TWI464928B - 發光二極體基板結構、發光二極體單元及其光源模組 - Google Patents

Description

發光二極體基板結構、發光二極體單元及其光源模組

本發明係有關於一種基板結構、發光二極體單元及其光源模組，尤指一種發光二極體基板結構、發光二極體單元及其光源模組。

發光二極體可以採用表面黏著元件(Surface Mount Device，SMD)的方式直接安裝於印刷電路板上，並依照其發光方向而區分成上視(Top view)及側視(Side view)。

以發光二極體單元的生產組裝進行說明，發光二極體晶粒係先安裝在一基板上，再以封裝體進行封裝以形成發光二極體單元，而基板之背面具有金屬，故可利用焊接材料攀爬於該基板金屬上，以將發光二極體單元以一側面固定在印刷電路板上。為了使發光二極體單元有更佳的固定效果，其基板背面之金屬通常在相接於固定印刷電路板之側面的金屬區段寬度是相對於位於底面中間的金屬區段寬度為較寬(即扇形設計)，由於發光二極體單元通常為陣列式整片製作，需經過切割後才形成單一發光二極體單元，但因其上之金屬經過切割後易產生毛邊，此會形成焊接材料攀爬的阻力，換言之，金屬毛邊會產生在切割道上的金屬段中，使得焊接材料不易跨越；尤其，目前低溫焊接的製程已逐漸應用，在低溫的條件下，焊接材料的流動性更受到限制，也使得金屬毛邊對於製程良率產生嚴重的影響。

再一方面，由於封裝體包覆發光二極體元件而固定於基板上。然而，基板上的固晶功能區多為金屬材質，封裝體多為塑料材質，由於金屬與塑料之材料特性不同，造成結合力不足，故造成封裝體溢出或是外部焊錫滲入封裝體中，造成產品不良。另外，此種發光二極體產品也容易使外部之水氣滲入，使得發光二極體晶片損壞，造成產品有良率或可靠性的問題，故上述問題均急待改善。

本發明之目的之一在於提供一種發光二極體基板結構、發光二極體單元及其光源模組，其具有結構上具有變化的導電部，以縮減經切割後可能產生毛邊的部分，並設計斜邊以利焊接材料的攀爬，進而提高發光二極體基板結構與載板之間的固定強度。

本發明實施例係提供一種光源模組：包括：一載板、一設置於該載板之基板、至少一設置於該固晶面上之發光元件以及一用以包覆該發光元件之封裝體，其中該基板具有一底面、相對於該底面之一固晶面與兩個連接於該底面和該固晶面且相對之第一側面，該兩第一側面的其中之一係為接觸該載板之接觸面，該底面上至少具有一導電部，該導電部在該底面與該接觸面所連接之邊緣上形成有一第一切割段，該導電部具有一鄰接於該第一切割段的擴張區域，該擴張區域上任一平行於該第一切割段之長度係大於該第一切割段的長度。

本發明實施例係提供一種發光二極體單元，包括：一基板、至少一設置於該固晶面上之發光元件以及一用以包覆該發光元件之封裝體，其中該基板具有一底面、相對於該底面之一固晶面與兩個連接於該底面和該固晶面且相對之第一側面，該底面上至少具有一導電部，該導電部在該底面與該兩第一側面的其中之一所連接之邊緣上形成有一第一切割段，該導電部具有一鄰接於該第一切割段的擴張區域，該擴張區域上任一平行於該第一切割段之長度係大於該第一切割段的長度。

本發明實施例係提供一種發光二極體基板結構，其包括一基板，該基板具有一底面與兩個連接於該底面且相對之第一側面，該底面上至少具有一導電部，該導電部在該底面與該兩第一側面的其中之一所連接之邊緣上形成有一第一切割段，該導電部具有一鄰接於該第一切割段的擴張區域，該擴張區域上任一平行於該第一切割段之長度係大於該第一切割段的長度。

