TWI647868B

TWI647868B - 改良的發光裝置及其製造方法、改良的發光二極體封裝結構及其製造方法

Info

Publication number: TWI647868B
Application number: TW106142227A
Authority: TW
Inventors: 蘇瑞巴舒尼加古納
Original assignee: 新加坡商光寶新加坡有限公司
Priority date: 2017-12-01
Filing date: 2017-12-01
Publication date: 2019-01-11
Also published as: TW201926746A

Abstract

本發明公開一種發光裝置、一種發光二極體封裝結構及其製造方法。發光二極體封裝結構包括：一絕緣本體、一第一導電單元、一第二導電單元以及至少一發光二極體晶片。第一導電單元及第二導電單元設置在絕緣本體上且彼此分離。至少一發光二極體晶片電性連接於第一導電單元與第二導電單元之間。第一導電單元具有一第一溝槽，且第一導電單元的一可導電外表面被第一溝槽區分成彼此分離的第一部，第二導電單元具有一第二溝槽，且第二導電單元的一可導電外表面被第二溝槽區分成彼此分離的第二部，以避免焊料流至發光二極體封裝結構的發光區域。

Description

改良的發光裝置及其製造方法、改良的發光二極體封裝結構及其製造方法

本發明涉及一種發光裝置、其發光二極體封裝結構、所述發光裝置及所述發光二極體封裝結構的製造方法，特別是涉及一種用於防止焊料流至對發光二極體封裝結構不利的區域而影響發光二極體發光效能的發光裝置、其發光二極體封裝結構及其、發光裝置及所述發光裝置及其發光二極體封裝結構的製造方法。

表面黏著型(surface mounted)的發光二極體封裝結構已經廣泛地應用在各可攜式電子裝置中。一般而言，在製程中，多利用焊料通過一回焊步驟而發光二極體封裝結構固定在電路基板上。

然而，現有技術的發光二極體封裝結構仍具有改善的空間。

本發明所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供一種發光裝置、其發光二極體封裝結構及所述發光裝置和所述發光二極體封裝結構的製造方法，其可防止焊料流至對發光二極體封裝結構的發光效率不利的區域，例如光反射區域。

為了解決上述的技術問題，本發明所採用的其中一技術方案是，提供一種發光二極體封裝結構，其包括：一絕緣本體、一第一導電單元、一第二導電單元以及至少一發光二極體晶片。所述第一導電單元設置在所述絕緣本體上。所述第二導電單元設置在所述絕緣本體上且與所述第一導電單元彼此分離。至少一所述發光二極體晶片電性連接於所述第一導電單元與所述第二導電單元之間。其中，所述第一導電單元具有一第一溝槽，且所述第一導電單元的一外表面被所述第一溝槽區分成彼此分離的兩個第一部，其中，所述第一導電單元的所述外表面為可導電。所述第二導電單元具有一第二溝槽，且所述第二導電單元的一外表面被所述第二溝槽區分成彼此分離的兩個第二部，其中，所述第二導電單元的所述外表面為可導電。

為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外一技術方案是，提供一種發光裝置，其包括：一電路基板以及一發光二極體封裝結構。所述發光二極體結構通過焊料以焊接在所述電路基板上。其中，所述發光二極體封裝結構包括：一絕緣本體、一第一導電單元、一第二導電單元以及至少一發光二極體晶片。所述一第一導電單元設置在所述絕緣本體上。所述第二導電單元設置在所述絕緣本體上且與所述第一導電單元彼此分離。至少一所述發光二極體晶片其電性連接於所述第一導電單元與所述第二導電單元之間。其中，所述第一導電單元具有一第一溝槽，所述第一導電單元的一外表面被所述第一溝槽區分成彼此分離的兩個第一部，其中，所述第一導電單元的所述外表面為可導電，且所述第一溝槽阻止所述焊料從其中一所述第一部流到另外一所述第一部。其中，所述第二導電單元具有一第二溝槽，所述第二導電單元的外表面被所述第二溝槽區分成彼此分離的兩個第二部，其中，所述第二導電單元的所述外表面為可導電，且所述第二溝槽阻止所述焊料從其中一所述第二部流到另外一所述第二部。

