CN101636851A - 具有透镜中的磷光体片和过模压磷光体的led - Google Patents

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    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin

Abstract

描述了用于LED结构的过模压透镜和某些制造技术。在一个实施例中，制成薄的YAG磷光体板并且将其贴在安装到基板晶片上的蓝色LED上。接着，在单模压工艺期间在每个LED结构上模压清晰透镜。然后，将这些LED与晶片分离。模压透镜可以包含红色磷光体以便产生更暖和的白色光。在另一个实施例中，首先临时将磷光体板安装到底板上，并且在磷光体板上模压包含红色磷光体的透镜。将具有过模压透镜的板从底板中移除并且贴在提供能量的LED的顶部。然后，在每个LED结构上模压清晰透镜。模压磷光体加载透镜的形状可以被设计成改善颜色－角度关系的均匀性。多个管芯可以由单个透镜封装。在另一个实施例中，将预制的准直透镜粘贴到过模压透镜的平坦顶部。

Description

具有透镜中的磷光体片和过模压磷光体的LED
本申请是Willem Smits、Grigorily Basin等人于2005年3月29日提交的题为“Wide Emitting Lens for LED Useful for Backlighting”、序列号为No.11/093961的美国申请的部分继续申请(CIP)，该序列号为No.11/093961的美国申请是Grigoriy Basin等人于2005年2月28日提交的题为“Overmolded Lens Over LED Die”、序列号为No.11/069418的美国申请的CIP，所述序列号为No.11/069418的美国申请是Grigoriy Basin等人于2004年11月15日提交的题为“Molded Lens Over LED Die”、序列号为No.10/990208的美国申请的CIP，所有这些文献都通过引用合并于此。
本发明涉及发光二极管(LED)，特别地，涉及特定的透镜设计和用于在LED管芯(die)上形成透镜的技术。
LED管芯典型地以朗伯模式发射光。通常，在LED管芯上使用透镜以便缩窄光束或者形成侧发射模式。用于表面安装LED的常见类型的透镜是预制模压塑料，其键合到其中安装了LED管芯的封装。转让给飞利浦Lumileds照明公司并且通过引用合并于此的美国专利No.6274924中示出了一种这样的透镜。
与各种不同的透镜设计一起，本文描述了形成用于表面安装LED的模压透镜的技术。此外，还描述了用于在该透镜内提供颜色转换磷光体的各种不同的技术。
在用于形成透镜的一种方法中，将一个LED管芯或多个LED管芯安装到支撑结构上。该支撑结构可以是陶瓷衬底、硅衬底或者其他类型的支撑结构，其中LED管芯电连接到该支撑结构上的金属焊盘。该支撑结构可以是安装到电路板上的基板(submount)或者封装中的热沉。
模具(mold)在其内具有与支撑结构上的LED管芯位置相应的压痕(indentation)。这些压痕填充有液态光学透明材料，例如硅树脂，其在固化时形成硬化的透镜材料。这些压痕的形状将是透镜的形状。将所述模具和LED管芯/支撑结构集中在一起，使得每个LED管芯驻留在关联的压痕中的液态透镜材料内。
接着，加热模具以便使透镜材料固化(硬化)。然后，将模具和支撑结构分离，从而在每个LED管芯上留下完整的透镜。这个一般的工艺过程将称为过模压(overmold)。与其中在待封装对象周围装入空模具之后在高压下注入液态材料的注射成型技术形成对照的是，本发明没有使用这种注射并且LED和任何线焊(wire bond)都没有被模压工艺施加应力。此外，透镜材料的浪费非常小。再者，在模具压痕之间不存在导管，这是注射成型所需要的。
可以利用不同的模具来重复过模压工艺以便形成重叠的透镜壳。这些透镜可以包含磷光体的任意组合以便将LED光转换成任何颜色，包括白色。
在一个实施例中，通过在加热和加压下烧结磷光体颗粒或者通过烘干磷光体颗粒浆来形成薄的陶瓷磷光体板。每个板具有尺寸与提供能量的LED的顶面近似的表面，所述LED例如蓝色LED。磷光体可以是YAG磷光体，其中来自LED的蓝色光和来自YAG磷光体的绿黄色光的组合产生白色光。可以将这些板贴(affix)在安装到基板晶片上的LED上，接着在每个LED结构上模压清晰透镜。然后，切分(singulate)基板以便分离LED结构。
在另一个实施例中，在LED和YAG磷光体板上模压的透镜包括红色磷光体以便产生更暖和的白色光。
在另一个实施例中，首先临时地将磷光体板安装到底板(backplate)上，并且在磷光体板上模压包含红色磷光体的透镜。从底板移除具有过模压透镜的板并且将其贴到提供能量的LED的顶部。然后，在每个LED结构上模压清晰透镜。
由于磷光体板是平坦的，因而当观察角接近与LED/磷光体的表面垂直的角度时，色温变得更热(更蓝)。为了补偿这种颜色-角度非均匀性，限定包含红色磷光体的模具的形状，使得当观察角变化时色温更加均匀。因此，模具的形状依赖于使用的特定LED和磷光体板。
在一个实施例中，用来通过过模压形成外透镜的固化硅树脂比通过过模压形成的任何内透镜都硬得多。当形成较软的内透镜时或者当专用LED产生热量时，该透镜不在专用LED上产生应力，而硬的外透镜则防止外部元件的影响并且保持清晰。
在另一个实施例中，例如为了静电放电(ESD)保护，多个LED或某个LED和另一个芯片由单个过模压透镜封装，其中该透镜的形状基于被封装的特定芯片。
在另一个实施例中，在LED上形成模压透镜，其中该透镜可以是清晰的或加载了磷光体。透镜的顶部具有平坦的部分。然后，将尺寸与LED近似相同的预制准直透镜(例如菲涅尔(Fresnel)透镜)贴在该过模压透镜的平坦部分上。这种小的准直光源作为蜂窝电话相机闪光灯是特别有用的。
在另一个实施例中，将软硅树脂凝胶用作LED和基板之间的底层填料以便填充任何空隙(void)。该底层填料可选地可以涂敷LED的侧面。然后，利用硬透镜对得到的结构进行过模压。该底层填料有助于在工艺和操作期间支撑LED管芯，将热量耦合到基板，并且降低LED管芯与硬的外透镜之间的应力。
本文描述了透镜的许多其他实施例和应用。
图1为安装到支撑结构(例如基板)上的四个LED管芯以及用于在每个LED管芯周围形成透镜的模具的侧视图。
图2为插入到填充了液态透镜材料的模具中的压痕中的LED管芯的侧视图。
图3为在液体被固化从而得到封装了每个LED管芯的透镜之后从模具中移除的LED管芯的侧视图。
图4为基板或电路板上的LED管芯阵列的透视图，其中在每个LED管芯上形成模压透镜。
图5为安装到基板上的倒装芯片LED管芯的特写侧视图，所述基板又安装到电路板上，并且其中在LED管芯上形成模压透镜。
图6为安装到基板上的非倒装芯片LED管芯的特写侧视图，所述基板又安装到电路板上，其中导线将LED管芯上的n和p金属电连接到电路板上的引线，并且其中在LED管芯上形成模压透镜。
图7-11为其上形成了不同透镜的LED管芯的截面图。
图12为使用本发明技术模压到LED管芯上的侧发射透镜的截面图。
图13为使用本发明技术模压到LED管芯上的准直透镜的截面图。
图14为贴在使用本发明技术模压到LED管芯上的朗伯(lambertian)透镜上的预制侧发射透镜的截面图。
图15为使用图14的LED和侧发射透镜的用于液晶显示器或其他类型显示器的背光源的截面图。
图16为具有相机的蜂窝电话的透视图，所述相机使用具有模压透镜的LED作为闪光灯。
图17和图18为两种类型的模压透镜的截面图。所示的所有透镜都关于中心轴对称，但是本发明同样可以应用到非对称透镜。
图19-22示出了用于获得希望的发射模式的外壳透镜或内透镜上的表面特征。
图23示出了高圆顶透镜用于准直发射模式。
图24和图25示出了硬的外透镜和软的内透镜用于限制线焊上的应力。
图26-28示出了各种类型的内或中间透镜上形成的外透镜用于侧发射模式。
图29示出了另一种侧发射模压透镜。
图30示出了模压壳的使用，每个模压壳包含不同的磷光体。
图31示出了在支撑衬底上形成模具部分以便制成模压透镜。
图32示出了在透镜的一部分上沉积金属反射器以便实现希望的发射模式。
图33为在背光源中使用具有侧发射透镜的LED的液晶显示器的侧视图。
图34为使用具有准直透镜的LED作为RGB光源的背投影电视的侧视图。
图35示出了现有技术LED发射模式(朗伯型)以及它们在屏幕上的重叠亮度分布。
图36示出了使用本发明的透镜的LED的宽角度发射模式以及它们在屏幕上的重叠亮度分布。
图37更详细地示出了图36中的LED的发射模式。
图38示出了依照本发明一个实施例的宽发射透镜和LED的截面图。
图39示出了图38的透镜的光强-角度关系的曲线图。
图40为依照本发明另一个实施例的宽发射透镜和LED的截面图。
图41A-41E示出了过模压磷光体晶片，然后切割模压磷光体晶片并且将单独的过模压板附接到LED管芯的步骤。
图42A-42E示出了过模压磷光体板并且将过模压板附接到LED管芯的步骤。
图43A-43D示出了利用磷光体板过模压LED的步骤，其中透镜材料包含红色磷光体以便产生暖白色光。
图44A-44C示出了具有平坦磷光体层的LED，其中模具被定制形状以形成补偿颜色-角度关系中的非均匀性的磷光体加载透镜。
图45A和图45B示出没有平坦磷光体层的LED，其中模具被定制形状以形成改善颜色-角度关系的均匀性的磷光体加载透镜。
图46A-46D示出了在LED管芯和另一种类型的半导体芯片(例如瞬态电压抑制器)上模压透镜。
图47A-47C示出了在不同颜色的多个LED上模压单个透镜。
图48A-48C示出了在LED上模压透镜并且然后将准直透镜贴在过模压透镜的平坦部分上。
图49A和图49B示出了使用硅树脂凝胶底层填料填充LED管芯下面空隙，其中LED然后由硬的外透镜封装。
不同附图中利用相同的附图标记标出的元件可以是相同或等价的。
作为初步的事情，在生长衬底上形成常规的LED。在使用的实例中，LED为基于GaN的LED，例如AlInGaN LED，其用于产生蓝色或UV光。典型地，使用常规的技术在蓝宝石生长衬底上生长相对较厚的n型GaN层。该相对较厚的GaN层典型地包括低温成核层以及一个或多个附加层以便为n型包覆层和有源层提供低缺陷晶格结构。然后，在厚的n型层上形成一个或多个n型包覆层，接着是有源层、一个或多个p型包覆层以及p型接触层(用于金属化)。
各种不同的技术被用来获得对n型层的电访问。在倒装芯片实例中，蚀刻掉p型层和有源层的若干部分以暴露n层以便金属化。通过这种方式，p触点和n触点处于芯片的相同侧并且可以直接电连接到封装(或基板)接触垫。来自n金属触点的电流起初通过n层横向传播。形成对照的是，在竖直注射(非倒装芯片)LED中，在芯片的一侧形成n触点并且在芯片的另一侧形成p触点。到p触点或n触点之一的电接触典型地利用导线或金属桥来形成，并且另一个触点直接键合到封装(或基板)接触垫。为了简单起见，在图1-3的实例中使用了倒装芯片LED。
美国专利No.6649440和No.6274399中描述了形成LED的实例，这两个专利都转让给了飞利浦Lumileds照明公司并且通过引用合并于此。
可选地，将导电衬底键合到LED层(典型地键合到p层)，并且移除所述蓝宝石衬底。可以将一个或多个LED管芯键合到基板上的金属焊盘，其中导电衬底直接键合到金属焊盘，其将参照图5和图6进行更详细的描述。可以将一个或多个基板的电极键合到印刷电路板，该印刷电路板包括用于连接到其他LED或连接到电源的金属引线。该电路板可以串联和/或并联地互连各种不同的LED。
形成的特定LED以及它们是否安装到基板上对于理解本发明的目的并不重要。
图1为安装到支撑结构12上的四个LED管芯10的侧视图。该支撑结构可以是基板(例如具有金属引线的陶瓷或硅)、金属热沉、印刷电路板或者任何其他结构。在这个实例中，支撑结构12是具有金属焊盘/引线的陶瓷基板。
模具14具有与每个LED管芯10上的透镜的希望的形状相应的压痕16。模具14优选地由金属制成。具有模具14的大体形状的非常薄的不粘薄膜18被放置或形成在模具14上。薄膜18具有防止硅树脂粘结到金属上的公知的常规材料。
如果透镜材料不粘结到模具上，那么就不需要薄膜18。这可以通过使用不粘模具涂层、使用不粘模具材料或者使用导致不粘界面的模具工艺来实现。这样的工艺可能涉及选择特定的工艺温度以获得最小的粘性。通过不使用薄膜18，可以形成更复杂的透镜。
在图2中，模具压痕16已经填充了可热固化的液态透镜材料20。该透镜材料20可以是任何适当的光学透明材料，例如硅树脂、环氧树脂或者混合的硅树脂/环氧树脂。混合物可以用来实现匹配的热膨胀系数(CTE)。硅树脂和环氧树脂具有足够高的折射率(大于1.4)，以便大大地改善来自AlInGaN或AlInGaP LED的光提取以及充当透镜。一种类型的硅树脂具有折射率1.76。
真空密封在支撑结构12和模具14的外围之间形成，并且将这两个工件彼此挤压，使得每个LED管芯10插入到液态透镜材料20中并且透镜材料20被压缩。
接着，将模具加热到大约150摄氏度(或者其他适当的温度)达一定时间，以便使透镜材料20硬化。
然后，将支撑结构12与模具14分离。薄膜18使得得到的硬化透镜容易与模具14脱离。然后，移除薄膜18。
在另一个实施例中，可以首先利用诸如粘结剂中的磷光体粒子或硅树脂之类的材料覆盖图1中的LED管芯10。利用另一种材料填充模具压痕16。接着，当将管芯置于模具中时，模具材料在覆盖材料上被定形。
图3示出了得到的在每个LED管芯10上具有模压透镜22的结构。在一个实施例中，所述模压透镜的直径介于1mm与5mm之间。透镜22可以具有任何尺寸或形状。
图4为得到的结构的透视图，其中支撑结构12支撑LED管芯阵列，每个LED管芯具有模压透镜22。使用的模具将具有相应的压痕阵列。如果支撑结构12是陶瓷或硅基板，那么可以通过锯切或折断基板12以形成单独的LED管芯来分离每个LED(连同其底下的基板部分)。可替换地，可以分离/切割支撑结构12以支撑LED子组，或者可以不分离/切割地使用支撑结构12。
透镜22不仅改善了来自LED管芯的光提取并且折射该光以形成希望的发射模式，而且该透镜也封装了LED管芯以便保护该管芯不受污染、增加了机械强度并且保护了任何线焊。
图5为由任何适当材料(例如陶瓷或硅)制成的基板24上的单个倒装芯片LED管芯的一个实施例的简化特写视图。在一个实施例中，基板24充当图1-4中的支撑结构12，并且图5的管芯/基板通过锯切与图4的结构分离。图5的LED管芯10具有底部p接触层26、p金属触点27、p型层28、发光有源层30、n型层32以及与n型层32接触的n金属触点31。基板24上的金属焊盘直接金属键合到触点27和31。通过基板24的通孔终止于基板24的底面上的金属焊盘，其键合到电路板45上的金属引线40和44。金属引线40和44连接到其他的LED或者连接到电源。电路板45可以是具有覆盖在绝缘层上的金属引线40和44的金属板(例如铝)。使用图1-3的技术制成的模压透镜22封装了LED管芯10。
图5中的LED管芯10也可以是非倒装芯片管芯，具有将顶部n层32连接到基板24上的金属焊盘的导线。透镜22可以封装该导线。
在一个实施例中，电路板45本身可以是图1-3的支撑结构12。图6中示出了这个实施例。图6为非倒装芯片LED管芯10的简化特写视图，该LDE管芯具有通过导线38连接到电路板45上的金属引线40的顶部n金属触点34。LED管芯10安装在基板36上，该基板在图6的实例中为金属厚片。导线42将p层26/28电连接到电路板45上的金属引线44。透镜22被示为完全封装了导线和基板36；然而，在其他的实施例中，不必封装整个基板或整个导线。
常用的现有技术的封装方法是旋涂保护涂层。然而，该封装工艺不适合用于将磷光体涂层添加到LED管芯，因为LED管芯上的密封材料的厚度不均匀。此外，这样的封装方法并不形成透镜。用于在LED管芯上提供磷光体的常用技术是利用硅树脂/磷光体组分填充LED管芯周围的反射杯。然而，该技术形成具有变化的厚度的磷光体层并且不制成适当的透镜。如果希望得到透镜，那么附加的工艺仍然必须产生塑料模压透镜并且将它贴在LED管芯上。
图7-11示出了可以利用上述技术制成的各种不同的透镜。
图7示出了已经通过使用任何适当的方法涂敷了磷光体60的LED管芯10。一种这样的方法是美国专利No.6576488中描述的电泳，该专利转让给了飞利浦Lumileds照明公司并且通过引用合并于此。适当的磷光体是公知的。透镜22通过使用上述技术而制成。磷光体60通过LED发射(例如蓝色或UV光)而被提供能量，并且发射不同波长(例如绿色、黄色或红色)的光。磷光体发射单独地或者与LED发射一起可以产生白色光。
利用磷光体涂敷LED的工艺是耗时的。为了消除利用磷光体涂敷LED管芯的工艺，可以将磷光体粉末与液态硅树脂混合以便嵌入到透镜62中，如图8所示。
如图9所示，为了在LED管芯上提供厚度被仔细控制的磷光体材料，通过使用上述技术制成内透镜64，并且使用单独的模压步骤(通过使用具有更深和更宽压痕的模具)直接在内透镜64上制成任意厚度的外磷光体/硅树脂壳66。
图10示出了可以通过使用另一模具在磷光体/硅树脂壳66上制成以便进一步对光束定形的外透镜68。
图11示出了分别具有红色、绿色和蓝色发射磷光体的壳70、72和74，其覆盖在清晰硅树脂壳76、78和80上。在这种情况下，LED管芯10发射UV光，并且红色、绿色和蓝色发射的组合产生白色光。所有的壳都利用上述方法来产生。
可以通过使用上述模压技术来制成许多其他形状的透镜。图12为LED 10、基板24和模压侧发射透镜84的截面图。在一个实施例中，透镜84由诸如硅树脂之类的非常柔软的材料制成，其在从模具中移除时弯曲。当透镜不是简单的形状时，通常将不使用脱模薄膜18(图1)。
图13为LED 10、基板24和模压准直透镜86的截面图。透镜86可以通过使用可变形模具或者通过使用软透镜材料来制造，所述软透镜材料在从模具中拉拔时压缩并且在脱离模具之后伸展到其模压形状。
图14示出了可以如何将预制透镜88贴在模压朗伯透镜22上。在图14的实例中，以上面所述方式制成透镜22。透镜22用来封装LED 10并且防止其受污染。然后，使用UV可固化粘合剂或者机械夹具将预制侧发射透镜88固定在透镜22上。该透镜形成技术相对于常规的技术具有优势。在常规的技术中，预制透镜(例如侧发射透镜)通过粘合剂固定在LED管芯上，并且通过注射硅树脂来填充任何空隙。该常规的工艺难以预制，这首先归因于要为透镜布置和间隙填充步骤仔细地定位分开的管芯/基板。使用图14的本发明的技术，可以通过在每个LED上制成模压透镜来同时封装大的LED阵列(图4)。然后，可以在这些LED仍然处于该阵列(图4)中的同时或者在其分开之后将预制透镜88贴在每个模压透镜22上。
此外，可以使得模压透镜非常小(例如1-2mm直径)，这与常规的透镜不同。因此，可以制成非常小的完全封装的LED。可以使得这样的LED具有非常低的轮廓，这对于某些应用来说是有利的。
图14还示出了其上安装了基板24的电路板45。该电路板45可以让LED阵列/基板24安装于其上。
图15为液晶显示器(LCD)或使用背光源的其他显示器的背光源的截面图。通常的用途是电视、监视器、蜂窝电话等等。所述LED可以是红色、绿色和蓝色以便产生白色光。这些LED形成二维阵列。在所示的实例中，每个LED结构是图14中所示的LED结构，但是也可以使用任何合适的透镜。优选地，利用白色反射式漫射材料涂敷背光源箱的底部和侧壁90。在每个LED的正上方是白色漫射点92，其防止每个LED正上方的背光发射光斑。点92由透明或漫射PMMA片94支撑。侧发射透镜88发射的光在背光源的下部混合，然后在离开上面的漫射器96之前进一步在背光源的上部混合。可以将线性LED阵列安装到窄的电路板45上。
图16示出了用作相机中的闪光灯的具有模压透镜22的LED 10。图16中的相机是蜂窝电话98的一部分。蜂窝电话98包括彩色屏幕100(其可以具有使用这里描述的LED的背光源)和小键盘102。
如参照图10所讨论的，可以在内壳上制成外透镜以便进一步对光束定形。可以使用不同的壳材料，这取决于不同壳的要求。图17-30示出了可以结合过模压工艺使用的各种不同的透镜和材料的实例。
图17和图18示出了用于内壳的两种类型的模压透镜，其通过使用上面描述的模压技术而制成。可以将许多LED 10安装到相同的支撑结构12上。如前所述，支撑结构12可以是具有金属迹线(trace)和接触垫的陶瓷或硅基板。可以将任意数量的LED安装到相同的支撑结构12上，并且典型地将以相同的方式处理相同支撑结构12上的所有LED，但这不是必需的。例如，如果支撑结构大并且规定了整个LED阵列的光模式，那么每个LED透镜可以不同，以便提供规定的总的光模式。
可以注射底层填料以填充LED管芯10的底部与支撑结构12之间的任何间隙，以便首先防止LED下面的任何空气间隙并且改善热传导。
上面已经参照图3-6描述了图17，其中对于朗伯辐射模式而言，内模压透镜22通常是半球形的。图18中的内模压透镜106通常为具有圆整边缘的矩形。取决于外透镜提供的辐射模式，内模压透镜22或106之一可能更合适。其他形状的内模压透镜也可能是合适的。每个透镜的顶视图一般都是圆形的。
图19示出了图18的结构，其中透镜外表面具有折射光以实现希望的辐射模式的图案。可以在内模压透镜中(通过模具本身)直接形成外表面图案，或者可以在过模压到内模压透镜上或通过粘合剂(例如硅树脂、环氧树脂等等)贴到内模压透镜上的外透镜中形成外表面图案。图案108是衍射光栅，而图案110使用双步长(binary step)折射光。在这些实例中，所述图案形成具有图20所示的辐射模式的一般侧发射透镜。在图20中，峰值强度出现在50-80度内，并且远大于0度处的强度。
