JP3497330B2 - 側面発光型ｌｅｄランプ及びこれを搭載した携帯電話 - Google Patents
側面発光型ｌｅｄランプ及びこれを搭載した携帯電話Info
- Publication number
- JP3497330B2 JP3497330B2 JP25788896A JP25788896A JP3497330B2 JP 3497330 B2 JP3497330 B2 JP 3497330B2 JP 25788896 A JP25788896 A JP 25788896A JP 25788896 A JP25788896 A JP 25788896A JP 3497330 B2 JP3497330 B2 JP 3497330B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- led lamp
- light emitting
- chip
- mold
- solder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は表面実装型の発光ダ
イオードに関し、特にリードレスタイプの発光ダイオー
ド（チップＬＥＤ）に関する。
イオードに関し、特にリードレスタイプの発光ダイオー
ド（チップＬＥＤ）に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来例の表面実装型の発光ダイオード、
特にリードレスタイプの発光ダイオード（チップＬＥ
Ｄ）に関する従来例として、例えば、特開平５−２９６
５９号公報、（発明の名称：側面発光型ＬＥＤランプと
その製造方法、出願人：シャープ株式会社）があり、こ
れを図６に示す。
特にリードレスタイプの発光ダイオード（チップＬＥ
Ｄ）に関する従来例として、例えば、特開平５−２９６
５９号公報、（発明の名称：側面発光型ＬＥＤランプと
その製造方法、出願人：シャープ株式会社）があり、こ
れを図６に示す。
【０００３】図６（ａ）は側面発光型ＬＥＤランプをプ
リント基板に実装した斜視図であり、図６（ｂ）は側面
発光型ＬＥＤランプの正面図であり、図６（ｃ）は側面
発光型ＬＥＤランプの側面図である。
リント基板に実装した斜視図であり、図６（ｂ）は側面
発光型ＬＥＤランプの正面図であり、図６（ｃ）は側面
発光型ＬＥＤランプの側面図である。
【０００４】図６（ａ）において、側面発光型ＬＥＤラ
ンプ５０はプリント基板５５の上に実装されている。側
面発光型ＬＥＤランプ５０の構造はチップを搭載する基
板（セラミックス材料又は耐熱性樹脂材料）５２上に発
光ダイオードチップ５１が搭載され、その上面を透光性
樹脂でモールド５３した形である。側面発光型ＬＥＤラ
ンプ５０の電極５４ａ及び５４ｂは半田（図示せず）等
の導体で、プリント基板５５上の半田パッド（電極パタ
ーン）５６ａ及び５６ｂと接続されている。
ンプ５０はプリント基板５５の上に実装されている。側
面発光型ＬＥＤランプ５０の構造はチップを搭載する基
板（セラミックス材料又は耐熱性樹脂材料）５２上に発
光ダイオードチップ５１が搭載され、その上面を透光性
樹脂でモールド５３した形である。側面発光型ＬＥＤラ
ンプ５０の電極５４ａ及び５４ｂは半田（図示せず）等
の導体で、プリント基板５５上の半田パッド（電極パタ
ーン）５６ａ及び５６ｂと接続されている。
【０００５】図６（ｂ）は側面発光型ＬＥＤランプの正
面図であり、チップ搭載用基板５２の構造を示してい
る。側面発光型ＬＥＤランプ５０の電極５４ａ及び５４
ｂは斜線で示されており、メッキ等の方法で形成され、
発光ダイオードチップ５１はその一方の電極、例えば５
４ａに銀ペースト等でマウントされる。発光ダイオード
チップ５１の他の電極は金線５７により電極５４ｂとワ
イヤーボンディングされている。
面図であり、チップ搭載用基板５２の構造を示してい
る。側面発光型ＬＥＤランプ５０の電極５４ａ及び５４
ｂは斜線で示されており、メッキ等の方法で形成され、
発光ダイオードチップ５１はその一方の電極、例えば５
４ａに銀ペースト等でマウントされる。発光ダイオード
チップ５１の他の電極は金線５７により電極５４ｂとワ
イヤーボンディングされている。
【０００６】図６（ｃ）は側面発光型ＬＥＤランプの側
面図であり、５１は発光ダイオードチップ、５２はチッ
プ装着用基板、５３は透光性樹脂、５４ａは側面発光型
ＬＥＤランプ５０の電極である。
面図であり、５１は発光ダイオードチップ、５２はチッ
プ装着用基板、５３は透光性樹脂、５４ａは側面発光型
ＬＥＤランプ５０の電極である。
【０００７】又別の従来例として、平板型のチップ搭載
用基板を用いた側面発光型ＬＥＤランプを図７に示す。
図７において、側面発光型ＬＥＤランプ５８の構造はチ
ップを搭載する基板（セラミックス材料又は耐熱性樹脂
材料）５９上に発光ダイオードチップ６０が搭載され、
その上面を透光性樹脂でモールド６１した形である。こ
の側面発光型ＬＥＤランプ５８の電極６２ａ及び６２ｂ
はプリント基板６３上の半田パッド（電極パターン）６
４ｂと半田等で接続されている（他の一方の電極パター
ン（半田パッド）６４ａは図示されていない。）。６５
は金線であり、発光ダイオードチップ６０の一方の電極
と６２ｂとワイヤーボンディングされている。
用基板を用いた側面発光型ＬＥＤランプを図７に示す。
図７において、側面発光型ＬＥＤランプ５８の構造はチ
ップを搭載する基板（セラミックス材料又は耐熱性樹脂