為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外再一技術方案是，提供一種發光二極體封裝結構的製造方法，其包括：提供一發光二極體封裝體，所述發光二極體封裝體包括：一絕緣本體、一第一導電單元，其設置在所述絕緣本體上、一第二導電單元，其設置在所述絕緣本體上且與所述第一導電單元彼此分離，以及至少一發光二極體晶片，其電性連接於所述第一導電單元與所述第二導電單元之間；在所述第一導電單元上形成一第一溝槽，其中，所述第一導電單元的一外表面被所述第一溝槽區分成彼此分離的兩個第一部；以及在所述第二導電單元上形成一第二溝槽，其中，所述第二導電單元的一外表面被所述第二溝槽區分成彼此分離的兩個第二部。

為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外再一技術方案是，提供一種發光裝置的製造方法，其包括：提供一發光二極體封裝體，所述發光二極體封裝體包括：一絕緣本體、一第一導電單元，其設置在所述絕緣本體上、一第二導電單元，其設置在所述絕緣本體上且與所述第一導電單元彼此分離；以及至少一發光二極體晶片，其電性連接於所述第一導電單元與所述第二導電單元之間；在所述第一導電單元上形成一第一溝槽，其中，所述第一導電單元的一外表面被所述第一溝槽區分成彼此分離的兩個第一部；在所述第二導電單元上形成一第二溝槽，其中，所述第二導電單元的一外表面被所述第二溝槽區分成彼此分離的兩個第二部；以及將所述發光二極體封裝體通過一焊接方法而電性連接於一電路基板。

本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的發光裝置、其發光二極體封裝結構、所述發光裝置和所述發光二極體封裝結構的製造方法，其能通過“在所述第一導電單元上形成一第一溝槽，其中，所述第一導電單元的一外表面被所述第一溝槽區分成彼此分離的兩個第一部，其中，所述第一導電單元的所述外表面為可導電”以及“所述第二導電單元具有一第二溝槽，且所述第二導電單元的一外表面被所述第二溝槽區分成彼此分離的兩個第二部，其中，所述第二導電單元的所述外表面為可導電”的技術方案，以使所述第一溝槽阻止所述焊料從其中一所述第一部流到另外一所述第一部，且所述第二溝槽阻止所述焊料從其中一所述第二部流到另外一所述第二部。

為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與附圖，然而所提供的附圖僅用於提供參考與說明，並非用來對本發明加以限制。

D‧‧‧發光裝置

L‧‧‧發光二極體封裝結構

S‧‧‧封裝單元

L’‧‧‧發光二極體封裝體

1、1’‧‧‧絕緣本體

10‧‧‧容置部

110‧‧‧底面

120‧‧‧凹狀弧面

130‧‧‧階梯結構

2、2’‧‧‧第一導電單元

200‧‧‧第一溝槽

210‧‧‧第一接腳

21‧‧‧第一銅層

22‧‧‧第一鎳層

23‧‧‧第一金層

3、3’‧‧‧第二導電單元

300‧‧‧第二溝槽

310‧‧‧第二接腳

31‧‧‧第二銅層

32‧‧‧第二鎳層

33‧‧‧第二金層

4、4’‧‧‧發光二極體晶片

5‧‧‧電路基板

50‧‧‧焊料

圖1為本發明第一實施例的具有發光二極體封裝結構的發光裝置的側面剖面示意圖。

圖2為圖1中II部分的放大示意圖。

圖3為本發明第一實施例的發光裝置的製造方法所提供的發光二極體封裝體的側視示意圖。

圖4為本發明第一實施例的發光裝置的製造方法的流程圖。

圖5為本發明的第二實施例的具有發光二極體封裝結構的發光裝置側面剖面示意圖。

圖6為圖5中VI部分的放大示意圖。

圖7為本發明第三實施例的具有發光二極體封裝結構的發光裝置的側面剖面示意圖。

以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關“發光裝置、發光二極體封裝結構及其”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不悖離本發明的精神下進行各種修飾與變更。另外，本發明的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。

[第一實施例]

請參閱圖1至圖4。本實施例提供一發光二極體封裝結構L以及具有該發光二極體封裝結構L的發光裝置D。發光二極體封裝結構L包括一絕緣本體1、一第一導電單元2、一第二導電單元3以及至少一發光二極體晶片4。

