TWI593074B - 半導體裝置之安裝構造、背光裝置及安裝基板 - Google Patents

Description

半導體裝置之安裝構造、背光裝置及安裝基板 [相關申請案]

本申請案主張35 U.S.C.§119、於2014年5月21日申請之日本專利申請案No.2014-105,046及於2015年5月13日申請之日本專利申請案No.2015-098,113之優先權。該等申請案之全部內容以引用之方式併入本文中。

以下之揭示內容係關於一種半導體裝置之安裝構造、背光裝置及安裝基板。

自先前以來，於電子機器中使用有各種光源，例如，使用側視型之發光裝置作為電子機器之顯示面板之背光光源等。此種發光裝置具備基體及發光元件，該基體具有具備凹部之小片狀之母材、及形成於該母材之表面且與發光元件連接之一組端子。而且，作為基體，提出有自發光元件之下方延伸設置之一組端子分別沿周邊配備於母材之兩端面附近之表面而成者。

於將此種半導體發光裝置安裝於安裝基板時，如圖19所示，使用預先設置於安裝基板651上之配線圖案之形成於半導體發光裝置601之安裝位置之焊盤圖案652。即，如圖20所示般，將於半導體發光裝置之底面側露出之引線藉由焊料653而固定於矩形之焊盤圖案652。

另一方面，近年來，要求此種半導體發光裝置之進一步縮小化、即高度d之降低。然而，若半導體發光裝置變小，則於半導體發光裝置之底面側露出之引線之面積亦會變小。存在如下問題：若欲將此種半導體發光裝置安裝於矩形之焊盤圖案，則不會充分地顯現安裝時之對準(定位)，而安裝位置發生偏移，結果，有產生不良之虞。

參照日本專利特開2007-35881號公報；日本專利特開2006-032511號公報；日本專利特開2008-059987號公報；及日本專利特開2008-140596號公報。

本發明係為了解決先前之此種問題而完成者。本發明之一目的在於提供一種即便為於半導體發光裝置之底面側露出之引線較小之發光裝置，亦能夠顯現安裝時之定位效果的發光裝置之安裝構造、背光裝置及安裝基板。

為了達成上述目的，根據本發明之一態樣之半導體發光裝置之安裝構造，其包括：半導體裝置，其具備於長度方向之兩端部分別配置之外部連接端子；及安裝基板，其供安裝上述半導體裝置；且上述外部連接端子於用以安裝於上述安裝基板之安裝面具有金屬區域，上述半導體裝置於由上述金屬區域界定之區域具有裝置側安裝絕緣區域，上述安裝基板於其安裝面側具備由導體形成於絕緣體上且用以連接上述外部連接端子之焊盤圖案，上述焊盤圖案能夠形成為將上述半導體裝置之由外部連接端子包圍之端部包圍之大小，且形成具有沿上述裝置側安裝絕緣區域之外周之形狀的焊盤側絕緣區域。

又，根據本發明之另一態樣之背光，其係使用導光板之邊緣照明型之背光裝置，且包括：導光板，其用以自端面射入光；安裝基板，其配置於上述導光板之端緣；及半導體發光裝置，其於上述安裝 基板上，以使發光面與上述導光板之端面對向之方式安裝，且具備於長度方向之兩端部分別配置之外部連接端子；上述外部連接端子於用以與上述安裝基板安裝之安裝面具有金屬區域，於由上述金屬區域包圍之區域具有絕緣性之裝置側安裝絕緣區域，上述安裝基板具備焊盤圖案，該焊盤圖案係由導體形成於上述安裝基板之表面之絕緣體上，且用以連接上述外部連接端子，上述焊盤圖案能夠形成為將上述半導體發光裝置之由外部連接端子包圍之端部包圍之大小，且形成具有沿上述裝置側安裝絕緣區域之外周之形狀的絕緣區域即焊盤側絕緣區域。

又，根據本發明之另一態樣之安裝基板，其係用以安裝具備自基體露出之外部連接端子的半導體裝置者，且於其表面之安裝面側具備由導體形成於絕緣體上且用以連接外部連接端子之焊盤圖案，上述焊盤圖案能夠形成為將半導體裝置之由外部連接端子包圍之端部包圍之大小，且形成具有如下形狀之絕緣區域即焊盤側絕緣區域，該形狀係沿形成於由外部連接端子包圍之區域之絕緣性區域即裝置側安裝絕緣區域之外周的形狀。

根據本發明之半導體發光裝置之安裝構造及背光以及安裝基板，藉由在焊盤圖案設置沿裝置側安裝絕緣區域之焊盤側絕緣區域，而能夠顯現安裝時之定位效果，從而提高安裝時之良率。

1‧‧‧半導體發光裝置

1B‧‧‧半導體發光裝置

1F‧‧‧半導體發光裝置

3‧‧‧外部連接端子

3a‧‧‧突出圖案

3B‧‧‧外部連接端子

3F‧‧‧外部連接端子

4‧‧‧基體

4B‧‧‧基體

5‧‧‧發光元件

7‧‧‧密封構件

10‧‧‧透光性構件

31‧‧‧面狀金屬區域

32‧‧‧線狀區域

32B‧‧‧線狀區域

34‧‧‧裝置側安裝絕緣區域

36A‧‧‧突出片

36B‧‧‧突出片

36C‧‧‧突出片

36D‧‧‧突出片

51‧‧‧安裝基板

51'‧‧‧安裝基板

51B‧‧‧安裝基板

52‧‧‧焊盤圖案

52'‧‧‧焊盤圖案

52B‧‧‧焊盤圖案

52C‧‧‧焊盤圖案

52D‧‧‧焊盤圖案

52E‧‧‧焊盤圖案

52F‧‧‧第一焊盤圖案

52L‧‧‧焊盤圖案

53‧‧‧接合構件

53'‧‧‧接合構件

53B‧‧‧接合構件

54‧‧‧焊盤側絕緣區域

54B‧‧‧焊盤側絕緣區域

54F‧‧‧焊盤側絕緣區域

55‧‧‧抗蝕劑

56‧‧‧第二焊盤圖案

57‧‧‧輔助電極

601‧‧‧半導體發光裝置

603‧‧‧外部連接端子

651‧‧‧安裝基板

652‧‧‧焊盤圖案

653‧‧‧焊料

d‧‧‧高度

FT‧‧‧內圓角

FT₂‧‧‧第二內圓角

SLC‧‧‧狹縫

SLD‧‧‧狹縫

SLE‧‧‧狹縫

T₁‧‧‧裝置側安裝絕緣區域之厚度

T₂‧‧‧焊盤側絕緣區域之開口寬度

藉由參照以下關於隨附圖式之詳細敍述，可容易地對本發明及其所具有之優點獲得更完整之理解，其中：

圖1係表示實施例1之半導體發光裝置之立體圖。

圖2係圖1之半導體發光裝置之II-II線處之水平剖視圖。

圖3A係表示將圖1之半導體發光裝置安裝於安裝基板之情況之分解立體圖。

圖3B係表示自斜下方觀察圖3A之半導體發光裝置之狀態之分解立體圖。

圖4A係表示安裝基板之焊盤圖案之俯視圖。

圖4B係表示安裝基板之焊盤圖案之變化例之俯視圖。

圖5係表示已將圖1之半導體發光裝置安裝於安裝基板之狀態之俯視圖。

圖6係圖4A之半導體裝置之放大剖視圖。

圖7A係變化例之半導體裝置之放大剖視圖。

圖7B係另一變化例之半導體裝置之放大剖視圖。

圖8係另一變化例之半導體裝置之放大剖視圖。

圖9係表示已將圖1之半導體發光裝置安裝於安裝基板之狀態之前視圖。

圖10係自斜下方觀察變化例之半導體發光裝置之立體圖。

圖11係另一變化例之半導體發光裝置之仰視圖。

圖12係又一變化例之半導體發光裝置之仰視圖。

圖13係又一變化例之半導體發光裝置之仰視圖。

圖14A係表示已將實施例2之半導體發光裝置安裝於安裝基板之狀態之俯視圖。

圖14B係表示變化例之焊盤圖案之俯視圖。

圖14C係表示變化例之焊盤圖案之俯視圖。

圖14D係表示變化例之焊盤圖案之俯視圖。

圖14E係表示變化例之焊盤圖案之俯視圖。

圖14F係表示變化例之焊盤圖案之俯視圖。

圖14G係表示自斜下方觀察與圖14F之焊盤圖案對應之半導體發光裝置之立體圖。

圖15係表示將圖5之半導體發光裝置應用於液晶用背光之狀態之 俯視圖。

圖16係圖15之液晶用背光之側視圖。

圖17係圖1之發光裝置之平面透視圖。

圖18係表示已將圖1之發光裝置安裝於安裝構件之狀態之概略立體圖。

圖19係表示將先前技術之半導體發光裝置安裝於安裝基板之情況之分解立體圖。

圖20係表示已將圖19之半導體發光裝置安裝於安裝基板之狀態之前視圖。

以下參照隨附圖式對實施例進行敍述，其中於各圖式中，相同之參照符號代表相對應或相同之元件。

但是，以下所示之實施形態及實施例係用以將本發明之技術思想具體化之例示發光裝置之安裝構造、背光裝置及安裝基板者，本發明並不將發光裝置之安裝構造、背光裝置及安裝基板特定為以下之構成。再者，各圖式所示之構件之大小或位置關係等有時為了明確說明而進行了誇大。進而，於以下之說明中，相同名稱、符號係表示相同或同質之構件，適當省略詳細說明。進而，構成本發明之各要素既可由同一構件構成複數個要素而由一構件兼用複數個要素，相反地亦能夠由複數個構件分擔實現一構件之功能。又，於一部分之實施例、實施形態中所說明之內容亦能夠用於其他實施例、實施形態等中。

根據本發明之一實施形態之半導體裝置之安裝構造，可構成為：金屬區域包含由上述外部連接端子之端緣構成之線狀區域，且以該線狀區域界定上述裝置側安裝絕緣區域。

又，上述線狀區域能夠形成為彎折成大致平行之矩形之形狀。

進而，上述半導體裝置能夠進而具備沿一方向延長之絕緣性之 基體。

進而，又，上述外部連接端子能夠使矩形之面狀金屬區域在與上述安裝面交叉之基體之側面露出。

進而，又，亦能夠於使上述裝置側安裝絕緣區域與上述焊盤側絕緣區域一致之狀態下，使將該焊盤圖案與上述外部連接端子連接之接合構件自上述線狀區域之周圍向上蔓延至上述面狀金屬區域而接合。根據上述構成，於安裝時使接合構件自線狀區域向上蔓延至側面之面狀金屬區域，藉此能夠利用自半導體裝置之底面側連續至側面之接合構件將半導體裝置牢固地固定於安裝基板上。

進而，又，上述金屬區域具備具有呈字狀連續之三邊之形狀，能夠將由該三邊圍成之區域設為裝置側安裝絕緣區域。根據上述構成，利用金屬區域發揮與焊盤圖案之自對準效果，從而實現定位之同時實現牢固之連接。

