JP7266764B2 - 発光装置 - Google Patents

発光装置 Download PDF

Info

Publication number
JP7266764B2
JP7266764B2 JP2022565384A JP2022565384A JP7266764B2 JP 7266764 B2 JP7266764 B2 JP 7266764B2 JP 2022565384 A JP2022565384 A JP 2022565384A JP 2022565384 A JP2022565384 A JP 2022565384A JP 7266764 B2 JP7266764 B2 JP 7266764B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
resin
emitting element
light
emitting device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2022565384A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2022114020A5 (ja
JPWO2022114020A1 (ja
Inventor
丈 木下
詩織 小池
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Citizen Electronics Co Ltd
Citizen Watch Co Ltd
Original Assignee
Citizen Electronics Co Ltd
Citizen Watch Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Citizen Electronics Co Ltd, Citizen Watch Co Ltd filed Critical Citizen Electronics Co Ltd
Publication of JPWO2022114020A1 publication Critical patent/JPWO2022114020A1/ja
Priority to JP2023056259A priority Critical patent/JP7291864B1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7266764B2 publication Critical patent/JP7266764B2/ja
Publication of JPWO2022114020A5 publication Critical patent/JPWO2022114020A5/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • H01L33/60Reflective elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0058Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0091Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/54Encapsulations having a particular shape

