DE102013217410A1 - Optoelektronisches Modul und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents

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Michael Zitzlsperger
Christian Ziereis
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Abstract

Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Modul umfassend: – ein Trägersubstrat, – wenigstens einen auf dem Trägersubstrat angeordneten Halbleiterchip zur Emission einer Lichtstrahlung, – eine oberhalb des Halbleiterchips angeordnete Konversionsschicht zum Umwandeln wenigstens eines Teils der von dem Halbleiterchip emittierten Lichtstrahlung, – ein auf dem Trägersubstrat angeordnetes und einen Aufnahmeraum für den Halbleiterchip und die Konversionsschicht bildendes Rahmenelement, und – ein auf dem Rahmenelement angeordnetes und den Aufnahmeraum begrenzendes Blendenelement mit wenigstens einer die Konversionsschicht freigebenden Blendenöffnung, wobei ein an der Blendenöffnung angrenzender Randbereich des Blendenelements einen Randbereich der Konversionsschicht wenigstens teilweise überlappt.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein optoelektronisches Modul gemäß Anspruch 1 sowie ein Verfahren zum Herstellen eines solchen optoelektronischen Moduls gemäß Anspruch 11.
  • Lichtemittierende Halbleitermodule kommen in einer Vielzahl technischer Anwendungen zum Einsatz. Unter anderem werden Halbleitermodule, welche eine oder mehrere Halbleiterleuchtdioden umfassen, zunehmend als Ersatz für herkömmliche Beleuchtungsmittel in verschiedenen Anwendungsbereichen eingesetzt, beispielsweise als Leuchtmittel in einem Frontscheinwerfer eines Kraftfahrzeugs. Für eine Reihe von Anwendungen besteht bei LED-Bauteilen die Anforderung eines hohen Kontrastverhältnisses zwischen lichtemittierenden Bereichen und daran angrenzenden nicht lichtemittierenden Bereichen. Dies ist beispielsweise bei der Realisierung eines Abblendlichts auf Basis der LED-Technologie in einem Kraftfahrzeug der Fall. Bei den aktuell verwendeten LED-Chips sind oben liegende Kontakte vorgesehen, welche mittels eines Bonddrahts elektrisch kontaktiert sind. Um Weißlicht zu erzeugen, wird auf die LED-Chips jeweils ein aus einem lumineszenten Leuchtstoffmaterial bestehendes Konverterplättchen geklebt, welches wenigstens einen Teil der vom LED-Chip emittierten Lichtstrahlung mittels Lumineszenkonversion in eine gewünschte zweite Lichtstrahlung konvertiert. Im Falle einer blauen LED regt ein Teil des blauen Lichts den Leuchtstoff im Konverterplättchen an, welcher einen Teil des blauen Lichts in gelbes Licht umwandelt. Durch eine Überlagerung des durch die Konversionsschicht transmittierten Teils des blauen Lichts und des in der Konversionsschicht emittierten gelben Lichts ergibt sich weißes Licht. Zur Verbesserung der Farbwiedergabe können Konversionsschichten Mischungen verschiedner lumineszenter Leuchtstoffmaterialien enthalten, welche zusammen weißes Licht mit einem breiteren Spektrum erzeugen.
  • Die Konverterplättchen weisen an einer Ecke eine Aussparung (Notch) für den Bonddraht (Wirebond) auf. Aufgrund dieser Aussparung ist der Bonddraht daher von oben her mechanisch nicht geschützt. Auch stellt der anschließende Verguss mit Titanoxid gefülltem Silikon, welcher ein möglichst homogenes Abstrahlbild des Chips bzw. der Chip-Anordnung bewirken soll, keinen ausreichenden mechanischen Schutz der Bonddrähte dar, zumal nicht sichergestellt werden kann, dass die Bonddrähte ausreichend mit Titanoxid bedeckt sind, um nicht von oben sichtbar zu sein oder gar aus dem Titanoxid-Verguss herauszuragen.
  • Die für ein Abblendlicht in einem Kraftfahrzeug geeigneten definierten Hell-Dunkel-Übergänge lassen sich bei derzeitigen LED-Chips schwer realisieren, zumal sich die Randbereiche der Konverterschichten aufgrund von Materialdefekten, wie Muschelausbrüchen, Absplitterungen oder Chamber oder Inhomogenitäten, wie z. B. Materialaufwerfungen und variierende Schichtdicken, sich häufig nicht mit der notwendigen Präzision herstellen lassen. Solche Materialdefekte und Inhomogenitäten können negative Auswirkungen auf das Leuchtbild der LED-Chips haben.
  • Die Verwendung von Konverterplättchen mit Aussparungen in den Ecken ist aufgrund der aufwändigeren Herstellung dieser Plättchen mit höheren Herstellungskosten verbunden. Solche Aussparungen stellen ferner starke Einschränkungen in der geometrischen Gestaltung der Leuchtflächen dar.
  • Es ist daher Aufgabe der Erfindung, ein optoelektronisches Modul bereitzustellen, welches eine homogene Ausleuchtung ermöglicht und gleichzeitig einen ausreichenden mechanischen Schutz für die inneren Anschlüsse bietet. Diese Aufgabe wird durch ein optoelektronisches Modul nach Anspruch 1 sowie durch ein Verfahren nach Anspruch 11 gelöst. Weitere vorteilhafte Ausführungsformen sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
  • Dabei ist erfindungsgemäß ein optoelektronisches Modul umfassend ein Trägersubstrat und wenigstens einem auf dem Trägersubstrat angeordneten Halbleiterchip zur Emission einer Lichtstrahlung vorgesehen. Oberhalb des Halbleiterchips ist eine Konversionsschicht zum Umwandeln wenigstens eines Teils der von dem Halbleiterchip emittierten Lichtstrahlung angeordnet. Ferner ist ein auf dem Trägersubstrat angeordnetes und einen Aufnahmeraum für den Halbleiterchip und die Konversionsschicht bildendes Rahmenelement angeordnet. Schließlich ist auf dem Rahmenelement ein den Aufnahmeraum begrenzendes Blendenelement mit wenigstens einer die Konversionsschicht freigebenden Blendenöffnung angeordnet. Dabei ist vorgesehen, dass ein Randbereich der Konversionsschicht von einem an der Blendenöffnung angrenzenden nicht transparenten Randbereich des Blendenelements wenigstens teilweise überlappt wird. Durch die spezielle Anordnung des Blendenelements in Bezug auf die Konversionsschicht, wobei der Randbereich der Konversionsschicht außerhalb der Blendenöffnung angeordnet ist und daher vom nicht transparenten Bereich des Blendenelements verdeckt wird, bleiben die typischerweise in dem Randbereich der Konversionsschicht auftretenden Materialdefekte, wie z. B. Muschelausbrüche, Absplitterungen oder Chamber etc. sowie andere in diesen Randbereichen auftretende Inhomogenitäten außerhalb der durch die Blendenöffnung definierten Leuchtfläche. Hierdurch wird eine Leuchtfläche mit einer besonders homogenen Leuchtdichte erreicht, deren Geometrie nicht durch die Konversionsschicht sondern ausschließlich durch die Form der Blendenöffnung bestimmt wird. Dabei kann durch die Abdeckung bzw. Überlappung der Konversionsschicht in ihrem Randbereich ferner der mechanische Schutz der in diesem Bereichen typischerweise angesiedelten elektrischen Anschlüsse des Halbleiterchips, wie z.B. eines den Halbleiterchip oben kontaktierenden Bonddrahts, verbessert werden. Ferner kann bei Konverterplättchen auf die Ausbildung spezieller Aussparungen für elektrische Kontakte des Halbleiterchips verzichtet werden, was die Herstellung insgesamt vereinfacht.
