JP2013033909A - 発光素子搭載用基板及びｌｅｄパッケージ - Google Patents
発光素子搭載用基板及びｌｅｄパッケージ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013033909A JP2013033909A JP2012064700A JP2012064700A JP2013033909A JP 2013033909 A JP2013033909 A JP 2013033909A JP 2012064700 A JP2012064700 A JP 2012064700A JP 2012064700 A JP2012064700 A JP 2012064700A JP 2013033909 A JP2013033909 A JP 2013033909A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- pair
- wiring patterns
- emitting element
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
- H05K1/0203—Cooling of mounted components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16245—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
- H05K1/0203—Cooling of mounted components
- H05K1/0204—Cooling of mounted components using means for thermal conduction connection in the thickness direction of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10007—Types of components
- H05K2201/10106—Light emitting diode [LED]
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
- H05K3/425—Plated through-holes or plated via connections characterised by the sequence of steps for plating the through-holes or via connections in relation to the conductive pattern
- H05K3/427—Plated through-holes or plated via connections characterised by the sequence of steps for plating the through-holes or via connections in relation to the conductive pattern initial plating of through-holes in metal-clad substrates
Abstract
【課題】片面配線基板を用いたフリップチップ実装が可能であり、放熱性が良好な発光素子搭載用基板及びこれを用いたＬＥＤパッケージを提供する。
【解決手段】発光素子搭載用基板は、絶縁性を有する基板と、前記基板の一方の面上に形成され、第１の間隔を有して離間する一対の配線パターンと、前記基板を厚さ方向に貫通し、第２の間隔を有して離間する一対の貫通孔と、前記一対の配線パターンに接触するとともに前記基板の前記一方の面と反対側の面に露出するように前記一対の貫通孔に充填された金属からなる一対の充填部とからなる片面配線基板であって、前記一対の充填部のそれぞれの充填部は、前記一対の配線パターンのそれぞれの配線パターンの面積の５０％以上の水平投影面積を有する。
【選択図】 図１
【解決手段】発光素子搭載用基板は、絶縁性を有する基板と、前記基板の一方の面上に形成され、第１の間隔を有して離間する一対の配線パターンと、前記基板を厚さ方向に貫通し、第２の間隔を有して離間する一対の貫通孔と、前記一対の配線パターンに接触するとともに前記基板の前記一方の面と反対側の面に露出するように前記一対の貫通孔に充填された金属からなる一対の充填部とからなる片面配線基板であって、前記一対の充填部のそれぞれの充填部は、前記一対の配線パターンのそれぞれの配線パターンの面積の５０％以上の水平投影面積を有する。
【選択図】 図１
Description
本発明は、発光素子搭載用基板及びこれを用いたＬＥＤパッケージに関する。
近年、省エネルギーの観点から発光素子としてＬＥＤ（Light Emitting Diode）チップを用いた表示装置や照明装置が注目されるようになり、世界的なレベルでＬＥＤチップとそれに関連する製品や技術の開発競争が起きている。その象徴の一例として、単位明るさ当りの価格（円／ｌｍ）が指標として周知されているほどである。
そのような中、ＬＥＤチップに関しては発光効率の観点から、発光面側に電極を持つワイヤボンディング型のＬＥＤチップとは別に、電極をＬＥＤチップの裏面に設けたフリップチップ型のＬＥＤチップが注目されている。このフリップチップ型のＬＥＤチップを実装する基板には、基板の放熱性、配線パターンの微細性、基板の平坦性などが必要とされるため、セラミック基板が多く使用されているのが現状である。
しかし、セラミック基板は、比較的小さなサイズ（例えば５０ｍｍ四方）のブロック単位での焼結を余儀なくされるため、大量生産しても安価になりにくく、配線パターンが微細になるほどに、配線パターンの微細さに対する焼結の歪みの割合が無視できなくなってくる。加えて、最近は基板の薄さも要求されているので、ハンドリング時の衝撃で割れる確率が高くなってきている。
この代替基板としては、従来からあるリジット基板、テープ基板（ＴＡＢ：Tape Automated Bonding）、フレキシブル基板、メタルベース基板などを使うことが検討されている。その際、良好な放熱性とフリップチップ実装可能な配線パターンの微細性について両立させるためには、基板の両面に配線が形成され、これらの配線同士が貫通ビアで電気的に接続された両面配線基板を採用するのが一般的である（例えば、特許文献１参照。）。
特許文献１に開示された発光装置は、導通領域と非導通領域を有する金属基板と、金属基板上に絶縁層を介して形成された一対の配線パターンと、一対の配線パターンにフリップチップ実装され、底面に２つの電極を有するＬＥＤチップと、金属基板の導通領域とＬＥＤチップの２つの電極を一対の配線パターンを介して接続する一対の貫通ビアとを備えている。
しかし、両面配線基板の形態として、放熱性確保のための貫通ビアや配線の微細性を持たせると、片面配線基板に比べてどうしても高価になってしまうため、単位明るさあたりの価格（円／ｌｍ）という指標で競争力を失う原因となる。また、ＬＥＤチップのサイズよりも小さい断面積の貫通ビアを介して放熱する構成では、十分な放熱性を得る事が困難である。
したがって、本発明の目的は、片面配線基板を用いたフリップチップ実装が可能であり、放熱性が良好な発光素子搭載用基板及びこれを用いたＬＥＤパッケージを提供することにある。
本発明は、上記目的を達成するため、以下の発光素子搭載用基板及びＬＥＤパッケージを提供する。
［１］ 絶縁性を有する基板と、前記基板の一方の面上に形成され、第１の間隔を有して離間する一対の配線パターンと、前記基板を厚さ方向に貫通し、第２の間隔を有して離間する一対の貫通孔と、前記一対の配線パターンに接触するとともに前記基板の前記一方の面と反対側の面に露出するように前記一対の貫通孔に充填された金属からなる一対の充填部とからなる片面配線基板であって、前記一対の充填部のそれぞれの充填部は、前記一対の配線パターンのそれぞれの配線パターンの面積の５０％以上の水平投影面積を有することを特徴とする発光素子搭載用基板を提供する。
［２］前記基板は、半径５０ｍｍで曲げてもクラックが発生しない可撓性を有する前記［１］に記載の発光素子搭載用基板。
［３］前記一対の配線パターンは、それぞれが０．１ｍｍ2以上の面積を有し、前記第１の間隔は、０．３ｍｍ以上の範囲にわたって前記配線パターンの表面において配線厚さの１．５倍以下の間隔となるように前記基板の前記一方の面上に形成され、前記第２の間隔は、０．３ｍｍ以上の範囲にわたって前記基板の前記一方の面側において０．２ｍｍ以下の間隔となるように前記基板に設けられた前記［１］又は［２］に記載の発光素子搭載用基板。
［４］前記配線パターンは、銅又は銅合金から形成され、前記充填部は、前記貫通孔の前記基板の厚さの１／２以上の部分に充填された銅又は銅合金から形成された前記［１］乃至［３］のいずれかに記載の発光素子搭載用基板。
［５］前記配線パターン及び前記充填部は、ともに３５０Ｗ／ｍｋ以上の熱伝導率を有する前記［１］乃至［４］のいずれかに記載の発光素子搭載用基板。
［６］前記一対の配線パターンは、前記第１の間隔を有する部分に凸部を有し、前記一対の充填部は、前記一対の配線パターンの前記凸部と概略同じ位置であって前記第２の間隔を有する部分に凸部を有する前記［１］乃至［５］のいずれかに記載の発光素子搭載用基板。
［７］前記一対の配線パターンは、前記一方の面側の表面に、硫酸バリウム（ＢａＳＯ4）の白色を基準とした分光反射率計による測定において、波長４５０〜７００ｎｍの範囲の初期全反射率が８０％以上の反射層を有する前記［１］乃至［６］のいずれかに記載の発光素子搭載用基板。
［８］前記基板の前記一方の面と反対側の面側に、ソルダーレジスト層を有する前記［１］乃至［７］のいずれかに記載の発光素子搭載用基板。