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Description

本開示は、発光装置に関する。
発光ダイオード(Light Emitting Diode、LED)を発光素子として使用する発光装置が知られている。例えば、特許第5284006号公報には、枠体により囲まれた基板の表面に発光素子を実装すると共に、発光素子を封止する封止材を枠体に囲まれた空間に充填した発光装置が記載されている。特許第5284006号公報に記載される発光装置では、枠体の内面が鏡面となっており、発光素子から出射された光が枠体の内面を反射することで反射効率を向上させることができる。
また、発光ダイオードを発光素子として使用する発光装置において、ダム材とも称される白色樹脂に囲まれた発光領域に実装される発光素子を、蛍光体を含有した封止樹脂で封止する技術が知られている。例えば、特開2014-241456号公報には、発光領域に実装される発光素子に電力を供給する配線パターンを白色樹脂によって覆うように配置することで、発光装置の面積に対する発光領域の面積の比率を大きくすることができることが記載される。
さらに、発光ダイオードを発光素子として使用する発光装置において、ダム材とも称される白色樹脂に囲まれた発光領域に実装される発光素子を、封止樹脂で封止する技術が知られている。例えば、特開2014-241456号公報には、複数の発光素子は、白色樹脂との間の間隔が均等になるように配置されるので、複数の発光素子が同一の波長を有するとき、色ムラがない光を出射することができる発光装置が記載される。
発光装置の用途が広がるに連れて、発光効率、寿命、及び配光特性を含む種々の特性を向上させることが発光装置に望まれている。
本発明は、このような課題を解決するものであり、発光効率、寿命、及び配光特性の少なくとも1つの特性が高い発光装置を提供することを目的とする。
本発明に係る発光装置は、矩形の平面形状を有する基板と、基板に実装された1又は複数の発光素子と、枠状の平面形状を有し、発光素子を囲むように基板に配置され、発光素子から離隔するに従って高さが高くなる傾斜面を有するダム樹脂と、ダム樹脂に囲まれた領域に配置され、発光素子を封止する封止樹脂と、を有し、ダム樹脂は、少なくとも一辺から対向する辺に向かって延伸する突出する突出部を有する。
さらに、本発明に係る発光装置では、ダム樹脂は、白色の粒子を含有する合成樹脂材により形成され、突出部は、発光素子とダム樹脂との間に配置された透明樹脂であることが好ましい。
さらに、本発明に係る発光装置では、封止樹脂を形成する合成樹脂の光透過率は、突出部の光透過率よりも高いことが好ましい。
さらに、本発明に係る発光装置では、封止樹脂の屈折率は、突出部の屈折率よりも低いことが好ましい。
さらに、本発明に係る発光装置では、発光素子は、矩形の平面形状を有し、突出部は、発光素子の少なくとも一辺に接することが好ましい。
さらに、本発明に係る発光装置では、基板上には、段差を有する設置物を更に有し、ダム樹脂は、段差を有する設置物によって係止されることが好ましい。
さらに、本発明に係る発光装置は、発光素子に電力を供給する電極と、発光素子と電極とを電気的に接続する配線パターンと、配線パターンと発光素子を電気的に接続するボンディングワイヤと、を更に有し、ボンディングワイヤは、ダム樹脂に埋設される第1部分と、封止樹脂に埋設される第2部分と、第1部分と第2部分との間に配置され、ダム樹脂からボンディングワイヤの延伸方向に沿って延伸する錐体状の錐体樹脂によって被覆される第3部分と、を有し、突出部は、錐体樹脂であることが好ましい。
さらに、本発明に係る発光装置では、錐体樹脂の硬度は、封止樹脂の硬度よりも低いことが好ましい。
さらに、本発明に係る発光装置は、錐体樹脂の底面の径は、ボンディングワイヤの断面の径の1.1倍以上であり且つ20倍以下であることが好ましい。
さらに、本発明に係る発光装置では、第3部分の長さは、錐体樹脂の底面の径の0.1倍以上であり且つ10倍以下であることが好ましい。
さらに、本発明に係る発光装置では、ボンディングワイヤがダム樹脂から封止樹脂に向かって突出する境界点の発光素子の裏面からの高さは、ボンディングワイヤが発光素子に接続される発光素子の表面の発光素子の裏面からの高さよりも高いことが好ましい。
さらに、本発明に係る発光装置では、ダム樹脂は、基板の1つの辺に平行に延伸する第1辺、第1辺に対向して配置される第3辺、並びに第1辺と第3辺とを接続する第2辺及び第4辺を有し、突出部は、第4辺と第1辺との間の第1角の内壁であり、第1角の内壁の延出距離は、第1角以外の少なくとも1つの角の内壁の延出距離と相違することが好ましい。
さらに、本発明に係る発光装置では、第1角の内壁の延出距離及び第1辺と第2辺との間の第2角の内壁の延出距離は、第3辺と第2辺及び第4辺との間の第3角及び第4角の内壁の延出距離のどちらよりも長いことが好ましい。
さらに、本発明に係る発光装置では、複数の発光素子は、長辺の長さが第1長さである矩形の第1発光素子、並びに辺の長さが第1長さよりも短い矩形の第2発光素子及び第1長さよりも短い第3長さを有する第3発光素子を含み、第1発光素子は、第1辺に近接し且つ長辺が第1辺と平行になるように配置され、第2発光素子及び第3発光素子は、第3辺に近接し且つ一辺が第3辺と平行になるように配列されることが好ましい。
さらに、本発明に係る発光装置では、発光素子とダム樹脂との間の最小離隔距離は、0.05mm以上であり且つ0.35mm以下であることが好ましい。
本開示に係る発光装置は、発光効率、寿命、及び配光特性の少なくとも1つの特性を高くすることができる。
(a)は第1実施形態に係る発光装置の斜視図であり、(b)は(a)に示す発光装置の平面図である。 図1(a)に示すA-A線に沿う断面図である。 図1(a)に示す発光装置の製造方法を示す図であり、(a)は第1工程を示し、(b)は第2工程を示し、(c)は第3工程を示し、(d)は第4工程を示し、(e)は第5工程を示す。 (a)は第1変形例に係る斜視図であり、(b)は(a)に示す発光装置の平面図である。 図4(a)に示すB-B線に沿う断面図である。 第2変形例に係る発光装置の断面図である。 (a)は第3変形例に係る発光装置の断面図であり、(b)は第4変形例に係る発光装置の断面図である。 第5変形例に係る発光装置の断面図である。 第6変形例に係る発光装置の平面図である。 第6変形例に係る発光装置の白色樹脂、第1透明樹脂及び第2透明樹脂を除去した状態の平面図ある。 第6変形例に係る発光装置の試作品の斜視図である。 (a)は図11に示すC-C線に沿う断面図であり、(b)は(a)に示す破線Dで囲まれた領域の拡大図である。 第7変形例に係る発光装置の試作品の斜視図である。 (a)は図13に示すE-E線に沿う断面図であり、(b)は(a)に示す破線Fで囲まれた領域の拡大図である。 第2実施形態に係る発光装置の平面形状及び発光素子、白色樹脂及び第1透明樹脂の間の配置関係を示す図であり、(a)は第1態様を示し、(b)は第2態様を示し、(c)は第3態様を示し、(d)は第4態様を示し、(e)は第5態様を示す。 (a)は第2実施形態に係る発光装置の斜視図であり、(b)は(a)に示す発光装置の平面図である。 図16(b)に示すA-A線に沿う断面図である。 図17において矢印Cで示される部分を拡大した拡大断面図である。 図16(a)に示す発光装置の製造方法を示す図であり、(a)は第1工程を示し、(b)は第2工程を示し、(c)は第3工程を示し、(d)は第4工程を示し、(e)は第5工程を示す。 第3実施形態に係る発光装置の平面図である。 第3実施形態に係る発光装置の白色樹脂及び封止樹脂を除去した状態の平面図ある。 (a)は第2実施形態に係る発光装置のボンディングワイヤが有する第3部分の形状と応力との関係を示すシミュレーションに使用されるモデルの斜視図であり、(b)は(a)に示すF-F線に沿う断面図であり、シミュレーションに使用されるモデルにおける錐体樹脂の高さ及び底辺の径を示す図であり、(c)はシミュレーションに使用されるモデルにおける錐体樹脂の高さ及び底辺の径を示す図である。 (a)はシミュレーション結果を示す図(その1)であり、(b)はシミュレーション結果を示す図(その2)である。 (a)は第4実施形態に係る発光装置の平面図であり、(b)は(a)に示すA-A線に沿う断面図である。 図24(a)に示す発光装置の枠材、白色樹脂及び封止樹脂を除去した状態の平面図ある。 (a)は図24(a)に示す第1発光素子の寸法を示す平面図であり、(b)は図1(a)に示す第2発光素子の寸法を示す平面図であり、(c)は図1(a)に示す第3発光素子の寸法を示す平面図である。 白色樹脂の角の内壁の延出距離を規定する方法を説明するための図である。 図24(a)に示す発光装置の製造方法の一例を示すフローチャートである。 図28に示す基板準備工程を示す図である。 図28に示す発光素子実装工程を示す図である。 図28に示す枠材形成工程を示す図である。 図28に示す白色樹脂形成工程を示す図(その1)である。 図28に示す白色樹脂形成工程を示す図(その2)である。 図28に示す白色樹脂形成工程を示す図(その3)である。 (a)は第8変形例に係る発光装置の平面図であり、(b)は第9変形例に係る発光装置の平面図であり、(c)は第10変形例に係る発光装置の平面図であり、(d)は第11変形例に係る発光装置の平面図である。 シミュレーション結果を示す図である。
以下、図面を参照して、本開示に係る発光装置について説明する。ただし、本発明の技術的範囲はそれらの実施の形態には限定されず、特許請求の範囲に記載された発明とその均等物に及ぶ点に留意されたい。
(実施形態に係る発光装置の概要)
実施形態に係る発光装置は、矩形の平面形状を有する基板と、基板に実装された1又は複数の発光素子と、枠状の平面形状を有し、発光素子を囲むように基板に配置され、発光素子から離隔するに従って高さが高くなる傾斜面を有するダム樹脂とを有する。実施形態に係る発光装置は、ダム樹脂に囲まれた領域に配置され、発光素子を封止する封止樹脂を更に有する。実施形態に係る発光装置では、ダム樹脂は、少なくとも一辺から対向する辺に向かって延伸する突出する突出部を有する。実施形態に係る発光装置は、ダム樹脂が少なくとも一辺から対向する辺に向かって延伸する突出する突出部を有することで、発光効率、寿命、及び配光特性の少なくとも1つの特性を高くすることができる。
(第1実施形態に係る発光装置の構成および機能)
図1(a)は第1実施形態に係る発光装置の斜視図であり、図1(b)は図1(a)に示す発光装置の平面図であり、図2は図1(b)に示すA-A線に沿う断面図である。
発光装置1は、基板10と、発光素子11と、白色樹脂12と、第1透明樹脂13と、第2透明樹脂14とを有し、発光素子11から出射された光を出射面15から出射する。
基板10は、ガラスエポキシ樹脂等の絶縁性樹脂で形成された矩形状の平面形状を有するプリント基板(Printed Circuit Board、PCB)である。基板10の一辺の長さは、例えば3mm以下である。基板10の表面にはアノード配線21及びカソード配線22が配置され、基板10の裏面にはアノード電極23及びカソード電極24が配置される。アノード配線21とアノード電極23との間、及びカソード配線22とカソード電極24との間は、ビアとも称される貫通孔に配置される不図示の貫通電極を介して接続される。
発光素子11は、ボンディングワイヤ16及びアノード配線21及びカソード配線22を介して接続されるアノード電極23とカソード電極24との間に順方向電圧が印加されることに応じて青色の光を出射する青色LEDダイであり、矩形の平面形状を有する。発光素子11から出射される青色の光の主波長は、445nmと495nmとの間の範囲内であり、一例では450nmである。発光素子11は、透明な基板であるサファイア基板上に窒化ガリウム(GaN)層により形成されるPN接合層を積層して形成される。
白色樹脂12は、ダム樹脂とも称され、酸化チタン(TiO2)等の白色の粒子が含有されたシリコーン樹脂等の合成樹脂材で形成され、外縁が基板10の外縁に接し、発光素子11を囲むように配置され、ボンディングワイヤ16の一部を封止する。白色樹脂12の光透過率は、0%よりも高く且つ5%未満である。白色樹脂12は、発光素子11から基板10の外縁に向かって離隔するに従って、高さが高くなる傾斜面である反射面12aを有する。発光素子11から出射された光の一部は、反射面12aに反射して出射面15から出射される。
第1透明樹脂13は、少なくとも一辺から対向する辺に向かって延伸する突出する突出部の一例であり、少量の酸化チタンを含有する白色樹脂12を形成する合成樹脂材と同一の合成樹脂材で形成され、発光素子11と白色樹脂12との間に配置される。第1透明樹脂13の光透過率は、20%以上であり且つ90%未満である。第1透明樹脂13の光透過率は、80%以上であることが好ましく、85%以上であることが更に好ましい。第1透明樹脂13は、発光素子11の四辺の全てに接し、側面の一部又は全部を覆うように配置される。また、第1透明樹脂13は、発光素子11の上面を覆わないように配置される。
第2透明樹脂14は、シリコーン樹脂等の透明な合成樹脂材で形成され、フィラーを含有し、白色樹脂12に囲まれた領域に配置され、発光素子11及びボンディングワイヤ16の一部を封止する。第2透明樹脂14は、白色樹脂12の全面を覆い且つ白色樹脂12の頂部よりも高くなるように配置される。第1透明樹脂13は少量の酸化チタンを含有するのに対し、第2透明樹脂14は酸化チタンの含有量は、更に少ないか若しくは全く含有しないので、第2透明樹脂14の光透過率は、第1透明樹脂13の光透過率よりも高い。第2透明樹脂14の光透過率は、90%以上であり且つ100%未満であることが好ましい。
第2透明樹脂14に含有されるフィラーは、発光素子11から出射された光を拡散する拡散材であり、例えば二酸化ケイ素(SiO2)である。フィラーは、第2透明樹脂14に略均一に分布するように配置される。
第1透明樹脂13及び第2透明樹脂14の光透過率は、JIS K7375(プラスチック-全光線透過率および全光線反射率の求め方)に基づいて測定される。
第2透明樹脂14を形成する合成樹脂材は、耐熱性及び耐光性が白色樹脂12及び第1透明樹脂13を形成する合成樹脂材よりも高い一方、基板10との密着性及び屈折率が白色樹脂12及び第1透明樹脂13を形成する合成樹脂材よりも低い。
白色樹脂12、第1透明樹脂13及び第2透明樹脂14を形成する合成樹脂と基板10との間の密着性は、JIS K6848-1(接着剤-接着強さ試験方法-)に基づいて測定される。また、第1透明樹脂13及び第2透明樹脂14を形成する合成樹脂の屈折率は、JIS K0062(化学製品の屈折率測定方法)に基づいて測定される。
(第1実施形態に係る発光装置の製造方法)
図3は発光装置1の製造方法を示す図であり、図3(a)は第1工程を示し、図3(b)は第2工程を示し、図3(c)は第3工程を示し、図3(d)は第4工程を示し、図3(e)は第5工程を示す。図3において、単一の発光装置1のみが示されるが、発光装置1は、複数の基板10を連結した集合基板を使用して製造される。
まず、第1工程において、アノード配線21及びカソード配線22が表面に形成された複数の基板10を連結した集合基板が準備される。次いで、第2工程において、発光素子11は、ダイボンド材によって複数の基板10のそれぞれのアノード配線21上に接着される。
次いで、第3工程において、第2工程においてアノード配線21上に接着された複数の発光素子11のそれぞれのアノードとアノード配線21との間がワイヤボンディング処理によってボンディングワイヤ16によって接続される。また、複数の発光素子11のそれぞれのカソードとカソード配線22との間がワイヤボンディング処理によってボンディングワイヤ16によって接続される。
次いで、第4工程において、白色樹脂12及び第1透明樹脂13が複数の基板10のそれの表面に配置される。白色樹脂12及び第1透明樹脂13の固化前の樹脂材料は、発光素子11との間に所定の離隔距離を有するように配置される。白色樹脂12及び第1透明樹脂13の固化前の樹脂材料が配置されるとき、酸化チタンの含有率が非常に低い第1透明樹脂13の固化前の樹脂材料が発光素子11と白色樹脂12の固化前の樹脂材料との間に流れ出る。白色樹脂12及び第1透明樹脂13の固化前の樹脂材料が配置された後に、基板10を加熱することで、白色樹脂12及び第1透明樹脂13が形成される。
次いで、第5工程において、第2透明樹脂14が複数の基板10のそれぞれの表面に配置される。第2透明樹脂14の固化前の樹脂材料は、発光素子11、白色樹脂12、第1透明樹脂13及びボンディングワイヤ16を覆い、且つ、白色樹脂12の頂部よりも高くなるように配置される。第2透明樹脂14の固化前の樹脂材料が配置された後に、基板10を加熱することで、第2透明樹脂14が形成される。
そして、第6工程によって、複数の基板10が連結された集合基板を切断することによって、複数の基板10のそれぞれが分離されて発光装置1が製造される。
(第1実施形態に係る発光装置の作用効果)
発光装置1では、白色樹脂12よりも光透過性が高い第1透明樹脂13を介して発光素子11と白色樹脂12とが配置されるので、白色樹脂12が発光素子の側面に接することで発光効率が低下するおそれがない。発光装置1は、発光素子11と白色樹脂12との間に第1透明樹脂13を配置することで、小型化が可能であり且つ発光効率を高くすることができる。
また、発光装置1では、基板10との密着性が第2透明樹脂14よりも高い白色樹脂12及び第1透明樹脂13が基板10と接合される。発光装置1では、第2透明樹脂14は、基板10との密着性が高い白色樹脂12及び第1透明樹脂13を介して基板10と接合されるため、基板10から剥離するおそれが低くなり、発光装置1の信頼性を向上させることができる。
また、発光装置1では、第2透明樹脂14よりも屈折率が高い第1透明樹脂13が発光素子11に接するように配置されるので、発光素子11からの光の取り出し効率が高くなり、発光効率が向上する。
また、発光装置1では、第1透明樹脂13の上方に第1透明樹脂13よりも屈折率が低い第2透明樹脂14が配置されるので、軸上効率が向上し、発光効率が更に向上する。
(第1実施形態に係る発光装置の変形例)
発光装置1では、第2透明樹脂14は、白色樹脂12の頂部よりも高くなるように配置されるが、実施形態に係る発光装置では、第2透明樹脂14は、白色樹脂12の頂部の高さ以下の高さを有するように形成されてもよい。
図4(a)は第1変形例に係る発光装置の斜視図であり、図4(b)は図4(a)に示す発光装置の平面図であり、図5は図4(b)に示すB-B線に沿う断面図である。
発光装置2は、第2透明樹脂14の高さが、白色樹脂12の頂部の高さ以下の高さと一致することが発光装置1と相違する。第2透明樹脂14の高さ以外の発光装置2の構成及び機能は、同一符号が付された発光装置1の構成及び機能と同一なので、ここでは詳細な説明は省略する。
発光装置1では、第2透明樹脂14の高さは、白色樹脂12の頂部よりも高いので、出射光の一部が側面方向に漏れるため、直上方向に出射される光の光量が減少するおそれがあった。発光装置2では、第2透明樹脂14の高さは、白色樹脂12の頂部と一致するので、出射光の一部が側面方向に漏れるおそれはなく、直上方向に出射される光の光量を発光装置1よりも増加させることができる。
また、発光装置1では、第2透明樹脂14は、蛍光体を含有しないが、実施形態に係る発光装置では、第2透明樹脂14は、蛍光体を含有してもよい。
図6は、図5に示す断面図と同様に、図4(b)に示すB-B線に沿う第2変形例に係る発光装置の断面図である。
発光装置3は、第2透明樹脂34を第2透明樹脂14の代わりに有することが発光装置2と相違する。第2透明樹脂34以外の発光装置3の構成要素の構成及び機能は、同一符号が付された発光装置2の構成要素の構成及び機能と同一なので、ここでは詳細な説明は省略する。
