JP7004743B2 - 回路基板およびこれを備える発光装置 - Google Patents
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Description
本開示は、回路基板およびこれを備える発光装置に関する。
消費電力の少ない発光素子として、ＬＥＤ（発光ダイオード）が注目されている。そして、このような発光素子の搭載には、絶縁性の基板と、この基板上に位置する、回路（配線）となる導体層とを備える回路基板が用いられている。
また、上記構成の回路基板に発光素子を搭載してなる発光装置には、発光効率の向上が求められており、発光効率を向上させるために基板の表面を白色系の色調の樹脂で覆うことが行なわれている（例えば、特許文献１を参照）。
発光素子は、動作時に熱を生じるものである。また、近年の回路基板の小型化および薄型化によって、回路基板に加わる体積当たりの熱量は大きくなっている。
近年では、回路基板を構成する基板の材料として、機械的強度に優れていることで小型化および薄型化が容易であるとともに、放熱性に優れているセラミックが広く採用されている。
ここで、セラミックからなる基板と樹脂層との接着強度は、基板と導体層との接着強度に比べて弱い。そのため、特許文献１のように、基板の表面を白色系の色調の樹脂で覆うことで発光効率を向上させる場合、発光素子の動作により、回路基板の加熱および冷却が繰り返されると、樹脂層が基板から剥がれてしまい、長期間の使用に耐えられないおそれがあった。
本開示は、このような事情を鑑みて案出されたものであり、加熱および冷却が繰り返されても、樹脂層が基板から剥がれにくく、長期間の使用に耐えられる回路基板と、この回路基板を備える発光装置とを提供することを目的とする。
本開示の回路基板は、セラミックスからなり、第１面を有する基板と、金属を主成分とする導体層と、樹脂を主成分とする樹脂層とを備える。そして、前記導体層および前記樹脂層は、それぞれが前記第１面に接して並んで位置している。さらに、前記導体層は、前記樹脂層における前記導体層側かつ前記樹脂層の表面側の部位の少なくとも一部を覆っている第１部位を有する。
または、セラミックスからなり、第１面を有する基板と、金属を主成分とする導体層と、樹脂を主成分とする樹脂層とを備える。そして、前記導体層および前記樹脂層は、それぞれが前記第１面に接して並んで位置している。また、前記樹脂層は、前記第１面側において前記導体層側に突出した第２部位を有する。そして、前記導体層は、前記第２部位の少なくとも一部を覆っている。
また、本開示の発光装置は、上記回路基板と、該回路基板上に位置する発光素子とを備える。
本開示の回路基板は、加熱および冷却が繰り返されても、樹脂層が基板から剥がれにくく、長期間の使用に耐えることができる。
また、本開示の発光装置は、上記回路基板を備えることから、発光効率を維持しつつ、長期間に亘って使用することができる。
以下、本開示の回路基板および発光装置について、各図を参照しながら説明する。
本開示の回路基板１０は、図１に示すように、第１面１ａを有する基板１と、導体層２と、樹脂層３とを備え、導体層２および樹脂層３は、それぞれが第１面１ａに接して並んで位置している。なお、図１においては、導体層２と樹脂層３とが接している例を示しているが、これに限定されるものではなく、導体層２と樹脂層３との間に隙間が存在していても構わない。また、図１においては、導体層２の断面形状が略矩形状であるが、これに限定されるものでなく、どのような形状であっても構わない。
ここで、本開示の回路基板１０における基板１は、セラミックスからなる。セラミックスとしては、例えば、酸化アルミニウム質セラミックス、酸化ジルコニウム質セラミックス、酸化アルミニウムおよび酸化ジルコニウムの複合セラミックス、窒化珪素質セラミックス、窒化アルミニウム質セラミックス、炭化珪素質セラミックスまたはムライト質セラミックス等が挙げられる。なお、基板１が酸化アルミニウム質セラミックスからなるならば、基板１に要求される機械的強度を有しつつ、加工性に優れる。また、基板１が窒化アルミニウム質セラミックスからなるならば、放熱性に優れる。
