JP2013033912A - 発光素子搭載用基板及びledパッケージ - Google Patents
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Abstract
【課題】片面配線基板を用いたフリップチップ実装が可能であり、放熱性及び光反射性に優れ、LEDパッケージの個片化が容易な発光素子搭載用基板、及びこれを用いたLEDパッケージを提供する。
【解決手段】発光素子搭載用基板2は、LEDチップ3が搭載される搭載領域30を有して樹脂フィルム20の表面20a上に形成された一対の配線パターン22A、22Bと、一対の配線パターン22A、22Bにそれぞれ接触する一対の充填部23A、23Bと、一対の配線パターン22A、22Bを覆うように樹脂フィルム20の表面10a上に形成された光反射性を有する絶縁層24とを備え、一対の充填部23A、23Bは、一対の配線パターン22A、22Bから外側にはみ出したはみ出し部230、231を有し、絶縁層24は、搭載領域30に対応する領域内にLEDチップ3を電気的に接続するバンプ32a、32bを通過させる開口24aを備える。
【選択図】図1A
【解決手段】発光素子搭載用基板2は、LEDチップ3が搭載される搭載領域30を有して樹脂フィルム20の表面20a上に形成された一対の配線パターン22A、22Bと、一対の配線パターン22A、22Bにそれぞれ接触する一対の充填部23A、23Bと、一対の配線パターン22A、22Bを覆うように樹脂フィルム20の表面10a上に形成された光反射性を有する絶縁層24とを備え、一対の充填部23A、23Bは、一対の配線パターン22A、22Bから外側にはみ出したはみ出し部230、231を有し、絶縁層24は、搭載領域30に対応する領域内にLEDチップ3を電気的に接続するバンプ32a、32bを通過させる開口24aを備える。
【選択図】図1A
Description
本発明は、発光素子搭載用基板、及びこれを用いたLEDパッケージに関する。
近年、省エネルギーの観点から発光素子としてLED(Light Emitting Diode)チップを用いた表示装置や照明装置が注目されるようになり、世界的なレベルでLEDチップとそれに関連する製品や技術の開発競争が起きている。その象徴の一例として、単位明るさ当りの価格(円/lm)が単位として周知されているほどである。
そのような中、LEDチップに関しては発光効率の観点から、発光面側に電極を持つワイヤーボンディング型のLEDチップとは別に、電極をLEDチップの裏面に設けたフリップチップ型のLEDチップが注目されている。このフリップチップ型のLEDチップを実装する基板には、基板の放熱性、配線パターンの微細性、基板の平坦性などが必要とされるため、セラミック基板が多く使用されているのが現状である。
また、現在主流であるワイヤーボンディング型のLEDチップに関しては、LF(Lead Frame)を白いモールド樹脂で封止し、その封止樹脂がリフレクタを兼ねるタイプのLEDパッケージが注目されている。
しかし、セラミック基板は、比較的小さなサイズ(例えば50mm四方)のブロック単位での焼結を余儀なくされるため、大量生産しても安価になりにくく、配線パターンが微細になるほどに、配線のパターンの微細さに対する焼結の歪みの割合が無視できなくなってくる。加えて、最近は基板の薄さも要求されているので、ハンドリング時の衝撃で割れる確率が高くなってきている。
この代替基板としては、従来からあるリジット基板、テープ基板(TAB:Tape Automated Bonding)、フレキシブル基板、メタルベース基板などを使うことが検討されている。その際、良好な放熱性とフリップチップ実装可能な配線パターンの微細性について両立させるためには、基板の両面に配線が形成され、これらの配線同士が貫通ビアで電気的に接続された両面配線基板を採用するのが一般的である(例えば、特許文献1参照。)。
特許文献1に開示された発光装置は、導通領域と非導通領域を有する金属基板と、金属基板上に絶縁層を介して形成された一対の配線パターンと、一対の配線パターンにフリップチップ実装され、底面に2つの電極を有するLEDチップと、金属基板の導通領域とLEDチップの2つの電極を一対の配線パターンを介して接続する一対の貫通ビアとを備える。
しかし、両面配線基板の形態として、放熱性確保のための貫通ビアや配線の微細性を持たせると、片面配線基板に比べてどうしても高価になってしまうため、単位明るさあたりの価格(円/lm)という指標で競争力を失う原因となる。また、LEDチップのサイズよりも小さい断面積の貫通ビアを介して放熱する構成では、十分な放熱性が得られない。
また、LFをモールド樹脂で封止(トランスファーモールド)したLEDパッケージをはじめ、配線基板のブロック内に配列した複数のLEDパッケージを個片化するには、回転砥石を用いたダイサーを使用するのが一般化しており、その上ダイサーのメーカも寡占化しているため、他社との差別化によって競争力を確保するのが困難な状況にある。それに加えて、LEDパッケージの大きさが例えば3mm×1.5mm以下というように小型化されてきたことによって、配線基板のブロック内のLEDパッケージの数が数百個を超えるようになり、その結果として縦横合計のダイサーによるダイシングラインの数もほぼそれと同じ本数になってしまう状況になっている。これは、ダイサーの負荷が増大することを意味しており、LEDパッケージの生産数量が増えるほどに他社と差別化が困難なダイサーを増やしていくことにもなる。
また、フリップチップ型のLEDチップをセラミック基板以外の配線基板に実装しようとすると、LEDチップの直下やLEDチップの近傍がセラミック基板のように白色でないことがフリップチップ型のLEDチップからの光束を低下させる原因となる。そこで、フリップチップ型のLEDチップの仕様によっては、LEDチップ自体に反射層を持たせていたが、これはLEDチップのコストを上げる方向に作用する。
LEDチップを実装する配線基板側の対策で光束を低下させない方法としては、一般には、光の反射率の高い銀めっきや白色のレジストが使われているが、銀めっきには硫化による銀めっき自身の変色の問題があり、さらに印刷だけで加工が完了する熱硬化の白色のレジストには、濡れによる流れ出し現象があってその部分の反射率は不安定なものとなる。その対策として近年、白色のレジストにはフォトタイプで反射率の高いものが登場し始めたが、それでもLEDチップの外形よりも、やや大きい開口を作るに留まっている状況であり、どうしてもLEDチップ近傍のめっきは露出するので光の反射率の高いめっきが必要な状況にある。しかし、その反射率が高いめっきとして多く使われている銀めっきには、前述のように変色の問題がある。
したがって、本発明の目的は、片面配線基板を用いたフリップチップ実装が可能であり、放熱性及び光反射性に優れ、LEDパッケージの個片化が容易な発光素子搭載用基板及びこれを用いたLEDパッケージを提供することにある。
本発明は、上記目的を達成するため、以下の発光素子搭載用基板及びLEDパッケージを提供する。
[1]絶縁性を有する基板と、前記基板の一方の面上に形成された一対の配線パターンと、前記基板を厚さ方向に貫通する一対の貫通孔が形成され、前記一対の配線パターンに接触するとともに前記基板の前記一方の面と反対側の面側に露出するように前記一対の貫通孔に充填された金属からなる一対の充填部と、前記一対の配線パターンを覆うように前記基板の前記一方の面上に形成された光反射性を有する絶縁層とを備え、前記一対の充填部は、前記基板の前記一方の面側から見たとき、前記一対の配線パターンから外側にはみ出したはみ出し部を有し、前記絶縁層は、前記一対の配線パターンを露出する開口を備えた発光素子搭載用基板。
[2]前記一対の充填部の前記はみ出し部は、発光装置の外形の一部を形成するようにはみ出した形状を有する前記[1]に記載の発光素子搭載用基板。
[3]前記一対の充填部は、それぞれが前記配線パターンの面積の50%以上の面積を有する前記[1]又は[2]に記載の発光素子搭載用基板。
[4]前記配線パターンは、銅又は銅合金から形成され、前記充填部は、前記貫通孔の前記基板の厚さの1/2以上の部分に充填された銅又は銅合金から形成された前記[1]乃至[3]のいずれかに記載の発光素子搭載用基板。
[5]前記絶縁層は、硫酸バリウム(BaSO4)の白色を基準とした分光反射率計による測定において、波長450〜700nmの範囲の初期全反射率が80%以上を有する前記[1]乃至[4]のいずれかに記載の発光素子搭載用基板。
[6]前記絶縁層の備える前記開口は、0.3mm以下の直径を有する前記[5]に記載の発光素子搭載用基板。
[7]前記[1]乃至[6]のいずれかに記載の発光素子搭載用基板の前記一対の配線パターンを跨ぐように、若しくは一方の配線パターンの上面に前記発光素子としてLEDチップを搭載して前記配線パターンと前記LEDチップとを電気的に接続し、前記LEDチップを封止樹脂で封止した構成のLEDパッケージ。
また、本発明は、上記[1]乃至[6]のいずれかに記載された発光素子搭載用基板において、以下の構成を有するものでもよい。