本發明具有以下有益的效果：本發明所述基板之導電部具有長度較小之第一切割段，使出現毛邊的區域變小，且因導電部具有由第一切割段向外擴張的擴張區域，故焊接材料可順利地攀爬於導電部上。

為使能更進一步瞭解本發明之特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明之詳細說明與附圖，然而所附圖式僅提供參考與說明用，並非用來對本發明加以限制者。

在本發明被詳細描述之前，要注意的是，在以下的說明內容中，類似的元件是以相同的元件符號來表示。

本發明係提供一種發光二極體基板結構、發光二極體單元及其光源模組，其具有尺寸變化特性之導電部，以增加焊接材料與導電部的連接情況，尤其是針對低溫焊接的製程。另外，本發明之發光二極體基板結構、發光二極體單元及其光源模組可針對功能部設計延長線路設計以延長水氣入侵路徑，且成型介面層於固晶面的壓模線上，以增加封裝材料與基板之間的結合力，進而改善製程溢膠及客戶端錫滲入的問題。

圖1A、圖1B為本發明所提出之發光二極體基板結構1的不同角度之立體圖，圖2為本發明所提出之發光二極體基板結構1之仰視圖，本發明所提出之發光二極體基板結構主要將成型於基板11上之導電部12設計為具有長度變化之擴張區域122，使焊接材料可藉由擴張區域122而向上攀爬(climb up)，而形成較佳的連接效果。

請配合圖2所示，在本發明之具體實施例中，基板11經過切割後而大致為長方體，但不以此為限，基板11具有一矩形之底面11A與兩個連接於底面11A且相對之第一側面11B、11C，在本具體實施例中，所述之兩個第一側面11B、11C係分別連接於底面11A之兩個相對第一邊(以下稱為長邊)；另外，基板11更具有兩個分別連接於底面11A之兩個相對第二邊(以下稱為短邊)之第二側面11D、11E及一個相對於底面11A之固晶面11F(即頂面)。導電部12設置於底面11A，導電部12的數量可依據發光二極體基板結構1應用於單晶、雙晶、三晶之發光產品之不同而為一個或多個。

請參考圖3A，導電部12係橫貫於底面11A，具體而言，導電部12係由底面11A與第一側面11B所連接之邊緣延伸至底面11A與第一側面11C所連接之邊緣，並至少包含一擴張區域122和一本體區域123，本體區域123係與擴張區域122相連接，在本具體實施例中，本體區域123係位於兩個擴張區域122之間，而以平行於第一切割段121的觀點，本體區域123大致呈現等長度的區段。由底面11A與第一側面11B所連接之邊緣為觀點說明導電部12之尺寸變化，導電部12在底面11A與第一側面11B所連接之邊緣(即為在切單顆製程(singulation)時進行切割(dicing)的部分)形成有一第一切割段121，而導電部12具有一鄰接於第一切割段121的擴張區域122，擴張區域122上平行於第一切割段121之最大長度(即長度L1)係大於或等於本體區域123上任一平行於第一切割段121之長度(即長度L4)。更具體而言，第一切割段121的兩端點121A、121B朝相對的第一側面11C的方向相互遠離地斜向延伸而形成在擴張區域122中平行於第一切割段121之線段的兩端點1221A、1221B，兩端點1221A、1221B連線可構成一線段長度L1且為擴張區域122中最長者。端點121A、121B分別與端點1221A、1221B界定出擴張區域122之第一、第二側邊124A、124B，因此，擴張區域122上任一平行於第一切割段121之長度(如長度L1、L2、L3)係大於第一切割段121的長度(即長度L0)。

另外，在本具體實施例中，端點1221A、1221B再繼續朝相對的第一側面11C的方向相互靠近地斜向延伸而連接本體區域123之兩端點1231A、1231B。更具體的說，端點1221A、1221B分別與端點1231A、1231B連接以界定出擴張區域122之第三、第四側邊125A、125B，因此，擴張區域122上平行於第一切割段121之最大長度(即長度L1)係大於本體區域123上任一平行於第一切割段121之長度(即長度L4)。

