TW201306328A - 發光裝置封裝件及使用其之發光系統 - Google Patents

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Abstract

本發明實施例的發光裝置封裝件包括一主體包含多個腔體；第一和第二引線電極設置在該主體的該腔體中；一發光裝置設置在該多個腔體中，電性連接至該多個第一和第二引線電極的至少一者及發出一第一主峰波長範圍在410nm至460nm；以及一第一樹脂層具有第一螢光體(phosphor)在該發光裝置上，其中該第一樹脂層的該第一螢光體藉由激發(excite)具有該第一主峰波長的一些光而發出具有一第二主峰波長範圍在461nm至480nm的光，且該第一和第二主峰波長具有彼此不同的波長及包含相同顏色的光。

Description

發光裝置封裝件及使用其之發光系統
本發明係主張關於2011年07月29日申請之韓國專利案號10-2011-0076252之優先權。藉以引用的方式併入本文用作參考。
本發明實施例係關於一發光裝置封裝件及一使用其之發光系統。
發光二極體(light emitting diode，LED)是將電能轉換成光的一種半導體裝置。若與現有光源如日光燈、白熾燈比較，發光二極體具有低耗能、半永久使用壽命、快速反應速度、安全、及環保等優點。因此許多以發光二極體取代現有光源的研究正在進行中，且已增加使用發光二極體為照明設備的光源，如用於室內、戶外的各式燈具、液晶顯示器、電子顯示器、及街燈。
在施以正向電壓時藉由結合n型層的電子和p型層的電洞，發光二極體可為介於傳導帶(conduction band)和價能帶(valance band)之間的能隙(energy gap)產生光能。
氮化物半導體為發光二極體的一種材料，在光學裝置及高功率電子裝置的領域中因其高的熱穩定性及寬的帶隙能量(bandgap energy)而備受關注。特別是使用氮化物半導體的藍 光發光二極體、綠光發光二極體、紫外光發光二極體等已商業化並廣泛使用。
本發明實施例提供一發光裝置封裝件及使用其之光源單元(light unit)。
本實施例提供一發光裝置封裝件具有彼此相異的藍系列光主峰波長，及使用該封裝件的光源單元。
本發明實施例提供一發光裝置封裝件可以使用藍色螢光體和藍色發光裝置而控制白色光，及使用該封裝件的一光源單元。
本發明實施例的發光裝置封裝件包括：一主體含有多個腔體；多個第一和第二引線電極設置在該主體；一發光裝置設置在該多個腔體、電性連接至該多個第一和第二引線電極的至少一者、且發出一第一主峰波長範圍在410nm至460nm；以及一第一樹脂層具有第一螢光體在該發光裝置上，其中藉由激發具有該第一主峰波長的一些光，該第一樹脂層的第一螢光體可發出一第二主峰波長範圍在461nm至480nm的光，且該第一和第二主峰波長具有彼此異的波長及包含相同顏色的光。
本發明實施例的發光裝置封裝件包括：一主體含有第一腔體；多個第一和第二引線電極設置在該第一腔體；一發光裝置設置在該第一腔體，電性連接至該多個第一和第二引線電極的至少一者，且發出一第一藍光波長；以及一第一樹脂層設置在該發光 裝置上且包括第一螢光體發出一第二波長長於該第一藍光波長；其中該第一樹脂層的第一螢光體發出一第二藍光波長範圍在460nm至479nm。
本發明實施例的發光系統包括該些發光裝置封裝件的至少一者。
在本發明實施例的描述中，當描述每一基板、層、膜、或電子及類似物形成在其「上」或「下」時，其亦代表可「直接」或「非直接」(透過其它構件)形成在構件上。同時，關於每個構件之「上」或「下」的標準將依附圖為基礎來進行說明。
為求方便解說與清晰之目的，圖示中每層的厚度或尺寸可能被誇大、省略、或示意性繪製。此外，構件的尺寸並未完全反映實際大小。
以下將伴隨附圖詳細敘述本發明實施例的發光裝置。
圖1為根據本發明實施例的發光裝置封裝件100之側剖面圖。
參閱圖1，本發明實施例的發光裝置封裝件100包括：一主體10，一腔體15，第一和第二引線電極31、32設置在該主體10，一發光裝置20電性連接至該第一和第二引線電極31、32並發光，一連接構件21連接該發光裝置20和該第二引線電極32，形成一第一樹脂層40以密封該發光裝置20，一第二樹脂層50在 該第一樹脂層40上，以及一第三樹脂層60填充該第二樹脂層50和該腔體15。
該主體10可由樹脂材料如聚鄰苯二甲醯胺(polyphthalamide，PPA)、矽(Si)、鋁(Al)、氮化鋁(AlN)、氧化鋁(AlOx)、液晶聚合物(liquid crystal polymer)、感光玻璃(photo sensitive glass,PSG)、聚醯胺9T(polyamide9T，PA9T)、對位聚苯乙烯(syndiotacticpolystyrene，SPS)、金屬材料、藍寶石(Al2O3)、氧化鈹(beryllium oxide，BeO)的至少之一者，以及印刷電路板所形成。該主體10可藉由射出成形(injection molding)、蝕刻製程等所形成，但並非限定於此。
當該主體10由具有導電性的材料所形成時，一絕緣膜(未顯示)形成在主體10的表面，因此防止主體10與第一和第二引線電極31、32之間的電氣短路。
再者，當主體10由矽(Si)形成時，形成主體10帶有一保護裝置，具有集成電路型(integrated circuit type)，如藉由注入導電摻雜物法的齊納二極體(zener diode)。
形成該主體10具有腔體15，其頂部因此開放。舉例而言，該腔體15由該主體10的射出成形或蝕刻製程而個別形成，但並非限定於此。
腔體15以杯狀或凹槽狀(concave vessel)形成，腔體15的一側為直角或向腔體15底面傾斜。再者，腔體15的形狀從頂 面觀之為圓形、長方形、多邊形、橢圓形等。腔體15可由至少一第一和至少一第二引線電極31、32形成在一杯狀結構中，但並非限定於此。
第一和第二引線電極31、32可設置在主體10且使彼此電性分離。該第一和第二引線電極31、32電性連接至發光裝置20以提供電源至發光裝置20。
第一和第二引線電極31、32的一端部設置在主體10，其另一端部則露出至外部或穿過主體10而至主體10的下部(lower surface)。再者，第一和第二引線電極31、32穿過主體10的上部(top surface)和下部(lower surface)而形成發光裝置封裝件100的下部(lower surface)。第一和第二引線電極31、32的結構並非限定於此。
可選擇性使用電鍍法、沉積法、或光微影成像法(photolithographic)形成第一和第二引線電極31、32。