对于内透镜的要求通常与对于外透镜的要求不同。例如，内透镜应当很好地粘附到支撑结构上，不随时间而呈黄色或变得更不透明，具有高折射率(大于1.4)，不破坏或将任何导线压在LED上，耐受高的LED温度并且具有一致的热系数。内透镜应当是非刚性的(例如硅树脂)以便不在LED或任何导线上提供应力。相对照而言，外透镜材料通常只需要能够以希望的图案来图案化并且粘附到内透镜上。可以对外透镜过模压或者可以预制外透镜并且将其粘贴到内透镜上。用于外透镜的材料可以是可UV固化的，而用于内透镜的材料可以是热固化的。热固化比UV固化花费更长的时间。
一般而言，内透镜材料的硬度范围是Shore 00 5-90，而外壳的硬度范围是Shore A 30或更大。
图21示出了在透镜外表面上形成的用于产生与图20的模式类似的一般侧发射光模式的菲涅尔透镜图案112。外表面可以是内模压透镜的外表面或者外壳的外表面，如参照图19所示。这适用于这里所描述的所有图案。
图22示出了外透镜表面上产生准直光模式或另一光模式的金子塔114或锥形116图案。
图23示出了用于产生准直模式的高圆顶外透镜118。
图19和图21-23的表面图案可以(例如通过改变表面角度)被配置成产生任何光模式。可以形成全息结构、TIR和其他模式。准直光模式典型地用于背投影电视，而侧发射光模式典型地用于背光照明LCD屏幕。
图24示出了使用诸如硅树脂凝胶之类的软材料作为内模压透镜124以便不对键合到LED 10上的导线126产生应力。凝胶典型地被UV固化。模压或预制外透镜128并且利用粘合剂进行粘贴。外透镜128典型地将硬得多以便经久耐用、抗粒子等等。外透镜128可以是硅树脂、环氧硅树脂(epoxy-silicone)、环氧树脂、硅树脂弹性体、硬橡胶、其他聚合物或其他材料。外透镜可以被UV固化或热固化。
图25类似于图24，但是具有不同形状的内模压透镜129(类似于图18)以用于不同的发射模式或较低的轮廓。透镜129可以是软硅树脂凝胶。外透镜130将进一步对发射模式定形并且保护软内透镜129。
所有附图中的LED都可以是倒装芯片或线焊类型。
图26示出了一种LED结构，其具有拥有内透镜所需特性的软内模压透镜132、充当界面层并用于结构稳定性的硬中间壳134以及用于产生侧发射光模式的外透镜136。外透镜136可以是软的，以便有助于模压工艺。可替换地，可以预制外透镜136并且将其粘贴到中间壳134上。中间壳134的使用使得外透镜材料的选择基本上与内透镜材料无关。
图27示出了如何可以在内透镜132或中间壳134的任何部分上制成外透镜138。
图28示出了直接在内透镜144材料上制成外透镜142。
图29示出了在内透镜132上模压的另一种形状的侧发射透镜145。可以在没有任何内透镜的情况下直接在LED管芯10上模压透镜145。
图30示出了一种LED，其中每个壳146、147和148包含不同的磷光体材料，例如红色发射磷光体、绿色发射磷光体和蓝色发射磷光体。LED管芯10可以发射UV。磷光体粒子之间的间隙允许UV穿过内壳以便向外壳中的磷光体提供能量。可替换地，仅仅使用红色和绿色磷光体壳，并且LED管芯10发射蓝色光。红色、绿色和蓝色光的组合产生白色光。此外，可以调节这些壳的厚度、磷光体粒子的密度以及磷光体颜色的顺序以获得希望的光。可以使用任何形状的透镜。
图31示出了在支撑结构12本身上使用模具模式149。通过在支撑结构12上模压该模式，使用与图1中所示的方法类似的方法，或者使用金属化工艺，或者使用另一种合适的工艺来制成高指数材料(例如聚合物)或反射材料(例如铝或银)。然后，将模具模式149用作用于制成透镜150的另一材料的模具。在一个实施例中，透镜150材料是沉积在支撑结构12上制成的模具中然后固化的液体(例如硅树脂)。然后，可以对表面平面化。得到的透镜通过反射/折射撞击到壁(比如反射杯)上的光而准直该光。
图32示出了在其侧面喷溅了金属151以便反射LED 10发射的光的模压透镜22。反射的光将由LED 10散射并且最终通过顶部开口发射。金属151可以是任何反射材料，比如铝或银。该金属可以改为喷溅到透镜22的顶部上以形成侧发射模式。透镜22可以被制成任何形状以便形成希望的光发射模式。
图33为液晶显示器(LCD)152的侧视图，该液晶显示器具有拥有可控RGB像素的LCD屏幕154、漫射器156以及背光源158，其用于混合来自红色、绿色和蓝色LED 160的光以便产生白色光。背光源158为漫反射箱。LED 160具有使用上述任何技术制成的侧发射透镜。
图34为背投影电视162的侧视图，其具有用于增亮规定的观察角内的图像的前透镜164、一组红色、绿色和蓝色LED 166、用于调制和聚焦RGB光以便产生彩色电视图像的调制器/光学器件170以及反射器172。调制器可以是可控反射镜阵列、LCD面板或者任何其他合适的器件。LED166具有使用上述任何技术制成的准直透镜。
如上所述，可以设计主透镜或辅助透镜以形成侧发射模式。这种侧发射模式在预期混合来自多个LED的光时，例如在来自多个LED的光用于产生用于LED面板的均匀背光或者用于装饰照明或者用于另一用途时是特别有用的。
如图35所示，没有安装到背板(backplane)182上的透镜或者仅有安装到背板182上的半球形透镜的LED 180典型地将以朗伯模式183发射光。LED 180阵列照射漫射屏184的背部。屏幕184可以是图33的LCD背光源中的漫射器156。图中还示出了每个LED的漫射亮度分布185及其全宽半高(FWHM)。除非这些LED彼此放置得足够靠近，否则屏幕184前面的总的光输出将具有可察觉的亮斑。因此，这种背光源需要相对较高密度的LED，从而导致昂贵的背光源。
申请人已经发明了图36-38中所示的宽发射透镜，其在背光源中特别有用。在图36中，示出具有宽发射透镜的LED 188安装到背板190上。每个LED管芯的峰值光发射(Ipeak)出现在偏离中心轴(法线)的50-80度内，如图37所示。70-80度之间的范围是优选的。透镜被设计成使得沿着中心轴的光发射(IO)为峰值发射的5％-33％。相应地，每个LED的亮度分布192与图35中的亮度分布185相比更为展开。因此，图36的背光源中的LED 188间距可以比图35中的LED 180间距更大，同时从漫射屏184实现相同的光输出均匀性。这导致不那么昂贵的背光源。
所述亮度分布应当没有漏斗状透镜在中心尖端处通常出现的剧烈转变。
中心轴强度与58-80度峰值强度的最佳比值将取决于应用，例如实现背光源的规定的亮度所需的LED间距。峰值强度至少三倍于沿中心轴的强度并且在图37的实施例中，该比值介于4-8之间。
图38是具有上述特性的宽发射透镜的一个实施例的截面图。如参照图1-6所述，将LED管芯194安装到由陶瓷、硅或其他材料制成的衬底或基板196上，并且如参照图1-6所述在LED管芯194上模压第一透镜198。可以将多个管芯安装到单个大基板上。透镜198可以由任何适当的材料(例如硅树脂)制成。
接着，分离基板196，并且然后通过回流焊接技术或其他适当的技术将其安装到背板190(PCB)上。
将辅助透镜202预制成具有希望的宽发射特性。该辅助透镜可以是注射成型或机械加工塑料或者其他材料。这样的材料包括COC、COP、PMMA、环氧树脂、硅树脂、玻璃或者任何其他适当的材料。然后，将辅助透镜202安装成覆盖在第一透镜198之上并且接触背板190以便支撑。空气间隙204(或其他低折射率材料间隙)形成将光弯向侧面的内折射界面。辅助透镜202的外表面与空气的界面进一步弯曲光以便实现50-80度内的峰值强度。辅助透镜202可以直接接触第一透镜198；然而，辅助透镜202的形状将必须被改变以便实现相同的宽发射模式。
在另一个实施例中，辅助透镜202接触基板196并由基板196支撑而不是接触背板190并由背板190支撑。
可以利用诸如环氧树脂之类的粘合剂将辅助透镜202固定到背板或基板或者可以利用扣环(snap-tab)连接固定辅助透镜202。
与参考背板固定辅助透镜202相比，通过参考基板来固定辅助透镜202实现了稍微更好的控制，因为背板上LED和第一透镜198的高度可以随着安装参数而稍微变化。
具有非球形圆顶内部空气隙的非球形辅助透镜202是易于模压的简单设计。透镜202在背板190附近被底切以便在底切表面处向上反射光，使得光不向下朝背板190发射。这避免了光环并且增大了背光源的光输出。
图39示出了图38的LED的光强-角度关系。峰值强度大约72度，并且沿中心轴的强度大约为峰值强度的10％。
在另一个实施例中，辅助透镜202的表面包含如参照图19、图21和图22所描述的微型结构，其进一步折射光以实现希望的发射模式。
图40为具有透镜206的LED 194的截面图，该透镜206具有全内反射(TIR)部分208。该TIR部分208为漏斗状。该TIR部分208使得大多数向上发射的光发生内反射并且通过侧面部分210发射。这种设计可用来降低沿中心轴的强度，同时仍然提供50-80度内的峰值强度以及沿中心轴的在峰值强度的5-33％之间的强度。在图33的背光源中，可以采用这些透镜实施例中的任何一个。
图38和图40以及在其他附图中的辅助透镜也可以用在没有模压的第一透镜的LED管芯上。然而，优选的是与模压的第一透镜一起使用以便保护LED。辅助透镜的直径典型地将在4-10mm的范围之内。
图41A-41E示出了过模压陶瓷磷光体板并且将过模压板附接到LED管芯的步骤。可以将磷光体板制成具有精确的特性，因为可以仔细地控制其厚度(例如50-300微米)以及磷光体密度。当蓝色光(例如440nm-460nm)向磷光体提供能量时，磷光体发射更长波长的光。当磷光体板贴在蓝色LED上时，一定百分比的蓝色光穿过该板，并且该蓝色光与磷光体产生的光混合。
一种制成陶瓷磷光体片的方式是使用加热和加压烧结磷光体粉末的颗粒。穿过所述板的蓝色LED光的百分比取决于磷光体的密度和板的厚度，其可以精确地加以控制。另一种制成磷光体薄片的方式是在薄片内制成磷光体浆并且然后烘干所述浆。Gerd Mueller等人的题为“Luminescent Ceramic for a Light Emitting Diode”的美国专利申请20050269582中描述了制成这样的陶瓷磷光体板，该文献通过引用合并于此。
与蓝色LED一起使用的流行的磷光体是YAG:Ce磷光体(掺杂了大约2％的铈的钇铝石榴石)，其可在商业上获得。
图41A示出了使用任何适当的粘合剂临时安装到底板212上的陶瓷磷光体板晶片211，所述粘合剂可以借助于力或借助于溶剂而容易地脱离。底板212可以具有防止在后来的步骤中粘结固化的硅树脂的特氟纶(Teflon)涂层。所述晶片典型地为矩形，但是可以为任意形状。该晶片将在后来被锯切以便形成用于数百LED的磷光体板。在这个实例中，晶片211为50-300微米厚的YAG磷光体，其在利用来自蓝色LED的蓝色光而被提供能量时发射绿黄色光。得到的白色光通常被认为是刺眼的，因为它具有高的色温(例如4000-6000K)。如下面所描述的，红色磷光体将用来降低色温，这在常规上被称为形成更暖和的白色光。
在图41B中，向模具214中的压痕213填充包含红色磷光体粒子216的液态硅树脂215。常规的不粘脱模薄膜(未示出)保形地涂敷模具并且之后允许不用太大拉力地移除模压的硅树脂。任何类型的自动液体分配器都可以用来分配硅树脂/磷光体混合物。红色磷光体的实例包括公知的BaSSN、CaS和e-CaS。红色磷光体粒子的最佳密度以及压痕213的形状由红色磷光体提供的希望的色温降低决定。如果希望达到特定的色温的话，也可以在硅树脂215中使用其他的磷光体粒子，例如YAG、绿色、橙色、蓝色等等。在一个实施例中，所使用的硅树脂215使得它在固化之后相对较软，从而在操作LED结构期间在LED以及得到的磷光体板上存在很少的应力。在另一个实施例中，硅树脂215与后来用于制成外透镜的硅树脂相同或等效。
接着，将底板212和模具214放置在一起，以便将磷光体晶片211浸没到硅树脂215中。将底板212和模具214夹在一起，在结构的周围形成真空并且硅树脂215被压缩。在这个过模压步骤期间，排空了液态硅树脂中的任何气泡。然后，通过加热或UV固化硅树脂215。之后，借助于脱模薄膜将底板212和模具214分离。
然后，锯切得到的模压磷光体晶片以便形成单独的模压磷光体板，其中每个板近似于LED的尺寸。所述磷光体加载硅树脂在磷光体板上形成透镜。在一个实施例中，在锯切工艺期间将模压磷光体晶片保留在底板212上，并且锯片仅切穿晶片。这使得所述板更易于由自动拾放机拾放。在另一个实施例中，从底板212移除模压晶片，然后进行锯切。
在图41C中，自动拾放臂从底板212移除每个模压磷光体板218(具有磷光体加载硅树脂221的YAG板220)并且将模压磷光体板218粘结到安装在基板226(这个阶段的晶片)上的蓝色LED 224的顶面。基板226可以包含与图4中所示阵列类似的二维阵列中的数百蓝色LED 224。基板226典型地为陶瓷并且包含用于每个LED的金属迹线和电极以便连接到电源。磷光体板218与LED 224的粘结可以通过低熔点玻璃、硅树脂、环氧树脂、其他透明粘合剂或者加热和加压实现。
在将在后面详细说明的一个实施例中，模具压痕213的形状通过计算机建模来确定，以便补偿LED/板组合发射的光的色温-角度关系的非均匀性。
在图41D中，在LED 224和模压磷光体板218上模压清晰硅树脂透镜234以便封装整个结构。参照图1-4以及其他附图描述的工艺可以用来制成外透镜234。模压外透镜234改善了LED的光提取，实现了希望的光发射模式，并且防止了磷光体板218的分层。
在另一个实施例中，外透镜234比磷光体加载硅树脂221更硬。这导致用于保护的机械强度大的外透镜以及抗灰尘粒子的平滑的外表面，同时降低LED和互连线路上的应力。
然后，切割基板226以切分LED结构。上例中的LED发射例如3000-4000K内的暖白色光。任何其他的磷光体都可以用于所述磷光体板和硅树脂中的磷光体。
可以通过在测试之后依照模压磷光体板218的颜色特性划分(bin)这些模压磷光体板来进一步控制色温。接着，测试基板226上的LED 224并且依照其颜色特性分类这些LED。然后，为特定的LED选择划分的模压磷光体板218以便实现目标色温。
图41E示出了贴到LED 224上的过模压磷光体板218的另一个实施例。在图41E中，通过使用硅树脂或加热硅树脂侧向下地将模压磷光体板218贴到LED 224上。
除了磷光体在模压之前被切割之外，图42A-42E类似于图41A-41E。首先，锯切或折断磷光体片以便形成与提供能量的LED尺寸近似相同的磷光体板。
图42A示出了使用任何适当的粘合剂临时安装到底板222上的陶瓷磷光体板228的二维阵列，所述粘合剂可以借助于力或借助于溶剂而容易地脱离。底板222和磷光体板特性可以与图41A-41E中的相同。
在图42B中，向模具230中的压痕229填充包含红色磷光体粒子232的液态硅树脂231。常规的不粘脱模薄膜(未示出)保形地涂敷模具并且之后允许不用太大拉力地移除模压的硅树脂。磷光体、硅树脂和模具的特性与上面描述的那些类似。
接着，将底板222和模具230放置在一起，以便将所述板228浸没到硅树脂231中。将底板222和模具230夹在一起，在结构的周围形成真空并且硅树脂231被压缩。然后，通过加热或UV固化硅树脂231。之后，借助于脱模薄膜将底板222和模具230分离。
在图42C中，自动拾放臂从底板222移除每个模压板234并且将模压板234粘结到安装在基板晶片238上的蓝色LED 236的顶面。基板238可以包含与图4中所示阵列类似的二维阵列中的数百蓝色LED 236。基板238典型地为陶瓷并且包含用于每个LED的金属迹线和电极以便连接到电源。磷光体板228与LED 236的粘结可以通过低熔点玻璃、硅树脂、环氧树脂、其他透明粘合剂或者加热和加压实现。
在一个将在后面详细说明的实施例中，模具压痕229的形状通过计算机建模来确定，以便补偿LED/板组合发射的光的色温-角度关系的非均匀性。
在图42D中，在LED 236和模压板234上模压清晰硅树脂透镜244以便封装整个结构。参照图1-4以及其他附图描述的工艺可以用来制成外透镜244。
然后，切割基板238以切分LED结构。上例中的LED发射例如3000-4000K内的暖白色光。任何其他的磷光体都可以用于所述磷光体板和硅树脂中的磷光体。划分和匹配的优点参照图41A-41E进行了描述。
图42E示出了贴到LED管芯上的过模压磷光体板234的另一个实施例。在图42E中，通过使用硅树脂或加热透镜侧向下地将模压板234贴到LED 236上。为了简化拾放过程，底板222(图42B)可以从模压板脱离，同时模压板仍然处于模具230中。然后，拾放臂附接到暴露的板，从模具230中移除模压板并且将其放置在LED 236上。
在图41A-E和图42A-E中，第一模压步骤仅仅覆盖磷光体板。图43A-43D示出了其中第一模压步骤也封装LED的工艺。
在图43A中，将磷光体板228(例如YAG)贴到基板238上的LED管芯236上。
在图43B中，向模具250中的压痕248填充包含红色磷光体粒子254的液态硅树脂252。如上所述，也可以使用其他的磷光体。将基板238和模具250放置在一起，并且加热硅树脂252以便固化它。出于上面陈述的原因，得到的硅树脂可以相对较软，或者可以与用来制成外透镜的硅树脂相同或相似。
在图43C中，将基板238和模具250分离，使得红色磷光体透镜258封装每个LED和磷光体板，从而产生暖白色光。
在图43D中，使用本文描述的模压工艺在每个LED上模压硬的硅树脂透镜260以便封装和保护整个LED结构。像在所有实施例中一样，外透镜260可以由模具定形以便产生实际上任意的光发射模式，例如朗伯模式、侧发射模式、准直模式等等。
图44A-44C示出了模压工艺用来产生更均匀的色温-观察角关系。
在图44A中，YAG磷光体262粉末保形地涂敷LED 236，得到平坦的磷光体表面。一种利用磷光体保形地涂敷LED的方式是电泳沉积。DaveCollins等人的题为“Using Electrophoresis to Produce a ConformallyCoated Phosphor-Converted Light Emitting Semiconductor”的美国专利no.6576488中描述了电泳沉积，该文献通过引用合并于此。当磷光体为例如图43A中所示的板时，图44B和图44C的工艺同样适用。图44B和图44C的工艺同样适用其中希望色温-角度关系更均匀的任何LED结构。
图44A中示出的色温曲线图表明，0％观察角下磷光体涂敷LED的色温比其他观察角下的色温冷(更高的CCT或更蓝)。这是因为当沿表面的法向行进时，蓝色光行进最少的距离通过磷光体。结果，当从不同的角度观看LED时，白色光改变颜色。尽管所示的色温范围从3000K到3500K，这些温度可以更高(例如高达6000K)或者更低，这取决于涂层的特定磷光体和厚度。
精确地制成在厚度方面发生变化，使得蓝色光在所有角度下行进相同的距离通过磷光体的磷光体涂层是非常困难的。
为了补偿这种颜色-角度关系的非均匀性，使用了包含基本上均匀分布的补偿磷光体的模压透镜。在一个实例中，将红色磷光体分散在与图43B中的模具250类似的模具中的液态硅树脂中。模具的尺寸基于要校正的LED的实际色温-角度特性通过计算机建模来确定。通常，模具将是凸的，其中精确的宽度、深度、曲率和磷光体密度通过计算机建模确定。具有磷光体涂层的LED置于液态硅树脂中，并且固化该硅树脂。然后，将具有模压透镜的LED从模具中移除。
图44B示出了包含红色磷光体的补偿模压透镜264的一个实例。可以使用其他的补偿磷光体，这取决于希望的色温。由色温-角度关系的曲线图可知，通过来自红色磷光体的添加的红色分量降低了平均温度，并且温差(temperature delta)从(图44A的)500K降低到250K，从而得到更均匀的色温-角度关系。透镜264优选地相对较软以便降低LED上的应力。
在图44C中，使用前述技术在颜色补偿透镜264上模压硬的硅树脂透镜268。
图45A示出了没有平坦的磷光体层的LED 236，其中模具被定制形状以形成改善色温-角度关系的均匀性的磷光体加载透镜272。计算机建模用来基于LED的颜色-角度关系确定模具的最佳形状和磷光体密度。通常，透镜272的形状使得蓝色光在大范围的角度上穿过透镜的近似相同的厚度。透镜的相对尺寸将比图45A中所示大得多。透镜272中的磷光体可以是YAG和红色或者任何其他磷光体的组合。透镜中的磷光体分布基本上是均匀的。多个重叠的模压透镜也可以用来实现希望的颜色特性。
然后，在更软的补偿透镜272上模压硬的外透镜276。该透镜276可以是清晰的或者包含磷光体。
在图45B中，内模压透镜272包含YAG磷光体，中间模压透镜277包含红色磷光体并且硬的外透镜276不包含磷光体。透镜272和277二者都可以被定形以便提供基本上均匀的色温-角度关系。也可以使用其他类型的磷光体和附加的磷光体加载透镜。在一些情况下，通过不将所有磷光体混合到单个透镜中来提供对于颜色和色温-角度关系的更好的控制。清晰的外透镜通常增大了光提取。
图46A-46D示出了在LED管芯和另一种类型的半导体芯片(例如瞬态电压抑制器(TVS)或光电检测器)上模压透镜。
图46A为基板280的一部分的顶视图，其示出连接到LED 282的电源引线之间的TVS芯片284和LED 282。基板280上的金属迹线未示出。在例如由于静电放电(ESD)而引起电压浪涌时，TVS芯片284中的电路将瞬态电压短接到地以便旁路LED 282。否则，可能损坏LED 282。TVS电路是公知的。据申请人所知，现有技术TVS电路没有利用用于LED的透镜的一部分来封装。图46A中所示的基板280是其上安装了许多对LED和TVS管芯的晶片的一部分。该基板晶片将在以后被锯切以便切分所述LED/TVS配对。
图46B为基板280的侧视图。与图43B和其他附图中所示类似的模具具有填充了包含磷光体颗粒的液态硅树脂的压痕。将所述基板晶片和模具放置在一起，使得每个LED/TVS配对处于单个压痕中的硅树脂内，并且接着对硅树脂固化。之后，将基板晶片从模具中分离，并且得到图46C的结构。模压磷光体透镜286封装了这两个芯片。使用的磷光体的类型、磷光体的密度以及透镜286的形状由希望的色温特性决定。在一个实施例中，透镜286中的磷光体是YAG和红色磷光体的混合物以便在由蓝色LED 282提供能量时产生暖白色光。
