TWI819015B - 發光裝置之製造方法及發光裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種發光效率較高之發光裝置之製造方法及發光裝置。
發光裝置(100)之製造方法具有：於封裝體(10)之凹部(15)之底面載置發光元件(20)之步驟；以含有第1反射材料之第1樹脂覆蓋凹部(15)之側面而形成第1反射層(30)之步驟；以含有第2反射材料之第2樹脂覆蓋凹部(15)之底面而形成第2反射層(40)之步驟；於第2反射層(40)及發光元件(20)上配置包含含有螢光體之第3樹脂之光透過層(50)之步驟；且形成第2反射層(40)之步驟係以藉由離心力使第2樹脂中含有之第2反射材料沈澱而將含有第2反射材料之含有層(40a)及透光層(40b)依此順序形成於凹部(15)之底面，並且含有層(40a)不與發光元件(20)之側面之至少一部分相對向之方式形成第2反射層(40)。
Description
本發明係關於一種發光裝置之製造方法及發光裝置。
先前，已知有一種於具有凹部之封裝體之底面載置有發光元件之發光裝置。例如，於專利文獻1中公開有一種於帶有護罩之封裝體之護罩之底面載置發光元件，以含有反射材料之第1樹脂之層覆蓋護罩之底面及側面，並將反射材料之層配置於護罩之底面側及側面側之發光裝置及其製造方法。
[專利文獻1]日本專利特開2016-72412號公報
上述專利文獻之技術中，於將含反射材料之第1樹脂注入於護罩內之後，對第1樹脂施加離心力，藉此將反射材料之層配置於護罩之底面側及側面側。此時，反射材料之層之配置例如係藉由如下方式進行：以如使護罩之底面成為外側之旋轉軸施加離心力，同時，以如使護罩之側面成為外側之旋轉軸施加離心力。
然而，藉由上述技術，需要對反射材料之沈澱進行高精度之調整，亦需假定反射材料之層未自護罩之底面連續配置至側面之上端之情形。因此，雖然上述專利文獻之發光裝置之發光效率較高，但仍有進一步之改善餘地。
本發明之實施形態係以提供一種發光效率較高之發光裝置之製造方法及發光裝置為課題。
本發明之實施形態之發光裝置之製造方法具有：於具有凹部之封裝體之上述凹部之底面載置發光元件之步驟；以含有第1反射材料之第1樹脂覆蓋上述凹部之側面而形成第1反射層之步驟；抵接於上述第1反射層，且以含有第2反射材料之第2樹脂覆蓋上述凹部之底面而形成第2反射層之步驟；及於上述第2反射層及上述發光元件上配置包含含有螢光體之第3樹脂之光透過層之步驟；且形成上述第2反射層之步驟係以藉由離心力使上述第2樹脂中含有之上述第2反射材料沈澱而將含有上述第2反射材料之含有層及透光層依此順序形成於上述凹部之底面，並且上述含有層不與上述發光元件之側面之至少一部分相對向之方式形成上述第2反射層。
本發明之實施形態之發光裝置之製造方法具有：於具有凹部之封裝體之上述凹部之底面載置發光元件之步驟；以含有第1反射材料之第1樹脂覆蓋上述凹部之側面而形成第1反射層之步驟；抵接於上述第1反射層，且以含有第2反射材料之第2樹脂覆蓋上述凹部之底面而形成第2反射層之步驟；及於上述第2反射層及上述發光元件上配置包含含有螢光體之第3樹脂之光透過層之步驟；且形成上述第2反射層之步驟藉由灌注將上述第2樹脂配置於上述凹部之底面中之上述凹部之側面與上述發光元件之間，並以如使上述凹部之底面成為外側之旋轉軸對上述封裝體施加離心力，藉此以覆蓋自上述第1反射層露出之上述凹部之底面整面之方式使上述第2樹脂之形狀變化，並且於施加有離心力之狀態下使上述第2樹脂硬化。
本發明之實施形態之發光裝置具備：封裝體，其具有凹部；發光元件，其載置於上述凹部之底面；第1反射層，其係藉由含有第1反射材料之第1樹脂覆蓋上述凹部之側面而形成；第2反射層，其係抵接於上述第1反射層，且藉由含有第2反射材料之第2樹脂覆蓋上述凹部之底面而形成；及光透過層，其配置於上述第2反射層及上述發光元件上，且包含含有螢光體之第3樹脂；且上述第1反射層之上述第1反射材料分散於上述第1樹脂中，上述第2反射層之含有上述第2反射材料之含有層及透光層依此順序設置於上述凹部之底面，且上述發光元件之側面之至少一部分不與上述含有層相對向。
本發明之實施形態之發光裝置之製造方法能夠製造發光效率較高之發光裝置。
本發明之實施形態之發光裝置之發光效率較高。
2:絕緣性基板
2a:基板部
2b:第1壁面部
2c:第2壁面部
2d:支持構件
3:第1配線部
3a:第1導線
3b:第2導線
3c:第1導線
3d:第2導線
4:通孔
5:第2配線部
6:第3配線部
7:鍍覆層
10:封裝體
10A:封裝體
10B:封裝體
10C:封裝體
15:凹部
16:塗佈位置
20:發光元件
21:基板
22:半導體層
23:導線
24:導線
30:第1反射層
31:第1反射材料
32:彎曲部
32a:彎曲部之端部
33:間隙部
40:第2反射層
40a:含有層
40b:透光層
41:第2反射材料
50:光透過層
51:螢光體
60:凸塊
70:接線柱
80:旋轉軸
90:保護元件
100:發光裝置
100A:發光裝置
100B:發光裝置
100C:發光裝置
100D:發光裝置
100E:發光裝置
100F:發光裝置
A:封裝體之旋轉方向
B:與凹部之底面平行之方向
C:第2反射材料沈澱之方向
IB:線
IXB:線
L1:光
L2:光
L3:光
S101:步驟
S102:步驟
S103:步驟
S104:步驟
S105:步驟
VIIB:線
VIIIB:線
VIIIC:線
X:方向
Y:方向
Z:方向
圖1A係模式性地表示實施形態之發光裝置之構成之立體圖。
圖1B係圖1A之IB-IB線之剖視圖。
圖1C係模式性地表示實施形態之發光裝置之構成之一部分之剖視圖。
圖2係實施形態之發光裝置之製造方法之流程圖。
圖3A係表示實施形態之發光裝置之製造方法中載置發光元件之步驟之剖視圖。
圖3B係表示實施形態之發光裝置之製造方法中形成第1反射層之步驟之剖視圖。
圖3C係表示實施形態之發光裝置之製造方法中形成第1反射層之步驟之俯視圖。
