KR20140124110A - 광 반도체 조명장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 단일 또는 복수의 엘이디 소자가 배치된 기판; 상기 엘이디 소자를 덮으며 상기 기판상에 배치되는 제1 몰드부; 및 상기 제1 몰드부의 가장자리로부터 연장되어 상기 기판상에 배치되는 제2 몰드부;를 포함하는 것을 특징으로 하여 각각의 엘이디 소자는 제1, 2 몰드부를 통해 기판과의 접착 강도를 향상시키고, 상기 제1, 2 몰드부를 통하여 침투되는 수분으로 인한 박리 및 표면 균일과 파손 등을 미연에 방지함은 물론, 제2 몰드부에도 포함되는 형광물질에 의하여 파장 변환율의 향상을 도모할 수 있도록 하는 광 반도체 조명장치에 관한 것이다.

Description

광 반도체 조명장치{OPTICAL SEMICONDUCTOR ILLUMINATING APPARATUS}
본 발명은 광 반도체 조명장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 다수의 엘이디 소자가 실장되었을 경우 수분의 침투를 방지하면서 각각의 엘이디 소자의 고정력을 강화하고, 구조적 강도의 향상도 도모할 수 있는 광 반도체 조명장치에 관한 것이다.
엘이디(발광 다이오드), 유기발광 다이오드, 레이저 다이오드, 유기전계 발광 다이오드 등과 같은 광원을 이용하는 광 반도체는 백열등과 형광등에 비하여 전력 소모량이 적으면서도 사용 수명이 길며 내구성도 뛰어남은 물론 훨씬 높은 휘도로 인하여 최근 조명용으로 널리 각광받고 있는 부품 중의 하나이다.
이러한 광 반도체를 광원으로 하는 조명장치는 광원 보호 등의 목적으로 기판 상에 배치되는 엘이디 소자 위에 수지로 몰딩 처리되는 경우가 있다.
그러나, 엘이디 소자 위에 몰딩 처리된 수지는 장시간의 사용시 엘이디 소자의 발열과 몰딩부를 통한 엘이디 소자로의 수분 침투 등 복합적인 요인으로 인하여 기판으로부터 몰딩부가 분리 또는 박리되는 문제점이 있었다.
특히, 엘이디 소자 위에 몰딩 처리된 수지가 기판으로부터 박리되면서 몰딩부의 표면이 갈라지거나 수지가 균열되고 파손되는 경우 엘이디 소자가 동작하지 않는 등 고장의 문제에 직면할 수도 있는 것이다.
특허출원 제10-2011-0083886호 특허출원 제10-2011-0071144호
본 발명은 상기와 같은 문제점을 개선하기 위하여 발명된 것으로, 다수의 엘이디 소자가 실장되었을 경우 몰딩부를 통한 수분의 침투를 방지하면서 각각의 엘이디 소자의 고정력을 강화할 수 있는 광 반도체 조명장치를 제공하기 위한 것이다.
그리고, 본 발명은 제2 몰딩부와 같은 구조로부터 구조적 강도의 향상을 도모할 수 있음은 물론, 형광물질을 통한 광변환율의 증가 또한 도모할 수 있도록 하는 광 반도체 조명장치를 제공하기 위한 것이다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 기판; 상기 기판에 배치되는 다수의 엘이디 소자; 상기 다수의 엘이디 소자 각각을 덮으며 상기 기판상에 배치되는 제1 몰드부; 및 상기 제1 몰드부의 가장자리로부터 연장되어 상기 제1 몰드부를 연결하는 제2 몰드부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 반도체 조명장치를 제공할 수 있다.
한편, 본 발명은 기판; 상기 기판에 배치된 엘이디 소자; 상기 엘이디 소자를 덮으며 상기 기판상에 배치되는 제1 몰드부; 및 상기 제1 몰드부의 가장자리로부터 연장되어 상기 기판상에 배치되는 제2 몰드부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 반도체 조명장치를 제공할 수도 있다.
