JP5903672B2 - 発光装置及びそれを用いた照明装置 - Google Patents

発光装置及びそれを用いた照明装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5903672B2
JP5903672B2 JP2011113979A JP2011113979A JP5903672B2 JP 5903672 B2 JP5903672 B2 JP 5903672B2 JP 2011113979 A JP2011113979 A JP 2011113979A JP 2011113979 A JP2011113979 A JP 2011113979A JP 5903672 B2 JP5903672 B2 JP 5903672B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
light emitting
substrate
solid
emitting device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2011113979A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2012243641A (ja
Inventor
啓嗣 騎馬
啓嗣 騎馬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Original Assignee
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd filed Critical Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Priority to JP2011113979A priority Critical patent/JP5903672B2/ja
Publication of JP2012243641A publication Critical patent/JP2012243641A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5903672B2 publication Critical patent/JP5903672B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124Aluminium (Al) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45139Silver (Ag) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147Copper (Cu) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Description

本発明は、光源として複数の固体発光素子を用いた発光装置及びそれを用いた照明装置に関する。
発光ダイオード(以下、LED)は、低電力で高輝度の発光が可能であり、しかも長寿命であることから、白熱灯や蛍光灯に代替する照明装置用の光源として注目されている。照明装置に用いられるLEDとして、青色光を出射する青色LEDチップに、この青色光を黄色光に波長変換する蛍光体層を被覆させて、青色光と黄色光との混光により白色光を生成する白色LEDパッケージが知られている。
この種のLEDパッケージは、一般的に、搭載される蛍光体層の発光面が、平面又は半球状で形成されているので、LEDの前方への指向性が高い配光となる。そのため、このようなLEDパッケージを、拡散透過パネルを備えた照明装置に搭載したとき、拡散透過パネルの出射面において、LEDの直上部の輝度が局所的に高くなり易く、輝度分布が不均一となり、グレアが生じることがある。
そこで、LEDパッケージからの光の配光を広角配光とするレンズを備えた発光装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。この発光装置は、LEDの光出射方向に設けられた、断面形状が双山状となったレンズを用いて、LEDからの光を屈折及び反射させて出射することにより、出射光の配光を広角配光とすると共に、輝度分布を均一化している。このレンズによれば、特に、LEDの直上近傍に出射される光を屈折させて、配光を広角にすることができる。
特開2011−34770号公報
しかしながら、上記特許文献1に記載の発光装置においては、レンズの周縁部が基板側へ傾斜しているので、LEDから比較的広角に出射されている光は、光学部材の出射面への入射角が小さく、この面を透過するとき僅かにしか屈折されない。そのため、LED及びこれを実装する基板の外周方向へは光を照射させることができず、配光角度をLEDの側方方向まで広くすることができない。