すなわち、前記基板は、半径50mmで曲げてもクラックが発生しない可撓性を有する。
また、前記配線パターンは、30μm以上の厚さを有する。
また、前記配線パターン及び前記充填部は、ともに350W/mk以上の熱伝導率を有する。
また、前記基板の前記一方の面と反対側の面側に、ソルダーレジスト層を有する。
また、前記絶縁層は発光素子が搭載される領域に対応する領域に設けられ、前記開口を除く部分に絶縁層が存在する。
すなわち、前記基板は、半径50mmで曲げてもクラックが発生しない可撓性を有する。
また、前記配線パターンは、30μm以上の厚さを有する。
また、前記配線パターン及び前記充填部は、ともに350W/mk以上の熱伝導率を有する。
また、前記基板の前記一方の面と反対側の面側に、ソルダーレジスト層を有する。
また、前記絶縁層は発光素子が搭載される領域に対応する領域に設けられ、前記開口を除く部分に絶縁層が存在する。
本発明によれば、片面配線基板を用いたフリップチップ実装が可能であり、放熱性及び光反射性に優れ、LEDパッケージの個片化が容易な発光素子搭載用基板、及びこれを用いたLEDパッケージを提供することができる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、各図中、実質的に同一の機能を有する構成要素については、同一の符号を付してその重複説明を省略する。
[実施の形態の要約]
本実施の形態に係る発光素子搭載用基板は、絶縁性を有する基板と、前記基板の一方の面上に形成された一対の配線パターンと、前記基板を厚さ方向に貫通する一対の貫通孔が形成され、前記一対の配線パターンに接触するとともに前記基板の前記一方の面と反対側の面側に露出するように前記一対の貫通孔に充填された金属からなる一対の充填部と、前記一対の配線パターンを覆うように前記基板の前記一方の面上に形成された光反射性を有する絶縁層とを備え、前記一対の充填部は、前記基板の前記一方の面側から見たとき、前記一対の配線パターンから外側にはみ出したはみ出し部を有し、前記絶縁層は、前記一対の配線パターンを露出する開口を備えた発光素子搭載用基板である。開口は、発光素子が搭載される搭載領域に設けられており、前記搭載領域に対応する領域内に前記発光素子と前記一対の配線パターンとを電気的に接続する接続材を通過させるように設けられる。
本実施の形態に係る発光素子搭載用基板は、絶縁性を有する基板と、前記基板の一方の面上に形成された一対の配線パターンと、前記基板を厚さ方向に貫通する一対の貫通孔が形成され、前記一対の配線パターンに接触するとともに前記基板の前記一方の面と反対側の面側に露出するように前記一対の貫通孔に充填された金属からなる一対の充填部と、前記一対の配線パターンを覆うように前記基板の前記一方の面上に形成された光反射性を有する絶縁層とを備え、前記一対の充填部は、前記基板の前記一方の面側から見たとき、前記一対の配線パターンから外側にはみ出したはみ出し部を有し、前記絶縁層は、前記一対の配線パターンを露出する開口を備えた発光素子搭載用基板である。開口は、発光素子が搭載される搭載領域に設けられており、前記搭載領域に対応する領域内に前記発光素子と前記一対の配線パターンとを電気的に接続する接続材を通過させるように設けられる。
配線パターンには、発光素子が搭載されるべき搭載領域が存在している。ここで、「搭載領域」とは、発光素子の搭載を予定している領域をいい、通常は矩形状の領域であり、発光素子の数が1つのときは、発光素子の面積と概略等しくなり、発光素子の数が複数のときは、複数の発光素子を囲んだ1つの領域、又は個々の発光素子に対応した複数の領域をいう。また、「搭載領域」は、一対の配線パターンに跨って存在する場合や、一対の配線パターンのうち一方の配線パターンに存在する場合などがある。
充填部のはみ出し部と絶縁性を有する基板との境界は、ダイサーを用いなくても分離が可能であるので、絶縁性を有する基板からLEDチップ(発光素子)を封止樹脂で封止したLEDパッケージ(発光装置)を取り出すのが容易になる。LEDパッケージを個片化すると、充填部の端面がLEDパッケージの外形の一部を形成する。光反射性を有する絶縁層は、開口を除き発光素子直下や発光素子近傍においても発光素子からの光を反射する。
[第1の実施の形態]
図1A(a)は、本発明の第1の実施の形態に係るLEDパッケージの断面図、図1A(b)は、図1A(a)のLEDパッケージから封止樹脂と絶縁層を取り除いたLEDパッケージの平面図である。図1B(c)は、発光素子搭載用基板の平面図である。
図1A(a)は、本発明の第1の実施の形態に係るLEDパッケージの断面図、図1A(b)は、図1A(a)のLEDパッケージから封止樹脂と絶縁層を取り除いたLEDパッケージの平面図である。図1B(c)は、発光素子搭載用基板の平面図である。
発光装置の一例としてのLEDパッケージ1は、発光素子搭載用基板2の一対の配線パターン22A、22B上の辺30a、30bからなる矩形状の搭載領域30に、発光素子として底面に電極31a、31bを有するフリップチップ型のLEDチップ3をバンプ32a、32bによって接続するフリップチップ実装し、LEDチップ3を封止樹脂4Aで封止したものである。
発光素子搭載用基板2は、基板の片面に配線を有するいわゆる片面配線基板であり、絶縁性を有する基板としての樹脂フィルム20と、LEDチップ3が搭載される搭載領域30を有して樹脂フィルム20の一方の面である表面20a上に接着剤21を介して所定の方向に並んで形成された一対の配線パターン22A、22Bと、樹脂フィルム20を厚さ方向に貫通する一対の貫通孔20cが形成され、一対の配線パターン22A、22Bに接触するとともに樹脂フィルム20の一方の面と反対側の面である裏面20b側に露出するように一対の貫通孔20cに充填された金属からなる一対の充填部23A、23Bと、一対の配線パターン22A、22Bを覆うように樹脂フィルム20の表面20a側に形成され、LEDチップ3からの光を反射させる光反射性を有する絶縁層24とを備える。
また、発光素子搭載用基板2は、樹脂フィルム20の表面20a側から見たとき、一対の充填部23A、23Bは、一対の配線パターン22A、22Bから外側にはみ出したはみ出し部230、231を有する。
次に、上記LEDパッケージ1の各部の詳細について説明する。
(樹脂フィルム)
樹脂フィルム20は、半径50mmで曲げてもクラックが発生しない可撓性(柔軟性)と絶縁性を有するのが好ましい。樹脂フィルム20として、例えばポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエチレンナフタレート、エポキシ、アラミドなどの樹脂単体からなるフィルムを用いることができる。
樹脂フィルム20は、半径50mmで曲げてもクラックが発生しない可撓性(柔軟性)と絶縁性を有するのが好ましい。樹脂フィルム20として、例えばポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエチレンナフタレート、エポキシ、アラミドなどの樹脂単体からなるフィルムを用いることができる。
(配線パターン)
一対の配線パターン22A、22Bは所定の間隔を有して離間している。この間隔は、搭載領域30において、例えば0.04mm以下が好ましい。配線パターン22A、22Bの厚さは、30μm以上が好ましい。また、配線パターン22A、22Bは、350W/mk以上の熱伝導率を有するのが好ましい。そのような配線パターン22A、22Bの材料としては、銅(純銅)又は銅合金などを用いることができる。配線パターン22A、22Bの材料に純銅を用いることにより、396W/mkを実現することができる。配線パターン22A、22Bの形状は、本実施の形態では、矩形状であるが、これに限られず、5角形以上の多角形でもよく、曲線、円弧等を含む形状でもよい。
一対の配線パターン22A、22Bは所定の間隔を有して離間している。この間隔は、搭載領域30において、例えば0.04mm以下が好ましい。配線パターン22A、22Bの厚さは、30μm以上が好ましい。また、配線パターン22A、22Bは、350W/mk以上の熱伝導率を有するのが好ましい。そのような配線パターン22A、22Bの材料としては、銅(純銅)又は銅合金などを用いることができる。配線パターン22A、22Bの材料に純銅を用いることにより、396W/mkを実現することができる。配線パターン22A、22Bの形状は、本実施の形態では、矩形状であるが、これに限られず、5角形以上の多角形でもよく、曲線、円弧等を含む形状でもよい。
(充填部)
一対の充填部23A、23B間の間隔は、搭載領域30において、例えば0.2mm以下が好ましい。また、一対の充填部23A、23Bは、樹脂フィルム20の表面20a側から見たとき、それぞれが搭載領域30の面積よりも広く、かつ、それぞれが配線パターン22A、22Bの面積の50%以上又は75%以上の面積を有するのが好ましい。一対の充填部23A、23Bは、それぞれが配線パターン22A、22Bの面積よりも広い面積を有していてもよい。本実施の形態は、充填部23A、23Bは、配線パターン22A、22Bの面積の1.1〜1.3倍又は1.1〜1.5倍程度の面積を有する。一対の充填部23A、23Bは、一対の配線パターン22A、22Bが並ぶ所定の方向にはみ出したはみ出し部230と、所定の方向に直交する方向にはみ出したはみ出し部231とを有する。