第一和第二引線電極31、32可含有下列具有導電性金屬材料的至少一者，舉例而言，鈦(Ti)、銅(Cu)、鎳(Ni)、金(Au)、鉻(Cr)、鉭(Ta)、鉑(Pt)、錫(Sn)、銀(Ag)、磷(P)、鋁(Al)、銦(In)、鈀(Pd)、鈷(Co)、矽(Si)、鍺(Ge)、鉿(Hf)、釕(Ru)、或鐵(Fe)。再者，可形成第一和第二引線電極31、32具有單層或多層結構，但並非限定於此。
可形成發光裝置20為一藍色發光裝置，且直接黏結(bond)至第一和第二引線電極31、32。
舉例而言，當發光裝置20為一藍光發光二極體晶片時，該藍光發光二極體晶片可具有一第一主峰波長值範圍在410nm至460nm，及發出第一主峰波長範圍在，例如，420nm至450nm。發光裝置20設定為白色平衡使用藍光波長以及從黃色螢光體發出的波長而提供白光。然而，若與較短波長的藍光波長相比，由於較長波長的藍光波長具有低能量，因此發光效率的改善受到限制。在本發明實施例中，該螢光體接收大量能量朝向接近紫外光範圍波長的藍光波長，例如朝向450nm，或更少的波長，例如420nm±5nm，因此可較改善發光效率。
發光裝置20可由III-V族元件的化合物半導體所形成，舉例而言，氮化鎵(GaN)、氮化鋁(AlN)、氮化鋁鎵(AlGaN)、氮化銦鎵(InGaN)、氮化銦(InN)、氮化鎵銦鋁(InAlGaN)、氮化鋁銦(AlInN)、砷化鋁鎵(AlGaAs)、磷化鎵(GaP)、砷化鎵(GaAs)、磷砷化鎵(GaAsP)、及磷化鋁鎵銦(AlGaInP)系列的半導體材料，因此可發出具有該半導體材料特有顏色的光。
發光裝置20可藉由晶粒接合(chip bonding)、覆晶(flip chip)等方式而電性連接至第一和第二引線電極31、32，且並非限定於此。
第一樹脂層40覆蓋發光裝置20、可由具有透光性的矽或樹脂材料形成、且包括第一螢光體401在第一樹脂材料402。
第一樹脂層40可藉由將矽或樹脂材料填充在腔體15後並固化(curing)的方式形成，但並非限定於此。
可形成第一螢光體401，因此一激發(excitation)波長範圍則具有與發光裝置20發光波長相同的有色值(color value)。舉例而言，當發光裝置20為一藍光發光二極體，第一螢光體401藉由激發具有410nm至460nm第一主峰波長的某些光而可發出461nm至480nm第二主峰波長的光，例如470nm±5nm的波長範圍。第一和第二主峰波長之間的波長差異約為5nm至69nm，最好為45nm至55nm。
舉例而言，第一螢光體401為藍色螢光體，該藍光螢光體可包括下列材料中的至少一者：Sr2MgSi2O7：Eu2+，BaMgAl10O17：Eu(Mu)，Sr5Ba3MgSi2O8：Eu2+，Sr2P2O7：Eu2+，SrSiAl2O3N2：Eu2+，(Ba1-xSrx)SiO4：Eu2+，(Sr,Ca,Ba,Mg)10(PO4)6C12：Eu2+，以及CaMgSi2O6：Eu2+，且形成具有1μm至10μm的直徑。當形成第一螢光體401的發光波長數值符合發光裝置20發光波長範圍時，一藍色元件與發光裝置20發出的具有不同波長值的光和從第一螢光體401的光相較則相對發光較多，藉此增加白光效率同時保持色坐標值(color coordinate value)。再者，在461nm至480nm的波長發光範圍，藉此而有最大化情緒照明效果(emotional lighting effect)如增加彩色白平衡自由度，因此易於控制色坐標。
在圖11中，發光裝置20發出藍光系列的第一主峰波長W1具有420nm±5nm的主峰波長P1，吸收該第一主峰波長W1的第一螢光體401發出藍光系列的第二主峰波長W2具有470nm±5nm的主峰波長P2。第二主峰波長W2的強度可低於第一主峰波長W1的強度，且若與第一主峰波長W1的強度相較可具有約70%至95%的強度。
發光裝置20發出第一藍光波長的光，以及第一螢光體401發出長於該第一藍光波長之第二藍光波長的光。該第二藍光波長發出主峰波長的範圍在460nm至470nm。
第一樹脂材料402可包含透光性樹脂系列，且顧慮光折射率及熱特性下，而第一樹脂材料402可包括矽樹脂或環氧樹脂(epoxy resin)。該矽樹脂具有輕微遇熱變色現象(thermo chromic phenomenon)，因此由於發光裝置20高溫所致的物理性質改變可獲得改善。
形成第二樹脂層50，其形狀覆蓋至少第一樹脂層40的部分。形成第二樹脂層50，以使第二螢光體501包含在第二樹脂材料502。第二樹脂材料502可包括透明的樹脂材料，如類似第一樹脂材料402的矽樹脂或環氧樹脂，且可藉由將該樹脂材料填充至第一樹脂層40及固化而形成。第一樹脂層40的形狀可以為凸透鏡(convex lens)之曲面，或者為平面狀，且第二樹脂層50的形狀可以為凸透鏡之曲面，或者為扁平狀。第一和第二樹脂層40、50的曲面或扁平狀可為發光表面的形狀。
第二螢光體501藉由吸收且激發從發光裝置20發出第一主峰波長的光，以及從第一螢光體401發出第二主峰波長的光之至少一者而可發出第二光。舉例而言，第二螢光體501可包含紅色螢光體、綠色螢光體、及黃色螢光體的至少一者，且可紅色螢光體、綠色螢光體、及黃色螢光體三者全部包含。發光裝置20產生的光入射在第二螢光體501，以發出不同波長的光。第二螢光體501，與藍光波長相較，發出長波長的光，可包含釔鋁石榴石(YAG)、TAG、矽酸鹽(silicate)、氮化物(nitride)、以氮氧化物(oxynitride)為基礎材料的至少一者。
紅色螢光體可包括La2O2S：Eu3+、Y2O2S：Eu3+、Y2O3：Eu3+(Bi3+)、CaS：Eu2+、(Zn,Cd)S：Ag+(Cl-)、K5(WO4)6.25：Eu3+ 2.5、及LiLa2O2BO3：Eu3+的至少一者。綠色螢光體可包括ZnS：Cu+(Al3+)、SrGa2S4：Eu2+、CaMgSi2O7：Eu2+、Ca8Mg(SiO4)Cl2：Eu2+(Mn2+)、及(Ba,Sr)2SiO4：Eu2+的至少一者。黃色螢光體可包括Y3Al5O12：Ce3+、及Sr2SiO4：Eu2+的至少一者。該紅色螢光體發出的主峰波長範圍在600nm至630nm，該綠色螢光體發出的主峰波長範圍在525nm至535nm，該黃色螢光體發出的主峰波長範圍在510nm至525nm。藉由發光裝置20及第一螢光粉401增加藍光系列波長，也就是說，藉由第二螢光劑501，亦即紅色、綠色、及黃色螢光體，因而增加發光效率。因此，461nm至480nm的情緒照明效果可最大化，且亦可增加白平衡的自由度，因而有效控制色坐標。
