JP2020504437A - 集積型rgb−ledディスプレイ - Google Patents

集積型rgb−ledディスプレイ Download PDF

Info

Publication number
JP2020504437A
JP2020504437A JP2019522223A JP2019522223A JP2020504437A JP 2020504437 A JP2020504437 A JP 2020504437A JP 2019522223 A JP2019522223 A JP 2019522223A JP 2019522223 A JP2019522223 A JP 2019522223A JP 2020504437 A JP2020504437 A JP 2020504437A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
led display
light emitting
rgb led
bottom plate
integrated
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2019522223A
Other languages
English (en)
Inventor
邵立 李
邵立 李
一平 孔
一平 孔
信成 袁
信成 袁
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shandong Prosperous Star Optoelectronics Co Ltd
Original Assignee
Shandong Prosperous Star Optoelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shandong Prosperous Star Optoelectronics Co Ltd filed Critical Shandong Prosperous Star Optoelectronics Co Ltd
Publication of JP2020504437A publication Critical patent/JP2020504437A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09FDISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/33Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/54Encapsulations having a particular shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • H01L33/60Reflective elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/641Heat extraction or cooling elements characterized by the materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/642Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/647Heat extraction or cooling elements the elements conducting electric current to or from the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4911Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49113Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting different bonding areas on the semiconductor or solid-state body to a common bonding area outside the body, e.g. converging wires
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93Batch processes
    • H01L2224/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

集積型RGB-LEDディスプレイ(1)は、プリント回路基板と、前記プリント回路基板に半田付けされた複数のRGBLEDパッケージモジュール(2)とを含み、前記パッケージモジュール(2)は、パッケージホルダと前記パッケージホルダに設けられた発光ユニットとを含み、前記発光ユニットの個数は少なくとも2個であり、各発光ユニットセットは1組のRGBLEDチップ(301)を含む。前記集積型RGB-LEDディスプレイ(1)は、複数の発光ユニットを1個のパッケージモジュール(2)上に集積し、更に生産効率を向上させ、製造コストを削減する。また、複数の発光ユニットが1個のパッケージモジュール(2)上に集積されることで、ディスプレイ全体の外力に対する機械的強度を効果的に向上できる。