絕緣本體1可為具有絕緣性的材料，例如塑料或陶瓷，並透過塑膠射出的方式或壓模製程來成型。在本實施例中，絕緣本體1透過壓模製程來成型所需的形狀及尺寸。絕緣本體1可具有從絕緣本體1的頂面向下凹陷的一容置部10。如圖1所示，本發明的容置部10具有一底面110、一由底面110斜向外延伸的凹狀弧面120以及一階梯結構130。

本發明的第一導電單元2設置在絕緣本體1上；第二導電單元3設置在絕緣本體1上且與第一導電單元2彼此分離。本發明的第一導電單元2以及第二導電單元3形成在絕緣本體1的表面，可藉由電鍍金屬或濺鍍方式形成。不須覆蓋導電單元的部位可先予以遮蓋，例如用可剝離的膠加以覆蓋，電鍍後再移除。

承上所述，如圖1及圖2所示，第一導電單元2以及第二導電單元3覆蓋絕緣本體1的頂面，並分別覆蓋絕緣本體1的兩側面並延伸至兩底面。詳細說明之，為了方便理解，可將絕緣本體1劃分成第一區域以及第二區域。如圖1及圖2所示，第一導電單元2覆蓋絕緣本體1頂面對應第一區域的部分，並延伸至容置部10的階梯結構130。第一導電單元2具有延伸至絕緣本體1的外表面的第一接腳21。在本實施例中，第一接腳210的位置是位於絕緣本體1的底面，然第一接腳210可依發光二極體封裝結構L的設計而變更位置，故不限於此。

同樣地，第二導電單元3覆蓋絕緣本體1頂面對應第二區域的部分、容置部10的底面110、容置部的凹狀弧面120並延伸至階梯結構130。值得注意的是，雖然第一導電單元2以及第二導電單元3皆覆蓋一部分的階梯結構130，第一導電單元2與第二導電單元3為彼此分離。第二導電單元3具有底面延伸至絕緣本體1的外表面的第二接腳310。本實施例的第二接腳310是位於絕緣本體1的底面，然不限於此。

第一導電單元2與第二導電單元3之間彼此分離，以達成絕緣效果。需注意的是，第一區域以及第二區域的分界可依照實際執行狀況做各種變化，本發明不限於此。

請參閱圖2，其為圖1的其中一部份的放大圖。如圖2所示，第一導電單元2包括第一銅層21、第一鎳層22以及第一金層23。第一鎳層22透過電鍍或塗佈等方式設置在第一銅層21上，而第一銅層21設置於絕緣本體1上。第一金層23透過電鍍或塗佈等方式設置在第一鎳層22上。相同地，第二導電單元3包括第二銅層31、第二鎳層32以及第二金層33。第二鎳層32透過電鍍或塗佈等方式設置在第二銅層31上，第二金層33透過電鍍或塗佈等方式設置在第二鎳層32上。銅材質及鎳材質在此主要作為電傳導之用，金層則因具有良好的光反射率而可使本實施例中碗狀發光及反射光區域的光學效能提升，並且與焊料之間有良好的黏附性。由於焊料可在金層上有良好的流動性，是焊料用以焊接發光二極體封裝體至電路基板的關鍵。鎳層則用以增加銅與金之間的黏附性。

參閱圖1及圖2，根據本實施例，第一導電單元2具有第一溝槽200，且第一導電單元2的外表面被第一溝槽200區分成彼此分離的兩個部分；第二導電單元3具有第二溝槽300，且第二導電單元3的外表面被第二溝槽300區分成彼此分離的兩個部分。詳言之，為了維持導電性，同時防止焊料流至不利區域，例如：容置部10、第一導電單元2鄰近容置部10的部分以及第二導電單元3 鄰近容置部10的部分，本發明在第一金層23上形成一第一溝槽200，其中第一溝槽200將第一金層23分成兩個彼此分離的第一部並暴露出第一鎳層22；且在第二金層33上形成一第二溝槽300，其中第二溝槽300將第二金層33分成兩個彼此分離的第二部並暴露出第二鎳層32。如此，第一溝槽200及第二溝槽300可防止焊料50跨越第一溝槽200及第二溝槽300而使焊料50停留在發光裝置D頂面第一溝槽200及第二溝槽300的邊緣。在本實施例中，本發明是透過雷射蝕刻分別在第一導電單元2與第二導電單元3的外表面形成蝕刻凹槽。