可形成第三樹脂層60以覆蓋第二樹脂層50和腔體15的全部。在本實施例中第三樹脂層60可藉由模製環氧樹脂或矽樹脂 而形成。第二樹脂層50設置在第一樹脂層40和第三樹脂層60之間。此外，在第三樹脂層60中，其頂端的發光表面可形成為凸透鏡之曲面或為平面狀，且於通過第一樹脂層40及外部第二樹脂層50時發出取得的光。第三樹脂層60更可包含該第一螢光體，且可藉由與第一螢光體隔開的透明樹脂層所形成。
第一至第三樹脂層40、50、60的至少一表面可形成為一凹凸表面，且該凹凸表面折射光以改善光的方位角度(orientation angle)。
在第一樹脂層40中第一螢光體401的含量不同於在第二樹脂層50中第二螢光體的含量，舉例而言，第一樹脂層40中第一螢光體401具有的含量大於第二樹脂層50中第二螢光體的含量。
第一至第三樹脂層40、50、60為透光的樹脂層、第三樹脂層60可由具有折射率低於第二樹脂層50折射率的材料所形成，以及第二樹脂層50可由具有折射率低於第一樹脂層40折射率的材料所形成。第一至第三樹脂層40、50、60的折射率可由2或更少的材料所形成，例如，1.6或更少。在此，第一和第二樹脂層40、50的折射率可相同，且可由相同的材料所形成。
第一螢光體可加至主體10。主體10的反射率為70%或更多，其透射係數則低於10%。第一螢光體藉由改變透射到主體10的光波長而可發出461nm至480nm的主峰波長。
在圖2中，可改變及反射入射在第一螢光體401的光角度，且第一螢光體401可藉由散射光線而發光。
如果第一螢光粉401的直徑為小，光擴散的效果不足，且如果第一螢光體401的直徑過度增加，則會有該螢光體吸收光的問題。因此，可形成第一螢光體401具有將光吸收最小化的尺寸，舉例而言，1μm至10μm的直徑。
第一螢光體401可散射一大部份發光裝置20發出的光。因此，通過第一樹脂層40的光可均衡混合而無偏好，據此可在第二樹脂層50的頂部獲得有色差而減弱的光。
圖3顯示根據本發明第二實施例的發光裝置封裝件100B。當敘述第二實施例時，與第一實施例中相同的部份使用一樣的參考號碼，並將省略重覆的描述。
在圖3中，第一和第二樹脂層40、50設置在主體10的腔體15上，且第一和第二螢光體401、402加在第二樹脂層50的第二樹脂材料502。包括在第二樹脂層50的第一螢光體401與包括在第一樹脂層40的第一螢光體401個別形成，且在第一樹脂層40的第一螢光體401和在第二樹脂層50的第一螢光體401，在該些樹脂層發光在範圍461nm至480nm且彼此互異，藉此增加藍光及產生情緒照明效果。
圖4顯示根據本發明第三實施例之發光裝置封裝件100C。當敘述第三實施例時，與第一實施例中相同的部份使用一樣的參考號碼，並將省略重覆的描述。
在圖4中，第三樹脂層60可覆蓋第一樹脂層40和第二樹脂層50，第一螢光體401可包括在第三樹脂層60中。由於第一螢光體401包括在第三樹脂層60中，可增加藍光波長光的擴散效果，因此易於控制色坐標。
當形成第三樹脂層60的形狀為一透鏡型，其形成在與發光裝置20之正交方向上方的該部份之高度為高，且該高度朝周圍降低，由於包括在發光裝置20上方的第一螢光體401量增加，藉此有效分散更多向中央集中的藍光，橫越整個上部區域。
如上所述，形成第一螢光體401以發出激發光波長對應發光裝置20的發光波長以改變其波長及散射光，且特別是改善允許從一垂直發光裝置有垂直加權(vertically weighted)光的現象。
圖5顯示根據本發明第四實施例的發光裝置封裝件。當敘述第四實施例時，與第一實施例中相同的部份使用一樣的參考號碼，並將省略重覆的描述。
參閱圖5，該發光裝置封裝件包括主體10，腔體15，第一和第二引線電極31、32設置在該主體10，發光裝置20電性連接至第一和第二引線電極31、32且發光，連接構件21連接發光裝置20和第二引線電極32，形成第一樹脂層41以密封發光裝置20，第二樹脂層51在第一樹脂層41上，以及第三樹脂層60填充第二樹脂層51和腔體15。該連接構件21可以為一導線。
第一樹脂層41的一頂部表面S1由一平坦表面所形成，第二樹脂層51的一頂部表面S2由該平坦表面所形成。設置第一樹脂層41介於第二樹脂層51和腔體15底部之間，以及設置第二樹脂層51介於第一樹脂層41和第三樹脂層60之間。第一樹脂層41的頂部表面S1可設置在腔體15低於主體10的頂部表面，但並非限定於此。
形成第一樹脂層41帶有第一螢光體401，及形成第二樹脂層51帶有第二螢光體501。
第二樹脂層51的一頂部表面S2設置在與主體10頂部表面相同的平面，且可設置在不同的平面。
圖6顯示根據本發明第五實施例的發光裝置封裝件。當敘述第五實施例時，與第一實施例中相同的部份使用一樣的參考號碼，並將省略重覆的描述。
參閱圖6，該發光裝置封裝件可包括主體10，腔體15，第一和第二引線電極31、32設置在主體10，發光裝置20電性連接至該第一和第二引線電極31、32且發光，連接構件21連接發光裝置20和第二引線電極32，形成第一樹脂層42以密封發光裝置20，第二樹脂層52在第一樹脂層42上，以及第三樹脂層60填充第二樹脂層52和腔體15。
該腔體15包括一腔體15A在其設置第一樹脂層42，以及一腔體15B在其形成第二樹脂層52。形成腔體15A頂部的寬度窄於腔體15B頂部的寬度。因此，可形成腔體15內部的側表面為一 梯狀結構具有至少二階。再者，形成腔體15A的該側和腔體15B以彼此不同的角度傾斜，且並非限定於此。
圖7顯示根據本發明第六實施例的發光裝置封裝件。當敘述第六實施例時，與第一實施例中相同的部份使用一樣的參考號碼，並將省略重覆的描述。
參閱圖7，該發光裝置封裝件包括主體10，腔體15，第一和第二引線電極31、32設置在主體10，發光裝置20電性連接至該第一和第二引線電極31、32且發光，連接構件21連接發光裝置20和第二引線電極32，形成第一樹脂層41A以密封發光裝置20，一第二樹脂層51A在該第一樹脂層41A上，以及一第三樹脂層60填充第二樹脂層51A和腔體15。
第一螢光體401和第二螢光體501可加在第一樹脂層41A的第一樹脂材料402。在圖11中，發光裝置20發出藍光系列的第一主峰波長W1具有420nm±5nm的主峰波長P1，且吸收該第一主峰波長W1的第一螢光體401發出藍光系列的第二主峰波長W2具有470nm±5nm的主峰波長P2。第二主峰波長W2的強度可低於第一主峰波長W1的強度，且可具有與第一主峰波長W1的強度相較約70%至95%的強度。
第二螢光體501可藉由吸收及激發從發光裝置20發出第一主峰波長的光，以及從第一螢光體401發出第二主峰波長的光之至少一者而發出第二光。舉例而言，第二螢光體501可包括紅色 螢光體、綠色螢光體、和黃色螢光體的至少一者，且可紅色螢光體、綠色螢光體、和黃色螢光體三者全部包含。
具有彼此不同主峰波長的藍光及主峰波長為510nm或更多的一第二顏色光可透過第一樹脂層41A發光。