材料）５９上に発光ダイオードチップ６０が搭載され、
その上面を透光性樹脂でモールド６１した形である。こ
の側面発光型ＬＥＤランプ５８の電極６２ａ及び６２ｂ
はプリント基板６３上の半田パッド（電極パターン）６
４ｂと半田等で接続されている（他の一方の電極パター
ン（半田パッド）６４ａは図示されていない。）。６５
は金線であり、発光ダイオードチップ６０の一方の電極
と６２ｂとワイヤーボンディングされている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来例の側面発光型Ｌ
ＥＤランプ５０又は５８をプリント基板上に半田等で実
装する場合、リフロー炉で加熱されて熔融した半田が凝
固する時に半田の表面張力の働きによって側面発光型Ｌ
ＥＤランプの位置ずれが生じていた。
ＥＤランプ５０又は５８をプリント基板上に半田等で実
装する場合、リフロー炉で加熱されて熔融した半田が凝
固する時に半田の表面張力の働きによって側面発光型Ｌ
ＥＤランプの位置ずれが生じていた。
【０００９】この位置ずれを図８（ａ）及び図８（ｂ）
を用いて説明する。図８（ａ）は図７の側面発光型ＬＥ
Ｄランプ５８のリフロー炉での状態を示す説明図であ
る。半田パッド６４ｂ上の半田６６は熔融しており、基
板５９上が半田の浮力で半田６６中に浮かんでいる。基
板５９はモールド６１の重量のためにモールド６１搭載
側に傾いている。このため、半田６６の分布に片寄りが
生じる場合があり、最悪の場合、半田６６が半田パッド
６４ｂをはみ出してモールド６１に付着してしまう場合
があった。また、傾きが大きくなってモールド６１がプ
リント基板６３に接触してしまう場合もあった。このよ
うな状態においては左右の半田パット上の半田の表面張
力の働きによって、基板５９の位置ずれが生じやすかっ
た。
を用いて説明する。図８（ａ）は図７の側面発光型ＬＥ
Ｄランプ５８のリフロー炉での状態を示す説明図であ
る。半田パッド６４ｂ上の半田６６は熔融しており、基
板５９上が半田の浮力で半田６６中に浮かんでいる。基
板５９はモールド６１の重量のためにモールド６１搭載
側に傾いている。このため、半田６６の分布に片寄りが
生じる場合があり、最悪の場合、半田６６が半田パッド
６４ｂをはみ出してモールド６１に付着してしまう場合
があった。また、傾きが大きくなってモールド６１がプ
リント基板６３に接触してしまう場合もあった。このよ
うな状態においては左右の半田パット上の半田の表面張
力の働きによって、基板５９の位置ずれが生じやすかっ
た。
【００１０】図８（ｂ）は図７の側面発光型ＬＥＤラン
プ５８の位置ずれを説明する説明図である。熔融した半
田（図示せず）が凝固する時、プリント基板６３（図示
せず）上の半田パッド（電極パターン）６４ａ及び６４
ｂと側面発光型ＬＥＤランプの電極６２ａ及び６２ｂと
の間で位置ずれが起こる。位置ずれには半田パッド内で
の前後移動（以後これをＬ方向と呼ぶ）と水平面内の回
転によるずれ（以後これをθずれと呼ぶ）とが生じる。
しかし、前者の前後移動のＬ方向の位置ずれは、半田パ
ッド内であれば、面実装電子機器の許容範囲内であり、
大きな問題にはならない。一方、θずれは側面発光型Ｌ
ＥＤランプの発光光軸がずれることであり、θずれの許
容範囲は狭く、発光光軸のずれは１０度以内である。し
かし、従来例では、０度〜６０度程度にもなっていた。
θずれを少なくすることが、本発明の課題である。
プ５８の位置ずれを説明する説明図である。熔融した半
田（図示せず）が凝固する時、プリント基板６３（図示
せず）上の半田パッド（電極パターン）６４ａ及び６４
ｂと側面発光型ＬＥＤランプの電極６２ａ及び６２ｂと
の間で位置ずれが起こる。位置ずれには半田パッド内で
の前後移動（以後これをＬ方向と呼ぶ）と水平面内の回
転によるずれ（以後これをθずれと呼ぶ）とが生じる。
しかし、前者の前後移動のＬ方向の位置ずれは、半田パ
ッド内であれば、面実装電子機器の許容範囲内であり、
大きな問題にはならない。一方、θずれは側面発光型Ｌ
ＥＤランプの発光光軸がずれることであり、θずれの許
容範囲は狭く、発光光軸のずれは１０度以内である。し
かし、従来例では、０度〜６０度程度にもなっていた。
θずれを少なくすることが、本発明の課題である。
【００１１】また、θずれを従来例の図７を用いて説明
したが、発光面が窪み型である従来例の図６の場合も、
同様にθずれが発生する。
したが、発光面が窪み型である従来例の図６の場合も、
同様にθずれが発生する。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の側面発光型ＬＥ
Ｄチップは、半田リフローによりプリント基板に対して
ほぼ垂直に実装されたチップ搭載用基板上に、発光ダイ
オードチップを搭載し、該発光ダイオードチップをモー
ルドした側面発光型ＬＥＤランプであって、前記発光ダ
イオードチップが前記チップ搭載用基板の片方の面にの
み搭載されており、他方の面には等価なモールドのみを
設けたことを特徴とするものである。
Ｄチップは、半田リフローによりプリント基板に対して
ほぼ垂直に実装されたチップ搭載用基板上に、発光ダイ
オードチップを搭載し、該発光ダイオードチップをモー
ルドした側面発光型ＬＥＤランプであって、前記発光ダ
イオードチップが前記チップ搭載用基板の片方の面にの
み搭載されており、他方の面には等価なモールドのみを
設けたことを特徴とするものである。
【００１３】
【００１４】