圖3D係表示實施形態之發光裝置之製造方法中形成第2反射層之步驟之模式圖，且係表示以第2樹脂覆蓋封裝體之凹部之底面，並藉由離心力使第2反射材料沈澱之步驟之模式圖。
圖3E係表示實施形態之發光裝置之製造方法中形成第2反射層之步驟之剖視圖，且係表示藉由離心力使第2反射材料沈澱後之狀態之剖視圖。
圖3F係表示實施形態之發光裝置之製造方法中配置光透過層之步驟之剖視圖。
圖4係模式性地表示另一實施形態之發光裝置之構成之剖視圖。
圖5係模式性地表示另一實施形態之發光裝置之構成之剖視圖。
圖6係模式性地表示另一實施形態之發光裝置之構成之剖視圖。
圖7A係模式性地表示另一實施形態之發光裝置之構成之立體圖。
圖7B係圖7A之VIIB-VIIB線之剖視圖。
圖8A係模式性地表示另一實施形態之發光裝置之構成之俯視圖。
圖8B係圖8A之VIIIB-VIIIB線之剖視圖。
圖8C係圖8A之VIIIC-VIIIC線之剖視圖。
圖9A係模式性地表示另一實施形態之發光裝置之構成之俯視圖。
圖9B係圖9A之IXB-IXB線之剖視圖。
以下，一面參考圖式一面對實施形態進行說明。其中，以下所示之形態係例示用以實現本實施形態之技術思想之發光裝置之製造方法及發光裝置者，並不限定於以下內容。又，於實施形態中所記載之構成零件之尺寸、材質、形狀、其相對配置等，只要無特定記載，則僅為單純之例示，而非旨在將本發明之範圍僅限定於此。再者，各圖式所示之構件之大小及位置關係等有時為了明確說明而會進行誇大。
圖1A係模式性地表示實施形態之發光裝置之構成之立體圖。圖1B係圖1A之IB-IB線之剖視圖。圖1C係模式性地表示實施形態之發光裝置之構成之一部分之剖視圖。
[發光裝置]
發光裝置100具備：封裝體10，其具有凹部15；發光元件20，其載置於凹部15之底面；第1反射層30，其係覆蓋凹部15之側面而形成；第2反射層40，其係抵接於第1反射層30並覆蓋凹部15之底面而形成；及光透過層50，其配置於第2反射層40及發光元件20上，且含有螢光體51。
封裝體10具備：絕緣性基板2；第1配線部3，其設置於絕緣性基板2中之基板部2a之上表面；第2配線部5，其設置於基板部2a之下表面；第3配線部6，其設置於基板部2a之側面；及通孔4，其將第1配線部3與第2配線部5電性連接。封裝體10形成為於俯視時為大致矩形，且具有凹部15。凹部15之開口形成為於俯視時為大致矩形。
絕緣性基板2具備：基板部2a，其載置發光元件20；第1壁面部2b，其形成於該基板部2a之上表面側之周緣；及第2壁面部2c，其積層於該第1壁面部2b。絕緣性基板2形成為於成為第1壁面部2b及第2壁面部2c之內側之中央具有開口之凹形狀。
基板部2a、第1壁面部2b、第2壁面部2c以於內側形成有階差之方式設置。第1壁面部2b及第2壁面部2c以將外周側面設為同一側面，且第1壁面部2b較第2壁面部2c而內周側面更位於內側之方式形成。由於第1壁面部2b較第2壁面部2c更位於內側，故而後述之第1反射層30變得易於傾斜。再者，凹部15之側面亦可為自底面朝向開口寬度變大之傾斜面而非階差。
作為絕緣性基板2，例如可使用PPA(聚鄰苯二甲醯胺)、PPS(聚苯硫醚)、或液晶聚合物等熱塑性樹脂、環氧樹脂、聚矽氧樹脂、改性環氧樹脂、胺基甲酸酯樹脂、或酚樹脂等熱固性樹脂。又，更佳為絕緣性基板2使用玻璃環氧樹脂、陶瓷、玻璃等。再者，於在絕緣性基板2使用陶瓷之情形時，尤佳為使用氧化鋁、氮化鋁、莫來石、碳化矽、氮化矽等。
第1配線部3設置於基板部2a之上表面，且與發光元件20電性連接。該第1配線部3具備第1導線3a及第2導線3b作為正負一對之電極，於第1導線3a及第2導線3b上覆晶安裝有發光元件20。
第2配線部5設置於基板部2a之下表面，並作為發光裝置100之外部電極與外部電源電性連接。
通孔4於貫通基板部2a之貫通孔內，於基板部2a之側面分別設置有第3配線部6，將第1配線部3與第2配線部5電性連接。若第1配線部3與第2配線部5電性連接，則可省略通孔4與第3配線部6之任一者。
作為第1配線部3、第2配線部5及第3配線部6，例如可使用Fe、Cu、Ni、Al、Ag、Au、或含有其等之一種之合金。
又，第1配線部3、第2配線部5及第3配線部6亦可於表面形成有鍍覆層7。鍍覆層7例如可使用Au、Ag、Cu、Pt、或包含其等之一種之合金。若鍍覆層7係該等材料，則可進一步提高來自發光元件20之光之反射率。
發光元件20包含透光性之基板21及形成於基板21上之半導體層22。
基板21除可使用絕緣性者以外，亦可使用導電性者。發光元件20之形狀及大小等可選擇任意者。作為發光元件20之發光色，可根據用途選擇任意之波長者。例如，作為藍色(波長430~490nm之光)之發光元件20，可使用GaN系及InGaN系。作為InGaN系，可使用InXAlYGa1-X-YN(0≦X≦1、0≦Y≦1、X+Y≦1)等。
發光元件20之厚度(例如自半導體層22之下表面至基板21之上表面為止之高度)例如為100μm以上且300μm以下。
第1反射層30及第2反射層40係使自發光元件20出射之光反射之構件。
為避免自發光元件20出射之光於凹部15之底面及側面透過、被吸收，較佳為凹部15內之表面被第1反射層30及第2反射層40覆蓋，更佳為凹部15內之表面整面被第1反射層30及第2反射層40覆蓋。又，為避免妨礙自發光元件20出射之光之提取，且為避免發光元件20之上表面及側面被第1反射層30及第2反射層40覆蓋，較佳為發光元件20之表面自第2反射層40露出。
第1反射層30係藉由含有第1反射材料31之第1樹脂覆蓋封裝體10之凹部15之側面而形成。第1反射層30離開發光元件20之側面，覆蓋凹部15之底面之外緣。又，第1反射層30自凹部15之底面之外緣連續覆蓋至凹部15之側面。雖然更佳為第1反射層30覆蓋凹部15之側面之大致整面，但較佳為至少以於發光裝置100之剖面視時第1反射材料31之上端變得較發光元件20之上表面高之方式覆蓋凹部15之側面。