相同的，由底面11A與第一側面11C所連接之邊緣為觀點所觀察到的導電部12具有同於上述的第一切割段121、擴張區域122與本體區域123的變化，換言之，在本具體實施例中，導電部12係以基板11的中心長軸X而形成對稱，然而此僅為量產之製程考量。相對地，亦可設計為如圖4所示，導電部12並不以基板11的中心長軸X為對稱而形成非對稱形狀之示意圖，即導電部12上僅有接近第一側面11B具有擴張區域122，而鄰近第一側面11C處則為本體區域123直接延伸成型。此時，擴張區域122上平行於第一切割段121之最大長度(即長度L1)仍大於本體區域123上任一平行於第一切割段121之長度(即長度L4)。

再請參考圖5，其顯示導電部12的另一種變化態樣之結構。如圖所示，擴張區域122被縮減使得本體區域123係直接由端點1221A、1221B所延伸成型，故擴張區域122上平行於第一切割段121之最大長度(即長度L1)係等於本體區域123上任一平行於第一切割段121之長度(即長度L4)。

根據上述的導電部12的尺寸變化，由於第一切割段121是經過刀具切割所成型，故金屬材質(如銅)之第一切割段121易在切割後產生毛邊，而本發明縮短第一切割段121的長度，即可降低前述毛邊對於焊接材料進行攀爬的影響；另外，由於擴張區域122的第一、第二側邊124A、124B並未受到刀具的切割，且焊接材料仍具有一定厚度(高度)，故焊接材料接觸第一切割段121後，即使第一切割段121有毛邊，仍可接觸到第一、第二側邊124A、124B而沿著第一、第二側邊124A、124B進行攀爬，換言之，本發明將擴張區域122所界定的類扇形區域設計為焊接材料進行攀爬的區域，且縮減會出現毛邊影響焊接材料進行攀爬之第一切割段121的長度，較佳地使焊接材料可攀爬而成型於整個導電部12所涵蓋的區域。

其中，在實際操作中，以單晶之發光產品而言，擴張區域122上平行於第一切割段121之最大長度(即長度L1)較佳為基板11的底面11A的長邊之長度的三分之一至四分之一倍，而第一切割段121的長度(即長度L0)較佳為擴張區域122上平行於第一切割段121之最大長度(即長度L1)的二分之一至三分之一倍，以達到良好的焊接材料與導電部12的連接效果。另外，如圖6所示，在另一實施例中，以雙晶之發光產品而言，應用於雙晶的導電部12仍與適用於單晶之導電部12數量相同為單一個；由於數量仍與應用於單晶之導電部相同，因此擴張區域122上平行於第一切割段121之最大長度(即長度L1)較佳仍為基板11的底面11A的長邊之長度的三分之一至四分之一倍，而第一切割段121的長度(即長度L0)較佳仍為擴張區域122上平行於第一切割段121之最大長度(即長度L1)的二分之一至三分之一倍。此外，在又一實施例中，如圖7所示，以三晶之發光產品而言，應用於三晶之導電部12的數量則具有兩個，為達到良好的焊接材料與導電部12的連接效果，每一導電部12之擴張區域122上平行於第一切割段121之最大長度(即長度L1)較佳為基板11的底面11A的長邊之長度的四分之一至五分之一倍，而第一切割段121的長度(即長度L0)較佳為擴張區域122上平行於第一切割段121之最大長度(即長度L1)的二分之一至三分之一倍。

於是，不論是應用於單晶、雙晶或三晶，擴張區域122上平行於第一切割段121之最大長度較佳為基板11的底面11A的長邊之長度的三分之一至五分之一倍，且與第一切割段121之間的距離H可隨著不同高度的焊接材料而調整(即第一側邊124A和第二側邊124B之斜率可視製程而更動)，其目的在於使焊接材料可接觸於第一、第二側邊124A、124B，以達到較佳的吃錫效果，在上述應用中，距離H係介於0.12至0.20公釐或是可以大於或等於焊接材料的厚度(高度)，但不以此為限。