【００１５】 また、本発明の携帯電話は、上記構成の
側面発光型ＬＥＤランプを搭載したことを特徴とするも
のである。
側面発光型ＬＥＤランプを搭載したことを特徴とするも
のである。
【００１６】 ［作用］
本発明の側面発光型ＬＥＤチップ及び携帯電話によれ
ば、半田リフローによりプリント基板に対してほぼ垂直
に実装されたチップ搭載用基板上に、発光ダイオードチ
ップを搭載し、該発光ダイオードチップをモールドした
側面発光型ＬＥＤランプであって、前記発光ダイオード
チップが前記チップ搭載用基板の片方の面にのみ搭載さ
れており、他方の面には等価なモールドのみを設けたこ
とを特徴とするものであり、バランス用の略等価なモー
ルドの配置により、半田の溶融凝固時においても側面発
光型ＬＥＤランプの傾きが少なくなり、θずれを小さく
することができる。
ば、半田リフローによりプリント基板に対してほぼ垂直
に実装されたチップ搭載用基板上に、発光ダイオードチ
ップを搭載し、該発光ダイオードチップをモールドした
側面発光型ＬＥＤランプであって、前記発光ダイオード
チップが前記チップ搭載用基板の片方の面にのみ搭載さ
れており、他方の面には等価なモールドのみを設けたこ
とを特徴とするものであり、バランス用の略等価なモー
ルドの配置により、半田の溶融凝固時においても側面発
光型ＬＥＤランプの傾きが少なくなり、θずれを小さく
することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】図１乃至図５は本発明の一実施の
形態よりなる側面発光型ＬＥＤランプに関する図であ
り、図１は本発明の一実施の形態よりなる側面発光型Ｌ
ＥＤランプを示す図であり、リードレスタイプの発光ダ
イオード（チップＬＥＤ）を示す図であり、図１（ａ）
は側面発光型ＬＥＤランプをプリント基板に実装した斜
視図であり、図１（ｂ）は側面発光型ＬＥＤランプの上
面図である。図２は図１の側面発光型ＬＥＤランプのリ
フロー炉内での状態を示した説明図である。
形態よりなる側面発光型ＬＥＤランプに関する図であ
り、図１は本発明の一実施の形態よりなる側面発光型Ｌ
ＥＤランプを示す図であり、リードレスタイプの発光ダ
イオード（チップＬＥＤ）を示す図であり、図１（ａ）
は側面発光型ＬＥＤランプをプリント基板に実装した斜
視図であり、図１（ｂ）は側面発光型ＬＥＤランプの上
面図である。図２は図１の側面発光型ＬＥＤランプのリ
フロー炉内での状態を示した説明図である。
【００１８】図１（ａ）において、本発明による側面発
光型ＬＥＤランプ１０は、耐熱性樹脂材料の液晶ポリマ
ーなどの材質で構成されたチップ搭載用基板１１上に発
光ダイオードチップ１２が搭載され、その上面に透明エ
ポキシ樹脂等の材料で透光性のモールド１３を設けると
同時に、基板１１の反対側にもモールド１３とバランス
用の略等価なモールド１４を設けた形態をなしている。
前記基板１１の反対側に設けるモールド１４は、透光性
の物質でモールドする場合と、非透光性の物質でモール
ドする場合とがある。ここに、略等価とは、［１］形状
及び重量がほぼ等しい場合、または［２］重量がほぼ等
しい場合、もしくは［３］形状がほぼ等しい場合のいず
れかを意味している。また、側面発光型ＬＥＤランプ１
０の電極１５ａ及び１５ｂはプリント基板１６上の半田
パッドと半田により電気的及び機械的に接続されてい
る。また、１８は金線であり、発光ダイオードチップ１
２の一方の電極と１５ｂとワイヤーボンディングされて
いる。
光型ＬＥＤランプ１０は、耐熱性樹脂材料の液晶ポリマ
ーなどの材質で構成されたチップ搭載用基板１１上に発
光ダイオードチップ１２が搭載され、その上面に透明エ
ポキシ樹脂等の材料で透光性のモールド１３を設けると
同時に、基板１１の反対側にもモールド１３とバランス
用の略等価なモールド１４を設けた形態をなしている。
前記基板１１の反対側に設けるモールド１４は、透光性
の物質でモールドする場合と、非透光性の物質でモール
ドする場合とがある。ここに、略等価とは、［１］形状
及び重量がほぼ等しい場合、または［２］重量がほぼ等
しい場合、もしくは［３］形状がほぼ等しい場合のいず
れかを意味している。また、側面発光型ＬＥＤランプ１
０の電極１５ａ及び１５ｂはプリント基板１６上の半田
パッドと半田により電気的及び機械的に接続されてい
る。また、１８は金線であり、発光ダイオードチップ１
２の一方の電極と１５ｂとワイヤーボンディングされて
いる。
【００１９】図１（ｂ）は側面発光型ＬＥＤランプの上
面図であり、１１はチップ搭載用基板、１２は発光ダイ
オードチップ、１３は透光性モールド、１４はバランス
用の等価なモールド、１５ａ及び１５ｂは側面発光型Ｌ
ＥＤランプの電極、１６はプリント基板、１７ａ及び１
７ｂは半田パッド、１８はワイヤーボンディング用の金
線である。
面図であり、１１はチップ搭載用基板、１２は発光ダイ
オードチップ、１３は透光性モールド、１４はバランス
用の等価なモールド、１５ａ及び１５ｂは側面発光型Ｌ
ＥＤランプの電極、１６はプリント基板、１７ａ及び１
７ｂは半田パッド、１８はワイヤーボンディング用の金
線である。
【００２０】尚、図１において、半田付けの方法は、プ
リント基板１６上に半田ペーストをパターン印刷し、そ
の上に側面発光型ＬＥＤランプ１０を実装し、リフロー
炉で加熱（例えば、ピーク温度：２３０℃、コンベアス
ピード：１ｍ／ｍｉｎ、リフロー炉通過時間：５分間程
度）し、半田を熔融し、凝固させるが、バランス用の等