一対の充填部23A、23B間の間隔は、搭載領域30において、例えば0.2mm以下が好ましい。また、一対の充填部23A、23Bは、樹脂フィルム20の表面20a側から見たとき、それぞれが搭載領域30の面積よりも広く、かつ、それぞれが配線パターン22A、22Bの面積の50%以上又は75%以上の面積を有するのが好ましい。一対の充填部23A、23Bは、それぞれが配線パターン22A、22Bの面積よりも広い面積を有していてもよい。本実施の形態は、充填部23A、23Bは、配線パターン22A、22Bの面積の1.1〜1.3倍又は1.1〜1.5倍程度の面積を有する。一対の充填部23A、23Bは、一対の配線パターン22A、22Bが並ぶ所定の方向にはみ出したはみ出し部230と、所定の方向に直交する方向にはみ出したはみ出し部231とを有する。
充填部23A、23Bは、樹脂フィルム20の表面20a側から見たとき、一対の充填部23A、23Bが並んだ方向にはみ出したはみ出し部230と、一対の充填部23A、23Bが並んだ方向に直交する方向にはみ出したはみ出し部231とを有する。なお、はみ出し部230、231のうち一方のみを有していてもよい。また、充填部23A、23Bは、後述するLEDパッケージ1の個片化の際に形成された切断面23bを有している。
充填部23A、23Bは、樹脂フィルム20の貫通孔20cの樹脂フィルム20の厚さの1/2以上の部分に金属を充填して形成されている。本実施の形態では、貫通孔20c内の全てに金属を充填して充填部23A、23Bを形成している。
充填部23A、23Bは、配線パターン22A、22Bと同様に350W/mk以上の熱伝導率を有するのが好ましい。そのような充填部23A、23Bの材料としては、銅(純銅)又は銅合金などを用いることができる。充填部23A、23Bの材料に純銅を用いることにより、396W/mkを実現することができる。
(絶縁層)
絶縁層24は、硫酸バリウム(BaSO4)の白色を基準とした分光反射率計による測定において、波長450〜700nmの範囲の初期全反射率が80%以上を有するのが好ましい。そのような絶縁層24の材料として、例えば白色のレジストを用いることができる。絶縁層24の開口24aは、小さい方が好ましいが、例えば直径0.05mm〜0.3mm(開口面積0.002〜0.071mm2)又は直径0.1〜0.2mm(開口面積0.008〜0.031mm2)としてもよい。本実施の形態では、開口24aを直径0.15mm以下(開口面積0.018mm2以下)とした。なお、絶縁層24の反射率は、配線基板の製造直後、若しくは配線基板の出荷時に、分光反射率計で測定した450〜700nmの範囲の各波長での全反射率を測定したものである。これを、初期全反射率という。
絶縁層24は、硫酸バリウム(BaSO4)の白色を基準とした分光反射率計による測定において、波長450〜700nmの範囲の初期全反射率が80%以上を有するのが好ましい。そのような絶縁層24の材料として、例えば白色のレジストを用いることができる。絶縁層24の開口24aは、小さい方が好ましいが、例えば直径0.05mm〜0.3mm(開口面積0.002〜0.071mm2)又は直径0.1〜0.2mm(開口面積0.008〜0.031mm2)としてもよい。本実施の形態では、開口24aを直径0.15mm以下(開口面積0.018mm2以下)とした。なお、絶縁層24の反射率は、配線基板の製造直後、若しくは配線基板の出荷時に、分光反射率計で測定した450〜700nmの範囲の各波長での全反射率を測定したものである。これを、初期全反射率という。
(LEDチップ)
LEDチップ3は、例えば、0.3〜1.0mm角程度のサイズを有し、底面に一対のアルミニウム等からなる電極31a、31bと、電極31a、31bに形成された金等からなるバンプ32a、32bとを有する。なお、LEDチップとして、底面と上面にそれぞれ電極を有し、又は上面に2つの電極を有し、ワイヤーによって接続するワイヤーボンディング型のLEDチップを用いてもよい。
LEDチップ3は、例えば、0.3〜1.0mm角程度のサイズを有し、底面に一対のアルミニウム等からなる電極31a、31bと、電極31a、31bに形成された金等からなるバンプ32a、32bとを有する。なお、LEDチップとして、底面と上面にそれぞれ電極を有し、又は上面に2つの電極を有し、ワイヤーによって接続するワイヤーボンディング型のLEDチップを用いてもよい。
(封止樹脂)
封止樹脂4Aは、本実施例ではLEDチップ3が発光する光に指向性を持たせるため、表面が球状あるいは曲面を有するが、これに限られない。また、封止樹脂4Aの材料として、シリコーン樹脂等の樹脂を用いることができる。
封止樹脂4Aは、本実施例ではLEDチップ3が発光する光に指向性を持たせるため、表面が球状あるいは曲面を有するが、これに限られない。また、封止樹脂4Aの材料として、シリコーン樹脂等の樹脂を用いることができる。
<数値範囲の意義>
次に、上記各部に関する数値範囲の意義について説明する。
次に、上記各部に関する数値範囲の意義について説明する。
(樹脂フィルムの可撓性)
樹脂フィルム20の半径R=50mmで曲げてもクラックが発生しないようにしたのは、以下の理由による。一般に、エッチングなどの液処理プロセスを大量に効率よく構成する方法としては、ロールtoロールによる方法が効率的である。しかし、ロールtoロールにより、樹脂フィルム20を一直線に搬送して処理時間(処理長さ)を稼ごうとすると、搬送スピードが遅くなりすぎたり、製造装置が長くなり過ぎてしまう問題がある。また、ロール状の樹脂フィルム20の交換やジョイントを製造装置を稼動したままで行おうとすると、アキュムレートする機構が必要になる。この問題を解決する方法としては、例えば半径R=100mm以上の固定ローラや可動ローラを用いてワークを上下方向にジグザクに搬送するのが一般的である。半径R=50mmでもクラックが生じない樹脂フィルム20を用いるのはこのためである。
樹脂フィルム20の半径R=50mmで曲げてもクラックが発生しないようにしたのは、以下の理由による。一般に、エッチングなどの液処理プロセスを大量に効率よく構成する方法としては、ロールtoロールによる方法が効率的である。しかし、ロールtoロールにより、樹脂フィルム20を一直線に搬送して処理時間(処理長さ)を稼ごうとすると、搬送スピードが遅くなりすぎたり、製造装置が長くなり過ぎてしまう問題がある。また、ロール状の樹脂フィルム20の交換やジョイントを製造装置を稼動したままで行おうとすると、アキュムレートする機構が必要になる。この問題を解決する方法としては、例えば半径R=100mm以上の固定ローラや可動ローラを用いてワークを上下方向にジグザクに搬送するのが一般的である。半径R=50mmでもクラックが生じない樹脂フィルム20を用いるのはこのためである。
(配線パターンの厚さ)
配線パターン22A、22Bの厚さを30μm以上としたのは、以下の理由による。配線パターン22A、22Bの材料として銅箔を用いた場合、銅箔は、18μm、35μm、70μm、105μmという単位で市販されている。経験上18μmの銅箔は、水平方向への熱伝導量が足りないことが多いので、35μm以上の厚さの銅箔を使って製造することが多くなる。そうした場合、表面の化学研磨等によって薄くなっても30μm以上は確保するという理由で配線パターン22A、22Bの厚さを30μm以上とした。
配線パターン22A、22Bの厚さを30μm以上としたのは、以下の理由による。配線パターン22A、22Bの材料として銅箔を用いた場合、銅箔は、18μm、35μm、70μm、105μmという単位で市販されている。経験上18μmの銅箔は、水平方向への熱伝導量が足りないことが多いので、35μm以上の厚さの銅箔を使って製造することが多くなる。そうした場合、表面の化学研磨等によって薄くなっても30μm以上は確保するという理由で配線パターン22A、22Bの厚さを30μm以上とした。
(充填部の厚さ)
充填部23A、23Bは、厚いほうが熱を吸収できて、放熱面積も増え、また、実装基板上に印刷されたはんだペーストとも接触しやすくなるが、一方充填部23A、23Bを厚くすることは、コスト的に不利になる。一般的に樹脂フィルム20の厚みは50μm程度なので、その50%である25μm程度は必要という経験から、充填部23A、23Bの厚さを樹脂フィルム20の厚さの1/2以上としたものである。
充填部23A、23Bは、厚いほうが熱を吸収できて、放熱面積も増え、また、実装基板上に印刷されたはんだペーストとも接触しやすくなるが、一方充填部23A、23Bを厚くすることは、コスト的に不利になる。一般的に樹脂フィルム20の厚みは50μm程度なので、その50%である25μm程度は必要という経験から、充填部23A、23Bの厚さを樹脂フィルム20の厚さの1/2以上としたものである。
(LEDパッケージの製造方法)