第二樹脂層51A自不同螢光體分離，且可定義為不具有該螢光體的透明樹脂層。
圖8顯示根據本發明第七實施例的發光裝置封裝件。當敘述第七實施例時，與第一實施例中相同的部份使用一樣的參考號碼，並將省略重覆的描述。
參閱圖8，該發光封裝件包括主體10，腔體15，第一和第二引線電極31、32設置在主體10，發光裝置20電性連接至該第一和第二引線電極31、32且發光，連接構件21連接發光裝置20和第二引線電極32，形成一第一樹脂層41B以密封發光裝置20，一第二樹脂層51B在該第一樹脂層41B上，以及第三樹脂層60填充第二樹脂層51B和腔體15。
形成第一樹脂層41B為不具有該螢光體的透明樹脂層。
第一螢光體401和第二螢光體501可加在第二樹脂層51B的第二樹脂材料502。發光裝置20發出藍光系列的第一主峰波長W1具有420nm的主峰波長，且吸收該第一主峰波長W1的第一螢光體401發出藍光系列的第二主峰波長W2具有470nm±5nm的主峰波長P2。第二主峰波長W2的強度可低於第一主峰波長W1的強 度，且可具有與第一主峰波長W1的強度相較約70%至95%的強度。
第二螢光體501可藉由吸收及激發從發光裝置20發出第一主峰波長的光、及從第一螢光體401發出第二主峰波長的光之至少一者而發出第二光。舉例而言，第二螢光體501可包括紅色螢光體、綠色螢光體、和黃色螢光體的至少一者，且可紅色螢光體、綠色螢光體、和黃色螢光體三者全部包含。
具有彼此不同主峰波長的藍光及主峰波長為510nm或更多的該第二顏色光可透過第二樹脂層51B發光。
圖9顯示根據本發明第八實施例的發光裝置封裝件，圖10為圖9該發光裝置封裝件之側剖視圖。當敘述第八實施例時，與第一實施例中相同的部份使用一樣的參考號碼，並將省略重覆的描述。
參閱圖9、10，該發光裝置封裝件包括主體12具有第一腔體17，第一引線電極33具有第二腔體34，第二引線電極35具有第三腔體36，連接框38，發光晶片22和23，以及導線25至28。
主體12可由如聚鄰苯二甲醯胺(polyphthalamids，PPA)、矽(Si)、金屬材料、感光玻璃、藍寶石(Al2O3)的至少之一者，以及印刷電路板所形成。該主體12最好由至少一種塑膠樹脂(plastic resin)材料如聚鄰苯二甲醯胺(PPA)以及矽材料所形成。
依據該發光裝置封裝件的使用和設計，主體12頂部表面的形狀可具有各種形狀，如三角形、四角形、多角形和圓形等。第一引線電極33和第二引線電極35設置在主體12的下方，且可以直照式(direct lighting)裝置在該基板上。第一引線電極33及第二引線電極35設置在主體12的側邊，且可以側光式(edge type)裝置在該基板上，但並非限定於此。
主體12上方為開放式，且具有一第一腔體17形成側邊表面及底部表面。第一腔體17包括一凹形杯狀(concave cup)或一從主體12頂部表面的凹槽結構(recess structure)，且並非限定於此。第一腔體17的側面可以為直角或向第一腔體17的底部表面傾斜。
腔體17的形狀從頂部表面觀之可以為圓形、橢圓形、多角形(例如，四角形)。第一腔體17的一角可以為曲面或平面。
第一引線電極33設置在第一腔體17的第一區，而且第一引線電極33的該部分設置在第一腔體17的底部表面。設置一第二凹孔34在其中心具有一深度低於第一腔體17的底表面。第二腔體34為從第一引線電極33的頂部表面至主體12底表面的凹狀，且包括如杯狀結構或凹槽形狀。第二腔體34的側面傾斜至或直角彎曲至第二腔體34的底表面。第二腔體34的側面中彼此面對的二側面可以相同角度或彼此互異的角度傾斜。
第二引線電極35設置在第二區，以與第一腔體17的第一區隔開，且第二引線電極35的該部份設置在第一腔體17的底表 面。形成第三凹孔36在其中心具有一深度低於第一腔體17的底表面。第三腔體36為從第二引線電極35頂部表面至主體12底表面的凹狀，且包括如杯狀結構或凹槽形狀。第三腔體36的側面傾斜或直角彎曲至第三腔體36的底表面。第三腔體36的側面中彼此面對的二側面可以相同角度或彼此互異的角度傾斜。
第一引線電極33的頂部設置在對應於主體12中央之第二引線電極35的頂部，但並非限定於此。
第一引線電極33和第二引線電極35的該些下方表面外露至主體12的下方表面，或可設置在與主體12下方表面的相同平面上。
第一引線電極33的第一引線33A設置在主體12的下方表面，且可從主體12的一第一側面113突出。第二引線電極35的第二引線35A設置在主體12的下方表面，且可從面對主體12該第一側面的第二側面114突出。
連接框38設置在第一引線電極33和第二引線電極35之間區域的一側，且可設置與主體12的第一側面113相鄰。連接框38連接發光晶片22、23。
第一引線電極33、第二引線電極35、及連接框38可含有金屬材料如鈦(Ti)、銅(Cu)、鎳(Ni)、金(Au)、鉻(Cr)、鉭(Ta)、鉑(Pt)、錫(Sn)、銀(Ag)、磷(P)的至少之一者，且可形成為單金屬層或多層金屬層。第一和第二 引線電極33、35的厚度及連接框38可形成相同厚度，且並非限定於此。
第二腔體34及第三腔體36的底部形狀可以為具有曲面的長方形、正方形、圓形或橢圓形。
第一發光晶片22設置在第一引線電極33的第二腔體34，且第二發光晶片23設置在第二引線電極35的第三腔體36。
第一發光晶片22可藉由第一和第二導線25、26而連接至第一引線電極33和設置在腔體17底部的連接框38。第二發光晶片23可藉由第一和第二導線27、28而連接至設置在腔體17底部的連接框38及第二引線電極35。
該保護裝置設置在第一腔體17的預設區，可藉植入閘流體(thyristor)、齊納二極體或瞬態電壓抑制器(transient voltage suppression，TVS)而形成該保護裝置，且齊納二極體保護發光晶片免於靜電放電(electro static discharge，ESD)。
發光裝置22、23包括III-V族元件的化合物半導體，且發出藍光波長，舉例而言，波長範圍在410nm至460nm。第一發光裝置22可發出主峰波長範圍在410nm至460nm的410nm至440nm，第二發光裝置23可發出主峰波長不同於第一發光裝置22的主峰波長，舉例而言，主峰波長範圍在430nm至460nm。
如另一示範例，第一發光裝置22和第二發光裝置23可發出相同波長作為主峰波長或者該主峰波長具有波長差異至少1nm。
主體12的第二腔體34形成具有第一樹脂層43，設置第三腔體36具有第二樹脂層44，以及第一腔體17形成具有第三樹脂層53。
第一樹脂層43包括一第一樹脂材料404，且第一螢光體403加在第一樹脂材料404。第二樹脂層44包括第二樹脂材料406，且第二螢光體405加在第二樹脂材料406。第三樹脂層53包括第三樹脂材料504，且第三螢光體503加在第三樹脂材料504。第一至第三樹脂材料404、406、504可由透明樹脂材料，例如矽或環氧樹脂，所形成。