Description

本発明は、SMDLED(Surface Mounted Devices、表面実装デバイス)パッケージ技術に関し、特に集積型RGBLEDディスプレイに関する。
ディスプレイ産業の絶え間ない発展に伴い、ディスプレイ用LEDは、本来のDIP(dual inline−pin package、デュアルインラインパッケージ)構造からSMD構造への移行が急速に進んだ。SMD構造のLEDは、軽量、小型、自動実装、広照射角、均一な発光色、低光減衰等の利点を持つため、益々人に受け入れられてきた。従来のSMDLEDは上記利点を持っているが、光減衰が比較的大きく、伝熱経路が長く、搬送電流が小さく、生産が複雑で、信頼性が低く、防湿性や耐候性に劣る。製品構造全体を変えないで、製品の信頼性を高めることは、今に至っても業界で未だ好ましい解決策がない。
従来の小ピッチLEDディスプレイには、主に型番2121、1515、1010、0808等のパッケージングデバイスが用いられている。LEDディスプレイのピクセルピッチの縮小に伴い、単位面積上のパッケージングデバイスの個数が益々多くなることで、ディスプレイ全体のコストにおけるパッケージングデバイスの占める割合は上昇傾向にある。測算によると、小ピッチLEDディスプレイP1.9及びこれより小さいピッチ型番の製品において、パッケージングデバイスコストの占める割合は70%以上に達している。密度が1レベル上がると、ランプビーズの需要が50%程度上昇し、すなわち、全てのランプビーズメーカーの生産能力を50%以上増やす必要がある。現在小ピッチで用いられているフルカラーランプビーズは、主に1個タイプ(図1及び図2)であり、応用時では、数量が多いために、生産効率が低く、同時に容易に品質問題が生じる。1個実装問題について、COB(chip On board)集積モジュールを用いることで生産効率は向上したが、COB集積モジュールにも同様に諸々の問題が存在し、例えば、モジュール内の異なるバッチのチップ中央値の差異或いは基板インクの差異により、発色に差異が生じて全ディスプレイの一致性が劣る。さらに、チップが回路基板に取り付けられるため、保護に欠けることで、信頼性を保証できず、かつ発光ユニット不具合の修理コストも高い。
したがって、従来技術には、改良及び発展の必要がある。
本発明の目的は、従来のRGBLEDディスプレイの生産効率が低く、製品の機械的強度及び放熱性に劣ること等の問題を解決するための集積型RGBLEDディスプレイを提供することにある。
上記問題を解決するため、本発明の技術的解決策は、
プリント回路基板と、前記プリント回路基板に半田付けされた複数のRGBLEDパッケージモジュールとを含む集積型RGBLEDディスプレイであって、前記パッケージモジュールは、パッケージホルダと前記パッケージホルダに設けられた発光ユニットとを含み、前記発光ユニットの個数は少なくとも2個であり、各発光ユニットセットは1組のRGBLEDチップを含むことを特徴とする。
前記集積型RGBLEDディスプレイにおいて、前記パッケージホルダは、金属製底板と絶縁フレームとを含み、前記金属製底板の各発光ユニットがある領域にダイボンディング及びワイヤボンディングするために用いられる支持電極が設けられ、前記発光ユニットは前記金属製底板に固定されたRGBLEDチップと前記RGBLEDチップと支持電極を接続するボンディングワイヤとを含み、前記支持電極は金属製底板の裏面に設けられたパッドを介してプリント回路基板と電気的に接続される。
前記集積型RGBLEDディスプレイにおいて、前記絶縁フレームは、前記発光ユニットの周囲でカップ部を形成する。
前記集積型RGBLEDディスプレイにおいて、前記金属製底板の表面及び/又は裏面にステップが設けられる。
前記集積型RGBLEDディスプレイにおいて、前記金属製底板に前記パッドの高さと面一となる支持領域が更に設けられる。
前記集積型RGBLEDディスプレイにおいて、前記支持領域は、円形、方形又は不規則な形状の支持構造である。
前記集積型RGBLEDディスプレイにおいて、前記発光ユニット上に保護層が設けられる。
前記集積型RGBLEDディスプレイにおいて、前記第1保護層或いは第2保護層の表面は、ざらざらしているため、光を反射しない。
前記集積型RGBLEDディスプレイにおいて、前記カップ部の高さは、0.2〜0.8mmである。
前記集積型RGBLEDディスプレイにおいて、前記ステップの個数は、少なくとも1個である。
本発明に係る集積型RGBLEDディスプレイは、複数の発光ユニットを1個のパッケージモジュール上に集積することで、更に生産効率を向上させ、製造コストを削減する。また、複数の発光ユニットが1個のパッケージモジュール上に集積されることで、ディスプレイ全体の外力に対する機械的強度を効果的に向上できる。従来の集積型モジュールと比較しても、本発明の1個のパッケージモジュールに含まれる発光ユニットは比較的少なく、異なるバッチのチップ中央値の差異或いは基板インクの差異により、発色に差異が生じて全ディスプレイの一致性が劣るという問題を効果的に防止でき、かつ従来の集積型モジュールでは発光ユニットの不具合が生じると修理コストが高いが、本発明の修理コストは低い。また、本発明は、金属製底板で従来の電気めっき薄膜金属を代替する方法によって、導電性を向上し、金属製底板を介して直接プリント回路基板と接触させることで、放熱経路が比較的短くなり、チップの熱を速やかに導出できる。表面にカップ部構造を形成することにより、光線を集中させ、発光面を一つだけにすることで、LEDディスプレイの解像度、コントラスト等に更に優れる。