次に、LEDパッケージ1の製造方法の一例を説明する。
次に、LEDパッケージ1の製造方法の一例を説明する。
図2は、LEDパッケージ1のテープ基板(TAB:Tape Automated Bonding)を用いた製造方法を示す平面図である。LEDパッケージ1は、テープ基板100を用いて製造することができる。なお、LEDパッケージ1は、リジット基板やフレキシブル基板などを用いた他の製造方法により製造してもよい。テープ基板100は、1つのLEDパッケージ1が形成されるユニットパターン101の集合体である複数のブロック102が長手方向に形成され、ブロック102の両側には、それぞれ複数のスプロケット穴103が等間隔で形成されている。
図3(a)〜(g)は、発光素子搭載用基板2の製造方法の一例を1つのユニットパターン101について示す断面図である。
(1)電気的絶縁材の準備
まず、図3(a)に示すように、接着剤21と樹脂フィルム20からなる電気的絶縁材200を準備する。この電気的絶縁材200は、市販(株式会社巴川製紙所、東レ株式会社、株式会社有沢製作所など)されており、接着剤21は、カバーフィルム(図示せず)で保護されている。この電気的絶縁材200を購入ではなく自ら製造しようとする場合には、樹脂フィルム20として、例えばポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエチレンナフタレート、エポキシ、アラミドのいずれかの樹脂単体からなるフィルムに、エポキシ系で熱硬化の接着剤付きシートをラミネートして製造することができる。この電気的絶縁材200は、TABの製造ラインを流すためにロール形態が好適であり、予め所望の幅にスリットしてからラミネートしてもよいし、広い幅でラミネートしてから所望の幅にスリットしてもよい(図示せず)。
まず、図3(a)に示すように、接着剤21と樹脂フィルム20からなる電気的絶縁材200を準備する。この電気的絶縁材200は、市販(株式会社巴川製紙所、東レ株式会社、株式会社有沢製作所など)されており、接着剤21は、カバーフィルム(図示せず)で保護されている。この電気的絶縁材200を購入ではなく自ら製造しようとする場合には、樹脂フィルム20として、例えばポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエチレンナフタレート、エポキシ、アラミドのいずれかの樹脂単体からなるフィルムに、エポキシ系で熱硬化の接着剤付きシートをラミネートして製造することができる。この電気的絶縁材200は、TABの製造ラインを流すためにロール形態が好適であり、予め所望の幅にスリットしてからラミネートしてもよいし、広い幅でラミネートしてから所望の幅にスリットしてもよい(図示せず)。
(2)充填部用の貫通孔の形成
次に、図3(b)に示すように、電気的絶縁材200に充填部23A、23Bのための貫通孔20cを打ち抜き金型であける。この加工においては、搭載領域30において、一対の貫通孔20c間の間隔を極力狭くすることが、放熱の点で好ましいので、剛性のある高精度の打ち抜き金型が必要になる。具体的には、可動ストリッパー方式の金型で、ダイとストリッパーをワイヤー放電加工機で共加工したり、パンチ、ダイ、ストリッパーの主要な加工精度を±0.002mm以下で加工し、パンチ、ダイ、ストリッパーのそれぞれのクリアランスを微調整するなどの手段を講じる必要がある。また、この貫通孔20cの加工の際に、必要に応じてスプロケット穴103やアライメント用の穴(図示せず)をあけてもよい。
次に、図3(b)に示すように、電気的絶縁材200に充填部23A、23Bのための貫通孔20cを打ち抜き金型であける。この加工においては、搭載領域30において、一対の貫通孔20c間の間隔を極力狭くすることが、放熱の点で好ましいので、剛性のある高精度の打ち抜き金型が必要になる。具体的には、可動ストリッパー方式の金型で、ダイとストリッパーをワイヤー放電加工機で共加工したり、パンチ、ダイ、ストリッパーの主要な加工精度を±0.002mm以下で加工し、パンチ、ダイ、ストリッパーのそれぞれのクリアランスを微調整するなどの手段を講じる必要がある。また、この貫通孔20cの加工の際に、必要に応じてスプロケット穴103やアライメント用の穴(図示せず)をあけてもよい。
(3)銅箔の形成
次に、図3(c)に示すように、銅箔220をラミネートする。銅箔220は、電解箔、または圧延箔で、裏面の表面粗さが算術平均粗さRaが概ね3μm以下で35〜105μm程度の厚さの範囲から選定することは、後のエッチング工程で、配線パターン22A、22B間の間隔を極小化したり、複雑な配線パターン22A、22Bを形成しつつ放熱性を確保する上で好ましい。ラミネートは常圧又は減圧環境下のロールラミネーターを使用するのが好ましいが、ダイヤフラム式、平板プレス式、スチールベルト式のラミネーターでもよい。ラミネート時の条件は、接着剤メーカが示す参考条件を基準に選定することが可能である。多くの熱硬化性接着剤の場合、ラミネート終了後、例えば150℃以上の高温でポストキュアを行うのが一般的である。この点も接着剤メーカの参考条件を基準に決定する。
次に、図3(c)に示すように、銅箔220をラミネートする。銅箔220は、電解箔、または圧延箔で、裏面の表面粗さが算術平均粗さRaが概ね3μm以下で35〜105μm程度の厚さの範囲から選定することは、後のエッチング工程で、配線パターン22A、22B間の間隔を極小化したり、複雑な配線パターン22A、22Bを形成しつつ放熱性を確保する上で好ましい。ラミネートは常圧又は減圧環境下のロールラミネーターを使用するのが好ましいが、ダイヤフラム式、平板プレス式、スチールベルト式のラミネーターでもよい。ラミネート時の条件は、接着剤メーカが示す参考条件を基準に選定することが可能である。多くの熱硬化性接着剤の場合、ラミネート終了後、例えば150℃以上の高温でポストキュアを行うのが一般的である。この点も接着剤メーカの参考条件を基準に決定する。
(4)充填部の埋め込み
次に、図3(d)に示すように、貫通孔20cに電気銅めっきで埋め込みめっきを行って充填部23A、23Bを形成する。埋め込みめっきの方法については、特開2003−124264号公報などでも公開されている。具体的には、銅箔面をめっき用マスキングテープでマスキングして銅めっきを行うわけであるが、銅めっき液の種類やめっき条件を変えることによって、充填部23A、23Bの先端を凸にも凹にも平坦にも形成が可能である。また、充填部23A、23Bの厚さもめっき条件(主にめっき時間)によって調整ができる。銅めっき液とその使用方法の情報については、銅めっき液を販売しているメーカ(荏原ユージライト株式会社、アトテックジャパン株式会社など)から容易に入手可能なので詳細な説明は省略する。
次に、図3(d)に示すように、貫通孔20cに電気銅めっきで埋め込みめっきを行って充填部23A、23Bを形成する。埋め込みめっきの方法については、特開2003−124264号公報などでも公開されている。具体的には、銅箔面をめっき用マスキングテープでマスキングして銅めっきを行うわけであるが、銅めっき液の種類やめっき条件を変えることによって、充填部23A、23Bの先端を凸にも凹にも平坦にも形成が可能である。また、充填部23A、23Bの厚さもめっき条件(主にめっき時間)によって調整ができる。銅めっき液とその使用方法の情報については、銅めっき液を販売しているメーカ(荏原ユージライト株式会社、アトテックジャパン株式会社など)から容易に入手可能なので詳細な説明は省略する。
(5)銅箔のパターニング
次に、図3(e)に示すように、銅箔220のパターニングを行って配線パターン22A、22Bを形成する。図示はしないが、パターニングについてはフォトリソグラフィを用いるので、銅箔220にレジストを塗工し、露光した後、現像してエッチングし、エッチング後のレジストを剥離するという一連の作業を行って配線パターン22A、22Bを形成する。
次に、図3(e)に示すように、銅箔220のパターニングを行って配線パターン22A、22Bを形成する。図示はしないが、パターニングについてはフォトリソグラフィを用いるので、銅箔220にレジストを塗工し、露光した後、現像してエッチングし、エッチング後のレジストを剥離するという一連の作業を行って配線パターン22A、22Bを形成する。
レジストの代わりにドライフィルムを用いてもよい。また、銅箔220のパターニングを行う際には、埋め込みめっきを行った面は、マスキングテープを貼るか、裏止め材を塗工するかしてエッチング液などの薬液から充填部23A、23Bを保護することが望ましい。エッチングの際には、一般的な塩化第二鉄系か塩化第二銅系のエッチング液を使うが、パターンの断面が裾広がりになるのが障害になる場合には、エッチング時に銅箔220の側壁をエッチング液から保護しながら板厚方向にエッチングしていくタイプのエッチング液を選定し、エッチング液のスプレーパターン等を最適化することが必要になる。この種のエッチング液メーカとしては、例えば株式会社ADEKAがある。また、エッチングで配線パターン22A、22Bの間隔を所望の値に小さくできない場合は、形成した配線パターン22A、22Bに銅めっきして、配線パターン22A、22Bの厚さと幅を銅めっき厚み分太らせることで、配線パターン22A、22Bの間隔を小さくすることもできる。