第1反射層30之第1反射材料31分散於第1樹脂中。此處，所謂第1反射材料31分散於第1樹脂中，係只要反射材料分散至具有作為反射層之功能之程度即可之意，例如，只要係藉由先前公知之方法塗佈含有反射材料之樹脂之情形時之分散狀態即可。再者，只要第1反射層30具有作為反射層之功能，即便第1反射材料31部分偏倚配置亦可。
第1反射材料31相對於第1反射層30之含有濃度例如為10質量%以上且50質量%以下。
由於第1反射層30覆蓋凹部15之側面，因此可防止因凹部15之側面導致之光之透過及吸收。
第2反射層40係抵接於第1反射層30，藉由含有第2反射材料41之第2樹脂覆蓋封裝體10之凹部15之底面而形成。第2反射層40於凹部15之底面覆蓋絕緣性基板2中之基板部2a之上表面及第1配線部3，並且覆蓋第1反射層30之一部分。第2反射層40以大致均勻之厚度覆蓋凹部15之底面。
由於第2反射層40覆蓋凹部15之底面，因此可防止因鍍覆層7及基板部2a導致之光之透過及吸收。
第2反射層40以發光元件20之側面之至少一部分自第2反射層40露出之方式設置。此處，僅發光元件20之側面之位於半導體層22側(即凹部15之底面側)之一部分被第2反射層40覆蓋，而側面之其他部位則自第2反射層40露出，並被光透過層50覆蓋。
再者，所謂發光元件20之側面，此處，係將基板21之側面與半導體
層22之側面對齊之部分。
於剖面視時，第2反射層40之第2反射材料41偏倚於底面側而配置。
第2反射層40較佳為自凹部15之底面側依次具備含有第2反射材料41之含有層40a及透光層40b。含有層40a係第2反射材料41沈澱而成之層，係於第2反射層40之深度方向，高濃度配置第2反射材料41之區域。透光層40b係藉由第2反射材料41沈澱而形成於上方之以樹脂為主體之層。即，於含有層40a與透光層40b之間未形成有明確之界面。
又，雖然第2反射層40係以發光元件20之側面之至少一部分不與含有層40a相對向之方式設置，但是較佳為以發光元件20之側面之大致整面不與含有層40a相對向之方式設置。即，較佳為發光元件20之側面之大致整面不被含有層40a覆蓋。此處，僅發光元件20之側面之安裝面側之一部分之區域被含有層40a覆蓋，而側面之其他區域則自含有層40a露出，並被透光層40b及光透過層50覆蓋。此處，對於發光元件20之側面，以含有層40a不覆蓋半導體層22之側面整體之方式配置第2反射層40。
藉由以發光元件20之半導體層22之側面之至少一部分不與含有層40a相對向之方式設置，來自發光元件20之側面之光提取效率得到提高。又，可改善發光元件20之側方之區域中之配光色度。
第2反射層40只要以發光元件20之側面之至少一部分不與含有層40a相對向之方式設置即可。然而，為了進一步提高上述效果，較佳為與含有層40a相對向之發光元件20之側面之面積較小，更佳為以發光元件20之側面之整面不與含有層40a相對向之方式設置(參考圖4、5)。
再者，所謂第2反射層40以發光元件20之側面之至少一部分不與含有層40a相對向之方式設置，係於發光元件20之整個側面，以各側面之各者之至少一部分不與含有層40a相對向之方式設置第2反射層40之意。
第2反射層40之厚度，例如較佳為10μm以上且200μm以下。若第2反射層40之厚度為10μm以上，則變得易於形成第2反射層40。又，若第2反射層40之厚度為200μm以下，則可進一步提高藉由以上述之發光元件20之側面之至少一部分不對向之方式設置含有層40a所產生之效果。
又，藉由將第2反射層40之厚度設為例如10μm以上且200μm以下之範圍，於使第2反射材料41離心沈澱之步驟中，可抑制因表面張力所導致之第2反射層40向發光元件20之側面之攀附，並且可配置第2反射層40。又，若第2反射層40之厚度為發光元件20、發光元件20與絕緣性基板2之接合構件(例如凸塊)之厚度以下，則可進一步提高藉由以不與上述之發光元件20之側面相對向之方式設置含有層40a所產生之效果。
第2反射層40中之含有層40a之厚度較佳為第2反射層40之厚度之10%以上且100%以下，更佳為25%以上且50%以下。
第2反射層40中之含有層40a之厚度比率變得越小，越能夠提高含有層40a中之第2反射材料41之濃度。第2反射材料41相對於含有層40a之含有濃度較佳為大於第1反射材料31相對於第1反射層30之含有濃度。為使發光元件20之側面露出，較佳為第2反射層40以更薄之層配置。因此，藉由提高含有層40a中之第2反射材料41之含有濃度，可同時實現藉由使發
光元件20之側面露出所帶來之光提取效率之提昇、及凹部15之底面中之光之透過及吸收之抑制。第2反射材料41相對於含有層40a之含有濃度例如可設為50質量%以上且70質量%。
又，於發光元件20之側面之一部分與含有層40a相對向之情形時，含有層40a之厚度較佳為發光元件20之側面之厚度之1/4以下，更佳為1/6以下，進而較佳為1/8以下。
作為第1樹脂及第2樹脂中所用之樹脂材料，例如可列舉環氧樹脂、改性環氧樹脂、聚矽氧樹脂、改性聚矽氧樹脂等熱固性樹脂等。
第1樹脂與第2樹脂可使用相同之樹脂材料，亦可使用不同之樹脂材料。
第2樹脂之黏度較佳為於室溫(20±5℃)下，為0.3Pa‧s以上且15Pa‧s以下。若第2樹脂之黏度為0.3Pa‧s以上，則易於藉由灌注將第2樹脂容易地配置於凹部15之底面。又，若第2樹脂之黏度為15Pa‧s以下，則容易發生因離心力導致之第2反射層40之形狀變化。進而變得易於藉由離心力使第2反射材料41沈澱。再者，用以獲得上述之效果之第2樹脂之更佳之黏度為0.5Pa‧s以上且6Pa‧s以下。
再者，此處之第2樹脂之黏度係含有第2反射材料41之狀態之黏度，係如後所述般，藉由離心力使第2樹脂中含有之第2反射材料41沈澱之前之黏度。
作為用於第1反射材料31及第2反射材料41之光反射材料，例如可列
舉氧化鈦、二氧化矽、氧化矽、氧化鋁、氧化鋯、氧化鎂、鈦酸鉀、氧化鋅、氮化硼等。其中，就光反射之觀點而言，較佳為使用折射率比較高之氧化鈦。
第1反射材料31與第2反射材料41可為相同之種類，亦可為不同之種類。
