BR112020024510A2 - método para fabricar um dispositivo emissor de luz, e, dispositivo emissor de luz. - Google Patents

Abstract

MÉTODO PARA FABRICAR UM DISPOSITIVO EMISSOR DE LUZ, E, DISPOSITIVO EMISSOR DE LUZ. A presente invenção provê: um método para produzir um dispositivo emissor de luz que tem alta eficiência luminosa; e um dispositivo emissor de luz. Um método para produzir um dispositivo emissor de luz (100) de acordo com a presente invenção compreende: uma etapa em que um elemento de emissão de luz (20) é colocado na superfície inferior de uma reentrância (15) de um pacote (10); uma etapa em que uma primeira camada de reflexão (30) é formada cobrindo-se a superfície lateral da reentrância (15) com uma primeira resina que contém um primeiro material de reflexão; uma etapa em que uma segunda camada de reflexão (40) é formada cobrindo-se a superfície inferior da reentrância (15) com uma segunda resina que contém um segundo material de reflexão; e uma etapa em que uma camada de transmissão de luz (50) que é formada por uma terceira resina que contém um fósforo é arranjada na segunda camada de reflexão (40) e no elemento de emissão de luz (20). Na etapa para formar a segunda camada de reflexão (40), a segunda camada de reflexão (40) é formada produzindo-se uma camada de teor (40a) que contém o segundo material de reflexão e uma camada transparente (40b) nessa ordem na superfície inferior da reentrância (15) fazendo que com o segundo material de reflexão contido na segunda resina se estabeleça por meio de força centrífuga de modo que a camada de teor (40a) não fique voltada para pelo menos uma parte da superfície lateral do elemento de emissão de luz (20).

Description

MÉTODO PARA FABRICAR UM DISPOSITIVO EMISSOR DE LUZ, E, DISPOSITIVO EMISSOR DE LUZ CAMPO DA TÉCNICA

[001] A presente descrição refere-se a um método para fabricar dispositivo emissor de luz e a um dispositivo emissor de luz.

FUNDAMENTOS DA TÉCNICA

[002] Sabe-se sobre um dispositivo emissor de luz no qual um elemento de emissão de luz é montado na superfície inferior de um pacote com reentrância. Por exemplo, a Literatura de Patente 1 descreve um dispositivo emissor de luz no qual um elemento de emissão de luz é montado na superfície inferior de uma reentrância de um pacote, sendo que a superfície inferior e as superfícies laterais da reentrância são cobertas com uma primeira camada resina que contém um material de reflexão, e o material de reflexão está localizado próximo da superfície inferior e das superfícies laterais da reentrância, e um método para fabricar o mesmo.

LISTA DE CITAÇÃO LITERATURA DE PATENTE

[003] Literatura de Patente 1: Publicação de Pedido de Patente nº J.P.2016-72412

SUMÁRIO DA INVENÇÃO PROBLEMA DA TÉCNICA

[004] A publicação de patente acima descreve o método para dispor a camada que contém um material de reflexão próximo da superfície inferior e das superfícies laterais da reentrância injetando-se uma primeira resina que contém o material de reflexão na reentrância, seguido aplicando-se uma força centrífuga à primeira resina. À esse momento, a colocação da camada de material de reflexão é realizada, por exemplo, aplicando-se uma força centrífuga em torno de um eixo geométrico de rotação com a superfície inferior da reentrância posicionada para fora do eixo geométrico e, em seguida, aplicando-se uma força centrífuga em torno de um eixo geométrico de rotação com as superfícies laterais posicionadas para fora do eixo geométrico.

[005] No entanto, as técnicas descritas acima exigem um ajuste de alta precisão em estabelecer o material de reflexão, e há uma possibilidade de que a camada de material de reflexão não esteja continuamente disposta da superfície inferior até as bordas superiores das superfícies laterais da reentrância. Embora o dispositivo emissor de luz descrito na publicação de patente acima possa ter alta eficiência de emissão, ainda há espaço para mais aprimoramento.

[006] Determinadas modalidades da presente descrição devem prover métodos para fabricar dispositivos de emissão de luz que têm alta eficiência de emissão e dispositivos de emissão de luz que têm alta eficiência de emissão.

SOLUÇÃO PARA O PROBLEMA

[007] De acordo com uma modalidade, um método para fabricar a dispositivo emissor de luz inclui: montar uma elemento de emissão de luz em um pacote no qual uma reentrância é definida, sendo que o elemento de emissão de luz é montado em uma superfície inferior que define a reentrância; formando uma primeira camada de reflexão cobrindo-se superfícies laterais da reentrância com uma primeira resina que contém um primeiro material de reflexão; formar uma segunda camada de reflexão cobrindo-se a superfície inferior que define a reentrância com uma segunda resina que contém um segundo material de reflexão de modo a estar em contato com a primeira camada de reflexão; e dispor uma camada de transmissão de luz, na qual uma terceira resina contém um fósforo, na segunda camada de reflexão e no elemento de emissão de luz. Na etapa de formar uma segunda camada de reflexão, sendo que uma camada de contenção contém o segundo material de reflexão e uma camada de transmissão de luz são formadas na superfície inferior que define a reentrância nessa ordem ajustando-se o segundo material de reflexão na segunda resina por uma força centrífuga durante a formação da segunda camada de reflexão de modo que a camada de contenção não fique voltada para pelo menos uma porção das superfícies laterais do elemento de emissão de luz.

[008] De acordo com outra modalidade, um método para fabricar a dispositivo emissor de luz inclui: montar uma elemento de emissão de luz em um pacote no qual uma reentrância é definida, sendo que o elemento de emissão de luz é montado em uma superfície inferior que define a reentrância; formando uma primeira camada de reflexão cobrindo-se superfícies laterais da reentrância com uma primeira resina que contém um primeiro material de reflexão; formar uma segunda camada de reflexão cobrindo-se a superfície inferior que define a reentrância com uma segunda resina que contém um segundo material de reflexão de modo a estar em contato com a primeira camada de reflexão; e dispor uma camada de transmissão de luz, na qual uma terceira resina contém um fósforo, na segunda camada de reflexão e no elemento de emissão de luz. A etapa de formar uma segunda camada de reflexão inclui: dispor a segunda resina na superfície inferior que define a reentrância ao mesmo tempo que é posicionada entre as superfícies laterais da reentrância e o elemento de emissão de luz por encapsulação; mudar um formato da segunda resina de modo a cobrir inteiramente a superfície inferior que define a reentrância exposta da primeira camada de reflexão aplicando-se uma força centrífuga ao pacote em torno de um eixo geométrico de rotação no qual a superfície inferior que define a reentrância é posicionada no exterior com relação ao eixo geométrico de rotação; e curar a segunda resina ao mesmo tempo que a força centrífuga é aplicada.

[009] De acordo com outra modalidade, um dispositivo emissor de luz inclui: um pacote no qual uma reentrância é definida; um elemento de emissão de luz montado em uma superfície inferior que define a reentrância;

uma primeira camada de reflexão formada com o uso de uma primeira resina que contém um primeiro material de reflexão, sendo que a primeira camada de reflexão cobre as superfícies laterais da reentrância; uma segunda camada de reflexão é formada com o uso de uma segunda resina que contém um segundo material de reflexão, a segunda camada de reflexão cobre a superfície inferior que define a reentrância de modo que esteja em contato com a primeira camada de reflexão; e uma camada de transmissão de luz formada com o uso de uma terceira resina que contém um fósforo, sendo que a camada de transmissão de luz está disposta na segunda camada de reflexão e o elemento de emissão de luz. A primeira camada de reflexão tem uma configuração na qual o primeiro material de reflexão é disperso na primeira resina, A segunda camada de reflexão inclui uma camada de contenção que contém o segundo material de reflexão e uma camada de transmissão de luz dispostas na superfície inferior que define a reentrância nessa ordem de modo que a camada de contenção não fique voltada para pelo menos uma porção das superfícies laterais do elemento de emissão de luz.

EFEITOS VANTAJOSOS DA INVENÇÃO

[0010] Um método para fabricar um dispositivo emissor de luz, de acordo com modalidades da presente descrição, pode fabricar um dispositivo emissor de luz que tem alta eficiência de emissão.

[0011] Um dispositivo emissor de luz de acordo com as modalidades da presente descrição tem alta eficiência de emissão.

BREVE DESCRIÇÃO DOS DESENHOS

[0012] A Figura IA é uma vista em perspectiva esquemática da estrutura de um dispositivo emissor de luz, de acordo com determinadas modalidades.

[0013] A Figura IB é uma vista esquemática em seção transversal obtida ao longo da linha IB-IB na Figura 1A.

[0014] A Figura 1C é uma vista esquemática em seção transversal de uma porção da estrutura do dispositivo emissor de luz, de acordo com a modalidade.

[0015] A Figura 2 é um fluxograma de um método para fabricar o dispositivo emissor de luz, de acordo com determinadas modalidades.

[0016] A Figura 3A é uma ilustração esquemática em seção transversal de uma etapa de montar um elemento de emissão de luz no método para fabricar o dispositivo emissor de luz, de acordo com a modalidade.

[0017] A Figura 3B é uma ilustração esquemática em seção transversal de uma etapa de formar uma primeira camada de reflexão no método para fabricar o dispositivo emissor de luz de acordo com a modalidade.

[0018] A Figura 3C é uma ilustração em vista superior esquemática da etapa de formar a primeira camada de reflexão no método para fabricar o dispositivo emissor de luz, de acordo com a modalidade.

[0019] A Figura 3D é uma ilustração esquemática em seção transversal da etapa de formar uma segunda camada de reflexão no método para fabricar o dispositivo emissor de luz, de acordo com a modalidade, que mostra esquematicamente a aplicação de uma força centrífuga para estabelecer o segundo material de reflexão na segunda resina que cobre a superfície inferior que define a reentrância do pacote.

[0020] A Figura 3E é uma ilustração esquemática em seção transversal de uma etapa de formar uma segunda camada de reflexão no método para fabricar o dispositivo emissor de luz de acordo com a modalidade, que mostra o estado após ajustar o segundo material de reflexão por uma força centrífuga.

[0021] A Figura 3F é uma ilustração esquemática em seção transversal de uma etapa de formar a camada de transmissão de luz no método para fabricar um dispositivo emissor de luz de acordo com a modalidade.

[0022] A Figura 4 é uma vista esquemática em seção transversal da estrutura de um dispositivo emissor de luz, de acordo com outra modalidade.