進而，又，上述焊盤圖案可整體設為大致矩形，且於其一邊之大致中央形成凹狀之焊盤側絕緣區域。

進而，又，上述焊盤圖案能夠在相隔之一對大致矩形之對向之邊分別形成上述焊盤側絕緣區域。

進而，又，亦可使上述焊盤側絕緣區域之開口寬度較上述裝置側安裝絕緣區域之寬度窄。

進而，又，上述焊盤側絕緣區域之開口寬度能夠設為0.2mm以下。

進而，又，亦可將上述半導體裝置之高度設為0.5mm以下。

進而，又，能夠將上述半導體裝置設為半導體發光裝置。尤其是能夠將上述半導體裝置設為背光用光源。

(實施形態1)

分別將本發明之實施形態1之半導體發光裝置1之立體圖示於圖 1，將其II-II線處之水平剖視圖示於圖2。該等圖所示之半導體發光裝置1包括沿一方向延長之基體4、及自基體4突出之密封構件7。藉由使密封構件7自基體4之大致中央突出，從而將半導體發光裝置1之外形設為大致凸狀。基體4於長度方向之兩端分別配置有外部連接端子3。該等外部連接端子3於半導體發光裝置1之表面露出，成為如圖3A所示般將半導體發光裝置1安裝於下述安裝基板51時之電性連接端子。

進而，如圖2之剖視圖所示，一對外部連接端子3係以分別覆蓋基體4之端部之方式形成為一方開口之矩形即字狀。又，於基體4之上表面側，以跨越一對外部連接端子3之間之方式安裝有發光元件5，該一對外部連接端子3係以相互對向之方式延長。該發光元件5將與發光面為相反側之面作為安裝面，於安裝面側形成有正負電極，藉由覆晶安裝，利用凸塊或共晶接合而安裝於一對外部連接端子3之間。

進而，以被覆發光元件5之除發光面(上表面)以外之周圍之方式設置密封構件7。進而，於發光元件5之發光面之上表面設置透光性構件10。透光性構件10與發光元件5之發光面光學結合。透光性構件10只要至少形成於發光面之上表面即可，亦可自發光面形成至密封構件7之上。

(外部連接端子3)

外部連接端子3於基體4之長度方向之兩端部分別露出(表露出)。此種外部連接端子3可藉由利用鍍敷等在基體4之表面形成金屬層而構成。又，亦可將金屬板彎折而構成。又，安裝面上之電性、機械之金屬區域係形成為具有大致平行之兩邊之形狀(線狀)。再者，金屬區域未必需要電性連接，亦能夠僅實現機械連接。於該情形時，半導體發光裝置係使用其他電性連接構件與安裝基板電性連接。

此處，外部連接端子3於俯視時形成為字狀，具有線狀之區域32與面狀之金屬區域31。面狀金屬區域31於與安裝面交叉之基體4之 側面側，呈矩形露出。此處，面狀金屬區域31係以被覆基體4之側面側、即在圖1中連續地被覆前表面、端面及背面之三面之方式設置成字狀。

又，線狀區域32為面狀金屬區域31之端緣，於安裝面呈形成為矩形之字狀。即，線狀區域32之線寬成為構成外部連接端子3之金屬層之厚度。

(裝置側安裝絕緣區域34)

進而，由線狀區域32包圍之基體4之端緣如圖3B之立體圖所示般成為裝置側安裝絕緣區域34。因此，基體4由絕緣性之構件構成。由此，線狀區域32係以包圍裝置側安裝絕緣區域34之方式，換言之以鑲邊之方式形成。又，此處，裝置側安裝絕緣區域34並非指全部之絕緣性基體4，而僅指由線狀區域32覆蓋之區域。

該半導體發光裝置1係如圖3A~圖9所示般被安裝在形成於安裝基板51上之焊盤圖案52上。以與設置在半導體發光裝置1之基體4之兩端之外部連接端子3分別連接之方式，將一對焊盤圖案52與一對外部連接端子3之間隔對應地預先形成於安裝基板51上。各焊盤圖案52係整體設為大致矩形，於其一邊之大致中央形成有凹狀之焊盤側絕緣區域54。又，焊盤側絕緣區域54係分別形成於相隔之一對大致矩形之對向之邊。又，各焊盤圖案52係形成為沿著半導體發光裝置1之線狀區域32之形狀。此處，焊盤側絕緣區域54形成為沿著字狀之線狀區域32之圖案之形狀。

(安裝基板51)

安裝基板51係具備供安裝半導體發光裝置1之安裝面之基板，能夠利用玻璃環氧基板或印刷基板、陶瓷基板、可撓性印刷基板等。在設置於安裝基板51之焊盤圖案52上經由焊料等接合構件53安裝半導體發光裝置1，藉此將半導體發光裝置1機械地連接。又，焊盤圖案52與 配線圖案連接，藉此將半導體發光裝置1與形成於安裝基板51上之電子電路電性連接。

(焊盤圖案52)

焊盤圖案52係用以與半導體發光裝置1之外部連接端子3電性連接之區域。於圖3A等之例中，以與應安裝半導體發光裝置1之位置且係設置於半導體發光裝置1之長度方向之兩端的一對外部連接端子3之位置及大小對應之方式，將一對焊盤圖案52形成於安裝基板51上。

半導體發光裝置1之各外部連接端子3如上所述般於線狀區域32之矩形之內側形成有裝置側安裝絕緣區域34。各焊盤圖案52基於此而整體設為較半導體發光裝置1之端緣大一圈之矩形，且於其一部分形成有與線狀區域32之矩形對應之矩形之凹部。此處，所謂對應係指兩者之形狀為大致相似形狀且整體上沿著另一形狀而存在之形狀。

藉由將此種半導體發光裝置1側之裝置側安裝絕緣區域34及其周圍包圍之線狀區域32、以及於焊盤圖案52側與該線狀區域32對應之形狀之組合，能夠發揮安裝時之自對準效果。即，先前，如圖19所示般外部連接端子3自身為面狀，故而能夠使安裝時之接觸面積較大，從而能夠穩定地安裝，且亦能夠實現安裝時之定位。然而，於如利用外部連接端子3之端面與焊盤圖案52側接觸之態樣中，安裝面上之接觸面積變小，因此，不會充分地顯現自對準效果，而安裝位置偏離所希望之位置，結果，有導致安裝不良之問題。相對於此，於本實施形態中，藉由將焊盤圖案52之形狀形成為沿著半導體發光裝置1之由線狀區域32包圍之裝置側安裝絕緣區域34之形狀，而能夠利用裝置側安裝絕緣區域34顯現定位效果，從而能夠於半導體發光裝置1之安裝時發揮自對準效果。換言之，藉由使作為導電部分之線狀區域32之輪廓與焊盤圖案52之形成為凹狀之區域之輪廓一致，而在半導體發光裝置之安裝時發揮自對準效果。

再者，焊盤側絕緣區域54係設為沿著裝置側安裝絕緣區域34之形狀，但無需設為完全一致之形狀及大小。例如於圖4A及圖5之俯視圖所示之例中，使焊盤側絕緣區域54之開口寬度T₂較裝置側安裝絕緣區域34之厚度T₁稍窄。於該情形時，如圖6之放大剖視圖所示，能夠確實地將線狀區域配置於焊盤圖案52上而支持基體4。

又，亦可如圖4B之俯視圖所示之變化例之半導體發光裝置般，使焊盤圖案52B之焊盤側絕緣區域54B之開口寬度T₂較基體4B之裝置側安裝絕緣區域之厚度T₁稍大。若以將焊料至少施加至裝置側線狀區域之方式預先配置接合構件53，則如圖7A之放大剖視圖所示，於焊料等熔融時，焊料浸潤線狀區域，而能夠自接合構件53之側面至焊盤圖案52之上表面形成內圓角FT。進而，於該情形時，能夠自焊盤圖案52之端面形成將裝置側線狀區域之下端連結之第二內圓角FT₂。藉此，能夠進一步提高焊料連接之可靠性。T₂與T₁之差較佳為100μm以下，例如可設為75μm。

再者，於圖6、圖7A中之任一者之情形時，均能夠在安裝基板51與基體4之間配置抗蝕劑55。又，如圖7B所示，亦能夠設為不具有抗蝕劑之構成之半導體發光裝置。例如，如圖4B之俯視圖所示之變化例之半導體發光裝置般，於使基體4B之裝置側安裝絕緣區域之厚度T₁較焊盤側絕緣區域54B之開口寬度T₂稍窄之構成中，即便在焊盤側絕緣區域54B之開口與裝置側安裝絕緣區域之間存在少許間隙，亦如圖7B之剖視圖所示般於向安裝基板51B安裝時，已熔融之焊料自接合構件53B之側面至焊盤圖案52之上表面形成內圓角FT，並且濕潤之焊料進入至線狀區域之下表面及焊盤圖案52B之側面，將間隙填充，而維持電性連接，又，發揮自對準效果。

進而，焊盤圖案於以上之例中係設置於安裝基板51之平面上，但並不限於該構成。例如，如圖8之放大剖視圖所示，亦能夠於安裝 基板51'上形成凹部，且於凹部上對焊盤圖案52'進行圖案化，經由內圓角FT將該焊盤圖案52'與接合構件53'接合。

又，於安裝時，接合構件53係以向上蔓延至半導體發光裝置1之基體4之側面之方式延長，藉此能夠發揮更牢固之固定與電性連接。因此，外部連接端子3如上所述般於與安裝面交叉之基體4之側面具有矩形之面狀金屬區域31。藉此，藉由形成於面狀金屬區域31之端面之線狀區域32並利用接合構件53而與包圍焊盤側絕緣區域54之焊盤圖案52固定(例如焊接)，並且接合構件53擴展至自線狀區域32交叉地連續之面狀金屬區域31，如圖9所示般接合構件53潤濕擴展，從而能夠以大面積將外部連接端子3與焊盤圖案52連接。

焊盤側絕緣區域54之開口寬度能夠任意地設定，但例如用於小型、薄型之背光時可設定為0.2mm以下。但若過窄，則難以形成焊盤側絕緣區域54，又，焊盤側絕緣區域54於安裝時容易被接合構件53埋沒，而有損定位效果，故而較佳為留出0.1mm以上。

再者，線狀區域32係相對於面狀金屬區域31之用語，用於以下含義：只要實質上為線狀便足夠，亦包含局部具有面狀區域之態樣。例如，於圖10之自斜下方觀察到之立體圖所示之變化例之半導體發光裝置1中，使線狀區域32包圍基體4之端緣之三邊，並且除此以外設置有自基體4之端緣側之邊突出之突出片36A。突出片36A既可為與其他線狀區域32相同之寬度、即與構成外部連接端子3之金屬層之厚度相同，亦可較其粗。即，可設為將線狀增粗而得之具有一定程度之面積之形狀。

藉由設置此種突出片36A，而使線狀區域32之面積增大，與接合構件53之連接面積之擴大、以及使連接部分之形狀複雜化而使強度提高，此外，藉由將線狀區域32設為較字狀圖案複雜之形狀，亦能夠獲得如下效果：發光裝置安裝時之自對準效果增強，從而可實現定位 精度之進一步提高。