また、照明装置においては、輝度分布の均一化やグレアの低減だけでなく、空間の明るさ感を効果的に向上させることも重要な要素になっている。そして、空間の明るさ感を向上させる照明技術として、天井や壁面等の周囲を均一に明るくする、いわゆるアンビエント照度を向上させることが挙げられる。しかしながら、上記特許文献1に示される発光装置においては、レンズの基板と対向する面が乱全反射面として形成されているので、発光装置の施工面側へ光を照射させることができず、アンビエント照度を向上させることができない。
本発明は、上記課題を解決するものであり、光源から出射光の配光を広角にすることができ、また、施工面側へ光を照射させ、アンビエント照度を向上させることができる発光装置及びこの発光装置を用いた照明装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、本発明に係る発光装置は、基板と、前記基板上に実装される固体発光素子と、前記固体発光素子の光導出方向に設けられた光学部材と、を備え、前記光学部材は、前記固体発光素子及び前記基板を覆うように配され、且つ前記基板の周縁部よりも外周側に延設されており、前記固体発光素子と対向して、該固体発光素子からの出射光を入射する入射面と、前記入射面と対峙し、該入射面から入射された光を透過する透過面と、前記透過面の外周側に位置し、前記固体発光素子からの出射光を全反射する全反射面と、前記全反射面の周縁部と前記入射面とを接続する接続面と、を有し、前記接続面は、前記全反射面で全反射された光を透過して前記全反射面よりも外周側へ出射する側方透過面を有し、前記側方透過面は、前記入射面側から前記全反射面側へ逆テーパ状に傾斜するように形成されており、前記全反射面は、前記固体発光素子の実装位置を焦点とする放物線の一部の形状を含むように、且つ前記透過面と滑らかに連続する曲面として形成されていることを特徴とする。
上記発光装置において、前記入射面は、前記固体発光素子を収納する凹状の収容部を有し、前記透過面は、前記固体発光素子方向に凹状となる凹状湾曲面を有し、前記全反射面は、前記固体発光素子の光導出方向に凸状となる凸状湾曲面を有することが好ましい。
上記発光装置において、前記基板上に複数の固体発光素子が実装され、前記光学部材は、複数の前記固体発光素子を覆うように設けられていることが好ましい。
上記発光装置において、前記基板上に複数の固体発光素子が実装され、前記光学部材は、前記複数の固体発光素子のうち少なくとも前記基板の周縁部に近接する固体発光素子に設けられていることが好ましい。
上記発光装置は、照明装置に用いられることが好ましい。
上記照明装置において、前記光学部材を覆うカバー部材を更に備え、該カバー部材は、前記入射面及び前記全反射面と対向する面に、光を拡散して透過する拡散透過部を有し、前記側方透過面と対向する面に、光を透過する透過部を有していることが好ましい。
本発明の発光装置によれば、光学部材の入射面から入射された光は、透過面から外周側へ屈折されて、又は全反射面で全反射されて基板の周縁部より外周側にある側方透過面から出射されるので、光を広角に配光でき、基板を施工面側としたとき、この施工面側へ光が照射され、アンビエント照度を向上させることができる。
本発明の第1の実施形態に係る発光装置の側断面図。 同発光装置の斜視図。 同発光装置における光学部材の全反射面の形状を説明するための図。 同発光装置に用いられる固体発光装置の詳細な構成を示す側断面図。 同上実施形態の変形例に係る発光装置の側断面図。 別の変形例に係る発光装置の側断面図。 本発明の第2の実施形態に係る発光装置及びこれを用いた照明装置の側断面図。 同上実施形態の変形例に係る発光装置及びこれを用いた照明装置の側断面図。
本発明の第1の実施形態に係る発光装置及びそれを用いた照明装置について、図1乃至図5を参照して説明する。本実施形態の発光装置1は、図1及び図2に示すように、固体発光素子としての発光ダイオード(以下、LED)2と、LED2が実装される配線基板(以下、基板)3と、LED2から放射された光の配光を調整する光学部材4と、を備える。発光装置1は、基板3側を施工面とすればよく、基板3の下面と施工面との間に、アンビエント照明用の空間が設けられる。
光学部材4は、アクリル樹脂、シリコーン樹脂又はガラス等の透光性材料から形成されたレンズであり、LED2及び基板3を覆うように配され、且つ基板3の周縁部よりも外周側に延設されている。例えば、基板3が矩形状であり、その対角線の長さが3cmであれば、光学部材4の外径はφ9cmとされるが、光学部材4の外周が基板3の周縁部よりも十分に大きければよく、上記サイズに限られない。なお、固体発光素子は、LEDに限らず、例えば、有機EL素子等であってもよい。