[0023] A Figura 5 é uma vista esquemática em seção transversal da estrutura de um dispositivo emissor de luz, de acordo com ainda outra modalidade.

[0024] A Figura 6 é uma vista esquemática em seção transversal da estrutura de um dispositivo emissor de luz, de acordo com ainda outra modalidade.

[0025] A Figura 7A é uma vista em perspectiva esquemática da estrutura de um dispositivo emissor de luz, de acordo com outra modalidade.

[0026] A Figura 7B é uma vista esquemática em seção transversal obtida ao longo da linha VIIB-VIIB na Figura 7A.

[0027] A Figura 8A é uma vista superior esquemática de um dispositivo emissor de luz de acordo com outra modalidade.

[0028] A Figura 8B é uma vista esquemática em seção transversal obtida ao longo da linha VIIIB-VIIIB na Figura 8A.

[0029] A Figura 8C é uma vista esquemática em seção transversal obtida ao longo da linha VITIC-VIIIC na Figura 8A.

[0030] A Figura 9A é uma vista superior esquemática de um dispositivo emissor de luz de acordo com outra modalidade.

[0031] A Figura 9B é uma vista esquemática em seção transversal obtida ao longo da linha IXB-IXB na Figura 9A.

MODALIDADE PARA REALIZAR A INVENÇÃO

[0032] Determinadas modalidades da presente descrição serão explicadas a seguir com referência aos desenhos. As modalidades descritas abaixo exemplificam um método para fabricar um dispositivo emissor de luz e um dispositivo emissor de luz para prover formato às ideias técnicas da presente descrição e não devem limitar a presente invenção. Os tamanhos, materiais, formatos e posições relativas dos elementos mostrados apenas

TIM exemplificam esses elementos e não devem limitar o escopo da presente invenção salvo quando observado especificamente de outro modo. Os tamanhos, a relação de posição e semelhantes mostrados em cada desenho podem ser exagerados para deixar mais clara a explicação.

MODALIDADE

[0033] A Figura IA é uma vista em perspectiva esquemática da estrutura de um dispositivo emissor de luz de acordo com uma modalidade. À Figura 1B é uma vista esquemática em seção transversal obtida ao longo da linha IB-IB na Figura 1A. A Figura 1C é uma vista esquemática em seção transversal de uma porção da estrutura do dispositivo emissor de luz, de acordo com a modalidade.

DISPOSITIVO EMISSOR DE LUZ

[0034] O dispositivo emissor de luz 100 inclui um pacote 10 no qual uma reentrância 15 é definido, um elemento de emissão de luz 20 montado na superfície inferior que define a reentrância 15, uma primeira camada de reflexão 30 formada cobrindo-se a superfície lateral que define a reentrância 15, uma segunda camada de reflexão 40 formada cobrindo-se a superfície inferior que define a reentrância 15 ao mesmo tempo que está em contato com a primeira camada de reflexão 30 e uma camada de transmissão de luz 50 que contém um fósforo 51 disposto na segunda camada de reflexão 40 e o elemento de emissão de luz 20.

[0035] O pacote 10 inclui um substrato isolante 2, primeiras porções de fiação 3 posicionadas na superfície superior de uma porção de base 2a do substrato isolante 2, segundas porções de fiação 5 posicionadas na superfície inferior da porção de base 2a, terceiras porções de fiação 6 posicionadas nas superfícies laterais da porção de base 2a e vias 4 para conectar eletricamente as primeiras porções de fiação 3 e as segundas porções de fiação 5 respectivamente. O pacote 10 é substancialmente retangular no formato em uma vista superior na qual a reentrância 15 é formada. A abertura da reentrância 15 é substancialmente um formato retangular em uma vista superior.

[0036] O substrato isolante 2 inclui a porção de base 2a acima do qual o elemento de emissão de luz 20 é montado, uma primeira parede 2b formada acima do perímetro da superfície superior da porção de base 2a e uma segunda parede 2c empilhada na primeira parede 2b. O substrato isolante 2 tem um formato com reentrância que tem uma abertura no centro para dentro da primeira parede 2b e da segunda parede 2c.

[0037] A porção de base 2a, a primeira parede 2b e a segunda parede 2c são formadas de modo que sejam escalonadas para dentro das mesmas. As superfícies laterais externas da primeira parede 2b e as superfícies laterais externas da segunda parede 2c são coplanares. As superfícies laterais internas da primeira parede 2b são formadas para dentro das superfícies laterais internas da segunda parede 2c. A primeira parede 2b posicionada para dentro da segunda parede 2c pode permitir que uma primeira camada de reflexão 30 tenha uma superfície inclinada descrita posteriormente. A superfície lateral que define a reentrância 15 pode ser superfícies inclinadas cujas larguras em uma direção lateral aumentam a partir da superfície inferior até a abertura, em vez de um formato escalonado.

[0038] Para o substrato isolante 2, por exemplo, uma resina termoplástica, tais como poliftalamida (PPA), sulfeto de polifenileno (PPS), polímero de cristal líquido e semelhantes ou uma resina termofixa, tais como uma resina epóxi, resina de silicone, resina epóxi modificada, resina de uretano, resina de fenol e semelhantes podem ser usados. É preferencial usar uma resina epóxi de vidro, um produto cerâmico, vidro ou semelhantes para o substrato isolante 2. No caos de usar uma cerâmica para o substrato isolante 2, é particularmente preferencial usar alumina, nitreto de alumínio, mulita, carbeto de silício, nitreto de silicone ou semelhantes.

[0039] As primeiras porções de fiação 3 são providas na superfície superior da porção de base 2a e são conectadas eletricamente ao elemento de emissão de luz 20. As primeiras porções de fiação 3 incluem um primeiro cabo 3a e um segundo cabo 3b como um par de eletrodos positivo e negativo, e o elemento de emissão de luz 20 é montado flip-chip no primeiro cabo 3a e no segundo cabo 3b.

[0040] As segundas porções de fiação 5 que estão dispostos na superfície inferior da porção de base 2a para servir como os eletrodos externos do dispositivo emissor de luz 100 devem ser conectados eletricamente a uma fonte de alimentação externa.

[0041] As vias 4 são providas em furos passantes que passam através da porção de base 2a, e as terceiras porções de fiação 6 são providas nas superfícies laterais da porção de base 2a a fim de conectar eletricamente as primeiras porções de fiação 3 e as segundas porções de fiação 5. Tanto as vias 4 como as terceiras porções de fiação 6 podem ser omitidas, desde que as primeiras porções de fiação 3 e as segundas porções de fiação 5 estejam conectadas eletricamente.

[0042] Para as primeiras porções de fiação 3, as segundas porções de fiação 5, e as terceiras porções de fiação 6, por exemplo, Fe, Cu, Ni, Al, Ag, Au, ou uma liga que contém um dentre os mesmos pode ser usada.

[0043] Para as primeiras porções de fiação 3, as segundas porções de fiação 5, e as terceiras porções de fiação 6 podem ter uma camada chapeada 7 formada em suas superfícies. Para a camada chapeada 7, por exemplo, podem ser usados Au, Ag, Cu, Pt ou uma liga que contém um dentre os mesmos. O uso desses materiais para a camada chapeada 7 aumenta ainda mais a eficácia na reflexão da luz do elemento de emissão de luz 20.

[0044] O elemento de emissão de luz 20 inclui um substrato de transmissão de luz 21 e uma camada semicondutora 22 formada no substrato

21. O substrato 12 pode ser formado com o uso de um material condutor ou um material isolante. Formato, tamanho e semelhantes podem ser selecionados apropriadas para o elemento de emissão de luz 20. Quanto à cor de emissão do elemento de emissão de luz 20, o comprimento de onda apropriadamente selecionado pode ser selecionado em conformidade com a aplicação. Por exemplo, um elemento à base de GaN ou à base de InNGaN pode ser usado como um elemento de emissão de luz azul 20 (isto é, comprimento de onda de 430 a 490 nm). Para um elemento à base de InGaN, InxAlyGarxyn (0<X<1,0<Y<1,X+Y<]) ou semelhantes podem ser usados.

[0045] A espessura do elemento de emissão de luz 20 (por exemplo, a altura da superfície inferior da camada semicondutora 22 até a superfície superior do substrato 21) está na faixa de, por exemplo, de 100 um a 300 um.

[0046] A primeira camada de reflexão 30 e a segunda camada de reflexão 40 refletem a luz emitida do elemento de emissão de luz 20.

[0047] As superfícies interiores, com mais preferência, as superfícies interiores inteiras, da reentrância 15 são cobertas, de preferência, com a primeira camada de reflexão 30 e a segunda camada de reflexão 40 de modo que a luz emitida do elemento de emissão de luz 20 esteja menos propensa a ser transmitida através da superfície inferior e da superfície lateral que definem a reentrância 15, ou ser absorvida pela mesma. Ademais, as superfícies do elemento de emissão de luz 20 são, de preferência, expostas da segunda camada de reflexão 40 de modo que a superfície superior e as superfícies laterais do elemento de emissão de luz 20 não sejam cobertas com a primeira camada de reflexão 30 ou a segunda camada de reflexão 40 de modo que a extração da luz emitida do elemento de emissão de luz 20 não seja interferida.

[0048] A primeira camada de reflexão 30 é formada de modo cobrir a superfície lateral que define a reentrância 15 do pacote 10 com o uso de uma primeira resina que contém um primeiro material de reflexão 31. A primeira camada de reflexão 30 cobre as bordas externas da superfície inferior que define a reentrância 15 separada das superfícies laterais do elemento de emissão de luz 20. A primeira camada de reflexão 30 cobre continuamente a partir das bordas externas da superfície inferior que define a reentrância 15 até a superfície lateral que defina reentrância 15. É mais preferencial que a primeira camada de reflexão 30 cubra substancialmente toda a superfície lateral que define a reentrância 15, porém é preferencial cobrir a superfície lateral que define a reentrância 15 de modo que a borda superior da primeira camada de reflexão 30 seja superior à superfície superior do elemento de emissão de luz 20 em uma vista em seção transversal do dispositivo emissor de luz 100.

[0049] A primeira camada de reflexão 30 é de modo que o primeiro material de reflexão 31 seja disperso na primeira resina. No presente documento, “o primeiro material de reflexão 31 disperso na primeira resina” significa simplesmente que o material de reflexão é disperso o suficiente para funcionar como uma camada de reflexão, por exemplo, um estado disperso alcançável aplicando-se uma resina que contém um material de reflexão por método conhecidos na técnica. O primeiro material de reflexão 31 pode ser localizado em uma porção na primeira camada de reflexão 30 desde que possa funcionar como uma camada de reflexão.