第一螢光體403為藍色螢光體，且該藍色螢光體可包括，舉例而言，Sr2MgSi2O7：Eu2+、BaMgAl10O17：Eu(Mn)、Sr5Ba3MgSi2O8：Eu2+、Sr2P2O7：Eu2+、SrSiAl2O3N2：Eu2+、(Ba1-xSrx)SiO4：Eu2+、(Sr,Ca,Ba,Mg)10(PO4)6C12：Eu2+、以及CaMgSi2O6：Eu2+中的至少一者。
第二螢光體405為藍色螢光體，且該藍色螢光體可包括，舉例而言，Sr2MgSi2O7：Eu2+、BaMgAl10O17：Eu(Mn)、Sr5Ba3MgSi2O8：Eu2+、Sr2P2O7：Eu2+、SrSiAl2O3N2：Eu2+、(Ba1-xSrx)SiO4：Eu2+、(Sr,Ca,Ba,Mg)10(PO4)6C12：Eu2+、以及CaMgSi2O6：Eu2+中的至少一者。
藉由激發從第一發光裝置22發出在410nm至440nm範圍的光，第一螢光體403可發出主峰波長在藍光波長範圍，舉例而言，在465nm至475nm。藉由激化從第二發光裝置23發出在 430nm至460nm範圍的光，第二螢光體405可發出藍光波長範圍，舉例而言，在469nm至479nm。第二螢光體405的主峰波長可發出波長長於第一螢光體403的光。
如另一範例，第一和第二發光裝置22、23發光範圍可在410nm至440nm或430nm至460nm。在此例中，藉由激發從第一發光裝置22發出的光，第一螢光體403可發出主峰波長在藍光波長範圍，舉例而言，465nm至475nm。藉由激發從第二發光裝置23發出在410nm至460nm範圍的光，第二螢光體405可發出在藍光波長範圍，舉例而言，469nm至479nm。第二螢光體405的主峰波長可發出波長長於第一螢光體403的光。
第一和第二螢光體403、405發光波長可長於第一和第二發光裝置22、23的主峰波長。第一和第二螢光體403、405之間的發光波長差異及第一和第二發光裝置22、23之間的發光波長差異可以為5nm至69nm。
第三螢光體503可包括紅色、黃色、和綠色螢光體中的至少一者。藉由激化第一發光裝置22、第二發光裝置23、及第一和第二螢光體403、405發出的光的部份，第三螢光體503可發出波長長於藍光波長的光。第一螢光體更可加入至第三樹脂材料504。
當形成第一和第二螢光體403、405的發光波長以具有與發光裝置22、23發光波長範圍符合的數值時，一藍色元件可發出相對較多的光，如與從發光裝置22、23發出的光及從第一和第 二螢光體403、405發出的光具有不同波長值相較，因此增加白光效率同時保持色坐標值。再者，在470nm±5nm範圍的波長元件發光，藉此最大化情緒照明效果，因此彩色白平衡的自由度增加，且因此易於控制色坐標。
該透鏡更可形成在主體12的頂部，該透鏡可包括凹和/或凸透鏡的結構，且可控制從該發光裝置發光的光分佈(light distribution)。
在該實施例中，二個腔體設置在彼此不同的區域在該發光裝置封裝件上，但至少三個腔體可設置在彼此不同的區域。再者，二個發光裝置設置在該發光裝置封裝件，但可設置至少三個發光裝置，且並非限定於此。
圖12顯示本發明實施例的發光裝置。
參閱圖12，發光裝置20包括一發光結構110，一歐姆層121在該發光結構110下方，一反射層124在該歐姆層121下方，一導電輔助構件125在該反射層124下方，以及一保護層123在該反射層124和該發光結構110的周圍。
該發光結構110包括一第一導電型半導體層113，一第二導電型半導體層115，以及一主動層114介於該第一導電型半導體層113和該第二導電型半導體層115之間。
該第一導電型半導體層113可選自III-V族化合物半導體摻雜該第一導電摻雜物，舉例而言，氮化鎵(GaN)、氮化鋁(AlN)、氮化鋁鎵(AlGaN)、氮化銦鎵(InGaN)、氮化銦 (InN)、氮化鎵銦鋁(InAlGaN)、氮化鋁銦(AlInN)、砷化鋁鎵(AlGaAs)、磷化鎵(GaP)、砷化鎵(GaAs)、磷砷化鎵(GaAsP)、及磷化鋁鎵銦(AlGaInP)等。當該第一導電型半導體層為n-型半導體，該第一導電摻雜物包括如矽(Si)、鍺(Ge)、錫(Sn)、硒(Se)、及碲(Te)的n-型摻雜物。第一導電型半導體層113可形成為單層或多數層，且並非限定於此。
主動層114可形成為單量子井(single quantum well)結構、多個量子井結構(multi quantum well)結構、量子線(quantum-line)結構、及量子點(quantum-dot)結構。主動層114可由井層和阻隔層(barrier layer)的循環所形成，舉例而言，使用III-V族元素化合物半導體的氮化銦鎵井層(InGaN well layer)/氮化鎵阻隔層(GaN barrier layer)或氮化銦鎵井層(InGaN well)/氮化鋁鎵阻隔層(AlGaN barrier layer)的循環。具有410nm至460nm主峰波長的主動層114井層可包含3%至15%範圍的銦含量。當降低該井層的銦含量時，發光在短波長範圍而非長波長範圍。
導電包覆層(conductive cladding layer)可形成在主動層114之上方或/及之下方，且該導電包覆層可由氮化鋁鎵基的半導體所形成。
第二導電型半導體層115可形成在主動層114下方，第二導電型半導體層115可選自III-V族化合物半導體摻雜第二導電摻雜物，舉例而言，氮化鎵(GaN)、氮化鋁(AlN)、氮化鋁鎵(AlGaN)、氮化銦鎵(InGaN)、氮化銦(InN)、氮化鎵銦鋁 (InAlGaN)、氮化鋁銦(AlInN)、砷化鋁鎵(AlGaAs)、磷化鎵(GaP)、砷化鎵(GaAs)、磷砷化鎵(GaAsP)、及磷化鋁鎵銦(AlGaInP)等。當該第二導電型半導體層為p-型半導體，該第二導電摻雜物包括如鎂(Mg)、鋅(Zn)等的p-型摻雜物。第二導電型半導體層115可形成為單層或多數層，且並非限定於此。
再者，第三導電半導體層，舉例而言，n-型半導體層可形成在第二導電型半導體層115下方。發光結構135可由N-P接面、P-N接面、N-P-N接面、和P-N-P接面中的至少一者所形成。