(6)めっき処理
次に、図示しないが、埋め込みめっき側のマスキングテープを剥して、配線パターン22A、22B及び充填部23A、23Bの表面に金、銀、パラジウム、ニッケル、すず、銅のいずれかの金属を含むめっきを行う。めっきは、複数の種類、複数の層でもよい。めっきの方法としては、めっき用給電線が不要な無電解めっきが望ましいが、電解めっきでもよい。このとき、銅箔のパターン面と埋め込みめっき面側で交互にマスキングしながら別の種類のめっきをすることでもよい。また、めっきの面積を削減するために、銅箔のパターン面はあらかじめ、めっきが不要な部分をレジストやカバーレイでカバーしてからめっきすることでもよい。
次に、図示しないが、埋め込みめっき側のマスキングテープを剥して、配線パターン22A、22B及び充填部23A、23Bの表面に金、銀、パラジウム、ニッケル、すず、銅のいずれかの金属を含むめっきを行う。めっきは、複数の種類、複数の層でもよい。めっきの方法としては、めっき用給電線が不要な無電解めっきが望ましいが、電解めっきでもよい。このとき、銅箔のパターン面と埋め込みめっき面側で交互にマスキングしながら別の種類のめっきをすることでもよい。また、めっきの面積を削減するために、銅箔のパターン面はあらかじめ、めっきが不要な部分をレジストやカバーレイでカバーしてからめっきすることでもよい。
(7)絶縁層の形成
図3(f)に示すように、配線パターン22A、22Bを覆うように絶縁層24を形成する。絶縁層24としては、フォトタイプの白色のレジストを印刷、露光、現像して形成するのがよい。そのような白色のレジストとしては、例えば太陽インキ製造株式会社のPSR-4000がある。作業方法としては、従来からある緑色のPSR-4000シリーズとほぼ同じである。白色のレジストの反射率としてセラミックと同等の80%以上を狙う場合は、白色のレジストの厚さは20μm以上、可能であれば30μmが望ましい。反射率は、例えば株式会社島津製作所の分光光度計UV-3100を用い、BaSO4の白色の反射率を基準に450〜700nmまで2nm間隔で分光反射率を測定する。反射率が80%以上となる場合、この測定値が全ての波長において80%以上となっている。
図3(f)に示すように、配線パターン22A、22Bを覆うように絶縁層24を形成する。絶縁層24としては、フォトタイプの白色のレジストを印刷、露光、現像して形成するのがよい。そのような白色のレジストとしては、例えば太陽インキ製造株式会社のPSR-4000がある。作業方法としては、従来からある緑色のPSR-4000シリーズとほぼ同じである。白色のレジストの反射率としてセラミックと同等の80%以上を狙う場合は、白色のレジストの厚さは20μm以上、可能であれば30μmが望ましい。反射率は、例えば株式会社島津製作所の分光光度計UV-3100を用い、BaSO4の白色の反射率を基準に450〜700nmまで2nm間隔で分光反射率を測定する。反射率が80%以上となる場合、この測定値が全ての波長において80%以上となっている。
(8)絶縁層の開口の形成
図3(g)に示すように、絶縁層24に開口24aを形成する。LEDチップ3の下の絶縁層24の面積を増やすためには、開口24aの面積は小さいほどよいので、露光機としては、投影タイプの露光機(例えば、ウシオ電機株式会社製)を用いて開口24aを形成する。白色のレジストの開口24aを例えば直径0.15mm以下、すなわち0.017mm2以下の微小な開口面積に形成するのが望ましい。なお、図示はしないが絶縁層24の搭載領域30から離れた場所にバンプ32a、32b用の開口24a以外の開口を設けてその部分をLEDチップ3を実装するためのアライメントマークやLEDチップ3の極性を示すマークとしてもよい。
図3(g)に示すように、絶縁層24に開口24aを形成する。LEDチップ3の下の絶縁層24の面積を増やすためには、開口24aの面積は小さいほどよいので、露光機としては、投影タイプの露光機(例えば、ウシオ電機株式会社製)を用いて開口24aを形成する。白色のレジストの開口24aを例えば直径0.15mm以下、すなわち0.017mm2以下の微小な開口面積に形成するのが望ましい。なお、図示はしないが絶縁層24の搭載領域30から離れた場所にバンプ32a、32b用の開口24a以外の開口を設けてその部分をLEDチップ3を実装するためのアライメントマークやLEDチップ3の極性を示すマークとしてもよい。
以上で、図2に示したようなテープ基板100を形成することができ、発光素子搭載用基板2がロール形態で完成することになる。
(9)テープ基板の切断、LEDチップの搭載
次に、完成したテープ基板100を、ブロック102単位で所望の長さに切断して、LEDチップ3をマウンタで搭載領域30上にマウントする。LEDチップ3のバンプ32a、32bの材質(金やはんだ)に合わせて、最適なマウンタを選択するとよい。なお、ワイヤーボンディング型のLEDチップについても同様にしてマウントすることができる。マウンタのメーカとして、例えばJUKI株式会社、パナソニック ファクトリーソリューションズ株式会社、株式会社日立ハイテクインスツルメンツ、株式会社新川などがある。
次に、完成したテープ基板100を、ブロック102単位で所望の長さに切断して、LEDチップ3をマウンタで搭載領域30上にマウントする。LEDチップ3のバンプ32a、32bの材質(金やはんだ)に合わせて、最適なマウンタを選択するとよい。なお、ワイヤーボンディング型のLEDチップについても同様にしてマウントすることができる。マウンタのメーカとして、例えばJUKI株式会社、パナソニック ファクトリーソリューションズ株式会社、株式会社日立ハイテクインスツルメンツ、株式会社新川などがある。
(10)封止樹脂の形成
次に、必要に応じて、大気圧のプラズマクリーニングやLEDチップ3のアンダーフィリングを経て、コンプレッションモールド装置と金型によってLEDチップ3を封止樹脂4Aとして、例えばシリコーン樹脂で封止(コンプレッションモールド)する。封止樹脂4Aには、蛍光体を混入させてもよいし、事前に蛍光体の入った樹脂をポッティング封止してから封止してもよい。
次に、必要に応じて、大気圧のプラズマクリーニングやLEDチップ3のアンダーフィリングを経て、コンプレッションモールド装置と金型によってLEDチップ3を封止樹脂4Aとして、例えばシリコーン樹脂で封止(コンプレッションモールド)する。封止樹脂4Aには、蛍光体を混入させてもよいし、事前に蛍光体の入った樹脂をポッティング封止してから封止してもよい。
(11)LEDパッケージの個片化
LEDパッケージ1をLEDパッケージ単位(1ユニット)に個片化(分割)する。この場合、図4に示すように、充填部23A、23Bの外形をLEDパッケージ1の外形としたときに電気的絶縁材200との縁近傍において電解めっきで使用しためっき用給電線221が切れるように打ち抜きエリア8Aを設定して打ち抜き金型などで打ち抜くと、充填部23A、23Bと電気的絶縁材200が接触しているだけの状態になるので、例えばLEDパッケージ1を押すだけでLEDパッケージ1を電気的絶縁材200から取り外して個片化することができる。以上のようにしてLEDパッケージ1を完成させることができる。そして、充填部23A、23Bの端面232がLEDパッケージ1の外形の一部を形成する。
LEDパッケージ1をLEDパッケージ単位(1ユニット)に個片化(分割)する。この場合、図4に示すように、充填部23A、23Bの外形をLEDパッケージ1の外形としたときに電気的絶縁材200との縁近傍において電解めっきで使用しためっき用給電線221が切れるように打ち抜きエリア8Aを設定して打ち抜き金型などで打ち抜くと、充填部23A、23Bと電気的絶縁材200が接触しているだけの状態になるので、例えばLEDパッケージ1を押すだけでLEDパッケージ1を電気的絶縁材200から取り外して個片化することができる。以上のようにしてLEDパッケージ1を完成させることができる。そして、充填部23A、23Bの端面232がLEDパッケージ1の外形の一部を形成する。
なお、図5に示すように、四方に打ち抜きエリア8A、8Bを設定してめっき用給電線221、222を切るように打ち抜き金型などで打ち抜いてもよい。
(LEDパッケージの動作)
次に、LEDパッケージ1の動作について説明する。LEDパッケージ1は、例えば実装基板に実装され、LEDチップ3が実装基板と電気的に接続される。すなわち、実装基板上には、一対の給電用パターンが形成されており、一対の給電用パターンにLEDパッケージ1の充填部23A、23Bがはんだペーストを介して電気的に接続される。給電用パターンにLEDチップ3を駆動するのに必要な電圧を印加すると、その電圧が充填部23A、23B、配線パターン22A、22B、バンプ32a、32b及び電極31a、31bを介してLEDチップ3に印加される。LEDチップ3は、電圧の印加によって発光し、光を封止樹脂4Aを介して出射する。LEDチップ3の発熱は、電極31a、31b、バンプ32a、32b及び配線パターン22A、22Bを介して充填部23A、23Bに伝達し、実装基板に放熱される。