［９］上記の発光素子搭載用基板の前記一対の配線パターンを跨ぐように、若しくは一方の配線パターンの上面に前記発光素子としてＬＥＤチップを搭載して前記配線パターンと前記ＬＥＤチップとを電気的に接続し、前記ＬＥＤチップを封止樹脂で封止した構成のＬＥＤパッケージ。
本発明によれば、片面配線基板を用いたフリップチップ実装が可能であり、放熱性が良好な発光素子搭載用基板及びこれを用いたＬＥＤパッケージを提供することができる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、各図中、実質的に同一の機能を有する構成要素については、同一の符号を付してその重複説明を省略する。
［実施の形態の要約］
本実施の形態に係る発光素子搭載用基板は、絶縁性を有する基板と、前記基板の一方の面上に形成され、第１の間隔を有して離間する一対の配線パターンと、前記基板を厚さ方向に貫通し、第２の間隔を有して離間する一対の貫通孔と、前記一対の配線パターンに接触するとともに前記基板の前記一方の面と反対側の面に露出するように前記一対の貫通孔に充填された金属からなる一対の充填部とからなる片面配線基板であって、前記一対の充填部のそれぞれの充填部は、前記一対の配線パターンのそれぞれの配線パターンの面積の５０％以上の水平投影面積を有するものである。
本実施の形態に係る発光素子搭載用基板は、絶縁性を有する基板と、前記基板の一方の面上に形成され、第１の間隔を有して離間する一対の配線パターンと、前記基板を厚さ方向に貫通し、第２の間隔を有して離間する一対の貫通孔と、前記一対の配線パターンに接触するとともに前記基板の前記一方の面と反対側の面に露出するように前記一対の貫通孔に充填された金属からなる一対の充填部とからなる片面配線基板であって、前記一対の充填部のそれぞれの充填部は、前記一対の配線パターンのそれぞれの配線パターンの面積の５０％以上の水平投影面積を有するものである。
配線パターンには、発光素子が搭載されるべき搭載領域が存在している。ここで、「搭載領域」とは、発光素子の搭載を予定している領域をいい、通常は矩形状の領域であり、発光素子の数が１つのときは、発光素子の面積と概略等しくなり、発光素子の数が複数のときは、複数の発光素子を囲んだ１つの領域、又は個々の発光素子に対応した複数の領域をいう。また、「搭載領域」は、一対の配線パターンに跨って存在する場合や、一対の配線パターンのうち一方の配線パターンに存在する場合などがある。
充填部の面積を搭載領域の面積よりも広く、かつ、配線パターンの面積の５０％以上とすることにより、充填部の放熱性が増大する。
［第１の実施の形態］
図１（ａ）は、本発明の第１の実施の形態に係るＬＥＤパッケージの断面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＬＥＤパッケージから封止樹脂と反射層を取り除いたＬＥＤパッケージの平面図である。
図１（ａ）は、本発明の第１の実施の形態に係るＬＥＤパッケージの断面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＬＥＤパッケージから封止樹脂と反射層を取り除いたＬＥＤパッケージの平面図である。
発光装置の一例としてのＬＥＤパッケージ１は、発光素子搭載用基板２の一対の配線パターン２２Ａ、２２Ｂの搭載領域３０に、発光素子として底面に電極３１ａ、３１ｂを有するフリップチップ型のＬＥＤチップ３をバンプ３２ａ、３２ｂによって接続するフリップチップ実装し、ＬＥＤチップ３を封止樹脂４Ａで封止したものである。
発光素子搭載用基板２は、基板の片面に配線を有するいわゆる片面配線基板であり、基板としての樹脂フィルム２０と、ＬＥＤチップ３が搭載される搭載領域３０を有して樹脂フィルム２０の一方の面である表面２０ａ上に接着剤２１を介して形成された一対の配線パターン２２Ａ、２２Ｂと、樹脂フィルム２０を厚さ方向に貫通する一対の貫通孔２０ｃが形成され、一対の配線パターン２２Ａ、２２Ｂに接触するとともに樹脂フィルム２０の一方の面と反対側の面である裏面２０ｂ側に露出するように一対の貫通孔２０ｃに充填された金属からなる一対の充填部２３Ａ、２３Ｂと、一対の配線パターン２２Ａ、２２Ｂを覆うように樹脂フィルム２０の表面２０ａ側に形成され、ＬＥＤチップ３からの光を反射させる反射層２４とを備える。なお、図１（ａ）中、２４ａは、バンプ３２ａ、３２ｂを通過させるための開口である。
次に、上記ＬＥＤパッケージ１の各部について説明する。
（樹脂フィルム）
樹脂フィルム２０は、半径５０ｍｍで曲げてもクラックが発生しない可撓性（柔軟性）と絶縁性を有するのが好ましい。樹脂フィルム２０として、例えばポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエチレンナフタレート、エポキシ、アラミドなどの樹脂からなるフィルムを用いることができる。
樹脂フィルム２０は、半径５０ｍｍで曲げてもクラックが発生しない可撓性（柔軟性）と絶縁性を有するのが好ましい。樹脂フィルム２０として、例えばポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエチレンナフタレート、エポキシ、アラミドなどの樹脂からなるフィルムを用いることができる。
（配線パターン）
一対の配線パターン２２Ａ、２２Ｂは、搭載領域３０の所定の方向に沿う一辺３０ａの長さ、例えば０．３ｍｍ以上の範囲にわたって搭載領域３０の所定の方向に直交する方向に沿う他の一辺３０ｂの長さ、例えば０．０４ｍｍ以下の第１の間隔ｄ１を有して、対向するように離間する。配線パターンは、半導体パッケージ上面の面積のうち、５０％以上存在させるのが望ましい。配線パターンの面積比を大きくすることで、反射効率の劣る樹脂フィルム２０の露出領域を小さくすることができ、パッケージの反射率を従来よりも向上させることも可能になる。
なお、第１の間隔ｄ１は、例えば、フォトリソグラフィ技術、エッチング処理で作製可能な最小値に設定するのが望ましい。具体的には、３０μｍ〜１００μｍが好ましい。
また、配線パターン２２Ａ、２２Ｂ間の第１の間隔ｄ１は、配線パターン２２Ａ、２２Ｂの厚さをｔとしたとき、ｄ１≦（ｔ＋１０μｍ）と定めてもよい。配線パターン２２Ａ、２２Ｂの厚さｔは、３０μｍ以上が好ましい。
一対の配線パターン２２Ａ、２２Ｂは、搭載領域３０の所定の方向に沿う一辺３０ａの長さ、例えば０．３ｍｍ以上の範囲にわたって搭載領域３０の所定の方向に直交する方向に沿う他の一辺３０ｂの長さ、例えば０．０４ｍｍ以下の第１の間隔ｄ１を有して、対向するように離間する。配線パターンは、半導体パッケージ上面の面積のうち、５０％以上存在させるのが望ましい。配線パターンの面積比を大きくすることで、反射効率の劣る樹脂フィルム２０の露出領域を小さくすることができ、パッケージの反射率を従来よりも向上させることも可能になる。
なお、第１の間隔ｄ１は、例えば、フォトリソグラフィ技術、エッチング処理で作製可能な最小値に設定するのが望ましい。具体的には、３０μｍ〜１００μｍが好ましい。
また、配線パターン２２Ａ、２２Ｂ間の第１の間隔ｄ１は、配線パターン２２Ａ、２２Ｂの厚さをｔとしたとき、ｄ１≦（ｔ＋１０μｍ）と定めてもよい。配線パターン２２Ａ、２２Ｂの厚さｔは、３０μｍ以上が好ましい。
配線パターン２２Ａ、２２Ｂは、３５０Ｗ／ｍｋ以上の熱伝導率を有するのが好ましい。そのような配線パターン２２Ａ、２２Ｂの材料としては、銅（純銅）又は銅合金などを用いることができる。配線パターン２２Ａ、２２Ｂの材料に銅を用いることにより、３９６Ｗ／ｍｋを実現することができる。配線パターン２２Ａ、２２Ｂの形状は、本実施の形態では、矩形状であるが、これに限られず、５角形以上の多角形でもよく、曲線、円弧等を含む形状でもよい。
（充填部）
一対の充填部２３Ａ、２３Ｂは、搭載領域３０の所定の方向に沿う一辺３０ａの長さ、例えば０．３ｍｍ以上の範囲にわたって搭載領域３０の所定の方向に直交する方向の他の一辺３０ｂの長さ、例えば０．３ｍｍ以下の第２の間隔ｄ２を有する。第２の間隔ｄ２としては０．２ｍｍ以下が好ましい。また、一対の充填部２３Ａ、２３Ｂは、樹脂フィルム２０の表面２０ａ側から見たとき、それぞれが搭載領域３０の面積よりも広く、かつ、それぞれが配線パターン２２Ａ、２２Ｂの面積の５０％以上好ましくは７５％以上の面積を有するのが良い。一対の充填部２３Ａ、２３Ｂは、それぞれが配線パターン２２Ａ、２２Ｂの面積よりも広い面積を有していてもよい。本実施の形態では、充填部２３Ａ、２３Ｂは、配線パターン２２Ａ、２２Ｂの面積の８０％程度の面積を有する。
充填部は、ＬＥＤパッケージにおいて、搭載したＬＥＤチップの下に存在するように配置されている。そのため、熱の伝導経路がＬＥＤチップの下方に向かって最短経路が形成されるので放熱性を向上させることが可能となる。
本実施の形態において、充填部は配線パターンと相似形状に設けられているが、これに限られるものではない。
一対の充填部２３Ａ、２３Ｂは、搭載領域３０の所定の方向に沿う一辺３０ａの長さ、例えば０．３ｍｍ以上の範囲にわたって搭載領域３０の所定の方向に直交する方向の他の一辺３０ｂの長さ、例えば０．３ｍｍ以下の第２の間隔ｄ２を有する。第２の間隔ｄ２としては０．２ｍｍ以下が好ましい。また、一対の充填部２３Ａ、２３Ｂは、樹脂フィルム２０の表面２０ａ側から見たとき、それぞれが搭載領域３０の面積よりも広く、かつ、それぞれが配線パターン２２Ａ、２２Ｂの面積の５０％以上好ましくは７５％以上の面積を有するのが良い。一対の充填部２３Ａ、２３Ｂは、それぞれが配線パターン２２Ａ、２２Ｂの面積よりも広い面積を有していてもよい。本実施の形態では、充填部２３Ａ、２３Ｂは、配線パターン２２Ａ、２２Ｂの面積の８０％程度の面積を有する。