再者，請再參考圖1A、1B至圖2，本發明之發光二極體基板結構1更包括兩個端電極13A、13B，如圖所示，端電極13A係延伸成型在底面11A、第二側面11E和固晶面11F上，同樣地，端電極13B係延伸成型在底面11A、另一第二側面11D和固晶面11F上；亦即端電極13A、13B大致呈現為相對稱之U形結構。

該兩端電極13A、13B在底面11A上分別具有一端導電部131，端導電部131同樣橫貫於底面11A，具體而言，端導電部131係形成在底面11A與第一側面11B所連接之邊緣及底面11A與第一側面11C所連接之邊緣之間。請配合圖2和圖3B，從底面11A與第一側面11B所連接之邊緣觀察，端導電部131在底面11A與第一側面11B所連接之邊緣上形成有一第二切割段1311，而第二切割段1311的端點則朝另一第一側面11C延伸形成端導電本體段1312，第二切割段1311的長度(即長度L6)係小於端導電本體段1312的長度(即長度L5)，而在本具體實施例中第二切割段1311與端導電本體段1312之間係為階梯狀結構，但不以此為限，僅需使第二切割段1311的長度小於端導電本體段1312的長度即可。同於前述第一切割段121的效果，本發明縮減經過切割後易產生毛邊之第二切割段1311之長度，使焊接材料易於攀爬而成型於整個端導電部131所涵蓋的區域。另外，如圖6所示，在另一實施例中，以雙晶之發光產品而言，端導電部131延伸出一導接臂134而與導電部12相連接；在又一實施例中，如圖7所示，以三晶之發光產品而言，底面11A上具有兩個所述的導電部12，而兩端電極13A、13B之端導電部131分別延伸出導接臂134，其分別與導電部12相連接。

再者，端電極13A、13B在固晶面11F上分別具有連接部132及功能部133，功能部133係由連接部132所延伸成型，且功能部133具有至少一彎折。為了達到發光二極體的電性連接，在本具體實施例中，端電極13B之功能部133可為固晶部(用於固接發光二極體)，其具有兩個彎折；而端電極13A之功能部133可為銲線部(用於打線)，其具有一個彎折，換言之，本發明之功能部133不論是固晶部或是銲線部均具有彎折，所述之彎折可構成水氣入侵之阻礙，其提供一曲折的較長路徑，從而增加水氣由外部入侵至固晶部之困難度。

此外，為了後續進行發光二極體單元的封裝，在製程上通常會將發光元件2設置於固晶面11F上之功能部133且進行電性連結後再以利用一封裝體3封住發光元件2(如圖8A、圖8B所示)，而連接部132及功能部133之間的連接位置係用於定義出壓模線，而壓模線可與模具配合以將封裝材料模製形成一封裝體3(如圖8A所示)，而本發明之發光二極體基板結構1更包括設於壓模線上之介面層14，換言之，介面層14即是位於連接部132與功能部133之間的連接位置，介面層14可為阻焊漆(又稱防焊漆)所塗佈成型。介面層14係部分覆蓋於端電極13A、13B(即連接部132及功能部133)且部分覆蓋於基板11，故在進行封裝後，封裝體3與固晶面11F連接之接著面31的側緣32A、32B可恰好位於壓模線上之介面層14，由於封裝體3與介面層14之材料特性相近，故兩者之間具有較佳的結合力，故在製程上可避免封裝體3之封裝材料之外溢或是焊接材料由外部滲入封裝體3之中的問題。此外，在其他實施例中，壓模線亦可稍微偏移而直接位於連接部132上，但仍需位於介面層14所覆蓋之範圍中。