又，焊盤側絕緣區域54能夠作為將於焊料熔融時產生之氣體釋放之路徑發揮功能，其結果，能夠減少焊料孔隙。

進而，並不限於該例，亦可設置複數個突出片。例如，如圖11之仰視圖所示，亦能夠於基體4之端緣側之邊設置2個突出片36B。又，對應於此，可在焊盤側金屬區域亦設置與突出片對應之圖案。由此，使線狀區域32進一步發揮作用，又，使線狀區域32之圖案複雜化，亦能夠進一步顯現自對準效果。或者，設置突出片之位置亦不限於端緣側，例如，亦可如圖12之仰視圖所示之突出片36C般設置於前表面側或背面側。此種態樣中，亦可獲得相同之效果。進而，如圖13所示，亦可於字狀之開口側，以將開口端縮窄之方式(呈C字狀)設置突出片36D。藉由設置此種突出片36D，能夠更加明確地劃分形成裝置側安裝絕緣區域34，從而能夠期待定位效果之精度提高。

(實施形態2)

再者，於以上之例中，表示了將外部連接端子之線狀區域形成為一方開口之矩形即字狀之例，但本發明未必限定於該形態。例如，線狀區域除了由連續之3邊構成以外，亦可由平行之2邊構成。將此種例作為實施形態2並示於圖14A之俯視圖中。於該例中，在半導體發光裝置1B之側面中之正面側及背面側分別設置有外部連接端子3B。該等一對外部連接端子3B係藉由形成於基體4之貫通孔(導通孔、通孔)等而電性連接。即便為此種由相隔之複數個邊形成之線狀區域32B，亦能夠將由此種線狀區域32B包圍之裝置側安裝絕緣區域34以與形成於焊盤圖案52之焊盤側絕緣區域54對應之方式安裝，藉此，同樣能夠顯現自對準效果。

進而，焊盤圖案亦不限於形成為上述使一方開口之矩形即字狀之例，例如，如圖14B所示，亦能夠設為將在俯視時形成為L字狀 之焊盤圖案52L配置成鏡像狀之構成。或者，亦能夠在焊盤圖案形成細狹縫或槽。例如，於圖14C之俯視圖所示之例中，形成有複數條沿與形成於焊盤圖案52C之字狀之開口部分之底邊垂直之方向(於圖14C中為水平方向)延長之狹縫SLC。或者，亦可如圖14D之俯視圖所示般，形成有複數條沿與形成於焊盤圖案52D之字狀之開口部分之底邊平行之方向(於圖14D中為垂直方向)延長之狹縫SLD。或者，又，亦可如圖14E之俯視圖所示般，在形成於焊盤圖案52E之字狀之開口部分之底邊之兩端傾斜地設置狹縫SLE。各狹縫之寬度較佳設為使焊料能夠以焊料將由狹縫分離之焊盤圖案連接之方式跨越狹縫而擴散之程度。進而，狹縫之條數除了設為複數條以外，亦可為1條。

進而，又，於以上之例中，作為焊盤圖案，表示了將半導體發光裝置之兩端呈字狀包圍之形態，但本發明並非將焊盤圖案僅限於此，亦可進而附加其他焊盤圖案。例如，於圖14F所示之變化例之安裝基板中，除了設置第一焊盤圖案52F以外，進而設置有第二焊盤圖案56。第二焊盤圖案56係沿著將由俯視時形成為字狀之一對第一焊盤圖案52F之焊盤側絕緣區域54F界定之凹狀之開口端彼此連結之線段狀而配置。具體而言，於將一對第一焊盤圖案52F之開口端彼此連結之線段之中間設置第二焊盤圖案56。

又，如圖14G之立體圖所示，於半導體發光裝置1F側，於在安裝於安裝基板上之狀態下與第二焊盤圖案56對應之位置設置有輔助電極57。利用焊料等接合構件將輔助電極57與第二焊盤圖案56接合，而不僅有設置於半導體發光裝置1F之兩端之外部連接端子3F，而且於中間部分亦設置接合部分，藉此，提高半導體發光裝置1F向安裝基板上安裝時之機械強度。輔助電極57較佳為設置於半導體發光裝置1F之背面側、即光提取面之相反側。藉此，不會因輔助電極而遮蔽輸出光之出射，從而能夠提高固著強度。更佳為將輔助電極57設置於半導體發光 裝置1F之長度方向之中央附近。藉此，能夠效率最佳地發揮自對準之定位效果及機械強度之提高。

(背光裝置)

此種半導體發光裝置可較佳地用於液晶顯示器等之背光用光源。作為一例，圖15之俯視圖、圖16之側視圖所示之背光裝置表示邊緣照明型之液晶背光裝置。該背光裝置係用以自導光板之端面射入光之構件，包括安裝基板51、及於該安裝基板51上以使發光面與導光板之端面對向之方式安裝之半導體發光裝置1。尤其是於如半導體發光裝置1之高度為0.5mm以下之薄型面板中，難以採用如圖19所示之側視型之封裝體，而產生無法如圖1所示般使面狀金屬區域31面向安裝面之情形。於此種情形時，亦可藉由採用上述設置有焊盤側絕緣區域54之特有之焊盤圖案52，而產生半導體發光裝置1安裝時之自對準效果，從而改善良率。再者，於本說明書中，所謂半導體裝置之高度，如圖1所示般，於側面發光(側視)型之半導體發光裝置中，在安裝時之姿勢下表示鉛垂方向之高度。

以下，在下文中對各構件之詳細情況進行敍述。半導體發光裝置1係被稱為側面發光型、即所謂側視型之發光裝置。側視型之半導體發光裝置1將與光提取面鄰接之面設為安裝面。該發光裝置包括具有一對外部連接端子3之基體4、發光元件5及密封構件7。

[基體4]

基體4之形狀並無特別限定。例如，較佳為至少第1主面具備長度方向、及與長度方向交叉或正交之短方向。關於基體4之厚度，例如最厚部位之厚度較佳為約500μm以下，更佳為約300μm以下，進而較佳為約200μm以下。又，較佳為約40μm以上。

基體4之強度可根據下述母材之材料、外部連接端子3之材料等調整。例如，於上述厚度之範圍內，彎曲強度較佳為300MPa以上， 更佳為400MPa以上，進而較佳為600MPa以上。藉此，能夠確保發光裝置之強度。此處之彎曲強度係指例如利用市售之強度測定機、例如英斯特朗試驗機(Instron)進行之三點彎曲試驗所測定之值。

如此，基體4較薄且具備適當之強度，藉此，可獲得小型/薄膜及高性能/高可靠性之發光裝置。

構成基體4之母材只要線膨脹係數為下述發光元件5之線膨脹係數之±10ppm/℃以內之範圍，則可由任何材料形成。較佳為±9ppm/℃以內、±8ppm/℃以內、±7ppm/℃以內、±5ppm/℃以內。藉此，於將發光元件5安裝於基體4之情形時，能夠有效地防止目前為止成為問題之因發光元件5與基體4之線膨脹係數之差異而引起之發光元件5自基體4(外部連接端子3)之剝離或對發光元件5施加之不需要之應力負荷。藉此，可藉由覆晶安裝將發光元件5之電極直接連接於基體4之外部連接端子3，從而能夠提供更小型/薄型之發光裝置。再者，於本發明中，線膨脹係數係指利用TMA(thermomechanical analysis，熱機械分析)法所測定之值。只要α1及α2中之任一者滿足該值即可，但更佳為兩者均滿足。

母材例如可列舉金屬、陶瓷、樹脂、介電體、紙漿、玻璃、紙或其等之複合材料(例如，複合樹脂)、或者該等材料與導電材料(例如，金屬、碳等)之複合材料等。作為金屬，可列舉銅、鐵、鎳、鉻、鋁、銀、金、鈦或含有其等之合金者。作為陶瓷，可列舉氧化鋁、氮化鋁、氧化鋯、氮化鋯、氧化鈦、氮化鈦或含有其等之混合物者。作為複合樹脂，可列舉玻璃環氧樹脂等。

特佳為母材含有樹脂。樹脂係只要為該領域中所使用者則可利用任意之樹脂。尤其是為了將線膨脹係數設為發光元件5之線膨脹係數之±10ppm/℃，較佳為利用線膨脹係數較小者。具體而言，可列舉環氧樹脂、雙馬來醯亞胺三嗪(BT)樹脂、聚醯亞胺樹脂、氰酸酯樹 脂、聚乙烯醇縮乙醛樹脂、苯氧基樹脂、丙烯酸系樹脂、醇酸樹脂、胺基甲酸酯樹脂等。又，例如亦可利用日本專利特開2013-35960號、WO2011/132674、WO2012/121224、WO2012/165423等所記載之樹脂、含有萘系環氧樹脂之BT樹脂及其等之組合物、市售品(例如，三菱瓦斯化學公司製造：HI832NS、HL832NSFtypeLCA；日立化成公司製造：MCL-E-700G、MCL-E-705G等)、日本專利特開2010-114427號等所記載之液晶聚合物及其等之組合物。再者，其等中亦可含有該領域中所公知之添加劑、單體、低聚物、預聚物等。其中，較佳為BT樹脂或其組合物。

樹脂不論其種類如何，例如玻璃轉移溫度均較佳為約250℃以上，更佳為約270℃以上、約280℃以上、約300℃以上、約320℃以上。就另一觀點而言，玻璃轉移溫度較佳為如下所述般與用以將發光元件5連接於外部連接端子3之接合構件即焊料之熔融溫度同等以上。此處之同等係指允許5℃左右之變動。藉此，能夠不受發光元件5安裝時之溫度變化影響，避免發光元件5之連接不良等不良情況。其結果，能夠提高發光裝置之製造良率。再者，玻璃轉移溫度例如可使用一面使試樣之溫度緩慢上升或下降一面測定力學物性之變化、吸熱或發熱之方法(TMA、DSC(Differential Scanning Calorimetry，差示掃描熱量測定)、DTA(Differential Thermal Analysis，差熱分析)等)、一面改變對動態黏彈性測定試樣施加之週期性之力之頻率一面測定其響應之方法中之任一種。

又，樹脂之熱放射率較佳為0.5以上，更佳為0.6以上。藉由具有此種熱放射率，能夠有效率地釋放因發光元件5所引起之熱，從而能夠提高發光裝置之壽命。再者，熱放射率係指利用放射率測定器(例如，日本感測器股份有限公司製造：TSS-5X)測定之值。

不論樹脂之種類如何，為了將線膨脹係數設為發光元件5之線膨 脹係數之±10ppm/℃，或者為了使熱放射率增大，較佳為於樹脂中含有填充材料、例如由無機材料構成之填充材料。藉由適當地組合此種填充材料之種類及量等，可調整母材之線膨脹係數。

作為填充材料及無機材料，例如可列舉由六方晶氮化硼被覆之硼酸鹽粒子、礬土(alumina)、矽石類(天然矽石，熔融矽石等)、金屬水合物(氫氧化鋁，水鋁礦，氫氧化鎂等)、鉬化合物(氧化鉬等)、硼酸鋅、錫酸鋅、氧化鋁(aluminum oxide)、黏土、高嶺土、氧化鎂、氮化鋁、氮化矽、滑石、煅燒黏土、煅燒高嶺土、煅燒滑石、雲母、玻璃短纖維(E玻璃、D玻璃等玻璃微粉末類、玻璃布等)、中空玻璃、磷酸鋯等熱收縮填料、苯乙烯系、丁二烯系、丙烯酸系、聚矽氧等橡膠粉及核殼型之橡膠粉(苯乙烯系、丁二烯系、丙烯酸系、聚矽氧等)等。尤其是藉由含有大量之熱導率較高之填充材料或無機材料，而能夠調整熱放射率。例如，於使用玻璃布之情形時，可含有50wt%以上、70wt%以上、90wt%以上之玻璃布中之無機材料。