ここで、例えば、酸化アルミニウム質セラミックスとは、セラミックスを構成する全成分１００質量％のうち、酸化アルミニウムを７０質量％以上含有するものである。そして、本開示の回路基板１０における基板１の材質は、以下の方法により確認することができる。まず、Ｘ線回折装置（ＸＲＤ）を用いて、基板１を測定し、得られた２θ（２θは、回折角度である。）の値よりＪＣＰＤＳカードを用いて同定を行なう。次に、蛍光Ｘ線分析装置（ＸＲＦ）を用いて、含有成分の定量分析を行なう。そして、例えば、上記同定により酸化アルミニウムの存在が確認され、ＸＲＦで測定したＡｌの含有量から酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）に換算した含有量が７０質量％以上であれば、酸化アルミニウム質セラミックスである。なお、他のセラミックスに関しても、同じ方法で確認できる。
また、本開示の回路基板１０における導体層２は、金属を主成分とする。ここで、金属を主成分とするとは、導体層２を構成する全成分１００質量％のうち、金属が５０質量％以上占めることをいう。なお、金属が銅または銀であるならば、電気抵抗率が低く、熱伝導率が高いことから、発熱量の大きい発光素子４の搭載が可能となる。
また、本開示の回路基板１０における樹脂層３は、樹脂を主成分とする。ここで、樹脂を主成分とするとは、樹脂層３を構成する全成分１００質量％のうち、樹脂が５０質量％以上占めることをいう。なお、樹脂がシリコーン樹脂であるならば、白色系の色調を呈する他の樹脂（例えば、エポキシ樹脂）に比べて、紫外線に強く、長期間に亘って高い反射効率を維持することができる。
ここで、導体層２を構成する主成分の確認方法としては、例えば、図１に示す断面となるように回路基板１０を切断し、クロスセクションポリッシャー（ＣＰ）にて研磨した断面を観察面として、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）付設のエネルギー分散型Ｘ線分析装置（ＥＤＳ）を用いることにより確認すればよい。または、導体層２を削り取り、ＩＣＰ発光分光分析装置（ＩＣＰ）または蛍光Ｘ線分析装置（ＸＲＦ）を用いることによっても確認することができる。
一方、樹脂層３を構成する主成分の確認方法としては、以下の方法で測定すればよい。まず、樹脂層３を削り取り、フーリエ変換赤外分光光度計（ＦＴＩＲ）を用いて、樹脂層３に含まれる樹脂を特定する。その後、図１に示す断面となるように回路基板１０を切断し、ＣＰにて研磨した断面を観察面として、ＳＥＭ付設のＥＤＳにより樹脂層３を測定する。この測定において、上記樹脂を構成する成分の合計量が他の成分の合計量よりも多ければ、上記樹脂が主成分であるとみなせばよい。
そして、本開示の回路基板１０における導体層２は、図２に示すように、樹脂層３における導体層２側かつ樹脂層３の表面側の部位の少なくとも一部を覆っている第１部位Ａを有している。ここで、樹脂層３における導体層２側かつ樹脂層３の表面側の部位とは、言い換えるならば、図２で示す断面において、樹脂層３の角部のことである。また、第１部位Ａとは、言い換えるならば、導体層２のうち樹脂層３上に位置している部位である。
導体層２と基板１との接着強度は、樹脂層３と基板１との接着強度に比べて高いことから、このような構成を満足していることで、樹脂層３が基板１から剥がれそうになった際に、導体層２の第１部位Ａが樹脂層３を支持する役割を果たす。そのため、本開示の回路基板１０は、加熱および冷却が繰り返されても、樹脂層３が基板１から剥がれにくく、長期間の使用に耐えることができる。
また、本開示の回路基板１０における第１部位Ａは、第１面１ａに平行な方向の長さにおいて、第１面１ａから遠い部位が第１面１ａに近い部位よりも長くてもよい。ここで、第１部位Ａに応力が加わった際に、第１部位Ａの根元から亀裂が発生しやすいものであるが、このような構成を満足するならば、導体層２において、第１部位Ａに加わる応力を第１部位Ａの根元から第１部位Ａの先端方向に逃がすことができる。そのため、第１部位Ａに亀裂が生じることで欠けてしまうおそれが小さくなり、樹脂層３と基板１と接着を長期間に亘って維持できる。ここで、第１部位Ａにおける第１面１ａに平行な方向の長さが、図３に示すように、第１面１ａから遠ざかる程に漸次長くなる構成であれば、第１部位Ａに加わる応力を第１部位Ａの根元から第１部位Ａの先端方向に効果的に逃がすことができる。