作為第2反射材料41，較佳為使用比重較第2樹脂中所用之樹脂材料大者。根據第2反射材料41與樹脂材料之比重差，易於藉由離心力使第2反射材料41沈澱於底面側。進而，藉由於第2反射材料41中使用粒徑較大者，可更快地使第2反射材料41沈澱於底面側。
又，藉由使用離心力，第2反射材料41被高密度地配置，因此粒子間之間隔變小，抑制了漏光及光透過，從而可提高第2反射層40之光反射率。
第2反射材料41之粒徑較佳為0.1μm以上且1.0μm以下。若第2反射材料41之粒徑為0.1μm以上，則易於藉由離心力使第2反射材料41沈澱。又，若第2反射材料41之粒徑為1.0μm以下，則易於使可見光發生光反射。就上述觀點而言，第2反射材料41之粒徑更佳為0.4μm以上且0.6μm以下。
光透過層50係由含有螢光體51之第3樹脂形成。光透過層50抵接於第1反射層30，且配置形成於第2反射層40及上述發光元件20上。
作為第3樹脂中所用之樹脂材料，例如可列舉環氧樹脂、改性環氧樹脂、聚矽氧樹脂、改性聚矽氧樹脂等熱固性樹脂等。第3樹脂中所用之樹
脂材料可為與第1樹脂及第2樹脂相同之樹脂材料，亦可為不同之樹脂材料。又，亦可於第1樹脂及第2樹脂中使用耐熱性較高之樹脂，於第3樹脂中使用硬質之樹脂。
聚矽氧樹脂相較於環氧樹脂，通常於450nm以上且500nm以下附近之耐光性較高，又，環氧樹脂較聚矽氧樹脂更為硬質。因此，亦可於第1樹脂及第2樹脂中使用聚矽氧樹脂，於第3樹脂中使用環氧樹脂。
螢光體51配置於發光元件20之上表面、第1反射層30之內側面、及第2反射層40之上表面。藉由將螢光體51配置於發光元件20之上表面，可高效率地對來自發光元件20之光進行波長變換，並放射出至外部。又，藉由將螢光體51配置於第1反射層30之內側面，可高效率地對經第1反射層30反射之光進行波長變換，並放射出至外部。又，藉由將螢光體51配置於第2反射層40之上表面，可高效率地對經第2反射層40反射之光進行波長變換，並放射出至外部。
作為螢光體51，較佳為使用比重較第3樹脂中所用之樹脂材料大者。藉此，可於第3樹脂中使螢光體51自然沈澱於凹部15之底面側。又，螢光體51亦可於第3樹脂中藉由離心力而強制沈澱。
螢光體51之粒徑，例如可列舉3μm以上且50μm以下。
螢光體51亦可分散於第3樹脂中。藉由將螢光體51分散於第3樹脂中，可降低自發光裝置100放射出之光之配向之差異。
作為螢光體51，可使用於該領域公知者。例如，可使用
YAG(Y3Al5O12：Ce(釔-鋁-石榴石))及矽酸鹽等黃色螢光體、CASN(CaAlSiN3：Eu(鈣鋁矽氮))及KSF(K2SiF6：Mn(氟矽酸鉀))等紅色螢光體、或、氯矽酸鹽及BaSiO4：Eu2+等綠色螢光體。
[發光裝置之動作]
當驅動發光裝置100時，電流經由第1配線部3、通孔4、第2配線部5及第3配線部6自外部電源供給至發光元件20，發光元件20發光。於發光元件20所發出之光中，朝上方行進之光L1自發光裝置100之上方提取至外部。又，朝下方行進之光L2被含有層40a反射，向凹部15之開口方向放射而被提取至發光裝置100之外部。又，朝水平方向行進之光L3被第1反射層30反射，向凹部15之開口方向放射而被提取至發光裝置100之外部。藉此可極力抑制自發光元件20出射之光自凹部15之底面及側面漏出，可提高光提取效率。又，可降低顏色不均。
[發光裝置100之製造方法]
繼而，對實施形態之發光裝置之製造方法之一例進行說明。
圖2係實施形態之發光裝置之製造方法之流程圖。圖3A係表示實施形態之發光裝置之製造方法中載置發光元件之步驟之剖視圖。圖3B係表示實施形態之發光裝置之製造方法中形成第1反射層之步驟之剖視圖。圖3C係表示實施形態之發光裝置之製造方法中形成第1反射層之步驟之俯視圖。圖3D係表示實施形態之發光裝置之製造方法中形成第2反射層之步驟之模式圖，表示以第2樹脂覆蓋封裝體之凹部之底面，並藉由離心力使第2反射材料沈澱之步驟之模式圖。圖3E係表示實施形態之發光裝置之製造
方法中形成第2反射層之步驟之剖視圖，且係表示藉由離心力使第2反射材料沈澱後之狀態之剖視圖。圖3F係表示實施形態之發光裝置之製造方法中配置光透過層之步驟之剖視圖。
發光裝置100之製造方法具有：載置發光元件之步驟S101；形成第1反射層之步驟S102；準備第2樹脂之步驟S103；形成第2反射層之步驟S104；及配置光透過層之步驟S105。再者，關於各構件之材質及配置等，為如上述之發光裝置100之說明中所述，因此此處適當省略說明。
(載置發光元件之步驟)
載置發光元件之步驟S101係於具有凹部15之封裝體10之凹部15之底面載置發光元件20之步驟。
於此步驟S101中，將發光元件20載置於凹部15之底面。發光元件20將電極形成面作為安裝面，藉由導電性接著材料而覆晶安裝於凹部之底面之大致中央。作為導電性接著材料，例如使用共晶焊料、導電膏、凸塊等即可。又，發光元件20亦可面朝上安裝，於此情形時，亦可使用非導電性之接著材料。
(形成第1反射層之步驟)
形成第1反射層之步驟S102係以含有第1反射材料31之第1樹脂覆蓋凹部15之側面形成第1反射層30之步驟。
於此步驟S102中，例如，藉由灌注而配置覆蓋凹部15之側面之第1樹脂。第1樹脂向凹部15之配置可藉由將未硬化之樹脂材料自填充有第1樹
脂之樹脂噴出裝置之前端之噴嘴噴出至凹部15之底面之外緣附近(較佳為與側面之交界)而進行。未硬化之第1樹脂於凹部15之側面潤濕擴散，覆蓋凹部15之側面。此時，由於第1樹脂亦流動至凹部15之底面，故而第1樹脂覆蓋凹部15之底面之外緣之一部分。此處，較佳為以第1樹脂離開發光元件20之側面，且攀附至凹部15之側面之上方之方式提前調整第1樹脂之黏度及形成位置。於藉由灌注形成第1反射層30之情形時，第1樹脂之黏度例如可調整為室溫(20±5℃)下，為1Pa‧s~50Pa‧s。
又，於此步驟S102中，亦可以有機溶劑預先浸濕凹部15之內表面。由於藉由有機溶劑預先浸濕凹部15之內表面，故而可促進第1樹脂向凹部15之側面之攀附。又，於凹部15之側面使用潤濕性較高之材料，或對側面之表面進行粗面加工等，亦可促進向凹部15之側面之攀附。