又，亦可含有顏料。作為顏料，可列舉碳黑、氧化鈦等。尤其是，如上所述般於側視型之發光裝置中，較佳為在與光提取面鄰接之面即安裝面及與其對向之面中將母材設為黑色。藉此，能夠吸收自發光裝置出射之光或其反射光所引起之雜散光。進而，藉由吸收母材或基體4之雜散光，能夠在例如背光用途中提高光之顏色及/或亮度之不均等品質。又，藉由吸收雜散光，能夠抑制周邊構件之光劣化。尤其是於如本案發明般尺寸較小之發光裝置中，由於發光元件5本身相對於發光裝置相對地變大，故而擔心因來自發光元件5之發熱、螢光體之斯托克斯發熱等而導致發光裝置過度地發熱。此種加熱有時會導致使背光裝置之導光板劣化、變形等不良影響。因此，藉由使母材(樹脂)含有熱放射係數較大之碳黑等黑色填料，能夠釋放來自發光元件及螢光體之熱。

母材之線膨脹係數依存於所使用之發光元件5之種類及構造等，例如較佳為約20ppm/℃以下，更佳為約10ppm/℃以下，進而較佳為約8ppm/℃以下、約7ppm/℃以下、約6ppm/℃以下。藉由設為此種線膨脹係數，能夠控制基體4本身之線膨脹係數。藉此，如下所述，即便於覆晶安裝發光元件5之情形時，不論製造過程等之溫度變化如何，均能夠將發光元件5牢固地連接於基體4，且能夠避免發光元件5之連接不良等不良情況。其結果，能夠提高發光裝置之製造良率。

1個發光裝置中之母材之形狀、大小、厚度等並無特別限定，可適當設定。母材之厚度依存於所使用之材料、載置之發光元件5之種類及構造等，但例如較佳為約470μm以下，更佳為約370μm以下、約320μm以下、約270μm、200μm、150μm、100μm以下。又，若考慮強度等，則較佳為約20μm以上。為了確保基體4整體之強度，母材之彎曲強度較佳為與上述基體4之強度同等，例如為約300MPa以上，更佳為約400MPa以上、約600MPa以上。

關於母材之平面形狀，可列舉例如圓形、四邊形等多邊形或與該等形狀相近之形狀。其中，較佳為長方形、亦即於長度方向上細長之形狀。大小較佳為較下述發光元件5大之平面面積。於在1個發光裝置搭載1個發光元件5之情形時，發光裝置之長度方向較佳為具有發光元件5之一邊之1.5~5倍左右之長度，更佳為1.5~3倍左右之長度。又，發光裝置之短方向較佳為具有發光元件之一邊之1.0~2.0倍左右之長度，更佳為1.1~1.5倍左右之長度。於在1個發光裝置搭載複數個發光元件5之情形時，能夠根據其數量適當調整。例如，於在長度方向上搭載2個或3個之情形時，長度方向較佳為發光元件5之一邊之2.4~6.0倍左右或3.5~7.0倍左右。

亦可於母材之第2主面上設置1個以上具有藉由絕緣體、金屬等進行加強、散熱、對準用等之標記等之功能的層。

(外部連接端子3)

一對外部連接端子3只要形成於基體4之至少第1主面及第2主面上即可。於該情形時，較佳為外部連接端子3之緣部之至少一部分以與基體4之第1主面之緣部之一部分一致之方式形成。換言之，較佳為以外部連接端子3之端面之一部分與基體4之安裝面之一部分成為同一面之方式形成。藉此，於將發光裝置安裝於安裝基板51時，能夠使安裝基板51與外部連接端子3之端面接觸(或無限接近)，故而能夠提高發光裝置之安裝性。此處，同一面係指無階差或幾乎無階差，且係指容許數μm至數十μm左右之凹凸。於本案說明書中，關於同一面，以下為相同之意思。

外部連接端子3於第1主面具有與發光元件5之電極連接之元件連接部、及與發光裝置之外部連接之外部連接部。更佳為外部連接部不僅設置於基體4之第1主面，進而亦設置於基體4之第2主面上。例如，外部連接端子3較佳為(i)自第1主面延長至存在於第1主面與第2主面之間之面上而設置，或(ii)藉由以貫通母材之方式設置之導通孔或通孔等而自第1主面延長至第2主面上而設置，或(iii)自第1主面起通過存在於第1主面與第2主面之間之面上，進而延長至第2主面上(例如，於剖面觀察時呈U字狀)而設置。此處，存在於第1主面與第2主面之間之面亦可為存在於第1主面與第2主面之間之2個以上之端面之一部分或全部。

通常，元件連接部係配置於第1主面上，外部連接部係配置於(i)第1主面上、或(ii)第1主面及端面上、或(iii)第1主面、端面及第2主面上、或(iv)第1主面及第2主面上。

外部連接端子3亦可遍及基體4之第1主面上、端面上及/或第2主面上未必為相同之寬度(例如，基體4之短方向之長度)，而形成為僅一部分寬度較窄或寬度較寬。或者，亦可以在基體4之第1主面及/或 第2主面成為窄寬度之方式，利用絕緣材料(例如，母材等)被覆外部連接端子3之一部分。此種成為窄寬度之部位較佳為配置於基體4之至少第1主面上，亦可配置於第1主面及第2主面之兩者。尤其是，成為窄寬度之部位更佳為於基體4之第1主面上配置於下述密封構件7之附近。

藉由配置此種成為窄寬度之部位，能夠抑制連接於外部連接端子3之焊料等或其等所包含之助焊劑等沿著端子表面浸入至下述密封構件7之下、進而浸入至發光元件5之下之情況。又，藉由使元件連接部與沿著基體4之長度方向之端面隔開，而能夠抑制在安裝發光元件5時焊料等或其等所包含之助焊劑等沿著端子表面浸入至密封構件7之下、進而浸入至發光元件5下之情況。

成為窄寬度之部位較佳為寬度較元件連接部更窄。又，成為窄寬度之部位較佳為寬度平緩地變窄。

基體亦可除了具有電性連接於發光元件5之外部連接端子3以外，進而具有散熱用之端子、散熱片、加強構件等。其等可配置於第1主面、第2主面、端面中之任一面，特佳為配置於發光元件5及/或密封構件7之下方。藉此，能夠提高發光裝置之強度或可靠性。又，藉由提高基體之強度，於使用模具成形密封構件7之情形時，能夠減少基體4之變形，提高密封構件7之成形性。於散熱用之端子或加強端子具有導電性且設置於一對外部連接端子3之間之情形時，散熱用之端子或加強端子較佳為被絕緣性之膜被覆。藉此，能夠防止外部連接端子3與散熱用之端子或加強端子之焊料之橋接。

進而，於在1個發光裝置配置複數個發光元件5之情形時，亦可具備1個以上之將複數個發光元件5電性連接之更外部之連接端子。可根據安裝於1個基體4之發光元件5之數量、其排列、連接形態(並聯及串聯)等，適當設定外部連接端子之形狀及位置等。

外部連接端子3可由例如Au、Pt、Pd、Rh、Ni、W、Mo、Cr、Ti、Fe、Cu、Al、Ag等金屬或其等之合金之單層膜或積層膜形成。其中，較佳為導電性及安裝性優異之材料，更佳為與安裝側之焊料之接合性及潤濕性良好之材料。尤其是就散熱性之觀點而言，較佳為銅或銅合金。亦可在外部連接端子3之表面形成銀、鉑、錫、金、銅、銠或其等之合金等光反射性較高之覆膜。外部連接端子3具體而言可列舉W/Ni/Au、W/Ni/Pd/Au、W/NiCo/Pd/Au、Cu/Ni/Cu/Ni/Pd/Au、Cu/Ni/Pd/Au、Cu/Ni/Au、Cu/Ni/Ag、Cu/Ni/Au/Ag等積層構造。又，亦可局部性地厚度或積層數不同。

外部連接端子3於分別與發光元件5連接之面、亦即第1主面上既可大致平坦，亦可具有凹凸。例如，外部連接端子3亦可於與下述發光元件5之電極分別對向之位置具有突出圖案。突出圖案較佳為與發光元件5之電極同等之大小。又，外部連接端子3及突出圖案於將發光元件5搭載於基體4之情形時，較佳為相對於基體4之表面(與發光元件5連接之面側)水平，以能夠水平地配置發光面。突出圖案可藉由例如加成法、半加成法、減成法等利用光微影之蝕刻法等作成。

外部連接端子3亦可利用配線、引線框架等，但為了於基體4表面形成為大致平坦或與基體4形成同一面，較佳為藉由鍍敷等形成上述材料之膜。該情形之外部連接端子3之厚度可列舉數μm至數十μm。突出圖案特佳為積層鍍層而形成。突出圖案之厚度可列舉自其他部位之外部連接端子3表面突出數μm至數十μm。

基體4只要不大幅地損及上述母材之線膨脹係數，則其本身亦可構成電容器、變阻器、齊納二極體、橋接二極體等保護元件，亦可於其一部分、例如以多層構造或積層構造之形態具備發揮該等元件之功能之構造。藉由利用發揮此種元件功能者，而不另外搭載零件便能夠作為發光裝置發揮功能。其結果，能夠使提高了靜電耐壓等之高性能 之發光裝置更小型化。

[發光元件5]

發光元件5搭載於基體4上，且於基體4之第1主面與第1主面上之外部連接端子3連接。搭載於1個發光裝置之發光元件5亦可為1個，亦可為複數個。發光元件5之大小、形狀、發光波長可適當選擇。於搭載複數個發光元件5之情形時，其配置既可不規則，亦可呈矩陣等有規則地或週期性地配置。複數個發光元件5可為串聯、併聯、串併聯或併串聯中之任一種連接形態。

發光元件5較佳為至少具備氮化物半導體積層體。氮化物半導體積層體係依序積層第1半導體層(例如，n型半導體層)、發光層、第2半導體層(例如，p型半導體層)且有助於發光之積層體。氮化物半導體積層體之厚度較佳為約30μm以下，更佳為約15μm以下、約10μm以下。又，較佳為於氮化物半導體積層體之同一面側(例如，第2半導體層側之面)具有電性連接於第1半導體層之第1電極(正或負)、及電性連接於第2半導體層之第2電極(負或正)之兩者。作為構成第1電極及第2電極之構件，包含歐姆電極、金屬膜、外部連接用電極等。

第1半導體層、發光層及第2半導體層之種類、材料並無特別限定，例如可列舉III-V族化合物半導體、II-VI族化合物半導體等各種半導體。具體而言，可列舉In_XAl_YGa_1-X-YN(0≦X，0≦Y，X+Y≦1)等氮化物系半導體材料，可使用InN、AlN、GaN、InGaN、AlGaN、InGaAlN等。各層之膜厚及層構造可利用該領域中所公知者。