また、本開示の回路基板１０において、図３に示すように、第１部位Ａにおける第１面１ａに平行な方向の最大長さＸ１は、３μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。このような構成を満足するならば、樹脂層３の反射効率を維持しつつ、第１部位Ａにより樹脂層３を効果的に支持することができる。
また、本開示の回路基板１０において、図３に示すように、第１部位Ａにおける第１面１ａに直行する方向の最大厚みＹ１は、３μｍ以上７μｍ以下であってもよい。このような構成を満足するならば、第１部位Ａにより樹脂層３を効果的に支持することができる。
また、本開示の回路基板１０において、図４に示すように、樹脂層３は、第１面１ａ側において導体層２側に突出した第２部位Ｂを有し、導体層２は、第２部位Ｂの少なくとも一部を覆っている。
このような構成を満足していることで、樹脂層３の第２部位Ｂが導体層２に覆われていることから、樹脂層３の第２部位Ｂは基板１から剥がれにくい。そのため、本開示の回路基板１０は、加熱および冷却が繰り返されても、樹脂層３が基板１から剥がれにくく、長期間の使用に耐えることができる。
また、本開示の回路基板１０における第２部位Ｂは、第１面１ａに平行な方向の長さにおいて、第１面１ａに近い部位が、第１面１ａから遠い部位より長くてもよい。ここで、第２部位Ｂに応力が加わった際に、第２部位Ｂの根元から亀裂が発生しやすいものであるが、このような構成を満足するならば、樹脂層３において、第２部位Ｂに加わる応力を第２部位Ｂの根元から第２部位Ｂの先端方向に逃がすことができる。そのため、第２部位Ｂに亀裂が生じることで欠けてしまうおそれが小さくなり、樹脂層３と基板１と接着を長期間に亘って維持できる。ここで、第２部位Ｂにおける第１面１ａに平行な方向の長さが、図５に示すように、第１面１ａに近づく程に漸次長くなるならば、第２部位Ｂに加わる応力を第２部位Ｂの根元から第２部位Ｂの先端方向に効果的に逃がすことができる。
また、本開示の回路基板１０において、図５に示すように、第２部位Ｂにおける第１面１ａに平行な方向の最大長さＸ２は、４μｍ以上１５μｍ以下であってもよい。このような構成を満足するならば、第２部位Ｂの存在により導体層２と基板１との接着強度が低下することが抑制されるとともに、第２部位Ｂに亀裂が生じにくくなることから、樹脂層３と基板１と接着をさらに長期間に亘って維持できる。
また、本開示の回路基板１０において、図５に示すように、第２部位Ｂにおける第１面１ａに直行する方向の最大厚みＹ２は、３μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。このような構成を満足するならば、第２部位Ｂに亀裂が生じにくくなることから、樹脂層３と基板１と接着をさらに長期間に亘って維持できる。
なお、本開示の回路基板１０において、樹脂層３が上述した第２部位Ｂを有し、導体層２が上述した第１部位Ａを有するとともに、第２部位Ｂの少なくとも一部を覆っているならば、加熱および冷却が繰り返されても、樹脂層３が基板１からさらに剥がれにくくなることは言うまでもない。
また、本開示の回路基板１０において、図６に示すように、樹脂層３は、導体層２に向かって突出した第３部位Ｃを有し、導体層２は、第３部位Ｃの少なくとも一部を覆っていてもよい。
このような構成を満足しているならば、加熱および冷却が繰り返され、樹脂層３が基板１から剥がれようとした際に、樹脂層３の第３部位Ｃが導体層２に押さえられることで、樹脂層３が基版１から剥がれにくくなる。
また、本開示の回路基板１０における第３部位Ｃは、第１面１ａに平行な方向の長さにおいて、第１面１ａに近い部位が、第１面１ａから遠い部位より長くてもよい。ここで、第３部位Ｃに応力が加わった際に、第３部位Ｃの根元から亀裂が発生しやすいものであるが、このような構成を満足するならば、樹脂層３において、第３部位Ｃに加わる応力を第３部位Ｃの根元から第３部位Ｃの先端方向に逃がすことができる。そのため、第３部位Ｃに亀裂が生じることで欠けてしまうおそれが小さくなり、樹脂層３と基板１と接着を長期間に亘って維持できる。ここで、第３部位Ｃにおける第１面１ａに平行な方向の長さが、図６に示すように、第１面１ａに近づく程に漸次長くてもよい。このような構成を満足するならば、第３部位Ｃに加わる応力を第３部位Ｃの根元から第３部位Ｃの先端方向に効果的に逃がすことができる。