如图46D所示，与先前所示的工艺类似地进行第二过模压工艺以便在模压磷光体透镜286上制成清晰的硅树脂透镜288。像另一实施例一样，内透镜286优选地比外透镜288软。外透镜288被定形以便提供光的希望的折射，从而实现实际上任意的发射模式并且同样完整地封装所述芯片。外透镜288在TVS芯片284上的部分对LED的光发射模式具有很小的影响。在一个实际的实施例中，这两个芯片的厚度典型地相对于外透镜的高度比图46D中所示小得多。例如，LED 282的厚度可以是120微米(其生长衬底被移除)，模压磷光体透镜286在LED上可以具有100微米的厚度并且外透镜288在模压磷光体透镜286上可以具有1000微米的厚度。
模压磷光体透镜286的足迹(footprint)不必像半球形外透镜的足迹那样被圆整。磷光体透镜286的足迹可以是直线式的以便刚好覆盖该LED和TVS配对。
像在所有实施例中一样，外透镜可以包含一种或多种磷光体类型以便实现任何色温，例如暖白色。
尽管可以简单地在内硅树脂透镜上模压外硅树脂透镜，但是已经发现，内透镜的中间等离子体处理增加了这两个透镜之间的粘性。等离子体处理稍微蚀刻和粗糙化了透镜。使内透镜经受200瓦的等离子体功率几分钟(例如2-15分钟)足以确保这两个硅树脂透镜之间的粘性大于外透镜到模具的脱模薄膜的粘性。等离子体功率可以近似为200-600瓦。等离子体气体可以是任何适当的惰性气体(例如氩)，并且可以在能够产生等离子体的任何合适的腔室中进行该处理。图43C示出了可选的等离子体289步骤。该等离子体步骤可以在其中制成两个或更多过模压透镜的任何实施例中执行。已经证明，提供清晰的硅树脂透镜作为外透镜增大了光输出功率24％，这归因于其折射率低于磷光体加载硅树脂的折射率。
在图46A-46D中，LED可以是任意颜色，例如蓝色、青色、绿色等等，并且可以利用非LED芯片来过模压多个LED。
图47A-47C示出了在不同颜色的多个LED上模压单个透镜。图47A为包含红色LED 292、绿色LED 293和蓝色LED 294的基板290的一部分的顶视图。金属迹线未示出。该基板晶片包含许多这样的组，每个组根据RGB LED的相对亮度水平产生具有任何希望的色温的白色光。
布置、颜色以及每种颜色之比不受限制。例如，LED组也可以包括白色LED，或者该组可以单独地或者与一个或多个绿色和蓝色LED一起包括2-3个红色LED，或者该组可以是2个白色LED加琥珀色LED。
在图47B中，模具296具有填充了液态硅树脂298以便在基板晶片上的每组RGB LED上制成单个透镜的压痕297。基板290相对于模具296被夹住，并且硅树脂被固化。
在图47C中，于是将基板晶片和模具296分离，从而在LED组上制成模压透镜300。在一个实施例中，透镜300包含一个或多个磷光体。然后，切分基板晶片，或者整个基板晶片可以形成LED显示单元。任意数量和颜色的LED可以由单个过模压透镜封装。
图48A-48C示出了在LED上过模压透镜并且然后将准直透镜贴在过模压透镜的平坦部分上。
在图48A中，基板晶片310已经在其上安装了LED 312阵列。每个LED管芯的底部电极通过使用金属球314超声键合到基板上的金属接触垫。也可以使用其他键合技术。接着，将基板晶片310夹在模具上，其中每个LED处于先前填充了液态硅树脂的模具压痕中。这些压痕呈图48A中所示的模压硅树脂透镜316的形状。其后，固化硅树脂。然后，将基板晶片310从模具中分离。每个模压透镜316封装了LED并且具有平坦的顶部。
随后，通过硅树脂胶319、环氧树脂或者通过其他手段将预制菲涅尔透镜318贴在模压透镜316的平坦部分上。菲涅尔透镜318具有对光准直的非常精细的特征。为什么不能通过模具中的图案在模压透镜316中直接形成菲涅尔透镜的原因在于，脱模薄膜(其在模具上形成50微米的层)不能在模具中依这样的精细图案形成轮廓。如果模具由不粘物质制成并且不需要脱模层，那么可以在所述透镜中直接模压菲涅尔透镜。单独的菲涅尔透镜318可以通过冲压软化的塑料材料或者使用其他手段而制成。在一个实施例中，菲涅尔透镜318具有圆形的足迹。
模压透镜316的壁部分320包围每个菲涅尔透镜318并且与菲涅尔透镜318具有近似相同的高度。这个壁部分320具有成角度的侧面，其向上反射从菲涅尔透镜318侧面发射的任何光。此外，壁部分320保护菲涅尔透镜318不受撞击。向模压透镜提供壁部分是可选的，并且模压透镜可以是在顶部支撑另一透镜的任意形状。
然后，沿着锯线322锯切基板晶片310以便切分准直的光源。在一个实施例中，图48A-C的光源用作用于图16的蜂窝电话相机的微型闪光灯。可以使用其他类型的准直透镜。
模压透镜也可以包含磷光体，如图48B所示。在图48B中，LED发射蓝色光并且当模压透镜330时，不同类型的磷光体326、328分散到液态硅树脂中。在一个实施例中，这些磷光体提供至少红色和绿色成分给蓝色光以便产生白色光。在一个实施例中，这些磷光体包括用于暖白色光的红色磷光体和YAG磷光体。
图48C示出了其中利用磷光体334(例如YAG)保形地涂敷蓝色LED312的实施例。所述涂敷可以通过使用电泳来完成。模压硅树脂透镜336包含红色磷光体338以便产生暖白色光。
图49A和图49B示出了使用硅树脂凝胶底层填料填充AlInGaN LED管芯下面的空隙，其中LED然后由硬的外透镜封装。在图49A中，将其生长衬底(例如蓝宝石)面向上方的LED 340安装到基板342上，使得LED340上的金属触点344键合到基板342上的金属迹线346。这些金属迹线终止于基板342底部上的线焊盘或表面安装垫。然后，将诸如硅树脂凝胶之类的底层填料材料348注射到LED 340之下以便填充LED 340与基板342之间产生的空隙。然后，固化所述凝胶。该固化的凝胶保持相对较软。
然后，将受激准分子激光束施加到透明生长衬底上，其加热GaNLED表面并且在该表面处分离GaN以便产生镓和氮气。氮膨胀以使得蓝宝石衬底升离GaN LED，并且移除该蓝宝石衬底。在该工艺期间产生了巨大的向下压力，并且底层填料348在机械上支撑薄的LED层以防LED破损。底层填料348也有助于在操作LED期间将热从LED传导到基板。
然后，使用本文所描述的技术在LED上模压清晰或加载了磷光体的硬的硅树脂透镜350。底层填料348防止模具中的液态外透镜材料进入空隙。这降低了操作期间LED上的热应力，其否则可能导致LED升离基板。可以优化底层填料以便在不关心其光学特性的情况下实现其功能。
图49B示出了其中蓝宝石生长衬底354保留在LED层上的实施例。可以沿着LED 340和衬底354的侧面沉积底层填料356以便确保所有的空隙被填充并且当在操作期间LED被加热和冷却时降低LED/衬底与硬的外模压透镜358之间的压力。此外，如果底层填料不透明，那么沿着侧面的底层填料阻止侧发射，这在磷光体层位于衬底顶部上的情况下是有利的。像在所有实施例中一样，外透镜可以是加载了磷光体的。
在本文所描述的所有实施例中，可以采用底层填料硅树脂凝胶。此外，可以代替本文所描述的蓝色LED而使用发射UV光的LED，并且可以将蓝色磷光体分散到模压透镜中。
尽管已经显示和描述了本发明的特定实施例，但是对于本领域技术人员显然的是，可以在本发明的更广的方面不脱离本发明的情况下做出若干改变和修改，并且因此所附权利要求应当在其范围内包含落入本发明的真实精神和范围内的所有这样的改变和修改。

Claims (50)

1.一种用于制成发光二极管(LED)结构的工艺，包括：
在基板上提供发射蓝色光或UV光的LED；
提供基本上平坦的磷光体层；
提供具有与中间透镜相应的压痕的模具；
利用包含磷光体的液态透镜材料填充压痕；
在填充步骤之后，将至少磷光体层浸没到模具中的液态透镜材料中；
固化液态透镜材料，以便在磷光体层上制成磷光体加载透镜；以及
在LED上提供磷光体层。
2.权利要求1的工艺，其中所述磷光体层是在将至少所述磷光体层浸没到所述液态透镜材料中的步骤之前贴到所述LED上的磷光体板，其中将至少所述磷光体层浸没到所述液态透镜材料中的步骤包括将该LED以及贴到该LED上的磷光体板浸没到所述液态透镜材料中以便封装该LED和磷光体板。
3.权利要求1的工艺，其中所述磷光体层是在将至少所述磷光体层浸没到所述液态透镜材料中的步骤之后贴到所述LED上的磷光体板，其中在制成包含所述磷光体层的磷光体加载透镜之后将该磷光体加载透镜贴到所述LED上。
4.权利要求3的工艺，其中将包含所述磷光体板的磷光体加载透镜贴到所述LED上，所述磷光体板邻近该LED。
5.权利要求3的工艺，其中将包含所述磷光体板的磷光体加载透镜贴到所述LED上，所述透镜邻近该LED。
6.权利要求1的工艺，还包括通过将所述磷光体加载透镜和LED浸没到模具压痕中的液态透镜材料中并且然后固化该液态透镜材料来在所述磷光体加载透镜和LED上模压清晰透镜。
7.权利要求1的工艺，其中所述磷光体层包含YAG磷光体并且所述磷光体加载透镜中的磷光体包括红色磷光体。
8.权利要求1的工艺，其中所述磷光体层为磷光体板，其在浸没到所述液态透镜材料中时贴到底板上。
9.权利要求1的工艺，还包括确定所述磷光体层贴于其上的LED的色温-观察角关系，并且然后对所述模具压痕定形以增大该色温-观察角关系的均匀性。
10.权利要求1的工艺，其中所述磷光体层是在将至少该磷光体层浸没到所述液态透镜材料中的步骤之前保形地涂敷所述LED的磷光体层。
11.权利要求1的工艺，其中来自所述LED、磷光体层和磷光体加载透镜的光的组合产生白色光。
12.权利要求1的工艺，其中将所述LED连同多个相同的LED一起安装到基板上，其中将至少所述磷光体层浸没到所述模具中的液态透镜材料中的步骤包括同时将该基板上的所有LED浸没到关联的模具压痕中的液态透镜材料中。
13.一种发光二极管(LED)结构，包括：
基板上发射蓝色光或UV光的LED；
覆盖该LED的基本上平坦的磷光体层；
在该磷光体层上的模压的磷光体加载透镜；以及
在所述LED和磷光体加载透镜上模压的不含磷光体的清晰透镜。
14.权利要求13的结构，其中所述磷光体层是贴到所述LED上的磷光体板。
15.权利要求13的结构，其中将所述磷光体加载透镜贴到所述LED上，所述磷光体层邻近该LED。
16.权利要求13的结构，其中所述磷光体层包含YAG磷光体并且所述磷光体加载透镜中的磷光体包括红色磷光体。
17.权利要求13的结构，其中与所述磷光体层结合的LED具有一定的色温-观察角关系，并且其中对所述磷光体加载透镜定形以便增大该色温-观察角关系的均匀性。
18.权利要求13的结构，其中所述磷光体层是保形地涂敷所述LED的磷光体层。
19.权利要求13的结构，其中来自所述LED、磷光体层和磷光体加载透镜的光的组合产生白色光。
20.一种用于制成发光二极管(LED)结构的工艺，包括：
在基板上提供发射蓝色光或UV光的LED；
通过包括以下步骤的工艺在所述LED上模压磷光体加载透镜：
提供具有与中间透镜相应的压痕的模具；
利用包含磷光体的液态透镜材料填充该压痕；
在填充步骤之后，将至少所述LED浸没到所述模具中的液态透镜材料中；以及
固化该液态透镜材料，以便在所述LED上制成磷光体加载透镜；以及
在该磷光体加载透镜上模压清晰透镜。
21.权利要求20的工艺，其中所述磷光体加载透镜是包含第一磷光体的第一磷光体加载透镜，该工艺还包括在该第一磷光体加载透镜上模压第二磷光体加载透镜，该第二磷光体加载透镜包含与第一磷光体不同的第二磷光体。
22.权利要求21的工艺，还包括确定具有所述第一磷光体加载透镜的LED的色温-观察角关系，并且然后模压所述第二磷光体加载透镜以增大该色温-观察角关系的均匀性。
23.一种发光二极管(LED)结构，包括：
基板上发射蓝色光或UV光的LED；
该LED上的模压的第一磷光体加载透镜，其包含第一磷光体；
该第一磷光体加载透镜上的模压的第二磷光体加载透镜，其包含第二磷光体；
该第二磷光体加载透镜上的模压的清晰透镜，其不含磷光体。
24.权利要求23的结构，其中第一磷光体不同于第二磷光体。
25.权利要求23的结构，其中与第一磷光体加载透镜结合的LED具有一定的色温-观察角关系，并且其中对第二磷光体加载透镜定形以便增大该色温-观察角关系的均匀性。
26.一种发光二极管(LED)结构，包括：
基板上连同安装到该基板上的一个或多个半导体管芯一起的LED；以及
在该LED和所述一个或多个半导体管芯上模压的单个透镜。
27.权利要求26的结构，还包括覆盖所述LED和所述一个或多个半导体管芯的模压的磷光体加载透镜，其中在所述磷光体加载透镜上模压所述单个透镜。
28.权利要求26的结构，其中所述一个或多个半导体管芯包括一个或多个LED。
29.权利要求26的结构，其中所述一个或多个半导体管芯包括多个发射不同颜色的LED。
30.权利要求26的结构，其中所述一个或多个半导体管芯包括瞬态电压抑制器。
31.权利要求26的结构，其中所述一个或多个半导体管芯包括光电检测器。
32.权利要求26的结构，其中在所述LED和所述一个或多个半导体管芯上模压的所述单个透镜关于中心轴不对称。
33.权利要求26的结构，其中所述单个透镜封装所述LED和所述一个或多个半导体管芯。
34.一种发光二极管(LED)结构，包括：
安装到衬底上的LED；
在该LED上模压并且封装该LED的第一透镜，该透镜具有基本上平坦的顶部；以及
预制的第二透镜，其贴到第一透镜的所述基本上平坦的顶部上。
35.权利要求34的结构，其中第二透镜为准直透镜。
36.权利要求34的结构，其中第二透镜为菲涅尔透镜。
37.权利要求34的结构，其中第一透镜具有包围所述基本上平坦的顶部的壁部分，使得所述壁部分的顶部基本上与第二透镜的顶部共面。
38.权利要求37的结构，其中所述壁部分具有一定角度，以便反射来自第二透镜侧面的离开所述LED的光。
39.权利要求34的结构，其中第二透镜的表面与所述LED的表面具有近似相同的尺寸。
40.权利要求34的结构，其中第一透镜包含磷光体，并且来自所述LED的光为该磷光体提供能量且与该磷光体产生的光混合。
41.权利要求34的结构，其中该结构发射白色光。
42.权利要求41的结构，其中该结构为相机中的闪光灯。
43.权利要求34的结构，其中第一透镜包括硅树脂。
44.一种用于制成发光二极管(LED)结构的工艺，包括：
将LED安装到基板上，其中该LED上的至少第一电极键合到该基板的表面上的至少第二电极，在该LED与所述基板的表面之间存在空隙；
利用底层填料材料填充该空隙；
提供具有与透镜相应的压痕的模具；
利用液态透镜材料填充该压痕；
在该填充步骤之后，将所述LED和底层填料材料浸没到所述模具中的液态透镜材料中，该底层填料防止该液态透镜材料进入所述空隙中；
固化该液态透镜材料，以便利用模压透镜封装所述LED和底层填料材料；以及
将具有模压透镜的所述LED从所述模具中移除。
45.权利要求44的方法，其中透明衬底形成所述LED的顶面，其中所述底层填料材料的一部分设置在包括该衬底的LED的侧面。
46.一种用于制成发光二极管(LED)结构的工艺，包括：
在基板上提供LED；
提供具有第一压痕的第一模具，所述第一压痕具有与第一透镜相应的形状；
利用第一液态透镜材料填充第一压痕；
在该填充步骤之后，将所述LED浸没到第一模具中的第一液态透镜材料中；
固化该第一液态透镜材料以便在所述LED上制成第一透镜；
将具有第一透镜的所述LED从第一模具中移除；
对第一透镜进行等离子体处理；
提供具有第二压痕的第二模具，该第二压痕具有与第二透镜相应的形状；
利用第二液态透镜材料填充第二压痕；
在填充第二压痕的步骤之后，将所述LED和第一透镜浸没到第二模具中的第二液态透镜材料中；
固化第二液态透镜材料以便在所述LED上制成第二透镜，其中等离子体处理的步骤增加了第一透镜到第二透镜的粘性；以及
将具有第一透镜和第二透镜的LED从第二模具中移除。
47.权利要求46的工艺，其中第一透镜材料与第二透镜材料相同。
48.权利要求46的工艺，其中第一透镜包含磷光体。
49.权利要求46的工艺，其中等离子体处理包括在大约200-600瓦之间对第一透镜进行等离子体处理以便蚀刻第一透镜。
50.一种发光二极管(LED)结构，包括：
基板上的LED；
在该LED上的模压的第一透镜，其中该模压的第一透镜具有等离子体处理的外表面；
直接在第一透镜上制成的模压的第二透镜，其中第一透镜的等离子体处理的外表面增加了第一透镜到第二透镜的粘性。
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Cited By (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102157670A (zh) * 2010-02-11 2011-08-17 亿光电子工业股份有限公司 发光装置
CN102544312A (zh) * 2010-12-15 2012-07-04 日东电工株式会社 光学半导体器件
CN102569612A (zh) * 2010-12-31 2012-07-11 英特明光能股份有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
CN102569607A (zh) * 2010-11-26 2012-07-11 Lg伊诺特有限公司 磷光板和照明装置
CN102694105A (zh) * 2011-03-22 2012-09-26 台湾积体电路制造股份有限公司 发光二极管封装系统及其制造方法
CN102751424A (zh) * 2011-04-21 2012-10-24 三星Led株式会社 发光器件模块及其制造方法
CN102870242A (zh) * 2010-04-30 2013-01-09 克利公司 白色发射led芯片以及用于制造其的方法
CN102903830A (zh) * 2011-07-25 2013-01-30 采钰科技股份有限公司 发光装置
CN102903706A (zh) * 2011-07-29 2013-01-30 Lg伊诺特有限公司 发光器件封装件及使用其的照明系统
CN103283040A (zh) * 2010-12-30 2013-09-04 欧司朗光电半导体有限公司 用于制造多个半导体器件的方法
CN103688372A (zh) * 2011-06-15 2014-03-26 克里公司 用于发光二极管的凝胶层及其制造方法
US8746923B2 (en) 2011-12-05 2014-06-10 Cooledge Lighting Inc. Control of luminous intensity distribution from an array of point light sources
CN104051595A (zh) * 2013-03-15 2014-09-17 格罗特工业有限公司 柔性照明器件
CN104465954A (zh) * 2014-12-14 2015-03-25 励春亚 Cob光源封装工艺
CN104747973A (zh) * 2013-12-30 2015-07-01 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 发光装置及背光模块
CN104851957A (zh) * 2010-10-27 2015-08-19 英特明光能股份有限公司 发光二极管封装结构
US9142734B2 (en) 2003-02-26 2015-09-22 Cree, Inc. Composite white light source and method for fabricating
CN105304796A (zh) * 2014-06-06 2016-02-03 深圳市绎立锐光科技开发有限公司 制备光波长转换片的方法以及光波长转换片和光源
US9666772B2 (en) 2003-04-30 2017-05-30 Cree, Inc. High powered light emitter packages with compact optics
CN107039573A (zh) * 2016-02-04 2017-08-11 晶元光电股份有限公司 发光元件及其制造方法
CN108074880A (zh) * 2016-11-18 2018-05-25 英飞凌科技奥地利有限公司 用于形成半导体器件的方法和半导体器件
WO2019037094A1 (en) * 2017-08-25 2019-02-28 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Ltd. MULTI-LED LIGHT SOURCE LENS DESIGN IN AN INTEGRATED HOUSING
US10615324B2 (en) 2013-06-14 2020-04-07 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Tiny 6 pin side view surface mount LED
CN111063787A (zh) * 2014-01-23 2020-04-24 亮锐控股有限公司 具有自对准预制透镜的发光设备
CN111081848A (zh) * 2019-12-31 2020-04-28 广东晶科电子股份有限公司 一种发光装置的制作方法
US10680142B2 (en) 2014-01-08 2020-06-09 Lumileds Llc Wavelength converted semiconductor light emitting device
CN111712933A (zh) * 2017-12-22 2020-09-25 亮锐有限责任公司 用于单片led阵列的粒子系统