氮化物半導體積層體通常積層於半導體層生長用之基板上。作為半導體層生長用之基板，可列舉能夠使半導體層外延生長之基板。作為此種基板之材料，可列舉如藍寶石(Al₂O₃)、尖晶石(MgAl₂O₄)般之絕緣性基板、上述氮化物系之半導體基板等。基板之厚度較佳為例如約190μm以下，更佳為約180μm以下、約150μm以下。

基板亦可為在表面具有複數個凸部或凹凸者。又，伴隨於此，亦可於氮化物半導體積層體之基板側之表面(氮化物半導體積層體之配置有上述電極之面之相反面)具有複數個凸部或凹凸。該凹凸由基板形狀引起，例如，亦可具有其高度為0.5~2.0μm左右、間距為10~25μm左右之表面粗糙度。基板亦可為相對於C面、A面等特定之結晶面具有0~10°左右之偏離角者。基板亦可與第1半導體層之間具有中間層、緩衝層、基底層等半導體層或絕緣層等。

半導體層生長用之基板藉由使用如藍寶石基板般之具有透光性之基板，從而不自半導體積層體去除便能用於發光裝置。或者，亦可自半導體積層體去除此種基板。該生長用之基板之去除可利用雷射剝離法等進行。具體而言，自基板側對半導體層照射透過基板之雷射光(例如，KrF準分子雷射)，在半導體層與基板之界面產生分解反應，從而將基板自半導體層分離。但是，生長用之基板除了自半導體層完全被去除以外，亦可於半導體層之端部或角部殘留少許基板。生長用之基板可於將發光元件5安裝於基體4之前後之任一時間去除。

於氮化物半導體積層體為已去除半導體層生長用之基板者之情形時，能夠獲得實現更薄型化、小型化之發光裝置。又，藉由去除不直接有助於發光之層，能夠阻止因該層引起之自發光層出射之光之吸收。進而，能夠阻止因基板引起之光散射。由此，能夠進一步提高發光效率。其結果，能夠提高發光亮度。

又，發光元件5亦可具有作為所謂之立式鑄模或貼合鑄模等公知之積層構造、例如日本專利特開2008-300719號公報、日本專利特開2009-10280號公報等所記載般之積層構造。

發光元件之俯視時之形狀並無特別限定，較佳為四邊形或與四邊形近似之形狀。發光元件之大小可根據發光裝置之大小適當調整其上限。例如，可列舉發光元件之一邊之長度為百μm~2mm左右，具 體而言，較佳為1400×200μm左右、1100×200μm左右、900×200μm左右等。

發光元件5較佳為於其側面及上表面無起伏及參差不齊、直線性良好者。藉此，能夠減少因該等起伏及參差不齊而引起之由微小之外力等導致之發光元件之裂紋。例如，發光元件5之上表面之表面粗糙度Ra較佳為15nm以下，可例示10~15nm左右。發光元件5之側面之表面粗糙度Ra較佳為2μm以下，進而較佳為1.0μm以下、0.5μm以下。發光元件5之側面之表面粗糙度Ra特佳為0.3μm以下，進而較佳為0.2μm以下。表面粗糙度Ra表示藉由依據例如JIS B060，’01/ISO4287等之測定法所測定之值。

(第1電極及第2電極)

第1電極及第2電極較佳為形成於半導體積層體之同一面側(在存在基板之情形時形成於其相反側之面)。藉此，能夠進行使基體4之正負之外部連接端子3與發光元件5之第1電極及第2電極對向地接合之覆晶安裝。

第1電極及第2電極可由例如Au、Pt、Pd、Rh、Ni、W、Mo、Cr、Ti等金屬或其等之合金之單層膜或積層膜形成。具體而言，可列舉自半導體層側起以Ti/Rh/Au、W/Pt/Au、Rh/Pt/Au、W/Pt/Au、Ni/Pt/Au、Ti/Rh等之方式積層所得之積層膜。膜厚可為在該領域中所使用之膜之膜厚之任一種。

又，第1電極及第2電極較佳為將對自發光層出射之光之反射率較電極之其他材料高之材料層作為該等電極之一部分而分別配置於靠近第1半導體層及第2半導體層之側。作為反射率較高之材料，可列舉具有銀或銀合金或鋁之層。作為銀合金，可使用在該領域中公知之材料之任一種。該材料層之厚度並無特別限定，可列舉能夠有效地反射自發光元件5出射之光之厚度、例如20nm~1μm左右。該反射率較高 之材料層之與第1半導體層或第2半導體層之接觸面積越大越好。

再者，於使用銀或銀合金之情形時，為了防止銀之遷移，較佳為形成被覆其表面(較佳為上表面及端面)之被覆層。

作為此種被覆層，只要為由通常可用作導電材料之金屬及合金形成者即可，例如，可列舉含有鋁、銅、鎳等金屬之單層或積層之層。其中，較佳為使用AlCu。為了有效地防止銀之遷移，被覆層之厚度係可列舉數百nm~數μm左右。

第1電極及第2電極只要分別電性連接於第1半導體層及第2半導體層，則亦可不使電極之整個面與半導體層接觸，第1電極之一部分亦可不位於第1半導體層上及/或第2電極之一部分亦可不位於第2半導體層上。亦即，例如，亦可介隔絕緣膜等將第1電極配置於第2半導體層上，亦可介隔絕緣膜等將第2電極配置於第1半導體層上。藉此，能夠容易地變更與元件連接部之連接部中之第1電極或第2電極之形狀，因此，能夠容易地安裝於一對外部連接端子3。

作為此處之絕緣膜，並無特別限定，可為在該領域中所使用之膜之單層膜及積層膜中之任一種。藉由使用絕緣膜等，而不論第1半導體層及/或第2半導體層之平面面積如何，第1電極及第2電極均可設定為任意之大小及位置。

第1電極及第2電極之形狀可根據半導體積層體之形狀、基體4之外部連接端子3(更具體而言為元件連接部)之形狀等設定。第1電極、第2電極及元件連接部較佳為分別設為俯視時呈四邊形或與四邊形近似之形狀。藉由將第1電極及第2電極之形狀、以及與其等對應之元件連接部之形狀設為大致相同形狀，能夠利用自對準效果容易地進行半導體積層體與基體4之接合及對位。於該情形時，較佳為至少於與基體4連接之半導體積層體之最表面，第1電極及第2電極之平面形狀大致相同。又，較佳為隔著半導體積層體之中央部分而分別配置第1電 極及第2電極。

第1電極及第2電極之第1主面(與半導體層為相反側之面)亦可具有階差，但較佳為大致平坦。此處之平坦係指自半導體積層體之第2主面(與第1主面為相反側之面)至第1電極之第1主面之高度與自半導體積層體之第2主面至第2電極之第1主面之高度大致相同。此處之大致相同允許半導體積層體之高度之±10%左右之變動。

如此，藉由使第1電極及第2電極之第1主面大致平坦、亦即實質上將兩者配置於同一面，而容易將發光元件5水平地安裝於基體4。為了形成此種第1電極及第2電極，例如，可藉由利用鍍敷等設置金屬膜，其後以成為平坦之方式進行研磨或切削而實現。

亦可在第1電極及第2電極與第1半導體層及第2半導體層之各者之間，於不阻礙兩者之電性連接之範圍內配置DBR(Distributed Bragg Reflector，分佈布拉格反射器)層等。DBR係例如任意地於包含氧化膜等之基底層上積層低折射率層與高折射率層而成之多層構造，選擇性地反射特定之波長光。具體而言，藉由將折射率不同之膜以1/4波長之厚度交替地積層，而能夠高效率地反射特定之波長。作為材料，可含有選自由Si、Ti、Zr、Nb、Ta、Al所組成之群中之至少一種氧化物或氮化物而形成。

不論有無半導體生長用之基板，發光元件5之厚度作為含有電極之厚度，較佳為200μm以下，更佳為180μm以下、150μm以下。又，僅由去除基板後之氮化物半導體積層體構成時，發光元件5之厚度較佳為20μm以下，更佳為15μm以下、10μm以下。

發光元件5亦可於氮化物半導體積層體之正負電極之配置面側配置加強層。此處之加強層只要為可對氮化物半導體積層體加強其強度之層，則可由絕緣體、半導體及導電體中之任一種材料形成。加強層可整體上為單層或積層之層、配置於複數個部位之單層或積層之層等 中之任一種。又，加強層亦可為其一部分確保發光元件5之功能所必須之絕緣性及導電性等之層。尤其是，亦可使用以構成發光元件5之膜之一部分厚膜化。具體而言，亦可藉由鍍敷、濺鍍法等公知之方法使作為電極等發揮功能之導電性之層厚膜化。又，亦可使配置於其等之間之層間絕緣膜、表面保護膜等厚膜化。藉此，可一面確保適度之強度，一面不配置不需要之層，而能夠防止引起發光裝置之大型化。

例如，就一觀點而言，除了為了在構成發光元件5之氮化物半導體積層體及正負電極、其等之間實現電氣絕緣、保護等而任意地形成之絕緣層以外，亦能夠使較正負電極更靠基體4側之層作為加強層發揮功能。又，就另一觀點而言，為了作為發光元件5發揮功能，可藉由將最小限度所需之層厚膜化而作為加強層發揮功能。進而，可使附加地設置於此種層之層作為加強層發揮功能。為了使其等作為加強層發揮功能，較佳為去除半導體層生長用之基板，且以包含金屬材料之層之整體體積相對於氮化物半導體積層體、電極、絕緣性之保護膜、埋沒電極間之樹脂層等整體之體積成為5~95%左右之方式進行調節，更佳為設為10~70%左右，15~50%左右。進而，就另一觀點而言，可使由未與發光元件5之電極連接之導電層構成之加強層、用以將此種導電層與電極絕緣之絕緣層、用以進行保護之保護層、該等導電層、絕緣層、保護層等作為加強層發揮功能。該等加強層較佳為於其最薄之部位總厚度為約1μm以上，更佳為約3μm以上、5μm以上、10μm以上。藉由具備具有適度之厚度的加強層，從而能夠確保發光裝置之強度，同時將元件之大型化/厚膜化抑制為最小限度。

發光元件5較佳為覆晶安裝於基體4。於該情形時，通常，第1電極及第2電極係藉由接合構件與上述基體4之外部連接端子3接合。此種接合構件可使用該領域中公知之材料之任一種，可列舉導電性之焊料。具體而言，例如，可列舉錫-鉍系、錫-銅系、錫-銀系、金-錫系 等焊料(具體而言為以Ag、Cu及Sn為主成分之合金、以Cu與Sn為主成分之合金、以Bi與Sn為主成分之合金等)、共晶合金(以Au與Sn為主成分之合金、以Au與Si為主成分之合金、以Au與Ge為主成分之合金等)銀、金、鈀等導電膏、凸塊、各向異性導電材料、低熔點金屬等焊料等。其中，藉由使用焊料，能夠與上述外部連接端子3之形狀、突出圖案之位置及大小相輔相成地發揮高精度之自校準效果。由此，可容易地將發光元件5安裝於適當部位，提高量產性，且製造更小型之發光裝置。又，於去除生長用基板之情形時，較佳為使用各向異性導電膏或各向異性導電膜。又，於將發光元件5固定於外部連接端子3之情形時，焊料較佳為以與氮化物半導體積層體之厚度同等或成為其3倍左右之厚度之方式設定。藉此，能夠發揮更高精度之自對準效果。由此，可容易地將發光元件安裝於適當部位，提高量產性，且製造更小型之發光裝置。於去除生長用基板之情形時，較佳為使用各向異性導電膏或各向異性導電膜。於將發光元件5固定於外部連接端子3之情形時，焊料較佳為以成為氮化物半導體積層體之厚度之1/4~3倍左右之厚度之方式設定，更佳為同等~3倍左右。藉此，能夠發揮更高精度之自對準效果，且能夠實現更小型化/薄膜化。例如，焊料之厚度較佳為2~50μm左右，更佳為5~30μm左右。