第一溝槽200以及第二溝槽300的蝕刻的深度控制在一定深度，即第一金層23及第二金層33的厚度，寬度則介於20μm至40μm之間。值得注意的是，第一溝槽200及第二溝槽300的寬度視實際需求而定，不限制於上述。在其他實施例中，用以形成第一溝槽200及第二溝槽300的蝕刻深度可略大於第一金層23與第二金層33的厚度以曝露出第一鎳層22以及第二鎳層32，而在本實施例中，第一溝槽200及第二溝槽300的深度等於第一金層23及第二金層33的厚度。根據圖1，本實施例的第一溝槽200以及第二溝槽300是設置於容置部10的兩側，第一導電單元2及第二導電單元3對應於絕緣本體1的頂面的部分。

至少一發光二極體晶片4電性連接設置於第一導電單元2與第二導電單元3之間。如圖1所示，發光二極體晶片4通過一導線而電性連接於第一導電單元2位於階梯結構130的部分。本實施例是以一個發光二極體晶片4作為示例，然不限於此。本實施例的發光二極體晶片4具有位於其底面的電極，電極可以是陽極或陰極，可藉由導電性樹脂固定並電性連接於第二導電單元3。

承上所述，當發光二極體封裝結構L被放置在電路基板5上以形成發光裝置D時，焊料50會沿著設置在絕緣本體1兩側面的第一導電單元2與第二導電單元3的表面上升。然，由於在第一導電單元2與第二導電單元3均設置了暴露出第一鎳層22以及第二鎳層32的第一溝槽200以及第二溝槽300，原本可沿著金層表面流的焊料50會在流至溝槽邊緣時停止。因此，本發明可防止焊料50從第一導電單元2與第二導電單元3的一部份流到另一部份，藉此可防止焊料50流入不利區域，例如：容置部10中、第一導電單元2鄰近容置部10的部分以及第二導電單元3鄰近容置部10的部分，避免影響光學效果及發光效率。同時，由於減少焊料滯留在第一導電單元2與第二導電單元3對應容置部的外表面的面積。

在實務上，一般來說，焊料可在金層上有良好的流動性，因此可滲入封裝膠體中，封裝膠體其材料通常為矽或其他封填材料，因而影響了金層表面的反射性質及封裝膠體對於金層的黏著性。故，通過本發明的技術手段，可減少封裝材料(如圖1中所示的封裝膠單元S)受焊料在第一金層23與第二金層33上流動的影響而剝離的機率。

請參閱圖3及圖4，以下將描述本實施例的發光裝置D的製造方法。首先，請見圖3，本實施例的製造方法包括步驟S100：提供一發光二極體封裝體L’，其包括一絕緣本體1’、一第一導電單元2’、一第二導電單元3’、至少一發光二極體晶片4’，第一導電單元2’設置在絕緣本體1’上，第二導電單元3’設置在絕緣本體1’上且與第一導電單元2’彼此分離，發光二極體晶片4’電性連接於第一導電單元與第二導電單元之間。

接著，請參閱圖1及圖2，本實施例的製造方法還包括步驟S102：在第一導電單元2’上形成一第一溝槽200，其中，第一導電單元2’的一外表面被第一溝槽200區分成彼此分離的兩個第一部；S104：在第二導電單元3’上形成一第二溝槽300，其中，第二導電單元3’的一外表面被第二溝槽300區分成彼此分離的兩個第二部。

最後，本實施例的製造方法進一步包括步驟S106：將發光二極體封裝體L通過一焊接方法而電性連接於一電路基板5。詳細而言，發光二極體封裝體L是經由一焊料50而被焊接於電路基板5上，其中第一溝槽200阻止焊料50從其中一第一部流到另外一第一部，且第二溝槽300阻止焊料50從其中一第二部流到另外一第二部。

在本實施例中，步驟S102及步驟S104中第一溝槽200以及第二溝槽300是以一雷射蝕刻方法而形成。通過雷射蝕刻，一部分的第一金層23以及一部分的第二金層33被蝕刻掉而形成了第一溝槽200及第二溝槽300。

綜合上述，本實施例可阻止焊料從一被焊接的接腳流至不利區域並影響發光效率，例如：容置部10、第一導電單元2鄰近容置部10的部分以及第二導電單元3鄰近容置部10的部分，並可因此保持容置部10預定的反射面形狀以及反射面的平滑度，以保持光線的行進路線，而能有穩定的發光效率。進一步而言，發光裝置D、其發光二極體封裝結構L、發光裝置D及發光二極體封裝結構L的製造方法可防止金層表面的反射效率的一致被影響，因此可維持出射光在預定的發光強度並維持穩定、精確的發光性能。更進一步地，本發明所技術方案也可降低發光裝置的元件損壞率。元件損壞的原因通常是焊料流進封裝材料與金層之間，造成空隙，使水氣及污染物滲入其中。