第2透明樹脂34は、第2透明樹脂14と同一の合成樹脂材で形成され、蛍光体及びフィラーを含有する。第2透明樹脂34に含有される蛍光体及びフィラーは、第2透明樹脂34の全体に亘って均一に配置される。第2透明樹脂34を形成する合成樹脂の光透過率は、第1透明樹脂13の光透過率よりも高い。
第2透明樹脂34に含有される蛍光体は、発光素子11から出射された青色の光を変換して発光素子11から出射された青色の光の波長と異なる波長の黄色の光を放射する。第2透明樹脂34に含有される蛍光体は、例えばイットリウム・アルミニウム・ガーネット(Yttrium Aluminum Garnet、YAG)である。第2透明樹脂34に含有される蛍光体から放射される黄色の光の主波長は、525nmと575nmとの間の範囲内であり、一例では550nmである。
第2透明樹脂34に含有されるフィラーは、発光素子11から出射された光及び第2透明樹脂34に含有される蛍光体から放射された光を拡散する拡散材であり、第2透明樹脂14に含有されるフィラーと同様に、例えば二酸化ケイ素である。発光装置3は、発光素子11から出射された青色の光と、第2透明樹脂34に含有される蛍光体から放射された黄色の光とを第2透明樹脂34に含有されるフィラーによって混色することで白色の光を出射する。
発光装置3では、発光装置2と同様に、蛍光体を含有しない第1透明樹脂13が発光素子11の側面の一部又は全部を覆うように配置されるので、発光素子11の側面から出射した光の一部又は全部は、蛍光体に接触しない。発光装置3では、発光素子11の側面から出射した光の一部又は全部は蛍光体に接触しないので、発光素子11の側面の一部又は全部及び上面のそれぞれから出射した光が、蛍光体を含有する第2透明樹脂34を透過する経路長が略同一になる。発光装置3では、発光素子11の側面の一部又は全部及び上面のそれぞれから出射した光が第2透明樹脂34を透過する経路長が略同一になるので、発光素子11の側面の一部又は全部及び上面のそれぞれから出射した光が蛍光体に接触する光量が略同一になる。発光装置3は、発光素子11の側面の一部又は全部及び上面のそれぞれから出射した光が蛍光体に接触する光量が略同一になるので、色ムラが発生するおそれを低くすることができる。
図7(a)は第3変形例に係る発光装置の断面図であり、図7(b)は第4変形例に係る発光装置の断面図である。図7(a)及び図7(b)は、それぞれ、図5に示す断面図と同様に、図4(b)に示すB-B線に沿う第3変形例及び第4変形例に係る発光装置の断面図である。
発光装置4は、第2透明樹脂44を第2透明樹脂14の代わりに有することが発光装置2と相違する。第2透明樹脂44以外の発光装置4の構成要素の構成及び機能は、同一符号が付された発光装置2の構成要素の構成及び機能と同一なので、ここでは詳細な説明は省略する。
第2透明樹脂44は、第2透明樹脂14と同一の合成樹脂材で形成され、蛍光体及びフィラーを含有する。第2透明樹脂44は、蛍光体及びフィラーを含有する第1層45と、蛍光体をほとんど含有しない透明な第2層46とを有する。第2透明樹脂44を形成する合成樹脂の光透過率は、第1透明樹脂13の光透過率よりも高い。第1層45及び第2層46は、例えば蛍光体及びフィラーを含有する第2透明樹脂44を形成する固化前の合成樹脂材を発光素子11、白色樹脂12及び第1透明樹脂13を覆うように塗布した後に、所定の沈降時間が経過した後に固化することで形成される。
第2透明樹脂44に含有される蛍光体及びフィラーは、第2透明樹脂34に含有される蛍光体及びフィラーと同一なので、ここでは詳細な説明は省略する。
発光装置5は、第2透明樹脂47を第2透明樹脂14の代わりに有することが発光装置2と相違する。第2透明樹脂47以外の発光装置5の構成要素の構成及び機能は、同一符号が付された発光装置2の構成要素の構成及び機能と同一なので、ここでは詳細な説明は省略する。
第2透明樹脂47は、第2透明樹脂14と同一の合成樹脂材で形成され、蛍光体及びフィラーを含有する。第2透明樹脂47は、蛍光体及びフィラーを含有する第1層48と、蛍光体をほとんど含有しない透明な第2層49とを有する。第2透明樹脂47を形成する合成樹脂の光透過率は、第1透明樹脂13の光透過率よりも高い。第1層48及び第2層49は、例えば蛍光体及びフィラーを含有する第2透明樹脂47を形成する固化前の合成樹脂材を、第2透明樹脂44を形成するときよりも長い沈降時間が経過した後に固化することで形成される。
第2透明樹脂47に含有される蛍光体及びフィラーは、第2透明樹脂34に含有される蛍光体及びフィラーと同一なので、ここでは詳細な説明は省略する。
発光装置4及び5では、発光装置3と同様に、蛍光体を含有しない第1透明樹脂13が発光素子11の側面の一部又は全部を覆うように配置されるので、発光素子11の側面の一部又は全部から出射した光は、発光装置3と同様に、蛍光体に接触しない。発光装置4及び5は、発光素子11の側面の一部又は全部から出射した光は、蛍光体に接触しないので、発光装置3と同様に、色ムラが発生するおそれを低くすることができる。
また、発光装置1~5では、白色樹脂12が基板10の外縁に接するように配置されるが、実施形態に係る発光装置では、白色樹脂12の外側に枠材が配置されてもよい。
図8は、第5変形例に係る発光装置の断面図である。図8は、図2に示す断面図と同様に、図1(b)に示すA-A線に沿う第5変形例に係る発光装置の断面図である。
発光装置6は、白色樹脂12の外側に配置される枠材17を有するがことが発光装置1と相違する。枠材17以外の発光装置6の構成要素の構成及び機能は、同一符号が付された発光装置1の構成要素の構成及び機能と同一なので、ここでは詳細な説明は省略する。
枠材17は、酸化チタン等の白色の粒子が含有されたシリコーン樹脂等の合成樹脂材で形成され、基板10の外縁に沿って配置される枠状の部材である。枠材17の光透過率は、5%以上であり且つ20%未満である。枠材17は、発光素子11、白色樹脂12、第1透明樹脂13及び第2透明樹脂14を囲むように配置される。枠材17の高さは、白色樹脂12の頂部の高さよりも高い。なお、枠材17は、ポリイミド樹脂及びアルミナ等の剛性が高く且つ反射率が高い樹脂により形成されてもよい。
発光装置6は、白色樹脂12の外側に白色樹脂12の頂部の高さよりも高さが高い枠材17を有することで、発光装置1よりも発光効率を向上させることができる。
なお、発光装置6では、発光素子11を封止する第2透明樹脂14は、蛍光体を含有しないが、実施形態に係る発光装置は、蛍光体を含有する第2透明樹脂34、第2透明樹脂44及び第2透明樹脂47を第2透明樹脂14の代わりに有してもよい。
また、発光装置1~6では、単一の発光素子11のみが実装されるが、実施形態に係る発光装置では、複数の発光素子が実装されてもよい。
図9は第6変形例に係る発光装置の平面図であり、図10は第6変形例に係る発光装置の白色樹脂、第1透明樹脂及び第2透明樹脂を除去した状態の平面図ある。
発光装置7は、基板50と、第1発光素子51と、第2発光素子52と、第3発光素子53と、枠材54と、白色樹脂55と、第1透明樹脂56と、第2透明樹脂57とを有する。発光装置7は、第1発光素子51、第2発光素子52及び第3発光素子53から出射された光を出射面58から出射する。
基板50は、基板10と同様に、ガラスエポキシ樹脂等の絶縁性樹脂で形成された矩形状の平面形状を有する。基板50の表面には第1アノード配線61及び第1カソード配線62、第2アノード配線63及び第2カソード配線64並びに第3アノード配線65及び第3カソード配線66が配置される。第1アノード配線61~第3カソード配線66のそれぞれは、基板50の裏面に形成される裏面電極に接続される。
第1アノード配線61及び第1カソード配線62は、基板50の外縁と第1発光素子51の間に配置される。第1アノード配線61は第1発光素子51のアノードに接続され、第1カソード配線62は第1発光素子51のカソードに接続される。
第2アノード配線63は、基板10の外縁と第2発光素子52の間に配置される。第2カソード配線64は、第1発光素子51~第3発光素子53が実装される平板部と、基板50の外縁と第2発光素子52との間に配置される配線部とを有する。第2アノード配線63は第2発光素子52のアノードに接続され、第2カソード配線64は第2発光素子52のカソードに接続される。
第3アノード配線65及び第3カソード配線66は、基板50の外縁と第3発光素子53の間に配置される。第3アノード配線65は第3発光素子53のアノードに接続され、第3カソード配線66は第3発光素子53のカソードに接続される。
第1発光素子51は、発光素子11と同様に、矩形の平面形状を有する青色LEDダイである。第1発光素子51は、ボンディングワイヤ59を介して接続される第1アノード配線61と第1カソード配線62との間に裏面電極を介して順方向電圧が印加されることに応じて青色の光を出射する。
第2発光素子52は、矩形の平面形状を有する緑色LEDダイである。第2発光素子52は、ボンディングワイヤ59を介して接続される第2アノード配線63と第2カソード配線64との間に裏面電極を介して順方向電圧が印加されることに応じて緑色の光を出射する。第2発光素子52から出射される緑色の光の主波長は、500nmと570mとの間の範囲内であり、一例では550nmである。第2発光素子52は、透明な基板であるサファイア基板上に窒化ガリウムにより形成されるPN接合層を積層して形成される。
第3発光素子53は、矩形の平面形状を有する赤色LEDダイである。第3発光素子53は、ボンディングワイヤ59を介して接続される第3アノード配線65と第3カソード配線66との間に裏面電極を介して順方向電圧が印加されることに応じて赤色の光を出射する。第3発光素子53から出射される赤色の光の主波長は、600nmと680nmとの間の範囲内であり、一例では660nmである。第3発光素子53は、光を透過しない基板であるシリコン基板上に砒化ガリウムアルミニウム(GaAlAs)層により形成されるPN接合層を配置して形成される。
枠材54は、枠材17と同様に、酸化チタン等の白色の粒子が含有されたシリコーン樹脂等の合成樹脂材で形成され、基板50の外縁に沿って配置される枠状の部材である。枠材54は、ポリイミド樹脂及びアルミナ等の剛性が高く且つ反射率が高い樹脂により形成されてもよい。
白色樹脂55は、白色樹脂12と同様に、酸化チタン等の白色の粒子が含有されたシリコーン樹脂等の合成樹脂材で形成され、外縁が基板50の外縁に接し、第1発光素子51、第2発光素子52及び第3発光素子53を囲むように配置され、ボンディングワイヤ59の一部を封止する。
第1透明樹脂56は、少量の酸化チタンを含有する白色樹脂55を形成する合成樹脂材と同一の合成樹脂材で形成され、第1発光素子51~第3発光素子53と白色樹脂55との間に配置される。第1透明樹脂56は、第1発光素子51及び第2発光素子52の基板50の外縁に近い二辺に接し、第1発光素子51及び第2発光素子52の基板50の外縁に近い側面を覆うように配置される。第1透明樹脂56は、第3発光素子53の基板50の外縁に近い一辺に接し、第3発光素子53の基板50の外縁に近い側面を覆うように配置される。
第2透明樹脂57は、第2透明樹脂14と同様に、シリコーン樹脂等の透明な合成樹脂材で形成され、枠材54に囲まれた領域に配置され、第1発光素子51~第3発光素子53及びボンディングワイヤ59の一部を封止する。第1透明樹脂56は少量の酸化チタンを含有するのに対し、第2透明樹脂57は酸化チタンの含有量は、更に少ないか若しくは全く含有しないので、第2透明樹脂57の光透過率は、第1透明樹脂56の光透過率よりも高い。
第2透明樹脂57を形成する合成樹脂材は、耐熱性及び耐光性が白色樹脂55及び第1透明樹脂56を形成する合成樹脂材よりも高い一方、基板50との密着性及び屈折率が白色樹脂55及び第1透明樹脂56を形成する合成樹脂材よりも低い。
図11は発光装置7の試作品を示す写真であり、図12(a)は図11に示すC-C線に沿う断面写真であり、図12(b)は図12(a)に示す破線Dで囲まれた領域の拡大写真である。
白色樹脂55は、第1発光素子51~第3発光素子53から基板10の外縁配置される枠材54に向かって離隔するに従って、高さが高くなる傾斜面である反射面55aを有する。白色樹脂55は、第1アノード配線61及び第2カソード配線64によって係止される。第1透明樹脂56は、第1アノード配線61によって係止された白色樹脂55の端部から第2発光素子52の側面に延伸し、第2発光素子52の側面に接するように配置される。また、第1透明樹脂56は、第2カソード配線64によって係止された白色樹脂55の端部から第3発光素子53の側面に延伸し、第3発光素子53の側面に接するように配置される。
図13は第7変形例に係る発光装置の試作品を示す写真であり、図14(a)は図13に示すE-E線に沿う断面写真であり、図14(b)は図14(a)に示す破線Fで囲まれた領域の拡大写真である。
発光装置8は、枠材54を有さないこと及び白色樹脂55の断面形状が発光装置7と相違する。枠材54を有さないこと及び白色樹脂55の断面形状以外の発光装置8の構成及び機能は、発光装置7の構成及び機能と同一なので、ここでは詳細な説明は省略する。
発光装置8では、白色樹脂55の頂部は平坦となるように形成される。
また、発光装置1~8では、発光素子と白色樹脂との間に配置される第1透明樹脂は、発光素子の側面に接するように配置されるが、実施形態に係る発光装置では、第1透明樹脂は、側面に接することなく、近接するように配置されてもよい。
また、発光装置1~8では、第1透明樹脂は、白色樹脂を形成する合成樹脂材と同一の合成樹脂材により形成されるが、実施形態に係る発光装置では、第1透明樹脂は、白色樹脂を形成する合成樹脂材と異なる合成樹脂材により形成されてもよい。第1透明樹脂は、白色樹脂を形成する合成樹脂材と異なる合成樹脂材により形成されるとき、白色樹脂が形成された後に、第1透明樹脂の固化前の合成樹脂を白色樹脂と発光素子との間に滴下することにより形成される。
また、発光装置1~8では、第1透明樹脂はサファイア基板に形成される発光素子の二辺又は四辺に接するように配置されるが、実施形態に係る発光装置では、第1透明樹脂はサファイア基板に形成される発光素子の少なくとも一辺に接するように配置されてもよい。また、実施形態に係る発光装置では、第1透明樹脂はサファイア基板以外の透明基板に形成された発光素子の少なくとも一辺に接してもよい。
また、発光装置7及び8では、第1透明樹脂はシリコン基板に形成される第3発光素子53の一辺に接するように配置されるが、実施形態に係る発光装置では、第1透明樹脂はシリコン基板以外の不透明基板に形成された発光素子の一辺に接してもよい。
また、発光装置7及び8では、白色樹脂55は、第1アノード配線61及び第2カソード配線64によって係止されるが、実施形態に係る発光装置では、白色樹脂は、ダミー配線とも称される発光素子に接続されていない配線によって係止されてもよいし、レジスト等の段差を有する設置物によって係止されてもよい。
また、実施形態に係る発光装置の平面形状及び発光素子、白色樹脂及び第1透明樹脂の間の配置関係は、発光装置1~8に示す態様に限定されない。
図15は、実施形態に係る発光装置の平面形状及び発光素子、白色樹脂及び第1透明樹脂の間の配置関係を示す図である。図15(a)は第1態様を示し、図15(b)は第2態様を示し、図15(c)は第3態様を示し、図15(d)は第4態様を示し、図15(e)は第5態様を示す。
第1態様に係る発光装置9aは、矩形状の平面形状を有し、第1発光素子91と、白色樹脂94aと、第1透明樹脂95aとを有する。第1発光素子91は、矩形状の平面形状を有し、基板の中央部に配置される。白色樹脂94aは、基板の外縁に沿って配置される矩形の枠状の平面形状を有する。第1透明樹脂95aは、白色樹脂94aの内壁から第1発光素子91の四辺に接するように延伸する。
第2態様に係る発光装置9bは、矩形状の平面形状を有し、第1発光素子91と、第2発光素子92と、白色樹脂94bと、第1透明樹脂95bとを有する。第1発光素子91及び第2発光素子92は、矩形状の平面形状を有する。白色樹脂94bは、基板の外縁に沿って配置される矩形の枠状の平面形状を有する。第1透明樹脂95bは、白色樹脂94bの内壁から第1発光素子91及び第2発光素子92の対向する辺を除く三辺に接するように延伸する。
第3態様に係る発光装置9cは、矩形状の平面形状を有し、第1発光素子91と、第2発光素子92と、第3発光素子93と、白色樹脂94cと、第1透明樹脂95cとを有する。第1発光素子91、第2発光素子92及び第3発光素子93は、矩形状の平面形状を有し、一直線上に配列される。白色樹脂94cは、基板の外縁に沿って配置される矩形の枠状の平面形状を有する。第1透明樹脂95cは、白色樹脂94cの内壁から第1発光素子91及び第3発光素子93の第2発光素子92に対向する辺を除く三辺に接するように延伸する。また、第1透明樹脂95cは、白色樹脂94cの内壁から第1発光素子91及び第3発光素子93対向する二辺を除く第2発光素子92の二辺に接するように延伸する。
第4態様に係る発光装置9dは、矩形状の平面形状を有し、第1発光素子91と、第2発光素子92と、第3発光素子93と、白色樹脂94dと、第1透明樹脂95dとを有する。第1発光素子91、第2発光素子92及び第3発光素子93は、矩形状の平面形状を有する。第1発光素子91及び第2発光素子92は基板の一辺に沿って配列される。第3発光素子93は、第1発光素子91及び第2発光素子92が配列される辺に対向する辺の中央部に配置される。白色樹脂94dは、矩形の枠状の平面形状を有する。第1透明樹脂95dは、白色樹脂94dの内壁から第1発光素子91及び第2発光素子92は基板の外縁に近接する二辺に接するように延伸する。また、第1透明樹脂95dは、白色樹脂94dの内壁から第3発光素子93の基板の外縁に近接する一辺に接するように延伸する。
第5態様に係る発光装置9eは、矩形状の平面形状を有し、第1発光素子91と、第2発光素子92と、第3発光素子93と、白色樹脂94eと、第1透明樹脂95eとを有する。第1発光素子91、第2発光素子92及び第3発光素子93は、矩形状の平面形状を有する。第1発光素子91及び第2発光素子92は基板の一辺に沿って配列される。第3発光素子93は、第1発光素子91及び第2発光素子92が配列される辺に対向する辺の一端の近傍に配置される。白色樹脂94eは、矩形の枠状の平面形状を有する。第1透明樹脂95eは、白色樹脂94eの内壁から第1発光素子91、第2発光素子92及び第3発光素子93の基板の外縁に近接する二辺に接するように延伸する。
(第2実施形態に係る発光装置の構成および機能)
図16(a)は第2実施形態に係る発光装置の斜視図であり、図16(b)は図16(a)に示す発光装置の平面図であり、図17は図16(b)に示すA-A線に沿う断面図である。図18は、図17において矢印Cで示される部分を拡大した拡大断面図である。
発光装置101は、基板110と、発光素子111と、一対のボンディングワイヤ112と、白色樹脂113と、封止樹脂114とを有し、外部電源から発光素子111に電力が供給され、発光素子111から出射された光を出射面115から出射する。
基板110は、ガラスエポキシ樹脂等の絶縁性樹脂で形成された矩形状の平面形状を有するプリント基板である。基板110の一辺の長さは、例えば3mm以下である。基板110の表面にはアノード配線121及びカソード配線122が配置され、基板110の裏面にはアノード電極123及びカソード電極124が配置される。アノード配線121及びカソード配線122は、銅等の導電性部材により形成される配線パターンである。アノード電極123及びカソード電極124は、矩形状の平面形状を有し、銅等の導電性部材により形成される。アノード配線121とアノード電極123との間、及びカソード配線122とカソード電極124との間は、ビアとも称される貫通孔に配置される不図示の貫通電極を介して接続される。