価なモールド１４が設けられているため、θずれは０度
〜８度程度と小さかった。
リント基板１６上に半田ペーストをパターン印刷し、そ
の上に側面発光型ＬＥＤランプ１０を実装し、リフロー
炉で加熱（例えば、ピーク温度：２３０℃、コンベアス
ピード：１ｍ／ｍｉｎ、リフロー炉通過時間：５分間程
度）し、半田を熔融し、凝固させるが、バランス用の等
価なモールド１４が設けられているため、θずれは０度
〜８度程度と小さかった。
【００２１】また、本発明の一実施の形態よりなる場合
の側面発光型ＬＥＤランプの大きさは、縦１．０〜３．
２ｍｍ、横０．５〜１．６ｍｍ、高さ０．５〜１．５ｍ
ｍ、重さは０．０２〜１．０グラム程度であり、プリン
ト基板と接する底面積は１．６ｍｍ×０．８ｍｍ程度で
あり、プリント基板と接する電極の面積は０．５ｍｍ×
０．８ｍｍ程度であった。また、プリント基板上の半田
パッド１７ａ及び１７ｂの大きさは、１．０ｍｍ×１．
０ｍｍ程度であった。
の側面発光型ＬＥＤランプの大きさは、縦１．０〜３．
２ｍｍ、横０．５〜１．６ｍｍ、高さ０．５〜１．５ｍ
ｍ、重さは０．０２〜１．０グラム程度であり、プリン
ト基板と接する底面積は１．６ｍｍ×０．８ｍｍ程度で
あり、プリント基板と接する電極の面積は０．５ｍｍ×
０．８ｍｍ程度であった。また、プリント基板上の半田
パッド１７ａ及び１７ｂの大きさは、１．０ｍｍ×１．
０ｍｍ程度であった。
【００２２】図２は図１の側面発光型ＬＥＤランプのリ
フロー炉内での状態を示した説明図であり、チップ搭載
用基板１１が半田パッド上１７ｂ上の溶融した半田の浮
力により半田１９に浮かんでいる状態を示したものであ
る。チップ搭載用基板１１の両側にはモールド１３及び
１４があるのでチップ搭載用基板１１は傾かず、基板１
６に対してほぼ垂直な状態を保っている。このため、従
来例のように半田１９の分布が片寄ったり、またモール
ドが基板１６に接触し、接触した部分を支点にして回転
したりすることがなくなるので、側面発光型ＬＥＤラン
プのθずれが減少する。
フロー炉内での状態を示した説明図であり、チップ搭載
用基板１１が半田パッド上１７ｂ上の溶融した半田の浮
力により半田１９に浮かんでいる状態を示したものであ
る。チップ搭載用基板１１の両側にはモールド１３及び
１４があるのでチップ搭載用基板１１は傾かず、基板１
６に対してほぼ垂直な状態を保っている。このため、従
来例のように半田１９の分布が片寄ったり、またモール
ドが基板１６に接触し、接触した部分を支点にして回転
したりすることがなくなるので、側面発光型ＬＥＤラン
プのθずれが減少する。
【００２３】図３は本発明の他の一実施の形態よりなる
側面発光型ＬＥＤランプを示す図であり、図３（ａ）は
バランス用の略等価なモールド内に同じ発光色の発光ダ
イオードチップ２０を搭載した場合の上面図であり、図
３（ｂ）はバランス用の等価なモールド内に異なる発光
色の発光ダイオードチップ２２を搭載した場合の上面図
である。
側面発光型ＬＥＤランプを示す図であり、図３（ａ）は
バランス用の略等価なモールド内に同じ発光色の発光ダ
イオードチップ２０を搭載した場合の上面図であり、図
３（ｂ）はバランス用の等価なモールド内に異なる発光
色の発光ダイオードチップ２２を搭載した場合の上面図
である。
【００２４】図３（ａ）において、発光ダイオードチッ
プ１２と同じ発光色の発光ダイオードチップ２０を略等
価な透光性のモールド２１でモールドすることにより、
１色発光型の２側面発光型（両面発光型）ＬＥＤランプ
２３として用いることができる。１１はチップ搭載用基
板、１２は発光ダイオードチップ、１３は透光性モール
ド、２１はバランス用の等価なモールド、１５ａ及び１
５ｂは側面発光型ＬＥＤランプの電極、１８はワイヤー
ボンディング用の金線である。
プ１２と同じ発光色の発光ダイオードチップ２０を略等
価な透光性のモールド２１でモールドすることにより、
１色発光型の２側面発光型（両面発光型）ＬＥＤランプ
２３として用いることができる。１１はチップ搭載用基
板、１２は発光ダイオードチップ、１３は透光性モール
ド、２１はバランス用の等価なモールド、１５ａ及び１
５ｂは側面発光型ＬＥＤランプの電極、１８はワイヤー
ボンディング用の金線である。
【００２５】図３（ｂ）において、透光性のモールド１
３内の発光ダイオードチップ１２と異なる色の発光ダイ
オードチップ２２をバランス用の略等価なモールド２１
内搭載することにより、２色発光型の２側面発光型（両
面発光型）ＬＥＤランプ２４として用いることができ
る。１１はチップ搭載用基板、１２は発光ダイオードチ
ップ、１３は透光性のモールド、１５ａ及び１５ｂは側
面発光型ＬＥＤランプの電極、１８はワイヤーボンディ
ング用の金線である。
３内の発光ダイオードチップ１２と異なる色の発光ダイ
オードチップ２２をバランス用の略等価なモールド２１
内搭載することにより、２色発光型の２側面発光型（両
面発光型）ＬＥＤランプ２４として用いることができ
る。１１はチップ搭載用基板、１２は発光ダイオードチ
ップ、１３は透光性のモールド、１５ａ及び１５ｂは側
面発光型ＬＥＤランプの電極、１８はワイヤーボンディ
ング用の金線である。
【００２６】次に、図１の場合と同じく半田付けの方法
は、プリント基板１６上に半田ペーストをパターン印刷
し、その上に２側面発光型ＬＥＤランプ２３（図３
（ａ））又は２４（図３（ｂ））を実装し、リフロー炉
で加熱（例えば、ピーク温度：２３０℃、コンベアスピ