充填部は、ＬＥＤパッケージにおいて、搭載したＬＥＤチップの下に存在するように配置されている。そのため、熱の伝導経路がＬＥＤチップの下方に向かって最短経路が形成されるので放熱性を向上させることが可能となる。
本実施の形態において、充填部は配線パターンと相似形状に設けられているが、これに限られるものではない。
充填部２３Ａ、２３Ｂは、樹脂フィルム２０を厚さ方向に貫通する貫通孔２０ｃの樹脂フィルム２０の厚さの１／２以上の部分に充填して形成されている。本実施の形態では、貫通孔２０ｃ内のほぼ全てに充填部２３Ａ、２３Ｂを充填している。
充填部２３Ａ、２３Ｂは、配線パターン２２Ａ、２２Ｂと同様に３５０Ｗ／ｍｋ以上の熱伝導率を有するのが好ましい。そのような充填部２３Ａ、２３Ｂの材料としては、銅（純銅）又は銅合金などを用いることができる。充填部２３Ａ、２３Ｂの材料に純銅を用いることにより、３９６Ｗ／ｍｋを実現することができる。
（反射層）
反射層２４は、硫酸バリウム（ＢａＳＯ4）の白色を基準とした分光光度計による測定において、波長４５０〜７００ｎｍの範囲の初期全反射率が８０％以上を有するのが好ましい。そのような材料として、白色のフィルムやレジストを用いてもよい。また、配線パターン２２Ａ、２２Ｂ上に銀めっきを施して反射層としてもよい。
反射層２４は、硫酸バリウム（ＢａＳＯ4）の白色を基準とした分光光度計による測定において、波長４５０〜７００ｎｍの範囲の初期全反射率が８０％以上を有するのが好ましい。そのような材料として、白色のフィルムやレジストを用いてもよい。また、配線パターン２２Ａ、２２Ｂ上に銀めっきを施して反射層としてもよい。
（ＬＥＤチップ）
ＬＥＤチップ３は、例えば、０．３〜１．０ｍｍ角程度のサイズを有し、底面に少なくとも一対のアルミニム等からなる電極３１ａ、３１ｂと、電極３１ａ、３１ｂに形成された金等からなるバンプ３２ａ、３２ｂとを有する。なお、ＬＥＤチップとして、底面と上面にそれぞれ電極を有し、又は上面に２つ以上の電極を有し、ワイヤによって接続するワイヤボンディング型のＬＥＤチップを用いてもよいし、それらを組み合わせてもよい。
ＬＥＤチップ３は、例えば、０．３〜１．０ｍｍ角程度のサイズを有し、底面に少なくとも一対のアルミニム等からなる電極３１ａ、３１ｂと、電極３１ａ、３１ｂに形成された金等からなるバンプ３２ａ、３２ｂとを有する。なお、ＬＥＤチップとして、底面と上面にそれぞれ電極を有し、又は上面に２つ以上の電極を有し、ワイヤによって接続するワイヤボンディング型のＬＥＤチップを用いてもよいし、それらを組み合わせてもよい。
（封止樹脂）
封止樹脂４Ａは、本実施例ではＬＥＤチップ３が発光する光に指向性を持たせるため、表面が球状あるいは曲面を有するが、これに限られない。また、封止樹脂４Ａの材料として、シリコーン樹脂等の樹脂を用いることができる。
封止樹脂４Ａは、本実施例ではＬＥＤチップ３が発光する光に指向性を持たせるため、表面が球状あるいは曲面を有するが、これに限られない。また、封止樹脂４Ａの材料として、シリコーン樹脂等の樹脂を用いることができる。
＜数値範囲の意義＞
次に、上記各部に関する数値範囲の意義について説明する。
次に、上記各部に関する数値範囲の意義について説明する。
（樹脂フィルムの可撓性）
樹脂フィルム２０の半径Ｒ＝５０ｍｍで曲げてもクラックが発生しないようにしたのは、以下の理由による。一般に、エッチングなどの液処理プロセスを大量に効率よく構成する方法としては、ロールｔｏロールによる方法が効率的である。しかし、ロールｔｏロールにより、樹脂フィルム２０を一直線に搬送して処理時間（処理長さ）を稼ごうとすると、搬送スピードが遅くなりすぎたり、製造装置が長くなり過ぎたりする問題がある。また、ロール状の樹脂フィルム２０の交換やジョイントを製造装置を稼動したままで行おうとすると、アキュムレートする機構が必要になる。この問題を解決する方法としては、例えば半径Ｒ＝１００ｍｍ以上の固定ローラや可動ローラを用いてワークを上下方向にジグザクに搬送するのが一般的である。半径Ｒ＝５０ｍｍでもクラックが生じない樹脂フィルム２０を用いるのはこのためである。
樹脂フィルム２０の半径Ｒ＝５０ｍｍで曲げてもクラックが発生しないようにしたのは、以下の理由による。一般に、エッチングなどの液処理プロセスを大量に効率よく構成する方法としては、ロールｔｏロールによる方法が効率的である。しかし、ロールｔｏロールにより、樹脂フィルム２０を一直線に搬送して処理時間（処理長さ）を稼ごうとすると、搬送スピードが遅くなりすぎたり、製造装置が長くなり過ぎたりする問題がある。また、ロール状の樹脂フィルム２０の交換やジョイントを製造装置を稼動したままで行おうとすると、アキュムレートする機構が必要になる。この問題を解決する方法としては、例えば半径Ｒ＝１００ｍｍ以上の固定ローラや可動ローラを用いてワークを上下方向にジグザクに搬送するのが一般的である。半径Ｒ＝５０ｍｍでもクラックが生じない樹脂フィルム２０を用いるのはこのためである。
（配線パターンの厚さ）
配線パターン２２Ａ、２２Ｂの厚さを３０μｍ以上としたのは、以下の理由による。配線パターン２２Ａ、２２Ｂの材料として銅箔を用いた場合、銅箔は、１８μｍ、３５μｍ、７０μｍ、１０５μｍという単位で市販されている。経験上１８μｍの銅箔は、水平方向への熱伝導量が足りないことが多いので、３５μｍ以上の厚さの銅箔を使って製造することが多くなる。そうした場合、表面の化学研磨等によって薄くなっても３０μｍ以上は確保するという理由で配線パターン２２Ａ、２２Ｂの厚さを３０μｍ以上とした。
配線パターン２２Ａ、２２Ｂの厚さを３０μｍ以上としたのは、以下の理由による。配線パターン２２Ａ、２２Ｂの材料として銅箔を用いた場合、銅箔は、１８μｍ、３５μｍ、７０μｍ、１０５μｍという単位で市販されている。経験上１８μｍの銅箔は、水平方向への熱伝導量が足りないことが多いので、３５μｍ以上の厚さの銅箔を使って製造することが多くなる。そうした場合、表面の化学研磨等によって薄くなっても３０μｍ以上は確保するという理由で配線パターン２２Ａ、２２Ｂの厚さを３０μｍ以上とした。
（配線パターン間の第１の間隔ｄ１）
現状のエッチング技術においては、概ね配線パターン２２Ａ、２２Ｂの材料として銅箔を用いた場合、銅箔の厚さと同程度の幅でライン／スペースとするのが微細化の限界なので、多少余裕を見て銅箔の厚さ＋１０μｍを配線パターン２２Ａ、２２Ｂ間の第１の間隔ｄ１とした。
現状のエッチング技術においては、概ね配線パターン２２Ａ、２２Ｂの材料として銅箔を用いた場合、銅箔の厚さと同程度の幅でライン／スペースとするのが微細化の限界なので、多少余裕を見て銅箔の厚さ＋１０μｍを配線パターン２２Ａ、２２Ｂ間の第１の間隔ｄ１とした。
（充填部の厚さ）
充填部２３Ａ、２３Ｂは、厚い方が熱を吸収できて、放熱面積も増え、また、実装基板上に印刷されたはんだペーストとも接触しやすくなるが、一方充填部２３Ａ、２３Ｂを厚くすることは、コスト的に不利になる。一般的に樹脂フィルム２０の厚みは５０μｍ程度なので、その５０％である２５μｍ程度は必要という経験から、充填部２３Ａ、２３Ｂの厚さを樹脂フィルム２０の厚さの１／２以上としたものである。
充填部２３Ａ、２３Ｂは、厚い方が熱を吸収できて、放熱面積も増え、また、実装基板上に印刷されたはんだペーストとも接触しやすくなるが、一方充填部２３Ａ、２３Ｂを厚くすることは、コスト的に不利になる。一般的に樹脂フィルム２０の厚みは５０μｍ程度なので、その５０％である２５μｍ程度は必要という経験から、充填部２３Ａ、２３Ｂの厚さを樹脂フィルム２０の厚さの１／２以上としたものである。
（充填部間の第２の間隔ｄ２）
充填部２３Ａ、２３Ｂ間の第２の間隔ｄ２は、小さいほどよいが、例えば樹脂フィルム２０の材料として、５０μｍの厚さのポリイミドを安定して抜くには、概ね０．１５ｍｍ幅が限界であるとの経験から、充填部２３Ａ、２３Ｂ間の第２の間隔ｄ２を０．２０ｍｍ以下とした。
充填部２３Ａ、２３Ｂ間の第２の間隔ｄ２は、小さいほどよいが、例えば樹脂フィルム２０の材料として、５０μｍの厚さのポリイミドを安定して抜くには、概ね０．１５ｍｍ幅が限界であるとの経験から、充填部２３Ａ、２３Ｂ間の第２の間隔ｄ２を０．２０ｍｍ以下とした。
（ＬＥＤパッケージの製造方法）
次に、図１に示すＬＥＤパッケージ１の製造方法の一例を説明する。
次に、図１に示すＬＥＤパッケージ１の製造方法の一例を説明する。
図２は、図１に示すＬＥＤパッケージ１をテープ基板（ＴＡＢ：Tape Automated Bonding）を用いた外観を示す平面図である。ＬＥＤパッケージ１は、テープ基板１００を用いて製造することができる。なお、ＬＥＤパッケージ１は、リジット基板やフレキシブル基板などを用いた他の製造方法により製造してもよい。テープ基板１００は、１つのＬＥＤパッケージ１が形成されるユニットパターン１０１の集合体である複数のブロック１０２が長手方向に形成され、ブロック１０２の両側には、それぞれ複数のスプロケット穴１０３が等間隔で形成されている。
図３（ａ）〜（ｅ）は、図１に示す発光素子搭載用基板２の製造方法の一例を１つのユニットパターン１０１について示す断面図である。
（１）電気的絶縁材の準備
まず、図３（ａ）に示すように、接着剤２１と樹脂フィルム２０からなる電気的絶縁材２００を準備する。この電気的絶縁材２００は、市販（株式会社巴川製紙所、東レ株式会社、株式会社有沢製作所など）されており、接着剤２１は、カバーフィルム（図示せず）で保護されている。この電気的絶縁材２００を購入ではなく自ら製造しようとする場合には、樹脂フィルム２０として、例えばポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエチレンナフタレート、エポキシ、アラミドのいずれかの樹脂からなるフィルムに、エポキシ系で熱硬化の接着剤付きシートをラミネートして製造することができる。この電気的絶縁材２００は、ＴＡＢの製造ラインを流すためにロール形態が好適であり、予め所望の幅にスリットしてからラミネートしてもよいし、広い幅でラミネートしてから所望の幅にスリットしてもよい（図示せず）。