次に、LEDパッケージ1の動作について説明する。LEDパッケージ1は、例えば実装基板に実装され、LEDチップ3が実装基板と電気的に接続される。すなわち、実装基板上には、一対の給電用パターンが形成されており、一対の給電用パターンにLEDパッケージ1の充填部23A、23Bがはんだペーストを介して電気的に接続される。給電用パターンにLEDチップ3を駆動するのに必要な電圧を印加すると、その電圧が充填部23A、23B、配線パターン22A、22B、バンプ32a、32b及び電極31a、31bを介してLEDチップ3に印加される。LEDチップ3は、電圧の印加によって発光し、光を封止樹脂4Aを介して出射する。LEDチップ3の発熱は、電極31a、31b、バンプ32a、32b及び配線パターン22A、22Bを介して充填部23A、23Bに伝達し、実装基板に放熱される。
(第1の実施の形態の効果)
本実施の形態によれば、以下の効果を奏する。
(a)樹脂フィルム20の表面20aに配線パターン22A、22Bを形成し、樹脂フィルム20を貫通するように設けた金属からなる充填部23A、23Bを配線パターン22A、22Bに接触させつつ樹脂フィルム20の裏面20bに露出させたので、片面配線基板を用いたフリップチップ実装が可能となる。また、充填部23A、23Bの面積を搭載領域30の面積よりも広く、かつ、配線パターン22A、22Bの面積の50%以上とすることにより、充填部23A、23Bの放熱面積が増大し、放熱性が良好となる。
(b)発光素子搭載用基板としての汎用性を高めることができるので、その結果として単位明るさ当たりの価格の安価なLEDパッケージを提供することが可能になる。
(c)放熱性に関しては、主に配線パターン22A、22Bや充填部23A、23Bの厚さと面積と位置を調整することで、熱の伝導・対流・放射の調整が可能になる。
(d)充填部23A、23Bのはみ出し部230、231と樹脂フィルム20との境界は、ダイサーを用いなくても分離が可能であるので、樹脂フィルム20からLEDチップLEDパッケージ1を取り出すのが容易になる。したがって、LEDパッケージ1の個片化する方法として、ダイサーを使わない方法、あるいはダイサーの負荷の小さい方法が可能になり、その方法によって個片化したLEDパッケージ1の提供が可能になる。
(e)絶縁層24は、開口24aを除きLEDチップ直下やLEDチップ近傍においてもLEDチップからの光を反射するので、光反射性に優れたものとなる。また、めっき面を覆うことで、めっきの光反射性に起因する影響を極めて少なくすることが可能となる。
本実施の形態によれば、以下の効果を奏する。
(a)樹脂フィルム20の表面20aに配線パターン22A、22Bを形成し、樹脂フィルム20を貫通するように設けた金属からなる充填部23A、23Bを配線パターン22A、22Bに接触させつつ樹脂フィルム20の裏面20bに露出させたので、片面配線基板を用いたフリップチップ実装が可能となる。また、充填部23A、23Bの面積を搭載領域30の面積よりも広く、かつ、配線パターン22A、22Bの面積の50%以上とすることにより、充填部23A、23Bの放熱面積が増大し、放熱性が良好となる。
(b)発光素子搭載用基板としての汎用性を高めることができるので、その結果として単位明るさ当たりの価格の安価なLEDパッケージを提供することが可能になる。
(c)放熱性に関しては、主に配線パターン22A、22Bや充填部23A、23Bの厚さと面積と位置を調整することで、熱の伝導・対流・放射の調整が可能になる。
(d)充填部23A、23Bのはみ出し部230、231と樹脂フィルム20との境界は、ダイサーを用いなくても分離が可能であるので、樹脂フィルム20からLEDチップLEDパッケージ1を取り出すのが容易になる。したがって、LEDパッケージ1の個片化する方法として、ダイサーを使わない方法、あるいはダイサーの負荷の小さい方法が可能になり、その方法によって個片化したLEDパッケージ1の提供が可能になる。
(e)絶縁層24は、開口24aを除きLEDチップ直下やLEDチップ近傍においてもLEDチップからの光を反射するので、光反射性に優れたものとなる。また、めっき面を覆うことで、めっきの光反射性に起因する影響を極めて少なくすることが可能となる。
[第2の実施の形態]
図6(a)は、本発明の第2の実施の形態に係るLEDパッケージを示し、封止樹脂と絶縁層を取り除いたLEDパッケージの平面図、図6(b)は、発光素子搭載用基板の平面図である。
図6(a)は、本発明の第2の実施の形態に係るLEDパッケージを示し、封止樹脂と絶縁層を取り除いたLEDパッケージの平面図、図6(b)は、発光素子搭載用基板の平面図である。
第1の実施の形態では、発光素子搭載用基板2に1つのフリップチップ型のLEDチップ3を搭載したが、本実施の形態のLEDパッケージ1は、図6(a)に示すように、複数(例えば3つ)のフリップチップ型のLEDチップ3を搭載したものである。本実施の形態の搭載領域30は、3つのLEDチップ3を含む領域となっている。
絶縁層24には、図6(b)に示すように、3つのLEDチップ3のバンプ32a、32bを通過させるための開口24aが形成されている。
[第3の実施の形態]
図7(a)は、本発明の第3の実施の形態に係るLEDパッケージを示し、封止樹脂と絶縁層を取り除いたLEDパッケージの平面図、図7(b)は、発光素子搭載用基板の平面図である。
図7(a)は、本発明の第3の実施の形態に係るLEDパッケージを示し、封止樹脂と絶縁層を取り除いたLEDパッケージの平面図、図7(b)は、発光素子搭載用基板の平面図である。
第1及び第2の実施の形態では、搭載領域30が1つであり、またフリップチップ型のLEDチップ3のみを搭載したが、本実施の形態は、複数の搭載領域30A、30Bを有し、LEDチップ3の他に、他の電子部品を搭載したものである。
すなわち、本実施の形態のLEDパッケージ1は、図7(a)に示すように、一対の配線パターン22A、22Bに跨るように搭載領域30Aが設けられ、一方の配線パターン22Aにも搭載領域30Bが設けられている。このLEDパッケージ1は、一方の搭載領域30Aに第1及び第2の実施の形態と同様のフリップチップ型のLEDチップ3を搭載し、他方の搭載領域30Bにワイヤーボンディング型のLEDチップ5Aを搭載し、一対の配線パターン22A、22Bに跨るように静電破壊防止素子としてのツェナーダイオード7を搭載したものである。
LEDチップ5Aは、底面に1つの電極(図示せず)を有し、上面に1つの電極5aを有するタイプのものである。LEDチップ5Aは、底面の電極が配線パターン22Aにバンプ又は導電性接着剤によって接合され、上面の電極5aは、ボンディングワイヤ6によって他方の配線パターン22Bに電気的に接続される。
絶縁層24には、図7(b)に示すように、フリップチップ型のLEDチップ3のバンプ32a、32bを通過させるための開口24aと、ワイヤーボンディング型のLEDチップ5Aを通過させるための開口24bと、ツェナーダイオード7を通過させるための開口24cと、ワイヤボンディングのための開口24dが形成されている。
[第4の実施の形態]
図8(a)は、本発明の第4の実施の形態に係るLEDパッケージを示し、封止樹脂と絶縁層を取り除いたLEDパッケージの平面図、図8(b)は、発光素子搭載用基板の平面図である。
図8(a)は、本発明の第4の実施の形態に係るLEDパッケージを示し、封止樹脂と絶縁層を取り除いたLEDパッケージの平面図、図8(b)は、発光素子搭載用基板の平面図である。
第1の実施の形態では、配線パターン22A、22Bに跨るように1つのフリップチップ型のLEDチップ3を搭載したが、本実施の形態のLEDパッケージ1は、一方の配線パターン22Aに複数(例えば3つ)のワイヤーボンディング型のLEDチップ5Bを搭載したものである。
本実施の形態は、図8(a)に示すように、3つのLEDチップ5Bを含むように一方の配線パターン22Aに搭載領域30が設けられている。このLEDパッケージ1は、搭載領域30に3つのLEDチップ5Bを搭載し、一対の配線パターン22A、22Bに跨るように静電破壊防止素子としてのツェナーダイオード7を搭載したものである。
LEDチップ5Bは、図8(a)に示すように、上面に2つの電極5aを有する。LEDチップ5Bは、底面が接着剤によって配線パターン22Aに接合されている。3つのLEDチップ5Bのうち両端に位置するLEDチップ5Bは、一方の電極5aがボンディングワイヤ6A、6Dによって配線パターン22Aに接続されている。3つのLEDチップ5B間は、電極5a同士がボンディングワイヤ6B、6Cによって接続されている。
絶縁層24には、図8(b)に示すように、ワイヤーボンディング型のLEDチップ5Bを通過させるための開口24bと、ツェナーダイオード7を通過させるための開口24cと、ワイヤボンディングのための開口24dが形成されている。
[第5の実施の形態]