また、光学部材4は、LED2からの光を入射する入射面41と、入射面41からの光を透過する透過面42と、入射面41からの光を全反射する全反射面43と、全反射面43の周縁部と入射面41とを接続する接続面44と、を有する。
入射面41は、光学部材4の底面の略中央部であって、LED2と対向する位置に形成されている。また、入射面41は、LED2を収納する凹状の収容部41aを有する。この収容部41aの内表面(入射面41)の形状は、LED2から一定の距離を持つように、例えば、半球状に形成されている。また、入射面41の形状は、LED2から放射状に出射された光を全反射することなく効率的に光学部材4内に導入できるように、平滑面とされる。また、収容部41aには、例えば、光学部材4を構成する樹脂材料と同じ材料又はこれよりも低屈折率の材料等が適宜に充填されていてもよい。本実施形態においては、収容部41aの周囲に、基板3と接合されるフラットな取付底面41bが形成される。この取付底面41bは、基板3の大きさと略同じ大きさに形成される。
透過面42は、光学部材4の光出射面の略中央部であって、入射面41と対峙する位置に形成されている。また、透過面42は、LED2の方向に凹状となる凹状湾曲面42aを有する。この凹状湾曲面42aによって、入射面41からの光は、透過面42の界面で外周側へ屈折して、光学部材4外へ放射されるので、LED2からの出射光の配光を広角にすることができる。
図例では、透過面42が平滑な面として形成された構成を示すが、これに限らず、透過面42は粗面として形成されていてもよい。すなわち、透過面42の表面を粗面化することによって、入射面41からの光が、透過面42を透過するときに拡散されるので、グレアの発生を抑制することができる。粗面化は、例えば、小さな砂等の光学部材4よりも硬度の高い材料を表面に当てるブラスト処理等によって行われる。このとき、透過面42の表面に当てる砂の量又は砂粒のサイズを適宜に調整することにより粗度を任意に設定することができる。また、透過面42上において、粗度に分布を持たせてもよい。例えば、透過面42におけるLED2の直上部は、特に輝度が高くなるので、この部分の粗度を高くすることにより、グレアの発生を効果的に抑制することができる。
全反射面43は、透過面42の外周側の位置に設けられ、その外径は基板3の周縁部より十分に大きく、光学部材4の周縁部を成す。また、全反射面43は、LED2の光導出方向に凸状となる凸状湾曲面43aを有する。入射面41からの光は、凸状湾曲面43a(全反射面43)の界面で全反射されて、光学部材4内における基板3の周縁部よりも外周側の領域へ導光される。
ここで、全反射面43の詳細な形状について図3を参照して説明する。全反射面43は、LED2(光源)の位置を焦点とする放物線の一部の形状を含むように形成される。放物線の性質として、焦点から出射された光は、放物線をスキージした面で反射すると平行光になる。従って、上記焦点にLED2を配置し、放物面(全反射面43)への入射角を臨界角以上にすれば、LED2から出射された光は、全て全反射面43(放物面)で全反射される。例えば、光学部材4がポリカーボネート樹脂によって形成されている場合、ポリカーボネート樹脂の屈折率は1.585であり、臨界角は約39°である。また、これら透過面42及び全反射面43が、滑らかに連続する曲面として形成されることにより、これら曲率が変化する領域における光ムラの発生を抑制することができる。
接続面44は、基板3の周縁部の外周側に位置するように設けられる。また、接続面44は、全反射面43で全反射された光を透過して全反射面よりも外周側へ出射する側方透過面44aと、入射面41の外周側にある取付底面41bと接続される凸状面44bと、側方透過面44aと凸状面4とを連結する連結面44cと、を有する。
側方透過面44aは、全反射面43で全反射された平行光が、当該側方透過面44に対して小さな入射角で入射するように、連結面44c側から全反射面43側へ逆テーパ状に傾斜するように形成されている。こうすれば、全反射面43からの光は、側方透過面44aで全反射することなく、施工面方向へ僅かに屈折しながら透過し、光学部材4の側方方向へ出射される。この側方透過面44aの表面も、上記透過面42と同様に、粗面化されていてもよい。こうすれば、側方透過面44aを透過する光が拡散されるので、広範囲に光を照射することができる。また、側方透過面44aの表面に微細の凹凸構造を形成してもよく、この場合も粗面化と同様の効果が得られる。
凸状面44bは、光学部材4の外周方向に凸状となるように形成され、入射面41からの光を全反射面43方向へ全反射する。こうすれば、入射面41からの光のうち、全反射面43よりも更に外周側へ放射された光が、凸状面44bで全反射されて、全反射面43へ向かい、全反射面43を透過して、光学部材4外へ放射される。つまり、全反射面43からも光が照射されるので、光学部材4の表面全体から光を照射することができる。また、凸状面44bの表面は、上記側方透過面44aと同様に、粗面化又は微細な凹凸構造が形成されていてもよい。こうすれば、凸状面44bに入射した光の一部が、全反射されることなく、施工面側へ拡散して透過されるので(不図示)、基板3外周近傍のアンビエント照度を向上させることができる。