まず、図３（ａ）に示すように、接着剤２１と樹脂フィルム２０からなる電気的絶縁材２００を準備する。この電気的絶縁材２００は、市販（株式会社巴川製紙所、東レ株式会社、株式会社有沢製作所など）されており、接着剤２１は、カバーフィルム（図示せず）で保護されている。この電気的絶縁材２００を購入ではなく自ら製造しようとする場合には、樹脂フィルム２０として、例えばポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエチレンナフタレート、エポキシ、アラミドのいずれかの樹脂からなるフィルムに、エポキシ系で熱硬化の接着剤付きシートをラミネートして製造することができる。この電気的絶縁材２００は、ＴＡＢの製造ラインを流すためにロール形態が好適であり、予め所望の幅にスリットしてからラミネートしてもよいし、広い幅でラミネートしてから所望の幅にスリットしてもよい（図示せず）。
（２）充填部用の貫通孔の形成
次に、図３（ｂ）に示すように、電気的絶縁材２００に充填部２３Ａ、２３Ｂのための貫通孔２０ｃを打ち抜き金型であける。この加工においては、一対の貫通孔２０ｃ間の第２の間隔ｄ２を０．３０ｍｍ以上の長さにわたって０．２０ｍｍ以下にする必要があるので、剛性のある高精度の打ち抜き金型が必要になる。具体的には、可動ストリッパー方式の金型で、ダイとストリッパーをワイヤ放電加工機で共加工したり、パンチ、ダイ、ストリッパーの主要な加工精度を±０．００２ｍｍ以下で加工し、パンチ、ダイ、ストリッパーのそれぞれのクリアランスを微調整するなどの手段を講じる必要がある。また、この貫通孔２０ｃの加工の際に、必要に応じてスプロケット穴１０３やアライメント用の穴（図示せず）をあけてもよい。
次に、図３（ｂ）に示すように、電気的絶縁材２００に充填部２３Ａ、２３Ｂのための貫通孔２０ｃを打ち抜き金型であける。この加工においては、一対の貫通孔２０ｃ間の第２の間隔ｄ２を０．３０ｍｍ以上の長さにわたって０．２０ｍｍ以下にする必要があるので、剛性のある高精度の打ち抜き金型が必要になる。具体的には、可動ストリッパー方式の金型で、ダイとストリッパーをワイヤ放電加工機で共加工したり、パンチ、ダイ、ストリッパーの主要な加工精度を±０．００２ｍｍ以下で加工し、パンチ、ダイ、ストリッパーのそれぞれのクリアランスを微調整するなどの手段を講じる必要がある。また、この貫通孔２０ｃの加工の際に、必要に応じてスプロケット穴１０３やアライメント用の穴（図示せず）をあけてもよい。
（３）銅箔の形成
次に、図３（ｃ）に示すように、銅箔２２０をラミネートする。銅箔２２０は、電解箔、または圧延箔で、裏面の表面粗さが算術平均粗さＲａが概ね３μｍ以下で３５〜１０５μｍ程度の厚さのなかから選定すると、後のエッチング工程で、（銅箔の厚さ＋１０μｍ）以下の第１の間隔ｄ１を形成するのが比較的容易になる。ラミネートは常圧又は減圧環境下のロールラミネーターを使用するのが好ましいが、ダイヤフラム式、平板プレス式、スチールベルト式のラミネーターでもよい。ラミネート時の条件は、接着剤メーカが示す参考条件を基準に選定することが可能である。多くの熱硬化性接着材の場合はラミネート終了後、例えば１５０℃以上の高温でポストキュアを行うのが一般的である。この点も接着剤メーカの参考条件を基準に決定する。
次に、図３（ｃ）に示すように、銅箔２２０をラミネートする。銅箔２２０は、電解箔、または圧延箔で、裏面の表面粗さが算術平均粗さＲａが概ね３μｍ以下で３５〜１０５μｍ程度の厚さのなかから選定すると、後のエッチング工程で、（銅箔の厚さ＋１０μｍ）以下の第１の間隔ｄ１を形成するのが比較的容易になる。ラミネートは常圧又は減圧環境下のロールラミネーターを使用するのが好ましいが、ダイヤフラム式、平板プレス式、スチールベルト式のラミネーターでもよい。ラミネート時の条件は、接着剤メーカが示す参考条件を基準に選定することが可能である。多くの熱硬化性接着材の場合はラミネート終了後、例えば１５０℃以上の高温でポストキュアを行うのが一般的である。この点も接着剤メーカの参考条件を基準に決定する。
（４）充填部の埋め込み
次に、図３（ｄ）に示すように、貫通孔２０ｃに電気銅めっきで埋め込みめっきを行って充填部２３Ａ、２３Ｂを形成する。埋め込みめっきの方法については、特開２００３−１２４２６４号公報などでも公開されている。具体的には、銅箔面をめっき用マスキングテープでマスキングして銅めっきを行うわけであるが、銅めっき液の種類やめっき条件を変えることによって、充填部２３Ａ、２３Ｂの先端を凸にも凹にも平坦にも形成が可能である。また、充填部２３Ａ、２３Ｂの厚さもめっき条件（主にめっき時間）によって調整ができる。銅めっき液とその使用方法の情報については、銅めっき液を販売しているメーカ（荏原ユージライト株式会社、アトテックジャパン株式会社など）から容易に入手可能なので詳細な説明は省略する。
次に、図３（ｄ）に示すように、貫通孔２０ｃに電気銅めっきで埋め込みめっきを行って充填部２３Ａ、２３Ｂを形成する。埋め込みめっきの方法については、特開２００３−１２４２６４号公報などでも公開されている。具体的には、銅箔面をめっき用マスキングテープでマスキングして銅めっきを行うわけであるが、銅めっき液の種類やめっき条件を変えることによって、充填部２３Ａ、２３Ｂの先端を凸にも凹にも平坦にも形成が可能である。また、充填部２３Ａ、２３Ｂの厚さもめっき条件（主にめっき時間）によって調整ができる。銅めっき液とその使用方法の情報については、銅めっき液を販売しているメーカ（荏原ユージライト株式会社、アトテックジャパン株式会社など）から容易に入手可能なので詳細な説明は省略する。
（５）銅箔のパターニング
次に、図３（ｅ）に示すように、銅箔２２０のパターニングを行って配線パターン２２Ａ、２２Ｂを形成する。図示はしないが、パターニングについてはフォトリソグラフィを用いるので、銅箔２２０にレジストを塗工し、露光した後、現像してエッチングし、エッチング後のレジストを剥離するという一連の作業を行って配線パターン２２Ａ、２２Ｂを形成する。
次に、図３（ｅ）に示すように、銅箔２２０のパターニングを行って配線パターン２２Ａ、２２Ｂを形成する。図示はしないが、パターニングについてはフォトリソグラフィを用いるので、銅箔２２０にレジストを塗工し、露光した後、現像してエッチングし、エッチング後のレジストを剥離するという一連の作業を行って配線パターン２２Ａ、２２Ｂを形成する。
銅箔２２０のパターニングを行う際には、レジストの代わりにドライフィルムを用いてもよい。また、埋め込みめっきを行った面は、マスキングテープを貼るか、裏止め材を塗工するかしてエッチング液などの薬液から充填部２３Ａ、２３Ｂを保護することが望ましい。エッチングの際には、一般的な塩化第二鉄系か塩化第二銅系のエッチング液を使うだけでは、パターンの断面が裾広がりになってしまい、パターンの表面において（配線パターン２２Ａ、２２Ｂの厚さ＋１０μｍ）以下の第１の間隔ｄ１を形成すると、配線パターン２２Ａ、２２Ｂの裾部分がつながってしまう。そこで、エッチング時に銅箔２２０の側壁をエッチング液から保護しながら板厚方向にエッチングしていくタイプのエッチング液を選定し、エッチング液のスプレーパターン等を最適化することが必要になる。この種のエッチング液メーカとしては、例えば株式会社ＡＤＥＫＡがある。また、エッチングで配線パターン２２Ａ、２２Ｂの間隔ｄ１を所望の値に小さくできない場合は、形成した配線パターン２２Ａ、２２Ｂに銅めっきして、配線パターン２２Ａ、２２Ｂの厚さと幅を銅めっき厚み分太らせることで、配線パターン２２Ａ、２２Ｂの間隔ｄ１を小さくすることもできる。
（６）めっき処理
次に、図示しないが、埋め込みめっき側のマスキングテープを剥して、配線パターン２２Ａ、２２Ｂ及び充填部２３Ａ、２３Ｂの表面に金、銀、パラジウム、ニッケル、すず、銅のいずれかの金属を含むめっきを行う。めっきは、複数の種類、複数の層でもよい。めっきの方法としては、めっき用給電線が不要な無電解めっきが望ましいが、電解めっきでもよい。このとき、銅箔のパターン面と埋め込みめっき面側で交互にマスキングしながら別の種類のめっきをすることでもよい。また、めっきの面積を削減するために、銅箔のパターン面はあらかじめ、めっきが不要な部分をレジストやカバーレイでカバーしてからめっきすることでもよい。
次に、図示しないが、埋め込みめっき側のマスキングテープを剥して、配線パターン２２Ａ、２２Ｂ及び充填部２３Ａ、２３Ｂの表面に金、銀、パラジウム、ニッケル、すず、銅のいずれかの金属を含むめっきを行う。めっきは、複数の種類、複数の層でもよい。めっきの方法としては、めっき用給電線が不要な無電解めっきが望ましいが、電解めっきでもよい。このとき、銅箔のパターン面と埋め込みめっき面側で交互にマスキングしながら別の種類のめっきをすることでもよい。また、めっきの面積を削減するために、銅箔のパターン面はあらかじめ、めっきが不要な部分をレジストやカバーレイでカバーしてからめっきすることでもよい。
以上で、図２に示したようなテープ基板１００を形成することができ、発光素子搭載用基板２がロール形態で完成することになる。
（７）テープ基板の切断、ＬＥＤチップの搭載
次に、完成したテープ基板１００を、ブロック１０２単位で所望の長さに切断して、ＬＥＤチップ３をマウンタで搭載領域３０上にマウントする。ＬＥＤチップ３のバンプ３２ａ、３２ｂの材質（金やはんだ）に合わせて、最適なマウンタを選択するとよい。なお、ワイヤボンディング型のＬＥＤチップについても同様にしてマウントすることができる。マウンタのメーカとして、例えばＪＵＫＩ株式会社、パナソニック ファクトリーソリューションズ株式会社、株式会社日立ハイテクインスツルメンツ、株式会社新川などがある。