여기서, 상기 기판의 상면으로부터 상기 제2 몰드부의 상면까지의 높이는 상기 엘이디 소자의 상면 높이보다 낮은 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 기판의 상면으로부터 상기 제2 몰드부의 상면까지의 높이는 상기 엘이디 소자의 상면 높이보다 낮거나 같은 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 제1 몰드부는 투명 또는 반투명의 수지재인 것을 특징으로 한다.
한편, 상기 제1 몰드부는, 투명 또는 반투명의 수지와, 상기 수지에 혼합되는 입자 형상의 형광물질을 포함하는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 제1 몰드부는, 투명 또는 반투명의 수지와, 상기 수지에 균일하게 혼합되는 입자 형상의 형광물질을 포함하는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 제1 몰드부는, 투명 또는 반투명의 수지와, 상기 수지에 혼합되어 상기 엘이디 소자의 표면 및 상기 엘이디 소자의 주변에 배치되는 입자 형상의 형광물질을 포함하는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 제2 몰드부는, 상기 제1 몰드부와 이웃한 제1 몰드부를 상호 연결하는 투명 또는 반투명의 수지와, 상기 수지에 혼합되는 입자 형상의 형광물질을 포함하는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 제1 몰드부는, 투명 또는 반투명의 수지와, 상기 수지의 하부측에 배치되는 입자 형상의 형광물질을 포함하는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 제1 몰드부는, 투명 또는 반투명의 수지와, 상기 수지에 혼합되어 상기 제1 몰드부의 상면에 배치되는 입자 형상의 형광물질을 포함하는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 제1 몰드부는, 투명 또는 반투명의 수지와, 상기 수지에 혼합되어 상기 제1 몰드부와 상기 제2 몰드부를 연결하는 일정한 두께를 지닌 형광물질의 띠를 포함하는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 제1 몰드부는, 투명 또는 반투명의 수지와, 상기 수지의 상부측에 배치되는 입자 형상의 형광물질을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제1 몰드부는, 원기둥 형상, 반구 형상, 타원 반구 형상, 다각 기둥 형상, 원추 형상, 원뿔대 형상, 다각뿔 형상, 다각뿔대 형상, 두개의 반구를 겹친 형상, 두개의 타원 반구를 겹친 형상 중 어느 하나 또는 하나 이상의 조합인 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 구성의 본 발명에 따르면 다음과 같은 효과를 도모할 수 있다.
우선, 본 발명은 수지재로 이루어진 제1 몰드부가 엘이디 소자를 덮고, 제2 몰드부가 제1 몰드부의 가장자리에서 연장 형성되어 기판의 상면을 덮는 구조로 되어 있으므로, 제2 몰드부가 기판상의 제1 몰드부의 고착력을 더욱 강화시켜 제1 몰드부가 온도 및 습도 등의 요인으로 인하여 박리되는 것을 방지할 수 있다.
특히, 제2 몰드부는 기판 상에 다수의 엘이디 소자가 배치된 경우에 고착되는 면적이 많아짐에 따라 더욱 위력을 발휘할 수 있을 것이다.
특히, 본 발명은 제1 몰드부는 물론 제2 몰드부에도 형광물질을 함께 배치하여 배광 면적을 더욱 확장할 수 있으면서도 파장 변환율 또한 향상시킬 수 있을 것이다.
즉, 형광물질을 제1, 2 몰드부에 배치하면 엘이디 소자에서 기판측으로 향하는 빛의 파장을 장파장으로 변환이 가능하기 때문이다.
그리고, 본 발명은 제1 몰드부를 상호 연결하는 제2 몰드부의 구조를 통하여 외부 충격에도 제1 몰드부가 엘이디 소자 및 기판로부터 이탈되는 일이 없이 구조적 강도를 유지할 수 있게 된다.
