JP7256382B2 - 発光装置の製造方法 - Google Patents
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さらに以下は、本発明の技術思想を具体化するための発光装置を例示するものであって、本発明を以下に限定するものではない。構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特定的な記載がない限り、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、例示することを意図したものである。また、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、理解を容易にする等のために誇張している場合がある。
図1Aおよび図1Bは実施形態1に係る発光装置100の模式的斜視図であり、図1Cは発光装置100の模式的上面図であり、図1Dは図1C中の1D-1D線における模式的断面図である。
発光装置100の製造方法は、(A)基板10を準備する工程と、(B)ヨウ素イオンを含む溶液5を用いる除去工程と、(C)基板10上に発光素子20を配置する工程と、(D)基板10の電極11a,11bの表面上に樹脂部30を形成する工程と、を備える。
以下、図2A~図2Fを参照して各工程について詳細に説明する。
まず、図2Aおよび図2Bで示すように、表面に銀又は金を含む金属層7を有する電極11a,11bを備える基板10を準備する。図2Aは基板10の模式的上面図であり、図2Bは図2A中の2B-2B線における模式的断面図である。基板10は、例えば、樹脂、セラミックスまたはガラスなどの絶縁性部材を母材として含む平板状の基材15を準備し、電界めっき又は無電解めっきにより基材15の上面および下面に電極11a,11b,12a,12bを形成して作製される。基材15の上面に位置する一対の電極11a,11bと、基材15の下面に位置する一対の電極12a,12bとは、孔(スルーホール)に配置された金属膜により電気的に接続されている。孔の内側は、金属膜のみが充填されて配置されていてもよく、孔の内側面に金属膜が配置され、その内側にエポキシ樹脂等の樹脂材料が充填されていてもよい。孔の内側に樹脂材料を充填することで、孔の延長線上に位置する金属層7の表面の平坦度を向上させることができる。
次に、準備した基板10に対して、ヨウ素イオンを含む溶液5を用いた除去工程を行う。具体的には、ヨウ素イオンを含む溶液5を用いて、電極11a,11bの表面にある銀粒子または金粒子の一部を溶解して除去する。銀粒子または金粒子が形成されている表面に後述するシリコーン樹脂を配置した場合、銀粒子または金粒子に起因してシリコーン樹脂の一部が硬化阻害を起こし、硬化後のシリコーン樹脂の密着強度が低下することがある。そこで、本発明においては、シリコーン樹脂を配置する前に、電極の表面にある銀粒子または金粒子の一部を溶解して除去する。これにより、硬化阻害を起こす電極表面の状態を改変することができ、硬化後のシリコーン樹脂と基板10との密着強度を向上させることができる。
次に、図2Dで示すように基板10の電極11a,11b上に発光素子20を配置する。発光素子20は、下面に一対の素子電極を有し、発光素子20の下面に位置する一対の素子電極と、基板10の電極11a,11bとが対向するように配置されている。発光素子20は、接合部材(図示せず)を介して基板10の電極11a,11bに接続されている。
次に、図2Fに示すように、基板10の電極11a,11bの表面上にシリコーン樹脂を母材とする液状の樹脂材料を配置する。例えば、基板10を金型内に配置し、金型内に液状のシリコーン樹脂を注入することで、発光素子20の側面を取り囲みつつ基板10の表面と接するシリコーン樹脂を配置することができる。
基板10は、発光素子20を載置するための部材である。基板10は、基材15と基材15の表面に形成される電極11a,11bとを有する。
基材15は、母材として、樹脂若しくは繊維強化樹脂、セラミックス、ガラスなどの絶縁性部材を用いることができる。樹脂若しくは繊維強化樹脂としては、エポキシ樹脂、ガラスエポキシ、ビスマレイミドトリアジン(BT)、ポリイミドなどが挙げられる。セラミックスとしては、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ジルコニウム、窒化ジルコニウム、酸化チタン、窒化チタン、若しくはこれらの混合物などが挙げられる。基材15は、これらの材料のうち、発光素子20の線膨張係数に近い線膨張係数を有する材料から選択することが好ましい。基材15の厚みは、適宜選択できるが、基材15の強度を確保するという観点から、0.05mm以上であることが好ましく、0.2mm以上であることがより好ましい。また、基材15の厚みは、発光装置の総厚を小さくするという観点から、0.5mm以下であることが好ましく、0.4mm以下であることがより好ましい。
電極11a,11bは、基材15の表面に配置され、発光素子20と電気的に接続される。電極11a,11bの母材は、銅、鉄、ニッケル、タングステン、クロム、アルミニウム、銀、金、チタン、パラジウム、ロジウム、又はこれらの合金で形成することができる。特に、各電極の母材は、放熱性が良好な銅又は銅合金を含むことが好ましい。また、各電極は、導電性の接合部材の濡れ性、光反射性または硫化耐性等を向上させるために、銀又は金を含む金属層7を表面に有する。
発光素子20は、例えばLEDチップである。発光素子20は、例えば、紫外~可視域の発光が可能な窒化物半導体(InxAlyGa1-x-yN、0≦x、0≦y、x+y≦1)を含む半導体積層構造を有し得る。発光素子20の発光ピーク波長は、発光装置の発光効率、波長変換粒子の励起スペクトル及び混色性等を考慮して、400nm以上530nm以下が好ましく、420nm以上490nm以下がより好ましく、450nm以上475nm以下がさらに好ましい。