連結面44cは、LED2(光源)から放射状に放射される光の光軸と平行になるように、連結面44cから側方透過面44aにかけて僅かに傾斜するように形成される。こうすれば、連結面44cが、LED2から直接的に側方透過面44aへ向かう光を妨げないので、効果的に側方方向へ光を照射させることができる。
LED2は、図4に示すように、LED2の出射光の波長を変換する波長変換部材21が被覆されて、LEDパッケージとして構成される。このLEDパッケージの大きさは、例えば、2mmとされる。LED2は、発光装置1として所望の光色の発光を可能とする光源であれば特に限定されないが、発光ピーク波長が460nmの青色光を放射するGaN系青色LEDチップが好適に用いられる。本実施形態において、LED2には、素子上面に陽極及び陰極の各電極が設けられた、いわゆるフェイスアップ型の素子が用いられる。LED2の実装方法としては、LED2が基板3上に、ダイボンド材31によって接合され、LED2の素子上面に設けられた各電極を、基板3上に設けられた配線パターン32に、ワイヤ33を用いて結線させる。これにより、LED2と配線パターン32とが電気的に接続される。ダイボンド材31としては、例えば、シリコーン系樹脂、銀ペースト、その他高耐熱のエポキシ系樹脂材等が用いられる。なお、ここでは、LED2の実装方法として、フェイスアップ式の素子をワイヤボンディング実装する例を示したが、LED2は下面側に電極を配したフェイスダウン式の素子であってもよく、この場合、例えば、フリップチップ実装によりLED2が実装される。
基板3は、母材として、例えば、ガラスエポキシ樹脂等の汎用の基板用板材が好適に用いられる。アルミナや窒化アルミ等のセラミック基板、表面に絶縁層が設けられた金属基板であってもよい。この基板3上に、LED2に給電するための配線パターン32が設けられている。基板3の形状は、LED2及び波長変換部材21等の搭載部材を搭載できるサイズ及び形状であればよく、厚みは、取り扱い時に撓み等の変形を生じない強度を有する程度であればよい。
基板3上に形成された配線パターン32は、例えば、Au表面でメッキ法により形成される。メッキ法は、Auに限られず、例えば、Ag、Cu、Ni等であってもよい。また、各パターン部の表面のAuは、基板3との接着力を向上させるために、例えば、Au/Ni/Agといった積層構造とされてもよい。なお、配線パターン32は、その表面に光反射処理が施され、LED2からの基板3側へ出射された光を反射するように構成されていてもよい。また、基板3及び配線パターン32の表面は、ワイヤ33の結線やLED2の実装に必要な領域を除き、白色レジストによって覆われていることが好ましい。この白色レジストは、例えば、リフトオフ法等により形成される。こうすれば、白色レジストによって各パターン部が保護されるので、配線の安定性が向上し、しかも、発光装置1を照明装置に組み込む際の取り扱いが容易となり、装置の製造効率が良くなる。
ワイヤ33には、例えば、汎用の金ワイヤが用いられる。また、アルミワイヤ、銀ワイヤ又は銅ワイヤ等であってもよい。ワイヤ33は、熱接合又は超音波接合等の公知の接合方法により、LED2の各電極及び配線パターン32に接合される。
波長変換部材21は、透光性を有する樹脂材料(例えば、シリコーン樹脂)に、LED2から出射された青色光によって励起され、黄色光を放射する粒子状の黄色蛍光体を分散させた混合材料を、上述した形状に形成加工して作製された光学部材である。透光性を有する樹脂材料は、例えば、屈折率が1.2〜1.5のシリコーン樹脂が用いられる。
蛍光体には、LED2から出射された青色光の一部を吸収して励起され、波長500〜650nmの波長域にピーク波長を有する周知の黄色蛍光体が好適に用いられる。この黄色蛍光体は、発光ピーク波長が黄色波長域内にあり、且つ、発光波長域が赤色波長域を含むものである。黄色蛍光体としては、イットリウム(Yttrium)とアルミニウム(Aluminum)の複合酸化物のガーネット(Garnet)構造の結晶から成る、いわゆるYAG系蛍光体が挙げられるが、これに限られない。例えば、色温度や演色性を調整するため等に、複数色の蛍光体を混色させて用いてもよく、赤色蛍光体と緑色蛍光体を適宜に混合させることにより、演色性の高い白色光を得ることができる。なお、波長変換部材21を構成する樹脂材料には、上記蛍光体に加えて、例えば、光拡散材又はフィラー等が添加されてもよい。