次に、完成したテープ基板１００を、ブロック１０２単位で所望の長さに切断して、ＬＥＤチップ３をマウンタで搭載領域３０上にマウントする。ＬＥＤチップ３のバンプ３２ａ、３２ｂの材質（金やはんだ）に合わせて、最適なマウンタを選択するとよい。なお、ワイヤボンディング型のＬＥＤチップについても同様にしてマウントすることができる。マウンタのメーカとして、例えばＪＵＫＩ株式会社、パナソニック ファクトリーソリューションズ株式会社、株式会社日立ハイテクインスツルメンツ、株式会社新川などがある。
（８）封止樹脂の形成
次に、必要に応じて、大気圧のプラズマクリーニングやＬＥＤチップ３のアンダーフィリングをへて、コンプレッションモールド装置と金型によってＬＥＤチップ３を封止樹脂４Ａとして、例えばシリコーン樹脂で封止（コンプレッションモールド）する。封止樹脂４Ａには、蛍光体を混入させてもよいし、事前に蛍光体の入った樹脂をポッティング封止してから封止してもよい。
次に、必要に応じて、大気圧のプラズマクリーニングやＬＥＤチップ３のアンダーフィリングをへて、コンプレッションモールド装置と金型によってＬＥＤチップ３を封止樹脂４Ａとして、例えばシリコーン樹脂で封止（コンプレッションモールド）する。封止樹脂４Ａには、蛍光体を混入させてもよいし、事前に蛍光体の入った樹脂をポッティング封止してから封止してもよい。
（９）ＬＥＤパッケージの個片化
ＬＥＤパッケージ１をＬＥＤパッケージ単位（１ユニット）に個片化（分割）する。この場合、一般的には回転砥石によって切断するダイシングで行うが、例えばビグ刃と呼ばれるような刃物で押し切りすることでも可能である。以上のようにしてＬＥＤパッケージ１を完成させることができる。
ＬＥＤパッケージ１をＬＥＤパッケージ単位（１ユニット）に個片化（分割）する。この場合、一般的には回転砥石によって切断するダイシングで行うが、例えばビグ刃と呼ばれるような刃物で押し切りすることでも可能である。以上のようにしてＬＥＤパッケージ１を完成させることができる。
（ＬＥＤパッケージの動作）
次に、ＬＥＤパッケージ１の動作について説明する。ＬＥＤパッケージ１は、例えば実装基板に実装され、ＬＥＤチップ３が実装基板と電気的に接続される。すなわち、実装基板上には、一対の給電用パターンが形成されており、一対の給電用パターンにＬＥＤパッケージ１の充填部２３Ａ、２３Ｂがはんだペーストを介して電気的に接続される。給電用パターンにＬＥＤチップ３を駆動するのに必要な電圧を印加すると、その電圧が充填部２３Ａ、２３Ｂ、配線パターン２２Ａ、２２Ｂ、バンプ３２ａ、３２ｂ及び電極３１ａ、３１ｂを介してＬＥＤチップ３に印加される。ＬＥＤチップ３は、電圧の印加によって電流が流れることによって発光し、光を封止樹脂４Ａを介して外部に出射する。ＬＥＤチップ３の発熱は、電極３１ａ、３１ｂ、バンプ３２ａ、３２ｂ及び配線パターン２２Ａ、２２Ｂを介して充填部２３Ａ、２３Ｂに伝達し、実装基板に放熱される。
次に、ＬＥＤパッケージ１の動作について説明する。ＬＥＤパッケージ１は、例えば実装基板に実装され、ＬＥＤチップ３が実装基板と電気的に接続される。すなわち、実装基板上には、一対の給電用パターンが形成されており、一対の給電用パターンにＬＥＤパッケージ１の充填部２３Ａ、２３Ｂがはんだペーストを介して電気的に接続される。給電用パターンにＬＥＤチップ３を駆動するのに必要な電圧を印加すると、その電圧が充填部２３Ａ、２３Ｂ、配線パターン２２Ａ、２２Ｂ、バンプ３２ａ、３２ｂ及び電極３１ａ、３１ｂを介してＬＥＤチップ３に印加される。ＬＥＤチップ３は、電圧の印加によって電流が流れることによって発光し、光を封止樹脂４Ａを介して外部に出射する。ＬＥＤチップ３の発熱は、電極３１ａ、３１ｂ、バンプ３２ａ、３２ｂ及び配線パターン２２Ａ、２２Ｂを介して充填部２３Ａ、２３Ｂに伝達し、実装基板に放熱される。
（第１の実施の形態の効果）
本実施の形態によれば、以下の効果を奏する。
（ａ）樹脂フィルムの表面に極力狭い間隔で一対の配線パターンを形成し、それに対応する位置に樹脂フィルムを貫通するように設けた貫通穴の中に金属からなる充填部を配線パターンに接触させつつ樹脂フィルムの裏面に露出させた片面配線基板なので、フリップチップ実装も可能となる。また、充填部の面積を搭載領域の面積よりも広く、かつ、配線パターンの面積の５０％以上とすることにより、充填部の放熱面積が増大し、放熱性が良好となる。
（ｂ）発光素子搭載用基板としての汎用性を高めることができるので、その結果として単位明るさ当たりの価格の安価なＬＥＤパッケージを提供することが可能になる。
（ｃ）放熱性に関しては、主に配線パターンや充填部の厚さと面積と位置を調整することで、熱の伝導・対流・放射の調整が可能になる。
本実施の形態によれば、以下の効果を奏する。
（ａ）樹脂フィルムの表面に極力狭い間隔で一対の配線パターンを形成し、それに対応する位置に樹脂フィルムを貫通するように設けた貫通穴の中に金属からなる充填部を配線パターンに接触させつつ樹脂フィルムの裏面に露出させた片面配線基板なので、フリップチップ実装も可能となる。また、充填部の面積を搭載領域の面積よりも広く、かつ、配線パターンの面積の５０％以上とすることにより、充填部の放熱面積が増大し、放熱性が良好となる。
（ｂ）発光素子搭載用基板としての汎用性を高めることができるので、その結果として単位明るさ当たりの価格の安価なＬＥＤパッケージを提供することが可能になる。
（ｃ）放熱性に関しては、主に配線パターンや充填部の厚さと面積と位置を調整することで、熱の伝導・対流・放射の調整が可能になる。
［第２の実施の形態］
図４は、本発明の第２の実施の形態に係るＬＥＤパッケージを示す。なお、同図は、封止樹脂と反射層を取り除いたＬＥＤパッケージの平面図である。なお、本実施の形態は、反射層を設けなくてもよい。
図４は、本発明の第２の実施の形態に係るＬＥＤパッケージを示す。なお、同図は、封止樹脂と反射層を取り除いたＬＥＤパッケージの平面図である。なお、本実施の形態は、反射層を設けなくてもよい。
第１の実施の形態では、発光素子搭載用基板２に１つのＬＥＤチップ３を搭載したが、本実施の形態のＬＥＤパッケージ１は、複数（例えば３つ）のＬＥＤチップ３を搭載したものである。
本実施の形態の搭載領域３０は、３つのＬＥＤチップ３を含む領域となっている。一対の配線パターン２２Ａ、２２Ｂは、搭載領域３０の一辺３０ａの長さ、例えば１．２ｍｍ以上の範囲にわたって搭載領域３０の一辺３０ｂの長さ、例えば０．３ｍｍ以下の第１の間隔ｄ１を有する。
一対の充填部２３Ａ、２３Ｂは、搭載領域３０の一辺３０ａの長さ（例えば１．２ｍｍ）以上の範囲にわたって搭載領域３０の一辺３０ｂの長さ、例えば０．３ｍｍ以下の第２の間隔ｄ２を有する。
［第３の実施の形態］
図５は、本発明の第３の実施の形態に係るＬＥＤパッケージを示す。なお、同図は、封止樹脂と反射層を取り除いたＬＥＤパッケージの平面図である。なお、本実施の形態は、反射層を設けなくてもよい。
図５は、本発明の第３の実施の形態に係るＬＥＤパッケージを示す。なお、同図は、封止樹脂と反射層を取り除いたＬＥＤパッケージの平面図である。なお、本実施の形態は、反射層を設けなくてもよい。
第１及び第２の実施の形態では、搭載領域３０が１つであり、またＬＥＤチップ３のみを搭載したが、本実施の形態は、複数の搭載領域３０Ａ、３０Ｂを有し、ＬＥＤチップ３の他に、他の電子部品を搭載したものである。
すなわち、本実施の形態のＬＥＤパッケージ１は、一対の配線パターン２２Ａ、２２Ｂに跨るように搭載領域３０Ａが設けられ、一方の配線パターン２２Ａにも搭載領域３０Ｂが設けられている。このＬＥＤパッケージ１は、一方の搭載領域３０Ａに第１及び第２の実施の形態と同様のＬＥＤチップ３を搭載し、他方の搭載領域３０ＢにＬＥＤチップ５Ａを搭載し、一対の配線パターン２２Ａ、２２Ｂに跨るように静電破壊防止素子としてのツェナーダイオード７を搭載してものである。
ＬＥＤチップ５Ａは、底面に１つの電極（図示せず）を有し、上面に他の電極５ａを有するタイプのものである。ＬＥＤチップ５Ａは、底面の電極が配線パターン２２Ａにバンプ又は導電性接着剤によって接合され、上面の電極５ａは、ボンディングワイヤ６によって他方の配線パターン２２Ｂに電気的に接続されている。放熱性の観点では、搭載領域３０ＢとＬＥＤチップ５Ａは、充填部２３Ａの水平投影面内にレイアウトすることがより好ましい。
［第４の実施の形態］
図６は、本発明の第４の実施の形態に係るＬＥＤパッケージを示す。なお、同図は、封止樹脂と反射層を取り除いたＬＥＤパッケージの平面図である。なお、本実施の形態は、反射層を設けなくてもよい。
図６は、本発明の第４の実施の形態に係るＬＥＤパッケージを示す。なお、同図は、封止樹脂と反射層を取り除いたＬＥＤパッケージの平面図である。なお、本実施の形態は、反射層を設けなくてもよい。
第１の実施の形態では、配線パターン２２Ａ、２２Ｂに跨るように１つのＬＥＤチップ３を搭載したが、本実施の形態のＬＥＤパッケージ１は、一方の配線パターン２２Ａに複数（例えば３つ）のＬＥＤチップ５Ｂを搭載したものである。
本実施の形態は、３つのＬＥＤチップ５Ｂを含むように一方の配線パターン２２Ａに搭載領域３０が設けられている。このＬＥＤパッケージ１は、搭載領域３０に３つのＬＥＤチップ５Ｂを搭載し、一対の配線パターン２２Ａ、２２Ｂに跨るように静電破壊防止素子としてのツェナーダイオード７を搭載してものである。