또한, 본 발명은 제1 몰드부와 제2 몰드부가 수지재에 의하여 일체로 형성되므로, 제작이 간편한 장점이 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 광 반도체 조명장치의 전체적인 구조를 나타낸 단면 개념도
도 2 내지 도 10은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 광 반도체 조명장치의 전체적인 구조를 나타낸 단면 개념도
도 11 및 도 12는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 광 반도체 조명장치의 제조 방법을 나타낸 단면 개념도
이하, 첨부된 도면을 참고로 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 광 반도체 조명장치의 전체적인 구조를 나타낸 단면 개념도이다.
본 발명은 도시된 바와 같이 기판(100) 상에 제1 몰드부(200)와 제2 몰드부(300)가 형성된 구조임을 파악할 수 있다.
기판(100)은 광원인 복수의 엘이디 소자(101)가 배치된 것이며, 도 6 내지 도 10과 같이 단일의 엘이디 소자(101)가 배치된 PCB 회로기판 및 MCPCB 회로기판 등을 포함하는 개념의 것일 수도 있다.
제1 몰드부(200)는 엘이디 소자(101)를 덮으며 기판(100)상에 배치되는 것으로, 엘이디 소자(101)를 외부 충격으로부터 보호하는 기본적인 역할을 수행하면서 후술할 제2 몰드부(300)와 함께 기판(100)에 대한 접착 강도를 향상시키고, 엘이디 소자(101)의 파장 변환율을 향상시키는 기술적 수단이라 할 수 있다.
제2 몰드부(300)는 제1 몰드부(200)의 가장자리로부터 연장되어 기판(100)상에 배치되는 것으로, 제1 몰드부(200)가 기판(100)에 좀더 강한 힘으로 부착된 상태를 유지할 수 있도록 하는 것이다.
일반적으로 제1 몰드부(200)의 높이를 조절함에 따라 지향각 및 배광 조절이 용이하게 되는 잇점은 있으나, 외부로부터 가해지는 물리, 화학적인 충격으로 인하여 제1 몰드부(200)가 기판(100) 및 엘이디 소자(101)로부터 이탈될 우려가 있다.
제2 몰드부(300)는 전술한 관점에서 개발된 것으로, 기판(100) 상에 제1 몰드부(200)가 부착된 상태를 유지하도록 접합되는 면적을 제공함으로써 제1 몰드부(200)와 이웃한 제1 몰드부(200)가 더욱 높은 구조적 강도를 가지고 배치된 상태를 유지할 수 있도록 하는 기술적 수단이다.
본 발명은 전술한 실시예의 적용이 가능하며, 다음과 같은 다양한 실시예의 적용 또한 가능함은 물론이다.
엘이디 소자(101)는 전술한 바와 같이 광원으로 작용하는 것이며, 복수로 배치될 경우, 기판(100) 상에 복수 또는 적어도 하나의 행과 열을 이루어 배치될 수 있다.
그리고, 본 발명은 복수의 엘이디 소자(101)가 일렬로 배치된 단위 배열체가 기판(100)의 중심으로부터 방사상으로 배치될 수도 있다.
그리고, 본 발명은 복수의 엘이디 소자(101)가 기판(100)의 중심으로부터 복수의 동심원 형상으로 배치될 수도 있다.
또한, 본 발명은 복수의 엘이디 소자(101)가 기판(100)의 중심으로부터 복수의 다각형 형상으로 배치되는 등의 응용 및 변형 설계 또한 가능함은 물론이다.
한편, 기판(100)의 상면으로부터 제2 몰드부(300)의 상면까지의 높이(h1)는 엘이디 소자(101)의 상면 높이(h2)보다 낮은 것이 엘이디 소자(101)로부터 조사되는 빛의 광간섭 및 광손실을 방지할 수 있다.
제1 몰드부(200)는 투명 또는 반투명인 실리콘 또는 에폭시 등과 같은 수지재로 제작되도록 하여 빛의 지향각과 배광 면적을 변화시킬 수 있다.
