CN103137825B - 发光二极管基板结构、发光二极管单元及其光源模块 - Google Patents

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Abstract

一种发光二极管基板结构、发光二极管单元及其光源模块，该发光二极管基板结构包括一基板，该基板具有一底面与两个连接于该底面且相对的第一侧面，该底面上至少具有一导电部，该导电部在该底面与该两第一侧面的其中之一所连接的边缘上形成有一第一切割段，该导电部具有一邻接于该第一切割段的扩张区域，该扩张区域上任一平行于该第一切割段的长度大于该第一切割段的长度。

Description

发光二极管基板结构、发光二极管单元及其光源模块
技术领域
本发明涉及一种基板结构、发光二极管单元及其光源模块，尤指一种发光二极管基板结构、发光二极管单元及其光源模块。
背景技术
发光二极管可以采用表面黏着元件(SurfaceMountDevice，SMD)的方式直接安装于印刷电路板上，并依照其发光方向而区分成俯视(Topview)及侧视(Sideview)。
以发光二极管单元的生产组装进行说明，发光二极管晶粒先安装在一基板上，再以封装体进行封装以形成发光二极管单元，而基板的背面具有金属，故可利用焊接材料攀爬于该基板金属上，以将发光二极管单元以一侧面固定在印刷电路板上。为了使发光二极管单元有更佳的固定效果，其基板背面的金属通常在相接于固定印刷电路板的侧面的金属区段宽度是相对于位于底面中间的金属区段宽度为较宽(即扇形设计)，由于发光二极管单元通常为数组式整片制作，需经过切割后才形成单一发光二极管单元，但因其上的金属经过切割后易产生毛边，此会形成焊接材料攀爬的阻力，换言之，金属毛边会产生在切割道上的金属段中，使得焊接材料不易跨越；尤其，目前低温焊接的工艺已逐渐应用，在低温的条件下，焊接材料的流动性更受到限制，也使得金属毛边对于工艺良率产生严重的影响。
再一方面，由于封装体包覆发光二极管元件而固定于基板上。然而，基板上的固晶功能区多为金属材质，封装体多为塑料材质，由于金属与塑料的材料特性不同，造成结合力不足，故造成封装体溢出或是外部焊锡渗入封装体中，造成产品不良。另外，此种发光二极管产品也容易使外部的水气渗入，使得发光二极管芯片损坏，影响产品合格率或可靠性的问题，故上述问题均急待改善。
发明内容
本发明的目的之一在于提供一种发光二极管基板结构、发光二极管单元及其光源模块，其具有结构上具有变化的导电部，以缩减经切割后可能产生毛边的部分，并设计斜边以利焊接材料的攀爬，进而提高发光二极管基板结构与载板之间的固定强度。
本发明实施例提供一种光源模块：包括：一载板、一设置于该载板的基板、至少一设置于该固晶面上的发光元件以及一用以包覆该发光元件的封装体，其中该基板具有一底面、相对于该底面的一固晶面与两个连接于该底面和该固晶面且相对的第一侧面，该两第一侧面的其中之一为接触该载板的接触面，该底面上至少具有一导电部，该导电部在该底面与该接触面所连接的边缘上形成有一第一切割段，该导电部具有一邻接于该第一切割段的扩张区域，该扩张区域上任一平行于该第一切割段的长度大于该第一切割段的长度。
本发明实施例提供一种发光二极管单元，包括：一基板、至少一设置于该固晶面上的发光元件以及一用以包覆该发光元件的封装体，其中该基板具有一底面、相对于该底面的一固晶面与两个连接于该底面和该固晶面且相对的第一侧面，该底面上至少具有一导电部，该导电部在该底面与该两第一侧面的其中之一所连接的边缘上形成有一第一切割段，该导电部具有一邻接于该第一切割段的扩张区域，该扩张区域上任一平行于该第一切割段的长度大于该第一切割段的长度。
本发明实施例提供一种发光二极管基板结构，其包括一基板，该基板具有一底面与两个连接于该底面且相对的第一侧面，该底面上至少具有一导电部，该导电部在该底面与该两第一侧面的其中之一所连接的边缘上形成有一第一切割段，该导电部具有一邻接于该第一切割段的扩张区域，该扩张区域上任一平行于该第一切割段的长度大于该第一切割段的长度。
本发明具有以下有益的效果：本发明所述基板的导电部具有长度较小的第一切割段，使出现毛边的区域变小，且因导电部具有由第一切割段向外扩张的扩张区域，故焊接材料可顺利地攀爬于导电部上。