ＬＥＤチップ５Ｂは、上面に２つの電極５ａを有する。ＬＥＤチップ５Ｂは、底面がシリコーン樹脂等の接着剤によって配線パターン２２Ａに接合されている。３つのＬＥＤチップ５Ｂのうち両端に位置するＬＥＤチップ５Ｂは、一方の電極５ａがボンディングワイヤ６Ａ、６Ｄによって配線パターン２２Ａに接続されている。３つのＬＥＤチップ５Ｂ間は、電極５ａ同士がボンディングワイヤ６Ｂ、６Ｃによって接続されている。放熱性の観点では、搭載領域３０とＬＥＤチップ５Ｂは、充填部２３Ａの水平投影面内にレイアウトすることがより好ましい。
［第５の実施の形態］
図７（ａ）は、本発明の第５の実施の形態に係るＬＥＤパッケージの断面図、図７（ｂ）は、図７（ａ）のＬＥＤパッケージから封止樹脂と反射層を取り除いたＬＥＤパッケージの平面図である。なお、本実施の形態は、反射層を設けなくてもよい。
図７（ａ）は、本発明の第５の実施の形態に係るＬＥＤパッケージの断面図、図７（ｂ）は、図７（ａ）のＬＥＤパッケージから封止樹脂と反射層を取り除いたＬＥＤパッケージの平面図である。なお、本実施の形態は、反射層を設けなくてもよい。
第１の実施の形態では、配線パターン２２Ａ、２２Ｂは、矩形状を有していたが、本実施の形態は、配線パターン２２Ａ、２２Ｂを凸状にし、充填部２３Ａ、２３Ｂも配線パターン２２Ａ、２２Ｂと同様に凸状にしたものである。
配線パターン２２Ａ、２２Ｂは、第１の間隔ｄ１を有する部分に凸部２２ａを有する。凸部２２ａ間の間隔ｄ１は、第１の実施の形態と同様である。充填部２３Ａ、２３Ｂは、第２の間隔ｄ２を有する部分に凸部２３ａを有する。第１の間隔ｄ１及び第２の間隔ｄ２は、第１の実施の形態と同様である。
本実施の形態によれば、図７（ａ）に示すように、ＬＥＤチップ３の直下で、配線パターン２２Ａ、２２Ｂ及び充填部２３Ａ、２３Ｂの形状を凸状にすると、充填部２３Ａ、２３Ｂ間の第２の間隔ｄ２の部分の長さが短くなるので、その部分の機械的強度が確保しやすくなり、充填部２３Ａ、２３Ｂ間の間隔ｄ２を例えば０．２０ｍｍ以下することが容易になる。
また、充填部２３Ａ、２３Ｂ間の間隔ｄ２を小さくすることによって、ＬＥＤチップ３の直下にある熱伝導率の低い部材である樹脂フィルム２０の面積を減らして、その分充填部２３Ａ，２３Ｂの面積を増やすことができるので、ＬＥＤチップ３の近傍における熱伝導量を向上させることが可能になる。
また、本実施の形態の封止樹脂４Ｂは、第１の実施の形態のような球形とは異なり、矩形状を有している。この封止樹脂４Ｂの上面が平坦であるので、真空吸引によるマウントも可能になる。
なお、凸部２２ａ、２３ａの形は、図７に限らず多段の形状であってもよいし、凸部２２ａ、２３ａを複数箇所に設けてもよい。そうすることによって、ＬＥＤチップ３の電極レイアウトの設計自由度を向上させる効果が見込める。
［第６の実施の形態］
図８（ａ）は、本発明の第６の実施の形態に係るＬＥＤパッケージの断面図、図８（ｂ）は、図８（ａ）のＬＥＤパッケージから封止樹脂と反射層を取り除いたＬＥＤパッケージの平面図である。なお、本実施の形態は、反射層を設けなくてもよい。
図８（ａ）は、本発明の第６の実施の形態に係るＬＥＤパッケージの断面図、図８（ｂ）は、図８（ａ）のＬＥＤパッケージから封止樹脂と反射層を取り除いたＬＥＤパッケージの平面図である。なお、本実施の形態は、反射層を設けなくてもよい。
本実施の形態のＬＥＤパッケージ１は、第５の実施の形態において、配線パターン２２Ａ、２２Ｂ及び充填部２３Ａ、２３Ｂの外側の端部をＬＥＤパッケージ１の外形と概略一致させたものである。こうすることで、ＬＥＤパッケージ１を実装基板にはんだリフロー実装した際に、はんだフィレットの外観確認が容易になる。また配線パターン２２Ａ，２２Ｂの一部と充填部２３Ａ，２３Ｂが一部が露出していることで、放熱性の向上が期待できる。
［第７の実施の形態］
図９（ａ）は、本発明の第７の実施の形態に係るＬＥＤパッケージの断面図、図９（ｂ）は、図９（ａ）のＬＥＤパッケージから封止樹脂と反射層を取り除いたＬＥＤパッケージの平面図である。なお、本実施の形態は、反射層を設けなくてもよい。
図９（ａ）は、本発明の第７の実施の形態に係るＬＥＤパッケージの断面図、図９（ｂ）は、図９（ａ）のＬＥＤパッケージから封止樹脂と反射層を取り除いたＬＥＤパッケージの平面図である。なお、本実施の形態は、反射層を設けなくてもよい。
本実施の形態のＬＥＤパッケージ１は、第６の実施の形態において、一対の配線パターン２２Ａ、２２Ｂを一対の充填部２３Ａ、２３Ｂよりも部分的に小さくして、配線パターン側から見た時に充填部２３Ａ，２３Ｂの一部が見えるようにしたものである。充填部２３Ａ、２３Ｂを形成してから配線パターン２２Ａ、２２Ｂを形成する工程順序なのでこのような形状が可能になる。この形状によって配線パターン２２Ａ、２２Ｂ側に設ける反射層２４などの樹脂類の食いつきを良くすることができる。特に、配線パターン２２Ａ、２２Ｂの外形を複雑な形状にしたり、配線パターン２２Ａ、２２Ｂのエッチング断面を逆テーパにしたりすると大きな効果が期待できる。
［第８の実施の形態］
図１０は、本発明の第８の実施の形態に係るＬＥＤパッケージの断面図である。なお、本実施の形態は、反射層を設けなくてもよい。
図１０は、本発明の第８の実施の形態に係るＬＥＤパッケージの断面図である。なお、本実施の形態は、反射層を設けなくてもよい。
本実施の形態のＬＥＤパッケージ１は、第７の実施の形態において、発光素子搭載用基板２の裏面２０ｂにソルダーレジスト層２５を形成したものである。ソルダーレジスト層２５は、充填部２３Ａ、２３Ｂ側には、はんだでリフロー実装した場合のはんだブリッジを防止するためものである。一般の液状レジストをスクリーン印刷して形成が可能である。ソルダーレジスト層２５の形は、Ｉ型、Ｈ型、パッケージ外周を囲むロ字状などから自由に設計が可能であるのは言うまでもない。
［第９の実施の形態］
図１１（ａ）は、本発明の第９の実施の形態に係るＬＥＤパッケージの断面図である。図１１（ｂ）は、図１１（ａ）のＬＥＤパッケージから封止樹脂を取り除いたＬＥＤパッケージの平面図である。なお、配線パターン２２Ａ、２２Ｂの上に反射層を設けてもよい。
図１１（ａ）は、本発明の第９の実施の形態に係るＬＥＤパッケージの断面図である。図１１（ｂ）は、図１１（ａ）のＬＥＤパッケージから封止樹脂を取り除いたＬＥＤパッケージの平面図である。なお、配線パターン２２Ａ、２２Ｂの上に反射層を設けてもよい。
本実施の形態のＬＥＤパッケージ１は、第８の実施の形態において、配線パターン２２Ａ、２２Ｂ側にモールド樹脂成型によってＬＥＤチップ３からの光を反射する傾斜面４ａを有してリフレクタとして機能する封止樹脂４Ｃを形成したものである。そのようなモールド樹脂としては、日立化成製（ＣＥＬ−Ｗ−７００５）などがある。
［第１０の実施の形態］
図１２は、本発明の第１０の実施の形態に係るＬＥＤパッケージの断面図である。なお、配線パターン２２Ａ、２２Ｂの上に反射層を設けてもよい。
図１２は、本発明の第１０の実施の形態に係るＬＥＤパッケージの断面図である。なお、配線パターン２２Ａ、２２Ｂの上に反射層を設けてもよい。
本実施の形態のＬＥＤパッケージ１は、第９の実施の形態において、リフレクタとして機能する封止樹脂４Ｃの一部を樹脂フィルム２０の裏面２０ｂ側に回り込むようにしたものである。パッケージ外形に一か所以上の貫通穴をあけて充填部２３Ａ、２３Ｂ側にもモールド樹脂が回りこむようにして、封止樹脂４ｃと４ｂは、部分的または全体的に一体化することが望ましい。そうすることによって、ＬＥＤパッケージ１の機械的強度が増す。また、配線パターン２２Ａ、２２Ｂの外形を複雑な形状にしたり、配線パターン２２Ａ、２２Ｂのエッチング断面を逆テーパにしたりすると、封止樹脂を剥がれにくくするという効果が期待できる。
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されず、発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々に変形実施が可能である。例えば、充填部２３Ａ、２３Ｂに絶縁層を介してヒートシンクを接続してもよい。絶縁層は、放熱性の高いものを用いるのが望ましい。この場合、ＬＥＤチップ３へは充填部２３Ａ、２３Ｂを介さずに直接配線パターン２２Ａ、２２Ｂを介して電圧が印加される。
＜放熱性の評価＞
本発明の配線基板の放熱性の確認として図６に類似する実装形態で試験を行った。配線基板の厚さ方向の構成は、樹脂フィルム２０としてユーピレックスＳ（宇部興産株式会社の商品名）の５０μｍ厚さのものを使用し、そこに接着剤２１として巴川Ｘ（株式会社巴川製紙所の商品名）を１２μｍラミネートし、配線パターン２２Ａ，２２Ｂとして厚さ３５μｍの銅箔を用いた。評価用の配線基板の配線パターンとしては概略、図６の２２Ｂ側のパターンのみを用いた。まず配線基板Ａとして、その平面サイズは樹脂フィルム２０が２．２×１．６ｍｍ、パターン２２Ｂが１．６×１．３ｍｍ、充填部２３Ｂが１．２×１．０ｍｍで、それぞれが中心をほぼ同じく配置している。また充填部２３Ｂの厚さは６０μｍで充填部２３Ｂと配線パターン２２Ｂ表面には、ニッケルめっき０．５μｍ、金めっき０．５μｍが加工されている。比較用の配線基板Ｂとしては同じ構成及びサイズで充填部２３Ｂと貫通穴が無いものを用いた。次に配線基板Ａと配線基板ＢをＡｕ−Ｓｎペーストを用いてＴＯ−４６ステムに固定し、それぞれパターンの中央付近に２ワイヤタイプの０．５ｍｍ角のＬＥＤチップ（日立電線株式会社製）を銀ペーストでダイボンディングし、金ワイヤでＴＯ−４６ステムとＬＥＤチップを結線した。加えて比較用に、ＴＯ−４６ステムに同じＬＥＤチップを銀ペーストでダイボンディングし、金ワイヤでＴＯ−４６ステムと結線した。
この３種類のサンプルを過渡熱抵抗測定法（ΔＶＦ法）を用いて熱抵抗とＬＥＤチップ
の温度上昇を推定した。その結果、ＴＯ−４６ステムの温度上昇の影響が現れる直前でのＬＥＤチップの温度上昇ΔＴｊは、ＴＯ−４６ステムに直接ダイボンディングしたものと