発光素子111は、基板110に実装され、アノード電極123とカソード電極124との間に順方向電圧が印加されることに応じて青色の光を出射する青色LEDダイであり、矩形の平面形状を有する。発光素子111から出射される青色の光の主波長は、445nmと495nmとの間の範囲内であり、一例では450nmである。発光素子111は、透明な基板であるサファイア基板上に窒化ガリウム層により形成されるPN接合層を積層して形成される。
一対のボンディングワイヤ112は、金等の導電性部材により形成される線状部材であり、発光素子111とアノード配線121及びカソード配線122のそれぞれとの間を電気的に接続する。一対のボンディングワイヤ112とアノード配線121及びカソード配線122との接続部は、白色樹脂113に覆われる。また、一対のボンディングワイヤ112と発光素子111との接続部は、封止樹脂114に覆われる。
一対のボンディングワイヤ112のそれぞれは、図17において矢印Bで示される境界点Bにおいて、白色樹脂113から封止樹脂114に向かって突出する。境界点Bの発光素子111の裏面からの高さHbは、一対のボンディングワイヤ112のそれぞれが発光素子111に接続される発光素子111の表面の発光素子111の裏面からの高さHsよりも高い。境界点Bの発光素子111の裏面からの高さHbを発光素子111の表面の発光素子111の裏面からの高さHsよりも高くすることで、境界点Bにおける一対のボンディングワイヤ112の延伸方向を水平方向に近くすることができる。
白色樹脂113は、ダム樹脂とも称され、シリコーン樹脂等の透明樹脂に、酸化チタン等の白色の粒子を含有して形成され、アノード配線121及びカソード配線122の一部を覆うように配置される。白色樹脂113の硬度は、封止樹脂114の硬度よりも低い。白色樹脂113は、外縁が基板10の外縁に接し、発光素子111を囲むように配置され、ボンディングワイヤ112の一部を封止する。白色樹脂113は、発光素子111から基板110の外縁に向かって離隔するに従って、高さが高くなる傾斜面である反射面113aを有する。発光素子111から出射された光の一部は、反射面113aに反射して出射面115から出射される。
封止樹脂114は、シリコーン樹脂等の透明樹脂で形成され、蛍光体及びフィラーを含有し、白色樹脂113に囲まれた領域に配置され、発光素子111及びボンディングワイヤ112の一部を封止する。封止樹脂114の硬度は、白色樹脂113の硬度より高い。
封止樹脂114に含有される蛍光体は、発光素子111から出射された青色の光を変換して発光素子111から出射された青色の光の波長と異なる波長の黄色の光を放射する。封止樹脂114に含有される蛍光体は、例えばイットリウム・アルミニウム・ガーネットである。封止樹脂114に含有される蛍光体から放射される黄色の光の主波長は、525nmと575nmとの間の範囲内であり、一例では550nmである。
封止樹脂114に含有されるフィラーは、発光素子111から出射された光を拡散する拡散材であり、例えば二酸化ケイ素である。フィラーは、封止樹脂114に略均一に分布するように配置される。
ボンディングワイヤ112は、第1部分131と、第2部分132と、第3部分133とを有する。第1部分131は、アノード配線121及びカソード配線122のそれぞれに接続されるボンディングワイヤ112の一端を含む白色樹脂113に埋設される部分であり、全体に亘って白色樹脂113に覆われる。第2部分132は、発光素子111のアノード及びカソードのそれぞれに接続されるボンディングワイヤ112の他端を含む封止樹脂114に埋設される部分であり、全体に亘って封止樹脂114に覆われる。
第3部分133は、第1部分131と第2部分132との間に配置され、白色樹脂113からボンディングワイヤ112の延伸方向に沿って延伸する錐体状の錐体樹脂130によって被覆される部分である。第3部分133は、少なくとも一辺から対向する辺に向かって延伸する突出する突出部の他の例である。錐体樹脂130は、白色樹脂113の表面を底面とする略円錐状又は略円錐状の一部を成す形状を有する部材であり、白色樹脂113がボンディングワイヤ112の延伸方向に沿って伸び出ることにより形成される。
一対のボンディングワイヤ112のそれぞれが白色樹脂113から封止樹脂114に向かって突出する境界点Bは、一対のボンディングワイヤ112のそれぞれと白色樹脂113の表面とが交差する交点である。錐体樹脂130が形成される白色樹脂113の表面の輪郭は、錐体樹脂130が形成されない白色樹脂113の輪郭から推定される。例えば、錐体樹脂130が白色樹脂113を含有するとき、錐体樹脂130が形成される白色樹脂113の表面の輪郭の湾曲が、錐体樹脂130を挟む錐体樹脂130が形成されない白色樹脂113の輪郭の湾曲と連続するように推定される。
発光装置101の断面において、第3部分133におけるボンディングワイヤ112には、第3部分133におけるボンディングワイヤ112の第1部分131から第2部分132へ向かう延伸方向と基板110表面の延伸方向とが成す角であって、図18において直線Lbで示される基板110表面の延伸方向を基準とした角θが、-45°以上であり、+45°以下である部分を有することが好ましい。また、角θは、0°以下であることが更に好ましい。ボンディングワイヤ112の第1部分131から第2部分132へ向かう延伸方向と基板110表面の延伸方向とが成す角は、直線Lbに対して基板から離隔する方向をプラス方向とし、直線Lbに対して基板に近接する方向をマイナス方向とする。
境界点Bの発光素子111裏面からの高さHbは、発光素子111の表面の発光素子111の裏面からの高さHs以上であることが好ましい。また、境界点Bの発光素子111の裏面からの高さHbは、発光素子111の表面の発光素子111の裏面からの高さHsの1.3倍以上であることが更に好ましい。
角θが小さくなるほど、錐体樹脂30が形成され易くなる。
第3部分133におけるボンディングワイヤ112の延伸方向は、SEM等により観察される発光装置101の断面において、境界点Bと錐体樹脂130の頂点Sとの間のボンディングワイヤ112の接線Lwの延伸方向である。一方、基板110表面の延伸方向は、発光装置101の断面において、基板110表面に平行な直線Lbの延伸方向である。
また、錐体樹脂130の底面の径Ldは、ボンディングワイヤ112の断面の径Wdの1.1倍以上であり、20倍以下であることが好ましく、5倍以下であることが更に好ましい。
錐体樹脂130の底面の径Ldは、発光装置101の断面において、錐体樹脂130の底面の一端E1と錐体樹脂130の底面の他端E2との間を結んだ直線の長さである。発光装置101の断面における錐体樹脂130の底面の一端E1及びE2のそれぞれは、発光装置01の断面において、白色樹脂113の輪郭から錐体樹脂130が立ち上がる点である。
錐体樹脂130の底面の径Ldがボンディングワイヤ112の断面の径Wdの1.1倍未満であるとき、錐体樹脂130は、SEM等により観察が容易ではなくなる。錐体樹脂130の底面の径Ldが大きくなるほど、白色樹脂113と封止樹脂114との熱膨張率の差により生じる応力がボンディングワイヤ112に印加され難くなる。しかしながら、ボンディングワイヤ112に付着する白色樹脂113の硬化前の樹脂材料の径をWdの20倍よりも大きくすると、白色樹脂113はボンディングワイヤ112から脱落しやすくなるため錐体樹脂130の形成が容易ではなくなる。さらに、Wdの5倍よりも大きくすると、白色樹脂113の表面形状が著しく変化するため光学特性を低下させる要因となる。
また、境界点Bと錐体樹脂310の頂点Sとの間の直線の長さ、すなわち第3部分133の長さL3は、錐体樹脂130の底面の径Ldの0.1倍以上であり、10倍以下であることが好ましく、2倍以下であることが更に好ましい。
第3部分133の長さL3が錐体樹脂130の底面の径Ldの0.1倍未満であるとき、錐体樹脂130は、SEM等により観察が容易ではなくなる。第3部分133の長さL3が長くなるほど、白色樹脂113と封止樹脂114との熱膨張率の差により生じる応力がボンディングワイヤ112に印加され難くなる。しかしながら、ボンディングワイヤ112に付着する白色樹脂113の硬化前の樹脂材料の長さをLdの10倍よりも大きくすると、白色樹脂113はボンディングワイヤ112から脱落しやすくなるため錐体樹脂130の形成が容易ではなくなり、また白色樹脂113がボンディングワイヤ112から発光素子111へと流れ込み発光面を覆うことで光学特性を低下させる要因となる。さらに、L3をLdの2倍よりも大きくすると、白色樹脂113の表面形状が著しく変化するため、光学特性を低下させる要因となる。
(第2実施形態に係る発光装置の製造方法)
図19は発光装置101の製造方法を示す図であり、図19(a)は第1工程を示し、図19(b)は第2工程を示し、図19(c)は第3工程を示し、図19(d)は第4工程を示し、図19(e)は第5工程を示す。図19において、単一の発光装置101のみが示されるが、発光装置101は、複数の基板110を連結した集合基板を使用して製造される。
まず、第1工程において、アノード配線121及びカソード配線122が表面に形成された複数の基板110を連結した集合基板が準備される。次いで、第2工程において、発光素子111は、ダイボンド材によって複数の基板110のそれぞれのアノード配線121上に接着される。
次いで、第3工程において、第2工程においてアノード配線121上に接着された複数の発光素子111のそれぞれのアノードとアノード配線121との間がワイヤボンディング処理によってボンディングワイヤ112によって接続される。また、複数の発光素子111のそれぞれのカソードとカソード配線122との間がワイヤボンディング処理によってボンディングワイヤ112によって接続される。
次いで、第4工程において、白色樹脂113が複数の基板110のそれぞれの表面に配置される。白色樹脂113の固化前の樹脂材料は、発光素子111との間に所定の離隔距離を有するように配置される。白色樹脂113の固化前の樹脂材料が配置された後に、基板110を加熱することで、白色樹脂113が形成される。白色樹脂113が形成されるとき、白色樹脂113に埋設される第1部分131及び錐体樹脂130によって被覆される第3部分133がボンディングワイヤ112の周囲に形成される。
次いで、第5工程において、封止樹脂114が複数の基板110のそれぞれの表面に配置される。封止樹脂114の固化前の樹脂材料は、発光素子111、ボンディングワイヤ112及び白色樹脂113を覆うように配置される。封止樹脂114の固化前の樹脂材料が配置された後に、基板110を加熱することで、封止樹脂114が形成される。封止樹脂114が形成されるとき、封止樹脂114に埋設される第2部分132がボンディングワイヤ112の周囲に形成される。
そして、第6工程によって、複数の基板110が連結された集合基板を切断することによって、複数の基板110のそれぞれが分離されて発光装置101が製造される。
(第2実施形態に係る発光装置の作用効果)
発光装置101では、ボンディングワイヤ112は、第1部分131と第2部分132との間に配置され、白色樹脂113からボンディングワイヤ112の延伸方向に沿って延伸する錐体状の錐体樹脂130によって被覆される第3部分133を有する。発光装置101は、錐体状の錐体樹脂130によって被覆される第3部分133をボンディングワイヤ112が有することで、白色樹脂113と封止樹脂114との界面の近傍のボンディングワイヤ112への白色樹脂と封止樹脂との熱膨張率の差により生じる応力が低減される。発光装置101では、白色樹脂113と封止樹脂114との界面の近傍のボンディングワイヤ112への白色樹脂と封止樹脂との熱膨張率の差により生じる応力が低減されるので、ボンディングワイヤ112が経年劣化して接続不良が発生するおそれを低くすることができる。
また、発光装置101では、境界点Bの高さHbを発光素子111の表面の高さHsよりも高くすることで、境界点Bにおける一対のボンディングワイヤ112の延伸方向が水平方向に近くなり、錐体樹脂130が更に形成され易くなる。
(第3実施形態に係る発光装置の構成および機能)
図20は第3実施形態に係る発光装置の平面図であり、図21は第3実施形態に係る発光装置の白色樹脂及び封止樹脂を除去した状態の平面図ある。
発光装置102は、基板150と、第1発光素子151と、第2発光素子152と、第3発光素子153と、ボンディングワイヤ154と、枠材155と、白色樹脂156と、封止樹脂157とを有する。発光装置102は、第1発光素子151、第2発光素子152及び第3発光素子153から出射された光を出射面158から出射する。
基板150は、基板110と同様に、ガラスエポキシ樹脂等の絶縁性樹脂で形成された矩形状の平面形状を有する。基板150の表面には第1アノード配線161及び第1カソード配線162、第2アノード配線163及び第2カソード配線164並びに第3アノード配線165及び第3カソード配線166が配置される。第1アノード配線161~第3カソード配線166のそれぞれは、基板150の裏面に形成される裏面電極に接続される。
第1アノード配線161及び第1カソード配線162は、基板150の外縁と第1発光素子151の間に配置される。第1アノード配線161は第1発光素子151のアノードに接続され、第1カソード配線162は第1発光素子151のカソードに接続される。
第2アノード配線163は、基板10の外縁と第2発光素子152の間に配置される。第2カソード配線164は、第1発光素子151~第3発光素子153が実装される平板部と、基板150の外縁と第2発光素子152との間に配置される配線部とを有する。第2アノード配線163は第2発光素子152のアノードに接続され、第2カソード配線164は第2発光素子152のカソードに接続される。
第3アノード配線165及び第3カソード配線166は、基板150の外縁と第3発光素子153の間に配置される。第3アノード配線165は第3発光素子153のアノードに接続され、第3カソード配線166は第3発光素子153のカソードに接続される。
第1発光素子151は、発光素子111と同様に、矩形の平面形状を有する青色LEDダイである。第1発光素子151は、ボンディングワイヤ154を介して接続される第1アノード配線161と第1カソード配線162との間に裏面電極を介して順方向電圧が印加されることに応じて青色の光を出射する。
第2発光素子152は、矩形の平面形状を有する緑色LEDダイである。第2発光素子152は、ボンディングワイヤ154を介して接続される第2アノード配線163と第2カソード配線164との間に裏面電極を介して順方向電圧が印加されることに応じて緑色の光を出射する。第2発光素子152から出射される緑色の光の主波長は、500nmと570nmとの間の範囲内であり、一例では550nmである。第2発光素子152は、透明な基板であるサファイア基板上に窒化ガリウム層により形成されるPN接合層を積層して形成される。
第3発光素子153は、矩形の平面形状を有する赤色LEDダイである。第3発光素子153は、ボンディングワイヤ154を介して接続される第3アノード配線165と第3カソード配線166との間に裏面電極を介して順方向電圧が印加されることに応じて赤色の光を出射する。第3発光素子153から出射される赤色の光の主波長は、600nmと680nmとの間の範囲内であり、一例では660nmである。第3発光素子53は、光を透過しない基板であるシリコン基板上に砒化ガリウムアルミニウム層により形成されるPN接合層を配置して形成される。
ボンディングワイヤ154のそれぞれは、一対のボンディングワイヤ112と同様に、金等の導電性部材により形成される線状部材である。ボンディングワイヤ154のそれぞれは、第1発光素子151、第2発光素子152及び第3発光素子153と第1アノード配線161~第3カソード配線166のそれぞれとの間を電気的に接続する。
ボンディングワイヤ154のそれぞれは、一対のボンディングワイヤ112と同様に、白色樹脂156に埋設される第1部分、封止樹脂157に埋設される第2部分、及び第1部分と前第2部分との間に配置される第3部分を有する。ボンディングワイヤ154のそれぞれが有する第3部分は、白色樹脂156からボンディングワイヤ154の延伸方向に沿って延伸する錐体状の錐体樹脂160によって被覆される。
枠材155は、シリコーン樹脂等の透明樹脂に、酸化チタン等の白色の粒子を含有して形成され、基板150の外縁に沿って配置される枠状の部材である。枠材155は、ポリイミド樹脂及びアルミナ等の剛性が高く且つ反射率が高い樹脂により形成されてもよい。
白色樹脂156は、白色樹脂113と同様に、シリコーン樹脂等の透明樹脂に、酸化チタン等の白色の粒子を含有して形成される。白色樹脂156は、外縁が枠材155の内縁に接し、第1発光素子151、第2発光素子152及び第3発光素子153を囲むように配置され、ボンディングワイヤ154の一部を封止する。
封止樹脂157は、封止樹脂114と同様に、シリコーン樹脂等の透明樹脂で形成され、枠材155に囲まれた領域に配置され、第1発光素子151~第3発光素子153及びボンディングワイヤ154の一部を封止する。
(第2実施形態及び第3実施形態に係る発光装置の変形例)
発光装置101及び102では、錐体樹脂130及び160は、白色樹脂113及び156により形成されるが、実施形態に係る発光装置では、錐体樹脂の一部及び全ては、白色樹脂113及び156に含まれる透明樹脂により形成されてもよい。白色樹脂113及び156に含まれる白色の樹脂を含まない透明樹脂が白色樹脂113及び156の固化前の樹脂材料からボンディングワイヤ112に沿って伸び出ることで、錐体樹脂の一部及び全ては、白色樹脂113及び156に含まれる透明樹脂により形成される。
また、実施形態に係る発光装置では、錐体樹脂は、白色樹脂113及び156、並びに白色樹脂113及び156に含まれる透明樹脂以外の合成樹脂によって形成されてもよい。錐体樹脂が白色樹脂113及び156、並びに白色樹脂に含まれる透明樹脂以外の合成樹脂によって形成されるとき、錐体樹脂は、白色樹脂が形成された後に、白色樹脂から突出するボンディングワイヤの周囲に形成される。
発光装置101では、封止樹脂114は、蛍光体及びフィラーを含有するが、実施形態に係る発光装置では、封止樹脂は、蛍光体及びフィラーを含有しなくてもよく、蛍光体及びフィラーの一方のみ含有してよい。
また、発光装置101は単一の発光素子111を有し、発光装置102は第1発光素子151、第2発光素子152及び第3発光素子153の3つの発光素子を有するが、実施形態に係る発光装置は、2又は4個以上の発光素子を有してもよい。実施形態に係る発光装置は、アレイ状に配置された複数の発光素子を有するCOB型の発光装置であってもよい。
また、発光装置101及び102では、アノード電極及びカソード電極は、基板の裏面に配置されるが、実施形態に係る発光装置では、アノード電極及びカソード電極は、基板の表面若しくは側面に配置されてもよい。
また、発光装置101及び102では、基板は、矩形の平面形状を有するが、実施形態に係る発光装置では、基板は、円形等の矩形以外の平面形状を有してもよい。
また、発光装置101では、基板の側面及び白色樹脂の側面は、同一面を形成するが、実施形態に係る発光装置では、基板の側面及び白色樹脂の側面は、同一面を形成しなくてもよい。
また、発光装置102では、基板の側面及び枠材の側面は、同一面を形成するが、実施形態に係る発光装置では、基板の側面及び枠材の側面は、同一面を形成しなくてもよい。
(実施形態に係る発光装置の熱応力シミュレーション)