樹脂部30は、発光装置100の上面方向への光取り出し効率の観点から、発光素子20の発光ピーク波長における光反射率が、70%以上であることが好ましく、80%以上であることがより好ましく、90%以上であることがさらに好ましい。さらに、樹脂部30は、白色であることが好ましい。樹脂部30は、母材となる樹脂材料に光反射性物質を含有することができる。樹脂部30は、液体状の樹脂材料を硬化することにより得ることができる。樹脂部30は、トランスファ成形、射出成形、圧縮成形またはポッティング法などにより形成することができる。
透光性部材40は発光素子20上に設けられ、発光素子20を保護する部材である。透光性部材40の母材としては、発光素子20の光に対して透光性を有するものが用いられる。本明細書において透光性を有するとは、発光素子20の発光ピーク波長における光透過率が、60%以上であることを指し、好ましくは70%以上であり、より好ましくは80%以上である。透光性部材40の母材は、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、又はこれらの変性樹脂を用いることができる。また、透光性部材40の母材はガラスであってもよい。特に、シリコーン樹脂及びエポキシ樹脂は、耐熱性及び耐光性に優れるため好適に用いられる。シリコーン樹脂としては、ジメチルシリコーン樹脂、フェニル-メチルシリコーン樹脂、ジフェニルシリコーン樹脂などが挙げられる。なお、本明細書における変性樹脂とは、ハイブリッド樹脂を含む。
また、透光性部材40は、波長変換粒子42と例えばアルミナなどの無機物との焼結体、又は波長変換粒子42の板状結晶であってもよい。
導光部材25は、特に、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などの熱硬化性の透光性樹脂であることが好ましい。導光部材25は、光の透過率が高いことが好ましい。そのため、通常は、導光部材25に、光を反射、吸収又は散乱する添加物は実質的に含有しないことが好ましい。添加物を実質的に含有しないとは、添加物が不可避的に混入することを排除しないことを意味する。なお、導光部材25は、上述の透光性部材40と同様の光拡散粒子及び/又は波長変換粒子を含有してもよい。
図3Aは実施形態2に係る発光装置200の模式的上面図であり、図3Bは発光装置200の模式的下面図であり、図3Cは図3A中の3C-3C線における模式的端面図である。図3Aでは、凹部2の内部が分かりやすいように第2樹脂部30bを省略して図示している。
発光装置200の製造方法は、(A)基板10を準備する工程と、(B)ヨウ素イオンを含む溶液5を用いる除去工程と、(C)基板10の電極11a,11bの表面上に第1樹脂部30aを形成する工程と、(D)基板10上に発光素子20を配置する工程と、を備える。
以下、図4A~図4Dを参照して各工程について詳細に説明する。
まず、図4Aおよび図4Bで示すように、一対の電極11a,11bを複数対備え、上面10aおよび下面10bを有する基板10を準備する。図4Aは基板10を示す模式的上面図であり、図4Bは図4A中の破線部を拡大した部分拡大図である。基板10は、例えば、銅、銅合金又はニッケル合金からなる平板状の板材にエッチング加工またはプレス加工等を施し、その表面に銀又は金を含む金属層7を形成することにより形成される。金属層7は、例えば、電解めっき法または無電解めっき法により形成される。なお、基板10は、予め金属層7が形成された基板10を購入等して準備してもよい。
次に、準備した基板10に対して、ヨウ素イオンを含む溶液5を用いた除去工程を行う。具体的には、図4Cで示すように、ヨウ素イオンを含む溶液5中に基板10を浸漬する。ヨウ素イオンを含む溶液5は、水等により希釈して用いることが好ましい。これにより、金属層7の表面に位置する金属粒子を所望の範囲で除去することができる。希釈後の溶液全体に対するヨウ素イオンを含む溶液5の濃度は、0.02%以下とすることが好ましく、0.001%以下とすることがより好ましい。
次に、基板10の表面上に第1樹脂部30aを形成する。例えば、基板10を樹脂成型金型内に配置し、複数対の電極11a,11bが所定の位置に配置されるように支持する。そして、金型のキャビティー内に液状のシリコーン樹脂を注入する。その後、金型内でシリコーン樹脂に熱を加え仮硬化を行い、金型から取り出し本硬化を行う。これにより、図4Dで示すように、基板10と第1樹脂部30aとを備え、上面側に複数の凹部2を有する樹脂成形体付リードフレームを得ることができる。第1樹脂部30aの形成は、例えば、トランスファモールド法や射出成形法などによって行うことができる。
次に、一対の電極11a,11b上に発光素子20を配置する。発光素子20は、例えば、ダイボンド材を用いて一対の電極11a,11b上に配置される。その後、発光素子20の上面にある正負電極と一対の電極11a,11bとがワイヤにより電気的に接続される。なお、発光素子20は、正負電極を有する一の面を一対の電極11a,11bの上面に対向した状態で、一対の電極11a,11b上に配置してもよい。
発光装置200では、第1樹脂部30aの母材がシリコーン樹脂である場合を例に取って説明したが、発光装置200はこれに限られない。第1樹脂部30aの母材は、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、又はこれらの変性樹脂を用いることができる。この場合、第2樹脂部30bとして、シリコーン樹脂を用いる。
200 発光装置
2 凹部
5 ヨウ素イオンを含む溶液
7 金属層
8 窪み
10 基板
10a 上面
10b 下面
10c 第1面
11a,11b,12a,12b 電極
13a,13b 内部電極
15 基材
20 発光素子
24 接着剤
25 導光部材
30 樹脂部
30a 第1樹脂部
30b 第2樹脂部
40 透光性部材
42 波長変換粒子
Claims (7)