ード：１ｍ／ｍｉｎ、リフロー炉通過時間：５分間程
度）し、半田を熔融し、凝固させるが、図３（ａ）及び
図３（ｂ）の場合、バランス用の等価なモールド２１内
に発光ダイオードチップが設けられているため、θずれ
のばらつきは更に小さくなり、０度〜６度程度であっ
た。
は、プリント基板１６上に半田ペーストをパターン印刷
し、その上に２側面発光型ＬＥＤランプ２３（図３
（ａ））又は２４（図３（ｂ））を実装し、リフロー炉
で加熱（例えば、ピーク温度：２３０℃、コンベアスピ
ード：１ｍ／ｍｉｎ、リフロー炉通過時間：５分間程
度）し、半田を熔融し、凝固させるが、図３（ａ）及び
図３（ｂ）の場合、バランス用の等価なモールド２１内
に発光ダイオードチップが設けられているため、θずれ
のばらつきは更に小さくなり、０度〜６度程度であっ
た。
【００２７】図４は、本発明の他の一実施の形態よりな
る側面発光型ＬＥＤランプを示す図であり、バランス用
の略等価なモールドとして、形状は異なるがその重量が
略等価なモールドの場合を示す図である。図４（ａ）は
バランス用の略等価なモールド２４が多角形の断面形状
を有する場合の略断面図であり、図４（ｂ）はバランス
用の略等価なモールド２６が板状の場合の略断面図であ
り、図４（ｃ）はバランス用の略等価なモールド２７が
２つの部分より成る場合の略断面図である。
る側面発光型ＬＥＤランプを示す図であり、バランス用
の略等価なモールドとして、形状は異なるがその重量が
略等価なモールドの場合を示す図である。図４（ａ）は
バランス用の略等価なモールド２４が多角形の断面形状
を有する場合の略断面図であり、図４（ｂ）はバランス
用の略等価なモールド２６が板状の場合の略断面図であ
り、図４（ｃ）はバランス用の略等価なモールド２７が
２つの部分より成る場合の略断面図である。
【００２８】図４において、２８はチップ搭載用基板１
１の重心の位置を示しており、バランス用の略等価な樹
脂モールド２５、２６及び２７と透光性のモールド１３
との重心の位置もチップ搭載用基板１１の重心の位置２
８の近傍に位置するような関係に選ばれている。また、
１１はチップ搭載用基板、１３は透光性のモールドであ
る。
１の重心の位置を示しており、バランス用の略等価な樹
脂モールド２５、２６及び２７と透光性のモールド１３
との重心の位置もチップ搭載用基板１１の重心の位置２
８の近傍に位置するような関係に選ばれている。また、
１１はチップ搭載用基板、１３は透光性のモールドであ
る。
【００２９】図５は、本発明の一実施の形態よりなる側
面発光型ＬＥＤランプの携帯電話への適用例を示す図で
あり、図５（ａ）はその斜視図、図５（ｂ）は表示部の
略断面図であり、図５（ｃ）はボタンスイッチ部の略断
面図である。
面発光型ＬＥＤランプの携帯電話への適用例を示す図で
あり、図５（ａ）はその斜視図、図５（ｂ）は表示部の
略断面図であり、図５（ｃ）はボタンスイッチ部の略断
面図である。
【００３０】図５（ａ）において、２９は液晶表示部、
３２は数字ボタン、３３は携帯電話の筐体、３５は受話
器、３６は送話器である。
３２は数字ボタン、３３は携帯電話の筐体、３５は受話
器、３６は送話器である。
【００３１】図５（ｂ）において、基板１６上に１色発
光型の２側面発光型（両面発光型）ＬＥＤランプ２３を
搭載しており、側面発光型ＬＥＤランプ２３が発光する
と、光は導光板３０を通過して液晶表示部２９のバック
ライトとして機能する。３３は携帯電話の筐体である。
光型の２側面発光型（両面発光型）ＬＥＤランプ２３を
搭載しており、側面発光型ＬＥＤランプ２３が発光する
と、光は導光板３０を通過して液晶表示部２９のバック
ライトとして機能する。３３は携帯電話の筐体である。
【００３２】図５（ｃ）は携帯電話のボタンスイッチ部
の略断面図であり、基板１６上に２色発光型の２側面発
光型ＬＥＤランプ２４が搭載されている。２色発光型の
２側面発光型ＬＥＤランプ２４が発光すると、ＬＥＤ光
は導光板３１を通して数字ボタン３２に導かれ、数字ボ
タン３２を照明する。３４はスイッチ部である。
の略断面図であり、基板１６上に２色発光型の２側面発
光型ＬＥＤランプ２４が搭載されている。２色発光型の
２側面発光型ＬＥＤランプ２４が発光すると、ＬＥＤ光
は導光板３１を通して数字ボタン３２に導かれ、数字ボ
タン３２を照明する。３４はスイッチ部である。
【００３３】
【発明の効果】以上のように、本発明の側面発光型ＬＥ
Ｄチップは、半田リフローによりプリント基板に対して
ほぼ垂直に実装されたチップ搭載用基板上に、発光ダイ
オードチップを搭載し、該発光ダイオードチップをモー
ルドした側面発光型ＬＥＤランプであって、前記発光ダ
イオードチップがチップ搭載用基板の片方の面にのみ搭
載されており、他方の面には等価なモールドのみを設け
たことを特徴とするものであり、バランス用の略等価な
モールドの配置により、半田の溶融凝固時においても側
面発光型ＬＥＤランプの傾きが少なくなり、θずれを小
さくすることができる。
Ｄチップは、半田リフローによりプリント基板に対して
ほぼ垂直に実装されたチップ搭載用基板上に、発光ダイ
オードチップを搭載し、該発光ダイオードチップをモー
ルドした側面発光型ＬＥＤランプであって、前記発光ダ
イオードチップがチップ搭載用基板の片方の面にのみ搭
載されており、他方の面には等価なモールドのみを設け
たことを特徴とするものであり、バランス用の略等価な
モールドの配置により、半田の溶融凝固時においても側