図22(a)は実施形態に係る発光装置のボンディングワイヤが有する第3部分の形状と応力との関係を示すシミュレーションに使用されるモデルの斜視図であり、図22(b)は図22(a)に示すF-F線に沿う断面図である。図22(c)は、シミュレーションに使用されるモデルにおける錐体樹脂の高さ及び底辺の径を示す図である。
モデル103は、基板170と、発光素子171と、ボンディングワイヤ172と、白色樹脂173と、封止樹脂174とを有する。基板170は、第1配線パターン175及び第2配線パターン176を表面に有すると共に、第1電極177及び第2電極178を裏面に有する。また、ボンディングワイヤ172は、白色樹脂173に埋設される第1部分と封止樹脂174に埋設される第2部分を有する。また、ボンディングワイヤ172は、第1部分と第2部分との間に配置され、白色樹脂173からボンディングワイヤ172の延伸方向に沿って延伸する錐体状の錐体樹脂180によって被覆される第3部分を有する。
実施例1では、錐体樹脂180の高さは100μmであり、錐体樹脂180の底辺の径は40μmであり、錐体樹脂180は極めて細い。実施例2では、錐体樹脂180の高さは100μmであり、錐体樹脂180の底辺の径は55μmであり、錐体樹脂180は細い。実施例3では、錐体樹脂180の高さは100μmであり、錐体樹脂180の底辺の径は70μmであり、錐体樹脂180は基準となる高さ及び径を有する。
実施例4では、錐体樹脂180の高さは25μmであり、錐体樹脂180の底辺の径は70μmであり、錐体樹脂180は極めて短い。実施例5では、錐体樹脂180の高さは50μmであり、錐体樹脂180の底辺の径は70μmであり、錐体樹脂180は短い。実施例6では、錐体樹脂180の高さは150μmであり、錐体樹脂180の底辺の径は70μmであり、錐体樹脂180は長い。
比較例1では、錐体樹脂180の高さは0μmであり、錐体樹脂180の底辺の径は0μmであり、錐体樹脂180は形成されない。比較例2では、錐体樹脂180の高さは100μmであり、錐体樹脂180の底辺の径は100μmであり、錐体樹脂180は太い。比較例3では、錐体樹脂180の高さは200μmであり、錐体樹脂180の底辺の径は70μmであり、錐体樹脂180は極めて長い。
シミュレーションでは、図22(b)に示すモデルの断面図において、モデル103を基板170の延伸方向及び法線方向に移動可能に支持した状態で、モデル103の全体に亘って等分布する熱が25℃から125℃まで上昇された。シミュレーションに使用されたシミュレータは、ANSYS社製のANSYS Mechanicalである。
基板170の線膨張係数は82ppm/℃であり、発光素子71の線膨張係数は7.7ppm/℃であり、ボンディングワイヤ172の線膨張係数は14ppm/℃であり、ボンディングワイヤ172の断面の径は24.5μmであり、白色樹脂173の線膨張係数は240ppm/℃であり、封止樹脂174の線膨張係数は220ppm/℃である。また、第1配線パターン175の線膨張係数は16.6ppm/℃であり、第2配線パターン176の線膨張係数は16.6ppm/℃であり、第1電極177の線膨張係数は14ppm/℃であり、第2電極178の線膨張係数は14ppm/℃である。
図23(a)はシミュレーション結果を示す図(その1)であり、図23(b)はシミュレーション結果を示す図(その2)である。図23(a)において、横軸は錐体樹脂180の高さであり、縦軸はボンディングワイヤ172に発生する応力である。また、図23(b)において、横軸は錐体樹脂80の底面の径であり、縦軸はボンディングワイヤ72に発生する応力である。
図23(a)に示すように、錐体樹脂180の長さが長くなるほど、ボンディングワイヤ172に発生する応力は小さくなる。また、図23(b)に示すように、錐体樹脂180の底面の径が長くなるほど、ボンディングワイヤ172に発生する応力は小さくなる。
錐体樹脂180に発生する応力は、400〔MPa〕以下であることが好ましい。錐体樹脂180に発生する応力が400〔MPa〕を超えると、ボンディングワイヤ172に印加される応力が過大となり、ボンディングワイヤ172が破断するおそれがある。また、錐体樹脂180の高さが170〔μm〕よりも高くなると錐体樹脂180が破損するおそれがある。また、錐体樹脂180の底面の径が80〔μm〕よりも長くなると錐体樹脂180が破損するおそれがある。
図23(a)において双方向矢印Aで示されるように、錐体樹脂180の高さは、錐体樹脂180に発生する応力が400〔MPa〕以下である20〔μm〕以上であり且つ170〔μm〕以下であることが好ましい。また、図23(b)において双方向矢印Bで示されるように、錐体樹脂180の底面の径は、錐体樹脂180に発生する応力が400〔MPa〕以下である15〔μm〕以上であり且つ80〔μm〕以下であることが好ましい。
比較例1~3は、高さ及び底面の径の好ましい範囲外であり、判定は「×」になる。実施例1~6は、高さ及び底面の径の好ましい範囲内であり、判定は「〇」になる。
(第4実施形態に係る発光装置の構成および機能)
図24(a)は第4実施形態に係る発光装置の平面図であり、図24(b)は図24(a)に示すA-A線に沿う断面図である。
発光装置201は、基板210と、第1発光素子211と、第2発光素子212と、第3発光素子213と、ボンディングワイヤ214と、枠材215と、白色樹脂216と、封止樹脂217とを有する。発光装置201は、第1発光素子211、第2発光素子212及び第3発光素子213から出射された光を出射面218から出射する。
図25は、発光装置201の枠材215、白色樹脂216及び封止樹脂217を除去した状態の平面図ある。
基板210は、ガラスエポキシ樹脂等の絶縁性樹脂で形成された矩形状の平面形状を有する。基板210の表面には第1アノード配線221及び第1カソード配線222、第2アノード配線223及び第2カソード配線224並びに第3アノード配線225及び第3カソード配線226が配置される。第1アノード配線221~第3カソード配線226のそれぞれは、基板210の裏面に形成される裏面電極に接続される。
第1アノード配線221及び第1カソード配線222は、基板210の外縁と第1発光素子211の間に配置される。第1アノード配線221は第1発光素子211のアノードに接続され、第1カソード配線222は第1発光素子211のカソードに接続される。
第2アノード配線223は、基板210の外縁と第2発光素子212の間に配置される。第2カソード配線224は、第1発光素子211~第3発光素子213が実装される平板部と、基板210の外縁と第2発光素子212との間に配置される配線部とを有する。第2アノード配線223は第2発光素子212のアノードに接続され、第2カソード配線224は第2発光素子212のカソードに接続される。
第3アノード配線225及び第3カソード配線226は、基板210の外縁と第3発光素子213の間に配置される。第3アノード配線225は第3発光素子213のアノードに接続され、第3カソード配線226は第3発光素子213のカソードに接続される。
第1発光素子211は、矩形の平面形状を有する赤色LEDダイである。第1発光素子211は、ボンディングワイヤ214を介して接続される第1アノード配線221と第1カソード配線222との間に裏面電極を介して順方向電圧が印加されることに応じて赤色の光を出射する。第1発光素子211から出射される赤色の光の主波長は、600nmと680nmとの間の範囲内であり、一例では660nmである。第1発光素子211は、光を透過しない基板であるシリコン基板上に砒化ガリウムアルミニウム層により形成されるPN接合層を配置して形成される。
第2発光素子212は、矩形の平面形状を有する緑色LEDダイである。第2発光素子212は、ボンディングワイヤ214を介して接続される第2アノード配線223と第2カソード配線224との間に裏面電極を介して順方向電圧が印加されることに応じて緑色の光を出射する。第2発光素子212から出射される緑色の光の主波長は、500nmと570nmとの間の範囲内であり、一例では550nmである。第2発光素子212は、透明な基板であるサファイア基板上に窒化ガリウム層により形成されるPN接合層を積層して形成される。
第3発光素子213は、矩形の平面形状を有する青色LEDダイである。第3発光素子213は、ボンディングワイヤ214を介して接続される第3アノード配線225と第3カソード配線226との間に裏面電極を介して順方向電圧が印加されることに応じて青色の光を出射する。第3発光素子213から出射される青色の光の主波長は、445nmと495nmとの間の範囲内であり、一例では450nmである。第3発光素子213は、透明な基板であるサファイア基板上に窒化ガリウム層により形成されるPN接合層を積層して形成される。
図26(a)は第1発光素子211の寸法を示す平面図であり、図26(b)は第2発光素子212の寸法を示す平面図であり、図26(c)は第3発光素子213の寸法を示す平面図である。
第1発光素子211~第3発光素子213のそれぞれは、矩形の平面形状を有する。第1発光素子211では、長手方向に延伸する一対の辺の長さである第1長さはL1lであり、短手方向に延伸する一対の辺の長さである第4長さはL1sである。第2発光素子212では、4つの辺の長さである第2長さはL2である。第3発光素子213では、4つの辺の長さである第3長さはL3である。
第2発光素子212の4辺の長さである第2長さL2は、第1発光素子211の長辺の長さである第1長さL1lよりも短く、且つ、第1発光素子211の短辺の長さである第4長さL1sよりも長い。第3発光素子213の4辺の長さである第3長さL3は、第1発光素子211の長辺の長さである第1長さL1lよりも短く、且つ、第1発光素子211の短辺の長さである第4長さL1sよりも長い。
第2発光素子212の4辺の長さである第2長さL2は、第3発光素子213の4辺の長さである第3長さL3と同一である。
第1発光素子211は、第1辺231に近接し且つ長辺が第1辺231と平行になるように配置される。第2発光素子212及び第3発光素子213は、第3辺233に近接し且つ一辺が第3辺233と平行になるように配列される.
ボンディングワイヤ214のそれぞれは、金等の導電性部材により形成される線状部材である。ボンディングワイヤ214のそれぞれは、第1発光素子211、第2発光素子212及び第3発光素子213と第1アノード配線221~第3カソード配線226のそれぞれとの間を電気的に接続する。
枠材215は、シリコーン樹脂等の透明樹脂に、酸化チタン等の白色の粒子を含有して形成され、基板210の外縁に沿って配置される枠状の部材である。枠材215は、ポリイミド樹脂及びアルミナ等の剛性が高く且つ反射率が高い樹脂により形成されてもよい。
白色樹脂216は、ダム樹脂とも称され、シリコーン樹脂等の透明樹脂に、酸化チタン等の白色の粒子を含有して形成される。白色樹脂216は、外縁が枠材215の内縁に接し、第1発光素子211、第2発光素子212及び第3発光素子213を囲むように配置され、ボンディングワイヤ214の一部を封止する。
白色樹脂216は、第1辺231と、第2辺232と、第3辺233と、第4辺234とを有する。第1辺231は、第1アノード配線221及び第1カソード配線222に近接すると共に、第1アノード配線221及び第1カソード配線222の延伸方向に平行に延伸する基板210の1つの辺に平行に延伸するように配置される。図24において双方向矢印Bで示される第1発光素子211と白色樹脂216との間の最小離隔距離Lm1は、0.05mm以上であり且つ0.35mm以下である。
第3辺233は、第1辺231に対向して配置され、第2アノード配線223及び第3カソード配線226に近接すると共に、第2アノード配線223及び第3カソード配線226の延伸方向に平行に延伸する基板210の1つの辺に平行に延伸するように配置される。
第2辺232及び第4辺234は、第1辺231及び第3辺233の延伸方向に直交する方向に延伸し、第1辺231と第3辺233とを接続する。第2辺232は、第1カソード配線222、第2カソード配線224、第3アノード配線225及び第3カソード配線226に近接するように配置される。第4辺234は、第1アノード配線221、第2アノード配線223、第2カソード配線224及び第3アノード配線225に近接するように配置される。図24において双方向矢印Cで示される第2発光素子212及び第3発光素子213と白色樹脂216との間の最小離隔距離Lm2は、0.05mm以上であり且つ0.35mm以下である。
第1発光素子211~第3発光素子213のそれぞれの発光素子間の最小距離は、0.03mm以上であり且つ0.08mm以下である。
第1発光素子211~第3発光素子213のそれぞれの発光素子の上面の面積の合計は、白色樹脂216に囲まれている基板210の上面の面積の3%以上あり且つ50%以下である。
白色樹脂216は、第1角236と、第2角237と、第3角238と、第4角239とを更に有する。第1角236は第4辺234と第1辺231との間の角であり、第2角237は第1辺231と第2辺232との間の角である。第3角238は第2辺232と第3辺233との間の角であり、第4角239は第3辺233と第4辺234との間の角である。
第1角236及び第2角237は、第3角238及び第4角239と比較して基板210の内側、すなわち対角である第3角238及び第4角239のそれぞれの方向に向かって長く延出する。第1角236及び第2角237は、第3角238及び第4角239の方向に向かって延出することにより、第3角238及び第4角239よりも延出距離が長くなる。第1角236及び第2角237は、少なくとも一辺から対向する辺に向かって延伸する突出する突出部の更に他の例である。
図27は、白色樹脂216の角の内壁の延出距離を規定する方法を説明するための図である。図27は、基板210の上面に平行で、基板210の上面から白色樹脂216の上端の間の、白色樹脂216の断面図のひとつであり、第1発光素子211~発光素子213の下面と上面の間を通る図24(b)に示すD-D線に沿う断面のうち白色樹脂216のみを示した断面図である。
延出距離は、基板210の上面に平行な白色樹脂216の断面のひとつにおいて、白色樹脂216の内壁に外接する矩形である外接矩形の4つの角のそれぞれと、外接矩形の一対の対角線が白色樹脂216の内壁と交差する4つの交点の中で外接矩形の4つの角のそれぞれに最も近い交点との間の距離である。図27に示す例では、平面視において、白色樹脂216の第1角の延出距離はLe1で示され、第2角の延出距離はLe2で示され、第3角の延出距離はLe3で示され、第4角の延出距離はLe4で示される。
図27では、白色樹脂の内壁に外接する矩形である外接矩形は、第1接線Lt1、第2接線Lt2、第3接線Lt3及び第4接線Lt4により形成される。第1接線Lt1は第1辺231の延伸方向と平行で第1辺231の内壁に外接する接線であり、第2接線Lt2は第2辺232の延伸方向と平行で第2辺232の内壁に外接する接線である。第3接線Lt3は第3辺233の延伸方向と平行で第3辺233の内壁に外接する接線であり、第4接線Lt4は第4辺234の延伸方向と平行で第4辺234の内壁に外接する接線である。
白色樹脂の内壁に外接する矩形である外接矩形の4つの角は、第1交点P1、第2交点P2、第3交点P3及び第4交点P4である。第1交点P1は第4接線Lt4と第1接線Lt1の交点であり、第2交点P2は第1接線Lt1と第2接線Lt2の交点であり、第3交点P3は第2接線Lt2と第3接線Lt3の交点であり、第4交点P4は第3接線Lt3と第4接線Lt4の交点である。
白色樹脂の内壁に外接する矩形である外接矩形の一対の対角線は、第1対角線Ld1及び第2対角線Ld2である。第1対角線Ld1は対角である第1交点P1と第3交点P3との間の対角線であり、第2対角線Ld2は対角である第2交点P2と第4交点P4との間の対角線である。
白色樹脂の内壁に外接する矩形である外接矩形の一対の対角線である第1対角線Ld1及び第2対角線Ld2が白色樹脂216の内壁と交差する4つの交点は、第5交点P5、第6交点P6、第7交点P7及び第8交点P8である。第5交点P5は第1対角線Ld1と第1角236に近接する白色樹脂216の内壁と交差する交点であり、第6交点P6は第2対角線Ld2と第2角237に近接する白色樹脂216の内壁と交差する交点である。第7交点P7は第1対角線Ld1と第3角238に近接する白色樹脂216の内壁と交差する交点であり、第8交点P8は第2対角線Ld2と第4角239に近接する白色樹脂216の内壁と交差する交点である。
第1角236の内壁の延出距離Le1は、第1角236に最も近い外接矩形の角である第1交点P1と、外接矩形の対角線が白色樹脂216の内壁と交差する4つの交点の中で第1交点P1に最も近い交点である第5交点P5との間の距離である。第2角237の内壁の延出距離Le2は、第2角237に最も近い外接矩形の角である第2交点P2と、外接矩形の対角線が白色樹脂216の内壁と交差する4つの交点の中で第2交点P2に最も近い交点である第6交点P6との間の距離である。第3角238の内壁の延出距離Le3は、第3角238に最も近い外接矩形の角である第3交点P3と、外接矩形の対角線が白色樹脂216の内壁と交差する4つの交点の中で第3交点P3に最も近い交点である第7交点P7との間の距離である。第4角239の内壁の延出距離Le4は、第4角239に最も近い外接矩形の角である第4交点P4と、外接矩形の対角線が白色樹脂216の内壁と交差する4つの交点の中で第4交点P4に最も近い交点である第8交点P8との間の距離である。
封止樹脂217は、シリコーン樹脂等の透明樹脂で形成され、枠材215に囲まれた領域に配置され、第1発光素子211~第3発光素子213及びボンディングワイヤ214の一部を封止する。
(第4実施形態に係る発光装置の製造方法)
図28は、発光装置201の製造方法の一例を示すフローチャートである。図29は基板準備工程を示す図であり、図30は発光素子実装工程を示す図であり、図31は枠材形成工程を示す図である。図32は白色樹脂形成工程を示す図(その1)であり、図33は白色脂形成工程を示す図(その2)であり、図34は白色樹脂形成工程を示す図(その3)である。図6~11において、単一の発光装置201のみが示されるが、発光装置201は、複数の基板210を連結した集合基板を使用して製造される。
まず、基板準備工程において、第1アノード配線221~第3カソード配線226のそれぞれが表面に形成された複数の基板210を連結した集合基板が準備される(S101)。次いで、発光素子実装工程において、第1発光素子211~第3発光素子213のそれぞれは、ダイボンド材によって複数の基板210のそれぞれの第2カソード配線224上に接着される(S102)。
発光装置201における発光素子は、ワイヤボンディングタイプの発光素子を一例として挙げているが、フリップチップタイプの発光素子でも構わない。フリップチップタイプの発光素子の場合、発光素子実装工程において、発光素子はフリップチップボンディングによって接着される。
次いで、図25に示すように、ワイヤボンディング工程において、第1発光素子211~第3発光素子213のそれぞれのアノード及びカソードと、第1アノード配線221~第3カソード配線226の間がボンディングワイヤ214によって接続される(S103)。第1発光素子211のアノードはボンディングワイヤ214によって第1アノード配線221に接続され、第1発光素子211のカソードはボンディングワイヤ214によって第1カソード配線222に接続される。第2発光素子212のアノードはボンディングワイヤ214によって第2アノード配線223に接続され、第2発光素子212のカソードはボンディングワイヤ214によって第2カソード配線224に接続される。第3発光素子213のアノードはボンディングワイヤ214によって第3アノード配線225に接続され、第3発光素子213のカソードはボンディングワイヤ214によって第3カソード配線226に接続される。