- 表面に銀又は金を含む金属層を有する電極を備える基板を準備する工程と、
前記電極の表面にある銀粒子または金粒子の一部をヨウ素イオンを含む溶液を用いて除去する除去工程と、
前記電極上に発光素子を配置する工程と、
前記電極の表面上にシリコーン樹脂を母材とする液状の樹脂材料を配置し、前記樹脂材料を加熱して硬化した樹脂部を得る工程と、
を備え、
前記除去工程は、前記金属層の厚みに対して、1/20以下の厚みに相当する前記電極の表面にある銀粒子または金粒子を除去する発光装置の製造方法。 - 前記除去工程は、前記ヨウ素イオンを含む溶液を水、純水または超純水で希釈する工程を含み、希釈後の溶液全体に対する前記ヨウ素イオンを含む溶液の濃度は0.02%以下である、請求項1に記載の発光装置の製造方法。
- 前記除去工程は、前記金属層の表面から100nm以下の厚みに位置する前記銀粒子または金粒子を除去する工程を含む、請求項1または2に記載の発光装置の製造方法。
- 前記除去工程は、前記銀粒子または金粒子の一部および前記溶液を前記基板上から除去する洗浄工程を含む、請求項1~3のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。
- 前記除去工程は、前記ヨウ素イオンを含む溶液中に前記基板を1分~30分間浸漬する工程を含む、請求項1~4のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。
- 前記基板を準備する工程において、前記金属層は電解めっき法により形成される、請求項1~5のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。
- 前記基板を準備する工程において、前記金属層は第1金層と、前記第1金層上に形成された第2金層と、を有し、
前記第1金層は無電解めっき法により形成され、
前記第2金層は電解めっき法により形成される、請求項1~5のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2019085034A JP7256382B2 (ja) | 2019-04-26 | 2019-04-26 | 発光装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2020181924A JP2020181924A (ja) | 2020-11-05 |
JP7256382B2 true JP7256382B2 (ja) | 2023-04-12 |
Family
ID=73024834
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019085034A Active JP7256382B2 (ja) | 2019-04-26 | 2019-04-26 | 発光装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7256382B2 (ja) |
Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008115449A (ja) | 2006-11-07 | 2008-05-22 | Ne Chemcat Corp | 金バンプ又は金配線形成用非シアン系電解金めっき浴 |
JP2009186227A (ja) | 2008-02-04 | 2009-08-20 | Seiko Epson Corp | 透光性部材、時計、および透光性部材の製造方法 |
JP2009246334A (ja) | 2008-03-12 | 2009-10-22 | Hitachi Chem Co Ltd | 光反射用熱硬化性樹脂組成物、光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置 |
JP2011035318A (ja) | 2009-08-05 | 2011-02-17 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子の製造方法 |
JP2012009848A (ja) | 2010-05-28 | 2012-01-12 | Citizen Holdings Co Ltd | 半導体発光素子 |
JP2013143517A (ja) | 2012-01-12 | 2013-07-22 | Citizen Electronics Co Ltd | 電子部品素子搭載用基板 |
WO2013171284A1 (en) | 2012-05-15 | 2013-11-21 | Danmarks Tekniske Universitet | Nanostructured antireflection layer, and application of same to leds |
JP2015126190A (ja) | 2013-12-27 | 2015-07-06 | 株式会社沖データ | 半導体発光素子、画像形成装置、画像表示装置、及び半導体発光素子の製造方法 |
JP2015126169A (ja) | 2013-12-27 | 2015-07-06 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置用リードフレーム又は基板、並びにそれを備える発光装置 |
JP2015124427A (ja) | 2013-12-27 | 2015-07-06 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置用リードフレーム又は基板に用いられるめっき液、並びに、それを用いて製造されるリードフレーム又は基板、及びその製造方法、及びそれを備える発光装置 |