面発光型ＬＥＤランプの傾きが少なくなり、θずれを小
さくすることができる。
【００３４】
【００３５】
【００３６】 また、本発明の携帯電話によれば、上記
構成の側面発光型ＬＥＤランプを搭載したことを特徴と
するものであり、θずれを小さくすることができる。
構成の側面発光型ＬＥＤランプを搭載したことを特徴と
するものであり、θずれを小さくすることができる。
【図１】本発明の一実施の形態よりなる側面発光型ＬＥ
Ｄランプを示す図であり、（ａ）は側面発光型ＬＥＤラ
ンプをプリント基板に実装した斜視図であり、（ｂ）は
側面発光型ＬＥＤランプの上面図である。
Ｄランプを示す図であり、（ａ）は側面発光型ＬＥＤラ
ンプをプリント基板に実装した斜視図であり、（ｂ）は
側面発光型ＬＥＤランプの上面図である。
【図２】図１の側面発光型ＬＥＤランプのリフロー炉内
での状態を示した説明図である。
での状態を示した説明図である。
【図３】本発明の一実施の形態よりなる他の側面発光型
ＬＥＤランプを示す図であり、（ａ）はバランス用の略
等価なモールド内に同じ発光色の発光ダイオードチップ
２０を搭載した場合の上面図であり、（ｂ）はバランス
用の等価なモールド内に異なる発光色の発光ダイオード
チップ２２を搭載した場合の上面図である。
ＬＥＤランプを示す図であり、（ａ）はバランス用の略
等価なモールド内に同じ発光色の発光ダイオードチップ
２０を搭載した場合の上面図であり、（ｂ）はバランス
用の等価なモールド内に異なる発光色の発光ダイオード
チップ２２を搭載した場合の上面図である。
【図４】本発明の一実施の形態よりなる他の側面発光型
ＬＥＤランプを示す図であり、（ａ）（ａ）はバランス
用の略等価なモールド２４が多角形の断面形状を有する
場合の略断面図であり、（ｂ）はバランス用の略等価な
モールド２６が板状の場合の略断面図であり、（ｃ）は
バランス用の略等価なモールド２７が２つの部分より成
る場合の略断面図である。
ＬＥＤランプを示す図であり、（ａ）（ａ）はバランス
用の略等価なモールド２４が多角形の断面形状を有する
場合の略断面図であり、（ｂ）はバランス用の略等価な
モールド２６が板状の場合の略断面図であり、（ｃ）は
バランス用の略等価なモールド２７が２つの部分より成
る場合の略断面図である。
【図５】本発明の一実施の形態よりなる他の２色型側面
発光型ＬＥＤランプの携帯電話への適用例を示す図であ
り、（ａ）は携帯電話のその斜視図、（ｂ）は携帯電話
の表示部の略断面図であり、（ｃ）は携帯電話のボタン
スイッチ部の略断面図である。
発光型ＬＥＤランプの携帯電話への適用例を示す図であ
り、（ａ）は携帯電話のその斜視図、（ｂ）は携帯電話
の表示部の略断面図であり、（ｃ）は携帯電話のボタン
スイッチ部の略断面図である。
【図６】従来例の表面実装型の発光ダイオードを示す図
であり、（ａ）は側面発光型ＬＥＤランプをプリント基
板に実装した斜視図であり、（ｂ）は側面発光型ＬＥＤ
ランプの正面図であり、（ｃ）は側面発光型ＬＥＤラン
プの側面図である。
であり、（ａ）は側面発光型ＬＥＤランプをプリント基
板に実装した斜視図であり、（ｂ）は側面発光型ＬＥＤ
ランプの正面図であり、（ｃ）は側面発光型ＬＥＤラン
プの側面図である。
【図７】他の従来例である平板型のチップ搭載用基板を
用いた側面発光型ＬＥＤランプの斜視図である。
用いた側面発光型ＬＥＤランプの斜視図である。
【図８】従来例の図７の側面発光型ＬＥＤ部の位置ずれ
を説明する図であり、（ａ）は側面発光型ＬＥＤランプ
５８のリフロー炉での状態を示す説明図であり、（ｂ）
は図７の側面発光型ＬＥＤランプの位置ずれを説明する
説明図である。
を説明する図であり、（ａ）は側面発光型ＬＥＤランプ
５８のリフロー炉での状態を示す説明図であり、（ｂ）
は図７の側面発光型ＬＥＤランプの位置ずれを説明する
説明図である。
１０ 側面発光型ＬＥＤランプ
１１ 耐熱性樹脂材料の液晶ポリマーなどの材質で構成
されたチップ搭載用基板 １２ 発光ダイオードチップ １３ 透明エポキシ樹脂等の材料による透光性のモール
ド １４ バランス用の略等価なモールド １５ａ 側面発光型ＬＥＤランプの電極 １５ｂ 側面発光型ＬＥＤランプの電極 １６ プリント基板 １７ａ 半田パッド １７ｂ 半田パッド １８ ワイヤーボンディング用の金線 １９ 半田 ２０ 発光ダイオードチップ１２と同じ発光色の発光ダ
イオードチップ ２１ バランス用の等価なモールド ２２ 発光ダイオードチップ１２と異なる発光色の発光
ダイオードチップ ２３ １色発光型の２側面発光型（両面発光型）ＬＥＤ
ランプ ２４ ２色発光型の２側面発光型（両面発光型）ＬＥＤ
ランプ ２５ バランス用の略等価な樹脂モールド ２６ バランス用の略等価な樹脂モールド ２７ バランス用の略等価な樹脂モールド ２８ チップ搭載用基板１１の重心の位置 ２９ 液晶表示部 ３０ 導光板 ３１ 導光板 ３２ 数字ボタン ３３ 携帯電話の筐体 ３４ スイッチ部 ３５ 受話器 ３６ 送話器
されたチップ搭載用基板 １２ 発光ダイオードチップ １３ 透明エポキシ樹脂等の材料による透光性のモール
ド １４ バランス用の略等価なモールド １５ａ 側面発光型ＬＥＤランプの電極 １５ｂ 側面発光型ＬＥＤランプの電極 １６ プリント基板 １７ａ 半田パッド １７ｂ 半田パッド １８ ワイヤーボンディング用の金線 １９ 半田 ２０ 発光ダイオードチップ１２と同じ発光色の発光ダ