歐姆層121與發光結構110的下層，舉例而言，第二導電型半導體層115進行歐姆接觸，且其可由氧化銦錫(indium tin oxide,ITO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide,IZO)、氧化銦錫鋅(indium zinc tin oxide,IZTO)、氧化銦鋁鋅(indium aluminum zinc oxide,IAZO)、氧化銦鎵鋅(indium gallium zinc oxide,IGZO)、氧化銦鎵錫(indium gallium tin oxide,IGTO)、氧化鋁鋅(aluminum zinc oxide,AZO)、銻錫氧化物(antimony tin oxide,ATO)、氧化鎵鋅(gallium zinc oxide,GZO)、銀(Ag)、鎳(Ni)、鋁(Al)、銠(Rh)、鈀(Pd)、銥(Ir)、釕(Ru)、鎂(Mg)、鋅(Zn)、鉑(Pt)、金(Au)、鉿(Hf)、及其選擇組合組成的材料所形成。再者，歐姆層121可形成為多數層，使用金屬材料和透明導電材料，如氧化銦鋅(IZO)、氧化銦錫鋅(IZTO)、氧化銦鋁鋅(IAZO)、氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦鎵錫(IGTO)、氧化 鋁鋅(AZO)、銻錫氧化物(ATO)，且可與，例如，氧化銦鋅(IZO)/鎳(Ni)、氧化鋁鋅(AZO)/銀(Ag)、氧化銦鋅(IZO)/銀(Ag)/鎳(Ni)、氧化鋁鋅(AZO)/銀(Ag)/鎳(Ni)等疊層。更可在歐姆層121內部形成一與電極116相對應的電流阻斷層。
保護層123可選自由氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦錫鋅(IZTO)、氧化銦鋁鋅(IAZO)、氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦鎵錫(IGTO)、氧化鋁鋅(AZO)、銻錫氧化物(ATO)、氧化鎵鋅(GZO)、二氧化矽(SiO2)、氧化矽(SiOx)、氮氧化矽(SiOxNy)、氮化矽(Si3N4)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鈦(TiO2)等所形成。保護層123可由濺鍍法或沉積法所形成，而且可防止如反射層124的金屬造成發光結構110的該些層短路。
反射層124可由銀(Ag)、鎳(Ni)、鋁(Al)、銠(Rh)、鈀(Pd)、銥(Ir)、釕(Ru)、鎂(Mg)、鋅(Zn)、鉑(Pt)、金(Au)、鉿(Hf)，及其選擇組合組成的材料所形成。可形成反射層124大於發光結構110的寬度，據此改善光線反射率。
導電輔助構件125為一基板，可由銅(Cu)、金(Au)、鎳(Ni)、鉬(Mo)、銅-鎢(Cu-W)、以及載體晶圓(carrier wafer)如矽(Si)、鍺(Ge)、砷化鎵(GaAs)、氧化鋅(ZNO)、碳化矽(SiC)等所形成。一接合層(bonding layer)更可形成在導電輔助構件125和反射層124之間，且該接合層可接合二層。
上述發光晶片為一範例，並不受限於上述特性。該發光晶片選擇性應用至該發光裝置的實施例，且並不受限於此。
本發明實施例的發光裝置封裝件可應用至發光系統。該發光系統包括具有排列複數個發光裝置封裝件的結構，包括如圖13和14所示的一顯示器，及如圖15所示的一照明裝置，且可應用至如照明、交通號誌、車輛頭燈、電子顯示器、指示燈等裝置。
圖13為本發明實施例該顯示器之分解圖。
在圖13中，顯示器1000可包括一導光板1041，一發光模組1031提供光至導光板1041，一反射構件1022在導光板1041下方，一光學片1051在導光板1041上，一顯示面板1061在光學片1051上，以及一底蓋1011接收導光板1041、發光模組1031及反射構件1022，但並非限定於此。
底蓋1011、反射構件1022、導光板1041、及光學片1051可定義為光源單元1050。
導光板1041藉由擴散發光模組1031提供的光而作用有如平面光源。導光板1041由透明材料形成，且可包含，舉例而言，如聚甲基丙烯酸甲脂(PMMA)、聚對苯二甲酸二乙酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、環狀烯烴共聚物(COC)、及聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等的丙烯酸樹脂(acrylic resins)之一者。
發光模組1031設置在導光板1041的至少一側，提供光至導光板1041的至少一側，且作為該顯示器的光源。
至少一發光模組1031設置在底蓋1011，且可直接或間接從導光板1041的一側提供光。發光模組1031包括一基板1033，以及上述本發明實施例的發光裝置封裝件100，而且該發光裝置封裝件100可以預定間隔排列在基板1033上。該基板可以為印刷電路板，但並非限定於此。再者，基板1033可包括金屬核心印刷電路板(MCPCB)、軟性印刷電路板(FPCB)等，但並非限定於此。當發光裝置封裝件100安裝在底蓋1011的該側或在一散熱板(heat radiating plate)上，可移除基板1033。該散熱板的部份可接觸底蓋1011的頂部表面。因此，發光裝置封裝件100產生的熱可藉由該散熱板而散熱至底蓋1011。
複數個發光裝置封裝件100可裝置在基板1033上，因此光線照射所在的一發光表面可以預定間隔與導光板1041分隔，但並非限定於此。該些發光裝置封裝件100可直接或間接提供光至導光板1041的一側，亦即，入光面(light-entering face)，但並非限定於此。
反射構件1022可設置在導光板1041下方。反射構件1022將入射在導光板1041下方表面的光反射以提供至顯示面板1061，藉此改善顯示面板1061的亮度。反射構件1022可由，舉例而言，聚對苯二甲酸二乙酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚氯乙烯(PVC)樹脂等所形成，但並非限定於此。反射構件1022可以為底蓋1011的頂部表面，但並非限定於此。
底蓋1011可容納導光板1041、發光模組1031、和反射構件1022等。為此，可形成底蓋1011的頂部表面具有一容納部1012呈開放盒狀(box shape)，但並非限定於此。底蓋1011可配有一頂蓋(未顯示)，但並非限定於此。
底蓋1011可由金屬材料或樹脂材料所形成，且可由壓模成型(press molding)或擠出成型(extrusion molding)等的製程生產。再者，底蓋1011可包含具有優良導熱性的金屬或非金屬材材，但並非限定於此。
舉例而言，顯示面板1061，亦即一液晶顯示器，包括具有透明材料且互相面對的第一和第二基板，以及在第一和第二基板之間於置入一液晶層。顯示面板1061的至少一表面安裝一偏光板(polarizing plate)，但並非限定於該偏光板的安裝結構。顯示面板1061傳送或阻隔發光模組1031提供的光而顯示資訊。這類的顯示器1000可應用至各式手提式終端機、筆記型電腦的螢幕、膝上型電腦的螢幕、以及如電視的顯示裝置。