제1 몰드부(200)는 더욱 구체적으로 살펴보면 투명 또는 반투명의 수지(210)와 함께, 지향각을 넓히고 배광 면적을 증대시킬 수 있도록 수지(210)에 혼합되는 입자 형상의 형광물질(220)을 포함하는 것이 바람직하다.
즉, 입자 형상의 형광물질(220)은 엘이디 소자(101)의 파장을 장파장으로 여기시키는 것으로 도 2와 같이 수지(210)에 균일하게 혼합되도록 할 수 있다.
또한, 형광물질(220)은 수지(210)에 균일하게 혼합될수록 여기 파장의 비율을 증가시킬 수 있을 것이다.
그리고, 형광물질(220)은 수지(210)의 하부측에 혼합되도록 하되, 더욱 구체적으로는 도 3과 같이 엘이디 소자(101)의 표면 및 엘이디 소자(101)의 주변부에 배치되도록 할 수 도 있다.
그리고, 형광물질(220)은 수지(210)의 상부측에 혼합되도록 하되, 더욱 구체적으로는 도 4와 같이 제1 몰드부(200)의 상면에 배치되도록 할 수도 있다.
전술한 바와 같이 형광물질(220)이 수지(210)의 상, 하부측에 선택적으로 배치되도록 할 수 있는 것은 입자 또는 분말 형태의 수지(210)와 형광물질(220)을 트랜스퍼 몰딩할 때 용융시 수지(210)의 점도나 추후 형성될 제1, 2 몰드부(200, 300)를 양생(curing)시키는 온도나 압력 조건 등에 따라 달라지게 되며, 이는 후술시 상세하게 설명한다.
또한, 형광물질(220)은 도시된 바와 같은 입자 형상의 물질에 국한되지 않고 나노 입자 형태인 졸(sol)과 겔(gel) 타입의 것을 수지(210)의 표면에 도포하는 방식으로 형성되게 할 수 있다.
또한, 형광물질(220)은 전술한 바와 같은 나노 입자 형태인 졸(sol)과 겔(gel) 타입의 것을 엘이디 소자(101)의 표면 및 엘이디 소자(101)의 주변부에 도포하고 수지(210)가 배치되도록 할 수도 있을 것이다.
한편, 제1 몰드부(200)는 도 5와 같이 빛의 지향각과 배광 면적의 증대를 위하여 실로 다양한 형상의 것으로 제작될 수 있다.
즉, 제1 몰드부(200)는 도 5(a)에 도시된 단면 형상과 같이 원기둥 또는 다각 기둥 형상이 될 수 있으며, 도 5(b)에 도시된 단면 형상과 같이 원뿔대 또는 다각뿔대 형상이 될 수도 있다.
그리고, 제1 몰드부(200)는 도 5(c)에 도시된 단면 형상과 같이 반구 형상 또는 도 5(d)에 도시된 단면 형상과 같이 타원 반구 형상이 될 수도 있다.
그리고, 제1 몰드부(200)는 도 5(e)에 도시된 단면 형상과 같이 두개의 반구 또는 타원 반구를 겹친 형상이 될 수도 있음은 물론이다.
또한, 제1 몰드부(200)는 도 5(a) 내지 도 5(f)에 도시된 단면 형상의 것을 하나 이상 조합한 배치 설계 또한 가능할 것이다.
한편, 본 발명은 도 6 내지 도 10과 같이 단일의 엘이디 소자(101)가 배치된 기판(100) 상에 제1 몰드부(200)가 형성되고, 제1 몰드부(200)의 가장자리로부터 제2 몰드부(300)가 연장되어 기판(100)상에 배치되도록 하는 실시예의 적용 또한 가능함은 물론이다.
참고로, 도 6 내지 도 10에서 도시된 본 발명의 다양한 실시예에 따른 광 반도체 조명장치의 주요부에 대하여는 도 1 내지 도 5의 실시예와 대동소이하므로 편의상 상세한 설명은 생략한다.