[密封構件7]

密封構件7係具有至少將發光元件5之一部分密封(被覆)或將發光元件固定於基體之功能之構件。其材料並無特別限定，可列舉陶瓷、樹脂、介電體、紙漿、玻璃或其等之複合材料等。其中，就能夠容易地成形為任意形狀之觀點而言，較佳為樹脂。

作為樹脂，可列舉熱固性樹脂、熱塑性樹脂、其等之改性樹脂或含有1種以上該等樹脂之混合樹脂等。具體而言，可列舉環氧樹脂組合物、改性環氧樹脂組合物(聚矽氧改性環氧樹脂等)、聚矽氧樹脂 組合物、改性聚矽氧樹脂組合物(環氧改性聚矽氧樹脂等)、混合聚矽氧樹脂、聚醯亞胺樹脂組合物、改性聚醯亞胺樹脂組合物、聚醯胺樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚對苯二甲酸1,4-環己二甲酯樹脂、聚鄰苯二甲醯胺(PPA)、聚碳酸酯樹脂、聚苯硫醚(PPS)、液晶聚合物(LCP)、ABS(acrylonitrile-butadiene-styrene，丙烯腈-丁二烯-苯乙烯)樹脂、酚系樹脂、丙烯酸系樹脂、PBT(polybutylene terephthalate，聚對苯二甲酸丁二酯)樹脂、尿素樹脂、BT樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂等樹脂。

密封構件7中所使用之樹脂之線膨脹係數及玻璃轉移溫度等並無特別限定，例如較佳為約100ppm/℃以下之線膨脹係數，更佳為約80ppm/℃以下、約60ppm/℃以下，較佳為100℃以下之玻璃轉移溫度，更佳為75℃以下、50℃以下。

密封構件7亦可具有透光性，但更佳為對來自發光元件5之光之反射率為60%以上、70%以上、80%以上、90%以上之遮光性材料。

為此，較佳為於上述材料、例如樹脂中含有二氧化鈦、二氧化矽、二氧化鋯、鈦酸鉀、礬土、氮化鋁、氮化硼、富鋁紅柱石、氧化鈮、氧化鋅、硫酸鋇、碳黑、各種稀土類氧化物(例如，氧化釔、氧化釓)等光反射材料、光散射材料或著色材料、熱放射性構件等。

密封構件7亦可含有玻璃纖維、矽灰石等纖維狀填料、碳等無機填料。又，亦可含有散熱性較高之材料(例如，氮化鋁等)。進而，密封構件7中亦可含有下述螢光體。該等添加物較佳為例如相對於密封構件7之總重量含有10~95重量%左右、20~80重量%左右、30~60重量%左右。

藉由含有光反射材料，能夠高效率地反射來自發光元件5之光。尤其是藉由使用光反射率較基體4高之材料(例如，於在基體4使用氮化鋁之情形時，使用含有二氧化鈦之聚矽氧樹脂作為密封構件7)，能 夠確保處理性，並且減小基體4之大小，提高發光裝置之光提取效率。於僅含有二氧化鈦作為光反射材料之情形時，較佳為相對於密封構件7之總重量含有20~60重量%左右，更佳為含有30~50重量%左右。

又，藉由具有密封構件，能夠提高將半導體層之生長基板或支持體等去除、剝離等製程中之密封構件7之強度。進而，能夠確保發光裝置整體之強度。藉由利用散熱性較高之材料形成密封構件，能夠在維持發光裝置之小型化之狀態下提高散熱性。

密封構件7之外形並無特別限定，例如為圓柱、四邊形柱等多邊形柱或與該等形狀近似之形狀、圓錐台、四角錐台等多角錐台，亦可一部分為透鏡狀等。其中，較佳為具有於基體4之長度方向上細長之形狀。又，較佳為具有沿著基體4之寬度方向之面。

密封構件7較佳為以與發光元件5之至少1個側面之一部分或全部接觸且被覆發光元件5之側面之方式配置，較佳為以包圍發光元件5之整個周圍之方式與發光元件5接觸地配置。於該情形時，密封構件7較佳為設置成在發光裝置之長度方向側之側面較厚，在短方向側之側面較薄。藉此，能夠實現發光裝置之薄型化。又，密封構件較佳為以填充所安裝之發光元件5與基體4之間之方式設置。藉此，能夠提高發光裝置之強度。配置於發光元件5與基體4之間之密封構件7亦可為與被覆發光元件5之側面之材料不同之材料。藉此，能夠在配置於發光元件5之側面之密封構件7與配置於發光元件5與基體4之間之構件之間分別賦予適當之功能。例如，配置於發光元件5之側面之密封構件7可設為反射率較高之材料，配置於發光元件5與基體4之間之構件可設為使兩者之密接性牢固之材料。

特佳為配置於發光元件5與基體4之間之密封構件7由具有與外部連接端子3之線膨脹係數同等±20%之線膨脹係數的樹脂構成。又，就 另一觀點而言，較佳為由具有約30ppm/℃以下之線膨脹係數之樹脂構成，更佳為約25ppm/℃以下。就又一觀點而言，較佳為50℃以下之玻璃轉移溫度，更佳為0℃以下。藉此，能夠防止密封構件7與基體4之剝離。

密封構件7之俯視(自光提取面側觀察之俯視)時之緣部亦可配置於基體4之較緣部更靠內側或外側。於密封構件7為在長度方向上細長之形狀之情形時，沿其長度方向之1個緣部較佳為與基體4之沿長度方向之緣部一致。亦即，密封構件7之沿長度方向之端面之至少一者較佳為與基體4之沿長度方向之端面之一者形成同一面，更佳為兩者形成同一面。藉此，不增大發光裝置之厚度便可增大光提取面之面積，從而能夠提高光提取效率。密封構件7之沿短方向之緣部通常配置於較基體4之沿短方向之緣部更靠內側。此處，同一面不僅係嚴格之意義，於密封構件7具有略微之圓弧形狀之情形時，亦包含該圓弧形狀之一部分與基體4之端面一致者。

於自光提取面側觀察之情形時，密封構件7之大小較佳為較發光元件5大之平面面積。特佳為其最外形之長度方向之長度具有發光元件5之一邊之1.01~4.0倍左右之邊長。具體而言，較佳為300~2000μm左右，更佳為1000~1500μm左右。密封構件7之厚度(亦指自光提取面側觀察之情形時之發光元件5之端面至密封構件7之最外形之寬度或發光元件5之側面上之密封構件7之最小寬度)可列舉例如1~1000μm左右，較佳為50~500μm左右、100~200μm左右。於將發光元件5搭載於基體4上之情形時，密封構件7較佳為設為密封構件7之上表面與發光元件5之上表面形成同一面之高度。密封構件7可藉由網版印刷、灌注、轉注成形、壓縮成形等形成。於使用成形機之情形時，亦可使用脫模膜。

為了密封(被覆)發光元件5之整個側面、發光元件5之與基體4對 向之面等，密封構件7通常於將發光元件5安裝於基體4之後形成，但亦可於將發光元件5安裝於基體4之前，以被覆發光元件5之上表面或側面之方式設置。

[透光性構件10]

發光元件5較佳為於其上表面、亦即發光裝置之光提取面設置有透光性構件10。於發光元件5之側面被遮光性之密封構件7被覆，且發光元件之上表面未被密封構件被覆之情形時，透光性構件10較佳為被覆密封構件7之上表面。透光性構件10之端面既可被密封構件被覆，亦可不被密封構件被覆。

透光性構件10較佳為使自發光層出射之光之60%以上透過，進而較佳為使70%、80%或90%以上透過。作為此種構件，亦可為與密封構件7相同之構件，但亦可為不同之構件。例如可列舉聚矽氧樹脂、聚矽氧改性樹脂、聚矽氧變性樹脂、環氧樹脂、環氧改性樹脂、酚系樹脂、聚碳酸酯樹脂、丙烯酸系樹脂、TPX(聚甲基戊烯)樹脂、聚降冰片烯樹脂、或含有1種以上該等樹脂之混合樹脂等樹脂、玻璃等。其中，較佳為聚矽氧樹脂或環氧樹脂，尤其更佳為耐光性、耐熱性優異之聚矽氧樹脂。

較佳為於透光性構件10中含有被來自發光元件5之光激發之螢光體。螢光體可使用該領域中公知者。例如，可列舉被鈰活化之釔-鋁-石榴石(YAG)系螢光體、被鈰活化之鎦-鋁-石榴石(LAG)、被銪及/或鉻活化之含氮之鋁矽酸鈣(CaO-Al₂O₃-SiO₂)系螢光體、被銪活化之矽酸鹽((Sr,Ba)₂SiO₄)系螢光體、β塞隆螢光體、CASN系或SCASN系螢光體等氮化物系螢光體、KSF系螢光體(K₂SiF₆：Mn)、硫化物系螢光體等。藉此，能夠製成出射可見波長之一次光及二次光之混色光(例如，白色系)之發光裝置、被紫外光之一次光激發並出射可見波長之二次光之發光裝置。於將發光裝置用於液晶顯示器之背光等之情形 時，較佳為使用被藍色光激發而發出紅色光之螢光體(例如，KSF系螢光體)及發出綠色光之螢光體(例如，β塞隆螢光體)。藉此，能夠擴大使用發光裝置之顯示器之顏色再現範圍。於用於照明等之情形時，能夠組合使用發出藍綠色之光之元件與紅色螢光體。

螢光體較佳為例如中心粒徑為50μm以下、30μm以下、10μm以下者。中心粒徑可利用市售之粒子測定器或粒度分佈測定器等進行測定及算出。再者，上述粒徑係指藉由F.S.S.S.No(Fisher Sub Sieve Sizer’s No)中之空氣透過法而獲得之粒徑。尤其是於使用YAG等作為螢光體之情形時，較佳為將該等超微粒子均勻地分散並燒結所得之塊體(例如，板狀體)。藉由此種形態，作為單晶構造及/或多晶構造，能夠減少孔隙、雜質層而確保較高之透明性。

螢光體亦可為例如被稱為所謂之奈米晶體、量子點之發光物質。作為其等之材料，可列舉半導體材料、例如II-VI族、III-v族、IV-VI族半導體，具體而言，可列舉CdSe、核殼型之CdS_xSe_1-x/ZnS、GaP等奈米尺寸之高分散粒子。此種螢光體可列舉例如粒徑為1~20nm(原子10~50個)左右。藉由使用此種螢光體，能夠抑制內部散射，且可進一步提高光之透過率。藉由抑制內部散射，能夠增加光向相對於上表面垂直之方向之配光成分，同時能夠抑制朝向發光裝置之側面或下表面之光，由此，能夠進一步提高光提取效率。例如，於應用於背光之情形時，能夠進一步增加向背光之入光效率。量子點螢光體由於不穩定，故而亦可利用PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)等樹脂進行表面修飾或穩定化。其等可為混合於透明樹脂(例如環氧樹脂、聚矽氧樹脂等)而成形之塊體(例如，板狀體)，亦可為與透明樹脂一併密封於玻璃板之間之板狀體。