[第二實施例]

請參考圖5及圖6，本發明第二實施例提供一種發光二極體封裝結構L以及具有該發光二極體封裝結構L的發光裝置D。發光二極體封裝結構L包括絕緣本體1、第一導電單元2、第二導電單元3以及至少一發光二極體晶片4。發光二極體封裝結構L設置在電路基板5上形成發光裝置D。本實施例的發光二極體封裝結構L與第一實施例的發光二極體封裝結構L的結構相似，差別在於，本實施例的第二溝槽300的設置位置與第一實施例的設置位置不同。底面底面底面承上所述，與第一實施例相同的是，本實施例的第一導電單元2與第二導電單元3彼此分離，並相對應絕緣本體的第一區域與第二區域來設置，以達成彼此絕緣效果。

進一步來說，本實施例的發光二極體封裝結構L具有第一溝槽200以及第二溝槽300。在本實施例中，第一溝槽200設置在第一導電單元2對應容置部10的外側絕緣本體1的頂面上，而第二溝槽300是設置在第二導電單元3對應絕緣本體1的側面的外表面上。從圖6可看出，第二導電單元3包括第二銅層31、第二鎳層32以及第二金層33，而第二溝槽300設置在第二金層33上。

如圖3所示，從外觀上來看，第一溝槽200將第一導電單元2的外表面區分成彼此分離的兩個第一部分，而第二溝槽300將第二導電單元3的外表面區分成彼此分離的兩個第二部分。當發光二極體封裝結構L被設置在電路基板5上以形成發光裝置D時，由於第一溝槽200以及第二溝槽300的設置已在第一導電單元2與第二導電單元3的平滑外表面上形成凹槽並分別將第一導電單元2及第二導電單元3分成兩部分，因此焊料50透過表面張力與毛細現象從第一接腳210與第二接腳310向上流至第一溝槽200及第二溝槽300邊緣後將停止，不會流進第一溝槽200及第二溝槽300內。藉此，可避免焊料50從被第一溝槽200區分的兩個第一部分的其中一部份流到另外的第一部份，同時也可避免焊料50從被第二溝槽300區分的兩個第二部分的其中一部份流到另外的第二部分。

除了可達到第一實施例的效果，本實施例通過將第二溝槽300設置在發光裝置D的側邊，可避免一部分的焊料50爬升至發光裝置D的頂面，因此可以降低發光裝置D整體高度升高的情況。在目前科技發展的趨勢中，節省零件所佔據的空間相當重要，因此，防止焊料50流至發光裝置D的頂面而增加發光裝置D的高度是本實施例其中一主要的優點。

[第三實施例]

請參考圖7，本發明第三實施例又提供一種發光二極體封裝結構L以及具有該發光二極體封裝結構L的發光裝置D。發光二極體封裝結構L包括絕緣本體1、第一導電單元2、第二導電單元3以及至少一發光二極體晶片4。發光二極體封裝結構L設置在電路基板5上形成發光裝置D。本實施例的前述元件與第一及第二實施例均相同，於此不再贅述。本實施例與前述實施例的差別在於，第一溝槽200與第二溝槽300均分別設置在第一導電單元2與第二導電單元3對應絕緣本體1的兩側面的外表面上。

承上所述，第一溝槽200將第一導電單元2的外表面區分成彼此分離的兩個第一部分，而第二溝槽300將第二導電單元3的外表面區分成彼此分離的兩個第二部分。當發光二極體封裝結構L被設置在電路基板5上以形成發光裝置D時，由於第一溝槽200以及第二溝槽300的設置已在第一導電單元2與第二導電單元3的平滑外表面上形成凹槽，因此焊料50經由表面張力與毛細現象從第一接腳210與第二接腳310向上至溝槽後，將停留在凹槽的邊緣。藉此，可避免焊料50從第一溝槽200遠離容置部10第一部的流到靠近容置部10的第一部，同時也可避免焊料50從第二溝槽300遠離容置部10的第二部流到靠近容置部10的第二部。