  • In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Blendenöffnung entlang wenigstens eines Teils ihres Umfangs einen definierten Blendenrand zum Erzeugen einer definierten Hell-Dunkel-Grenze für die von dem Halbleiterchip und von der Konversionsschicht emittierte Lichtstrahlung bildet. Dabei überlappt der an dem Blendenrand angrenzende Randbereich des Blendenelements den Randbereich der Konversionsschicht. Durch die Verwendung des separaten Blendenelements ist es möglich, den Blendenrand mit einer besonders hohen Präzision herzustellen. Hierdurch wird ein scharfer Hell-Dunkel-Übergang von leuchtenden zu nicht leuchtenden Bereichen des optoelektronischen Moduls und damit verbunden auch ein scharfer Übergang zwischen beleuchteten und nicht beleuchteten Bereichen der von dem optoelektronischen Modul beleuchteten Umgebung realisiert. Die Blende kann dabei neben einer rechteckigen grundsätzlich jede gewünschte Form aufweisen, so dass sich beispielsweise beliebig eckig und/oder abgerundet gestaltete Leuchtflächen ergeben können.
  • Die definierte, d.h. besonders präzise erzeugte, Blendenkante (shutter-edge) erstreckt sich dabei wenigstens um einen Teil des Umfangs einer Blendenöffnung. Durch diese spezielle Blendenfunktion (engl. shutter) ist das optoelektronische Modul besonders gut zur Realisierung eines Abblendlichts in einem Fahrzeug geeignet, wobei die Form der Blende die gewünschte Form des Abblendlichtleuchtkegels bestimmt.
  • In einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Konversionsschicht in Form wenigstens eines an der Unterseite des Blendenelements befestigten Konverterplättchens ausgebildet ist. Aufgrund seiner Befestigung am Blendenelement entfällt die aufwändige Platzierung und Befestigung des Konverterplättchens am Halbleiterchip. Durch die beabstandete Anordnung des Konverterplättchens vom Halbleiterchip entfällt bei diesem auch als "Remote-Phosphor" genannten Konzept ferner die Notwendigkeit für spezielle Aussparungen (Notch), wodurch sich die Herstellung der Konverterplättchen vereinfacht. Die Befestigung der Konverterplättchen am Blendenelement erfolgt dabei derart, dass Materialdefekte und Inhomogenitäten im Randbereich der Konverterplättchen sich unterhalb der nicht transparenten Randbereiche des Blendenelements befinden und daher durch die entsprechende Blendenöffnung nicht sichtbar sind. Hierdurch können Inhomogenitäten im Leuchtbild des optoelektronischen Moduls vermieden werden.
  • Eine weitere Ausführungsform sieht vor, dass der Halbleiterchip Teil einer Halbleiterchipanordnung ist, welche mehrere auf dem Trägersubstrat nebeneinander angeordnete Halbleiterchips umfasst. Dabei sind den Halbleiterchips jeweils individuelle Konverterplättchen und Blendenöffnungen zugeordnet. Das Zusammenfassen mehrerer Halbleiterchips zu Halbleiterchipanordnungen ermöglicht die Realisierung von Lichtquellen mit höherer Lichtstärke. Die individuelle Zuordnung der Halbleiterplättchen zu den einzelnen Halbleiterchips ermöglicht hingegen eine Anpassung des Leuchtprofils entlang der Halbleiterchipanordnung. Ferner stellen die einzelnen Blendenöffnungen für die Halbleiterchips individuelle Blenden dar, mit denen sich für jeden Halbleiterchip definierte Hell-Dunkel-Übergänge bei gleichzeitiger Abschattung inhomogener Randbereiche des jeweiligen Konverterplättchens erzielen lassen.
  • In einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass wenigstens zwei der Konverterplättchen unterschiedliche Schichtdicke, Materialzusammensetzunge und/oder Farbe aufweisen. Dies ermöglicht eine Variation der von den jeweils aus einem Halbleiterchip und einem Konverterplättchen gebildeten Leuchtpunkten emittierten Lichtstrahlung im Hinblick auf ihre Intensität und Farbzusammensetzung entlang der Halbleiterchipanordnung. Somit lässt sich das Leuchtprofil der Halbleiterchipanordnung individuellen Bedürfnissen anpassen.
  • Eine weitere Ausführungsform sieht ferner vor, dass die den äußeren Halbleiterchips der Halbleiterchipanordnung zugeordneten Konverterplättchen eine größere Schichtdicke aufweisen als die Konverterplättchen, welche den mittleren Halbleiterchips der Halbleiterchipanordnung zugeordnet sind. Hiermit wird es möglich, den von den Konverterplättchen im Randbereich der Halbleiterchipanordnung emittierten Lichtstrahlungsanteil zu erhöhen und damit den in den Randbereichen der Halbleiterchipanordnung typischen Leuchtstärkeabfall zu kompensieren. Hierdurch kann somit eine homogene Lichtstärke entlang der gesamten Halbleiterchipanordnung erreicht werden. Dabei befinden sich durch die spezielle Anordnung der Konverterplättchen die dadurch gebildeten Leuchtflächen stets auf gleicher Höhe in Bezug auf die Hauptstrahlrichtung des Moduls, so dass die unterschiedlich dicken Konverterplättchen zu keinen Einbußen in der Abbildungsqualität führen.
  • In einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass das Rahmenelement als ein mittels eines Spritzgussverfahrens am Blendenelement erzeugtes Kunststoffformteil ausgebildet ist. Da der Rahmen im vorliegenden Konzept keine Blendenfunktion ausübt, kann dieser kostengünstig mithilfe des Spritzgussverfahrens aus Kunststoffmaterial gefertigt werden. durch diesen sogenannten Moldrahmen ergibt sich eine Reduktion der Herstellungskosten.