従来のPPAホルダの構造を示す模式図である。 従来のCHIPタイプのパッケージホルダの構造を示す模式図である。 本発明に係る集積型RGBLEDディスプレイの構造の正面略図である。 本発明に係る集積型RGBLEDディスプレイの正面部分拡大図である。 本発明に係る集積型RGBLEDディスプレイのパッケージモジュール構造の正面略図である。 本発明に係る集積型RGBLEDディスプレイのパッケージモジュールの断面図である。 本発明に係る集積型RGBLEDディスプレイのパッケージモジュール構造の背面略図である。 本発明に係る1×2集積型RGBLEDディスプレイのパッケージモジュール構造の正面略図である。 本発明に係る1×3集積型RGBLEDディスプレイのパッケージモジュール構造の正面略図である。 本発明に係る1×3集積型RGBLEDディスプレイのパッケージモジュール構造の正面略図である。 本発明に係る1×9集積型RGBLEDディスプレイのパッケージモジュール構造の正面略図である。 本発明に係る1×4集積型RGBLEDディスプレイのパッケージモジュールの金属製底板構造の正面略図である。 本発明に係る1×4集積型RGBLEDディスプレイのパッケージモジュールの金属製底板構造の背面略図である。 本発明に係る1×4集積型RGBLEDディスプレイのパッケージモジュールの未切断金属製底板の構造の正面略図である。
以下、本発明の目的、技術的解決策及び利点をより一層明確にするため、添付図面を基に実施例で本発明を詳細に説明する。
図1は、従来のPPA+銅ピンのパッケージホルダの構造を示す図であり、このタイプのパッケージホルダは、射出成形機によって熱可塑性材料を金属と接触させ、一緒に付着しないため、熱膨張冷収縮の時、これらの間に容易に隙間が生じ、エンドユーザーの使用時に外部の水や水蒸気が容易に隙間を介してパッケージ本体内に入り込むことで、製品の不具合が生じていた。図2は、従来のCHIPタイプのパッケージホルダの構造を示す模式図であり、樹脂801でガラス繊維を取り囲んで締め固め、そして銅箔エッチングラインの含浸によって形成され、材料の隙間及び吸湿率はいずれも非常に高く、かつこの複数の材料の膨張率も異なり、次に後工程では平面上に保護層として一層の平坦樹脂802を圧縮成形し、このような方法はカップ形状の保護を形成できないため、諸々の問題が存在する。また、図1及び図2に示す製品は、いずれも1個タイプの製品であり、後続の実装時、生産効率が極めて低い。
図3及び図4を参照すると、本発明に係る集積型RGBLEDディスプレイ1は、プリント回路基板と、前記プリント回路基板に半田付けされた複数のRGBLEDパッケージモジュール2とを含み、図5乃至図7を参照すると、パッケージモジュール2はパッケージホルダと前記パッケージホルダに設けられた発光ユニットとを含み、前記発光ユニットの個数は少なくとも2個であり、各発光ユニットセットは1組のRGBLEDチップ301を含む。好ましくは、前記発光ユニットの個数は、2〜16個とすることができ、本実施例においては、前記発光ユニットの個数を4個とした。前記パッケージホルダは、金属製底板100と絶縁フレーム200とを含み、実際の運用において、金属製底板100の材料を銅或いは鉄としてもよく、好ましくは金めっき表面或いは銀めっき表面とすることで導電性を向上し、半田付けも容易となる。絶縁フレームの材料は、エポキシ樹脂、PPA、PCT等とすることができ、本実施例においては、エポキシ樹脂とした。金属製底板100の各発光ユニットがある領域にダイボンディング及びワイヤボンディングするために用いられる支持電極101が設けられ、実際の運用において、支持電極101の数は4個で、金属製底板100をエッチング或いはプレスして形成される。前記発光ユニットは、前記金属製底板に固定されたRGBLEDチップ301と、前記RGBLEDチップと支持電極を接続するボンディングワイヤ302とを含み、前記発光ユニットに保護層400が設けられ、前記支持電極は金属製底板100の裏面に設けられたパッド102を介して外部回路と接続される。本発明は、金属製底板100を介して直接プリント回路基板と接触させることで、放熱経路が短くなり、チップの熱を速やかに導出できる。特に、LEDディスプレイの単位面積上のパッケージングデバイスの個数が益々多くなるにつれ、密度が1レベル上がると、発生する熱量は非常に大量となるが、本発明の構造を用いることで、効果的に排熱できる。また、本発明のパッケージモジュールは、複数の発光ユニットを備え、実装効率が1個タイプのランプビーズと比較してN倍(Nは、パッケージモジュール上の発光ユニットの個数である)高める。
図6を参照すると、絶縁フレーム200は、前記発光ユニットの周囲でカップ部201を形成する。カップ部201の設置によって、RGBLEDの光をより集中させ、発光面を一つだけにすることで、周囲その他の発光ユニットの影響を防止できることで、製造されたディスプレイの解像度、コントラスト等をより一層優れたものにする。同時に、カップ部201の設置により、発光ユニットへの機械的保護をより強化させ、外力の作用による表面保護層の脱落という問題を防止することもできる。カップ部201の高さは、0.2〜0.8mmであることが好ましい。
実際の製造において、図6を参照すると、金属製底板100にステップ103が設けられ、金属製底板100と絶縁フレーム200の結合の密着性及び安定性を強化し、水及び水蒸気の侵入を防止し、同時にモジュールの機械的強度をより補強するために用いられる。好ましくは、ステップ103は、金属製底板100の表面又は裏面に設けることができ、金属製底板100の表裏面に同時に設けることもでき、ステップ103の個数は少なくとも1個である。ステップ103は、金属製底板100の表裏面に位置することが好ましい。