再者，於硬化前之第1樹脂中混合有第1反射材料31，第1樹脂中含有之第1反射材料31之含有濃度較佳為設為10質量%以上且50質量%以下。
關於第1樹脂，由於藉由灌注將第1樹脂配置於凹部15之底面之外緣附近，因此第1樹脂於凹部15之側面潤濕擴散。再者，此時，第1反射層30係第1反射材料31分散於第1樹脂中之狀態。
其後，例如於120℃以上且200℃以下之溫度下使第1樹脂硬化，形成第1反射層30。第1樹脂之硬化較佳為於第1樹脂於凹部15之側面潤濕擴散之後，於封裝體靜置之狀態下進行。
於此步驟S102中，第1反射層30係以於俯視時內緣部分成為圓形之方式形成。
(準備第2樹脂之步驟)
準備第2樹脂之步驟S103係將2液硬化性之樹脂材料之主劑與第2反射材料41混合，並於經過固定時間以上後混合硬化劑之步驟。
藉由使用以此種方式製作之第2樹脂，可改善第2反射材料41與樹脂材料之親和性，可易於藉由離心力使第2反射材料41沈澱。硬化劑混合前之溫度為室溫程度。
作為2液硬化性之樹脂材料，例如可列舉聚矽氧樹脂、改性聚矽氧樹脂、環氧樹脂、改性環氧樹脂等。
關於將2液硬化性之樹脂材料之主劑與第2反射材料41混合後所經過之時間，就更易於使第2反射材料41沈澱之觀點而言，較佳為2小時以上。又，關於所經過之時間，就縮短製造時間之觀點而言，較佳為8小時以下。再者，於混合硬化劑之後，於第2樹脂硬化之前轉移至下一步驟。
(形成第2反射層之步驟)
形成第2反射層之步驟S104係抵接於第1反射層30，且以含有第2反射材料41之第2樹脂覆蓋凹部15之底面形成第2反射層40之步驟。
於此步驟S104中，例如，以與第1樹脂相同之方式，藉由灌注而於凹部15之底面配置未硬化之第2樹脂。此時，第2樹脂配置於凹部15之底面中之凹部15之側面與發光元件20之間。再者，較佳為以與第1反射層30相接之方式配置第2樹脂。藉此，可抑制第2樹脂向發光元件20側之流動，因此可抑制第2樹脂於離心旋轉前已攀附至發光元件20之側面。第2樹脂向發光元件20之側面之攀附可藉由以離心旋轉使第2樹脂之形狀變化而消除，但藉由第2樹脂之黏度及離心旋轉速度，存在第2樹脂殘留於發光元件
20之側面之虞。因此，較佳為離心旋轉前之第2樹脂未覆蓋發光元件20之側面。
繼而，使封裝體10於對凹部15之底面施加離心力之方向離心旋轉。藉此，第2樹脂移動至凹部15之底面側而覆蓋凹部15之底面。再者，此時，即便第2樹脂覆蓋發光元件20之側面之一部分，亦可藉由離心力抑制向發光元件20之側面之高度方向之潤濕擴散。進而，利用此離心力，使第2樹脂之第2反射材料41強制性地沈澱於凹部15之底面側，藉此形成透光層40b及含有第2反射材料41之含有層40a。
封裝體10之旋轉較佳為藉由如下方式進行：以如使凹部15之底面成為外側之旋轉軸80對封裝體10施加離心力。具體而言，以於封裝體10之上表面側具有旋轉軸80之方式，使封裝體10於以旋轉軸80為軸進行公轉之A方向移動。再者，圖3D中之B方向係與凹部15之底面平行之方向。旋轉軸80係位於通過凹部15之底面之大致中心之垂直線上之與凹部15之底面平行之軸，且，相對於封裝體10而位於凹部15之開口部側。藉此，離心力於凹部15之底面方向發揮作用，抑制了第2樹脂向封裝體10之高度方向之擴散，並且第2樹脂中含有之第2反射材料41被強制性地沈澱於凹部15之底面側(圖3D中之箭頭C方向)。藉由於此狀態下使第2樹脂硬化，含有第2反射材料41之含有層40a及透光層40b依此順序形成於凹部15之底面。
又，關於第2反射層40，對塗佈之量及第2樹脂中含有之第2反射材料
41之含量進行適當調整。並且，以含有層40a不與發光元件20之側面之至少一部分相對向之方式形成第2反射層40。
雖然使封裝體10離心旋轉時之旋轉速度及轉速亦係由第2反射材料41之含量及粒徑等而定，但例如只要以施加200 xg以上之離心力之方式調整轉速及旋轉半徑即可。
再者，於製造步驟中，於在單片化前之集合基板之狀態下使封裝體10離心旋轉時，若集合基板為平板狀，則集合基板之平面面積變得越大(更詳細而言，旋轉方向A上之基板長度變得越長)，遠離集合基板之中心之位置之封裝體10將產生自旋轉軸80之偏移。例如，於集合基板中，若自公轉之圓周上向B方向之偏移變大，則存在第2樹脂之表面相對於凹部15之底面傾斜，於集合基板中於第2樹脂之表面狀態產生差異之虞。為抑制此偏移，可藉由增大旋轉半徑而進行抑制。具體而言，藉由將旋轉半徑設為於旋轉方向上所配置之集合基板之長度之70倍以上，可抑制偏移。
再者，於使用具有如集合基板藉由離心力而沿旋轉半徑之圓周彎曲之可撓性之樹脂封裝體10之情形時，由於難以產生上述偏移，故而可以較非可撓性之封裝體10之集合基板大之集合基板進行離心旋轉。藉此，可將一次之處理數增多。
又，於此步驟S104中，較佳為一面使第2反射材料41沈澱一面使第2樹脂硬化。就光反射之觀點而言，較佳為第2反射材料41使用粒徑較小者，但由於粒徑變得越小越難以沈澱，故而於此步驟中藉由離心力使第2反射材料41強制性地沈澱於凹部15之底面側。因此，為了於已使第2反射
材料41沈澱之狀態下硬化，於本步驟中，較佳為維持旋轉，即一面旋轉一面進行第2樹脂之硬化步驟。
再者，雖亦可於停止旋轉後進行硬化，但若旋轉停止，則樹脂將因潤濕性而變得易於在發光元件20之側面擴散。因此，藉由一面使封裝體10旋轉一面使第2樹脂硬化，可防止第2樹脂攀附於發光元件20之側面。由於發光元件20之側面自第2樹脂露出，故而可進一步提高光提取效率，並且可將發光裝置100之配光色度變得更好。
此時，使第2樹脂硬化之溫度可列舉40℃以上且200℃以下。藉由提高硬化之溫度，可縮短使第2樹脂硬化之時間，從而較有效率。又，如果考慮到離心沈澱之裝置之金屬因熱膨脹導致旋轉軸80晃動，則較佳為硬化之溫度儘可能低。即，就效率性之觀點而言，使第2樹脂硬化之溫度較佳為50℃以上。又，考慮到旋轉軸80晃動，使第2樹脂硬化之溫度較佳為60℃以下。於在80℃以上使其硬化時，較佳為以至少離心旋轉裝置之金屬部分不為80℃以上之方式調整裝置。
