a、13b:蛍光体層
13c:透光層
14:導光部材
14a:接着剤層
15:積層体
16:光反射部材
16a:第1面
16b:第2面
16c:第3面
16e:第1部材
16f:第2部材
17a、17b:第1導電部材
18a、18b:第2導電部材
19a、19b:溝
20a、20b:導電部材
23:積層体
40:構造体
40a:第1面
40b:第2面
40c:第3面
40d:第4面
40e:第5面
40f:第6面
50:光源装置
51:実装基板
51a:実装面
52a、52b:接合部材
53:接着部材
101:固定板
101a:表面
102:透光層
103:蛍光体層
104:透光性板
110:支持体
111:固定シート
112:光反射板
112a:表面
116:光反射部材
116a:上面
117a、117b:導電部材
118:導電膜
119a、119b:孔
L:光

Claims (6)

  1. 光反射板上に、一対の電極、半導体積層体及び透光性部材が、前記光反射板の表面に平行な方向に沿って配列された積層体を載置する工程と、
    前記光反射板上に、前記積層体を覆う光反射部材を形成する工程と、
    前記光反射部材の上面から各前記電極に到達する一対の孔を形成する工程と、
    各前記孔の内部及び前記光反射部材の上面上に、前記一対の電極のそれぞれに接続され、相互に離隔した一対の導電部材を形成する工程と、
    を備えた発光装置の製造方法。
  2. 前記積層体を載置する工程において、2つの前記積層体を、それぞれの前記一対の電極が相互に対向するように前記光反射板上に載置し、
    前記一対の孔を形成する工程において、各前記孔を、対向して配置された2つの前記電極の双方に到達させ、
    前記導電部材を形成する工程の後、前記光反射部材及び各前記導電部材を前記積層体毎に分割する工程をさらに備えた請求項1記載の発光装置の製造方法。
  3. 前記導電部材を形成する工程は、
    前記一対の孔内に導電材料を埋め込む工程と、
    前記光反射部材の上面上に、前記導電材料に接続されるように導電膜を形成する工程と、
    前記導電膜を、前記一対の電極のうち一方の電極に接続された第1部分と、他方の電極に接続された第2部分と、に分割する工程と、
    を有した請求項1または2に記載の発光装置の製造方法。
  4. 前記導電材料は導電ペーストである請求項3記載の発光装置の製造方法。
  5. 固定板上に透光性板を設ける工程と、
    前記透光性板上に、前記一対の電極及び前記半導体積層体を有する発光素子を、前記一対の電極が上方を向くように搭載する工程と、
    前記透光性板を前記発光素子毎に分割することにより、前記透光性板が分割された前記透光性部材及び前記発光素子を含む前記積層体を作製する工程と、
    前記積層体を、前記透光性部材から前記発光素子に向かう方向が前記固定板の表面に平行な方向になるように回転させる工程と、
    をさらに備え、
    前記積層体を載置する工程は、回転後の前記積層体を前記固定板上から前記光反射板上に配列させる工程を有する請求項1~4のいずれか1つに記載の発光装置の製造方法。
  6. 前記積層体を作製する工程と前記回転させる工程の間に、前記固定板を拡張させることにより、前記積層体間の距離を増加させる工程をさらに備えた請求項5記載の発光装置の製造方法。
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000196153A (ja) 1998-12-25 2000-07-14 Rohm Co Ltd チップ電子部品およびその製造方法
JP2002261325A (ja) 2001-03-02 2002-09-13 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置およびその製造方法
JP2008270820A (ja) 2007-04-23 2008-11-06 Samsung Electro Mech Co Ltd 発光装置及びその製造方法
CN105140374A (zh) 2015-08-13 2015-12-09 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种免打线led封装结构及其制备方法
JP2016208037A (ja) 2015-04-22 2016-12-08 ルーメンス カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ及びバックライトユニット
US20170244011A1 (en) 2014-08-12 2017-08-24 Osram Gmbh Lighting device and method for producing such a lighting device
US20180175237A1 (en) 2016-11-25 2018-06-21 Osram Opto Semiconductor Gmbh Components comprising a light emitting semiconductor chip

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07178833A (ja) * 1993-12-21 1995-07-18 Dainippon Printing Co Ltd バックライトの製造方法
JP5753446B2 (ja) * 2011-06-17 2015-07-22 株式会社東芝 半導体発光装置の製造方法
TWI713239B (zh) * 2016-12-01 2020-12-11 晶元光電股份有限公司 發光裝置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000196153A (ja) 1998-12-25 2000-07-14 Rohm Co Ltd チップ電子部品およびその製造方法
JP2002261325A (ja) 2001-03-02 2002-09-13 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置およびその製造方法
JP2008270820A (ja) 2007-04-23 2008-11-06 Samsung Electro Mech Co Ltd 発光装置及びその製造方法
US20170244011A1 (en) 2014-08-12 2017-08-24 Osram Gmbh Lighting device and method for producing such a lighting device
JP2016208037A (ja) 2015-04-22 2016-12-08 ルーメンス カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ及びバックライトユニット
CN105140374A (zh) 2015-08-13 2015-12-09 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种免打线led封装结构及其制备方法
US20180175237A1 (en) 2016-11-25 2018-06-21 Osram Opto Semiconductor Gmbh Components comprising a light emitting semiconductor chip

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