充填部がある配線基板ＡのΔＴｊはほぼ同一で約２０℃となった。一方、充填部の無い配線基板ＢのΔＴｊは約４０℃となった。これをＴＯ−４６ステムまでの熱抵抗Ｒｔｈで表すとＴＯ−４６ステムに直接ダイボンディングしたものと配線基板ＡのＲｔｈは約６０℃／Ｗ、一方、充填部の無い配線基板ＢのＲｔｈは約１４０℃／Ｗとなった。これは、充填部を有する配線基板Ａが極めて効率よくＴＯ−４６ステムへ熱伝導していることを表している。
本発明の配線基板の放熱性の確認として図６に類似する実装形態で試験を行った。配線基板の厚さ方向の構成は、樹脂フィルム２０としてユーピレックスＳ（宇部興産株式会社の商品名）の５０μｍ厚さのものを使用し、そこに接着剤２１として巴川Ｘ（株式会社巴川製紙所の商品名）を１２μｍラミネートし、配線パターン２２Ａ，２２Ｂとして厚さ３５μｍの銅箔を用いた。評価用の配線基板の配線パターンとしては概略、図６の２２Ｂ側のパターンのみを用いた。まず配線基板Ａとして、その平面サイズは樹脂フィルム２０が２．２×１．６ｍｍ、パターン２２Ｂが１．６×１．３ｍｍ、充填部２３Ｂが１．２×１．０ｍｍで、それぞれが中心をほぼ同じく配置している。また充填部２３Ｂの厚さは６０μｍで充填部２３Ｂと配線パターン２２Ｂ表面には、ニッケルめっき０．５μｍ、金めっき０．５μｍが加工されている。比較用の配線基板Ｂとしては同じ構成及びサイズで充填部２３Ｂと貫通穴が無いものを用いた。次に配線基板Ａと配線基板ＢをＡｕ−Ｓｎペーストを用いてＴＯ−４６ステムに固定し、それぞれパターンの中央付近に２ワイヤタイプの０．５ｍｍ角のＬＥＤチップ（日立電線株式会社製）を銀ペーストでダイボンディングし、金ワイヤでＴＯ−４６ステムとＬＥＤチップを結線した。加えて比較用に、ＴＯ−４６ステムに同じＬＥＤチップを銀ペーストでダイボンディングし、金ワイヤでＴＯ−４６ステムと結線した。
この３種類のサンプルを過渡熱抵抗測定法（ΔＶＦ法）を用いて熱抵抗とＬＥＤチップ
の温度上昇を推定した。その結果、ＴＯ−４６ステムの温度上昇の影響が現れる直前でのＬＥＤチップの温度上昇ΔＴｊは、ＴＯ−４６ステムに直接ダイボンディングしたものと
充填部がある配線基板ＡのΔＴｊはほぼ同一で約２０℃となった。一方、充填部の無い配線基板ＢのΔＴｊは約４０℃となった。これをＴＯ−４６ステムまでの熱抵抗Ｒｔｈで表すとＴＯ−４６ステムに直接ダイボンディングしたものと配線基板ＡのＲｔｈは約６０℃／Ｗ、一方、充填部の無い配線基板ＢのＲｔｈは約１４０℃／Ｗとなった。これは、充填部を有する配線基板Ａが極めて効率よくＴＯ−４６ステムへ熱伝導していることを表している。
１…ＬＥＤパッケージ、２…発光素子搭載用基板、３…ＬＥＤチップ、４Ａ、４Ｂ、４Ｃ…封止樹脂、４ａ…傾斜面、４ｂ…封止樹脂の一部、５Ａ、５Ｂ…ＬＥＤチップ、５ａ…電極、６、６Ａ〜６Ｄ…ボンディングワイヤ、７…ツェナーダイオード、２０…樹脂フィルム、２０ａ…表面、２０ｂ…裏面、２０ｃ…貫通孔、２１…接着剤、２２Ａ、２２Ｂ…配線パターン、２２ａ…凸部、２３Ａ、２３Ｂ…充填部、２３ａ…凸部、２４…反射層、２４ａ…開口、２５…ソルダーレジスト層、３０、３０Ａ、３０Ｂ…搭載領域、３０ａ、３０ｂ…辺、３１ａ、３１ｂ…電極、３２ａ、３２ｂ…バンプ、１００…テープ基板、１０１…ユニットパターン、１０２…ブロック、１０３…スプロケット穴、２００…電気的絶縁材、２２０…銅箔、ｄ１…第１の間隔、ｄ２…第２の間隔
Claims (9)
- 絶縁性を有する基板と、
前記基板の一方の面上に形成され、第１の間隔を有して離間する一対の配線パターンと、
前記基板を厚さ方向に貫通し、第２の間隔を有して離間する一対の貫通孔と、
前記一対の配線パターンに接触するとともに前記基板の前記一方の面と反対側の面に露出するように前記一対の貫通孔に充填された金属からなる一対の充填部とからなる片面配線基板であって、
前記一対の充填部のそれぞれの充填部は、前記一対の配線パターンのそれぞれの配線パターンの面積の５０％以上の水平投影面積を有することを特徴とする発光素子搭載用基板。 - 前記基板は、半径５０ｍｍで曲げてもクラックが発生しない可撓性を有する請求項１に記載の発光素子搭載用基板。
- 前記一対の配線パターンは、それぞれが０．１ｍｍ2以上の面積を有し、
前記第１の間隔は、０．３ｍｍ以上の範囲にわたって前記配線パターンの表面において配線厚さの１．５倍以下の間隔となるように前記基板の前記一方の面上に形成され、
前記第２の間隔は、０．３ｍｍ以上の範囲にわたって前記基板の前記一方の面側において０．２ｍｍ以下の間隔となるように前記基板に設けられた請求項１又は２に記載の発光素子搭載用基板。 - 前記一対の配線パターンは、銅又は銅合金から形成され、
前記一対の充填部は、銅または銅合金からなり、前記貫通孔の前記一方の面側から前記基板の厚さの１／２以上の厚さで充填されている請求項１乃至３のいずれか１項に記載の発光素子搭載用基板。 - 前記一対の配線パターン及び前記一対の充填部は、ともに３５０Ｗ／ｍｋ以上の熱伝導率を有する請求項１乃至４のいずれか１項に記載の発光素子搭載用基板。
- 前記一対の配線パターンは、前記第１の間隔を有する部分に凸部を有し、
前記一対の充填部は、前記一対の配線パターンの前記凸部と概略同じ位置にあって前記第２の間隔を有する部分に凸部を有する請求項１乃至５のいずれか１項に記載の発光素子
搭載用基板。 - 前記一対の配線パターンを含む前記基板の一方の面側は、硫酸バリウム（ＢａＳＯ4）の白色を基準とした分光光度計による測定において、波長４５０〜７００ｎｍの範囲の初期反射率が８０％以上の反射層を有する請求項１乃至６のいずれか１項に記載の発光素子搭載用基板。
- 前記基板の前記一方の面と反対側の面側に、ソルダーレジスト層を有する請求項１乃至７のいずれか１項に記載の発光素子搭載用基板。
- 請求項１乃至８のいずれか１項に記載の発光素子搭載用基板の前記一対の配線パターンを跨ぐように、若しくは一方の配線パターンの上面に前記発光素子としてＬＥＤチップを搭載して前記配線パターンと前記ＬＥＤチップとを電気的に接続し、前記ＬＥＤチップを封止樹脂で封止した構成のＬＥＤパッケージ。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012064700A JP2013033909A (ja) | 2011-06-29 | 2012-03-22 | 発光素子搭載用基板及びｌｅｄパッケージ |
| US13/492,998 US20130001618A1 (en) | 2011-06-29 | 2012-06-11 | Light-emitting element mounting substrate and led package |
| CN2012102088272A CN102856484A (zh) | 2011-06-29 | 2012-06-19 | 发光元件搭载用基板及led封装件 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011144544 | 2011-06-29 | ||
| JP2011144544 | 2011-06-29 | ||
| JP2012064700A JP2013033909A (ja) | 2011-06-29 | 2012-03-22 | 発光素子搭載用基板及びｌｅｄパッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2013033909A true JP2013033909A (ja) | 2013-02-14 |
Family
ID=47389681
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012064700A Pending JP2013033909A (ja) | 2011-06-29 | 2012-03-22 | 発光素子搭載用基板及びｌｅｄパッケージ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20130001618A1 (ja) |
| JP (1) | JP2013033909A (ja) |
| CN (1) | CN102856484A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015195349A (ja) * | 2014-03-28 | 2015-11-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| JP2016127111A (ja) * | 2014-12-26 | 2016-07-11 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
| US9893242B2 (en) | 2015-09-30 | 2018-02-13 | Nichia Corporation | Light emitting device |
| JP2019016629A (ja) * | 2017-07-03 | 2019-01-31 | 大日本印刷株式会社 | Ｌｅｄモジュール |
| US10199545B2 (en) | 2015-09-30 | 2019-02-05 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Substrate for light emitting element and module |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10043960B2 (en) * | 2011-11-15 | 2018-08-07 | Cree, Inc. | Light emitting diode (LED) packages and related methods |