波長変換部材21には、図示した半球形状のものが用いられる。また、縦断面視においてはLED2の側方方向の厚さよりも上方方向の厚さが厚く、光導出方向に頂点部を有する縦長の凸形状であって、縦断面が高さ方向に長径を有する半楕円形状となるように形成されていてもよい。このような波長変換部材21を、LED2に被覆させれば、LED2からの出射光の波長を変換して、任意の光色の光を出射するだけでなく、LED2及びワイヤ33を保護することができる。
波長変換部材21の形成方法としては、例えば、上述した形状に成形された金型に、蛍光体含有樹脂を充填し、LED2が実装された基板3を、逆さまの状態で、金型内の樹脂上面に置載して、硬化させる方法が挙げられる。また、LED2が設置される空間に凹部を設けた碗形状の成形品を、蛍光体含有樹脂を用いて予め作成し、この凹部に成形品と同様の樹脂を充填してLED2を覆うように基板3上に置載して、硬化させる方法であってもよい。更に、LED2が実装された基板3上にディスペンサを用いて、比較的チクソ性の高い蛍光体含有樹脂を塗布して所望の形状を形成してもよい。また、この成形体を切削及び研磨することにより、上述した波長変換部材21の形状となるように形成加工する方法であってもよい。形成された波長変換部材21は、上述した樹脂が硬化する前に、その樹脂によって、又は硬化後には同様の樹脂によって、基板3上に接着される。
LED2から発せられた光は、その発光部の略中心を通る光導出軸を中心として放射状に出射される。光の一部は、波長変換部材21に含まれる蛍光体に当たり、基底状態にある蛍光体を励起状態に遷移させ、励起状態となった蛍光体は、LED2からの光とは波長が異なる光を放出して基底状態に戻る。このとき放出された光と、LED2自体から出射された光とが混光されて、LED2(パッケージ)の発光面から、所定波長の光が放射される。
次に、光学部材4によって、光がどのように配光制御されるか、上述した図1を参照して説明する。LED2から光学部材4の入射面41に入射した光のうち、LED2の直上方向へ向かう光は、透過面42を屈折しながら透過して光学部材4外へ放射される。このとき、透過面42が凹状碗曲面42aとなっていることにより、透過面42に入射した光は外周側へ屈折して出射されるので、出射光の配光を広角にすることができる。次に、透過面42よりも外周側へ向かう光は、全反射面43によって全反射されて平行光となる。この平行光は、接続面44の側方透過面44aを屈折しながら透過する。その結果、発光装置1は、基板3の周縁部の外周側の領域に光を照射することができる。
また、LED2から光学部材4の入射面41に入射した光のうち、全反射面43よりも外周側へ向かう光は、直接的に側方透過面44aを透過して、側方へ出射される。側方透過面44aよりも更に外周側へ向かう光は、凸状面44bで全反射されて、全反射面43から出射される。従って、本実施形態の発光装置1によれば、LED2から出射光の配光を広角にすることができ、また、施工面側へ光を照射させ、アンビエント照度を向上させることができる。
次に、本実施形態の変形例に係る発光装置について図5を参照して説明する。本変形例の発光装置1は、基板3上に複数のLED2が実装され、複数のLED2のうち、基板3の周縁部に近接するLED2に、光学部材4が設けられているものである。他の構成は上記実施形態と同様である。
また、図例では、LED2は、基板3上に格子状に配置されている構成を示すが、これに限らず、例えば、複数のLED2がアレイ状、同心円状、又は環状等(不図示)に配置されていてもよい。更に、基板3の中央寄りに配置されたLED2にも、基板3の周縁部に近接するLED2と同様に、光学部材4が設けられている構成を示す。なお、基板3の中央寄りに配置されたLED2には、出射光の配光を広角に配光制御し、基板3側へ光を出射しないように構成された別途の光学部材(不図示)が設けられていてもよい。
この構成によれば、複数のLED2を用いているので、アンビエント照度をより向上させることができる。しかも広範囲に亘ってアンビエント照度を高くすることができる。
別の変形例に係る発光装置について図6を参照して説明する。本変形例の発光装置1は、基板3上に複数のLED2が実装され、一つの光学部材4が、これら複数のLED2を覆うように設けられているものである。本変形例においては、基板3上に複数のLED2がアレイ状に配置されている。これに限らず、上記図5に示した変形例と同様に、複数のLED2が格子状に配置されていてもよいし、同心円状又は環状等(不図示)に配置されていてもよい。本変形例においては、光学部材4の入射面41にある収容部41aが、複数のLED2を収容できるように、大きく形成されている。他の構成は上記実施形態と同様である。