[0050] A concentração do primeiro material de reflexão 31 contida na primeira camada de reflexão 30 está na, por exemplo, de 10 por cento em massa a 50 por cento em massa.

[0051] A cobertura da superfície lateral que define a reentrância 15 com a primeira camada de reflexão 30 pode impedir que a superfície lateral que define a reentrância 15 transmita ou absorva luz.

[0052] A segunda camada de reflexão 40 é formada de modo a cobrir a superfície inferior que define a reentrância 15 do pacote 10 com o uso de uma segunda resina que contém um segundo material de reflexão 41 ao mesmo tempo que está em contato com a primeira camada de reflexão 30. À segunda camada de reflexão 40 cobre uma porção da primeira camada de reflexão 30 além de cobrir a superfície superior da porção de base 2a do substrato isolante 2 e as primeiras porções de fiação 3 na superfície inferior que define a reentrância 15. A segunda camada de reflexão 40 cobre a superfície inferior que define a reentrância 15 com uma espessura substancialmente uniforme.

[0053] A cobertura da superfície inferior que define a reentrância 15 com a segunda camada de reflexão 40 pode impedir que a camada chapeada 7 e a porção de base 2a transmitam ou absorvam luz.

[0054] A segunda camada de reflexão 40 é disposta de modo que pelo menos algumas porções das superfícies laterais do elemento de emissão de luz sejam expostas da segunda camada de reflexão 40. Aqui, apenas as porções das superfícies laterais do elemento de emissão de luz 20 localizadas no lado de camada semicondutora 22, em outras palavras, no lado de superfície inferior na reentrância 15, são cobertas pela segunda camada de reflexão 40, e as outras porções das superfícies laterais, que estão expostas da segunda camada de reflexão 40, são cobertas pela camada de transmissão de luz 50.

[0055] As superfícies laterais do elemento de emissão de luz 20 se referem, aqui, tanto a superfícies laterais do substrato 21 quanto às superfícies laterais da camada semicondutora 22.

[0056] Em uma vista em seção transversal, o segundo material de reflexão 41 na segunda camada de reflexão 40 é localizado no lado de superfície inferior.

[0057] A segunda camada de reflexão 40 inclui, de preferência, uma camada de contenção 40a que contém o segundo material de reflexão 41 e uma camada de transmissão de luz 40b, sucessivamente da superfície inferior que define a reentrância 15. A camada de contenção 40a é criada estabelecendo-se o segundo material de reflexão 41, que é a porção na qual o segundo material de reflexão 41 está disposto em alta concentração na direção de profundidade da segunda camada de reflexão 40. A camada de transmissão de luz 40b que contém primariamente uma resina é uma parte superior da segunda camada de reflexão 40 formada como um resultado de estabelecimento do segundo material de reflexão 41. Ou seja, não há interface clara criada entre a camada de contenção 40a e a camada de transmissão de luz 40b.

[0058] A segunda camada de reflexão 40 é disposta de modo que pelo menos algumas porções das superfícies laterais do elemento de emissão de luz não se opõem à camada de contenção 40a. A segunda camada de reflexão 40 é disposta, de preferência, de modo que substancialmente as superfícies laterais inteiras do elemento de emissão de luz 20 não estejam voltadas para a camada de contenção 40a. Ou seja, é preferencial que substancialmente as superfícies laterais inteiras do elemento de emissão de luz 20 estejam cobertas com a camada de contenção 40a. No presente contexto, apenas algumas áreas das superfícies laterais do elemento de emissão de luz 20 no lado de superfície de montagem são cobertas com a camada de contenção 40a, ao mesmo tempo que as áreas de superfície lateral restantes expostas da camada de contenção 40a são cobertas com a camada de transmissão de luz 40b ou a camada de transmissão de luz 50. No presente contexto, com relação às faces laterais do elemento de emissão de luz 20, a segunda camada de reflexão 40 é disposta de modo que a camada de contenção 40a não cubra as superfícies laterais inteiras da camada semicondutora 22.

[0059] A disposição da segunda camada de reflexão de modo que pelo menos algumas porções das áreas laterais da camada semicondutora 22 do elemento de emissão de luz 20 não fique voltado para a camada de contenção 40a pode aumentar a eficiência da luz que extrai luz das superfícies laterais do elemento de emissão de luz 20, o que também aprimora a distribuição de cor de luz emitida nas direções laterais em relação ao elemento de emissão de luz 20.

[0060] A segunda camada de reflexão 40 pode ser disposta simplesmente de modo que pelo menos algumas porções das superfícies laterais do elemento de emissão de luz 20 não estejam voltadas para a camada de contenção 40a. No entanto, a fim de aprimorar adicionalmente os efeitos descritos acima, é preferencial reduzir as áreas de superfície lateral do elemento de emissão de luz 20 que se opõem à camada de contenção 40a o quanto possível. É mais preferencial que não haja áreas de superfície lateral do elemento de emissão de luz 20 que se opõe à camada de contenção 40a (consultar as Figuras 4 e 5).

[0061] Dispor a segunda camada de reflexão 40 de modo que pelo menos algumas porções das superfícies laterais do elemento de emissão de luz não estejam voltadas para a camada de contenção 40a significa que a segunda camada de reflexão 40 está disposta de modo que pelo menos uma porção de cada uma dentre todas as superfícies laterais do elemento de emissão de luz 20 não esteja voltada para a camada de contenção 40a.

[0062] A espessura da segunda camada de reflexão 40, de preferência, está na faixa de, por exemplo, de 10 um a 200 um. Ter uma espessura de 10 um ou maior pode facilitar a formação da segunda camada de reflexão 40. Uma espessura de 200 um, no máximo, pode aprimorar ainda mais o efeito alcançado dispondo-se a camada de contenção 40a de modo que não esteja voltada para pelo menos algumas porções das superfícies laterais do elemento de emissão de luz 20 descrito acima.

[0063] Ajustando-se a espessura da segunda camada de reflexão 40 na faixa de, por exemplo, de 10 um a 200 um, a segunda camada de reflexão 40 pode ser disposta durante a redução escoamento induzido por tensão de superfície da resina nas superfícies laterais do elemento de emissão de luz 20 durante a etapa de estabelecer o segundo material de reflexão 41 por uma força centrífuga. O ajuste da espessura da segunda camada de reflexão 40 de modo que seja inferior à espessura dos membros de ligação, tais como ressaltos, entre o elemento de emissão de luz 20 e o substrato isolante 2 pode aprimorar ainda mais o efeito alcançado dispondo-se a camada de contenção 40a de modo que fiquei voltada para as superfícies laterais do elemento de emissão de luz 20 discutido anteriormente.

[0064] A espessura da camada de contenção 40a na segunda camada de reflexão 40, de preferência, está na faixa de 10% a 100%, com mais preferência, de 25% a 50%, da espessura da segunda camada de reflexão 40.

[0065] A concentração do segundo material de reflexão 41 na camada de contenção 40a pode ser aumentada à medida que a porcentagem da espessura da camada de contenção 40a na segunda camada de reflexão 40 diminui. A concentração do segundo material de reflexão 41 na camada de contenção 40a é, de preferência, superior à concentração do primeiro material de reflexão 31 na primeira camada de reflexão 30. A segunda camada de reflexão 40 é, de preferência, mais fina a fim de expor as superfícies laterais do elemento de emissão de luz 20. Para esse fim, o aumento da concentração do segundo material de reflexão 41 na camada de contenção 40a pode aprimorar a eficiência de extração de luz alcançada expondo-se as superfícies laterais do elemento de emissão de luz 20, assim como reduzindo-se a transmissão e absorção de luz pela superfície inferior que define a reentrância

15. A concentração do segundo material de reflexão 41 na camada de contenção 40a pode ser ajustada na faixa de, por exemplo, de 50 por cento em massa a 70 por cento em massas.

[0066] No caso que as porções das superfícies laterais do elemento de emissão de luz 20 estão voltadas para a camada de contenção 40a, a espessura da camada de contenção 40a é, de preferência, 1/4 no máximo, com mais preferência, 1/6 no máximo, até com mais preferência, 1/8 no máximo da altura das superfícies laterais do elemento de emissão de luz 20.

[0067] Os exemplos dos materiais de resina usados para a primeira resina e para a segunda resina incluem resinas termofixas, tais como uma resina epóxi, resina epóxi modificada, resina de silicone, resina de silicone modificada e semelhantes.

[0068] A primeira resina e a segunda resina podem ser formadas com o uso do mesmo material de resina ou diferentes materiais de resina.

[0069] A viscosidade da segunda resina, de preferência, está na faixa de 0,3 Pas a 15 Pa-s à temperatura ambiente (20 + 5ºC). A viscosidade de 0,3 Pa-s ou mais facilita a provisão da segunda resina na superfície inferior que define a reentrância 15 por encapsulação. O uso de uma segunda resina que tem uma viscosidade de 15 Pa-s, no máximo, facilita a mudança de seu formato e estabelecimento do segundo material de reflexão 41 por uma força centrífuga. A viscosidade da segunda resina para alcançar os efeitos descritos acima, com mais preferência, está em uma faixa de 0,5 Pas a 6 Pas.

[0070] No presente contexto, a viscosidade da segunda resina é a viscosidade no estado de conter um segundo material de reflexão 41 e é a viscosidade antes de estabelecer o segundo material de reflexão 41 na segunda resina por uma força centrífuga, conforme descrito anteriormente.

[0071] Exemplos de materiais de reflexão empregados para o primeiro material de reflexão 31 e o segundo material de reflexão 41 incluem óxido de titânio, sílica, óxido de silício, óxido de alumínio, óxido de zircônio, óxido de magnésio, titanato de potássio, óxido de zinco, nitreto de boro e semelhantes. Dentre os outros exemplos, é usado óxido de titânio, que tem Índice de refração relativamente alto, de preferência, em se tratando de reflexão de luz.

[0072] O primeiro material de reflexão 31 e o segundo material de reflexão 41 pode ser formado com o uso do mesmo tipo ou tipos diferentes de materiais.