図7を参照すると、実際の製造において、金属製底板100には、パッド102との高さと面一となる支持領域104が更に設けられる。支持領域104の設置は、前記パッケージモジュールの製造プロセス中の金属製底板100の平坦性を保証し、絶縁フレームを圧縮成形する時に金属製底板100の変形又は傾斜を防止できる。好ましくは、支持領域102は、円形、方形或いはその他の不規則な形状の支持領域或いは支柱とすることができる。支持領域102の個数は、1個でも複数個でもよく、本発明はこれを限定しない。
図6を参照すると、保護層400の表面は、ざらざらしているため、光を反射しないことが好ましく、更に保護層400が拡散剤付き半透明のエポキシ樹脂である。保護層400とカップ部201は、シームレス結合のため、水及び水蒸気の侵入を更に防止し、防水効果は従来の金属とプラスチックの接合と比較してより一層良い。また、保護層400の表面は、ざらざらしているため、光を反射しないことで、外部光線の影響を減らし、更に前記半透明のエポキシ樹脂封止材に拡散剤を有し、カップ部201の構造と結合して集光レンズを形成し、LED光をより集中させる。
実際の製造において、保護層400の製作方法は、液状封止材を分注又は注入の方式でカップ部201のキャビティに注入することができ、好ましくは拡散剤付き半透明の液状エポキシ樹脂封止材を選択し、次に加熱方式で硬化させるが、加熱の温度は100〜300℃であることが好ましい。このような製作方法は、フルカップ保護層となり、保護層400とカップ部201の高さが面一となり、カップ部201の高さを0.5〜0.7mmとすることができ、そのような方法で製作された保護層400の安定性はより一層高くなる。
前記封止材注入方式は、設計したMGP型によって封止材をカップ部201のキャビティ内に圧入し、前記封止材は液状封止材或いはエポキシモールディングコンパウンドとすることもできる。このような製作方法は、ハーフカップ保護層であり、カップ部201の高さを保護層400の高さより少し低くし、カップ部201の高さを0.3〜0.5mmとすることができ、この方法で支持する保護層のコストは比較的低い。
図8乃至図11を参照すると、本発明に係る個数の異なる発光ユニットを備えたパッケージモジュールの実施例である。図8に示すように、本実施例においては、前記発光ユニットの個数は2個で、図9の発光ユニットの個数量は3個であり、図11の発光ユニットの個数は9個である。本発明において、前記発光ユニットの個数は、少なくとも2個であり、好ましくは前記発光ユニットの個数は2〜16個である。図10を参照すると、前記発光ユニットの配置形態は、逆「L」字形とすることができる。前記発光ユニットの配置方式について本発明は、これを制限せず、「一」字形に配置してもよく、M×N(M及びNはいずれも整数)のマトリックスに配置してもよく、その他の不規則な配置形状にすることもできるが、本発明はこれを制限しない。なお、当業者であれば、上記説明に基づいて改良或いは変更することができ、それら改良及び変更は本発明の添付する特許請求の範囲の保護範囲に属しなければならない。
図12乃至図14を参照すると、本発明に係る1×4(すなわち、1個のパッケージモジュールが、4個の発光ユニットを備える)パッケージモジュールの金属製底板100構造の正面略図である。実際の製造において、短絡を防止するため、支持電極101は互いに独立しなければならず、支持電極101を電気めっきする必要がある場合、全ての支持電極101を接続しなければならない。本発明は、先に金属製底板100を導電ラインとして製作し、この時、全ての支持電極101が共に接続され、電気めっきを実施してから金属製底板100を切断機で切断して全ての支持電極101の接続部を切り離すことで、上記問題を解決できる。図14を参照すると、前記パッケージモジュールが個数の異なる発光ユニットを備えた状態について、全ての支持電極101の接続部を切断機による切断位置に設けることができ、こうして切断工程の時に全ての支持電極101の接続部を切断するよう保証できる。なお、本発明は、支持電極101の接続方向及び金属製底板100のエッチング或いはプレスで形成した具体的形状及びラインについて限定していないが、当業者であれば、上記説明に基づいて改良或いは変更することができ、それら改良及び変更は、添付する本発明の特許請求の範囲の保護範囲に属しなければならない。
本発明に係る集積型RGBLEDディスプレイの製造工程は、
金属製底板100をエッチング或いはプレス方式で導電ラインを形成する工程1と、
圧縮成形機で金属製底板100を封止材で覆い、ダイボンディング及びワイヤボンディング用の支持電極101を露出させて、パッケージホルダを形成する工程2と、
支持電極101に金属をめっきする工程3と、
RGBLEDチップ301を支持電極101にダイボンディングすると共にワイヤボンディングして物理的・電気的な接続を形成する工程4と、
前記発光ユニットに保護層400を射出圧縮成形する工程5と、
切断機で1個のパッケージモジュールを切取る工程6と、
パッケージモジュールをプリント回路基板に実装することで、RGBLEDディスプレイを製造する工程7と、
を含む。
なお、本発明の応用は、上記の実施例に限定されず、当業者であれば、上記説明に基づいて改良或いは変更することができ、それらの改良及び変更の全ては本発明の添付する特許請求の範囲の保護範囲に属しなければならない。
1…RGBLEDディスプレイ
100…金属製底板
101…支持電極
102…パッド
103…ステップ
104…支持領域
2…パッケージモジュール
200…絶縁フレーム
201…カップ部
301…RGBLEDチップ
302…ボンディングワイヤ
400…保護層
802…平坦樹脂