図9(a)は、本発明の第5の実施の形態に係るLEDパッケージの断面図、図9(b)は、図9(a)のLEDパッケージから封止樹脂と絶縁層を取り除いたLEDパッケージの平面図である。
図9(a)は、本発明の第5の実施の形態に係るLEDパッケージの断面図、図9(b)は、図9(a)のLEDパッケージから封止樹脂と絶縁層を取り除いたLEDパッケージの平面図である。
第1の実施の形態では、配線パターン22A、22Bは、矩形状を有していたが、本実施の形態は、配線パターン22A、22Bを凸状にし、充填部23A、23Bも配線パターン22A、22Bと同様に凸状にしたものである。
配線パターン22A、22Bは、搭載領域30に凸部22aを有する。充填部23A、23Bは、搭載領域30に凸部23aを有する。
本実施の形態によれば、図9(a)に示すように、LEDチップ3の直下で、配線パターン22A、22B及び充填部23A、23Bの形状を凸状にすると、充填部23A、23B間の間隔の部分の長さが短くなるので、その部分の機械的強度が確保しやすくなり、充填部23A、23B間の間隔を0.20mm以下することが容易になる。
また、充填部23A、23B間の間隔を小さくすることによって、LEDチップ3の直下にある熱伝導率の低い部材である樹脂フィルム20の面積を減らすことができるので、LEDチップ3の近傍における熱伝導量を向上させることが可能になる。
また、本実施の形態の封止樹脂4Bは、第1の実施の形態のような球形とは異なり、矩形状を有している。この封止樹脂4Bの上面が平坦であるので、真空吸引によるマウントが可能になる。
なお、凸部22a、23aの形は、図9に限らず多段の形状であってもよいし、凸部22a、23aを複数箇所に設けてもよい。そうすることによって、LEDチップ3の電極レイアウトの設計自由度を向上させる効果が見込める。
[第6の実施の形態]
図10(a)は、本発明の第6の実施の形態に係るLEDパッケージの断面図、図10(b)は、図10(a)のLEDパッケージから封止樹脂と絶縁層を取り除いたLEDパッケージの平面図である。
図10(a)は、本発明の第6の実施の形態に係るLEDパッケージの断面図、図10(b)は、図10(a)のLEDパッケージから封止樹脂と絶縁層を取り除いたLEDパッケージの平面図である。
本実施の形態は、図9に示す第5の実施の形態において、配線パターン22A、22Bの縁を逆テーパ22cにし、端面に凹部22bを設けたものである。配線パターン22A、22B側に設ける絶縁層24(図示せず)などの樹脂層の食いつきを良くすることができる。このような形状を作れるエッチング液メーカとしては、株式会社ADEKAなどがある。
[第7の実施の形態]
図11(a)は、本発明の第7の実施の形態に係るLEDパッケージの断面図、図11(b)は、図11(a)のLEDパッケージから封止樹脂及び絶縁層を取り除いたLEDパッケージの平面図である。
図11(a)は、本発明の第7の実施の形態に係るLEDパッケージの断面図、図11(b)は、図11(a)のLEDパッケージから封止樹脂及び絶縁層を取り除いたLEDパッケージの平面図である。
本実施の形態のLEDパッケージ1は、第5の実施の形態において、一対の充填部23A、23Bが一対の配線パターン22A、22Bの並んだ方向に直交する方向にのみ配線パターン22A、22Bからはみ出したはみ出し部231を有し、配線パターン22A、22B及び充填部23A、23Bの外側の端面232をLEDパッケージ1の外形と一致させたものである。こうすることで、LEDパッケージ1を複数個をまとめて1ユニットパターンとすることができ、充填部23A、23Bの数の削減や充填部23A、23Bの面積拡大による放熱性の向上が期待できる。なお、一対の充填部23A、23Bが一対の配線パターン22A、22Bの並んだ方向にのみ配線パターン22A、22Bからはみ出したはみ出し部230を有してもよい。
[第8の実施の形態]
図12は、本発明の第8の実施の形態に係るLEDパッケージの断面図である。
図12は、本発明の第8の実施の形態に係るLEDパッケージの断面図である。
本実施の形態のLEDパッケージ1は、第7の実施の形態において、発光素子搭載用基板2の裏面20bにソルダーレジスト層25を形成したものである。ソルダーレジスト層25は、充填部23A、23B側には、はんだでリフロー実装した場合のはんだブリッジを防止するためものである。一般の液状レジストをスクリーン印刷して形成が可能である。ソルダーレジスト層25の形は、I型、H型、パッケージ外周を囲むロ字状などから自由に設計が可能であるのは言うまでもない。
[第9の実施の形態]
図13(a)は、本発明の第9の実施の形態に係るLEDパッケージの断面図、図13(b)は、図13(a)のLEDパッケージから封止樹脂及び絶縁層を取り除いたLEDパッケージの平面図である。
図13(a)は、本発明の第9の実施の形態に係るLEDパッケージの断面図、図13(b)は、図13(a)のLEDパッケージから封止樹脂及び絶縁層を取り除いたLEDパッケージの平面図である。
本実施の形態のLEDパッケージ1は、第8の実施の形態において、配線パターン22A、22B側にモールド樹脂成型によってLEDチップ3からの光を反射する傾斜面4aを有してリフレクタとして機能する封止樹脂4Cを形成したものである。そのようなモールド樹脂としては、日立化成製(CEL−W−7005)などがある。
[第10の実施の形態]
図14は、本発明の第10の実施の形態に係るLEDパッケージの断面図である。
図14は、本発明の第10の実施の形態に係るLEDパッケージの断面図である。
本実施の形態のLEDパッケージ1は、第9の実施の形態において、リフレクタとして機能する封止樹脂4Cの一部4bを樹脂フィルム20の裏面20b側に回り込むようにしたものである。パッケージ外形の工夫によって充填部23A、23B側にもモールド樹脂が回りこむようにして、はんだブリッジを防いだり、LEDパッケージ1の反り防止をしたりしてもよい。また、配線パターン22A、22Bの外形を複雑な形状にしたり、配線パターン22A、22Bのエッチング断面を逆テーパにしたりすると、モールド樹脂を剥がれにくくするという効果が期待できる。
<放熱性の評価>
本発明の配線基板の放熱性の確認として図6に類似する実装形態で試験を行った。配線基板の厚さ方向の構成は、樹脂フィルム20としてユーピレックスS(宇部興産株式会社の商品名)の50μm厚さのものを使用し、そこに接着剤21として巴川X(株式会社巴川製紙所の商品名)を12μmラミネートし、配線パターン22A,22Bとして厚さ35μmの銅箔を用いた。評価用の配線基板の配線パターンとしては概略、図6の22B側のパターンのみを用いた。まず配線基板Aとして、LEDパッケージ外形に相当する平面サイズが2.8×2.8mm、パターン22Bが2.2×1.2mm、充填部23Bが2.8×1.3mmで、それぞれが中心をほぼ同じく配置している。また充填部23Bの厚さは60μmで充填部23Bと配線パターン22B表面には、ニッケルめっき0.5μm、金めっき0.5μmが加工されている。比較用の配線基板Bとしては同じ構成及びサイズで充填部22Bと貫通穴が無いものを用いた。次に配線基板Aと配線基板BをAu−Snペーストを用いてTO−46ステムに固定し、それぞれパターンの中央付近に2ワイヤタイプの0.5mm角のLEDチップ(日立電線株式会社製)を銀ペーストでダイボンディングし、金ワイヤでTO−46ステムとLEDチップを結線した。加えて比較用に、TO−46ステムに同じLEDチップを銀ペーストでダイボンディングし、金ワイヤでTO−46ステムと結線した。
この3種類のサンプルを過渡熱抵抗測定法(ΔVF法)を用いて熱抵抗とLEDチップ
の温度上昇を推定した。その結果、TO−46ステムの温度上昇の影響が現れる直前でのLEDチップの温度上昇ΔTjは、TO−46ステムに直接ダイボンディングしたものと
充填部がある配線基板AのΔTjはほぼ同一で約20℃となった。一方、充填部の無い配線基板BのΔTjは約40℃となった。これをTO−46ステムまでの熱抵抗Rthで表すとTO−46ステムに直接ダイボンディングしたものと配線基板AのRthは約60℃/W、一方、充填部の無い配線基板BのRthは約140℃/Wとなった。これは、充填部を有する配線基板Aが極めて効率よくTO−46ステムへ熱伝導していることを表している。
本発明の配線基板の放熱性の確認として図6に類似する実装形態で試験を行った。配線基板の厚さ方向の構成は、樹脂フィルム20としてユーピレックスS(宇部興産株式会社の商品名)の50μm厚さのものを使用し、そこに接着剤21として巴川X(株式会社巴川製紙所の商品名)を12μmラミネートし、配線パターン22A,22Bとして厚さ35μmの銅箔を用いた。評価用の配線基板の配線パターンとしては概略、図6の22B側のパターンのみを用いた。まず配線基板Aとして、LEDパッケージ外形に相当する平面サイズが2.8×2.8mm、パターン22Bが2.2×1.2mm、充填部23Bが2.8×1.3mmで、それぞれが中心をほぼ同じく配置している。また充填部23Bの厚さは60μmで充填部23Bと配線パターン22B表面には、ニッケルめっき0.5μm、金めっき0.5μmが加工されている。比較用の配線基板Bとしては同じ構成及びサイズで充填部22Bと貫通穴が無いものを用いた。次に配線基板Aと配線基板BをAu−Snペーストを用いてTO−46ステムに固定し、それぞれパターンの中央付近に2ワイヤタイプの0.5mm角のLEDチップ(日立電線株式会社製)を銀ペーストでダイボンディングし、金ワイヤでTO−46ステムとLEDチップを結線した。加えて比較用に、TO−46ステムに同じLEDチップを銀ペーストでダイボンディングし、金ワイヤでTO−46ステムと結線した。