为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
图1A为本发明的发光二极管基板结构的俯视立体图。
图1B为本发明的发光二极管基板结构的仰视立体图。
图2为本发明的发光二极管基板结构的仰视图。
图3A为图2的A部分的放大图。
图3B为图2的B部分的放大图。
图4为本发明的发光二极管基板结构的另一实施例的导电部的示意图。
图5为本发明的发光二极管基板结构的再一实施例的导电部的示意图。
图6为本发明的发光二极管基板结构应用于双晶产品的导电部的示意图。
图7为本发明的发光二极管基板结构应用于双晶产品的导电部的示意图。
图8A为本发明的发光二极管单元的示意图。
图8B为本发明的发光二极管单元的分解示意图。
图9A为本发明的光源模块的分解示意图。
图9B为本发明的光源模块的侧视图。
其中，附图标记说明如下：
1发光二极管基板结构
11基板
11A底面
11B、11C第一侧面
11D、11E第二侧面
11F固晶面
12导电部121第一切割段
121A端点
121B端点
122扩张区域
1221A端点
1221B端点
123本体区域
1231A端点
1231B端点
124A第一侧边
124B第二侧边
125A第三侧边
125B第四侧边
13A、13B端电极
131端导电部
1311第二切割段
1312端导电本体段
132连接部
133功能部
134导接臂
14界面层
15辨识部
2发光元件
3封装体
31接着面
32A、32B侧缘
4载板
X中心长轴
L0、L1、L2、L3、L4、L5、L6长度
具体实施方式
在本发明被详细描述之前，要注意的是，在以下的说明内容中，类似的元件是以相同的附图标记来表示。
本发明提供一种发光二极管基板结构、发光二极管单元及其光源模块，其具有尺寸变化特性的导电部，以增加焊接材料与导电部的连接情况，尤其是针对低温焊接的工艺。另外，本发明的发光二极管基板结构、发光二极管单元及其光源模块可针对功能部设计延长线路设计以延长水气入侵路径，且成型接口层于固晶面的压模在线，以增加封装材料与基板之间的结合力，进而改善工艺溢胶及客户端锡渗入的问题。
图1A、图1B为本发明所提出的发光二极管基板结构1的不同角度的立体图，图2为本发明所提出的发光二极管基板结构1的仰视图，本发明所提出的发光二极管基板结构主要将成型于基板11上的导电部12设计为具有长度变化的扩张区域122，使焊接材料可通过扩张区域122而向上攀爬(climbup)，而形成较佳的连接效果。
请配合图2所示，在本发明的具体实施例中，基板11经过切割后而大致为长方体，但不以此为限，基板11具有一矩形的底面11A与两个连接于底面11A且相对的第一侧面11B、11C，在本具体实施例中，所述的两个第一侧面11B、11C分别连接于底面11A的两个相对第一边(以下称为长边)；另外，基板11还具有两个分别连接于底面11A的两个相对第二边(以下称为短边)的第二侧面11D、11E及一个相对于底面11A的固晶面11F(即顶面)。导电部12设置于底面11A，导电部12的数量可依据发光二极管基板结构1应用于单晶、双晶、三晶的发光产品的不同而为一个或多个。
请参考图3A，导电部12横贯于底面11A，具体而言，导电部12由底面11A与第一侧面11B所连接的边缘延伸至底面11A与第一侧面11C所连接的边缘，并至少包含一扩张区域122和一本体区域123，本体区域123与扩张区域122相连接，在本具体实施例中，本体区域123位于两个扩张区域122之间，而以平行于第一切割段121的视点，本体区域123大致呈现等长度的区段。以底面11A与第一侧面11B所连接的边缘为视点说明导电部12的尺寸变化，导电部12在底面11A与第一侧面11B所连接的边缘(即为在切单颗工艺(singulation)时进行切割(dicing)的部分)形成有一第一切割段121，而导电部12具有一邻接于第一切割段121的扩张区域122，扩张区域122上平行于第一切割段121的最大长度(即长度L1)大于或等于本体区域123上任一平行于第一切割段121的长度(即长度L4)。更具体而言，第一切割段121的两端点121A、121B朝相对的第一侧面11C的方向相互远离地斜向延伸而形成在扩张区域122中平行于第一切割段121的线段的两端点1221A、1221B，两端点1221A、1221B的连线可构成一线段长度L1且为扩张区域122中最长的。端点121A、121B分别与端点1221A、1221B界定出扩张区域122的第一、第二侧边124A、124B，因此，扩张区域122上任一平行于第一切割段121的长度(如长度L1、L2、L3)大于第一切割段121的长度(即长度L0)。