[0073] Para o segundo material de reflexão 41, é usado, de preferência, um que tem uma gravidade específica mais forte que o material de resina empregue para a segunda resina. A diferença em gravidade específica entre o segundo material de reflexão 41 e o material de resina facilita o estabelecimento do segundo material de reflexão 41 em direção à superfície inferior por uma força centrífuga. Ademais, o emprego de um que tem um tamanho de partícula grande para o segundo material de reflexão 41 pode estabelecer mais rapidamente o segundo material de reflexão 41 rumo à superfície inferior.

[0074] O uso de uma força centrífuga permite que o segundo material de reflexão 41 seja disposto com alta densidade, o que reduz o espaço entre as partículas, desse modo, reduzindo o vazamento ou a transmissão de luz e aumentando a reflectância da segunda camada de reflexão 40.

[0075] O tamanho de partículas do segundo material de reflexão 41, de preferência, está na faixa de 0,1 um a 1,0 um. Ter um tamanho de partículas de 0,1 um ou mais facilitar estabelecer o segundo material de reflexão 41 por uma força centrífuga. O segundo material de reflexão 41 que tem um tamanho de partículas de 1,0 um, no máximo, facilita a reflexão de luz visível. Com mais preferência, o tamanho de partículas do segundo material de reflexão 41, está na faixa de 0,4 um a 0,6 um da perspectiva acima da perspective descrição acima.

[0076] A camada de transmissão de luz 50 é formada com o uso de uma terceira resina que contém um fósforo 51. A camada de transmissão de luz 50 é disposta na segunda camada de reflexão 40 e o elemento de emissão de luz 20 de modo que esteja em contato com a primeira camada de reflexão

30.

[0077] Os exemplos de materiais de resina empregues para a terceira resina incluem resinas termofixas, tais como uma resina epóxi, resina epóxi modificada, resina de silicone, resina de silicone modificada e semelhantes. O material de resina usado como a terceira resina pode ser formado com o uso do mesmo material da primeira resina e da segunda resina ou um material diferente. Alternativamente, uma resina altamente resistente a calor pode ser usada para a primeira resina e para a segunda resina ao mesmo tempo que uma resina dura é empregada para a terceira resina.

[0078] As resinas de silicone são, no geral, mais resistentes à luz na faixa de cerca de 450 nm a cerca de 500 nm do que resinas epóxi. Resinas epóxi são mais duras que resinas de silicone. Por esses motivos, uma resina de silicone pode ser usada para a primeira resina e para a segunda resina, e uma resina epóxi pode ser usada para a terceira resina.

[0079] O fósforo 51 é disposto na superfície superior do elemento de emissão de luz 20, na superfície lateral interna da primeira camada de reflexão 30 e na superfície superior da segunda camada de reflexão 40. Dispondo-se o fósforo 51 na superfície superior do elemento de emissão de luz 20, o comprimento de onda da luz do elemento de emissão de luz 20 pode ser convertido eficientemente antes de ser emitido externamente. Dispondo-se o fósforo 51 sobre a superfície lateral interna da primeira camada de reflexão 30, o comprimento de onda da luz refletida pela primeira camada de reflexão pode ser convertido eficientemente antes que esta seja emitida externamente. Dispondo-se o fósforo 51 sobre a superfície superior interna da segunda camada de reflexão 40, o comprimento de onda da luz refletida pela segunda camada de reflexão 40 pode ser convertido eficientemente antes que esta emitida externamente.

[0080] Para o fósforo 51, é usado, de preferência, um que tem uma gravidade específica maior que aquela do material de resina empregue para a terceira resina. Isso permite que o fósforo 51 seja estabelecido naturalmente na terceira resina em direção à superfície inferior que define a reentrância 15. O fósforo 51 pode ser estabelecido naturalmente na terceira resina aplicando- se uma força centrífuga.

[0081] O tamanho de partículas do fósforo 51 está na faixa de, por exemplo, de 3 um a 50 um.

[0082] O fósforo 51 pode ser disperso na terceira resina. A dispersão do fósforo 51 na terceira resina pode reduzir a variabilidade na distribuição da luz que sai do dispositivo emissor de luz 100.

[0083] Para o fósforo 51, materiais conhecidos na técnica podem ser usados. Os exemplos específicos incluem: fósforos emissores da cor amarela, tais como YAG (Y;3AIsO12:Ce), silicato; fósforos emissores da cor vermelha, tais como CASN (CaAISIN;:Eu), KSF (K3SiFs:Mn); ou fósforos emissores da cor verde, tais como clorosilicato, BaSiO,:Euº*.

OPERAÇÃO DO DISPOSITIVO EMISSOR DE LUZ

[0084] Quando o dispositivo emissor de luz 100 é operado, o elemento de emissão de luz 20 é alimentado com corrente elétrica para de uma fonte de alimentação através das primeiras porções de fiação 3, das vias 4, das segundas porções de fiação 5 e das terceiras porções de fiação 6, o que resulta na emissão de luz do elemento de emissão de luz 20. Dentre as porções da luz do elemento de emissão 20, a luz L, que avança para cima é extraída da porção superior do dispositivo emissor de luz 100. A luz L, que avança para baixo é refletida pela camada de contenção 40a e emitida rumo à abertura da reentrância 15 para ser extraída do dispositivo emissor de luz 100. A luz que avança lateralmente L; é refletida pela primeira camada de reflexão e emitida rumo à abertura da reentrância 15 para ser extraída do dispositivo emissor de luz 100. Desta maneira, a luz emitida do elemento de emissão de luz 20 está menos propensa a vazar da superfície inferior e da superfície lateral que define a reentrância 15, desse modo, aprimorando a eficiência de extração de luz. Isso também pode atenuar a não uniformidade de cor. MÉTODO PARA FABRICAR UM DISPOSITIVO EMISSOR DE LUZ 100

[0085] A seguir, será explicado um exemplo do método para fabricar um dispositivo emissor de luz de acordo com uma modalidade.

[0086] A Figura 2 é um fluxograma do método para fabricar o dispositivo emissor de luz de acordo com a modalidade. A Figura 3A é uma ilustração em seção transversal de uma etapa de montar um elemento de emissão de luz no método para fabricar o dispositivo emissor de luz, de acordo com a modalidade. A Figura 3B é uma ilustração em seção transversal de uma etapa de formar uma primeira camada de reflexão no método para fabricar o dispositivo emissor de luz de acordo com a modalidade. A Figura 3C é uma ilustração em vista superior esquemática da etapa de formar a primeira camada de reflexão no método para fabricar o dispositivo emissor de luz, de acordo com a modalidade. A Figura 3D é um diagrama esquemático que mostra uma etapa de formar uma segunda camada de reflexão no método para fabricar o dispositivo emissor de luz, de acordo com a modalidade, que mostra esquematicamente a aplicação de uma força centrífuga para estabelecer o segundo material de reflexão em uma segunda resina que cobre a superfície inferior que define a reentrância do pacote. A Figura 3E é uma ilustração em seção transversal de uma etapa de formar a segunda camada de reflexão no método para fabricar o dispositivo emissor de luz de acordo com a modalidade, que mostra o estado após ajustar o segundo material de reflexão por uma força centrífuga. A Figura 3F é uma ilustração em seção transversal de uma etapa de dispor uma camada de transmissão de luz no método para fabricar o dispositivo emissor de luz de acordo com a modalidade.

[0087] O método para fabricar um dispositivo emissor de luz 100 inclui a etapa S101 de montar o elemento de emissão de luz, a etapa S102 de formar a primeira camada de reflexão, etapa S103 de prover a segunda resina, a etapa S104 de formar a segunda camada de reflexão e a etapa S105 de dispor a camada de transmissão de luz. Os materiais e o modelo dos membros são conforme explicado com referência ao dispositivo emissor de luz 100 acima cuja explicação será omitida conforme apropriado.

ETAPA DE MONTAR ELEMENTO DE EMISSÃO DE LUZ

[0088] Na etapa S101, a elemento de emissão de luz 20 é montada na superfície inferior que define a reentrância 15 formada no pacote 10.

[0089] O elemento de emissão de luz 20 é montado flip-chip substancialmente no centro da superfície inferior que define a reentrância com a superfície que tem eletrodos funcionando como a superfície de montagem. O elemento de emissão de luz 20 é montado com o uso de um adesivo condutor. Para o adesivo condutor, por exemplo, podem ser usados soldador eutético, placa condutora, ressaltos e semelhantes. O elemento de emissão de luz 20 pode ser montado voltado para cima, e nesse caso um condutor não adesivo pode ser usado.

ETAPA DE FORMAR PRIMEIRA CAMADA DE REFLEXÃO

[0090] Na etapa S102, a primeira camada de reflexão 30 é formada para cobrir a superfície lateral que define a reentrância 15 com uma primeira resina que contém um primeiro material de reflexão 31.

[0091] A primeira resina que cobre a superfície lateral que define a reentrância 15 é disposta, por exemplo, por encapsulação. A primeira resina pode ser disposta na reentrância 15 descarregando-se um material de resina não curada do bocal de uma resina que descarrega o dispositivo preenchido com uma primeira resina nas proximidades das bordas externas da superfície inferior que define a reentrância 15 (de preferência, ao longo das bordas com as superfícies laterais). À primeira resina não curada molha e se espalha na superfície lateral que define a reentrância 15 que cobre a superfície lateral que define a reentrância 15. A primeira resina também flui para a superfície inferior que define a reentrância 15 nesse momento, desse modo, a primeira resina cobre as porções das regiões periféricas externas da superfície inferior que define a reentrância 15. No presente contexto, a viscosidade e as posições de formação da primeira resina são ajustadas, de preferência, de modo que a primeira resina seja posicionada na direção contrária às superfícies laterais do elemento de emissão de luz 20 e escoe até a superfície lateral que define a reentrância 15. No caso de formar a primeira camada de reflexão 30 por encapsulação, uma viscosidade da primeira resina é ajustada, por exemplo, para 1 Pas a 50 Pa-s à temperatura ambiente (20 + 5ºC).

[0092] Na etapa S102, as superfícies interiores da reentrância 15 podem ser pré-molhadas com um solvente orgânico. Pré-molhando-se as superfícies interiores da reentrância 15 com um solvente orgânico pode facilitar o escoamento da primeira resina para as superfícies laterais da reentrância 15. O escoamento da resina para as superfícies laterais da reentrância 15 também pode ser facilitado com o uso de um material que tem alta capacidade de molhamento para as superfícies laterais da reentrância 15, o que torna ásperas as superfícies das superfícies laterais, ou de outra maneira.

