JP6985615B2 - 発光装置 - Google Patents
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Description
また、別の実施形態に係る発光装置は、支持体と、前記支持体上に形成された導体配線と、を有する基体と、前記基体上に載置され、前記導体配線と電気的に接続された発光素子と、前記発光素子及び前記基体の一部を被覆し、前記発光素子の直上部に凹部を有する被覆部材と、を有し、前記基体の前記被覆部材に被覆されていない領域の前記発光素子の発光ピーク波長に対する平均反射率が、前記基体の前記被覆部材に被覆された領域の前記発光素子の発光ピーク波長に対する平均反射率よりも高い。
図1、図2、及び図3に示すように、第1実施形態に係る発光装置は、支持体101と、支持体101上に形成された導体配線102を有する基体120と、基体120の上に載置され、導体配線102と電気的に接続された発光素子105と、発光素子105及び基体120の一部を被覆する透光性の被覆部材108と、を主に備えている。
導体配線102のうち、電気的な接続を行わない領域には絶縁部材からなる光反射層104が形成されている。
被覆部材108は、印刷やディスペンサ塗布が可能である粘度に調整され、加熱処理や光を照射することで硬化することができる。被覆部材108の形状としては、例えば、略半球形状や、断面視において縦長の凸形状、上面視において円形状や楕円形状となるように形成されていてもよい。
なお、本明細書中で「平均反射率」とは、反射率を測定したい領域内での各部材の反射率を、各部材の面積割合を考慮して平均した値のことを指すものとする。
例えば、一対の導体配線102aと102bとの間の溝部130(図1参照)は、導体配線120の上面よりも反射率を高く設定してもよい。
反射膜122は、発光素子105の発光波長に対して、入射角に対する反射率角度依存性を有していることが好ましい。具体的には、反射膜122の反射率は、垂直入射よりも斜め入射の方が低くなるように設定されている。これにより、発光素子直上における輝度の変化が緩やかになり、発光素子直上が暗点になる等、極端に暗くなることを抑制することができる。
図3に例示するように、本実施形態における発光装置は、発光素子が被覆された複数の被覆部材108をマトリクス状に配置していてもよい。用いる発光素子の数や配置は、目的及び用途に応じて適宜選択することができる。被覆部材108から露出された領域は、その大部分が光反射層104で被覆されている。
図4に、第2実施形態にかかる発光装置の断面図を示す。
本実施形態は、図4に示すように発光素子105と反射膜122の間に、波長変換層109が配置されている点が第1実施形態の発光装置と異なっており、それ以外は第1実施形態と同様に構成することができる。
図5に、第3実施形態にかかる発光装置の断面図を示す。
本実施形態の発光素子105はランバーシアン型の配光特性を有する発光素子105であり、発光素子105から出射された光をバットウイング型の配光特性にするために、被覆部材108の上面の中央部がくぼんだ形状とされている点が実施形態1の発光装置と異なっている。第1実施形態では発光素子105の第2の面に反射膜122が形成されていたが、本実施形態では光反射膜は形成されておらず、被覆部材108の、発光素子105の第2の面側の直上部に凹部134を有している。それ以外の構成は実施形態1の発光装置と同様に構成することができる。
図6に、第4実施形態にかかる発光装置の断面図を示す。
本実施形態では、図6に示すように、被覆部材108の下面中央部の発光素子105を収容するために設けられた入射面側凹部136を除く底面(すなわち、入射面側凹部136の外側の、基体120の上面と対向する面)に、光吸収部材107を配置し、二次レンズとして発光素子105上に被せるようにしている点が第3実施形態の発光装置と異なっている。それ以外の構成は、第3実施形態と同様に構成することができる。この二次レンズは、いわゆるバットウイングレンズである。
入射面側凹部136は、発光素子105を収容するために、発光素子105より大きく形成されている。発光素子105と被覆部材108は直接接していてもよいし、樹脂等の接合部材を介して接していてもよい。また、発光素子105と被覆部材108が接していなくてもよい。
光吸収部材107は、被覆部材108の底面に、後述する光吸収部材を塗布するなどして形成することができる。
以上のように構成された第4実施形態の発光装置は、二次レンズ内部での反射光を底面で吸収することで、反射光の集光や散乱を抑えることができる。
図7に、第5実施形態にかかる発光装置の断面図を示す。
本実施形態では、図7に示すように、基体の上面と被覆部材の下面の間に、光反射層104と光吸収部材107が積層されており、被覆部材108の外縁と基体120の上面との接触箇所に光吸収部材107を上面視において円環状に形成するものである。例えば図7に示すように、光吸収部材107の内側端部が被覆部材108内に配置され、外側端部が被覆部材108の外側に位置するように形成される。それ以外の構成は実施形態1の発光装置と同様に構成することができる。
本実施形態においても、第1実施形態と同様の効果が得られる。
また、本実施形態では、発光素子105周辺の導体配線を絶縁材料で被覆できるため、たとえば静電気等による発光素子105の故障リスクを低減することができる。
(基体120)