因此，本發明更可將上述之發光二極體基板結構1應用於發光二極體單元，換言之，本發明之發光二極體單元包括前述之發光二極體基板結構1、設置於發光二極體基板結構1上之發光元件2及包覆發光元件2之封裝體3。發光二極體基板結構1的內容可參考前文內容，而發光元件2可為發光二極體，其可設置於基板11之固晶面11F上而電連接於該兩端電極，具體而言，發光元件2可固晶於端電極13B之功能部133，並利用打線電連接於另一端電極13A之功能部133。另一方面，封裝體3同樣設置在基板11之固晶面11F上並包覆發光元件2，本具體實施例之封裝體3係為半柱狀，且其具有連接固晶面11F之接著面31，且接著面31的側緣32A、32B恰好位於發光二極體基板結構1之介面層14上，由於材料特性，封裝體3與介面層14之間具有良好的結合能力，故可防止封裝體3之封裝材料由兩者之間的界面外溢的情況。再一方面，為了達到標示極性、安裝位置等效果，本發明之發光二極體基板結構1更可包括辨識部15，如圖6、圖7中成型在基板11之底面11A的辨識部15，其可為任何形狀、顏色，在本具體實施例中，辨識部15可為阻焊漆(又稱防焊漆)所成型。

本發明之發光二極體單元更可應用於一種光源模組，請參考圖9A、圖9B，其顯示一種側發光的光源模組，其係將前述的發光二極體單元安裝在一載板(如印刷電路板)4上；換言之，本發明之光源模組包括載板4、前述之發光二極體基板結構1、設置於發光二極體基板結構1上之發光元件2及包覆發光元件2之封裝體3。在本具體實施例中，發光二極體基板結構1之基板11的第一側面11B係為一接觸面，以接觸於該載板4，而導電部12則由底面11A與接觸面(即第一側面11B)所連接的邊緣依序設置有前文所述之第一切割段121、擴張區域122與本體區域123，故在迴焊的作業中，焊接材料即可由載板4沿著擴張區域122所界定的類扇形區域持續攀爬，尤其擴張區域122兩側之第一、第二側邊124A、124B為斜邊而可有效提供焊接材料進行攀爬的路徑，同樣地，焊接材料亦由載板4沿著端導電部131之第二切割段1311進行攀爬，故可利用焊接材料與導電部12、端導電部131的連接而穩固地固定於載板4上(請注意，焊接材料與導電部12、端導電部131之連接更具有電性導通的功效，但其並非本發明重點，故此部分就不予說明)。

另一方面，由於本發明之發光二極體基板結構1係以第一側面11B為接觸面而接觸於載板4，故發光二極體基板結構1上之端電極13A、13B的位置是緊鄰著載板4，因此當進行迴焊的作業中，焊接材料會沿著端電極13A、13B而進行攀爬，但由於本發明將介面層14設置在端電極13A、13B之連接部132與功能部133之間的連接位置(如圖8A、8B所示)，使封裝體3接著於介面層14，故可利用兩者之間的較強結合力，阻擋焊接材料沿著端電極13A、13B進入封裝體3，亦即達到防止焊錫滲入的問題。綜合而言，本發明可利用封裝體3與介面層14之間的較強結合力，防止封裝材料外溢(即避免封裝材料由內向外溢出)，亦可防止焊接材料沿著端電極13A、13B進入封裝體3(即防止焊錫由外向內滲入)的雙重效果。

綜合而言，本發明可具有以下至少其中之一特點：

1、本發明縮減產生毛邊的切割段(如第一切割段121、第二切割段1311)的長度，並利用不會產生毛邊之區域(如第一、第二側邊124A、124B與擴張區域122中間的區域)，以降低焊接材料進行攀爬的阻力，使焊接材料得以覆蓋於導電部12、端電極13A、13B之端導電部131，尤其在低溫焊接的製程中，本發明可有效將焊接材料覆蓋於導電金屬。根據具體的實驗結果，在238℃低溫吃錫試驗中(樣本數各為200件)，本發明之設計的吃錫良好，而傳統設計則因毛邊造成吃錫不良，不良率約3%。