CN113671751A (zh) * 2021-08-18 2021-11-19 安徽芯瑞达科技股份有限公司 一种近零OD背光模组及其Mini LED灯珠制作方法
CN113921681A (zh) * 2020-07-10 2022-01-11 广州市鸿利显示电子有限公司 Mini LED压模模具及制备方法、Mini LED组件
CN117153995A (zh) * 2023-10-30 2023-12-01 罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司 一种led封装膜层及led封装结构
CN113671751B (zh) * 2021-08-18 2024-05-14 安徽芯瑞达科技股份有限公司 一种近零od背光模组

Families Citing this family (331)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7005679B2 (en) * 2003-05-01 2006-02-28 Cree, Inc. Multiple component solid state white light
US8999736B2 (en) * 2003-07-04 2015-04-07 Epistar Corporation Optoelectronic system
US20050259418A1 (en) * 2004-05-18 2005-11-24 Callegari Mark R Expanded bit map display for mounting on a building surface and a method of creating same
US7534633B2 (en) * 2004-07-02 2009-05-19 Cree, Inc. LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same
KR20070048649A (ko) * 2004-09-04 2007-05-09 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 높이가 감소된 기판 캐리어
US8816369B2 (en) 2004-10-29 2014-08-26 Led Engin, Inc. LED packages with mushroom shaped lenses and methods of manufacturing LED light-emitting devices
US8134292B2 (en) * 2004-10-29 2012-03-13 Ledengin, Inc. Light emitting device with a thermal insulating and refractive index matching material
US9929326B2 (en) 2004-10-29 2018-03-27 Ledengin, Inc. LED package having mushroom-shaped lens with volume diffuser
US8324641B2 (en) * 2007-06-29 2012-12-04 Ledengin, Inc. Matrix material including an embedded dispersion of beads for a light-emitting device
ITRM20040633A1 (it) * 2004-12-23 2005-03-23 St Microelectronics Srl Trasmettitore ottico multi-sorgente e dispositivo di visualizzazione fotonico.
US8125137B2 (en) * 2005-01-10 2012-02-28 Cree, Inc. Multi-chip light emitting device lamps for providing high-CRI warm white light and light fixtures including the same
US7821023B2 (en) * 2005-01-10 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting component
US7564180B2 (en) 2005-01-10 2009-07-21 Cree, Inc. Light emission device and method utilizing multiple emitters and multiple phosphors
TWI352437B (en) * 2007-08-27 2011-11-11 Epistar Corp Optoelectronic semiconductor device
JP4634810B2 (ja) * 2005-01-20 2011-02-16 信越化学工業株式会社 シリコーン封止型ｌｅｄ
US20070000849A1 (en) * 2005-01-25 2007-01-04 Daktronics, Inc. Modular display system
US20150295154A1 (en) * 2005-02-03 2015-10-15 Epistar Corporation Light emitting device and manufacturing method thereof
US8163580B2 (en) * 2005-08-10 2012-04-24 Philips Lumileds Lighting Company Llc Multiple die LED and lens optical system
US7907133B2 (en) 2006-04-13 2011-03-15 Daktronics, Inc. Pixel interleaving configurations for use in high definition electronic sign displays
US8130175B1 (en) 2007-04-12 2012-03-06 Daktronics, Inc. Pixel interleaving configurations for use in high definition electronic sign displays
US8172097B2 (en) * 2005-11-10 2012-05-08 Daktronics, Inc. LED display module
WO2007073496A2 (en) 2005-12-22 2007-06-28 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device
US7918582B2 (en) * 2005-12-30 2011-04-05 Dialight Corporation Signal light using phosphor coated LEDs
WO2007079423A2 (en) 2005-12-30 2007-07-12 Dialight Corporation Method and apparatus for providing a light source that combines different color leds
CN102800786B (zh) 2006-04-24 2015-09-16 克利公司 发光二极管和显示元件
BRPI0711150A2 (pt) * 2006-05-02 2011-08-23 Superbulbs Inc bulbo de led de plástico
EP2013919A2 (en) 2006-05-02 2009-01-14 Superbulbs, Inc. Method of light dispersion and preferential scattering of certain wavelengths of light for light-emitting diodes and bulbs constructed therefrom
AU2007248758A1 (en) 2006-05-02 2007-11-15 Daniel Chandler Heat removal design for LED bulbs
DE102007021042A1 (de) * 2006-07-24 2008-01-31 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd., Suwon Leuchtdiodenmodul für Lichtquellenreihe
JP2008060542A (ja) * 2006-08-03 2008-03-13 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置、発光装置の製造方法、及びこれを備えた光源装置
US20080029720A1 (en) 2006-08-03 2008-02-07 Intematix Corporation LED lighting arrangement including light emitting phosphor
US20100224890A1 (en) * 2006-09-18 2010-09-09 Cree, Inc. Light emitting diode chip with electrical insulation element
JP4858966B2 (ja) * 2006-11-02 2012-01-18 Ｔｏｗａ株式会社 電子部品の圧縮成形方法及び成形装置
US7889421B2 (en) * 2006-11-17 2011-02-15 Rensselaer Polytechnic Institute High-power white LEDs and manufacturing method thereof
US20080197369A1 (en) * 2007-02-20 2008-08-21 Cree, Inc. Double flip semiconductor device and method for fabrication
KR100883075B1 (ko) * 2007-03-02 2009-02-10 엘지전자 주식회사 전계발광소자
TWI326923B (en) * 2007-03-07 2010-07-01 Lite On Technology Corp White light emitting diode
US7618163B2 (en) * 2007-04-02 2009-11-17 Ruud Lighting, Inc. Light-directing LED apparatus
DE102007017855A1 (de) * 2007-04-16 2008-10-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelementes und optoelektronisches Bauelement
US7999283B2 (en) * 2007-06-14 2011-08-16 Cree, Inc. Encapsulant with scatterer to tailor spatial emission pattern and color uniformity in light emitting diodes
US8350788B1 (en) 2007-07-06 2013-01-08 Daktronics, Inc. Louver panel for an electronic sign
US11114594B2 (en) * 2007-08-24 2021-09-07 Creeled, Inc. Light emitting device packages using light scattering particles of different size
KR101383357B1 (ko) * 2007-08-27 2014-04-10 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조방법
WO2009045438A1 (en) 2007-10-03 2009-04-09 Superbulbs, Inc. Glass led light bulbs
EP2215403A4 (en) 2007-10-24 2012-08-29 Switch Bulb Co Inc DIFFUSER FOR LIGHT SOURCES OF LIGHT EMITTING DIODES
US9431589B2 (en) 2007-12-14 2016-08-30 Cree, Inc. Textured encapsulant surface in LED packages
US20090159915A1 (en) * 2007-12-19 2009-06-25 Shaul Branchevsky Led insert module and multi-layer lens
KR100998009B1 (ko) * 2008-03-12 2010-12-03 삼성엘이디 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법
JP5665160B2 (ja) * 2008-03-26 2015-02-04 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光装置および照明器具
DE102008016487A1 (de) * 2008-03-31 2009-10-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
US9287469B2 (en) * 2008-05-02 2016-03-15 Cree, Inc. Encapsulation for phosphor-converted white light emitting diode
WO2009137053A1 (en) 2008-05-06 2009-11-12 Qd Vision, Inc. Optical components, systems including an optical component, and devices
EP2297762B1 (en) 2008-05-06 2017-03-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Solid state lighting devices including quantum confined semiconductor nanoparticles
US9207385B2 (en) 2008-05-06 2015-12-08 Qd Vision, Inc. Lighting systems and devices including same
DE102008049777A1 (de) * 2008-05-23 2009-11-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Modul
CN102113119A (zh) * 2008-05-29 2011-06-29 克利公司 具有近场混合的光源
US7868340B2 (en) * 2008-05-30 2011-01-11 Bridgelux, Inc. Method and apparatus for generating white light from solid state light emitting devices
US8847249B2 (en) 2008-06-16 2014-09-30 Soraa, Inc. Solid-state optical device having enhanced indium content in active regions
KR20110025896A (ko) * 2008-06-23 2011-03-14 파나소닉 주식회사 발광장치, 면 발광장치 및 표시장치
US8680550B2 (en) 2008-07-03 2014-03-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Wavelength-converting light emitting diode (LED) chip and LED device equipped with chip
US8143148B1 (en) 2008-07-14 2012-03-27 Soraa, Inc. Self-aligned multi-dielectric-layer lift off process for laser diode stripes
US8805134B1 (en) 2012-02-17 2014-08-12 Soraa Laser Diode, Inc. Methods and apparatus for photonic integration in non-polar and semi-polar oriented wave-guided optical devices
US8767787B1 (en) 2008-07-14 2014-07-01 Soraa Laser Diode, Inc. Integrated laser diodes with quality facets on GaN substrates
US8284810B1 (en) 2008-08-04 2012-10-09 Soraa, Inc. Solid state laser device using a selected crystal orientation in non-polar or semi-polar GaN containing materials and methods
CN102144294A (zh) 2008-08-04 2011-08-03 Soraa有限公司 使用非极性或半极性的含镓材料和磷光体的白光器件
US20110181797A1 (en) * 2008-09-01 2011-07-28 Lensvector Inc. Wafer-level fabrication of liquid crystal optoelectronic devices
US8022626B2 (en) * 2008-09-16 2011-09-20 Osram Sylvania Inc. Lighting module
US8183585B2 (en) 2008-09-16 2012-05-22 Osram Sylvania Inc. Lighting module
US8188486B2 (en) * 2008-09-16 2012-05-29 Osram Sylvania Inc. Optical disk for lighting module
US7858409B2 (en) * 2008-09-18 2010-12-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. White point compensated LEDs for LCD displays
US8403538B2 (en) * 2008-09-30 2013-03-26 Tyco Electronics Corporation Color homogenizing optical assembly
US8328390B2 (en) * 2008-10-09 2012-12-11 Phoseon Technology, Inc. High irradiance through off-center optics
US8534890B2 (en) * 2008-10-09 2013-09-17 Tyco Electronics Canada Ulc Light pipe assembly having optical concentrator
US8075165B2 (en) * 2008-10-14 2011-12-13 Ledengin, Inc. Total internal reflection lens and mechanical retention and locating device
US20100109025A1 (en) * 2008-11-05 2010-05-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Over the mold phosphor lens for an led
DE102008057140A1 (de) * 2008-11-13 2010-05-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US20100123386A1 (en) 2008-11-13 2010-05-20 Maven Optronics Corp. Phosphor-Coated Light Extraction Structures for Phosphor-Converted Light Emitting Devices