상기와 같이 다양한 실시예에 따른 광 반도체 조명장치의 주요부인 제1 몰드부(200) 및 제2 몰드부(300)를 형성하는 과정에 대하여 도 11 및 도 12를 참조하여 설명하고자 한다.
우선, 도 2(도 7의 실시예를 제작하는 몰드에 관하여는 도 2의 실시예에 대한 설명을 참고)과 같이 수지(210)에 형광물질(220)이 균일하게 혼합된 구조의 제1 몰드부(200) 및 제2 몰드부(300)를 제작하고자 하면, 제1 몰드부(200) 및 제2 몰드부(300)에 대응되는 형상의 캐비티(C)가 형성된 몰드(500)를 이용한다.
즉, 용융수지(210')에 형광물질(220)을 균일하게 혼합하되, 입자 형태인 형광물질(220)이 침강하는 것을 방지하도록 용융수지(210')의 점도가 일정 정도 이상 유지되게 하는 것이 중요하다.
따라서, 작업자는 형광물질(220)이 균일하게 혼합된 용융수지(210')를 도 11과 같이 기판(100) 및 엘이디 소자(101) 상에 붓고, 용융수지(210')가 응고되기 전에 곧이어 캐비티(C)가 하측을 향하도록 배치된 몰드(500)를 하강시켜 제1 몰드부(200) 및 제2 몰드부(300)를 형성할 수 있다.
또한, 작업자는 형광물질(220)이 균일하게 혼합된 용융수지(210')를 도 12와 같이 상측으로 개방된 몰드(500)의 캐비티(C)에 형광물질(220)이 균일하게 혼합된 용융수지(210')를 붓고, 용융수지(210')가 응고되기 전에 곧이어 엘이디 소자(101)가 하측을 향하도록 배치된 기판(100)을 하강시켜 제1 몰드부(200) 및 제2 몰드부(300)를 형성할 수 있다.
한편, 도 3(도 8의 실시예를 제작하는 몰드에 관하여는 도 3의 실시예에 대한 설명을 참고)과 같이 엘이디 소자(101)의 표면 및 엘이디 소자(101)의 주변부에 형광물질(220)이 배치된 구조의 제1 몰드부(200) 및 제2 몰드부(300)를 제작하고자 하면, 도 11과 같은 몰드(500)를 이용한다.
즉, 용융수지(210')에 형광물질(220)을 혼합하되, 입자 형태인 형광물질(220)이 침강되도록 용융수지(210')의 양생 정도를 조절할 수 있다.
따라서, 작업자는 형광물질(220)이 혼합된 용융수지(210')를 도 11과 같이 기판(100) 및 엘이디 소자(101) 상에 붓고, 형광물질(220)이 침강되기까지 일정 시간 대기한 후 캐비티(C)가 하측을 향하도록 배치된 몰드(500)를 하강시켜 제1 몰드부(200) 및 제2 몰드부(300)를 형성할 수 있다.
한편, 도 4(도 9의 실시예를 제작하는 몰드에 관하여는 도 4의 실시예에 대한 설명을 참고)와 같이 수지(210)의 상면 부근에 형광물질(220)이 배치된 구조의 제1 몰드부(200) 및 제2 몰드부(300)를 제작하고자 하면, 도 12와 같은 몰드(500)를 이용한다.
즉, 용융수지(210')에 형광물질(220)을 혼합하되, 입자 형태인 형광물질(220)이 침강되도록 용융수지(210')의 양생 정도를 조절할 수 있다.
따라서, 작업자는 형광물질(220)이 혼합된 용융수지(210')를 도 12와 같이 몰드(500)의 캐비티(C) 내에 붓고, 형광물질(220)이 침강되기까지 일정 시간 대기한 후 엘이디 소자(101)가 하측을 향하도록 배치된 기판(100)을 하강시켜 제1 몰드부(200) 및 제2 몰드부(300)를 형성할 수 있다.