另外，在本具体实施例中，端点1221A、1221B再继续朝相对的第一侧面11C的方向相互靠近地斜向延伸而连接本体区域123的两端点1231A、1231B。更具体的说，端点1221A、1221B分别与端点1231A、1231B连接以界定出扩张区域122的第三、第四侧边125A、125B，因此，扩张区域122上平行于第一切割段121的最大长度(即长度L1)大于本体区域123上任一平行于第一切割段121的长度(即长度L4)。
相同的，由底面11A与第一侧面11C所连接的边缘为视点所观察到的导电部12具有同于上述的第一切割段121、扩张区域122与本体区域123的变化，换言之，在本具体实施例中，导电部12以基板11的中心长轴X而形成对称，然而此仅为量产的工艺考虑。相对地，亦可设计为如图4所示，导电部12并不以基板11的中心长轴X为对称而形成非对称形状的示意图，即导电部12上仅有接近第一侧面11B具有扩张区域122，而邻近第一侧面11C处则为本体区域123直接延伸成型。此时，扩张区域122上平行于第一切割段121的最大长度(即长度L1)仍大于本体区域123上任一平行于第一切割段121的长度(即长度L4)。
再请参考图5，其显示导电部12的另一种变化形式的结构。如图所示，扩张区域122被缩减使得本体区域123直接由端点1221A、1221B所延伸成型，故扩张区域122上平行于第一切割段121的最大长度(即长度L1)等于本体区域123上任一平行于第一切割段121的长度(即长度L4)。
根据上述的导电部12的尺寸变化，由于第一切割段121是经过刀具切割所成型，故金属材质(如铜)的第一切割段121易在切割后产生毛边，而本发明缩短第一切割段121的长度，即可降低前述毛边对于焊接材料进行攀爬的影响；另外，由于扩张区域122的第一、第二侧边124A、124B并未受到刀具的切割，且焊接材料仍具有一定厚度(高度)，故焊接材料接触第一切割段121后，即使第一切割段121有毛边，仍可接触到第一、第二侧边124A、124B而沿着第一、第二侧边124A、124B进行攀爬，换言之，本发明将扩张区域122所界定的类扇形区域设计为焊接材料进行攀爬的区域，且缩减会出现毛边影响焊接材料进行攀爬的第一切割段121的长度，较佳地使焊接材料可攀爬而成型于整个导电部12所涵盖的区域。
其中，在实际操作中，以单晶的发光产品而言，扩张区域122上平行于第一切割段121的最大长度(即长度L1)较佳为基板11的底面11A的长边的长度的三分之一至四分之一，而第一切割段121的长度(即长度L0)较佳为扩张区域122上平行于第一切割段121的最大长度(即长度L1)的二分之一至三分之一，以达到良好的焊接材料与导电部12的连接效果。另外，如图6所示，在另一实施例中，以双晶的发光产品而言，应用于双晶的导电部12仍与适用于单晶的导电部12数量相同为单一个；由于数量仍与应用于单晶的导电部相同，因此扩张区域122上平行于第一切割段121的最大长度(即长度L1)较佳仍为基板11的底面11A的长边的长度的三分之一至四分之一，而第一切割段121的长度(即长度L0)较佳仍为扩张区域122上平行于第一切割段121的最大长度(即长度L1)的二分之一至三分之一。此外，在又一实施例中，如图7所示，以三晶的发光产品而言，应用于三晶的导电部12的数量则具有两个，为达到良好的焊接材料与导电部12的连接效果，每一导电部12的扩张区域122上平行于第一切割段121的最大长度(即长度L1)较佳为基板11的底面11A的长边的长度的四分之一至五分之一，而第一切割段121的长度(即长度L0)较佳为扩张区域122上平行于第一切割段121的最大长度(即长度L1)的二分之一至三分之一。