基体120は、発光素子105を載置するための部材であり、各図に示されるように、発光素子105に電力を供給するための導体配線102と、導体配線102を配置し絶縁分離するための支持体101を有する。
支持体101の材料としては、例えば、セラミックス、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、BTレジン、ポリフタルアミド(PPA)、ポリエチレンテレフタレート(PET)等の樹脂が挙げられる。なかでも、低コストと、成型容易性の点から、支持体の材料としてこれらの樹脂を選択することが好ましい。支持体の厚さは適宜選択することができ、ロール・ツー・ロール方式で製造可能なフレキシブル基板、あるいはリジット基板のいずれであってもよい。リジット基板は湾曲可能な薄型リジット基板であってもよい。あるいは、耐熱性及び耐光性に優れた発光装置とするためには、セラミックスを支持体101の材料として選択することが好ましい。
また、支持体101を構成する材料に樹脂を用いる場合は、ガラス繊維や、SiO2、TiO2、Al2O3等の無機フィラーを樹脂に混合し、機械的強度の向上、熱膨張率の低減、光反射率の向上等を図ることもできる。また、支持体101としては、一対の導体配線102を絶縁分離できるものであればよく、金属部材に絶縁層を形成している、いわゆる金属基板を用いてもよい。
導体配線102は、発光素子105の電極と電気的に接続され、外部からの電流(電力)を供給するための部材である。すなわち、外部から通電させるための電極またはその一部としての役割を担うものである。通常、正と負の少なくとも2つ(例えば、図1及び図2に示す102a及び102b)に離間して形成される。
例えば、発光ピーク波長が420〜500nmの光に対してはCuやAuを選択することが好ましい。
接合部材103は、発光素子105を支持体101または導体配線102に固定するための部材である。絶縁性の樹脂や導電性の部材が挙げられ、図2に示すようなフリップチップ実装の場合は導電性の部材が用いられる。具体的にはAu含有合金、Ag含有合金、Pd含有合金、In含有合金、Pb−Pd含有合金、Au−Ga含有合金、Au−Sn含有合金、Sn含有合金、Sn−Cu含有合金、Sn−Cu−Ag含有合金、Au−Ge含有合金、Au−Si含有合金、Al含有合金、Cu−In含有合金、金属とフラックスの混合物等を挙げることができる。
導体配線102は、発光素子105や他材料と電気的に接続する部分以外は光反射層104で被覆されている事が好ましい。すなわち、図2に示されるように、基体120上には、導体配線102を絶縁被覆するためのレジストが配置されていても良く、光反射層104はレジストとして機能させることができる。後述する樹脂材料に白色系のフィラーを含有させることにより、光の漏れや吸収を防いで、発光装置の光取り出し効率を向上させることもできる。
発光素子105は、公知のものを利用することができる。例えば、発光素子105として発光ダイオードを用いるのが好ましい。
発光素子105は、任意の波長のものを選択することができる。例えば、青色、緑色の発光素子としては、窒化物系半導体(InxAlyGa1−x−yN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)を用いたものを用いることができる。また、赤色の発光素子としては、GaAlAs、AlInGaPなどを用いることができる。さらに、これ以外の材料からなる半導体発光素子を用いることもできる。用いる発光素子の組成や発光色、大きさや、個数などは目的に応じて適宜選択することができる。
本実施形態の発光素子は、基板と、その基板の上に積層された半導体層を有する。この半導体層には、順にn側半導体層、活性層、p側半導体層が形成されており、n側半導体層にn電極が形成されており、p側半導体層にp電極が形成されている。本実施の形態における基板は、半導体層と反対側の面に誘電体多層膜による反射鏡を形成したサファイア基板である。
また、発光素子としては小型のパッケージ品を用いることも可能である。
発光素子105と支持体101の間にアンダーフィル材料106が形成されている。アンダーフィル材料106は、熱膨張率を発光素子に近づけることと、発光素子105からの光が支持体101で散乱反射するのを防ぐことを目的として、フィラーや色素を含有してもよい。
また、光による劣化を防ぐため、光吸収材料には無機化合物を用いるのが好ましい。ここで、フィラーの反射率は発光波長の光に対して50%以下であることが好ましく、40%以下であることがより好ましい。
本形態における封止部材は、発光素子を外部環境から保護するとともに、発光素子から出力される光を光学的に制御するため、発光素子を被覆するように支持体上に配置させる部材である。
被覆部材108の材料として、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂あるいはそれらを混合させた樹脂などの透光性樹脂や、ガラスなどとすることができる。これらのうち、耐光性および成形のしやすさを考慮して、シリコーン樹脂を選択することが好ましい。
直上光度を抑える観点からは、被覆部材108には光拡散性がない方が好ましいが、成形時に必要なチキソトロピー性を与えるための必要最低限の光拡散材が、被覆部材に添加されていてもよい。
後者の形成方法による場合には、金型を必要とすることなく、より簡便な方法で封止部材を形成することができる。また、このような形成方法による封止部材の材料の粘度を調整する手段として、その材料本来の粘度の他、上述したような蛍光体や拡散剤を利用することもできる。