[0093] O primeiro material de reflexão 31 é misturado na primeira resina antes de serem curados, e teor do primeiro material de reflexão 31 na primeira resina é, de preferência, ajustado a 10 por cento em massa a 50 por cento em massa.

[0094] A primeira resina pode molhar e se espalhar para as superfícies laterais da reentrância 15 por encapsulação da primeira resina nas proximidades das bordas externas da superfície inferior que define a reentrância 15. No momento, a primeira camada de reflexão 30 no estado em que o primeiro material de reflexão 31 é disperso na primeira resina.

[0095] Subsequentemente, a primeira camada de reflexão 30 é formada curando-se a primeira resina a uma temperatura, por exemplo, de 120ºC a 200ºC. A primeira resina é curada, de preferência, no estado em que o pacote é deixado posicionado após permitir que a primeira resina molhe e se espalhe sobre as superfícies laterais da reentrância 15.

[0096] Na etapa 102, a primeira camada de reflexão 30 é formada de modo que tenha uma periferia interna com um formato circular em uma vista superior.

ETAPA DE PROVER SEGUNDA RESINA

[0097] A etapa S103 de prover a segunda resina é a etapa de misturar a resina de base de um material de resina curável de dois componentes e um segundo material de reflexão 41, seguido misturando-se um agente de cura após decorrer um determinado período de tempo.

[0098] Com o uso de uma segunda resina provida dessa maneira pode aprimorar a afinidade entre o segundo material de reflexão 41 e o material de resina, o que facilita o estabelecimento do segundo material de reflexão 41 com uma força centrífuga. A temperatura antes de misturar um agente de cura está próxima da temperatura ambiente.

[0099] Os exemplos de materiais de resina curável de dois componentes incluem resinas de silicone, resinas de silicone modificadas, resinas epóxi, resinas epóxi modificadas e semelhantes.

[00100] O tempo decorrido após misturar a resina de base dos materiais de resina curável de dois componentes e o segundo material de reflexão 41 é, de preferência, pelo menos 2 horas da perspectiva de facilitar o estabelecimento do segundo material de reflexão 41. De preferência, esse tempo é 8 horas no máximo, ademais, da perspectiva de reduzir o tempo de fabricação. Após misturar o agente de cura, a etapa subsequente é realizada antes da segunda resina é curada.

ETAPA DE FORMAR SEGUNDA CAMADA DE REFLEXÃO

[00101] Na etapa S104, a segunda camada de reflexão 40 é formada cobrindo-se a superfície inferior que define a reentrância 15 com uma segunda resina que contém um segundo material de reflexão 41 de modo que esteja em contato com a primeira camada de reflexão 30.

[00102] A segunda resina está disposta, por exemplo, por encapsulação da segunda resina não curada na superfície inferior que define a reentrância semelhante à primeira resina. Nesse momento, a segunda resina está disposta na superfície inferior que define a reentrância 15 ao mesmo tempo que está entre a superfície lateral que define a reentrância 15 e o elemento de emissão de luz 20. De preferência, a segunda resina está disposta em contato com a primeira camada de reflexão 30. Isso pode reduzir o fluxo da segunda resina rumo ao elemento de emissão de luz 20 para, então, impedir com mais eficácia que a segunda resina escoe para as superfícies laterais do elemento de emissão de luz 20 antes de ser girada com uma força centrífuga. O escoamento da segunda resina para as superfícies laterais do elemento de emissão de luz 20 pode ser eliminado mudando-se o formato da segunda resina por rotação centrífuga, porém a segunda resina pode permanecer nas superfícies laterais do elemento de emissão de luz 20 dependendo da viscosidade da segunda resina e da velocidade de rotação. Por esse motivo, é preferencial evitar que a segunda resina cubra as superfícies laterais do elemento de emissão de luz 20 antes que seja girado por uma força centrífuga.

[00103] Subsequentemente, o pacote 10 é girado na direção que aplica uma força centrífuga à superfície inferior que define a reentrância 15. À segunda resina se move para a superfície próxima à superfície inferior que define a reentrância 15 por essa força centrífuga para, então, cobrir a superfície inferior que define a reentrância 15. Nesse momento, até mesmo caso a segunda resina cubra as porções das superfícies laterais do elemento de emissão de luz 20, a aplicação da força centrífuga pode impedir o molhamento e espalhamento da resina na direção da altura das superfícies laterais do elemento de emissão de luz 20. Além disso, essa força centrífuga pode ser usada para estabelecer artificialmente o segundo material de reflexão 41 na segunda resina rumo à superfície inferior que define a reentrância 15 para, então, formar uma camada de transmissão de luz 40b e uma camada de contenção 40a que contém o segundo material de reflexão 41.

[00104] O pacote 10 é, de preferência, girado aplicando-se uma força centrífuga ao pacote 10 em torno de um eixo geométrico de rotação 80 no qual a superfície inferior que define a reentrância 15 é posicionada no exterior com relação ao eixo geométrico. De modo específico, o pacote 10 é movido em uma direção A e gira em torno do eixo geométrico de rotação 80 de modo que o eixo geométrico de rotação 80 seja posicionado próximo ao lado da superfície superior do pacote 10. Uma direção B na Figura 3D é uma direção paralela à superfície inferior que define a reentrância 15. O eixo geométrico de rotação 80 é paralelo à superfície inferior que define a reentrância 15 localizada em uma linha perpendicular que passa através do centro da superfície inferior que define a reentrância 15 e está localizado no lado da abertura na reentrância 15 do pacote 10. Isso permite que a força centrífuga atue na direção rumo à superfície inferior que define a reentrância 15 para então reduzir o espalhamento da segunda resina na direção da altura do pacote e estabelecer artificialmente o material de reflexão 41 em direção à superfície inferior que define a reentrância 15 (na direção C na Figura 3D). Curando-se a segunda resina nessa condição, a camada de contenção 40a que contém o segundo material de reflexão 41 e a camada de transmissão de luz 40b são formadas na superfície inferior que define a reentrância 15 nessa ordem.

[00105] A segunda camada de reflexão 40 pode ser formada ajustando- se adequadamente a quantidade de descarregamento e o teor do segundo material de reflexão 41 na segunda resina. Em seguida, a segunda camada de reflexão 40 é formada de modo que a camada de contenção 40a não esteja voltada para pelo menos algumas porções das superfícies laterais do elemento de emissão de luz 20.

[00106] A velocidade de rotação ou número de revoluções durante a aplicação de uma força centrífuga ao pacote 10 dependem do teor e do tamanho de partículas do material de reflexão 41, porém o número de rotações e o raio de giro da rotação pode ser ajustado simplesmente de modo que uma força centrífuga, por exemplo, de 200 xg seja aplicada.

[00107] No processo de fabricação, durante a rotação de múltiplos pacotes 10 que se configuram como um bloco de substrato em formato de placa antes de serem divididos em substratos individuais, a maior área do bloco de substrato, (mais precisamente, o comprimento mais longo do substrato na direção de rotação À), os pacotes 10 posicionados a uma distância maior do centro do bloco de substrato serão desviados do eixo geométrico de rotação 80. No bloco de substrato, por exemplo, quando os desvios da circunferência de revolução na direção B aumentam, a segunda resina superfícies é mais inclinada para a superfície inferior que define as reentrâncias 15, o que resulta possivelmente na variabilidade na condição de superfície das segundas resinas nos pacotes no bloco de substrato. Esses desvios podem ser reduzidos aumentando-se o raio de giro. De modo específico, com o uso de um raio de giro pelo menos 70 vezes o comprimento do bloco de substrato arranjado ao longo da direção de rotação pode reduzir os desvios.

[00108] No caso de empregar pacotes de resina flexível 10 nos quais o bloco de substrato se envolve ao longo da circunferência do raio de giro, os desvios mencionados acima estão menos propensos a ocorrer. Desta maneira, a rotação pode ser realizada com um bloco de substrato maior em relação ao caso de empregar um bloco de substrato composto de pacotes não flexíveis

10. Isso pode aumentar o número de pacotes processados por tempo.

[00109] Na etapa S104, a segunda resina é, de preferência, curada ao mesmo tempo que o estabelecimento do segundo material de reflexão 41. É preferencial usar um segundo material de reflexão 41 que tem um tamanho de partículas pequeno em se tratando de reflexão, porém em virtude de as partículas menores não poderem se estabelecer prontamente, o segundo material de reflexão 41 é estabelecido artificialmente rumo à superfície inferior que define a reentrância 15 com o uso de uma força centrífuga nesse processo. A fim de curar a resina no em que o segundo material de reflexão 41 é estabelecido, é preferencial curar a segunda resina sob rotação, em outras palavras, durante a rotação dos pacotes, nesse processo.

[00110] É possível curar a resina após a rotação ter cessado, porém quando a rotação cessa, a capacidade de molhamento da resina faz com que a resina se espalhe prontamente sobre as superfícies laterais do elemento de emissão de luz 20. A cura da segunda resina durante a rotação do pacote 10 pode, então, impedir que a segunda resina escoe para as superfícies laterais do elemento de emissão de luz 20. A exposição das superfícies laterais do elemento de emissão de luz 20 da segunda resina pode aumentar adicionalmente a eficiência de extração de luz e aprimorar mais ainda a distribuição de cor da luz emitida do dispositivo emissor de luz 100.

[00111] A temperatura de cura para a segunda resina nesse momento pode estar na faixa de 40ºC a 200ºC. O aumento da temperatura de cura pode reduzir o tempo necessário para curar a segunda resina e, então, é eficiente. Considerando a oscilação do eixo geométrico de rotação 80 devido à expansão térmica gerada nas partes de metal no equipamento para rotação centrífuga, a temperatura de cura é, de preferência, a mais baixa possível. Ou seja, a temperatura de cura para a segunda resina é, de preferência, 50ºC ou mais, da perspectiva de eficiência. A temperatura de cura para a segunda resina é, de preferência, 60ºC, no máximo, considerando a oscilação do eixo geométrico de rotação 80. Durante a cura da resina a uma temperatura de 80ºC ou maior, é preferencial ajustar o equipamento para rotação centrífuga de modo que pelo menos as partes de metal do equipamento para rotação centrífuga não atinjam 80ºC ou mais.

[00112] O material de resina que compõe a segunda resina é selecionado de preferência, a partir daqueles que podem alcançar pelo menos uma condição semicurada quando o pacote giratório 10 é mantido a 40ºC ou mais.