US8314537B2 (en) * 2008-11-18 2012-11-20 Koninklijke Philips Electronics N.V. Electric lamp
US8507300B2 (en) * 2008-12-24 2013-08-13 Ledengin, Inc. Light-emitting diode with light-conversion layer
CA2749897A1 (en) * 2009-01-21 2010-07-29 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light source comprising a light recycling device and corresponding light recycling device
US20100181582A1 (en) * 2009-01-22 2010-07-22 Intematix Corporation Light emitting devices with phosphor wavelength conversion and methods of manufacture thereof
TWI376043B (en) 2009-01-23 2012-11-01 Everlight Electronics Co Ltd Light emitting device package structure and manufacturing method thereof
CN102301176B (zh) * 2009-01-28 2014-02-05 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有远程磷光体层和/或散射层的照明系统
JP5680278B2 (ja) * 2009-02-13 2015-03-04 シャープ株式会社 発光装置
US7828453B2 (en) * 2009-03-10 2010-11-09 Nepes Led Corporation Light emitting device and lamp-cover structure containing luminescent material
US8247886B1 (en) 2009-03-09 2012-08-21 Soraa, Inc. Polarization direction of optical devices using selected spatial configurations
JP5327042B2 (ja) * 2009-03-26 2013-10-30 豊田合成株式会社 Ｌｅｄランプの製造方法
US20100244064A1 (en) * 2009-03-27 2010-09-30 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light source
US8422525B1 (en) 2009-03-28 2013-04-16 Soraa, Inc. Optical device structure using miscut GaN substrates for laser applications
US7994531B2 (en) * 2009-04-02 2011-08-09 Visera Technologies Company Limited White-light light emitting diode chips and fabrication methods thereof
US20140175377A1 (en) * 2009-04-07 2014-06-26 Soraa, Inc. Polarized white light devices using non-polar or semipolar gallium containing materials and transparent phosphors
US8299473B1 (en) 2009-04-07 2012-10-30 Soraa, Inc. Polarized white light devices using non-polar or semipolar gallium containing materials and transparent phosphors
US8634442B1 (en) 2009-04-13 2014-01-21 Soraa Laser Diode, Inc. Optical device structure using GaN substrates for laser applications
US8837545B2 (en) 2009-04-13 2014-09-16 Soraa Laser Diode, Inc. Optical device structure using GaN substrates and growth structures for laser applications
US9531164B2 (en) 2009-04-13 2016-12-27 Soraa Laser Diode, Inc. Optical device structure using GaN substrates for laser applications
US8247248B2 (en) * 2009-05-15 2012-08-21 Achrolux Inc. Methods and apparatus for forming uniform layers of phosphor material on an LED encapsulation structure
US8791499B1 (en) 2009-05-27 2014-07-29 Soraa, Inc. GaN containing optical devices and method with ESD stability
US10108079B2 (en) 2009-05-29 2018-10-23 Soraa Laser Diode, Inc. Laser light source for a vehicle
US8427590B2 (en) 2009-05-29 2013-04-23 Soraa, Inc. Laser based display method and system
US8247887B1 (en) 2009-05-29 2012-08-21 Soraa, Inc. Method and surface morphology of non-polar gallium nitride containing substrates
US9250044B1 (en) 2009-05-29 2016-02-02 Soraa Laser Diode, Inc. Gallium and nitrogen containing laser diode dazzling devices and methods of use
US9800017B1 (en) 2009-05-29 2017-10-24 Soraa Laser Diode, Inc. Laser device and method for a vehicle
US8509275B1 (en) 2009-05-29 2013-08-13 Soraa, Inc. Gallium nitride based laser dazzling device and method
US9829780B2 (en) 2009-05-29 2017-11-28 Soraa Laser Diode, Inc. Laser light source for a vehicle
US8384114B2 (en) 2009-06-27 2013-02-26 Cooledge Lighting Inc. High efficiency LEDs and LED lamps
JP5380182B2 (ja) * 2009-07-03 2014-01-08 パナソニック株式会社 発光装置、面光源および液晶ディスプレイ装置
US8431423B2 (en) * 2009-07-16 2013-04-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. Reflective substrate for LEDS
US8803171B2 (en) * 2009-07-22 2014-08-12 Koninklijke Philips N.V. Reduced color over angle variation LEDs
US20110031516A1 (en) * 2009-08-07 2011-02-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Led with silicone layer and laminated remote phosphor layer
US9000466B1 (en) 2010-08-23 2015-04-07 Soraa, Inc. Methods and devices for light extraction from a group III-nitride volumetric LED using surface and sidewall roughening
CN102473819A (zh) * 2009-08-27 2012-05-23 京瓷株式会社 发光装置
DE102009040148A1 (de) * 2009-09-04 2011-03-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Konversionsmittelkörper, optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
JP5379615B2 (ja) * 2009-09-09 2013-12-25 パナソニック株式会社 照明装置
JP5936810B2 (ja) * 2009-09-11 2016-06-22 ローム株式会社 発光装置
US8750342B1 (en) 2011-09-09 2014-06-10 Soraa Laser Diode, Inc. Laser diodes with scribe structures
US20110062472A1 (en) * 2009-09-17 2011-03-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Wavelength-converted semiconductor light emitting device
US8355418B2 (en) 2009-09-17 2013-01-15 Soraa, Inc. Growth structures and method for forming laser diodes on {20-21} or off cut gallium and nitrogen containing substrates
US8933644B2 (en) 2009-09-18 2015-01-13 Soraa, Inc. LED lamps with improved quality of light
US9293644B2 (en) 2009-09-18 2016-03-22 Soraa, Inc. Power light emitting diode and method with uniform current density operation
US9583678B2 (en) 2009-09-18 2017-02-28 Soraa, Inc. High-performance LED fabrication
KR101368906B1 (ko) 2009-09-18 2014-02-28 소라, 인코포레이티드 전력 발광 다이오드 및 전류 밀도 작동 방법
US8455910B2 (en) * 2009-09-21 2013-06-04 Walsin Lihwa Corporation Method of manufacturing light emitting diode packaging lens and light emitting diode package
US20110186887A1 (en) * 2009-09-21 2011-08-04 Soraa, Inc. Reflection Mode Wavelength Conversion Material for Optical Devices Using Non-Polar or Semipolar Gallium Containing Materials
EP2480816A1 (en) 2009-09-25 2012-08-01 Cree, Inc. Lighting device with low glare and high light level uniformity
DE102009048401A1 (de) * 2009-10-06 2011-04-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil
JP2011100715A (ja) * 2009-10-09 2011-05-19 Canon Inc 発光装置、表示装置および撮像装置
KR100986468B1 (ko) 2009-11-19 2010-10-08 엘지이노텍 주식회사 렌즈 및 렌즈를 갖는 발광 장치
KR100986380B1 (ko) 2009-11-20 2010-10-08 엘지이노텍 주식회사 발광 장치
US9480133B2 (en) 2010-01-04 2016-10-25 Cooledge Lighting Inc. Light-emitting element repair in array-based lighting devices
US8653539B2 (en) 2010-01-04 2014-02-18 Cooledge Lighting, Inc. Failure mitigation in arrays of light-emitting devices
US8740413B1 (en) 2010-02-03 2014-06-03 Soraa, Inc. System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures
US10147850B1 (en) 2010-02-03 2018-12-04 Soraa, Inc. System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures
US20110182056A1 (en) * 2010-06-23 2011-07-28 Soraa, Inc. Quantum Dot Wavelength Conversion for Optical Devices Using Nonpolar or Semipolar Gallium Containing Materials
US8905588B2 (en) * 2010-02-03 2014-12-09 Sorra, Inc. System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures
DE102010008605A1 (de) * 2010-02-19 2011-08-25 OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 Optoelektronisches Bauteil
DE102010002570A1 (de) * 2010-03-04 2011-07-21 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung, 81543 Verfahren zum Herstellen einer Leuchtvorrichtung, Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens und Leuchtvorrichtung
US8319247B2 (en) * 2010-03-25 2012-11-27 Koninklijke Philips Electronics N.V. Carrier for a light emitting device
US9927611B2 (en) 2010-03-29 2018-03-27 Soraa Laser Diode, Inc. Wearable laser based display method and system
TWI561770B (en) * 2010-04-30 2016-12-11 Samsung Electronics Co Ltd Light emitting device package, light source module, backlight unit, display apparatus, television set, and illumination apparatus
US8451876B1 (en) 2010-05-17 2013-05-28 Soraa, Inc. Method and system for providing bidirectional light sources with broad spectrum
MY169600A (en) * 2010-05-24 2019-04-22 Dominant Opto Tech Sdn Bhd Led lighting device with uniform color mixing
WO2011158555A1 (ja) * 2010-06-15 2011-12-22 シャープ株式会社 照明装置、表示装置、及びテレビ受信装置
TWI442604B (zh) * 2010-06-17 2014-06-21 Achrolux Inc 發光結構及其製法
US8293551B2 (en) 2010-06-18 2012-10-23 Soraa, Inc. Gallium and nitrogen containing triangular or diamond-shaped configuration for optical devices
US9450143B2 (en) 2010-06-18 2016-09-20 Soraa, Inc. Gallium and nitrogen containing triangular or diamond-shaped configuration for optical devices
JP5437177B2 (ja) * 2010-06-25 2014-03-12 パナソニック株式会社 発光装置
KR101372084B1 (ko) 2010-06-29 2014-03-07 쿨레지 라이팅 인크. 항복형 기판을 갖는 전자 장치
DE102010026344A1 (de) * 2010-07-07 2012-01-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiode
TW201207324A (en) * 2010-08-13 2012-02-16 Foxsemicon Integrated Tech Inc Lightening structure of LED light source
US9515229B2 (en) 2010-09-21 2016-12-06 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices with optical coatings and methods of making same
TW201215817A (en) * 2010-10-05 2012-04-16 Advanced Connectek Inc Complementary color light source device
US9546765B2 (en) 2010-10-05 2017-01-17 Intematix Corporation Diffuser component having scattering particles
US8455882B2 (en) * 2010-10-15 2013-06-04 Cree, Inc. High efficiency LEDs
WO2012052063A1 (de) * 2010-10-22 2012-04-26 Osram Ag Led-lichtquelle und zugehörige baueinheit
US9024341B2 (en) * 2010-10-27 2015-05-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Refractive index tuning of wafer level package LEDs
US8816319B1 (en) 2010-11-05 2014-08-26 Soraa Laser Diode, Inc. Method of strain engineering and related optical device using a gallium and nitrogen containing active region