この3種類のサンプルを過渡熱抵抗測定法(ΔVF法)を用いて熱抵抗とLEDチップ
の温度上昇を推定した。その結果、TO−46ステムの温度上昇の影響が現れる直前でのLEDチップの温度上昇ΔTjは、TO−46ステムに直接ダイボンディングしたものと
充填部がある配線基板AのΔTjはほぼ同一で約20℃となった。一方、充填部の無い配線基板BのΔTjは約40℃となった。これをTO−46ステムまでの熱抵抗Rthで表すとTO−46ステムに直接ダイボンディングしたものと配線基板AのRthは約60℃/W、一方、充填部の無い配線基板BのRthは約140℃/Wとなった。これは、充填部を有する配線基板Aが極めて効率よくTO−46ステムへ熱伝導していることを表している。
(変形例1)
LEDパッケージ1の個片化の際、発光素子搭載用基板2を加熱してもよい。加熱することにより充填部23A、23Bの銅と電気的絶縁材200との熱膨張量の差が生じて、電気的絶縁材200からLEDパッケージ1の分離が容易になる。
LEDパッケージ1の個片化の際、発光素子搭載用基板2を加熱してもよい。加熱することにより充填部23A、23Bの銅と電気的絶縁材200との熱膨張量の差が生じて、電気的絶縁材200からLEDパッケージ1の分離が容易になる。
(変形例2)
LEDパッケージ1の個片化の際に、ダイサーによるダイシングを組み合わせてもよい。具体的には、電気的絶縁材200のハーフカットやモールド樹脂のカット、あるいはパッケージの外周のうちの1辺をダイサーでダイシングして、電気的絶縁材200からLEDパッケージ1の分離を容易にすることをしてもよい。この方法であってもダイシング時の加工時間の削減や回転砥石の寿命の延長が可能になる。
LEDパッケージ1の個片化の際に、ダイサーによるダイシングを組み合わせてもよい。具体的には、電気的絶縁材200のハーフカットやモールド樹脂のカット、あるいはパッケージの外周のうちの1辺をダイサーでダイシングして、電気的絶縁材200からLEDパッケージ1の分離を容易にすることをしてもよい。この方法であってもダイシング時の加工時間の削減や回転砥石の寿命の延長が可能になる。
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されず、発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々に変形実施が可能である。例えば、充填部23A、23Bに絶縁層を介してヒートシンクを接続してもよい。絶縁層は、放熱性の高いものを用いるのが望ましい。この場合、LEDチップ3へは充填部23A、23Bを介さずに直接配線パターン22A、22Bを介して電圧が印加される。また、上記各実施の形態の構成要素を発明の要旨を逸脱しない範囲内で自由に組み合わせてもよい。また、上述した製造方法は、発明の要旨を逸脱しない範囲内で工程の削除、追加、変更を行ってLEDパッケージを製造してもよい。
1…LEDパッケージ、2…発光素子搭載用基板、3…LEDチップ、4A、4B、4C…封止樹脂、4a…傾斜面、4b…封止樹脂の一部、5A、5B…LEDチップ、5a…電極、6、6A〜6D…ボンディングワイヤ、7…ツェナーダイオード、8A、8B…打ち抜きエリア、20…樹脂フィルム、20a…表面、20b…裏面、20c…貫通孔、21…接着剤、22A、22B…配線パターン、22a…凸部、22b…凹部、22c…逆テーパ、23A、23B…充填部、23a…凸部、23b…切断面、24…絶縁層、24a〜24d…開口、25…ソルダーレジスト層、30、30A、30B…搭載領域、30a、30b…辺、31a、31b…電極、32a、32b…バンプ、100…テープ基板、101…ユニットパターン、102…ブロック、103…スプロケット穴、200…電気的絶縁材、220…銅箔、221、222…めっき用給電線、230、231…はみ出し部、232…端面
Claims (7)
- 絶縁性を有する基板と、
前記基板の一方の面上に形成された一対の配線パターンと、
前記基板を厚さ方向に貫通する一対の貫通孔が形成され、前記一対の配線パターンに接触するとともに前記基板の前記一方の面と反対側の面側に露出するように前記一対の貫通孔に充填された金属からなる一対の充填部と、
前記一対の配線パターンを覆うように前記基板の前記一方の面上に形成された光反射性を有する絶縁層とを備え、
前記一対の充填部は、前記基板の前記一方の面側から見たとき、前記一対の配線パターンから外側にはみ出したはみ出し部を有し、
前記絶縁層は、前記一対の配線パターンを露出する開口を備えた発光素子搭載用基板。 - 前記一対の充填部の前記はみ出し部は、発光装置の外形の一部を形成するようにはみ出した形状を有する請求項1に記載の発光素子搭載用基板。
- 前記一対の充填部は、それぞれが前記配線パターンの面積の50%以上の面積を有する請求項1又は2に記載の発光素子搭載用基板。
- 前記配線パターンは、銅又は銅合金から形成され、
前記充填部は、前記貫通孔の前記基板の厚さの1/2以上の部分に充填された銅又は銅合金から形成された請求項1乃至3のいずれか1項に記載の発光素子搭載用基板。 - 前記絶縁層は、硫酸バリウム(BaSO4)の白色を基準とした分光反射率計による測定において、波長450〜700nmの範囲の初期全反射率が80%以上を有する請求項1乃至4のいずれか1項に記載の発光素子搭載用基板。
- 前記絶縁層の備える前記開口は、0.3mm以下の直径を有する請求項5に記載の発光素子搭載用基板。
- 請求項1乃至6のいずれか1項に記載の発光素子搭載用基板の前記一対の配線パターンを跨ぐように、若しくは一方の配線パターンの上面に前記発光素子としてLEDチップを搭載して前記配線パターンと前記LEDチップとを電気的に接続し、前記LEDチップを封止樹脂で封止した構成のLEDパッケージ。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2014204027A (ja) * | 2013-04-08 | 2014-10-27 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP2015050259A (ja) * | 2013-08-30 | 2015-03-16 | 京セラ株式会社 | 半導体素子搭載用基板およびそれを備えた半導体装置 |
KR101788633B1 (ko) * | 2015-12-21 | 2017-11-15 | 주식회사 루멘스 | 반도체 발광 다이오드 패키지 |
JP2018085515A (ja) * | 2016-11-25 | 2018-05-31 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 半導体素子パッケージ{semiconductor device package} |
WO2019107430A1 (ja) * | 2017-11-29 | 2019-06-06 | 京セラ株式会社 | 回路基板およびこれを備える発光装置 |
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014204027A (ja) * | 2013-04-08 | 2014-10-27 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP2015050259A (ja) * | 2013-08-30 | 2015-03-16 | 京セラ株式会社 | 半導体素子搭載用基板およびそれを備えた半導体装置 |
KR101788633B1 (ko) * | 2015-12-21 | 2017-11-15 | 주식회사 루멘스 | 반도체 발광 다이오드 패키지 |
JP2018085515A (ja) * | 2016-11-25 | 2018-05-31 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 半導体素子パッケージ{semiconductor device package} |
JP7109765B2 (ja) | 2016-11-25 | 2022-08-01 | スージョウ レキン セミコンダクター カンパニー リミテッド | 半導体素子パッケージ |
WO2019107430A1 (ja) * | 2017-11-29 | 2019-06-06 | 京セラ株式会社 | 回路基板およびこれを備える発光装置 |
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