  • In einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass zum elektrischen Anschluss eines Halbleiterchips wenigstens eine Bondverbindung vorgesehen ist, wobei die Bondverbindung in einem von der zugehörigen Blendenöffnung nicht erfassten Bereich des Blendenelements angeordnet ist. Da sich die Bondverbindung unterhalb eines nicht transparenten Bereichs des Blendenelements befindet und daher der Bonddraht und gegebenenfalls eine in der Konversionsschicht aufgrund des Bonddrahts vorhandene Aussparung in der durch die Blendenöffnung gebildeten Leuchtfläche nicht sichtbar sind, wird durch diese Anordnung eine besonders homogene Lichtverteilung über die gesamte Fläche der Blendenöffnung erreicht. Andererseits wird damit der mechanische Schutz des Bonddrahts verbessert, da der von dem nicht transparenten Bereich des Blendenelements abgedeckte Bonddraht über die Blendenöffnung nicht unmittelbar zugänglich ist.
  • In einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass der Halbleiterchip von einer den Aufnahmeraum in einem unteren Bereich füllenden Füllmasse aus einem die Lichtstrahlung des Halbleiterchips reflektierenden Material umgeben ist. Durch das reflektive Material wird die seitlich aus dem Halbleiterchip austretende Lichtstrahlung reflektiert und damit der Anteil der in die Konverterschicht einkoppelnden Lichtstrahlung erhöht. Somit kann der Wirkungsgrad der aus dem lichtemittierenden Halbleiterchip und der Konversionsschicht gebildeten Einzelleuchtquelle erhöht werden. Ferner wird bei Multichip-Arrays mittels des reflektierenden Materials eine Abschattung zwischen den einzelnen licht-emittierenden Halbleiterchips der Halbleiterchipanordnung erreicht, was in den einzelnen Konverterplättchen wiederum zu einer Reduktion der durch benachbarte Halbleiterchips bewirkten Fremdanregung und folglich zu einer Homogenisierung der Leuchtstärke entlang der gesamten Halbleiterchipanordnung führt.
  • In einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Konversionsschicht in Form eines im Aufnahmeraum auf dem Halbleiterchip abgeschiedenen Volumenkonverters ausgebildet ist. Durch die Verwendung einer Volumenkonversion entfällt die aufwändige Herstellung und Montage einzelner Konverterplättchen, was sich in einer Reduktion des Produktionsaufwands und damit verbunden auch in einer Reduktion der Herstellungskosten bemerkbar macht. Aufgrund der sich vorzugsweise auf einem mittleren Bereich des Aufnahmeraums konzentrierenden Blendenöffnung bleiben Inhomogenitäten der Konversionsschicht, wie z.B. Materialaufwürfe und Schichtdickenvariationen, welche beim Abscheiden des Volumenkonverters verstärkt in den Randbereichen der abgeschiedenen Schicht entstehen, unter den nicht transparenten Bereichen des Blendenelements verborgen und tragen somit nicht bzw. nicht wesentlich zum Leuchtbild der durch die Blendenöffnung definierten Leuchtfläche bei.
  • Gemäß der Erfindung ist ferner ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Moduls umfassend wenigstens einen auf einem Trägersubstrat angeordneten Halbleiterchip zur Emission einer Lichtstrahlung und eine oberhalb des Halbleiterchips angeordnete Konversionsschicht zum Umwandeln wenigstens eines Teils der von dem Halbleiterchip emittierten Lichtstrahlung und ein oberhalb der Konversionsschicht angeordnetes Blendenelement mit wenigstens einer die Konversionsschicht freigebenden Blendenöffnung vorgesehen. Dabei wird an dem Blendenelement ein die Blendenöffnung umschließendes und einen Aufnahmeraum für den Halbleiterchip und die Konversionsschicht bildendes Rahmenelement erzeugt. Anschließend wird das Rahmenelement mit dem Blendenelement derart auf dem Trägersubstrat befestigt, dass der Halbleiterchip innerhalb des Aufnahmeraums angeordnet ist und ein sich an die Blendenöffnung anschließender Randbereich des Blendenelements einen Randbereich der Konversionsschicht wenigstens teilweise überlappt. Die Erzeugung des Rahmenelements an dem Blendenelement vor der Montage des Rahmenelements auf dem Trägersubstrat ermöglicht die Verwendung eines Kunststoff-Spritzgussverfahrens ohne der Gefahr einer Kontamination bzw. Belastung der auf dem Trägersubstrat montierten Halbleiterchips. Das Kunststoff-Spritzgussverfahren ermöglicht wiederum eine kosten- und zeiteffiziente Herstellung des Rahmenelements.
  • In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass zum Erzeugen der Konversionsschicht wenigstens ein die Blendenöffnung verschließendes Konverterplättchen auf der Unterseite des Blendenelements befestigt wird. Durch die Vormontage des Konverterplättchens am Blendenelement entfällt eine relativ aufwändige Justage jedes einzelnen Konverterplättchens auf dem jeweiligen Halbleiterchip. Ferner werden durch die vom Trägersubstrat räumlich getrennte Vormontage des Konverterplättchens am Blendenelement mögliche Kontaminationen des Halbleiterchips mit Klebstoff wirkungsvoll vermieden. Darüber hinaus kann ein Konverterplättchen, welches während der Montage beschädigt wird, einfacher ausgetauscht werden als bei einer direkten Befestigung des Konverterplättchens auf dem Halbleiterchip.
  • In einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass das Rahmenelement durch Abscheiden eines Kunststoffmaterials mittels eines Spritzgussverfahrens auf der Unterseite des Blendenelements erzeugt wird. Dabei stellt das Kunststoff-Spritzgussverfahren ein relativ einfaches, schnelles und kostengünstiges Herstellungsverfahren für die Herstellung des Rahmenelements dar. Ferner können durch die Verwendung eines Kunststoff- bzw. Moldrahmens die Materialkosten deutlich reduziert werden.
  • In einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Konversionsschicht in Form eines auf dem Halbleiterchip angeordneten Volumenkonverters erzeugt wird, indem der Aufnahmeraum über die Blendenöffnung wenigstens teilweise mit einem Konversionsmaterial gefüllt wird. Die Verwendung von Volumenkonverter stellt eine kostengünstige Alternative zur Herstellung von Konverterplättchen dar. Dabei kann eine gewünschte Schichtdicke der Konverterschicht relativ einfach durch eine Variation der Füllhöhe des Konversionsmaterials innerhalb des Aufnahmeraums erzeugt werden.
  • Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden, wobei
  • 1 eine erste Ausführungsform des optoelektronischen Moduls in einer Querschnittsdarstellung,
  • 2 eine Detaildarstellung des optoelektronischen Moduls aus 1;
  • 3 einen Querschnitt durch ein Blendenelement mit fünf Blendenöffnungen;
  • 4 das Blendenelement aus 3 in einer Draufsicht;
  • 5 einen ersten Verfahrensschritt, bei dem auf einer Seite des Blendenelements eine Klebemasse entlang der Ränder der Blendenöffnungen aufgetragen ist;
  • 6 eine Draufsicht auf das Blendenelement mit der Klebemasse aus 5;
  • 7 ein weiterer Verfahrensschritt, bei dem auf das Blendenelement mehrere Konverterplättchen im Bereich der Blendenöffnungen befestigt werden;
  • 8 eine Draufsicht auf das Blendenelement mit den darauf befestigten Konverterplättchen aus 7;
  • 9 ein weiterer Verfahrensschritt, bei dem auf dem Blendenelement ein einen Aufnahmeraum bildendes Rahmenelement erzeugt ist;
  • 10 eine Draufsicht auf das Blendenelement aus 9 mit dem darauf erzeugten Rahmenelement;
  • 11 einen Querschnitt durch das vorprozessierte Blendenelement aus 10 entlang der Schnittlinie XI-XI;
  • 12 das am Blendenelement vormontierte Rahmenelement bei der Befestigung auf einem Trägersubstrat mit insgesamt fünf lichtemittierenden Halbleiterchips;
  • 13 das fertige lichtemittierende Modul nach dem Befestigen des Rahmenelements auf dem Trägersubstrat;
  • 14 eine Draufsicht auf das fertige Modul aus 13;
  • 15 eine alternative Ausführungsform des lichtemittierenden Moduls aus 14, bei dem die Halbleiterchips in einer reflektiven Füllmasse eingebettet sind;
  • 16 eine alternative Ausführungsform des lichtemittierenden Moduls aus 15 mit einem sich über mehrere Blendenöffnungen erstreckenden Konverterplättchen;
  • 17 einen Querschnitt durch ein Vorprodukt aus einem Blendenelement mit einer länglichen Blendenöffnung, einem länglichen Konverterplättchen und einem an dem Blendenelement erzeugten Rahmenelement;
  • 18 eine Draufsicht auf das Vorprodukt aus 17;
  • 19 ein fertiges optoelektronisches Modul gemäß der alternativen Ausführungsform, wobei mehrere Halbleiterchips eine gemeinsame Blendenöffnung aufweisen;
  • 20 eine Draufsicht auf das fertige optoelektronische Modul aus 19;
  • 21 ein Herstellungsverfahren zum Erzeugen des Rahmenelements mithilfe eines Spritzgusswerkzeugs an dem Blendenelement;
  • 22 ein alternatives Herstellungsverfahren zum Erzeugen des Rahmenelements mithilfe eines modifizierten Spritzgusswerkzeugs an dem Blendenelement;
  • 23 eine alternative Ausführungsform des Blendenelements mit reduzierter Bauhöhe, bei dem das Konverterplättchen in einer Vertiefung des Blendenelements angeordnet ist;
  • 24 eine weitere alternative Ausgestaltung des Vorprodukts, bei dem das Konverterplättchen durch das Rahmenelement am Blendenelement gehalten wird;
  • 25 eine alternative Ausgestaltungsform des optoelektronischen Moduls mit einer in Form eines Volumenkonverters ausgebildeten Konversionsschicht;
  • 26 eine Variation des optoelektronischen Moduls aus 25 mit einer dünneren Konversionsschicht
    zeigen.
  • Das erfindungsgemäße optoelektronische Modul umfasst ein spezielles Blendenelement, welches mit einem vorzugsweise aus Kunststoff bzw. Epoxid bestehenden Rahmenelement versehen und das derart erzeugte Zwischenprodukt im Anschluss daran auf einem beispielsweise in Form einer Leiterplatte (engl. Printed Ciruit Board, PCB) ausgebildeten Trägersubstrat befestigt wird, auf welchem bereits eine Halbleiterchipanordnung mit wenigstens einem lichtemittierenden Halbleiterchip angeordnet ist. Das Blendenelement und das Rahmenelement bilden dabei einen Aufnahmeraum für die Halbleiterchips und die darüber angeordnete Konversionsschicht. Die aus einem lumineszenten Material bestehende Konversionsschicht kann dabei in Form eines an der Unterseite des Blendenelements im Bereich einer Blendenöffnung befestigten Konverterplättchens ausgebildet sein. Im Falle mehrerer Blendenöffnungen kann für jede Blendenöffnung jeweils ein separates Konverterplättchen vorgesehen sein. Alternativ kann die Konversionsschicht in Form eines im Aufnahmeraum auf die lichtemittierenden Halbleiterchips abgeschiedenen Volumenkonverters realisiert werden. Durch die Verwendung eines separaten Blendenelements können Blenden mit beliebigen Profilen bzw. Formen mit besonders hoher Genauigkeit realisiert werden. Dabei sind die Konversionsschicht und das Blendenelement derart zueinander angeordnet, dass eine in dem Blendenelement ausgebildete Blendenöffnung vorzugsweise nur einen mittleren Bereich der Konversionsschicht freigibt, während der Randbereich bzw. die Randbereiche der Konversionsschicht von den nicht transparenten Bereichen des Blendenelements verdeckt sind.
  • In den nachfolgend beschriebenen Figuren sind gleiche oder gleichwirkende Strukturen, sofern nichts Gegenteiliges ersichtlich ist, stets mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Aus Gründen der Übersichtlichkeit wurde in einigen Fällen jedoch auf eine separate Darstellung von Bezugszeichen verzichtet. Dies gilt beispielsweise für solche Fälle, wenn gleiche oder gleichwirkende Strukturen in derselben Figur bereits mit einem Bezugszeichen versehen sind.