US8455895B2 (en) 2010-11-08 2013-06-04 Bridgelux, Inc. LED-based light source utilizing asymmetric conductors
US9478719B2 (en) 2010-11-08 2016-10-25 Bridgelux, Inc. LED-based light source utilizing asymmetric conductors
US9048170B2 (en) 2010-11-09 2015-06-02 Soraa Laser Diode, Inc. Method of fabricating optical devices using laser treatment
US8896235B1 (en) 2010-11-17 2014-11-25 Soraa, Inc. High temperature LED system using an AC power source
US20120138981A1 (en) * 2010-12-02 2012-06-07 Chung-Shan Institute of Science and Technology, Armaments, Bureau, Ministry of National Defense Light-Emitting Diode Apparatus and Method for Making the Same
KR101826745B1 (ko) 2010-12-14 2018-02-07 삼성전자주식회사 가변초점 렌즈 구조체 및 그 제조방법과, 광학렌즈 모듈 및 그 제조방법
US8652860B2 (en) 2011-01-09 2014-02-18 Bridgelux, Inc. Packaging photon building blocks having only top side connections in a molded interconnect structure
US8354684B2 (en) 2011-01-09 2013-01-15 Bridgelux, Inc. Packaging photon building blocks having only top side connections in an interconnect structure
KR101199064B1 (ko) * 2011-01-21 2012-11-07 엘지이노텍 주식회사 광 변환 부재, 이를 포함하는 표시장치 및 이의 제조방법
US9318875B1 (en) 2011-01-24 2016-04-19 Soraa Laser Diode, Inc. Color converting element for laser diode
US9595813B2 (en) 2011-01-24 2017-03-14 Soraa Laser Diode, Inc. Laser package having multiple emitters configured on a substrate member
US9025635B2 (en) 2011-01-24 2015-05-05 Soraa Laser Diode, Inc. Laser package having multiple emitters configured on a support member
JP5772007B2 (ja) * 2011-01-24 2015-09-02 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
US8786053B2 (en) 2011-01-24 2014-07-22 Soraa, Inc. Gallium-nitride-on-handle substrate materials and devices and method of manufacture
US9093820B1 (en) 2011-01-25 2015-07-28 Soraa Laser Diode, Inc. Method and structure for laser devices using optical blocking regions
JP2012199497A (ja) * 2011-03-23 2012-10-18 Panasonic Corp 発光装置
US9287684B2 (en) 2011-04-04 2016-03-15 Soraa Laser Diode, Inc. Laser package having multiple emitters with color wheel
DE202011000856U1 (de) 2011-04-13 2011-08-10 Flextronics Automotive Gmbh & Co.Kg Anzeigevorrichtung für die Kühlschranktemperatur
US9029887B2 (en) 2011-04-22 2015-05-12 Micron Technology, Inc. Solid state lighting devices having improved color uniformity and associated methods
WO2012147342A1 (ja) 2011-04-28 2012-11-01 株式会社朝日ラバー レンズ付き光半導体装置、及びその製造方法
DE102011102350A1 (de) * 2011-05-24 2012-11-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optisches Element, optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung dieser
GB201109065D0 (en) * 2011-05-31 2011-07-13 Nanoco Technologies Ltd Semiconductor nanoparticle-containing materials and light emitting devices incorporating the same
US8860056B2 (en) 2011-12-01 2014-10-14 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Structure and method for LED with phosphor coating
KR101850979B1 (ko) * 2011-06-03 2018-04-20 서울반도체 주식회사 발광소자의 봉지재 성형장치 및 방법
US8525190B2 (en) * 2011-06-15 2013-09-03 Cree, Inc. Conformal gel layers for light emitting diodes
US9642208B2 (en) * 2011-06-28 2017-05-02 Cree, Inc. Variable correlated color temperature luminary constructs
DE102011079796B4 (de) 2011-07-26 2015-08-13 Flextronics Automotive Gmbh & Co.Kg Verfahren zur Ermittlung von PWM-Werten für LED-Module
KR101795370B1 (ko) 2011-07-28 2017-11-08 삼성전자주식회사 발광디바이스의 제조방법
US20130037931A1 (en) * 2011-08-08 2013-02-14 Leo M. Higgins, III Semiconductor package with a heat spreader and method of making
US8686431B2 (en) 2011-08-22 2014-04-01 Soraa, Inc. Gallium and nitrogen containing trilateral configuration for optical devices
US9646827B1 (en) 2011-08-23 2017-05-09 Soraa, Inc. Method for smoothing surface of a substrate containing gallium and nitrogen
EP2788673A2 (en) * 2011-09-09 2014-10-15 Koninklijke Philips N.V. Light-emitting arrangement
US8591069B2 (en) 2011-09-21 2013-11-26 Switch Bulb Company, Inc. LED light bulb with controlled color distribution using quantum dots
US8971370B1 (en) 2011-10-13 2015-03-03 Soraa Laser Diode, Inc. Laser devices using a semipolar plane
JP5744697B2 (ja) * 2011-10-17 2015-07-08 Ｔｏｗａ株式会社 光電子部品及びその製造方法
DE102011116229A1 (de) 2011-10-17 2013-04-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Keramisches Konversionselement, optoelektronisches Bauelement mit einem keramischen Konversionselement und Verfahren zur Herstellung eines keramischen Konversionselements
KR101883841B1 (ko) * 2011-10-20 2018-08-01 엘지이노텍 주식회사 발광 모듈 및 이를 포함하는 해드 램프
KR102009058B1 (ko) 2011-10-31 2019-10-21 에피스타 코포레이션 Led 광원
JP2013105973A (ja) * 2011-11-16 2013-05-30 Seiko Epson Corp 発光装置およびその製造方法、並びに、プロジェクター
US8912025B2 (en) 2011-11-23 2014-12-16 Soraa, Inc. Method for manufacture of bright GaN LEDs using a selective removal process
CN102437276A (zh) * 2011-11-25 2012-05-02 四川新力光源有限公司 一种led器件及其制作方法
KR101288918B1 (ko) * 2011-12-26 2013-07-24 루미마이크로 주식회사 파장변환층이 형성된 발광소자 제조방법 및 그에 따라 제조된 발광소자
WO2013112435A1 (en) * 2012-01-24 2013-08-01 Cooledge Lighting Inc. Light - emitting devices having discrete phosphor chips and fabrication methods
US9117991B1 (en) 2012-02-10 2015-08-25 Flextronics Ap, Llc Use of flexible circuits incorporating a heat spreading layer and the rigidizing specific areas within such a construction by creating stiffening structures within said circuits by either folding, bending, forming or combinations thereof
US8803185B2 (en) * 2012-02-21 2014-08-12 Peiching Ling Light emitting diode package and method of fabricating the same
DE102012101892B4 (de) 2012-03-06 2021-05-12 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Wellenlängenkonversionselement, Licht emittierendes Halbleiterbauelement und Anzeigevorrichtung damit sowie Verfahren zur Herstellung eines Wellenlängenkonversionselements
JP2013214716A (ja) * 2012-03-06 2013-10-17 Nitto Denko Corp 蛍光封止シート、発光ダイオード装置およびその製造方法
WO2013134432A1 (en) * 2012-03-06 2013-09-12 Soraa, Inc. Light emitting diodes with low refractive index material layers to reduce light guiding effects
US9020003B1 (en) 2012-03-14 2015-04-28 Soraa Laser Diode, Inc. Group III-nitride laser diode grown on a semi-polar orientation of gallium and nitrogen containing substrates
KR101867304B1 (ko) * 2012-03-15 2018-06-15 삼성전자주식회사 반도체 발광장치 제조방법
US9897284B2 (en) 2012-03-28 2018-02-20 Ledengin, Inc. LED-based MR16 replacement lamp
CN104205374B (zh) 2012-03-30 2020-10-16 亮锐控股有限公司 具有波长转换侧面涂层的发光器件
US9343871B1 (en) 2012-04-05 2016-05-17 Soraa Laser Diode, Inc. Facet on a gallium and nitrogen containing laser diode
US10559939B1 (en) 2012-04-05 2020-02-11 Soraa Laser Diode, Inc. Facet on a gallium and nitrogen containing laser diode
US9800016B1 (en) 2012-04-05 2017-10-24 Soraa Laser Diode, Inc. Facet on a gallium and nitrogen containing laser diode
KR20130124632A (ko) * 2012-05-07 2013-11-15 주식회사 포스코엘이디 엘이디 조명장치 및 이에 이용되는 파장변환부재의 제조방법
AT512865B1 (de) * 2012-05-09 2014-12-15 Zizala Lichtsysteme Gmbh Beleuchtungseinrichtung für einen Kraftfahrzeugscheinwerfer sowie Lichtmodul und Kraftfahrzeugscheinwerfer mit Beleuchtungseinrichtung
KR20130133573A (ko) * 2012-05-29 2013-12-09 서울반도체 주식회사 엘이디 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 엘이디 텔레비전
US10145026B2 (en) 2012-06-04 2018-12-04 Slt Technologies, Inc. Process for large-scale ammonothermal manufacturing of semipolar gallium nitride boules
TWI475664B (zh) * 2012-06-04 2015-03-01 用於產生對稱性均勻混光光源的多晶片封裝結構
US8877561B2 (en) 2012-06-07 2014-11-04 Cooledge Lighting Inc. Methods of fabricating wafer-level flip chip device packages
US20140151731A1 (en) * 2012-06-15 2014-06-05 Nguyen The Tran Photon conversion structures, devices for light emitting devices
US9356214B2 (en) 2012-06-27 2016-05-31 Flextronics Ap, Llc. Cooling system for LED device
US9366394B2 (en) 2012-06-27 2016-06-14 Flextronics Ap, Llc Automotive LED headlight cooling system
USD737499S1 (en) 2012-07-13 2015-08-25 Asahi Rubber Inc. Lens for light-emitting diode
KR20200085912A (ko) * 2012-07-20 2020-07-15 루미리즈 홀딩 비.브이. 세라믹 녹색 인광체 및 보호된 적색 인광체 층을 갖는 ｌｅｄ
US8971368B1 (en) 2012-08-16 2015-03-03 Soraa Laser Diode, Inc. Laser devices having a gallium and nitrogen containing semipolar surface orientation
DE102012216552A1 (de) * 2012-09-17 2014-03-20 Osram Gmbh Herstellen einer LED-Leuchtvorrichtung mit Konverterschicht
US9978904B2 (en) 2012-10-16 2018-05-22 Soraa, Inc. Indium gallium nitride light emitting devices
US9041019B2 (en) * 2012-10-25 2015-05-26 Flextronics Ap, Llc Method of and device for manufacturing LED assembly using liquid molding technologies
DE102012222475A1 (de) * 2012-12-06 2014-06-12 Osram Gmbh Leuchtdiode aufweisend mehrere leuchtstoffbereiche
KR101984897B1 (ko) * 2012-12-10 2019-06-03 삼성디스플레이 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법
KR101287633B1 (ko) * 2012-12-12 2013-07-24 유버 주식회사 칩온보드형 ｕｖ ｌｅｄ 패키지의 제조방법
US9761763B2 (en) 2012-12-21 2017-09-12 Soraa, Inc. Dense-luminescent-materials-coated violet LEDs
US8802471B1 (en) 2012-12-21 2014-08-12 Soraa, Inc. Contacts for an n-type gallium and nitrogen substrate for optical devices
CN103000791B (zh) * 2012-12-24 2015-06-24 佛山市香港科技大学Led-Fpd工程技术研究开发中心 点胶涂布远距式荧光粉层的led封装结构及制备方法
US20140185269A1 (en) 2012-12-28 2014-07-03 Intermatix Corporation Solid-state lamps utilizing photoluminescence wavelength conversion components
US8933478B2 (en) 2013-02-19 2015-01-13 Cooledge Lighting Inc. Engineered-phosphor LED packages and related methods