Claims (10)

  1. プリント回路基板sと、前記プリント回路基板に半田付けされた複数のRGBLEDパッケージモジュールとを含む集積型RGBLEDディスプレイであって、前記RGBLEDパッケージモジュールは、パッケージホルダと前記パッケージホルダに設けられた発光ユニットとを含み、前記発光ユニットの個数は少なくとも2個であり、各発光ユニットセットは1組のRGBLEDチップを含むことを特徴とする、集積型RGBLEDディスプレイ。
  2. 前記パッケージホルダは、金属製底板と絶縁フレームとを含み、前記金属製底板の各前記発光ユニットがある領域にダイボンディング及びワイヤボンディングするために用いられる支持電極が設けられ、前記発光ユニットは前記金属製底板に固定されたRGBLEDチップと前記RGBLEDチップと前記支持電極を接続するボンディングワイヤとを含み、前記支持電極は前記金属製底板の裏面に設けられたパッドを介して前記プリント回路基板と電気的に接続されることを特徴とする、請求項1に記載の集積型RGBLEDディスプレイ。
  3. 前記絶縁フレームは、前記発光ユニットの周囲でカップ部を形成することを特徴とする、請求項2に記載の集積型RGBLEDディスプレイ。
  4. 前記金属製底板の表面及び/又は裏面にステップが設けられることを特徴とする、請求項2に記載の集積型RGBLEDディスプレイ。
  5. 前記金属製底板に前記パッドの高さと面一となる支持領域が更に設けられることを特徴とする、請求項2に記載の集積型RGBLEDディスプレイ。
  6. 前記支持領域は、円形、方形又は不規則な形状の支持構造であることを特徴とする、請求項5に記載の集積型RGBLEDディスプレイ。
  7. 前記発光ユニット上に保護層が設けられることを特徴とする、請求項2に記載の集積型RGBLEDディスプレイ。
  8. 第1保護層或いは第2保護層の表面は、ざらざらしているため、光を反射しないことを特徴とする、請求項7に記載の集積型RGBLEDディスプレイ。
  9. 前記カップ部の高さは、0.2〜0.8mmであることを特徴とする、請求項3に記載の集積型RGBLEDディスプレイ。
  10. 前記ステップの個数は、少なくとも1個であることを特徴とする、請求項4に記載の集積型RGBLEDディスプレイ。
JP2019522223A 2017-03-28 2017-06-21 集積型rgb−ledディスプレイ Pending JP2020504437A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710194307.3 2017-03-28
CN201710194307.3A CN106876375A (zh) 2017-03-28 2017-03-28 一种集成式rgb‑led显示屏
PCT/CN2017/089334 WO2018176655A1 (zh) 2017-03-28 2017-06-21 一种集成式rgb-led显示屏