| TW201340422A (zh) * | 2012-03-30 | 2013-10-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 發光二極體焊接方法 |
| EP3078063B1 (en) * | 2013-12-06 | 2020-06-10 | Lumileds Holding B.V. | Mounting assembly and lighting device |
| DE102014101557A1 (de) * | 2014-02-07 | 2015-08-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
| US9812625B2 (en) * | 2014-02-18 | 2017-11-07 | Nichia Corporation | Light-emitting device having resin member with conductive particles |
| JP6661890B2 (ja) * | 2014-05-21 | 2020-03-11 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| JP6540026B2 (ja) * | 2014-12-26 | 2019-07-10 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| US10257932B2 (en) * | 2016-02-16 | 2019-04-09 | Microsoft Technology Licensing, Llc. | Laser diode chip on printed circuit board |
| KR102473668B1 (ko) | 2016-03-02 | 2022-12-01 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 실장 기판 및 이를 이용한 발광 패키지 |
| US10412362B2 (en) * | 2017-07-27 | 2019-09-10 | Qualcomm Incorporated | Active alignment correction for optical systems |
| DE102019127731A1 (de) * | 2019-10-15 | 2021-04-15 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur herstellung einer vielzahl von halbleiterbauelementen, halbleiterbauelement und halbleiterbauteil mit einem solchen halbleiterbauelement |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006134912A (ja) * | 2004-11-02 | 2006-05-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体モジュールおよびその製造方法、ならびにフィルムインターポーザ |
| JP2007305844A (ja) * | 2006-05-12 | 2007-11-22 | Stanley Electric Co Ltd | 発光装置とその製造方法 |
| DE102009030045B3 (de) * | 2009-06-22 | 2011-01-05 | Universität Leipzig | Transparente gleichrichtende Metall-Metalloxid-Halbleiterkontaktstruktur und Verfahren zu seiner Herstellung und Verwendung |
-
2012
- 2012-03-22 JP JP2012064700A patent/JP2013033909A/ja active Pending
- 2012-06-11 US US13/492,998 patent/US20130001618A1/en not_active Abandoned
- 2012-06-19 CN CN2012102088272A patent/CN102856484A/zh active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015195349A (ja) * | 2014-03-28 | 2015-11-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| JP2016127111A (ja) * | 2014-12-26 | 2016-07-11 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
| US9893242B2 (en) | 2015-09-30 | 2018-02-13 | Nichia Corporation | Light emitting device |
| US10199545B2 (en) | 2015-09-30 | 2019-02-05 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Substrate for light emitting element and module |
| JP2019016629A (ja) * | 2017-07-03 | 2019-01-31 | 大日本印刷株式会社 | Ｌｅｄモジュール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102856484A (zh) | 2013-01-02 |
| US20130001618A1 (en) | 2013-01-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5985846B2 (ja) | 発光素子搭載用基板及びｌｅｄパッケージ | |
| JP2013033909A (ja) | 発光素子搭載用基板及びｌｅｄパッケージ | |
| JP2013033910A (ja) | 発光素子搭載用基板、ｌｅｄパッケージ、及びｌｅｄパッケージの製造方法 | |
| EP2648238B1 (en) | Light-emitting element mounting package, and manufacturing method of the same | |
| US9192049B2 (en) | Wiring substrate and semiconductor package | |
| KR20120002916A (ko) | 엘이디 모듈, 엘이디 패키지와 배선기판 및 그 제조방법 | |
| US9615461B2 (en) | Wiring module including wiring substrate having border portion separating two side metallic foils and manufacturing method of wiring module | |
| US9373762B2 (en) | Electronic part package | |
| EP2188849B1 (en) | Light emitting device | |
| JP5940799B2 (ja) | 電子部品搭載用パッケージ及び電子部品パッケージ並びにそれらの製造方法 | |
| KR20110094297A (ko) | 발광 소자 패키지용 기판의 제조 방법 및 발광 소자 패키지 | |
| TWI586004B (zh) | 用於發光組件之電路及其製造方法 | |
| US8941139B2 (en) | Light-emitting element mounting package, light-emitting element package, and method of manufacturing the same | |
| US9685391B2 (en) | Wiring board and semiconductor package | |
| JP2013033912A (ja) | 発光素子搭載用基板及びｌｅｄパッケージ | |
| US9282629B2 (en) | Wiring substrate and semiconductor package | |
| KR20110085121A (ko) | 발광 장치 | |
| KR20140096802A (ko) | 발광장치 및 이를 포함하는 백라이트 유닛 | |
| JP2013084803A (ja) | 発光装置、発光素子パッケージ及び発光素子搭載用配線基板 | |
| KR101768908B1 (ko) | 메탈 인쇄회로기판 및 그 제조 방법, 엘이디 패키지 구조물 및 그 제조 방법 | |
| CN216120345U (zh) | 一种基板、led发光器件及发光装置 | |
| TWI743618B (zh) | 封裝載板及發光裝置 | |
| JP6679799B2 (ja) | 発光装置 | |
| KR101172168B1 (ko) | 방열회로기판 및 그의 제조 방법 | |
| KR20140140672A (ko) | 전기적으로 절연 고립된 방열 통로를 가진 방열기판의 제조 방법 |