于是，不论是应用于单晶、双晶或三晶，扩张区域122上平行于第一切割段121的最大长度较佳为基板11的底面11A的长边的长度的三分之一至五分之一，且与第一切割段121之间的距离H可随着不同高度的焊接材料而调整(即第一侧边124A和第二侧边124B的斜率可视工艺而更动)，其目的在于使焊接材料可接触于第一、第二侧边124A、124B，以达到较佳的吃锡效果，在上述应用中，距离H介于0.12至0.20毫米或是可以大于或等于焊接材料的厚度(高度)，但不以此为限。
再者，请再参考图1A、1B至图2，本发明的发光二极管基板结构1还包括两个端电极13A、13B，如图所示，端电极13A延伸成型在底面11A、第二侧面11E和固晶面11F上，同样地，端电极13B延伸成型在底面11A、另一第二侧面11D和固晶面11F上；亦即端电极13A、13B大致呈现为相对称的U形结构。
所述两端电极13A、13B在底面11A上分别具有一端导电部131，端导电部131同样横贯于底面11A，具体而言，端导电部131形成在底面11A与第一侧面11B所连接的边缘及底面11A与第一侧面11C所连接的边缘之间。请配合图2和图3B，从底面11A与第一侧面11B所连接的边缘观察，端导电部131在底面11A与第一侧面11B所连接的边缘上形成有一第二切割段1311，而第二切割段1311的端点则朝另一第一侧面11C延伸形成端导电本体段1312，第二切割段1311的长度(即长度L6)小于端导电本体段1312的长度(即长度L5)，而在本具体实施例中第二切割段1311与端导电本体段1312之间为阶梯状结构，但不以此为限，仅需使第二切割段1311的长度小于端导电本体段1312的长度即可。同于前述第一切割段121的效果，本发明缩减经过切割后易产生毛边的第二切割段1311的长度，使焊接材料易于攀爬而成型于整个端导电部131所涵盖的区域。另外，如图6所示，在另一实施例中，以双晶的发光产品而言，端导电部131延伸出一导接臂134而与导电部12相连接；在又一实施例中，如图7所示，以三晶的发光产品而言，底面11A上具有两个所述的导电部12，而两端电极13A、13B的端导电部131分别延伸出导接臂134，其分别与导电部12相连接。
再者，端电极13A、13B在固晶面11F上分别具有连接部132及功能部133，功能部133由连接部132所延伸成型，且功能部133具有至少一弯折。为了达到发光二极管的电性连接，在本具体实施例中，端电极13B的功能部133可为固晶部(用于固接发光二极管)，其具有两个弯折；而端电极13A的功能部133可为焊线部(用于打线)，其具有一个弯折，换言之，本发明的功能部133不论是固晶部或是焊线部均具有弯折，所述的弯折可构成水气入侵的阻碍，其提供一曲折的较长路径，从而增加水气由外部入侵至固晶部的困难度。
此外，为了后续进行发光二极管单元的封装，在工艺上通常会将发光元件2设置于固晶面11F上的功能部133且进行电性连结后再以利用一封装体3封住发光元件2(如图8A、图8B所示)，而连接部132及功能部133之间的连接位置用于定义出压模线，而压模线可与模具配合以将封装材料模制形成一封装体3(如图8A所示)，而本发明的发光二极管基板结构1还包括设于压模在线的接口层14，换言之，接口层14即是位于连接部132与功能部133之间的连接位置，接口层14可为阻焊漆(又称防焊漆)所涂布成型。接口层14部分覆盖于端电极13A、13B(即连接部132及功能部133)且部分覆盖于基板11，故在进行封装后，封装体3与固晶面11F连接的接着面31的侧缘32A、32B可恰好位于压模在线的接口层14，由于封装体3与接口层14的材料特性相近，故两者之间具有较佳的结合力，故在工艺上可避免封装体3的封装材料的外溢或是焊接材料由外部渗入封装体3中的问题。此外，在其它实施例中，压模线亦可稍微偏移而直接位于连接部132上，但仍需位于接口层14所覆盖的范围中。