  • Die 1 zeigt schematisch einen Querschnitt durch ein erfindungsgemäßes optoelektronisches Modul 100. Das Modul 100 umfasst dabei ein Trägersubstrat 110 mit drei darauf montierten lichtemittierenden Halbleiterchips 121, 122, 123, welche mittels von Metallisierungsstrukturen 112, 113, 114, 115 und Bondverbindungen 118 elektrisch angeschlossen sind. Die jeweils in Form einer Leuchtdiode (LED) ausgebildeten und eine Halbleiterchipanordnung 120 formenden Halbleiterchips 121, 122, 123 sind von einem auf dem Trägersubstrat 110 bzw. auf einer darauf ausgebildeten Schicht befestigten Kunststoff-Rahmenelement 150 umfasst, welches eine als Aufnahmeraum 154 dienende Kavität seitlich begrenzt. Auf dem Rahmenelement 150 ist ein plattenförmiges Blendenelement 160 angeordnet, welches den Aufnahmeraum 154 nach oben hin verschließt. Das Blendenelement 160 weist drei Blendenöffnungen 161, 162, 163 auf, welche jeweils oberhalb eines lichtemittierenden Halbleiterchips 121, 122, 123 angeordnet sind und jeweils ein Austrittsfenster für die von den jeweiligen Halbleiterchips emittierte Lichtstrahlung bilden. Jedem Halbleiterchip 121, 122, 123 ist ein separates Konverterplättchen 131, 132, 133 zugeordnet, welches sich ebenfalls im Aufnahmeraum 154 jeweils an der Unterseite des Blendenelements 160 im Bereich der dem jeweiligen Halbleiterchip zugeordneten Blendenöffnung 161, 162, 163 befindet. Die aus einem festen Material, wie z. B. (Sinther-)Keramik, Glas, oder ähnliches, gebildeten Konverterplättchen 131, 132, 133 sind dabei vorzugsweise mittels eines um die Blendenöffnungen 161, 162, 163 herum aufgetragenen Klebers 170 derart an dem Blendenelement 160 befestigt, dass lediglich ein mittlerer Bereich 137 der Konverterplättchen 131, 132, 133 von der jeweils zugeordneten Blendenöffnung 161, 162, 163 freigegeben ist, während die Randbereiche 136 der Konverterplättchen 131, 132, 133 von den an den Blendenöffnungen 161, 162, 163 angrenzenden nicht transparenten Bereichen 171 des Blendenelements 160 verdeckt sind. Hierdurch erscheinen die Blendenöffnungen 161, 162, 163 von der Hauptstrahlrichtung 300 aus betrachtet als besonders homogene Leuchtflächen mit scharfen Abgrenzungen zu den benachbarten nicht leuchtenden Bereichen. Mithilfe der für die Halbleiterchips 161, 162, 163 und die zugehörigen Konverterplättchen 131, 132, 133 jeweils als Blenden dienenden Blendenöffnungen 161, 162, 163 wird somit eine in verschiedenen technischen Anwendungen benötigte scharfe Abgrenzung zwischen beleuchteten und nicht beleuchteten Bereichen ermöglicht.
  • Als Blendenelement 160 kann dabei ein metallisches Stanz- oder Ätzformteil (lead-frame) verwendet werden. Neben einem Metall, wie z.B. Kupfer oder einer Kupferlegierung, kann als Material für das Blendenelement 160 jedoch grundsätzlich auch jedes andere stanzbare oder ätzbare Material zum Einsatz kommen, wie z.B. polykristallines Silizium oder Keramische Materialien. Die Verwendung eines metallischen Blendenelements 160 erlaubt jedoch eine besonders gute Abfuhr der von den lichtemittierenden Halbleiterchips 121, 122, 123 erzeugten Wärme. Zur Herstellung einer besonders präzisen Blendenkante bzw. Blendenrand 166 (engl. shutter edge) können anisotrope Ätzverfahren verwendet werden, welche beispielsweise aus der mikromechanischen Strukturierung bekannt sind.
  • Die 2 zeigt eine Detaildarstellung des optoelektronischen Moduls 100 aus der 1. Hierbei wird ersichtlich, dass die an die Blendenöffnung 161 unmittelbar angrenzenden Randbereiche 171 des Blendenelements die darunter liegenden Randbereiche 136 des Konverterplättchens 131 überlappen, sodass an den Rändern der Konverterplättchen 131 vorhandenen Materialdefekte, wie z.B. Muschelausbrüche, Absplitterungen und andere Inhomogenitäten, welche beispielsweise beim Aussägen bzw. Ausbrechen des Konverterplättchens 131 aus einem größeren Stück entstehen können, außerhalb des durch die Blendenöffnung 161 definierten Fensterbereichs liegen. Die Blendenöffnung 161 kann ferner derart in Bezug auf den zugehörigen Halbleiterchip 121 angeordnet sein, dass die empfindlichen Bondverbindungen 118 des Halbleiterchips 121 vollständig oder wenigstens, wie in 2 der Fall ist, größtenteils von den nicht transparenten Randbereichen 171 des Blendenelements 160 überdeckt sind.
  • Wie in der 2 ferner gezeigt ist, ist das Kunststoff-Rahmenelement 150 mittels eines Klebers 155 auf dem Trägersubstrat 110 bzw. auf einer darauf angeordneten Schicht 112, 115 befestigt. Das vorzugsweise aus einem weißen, hellen bzw. reflektiven Kunststoff-Material gebildete Rahmenelement 150 kann, wie in der 2 gezeigt ist, ein asymmetrisches Querschnittsprofil mit einer den Aufnahmeraum 154 nach oben hin verjüngenden Schräge 153 aufweisen. Hierdurch wird Lichtstrahlung, welche vom Halbleiterchip seitlich abgestrahlt wird, besser in die durch die Konverterplättchen 131–135 gebildete Konversionsschicht 130 gelenkt.
  • Wie in der 2 ferner gezeigt ist, ist das Konverterplättchen 131 in einem bestimmten und je nach Anwendung variablen Abstand zu dem darunterliegenden Halbleiterchip 121 und dem zugehörigen Bonddraht 118 angeordnet. Hierdurch entfällt die Notwendigkeit zur Ausbildung einer speziellen Aussparung (Notch) in dem Konverterplättchen 131.
  • Im Folgenden wird ein mögliches Herstellungsverfahren für das erfindungsgemäße optoelektronische Modul 100 anhand von Figuren näher beschrieben. Hierbei wird zunächst ein plattenförmiges Blendenelement 160 mit der gewünschten Anzahl und Anordnung von Blendenöffnungen erzeugt. Als Material für das Blendenelement 160 kann dabei eine Metall-, Silizium- oder Keramikplatte verwendet werden, wobei grundsätzlich jedes geeignete Material hierfür infrage kommt. Mit einem geeigneten Verfahren, wie z.B. Stanzen oder Ätzen werden in der Platte anschließend Blendenöffnungen in der gewünschten Anzahl, Form und Verteilung erzeugt. Die 3 zeigt einen Querschnitt durch ein entsprechend fertiges Blendenelement 160 mit insgesamt fünf gleichmäßig über die Länge des Blendenelements verteilten Blendenlöchern 161–165. Die 4 zeigt hingegen eine Draufsicht auf das Blendenelement 160 mit der Schnittebene III-III, welche der Darstellung aus 3 entspricht. Hierbei ist ersichtlich, dass die Blendenöffnungen 161–165 jeweils rechteckförmig ausgebildet sind und dass die jeweils obere Kante einer Blendenöffnung jeweils eine definierte Blendenkante 166 bildet, welche mit einer besonderen Präzision hergestellt ist, um in einem Projektionsbeleuchtungssystem eine scharfe Abgrenzung zwischen beleuchteten und nicht beleuchteten Bereichen zu ermöglichen.