在顯示面板1061和導光板1041之間設置光學膜片1051，且包括至少一透明片。舉例而言，光學膜片1051可包含擴散片、水平和/或垂直稜鏡片、亮度增強片等之中的至少一者。該擴散片擴散入射光，該水平和/或垂直稜鏡片將入射光集中至顯示面板1061，亮度增強片藉由再度使用未利用的光(lost light)而加強亮度。另外，一保護片設置在顯示面板1061上，但並非限定於此。
在發光模組1031的光路徑上可包括導光板1041和光學構件的光學片1051，但並非限定於此。
圖14顯示具有本發明實施例發光裝置封裝件的該顯示器。
在圖14中，顯示器1100包括一底蓋1152，一基板1120有上述揭示的發光裝置封裝件100排列在其上，一光學構件1154，以及一顯示面板1155。
基板1120和發光裝置封裝件100可定義為發光模組1060。底蓋1152、至少一發光模組1060、以及光學構件1154可定義為光源單元1150。
提供具有一收容部1153的底蓋1152，但並非限定於此。
光學構件1154可包含透鏡、導光板、擴散片、水平和/或垂直稜鏡片、及亮度增強片等中的至少一者。導光板可由聚碳酸酯(PC)材料或聚甲基丙烯酸甲脂(PMMA)材料製成，而且可移除該導光板。擴散片擴散入射光，水平和/或垂直稜鏡片將入射光集中至顯示面板1155，亮度增強片藉由再使用未利用的光而加強亮度。
光學構件1154設置在發光模組1060上，將發光模組1060發出的光作為平面光源，且進行擴散及光集中等。
圖15顯示本發明實施例發光系統的透視圖。
在圖15中，發光系統1500可包括一殼體1510，一發光模組1530設置在殼體1510，以及一連接端子1520設置在殼體1510且從外部電源接收電力。
殼體1510最好由具有優良散熱特性的材料所形成，舉例而言，最佳的材料為金屬材料或樹脂材料。
發光模組1530可包括一基板1532，以及多個發光裝置封裝件100安裝在基板1532。複數個發光裝置封裝件100以一矩陣型或以預定間距互相分開排列。
基板1532為印有線路圖案的一絕緣體基板，可包括，舉例之言，印刷電路板(PCB)、金屬核心印刷電路板(MCPCB)、軟性印刷電路板(FPCB)、陶質印刷電路板等等。
另外，基板1532可由可有效反射光線的材料所形成，或者可在表面塗上能有效反射光線的顏色，如白色或銀色等。
至少一發光裝置封裝件100安裝在基板1532上。每個發光裝置封裝件100可包含至少一發光二極體晶片。該發光二極體晶片可包括如紅、綠、藍、或白光等可見光範圍的發光二極體，或發出紫外線(UV)的紫外線發光二極體。
可設置發光模組1530具有各式各樣的發光裝置封裝件100組合，以此取得顏色和亮度。舉例而言，為確保高演色性指數(color rendition index，CRI)，可安排白色發光二極體、紅色發光二極體、及綠色發光二極體的組合。
連接端子1520電性連接至發光模組1530以提供電源。連接端子1520以牙槽方式(socket scheme)插入一外部電源而開啟，但並非限定於此。舉例而言，連接端子1520以一插針形式 (pin type)形成且插入一外部電源，或可藉由導線連接至該外部電源。
如上所述，本發明實施例的發光系統可改善光效率，且可藉由包括本發明實施例的發光裝置或發光裝置封裝件而有效應用在情緒照明。
根據本發明的一實施例，使用該發光光照明可改善情緒照明效果。
再者，在本發明實施例中，可改善該發光裝置封裝件的光效率。
在本發明實施例中，可提供發光裝置封裝件具有微小色差，及使用其之光源單元。
在本說明書中所提及的「一實施例」、「實施例」、「範例實施例」等任何的引用，代表本發明之至少一實施例中包括關於該實施例的一特定特徵、結構、或特色。此類用語出現在文中多處但不盡然要參考相同的實施例。此外，在特定特徵、結構、或特性的描述關係到任何實施例中，皆認為在熟習此技藝者之智識範圍內其利用如此的其他特徵、結構或特色來實現其他實施例。
雖然參考實施例之許多說明性實施例來描述實施例，但應理解，熟習此項技藝者可想出將落入本發明之原理的精神及範疇內的眾多其他修改及實施例。更特定言之，在本發明、圖式及所附申請專利範圍之範疇內，所主張組合設置之零部件及/或設置的 各種變化及修改為可能的。對於熟習此項技術者而言，除了零部件及/或設置之變化及修改外，替代用途亦將顯而易見。
10‧‧‧主體
12‧‧‧主體
15‧‧‧腔體
16‧‧‧區域
17‧‧‧第一腔體
20‧‧‧發光裝置
21‧‧‧連接構件
22‧‧‧發光晶片
23‧‧‧發光晶片
25‧‧‧導線
26‧‧‧導線
27‧‧‧導線
28‧‧‧導線
31‧‧‧第一引線電極
32‧‧‧第二引線電極
33‧‧‧第一引線電極
33A‧‧‧第一引線
34‧‧‧第二腔體
35‧‧‧第二引線電極
35A‧‧‧第二引線
36‧‧‧第三腔體
38‧‧‧連接框
40、41、42、43、41A、41B‧‧‧第一樹脂層
401‧‧‧第一螢光體
402‧‧‧第一樹脂材料
403‧‧‧第一螢光體
404‧‧‧第一樹脂材料
44‧‧‧第二樹脂層
405‧‧‧第二螢光體
406‧‧‧第二樹脂材料
50、51、52、51A、51B‧‧‧第二樹脂層
501‧‧‧第二螢光體
502‧‧‧第二樹脂材料
53‧‧‧第三樹脂層
503‧‧‧第三螢光體
504‧‧‧第三樹脂材料
60‧‧‧第三樹脂層
100、100B、100C‧‧‧發光裝置封裝件
110‧‧‧發光結構
113‧‧‧第一導電型半導體層
114‧‧‧主動層
115‧‧‧第二導電型半導體層
116‧‧‧電極
121‧‧‧歐姆層
123‧‧‧保護層
124‧‧‧反射層
125‧‧‧導電輔助構件
1000‧‧‧顯示器
1011‧‧‧底蓋
1012‧‧‧容納部
1020、1033‧‧‧基板
1022‧‧‧反射構件
1031‧‧‧發光模組
1041‧‧‧導光板
1050‧‧‧光源單元
1051‧‧‧光學片
1060‧‧‧發光模組
1061‧‧‧顯示面板
1100‧‧‧顯示器
1150‧‧‧光源單元
1152‧‧‧底蓋
1153‧‧‧收容部
1154‧‧‧光學構件
1155‧‧‧顯示面板
1500‧‧‧發光系統
1510‧‧‧外殼
1520‧‧‧連接端子
1530‧‧‧發光模組
1532‧‧‧基板
P1、P2‧‧‧主峰波長
S1‧‧‧第一樹脂層的頂部表面
S2‧‧‧第二樹脂層的頂部表面
W1‧‧‧第一主峰波長
W2‧‧‧第二主峰波長
圖1為根據本發明實施例的發光裝置封裝件之側剖面圖。
圖2顯示圖1發光裝置發出的光之光路徑。