이상과 같이 본 발명은 다수의 엘이디 소자가 실장되었을 경우 수분의 침투를 방지하면서 각각의 엘이디 소자의 고정력을 강화할 수 있고, 제2 몰딩부와 같은 구조로부터 구조적 강도의 향상을 도모할 수 있음은 물론, 광변환율의 증가 또한 도모할 수 있도록 하는 광 반도체 조명장치를 제공하는 것을 기본적인 기술적 사상으로 하고 있음을 알 수 있다.
그리고, 본 발명의 기본적인 기술적 사상의 범주 내에서 당해 업계 통상의 지식을 가진 자에게 있어서는 다른 많은 변형 및 응용 또한 가능함은 물론이다.
100...기판 101...엘이디 소자
200...제1 몰드부 300...제2 몰드부

Claims (18)

  1. 기판;
    상기 기판에 배치되는 다수의 엘이디 소자;
    상기 다수의 엘이디 소자 각각을 덮으며 상기 기판상에 배치되는 제1 몰드부; 및
    상기 제1 몰드부의 가장자리로부터 연장되어 상기 제1 몰드부를 연결하는 제2 몰드부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 반도체 조명장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판의 상면으로부터 상기 제2 몰드부의 상면까지의 높이는 상기 엘이디 소자의 상면 높이보다 낮은 것을 특징으로 하는 광 반도체 조명장치.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판의 상면으로부터 상기 제2 몰드부의 상면까지의 높이는 상기 엘이디 소자의 상면 높이보다 낮거나 같은 것을 특징으로 하는 광 반도체 조명장치.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 몰드부는 투명 또는 반투명의 수지재인 것을 특징으로 하는 광 반도체 조명장치.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 몰드부는,
    투명 또는 반투명의 수지와,
    상기 수지에 혼합되는 입자 형상의 형광물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 반도체 조명장치.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 몰드부는,
    투명 또는 반투명의 수지와,
    상기 수지에 균일하게 혼합되는 입자 형상의 형광물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 반도체 조명장치.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 몰드부는,
    투명 또는 반투명의 수지와,
    상기 수지에 혼합되어 상기 엘이디 소자의 표면 및 상기 엘이디 소자의 주변에 배치되는 입자 형상의 형광물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 반도체 조명장치.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 제2 몰드부는,
    상기 제1 몰드부와 이웃한 제1 몰드부를 상호 연결하는 투명 또는 반투명의 수지와,
    상기 수지에 혼합되는 입자 형상의 형광물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 반도체 조명장치.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 몰드부는,
    투명 또는 반투명의 수지와,
    상기 수지의 하부측에 배치되는 입자 형상의 형광물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 반도체 조명장치.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 몰드부는,
    투명 또는 반투명의 수지와,
    상기 수지에 혼합되어 상기 제1 몰드부의 상면에 배치되는 입자 형상의 형광물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 반도체 조명장치.
  11. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 몰드부는,
    투명 또는 반투명의 수지와,
    상기 수지에 혼합되어 상기 제1 몰드부와 상기 제2 몰드부를 연결하는 일정한 두께를 지닌 형광물질의 띠를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 반도체 조명장치.
  12. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 몰드부는,
    원기둥 형상, 반구 형상, 타원 반구 형상, 다각 기둥 형상, 원추 형상, 원뿔대 형상, 다각뿔 형상, 다각뿔대 형상, 두개의 반구를 겹친 형상, 두개의 타원 반구를 겹친 형상 중 어느 하나 또는 하나 이상의 조합인 것을 특징으로 하는 광 반도체 조명장치.
  13. 기판;
    상기 기판에 배치된 엘이디 소자;
    상기 엘이디 소자를 덮으며 상기 기판상에 배치되는 제1 몰드부; 및
    상기 제1 몰드부의 가장자리로부터 연장되어 상기 기판상에 배치되는 제2 몰드부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 반도체 조명장치.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 기판의 상면으로부터 상기 제2 몰드부의 상면까지의 높이는 상기 엘이디 소자의 상면 높이보다 낮은 것을 특징으로 하는 광 반도체 조명장치.