JP2015138852A (ja) | 2014-01-21 | 2015-07-30 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2016012737A (ja) | 2015-10-06 | 2016-01-21 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP2016046488A (ja) | 2014-08-26 | 2016-04-04 | Shマテリアル株式会社 | リードフレーム及びその製造方法 |
JP2016074952A (ja) | 2014-10-07 | 2016-05-12 | 株式会社アステック入江 | 有価金属回収方法 |
JP2017098470A (ja) | 2015-11-27 | 2017-06-01 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP2018190770A (ja) | 2017-04-28 | 2018-11-29 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2019067904A (ja) | 2017-09-29 | 2019-04-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1121672A (ja) * | 1997-07-04 | 1999-01-26 | Hitachi Ltd | 無電解金めっき液及び金めっき方法 |
-
2019
- 2019-04-26 JP JP2019085034A patent/JP7256382B2/ja active Active
Patent Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008115449A (ja) | 2006-11-07 | 2008-05-22 | Ne Chemcat Corp | 金バンプ又は金配線形成用非シアン系電解金めっき浴 |
JP2009186227A (ja) | 2008-02-04 | 2009-08-20 | Seiko Epson Corp | 透光性部材、時計、および透光性部材の製造方法 |
JP2009246334A (ja) | 2008-03-12 | 2009-10-22 | Hitachi Chem Co Ltd | 光反射用熱硬化性樹脂組成物、光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置 |
JP2011035318A (ja) | 2009-08-05 | 2011-02-17 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子の製造方法 |
JP2012009848A (ja) | 2010-05-28 | 2012-01-12 | Citizen Holdings Co Ltd | 半導体発光素子 |
JP2013143517A (ja) | 2012-01-12 | 2013-07-22 | Citizen Electronics Co Ltd | 電子部品素子搭載用基板 |
WO2013171284A1 (en) | 2012-05-15 | 2013-11-21 | Danmarks Tekniske Universitet | Nanostructured antireflection layer, and application of same to leds |
JP2015126169A (ja) | 2013-12-27 | 2015-07-06 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置用リードフレーム又は基板、並びにそれを備える発光装置 |
JP2015126190A (ja) | 2013-12-27 | 2015-07-06 | 株式会社沖データ | 半導体発光素子、画像形成装置、画像表示装置、及び半導体発光素子の製造方法 |
JP2015124427A (ja) | 2013-12-27 | 2015-07-06 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置用リードフレーム又は基板に用いられるめっき液、並びに、それを用いて製造されるリードフレーム又は基板、及びその製造方法、及びそれを備える発光装置 |
JP2015138852A (ja) | 2014-01-21 | 2015-07-30 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2016046488A (ja) | 2014-08-26 | 2016-04-04 | Shマテリアル株式会社 | リードフレーム及びその製造方法 |
JP2016074952A (ja) | 2014-10-07 | 2016-05-12 | 株式会社アステック入江 | 有価金属回収方法 |
JP2016012737A (ja) | 2015-10-06 | 2016-01-21 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP2017098470A (ja) | 2015-11-27 | 2017-06-01 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP2018190770A (ja) | 2017-04-28 | 2018-11-29 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2019067904A (ja) | 2017-09-29 | 2019-04-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2020181924A (ja) | 2020-11-05 |
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