イオードチップ ２１ バランス用の等価なモールド ２２ 発光ダイオードチップ１２と異なる発光色の発光
ダイオードチップ ２３ １色発光型の２側面発光型（両面発光型）ＬＥＤ
ランプ ２４ ２色発光型の２側面発光型（両面発光型）ＬＥＤ
ランプ ２５ バランス用の略等価な樹脂モールド ２６ バランス用の略等価な樹脂モールド ２７ バランス用の略等価な樹脂モールド ２８ チップ搭載用基板１１の重心の位置 ２９ 液晶表示部 ３０ 導光板 ３１ 導光板 ３２ 数字ボタン ３３ 携帯電話の筐体 ３４ スイッチ部 ３５ 受話器 ３６ 送話器
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平７−176791（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−13818（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−296045（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−29649（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−37021（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−45659（ＪＰ，Ａ)
実開 平２−70464（ＪＰ，Ｕ)
実開 昭63−89251（ＪＰ，Ｕ)
実開 昭56−149477（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 33/00
H01L 23/12
H01L 23/28
Claims (2)
- 【請求項１】半田リフローによりプリント基板に対して
ほぼ垂直に実装されたチップ搭載用基板上に、発光ダイ
オードチップを搭載し、該発光ダイオードチップをモー
ルドした側面発光型ＬＥＤランプであって、前記発光ダ
イオードチップが前記チップ搭載用基板の片方の面にの
み搭載されており、他方の面には等価なモールドのみを
設けたことを特徴とする側面発光型ＬＥＤランプ。 - 【請求項２】前記請求項１記載の側面発光型ＬＥＤラン
プを搭載したことを特徴とする携帯電話。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25788896A JP3497330B2 (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | 側面発光型ｌｅｄランプ及びこれを搭載した携帯電話 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25788896A JP3497330B2 (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | 側面発光型ｌｅｄランプ及びこれを搭載した携帯電話 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10107326A JPH10107326A (ja) | 1998-04-24 |
| JP3497330B2 true JP3497330B2 (ja) | 2004-02-16 |
Family
ID=17312586
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25788896A Expired - Fee Related JP3497330B2 (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | 側面発光型ｌｅｄランプ及びこれを搭載した携帯電話 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3497330B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4711483B2 (ja) * | 2000-01-11 | 2011-06-29 | 三洋電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP3644927B2 (ja) * | 2000-03-17 | 2005-05-11 | 松下電器産業株式会社 | 面発光装置 |
| JP4690563B2 (ja) * | 2001-03-02 | 2011-06-01 | シチズン電子株式会社 | 発光ダイオード |
| JP4804683B2 (ja) * | 2001-09-26 | 2011-11-02 | シチズン電子株式会社 | 電子部品 |
| JP3973082B2 (ja) * | 2002-01-31 | 2007-09-05 | シチズン電子株式会社 | 両面発光ｌｅｄパッケージ |
| JP4939938B2 (ja) * | 2004-04-23 | 2012-05-30 | 東芝モバイルディスプレイ株式会社 | 面光源装置及び表示装置 |
| JP2006147985A (ja) * | 2004-11-24 | 2006-06-08 | Stanley Electric Co Ltd | 表面実装型発光ダイオード |
| KR101374894B1 (ko) * | 2006-12-29 | 2014-03-17 | 서울반도체 주식회사 | 양면 발광형 발광 다이오드 패키지 |