2、本發明之端電極13A、13B之功能部133具有至少一個以上的彎折，其提供一種曲折且長度較長之路徑，以降低水氣之入侵機率。

3、本發明將介面層14塗佈在連接部132與功能部133間，使後續模製成型之封裝體3可與介面層14產生接觸，且兩者的結合力較傳統之封裝材料與金屬的結合力為強，故可防止封裝材料外溢(即避免封裝材料由內向外溢出)，亦可防止焊接材料沿著端電極13A、13B進入封裝體3(即防止焊錫由外向內滲入)。

以上所述僅為本發明之較佳可行實施例，非因此侷限本發明之專利範圍，故舉凡運用本發明說明書及圖示內容所為之等效技術變化，均包含於本發明之範圍內。

1．．．發光二極體基板結構

11．．．基板

11A．．．底面

11B、11C．．．第一側面

11D、11E．．．第二側面

11F．．．固晶面

12．．．導電部

121．．．第一切割段

121A．．．端點

121B．．．端點

122．．．擴張區域

1221A．．．端點

1221B．．．端點

123．．．本體區域

1231A．．．端點

1231B．．．端點

124A．．．第一側邊

124B．．．第二側邊

125A．．．第三側邊

125B．．．第四側邊

13A、13B．．．端電極

131．．．端導電部

1311．．．第二切割段

1312．．．端導電本體段

132．．．連接部

133．．．功能部

134．．．導接臂

14．．．介面層

15．．．辨識部

2．．．發光元件

3．．．封裝體

31．．．接著面

32A、32B．．．側緣

4．．．載板

X．．．中心長軸

L0、L1、L2、L3、L4、L5、L6．．．長度

圖1A係顯示本發明的發光二極體基板結構的俯視立體圖。

圖1B係顯示本發明的發光二極體基板結構的仰視立體圖。

圖2係顯示本發明的發光二極體基板結構之仰視圖。

圖3A係顯示圖2之A部分的放大圖。

圖3B係顯示圖2之B部分的放大圖。

圖4係顯示本發明的發光二極體基板結構之另一實施例之導電部的示意圖。

圖5係顯示本發明的發光二極體基板結構之再一實施例之導電部的示意圖。

圖6係顯示本發明的發光二極體基板結構應用於雙晶產品之導電部的示意圖。

圖7係顯示本發明的發光二極體基板結構應用於雙晶產品之導電部的示意圖。

圖8A係顯示本發明之發光二極體單元的示意圖。

圖8B係顯示本發明之發光二極體單元的分解示意圖。

圖9A係顯示本發明的光源模組的分解示意圖。

圖9B係顯示本發明的光源模組的側視圖。

1．．．發光二極體基板結構

11．．．基板

11A．．．底面

11B、11C．．．第一側面

12．．．導電部

121．．．第一切割段

122．．．擴張區域

123．．．本體區域

131．．．端導電部

1311．．．第二切割段

1312．．．端導電本體段

X．．．中心長軸

L0、L1、L2、L4、L5、L6．．．長度

Claims (14)