[00113] Exemplos de métodos para curar a segunda resina ao mesmo tempo que se permite o segundo material de reflexão 41 estabelecer incluem sopro de ar quente, com o uso de um aquecedor de panela ou semelhantes.

ETAPA DE DISPOR CAMADA DE TRANSMISSÃO DE LUZ

[00114] Na etapa S105, a camada de transmissão de luz 50 na qual uma terceira resina contém um fósforo 51 na segunda camada de reflexão 40 e no elemento de emissão de luz 20.

[00115] Uma terceira resina está disposta na reentrância 15 por encapsulação, aspersão ou semelhantes. O fósforo 51 se estabelece naturalmente na terceira resina e é disposto sobre ou acima da superfície superior do elemento de emissão de luz 20, da superfície interna da primeira camada de reflexão 30 e da superfície superior da segunda camada de reflexão

40. Subsequentemente, a terceira resina é curada a uma temperatura de, por exemplo, 120ºC a 200ºC para formar a camada de transmissão de luz 50.

[00116] O método para fabricar o 22 dispositivo emissor de luz e o dispositivo emissor de luz, de acordo com as modalidades da presente descrição, foram explicados acima com base nas modalidades específicas, porém o escopo e espírito da presente invenção não se limitam aos descritos acima e precisam ser interpretados amplamente com base no escopo das reivindicações descritas no presente documento. Aqueles alterados ou modificados de várias maneiras com base na presente descrição também são abrangidos pelo escopo e espírito da presente invenção.

OUTRA MODALIDADE

[00117] A Figura 4 é uma vista esquemática em seção transversal da estrutura de um dispositivo emissor de luz, de acordo com outra modalidade. A Figura 5 é uma vista esquemática em seção transversal da estrutura de um dispositivo emissor de luz, de acordo com ainda outra modalidade. A Figura 6 é uma vista esquemática em seção transversal da estrutura de um dispositivo emissor de luz, de acordo com ainda outra modalidade. A Figura 7A é uma vista em perspectiva esquemática da estrutura de um dispositivo emissor de luz, de acordo com outra modalidade. A Figura 7B é uma vista esquemática em seção transversal obtida ao longo da linha VIIB-VIIB na Figura 7A. À Figura 8A é uma vista superior esquemática de um dispositivo emissor de luz de acordo com outra modalidade. A Figura 8B é uma vista esquemática em seção transversal obtida ao longo da linha VIIIB-VIIIB na Figura 8A. À Figura 8C é uma vista esquemática em seção transversal obtida ao longo da linha VIMIC-VIIIC na Figura 8A. A Figura 9A é uma vista superior esquemática de um dispositivo emissor de luz de acordo com outra modalidade. A Figura 9B é uma vista esquemática em seção transversal obtida ao longo da linha IXB-IXB na Figura 9A.

[00118] O dispositivo emissor de luz 100A mostrado na Figura 4 inclui ressaltos 60 providos entre o elemento de emissão de luz 20 e a superfície inferior que define a reentrância 15. No dispositivo emissor de luz 100A, o elemento de emissão de luz 20 é montado na superfície inferior que define a reentrância 15 por meio dos ressaltos 60. Os ressaltos 60 elevam o elemento de emissão de luz 20 na direção da altura do elemento de emissão de luz 20. A segunda camada de reflexão 40 é disposta de modo que a camada de contenção 40a que contém o segundo material de reflexão 41 não esteja voltada para as superfícies laterais do elemento de emissão de luz 20. À segunda camada de reflexão 40 está disposta de modo que a camada semicondutora 22 do elemento de emissão de luz 20 não fique voltada para a camada de contenção 40a.

[00119] Tal estrutura pode reduzir a perda de luz primária causada pelo fato de a luz primária ser refletida nas superfícies laterais do elemento de emissão de luz 20. O aumento da luz primária extraída das superfícies laterais do elemento de emissão de luz 20 pode reduzir múltiplas excitações do fósforo 51, desse modo, aprimorando adicionalmente a distribuição de cor de luz emitida do dispositivo emissor de luz 100A.

[00120] Para os ressaltos 60, por exemplo, podem ser usados ressaltos de Au.

[00121] O dispositivo emissor de luz 100B mostrado na Figura 5 tem colunas 70 dispostas entre o elemento de emissão de luz 20 e a superfície inferior que define a reentrância 15. No dispositivo emissor de luz 100B, o elemento de emissão de luz 20 é montado na superfície inferior que defina a reentrância 15 por meio das colunas 70. As colunas 70 elevam o elemento de emissão de luz 20 na direção da altura do elemento de emissão de luz 20. À segunda camada de reflexão 40 é disposta de modo que a camada de contenção 40a que contém o segundo material de reflexão 41 não esteja voltada para as superfícies laterais do elemento de emissão de luz 20. À segunda camada de reflexão 40 está disposta de modo que a camada semicondutora 22 do elemento de emissão de luz 20 não fique voltada para a camada de contenção 40a.

[00122] Tal estrutura pode reduzir a perda de luz primária causada pelo fato de a luz primária ser refletida nas superfícies laterais do elemento de emissão de luz 20. O aumento da luz primária extraída das superfícies laterais do elemento de emissão de luz 20 pode reduzir múltiplas excitações do fósforo 51, desse modo, aprimorando adicionalmente a distribuição de cor de luz emitida do dispositivo emissor de luz 100B.

[00123] Para as colunas 70, por exemplo, as colunas de Cu podem ser usadas.

[00124] No dispositivo emissor de luz 100C mostrado na Figura 6, a segunda camada de reflexão 40 tem uma superfície côncava no lado de abertura. Tal condição de superfície pode alcançada reduzindo-se a velocidade de rotação aplicada ao pacote 10. A segunda camada de reflexão 40 pode incluir substancialmente nenhuma camada de transmissão de luz 40b. Até mesmo nesse caso, curando-se a segunda resina sob resina, em outras palavras, sob uma força centrífuga, o formato da segunda resina pode ser mudado de modo a cobrir toda a superfície inferior que define a reentrância exposta da primeira camada de reflexão 30 ao mesmo tempo que é reduzido o escoamento da segunda camada de reflexão 40 para as superfícies laterais do elemento de emissão de luz 20.

[00125] Tal estrutura pode reduzir a perda de luz primária causada pelo fato de a luz primária ser refletida nas superfícies laterais do elemento de emissão de luz 20. O aumento da luz primária extraída das superfícies laterais do elemento de emissão de luz 20 pode reduzir múltiplas excitações do fósforo 51, desse modo, aprimorando adicionalmente a distribuição de cor de luz emitida do dispositivo emissor de luz 100C.

[00126] O dispositivo emissor de luz 100D mostrado nas Figuras 7A e 7B é um dispositivo no qual o elemento de emissão de luz 20 está voltado para cima montado na superfície inferior que define a reentrância 15 do pacote 10A. O elemento de emissão de luz 20 é montado no segundo cabo 3b. Aqui, o eletrodo no lado N do elemento de emissão de luz 20 é conectado a um primeiro cabo 3a por meio de um fio 23, e o eletrodo no lado P é conectado a um segundo cabo 3b por meio de um fio 24.

[00127] Montando-se o elemento de emissão de luz 20 que está voltado para acima, a camada semicondutora 22 do elemento de emissão de luz 20 pode ser posicionada no lado de superfície de extração de luz de modo que a camada semicondutora 22 não está voltada para a camada de contenção 40a.

[00128] Tal estrutura pode reduzir a perda de luz primária causada pelo fato de a luz primária ser refletida pelas superfícies laterais do elemento de emissão de luz 20. O aumento da luz primária extraída das superfícies laterais do elemento de emissão de luz 20 pode reduzir múltiplas excitações do fósforo 51, desse modo, aprimorando adicionalmente a distribuição de cor de luz emitida do dispositivo emissor de luz 100D.

[00129] Um dispositivo emissor de luz 100E mostrado na Figura 8A, 8B e 8C tem um formato retangular em uma vista superior e define uma reentrância 15 que tem um formato retangular em uma vista superior. Ou seja, no pacote 10B, a distância na direção X na qual as superfícies laterais da reentrância 15 se opõem uma à outra em uma direção é diferente da distância na direção Y ortogonal à direção X. Em outras palavras, o pacote 10B tem superfícies laterais que se opõem uma à outra na direção X e outras superfícies laterais que se opõem uma à outra na direção Y, que é perpendicular à direção X. Uma distância entre as superfícies laterais que se opõem uma à outra na direção X é diferente de uma distância entre as superfícies laterais que se opõem uma à outra na direção Y. O “formato retangular” no presente documento inclui um formato no qual um ou mais cantos são removidos como o pacote 10B, um formato no qual um ou mais cantos são arredondados ou um formato substancialmente retangular. À estrutura ou membros constituintes do pacote 10B são substancialmente conforme aqueles do pacote 10A, portanto, a descrição dos mesmos não será repetida. Na Figura 8A, as porções curvadas 32 de uma primeira camada de reflexão 30 são indicadas por linhas tracejadas, e as porções curvadas de uma segunda camada de reflexão 40 são iniciadas por linhas sólidas.

[00130] Um elemento de emissão de luz 20 é montado no centro da superfície inferior que define a reentrância 15 em uma vista superior. Com essa estrutura do dispositivo emissor de luz 100E, as distâncias entre o elemento de emissão de luz 20 e a superfície lateral que define a reentrância na direção X são diferentes de distâncias entre o elemento de emissão de luz 20 e a superfície lateral que define a reentrância 15 na direção Y. Ou seja, no dispositivo emissor de luz 100E, uma distância entre a superfície lateral do elemento de emissão de luz 20 e a superfície lateral que define a reentrância 15 na direção longitudinal do pacote 10B é diferentes de uma distância entre a superfície lateral do elemento de emissão de luz 20 e a superfície lateral que define a reentrância 15 na direção da largura do pacote 10B. No presente contexto, as distâncias entre as superfícies laterais do elemento de emissão de luz 20 e a superfície lateral que define a reentrância 15 são diferenciadas pela reentrância 15 para ter o formato retangular em uma vista superior. No entanto, as distâncias entre os mesmos podem se se tornar diferentes pela reentrância 15 de modo que tenham um formato quadrado e o elemento de emissão de luz 20 tenha um formato retangular em uma vista superior. Conforme descrito acima, o pacote 10B ou o elemento de emissão de luz 20 podem ser formados de modo que uma distância entre uma dentre as superfícies laterais do elemento de emissão de luz 20 e uma dentre a superfície lateral que define a reentrância 15 na direção X é diferente de uma distância entre a outra dentre as superfícies laterais do elemento de emissão de luz 20 e a outra dentre a superfície lateral que define a reentrância 15 na direção Y.