再者，作為構成第2樹脂之樹脂材料，較佳為選擇藉由將旋轉之封裝體10保持於40℃以上之溫度至少可獲得暫時硬化狀態之樹脂材料。
作為一面使第2反射材料41沈澱一面使第2樹脂硬化之方法，例如可列舉吹熱風，或使用面板加熱器等。
(配置光透過層之步驟)
配置光透過層之步驟S105係於第2反射層40及發光元件20上配置包含含有螢光體51之第3樹脂形成之光透過層50之步驟。
於此步驟S105中，藉由灌注及噴霧等，將第3樹脂配置於凹部15內。又，螢光體51於第3樹脂中自然沈澱而配置於發光元件20之上表面、第1反射層30之內側面、及第2反射層40之上表面。其後，例如，於120℃以上且200℃以下之溫度下，使第3樹脂硬化，形成光透過層50。
以上，藉由用以實施發明之形態對本實施形態之發光裝置之製造方法及發光裝置具體地進行說明，但本發明之宗旨並不限定於該等記載，必須基於申請專利範圍之記載而廣義解釋。又，基於該等之記載而進行之各種變更、改變等亦包含於本發明之宗旨。
圖4係模式性地表示另一實施形態之發光裝置之構成之剖視圖。圖5係模式性地表示另一實施形態之發光裝置之構成之剖視圖。圖6係模式性地表示另一實施形態之發光裝置之構成之剖視圖。圖7A係模式性地表示另一實施形態之發光裝置之構成之立體圖。圖7B係圖7A之VIIB-VIIB線之剖視圖。圖8A係模式性地表示另一實施形態之發光裝置之構成之俯視圖。圖8B係圖8A之VIIIB-VIIIB線之剖視圖。圖8C係圖8A之VIIIC-VIIIC線之剖視圖。圖9A係模式性地表示另一實施形態之發光裝置之構成之俯視圖。圖9B係圖9A之IXB-IXB線之剖視圖。
圖4中所示之發光裝置100A將凸塊60設置於發光元件20與凹部15之底面之間。並且，發光裝置100A經由凸塊60將發光元件20載置於凹部15之底面。藉此，將發光元件20向發光元件20之高度方向升高。並且，以
發光元件20之側面不與含有第2反射材料41之含有層40a相對向之方式設置有第2反射層40。又，以發光元件20之半導體層22不與含有層40a相對向之方式設置有第2反射層40。
藉由設為此種構成，可降低因在發光元件20之側面之反射而導致之一次光之損耗。又，藉由增加自發光元件20之側面提取之一次光，螢光體51之多重激發得到抑制，可進一步改善發光裝置100A之配光色度。
作為凸塊60，例如可使用Au凸塊。
圖5中所示之發光裝置100B於發光元件20與凹部15之底面之間設置有接線柱70。並且，發光裝置100B經由接線柱70將發光元件20載置於凹部15之底面。藉此，將發光元件20向發光元件20之高度方向升高。並且，以發光元件20之側面不與含有第2反射材料41之含有層40a相對向之方式設置有第2反射層40。又，以發光元件20之半導體層22不與含有層40a相對向之方式設置有第2反射層40。
藉由設為此種構成，可降低因於發光元件20側面之反射而導致之一次光之損耗。又，因自發光元件20之側面提取出之一次光增加，故螢光體51之多重激發得到抑制，可進一步改善發光裝置100B之配光色度。
作為接線柱70，例如可使用Cu接線柱。
圖6中所示之發光裝置100C之第2反射層40之表面成為於開口部側凹入之表面。藉由控制封裝體10之旋轉速度，可設為此種表面狀態。再者，第2反射層40實質上亦可為未形成有透光層40b之狀態。於此情形時，由於一面施加旋轉即於施加有離心力之狀態下一面使第2樹脂硬化，故而亦
可一面抑制第2反射層40向發光元件20之側面之攀附，一面以覆蓋自第1反射層30露出之凹部15之底面整面之方式使第2樹脂之形狀變化。
藉由設為此種構成，可降低因於發光元件20側面之反射而導致之一次光之損耗。又，因自發光元件20之側面提取出之一次光增加，故螢光體51之多重激發得到抑制，可進一步改善發光裝置100C之配光色度。
圖7A、7B中所示之發光裝置100D係將發光元件20面朝上安裝於封裝體10A之凹部15之底面而成者。發光元件20載置於第2導線3b上。並且，此處，發光元件20之N側電極經由導線23接合於第1導線3a，P側電極經由導線24接合於第2導線3b。
藉由將發光元件20面朝上安裝，可將發光元件20之半導體層22配置於光提取面側，並且可將半導體層22以不與含有層40a相對向之方式設置。
藉由設為此種構成，可降低因於發光元件20側面之反射而導致之一次光之損耗。又，因自發光元件20之側面提取出之一次光增加，故螢光體51之多重激發得到抑制，可進一步改善發光裝置100D之配光色度。
於圖8A、8B、8C中所示之發光裝置100E中，封裝體10B於俯視時形成為矩形，具有於俯視時成為長方形之矩形之凹部15。即，封裝體10B之凹部15之側面於一方向上相對向之X方向上之距離，與和X方向正交之Y方向上之距離不同。換言之，封裝體10B具有於X方向上相互對向之側面、及於與X方向正交之Y方向上相互對向之側面，且於X方向上相互對向之側面間之距離與於Y方向上相互對向之側面間之距離不同。再者，此
處之矩形係包括如封裝體10B般，角部之一部分切除之形狀，或如凹部15般，角部彎曲之形狀等大致矩形之形狀者。又，封裝體10B之結構及構件等係以封裝體10A為基準，從而省略詳細之圖示及說明。又，於圖8A中，第1反射層30之彎曲部32用虛線進行表示，第2反射層40之彎曲部用實線進行表示。
於俯視時，發光元件20載置於凹部15之底面之中央。藉此，於發光裝置100E中，於俯視時，X方向上之自發光元件20至凹部15之側面為止之距離與Y方向上之自發光元件20至凹部15之側面為止之距離不同。即，於發光裝置100E中，封裝體10B之長邊方向上之發光元件20之側面與凹部15之側面之距離，較封裝體10B之短邊方向上之發光元件20之側面與凹部15之側面之距離長。再者，此處，雖然係將凹部15之形狀設為長方形，藉此改變長邊方向及短邊方向上之發光元件20之側面與凹部15之側面之距離，但於俯視時，將凹部15之形狀設為正方形，將發光元件20之形狀設為長方形亦可。如此，只要封裝體10B及發光元件20以X方向及Y方向上之自發光元件20至凹部15之側面為止之距離不同之方式形成即可。