  • An das fertige Blendeelement werden nun ein oder mehrere Konverterplättchen befestigt. Hierzu wird zunächst entlang des Umfangs der Blendenöffnungen 161–165 ein Kleber bzw. eine Klebemasse 170 aufgetragen. Die Auftragung des Klebers 170 erfolgt dabei vorzugsweise mit einem gewissen Abstand zu den Rändern der Blendenöffnungen 161–165, um zu verhindern, dass der Kleber 170 durch den anschließenden Klebevorgang in den durch die Blendenöffnung 161–165 definierten Fensterbereiche gerät. Die 5 zeigt den entsprechenden Verfahrensstand in einer Schnittdarstellung entlang der Schnittebene V-V. Hingegen ist der 6 der entsprechende Verfahrensstand in einer Draufsicht auf die Unterseite 168 des Blendenelements 160 dargestellt.
  • Mit einem daran anschließenden Verfahrensschritt werden auf der Unterseite des Blendenelements 160 an jeder Blendenöffnungen 161–165 jeweils ein Konverterplättchen 131 mittels des zuvor aufgebrachten Klebers 170 befestigt. Dabei wird jedes Konverterplättchen 131–135 derart an der ihm jeweils zugeordneten Blendenöffnung 161–165 auf die Unterseite des Blendenelements 160 platziert, dass die jeweilige Blendenöffnung 161–165 vom Konverterplättchen vollständig verschlossen ist und die Randbereiche des jeweiligen Konverterplättchens 131–135 sich außerhalb des durch die jeweilige Blendenöffnung 161–165 definierten Fensterbereichs befinden. Diese Verfahrenssituation ist in den 7 und 8 dargestellt, wobei die 7 einen Querschnitt durch das Blendenelement mit den darauf befestigten Konverterplättchen entlang der Schnittebene VII-VII darstellt, während die 8 eine Draufsicht auf die Unterseite 168 des Blendenelements 160 zeigt.
  • In einem weiteren Verfahrensschritt wird nun an das mit den Konverterplättchen ausgestattete Blendenelement 160 ein vorzugsweise aus Kunststoff bestehendes Rahmenelement 150 erzeugt. Dies erfolgt vorzugsweise mittels eines geeigneten Kunststoff-Spritzgussverfahrens, wobei das Rahmenelement 150 mittels eines speziellen Spritzgusswerkzeugs 200 (hier nicht gezeigt) direkt an der Unterseite 168 des Blendenelements 160 angespritzt wird. Dieser Verfahrensstand ist in der 9 gezeigt.
  • Das Rahmenelement 150 umgibt die Blendenöffnungen 161–165 mit den zugehörigen Konverterplättchen 131–135 vorzugsweise vollständig. Dies ist aus der 10 ersichtlich, welche eine Draufsicht der Darstellung auf die Unterseite 168 des mit Konverterplättchen 131–135 und Rahmenelement 150 ausgestatteten Blendenelements 160 darstellt.
  • Eine Querschnittsdarstellung entlang der Schnittebene XI-XI aus 10 ist in der 11 dargestellt.
  • In einem weiteren Verfahrensschritt wird nun das aus dem Blendenelement 160, den Konverterplättchen 131–135 und dem Rahmenelement 150 gebildete Zwischenprodukt 101 auf ein mit insgesamt fünf lichtemittierenden Halbleiterchips 121–135 ausgestatten Trägersubstrat 110 montiert. Dies erfolgt vorzugsweise mittels einer Klebetechnik, wobei ein Kleber vorzugsweise auf die flache Oberseite 152 des Rahmenelements 150 aufgebracht und das derart präparierte Zwischenprodukt 101 mit der Oberseite nach unten auf die Oberseite 111 des Trägersubstrats 110 mit der darauf angeordneten Halbleiterchipanordnung 120 aufgebracht wird. Diese Verfahrenssituation ist in der 12 gezeigt. Dabei wird das Zwischenprodukt 101 in Bezug auf die Halbleiteranordnung 120 derart ausgerichtet, dass jede Blendenöffnung 161–165 mit dem darunter befindlichen Konverterplättchen 131–135 sich in der gewünschten Position oberhalb des jeweils zugehörigen Halbleiterchips 121–125 befindet. Aus Gründen der Übersichtlichkeit wurde hier eine vereinfachte Darstellung des Trägersubstrats 110 und der Halbleiterchips 121–125 ohne eine separate Darstellung der elektrischen Anschlüsse sowie sonstiger Strukturen verwendet.
  • Die 13 zeigt das fertig hergestellte optoelektronische Modul 100 mit dem Trägersubstrat 110, der darauf angeordneten Halbleiterchipanordnung 120 aus insgesamt fünf Halbleiterchips 121–125, den über den einzelnen Halbleiterchips angeordneten Konverterplättchen 131–135, dem auf der Oberseite 111 des Trägersubstrats 110 befestigten und die Halbleiterchips und die Konverterplättchen umfassenden Rahmenelement 150 sowie dem den durch das Rahmenelement 150 seitlich begrenzten Aufnahmeraum 154 nach oben abschließenden Blendenelement 160.
  • Die 14 zeigt eine Draufsicht auf das fertige optoelektronische Modul 100 mit der mittels einer Strichpunktlinie dargestellten Schnittebene XIII-XIII der Schnittdarstellung aus 13. Wie hierbei ersichtlich ist, werden der Bonddräht 118 eines Halbleiterchips 121–125 vorzugsweise auf der dem definierten Blendenrand 166 der jeweiligen Blendenöffnung 161–165 gegenüber liegenden Seite angeordnet. Auf diese Weise lassen sich an dieser Blendenkante 166 durch den Bonddraht 118 verursachte Lichtstreuungen verhindern, welche zu einer Verschlechterung der Abbildung führen könnte.