また、図６に示すように、第３部位Ｃにおける第１面１ａに平行な方向の最大長さＸ３は、例えば、４μｍ以上１５μｍ以下であってもよい。また、第３部位Ｃにおける第１面１ａに直行する方向の最大厚みＹ３は、例えば、３μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。
また、本開示の回路基板１０における樹脂層３は、円相当径が５μｍ以下である金属粒子を含有し、樹脂層３において、基板１から離れる方向の表面を含む部分を第１領域、第１領域以外の部分を第２領域としたとき、金属粒子の個数は、第２領域より第１領域の方が多くてもよい。ここで、樹脂層３の第１領域とは、基板１から離れる方向の表面から深さ１０μｍまでの部分のことである。一方、樹脂層３の第２領域とは、基板１から離れる方向の表面から深さ１０μｍの箇所より基板１側の部分のことである。
このような構成を満足するならば、樹脂層３と基板１との接合強度を維持しつつ、導体層２から伝わった熱を、金属粒子を多く有する第１領域において効果的に放熱することができることから、樹脂層３が基板１から剥がれにくくなる。さらに、樹脂層３の第１領域における金属粒子にて発光素子の光を効果的に反射することができる。なお、樹脂層３の第２領域には、金属粒子が存在しなくても構わない。
ここで、金属粒子とは、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）および銀（Ａｇ）から選択される少なくとも１種から構成されるものである。
また、樹脂層３は、基板１から離れる方向の表面の１ｍｍ2の面積の範囲における金属粒子の個数が２個以上５個以下であってもよい。このような構成を満足するならば、金属粒子にて発光素子の光を良好に反射できる。
また、本開示の回路基板１０における基板１は、貫通孔を有していてもよい。そして、基板１の貫通孔内に電極を有して、この電極に導体層２が繋がっているならば、この電極を介して外部から導体層２に電気を供給することができる。また、基板１の貫通孔内に高熱伝導性のサーマルビアを有していれば、基板１の放熱性を向上させることができる。
また、本開示の発光装置２０は、図１に示すように、上述した構成の回路基板１０と、回路基板１０上に位置する発光素子４とを備えているものである。なお、図１においては、発光素子４が導体層２ａ上に位置し、発光素子４がボンディングワイヤ５により導体層２ｂに電気的に接続されている例を示している。なお、図示していないが、発光素子４を保護するために、発光装置２０における発光素子４の搭載された側の面を、発光素子４が含まれるように封止材等で覆われていても構わない。なお、封止材は、波長変換のための蛍光物質等を含有していてもよい。
以下、本開示の回路基板の製造方法の一例について説明する。
まず、基板として、公知の成形方法および焼成方法により、例えば、窒化アルミニウム質セラミックスや酸化アルミニウム質セラミックス等の第１面を有するセラミックスを準備する。なお、酸化アルミニウム質セラミックスの作製にあたっては、基板の反射率を向上させるべく、酸化バリウム（ＢａＯ）や酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）等を含有させてもよい。
また、基板に貫通孔を形成する場合は、成形体の形成時に外形状とともに貫通孔を形成するか、外形状のみが加工された成形体に対しパンチング、ブラストまたはレーザーによって貫通孔を形成するか、焼結体にブラストまたはレーザーによって貫通孔を形成すればよい。なお、基板の厚みは、例えば、０．１５ｍｍ以上１．５ｍｍ以下である。
次に、基板の第１面上に導体層を形成する。以下では、一例として、導体層がチタンと銅とで構成される場合を説明する。まず、チタンおよび銅の薄層を、基板の第１面上にスパッタで形成する。ここで、薄膜において、例えば、チタンの薄層の平均膜厚は０．０３μｍ以上０．２μｍ以下、銅の薄層の平均膜厚は０．５μｍ以上２μｍ以下である。次に、薄膜上にレジストパターンをフォトリソグラフィーにて形成し、電解銅めっきを用いて新たな銅の厚層を形成することで導体層を得る。ここで、電解銅めっきにより形成する銅の厚層の平均膜厚は、例えば、４０μｍ以上１００μｍ以下である。