透光性構件10較佳為由選自積層複數層含有粒子狀之螢光體之粒子層而成之層狀、多晶透明之螢光體板及單晶透明之螢光體板中之 任一構件構成。藉此，於透光性構件10，能夠進一步減少散射，且能夠更進一步提高光之提取效率等。

螢光體並不限定於在上述構件中含有，亦可設置於發光裝置之各種位置或構件中。例如，亦可作為於不含螢光體之透光性構件上塗佈、接著等之螢光體層而設置。

透光性構件10亦可含有填充材料(例如，擴散劑、著色劑等)。例如，可列舉矽石、氧化鈦、氧化鋯、氧化鎂、玻璃、螢光體之結晶或燒結體、螢光體與無機物之結合材料之燒結體等。亦可任意地調整填充材料之折射率。例如可列舉1.8以上。

填充劑之粒子之形狀可為破碎狀、球狀、中空及多孔質等中之任一形狀。粒子之平均粒徑(中值粒徑)較佳為能以較高之效率獲得光散射效果之0.08~10μm左右。螢光體及/或填充材料較佳為例如相對於透光性構件10之總重量為10~80重量%左右。

形成透光性構件10之方法可列舉如下方法：將透光性構件成形為片狀且以熱熔方式或利用接著劑進行接著之方法、藉由電泳沈積法使螢光體附著後含浸透光性樹脂之方法、灌注法、壓縮成型法、噴霧法、靜電塗佈法、印刷法等。此時，為了調整黏度或流動性，亦可添加矽石(艾羅枝)等。其中，於透光性構件中含有螢光體之情形時，較佳為噴霧法，特佳為呈脈衝狀即間歇性地噴射噴霧之脈衝噴霧方式。藉由間歇性地進行噴霧噴射，能夠減少每單位時間之透光性構件之噴射量。因此，藉由使噴霧噴射之噴嘴一面以較少之噴射量進行噴霧噴射一面以低速移動，而能夠在具有凹凸形狀之塗佈面均勻地塗佈螢光體。又，脈衝噴霧方式與連續噴霧方式相比，不降低來自噴嘴之漿體之噴出速度便可降低空氣之風速。因此，可向塗佈面良好地供給漿體，且所塗佈之漿體不會被氣流打亂。其結果，能夠形成螢光體之粒子與發光元件5之表面之密接性較高之塗佈膜。又，能夠以複數之積 層數形成含有粒子狀螢光體之薄膜之粒子層。如此，藉由控制積層數，可提高其厚度之精度。又，能夠抑制螢光體分布之不均，且能夠均勻地出射經波長轉換之光，從而能夠避免產生發光元件5之顏色不均等。

脈衝噴霧法係例如日本專利特開昭61-161175號公報、日本專利特開2003-300000號公報及WO2013/038953號公報所記載之公知之方法，能夠適當地調整其使用材料、條件等。例如，所塗佈之漿體含有溶劑、熱固性樹脂、及粒子狀之螢光體。作為熱固性樹脂，例如可使用聚矽氧樹脂、環氧樹脂、尿素樹脂等。作為溶劑，可使用正己烷、正庚烷、甲苯、丙酮、異丙醇等有機溶劑。螢光體較佳為使用例如10~80重量%。漿體較佳為調整成0.01~1000mPa．s左右，更佳為0.1~100mPa．s左右。

透光性構件10之厚度並無特別限定，例如可列舉1~300μm左右，較佳為1~100μm左右，更佳為2~60μm左右、5~40μm左右。其中，於藉由噴霧法進行積層之情形時，透光性構件較佳為氮化物半導體積層體之總厚度之20倍以下之厚度，更佳為10倍以下，進而較佳為6倍以下、4倍以下、3倍以下。藉由設為此種厚度，能夠充分地進行光之波長轉換，並且提供更小型且薄膜之發光裝置。就另一觀點而言，透光性構件較佳為具有發光元件5之側面上之密封構件7之厚度之2倍以下之厚度，更佳為設為最小寬度之2倍以下，進而較佳為同等以下。藉由設為此種相對較薄之厚度，如下所述般，不論有無被密封構件7被覆，自發光元件5出射之光均不會自透光性構件之端面(側面)出射，能夠僅向光提取面之1個方向提取光。由此，能夠提高光提取效率。

尤其是於背光用途中，此種相對較薄之厚度之透光性構件能夠進一步提高發光元件5之發光效率及背光裝置之發光效率。例如，如 上所述，能夠減少側面光相對於正面光之比率，從而能夠提高向背光之導光板之入光效率。又，由於能夠減少樹脂量，故而能夠降低熱放射率相對較低之透明樹脂之比率，且減少蓄熱。同時能夠增加發光元件5與螢光體或螢光體彼此之接觸面積，故而能夠確保傳熱路徑。由此，能夠改善散熱性並改善發光效率。進而，能夠將發光元件5表面至導光板入光之距離設為最小，故而能夠使光以更高亮度入射至背光裝置之導光板，從而能夠提高背光裝置中之發光效率。

透光性構件10之上表面(光提取面)既可為平面，為了控制配光，亦可將其上表面(光提取面)及/或與發光元件相接之面設為凸面、凹面等凹凸面。如上所述，於積層有含有粒子狀螢光體之複數個粒子層之情形時，與螢光體之粒徑對應之凹凸被轉移至透光性構件10之表面。藉此，藉由積層含有螢光體之較薄之透光性構件，能夠一面防止螢光體之凝聚且防止其脫落，一面減少樹脂而獲得適度之凹凸形狀。其結果，對光提取有效。亦即，若考慮透光性構件10之變色或壽命、散熱性，則如透光性構件10之含樹脂之構件只要能夠維持接著強度等，則較薄越好。另一方面，擔心透光性構件脫落。然而，藉由減少樹脂而獲得適度之凹凸形狀，能夠解決該等問題。

透光性構件10亦可於將發光元件5安裝於基體4之前接著於發光元件5之上表面，並設置於發光裝置。尤其是於發光元件5由去除了半導體層生長用之基板之半導體積層體構成之情形時，藉由接著或固定於例如玻璃、陶瓷等硬質之透光性構件10而能夠使發光元件5之強度提高，且可提高處理性、發光元件5之安裝之可靠性等。

[絕緣構件]

本發明之實施形態之發光裝置較佳為於基體4上以被覆外部連接端子3之至少一部分之方式配置有絕緣構件。絕緣構件更佳為與密封構件7相接。進而，絕緣構件較佳為配置於外部連接端子3之元件連接 部與外部連接部之間，更佳為以將元件連接部與外部連接部之間之表面區域完全分離之方式配置。藉此，如下所述，於將發光裝置安裝於安裝基板51之情形時，能夠避免焊料沿著外部連接端子3表面浸入而使發光裝置之可靠性下降之情況。

絕緣構件較佳為以密封構件7之緣部配置於絕緣構件上之方式配置於外部連接端子3上。藉此，能夠提高密封構件7與基體4之密接性，減少密封構件7剝離之虞。尤其是於如上所述般密封構件7具有於長度方向上較長之形狀之情形時，更佳為以密封構件7之長度方向之緣部配置於絕緣構件上之方式配置於外部連接端子3上。藉此，即便於基體4翹曲或扭曲之情形時，亦能夠減少密封構件7剝離之虞。絕緣構件亦可以被覆一對外部連接端子3之各者之方式設置一對，或亦可連續地被覆一對外部連接端子3。

絕緣構件只要具有絕緣性，則可由任意之材料形成。例如，可使用上述密封構件7、下述透光性構件中所例示之材料。其中，較佳為使用含有白色材料之耐熱性較高之聚矽氧樹脂。

絕緣構件之形狀並無特別限定，較佳為自元件連接部之鄰接部位連續至密封構件7之外側亦即外部連接部之帶狀。具體而言，長度方向上之絕緣構件之長度可列舉密封構件7之1/10~1/5左右之長度。絕緣構件之寬度較佳為與基體4及/或密封構件7之寬度相同，或為其以下。藉由設為此種寬度，能夠與基體4及/或密封構件7之一端面形成同一面，進而能夠與基體4及密封構件7之對向之端面之兩者形成同一面。尤其是於外部連接端子3存在成為窄寬度之部位之情形時，較佳為完全被覆其成為窄寬度之部位。藉此，如下所述，於將發光裝置安裝於安裝基板51之情形時，能夠避免焊料沿著外部連接端子3表面浸入而使發光裝置之可靠性下降之情況。

絕緣構件可藉由將上述材料成形為片狀並黏貼之方法、印刷 法、電泳沈積法、灌注法、壓縮成型、噴霧法、靜電塗佈法等形成。絕緣構件之厚度並無特別限定，例如可列舉10~300μm左右。於使用模具成形密封構件7之情形時，絕緣構件較佳為自密封構件7之下方連續地形成至外部連接部側。藉此，能夠防止成形密封構件7之模具與外部連接端子3接觸而損傷外部連接端子3。

(實施例)

以下，基於圖式對本發明之發光裝置之實施例進行說明。如圖1~圖2所示，本實施例之發光裝置1係包含基體4、發光元件5、及密封構件7而構成，該基體4具備於第1主面上具有一對外部連接端子3之母材2。基體4係於母材2之表面、亦即作為第1主面之上表面2a、沿短方向延伸之端面2b及作為第2主面之下表面2c形成自母材2側起積層Cu/Ni/Au(合計厚度：20μm，線膨脹係數：20ppm/℃左右)而構成之一對外部連接端子3而構成。基體4係長度方向之長度為1.8mm，短方向之寬度為0.3mm，厚度為0.45mm，且作為配線基板發揮功能。關於其強度，利用拉伸試驗機測定之值為300MPa以上。

母材2包含含有市售之玻璃布之萘系之含有環氧樹脂之BT樹脂組合物(三菱瓦斯化學公司製造：HL832NSF typeLCA)。該母材2含有玻璃纖維、球狀矽石、球狀聚矽氧、碳，且具有長方體形狀。母材2(無外部連接端子之狀態)之線膨脹係數為3ppm/℃左右，構成母材2之樹脂之玻璃轉移溫度為280℃左右。

一對外部連接端子3於母材2之上表面2a側之中央部相互接近，且具有突出圖案3a作為元件連接部。突出圖案3a可由含有銅之層(突出厚度20μm)藉由利用掩膜之鍍敷而形成。該突出圖案3a於與形成於下述發光元件5之一對電極對向之位置為與該等電極之大小同等之大小。

一對外部連接端子3分別自作為元件連接部之突出圖案3a沿長度 方向延伸，且自母材2之上表面2a經由端面2b連續地形成至下表面2c。於外部連接端子3中，自作為元件連接部之突出圖案3a延長並連續至母材2之下表面2c之部位(剖視時呈U字狀之部位)成為外部連接部3b(參照圖2)。外部連接端子3之沿長度方向之緣部與基體4之沿長度方向之緣部一致，外部連接端子3之沿長度方向之端面與基體4之沿長度方向之端面形成同一面。