発光装置201における発光素子は、アノード及びカソードの両方にワイヤ接続をするワイヤボンディングタイプの発光素子を一例として挙げているが、アノード若しくはカソードの一方にのみワイヤ接続をするワイヤボンディングタイプの発光素子でも良いし、フリップチップタイプの発光素子でも良い。
次いで、枠材形成工程において、枠材215が基板210の外縁に沿って形成される。枠材215の固化前の樹脂材料は、基板210の外縁に沿って配置された後に、側面が直立し且つ表面が平滑化するように整形される(S104)。枠材215の固化前の樹脂材料が整形された後に、基板210を加熱することで、枠材215の固化前の樹脂材料が形成される。
枠材215は形成されなくてもよい。枠材215が形成されない場合は、枠材形成工程が省かれる。
次いで、白色樹脂形成工程において、白色樹脂216が複数の基板210のそれの表面に配置される(S105)。まず、図32に示すように、白色樹脂216の固化前の樹脂材料216aは、第1発光素子211、第2発光素子212及び第3発光素子213を囲むように配置される。次いで、図33に示すように、第1発光素子211、第2発光素子212及び第3発光素子213を囲むように配置された白色樹脂216の固化前の樹脂材料216aの第1角236及び第2角237に対応する部分に白色樹脂216の固化前の樹脂材料216bが配置され、第3角238及び第4角239に対応する部分に白色樹脂216の固化前の樹脂材料216cが配置される。樹脂材料216cは樹脂材料216bより少量で、樹脂材料216cは配置されない工程もあり得る。そして、図34に示すように、白色樹脂216の固化前の樹脂材料が配置された後に、基板210を加熱することで、白色樹脂216が形成される。
次いで、封止樹脂形成工程において、封止樹脂217が複数の基板210のそれの表面に形成される(S106)。封止樹脂217の固化前の樹脂材料は、第1発光素子211、第2発光素子212、第3発光素子213、ボンディングワイヤ214及び白色樹脂216を覆うように配置される。封止樹脂217の固化前の樹脂材料が配置された後に、基板210を加熱することで、封止樹脂217が形成される。
そして、基板切断工程において、複数の基板210が連結された集合基板を切断する(S107)ことによって、複数の基板210のそれぞれが分離されて発光装置201が製造される。
(第4実施形態に係る発光装置の作用効果)
発光装置201では、長辺の長さが長い第1発光素子211に近接する第1角236及び第2角237の内壁の延出距離は、第1発光素子211から離隔する第3角238及び第4角239の内壁の延出距離よりも長い。第1角236及び第2角237の内壁の延出距離を長くすることで、第1発光素子211と白色樹脂216との間の最小離隔距離Lm1は、第2発光素子212及び第3発光素子213と白色樹脂216との間の最小離隔距離Lm2とほぼ等しくなる。最小離隔距離Lm1と最小離隔距離Lm2がほぼ等しくなることで、発光装置201は、均一な光を出射することができる。
また、発光装置201は、第1発光素子211~第3発光素子213と白色樹脂216との間の最小離隔距離は、0.05mm以上であり且つ0.35mm以下であるので、発光効率を高くすることができる。
また、発光装置201は、第1発光素子211~第3発光素子213のそれぞれの発光素子間の最小離隔距離は、0.03mm以上である。第1発光素子211~第3発光素子213のそれぞれの発光素子間の最小離隔距離が、0.03mm以上であると、安定した位置精度で第2カソード配線224上に接着できるため、発光素子同士の接触及び過度な接近を避けることができ、寿命が向上する。また、発光装置201は、第1発光素子211~第3発光素子213のそれぞれの発光素子間の最小離隔距離は、0.08mm以下である。第1発光素子211~第3発光素子213のそれぞれの発光素子間の最小離隔距離が、0.09mm以下であると、第1発光素子211~第3発光素子213から出射される光を合成した合成光の混色性は高くなり、色ムラを低減した配光特性の良い合成光を出射することができる。第1発光素子211~第3発光素子213のそれぞれの発光素子間の最小離隔距離は、0.08mm以下であると、なお良い。
また、発光装置201は、第1発光素子211~第3発光素子213のそれぞれの発光素子の上面の面積の合計は、白色樹脂216に囲まれる基板の上面の面積の3%以上である。第1発光素子211~第3発光素子213のそれぞれの発光素子の上面の面積の合計は、白色樹脂216に囲まれる基板の上面の面積の3%以上であるので、出射面218から出射される第1発光素子211~第3発光素子213から出射される光を合成した合成光の混色性は高くなり、色ムラを低減した配光特性の良い合成光を出射することができる。また、発光装置201は、第1発光素子211~第3発光素子213のそれぞれの発光素子の上面の面積の合計は、白色樹脂216に囲まれる基板の上面の面積の50%以下である。第1発光素子211~第3発光素子213のそれぞれの発光素子の上面の面積の合計は、白色樹脂216に囲まれる基板の上面の面積の50%以下であるので、出射面218から出射される光の光束量は多くなり、発光効率は向上する。
(第4実施形態に係る発光装置の変形例)
発光装置201は、赤色の光を出射する第1発光素子211、緑色の光を出射する第2発光素子212及び青色の光を出射する第3発光素子213を有するが、実施形態に係る発光装置は、同一の色を出射する発光素子を有してもよい。例えば、実施形態に係る発光装置は、青色の光を出射する複数の発光素子を有してもよい。実施形態に係る発光装置は、青色の光を出射する複数の発光素子を有するとき、透明樹脂は青色の光を吸収し、黄色の光を出射するイットリウム・アルミニウム・ガーネット等の蛍光体を含有してもよい。
また、発光装置201は、長方形状の平面形状を有する第1発光素子211、正方形状の平面形状を有し且つ面積が同一である第2発光素子212及び第3発光素子213を有するが、実施形態に係る発光装置は、互いに面積が異なる複数の発光素子を有してもよい。また、実施形態に係る発光装置は、互いに面積が等しい複数の発光素子を有してもよい。
図35(a)は、第8変形例に係る発光装置の平面図である。
発光装置202は、3つの発光素子240を第1発光素子211~第3発光素子213の代わりに有することが、発光装置201と相違する。第1発光素子211~第3発光素子213の代わりに発光素子240を有すること以外の発光装置202の構成及び機能は、発光装置201の構成及び機能と同一なので、ここでは詳細な説明は省略する。
3つの発光素子240のそれぞれは、例えば青色の光を出射する青色LEDダイであり、白色樹脂216との間の最小離隔距離がほぼ同一になるように配置される。
また、発光装置201は、第1発光素子211~第3発光素子213を有するが、実施形態に係る発光装置は、1、2又は4つ以上の発光素子を有してもよい。
図35(b)は第9変形例に係る発光装置の平面図であり、図35(c)は第10変形例に係る発光装置の平面図である。
発光装置203は、単一の発光素子241を第1発光素子211~第3発光素子213の代わりに有することが、発光装置201と相違する。第1発光素子211~第3発光素子213の代わりに発光素子241を有すること以外の発光装置203の構成及び機能は、発光装置201の構成及び機能と同一なので、ここでは詳細な説明は省略する。
発光素子241は、例えば青色の光を出射する青色LEDダイであり、基板210の中央に配置される。発光素子241では、基板210の中央に配置された発光素子241から出射された光は、角の内壁の延出距離が相違する白色樹脂216に反射して発光装置3から出射されるので、出射される光の分布は不均一となる。例えば、発光装置203は、第1辺231が上方に位置するように配置されると共に、導光板の入光面に光を入射する側面発光装置として使用することができる。発光装置203は、第1辺231に反射して導光板の入射面に入射する光量を増加させることで、発光効率が高い側面発光装置として使用することができる。
発光装置204は、第1発光素子242及び第2発光素子243を第1発光素子211~第3発光素子213の代わりに有することが、発光装置201と相違する。第1発光素子211~第3発光素子213の代わりに第1発光素子242及び第2発光素子243を有すること以外の発光装置204の構成及び機能は、発光装置201の構成及び機能と同一なので、ここでは詳細な説明は省略する。
第1発光素子242は、例えば青色の光を出射する青色LEDダイであり、白色樹脂216の第1辺231に近接して配置される。第2発光素子243は、例えば赤色の光を出射する赤色LEDダイであり、白色樹脂216の第2辺232に近接して配置される。第1発光素子242及び第2発光素子243のそれぞれは、白色樹脂216との間の最小離隔距離がほぼ等しくなるように配置される。
また、発光装置201~204では、白色樹脂216は、第1角236及び第2角237の内壁の延出距離が、第3角238及び第4角239の内壁の延出距離よりも長い。しかしながら、実施形態に係る発光装置では、白色樹脂は、第4辺と第1辺との間の第1角の内壁の延出距離は、第1角以外の少なくとも1つの角の内壁の延出距離と相違していればよい。例えば、第4辺と第1辺との間の第1角の内壁の延出距離は、第1角以外の角の内壁の延出距離よりも長くてもよく、第1角以外の角の内壁の延出距離よりも短くてもよい。また、第4辺と第1辺との間の第1角の内壁の延出距離が第2辺と第3辺との間の第3角の内壁の延出距離と等しく、第1辺と第2辺との間の第2角の内壁の延出距離が第3辺と第4辺との間の第4角の内壁の延出距離と等しくてもよい。
図35(d)は、第11変形例に係る発光装置の平面図である。
発光装置205は、2つの発光素子244を第1発光素子211~第3発光素子213の代わりに有することが、発光装置201と相違する。また、発光装置205は、白色樹脂の形状が、発光装置201と相違する。第1発光素子211~第3発光素子213の代わりに2つの発光素子244を有すること及び白色樹脂の形状以外の発光装置205の構成及び機能は、発光装置201の構成及び機能と同一なので、ここでは詳細な説明は省略する。
発光素子244は、例えば青色の光を出射する青色LEDダイであり、基板210の対角線上に配置される。
白色樹脂246は、第1辺251、第2辺252、第3辺253及び第4辺254を有する。また、白色樹脂246は、第1角256、第2角257、第3角258及び第4角259を有する。第1角256は第4辺254と第1辺251との間の角であり、第2角257は第1辺251と第2辺252との間の角である。第3角258は第2辺252と第3辺253との間の角であり、第4角259は第3辺253と第4辺254との間の角である。
第1角256の内壁の延出距離は第3角258の内壁の延出距離とほぼ等しく、第2角257の内壁の延出距離は第4角259の内壁の延出距離とほぼ等しい。第1角256及び第3角258の内壁の延出距離は、第2角257及び第4角259の内壁の延出距離よりも長い。
(実施形態に係る発光装置の光学シミュレーション)
図36は単一の発光素子と矩形の平面形状を有する白色樹脂とを有する発光装置において、発光素子と白色樹脂との間の最小離隔距離を変化させたときのシミュレーション結果を示す図である。図36において、横軸は、発光素子と白色樹脂との間の最小離隔距離であり、縦軸は、発光素子から出射される光の最大光度と発光素子の中心の直上の光の光度との比率であり、軸上光度比とも称される。シミュレーションに使用されたシミュレータは、CYBERNET社製のLightToolsである。
図36において、曲線L11は白色樹脂の高さが0.20mmのときの軸上光度比を示し、曲線L12は白色樹脂の高さが0.25mmのときの軸上光度比を示し、曲線L13は白色樹脂の高さが0.30mmのときの軸上光度比を示す。
白色樹脂の高さが0.20mmのとき、軸上光度比は、発光素子と白色樹脂との間の最小離隔距離が0.1mmのとき最大となる。
白色樹脂の高さが0.25mmのとき、軸上光度比は、発光素子と白色樹脂との間の最小離隔距離が0.1mmのとき最大となる。
白色樹脂の高さが0.30mmのとき、軸上光度比は、発光素子と白色樹脂との間の最小離隔距離が0.1mm以上0.2mm以下の範囲で最大となる。
図36において双方向矢印Aで示されるように、発光素子と白色樹脂との間の最小離隔距離は、0.05mm以上であり且つ0.35mm以下であることが好ましい。また、図36において双方向矢印Bで示されるように、発光素子と白色樹脂との間の最小離隔距離は、0.25mm以下であることが更に好ましい。
本開示に係る発光装置は、以下に示す態様であってもよい。
(1)基板と、
基板に実装された発光素子と、
発光素子を囲むように基板に配置され、発光素子から離隔するに従って高さが高くなる傾斜面を有する白色樹脂と、
発光素子と白色樹脂との間に配置された第1透明樹脂と、
白色樹脂に囲まれた領域に配置され、発光素子を封止する第2透明樹脂と、を有し、
白色樹脂は、白色の粒子を含有する合成樹脂材により形成される、
ことを特徴とする、発光装置。
(2)第1透明樹脂は、白色樹脂を形成する合成樹脂材と同一の合成樹脂材により形成される、(1)に記載の発光装置。
(3)第2透明樹脂を形成する合成樹脂の光透過率は、第1透明樹脂の光透過率よりも高い、(1)又は(2)に記載の発光装置。
(4)第2透明樹脂の屈折率は、第1透明樹脂の屈折率よりも低い、(1)~(3)の何れか一つに記載の発光装置。
(5)第1透明樹脂と基板との密着性は、第2透明樹脂と基板との密着性よりも高い、(1)~(4)の何れか一つに記載の発光装置。
(6)第2透明樹脂は、発光素子から出射された光を変換して発光素子から出射された光の波長と異なる波長の光を放射する蛍光体が含有される、(1)~(5)の何れか一つに記載の発光装置。
(7)第2透明樹脂は、発光素子から出射された光を拡散する拡散材が含有される、(1)~(6)の何れか一つに記載の発光装置。
(8)発光素子は、矩形の平面形状を有し、
第1透明樹脂は、発光素子の少なくとも一辺に接する、(1)~(7)の何れか一つに記載の発光装置。
(9)基板上には、段差を有する設置物を更に有し、
白色樹脂は、段差を有する設置物によって係止される、(8)に記載の発光装置。
(10)第1透明樹脂は、発光素子の四辺の全てに接する、(8)又は(9)に記載の発光装置。
(11)発光素子は、透明基板を備える、(8)~(10)の何れか一つに記載の発光装置。
(12)発光素子は、透明基板を備える発光素子及び不透明基板を備える発光素子を含み、
第1透明樹脂は、透明基板を備える発光素子の少なくとも一辺に接する、(8)又は(9)に記載の発光装置。
(13)第1透明樹脂は、不透明基板を備える発光素子の一辺に接する、(12)に記載の発光装置。
また、本開示に係る発光装置は、以下に示す態様であってもよい。
(1)基板と、
基板に実装された発光素子と、
発光素子に電力を供給する電極と、
発光素子と電極とを電気的に接続する配線パターンと、
配線パターンと発光素子を電気的に接続するボンディングワイヤと、
発光素子を囲むように基板に配置された白色樹脂と、
白色樹脂に囲まれた領域に配置され、発光素子を封止する封止樹脂と、を有し、
ボンディングワイヤは、
白色樹脂に埋設される第1部分と、
封止樹脂に埋設される第2部分と、
第1部分と第2部分との間に配置され、白色樹脂からボンディングワイヤの延伸方向に沿って延伸する錐体状の錐体樹脂によって被覆される第3部分と、
を有する、ことを特徴とする発光装置。
(2)錐体樹脂は、少なくとも白色樹脂により形成される、(1)に記載の発光装置。
(3)錐体樹脂は、少なくとも白色樹脂に含まれる透明樹脂により形成される、(1)又は(2)に記載の発光装置。
(4)錐体樹脂の硬度は、封止樹脂の硬度よりも低い、(1)~(3)の何れか一つに記載の発光装置。
(5)錐体樹脂の底面の径は、ボンディングワイヤの断面の径の1.1倍以上であり且つ20倍以下である、(1)~(4)の何れか一つに記載の発光装置。
(6)錐体樹脂の底面の径は、ボンディングワイヤの断面の径の5倍以下である、(5)に記載の発光装置。
(7)第3部分の長さは、錐体樹脂の底面の径の0.1倍以上であり且つ10倍以下である、(1)~(6)の何れか一つに記載の発光装置。
(8)第3部分の長さは、錐体樹脂の底面の径の2倍以下である、(7)に記載の発光装置。
(9)ボンディングワイヤの接線方向と基板の表面の延伸方向とが成す角は、-45°以上であり且つ45°以下である、(1)~(8)の何れか一つに記載の発光装置。
(10)ボンディングワイヤの接線方向と基板の表面の延伸方向とが成す角は、0°以下である、(9)に記載の発光装置。
(11)ボンディングワイヤが白色樹脂から封止樹脂に向かって突出する境界点の発光素子の裏面からの高さは、ボンディングワイヤが発光素子に接続される発光素子の表面の発光素子の裏面からの高さよりも高い、(1)~(10)の何れか一つに記載の発光装置。
さらに、本開示に係る発光装置は、以下に示す態様であってもよい。
(1)矩形の基板と、
基板に実装された1又は複数の発光素子と、
基板の1つの辺に平行に延伸する第1辺、第1辺に対向して配置される第3辺、並びに第1辺と第3辺とを接続する第2辺及び第4辺を有し、発光素子を囲むように基板に配置された白色樹脂と、
白色樹脂に囲まれた領域に配置され、発光素子を封止する封止樹脂と、を有し、
第4辺と第1辺との間の第1角の内壁の延出距離は、第1角以外の少なくとも1つの角の内壁の延出距離と相違する、
ことを特徴とする発光装置。
(2)延出距離は、平面視において、白色樹脂の内壁に外接する矩形である外接矩形の4つの角のそれぞれと、外接矩形の一対の対角線が白色樹脂の内壁と交差する4つの交点の中で外接矩形の4つの角のそれぞれに最も近い交点との間の距離である、(1)に記載の発光装置。
(3)第1角の内壁の延出距離及び第1辺と第2辺との間の第2角の内壁の延出距離は、第3辺と第2辺及び第4辺との間の第3角及び第4角の内壁の延出距離のどちらよりも長い、(1)又は(2)に記載の発光装置。
(4)複数の発光素子は、長辺の長さが第1長さである矩形の第1発光素子、並びに辺の長さが第1長さよりも短い矩形の第2発光素子及び第1長さよりも短い第3長さを有する第3発光素子を含み、
第1発光素子は、第1辺に近接し且つ長辺が第1辺と平行になるように配置され、
第2発光素子及び第3発光素子は、第3辺に近接し且つ一辺が第3辺と平行になるように配列される、(3)に記載の発光装置。
(5)第1発光素子は、赤色の光を出射する赤色LEDダイであり、
第2発光素子は、緑色の光を出射する緑色LEDダイであり、
第3発光素子は、青色の光を出射する青色LEDダイである、(4)に記載の発光装置。
(6)第1発光素子、第2発光素子および第3発光素子のそれぞれの発光素子間の最小離隔距離は、0.03mm以上であり且つ0.08mm以下である、(4)又は(5)に記載の発光装置。
(7)第1発光素子、第2発光素子および第3発光素子のそれぞれの発光素子の上面の面積の合計は、白色樹脂に囲まれている基板の上面の面積の3%以上であり且つ50%以下である、(4)~(6)の何れか一つに記載の発光装置。
(8)第1角の内壁の延出距離及び第2辺と第3辺との間の第3角の内壁の延出距離は、第1辺と第2辺との間の第2角の内壁の延出距離及び第3辺と第4辺との間の第4角の内壁の延出距離のどちらよりも長い、(1)又は(2)に記載の発光装置。
(9)発光素子と白色樹脂との間の最小離隔距離は、0.05mm以上であり且つ0.35mm以下である、(1)~(8)の何れか一つに記載の発光装置。
(10)最小離隔距離は、0.25mm以下である、(8)に記載の発光装置。