因此，本发明还可将上述的发光二极管基板结构1应用于发光二极管单元，换言之，本发明的发光二极管单元包括前述的发光二极管基板结构1、设置于发光二极管基板结构1上的发光元件2及包覆发光元件2的封装体3。发光二极管基板结构1的内容可参考前文内容，而发光元件2可为发光二极管，其可设置于基板11的固晶面11F上而电连接于该两端电极，具体而言，发光元件2可固晶于端电极13B的功能部133，并利用打线电连接于另一端电极13A的功能部133。另一方面，封装体3同样设置在基板11的固晶面11F上并包覆发光元件2，本具体实施例的封装体3为半柱状，且其具有连接固晶面11F的接着面31，且接着面31的侧缘32A、32B恰好位于发光二极管基板结构1的接口层14上，由于材料特性，封装体3与接口层14之间具有良好的结合能力，故可防止封装体3的封装材料由两者之间的界面外溢的情况。再一方面，为了达到标示极性、安装位置等效果，本发明的发光二极管基板结构1还可包括辨识部15，如图6、图7中成型在基板11的底面11A的辨识部15，其可为任何形状、颜色，在本具体实施例中，辨识部15可为阻焊漆(又称防焊漆)所成型。
本发明的发光二极管单元还可应用于一种光源模块，请参考图9A、图9B，其显示一种侧发光的光源模块，其将前述的发光二极管单元安装在一载板(如印刷电路板)4上；换言之，本发明的光源模块包括载板4、前述的发光二极管基板结构1、设置于发光二极管基板结构1上的发光元件2及包覆发光元件2的封装体3。在本具体实施例中，发光二极管基板结构1的基板11的第一侧面11B为一接触面，以接触于该载板4，而导电部12则由底面11A与接触面(即第一侧面11B)所连接的边缘依序设置有前文所述的第一切割段121、扩张区域122与本体区域123，故在回焊的作业中，焊接材料即可由载板4沿着扩张区域122所界定的类扇形区域持续攀爬，尤其扩张区域122两侧的第一、第二侧边124A、124B为斜边而可有效提供焊接材料进行攀爬的路径，同样地，焊接材料亦由载板4沿着端导电部131的第二切割段1311进行攀爬，故可利用焊接材料与导电部12、端导电部131的连接而稳固地固定于载板4上(请注意，焊接材料与导电部12、端导电部131的连接还具有电性导通的功效，但其并非本发明重点，故此部分就不予说明)。
另一方面，由于本发明的发光二极管基板结构1以第一侧面11B为接触面而接触于载板4，故发光二极管基板结构1上的端电极13A、13B的位置是紧邻着载板4，因此当进行回焊的作业中，焊接材料会沿着端电极13A、13B而进行攀爬，但由于本发明将接口层14设置在端电极13A、13B的连接部132与功能部133之间的连接位置(如图8A、8B所示)，使封装体3接着于接口层14，故可利用两者之间的较强结合力，阻挡焊接材料沿着端电极13A、13B进入封装体3，亦即达到防止焊锡渗入的问题。综合而言，本发明可利用封装体3与接口层14之间的较强结合力，防止封装材料外溢(即避免封装材料由内向外溢出)，亦可防止焊接材料沿着端电极13A、13B进入封装体3(即防止焊锡由外向内渗入)的双重效果。
综合而言，本发明可具有以下至少其中之一特点：
1、本发明缩减产生毛边的切割段(如第一切割段121、第二切割段1311)的长度，并利用不会产生毛边的区域(如第一、第二侧边124A、124B与扩张区域122中间的区域)，以降低焊接材料进行攀爬的阻力，使焊接材料得以覆盖于导电部12、端电极13A、13B的端导电部131，尤其在低温焊接的工艺中，本发明可有效将焊接材料覆盖于导电金属。根据具体的实验结果，在238℃低温吃锡试验中(样本数各为200件)，本发明的设计的吃锡良好，而传统设计则因毛边造成吃锡不良，不良率约3％。
2、本发明的端电极13A、13B的功能部133具有至少一个以上的弯折，其提供一种曲折且长度较长的路径，以降低水气的入侵机率。
3、本发明将接口层14涂布在连接部132与功能部133之间，使后续模制成型的封装体3可与接口层14产生接触，且两者的结合力较传统的封装材料与金属的结合力为强，故可防止封装材料外溢(即避免封装材料由内向外溢出)，亦可防止焊接材料沿着端电极13A、13B进入封装体3(即防止焊锡由外向内渗入)。
以上所述仅为本发明的较佳可行实施例，并非因此局限本发明的专利范围，故凡运用本发明说明书及图示内容所为的等效技术变化，均包含于本发明的范围内。

Claims (14)

1.一种光源模块，其特征在于，包括：
一载板；
一基板，设置于该载板上，该基板具有一底面、相对于该底面的一固晶面与两个连接于该底面和该固晶面且相对的第一侧面，所述两第一侧面的其中之一为接触该载板的接触面，该底面上至少具有一导电部，该导电部在该底面与该接触面所连接的边缘上形成有一第一切割段，该导电部具有一邻接于该第一切割段的扩张区域，该扩张区域上任一平行于该第一切割段的长度大于该第一切割段的长度，所述扩张区域具有一第一侧边和一第二侧边，所述第一侧边和所述第二侧边自所述第一切割段的两端点朝所述第一侧面的方向相互远离地斜向延伸；