US8754435B1 (en) 2013-02-19 2014-06-17 Cooledge Lighting Inc. Engineered-phosphor LED package and related methods
US9748460B2 (en) 2013-02-28 2017-08-29 Flextronics Ap, Llc LED back end assembly and method of manufacturing
US9470395B2 (en) 2013-03-15 2016-10-18 Abl Ip Holding Llc Optic for a light source
CN105121951A (zh) 2013-03-15 2015-12-02 英特曼帝克司公司 光致发光波长转换组件
US20140264423A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Grote Industries, Llc Flexible lighting device including a protective conformal coating
US10807329B2 (en) 2013-05-10 2020-10-20 Abl Ip Holding Llc Silicone optics
WO2014184757A1 (en) 2013-05-15 2014-11-20 Koninklijke Philips N.V. Light emitting device with an optical element and a reflector
US9166372B1 (en) 2013-06-28 2015-10-20 Soraa Laser Diode, Inc. Gallium nitride containing laser device configured on a patterned substrate
US8994033B2 (en) 2013-07-09 2015-03-31 Soraa, Inc. Contacts for an n-type gallium and nitrogen substrate for optical devices
EP3022779B1 (en) * 2013-07-19 2020-03-18 Lumileds Holding B.V. Pc led with optical element and without substrate carrier
JP6318495B2 (ja) 2013-08-07 2018-05-09 日亜化学工業株式会社 発光装置
US9410664B2 (en) 2013-08-29 2016-08-09 Soraa, Inc. Circadian friendly LED light source
US9395067B2 (en) 2013-10-07 2016-07-19 Flextronics Ap, Llc Method of and apparatus for enhanced thermal isolation of low-profile LED lighting fixtures
US9368939B2 (en) 2013-10-18 2016-06-14 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturable laser diode formed on C-plane gallium and nitrogen material
US9362715B2 (en) 2014-02-10 2016-06-07 Soraa Laser Diode, Inc Method for manufacturing gallium and nitrogen bearing laser devices with improved usage of substrate material
US9379525B2 (en) 2014-02-10 2016-06-28 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturable laser diode
US9520695B2 (en) 2013-10-18 2016-12-13 Soraa Laser Diode, Inc. Gallium and nitrogen containing laser device having confinement region
US9976710B2 (en) 2013-10-30 2018-05-22 Lilibrand Llc Flexible strip lighting apparatus and methods
US9419189B1 (en) 2013-11-04 2016-08-16 Soraa, Inc. Small LED source with high brightness and high efficiency
JP2015106641A (ja) * 2013-11-29 2015-06-08 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN105830238A (zh) * 2013-12-19 2016-08-03 皇家飞利浦有限公司 具有均匀磷光体光照的led模块
WO2015089535A1 (de) * 2013-12-20 2015-06-25 Zumtobel Lighting Gmbh Optisches element für eine lichtquelle
TWI589964B (zh) * 2013-12-26 2017-07-01 鴻海精密工業股份有限公司 發光裝置及背光模組
TWI580079B (zh) * 2013-12-26 2017-04-21 新世紀光電股份有限公司 發光二極體封裝結構及發光二極體模組
CN104752588A (zh) * 2013-12-31 2015-07-01 晶能光电（江西）有限公司 一种用于倒装芯片的荧光胶涂布方法
US11024781B2 (en) * 2014-01-07 2021-06-01 Lumileds Llc Glueless light emitting device with phosphor converter
US9209596B1 (en) 2014-02-07 2015-12-08 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturing a laser diode device from a plurality of gallium and nitrogen containing substrates
US9520697B2 (en) 2014-02-10 2016-12-13 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturable multi-emitter laser diode
US9871350B2 (en) 2014-02-10 2018-01-16 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturable RGB laser diode source
KR20150122360A (ko) * 2014-04-23 2015-11-02 (주)라이타이저코리아 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법
CN105098025A (zh) 2014-05-07 2015-11-25 新世纪光电股份有限公司 发光装置
KR101641205B1 (ko) * 2014-05-12 2016-07-21 주식회사 케이케이디씨 발광각도 조절이 가능한 형광필름이 구비된 led 조명 모듈 제조 방법
WO2015177679A1 (en) * 2014-05-21 2015-11-26 Koninklijke Philips N.V. Method of attaching a lens to an led module with high alignment accuracy
US9564736B1 (en) 2014-06-26 2017-02-07 Soraa Laser Diode, Inc. Epitaxial growth of p-type cladding regions using nitrogen gas for a gallium and nitrogen containing laser diode
TWI641285B (zh) 2014-07-14 2018-11-11 新世紀光電股份有限公司 發光模組與發光單元的製作方法
EP3188901A1 (en) * 2014-09-01 2017-07-12 Ledil Oy Process and mold for fabricating an optical device, and an optical device
US9246311B1 (en) 2014-11-06 2016-01-26 Soraa Laser Diode, Inc. Method of manufacture for an ultraviolet laser diode
EP3235347B1 (en) 2014-12-19 2020-05-13 Glo Ab Method of making a light emitting diode array on a backplane
US9666677B1 (en) 2014-12-23 2017-05-30 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturable thin film gallium and nitrogen containing devices
US9653642B1 (en) 2014-12-23 2017-05-16 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturable RGB display based on thin film gallium and nitrogen containing light emitting diodes
KR20160087048A (ko) * 2015-01-12 2016-07-21 삼성전자주식회사 발광다이오드 패키지
KR102322336B1 (ko) * 2015-02-06 2021-11-05 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자 패키지 및 이를 포함하는 조명 장치
US11306897B2 (en) 2015-02-09 2022-04-19 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems generating partially-collimated light emissions
US10801696B2 (en) 2015-02-09 2020-10-13 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems generating partially-collimated light emissions
US10123603B1 (en) 2015-03-27 2018-11-13 Multek Technologies Limited Diffuse fiber optic lighting for luggage
US10091887B2 (en) * 2015-04-02 2018-10-02 Tactotek Oy Multi-material structure with embedded electronics
US10686159B2 (en) 2015-06-26 2020-06-16 Universal Display Corporation OLED devices having improved efficiency
US20170012186A1 (en) * 2015-07-09 2017-01-12 Dun-Hua Cao Novel white light led packaging structure and process for manufacturing the same
WO2017031138A1 (en) 2015-08-17 2017-02-23 Infinite Arthroscopy Inc, Limited Light source
US10879673B2 (en) 2015-08-19 2020-12-29 Soraa Laser Diode, Inc. Integrated white light source using a laser diode and a phosphor in a surface mount device package
US11437774B2 (en) 2015-08-19 2022-09-06 Kyocera Sld Laser, Inc. High-luminous flux laser-based white light source
US11437775B2 (en) 2015-08-19 2022-09-06 Kyocera Sld Laser, Inc. Integrated light source using a laser diode
US10938182B2 (en) 2015-08-19 2021-03-02 Soraa Laser Diode, Inc. Specialized integrated light source using a laser diode
KR20170040437A (ko) 2015-10-02 2017-04-13 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
US9787963B2 (en) 2015-10-08 2017-10-10 Soraa Laser Diode, Inc. Laser lighting having selective resolution
JP6985615B2 (ja) * 2015-12-22 2021-12-22 日亜化学工業株式会社 発光装置
US11047534B2 (en) 2016-01-28 2021-06-29 EcoSense Lighting, Inc. Multizone mixing cup illumination system
WO2017131693A1 (en) 2016-01-28 2017-08-03 Ecosense Lighting Inc Compositions for led light conversions
US10197226B2 (en) 2016-01-28 2019-02-05 Ecosense Lighting Inc Illuminating with a multizone mixing cup
WO2017131721A1 (en) 2016-01-28 2017-08-03 Ecosense Lighting Inc Illuminating with a multizone mixing cup
TWI780041B (zh) 2016-02-04 2022-10-11 晶元光電股份有限公司 一種發光元件及其製造方法
US11060702B2 (en) 2016-03-08 2021-07-13 Ecosense Lighting Inc. Lighting system with lens assembly
TWI657293B (zh) 2016-03-29 2019-04-21 友達光電股份有限公司 背光模組
CN109075230B (zh) * 2016-04-26 2021-04-27 西铁城电子株式会社 发光装置
CN205824929U (zh) * 2016-05-30 2016-12-21 肇庆市立得电子有限公司 一种冰箱照射灯管和使用该灯管的冰箱门
WO2018009792A1 (en) * 2016-07-08 2018-01-11 Cooper Technologies Company Led light system
CN107689408B (zh) * 2016-08-04 2020-03-17 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管覆晶晶粒及显示器
US10340173B2 (en) * 2016-10-11 2019-07-02 Micron Technology, Inc. System for handling semiconductor dies
JP6955135B2 (ja) * 2016-10-19 2021-10-27 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
WO2018140727A1 (en) 2017-01-27 2018-08-02 Lilibrand Llc Lighting systems with high color rendering index and uniform planar illumination
CN110831488B (zh) 2017-02-15 2022-03-11 青金石控股有限责任公司 包括头单元和包含集成光源的光缆的无线医学成像系统
US20180328552A1 (en) 2017-03-09 2018-11-15 Lilibrand Llc Fixtures and lighting accessories for lighting devices
US10950762B2 (en) * 2017-04-13 2021-03-16 Lightizer Co., Ltd Round chip scale package and manufacturing method therefor
KR101885511B1 (ko) * 2017-04-28 2018-08-06 엑센도 주식회사 광소자 어셈블리 장치
US10410997B2 (en) 2017-05-11 2019-09-10 Cree, Inc. Tunable integrated optics LED components and methods
CZ2017391A3 (cs) * 2017-07-03 2019-01-16 Varroc Lighting Systems, s.r.o. Světelné zařízení, zejména signální svítilna pro motorová vozidla
US10771155B2 (en) * 2017-09-28 2020-09-08 Soraa Laser Diode, Inc. Intelligent visible light with a gallium and nitrogen containing laser source
US10222474B1 (en) 2017-12-13 2019-03-05 Soraa Laser Diode, Inc. Lidar systems including a gallium and nitrogen containing laser light source
US10551728B1 (en) 2018-04-10 2020-02-04 Soraa Laser Diode, Inc. Structured phosphors for dynamic lighting
CN114981592A (zh) 2018-05-01 2022-08-30 生态照明公司 具有中央硅酮模块的照明系统及装置
KR20190133878A (ko) 2018-05-24 2019-12-04 엘지이노텍 주식회사 조명 모듈 및 이를 구비한 조명 장치
CN114364913A (zh) 2018-12-17 2022-04-15 生态照明公司 符合ac驱动功率的条带照明系统
US11421843B2 (en) 2018-12-21 2022-08-23 Kyocera Sld Laser, Inc. Fiber-delivered laser-induced dynamic light system
US11239637B2 (en) 2018-12-21 2022-02-01 Kyocera Sld Laser, Inc. Fiber delivered laser induced white light system
US11884202B2 (en) 2019-01-18 2024-01-30 Kyocera Sld Laser, Inc. Laser-based fiber-coupled white light system
US10903623B2 (en) 2019-05-14 2021-01-26 Soraa Laser Diode, Inc. Method and structure for manufacturable large area gallium and nitrogen containing substrate
US11228158B2 (en) 2019-05-14 2022-01-18 Kyocera Sld Laser, Inc. Manufacturable laser diodes on a large area gallium and nitrogen containing substrate