  • Neben der Möglichkeit für die Halbleiterchips der Halbleiterchipanordnung 120 jeweils Konverterplättchen mit denselben Eigenschaften zu verwenden, können je nach Anwendung grundsätzlich auch verschiedene Konverterplättchen in einem optoelektronischen Modul zum Einsatz kommen. Dabei lassen sich Konverterplättchen mit verschiedenen Farben, Materialzusammensetzungen und Schichtdicken in einem Array kombinieren. Hierdurch kann die von den einzelnen Konverterplättchen und den jeweils darunterliegenden Halbleiterchips emittierte Lichtstrahlung für jeden der durch die Konverterplättchen definierten Leuchtpunkte separat eingestellt werden. In diesem Zusammenhang zeigt die 15 eine zu der 14 alternative Ausführungsform, bei der die beiden äußeren Konverterplättchen 331, 335 dicker ausgebildet sind als die Konverterplättchen 332 bis 334 in der Mitte der Konverterplättchenanordnung 120. Hierdurch lässt sich die für Multi-LED-Module typische Leuchtabschwächung am Rande der Anordnung kompensieren. Diese Leuchtabschwächung ist der Tatsache geschuldet, dass die äußeren Konverterplättchen 131, 135 eine zusätzliche Anregung von lediglich einem benachbarten Halbleiterchip erfahren, während die Konverterplättchen 132, 133, 134 im mittleren Bereich der Anordnung von jeweils zwei benachbarten Halbleiterchips zusätzlich angeregt werden. Durch die spezielle Anordnung der Konverterplättchen 131–135 an dem Blendenrahmen wird dabei sichergestellt, dass die durch die Blendenöffnungen 161–165 freigegebenen Leuchtflächen bei allen Konverterplättchen 131–135 sich auf derselben Höhe befinden. Daher wirken sich bei diesem Konzept die unterschiedlichen Schichtdicken der Konverterplättchen 131–135 nicht negativ auf die Projektionseigenschaften eines solchen optoelektronischen Moduls 100 aus.
  • Sofern die Konverterplättchen benachbarter Blendenöffnungen dieselben Eigenschaften aufweisen sollen, können diese auch durch ein gemeinsames Konverterplättchen ersetzt werden. Hierdurch reduziert sich der Montageaufwand der einzelnen Konverterplättchen am Blendenelement 160. Hierzu zeigt die 16 ein Ausführungsbeispiel, bei dem die mittleren drei Konverterplättchen 132, 133, 134 im unterschied zu der Ausführungsform aus 15 ein gemeinsames Konverterplättchen 132 aufweisen.
  • Neben der Möglichkeit für jeden Halbleiterchip der Halbleiterchipanordnung eine individuelle Blendenöffnung vorzusehen, können auch Blendenöffnungen verwendet werden, welche sich über mehrere Halbleiterchips der Halbleiterchipanordnung erstrecken. In den 17 bis 20 ist die Herstellung eines optoelektronischen Moduls dargestellt, welches eine einzige Blendenöffnung für insgesamt Halbleiterchips verwendet. Hierzu zeigt die 17 ein Schnittbild durch ein entsprechendes Zwischenprodukt 101, dessen ein Blendenelement 160 im Unterschied zu der Ausführungsform aus der 9 eine sich über die gesamte Länge der Halbleiterchipanordnung 120 erstreckenden länglichen Blendenöffnung 161 aufweist. Auf der Oberseite 168 des Blendenelements 160 ist dabei bereits ein sich über die gesamte Blendenöffnung erstreckendes Konverterplättchen 131 befestigt.
  • Die 18 zeigt eine entsprechende Draufsicht auf die Unterseite des Zwischenprodukts 101. Dabei ist die Schnittebene XVII-XVII der Schnittdarstellung aus 17 mittels einer Strichpunktlinie angedeutet.
  • Die 19 zeigt das fertige optoelektronische Modul mit dem auf dem Trägersubstrat 110 aufgeklebten Rahmenelement 150 und dem darauf angeordneten Blendenelement 160, welches den durch das Rahmenelement definierten Aufnahmeraum 154 nach oben abschließt. Wie hierbei ersichtlich ist, erstreckt sich die gemeinsame Blendenöffnung 161 und das darunter angeordnete gemeinsame Konverterplättchen 131 über die gesamte Länge der Halbleiterchipanordnung 120.
  • Die 20 zeigt eine Draufsicht auf die Oberseite des optoelektronischen Moduls 100 aus 19. Dabei ist die Schnittebene XIX-XIX der Schnittdarstellung aus 19 mittels einer Strichpunktlinie angedeutet.
  • Wie bereits im Zusammenhang mit den verschiedenen Ausführungsformen beschriebenen, wird das Rahmenelement 150 vorzugsweise als Spritzguss-Formteil direkt auf dem Blendenelement 160 erzeugt. Diese erfolgt, wie die 21 zeigt, vorzugsweise mittels eines speziellen Spritzgusswerkzeugs 200, welches für den Spritzgussvorgang auf die Oberseite 168 des mit dem Konverterplättchen 131 ausgestatteten Blendenelements 160 platziert wird. Das Spritzgusswerkzeugs 200 besitzt einen ersten Hohlraum 201, welcher einen Negativabdruck des zu fertigenden Rahmenelements 150 darstellt. Durch Einspritzen einer Kunststoffmasse in den ersten Hohlraum 201 wird das Rahmenelement 150 geformt. Dabei weist das Spritzgusswerkzeug 200 einen zweiten Hohlraum 202 zur Aufnahme des Konverterplättchens 131 auf, welcher das Erzeugen des Rahmenelements 150 auf dem bereits mit den Konverterplättchen 131 ausgestatteten Blendenelement 160 ermöglicht.
  • In einer alternativen Ausführungsform kann das Rahmenelement 150 jedoch auch vor der Befestigung der Konverterplättchen auf dem Blendenelement 160 erzeugt werden. Hierzu zeigt die 22 ein mögliches Szenario, bei dem das Rahmenelement 150 mittels eines Spritzguss-Werkzeugs 200 auf der Oberseite 168 des Blendenelements 160 angespritzt wird. Ebenso ist es möglich, das Rahmenelement 150 auch separat vom Blendenelement zu erzeugen und anschließend beispielsweise mittels einer Klebetechnik auf die Oberseite des Blendenelements zu befestigen. Diese mögliche Ausführungsform ist hier nicht gezeigt.
  • Um die Bauhöhe des optoelektronischen Moduls 100 zu reduzieren, kann das Blendenelement 160 mit stufenförmigen Ausnehmungen 169 ausgestattet werden, in welche dann die Konverterplättchen 131 eingeklebt werden. Eine solche alternative Ausführungsform ist in der 23 gezeigt.