[00131] A primeira camada de reflexão 30 tem porções curvadas 32 que têm, cada uma, um formato côncavo rumo ao elemento de emissão de luz

20. As porções curvadas 32 se estendem na direção X em uma vista superior. A primeira camada de reflexão 30 define um interstício 33 formado de modo que pelo menos uma porção da superfície lateral que define a reentrância 15 está voltada para o elemento de emissão de luz 20 na direção Y.

[00132] As porções curvadas 32 da primeira camada de reflexão 30 são posicionadas em lados opostos do pacote 10B na direção X em uma vista superior, em outras palavras, um lado (isto é, lado esquerdo do desenho) e o outro lado (isto é, lado direito do desenho) do pacote 10B. Com essa estrutura, a primeira camada de reflexão 30 cobre a superfície lateral mais curta que define a reentrância 15. As porções cobertas 32 são formadas de modo que as porções côncavas das mesmas estejam substancialmente voltadas para o centro das superfícies laterais do elemento de emissão de luz 20. De modo específico, a porção mais profunda da porção côncava de cada uma das porções côncavas 32 está voltada substancialmente para o centro da superfície lateral correspondente do elemento de emissão de luz 20.

[00133] As porções do interstício 33 da primeira camada de reflexão posicionadas em um lado (isto é, lado superior do desenho) e o outro lado (isto é, lado inferior do desenho) na direção Y são definidas de modo que substancialmente nenhuma primeira camada de reflexão 30 seja provida nas porções para a qual o elemento de emissão de luz 20 está voltado. De modo específico, as extremidades 32a de cada uma das porções curvadas 32 são posicionadas na linha estendida, ou para fora da mesma, das superfícies laterais correspondentes do elemento de emissão de luz 20 paralelas à direção Y. Cada uma das superfícies laterais que definem a reentrância 15 que estão voltadas uma para a outra na direção Y tem pelo menos uma porção que está voltada para o elemento de emissão de luz 20. Tal porção de cada uma dentre as superfícies laterais que definem a reentrância 15 está voltada para a camada de transmissão de luz 50, porém não está voltada para a primeira camada de reflexão 30.

[00134] Com tal estrutura, substancialmente nenhuma primeira camada de reflexão 30 é provida na porção da superfície lateral que define a reentrância 15 voltada para a direção Y com a qual uma distância da superfície lateral do elemento de emissão de luz 20 é mais curta. Desse modo, substancialmente nenhuma parte da segunda camada de reflexão 40 se sobrepõem à primeira camada de reflexão 30. Desta maneira, a superfície da segunda camada de reflexão 40 que se estende na direção Y pode ser boa planicidade. Essa planicidade da superfície, por exemplo, permite a camada que configure o fósforo estabelecido 51 de modo que se torna boa planicidade após estabelecer o fósforo 51 na terceira resina. No caso que a distância entre o elemento de emissão de luz 20 e a primeira camada de reflexão 30 é curta e a segunda camada de reflexão 40 se sobrepõe à primeira camada de reflexão 30, o fósforo 51 adjacente às superfícies laterais do elemento de emissão de luz 20 possivelmente é disposto em uma posição mais alta que o elemento de emissão de luz 20. Isso pode aumentar a razão entre a luz secundária que é convertida pelo fósforo 51, possivelmente resultando na não uniformidade de cor na luz emitida.

[00135] Ou seja, uma determinada distância ou mais pode ser garantida entre a periferia externa do elemento de emissão de luz 20 e a primeira camada de reflexão 30 (ou as superfícies laterais que definem a reentrância 15 no qual substancialmente nenhuma primeira camada de reflexão 30 é provida) para, então, tornar a segunda camada de reflexão 40 plana na periferia externa e proximidade da mesma do elemento de emissão de luz 20. Desse modo, a camada de transmissão de luz 50 pode ser posicionada na área inferior na segunda camada de reflexão 40 em uma vista superior. Isso pode aprimorar a distribuição de luz e a distribuição de cor de luz emitida do dispositivo emissor de luz 100E. Da perspectiva da descrição acima, a distância entre o elemento de emissão de luz 20 e a primeira camada de reflexão 30 em uma vista superior é, de preferência, pelo menos 100 um, com mais preferência, pelo menos 300 um. A fim de facilitar a formação da segunda camada de reflexão 20, a distância entre o elemento de emissão de luz 20 e a primeira camada de reflexão 30 é, de preferência, 1.500 um ou menos.

[00136] O estado da primeira camada de reflexão 30 pode ser controlado ajustando-se a quantidade de descarregamento da primeira resina que contém o primeiro material de reflexão 31, a posição em que a primeira resina é descarregada ou a quantidade do primeiro material de reflexão 31 contido na primeira resina. O ajuste da quantidade do primeiro material de reflexão 31 contida na primeira resina pode ser alcançado, por exemplo, adicionando-se AerosilO& como o primeiro material de reflexão de pelo menos 2,0 partes por massa e 6,5 partes por massa, no máximo, em relação a 100 partes por massa da primeira resina.

[00137] Na presente modalidade, a primeira camada de reflexão 30 define o interstício 33 nas superfícies laterais que definem a reentrância que estão voltadas um para a outra na direção Y e está ausente nas porções que estão voltadas para o elemento de emissão de luz 20. No entanto, a primeira camada de reflexão 30 pode estar ausente apenas nas porções das superfícies laterais que definem a reentrância 15 que estão voltadas uma para a outra na direção Y e estão voltadas para o elemento de emissão de luz 20. Assim como as porções da superfície lateral que definem a reentrância 15 que está voltada para o elemento de emissão de luz 20 na direção Y, a primeira camada de reflexão 30 pode estar ausente nas porções da superfície lateral que definem a reentrância 15 que não estão voltada para o elemento de emissão de luz 20. O interstício 33 pode ser ajustado mudando-se as posições das extremidades 32a das porções curvadas 32 ao longo das superfícies laterais que definem a reentrância 15 que estão voltadas uma para a outra na direção Y.

[00138] O dispositivo emissor de luz 100E inclui um dispositivo de proteção 90. O dispositivo de proteção 90 pode ser, por exemplo, um diodo Zener.

[00139] O dispositivo emissor de luz 100F mostrado na Figura 9A e 9B tem um formato retangular em uma vista superior e define uma reentrância 15 que tem um formato retangular em uma vista superior. O pacote 10C inclui um membro de suporte 2b, um par de primeiro cabo 3c e um segundo cabo 3d. O membro de suporte 2b suporta o primeiro cabo 3c e o segundo cabo 3d em uma posição predeterminada. O membro de suporte 2d pode ser formado com o uso, por exemplo, do mesmo material do substrato isolante 2 do dispositivo emissor de luz 100. O primeiro cabo 3c e o segundo cabo 3d podem ser formados com o uso, por exemplo, do mesmo material das primeiras porções de fiação 3 no dispositivo emissor de luz 100. A Figura 9A é um diagrama que mostra através da segunda camada de reflexão 40, e uma porção curvada 32 de uma primeira camada de reflexão 30 é indicada por linhas sólidas.

[00140] O elemento de emissão de luz 20 está disposto em uma porção da superfície inferior na qual é deslocado para um lado a partir do centro na reentrância 15. No presente contexto, o elemento de emissão de luz 20 está disposto em uma posição deslocada do centro da superfície inferior que define a reentrância 15 para um lado na direção X (por exemplo, lado esquerdo na Figura 9A) e para um lado na direção Y perpendicular à direção X (por exemplo, lado inferior na Figura 9A). De modo específico, o elemento de emissão de luz 20 está disposto sobre o primeiro cabo 3c ao mesmo tempo que é posicionado de maneira oblíqua para baixo para a esquerda a partir do centro na reentrância 15 no desenho.

[00141] A primeira camada de reflexão 30 define a porção curvada 32 que é curvada de uma superfície lateral que se estende em uma direção rumo a outra superfície lateral voltada para a uma superfície lateral que define a reentrância 15 em uma vista superior. De modo específico, a porção curvada 32 da primeira camada de reflexão 30 é curvada a partir de uma superfície lateral que se estende na direção X rumo a outra superfície lateral voltada para a uma superfície lateral (isto é, lado direito na Figura 9A) na reentrância 15 em uma vista superior. Ou seja, a curva da porção curvada 32 começa em uma superfície lateral em direção a outra superfície lateral voltada para a direção Y a fim de ter um formato côncavo rumo ao elemento de emissão de luz 20 na direção X em uma vista superior. Com essa estrutura, a primeira camada de reflexão 30 cobre a outra superfície lateral mencionada acima que é uma dentre as superfícies laterais mais curtas que definem a reentrância 15. Uma dentre as extremidades 32a da porção curvada 32 está localizada a uma posição em um lado em que o elemento de emissão de luz 20 está voltado para a direção Y. A outra dentre as extremidades 32a da porção curvada 32 não está localizada em uma posição do outro lado em que o elemento de emissão de luz 20 está voltado para a direção Y. Desse modo, a primeira camada de reflexão 30 está disposta na superfície lateral que define a reentrância 15 de modo a estar voltada para a maior parte de duas superfícies laterais adjacentes do elemento de emissão de luz 20 e não estar voltadas para as outras duas dentre as superfícies laterais adjacentes do elemento de emissão de luz 20. A porção mais profunda da porção curvada 32 está voltada para o elemento de emissão de luz 20.

[00142] As extremidades 32a da porção curvada 32 se estendem em direção às porções das superfícies laterais que definem a reentrância 15 que estão voltadas uma para a outra na direção Y. De modo específico, na reentrância 15, uma dentre as extremidades 32a no lado da superfície lateral (por exemplo, lado superior na Figura 9A) está localizada em uma posição mais próxima da direção X a uma (por exemplo, lado esquerdo na Figura 9A) dentre as superfícies laterais do que a outra dentre as extremidades 32a na superfície lateral (por exemplo, lado inferior na Figura 9A) voltar a uma superfície lateral mencionada acima para a direção Y. Desta maneira, a porção curvada 32 pode ser formado de modo que a porção mais profunda da curva esteja voltada para o elemento de emissão de luz 20.

[00143] Com essa estrutura, uma distância do outro lado do lado da superfície lateral do elemento de emissão de luz 20 até o outro lado da camada de reflexão de luz 30 aumenta, desse modo, aprimorando a distribuição de cor da luz emitida do dispositivo emissor de luz 100F.