蛍光物質は、例えば、Eu、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される、窒化物系蛍光体、酸窒化物系蛍光体を用いることができる。より具体的には、大別して下記(D1)〜(D3)にそれぞれ記載された中から選ばれる少なくともいずれか1以上であることが好ましい。
(D1)Eu等のランタノイド系、Mn等の遷移金属系の元素により主に賦活される、アルカリ土類ハロゲンアパタイト、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン、アルカリ土類金属アルミン酸塩、アルカリ土類金属硫化物、アルカリ土類金属チオガレート、アルカリ土類金属窒化ケイ素、ゲルマン酸塩等の蛍光体
(D2)Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される、希土類アルミン酸塩、希土類ケイ酸塩、アルカリ土類金属希土類ケイ酸塩等の蛍光体
(D3)Eu等のランタノイド系元素で主に賦活される、有機または有機錯体等の蛍光体
中でも、前記(D2)のCe等のランタノイド系元素で主に賦活される希土類アルミン酸塩蛍光体であるYAG(Yttrium Aluminum Garnet)系蛍光体が好ましい。YAG系蛍光体は、次の(D21)〜(D24)などの組成式で表される。
(D21)Y3Al5O12:Ce
(D22)(Y0.8Gd0.2)3Al5O12:Ce
(D23)Y3(Al0.8Ga0.2)5O12:Ce
(D24)(Y,Gd)3(Al,Ga)5O12:Ce
また、例えば、Yの一部または全部をTb、Lu等で置換してもよい。具体的には、Tb3Al5O12:Ce、Lu3Al5O12:Ce等でもよい。さらに、前記した蛍光体以外の蛍光体であって、同様の性能、作用、効果を有する蛍光体も使用することができる。
封止部材中に、波長変換部材を含有させることにより、所望の波長を有する光を出射できる発光装置となる。
図1に示されるように、本実施例における支持体101は、支持体に設けられた正負一対の導体配線102a、102bに跨がるように、接合部材103を介して発光素子105がフリップチップ実装されている。導体配線102のうち、電気的な接続を行わない領域には光反射層104を形成している。発光素子105の下部および側面には透光性のアンダーフィル材料106が形成され、アンダーフィル材料106を直接被覆するように、被覆部材108が形成されている。
また、発光素子105は1辺が600μmの正方形で、厚みが150μmで上面に誘電体多層膜を製膜した窒化物系青色LEDを用いている。アンダーフィル材106はシリコーン樹脂を用いる。被覆部材108はシリコーン樹脂を用い、略ドーム状に形成されている。
本実施例の被覆部材108には光拡散性が無い方が好ましいが、封止部材のチキソトロピー性を与えるためにシリカ系ナノフィラーを添加している。
102 導体配線
103 接合部材
104 光反射層
104a 光反射層の開口
105 発光素子
106 アンダーフィル材料
107 光吸収部材
108 被覆部材
109 波長変換層
122 反射膜
130 溝部
Claims (9)
- 支持体と、前記支持体上に形成された導体配線と、を有する基体と、
前記基体上に載置され、前記導体配線と電気的に接続された発光素子と、
前記発光素子及び前記基体の一部を被覆するとともに、前記発光素子及び前記導体配線に直接接し、前記発光素子の直上部に凹部を有する被覆部材と、
前記基体上において、前記被覆部材の外側に位置し、前記被覆部材から露出された領域を覆う光反射層と、を有し、
前記被覆部材は、その幅が最も小さく見える側面から観察した時の高さが前記幅の0.5倍以下であり、
前記基体の前記被覆部材に被覆されていない領域の前記発光素子の発光ピーク波長に対する平均反射率が、前記基体の前記被覆部材に被覆された領域の前記発光素子の発光ピーク波長に対する平均反射率よりも高い、発光装置。 - 前記発光素子の下部および側面には、透光性のアンダーフィル材料を有し、前記アンダーフィル材料は前記被覆部材によって直接被覆されている、請求項1に記載の発光装置。
- 前記基体の前記被覆部材に被覆された領域の前記発光素子の発光ピーク波長に対する平均反射率が60%以下である、請求項1または2に記載の発光装置。
- 前記基体の前記被覆部材に被覆されていない領域の前記発光素子の発光ピーク波長に対する平均反射率が70%以上である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記導体配線の最表面にCuを有する請求項1〜4のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記被覆部材は、前記基体と直接接触している請求項1〜5のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記被覆部材の最頂点が、前記基体の上面から2mm以下の高さにある請求項1〜6のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記基体の前記被覆部材に被覆された領域の少なくとも一部に光吸収部を有する請求項1〜7のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記被覆部材の底面に光吸収部を有する請求項1〜7のいずれか1項に記載の発光装置。
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