この構成によれば、複数のLED2を密集させたLED群から成る光源を備えた発光装置1おいても、上記実施形態と同様に、発光装置1の施工面側へ光を照射させることができ、アンビエント照度を向上させることができる。また、本変形例のように、アレイ状に配置されている複数のLED2の夫々の出射光は、光学部材4の入射面41と基板3とで囲まれる収容部41a内で、複数回反射されて光学部材4に入射する。従って、発光装置1から照射される光の輝度ムラを低減することができ、また、LED光源特有の粒々感を低減することができる。
次に、本発明の第2の実施形態に係る発光装置及びこれを用いた照明装置について、図7を参照して説明する。本実施形態の発光装置1は、LED2、基板3及び光学部材4を保持する保持部材を備え、この保持部材は、施工面6に埋め込まれるように構成されている。本例において、保持部材は、器具本体5の底面に組み込まれている。基板3は、ネジ51により器具本体5(保持部材)に固定される。この発光装置1には、光学部材4を覆うようにカバー部材7が取り付けられ、更に電源部等(不図示)が備えられて、照明装置10が構成される。照明装置10は、ボルト61により施工面6に固定される。
器具本体5は、基板3が取り付けられる面が基板3よりも大きく延設されており、この部分箇所にカバー部材7が係止部62により係止される。また、器具本体5は、所定の剛性を有するアルミニウム板又は鋼板等の板材を、上記形状にプレス加工したものであり、上記電源部が内蔵されている。この電源部からは正負極のリード線(不図示)が引き出されており、これらのリード線により、電源部が所定の外部給電部(不図示)に電気的に接続される。なお、施工面6は、天井に限らず、壁面等であってもよい。この施工面6の表面には、可視光に対する反射率が高い白色の壁紙等が貼着されていることが好ましい。
カバー部材7には、直方体箱形状のものが用いられる。カバー部材7は、光学部材4の透過面42及び全反射面43と対向する面が平坦面71として、接続面44と対向する面が平坦面71の周縁部から施工面6に方向に垂直な周側面72として形成される。また、平坦面71と、周側面72の平坦面71寄りの領域は、光を拡散して透過する拡散透過部71aとして構成され、周側面72の側方透過面44aと対向する面が、光を透過する透過部72aとして構成される。
カバー部材7は、アクリル樹脂等の透光性樹脂を所定形状に形成加工した部材であり、上記拡散透過部71aの部分は、透光性樹脂材料に酸化チタン等の拡散粒子を添加した乳白色材料が用いられる。なお、カバー部材7は、透明なガラス板又は樹脂板のうち、拡散透過部71aの部分に、サンドブラスト処理を施して粗面としたもの、又はシボ加工を施したもの等であってもよい。
この構成によれば、側方透過面44aから出射される光は、側方から施工面6側へ照射されるので、直接的に居住者等に向けられることがなく、グレアを生じさせる虞がない。従って、カバー部材7の側方透過面44aと対向する部分に透過部72aを設けることにより、効率的に光を照射することができ、より広い範囲のアンビエント照度を向上させることができる。また、カバー部材7の居住者等の視界に入る部分に拡散透過部71aを設けることにより、光学部材4を目立たなくるつとも共に、グレアの発生を抑制することができる。
また、器具本体5が施工面6に埋め込まれ、光学部材4が施工面6から突出した位置で保持されているので、アンビエント照明が可能で、且つ照明装置10の外観をスリム化することができる。
本実施形態の変形例に係る発光装置及びこれを用いた照明装置について図8を参照して説明する。本変形例に係る発光装置1は、上記図7に示した実施形態のように、基板3上に複数のLED2が設けられ、基板3の周縁部に近接するLED2に光学部材4が配され、また、上記保持部材を更に設けたものである。なお、上記図6に示した複数のLED2を覆う光学部材4が用いられてもよい。この発光装置1に、上記図7に示したカバー部材7が取り付けられ、更に電源部等(不図示)が設けられて、照明装置10が構成される。
この構成によれば、複数のLED2を用いているので、アンビエント照度をより向上させることができる、しかも広範囲に亘ってアンビエント照度を高くすることができる。
なお、本発明は、光学部材4が基板3の周縁部より外周側に延設され、この光学部材4の底面側から光を出射するように構成されたものであれば、上述した実施形態に限らず、種々の変形が可能である。例えば、図6及び図8に示した発光装置1においては、複数のLEDに発光色の異なるものを用い、各光色を光学部材4で混光させてもよい。また、LED2の設けられる波長変換部材21の出射面形状と、光学部材4の収容部41aの形状とを対応させて、波長変換部材21から出射される光が、光学部材4へ効率的に入射されるようにすることもできる。
1 発光装置
10 照明装置
2 LED(固体発光素子)
3 基板
4 光学部材
41 入射面
41a 収容部
42 透過面
42a 凹状湾曲面
43 全反射面
43a 凸状湾曲面
44 接続面
44a 側方透過面
5 器具本体(保持部材)
6 施工面
7 カバー部材
71a 拡散透過部
72a 透過部