第1反射層30具有：於俯視時，於X方向上，朝向發光元件20彎曲為凹狀而形成之彎曲部32、及以Y方向上之凹部15之側面之至少一部分與發光元件20相對向之方式具有間隙而形成之間隙部33。
第1反射層30之彎曲部32於俯視時，形成於X方向之一側(圖式上為左側)及另一側(圖式上為右側)，且設置於封裝體10B之長邊方向之兩側。藉此，第1反射層30以覆蓋凹部15之短邊側之側面之方式設置。彎曲部32以
其凹彎曲部分與發光元件20之側面之大致中央相對向之方式形成。又，彎曲部32以彎曲之部位之最深部成為與發光元件20之側面之大致中央相對向之位置之方式形成。
又，第1反射層30之間隙部33以於與發光元件20相對向之部位形成無第1反射層30之間隙之方式設置於Y方向之一側(圖式上為上側)及另一側(圖式上為下側)。即，於俯視時，彎曲部32之端部32a位於與Y方向平行之發光元件20之側面之延長線上之位置、或較延長線上之位置更靠外側。藉此，於Y方向之凹部15之側面中，與發光元件20相對向之部位不與第1反射層30相對向而介隔光透過層50與凹部15之側面相對向。
藉由設為此種構成，於凹部15之側面中，於相距發光元件20側面之距離較短之Y方向上，由於在與發光元件20相對向之部位未配置有第1反射層30，故而第2反射層40不會重疊於第1反射層30而配置。因此，Y方向上之第2反射層40之表面之平坦性變得良好。藉此，例如，於螢光體51沈澱配置於第3樹脂中時，螢光體51之沈澱層之平坦性良好，因而較佳。於發光元件20與第1反射層30之距離較近之情形時，若第2反射層40重疊於第1反射層30而配置，則於發光元件20之側面附近，螢光體51較發光元件20配置於更上方。藉此，於此區域中，存在藉由螢光體51進行波長變換之二次光之比率增多而產生發光色不均之虞。
即，藉由確保於俯視時，發光元件20之外緣與第1反射層30(於未配置第1反射層30之側面中相對向之凹部15之側面)之距離為固定以上，可於發光元件20之外周附近之區域形成平坦之第2反射層40，可將第2反射層
40上之光透過層50配置於較低之位置。藉此，提高了自發光裝置100E出射之光之配光色度。就此種觀點而言，俯視時之發光元件20與第1反射層30之距離較佳為設為100μm以上，更佳為設為300μm以上。又根據藉由離心力而形成第2反射層40之容易度，較佳為發光元件20與第1反射層30之距離設為1500μm以下。
又，此種第1反射層30之形態可藉由調整含有第1反射材料之第1樹脂之塗佈量，或調整塗佈位置，或調整第1樹脂中之第1反射材料之含量而進行控制。於調整第1樹脂中之第1反射材料之含量之情形時，例如可列舉相對於第1樹脂100質量部，而含有艾羅技(註冊商標)2.0質量部以上且6.5質量部以下作為第1反射材料。
又，此處，第1反射層30係於Y方向上之凹部15之側面形成有間隙部33，而於與發光元件20相對向之部位則未加以設置者。然而，第1反射層30亦可為於Y方向上之凹部15之側面，僅於與發光元件20相對向之一部分之部位未加以設置者。又，第1反射層30亦可為於Y方向上之凹部15之側面，除與發光元件20相對向之部位以外，於與發光元件20未對向之部位之一部分亦未加以設置者。即，藉由沿Y方向之凹部15之側面改變彎曲部32之端部32A之位置，可對間隙部33進行設定。
再者，發光裝置100E具備保護元件90。保護元件90例如係齊納二極體。
於圖9A、9B中所示之發光裝置100F中，封裝體10C於俯視時形成為
矩形，具有於俯視時成為長方形之矩形之凹部15。封裝體10C具備支持構件2d、及一對作為電極之第1導線3c及第2導線3d。支持構件2d係以特定之配置支持第1導線3c及第2導線3d之構件。作為支持構件2d之材料，例如可使用與發光裝置100之絕緣性基板2之材料相同者。作為第1導線3c及第2導線3d，例如可使用與發光裝置100之第1配線部3相同者。再者，於圖9A中，第2反射層40係設為透過，第1反射層30之彎曲部32用實線進行表示。
於俯視時，發光元件20載置於自凹部15之底面之中央向凹部15之一側偏移之位置。此處，於俯視時，發光元件20載置於自凹部15之底面之中央向凹部15之X方向之一側(圖式上為左側)偏移並且向與X方向正交之Y方向之另一側(圖式上為下側)偏移之位置。具體而言，發光元件20載置於第1導線3c上，並且載置於圖式上相對於凹部15之中央靠左斜下側。
於俯視時，第1反射層30具有於相對向之凹部15之一方向之側面，自一側面朝向另一側面彎曲之彎曲部32。具體而言，於俯視時，第1反射層30之彎曲部32係自X方向之一側中之凹部15之側面朝向X方向之另一側(圖式上為右側)中之凹部15之側面彎曲。即，於俯視時，彎曲部32係以自Y方向之一方朝向另一方，向X方向之一側彎曲為凹狀之方式設置。藉此，第1反射層30以覆蓋X方向之另一側中之凹部15之短邊側之側面之方式設置。又，彎曲部32之一端部32a形成至於Y方向之一方與發光元件20相對向之位置。進而，彎曲部32之另一端部32a未設置於在Y方向之另一方與發光元件20相對向之位置。因此，第1反射層30成為與發光元件20之一方
之相鄰之2個側面之大部分相對向地設置，而於與另一方之相鄰之2個側面相對向之位置則未加以設置之狀態。彎曲部32位於彎曲之部位之最深部與發光元件20相對向之位置。
彎曲部32之端部32a延伸至於Y方向上相互對向之凹部15之側面。具體而言，位於在Y方向上相對向之凹部15之側面之一(圖式上為上側)側面側之端部32a以較位於另一(圖式上為下側)側面側之端部32a，更位於X方向上一側(圖式上為左側)之方式設置。藉由如此設置，可以彎曲之部位之最深部成為與發光元件20相對向之位置之方式形成彎曲部32。
藉由設為此種構成，自X方向之另一側之發光元件20之側面至X方向之另一側之第1反射層30之距離變長，提高了發光裝置100F之配光色度。
又，此種第1反射層30之形態可藉由調整含有第1反射材料之第1樹脂之塗佈量，或調整塗佈位置，或調整第1樹脂中之第1反射材料之含量而進行控制。於調整塗佈位置之情形時，例如可列舉自塗佈位置16開始塗佈。