[00144] O estado da primeira camada de reflexão 30 pode ser controlado ajustando-se a quantidade de descarregamento da primeira resina que contém o primeiro material de reflexão 31, a posição em que a primeira resina é descarregada ou a quantidade do primeiro material de reflexão 31 contido na primeira resina. Quando a posição de descarregamento é ajustada, a primeira resina é descarregada, por exemplo, a uma posição de descarregamento 16.

[00145] No dispositivo emissor de luz 100E mostrado na Figura 8A, 8B, 8C ou o dispositivo emissor de luz 100F mostrado na Figura 9A, 9B, a porção curvada 32 pode ter um raio de curvatura grande ou pequeno. À porção curvada 32 pode ser uma porção de um arco circular. A porção mais profunda da porção curvada 32 pode ser deslocada adequadamente na direção XouY.

[00146] O método para fabricar um dispositivo emissor de luz pode incluir outra etapa entre as etapas descritas acima ou antes ou após as etapas descritas acima até o ponto em que não afeta adversamente as etapas descritas acima. Por exemplo, uma etapa de remover substância estranhas misturadas durante o processo de fabricação, ou semelhantes, pode ser incluída.

[00147] No método para fabricar um dispositivo emissor de luz, ademais, algumas etapas não se limitam a essa ordem na qual são realizadas e podem ser realizadas em ordem reversa. Por exemplo, a etapa de montar o elemento de emissão de luz pode ser realizada após a etapa de formar a primeira camada de reflexão.

[00148] Além disso, no método para fabricar um dispositivo emissor de luz descrito acima, a etapa de prover a segunda resina seguida pela etapa de formar a primeira camada de reflexão, porém a etapa de prover a segunda resina pode ser provida entre a etapa de montar o elemento de emissão de luz e a etapa de formar a primeira camada de reflexão ou antes da etapa de montar o elemento de emissão de luz. O método não tem que incluir a etapa de prover a segunda resina.

LISTA DE SINAIS DE REFERÊNCIA

[00149] 2 substrato isolante 2a porção de base 2b primeira parede 2c segunda parede 2d membro de suporte 3 primeira porção de fiação 3a primeiro cabo 3b segundo cabo 3c primeiro cabo 3d segundo cabo 4 via segunda porção de fiação 6 terceira porção de fiação

7 camada chapeada 10, 104, 10B, 10C pacote reentrância 16 posição de descarregamento elemento de emissão de luz 21 substrato 22 camada semicondutora 23 fio 24 fio primeira camada de reflexão 31 primeiro material de reflexão 32 porção curvada 32a extremidade da porção curvada 33 interstício 40 segunda camada de reflexão 40a camada de contenção 40b camada de transmissão de luz 41 segundo material de reflexão 50 camada de transmissão de luz 51 fósforo 60 ressalto 70 coluna 80 eixo geométrico de rotação 90 dispositivo de proteção 100, 100A, 100B, 100C, 100D, 100E, 100F dispositivo emissor de luz A direção de rotação do pacote B direção paralela ao fundo da reentrância C direção no qual o segundo material de reflexão é estabelecido L1, Lo, La luz

Claims (13)

REIVINDICAÇÕES

1. Método para fabricar um dispositivo emissor de luz, sendo que o método é caracterizado pelo fato de que compreende: montar um elemento de emissão de luz em um pacote no qual uma reentrância é definida, sendo que o elemento de emissão de luz é montado em uma superfície inferior que define a reentrância; formar uma primeira camada de reflexão por uma primeira resina que contém um primeiro material de reflexão para cobrir as superfícies laterais que definem a reentrância; formar uma segunda camada de reflexão por uma segunda resina que contém um segundo material de reflexão para cobrir a superfície inferior que define a reentrância de modo a entrar em contato com a primeira camada de reflexão; e dispor uma camada de transmissão de luz, na qual uma terceira resina contém um fósforo, na segunda camada de reflexão e o elemento de emissão de luz, em que na etapa de formar uma segunda camada de reflexão, uma camada de contenção que contém o segundo material de reflexão e uma camada de transmissão de luz são formadas na superfície inferior que define a reentrância nessa ordem ajustando-se o segundo material de reflexão na segunda resina por uma força centrífuga durante a formação da segunda camada de reflexão de modo que a camada de contenção não fique voltada para pelo menos uma porção das superfícies laterais do elemento de emissão de luz.

2. Método para fabricar um dispositivo emissor de luz, sendo que o método é caracterizado pelo fato de que compreende: montar um elemento de emissão de luz em um pacote no qual uma reentrância é definida, sendo que o elemento de emissão de luz é montado em uma superfície inferior que define a reentrância;

formar uma primeira camada de reflexão por uma primeira resina que contém um primeiro material de reflexão para cobrir as superfícies laterais que definem a reentrância; formar uma segunda camada de reflexão por uma segunda resina que contém um segundo material de reflexão para cobrir a superfície inferior que define a reentrância de modo a entrar em contato com a primeira camada de reflexão; e dispor uma camada de transmissão de luz, na qual uma terceira resina contém um fósforo, na segunda camada de reflexão e o elemento de emissão de luz, em que a etapa de formar uma segunda camada de reflexão inclui: dispor a segunda resina na superfície inferior que define a reentrância ao mesmo tempo que é posicionada entre as superfícies laterais que definem a reentrância e o elemento de emissão de luz por meio de encapsulação; mudar um formato da segunda resina de modo a cobrir inteiramente a superfície inferior que define a reentrância exposta da primeira camada de reflexão aplicando-se uma força centrífuga ao pacote em torno de um eixo geométrico de rotação no qual a superfície inferior que define a reentrância é posicionada no exterior em relação ao eixo geométrico de rotação; e curar a segunda resina ao mesmo tempo que a força centrífuga é aplicada.

3. Método para fabricar um dispositivo emissor de luz de acordo com a reivindicação 1, caracterizado pelo fato de que o segundo material de reflexão é estabelecido aplicando-se uma força centrífuga ao pacote em torno de um eixo geométrico de rotação de modo que a superfície inferior que define a reentrância seja posicionada fora do eixo geométrico de rotação.

4. Método para fabricar um dispositivo emissor de luz de acordo com a reivindicação 1 ou 3, caracterizado pelo fato de que a etapa de formar a segunda camada de reflexão compreende curar a segunda resina ao mesmo tempo que o segundo material de reflexão é estabelecido.

5. Método para fabricar um dispositivo emissor de luz de acordo com a reivindicação 2 ou 4, caracterizado pelo fato de que a segunda resina é curada a uma temperatura em uma faixa de 40ºC a 200ºC.

6. Método para fabricar um dispositivo emissor de luz de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 5, caracterizado pelo fato de que o segundo material de reflexão compreende óxido de titânio.

7. Método para fabricar um dispositivo emissor de luz de acordo com a reivindicação 6, caracterizado pelo fato de que um tamanho de partícula do óxido de titânio está em uma faixa de 0,1 um a 1,0 um.

8. Método para fabricar um dispositivo emissor de luz de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 7, caracterizado pelo fato de que uma viscosidade da segunda resina está em uma faixa de 0,3 Pas a 15 Pas.

9. Método para fabricar um dispositivo emissor de luz de acordo com qualquer uma das reivindicações | a 8, caracterizado pelo fato de que compreende adicionalmente: antes da etapa de formar a segunda camada de reflexão, formar a segunda resina que contém um segundo material de reflexão realizando-se as etapas que compreendem: misturar uma resina de base de um material de resina curável de dois componentes e o segundo material de reflexão para formar uma mistura, e após permitir que decorram pelo menos duas horas, misturar um agente de cura na mistura.

10. Dispositivo emissor de luz, caracterizado pelo fato de que compreende: um pacote no qual uma reentrância é definida; um elemento de emissão de luz montado em uma superfície inferior que define a reentrância; uma primeira camada de reflexão formada por uma primeira resina que contém um primeiro material de reflexão, sendo que a primeira camada de reflexão cobre as superfícies laterais que definem a reentrância; uma segunda camada de reflexão formada por uma segunda resina que contém um segundo material de reflexão, sendo que a segunda camada de reflexão cobre a superfície inferior que define a reentrância de modo a estar em contato com a primeira camada de reflexão; e uma camada de transmissão de luz formada com o uso de uma terceira resina que contém um fósforo, sendo que a camada de transmissão de luz está disposta na segunda camada de reflexão e no elemento de emissão de luz, em que a primeira camada de reflexão tem uma configuração na qual o primeiro material de reflexão é disperso na primeira resina, em que a segunda camada de reflexão inclui uma camada de contenção que contém o segundo material de reflexão e uma camada de transmissão de luz que estão dispostas na superfície inferior que define a reentrância nessa ordem de modo que a camada de contenção não fique voltada para pelo menos uma porção das superfícies laterais do elemento de emissão de luz.

11. Dispositivo emissor de luz de acordo com a reivindicação 10, caracterizado pelo fato de que: em uma direção X na qual as superfícies laterais que definem a reentrância formada em formato retangular ou uma face de formato quadrado em uma direção, sendo que a primeira camada de reflexão tem uma porção curvada que tem um formato côncavo em direção ao elemento de emissão de luz em uma vista superior, e um interstício definido de modo que pelo menos uma porção da superfície lateral que define a reentrância em uma direção Y ortogonal à direção X esteja voltada para o elemento de emissão de luz.

12. Dispositivo emissor de luz de acordo com a reivindicação 11, caracterizado pelo fato de que: o elemento de emissão de luz está disposto em um centro da superfície inferior que define a reentrância na vista superior, uma distância entre o elemento de emissão de luz e a superfície lateral que define a reentrância voltada para a direção X é diferente de uma distância entre o elemento de emissão de luz e a superfície lateral que define a reentrância voltada para a direção Y.

13. Dispositivo emissor de luz de acordo com a reivindicação 10, caracterizado pelo fato de que: o elemento de emissão de luz está disposto em uma posição deslocada de um centro da superfície inferior que define a reentrância para um lado na reentrância na vista superior, a primeira camada de reflexão define a porção curvada que é curvada a partir de uma dentre as superfícies laterais que definem a reentrância que se estende em uma direção rumo à outra dentre as superfícies laterais que definem a reentrância voltada para a uma superfície lateral em uma vista superior, e a porção curvada é formada de modo que uma porção mais profunda da porção curvada esteja voltada para o elemento de emissão de luz.