圖3顯示根據本發明第二實施例的發光裝置封裝件。
圖4顯示根據本發明第三實施例的發光裝置封裝件。
圖5顯示根據本發明第四實施例的發光裝置封裝件。
圖6顯示根據本發明第五實施例的發光裝置封裝件。
圖7顯示根據本發明第六實施例的發光裝置封裝件。
圖8顯示根據本發明第七實施例的發光裝置封裝件。
圖9顯示根據本發明第八實施例的發光裝置封裝件。
圖10為圖9的發光裝置封裝件之側剖面圖。
圖11顯示圖1之第一發光裝置和第二螢光體的一主峰波長。
圖12顯示圖1的發光裝置之一個範例。
圖13為具有圖1發光裝置封裝件的顯示器範例之透視圖。
圖14為具有圖1發光裝置封裝件的另一顯示器範例之透視圖。
圖15顯示一發光系統具有圖1之發光裝置封裝件。
10‧‧‧主體
15‧‧‧腔體
20‧‧‧發光裝置
21‧‧‧連接構件
31‧‧‧第一引線電極
32‧‧‧第二引線電極
40‧‧‧第一樹脂層
401‧‧‧第一螢光體
402‧‧‧第一樹脂材料
50‧‧‧第二樹脂層
501‧‧‧第二螢光體
502‧‧‧第二樹脂材料
60‧‧‧第三樹脂層
100‧‧‧發光裝置封裝件

Claims (19)

  1. 一種發光裝置封裝件，包括：一主體包括多個腔體；多個第一和第二引線電極設置在該主體的該腔體；一發光裝置設置在該些腔體，電性連接至該多個第一和第二引線電極的至少一者且發光一第一主峰波長範圍在410nm至460nm；以及一第一樹脂層具有第一螢光體在該發光裝置上；其中該第一樹脂層的該第一螢光體藉由激發具有該第一主峰波長的一些光而發出一第二主峰波長範圍在461nm至480nm的光，且該第一和第二主峰波長具有彼此互異的波長及含有相同顏色的光。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置封裝件，其中該發光裝置發出該第一主峰波長範圍在420nm±5nm的光，且該第一螢光體發出第二主峰波長範圍在470nm±5nm的光。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置封裝件，其中該發光裝置的該第一主峰波長與該第一螢光體的該第二主峰波長的差異為5 nm至69nm。
  4. 如申請專利範圍第1至第3項任一所述之發光裝置封裝件，更 包含一第二樹脂層在該第一樹脂層上，及該第一螢光體在該第二樹脂層。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之發光裝置封裝件，更包括第二螢光體在該第二樹脂層，其中該第二螢光體包括紅色、綠色、和黃色螢光體的至少二者。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之發光裝置封裝件，其中該發光裝置發出的光、該第一和第二螢光體混合顏色成為白光。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之發光裝置封裝件，更包括與該第一樹脂層下的該第一和第二螢光體隔開的一透明樹脂層。
  8. 如申請專利範圍第4項所述之發光裝置封裝件，其中該第一螢光體包括選自由BaMgAl10O17：Eu(Mn)、Sr5Ba3MgSi2O8：Eu2+、Sr2P2O7：Eu2+、SrSiAl2O3N2：Eu2+、(Ba1-xSrx)SiO4：Eu2+、(Sr,Ca,Ba,Mg)10(PO4)6C12：Eu2+、及CaMgSi2O6：Eu2+所組成之群組中的至少一者。
  9. 如申請專利範圍第1至第3項任一所述之發光裝置封裝件，其中該第一螢光體的直徑形成在1μm至10μm的範圍。
  10. 如申請專利範圍第4項所述之發光裝置封裝件，更包括與該第二樹脂層上的該第一螢光體隔開的一透明第三樹脂層。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之發光裝置封裝件，更包括第一螢光體在該第三樹脂層。
  12. 一種發光裝置封裝件，包括： 一主體包括一第一腔體；多個第一和第二引線電極設置在該第一腔體；一發光裝置設置在該腔體，電性連接至該第一和第二引線電極的至少一者且發出一第一藍光波長；以及一第一樹脂層設置在該發光裝置上且包括第一螢光體發出一第二藍光波長長於該第一藍光波長；其中該第一樹脂層的該第一螢光體發出第二藍光波長範圍在461nm至480nm。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之發光裝置封裝件，其中該第一和第二藍光波長之間的波長差異約為45nm至55nm。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之發光裝置封裝件，更包括一第二腔體設置在該第一引線電極，及一第三腔體設置在該第二引線電極，其中該發光裝置包括一第一發光裝置設置在該第二腔體和一第二發光裝置設置在該第三腔體，且該第一發光裝置和該第二發光裝置發出彼此相異的主峰波長。
  15. 如申請專利範圍第12至第14項任一所述之發光裝置封裝件，其中該第一發光裝置發出410nm至430nm的該第一主峰波長，且該第二發光裝置發出的光波長長於該第一發光裝置。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之發光裝置封裝件，其中該第一樹脂層設置在該第二腔體和該第三腔體，設置在第二腔體的該第一樹脂層的該第一螢光體發出該主峰波長範圍在465nm至475nm，以及設置在第三腔體的該第一樹脂層的該第一螢光體發出該主峰波長範圍在469nm至479nm。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之發光裝置封裝件，更包含一第二樹脂層包括第二螢光體在該第一樹脂層上方，其中該第二螢光體發出的光波長長於該第二藍光波長。
  18. 如申請專利範圍第16項所述之發光裝置封裝件，更包含一第三樹脂層包括該第一螢光體在該第二樹脂層上方，其中該第三樹脂層的該第一螢光體含量不同於該第一樹脂層的該第一螢光體含量。
  19. 一種發光系統，包括：一基板；以及複數個發光裝置封裝件設置在該基板上，其中該發光裝置封裝件包括一主體包括多個腔體；多個第一和第二引線電極設置在該主體的該腔體；一發光裝置設置在該腔體，電性連接至該多個第一和第二引線電極的至少一者且發出一第一主峰波長範圍在410nm至460nm；以及一第一樹脂層具有第一螢光體在該發光裝置上，藉由激發具有該第一主峰波長的一些光，該第一樹脂層的該第一螢光體發出 一第二主峰波長範圍在461nm至480nm的光，以及該第一和該第二主峰波長含有相同顏色的光。
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