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2020504437A true JP2020504437A (ja) 2020-02-06

Family

ID=59159673

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019522223A Pending JP2020504437A (ja) 2017-03-28 2017-06-21 集積型rgb−ledディスプレイ

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20190259734A1 (ja)
EP (1) EP3557615A4 (ja)
JP (1) JP2020504437A (ja)
CN (1) CN106876375A (ja)
WO (1) WO2018176655A1 (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106847800A (zh) * 2017-03-28 2017-06-13 山东晶泰星光电科技有限公司 Qfn表面贴装式rgb‑led封装模组及其制造方法
CN106876375A (zh) * 2017-03-28 2017-06-20 山东晶泰星光电科技有限公司 一种集成式rgb‑led显示屏
WO2019212136A1 (ko) * 2018-05-03 2019-11-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 포함하는 발광 소자 모듈
EP3582262B1 (en) * 2018-06-14 2024-05-01 Shenzhen Zhixunda Optoelectronics Co., Ltd. Four-in-one mini-led module, display screen and manufacturing method
JP7231450B2 (ja) * 2019-03-18 2023-03-01 ローム株式会社 半導体発光装置
CN110416171A (zh) * 2019-09-05 2019-11-05 东莞市欧思科光电科技有限公司 一体化光电显示单元及其制作工艺、光电显示装置
CN114141912B (zh) * 2021-11-24 2023-05-23 东莞市中麒光电技术有限公司 Led显示模组及制作方法

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002082635A (ja) * 2000-09-07 2002-03-22 Sharp Corp カラーledディスプレイ装置
JP2007288198A (ja) * 2006-04-17 2007-11-01 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 発光ダイオードパッケージ及びその製造方法
JP2010098276A (ja) * 2008-03-11 2010-04-30 Rohm Co Ltd 半導体発光装置およびその製造方法
US20140353694A1 (en) * 2013-05-29 2014-12-04 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Multiple pixel surface mount device package
CN104218135A (zh) * 2013-05-29 2014-12-17 惠州科锐半导体照明有限公司 固态发射器封装、多像素发射封装和led显示器
CN204029852U (zh) * 2014-07-08 2014-12-17 深圳市晶台股份有限公司 一种贴片式led
CN204289443U (zh) * 2014-12-25 2015-04-22 深圳市安普光光电科技有限公司 连体全彩发光二极管及led显示模组
CN204289531U (zh) * 2014-12-25 2015-04-22 深圳市安普光光电科技有限公司 全彩led封装结构及led显示模组
JP2016512344A (ja) * 2013-03-11 2016-04-25 深セン市奥拓電子股▲分▼有限公司 高解像度ledディスプレイ及びその超微細ドットピッチを有する表面実装型ledコンビネーションランプ
CN205264271U (zh) * 2015-11-27 2016-05-25 叶勇 一种全彩rgb集成发光单元模块及led显示屏
WO2016180883A1 (de) * 2015-05-13 2016-11-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum bearbeiten eines leiterrahmens und leiterrahmen

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN201887044U (zh) * 2010-09-30 2011-06-29 福建省万邦光电科技有限公司 Led光源模组封装结构
US9041046B2 (en) * 2011-03-15 2015-05-26 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Method and apparatus for a light source
CN103855275A (zh) * 2013-12-25 2014-06-11 深圳市瑞丰光电子股份有限公司 Led封装支架模组及其单体、led封装结构
CN203812910U (zh) * 2014-03-28 2014-09-03 木林森股份有限公司 一种高利用率和高光效的led阵列支架
CN204045628U (zh) * 2014-09-23 2014-12-24 厦门多彩光电子科技有限公司 一种多碗杯结构的贴片led光源
CN106876375A (zh) * 2017-03-28 2017-06-20 山东晶泰星光电科技有限公司 一种集成式rgb‑led显示屏
CN206340543U (zh) * 2017-03-28 2017-07-18 山东晶泰星光电科技有限公司 一种集成式rgb‑led显示屏