1. 一種光源模組，包括：一載板；一基板，設置於該載板上，該基板具有一底面、相對於該底面之一固晶面與兩個連接於該底面和該固晶面且相對之第一側面，該兩第一側面的其中之一係為接觸該載板之接觸面，該底面上至少具有一導電部，該導電部在該底面與該接觸面所連接之邊緣上形成有一第一切割段，該導電部具有一鄰接於該第一切割段的擴張區域，該擴張區域上任一平行於該第一切割段之長度係大於該第一切割段的長度；至少一發光元件，其係設置於該固晶面上；以及一封裝體，其係包覆該發光元件。
2. 一種發光二極體單元，包括：一基板，具有一底面、相對於該底面之一固晶面與兩個連接於該底面和該固晶面且相對之第一側面，該底面上至少具有一導電部，該導電部在該底面與該兩第一側面的其中之一所連接之邊緣上形成有一第一切割段，該導電部具有一鄰接於該第一切割段的擴張區域，該擴張區域上任一平行於該第一切割段之長度係大於該第一切割段的長度；至少一發光元件，其係設置於該固晶面上；以及一封裝體，其係包覆該發光元件。
3. 如申請專利範圍第2項所述之發光二極體單元，其中該底面具有兩相對之第一邊和兩相對之第二邊，該兩第一側面係分別連接於該兩第一邊，且該基板更具有兩個分別連接於該兩第二邊之第二側面。
4. 如申請專利範圍第3項所述之發光二極體單元，其中該發光二極體基板結構更包括兩個端電極，其中每一該端電極分別形成在該底面、該兩第二側面的其中之一及該固晶面上，該發光元件係設置於該固晶面上而電連接於該兩端電極，該封裝體具有一接著面與該固晶面相接。
5. 如申請專利範圍第4項所述之發光二極體單元，更包括兩個分別設於每一該端電極之一連接部與一功能部之間的介面層，該連接部及該功能部設於該固晶面上，該介面層係部分覆蓋於該端電極且部分覆蓋於該基板，該封裝體之接著面的側緣係位於該介面層上。
6. 如申請專利範圍第5項所述之發光二極體單元，其中，該功能部係由該連接部所延伸成型者，且該功能部具有至少一彎折，該發光元件設置於該彎折上。
7. 如申請專利範圍第4項所述之發光二極體單元，其中每一該端電極在該底面上係具有一端導電部，該端導電部在該底面與該兩第一側面的其中之一所連接之邊緣上形成有一第二切割段，該端導電部具有一鄰接於該第二切割段之端導電本體區域，該端導電本體區域上任一平行於該第二切割段之長度係大於該第二切割段的長度。
8. 一種發光二極體基板結構，其包括一基板，該基板具有一底面與兩個連接於該底面且相對之第一側面，該底面上至少具有一導電部，該導電部在該底面與該兩第一側面的其中之一所連接之邊緣上形成有一第一切割段，該導電部具有一鄰接於該第一切割段的擴張區域，該擴張區域上任一平行於該第一切割段之長度係大於該第一切割段的長度。
9. 如申請專利範圍第8項所述之發光二極體基板結構，其中該底面具有兩相對第一邊和兩相對第二邊，該兩第一側面係分別連接於該兩第一邊，且該基板更具有兩個分別連接於該兩第二邊之第二側面及一個相對於該底面之固晶面。
10. 如申請專利範圍第9項所述之發光二極體基板結構，其中該擴張區域上平行於該第一切割段之長度係為每一該第一邊之長度的三分之一至五分之一倍且該第一切割段的長度係為該擴張區域上平行於該第一切割段之長度的二分之一至三分之一倍。
11. 如申請專利範圍第9項所述之發光二極體基板結構，其中該導電部具有一鄰接於該擴張區域之本體區域，該擴張區域上平行於該第一切割段之最大長度係大於等於該本體區域上任一平行於該第一切割段之長度。
12. 如申請專利範圍第9項所述之發光二極體基板結構，更包括兩個端電極，其中每一該端電極係形成在該底面、該兩第二側面的其中之一和該固晶面上。
13. 如申請專利範圍第12項所述之發光二極體基板結構，其中每一該端電極在該固晶面上係具有一連接部及一功能部，該功能部係由該連接部所延伸成型者，且該功能部具有至少一彎折。
14. 如申請專利範圍第12項所述之發光二極體基板結構，其中每一該端電極在該底面上係具有一端導電部，該端導電部在該底面與該兩第一側面的其中之一所連接之邊緣上形成有一第二切割段，該端導電部具有一鄰接於該第二切割段之端導電本體區域，該端導電本體區域上任一平行於該第二切割段之長度係大於該第二切割段的長度。