再者，於圖8及圖9之發光裝置100E、100F中，關於彎曲部32之彎曲狀態，曲率半徑可變大，亦可變小。又，彎曲部32亦可為圓弧之一部分。又，彎曲部32之最深部之位置亦可於X方向及Y方向上適當偏移。
又，發光裝置之製造方法於不對上述各步驟產生不良影響之範圍內，亦可於上述各步驟之間、或前後包括其他步驟。例如，亦可包括將於製造中途混入之異物去除之異物去除步驟等。
又，於發光裝置之製造方法中，部分步驟之順序並不受限定，順序亦可前後移動。例如，亦可於實施形成第1反射層之步驟之後，實施載置發光元件之步驟。
又，例如，雖然上述之發光裝置之製造方法設置為於形成第1反射層之步驟之後，設置準備第2樹脂之步驟，但準備第2樹脂之步驟亦可於載置發光元件之步驟與形成第1反射層之步驟之間進行，亦可於載置發光元件之步驟之前進行。又，亦可不設置準備第2樹脂之步驟。
2:絕緣性基板
2a:基板部
2b:第1壁面部
2c:第2壁面部
3:第1配線部
3a:第1導線
3b:第2導線
4:通孔
5:第2配線部
6:第3配線部
7:鍍覆層
10:封裝體
15:凹部
20:發光元件
21:基板
22:半導體層
30:第1反射層
40:第2反射層
40a:含有層
40b:透光層
50:光透過層
100:發光裝置
Claims (13)
- 一種發光裝置之製造方法，其具有：於具有凹部之封裝體之上述凹部之底面載置發光元件之步驟；以含有第1反射材料之第1樹脂覆蓋上述凹部之側面而形成第1反射層之步驟；抵接於上述第1反射層，且以含有第2反射材料之第2樹脂覆蓋上述凹部之底面而形成第2反射層之步驟；及於上述第2反射層及上述發光元件上配置包含含有螢光體之第3樹脂之光透過層之步驟；且形成上述第2反射層之步驟包含以與上述第1反射層相接之方式配置上述第2樹脂之步驟，形成上述第2反射層之步驟係以藉由離心力使上述第2樹脂中含有之上述第2反射材料沈澱而將含有上述第2反射材料之含有層及透光層依此順序形成於上述凹部之底面，並且上述含有層不與上述發光元件之側面之至少一部分相對向之方式形成上述第2反射層，上述發光元件之側面之至少一部分自所形成之上述第2反射層露出，且露出之上述側面經上述光透過層覆蓋。
- 一種發光裝置之製造方法，其具有：於具有凹部之封裝體之上述凹部之底面載置發光元件之步驟；以含有第1反射材料之第1樹脂覆蓋上述凹部之側面而形成第1反射層之步驟； 抵接於上述第1反射層，且以含有第2反射材料之第2樹脂覆蓋上述凹部之底面而形成第2反射層之步驟；及於上述第2反射層及上述發光元件上配置包含含有螢光體之第3樹脂之光透過層之步驟；且形成上述第2反射層之步驟包含以與上述第1反射層相接之方式配置上述第2樹脂之步驟，形成上述第2反射層之步驟係藉由灌注將上述第2樹脂配置於上述凹部之底面中之上述凹部之側面與上述發光元件之間，且以如使上述凹部之底面成為外側之旋轉軸對上述封裝體施加離心力，藉此以覆蓋自上述第1反射層露出之上述凹部之底面整面之方式使上述第2樹脂之形狀變化，並且於施加有離心力之狀態下使上述第2樹脂硬化，上述發光元件之側面之至少一部分自所形成之上述第2反射層露出，且露出之上述側面經上述光透過層覆蓋。
- 如請求項1之發光裝置之製造方法，其中上述第2反射材料之沈澱係藉由以如使上述凹部之底面成為外側之旋轉軸對上述封裝體施加離心力而進行。
- 如請求項1或3之發光裝置之製造方法，其中形成上述第2反射層之步驟係一面使上述第2反射材料沈澱一面使上述第2樹脂硬化。
- 如請求項2之發光裝置之製造方法，其中使上述第2樹脂硬化之溫度係40℃以上且200℃以下。
- 如請求項1或2之發光裝置之製造方法，其中上述第2反射材料係氧化鈦。
- 如請求項6之發光裝置之製造方法，其中上述氧化鈦之粒徑係0.1μm以上且1.0μm以下。
- 如請求項1或2之發光裝置之製造方法，其中上述第2樹脂之黏度係0.3Pa‧s以上且15Pa‧s以下。
- 如請求項1或2之發光裝置之製造方法，其中於形成上述第2反射層之步驟之前包括準備上述第2樹脂之步驟，且準備上述第2樹脂之步驟係將2液硬化性之樹脂材料之主劑與上述第2反射材料混合，並於經過2小時以上後混合硬化劑。
- 一種發光裝置，其具備：封裝體，其具有凹部；發光元件，其載置於上述凹部之底面；第1反射層，其係藉由含有第1反射材料之第1樹脂覆蓋上述凹部之側面而形成；第2反射層，其係抵接於上述第1反射層，且藉由含有第2反射材料之第2樹脂覆蓋上述凹部之底面而形成；及光透過層，其配置於上述第2反射層及上述發光元件上，包含含有螢 光體之第3樹脂；且上述第1反射層之上述第1反射材料分散於上述第1樹脂中，上述第2反射層之含有上述第2反射材料之含有層及透光層依此順序設置於上述凹部之底面，且上述發光元件之側面之至少一部分不與上述含有層相對向，上述發光元件之側面之至少一部分自所形成之上述第2反射層露出，且露出之上述側面經上述光透過層覆蓋。
- 如請求項10之發光裝置，其中上述第1反射層具有：彎曲部，其係於俯視時，於形成為矩形或正方形之上述凹部之側面於一方向上相對向之X方向上，朝向上述發光元件彎曲為凹狀而形成；及間隙部，其以於與上述X方向正交之Y方向上之上述凹部之側面之至少一部分與上述發光元件相對向之方式具有間隙而形成。
- 如請求項11之發光裝置，其中於俯視時，上述發光元件載置於上述凹部之底面之中央，且於俯視時，上述封裝體及上述發光元件之上述X方向上之自上述發光元件至上述凹部之側面為止之距離，與上述Y方向上之自上述發光元件至上述凹部之側面為止之距離不同。
- 如請求項10之發光裝置，其中於俯視時，上述發光元件載置於自上述凹部之底面之中央向上述凹部之一側偏移之位置，上述第1反射層具有於俯視時，於相對向之上述凹部之一方向之側面，自一側面朝向另一側面彎曲之彎曲部，且上述彎曲部位於彎曲之部位之最深部與上述發光元件相對向之位置。
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