除了可達到第一實施例的效果，本實施例通過將第二溝槽300以及第二溝槽皆設置在發光裝置D的側邊，可避免焊料50爬升至發光裝置D的頂面，因此更有效地降低發光裝置D整體高度升高的情況。在目前科技發展的趨勢中，節省零件所佔據的空間相當重要，因此，防止焊料50流至發光裝置D的頂面而增加發光裝置D的高度是本實施例其中一主要的優點。

[實施例的有益效果]

本發明的其中一有益效果在於，本發明實施例所提供的發光裝置D、其發光二極體封裝結構L及發光裝置D與發光二極體封裝結構L的製造方法，其可通過“第一導電單元2具有第一溝槽200，且第一導電單元2的外表面被第一溝槽區200分成彼此分離的兩個部分”及“第二導電單元3具有第二溝槽300，且第二導電單元3的外表面被第二溝槽300區分成彼此分離的兩個部分”的技術方案，以避免焊料50從其中一部分流到另外一部分。

因此，通過本發明的技術方案，發光裝置D、發光二極體封裝結構L及其製造方法可達到以下功效：

1.防止焊料50從第一接腳210及第二接腳310流至對發光裝置D不利的區域而影響發光效率，例如：容置部10、第一導電單元2鄰近容置部10的部分以及第二導電單元3鄰近容置部10的部分，並可因此保持容置部10預定的反射面形狀以及反射面平滑度，以保持光線的行進路線，而能有穩定的發光效率。

2.防止金層表面的反射效率的一致被影響，因此可維持出射光在預定的發光強度並維持穩定、精確的發光性能。

3.本發明所技術方案也可降低發光裝置的元件損壞率。

4.防止發光裝置的整體高度因焊料攀爬至頂面而增高。

以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷限本發明的申請專利範圍，所以凡是運用本發明說明書及附圖內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的申請專利範圍內。