至少一发光元件，其设置于该固晶面上；以及
一封装体，其包覆该发光元件。
2.一种发光二极管单元，其特征在于，包括：
一基板，具有一底面、相对于该底面的一固晶面与两个连接于该底面和该固晶面且相对的第一侧面，该底面上至少具有一导电部，该导电部在该底面与该两第一侧面的其中之一所连接的边缘上形成有一第一切割段，该导电部具有一邻接于该第一切割段的扩张区域，该扩张区域上任一平行于该第一切割段的长度大于该第一切割段的长度；
至少一发光元件，其设置于该固晶面上；以及
一封装体，其包覆该发光元件，所述扩张区域具有一第一侧边和一第二侧边，所述第一侧边和所述第二侧边自所述第一切割段的两端点朝所述第一侧面的方向相互远离地斜向延伸。
3.如权利要求2所述的发光二极管单元，其特征在于，该底面具有两相对的第一边和两相对的第二边，所述两第一侧面分别连接于所述两第一边，且该基板还具有两个分别连接于所述两第二边的第二侧面。
4.如权利要求3所述的发光二极管单元，其特征在于，该发光二极管基板结构还包括两个端电极，其中每一端电极分别形成在该底面、所述两第二侧面的其中之一及该固晶面上，该发光元件设置于该固晶面上而电连接于该两端电极，该封装体具有一接着面与该固晶面相接。
5.如权利要求4所述的发光二极管单元，其特征在于，该发光二极管单元还包括两个分别设于每一端电极的一连接部与一功能部之间的接口层，该连接部及该功能部设于该固晶面上，该接口层部分覆盖于该端电极且部分覆盖于该基板，该封装体的接着面的侧缘位于该接口层上。
6.如权利要求5所述的发光二极管单元，其特征在于，该功能部由该连接部所延伸成型，且该功能部具有至少一弯折，该发光元件设置于该弯折上。
7.如权利要求4所述的发光二极管单元，其特征在于，每一端电极在该底面上具有一端导电部，该端导电部在该底面与所述两第一侧面的其中之一所连接的边缘上形成有一第二切割段，该端导电部具有一邻接于该第二切割段的端导电本体区域，该端导电本体区域上任一平行于该第二切割段的长度大于该第二切割段的长度。
8.一种发光二极管基板结构，其特征在于，包括一基板，该基板具有一底面与两个连接于该底面且相对的第一侧面，该底面上至少具有一导电部，该导电部在该底面与该两第一侧面的其中之一所连接的边缘上形成有一第一切割段，该导电部具有一邻接于该第一切割段的扩张区域，所述扩张区域具有一第一侧边和一第二侧边，所述第一侧边和所述第二侧边自所述第一切割段的两端点朝所述第一侧面的方向相互远离地斜向延伸，该扩张区域上任一平行于该第一切割段的长度大于该第一切割段的长度。
9.如权利要求8所述的发光二极管基板结构，其特征在于，该底面具有两相对第一边和两相对第二边，所述两第一侧面分别连接于所述两第一边，且该基板还具有两个分别连接于所述两第二边的第二侧面及一个相对于该底面的固晶面。
10.如权利要求9所述的发光二极管基板结构，其特征在于，该扩张区域上平行于该第一切割段的长度为每一第一边的长度的三分之一至五分之一且该第一切割段的长度为该扩张区域上平行于该第一切割段的长度的二分之一至三分之一。
11.如权利要求9所述的发光二极管基板结构，其特征在于，该导电部具有一邻接于该扩张区域的本体区域，该扩张区域上平行于该第一切割段的最大长度大于等于该本体区域上任一平行于该第一切割段的长度。
12.如权利要求9所述的发光二极管基板结构，其特征在于，该发光二极管基板结构还包括两个端电极，其中每一端电极形成在该底面、该两第二侧面的其中之一和该固晶面上。
13.如权利要求12所述的发光二极管基板结构，其特征在于，每一端电极在该固晶面上具有一连接部及一功能部，该功能部由该连接部所延伸成型，且该功能部具有至少一弯折。
14.如权利要求12所述的发光二极管基板结构，其特征在于，每一端电极在该底面上具有一端导电部，该端导电部在该底面与所述两第一侧面的其中之一所连接的边缘上形成有一第二切割段，该端导电部具有一邻接于该第二切割段的端导电本体区域，该端导电本体区域上任一平行于该第二切割段的长度大于该第二切割段的长度。
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