次に、レジストパターンを除去し、はみ出したチタンおよび銅の薄層をエッチングにより除去する。この時、エッチングに使用するエッチング液の濃度およびエッチングを行なう時間を適宜調整することによって、導体層の外表面のうち第１面側が浸食され、導体層が、第１面との界面において、任意形状の切り欠き部を有する形状となる。
次に、樹脂層となるペースト（以下、樹脂層用ペーストと記載する。）を準備する。樹脂層用ペーストは、例えば、シリコーン樹脂原料と白色無機フィラー粉末とを有機溶剤中に分散させたものである。
このとき、シリコーン樹脂原料としては、オルガノポリシロキサン、オルガノハイドロジェンポリシロキサン、白金含有ポリシロキサン等を用いることができる。また、白色無機フィラーとしては、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化バリウム、硫酸バリウム等を用いることができる。また、有機溶剤としては、カルビトール、カルビトールアセテート、テルピネオール、メタクレゾール、ジメチルイミダゾール、ジメチルイミダゾリジノン、ジメチルホルムアミド、ジアセトンアルコール、トリエチレングリコール、パラキシレン、乳酸エチル、イソホロンから選択される１種もしくは２種以上を混合して用いることができる。
なお、樹脂層用ペーストにおける質量比率としては、例えば、シリコーン樹脂原料が１に対し、白色無機フィラーが０．５～４、有機溶剤が２０～１００となるように調合する。また、樹脂層に金属粒子を含有させるには、銅、チタンおよび銀から選択される少なくとも１種から構成される、円相当径が５μｍ以下の金属粒子を樹脂層用ペーストに添加すればよい。
そして、樹脂層用ペーストを、基板の第１面上において、導体層と並んで位置するように印刷する。この時、導体層の切り欠き部の内部まで樹脂層用ペーストが入り込むように印刷することで、樹脂層が、第１面側において導体層側に突出した第２部位を有する形状となる。
なお、樹脂層が、導体層に向かって突出した第３部位を有するようにするには、導体層を２回に分けて作製すればよい。具体的には、まず、チタンおよび銅の薄層上に、銅の第１厚層を形成した後、レジストパターンを除去する。ここで、薄膜において、例えば、チタンの薄層の平均膜厚は０．０３μｍ以上０．２μｍ以下、銅の薄層の平均膜厚は０．５μｍ以上２μｍ以下である。
次に、第１厚層上にレジストパターンをフォトリソグラフィーにて形成し、電解銅めっきを用いて銅の第２厚層を形成する。ここで、銅の第１厚層、第２厚層、それぞれの平均膜厚は、例えば、２０μｍ以上５０μｍ以下である。
次に、レジストパターンを除去し、エッチングを行なう。この時、エッチングに使用するエッチング液の濃度およびエッチングを行なう時間を適宜調整することによって、樹脂層の第３部位が位置することとなる、任意形状の切り欠き部を形成することができる。その後、樹脂層用ペーストにより樹脂層を形成する際に、導体層の切り欠き部の内部まで樹脂層用ペーストが入り込むように印刷することで、樹脂層が第３部位を有する形状となる。
なお、銅の第１厚層を形成した後に、レジストパターンを除去せずに新たなレジストパターンを形成し、銅の第２厚層を形成した後にレジストパターンを除去してもよい。
また、上述した説明では、導体層を２回に分けて作製したが、導体層を３回以上に分けて作製することで、樹脂層の厚み方向に第３部位を複数個形成してもよい。
また、樹脂層の第２領域よりも第１領域の方に金属粒子の個数を多くする場合には、添加した金属粒子の個数が異なる樹脂層用ペーストを２種類準備し、金属粒子の個数が少ない樹脂層ペーストを先に印刷した後、この上に金属粒子の個数が多い樹脂層ペーストを印刷すればよい。
次に、１４０℃以上２００℃以下の最高温度で０．５時間以上３時間以下保持して、熱処理を行なう。