Claims (23)

  1. 矩形の平面形状を有する基板と、
    前記基板に実装された1又は複数の発光素子と、
    枠状の平面形状を有し、前記発光素子を囲むように前記基板に配置され、前記発光素子から離隔するに従って高さが高くなる傾斜面を有するダム樹脂と、
    前記ダム樹脂に囲まれた領域に配置され、前記発光素子を封止する封止樹脂と、
    前記発光素子に電力を供給する電極と、
    前記発光素子と前記電極とを電気的に接続する配線パターンと、
    前記配線パターンと前記発光素子を電気的に接続するボンディングワイヤと、を有し、
    前記ダム樹脂は、第1突出部を有し、
    前記ダム樹脂は、少なくとも、白色の粒子と透明樹脂を含有して形成され、
    前記第1突出部は、前記発光素子と前記ダム樹脂との間に配置された前記透明樹脂であり、
    前記ダム樹脂の外縁は前記基板の外縁に接し、前記ダム樹脂の頂部は平坦となるように形成され、前記ボンディングワイヤの一部を封止する、ことを特徴とする発光装置。
  2. 前記封止樹脂を形成する合成樹脂の光透過率は、前記第1突出部の光透過率よりも高い、請求項1に記載の発光装置。
  3. 前記封止樹脂の屈折率は、前記第1突出部の屈折率よりも低い、請求項1又は2に記載の発光装置。
  4. 前記封止樹脂は、前記発光素子から出射された光を変換して前記発光素子から出射された光の波長と異なる波長の光を放射する蛍光体が含有される、請求項1~3の何れか一項に記載の発光装置。
  5. 前記封止樹脂は、前記発光素子から出射された光を拡散する拡散材が含有される、請求項1~4の何れか一項に記載の発光装置。
  6. 前記発光素子は、矩形の平面形状を有し、
    前記第1突出部は、前記発光素子の少なくとも一辺に接し、
    前記第1突出部と前記基板との密着性は、前記封止樹脂と前記基板との密着性よりも高い、請求項1~5の何れか一項に記載の発光装置。
  7. 前記基板上には、段差を有する設置物を更に有し、
    前記白色の粒子を含有する前記ダム樹脂は、前記段差を有する設置物によって係止される、請求項6に記載の発光装置。
  8. 前記第1突出部は、前記発光素子の四辺の全てに接する、請求項6又は7に記載の発光装置。
  9. 前記発光素子は、透明基板を備える、請求項6~8の何れか一項に記載の発光装置。
  10. 前記発光素子は、透明基板を備える発光素子及び不透明基板を備える発光素子を含み、
    前記透明樹脂は、前記透明基板を備える発光素子の少なくとも一辺に接する、請求項6又は7に記載の発光装置。
  11. 前記第1突出部は、前記不透明基板を備える発光素子の一辺に接する、請求項10に記載の発光装置。
  12. 前記基板は、絶縁性樹脂で形成されたプリント基板である、請求項1~11の何れか一項に記載の発光装置。
  13. 前記ダム樹脂は、前記ダム樹脂が固化する前に前記発光素子と前記ダム樹脂との間に流れ出て配置された前記透明樹脂を前記ダム樹脂と同時に固化することで形成される、請求項1~12の何れか一項に記載の発光装置。
  14. 矩形の平面形状を有する基板と、
    前記基板に実装された1又は複数の発光素子と、
    枠状の平面形状を有し、前記発光素子を囲むように前記基板に配置され、前記発光素子から離隔するに従って高さが高くなる傾斜面を有するダム樹脂と、
    前記ダム樹脂に囲まれた領域に配置され、前記発光素子を封止する封止樹脂と、
    前記発光素子に電力を供給する電極と、
    前記発光素子と前記電極とを電気的に接続する配線パターンと、
    前記配線パターンと前記発光素子を電気的に接続するボンディングワイヤと、を有し、
    前記ダム樹脂は、第2突出部を有し、
    前記ボンディングワイヤは、
    前記ダム樹脂に埋設される第1部分と、
    前記封止樹脂に埋設される第2部分と、
    前記第1部分と前記第2部分との間に配置され、前記ダム樹脂の表面を底面とし且つ前記ダム樹脂から前記ボンディングワイヤの延伸方向に沿って延伸する錐体状の錐体樹脂によって被覆される第3部分と、
    を有し、
    前記錐体樹脂の底面の径は、前記ボンディングワイヤの断面の径の1.1倍以上であり且つ20倍以下であり、
    前記第2突出部は、前記錐体樹脂である、ことを特徴とする発光装置。
  15. 前記錐体樹脂は、少なくとも前記ダム樹脂に含まれる透明樹脂により形成される、請求項14に記載の発光装置。
  16. 前記錐体樹脂の硬度は、前記封止樹脂の硬度よりも低い、請求項14又は15に記載の発光装置。
  17. 前記錐体樹脂の底面の径は、前記ボンディングワイヤの断面の径の5倍以下である、請求項14~16の何れか一項に記載の発光装置。
  18. 前記第3部分の長さは、前記錐体樹脂の底面の径の0.1倍以上であり且つ10倍以下である、請求項14~17の何れか一項に記載の発光装置。
  19. 前記第3部分の長さは、前記錐体樹脂の底面の径の2倍以下である、請求項18に記載の発光装置。
  20. 前記ボンディングワイヤが前記ダム樹脂から前記封止樹脂に向かって突出する境界点において、前記ボンディングワイヤの前記ダム樹脂から前記封止樹脂に向かう接線方向と前記基板の表面の延伸方向とがなす角は、-45°以上であり且つ45°以下である、請求項14~19の何れか一項に記載の発光装置。
  21. 前記境界点において、前記ボンディングワイヤの前記ダム樹脂から前記封止樹脂に向かう接線方向と前記基板の表面の延伸方向とがなす角は0°以下である、請求項20に記載の発光装置。
  22. 前記境界点の前記発光素子の裏面からの高さは、前記ボンディングワイヤが前記発光素子に接続される前記発光素子の表面の前記発光素子の裏面からの高さよりも高い、請求項20又は21に記載の発光装置。
  23. 前記境界点の前記発光素子の裏面からの高さは、前記発光素子の表面の前記発光素子の裏面からの高さの1.3倍以上である、請求項20又は21に記載の発光装置。
JP2022565384A 2020-11-25 2021-11-24 発光装置 Active JP7266764B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2023056259A JP7291864B1 (ja) 2020-11-25 2023-03-30 発光装置