Claims

一種發光二極體封裝結構，其包括：一絕緣本體；一第一導電單元，其設置在所述絕緣本體上；一第二導電單元，其設置在所述絕緣本體上且與所述第一導電單元彼此分離；以及至少一發光二極體晶片，其電性連接於所述第一導電單元與所述第二導電單元之間；其中，所述第一導電單元具有一第一溝槽，且所述第一導電單元的一外表面被所述第一溝槽區分成彼此分離的兩個第一部，其中，所述第一導電單元的所述外表面為可導電；其中，所述第二導電單元具有一第二溝槽，且所述第二導電單元的一外表面被所述第二溝槽區分成彼此分離的兩個第二部，其中，所述第二導電單元的所述外表面為可導電；其中，所述發光二極體封裝體經由一焊料而焊接至一電路基板，其中，所述第一溝槽阻止所述焊料從其中一所述第一部流到另外一所述第一部，且所述第二溝槽阻止所述焊料從其中一所述第二部流到另外一所述第二部。
如請求項1所述的發光二極體封裝結構，其中，所述第一導電單元以及所述第二導電單元分別覆蓋所述絕緣本體的兩側面且延伸至所述絕緣本體的底面。
如請求項1所述的發光二極體封裝結構，其中，所述第一導電單元包括一第一銅層、一設置在所述第一銅層上的第一鎳層以及一設置在所述第一鎳層上的第一金層，且所述第一溝槽形成於所述第一金層上，使得所述第一金層被分離成兩個所述第一部而曝露所述第一鎳層，其中，所述第二導電單元包括一第二銅層、一設置在所述第二銅層上的第二鎳層以及一設置在所述第二鎳層上的第二金層，且所述第二溝槽形成於所述第二金層上，使得所述第二金層被分離成兩個所述第二部而曝露所述第二鎳層。
一種發光裝置，其包括：一電路基板；以及一發光二極體封裝結構，其通過焊料以焊接在所述電路基板上，其中，所述發光二極體封裝結構包括：一絕緣本體；一第一導電單元，其設置在所述絕緣本體上；一第二導電單元，其設置在所述絕緣本體上且與所述第一導電單元彼此分離；以及至少一發光二極體晶片，其電性連接於所述第一導電單元與所述第二導電單元之間；其中，所述第一導電單元具有一第一溝槽，所述第一導電單元的一外表面被所述第一溝槽區分成彼此分離的兩個第一部，其中，所述第一導電單元的所述外表面為可導電，且所述第一溝槽阻止所述焊料從其中一所述第一部流到另外一所述第一部；其中，所述第二導電單元具有一第二溝槽，所述第二導電單元的外表面被所述第二溝槽區分成彼此分離的兩個第二部，其中，所述第二導電單元的所述外表面為可導電，且所述第二溝槽阻止所述焊料從其中一所述第二部流到另外一所述第二部。
如請求項4所述的發光裝置，其中，所述第一導電單元以及所述第二導電單元分別覆蓋所述絕緣本體的兩側面且延伸至所述絕緣本體的底面。
如請求項4所述的發光裝置，其中，所述第一導電單元包括一第一銅層、一設置在所述第一銅層上的第一鎳層以及一設置在所述第一鎳層上的第一金層，且所述第一溝槽形成於所述第一金層上，使得所述第一金層被分離成兩個所述第一部而曝露所述第一鎳層，其中，所述第二導電單元包括一第二銅層、一設置在所述第二銅層上的第二鎳層以及一設置在所述第二鎳層上的第二金層，且所述第二溝槽形成於所述第二金層上，使得所述第二金層被分離成兩個所述第二部而曝露所述第二鎳層。
一種發光二極體封裝結構的製造方法，其包括：提供一發光二極體封裝體，所述發光二極體封裝體包括：一絕緣本體；一第一導電單元，其設置在所述絕緣本體上；一第二導電單元，其設置在所述絕緣本體上且與所述第一導電單元彼此分離；以及至少一發光二極體晶片，其電性連接於所述第一導電單元與所述第二導電單元之間；在所述第一導電單元上形成一第一溝槽，其中，所述第一導電單元的一外表面被所述第一溝槽區分成彼此分離的兩個第一部；以及在所述第二導電單元上形成一第二溝槽，其中，所述第二導電單元的一外表面被所述第二溝槽區分成彼此分離的兩個第二部；其中，所述發光二極體封裝體經由一焊料而焊接至一電路基板，其中，所述第一溝槽阻止所述焊料從其中一所述第一部流到另外一所述第一部，且所述第二溝槽阻止所述焊料從其中一所述第二部流到另外一所述第二部。
如請求項7所述的發光二極體封裝結構的製造方法，其中，所述第一溝槽以及所述第二溝槽是以一雷射蝕刻方法而形成。
一種發光裝置的製造方法，其包括：提供一發光二極體封裝體，所述發光二極體封裝體包括：一絕緣本體；一第一導電單元，其設置在所述絕緣本體上；一第二導電單元，其設置在所述絕緣本體上且與所述第一導電單元彼此分離；以及至少一發光二極體晶片，其電性連接於所述第一導電單元與所述第二導電單元之間；在所述第一導電單元上形成一第一溝槽，其中，所述第一導電單元的一外表面被所述第一溝槽區分成彼此分離的兩個第一部；在所述第二導電單元上形成一第二溝槽，其中，所述第二導電單元的一外表面被所述第二溝槽區分成彼此分離的兩個第二部；以及將所述發光二極體封裝體通過一焊接方法而電性連接於一電路基板；其中，所述發光二極體封裝體經由一焊料而焊接至所述電路基板，其中，所述第一溝槽阻止所述焊料從其中一所述第一部流到另外一所述第一部，且所述第二溝槽阻止所述焊料從其中一所述第二部流到另外一所述第二部。
如請求項9所述的發光裝置的製造方法，其中，所述發光二極體封裝體經由一焊料而焊接至所述電路基板，其中，所述第一導電單元包括一第一銅層、一設置在所述第一銅層上的第一鎳層以及一設置在所述第一鎳層上的第一金層，且所述第一溝槽形成於所述第一金層上，使得所述第一金層被分離成兩個所述第一部而曝露所述第一鎳層，其中，所述第二導電單元包括一第二銅層、一設置在所述第二銅層上的第二鎳層以及一設置在所述第二鎳層上的第二金層，且所述第二溝槽形成於所述第二金層上，使得所述第二金層被分離成兩個所述第二部而曝露所述第二鎳層，其中，所述第一溝槽以及所述第二溝槽是以一雷射蝕刻方法而形成，其中，所述第一溝槽阻止所述焊料從其中一所述第一部流到另外一所述第一部，且所述第二溝槽阻止所述焊料從其中一所述第二部流到另外一所述第二部。