  15. 청구항 13에 있어서,
    상기 제1 몰드부는 투명 또는 반투명의 수지재인 것을 특징으로 하는 광 반도체 조명장치.
  16. 청구항 13에 있어서,
    상기 제1 몰드부는,
    투명 또는 반투명의 수지와,
    상기 수지에 균일하게 혼합되는 입자 형상의 형광물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 반도체 조명장치.
  17. 청구항 13에 있어서,
    상기 제1 몰드부는,
    투명 또는 반투명의 수지와,
    상기 수지에 혼합되어 상기 엘이디 소자의 표면 및 상기 엘이디 소자의 주변에 배치되는 입자 형상의 형광물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 반도체 조명장치.
  18. 청구항 13에 있어서,
    상기 제1 몰드부는,
    원기둥 형상, 반구 형상, 타원 반구 형상, 다각 기둥 형상, 원추 형상, 원뿔대 형상, 다각뿔 형상, 다각뿔대 형상, 두개의 반구를 겹친 형상, 두개의 타원 반구를 겹친 형상 중 어느 하나 또는 하나 이상의 조합인 것을 특징으로 하는 광 반도체 조명장치.
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104916760A (zh) * 2015-05-08 2015-09-16 李峰 一种胶膜模腔式制作方法及其制成的胶膜
KR102422246B1 (ko) 2015-07-30 2022-07-19 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지
JP6387954B2 (ja) * 2015-12-24 2018-09-12 日亜化学工業株式会社 波長変換部材を用いた発光装置の製造方法
USD826184S1 (en) * 2016-03-24 2018-08-21 Hamamatsu Photonics K.K. Optical semiconductor element
USD831593S1 (en) * 2016-03-24 2018-10-23 Hamamatsu Photonics K.K Optical semiconductor element
KR20190075195A (ko) 2017-12-20 2019-07-01 삼성디스플레이 주식회사 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 표시장치
JP7330755B2 (ja) * 2019-05-16 2023-08-22 スタンレー電気株式会社 発光装置
CN111987081A (zh) * 2020-08-26 2020-11-24 天水华天科技股份有限公司 一种led显示模组的防串光格栅的成型方法及塑封模
JP7239840B2 (ja) * 2020-08-31 2023-03-15 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MY131962A (en) * 2001-01-24 2007-09-28 Nichia Corp Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same
EP1693904B1 (en) * 2005-02-18 2020-03-25 Nichia Corporation Light emitting device provided with lens for controlling light distribution characteristic
US8941293B2 (en) * 2006-05-11 2015-01-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Solid state lighting devices comprising quantum dots
KR101258227B1 (ko) * 2006-08-29 2013-04-25 서울반도체 주식회사 발광 소자
JP2009130301A (ja) * 2007-11-27 2009-06-11 Sharp Corp 発光素子および発光素子の製造方法
JP2012134295A (ja) * 2010-12-21 2012-07-12 Toshiba Corp 半導体発光装置及びその製造方法
JP5582048B2 (ja) * 2011-01-28 2014-09-03 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR101496921B1 (ko) * 2011-04-05 2015-02-27 미쓰이 긴조꾸 고교 가부시키가이샤 발광 디바이스
KR20130014256A (ko) * 2011-07-29 2013-02-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 이용한 조명 시스템
JP2013135084A (ja) * 2011-12-26 2013-07-08 Nitto Denko Corp 発光ダイオード装置の製造方法
US8907362B2 (en) * 2012-01-24 2014-12-09 Cooledge Lighting Inc. Light-emitting dies incorporating wavelength-conversion materials and related methods
US20140168975A1 (en) * 2012-12-14 2014-06-19 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd Lighting fixture with flexible lens sheet

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