JP7022284B2 (ja) 2019-06-17 2022-02-18 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
US11032976B1 (en) 2020-03-16 2021-06-15 Hgci, Inc. Light fixture for indoor grow application and components thereof
WO2021188091A1 (en) * 2020-03-16 2021-09-23 Hgci, Inc. Light fixture for indoor grow application and components thereof
US10962700B1 (en) 2020-03-18 2021-03-30 Ideal Industries Lighting Llc Field-reconfigurable luminaire
USD938584S1 (en) 2020-03-30 2021-12-14 Lazurite Holdings Llc Hand piece
KR20210155956A (ko) * 2020-06-17 2021-12-24 엘지이노텍 주식회사 광원 장치와 이를 이용한 카메라 검사 장치
USD972176S1 (en) 2020-08-06 2022-12-06 Lazurite Holdings Llc Light source
US20220187567A1 (en) * 2020-12-15 2022-06-16 Plx, Inc. Mount for an optical structure and method of mounting the optical structure to the mount
CN113238409A (zh) * 2021-05-27 2021-08-10 业成科技（成都）有限公司 光源结构、背光模组以及显示装置
KR102607878B1 (ko) * 2021-09-17 2023-11-30 현대모비스 주식회사 엘이디 모듈 및 이를 포함하는 차량

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2252746B (en) 1991-01-17 1995-07-12 Towa Corp A method of molding resin to seal an electronic part on a lead frame and apparatus therefor
JP2900000B2 (ja) 1991-07-12 1999-06-02 タキロン株式会社 発光表示体及びその製造方法
JP2524955B2 (ja) 1993-04-22 1996-08-14 トーワ株式会社 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置
JP3423766B2 (ja) 1994-03-11 2003-07-07 Ｔｏｗａ株式会社 電子部品の樹脂封止成形方法及び金型装置
US6274890B1 (en) 1997-01-15 2001-08-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and its manufacturing method
US6525386B1 (en) * 1998-03-10 2003-02-25 Masimo Corporation Non-protruding optoelectronic lens
US6194742B1 (en) 1998-06-05 2001-02-27 Lumileds Lighting, U.S., Llc Strain engineered and impurity controlled III-V nitride semiconductor films and optoelectronic devices
US6274924B1 (en) 1998-11-05 2001-08-14 Lumileds Lighting, U.S. Llc Surface mountable LED package
US6521916B2 (en) 1999-03-15 2003-02-18 Gentex Corporation Radiation emitter device having an encapsulant with different zones of thermal conductivity
DE19925733C2 (de) * 1999-06-07 2001-07-19 Montan Tech Gmbh Anordnung zum Messen von Verschiebungen im Gebirge
US6133589A (en) 1999-06-08 2000-10-17 Lumileds Lighting, U.S., Llc AlGaInN-based LED having thick epitaxial layer for improved light extraction
JP2001127346A (ja) * 1999-10-22 2001-05-11 Stanley Electric Co Ltd 発光ダイオード
AT410600B (de) * 1999-12-02 2003-06-25 Hoffmann La Roche Messkammer mit lumineszenzoptischen sensorelementen
JP3073769U (ja) * 2000-06-02 2000-12-08 株式会社ジェイ・ボックス コインの洗浄研磨装置
JP4239439B2 (ja) 2000-07-06 2009-03-18 セイコーエプソン株式会社 光学装置およびその製造方法ならびに光伝送装置
JP3614776B2 (ja) 2000-12-19 2005-01-26 シャープ株式会社 チップ部品型ｌｅｄとその製造方法
US6987613B2 (en) 2001-03-30 2006-01-17 Lumileds Lighting U.S., Llc Forming an optical element on the surface of a light emitting device for improved light extraction
US6576488B2 (en) 2001-06-11 2003-06-10 Lumileds Lighting U.S., Llc Using electrophoresis to produce a conformally coated phosphor-converted light emitting semiconductor
US6734465B1 (en) * 2001-11-19 2004-05-11 Nanocrystals Technology Lp Nanocrystalline based phosphors and photonic structures for solid state lighting
JP3996164B2 (ja) * 2002-05-17 2007-10-24 シーシーエス株式会社 発光ダイオード装置及び発光ダイオード装置の製造方法
JP4268389B2 (ja) 2002-09-06 2009-05-27 Ｔｏｗａ株式会社 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置
US6682331B1 (en) * 2002-09-20 2004-01-27 Agilent Technologies, Inc. Molding apparatus for molding light emitting diode lamps
US20040070990A1 (en) * 2002-10-01 2004-04-15 Witold Szypszak LED illuminator and method of manufacture
JP2004207369A (ja) * 2002-12-24 2004-07-22 Stanley Electric Co Ltd 表面実装型白色ｌｅｄ
JP2006525682A (ja) 2003-04-30 2006-11-09 クリー　インコーポレイテッド 高出力固体発光素子パッケージ
US7329029B2 (en) 2003-05-13 2008-02-12 Light Prescriptions Innovators, Llc Optical device for LED-based lamp
EP2520953A1 (en) 2003-07-29 2012-11-07 Light Engine Limited Circumferentially emitting luminaires and lens elements formed by transverse-axis profile-sweeps
US7029935B2 (en) * 2003-09-09 2006-04-18 Cree, Inc. Transmissive optical elements including transparent plastic shell having a phosphor dispersed therein, and methods of fabricating same
KR100540848B1 (ko) 2004-01-02 2006-01-11 주식회사 메디아나전자 이중 몰드로 구성된 백색 발광다이오드 소자 및 그 제조방법
JP4306508B2 (ja) * 2004-03-29 2009-08-05 三菱電機株式会社 アバランシェフォトダイオード
US7868343B2 (en) 2004-04-06 2011-01-11 Cree, Inc. Light-emitting devices having multiple encapsulation layers with at least one of the encapsulation layers including nanoparticles and methods of forming the same
US7361938B2 (en) 2004-06-03 2008-04-22 Philips Lumileds Lighting Company Llc Luminescent ceramic for a light emitting device
US7553683B2 (en) * 2004-06-09 2009-06-30 Philips Lumiled Lighting Co., Llc Method of forming pre-fabricated wavelength converting elements for semiconductor light emitting devices
WO2006005062A2 (en) 2004-06-30 2006-01-12 Cree, Inc. Chip-scale methods for packaging light emitting devices and chip-scale packaged light emitting devices
US20060091418A1 (en) 2004-11-04 2006-05-04 Chew Tong F Side emitting LED device and method of fabrication
US7344902B2 (en) * 2004-11-15 2008-03-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Overmolded lens over LED die
US7352011B2 (en) 2004-11-15 2008-04-01 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wide emitting lens for LED useful for backlighting
US7452737B2 (en) 2004-11-15 2008-11-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Molded lens over LED die
JP4453553B2 (ja) * 2005-01-14 2010-04-21 パナソニック電工株式会社 光源装置及び照明装置
JP2007049114A (ja) 2005-05-30 2007-02-22 Sharp Corp 発光装置とその製造方法

Cited By (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9142734B2 (en) 2003-02-26 2015-09-22 Cree, Inc. Composite white light source and method for fabricating
US9666772B2 (en) 2003-04-30 2017-05-30 Cree, Inc. High powered light emitter packages with compact optics
CN102157670A (zh) * 2010-02-11 2011-08-17 亿光电子工业股份有限公司 发光装置
CN102870242B (zh) * 2010-04-30 2016-06-08 克利公司 白色发射led芯片以及用于制造其的方法
CN102870242A (zh) * 2010-04-30 2013-01-09 克利公司 白色发射led芯片以及用于制造其的方法
CN104851957B (zh) * 2010-10-27 2019-06-11 晶元光电股份有限公司 发光二极管封装结构
CN104851957A (zh) * 2010-10-27 2015-08-19 英特明光能股份有限公司 发光二极管封装结构
CN102569607A (zh) * 2010-11-26 2012-07-11 Lg伊诺特有限公司 磷光板和照明装置
CN102569607B (zh) * 2010-11-26 2016-10-19 Lg伊诺特有限公司 磷光板和照明装置
CN102544312A (zh) * 2010-12-15 2012-07-04 日东电工株式会社 光学半导体器件
CN103283040A (zh) * 2010-12-30 2013-09-04 欧司朗光电半导体有限公司 用于制造多个半导体器件的方法
CN102569612A (zh) * 2010-12-31 2012-07-11 英特明光能股份有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
CN102569612B (zh) * 2010-12-31 2015-01-14 英特明光能股份有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
CN102694105A (zh) * 2011-03-22 2012-09-26 台湾积体电路制造股份有限公司 发光二极管封装系统及其制造方法
CN102751424A (zh) * 2011-04-21 2012-10-24 三星Led株式会社 发光器件模块及其制造方法
CN103688372A (zh) * 2011-06-15 2014-03-26 克里公司 用于发光二极管的凝胶层及其制造方法
CN102903830A (zh) * 2011-07-25 2013-01-30 采钰科技股份有限公司 发光装置
CN102903706B (zh) * 2011-07-29 2017-05-17 Lg伊诺特有限公司 发光器件封装件及使用其的照明系统
CN102903706A (zh) * 2011-07-29 2013-01-30 Lg伊诺特有限公司 发光器件封装件及使用其的照明系统
US8746923B2 (en) 2011-12-05 2014-06-10 Cooledge Lighting Inc. Control of luminous intensity distribution from an array of point light sources
CN104051595A (zh) * 2013-03-15 2014-09-17 格罗特工业有限公司 柔性照明器件
CN104051595B (zh) * 2013-03-15 2017-03-01 格罗特工业有限公司 柔性照明器件
US10615324B2 (en) 2013-06-14 2020-04-07 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Tiny 6 pin side view surface mount LED
CN104747973A (zh) * 2013-12-30 2015-07-01 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 发光装置及背光模块
US10886440B2 (en) 2014-01-08 2021-01-05 Lumileds Llc Wavelength converted semiconductor light emitting device
US10680142B2 (en) 2014-01-08 2020-06-09 Lumileds Llc Wavelength converted semiconductor light emitting device
CN111063787A (zh) * 2014-01-23 2020-04-24 亮锐控股有限公司 具有自对准预制透镜的发光设备
CN105304796B (zh) * 2014-06-06 2018-12-28 深圳市光峰光电技术有限公司 制备光波长转换片的方法以及光波长转换片和光源
CN105304796A (zh) * 2014-06-06 2016-02-03 深圳市绎立锐光科技开发有限公司 制备光波长转换片的方法以及光波长转换片和光源
CN104465954A (zh) * 2014-12-14 2015-03-25 励春亚 Cob光源封装工艺
CN107039573A (zh) * 2016-02-04 2017-08-11 晶元光电股份有限公司 发光元件及其制造方法
CN108074880B (zh) * 2016-11-18 2022-05-03 英飞凌科技奥地利有限公司 用于形成半导体器件的方法和半导体器件
CN108074880A (zh) * 2016-11-18 2018-05-25 英飞凌科技奥地利有限公司 用于形成半导体器件的方法和半导体器件
US11094852B2 (en) 2017-08-25 2021-08-17 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Multiple LED light source lens design in an integrated package
WO2019037094A1 (en) * 2017-08-25 2019-02-28 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Ltd. MULTI-LED LIGHT SOURCE LENS DESIGN IN AN INTEGRATED HOUSING
CN111712933A (zh) * 2017-12-22 2020-09-25 亮锐有限责任公司 用于单片led阵列的粒子系统
CN111081848A (zh) * 2019-12-31 2020-04-28 广东晶科电子股份有限公司 一种发光装置的制作方法
CN113921681A (zh) * 2020-07-10 2022-01-11 广州市鸿利显示电子有限公司 Mini LED压模模具及制备方法、Mini LED组件
CN113671751B (zh) * 2021-08-18 2024-05-14 安徽芯瑞达科技股份有限公司 一种近零od背光模组
CN113671751A (zh) * 2021-08-18 2021-11-19 安徽芯瑞达科技股份有限公司 一种近零OD背光模组及其Mini LED灯珠制作方法
CN117153995A (zh) * 2023-10-30 2023-12-01 罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司 一种led封装膜层及led封装结构

Also Published As

Publication number Publication date
TW200901514A (en) 2009-01-01
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KR20090127296A (ko) 2009-12-10
US20080048200A1 (en) 2008-02-28
EP2115789A2 (en) 2009-11-11
US7858408B2 (en) 2010-12-28

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