ここで、導体層が、樹脂層における導体層側かつ樹脂層の表面側の部位の少なくとも一部を覆っている第１部位を有するようにするには、熱処理後に、第１部位となる銅等の金属をスパッタや電解銅めっき等で、樹脂層用ペーストにおける導体層側かつ樹脂層用ペーストの表面側の部位上に形成すればよい。
または、導体層および樹脂層の表面に対して、研磨処理であるバフ研磨を行なうことで、導体層の表面を展性変形することにより、第１部位を形成してもよい。ここで、バフ研磨の条件である、送り速度、使用する砥粒の番手、研磨量を調整することで、導体層の第１部位を任意形状とすることができる。
これにより、本開示の回路基板を得る。なお、必要に応じてダイシングすることで個片に分割してもよい。なお、反射率または耐食性を向上させるために、導体層上に、ニッケル－銀、銀、ニッケル－パラジウム－金、ニッケル－金等のメッキを行なっても構わない。
次に、本開示の発光装置は、例えば、本開示の回路基板上に発光素子を搭載することによって得ることができる。
１：基板
２、２ａ、２ｂ：導体層
３：樹脂層
４：発光素子
５：ボンディングワイヤ
１０：回路基板
２０：発光装置
２、２ａ、２ｂ：導体層
３：樹脂層
４：発光素子
５：ボンディングワイヤ
１０：回路基板
２０：発光装置
Claims (12)
- セラミックスからなり、第１面を有する基板と、
金属を主成分とする導体層と、
樹脂を主成分とする樹脂層とを備え、
前記導体層および前記樹脂層は、それぞれが前記第１面に接して並んで位置しており、
前記導体層は、前記樹脂層における前記導体層側かつ前記樹脂層の表面側の部位の少なくとも一部を覆っている第１部位を有し、
前記樹脂層は、前記導体層に向かって突出した第３部位を有し、
前記導体層は、前記第３部位の少なくとも一部を覆っている回路基板。 - 前記第１部位は、前記第１面に平行な方向の長さにおいて、前記第１面から遠い部位が前記第１面に近い部位よりも長い請求項１に記載の回路基板。
- 前記第１部位における前記第１面に平行な方向の最大長さは、３μｍ以上１０μｍ以下である請求項１または請求項２に記載の回路基板。
- 前記第１部位における前記第１面に直行する方向の最大厚みは、３μｍ以上７μｍ以下である請求項１乃至請求項３のいずれか１つに記載の回路基板。
- セラミックスからなり、第１面を有する基板と、
金属を主成分とする導体層と、
樹脂を主成分とする樹脂層とを備え、
前記導体層および前記樹脂層は、それぞれが前記第１面に接して並んで位置しており、
前記樹脂層は、前記第１面側において前記導体層側に突出した第２部位を有するとともに、前記導体層に向かって突出した第３部位を有し、
前記導体層は、前記第２部位の少なくとも一部を覆うとともに、前記第３部位の少なくとも一部を覆っている回路基板。 - 前記第２部位は、前記第１面に平行な方向の長さにおいて、前記第１面に近い部位が、前記第１面から遠い部位より長い請求項５に記載の回路基板。
- 前記第２部位における前記第１面に平行な方向の最大長さは、４μｍ以上１５μｍ以下である請求項５または請求項６に記載の回路基板。
- 前記第２部位における前記第１面に直行する方向の最大長さは、３μｍ以上１０μｍ以下である請求項５乃至請求項７のいずれか１つに記載の回路基板。
- 前記樹脂層は、前記第１面側において前記導体層側に突出した第２部位を有し、
前記導体層は、前記樹脂層における前記導体層側かつ前記樹脂層の表面側の部位の少なくとも一部を覆っている第１部位を有するとともに、前記第２部位の少なくとも一部を覆っている請求項１乃至請求項８のいずれか１つに記載の回路基板。 - 前記第３部位は、前記第１面に平行な方向の長さにおいて、前記第１面に近い部位が、前記第１面から遠い部位より長い請求項１乃至請求項９のいずれか１つに記載の回路基板。
- 前記樹脂層は、円相当径が５μｍ以下である金属粒子を含有し、
前記樹脂層において、前記基板から離れる方向の表面を含む部分を第１領域、該第１領域以外の部分を第２領域としたとき、前記金属粒子の個数は、前記第２領域より前記第１領域の方が多い請求項１乃至請求項１０のいずれか１つに記載の回路基板。 - 請求項１乃至請求項１１のいずれか１つに記載の回路基板と、該回路基板上に位置する発光素子とを備える発光装置。
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