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002082635A (ja) * 2000-09-07 2002-03-22 Sharp Corp カラーledディスプレイ装置
JP2007288198A (ja) * 2006-04-17 2007-11-01 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 発光ダイオードパッケージ及びその製造方法
JP2010098276A (ja) * 2008-03-11 2010-04-30 Rohm Co Ltd 半導体発光装置およびその製造方法
JP2016512344A (ja) * 2013-03-11 2016-04-25 深セン市奥拓電子股▲分▼有限公司 高解像度ledディスプレイ及びその超微細ドットピッチを有する表面実装型ledコンビネーションランプ
US20140353694A1 (en) * 2013-05-29 2014-12-04 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Multiple pixel surface mount device package
CN104218135A (zh) * 2013-05-29 2014-12-17 惠州科锐半导体照明有限公司 固态发射器封装、多像素发射封装和led显示器
CN204029852U (zh) * 2014-07-08 2014-12-17 深圳市晶台股份有限公司 一种贴片式led
CN204289443U (zh) * 2014-12-25 2015-04-22 深圳市安普光光电科技有限公司 连体全彩发光二极管及led显示模组
CN204289531U (zh) * 2014-12-25 2015-04-22 深圳市安普光光电科技有限公司 全彩led封装结构及led显示模组
WO2016180883A1 (de) * 2015-05-13 2016-11-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum bearbeiten eines leiterrahmens und leiterrahmen
CN205264271U (zh) * 2015-11-27 2016-05-25 叶勇 一种全彩rgb集成发光单元模块及led显示屏

Also Published As

Publication number Publication date
EP3557615A1 (en) 2019-10-23
US20190259734A1 (en) 2019-08-22
WO2018176655A1 (zh) 2018-10-04
CN106876375A (zh) 2017-06-20
EP3557615A4 (en) 2020-01-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2020502779A (ja) Qfn表面実装型rgb−ledパッケージモジュール及びその製造方法
JP2020504437A (ja) 集積型rgb−ledディスプレイ
US11444008B2 (en) Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same
TWI528508B (zh) 高功率發光二極體陶瓷封裝之製造方法
US7485480B2 (en) Method of manufacturing high power light-emitting device package and structure thereof
US20050199884A1 (en) High power LED package
JP4914998B1 (ja) Ledモジュール装置及びその製造方法
KR100977260B1 (ko) 고출력 엘이디 패키지 및 그 제조방법
US20120043886A1 (en) Integrated Heat Conductive Light Emitting Diode (LED) White Light Source Module
WO2008138183A1 (fr) Diode électroluminescente de type à rayonnement latéral
TW201511347A (zh) 發光二極體封裝結構及其製造方法
KR100610275B1 (ko) 고출력 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법
CN106847803B (zh) 一种集成ic的表面贴装式rgb-led封装模组
KR20090068399A (ko) 복수의 패키지를 모듈화한 리드프레임을 이용한발광다이오드 모듈
CN107785475B (zh) 发光装置复合基板及具有该发光装置复合基板的led模组
KR20050111477A (ko) 발광 다이오드 및 이의 제작 방법
KR102110540B1 (ko) 플립칩 발광모듈
KR20050035638A (ko) 고출력 엘이디패키지 제작방법 및 이를 이용한 고출력엘이디패키지
TWI514051B (zh) 背光結構及其製造方法
CN214411240U (zh) Led封装结构、led模组及led显示屏
KR200403653Y1 (ko) 표면실장형 고휘도 발광다이오드
KR101216936B1 (ko) 발광 다이오드
KR101138442B1 (ko) 발광소자
CN110660885A (zh) 表面粘接二极发光管封装结构的制造方法
KR20110116789A (ko) 발광장치

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190619

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20200722

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200811

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20201110

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20210427