外部連接端子3在突出圖案3a與外部連接部3b之間具有成為窄寬度之部位(參照圖17)。又，雖未圖示，但基體4之第2主面上之外部連接部3b之一部分具有成為窄寬度之部位。

於連接端子3之突出圖案3a覆晶安裝有1個發光元件5。發光元件5係於藍寶石基板(厚度：150μm左右)上形成氮化物半導體之積層體(厚度：8~12μm左右)，且於積層體之與藍寶石基板為相反側之表面具有正負一對電極。發光元件5之正負一對電極分別藉由作為Au-Sn共晶焊料之熔融性焊料(厚度：20μm)而連接於基體4之一對外部連接端子3之突出圖案3a。再者，由於在藍寶石基板表面具有凹凸(高度：0.5μm，間距：10μm)，故而在氮化物半導體積層體之對應之面上亦具有其引起之凹凸。藉由利用此種外部連接端子3之突出圖案3a，而於安裝發光元件時，與其形狀及位置相結合地控制熔融性之焊料之量，藉此，能夠防止接合構件向不期望之區域侵入。其結果，能夠使發光元件高精度地對準於所期望之部位，從而將發光元件固定於適當部位。

發光元件5係長度方向之長度為0.9mm、短方向之寬度為0.2mm、厚度為0.15mm之長方體狀之發藍色光(發光峰值波長455nm)之LED(Light-Emitting Diode，發光二極體)晶片。發光元件5之側面之表面粗糙度Ra為1.0μm以下。

密封構件7成形為長度方向之長度(全長)為1.2mm、短方向之寬 度(全長)為0.3mm、厚度為0.15mm之大致長方體狀。亦即，密封構件7之沿長度方向之緣部分別與基體4之沿長度方向之緣部一致。密封構件7以與發光元件5相接且與其側面之全周接觸而被覆之方式設置於基體4之第1主面。又，密封構件7亦設置於發光元件5之與基體4對向之面側。亦即，密封構件7係配置於發光元件5與大致完全地被覆突出圖案3a之熔融性之焊料之間，且大致完全地被覆熔融性之焊料之表面。進而，亦可設置於發光元件5與基體4之間。藉此，能夠將光自發光元件5高效率地提取至上表面。又，藉由密封構件7亦設置於發光元件5之與基體4對向之面側，而能夠使發光元件5更牢固地連接於基體4。密封構件7之上表面與發光元件5之上表面大致一致。

密封構件7係由聚矽氧樹脂形成，上述聚矽氧樹脂相對於密封構件7之總重量分別含有2~2.5wt%及40~50wt%之平均粒徑為14μm之矽石及作為無機粒子之平均粒徑為0.25~0.3μm之氧化鈦。聚矽氧樹脂之玻璃轉移溫度為40℃，線膨脹係數為50ppm/℃左右。密封構件7之沿長度方向之緣部與基體4之沿長度方向之緣部一致，密封構件7之沿長度方向之端面與基體4之沿長度方向之端面形成同一面。

於發光元件5上、亦即與正負一對電極為相反側之表面配置有透光性構件10(厚度：20μm)。該透光性構件10係藉由脈衝噴霧法將含有中心粒徑為8μm左右之YAG：Ce之螢光體之聚矽氧樹脂積層3層而形成者。透光性構件10被覆密封構件7之上表面。透光性構件10之端面與密封構件7之端面一致。

此種發光裝置中，供搭載發光元件之基體之線膨脹係數極低，因此，能夠將於製造過程中及之後承受之熱而引起之發光元件與基體之間之線膨脹之差異抑制得極低。藉此，能夠防止兩者之線膨脹差所引起之兩者間之剝離或對發光元件之不需要之應力負荷，從而能夠確保電性連接。其結果，可獲得壽命長且具有優異特性之發光裝置。

如上所述，構成基體之母材係使用具有250℃以上之較高之玻璃轉移溫度、且線膨脹係數較小之樹脂，且於該樹脂中任意地含有SiO₂、Al₂O₃、玻璃布等無機填料，且以較高之比率含有具有散熱性之碳黑、賦予彈性模數之聚矽氧填料等。藉此，能夠高效率地釋放在發光元件之驅動中產生之熱。尤其是於用於被碳黑等著色成黑色之母材之情形時，由於遠紅外線等之放射率較高，故而能夠藉由熱放射而有效率地散熱。又，於利用熱吸收率較高之材料、可見光範圍之電磁波之吸收率較低之材料、吸收遠紅外線等長波長之電磁波之材料、熱導率較高之材料塗裝基體之與密封構件相接之面側之情形時，能夠進一步提高散熱性。藉此，能夠改善小型發光裝置之散熱性，且改善螢光體對光之波長轉換效率，並且能夠改善發光元件之發光效率。

如圖18所示，該半導體發光裝置1係以基體4之沿長度方向之一對端面與密封構件7之沿長度方向之一對端面分別形成同一面之方式配置。將形成該等同一面之一端面設為半導體發光裝置1之安裝面，以側視型安裝於表面具有焊盤圖案52之安裝基板51上。

安裝係將半導體發光裝置1之一對外部連接部3b分別載置於與安裝基板51之正極及負極對應之焊盤圖案52上，並藉由焊料53而連接。焊料53於呈U字狀彎曲之外部連接部3b中，不僅於基體4之第1主面，而且遍及至端面及第2主面，擴大與小型之外部連接端子3之接觸面積而連接。藉此，能夠在發光裝置之側面形成圓角，從而能夠提高發光裝置之散熱性及安裝穩定性。

進而，密封構件之沿長度方向之端面及基體4之沿長度方向之端面之兩者與安裝基板51之表面相接。

於以上之實施例中，對LED或LD(雷射二極體)等半導體發光裝置之安裝構造進行了說明，但本發明並不限於半導體發光裝置，亦能夠適用於其他半導體裝置，例如於光接收元件或放大元件等之安裝時亦 可應用。尤其是於安裝小型之半導體裝置時，於姿勢之定位控制較為重要之用途中能夠較佳地利用本發明。

[產業上之可利用性]

本發明之發光裝置之安裝構造、背光及安裝基板能夠利用於液晶顯示器用之背光光源、各種照明器具、大型顯示器、廣告、目的地指南等各種顯示裝置，進而，能夠利用於數位攝錄影機、傳真機、影印機、掃描儀等中之圖像讀取裝置、投影裝置等。

1‧‧‧半導體發光裝置

3‧‧‧外部連接端子

4‧‧‧基體

7‧‧‧密封構件

10‧‧‧透光性構件

31‧‧‧面狀金屬區域

32‧‧‧線狀區域

d‧‧‧高度

Claims (17)

1. 一種半導體裝置之安裝構造，其特徵在於包括：半導體裝置，其具備在長度方向之兩端部分別配置之外部連接端子；及安裝基板，其供安裝上述半導體裝置；且上述外部連接端子於用以安裝於上述安裝基板之安裝面具有金屬區域，上述半導體裝置於由上述金屬區域界定之區域具有裝置側安裝絕緣區域，上述安裝基板於其安裝面側具備焊盤圖案，該焊盤圖案係由導體形成於絕緣體上，且用以連接上述外部連接端子，上述焊盤圖案係形成為將上述半導體裝置之由外部連接端子包圍之端部包圍之大小，且形成具有沿上述裝置側安裝絕緣區域之外周之形狀的焊盤側絕緣區域而成。
2. 如請求項1之半導體裝置之安裝構造，其構成為上述金屬區域包含由上述外部連接端子之端緣構成之線狀區域，以該線狀區域包圍上述裝置側安裝絕緣區域。
3. 如請求項2之半導體裝置之安裝構造，其中上述線狀區域係形成為字狀。
4. 如請求項1之半導體裝置之安裝構造，其中上述半導體裝置進而具備沿一方向延長之絕緣性之基體。
5. 如請求項4之半導體裝置之安裝構造，其中上述外部連接端子於與上述安裝面交叉之基體之側面具有矩形之面狀金屬區域。
6. 如請求項5之半導體裝置之安裝構造，其中於使上述裝置側安裝絕緣區域與上述焊盤側絕緣區域一致之狀態下，連接該焊盤圖 案與上述外部連接端子之接合構件(53)自上述金屬區域之周圍向上蔓延至上述面狀金屬區域而接合。
7. 如請求項1之半導體裝置之安裝構造，其中上述金屬區域具備具有呈字狀連續之三邊之形狀，且將由該三邊包圍之區域設為裝置側安裝絕緣區域。
8. 如請求項1之半導體裝置之安裝構造，其中上述焊盤圖案係將整體設為大致矩形，且於其一邊之大致中央形成凹狀之焊盤側絕緣區域而成。
9. 如請求項1之半導體裝置之安裝構造，其中上述焊盤圖案係於相隔之一對大致矩形之對向之邊分別形成上述焊盤側絕緣區域而成。
10. 如請求項1之半導體裝置之安裝構造，其中使上述焊盤側絕緣區域之開口寬度較上述裝置側安裝絕緣區域之寬度窄。
11. 如請求項1之半導體裝置之安裝構造，其中使上述焊盤側絕緣區域之開口寬度較上述裝置側安裝絕緣區域之寬度寬。
12. 如請求項1之半導體裝置之安裝構造，其中上述焊盤側絕緣區域之開口寬度為0.2mm以下。
13. 如請求項1之半導體裝置之安裝構造，其中上述半導體裝置之高度為0.5mm以下。
14. 如請求項1之半導體裝置之安裝構造，其中上述半導體裝置為半導體發光裝置。
15. 如請求項1之半導體裝置之安裝構造，其中上述半導體裝置為背光用光源。
16. 一種背光裝置，其特徵在於：其係使用導光板之邊緣照明型之背光裝置，且包括：導光板，其用以自端面射入光； 安裝基板，其配置於上述導光板之端緣；及半導體發光裝置，其係於上述安裝基板上，以使發光面與上述導光板之端面對向之方式安裝，且具備於長度方向之兩端部分別配置之外部連接端子；上述外部連接端子於用以與上述安裝基板安裝之安裝面具有金屬區域，於由上述金屬區域包圍之區域，具有絕緣性之裝置側安裝絕緣區域，上述安裝基板具備焊盤圖案，該焊盤圖案係由導體形成於上述安裝基板之表面之絕緣體上，且用以連接上述外部連接端子，上述焊盤圖案係形成為將上述半導體發光裝置之由外部連接端子包圍之端部包圍之大小，且形成具有沿上述裝置側安裝絕緣區域之外周之形狀的絕緣區域即焊盤側絕緣區域而成。
17. 一種安裝基板，其特徵在於：其係用以安裝具備自基體露出之外部連接端子的半導體裝置者，且於其表面之安裝面側具備焊盤圖案，該焊盤圖案係由導體形成於絕緣體上，且用以連接外部連接端子，上述焊盤圖案係形成為將半導體裝置之由外部連接端子包圍之端部包圍之大小，且形成具有如下形狀之絕緣區域即焊盤側絕緣區域而成，該形狀係沿形成於由外部連接端子包圍之區域之絕緣性區域即裝置側安裝絕緣區域之外周的形狀。