Claims (6)

  1. 基板と、前記基板上に実装される固体発光素子と、前記固体発光素子の光導出方向に設けられた光学部材と、を備え、
    前記光学部材は、
    前記固体発光素子及び前記基板を覆うように配され、且つ前記基板の周縁部よりも外周側に延設されており、
    前記固体発光素子と対向して、該固体発光素子からの出射光を入射する入射面と、
    前記入射面と対峙し、該入射面から入射された光を透過する透過面と、
    前記透過面の外周側に位置し、前記固体発光素子からの出射光を全反射する全反射面と、
    前記全反射面の周縁部と前記入射面とを接続する接続面と、を有し、
    前記接続面は、前記全反射面で全反射された光を透過して前記全反射面よりも外周側へ出射する側方透過面を有し、
    前記側方透過面は、前記入射面側から前記全反射面側へ逆テーパ状に傾斜するように形成されており、
    前記全反射面は、前記固体発光素子の実装位置を焦点とする放物線の一部の形状を含むように、且つ前記透過面と滑らかに連続する曲面として形成されていることを特徴とする発光装置。
  2. 前記入射面は、前記固体発光素子を収納する凹状の収容部を有し、
    前記透過面は、前記固体発光素子方向に凹状となる凹状湾曲面を有し、
    前記全反射面は、前記固体発光素子の光導出方向に凸状となる凸状湾曲面を有することを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
  3. 前記基板上に複数の固体発光素子が実装され、
    前記光学部材は、複数の前記固体発光素子を覆うように設けられていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の発光装置。
  4. 前記基板上に複数の固体発光素子が実装され、
    前記光学部材は、前記複数の固体発光素子のうち少なくとも前記基板の周縁部に近接する固体発光素子に設けられていることを特徴とする請求項1又は請求項2の発光装置。
  5. 請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の発光装置を用いた照明装置。
  6. 前記光学部材を覆うカバー部材を更に備え、
    該カバー部材は、前記入射面及び前記全反射面と対向する面に、光を拡散して透過する拡散透過部を有し、前記側方透過面と対向する面に、光を透過する透過部を有していることを特徴とする請求項5に記載の照明装置。
JP2011113979A 2011-05-20 2011-05-20 発光装置及びそれを用いた照明装置 Active JP5903672B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011113979A JP5903672B2 (ja) 2011-05-20 2011-05-20 発光装置及びそれを用いた照明装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011113979A JP5903672B2 (ja) 2011-05-20 2011-05-20 発光装置及びそれを用いた照明装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012243641A JP2012243641A (ja) 2012-12-10
JP5903672B2 true JP5903672B2 (ja) 2016-04-13