| JP6578735B2 (ja) | 2014-05-21 | 2019-09-25 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置の実装構造、バックライト装置及び実装基板 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56149477U (ja) * | 1980-04-07 | 1981-11-10 | ||
| JPS6389251U (ja) * | 1986-11-28 | 1988-06-10 | ||
| JPH0270464U (ja) * | 1988-11-18 | 1990-05-29 | ||
| JP2994800B2 (ja) * | 1991-07-05 | 1999-12-27 | シャープ株式会社 | 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法 |
| JP3101007B2 (ja) * | 1991-07-22 | 2000-10-23 | シャープ株式会社 | 透過型光結合装置 |
| JP2966591B2 (ja) * | 1991-08-02 | 1999-10-25 | 三洋電機株式会社 | 光半導体装置 |
| JP2717906B2 (ja) * | 1992-07-23 | 1998-02-25 | スタンレー電気株式会社 | 多色発光チップｌｅｄ |
| JPH06296045A (ja) * | 1993-04-08 | 1994-10-21 | Rohm Co Ltd | 側面発光／受光半導体装置および両面発光表示装置 |
| JPH07176791A (ja) * | 1993-12-17 | 1995-07-14 | Rohm Co Ltd | 発光表示装置 |
-
1996
- 1996-09-30 JP JP25788896A patent/JP3497330B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10107326A (ja) | 1998-04-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6093940A (en) | Light-emitting diode chip component and a light-emitting device | |
| US5942770A (en) | Light-emitting diode chip component and a light-emitting device | |
| JP3644927B2 (ja) | 面発光装置 | |
| JP3553405B2 (ja) | チップ型電子部品 | |
| US8277107B2 (en) | Light emitting apparatus and light unit having the same | |
| JP3973082B2 (ja) | 両面発光ｌｅｄパッケージ | |
| KR100625402B1 (ko) | 칩형 반도체 발광장치 | |
| US20040159850A1 (en) | Semiconductor light-emitting device, manufacturing method thereof, and electronic image pickup device | |
| JPH10247748A (ja) | 発光素子及び当該発光素子を用いた面光源装置 | |
| JP2001237462A (ja) | Ｌｅｄ発光装置 | |
| JP3497330B2 (ja) | 側面発光型ｌｅｄランプ及びこれを搭載した携帯電話 | |
| JP3642823B2 (ja) | 側面発光装置 | |
| JP3472417B2 (ja) | サイド発光型チップｌｅｄおよび液晶表示装置 | |
| JP2000101149A (ja) | 半導体発光素子 | |
| CN103210512A (zh) | 发光装置和线路板的制造方法 | |
| JP2001352105A (ja) | 表面実装型発光素子 | |
| JP4632427B2 (ja) | 発光ダイオード組立体の組立方法および発光ダイオード組立体 | |
| JP3864263B2 (ja) | 発光半導体装置 | |
| JP2003078176A (ja) | 側面多色発光型表面実装タイプｌｅｄ | |
| JP4746767B2 (ja) | 発光ダイオード | |
| JP3807812B2 (ja) | Ｌｅｄチップ部品 | |
| JP2003008072A (ja) | 発光ダイオード | |
| JPH05114751A (ja) | 光半導体装置 | |
| JPH0664332U (ja) | 薄型照光式スイッチ | |
| JP2001177151A (ja) | チップ部品型ｌｅｄ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081128 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091128 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |