KR20200002619A - 발광 장치의 제조 방법 및 발광 장치 - Google Patents

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Abstract

[과제] 발광 효율이 높은 발광 장치의 제조 방법 및 발광 장치를 제공한다.
[해결 수단] 발광 장치(100)의 제조 방법은, 오목부(15)를 가지는 패키지(10)의 오목부(15)의 저면에 발광 소자(20)를 재치하는 공정과, 오목부(15)의 측면을 제1 반사재를 함유하는 제1 수지로 피복하여 제1 반사층(30)을 형성하는 공정과, 제1 반사층(30)에 접촉하여, 오목부(15)의 저면을 제2 반사재를 함유하는 제2 수지로 피복하고 제2 반사층(40)을 형성하는 공정과, 제2 반사층(40) 및 발광 소자(20) 상에, 형광체를 함유하는 제3 수지에 의한 광투과층(50)을 배치하는 공정을 갖고, 제2 반사층(40)을 형성하는 공정은, 원심력에 의해 제2 수지에 함유되는 제2 반사재를 침강시켜 제2 반사재를 함유하는 함유층(40a)과 투광층(40b)을 이 순서로 오목부(15)의 저면에 형성함과 함께, 발광 소자(20)의 측면의 적어도 일부에 함유층(40a)이 대향하지 않도록 제2 반사층(40)을 형성한다.

Description

발광 장치의 제조 방법 및 발광 장치{METHOD OF MANUFACTURING LIGHT EMITTING DEVICE, AND LIGHT EMITTING DEVICE}
본 개시는, 발광 장치의 제조 방법 및 발광 장치에 관한 것이다.
종래, 오목부를 갖는 패키지의 저면에 발광 소자를 재치한 발광 장치가 알려져 있다. 예를 들어, 특허문헌 1에는, 컵을 가지는 패키지의 컵의 저면에 발광 소자를 재치하고, 컵의 저면 및 측면을, 반사재를 함유하는 제1 수지의 층으로 덮어 씌워, 반사재의 층을 컵의 저면 측 및 측면 측에 배치한 발광 장치 및 그 제조 방법이 개시되어 있다.
일본특허공개 제2016-72412호 공보
상기 특허문헌의 기술에서는, 컵 내에 반사재를 함유하는 제1 수지를 주입한 후, 제1 수지에 원심력을 작용시킴으로써, 반사재의 층을 컵의 저면 측 및 측면 측에 배치한다. 이 때, 반사재의 층의 배치는, 예를 들어, 컵의 저면이 외측이 되는 회전축으로 원심력을 작용시키며, 동시에, 컵의 측면이 외측이 되는 회전축으로 원심력을 작용시킴으로써 행한다.
그러나 상기 기술에서는, 반사재의 침강에 대해 매우 정밀한 조정이 필요하며, 반사재의 층이 컵의 저면으로부터 측면의 상단까지 연속하여 배치되지 않는 경우도 상정된다. 그 때문에, 상기 특허문헌의 발광 장치의 발광 효율은 높기는 하지만, 보다 더 개선의 여지가 있다.
본 개시에 관한 실시형태는, 발광 효율이 높은 발광 장치의 제조 방법 및 발광 장치를 제공하는 것을 과제로 한다.
본 개시의 실시형태에 관한 발광 장치의 제조 방법은, 오목부를 가지는 패키지의 상기 오목부의 저면에 발광 소자를 재치하는 공정과, 상기 오목부의 측면을 제1 반사재를 함유하는 제1 수지로 피복하여 제1 반사층을 형성하는 공정과, 상기 제1 반사층에 접촉하여, 상기 오목부의 저면을 제2 반사재를 함유하는 제2 수지로 피복하여 제2 반사층을 형성하는 공정과, 상기 제2 반사층 및 상기 발광 소자 상에, 형광체를 함유하는 제3 수지에 의한 광투과층을 배치하는 공정을 갖고, 상기 제2 반사층을 형성하는 공정은, 원심력에 의해 상기 제2 수지에 함유되는 상기 제2 반사재를 침강시키고 상기 제2 반사재를 함유하는 함유층과 투광층을 이 순서로 상기 오목부의 저면에 형성함과 함께, 상기 발광 소자의 측면의 적어도 일부에 상기 함유층이 대향하지 않도록 상기 제2 반사층을 형성한다.
본 개시의 실시형태에 관한 발광 장치의 제조 방법은, 오목부를 가지는 패키지의 상기 오목부의 저면에 발광 소자를 재치하는 공정과, 상기 오목부의 측면을 제1 반사재를 함유하는 제1 수지로 피복하여 제1 반사층을 형성하는 공정과, 상기 제1 반사층에 접촉하여, 상기 오목부의 저면을 제2 반사재를 함유하는 제2 수지로 피복하여 제2 반사층을 형성하는 공정과, 상기 제2 반사층 및 상기 발광 소자 상에, 형광체를 함유하는 제3 수지에 의한 광투과층을 배치하는 공정을 갖고, 상기 제2 반사층을 형성하는 공정은, 상기 제2 수지를 상기 오목부의 저면에 있어서의 상기 오목부의 측면과 상기 발광 소자와의 사이에 포팅(potting)에 의해 배치하고, 상기 오목부의 저면이 외측이 되는 회전축으로 상기 패키지에 원심력을 가함으로써, 상기 제1 반사층으로부터 노출되는 상기 오목부의 저면 모두를 피복하도록 상기 제2 수지의 형상을 변화시킴과 함께, 원심력이 걸린 상태에서 상기 제2 수지를 경화시킨다.
본 개시의 실시형태에 관한 발광 장치는, 오목부를 가지는 패키지와, 상기 오목부의 저면에 재치된 발광 소자와, 제1 반사재를 함유하는 제1 수지에 의해 상기 오목부의 측면을 피복하여 형성되는 제1 반사층과, 상기 제1 반사층에 접촉하여, 제2 반사재를 함유하는 제2 수지에 의해 상기 오목부의 저면을 피복하여 형성되는 제2 반사층과, 상기 제2 반사층 및 상기 발광 소자 상에 배치된, 형광체를 함유하는 제3 수지에 의한 광투과층을 구비하고, 상기 제1 반사층은, 상기 제1 반사재가 상기 제1 수지 중에 분산되어 있고, 상기 제2 반사층은, 상기 제2 반사재를 함유하는 함유층과 투광층이 이 순서로 상기 오목부의 저면에 설치되어 있고, 상기 발광 소자의 측면의 적어도 일부가 상기 함유층에 대향하지 않는다.
본 개시에 관한 실시형태의 발광 장치의 제조 방법은, 발광 효율이 높은 발광 장치를 제조할 수 있다.
본 개시에 관한 실시형태의 발광 장치는, 발광 효율이 높다.
[도 1a] 실시형태에 관한 발광 장치의 구성을 모식적으로 나타내는 사시도이다.
[도 1b] 도 1a의 IB－IB선에 있어서의 단면도이다.
[도 1c] 실시형태에 관한 발광 장치의 구성의 일부를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
[도 2] 실시형태에 관한 발광 장치의 제조 방법의 흐름도이다.
[도 3a] 실시형태에 관한 발광 장치의 제조 방법에 있어서, 발광 소자를 재치하는 공정을 나타내는 단면도이다.
[도 3b] 실시형태에 관한 발광 장치의 제조 방법에 있어서, 제1 반사층을 형성하는 공정을 나타내는 단면도이다.
[도 3c] 실시형태에 관한 발광 장치의 제조 방법에 있어서, 제1 반사층을 형성하는 공정을 나타내는 평면도이다.
[도 3d] 실시형태에 관한 발광 장치의 제조 방법에 있어서, 제2 반사층을 형성하는 공정을 나타내는 모식도이며, 패키지의 오목부의 저면을 제2 수지로 피복하고, 원심력에 의해 제2 반사재를 침강시키는 공정을 나타내는 모식도이다.
[도 3e] 실시형태에 관한 발광 장치의 제조 방법에 있어서, 제2 반사층을 형성하는 공정을 나타내는 단면도이며, 원심력에 의해 제2 반사재를 침강시킨 후의 상태를 나타내는 단면도이다.
[도 3f] 실시형태에 관한 발광 장치의 제조 방법에 있어서, 광투과층을 배치하는 공정을 나타내는 단면도이다.
[도 4] 다른 실시형태에 관한 발광 장치의 구성을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
[도 5] 다른 실시형태에 관한 발광 장치의 구성을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
[도 6] 다른 실시형태에 관한 발광 장치의 구성을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
[도 7a] 다른 실시형태에 관한 발광 장치의 구성을 모식적으로 나타내는 사시도이다.
[도 7b] 도 7a의 VIIB－VIIB선에 있어서의 단면도이다.
[도 8a] 다른 실시형태에 관한 발광 장치의 구성을 모식적으로 나타내는 평면도이다.
[도 8b] 도 8a의 VIIIB－VIIIB선에 있어서의 단면도이다.
[도 8c] 도 8a의 VIIIC－VIIIC선에 있어서의 단면도이다.
[도 9a] 다른 실시형태에 관한 발광 장치의 구성을 모식적으로 나타내는 평면도이다.
[도 9b] 도 9a의 IXB－IXB선에 있어서의 단면도이다.
실시형태를, 이하에 도면을 참조하면서 설명한다. 다만, 이하에 나타내는 형태는, 본 실시형태의 기술 사상을 구현화하기 위한 발광 장치의 제조 방법 및 발광 장치를 예시하는 것으로서, 이하에 한정되는 것이 아니다. 또한, 실시형태에 기재되어 있는 구성부품의 치수, 재질, 형상, 그 상대적 배치 등은, 특정적인 기재가 없는 한, 본 발명의 범위를 그에만 한정하는 취지가 아니라, 단순한 예시에 지나지 않는다. 또한, 각 도면이 나타내는 부재의 크기나 위치 관계 등은, 설명을 명확하게 하기 위해 과장하고 있는 경우가 있다.
《실시형태》
도 1a는, 실시형태에 관한 발광 장치의 구성을 모식적으로 나타내는 사시도이다. 도 1b는, 도 1a의 IB－IB선에 있어서의 단면도이다. 도 1c는, 실시형태에 관한 발광 장치의 구성의 일부를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
[발광 장치]
발광 장치(100)는, 오목부(15)를 가지는 패키지(10)와, 오목부(15)의 저면에 재치된 발광 소자(20)와, 오목부(15)의 측면을 피복하여 형성되는 제1 반사층(30)과, 제1 반사층(30)에 접촉하여 오목부(15)의 저면을 피복하여 형성되는 제2 반사층(40)과, 제2 반사층(40) 및 발광 소자(20) 상에 배치된, 형광체(51)를 함유하는 광투과층(50)을 구비하고 있다.
패키지(10)는, 절연성 기판(2)과, 절연성 기판(2)에 있어서의 기판부(2a)의 상면에 설치되는 제1 배선부(3)와, 기판부(2a)의 하면에 설치되는 제2 배선부(5)와, 기판부(2a)의 측면에 설치되는 제3 배선부(6)와, 제1 배선부(3)와, 제2 배선부(5)를 전기적으로 접속하는 비어(4)를 구비하고 있다. 패키지(10)는, 평면도 상에서 보았을 때 대략 직사각형으로 형성되어 있으며, 오목부(15)를 가진다. 오목부(15)의 개구는, 평면도 상에서 보았을 때 대략 직사각형으로 형성되어 있다.
절연성 기판(2)은, 발광 소자(20)를 재치하는 기판부(2a)와, 이 기판부(2a)의 상면 측의 주연에 형성되는 제1 벽면부(2b)와, 이 제1 벽면부(2b)에 적층되는 제2 벽면부(2c)를 구비하고 있다. 절연성 기판(2)은, 제1 벽면부(2b) 및 제2 벽면부(2c)의 내측이 되는 중앙에 개구를 가지는 오목 형상으로 형성되어 있다.
기판부(2a), 제1 벽면부(2b), 제2 벽면부(2c)는, 단차가 내측에 형성되도록 설치되어 있다. 제1 벽면부(2b) 및 제2 벽면부(2c)는, 외주 측면을 동일한 측면으로 하고, 내주 측면이 제2 벽면부(2c)보다 제1 벽면부(2b)가 내측에 위치하도록 형성되어 있다. 제1 벽면부(2b)가 제2 벽면부(2c)보다 내측에 위치함으로써, 후술하는 제1 반사층(30)이 경사지기 쉬워진다. 또한, 오목부(15)의 측면은 단차가 아니라 저면으로부터 개구를 향해 폭이 커지는 경사면이여도 된다.
절연성 기판(2)으로서는, 예를 들어, PPA(폴리프탈아미드), PPS(폴리페닐렌 설파이드), 또는, 액정 폴리머 등의 열가소성 수지나, 에폭시 수지, 실리콘 수지, 변성 에폭시 수지, 우레탄 수지, 또는, 페놀 수지 등의 열경화성 수지를 이용할 수 있다. 또한, 절연성 기판(2)은, 글라스 에폭시 수지, 세라믹스, 글라스 등을 이용하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 절연성 기판(2)에 세라믹스를 이용할 경우에는, 특히, 알루미나, 질화알루미늄, 멀라이트, 탄화규소, 질화규소 등을 이용하는 것이 바람직하다.
제1 배선부(3)는, 기판부(2a)의 상면에 설치되어, 발광 소자(20)와 전기적으로 접속된다. 이 제1 배선부(3)는, 정부(正負) 한 쌍의 전극으로서 제1 리드(3a) 및 제2 리드(3b)를 구비하고 있으며, 제1 리드(3a) 및 제2 리드(3b) 상에 발광 소자(20)가 플립 칩 실장되어 있다.
제2 배선부(5)는, 기판부(2a)의 하면에 설치되어, 발광 장치(100)의 외부 전극으로서, 외부 전원과 전기적으로 접속된다.
비어(4)는 기판부(2a)를 관통하는 관통공 내에, 제3 배선부(6)는 기판부(2a)의 측면에, 각각 설치되어, 제1 배선부(3)와 제2 배선부(5)를 전기적으로 접속하고 있다. 제1 배선부(3)와 제2 배선부(5)가 전기적으로 접속된다면, 비어(4)와 제3 배선부(6)의 어느 하나는 생략할 수 있다.
제1 배선부(3), 제2 배선부(5) 및 제3 배선부(6)로서는, 예를 들어, Fe, Cu, Ni, Al, Ag, Au, 또는, 이들의 일종을 포함하는 합금을 이용할 수 있다.
또한, 제1 배선부(3), 제2 배선부(5) 및 제3 배선부(6)는, 표면에 도금층(7)이 형성되어 있어도 된다. 도금층(7)은, 예를 들어, Au, Ag, Cu, Pt, 또는, 이들의 일종을 포함하는 합금을 이용할 수 있다. 도금층(7)이 이러한 재료라면, 발광 소자(20)로부터의 광의 반사율을 보다 높일 수 있다.
발광 소자(20)는, 투광성의 기판(21)과 기판(21) 상에 형성된 반도체층(22)을 포함한다. 기판(21)은 절연성의 것을 사용할 수 있는 것 외에, 도전성의 것도 사용할 수 있다. 발광 소자(20)의 형상이나 크기 등은 임의의 것을 선택할 수 있다. 발광 소자(20)의 발광색으로서는, 용도에 따라 임의의 파장의 것을 선택할 수 있다. 예를 들어, 청색(파장 430~490nm의 광)의 발광 소자(20)로서는, GaN계나 InGaN계를 이용할 수 있다. InGaN계로서는, InXAlYGa1-X-YN(0≤X≤1, 0≤Y≤1, X＋Y≤1) 등을 이용할 수 있다.
발광 소자(20)의 두께(예를 들어 반도체층(22)의 하면으로부터 기판(21)의 상면까지의 높이)는, 예를 들어, 100㎛ 이상 300㎛ 이하이다.
제1 반사층(30) 및 제2 반사층(40)은, 발광 소자(20)로부터 출사된 광을 반사시키는 부재이다.
발광 소자(20)로부터 출사되는 광이 오목부(15)의 저면이나 측면에서 투과, 흡수되지 않도록, 오목부(15) 내의 표면은 제1 반사층(30) 및 제2 반사층(40)으로 피복되는 것이 바람직하고, 오목부(15) 내의 표면 모두가 제1 반사층(30) 및 제2 반사층(40)으로 피복되는 것이 보다 바람직하다. 또한, 발광 소자(20)로부터 출사되는 광의 취출을 방해하지 않도록, 발광 소자(20)의 상면 및 측면은 제1 반사층(30) 및 제2 반사층(40)으로 피복되지 않도록, 발광 소자(20)의 표면은 제2 반사층(40)으로부터 노출되는 것이 바람직하다.
제1 반사층(30)은, 제1 반사재(31)를 함유하는 제1 수지에 의해 패키지(10)의 오목부(15)의 측면을 피복하여 형성되어 있다. 제1 반사층(30)은, 발광 소자(20)의 측면으로부터 이간하고, 오목부(15)의 저면의 외연을 피복하고 있다. 또한, 제1 반사층(30)은, 오목부(15)의 저면의 외연으로부터 오목부(15)의 측면까지 연속하여 피복하고 있다. 제1 반사층(30)은 오목부(15)의 측면의 대략 모두를 피복하는 것이 보다 바람직하지만, 적어도, 발광 장치(100)를 단면도 상에서 보았을 때 발광 소자(20)의 상면보다 제1 반사재(31)의 상단이 높아지도록 오목부(15)의 측면을 피복하는 것이 바람직하다.
제1 반사층(30)은, 제1 반사재(31)가 제1 수지 중에 분산되어 있다. 여기서, 제1 반사재(31)가 제1 수지 중에 분산되어 있다란, 반사층으로서의 기능을 가지는 정도로 반사재가 분산되어 있으면 됨을 의미하며, 예를 들어, 종래 공지의 방법으로 반사재를 함유하는 수지를 도포했을 경우의 분산 상태이면 된다. 또한, 제1 반사층(30)은, 반사층으로서의 기능을 가지고 있다면, 제1 반사재(31)가 부분적으로 치우쳐 배치되어 있어도 상관없다.
제1 반사층(30)에 대한 제1 반사재(31)의 함유 농도는, 예를 들어 10질량% 이상 50질량% 이하이다.
제1 반사층(30)이 오목부(15)의 측면을 피복함으로써, 오목부(15)의 측면에 의한 광의 투과 및 흡수를 방지할 수 있다.
제2 반사층(40)은, 제1 반사층(30)에 접촉하여, 제2 반사재(41)를 함유하는 제2 수지에 의해 패키지(10)의 오목부(15)의 저면을 피복하여 형성되어 있다. 제2 반사층(40)은, 오목부(15)의 저면에 있어서 절연성 기판(2)에 있어서의 기판부(2a)의 상면 및 제1 배선부(3)를 피복함과 함께, 제1 반사층(30)의 일부를 피복하고 있다. 제2 반사층(40)은, 오목부(15)의 저면을 대략 균일한 두께로 피복하고 있다.
제2 반사층(40)이 오목부(15)의 저면을 피복함으로써, 도금층(7)이나 기판부(2a)에 의한 광의 투과 및 흡수를 방지할 수 있다.
제2 반사층(40)은, 발광 소자(20)의 측면의 적어도 일부가 제2 반사층(40)으로부터 노출되도록 설치되어 있다. 여기서는, 발광 소자(20)의 측면의 반도체층(22) 측(즉 오목부(15)의 저면 측)에 위치하는 일부만이 제2 반사층(40)에 피복되어 있고, 측면의 그 외의 부위는, 제2 반사층(40)으로부터 노출되어, 광투과층(50)으로 피복되어 있다.
또한, 발광 소자(20)의 측면이란, 여기서는, 기판(21)의 측면과 반도체층(22)의 측면을 합친 부분이다.
제2 반사층(40)은 단면도 상에서 보았을 때, 제2 반사재(41)가 저면 측에 치우쳐 배치되어 있다.
제2 반사층(40)은, 제2 반사재(41)를 함유하는 함유층(40a)과 투광층(40b)을 오목부(15)의 저면 측으로부터 순서대로 구비하는 것이 바람직하다. 함유층(40a)은 제2 반사재(41)가 침강하여 된 층이며, 제2 반사층(40)의 깊이 방향에 있어서, 제2 반사재(41)가 고농도로 배치되는 영역이다. 투광층(40b)은 제2 반사재(41)가 침강함으로써 상방에 생기는 수지를 주체(主體)로 하는 층이다. 즉, 함유층(40a)과 투광층(40b) 사이에는 명확한 계면은 형성되어 있지 않다.
또한, 제2 반사층(40)은, 발광 소자(20)의 측면의 적어도 일부가 함유층(40a)에 대향하지 않도록 설치되지만, 발광 소자(20)의 측면의 대략 모두가 함유층(40a)에 대향하지 않도록 설치되는 것이 바람직하다. 즉, 발광 소자(20)의 측면의 대략 모두가 함유층(40a)으로 피복되지 않는 것이 바람직하다. 여기서는, 발광 소자(20)의 측면의 실장면 측의 일부의 영역만이 함유층(40a)에 피복되어 있고, 측면의 다른 영역은, 함유층(40a)으로부터 노출되어, 투광층(40b) 및 광투과층(50)으로 피복되어 있다. 여기서는, 발광 소자(20)의 측면에 대해서, 함유층(40a)으로 반도체층(22)의 측면 전체를 피복하지 않도록 제2 반사층(40)을 배치하고 있다.
발광 소자(20)의 반도체층(22)의 측면의 적어도 일부가 함유층(40a)에 대향하지 않도록 설치되어 있음으로써, 발광 소자(20)의 측면으로부터의 광 취출 효율이 향상되고, 발광 소자(20)의 측방의 영역에 있어서의 배광색도를 개선할 수 있다.
제2 반사층(40)은, 발광 소자(20)의 측면의 적어도 일부가 함유층(40a)에 대향하지 않도록 설치되어 있으면 된다. 그러나, 상기 효과를 보다 향상시키기 위해, 함유층(40a)에 대향하는 발광 소자(20)의 측면의 면적은 적은 편이 바람직하고, 발광 소자(20)의 측면의 모두가 함유층(40a)에 대향하지 않도록 설치되어 있는 것이 보다 바람직하다(도 4, 5 참조).
또한, 발광 소자(20)의 측면의 적어도 일부가 함유층(40a)에 대향하지 않도록 제2 반사층(40)이 설치되어 있다는 것은, 발광 소자(20)의 모든 측면에 있어서, 각 측면의 각각의 적어도 일부가 함유층(40a)에 대향하지 않도록 제2 반사층(40)이 설치되어 있다고 하는 의미이다.
제2 반사층(40)의 두께는, 예를 들어 10㎛ 이상 200㎛ 이하인 것이 바람직하다. 제2 반사층(40)의 두께가 10㎛ 이상이면, 제2 반사층(40)을 형성하기 쉬워진다. 또한, 제2 반사층(40)의 두께가 200㎛ 이하이면, 상기한 발광 소자(20)의 측면의 적어도 일부가 대향하지 않도록 함유층(40a)을 마련하는 것에 의한 효과를 보다 향상시킬 수 있다.
또한, 제2 반사층(40)의 두께를, 예를 들어 10㎛ 이상 200㎛ 이하의 범위로 함으로써, 제2 반사재(41)를 원심 침강시키는 공정에 있어서, 표면 장력에 의한 제2 반사층(40)의 발광 소자(20)의 측면으로의 기어오름을 억제하여, 제2 반사층(40)을 배치할 수 있다. 또한, 제2 반사층(40)의 두께가, 발광 소자(20)와, 발광 소자(20)와 절연성 기판(2)과의 접합 부재(예를 들어 범프)의 두께 이하이면, 상기한 발광 소자(20)의 측면과 대향하지 않도록 함유층(40a)을 마련하는 것에 의한 효과를 보다 향상시킬 수 있다.
제2 반사층(40)에 있어서의 함유층(40a)의 두께는, 제2 반사층(40)의 두께의 10% 이상 100% 이하인 것이 바람직하고, 25% 이상 50% 이하인 것이 보다 바람직하다. 제2 반사층(40)에 있어서의 함유층(40a)의 두께 비율이 작아질수록, 함유층(40a) 중에 있어서의 제2 반사재(41)의 농도를 높게 할 수 있다. 함유층(40a)에 대한 제2 반사재(41)의 함유 농도는, 제1 반사층(30)에 대한 제1 반사재(31)의 함유 농도보다 큰 것이 바람직하다. 제2 반사층(40)은 발광 소자(20)의 측면을 노출시키기 때문에, 보다 얇은 층으로 배치되는 것이 바람직하다. 이 때문에, 함유층(40a)에 있어서의 제2 반사재(41)의 함유 농도를 높임으로써, 발광 소자(20)의 측면을 노출시키는 것에 의한 광 취출 효율의 향상과, 오목부(15)의 저면에 있어서의 광의 투과 및 흡수의 억제를 양립시킬 수 있다. 함유층(40a)에 대한 제2 반사재(41)의 함유 농도는, 예를 들어 50질량% 이상 70질량%로 할 수 있다.
또한, 발광 소자(20)의 측면의 일부가 함유층(40a)에 대향하는 경우, 함유층(40a)의 두께는, 발광 소자(20)의 측면의 두께의 1/4 이하가 바람직하고, 1/6 이하가 보다 바람직하고, 1/8 이하가 보다 더 바람직하다.
제1 수지 및 제2 수지에 이용하는 수지 재료로서는, 예를 들어, 에폭시 수지, 변성 에폭시 수지, 실리콘 수지, 변성 실리콘 수지 등의 열경화성 수지 등을 들 수 있다.
제1 수지와 제2 수지는, 같은 수지 재료를 이용해도 되고, 다른 수지 재료를 이용해도 된다.
제2 수지의 점도는, 실온(20±5℃)에서, 0.3Pa·s 이상 15Pa·s 이하인 것이 바람직하다. 제2 수지의 점도가 0.3Pa·s 이상이면, 포팅에 의해 오목부(15)의 저면에 제2 수지를 용이하게 배치하기 쉽다. 또한, 제2 수지의 점도가 15Pa·s 이하이면, 원심력에 의한 제2 반사층(40)의 형상 변화가 용이하게 된다. 나아가 원심력에 의해 제2 반사재(41)를 침강시키기 쉬워진다. 또한, 상술한 효과를 얻기 위한 보다 바람직한 제2 수지의 점도는, 0.5Pa·s 이상 6Pa·s 이하이다.
또한, 여기서의 제2 수지의 점도는, 제2 반사재(41)를 함유한 상태의 점도이며, 후술하는 바와 같이, 원심력에 의해 제2 수지에 함유되는 제2 반사재(41)를 침강 시키기 전의 점도이다.
제1 반사재(31) 및 제2 반사재(41)에 이용되는 광반사재로서는, 예를 들어, 산화티탄, 실리카, 산화규소, 산화알루미늄, 산화지르코늄, 산화마그네슘, 티탄산칼륨, 산화아연, 질화붕소 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 광반사의 관점으로부터, 굴절률이 비교적 높은 산화티탄을 이용하는 것이 바람직하다.
제1 반사재(31)와 제2 반사재(41)는, 같은 종류여도 되고, 다른 종류여도 된다.
제2 반사재(41)로서는, 제2 수지에 이용하는 수지 재료보다 비중이 큰 것을 이용하는 것이 바람직하다. 제2 반사재(41)와 수지 재료와의 비중차에 의해, 원심력에 의해 제2 반사재(41)를 저면 측으로 침강시키기 쉬워진다. 나아가, 제2 반사재(41)에 입경이 큰 것을 사용함으로써, 보다 빨리 제2 반사재(41)를 저면 측으로 침강시킬 수 있다.
또한, 원심력을 이용함으로써 제2 반사재(41)가 고밀도로 배치되기 때문에, 입자간의 간격이 좁아져, 광의 누설이나 광투과가 억제되어, 제2 반사층(40)에 있어서의 광반사율을 향상시킬 수 있다.
제2 반사재(41)의 입경은, 0.1㎛ 이상 1.0㎛ 이하인 것이 바람직하다. 제2 반사재(41)의 입경이 0.1㎛ 이상이면, 원심력에 의해 제2 반사재(41)를 침강시키기 쉬워진다. 또한, 제2 반사재(41)의 입경이 1.0㎛ 이하이면, 가시광을 광반사시키기 쉽다. 제2 반사재(41)의 입경은, 상기 관점으로부터, 보다 바람직하게는 0.4㎛ 이상 0.6㎛ 이하이다.
광투과층(50)은, 형광체(51)를 함유하는 제3 수지에 의해 형성된다. 광투과층(50)은, 제1 반사층(30)에 접촉하여, 제2 반사층(40) 및 상기 발광 소자(20) 상에 배치되어 형성되어 있다.
제3 수지에 이용하는 수지 재료로서는, 예를 들어, 에폭시 수지, 변성 에폭시 수지, 실리콘 수지, 변성 실리콘 수지 등의 열경화성 수지 등을 들 수 있다. 제3 수지에 이용하는 수지 재료는, 제1 수지 및 제2 수지와 같은 수지 재료여도 되고, 다른 수지 재료여도 된다. 또한, 제1 수지 및 제2 수지에 내열성이 높은 수지를 이용하고, 제3 수지에 경질의 수지를 이용할 수도 있다.
실리콘 수지는, 에폭시 수지보다 일반적으로 450nm 이상 500nm 이하 부근에서의 내광성이 높고, 또한, 에폭시 수지는 실리콘 수지보다 경질이다. 그 때문에, 제1 수지 및 제2 수지에 실리콘 수지를 이용하고, 제3 수지에 에폭시 수지를 이용해도 된다.
형광체(51)는, 발광 소자(20)의 상면, 제1 반사층(30)의 내측면, 및 제2 반사층(40)의 상면에 배치되어 있다. 형광체(51)를 발광 소자(20)의 상면에 배치함으로써, 발광 소자(20)로부터의 광을 효율 좋게 파장 변환하여, 외부로 방출할 수 있다. 또한, 형광체(51)를 제1 반사층(30)의 내측면에 배치함으로써, 제1 반사층(30)에서 반사된 광을 효율 좋게 파장 변환하여, 외부로 방출할 수 있다. 또한, 형광체(51)를 제2 반사층(40)의 상면에 배치함으로써, 제2 반사층(40)에서 반사된 광을 효율 좋게 파장 변환하여, 외부로 방출할 수 있다.
형광체(51)로서는, 제3 수지에 이용하는 수지 재료보다 비중이 큰 것을 이용하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 제3 수지 중에 있어서 형광체(51)를 오목부(15)의 저면 측으로 자연 침강시킬 수 있다. 또한, 형광체(51)는 제3 수지 중에 있어서 원심력에 의해 강제 침강되어 있어도 된다.
형광체(51)의 입경은, 예를 들어, 3㎛ 이상 50㎛ 이하를 들 수 있다.
형광체(51)는, 제3 수지 중에 분산되어 있어도 된다. 제3 수지 중에 형광체(51)를 분산시킴으로써, 발광 장치(100)로부터 방출되는 광의 배향의 불균일을 저감할 수 있다.
형광체(51)로서는, 당해 분야에서 공지된 것을 사용할 수 있다. 예를 들어, YAG(Y3Al5O12：Ce)나 실리케이트 등의 황색 형광체, CASN(CaAlSiN3：Eu)나 KSF(K2SiF6：Mn) 등의 적색 형광체, 혹은, 클로로 실리케이트나 BaSiO4：Eu2+ 등의 녹색 형광체를 이용할 수 있다.
［발광 장치의 동작］
발광 장치(100)를 구동하면, 제1 배선부(3), 비어(4), 제2 배선부(5) 및 제3 배선부(6)를 거쳐 외부 전원으로부터 발광 소자(20)로 전류가 공급되어, 발광 소자(20)가 발광한다. 발광 소자(20)가 발광한 광은, 상방으로 진행하는 광 L1은, 발광 장치(100)의 상방의 외부로 취출된다. 또한, 하방으로 진행하는 광 L2는, 함유층(40a)에서 반사되고, 오목부(15)의 개구 방향으로 방출되어 발광 장치(100)의 외부로 취출된다. 또한, 횡방향으로 진행하는 광 L3는, 제1 반사층(30)에서 반사되고, 오목부(15)의 개구 방향으로 방출되어 발광 장치(100)의 외부로 취출된다. 이에 의해 발광 소자(20)로부터 출사된 광이 오목부(15)의 저면 및 측면으로부터 누설되는 것을 극력 억제할 수 있어, 광 취출 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 색 불균일을 저감시킬 수 있다.
［발광 장치(100)의 제조 방법］
다음으로, 실시형태에 관한 발광 장치의 제조 방법의 일례에 대해 설명한다.
도 2는, 실시형태에 관한 발광 장치의 제조 방법의 흐름도이다. 도 3a는, 실시형태에 관한 발광 장치의 제조 방법에 있어서, 발광 소자를 재치하는 공정을 나타내는 단면도이다. 도 3b는, 실시형태에 관한 발광 장치의 제조 방법에 있어서, 제1 반사층을 형성하는 공정을 나타내는 단면도이다. 도 3c는, 실시형태에 관한 발광 장치의 제조 방법에 있어서, 제1 반사층을 형성하는 공정을 나타내는 평면도이다. 도 3d는, 실시형태에 관한 발광 장치의 제조 방법에 있어서, 제2 반사층을 형성하는 공정을 나타내는 모식도이며, 패키지의 오목부의 저면을 제2 수지로 피복하고, 원심력에 의해 제2 반사재를 침강시키는 공정을 나타내는 모식도이다. 도 3e는, 실시형태에 관한 발광 장치의 제조 방법에 있어서, 제2 반사층을 형성하는 공정을 나타내는 단면도이며, 원심력에 의해 제2 반사재를 침강시킨 후의 상태를 나타내는 단면도이다. 도 3f는, 실시형태에 관한 발광 장치의 제조 방법에 있어서, 광투과층을 배치하는 공정을 나타내는 단면도이다.
발광 장치(100)의 제조 방법은, 발광 소자를 재치하는 공정 S101과, 제1 반사층을 형성하는 공정 S102와, 제2 수지를 준비하는 공정 S103과, 제2 반사층을 형성하는 공정 S104와, 광투과층을 배치하는 공정 S105를 가진다. 또한, 각 부재의 재질이나 배치 등에 대해서는, 상기한 발광 장치(100)의 설명에서 말한 대로이므로, 여기서는 적절히, 설명을 생략한다.
(발광 소자를 재치하는 공정)
발광 소자를 재치하는 공정 S101은, 오목부(15)를 가지는 패키지(10)의 오목부(15)의 저면에 발광 소자(20)를 재치하는 공정이다.
이 공정 S101에서는, 발광 소자(20)를 오목부(15)의 저면에 재치한다. 발광 소자(20)는, 전극 형성면을 실장면으로 하여, 도전성 접착재에 의해 오목부의 저면의 대략 중앙에 플립 칩 실장되어 있다. 도전성 접착재로서는, 예를 들어 공정(共晶) 납, 도전 페이스트, 범프 등을 이용하면 된다. 또한, 발광 소자(20)는 페이스 업 실장되어 있어도 되며, 이 경우, 비도전성의 접착재를 이용해도 된다.
(제1 반사층을 형성하는 공정)
제1 반사층을 형성하는 공정 S102는, 오목부(15)의 측면을 제1 반사재(31)를 함유하는 제1 수지로 피복하고 제1 반사층(30)을 형성하는 공정이다.
이 공정 S102에서는, 예를 들어, 포팅에 의해, 오목부(15)의 측면을 피복하는 제1 수지를 배치한다. 제1 수지의 오목부(15)에의 배치는, 제1 수지가 충전된 수지 토출 장치의 선단의 노즐로부터 미경화의 수지 재료를 오목부(15)의 저면의 외연 근방(바람직하게는 측면과의 경계)에 토출함으로써 행할 수 있다. 미경화의 제1 수지는 오목부(15)의 측면으로 젖어 퍼져나가, 오목부(15)의 측면을 피복한다. 이 때, 오목부(15)의 저면에도 제1 수지가 유동하기 때문에, 제1 수지는 오목부(15)의 저면의 외연의 일부를 피복하고 있다. 여기서는, 제1 수지가 발광 소자(20)의 측면으로부터 이간하고, 또한, 오목부(15)의 측면의 상방으로 기어올라가도록, 제1 수지의 점도 및 형성 위치를 조정하여 두는 것이 바람직하다. 제1 반사층(30)을 포팅에 의해 형성할 경우, 제1 수지의 점도는, 예를 들어 실온(20±5℃)에서, 1Pa·s~50Pa·s로 조정된다.
또한, 이 공정 S102에서는, 미리 오목부(15)의 내면을 유기용제에 담그어 둘 수도 있다. 미리 오목부(15)의 내면을 유기용제에 담그어 둠으로써, 제1 수지의 오목부(15)의 측면으로의 기어오름을 촉진할 수 있다. 또한, 오목부(15)의 측면에 젖음성이 높은 재료를 이용하거나, 측면의 표면을 조면 가공하거나 하는 것 등에 의해서도, 오목부(15)의 측면으로의 기어오름을 촉진할 수 있다.
또한, 경화 전의 제1 수지에는 제1 반사재(31)가 혼합되어 있으며, 제1 수지 중에 함유되는 제1 반사재(31)의 함유 농도는, 10질량% 이상 50질량% 이하로 하는 것이 바람직하다.
제1 수지는, 제1 수지를 포팅에 의해 오목부(15)의 저면의 외연 근방에 배치함으로써, 제1 수지가 오목부(15)의 측면으로 젖어 퍼진다. 또한 이 때, 제1 반사층(30)은, 제1 반사재(31)가 제1 수지 중에 분산된 상태이다.
그 후, 예를 들어, 120℃ 이상 200℃ 이하의 온도에서 제1 수지를 경화시키고, 제1 반사층(30)을 형성한다. 제1 수지의 경화는, 제1 수지가 오목부(15)의 측면으로 젖어 퍼진 후에, 패키지가 가만히 정지한 상태에서 행하는 것이 바람직하다.
이 공정 S102에서는, 제1 반사층(30)은, 평면도 상에서 보았을 때, 내연 부분이 원형이 되도록 형성된다.
(제2 수지를 준비하는 공정)
제2 수지를 준비하는 공정 S103은, 2액 경화성의 수지 재료의 주제(主劑)와 제2 반사재(41)를 혼합하고, 일정시간 이상 경과 후에 경화제를 혼합하는 공정이다.
이와 같이 하여 제작한 제2 수지를 이용함으로써, 제2 반사재(41)와 수지 재료와의 친화성을 좋게 하여, 원심력에 의해 제2 반사재(41)를 침강시키기 쉽게 할 수 있다. 경화제 혼합 전의 온도는 실온 정도로 한다.
2액 경화성의 수지 재료로서는, 예를 들어, 실리콘 수지, 변성 실리콘 수지, 에폭시 수지, 변성 에폭시 수지 등을 들 수 있다.
2액 경화성의 수지 재료의 주제와 제2 반사재(41)를 혼합하고 경과시키는 시간은, 제2 반사재(41)를 보다 침강시키기 쉽게 하려는 관점으로부터, 바람직하게는 2시간 이상이다. 또한, 경과시키는 시간은, 제조 시간을 단축시키려는 관점으로부터, 바람직하게는 8시간 이하이다. 또한, 경화제를 혼합한 후에는, 제2 수지가 경화하기 전에 다음 공정으로 이동한다.
(제2 반사층을 형성하는 공정)
제2 반사층을 형성하는 공정 S104는, 제1 반사층(30)에 접촉하여, 오목부(15)의 저면을 제2 반사재(41)를 함유하는 제2 수지로 피복하고 제2 반사층(40)을 형성하는 공정이다.
이 공정 S104에서는, 예를 들어, 제1 수지와 마찬가지로, 포팅에 의해, 오목부(15)의 저면에 미경화의 제2 수지를 배치한다. 이 때, 제2 수지는, 오목부(15)의 저면에 있어서의 오목부(15)의 측면과 발광 소자(20) 사이에 배치한다. 또한, 바람직하게는, 제1 반사층(30)에 접하도록 제2 수지를 배치한다. 이에 의해, 제2 수지의 발광 소자(20) 측으로의 유동을 억제할 수 있기 때문에, 원심 회전시키기 전에 제2 수지가 발광 소자(20)의 측면으로 기어올라 버리는 것을 억제할 수 있다. 발광 소자(20)의 측면으로의 제2 수지의 기어오름은, 원심 회전으로 제2 수지의 형상이 변화함으로써 해소되지만, 제2 수지의 점도나 원심 회전 속도에 따라서는, 제2 수지가 발광 소자(20)의 측면에 남아버릴 우려가 있다. 이 때문에, 원심 회전시키기 전의 제2 수지는, 발광 소자(20)의 측면을 피복하고 있지 않은 것이 바람직하다.
다음으로, 오목부(15)의 저면에 원심력이 걸리는 방향으로 패키지(10)를 원심 회전시킨다. 이에 의해, 제2 수지는 오목부(15)의 저면 측으로 이동하여 오목부(15)의 저면을 피복한다. 또한, 이 때, 제2 수지가 발광 소자(20)의 측면의 일부를 피복한다고 해도, 원심력에 의해 발광 소자(20)의 측면의 높이 방향으로의 젖어 퍼짐이 억제된다. 나아가, 이 원심력을 이용하여, 제2 수지의 제2 반사재(41)를 오목부(15)의 저면 측으로 강제적으로 침강시킴으로써, 투광층(40b)과 제2 반사재(41)를 함유하는 함유층(40a)이 형성된다.
패키지(10)의 회전은, 오목부(15)의 저면이 외측이 되는 회전축(80)으로 패키지(10)에 원심력을 작용시킴으로써 행하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 패키지(10)의 상면 측에 회전축(80)을 가지도록, 회전축(80)을 축으로 하여 공전하는 A방향으로 패키지(10)를 이동시킨다. 또한, 도 3d에 있어서의 B방향은, 오목부(15)의 저면에 평행한 방향이다. 회전축(80)은, 오목부(15)의 저면의 대략 중심을 통과하는 수직선 상에 위치하는 오목부(15)의 저면에 평행한 축이며, 또한, 패키지(10)에 대해 오목부(15)의 개구부 측에 위치한다. 이에 의해, 오목부(15)의 저면 방향으로 원심력이 작용하여, 제2 수지의 패키지(10)의 높이 방향으로의 퍼짐이 억제됨과 함께, 제2 수지에 함유되어 있는 제2 반사재(41)가 오목부(15)의 저면 측(도 3d에 있어서의 화살표 C방향)으로 강제적으로 침강된다. 이 상태에서 제2 수지를 경화시킴으로써, 제2 반사재(41)를 함유하는 함유층(40a)과 투광층(40b)이 이 순서로 오목부(15)의 저면에 형성된다.
또한, 제2 반사층(40)은, 도포하는 양이나 제2 수지에 함유되는 제2 반사재(41)의 함유량을 적절히 조정한다. 그리고, 발광 소자(20)의 측면의 적어도 일부에 함유층(40a)이 대향하지 않도록 제2 반사층(40)을 형성한다.
패키지(10)를 원심 회전시킬 때의 회전 속도나 회전수는, 제2 반사재(41)의 함유량이나 입경 등에도 따르지만, 예를 들어 200xg 이상의 원심력이 걸리도록, 회전수나 회전 반경을 조정하면 된다.
또한, 제조 공정에 있어서, 개편화 전의 집합 기판의 상태에서 패키지(10)를 원심 회전시킬 때는, 집합 기판이 평판 형상이라면, 집합 기판의 평면적이 커질수록(보다 상세하게는 회전 방향 A에 있어서의 기판 길이가 길어질수록), 집합 기판의 중심으로부터 떨어진 위치의 패키지(10)는 회전축(80)으로부터의 어긋남이 생긴다. 예를 들어, 집합 기판에 있어서, 공전하는 원주 상으로부터 B방향으로의 어긋남이 커지면, 제2 수지의 표면이 오목부(15)의 저면에 대해 경사져 버려, 집합 기판 내에서 제2 수지의 표면 상태에 편차가 생길 우려가 있다. 이 어긋남을 억제하기 위해, 회전 반경을 크게 함으로써 억제할 수 있다. 구체적으로는, 회전 방향으로 배치되는 집합 기판의 길이의 70배 이상의 회전 반경으로 함으로써, 어긋남을 억제할 수 있다.
또한, 원심력에 의해, 집합 기판이 회전 반경의 원주를 따라 휘는 가요성을 갖는 수지 패키지(10)를 이용할 경우에는, 상기 어긋남이 생기기 어렵기 때문에, 비가요성의 패키지(10)의 집합 기판보다도 큰 집합 기판으로 원심 회전할 수 있다. 이에 의해, 1회의 처리수를 많게 할 수 있다.
또한, 이 공정 S104에서는, 제2 반사재(41)를 침강시키면서 제2 수지를 경화시키는 것이 바람직하다. 제2 반사재(41)는, 광반사의 관점으로부터 입경이 작은 것을 사용하는 것이 바람직하지만, 입경이 작아질수록 침강하기 어려워지기 때문에, 이 공정에서는 원심력에 의해 오목부(15)의 저면 측에 제2 반사재(41)를 강제적으로 침강시키고 있다. 이 때문에, 제2 반사재(41)를 침강시킨 상태에서 경화시키기 위해, 본 공정에서는, 회전을 유지한 채로, 즉 회전시키면서 제2 수지의 경화 공정을 실시하는 것이 바람직하다.
또한, 회전을 멈추고 나서 경화시키는 것도 가능하지만, 회전이 멈추면, 젖음성에 의해 수지가 발광 소자(20)의 측면으로 퍼지기 쉬워져 버린다. 이 때문에, 패키지(10)를 회전시키면서 제2 수지를 경화시킴으로써, 제2 수지가 발광 소자(20)의 측면으로 기어오르는 것을 방지할 수 있다. 발광 소자(20)의 측면이 제2 수지로부터 노출됨으로써, 광 취출 효율을 보다 향상시킬 수 있음과 함께, 발광 장치(100)의 배광색도를 보다 양호하게 할 수 있다.
이 때, 제2 수지를 경화시키는 온도는, 40℃ 이상 200℃ 이하를 들 수 있다. 경화시키는 온도를 높게 함으로써, 제2 수지를 경화시키는 시간을 단축할 수 있어, 효율적이다. 또한, 원심 침강시키는 장치의 금속이 열에 의해 팽창함으로써 회전축(80)이 흔들리는 것을 고려하면, 경화시키는 온도는 가능한 한 낮은 것이 바람직하다. 즉, 제2 수지를 경화시키는 온도는, 효율성의 관점으로부터, 바람직하게는 50℃ 이상이다. 또한, 제2 수지를 경화시키는 온도는, 회전축(80)이 흔들리는 것을 고려하여, 바람직하게는 60℃ 이하이다. 80℃ 이상에서 경화시킬 때에는, 적어도 원심 회전 장치의 금속 부분이 80℃ 이상이 되지 않도록, 장치를 조정하는 것이 바람직하다.
또한, 제2 수지를 구성하는 수지 재료로서는, 회전하는 패키지(10)를 40℃ 이상의 온도로 유지함으로써 적어도 가경화 상태가 얻어지는 수지 재료를 선택하는 것이 바람직하다.
제2 반사재(41)를 침강시키면서 제2 수지를 경화시키는 방법으로서는, 예를 들어, 열풍을 가하거나, 패널 히터 등을 이용하거나 하는 것을 들 수 있다.
(광투과층을 배치하는 공정)
광투과층을 배치하는 공정 S105는, 제2 반사층(40) 및 발광 소자(20) 상에, 형광체(51)를 함유하는 제3 수지에 의한 광투과층(50)을 배치하는 공정이다.
이 공정 S105에서는, 포팅이나 스프레이 등에 의해, 오목부(15) 내에 제3 수지를 배치한다. 또한, 형광체(51)는, 제3 수지 중에서 자연 침강하고, 발광 소자(20)의 상면, 제1 반사층(30)의 내측면, 및 제2 반사층(40)의 상면에 배치된다. 그 후, 예를 들어, 120℃ 이상 200℃ 이하의 온도에서, 제3 수지를 경화시켜, 광투과층(50)을 형성한다.
이상, 본 실시형태에 관한 발광 장치의 제조 방법 및 발광 장치에 대해, 발명을 실시하기 위한 형태에 의해 구체적으로 설명하였지만, 본 발명의 취지는 이러한 기재에 한정되는 것이 아니라, 특허청구의 범위의 기재에 기초하여 넓게 해석되지 않으면 안 된다. 또한, 이러한 기재에 기초하여 여러 변경, 개변 등을 한 것도 본 발명의 취지에 포함된다.
《다른 실시형태》
도 4는, 다른 실시형태에 관한 발광 장치의 구성을 모식적으로 나타내는 단면도이다. 도 5는, 다른 실시형태에 관한 발광 장치의 구성을 모식적으로 나타내는 단면도이다. 도 6은, 다른 실시형태에 관한 발광 장치의 구성을 모식적으로 나타내는 단면도이다. 도 7a는, 다른 실시형태에 관한 발광 장치의 구성을 모식적으로 나타내는 사시도이다. 도 7b는, 도 7a의 VIIB－VIIB선에 있어서의 단면도이다. 도 8a는, 다른 실시형태에 관한 발광 장치의 구성을 모식적으로 나타내는 평면도이다. 도 8b는, 도 8a의 VIIIB－VIIIB선에 있어서의 단면도이다. 도 8c는, 도 8a의 VIIIC－VIIIC선에 있어서의 단면도이다. 도 9a는, 다른 실시형태에 관한 발광 장치의 구성을 모식적으로 나타내는 평면도이다. 도 9b는, 도 9a의 IXB－IXB선에 있어서의 단면도이다.
도 4에 나타내는 발광 장치(100A)는, 발광 소자(20)와 오목부(15)의 저면 사이에 범프(60)를 마련하고 있다. 그리고, 발광 장치(100A)는, 범프(60)를 거쳐서, 발광 소자(20)를 오목부(15)의 저면에 재치하고 있다. 이에 의해, 발광 소자(20)를, 발광 소자(20)의 높이 방향으로 올리고 있다. 그리고, 발광 소자(20)의 측면이 제2 반사재(41)를 함유하는 함유층(40a)에 대향하지 않도록, 제2 반사층(40)이 설치되어 있다. 또한, 발광 소자(20)의 반도체층(22)이 함유층(40a)에 대향하지 않도록, 제2 반사층(40)이 설치되어 있다.
이와 같은 구성으로 함으로써, 발광 소자(20) 측면에서의 반사에 의한 일차광의 로스를 저감할 수 있다. 또한, 발광 소자(20)의 측면으로부터 취출할 수 있는 일차광이 증가함으로써, 형광체(51)의 다중 여기가 억제되어, 발광 장치(100A)의 배광색도를 보다 개선할 수 있다.
범프(60)로서는, 예를 들어 Au 범프를 이용할 수 있다.
도 5에 나타내는 발광 장치(100B)는, 발광 소자(20)와 오목부(15)의 저면 사이에 포스트(70)를 마련하고 있다. 그리고, 발광 장치(100B)는, 포스트(70)를 거쳐서, 발광 소자(20)를 오목부(15)의 저면에 재치하고 있다. 이에 의해, 발광 소자(20)를, 발광 소자(20)의 높이 방향으로 올리고 있다. 그리고, 발광 소자(20)의 측면이 제2 반사재(41)를 함유하는 함유층(40a)에 대향하지 않도록, 제2 반사층(40)이 설치되어 있다. 또한, 발광 소자(20)의 반도체층(22)이 함유층(40a)에 대향하지 않도록, 제2 반사층(40)이 설치되어 있다.
이와 같은 구성으로 함으로써, 발광 소자(20) 측면에서의 반사에 의한 일차광의 로스를 저감할 수 있다. 또한, 발광 소자(20)의 측면으로부터 취출할 수 있는 일차광이 증가함으로써, 형광체(51)의 다중 여기가 억제되어, 발광 장치(100B)의 배광색도를 보다 개선할 수 있다.
포스트(70)로서는, 예를 들어 Cu 포스트를 이용할 수 있다.
도 6에 나타내는 발광 장치(100C)는, 제2 반사층(40)의 표면이 개구부 측으로 오목한 표면으로 되어 있다. 패키지(10)의 회전 속도를 억제함으로써, 이와 같은 표면 상태로 할 수 있다. 또한, 제2 반사층(40)은 실질적으로 투광층(40b)이 형성되지 않는 상태여도 된다. 이 경우에서도, 회전을 가하면서, 즉 원심력이 걸린 상태에서 제2 수지를 경화시킴으로써, 제2 반사층(40)에 의한 발광 소자(20)의 측면으로의 기어오름을 억제하면서, 제1 반사층(30)으로부터 노출되는 오목부(15)의 저면 모두를 피복하도록 제2 수지의 형상을 변화시킬 수 있다.
이와 같은 구성으로 함으로써, 발광 소자(20) 측면에서의 반사에 의한 일차광의 로스를 저감할 수 있다. 또한, 발광 소자(20)의 측면으로부터 취출할 수 있는 일차광이 증가함으로써, 형광체(51)의 다중 여기가 억제되어, 발광 장치(100C)의 배광색도를 보다 개선할 수 있다.
도 7a, 7b에 나타내는 발광 장치(100D)는, 패키지(10A)의 오목부(15)의 저면에, 발광 소자(20)를 페이스 업 실장한 것이다. 발광 소자(20)는, 제2 리드(3b) 상에 재치되어 있다. 그리고, 여기서는, 발광 소자(20)의 N측 전극이 와이어(23)를 거쳐 제1 리드(3a)에 접합되고, P측 전극이 와이어(24)를 거쳐 제2 리드(3b)에 접합되어 있다.
발광 소자(20)를 페이스 업 실장함으로써, 발광 소자(20)의 반도체층(22)을 광 취출면 측에 배치할 수 있어, 반도체층(22)이 함유층(40a)에 대향하지 않도록 할 수 있다.
이와 같은 구성으로 함으로써, 발광 소자(20) 측면에서의 반사에 의한 일차광의 로스를 저감할 수 있다. 또한, 발광 소자(20)의 측면으로부터 취출할 수 있는 일차광이 증가함으로써, 형광체(51)의 다중 여기가 억제되어, 발광 장치(100D)의 배광색도를 보다 개선할 수 있다.
도 8a, 8b, 8c에 나타내는 발광 장치(100E)는, 패키지(10B)가, 평면도 상에서 보았을 때 직사각형으로 형성되어 있고, 평면도 상에서 보았을 때 장방형이 되는 직사각형의 오목부(15)를 가진다. 즉, 패키지(10B)는, 오목부(15)의 측면이 일방향에서 대향하는 X방향에 있어서의 거리와, X방향과 직교하는 Y방향에 있어서의 거리가 다르다. 또한, 여기서의 직사각형이란, 패키지(10B)와 같이, 각부의 일부를 절결한 형상이나, 오목부(15)와 같이, 각부가 만곡한 형상 등, 대체로 직사각형인 형상을 포함하는 것이다. 또한, 패키지(10B)의 구조나 부재 등은, 패키지(10A)에 준한 것으로, 상세한 도시 및 설명은 생략하고 있다. 또한, 도 8a에 있어서, 제1 반사층(30)의 만곡부(32)는 파선으로 나타내고, 제2 반사층(40)의 만곡부는 실선으로 나타내고 있다.
발광 소자(20)는, 평면도 상에서 보았을 때, 오목부(15)의 저면의 중앙에 재치되어 있다. 이에 의해, 발광 장치(100E)는, 평면도 상에서 보았을 때, 발광 소자(20)로부터 X방향의 오목부(15)의 측면까지의 거리와, 발광 소자(20)로부터 Y방향의 오목부(15)의 측면까지의 거리가 다르게 되어 있다. 즉, 발광 장치(100E)는, 패키지(10B)의 긴 길이방향에 있어서의, 발광 소자(20)의 측면과 오목부(15)의 측면과의 거리가, 패키지(10B)의 짧은 길이방향에 있어서의, 발광 소자(20)의 측면과 오목부(15)의 측면과의 거리보다 길다. 또한, 여기서는, 오목부(15)의 형상을 장방형으로 함으로써, 긴 길이방향 및 짧은 길이방향에 있어서의 발광 소자(20)의 측면과 오목부(15)의 측면과의 거리를 변경시키도록 하고 있지만, 평면도 상에서 보았을 때, 오목부(15)의 형상을 정방형으로 하고, 발광 소자(20)의 형상을 장방형으로 하는 것이여도 된다. 이와 같이, 패키지(10B) 및 발광 소자(20)는, X방향 및 Y방향에 있어서의 발광 소자(20)로부터 오목부(15)의 측면까지의 거리가 다르도록 형성하면 된다.
제1 반사층(30)은, 평면도 상에서 보았을 때, X방향에 있어서, 발광 소자(20)를 향해 오목한 형상으로 만곡하여 형성되는 만곡부(32)와, Y방향에 있어서의 오목부(15)의 측면의 적어도 일부가 발광 소자(20)와 대향하도록 간극을 갖고 형성되는 간극부(33)를 갖는다.
제1 반사층(30)의 만곡부(32)는, 평면도 상에서 보았을 때, X방향의 일방 측(도면 상, 좌측) 및 타방 측(도면 상, 우측)에 형성되고, 패키지(10B)의 긴 길이방향의 양측에 설치되어 있다. 이에 의해, 제1 반사층(30)은, 오목부(15)의 단변 측의 측면을 피복하도록 설치되어 있다. 만곡부(32)는, 그 오목한 만곡 부분이 발광 소자(20)의 측면의 대략 중앙에 대향하도록 형성되어 있다. 또한, 만곡부(32)는, 만곡한 부위의 최심부가 발광 소자(20)의 측면의 대략 중앙에 대향하는 위치가 되도록 형성되어 있다.
또한, 제1 반사층(30)의 간극부(33)는, Y방향의 일방 측(도면 상, 위쪽) 및 타방 측(도면 상, 아래 쪽)에 있어서, 발광 소자(20)에 대향하는 부위에 제1 반사층(30)이 없는 간극을 형성하도록 설치되어 있다. 즉, 평면도 상에서 보았을 때, 만곡부(32)의 단부(32a)가 Y방향으로 병행인 발광 소자(20)의 측면의 연장선 상의 위치, 혹은 연장선 상의 위치보다 외측에 있다. 이에 의해, Y방향의 오목부(15)의 측면 중, 발광 소자(20)에 대향하는 부위는, 제1 반사층(30)에 대향하는 일 없이 오목부(15)의 측면에 광투과층(50)을 사이에 두고 대향하여 있다.
이와 같은 구성으로 함으로써, 오목부(15)의 측면 중, 발광 소자(20) 측면으로부터의 거리가 짧은 Y방향에 있어서는, 발광 소자(20)에 대향하는 부위에는 제1 반사층(30)이 배치되지 않기 때문에, 제2 반사층(40)이 제1 반사층(30)과 겹쳐져 배치되는 일이 없다. 그 때문에, Y방향에 있어서의 제2 반사층(40)의 표면의 평탄성이 양호하게 된다. 이에 의해, 예를 들어, 제3 수지 중에 있어서 형광체(51)가 침강되어 배치될 때에, 형광체(51)의 침강층의 평탄성이 양호해져 바람직하다. 발광 소자(20)와 제1 반사층(30)과의 거리가 가까울 경우, 제2 반사층(40)이 제1 반사층(30)과 겹쳐 배치되면, 발광 소자(20)의 측면 근방에서, 형광체(51)가 발광 소자(20)보다 상방에 배치된다. 이에 의해, 이 영역에서는, 형광체(51)에 의해 파장 변환된 2차광의 비율이 많아져 발광 불균일이 생길 우려가 있다.
즉, 평면도 상에서 보았을 때, 발광 소자(20)의 외연과 제1 반사층(30)(제1 반사층(30)이 배치되지 않은 측면에 있어 대향하는 오목부(15)의 측면)과의 거리를 일정 이상 확보함으로써, 발광 소자(20)의 외주 근방의 영역에는 평탄한 제2 반사층(40)이 형성되고, 제2 반사층(40) 상의 광투과층(50)을 낮은 위치에 배치할 수 있다. 이에 의해, 발광 장치(100E)로부터 출사하는 광의 배광색도가 향상된다. 이와 같은 관점으로부터, 평면도 상에서 보았을 때의 발광 소자(20)와 제1 반사층(30)과의 거리는 100㎛ 이상으로 하는 것이 바람직하고, 300㎛ 이상이 보다 바람직하다. 또한 원심력에 의한 제2 반사층(40)의 형성의 용이함으로부터, 발광 소자(20)와 제1 반사층(30)과의 거리는 1500㎛ 이하로 하는 것이 바람직하다.
또한, 이와 같은 제1 반사층(30)의 형태는, 제1 반사재를 함유하는 제1 수지의 도포량을 조정하거나, 도포 위치를 조정하거나, 제1 수지 중의 제1 반사재의 함유량을 조정하거나 함으로써 제어할 수 있다. 제1 수지 중의 제1 반사재의 함유량을 조정할 경우는, 예를 들어, 제1 수지 100질량부에 대해서, 제1 반사재로서 아에로질(등록상표)을 2.0질량부 이상 6.5질량부 이하 함유시키는 것을 들 수 있다.
또한, 여기서는, 제1 반사층(30)은, Y방향에 있어서의 오목부(15)의 측면에 있어 간극부(33)가 형성되고, 발광 소자(20)에 대향하는 부위에는 설치되지 않는 것으로 하였다. 그렇지만, 제1 반사층(30)은, Y방향에 있어서의 오목부(15)의 측면에 있어서, 발광 소자(20)에 대향하는 일부의 부위에만 설치되지 않은 것으로 해도 된다. 또한, 제1 반사층(30)은, Y방향에 있어서의 오목부(15)의 측면에 있어서, 발광 소자(20)에 대향하는 부위 이외에, 발광 소자(20)에 대향하지 않는 부위의 일부에도 설치되지 않는 것으로 해도 된다. 즉, 만곡부(32)의 단부(32a)의 위치를 Y방향의 오목부(15)의 측면을 따라 바꿈으로써 간극부(33)를 설정할 수 있다.
또한 발광 장치(100E)는, 보호 소자(90)를 구비하고 있다. 보호 소자(90)는, 예를 들어, 제너 다이오드이다.
도 9a, 9b에 나타내는 발광 장치(100F)는, 패키지(10C)가, 평면도 상에서 보았을 때 직사각형으로 형성되어 있고, 평면도 상에서 보았을 때 장방형이 되는 직사각형의 오목부(15)를 가진다. 패키지(10C)는, 지지 부재(2d)와, 한 쌍의 전극인 제1 리드(3c) 및 제2 리드(3d)를 구비하고 있다. 지지 부재(2d)는, 제1 리드(3c) 및 제2 리드(3d)를 소정의 배치로 지지하는 부재이다. 지지 부재(2d)의 재료로서는, 예를 들어, 발광 장치(100)의 절연성 기판(2)의 재료와 같은 것을 이용할 수 있다. 제1 리드(3c) 및 제2 리드(3d)로서는, 예를 들어, 발광 장치(100)의 제1 배선부(3)와 마찬가지의 것을 이용할 수 있다. 또한, 도 9a에 있어서, 제2 반사층(40)은 투과시키고 있고, 제1 반사층(30)의 만곡부(32)는 실선으로 나타내고 있다.
발광 소자(20)는, 평면도 상에서 보았을 때, 오목부(15)의 저면의 중앙으로부터 오목부(15)의 일방 측으로 어긋난 위치에 재치되어 있다. 여기서는, 발광 소자(20)는, 평면도 상에서 보았을 때, 오목부(15)의 저면의 중앙으로부터, 오목부(15)의 X방향의 일방 측(도면 상, 좌측)으로 어긋남과 함께 X방향과 직교하는 Y방향의 타방 측(도면 상, 아래 쪽)으로 어긋난 위치에 재치되어 있다. 구체적으로는, 발광 소자(20)는, 제1 리드(3c) 상에 재치되어 있음과 함께, 도면 상, 오목부(15)의 중앙에 대해 좌측 경사 아래 쪽에 재치되어 있다.
제1 반사층(30)은, 평면도 상에서 보았을 때, 대향하는 오목부(15)의 일방향의 측면에 있어서, 일방의 측면으로부터 타방의 측면을 향해 만곡하는 만곡부(32)를 가진다. 구체적으로는, 제1 반사층(30)의 만곡부(32)는, 평면도 상에서 보았을 때, X방향의 일방 측에 있어서의 오목부(15)의 측면으로부터, X방향의 타방 측(도면 상, 우측)에 있어서의 오목부(15)의 측면을 향해 만곡하고 있다. 즉, 만곡부(32)는, 평면도 상에서 보았을 때, Y방향의 일방으로부터 타방을 향해, X방향의 일방 측을 향해 오목한 형상으로 만곡하도록 설치되어 있다. 이에 의해, 제1 반사층(30)은, X방향의 타방 측에 있어서의 오목부(15)의 단변 측의 측면을 피복하도록 설치되어 있다. 또한, 만곡부(32)의 일방의 단부(32a)는, Y방향의 일방에 있어서 발광 소자(20)에 대향하는 위치까지 형성되어 있다. 나아가, 만곡부(32)의 타방의 단부(32a)는, Y방향의 타방에 있어서 발광 소자(20)에 대향하는 위치에는 설치되지 않았다. 그 때문에, 제1 반사층(30)은, 발광 소자(20)의 일방의 서로 이웃하는 2개의 측면의 대부분에 대향하여 설치되고, 타방의 서로 이웃하는 2개의 측면에 대향하는 위치에는 설치되지 않은 상태로 되어 있다. 만곡부(32)는, 만곡한 부위의 최심부가 발광 소자(20)에 대향하는 위치에 있다.
만곡부(32)의 단부(32a)는, Y방향의 오목부(15)의 측면까지 연장하여 있다. 구체적으로는, Y방향의 일방 측(도면 상, 위쪽)에 있어서의 오목부(15)의 측면에 위치하는 단부(32a)가, Y방향의 타방 측(도면 상, 아래 쪽)에 있어서의 오목부(15)의 측면에 위치하는 단부(32a)보다, X방향의 일방 측에 위치하도록 설치되어 있다. 이와 같이 함으로써, 만곡한 부위의 최심부가 발광 소자(20)에 대향하는 위치가 되도록 만곡부(32)를 형성할 수 있다.
이와 같은 구성으로 함으로써, X방향의 타방 측의 발광 소자(20)의 측면으로부터, X방향의 타방 측의 제1 반사층(30)까지의 거리가 길어져, 발광 장치(100F)의 배광색도가 향상된다.
또한, 이와 같은 제1 반사층(30)의 형태는, 제1 반사재를 함유하는 제1 수지의 도포량을 조정하거나, 도포 위치를 조정하거나, 제1 수지 중의 제1 반사재의 함유량을 조정하거나 함으로써 제어할 수 있다. 도포 위치를 조정할 경우, 예를 들어, 도포 위치(16)로부터 도포하는 것을 들 수 있다.
또한, 도 8 및 도 9의 발광 장치(100E, 100F)에서는, 만곡부(32)의 만곡 상태는, 곡률 반경이 커져도 되고, 작아져도 된다. 또한, 만곡부(32)는, 원호의 일부여도 된다. 또한, 만곡부(32)의 최심부의 위치는, X방향 및 Y방향에 있어서, 적절히, 비켜 놓은 것이어도 된다.
또한, 발광 장치의 제조 방법은, 상기 각 공정에 악영향을 주지 않는 범위에 있어, 상기 각 공정의 사이, 혹은 전후에, 다른 공정을 포함해도 된다. 예를 들어, 제조 도중에 혼입한 이물을 제거하는 이물 제거 공정 등을 포함해도 된다.
또한, 발광 장치의 제조 방법에 있어, 일부의 공정은, 순서가 한정되는 것이 아니라, 순서가 전후가 바뀌어도 된다. 예를 들어, 제1 반사층을 형성하는 공정을 실시한 후에, 발광 소자를 재치하는 공정을 실시해도 된다.
또한, 예를 들어, 상기한 발광 장치의 제조 방법은, 제1 반사층을 형성하는 공정 후에, 제2 수지를 준비하는 공정을 마련하는 것으로 하였지만, 제2 수지를 준비하는 공정은, 발광 소자를 재치하는 공정과 제1 반사층을 형성하는 공정 사이로 가도 되고, 발광 소자를 재치하는 공정 앞으로 가도 된다. 또한, 제2 수지를 준비하는 공정은 마련하지 않는 것이여도 된다.
2: 절연성 기판
2a: 기판부
2b: 제1 벽면부
2c: 제2 벽면부
2d: 지지 부재
3: 제1 배선부
3a: 제1 리드
3b: 제2 리드
3c: 제1 리드
3d: 제2 리드
4: 비어
5: 제2 배선부
6: 제3 배선부
7: 도금층
10, 10A, 10B, 10C: 패키지
15: 오목부
16: 도포 위치
20: 발광 소자
21: 기판
22: 반도체층
23: 와이어
24: 와이어
30: 제1 반사층
31: 제1 반사재
32: 만곡부
32a: 만곡부의 단부
33: 간극부
40: 제2 반사층
40a: 함유층
40b: 투광층
41: 제2 반사재
50: 광투과층
51: 형광체
60: 범프
70: 포스트
80: 회전축
90: 보호 소자
100, 100A, 100B, 100C, 100D, 100E, 100F: 발광 장치
A: 패키지의 회전 방향
B: 오목부의 저면에 평행한 방향
C: 제2 반사재가 침강하는 방향
L1, L2, L3: 광

Claims (13)

  1. 오목부를 가지는 패키지의 상기 오목부의 저면에 발광 소자를 재치하는 공정과,
    상기 오목부의 측면을 제1 반사재를 함유하는 제1 수지로 피복하여 제1 반사층을 형성하는 공정과,
    상기 제1 반사층에 접촉하여, 상기 오목부의 저면을 제2 반사재를 함유하는 제2 수지로 피복하고 제2 반사층을 형성하는 공정과,
    상기 제2 반사층 및 상기 발광 소자 상에, 형광체를 함유하는 제3 수지에 의한 광투과층을 배치하는 공정을 포함하고,
    상기 제2 반사층을 형성하는 공정은, 원심력에 의해 상기 제2 수지에 함유되는 상기 제2 반사재를 침강시켜 상기 제2 반사재를 함유하는 함유층과 투광층을 이 순서로 상기 오목부의 저면에 형성함과 함께, 상기 발광 소자의 측면의 적어도 일부에 상기 함유층이 대향하지 않도록 상기 제2 반사층을 형성하는,
    발광 장치의 제조 방법.
  2. 오목부를 가지는 패키지의 상기 오목부의 저면에 발광 소자를 재치하는 공정과,
    상기 오목부의 측면을 제1 반사재를 함유하는 제1 수지로 피복하여 제1 반사층을 형성하는 공정과,
    상기 제1 반사층에 접촉하여, 상기 오목부의 저면을 제2 반사재를 함유하는 제2 수지로 피복하고 제2 반사층을 형성하는 공정과,
    상기 제2 반사층 및 상기 발광 소자 상에, 형광체를 함유하는 제3 수지에 의한 광투과층을 배치하는 공정을 포함하고,
    상기 제2 반사층을 형성하는 공정은, 상기 제2 수지를 상기 오목부의 저면에 있어서의 상기 오목부의 측면과 상기 발광 소자 사이에 포팅에 의해 배치하고, 상기 오목부의 저면이 외측이 되는 회전축으로 상기 패키지에 원심력을 작용시킴으로써, 상기 제1 반사층으로부터 노출되는 상기 오목부의 저면 모두를 피복하도록 상기 제2 수지의 형상을 변화시킴과 함께, 원심력이 걸린 상태에서 상기 제2 수지를 경화시키는,
    발광 장치의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제2 반사재의 침강은, 상기 오목부의 저면이 외측이 되는 회전축으로 상기 패키지에 원심력을 작용시킴으로서 행하는, 발광 장치의 제조 방법.
  4. 제1항 또는 제3항에 있어서,
    상기 제2 반사층을 형성하는 공정은, 상기 제2 반사재를 침강시키면서 상기 제2 수지를 경화시키는, 발광 장치의 제조 방법.
  5. 제2항 또는 제4항에 있어서,
    상기 제2 수지를 경화시키는 온도가 40℃ 이상 200℃ 이하인, 발광 장치의 제조 방법.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2 반사재가 산화티탄인, 발광 장치의 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 산화티탄의 입경이, 0.1㎛ 이상 1.0㎛ 이하인, 발광 장치의 제조 방법.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2 수지의 점도가, 0.3Pa·s 이상 15Pa·s 이하인, 발광 장치의 제조 방법.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2 반사층을 형성하는 공정 전에, 상기 제2 수지를 준비하는 공정을 포함하고,
    상기 제2 수지를 준비하는 공정은, 2액 경화성의 수지 재료의 주제와 상기 제2 반사재를 혼합하고, 2시간 이상 경과 후에 경화제를 혼합하는, 발광 장치의 제조 방법.
  10. 오목부를 가지는 패키지와,
    상기 오목부의 저면에 재치된 발광 소자와,
    제1 반사재를 함유하는 제1 수지에 의해 상기 오목부의 측면을 피복하여 형성되는 제1 반사층과,
    상기 제1 반사층에 접촉하여, 제2 반사재를 함유하는 제2 수지에 의해 상기 오목부의 저면을 피복하여 형성되는 제2 반사층과,
    상기 제2 반사층 및 상기 발광 소자 상에 배치된, 형광체를 함유하는 제3 수지에 의한 광투과층을 구비하고,
    상기 제1 반사층은, 상기 제1 반사재가 상기 제1 수지 중에 분산되어 있고, 상기 제2 반사층은, 상기 제2 반사재를 함유하는 함유층과 투광층이 이 순서로 상기 오목부의 저면에 설치되어 있고, 상기 발광 소자의 측면의 적어도 일부가 상기 함유층에 대향하지 않는, 발광 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제1 반사층은, 평면도 상에서 보았을 때, 직사각형 또는 정방형으로 형성된 상기 오목부의 측면이 일방향에서 대향하는 X방향에 있어서, 상기 발광 소자를 향해 오목한 형상으로 만곡하여 형성되는 만곡부와,
    상기 X방향과 직교하는 Y방향에 있어서의 상기 오목부의 측면의 적어도 일부가 상기 발광 소자와 대향하도록 간극을 갖고 형성되는 간극부를 갖는, 발광 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 발광 소자는, 평면도 상에서 보았을 때, 상기 오목부의 저면의 중앙에 재치되고,
    상기 패키지 및 상기 발광 소자는, 평면도 상에서 보았을 때, 상기 발광 소자로부터 상기 X방향의 상기 오목부의 측면까지의 거리와, 상기 발광 소자로부터 상기 Y방향의 상기 오목부의 측면까지의 거리가 다른, 발광 장치.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 발광 소자는, 평면도 상에서 보았을 때, 상기 오목부의 저면의 중앙으로부터 상기 오목부의 일방 측으로 어긋난 위치에 재치되고,
    상기 제1 반사층은, 평면도 상에서 보았을 때, 대향하는 상기 오목부의 일방향의 측면에 있어서, 일방의 측면으로부터 타방의 측면을 향해 만곡하는 만곡부를 갖고, 상기 만곡부는, 만곡한 부위의 최심(最深)부가 상기 발광 소자에 대향하는 위치에 있는, 발광 장치.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016072412A (ja) 2014-09-30 2016-05-09 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
JP2017098470A (ja) * 2015-11-27 2017-06-01 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP2017117867A (ja) * 2015-12-22 2017-06-29 日亜化学工業株式会社 発光装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3775081B2 (ja) * 1998-11-27 2006-05-17 松下電器産業株式会社 半導体発光装置
JP3655267B2 (ja) * 2002-07-17 2005-06-02 株式会社東芝 半導体発光装置
JP5102051B2 (ja) * 2007-01-18 2012-12-19 シチズン電子株式会社 半導体発光装置
JP2008258284A (ja) * 2007-04-02 2008-10-23 Toyoda Gosei Co Ltd Ｌｅｄ発光表示装置
JP2010141058A (ja) * 2008-12-10 2010-06-24 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
KR20100080423A (ko) * 2008-12-30 2010-07-08 삼성엘이디 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
CN103081141B (zh) * 2010-08-31 2016-10-12 日亚化学工业株式会社 发光装置及其制造方法
KR101723541B1 (ko) * 2010-11-03 2017-04-05 엘지이노텍 주식회사 발광소자 어레이 및 이를 포함하는 표시장치
CN102683542B (zh) * 2011-03-15 2014-12-10 展晶科技(深圳)有限公司 Led封装结构
JP2012243846A (ja) * 2011-05-17 2012-12-10 Sumitomo Chemical Co Ltd 金属ベース回路基板および発光素子
JP2014082453A (ja) * 2012-09-25 2014-05-08 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置の製造方法
CN105789418A (zh) * 2014-12-18 2016-07-20 惠州市华瑞光源科技有限公司 胶状物及发光二极管封装结构
JP6332342B2 (ja) * 2015-08-20 2018-05-30 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
JP6447557B2 (ja) * 2016-03-24 2019-01-09 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP6668996B2 (ja) * 2016-07-29 2020-03-18 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
KR20180070149A (ko) * 2016-12-16 2018-06-26 삼성전자주식회사 반도체 발광장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016072412A (ja) 2014-09-30 2016-05-09 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
JP2017098470A (ja) * 2015-11-27 2017-06-01 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP2017117867A (ja) * 2015-12-22 2017-06-29 日亜化学工業株式会社 発光装置

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