Family

ID=47465107

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011113979A Active JP5903672B2 (ja) 2011-05-20 2011-05-20 発光装置及びそれを用いた照明装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5903672B2 (ja)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4019833A1 (en) 2012-10-30 2022-06-29 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Lens and light emitting module for surface illumination
JP6112389B2 (ja) * 2012-12-10 2017-04-12 パナソニックIpマネジメント株式会社 照明装置
KR20140132548A (ko) * 2013-05-08 2014-11-18 주식회사 케이엠더블유 스탠드형 엘이디 조명장치
CN104154471A (zh) * 2013-05-13 2014-11-19 欧普照明电器(中山)有限公司 一种led直下式面板灯具
JP6065280B2 (ja) * 2013-05-17 2017-01-25 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光モジュールおよび照明器具
KR102108204B1 (ko) 2013-08-26 2020-05-08 서울반도체 주식회사 면 조명용 렌즈 및 발광 모듈
JP6250137B2 (ja) * 2014-03-04 2017-12-20 三菱電機株式会社 光源装置及び照明装置
US10278243B2 (en) 2014-03-06 2019-04-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Backlight module with MJT LED and backlight unit including the same
KR102364160B1 (ko) * 2014-03-06 2022-02-21 서울반도체 주식회사 Mjt led를 이용한 백라이트 모듈 및 이를 포함하는 백라이트 유닛
JP6304538B2 (ja) * 2014-03-28 2018-04-04 パナソニックIpマネジメント株式会社 照明器具
WO2015185519A1 (en) 2014-06-02 2015-12-10 Koninklijke Philips N.V. An optical system for collimation of light
CN104456301B (zh) * 2014-11-15 2018-02-16 青岛歌尔声学科技有限公司 一种led光源模块、led灯条和直下式背光模组
JP6693044B2 (ja) 2015-03-13 2020-05-13 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
JP6544009B2 (ja) * 2015-04-10 2019-07-17 岩崎電気株式会社 照明器具
KR200487775Y1 (ko) * 2017-01-24 2018-10-30 김민재 다운라이트
CN107023787A (zh) * 2017-05-27 2017-08-08 欧普照明股份有限公司 配光元件、光源模组和照明装置
CN113007618B (zh) * 2019-12-19 2023-11-28 隆达电子股份有限公司 光学元件与发光装置
KR102285545B1 (ko) * 2020-03-03 2021-08-05 (주)현대룩스온 벽면 구조물상에 균일 조사 성능이 구비된 led조명기구

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4239525B2 (ja) * 2002-08-29 2009-03-18 豊田合成株式会社 発光ダイオード
JP4870950B2 (ja) * 2005-08-09 2012-02-08 株式会社光波 光放射用光源ユニット及びそれを用いた面状発光装置
JP5025612B2 (ja) * 2008-10-06 2012-09-12 三菱電機株式会社 Led光源及びそれを用いた発光体
JP5495091B2 (ja) * 2008-12-12 2014-05-21 東芝ライテック株式会社 照明器具
WO2010092632A1 (ja) * 2009-02-12 2010-08-19 パナソニック株式会社 照明用レンズ、発光装置、面光源および液晶ディスプレイ装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2012243641A (ja) 2012-12-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5903672B2 (ja) 発光装置及びそれを用いた照明装置
JP5899508B2 (ja) 発光装置及びそれを用いた照明装置
JP5899507B2 (ja) 発光装置及びそれを用いた照明装置
JP5047162B2 (ja) 発光装置
JP2006237264A (ja) 発光装置および照明装置
JP2007266356A (ja) 発光装置およびそれを用いた照明装置
EP2565947A2 (en) Light-emitting device and illumination device using same
TW200305291A (en) Light emitting diode, LED lighting module, and lamp apparatus
JP4143043B2 (ja) 発光装置および照明装置
JP2006049814A (ja) 発光装置および照明装置
JP5796209B2 (ja) 発光装置及びそれを用いた照明装置
JP4948818B2 (ja) 発光装置および照明装置
US20100259916A1 (en) Light-emitting device and method for fabricating the same
JP2006066657A (ja) 発光装置および照明装置
JP2012009632A (ja) 発光素子パッケージ及びそれを備えた発光素子パッケージ群
JP6173794B2 (ja) 半導体発光装置およびそれを用いた照明装置
JP2006156604A (ja) 発光装置および照明装置
JP5085851B2 (ja) 発光装置および照明装置
JP5899476B2 (ja) 発光装置及びそれを用いた照明装置
JP2004087630A (ja) 発光ダイオードおよびledライト
JP2009224376A (ja) 側面型発光装置及びその製造方法
JP6583673B2 (ja) 発光装置、及び照明装置
JP2013149690A (ja) 発光装置および照明装置
JP2017163002A (ja) 発光装置、及び、照明装置
JP2017162997A (ja) 発光装置、及び、照明装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140326

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20141008

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20141016

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20141209

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150206

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150507

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150706

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20151215

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20151229

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 5903672

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151