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020195452 2020-11-25
JP2020195452 2020-11-25
JP2021061969 2021-03-31
JP2021061969 2021-03-31
JP2021065001 2021-04-06
JP2021065001 2021-04-06
PCT/JP2021/043037 WO2022114020A1 (ja) 2020-11-25 2021-11-24 発光装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2023056259A Division JP7291864B1 (ja) 2020-11-25 2023-03-30 発光装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JPWO2022114020A1 JPWO2022114020A1 (ja) 2022-06-02
JP7266764B2 true JP7266764B2 (ja) 2023-04-28
JPWO2022114020A5 JPWO2022114020A5 (ja) 2023-04-28

Family

ID=81755563

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022565384A Active JP7266764B2 (ja) 2020-11-25 2021-11-24 発光装置
JP2023056259A Active JP7291864B1 (ja) 2020-11-25 2023-03-30 発光装置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2023056259A Active JP7291864B1 (ja) 2020-11-25 2023-03-30 発光装置

Country Status (3)

Country Link
US (2) US11855244B1 (ja)
JP (2) JP7266764B2 (ja)
WO (1) WO2022114020A1 (ja)

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002033517A (ja) 2000-05-09 2002-01-31 Nichia Chem Ind Ltd 発光素子とその製造方法
JP2005136378A (ja) 2003-10-08 2005-05-26 Nichia Chem Ind Ltd パッケージ成形体及び半導体装置
WO2007114306A1 (ja) 2006-03-29 2007-10-11 Kyocera Corporation 発光装置
JP2008159753A (ja) 2006-12-22 2008-07-10 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びそれを用いたバックライト
JP2011216891A (ja) 2010-04-01 2011-10-27 Lg Innotek Co Ltd 発光素子パッケージ及び照明システム
JP2011228369A (ja) 2010-04-16 2011-11-10 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
CN102738356A (zh) 2011-04-07 2012-10-17 矽品精密工业股份有限公司 发光二极管封装结构
JP2015225942A (ja) 2014-05-28 2015-12-14 サンケン電気株式会社 発光装置
JP2017204623A (ja) 2015-08-20 2017-11-16 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
JP2019020733A (ja) 2017-07-19 2019-02-07 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH 複数の変換素子を製造する方法およびオプトエレクトロニクス構成素子
WO2020137855A1 (ja) 2018-12-28 2020-07-02 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5284006B2 (ja) 2008-08-25 2013-09-11 シチズン電子株式会社 発光装置
US8901578B2 (en) * 2011-05-10 2014-12-02 Rohm Co., Ltd. LED module having LED chips as light source
JP6048471B2 (ja) 2014-10-01 2016-12-21 日亜化学工業株式会社 発光装置
US9859480B2 (en) 2015-08-20 2018-01-02 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing light emitting device
WO2020118702A1 (zh) * 2018-12-14 2020-06-18 泉州三安半导体科技有限公司 发光二极管封装体
JP7240907B2 (ja) * 2019-03-12 2023-03-16 シチズン電子株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
JP6916450B2 (ja) * 2019-04-01 2021-08-11 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002033517A (ja) 2000-05-09 2002-01-31 Nichia Chem Ind Ltd 発光素子とその製造方法
JP2005136378A (ja) 2003-10-08 2005-05-26 Nichia Chem Ind Ltd パッケージ成形体及び半導体装置
WO2007114306A1 (ja) 2006-03-29 2007-10-11 Kyocera Corporation 発光装置
JP2008159753A (ja) 2006-12-22 2008-07-10 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びそれを用いたバックライト
JP2011216891A (ja) 2010-04-01 2011-10-27 Lg Innotek Co Ltd 発光素子パッケージ及び照明システム
JP2011228369A (ja) 2010-04-16 2011-11-10 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
CN102738356A (zh) 2011-04-07 2012-10-17 矽品精密工业股份有限公司 发光二极管封装结构
JP2015225942A (ja) 2014-05-28 2015-12-14 サンケン電気株式会社 発光装置
JP2017204623A (ja) 2015-08-20 2017-11-16 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
JP2019020733A (ja) 2017-07-19 2019-02-07 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH 複数の変換素子を製造する方法およびオプトエレクトロニクス構成素子
WO2020137855A1 (ja) 2018-12-28 2020-07-02 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP7291864B1 (ja) 2023-06-15
US12034104B2 (en) 2024-07-09
JP2023087689A (ja) 2023-06-23
JPWO2022114020A1 (ja) 2022-06-02
WO2022114020A1 (ja) 2022-06-02
US20240079539A1 (en) 2024-03-07
US11855244B1 (en) 2023-12-26
US20230395764A1 (en) 2023-12-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10749079B2 (en) LED module
JP5753446B2 (ja) 半導体発光装置の製造方法
JP4535928B2 (ja) 半導体発光装置
US8502251B2 (en) LED module comprising a dome-shaped color conversion layer
US8283675B2 (en) Light emitting device
JP6387954B2 (ja) 波長変換部材を用いた発光装置の製造方法
US20130070479A1 (en) Linear light source device and planar light source device
JP2012114311A (ja) Ledモジュール
CN102569277A (zh) Led 封装及其制造方法
JP2018536297A (ja) 発光ダイオードデバイスおよびその製造方法
JP2012114284A (ja) Ledモジュール及び照明装置
JP2006278924A (ja) 半導体発光装置及び半導体発光ユニット
JP2012113919A (ja) 照明装置
WO2017188278A1 (ja) 発光装置
KR20120094280A (ko) 발광소자 패키지 및 그 제조방법
US8366307B2 (en) Semiconductor light emitting device
JP2010225755A (ja) 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
JP7266764B2 (ja) 発光装置
KR101946313B1 (ko) 발광 소자, 발광 소자 패키지 및 백라이트 유닛
CN116507852A (zh) 发光装置
JP7460911B2 (ja) 発光装置及びそれを用いたディスプレイ
CN211125689U (zh) 发光元件以及发光模块
CN215418170U (zh) 倒装led灯珠、led模组及led显示屏
JP7494017B2 (ja) 発光モジュール及び発光モジュールの製造方法
WO2023282357A1 (ja) 発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230222

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20230222

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20230222

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230314

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230330

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230404

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230418

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7266764

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150