  • Ferner kann in einer alternativen Ausgestaltung eine Befestigung eines Konverterplättchens 131 am Blendenelement 160 mittels des Spritzguss-Rahmenelements 150 erfolgen. Hierzu wird, wie in 24 gezeigt ist, das Konverterplättchen 131 in ihrem Randbereich 136 mit Kunststoffmasse überspritzt. Durch die dabei gebildeten Absatzstrukturen 156 wird das Konverterplättchen 131 am Blendenelement 160 fixiert.
  • Neben der Verwendung von am Blendenelement fixierten Konverterplättchen, dem sogenannten "remote phosphor", kann die Konversionsschicht 130 auch als Volumenkonverter realisiert werden. Hierzu wird das Blendenelement 160 mit einem entsprechenden Rahmenelement 150 ausgestattet und das dabei gebildete Zwischenprodukt beispielsweise mittels einer Klebetechnik auf das Trägersubstrat 110 befestigt. Anschließend wird der dabei gebildete Aufnahmeraum 154 über wenigsten eine Blendenöffnung 161 mit einem vorzugsweise flüssigen Konversionsmaterial bis zu einem gewünschten Niveau gefüllt. In der 25 ist eine solche Ausführungsform mit einem durch Auffüllen des Aufnahmeraums 154 mit einem Konversionsmaterial erzeugten Volumenkonverter 130 gezeigt. Dabei wird ersichtlich, dass die üblicherweise in den Randbereichen 136 der Konversionsschicht 130 auftretenden Schichtdickenschwankungen 138 von den nicht transparenten Bereichen des Blendenelements 160 abgedeckt sind. Somit wird von dem durch die Blendenöffnung 161 freigegebenen mittleren Bereich 137 der Konversionsschicht 130 eine besonders homogene und gegenüber den benachbarten nicht leuchtenden Bereichen scharf abgegrenzte Leuchtfläche erzielt. Wie in der 25 ferner gezeigt ist, kann der Aufnahmeraum 154 bis zur Oberkante des lichtemittierenden Halbleiterchips 121 mit einer geeigneten Füllmasse 180 aus einem reflektierenden Material, z.B. Titanoxid, aufgefüllt werden.
  • Das Füllniveau der Konversionsschicht 130 kann der jeweiligen Anwendung angepasst werden. Hierzu zeigt die 26 ein elektrooptisches Modul, bei dem der Aufnahmeraum 154 im Unterschied zu der Ausführungsform aus 25 lediglich teilweise mit dem Volumenkonverter 130 gefüllt ist. Da der Volumenkonverter 130 bereits einen gewissen mechanischen Schutz für den Bonddraht 118 darstellt, kann die Blendenöffnung 161, wie im Ausführungsbeispiel der 25 der Fall, relativ groß ausfallen, sodass sich eine möglichst große Leuchtfläche ergibt. Um den durch die geringere Schichtdicke des Volumenkonverters 130 reduzierten mechanischen Schutz des Bonddrahts 118 zu kompensieren, kann jedoch, wie im Ausführungsbeispiel der 26 gezeigt ist, eine Anpassung der Größe der Blendenöffnung 161 sinnvoll sein, sodass sich der Bonddraht 118 zumindest größtenteils unterhalb eines an die Blendenöffnung 161 angrenzenden nicht transparenten Randbereichs 171 des Blendenelements 160 befindet. Die Erfindung wurde anhand der bevorzugten Ausführungsbeispiele näher illustriert und beschrieben. Dennoch ist die Erfindung nicht auf die hier offenbarten Beispiele eingeschränkt. Vielmehr können hieraus vom Fachmann andere Variationen abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen. Dabei können das erfindungsgemäße optoelektronische Modul sowie das erfindungsgemäße Verfahren zum Herstellen eines solchen Moduls auch durch beliebige Kombinationen der in den verschiedenen Ausführungsbeispielen offenbarten Merkmale realisiert werden.
  • Insbesondere kann das Rahmenelement abweichend von der hier im Detail beschriebenen Kunststoff-Spritzgussvariante auch als ein separat erzeugtes und anschließend auf die Unterseite des Blendenelements geklebtes Formteil ausgebildet sein. Ebenso ist es denkbar, das Rahmenelement zunächst auf das mit den Halbleiterchips ausgestatteten Trägersubstrat anzubringen und das Blendenelement erst im Anschluss daran auf der Oberseite des Rahmenelements zu befestigen. Dabei kann als Material für das Rahmenelement abgesehen von dem hier beschriebenen Kunststoffmaterial grundsätzlich auch ein anderes geeigneten Material vorgesehen werden, beispielsweise Epoxid, Keramik, geätztes Silizium oder Metall.
  • Bezugszeichenliste
    • 100
    optoelektronisches Modul
    101
    Vorprodukt
    110
    Trägersubstrat
    111
    Oberseite des Trägersubstrats
    112–115
    Leiterstrukturen auf dem Trägersubstrat
    116
    elektrischer Kontakt
    118
    Bonddraht
    120
    Halbleiterchipanordnung
    121–125
    Halbleiterchips
    126
    elektrischer Kontakt
    130
    Konversionsschicht
    131–135
    Konverterplättchen
    136
    Randbereich der Konversionsschicht
    137
    mittlerer Bereich der Konversionsschicht
    138
    Defekt an der Seitenflanke der Konversionsschicht
    140
    elektrische Anschlussstruktur
    150
    Rahmenelement
    151
    Oberseite des Rahmenelements
    152
    Unterseite des Rahmenelements
    153
    schräge Kante des Rahmenelements
    154
    Aufnahmeraum
    155
    Klebemasse an der Unterseite des Rahmenelements
    156
    Absatzstruktur
    160
    Blendenelement
    161–165
    Blendenöffnungen
    166
    Blendenrand einer Blendenöffnung
    167
    Oberseite des Blendenelements
    168
    Unterseite des Blendenelements
    169
    Vertiefung
    170
    Klebemasse auf der Unterseite des Blendenelements
    171
    an die Blendeöffnung angrenzender Randbereich des Blendenelements
    180
    Füllmasse
    190
    Überlappungsbereich
    200
    Spritzgießwerkzeug
    300
    Hauptstrahlrichtung

Claims (14)

  1. Optoelektronisches Modul (100) umfassend: – ein Trägersubstrat (110), – wenigstens einen auf dem Trägersubstrat (110) angeordneten Halbleiterchip (121–125) zur Emission einer Lichtstrahlung, – eine oberhalb des Halbleiterchips (121–125) angeordnete Konversionsschicht (130) zum Umwandeln wenigstens eines Teils der von dem Halbleiterchip (121–125) emittierten Lichtstrahlung, – ein auf dem Trägersubstrat (110) angeordnetes und einen Aufnahmeraum (154) für den Halbleiterchip (121–125) und die Konversionsschicht (130) bildendes Rahmenelement (150), und – ein auf dem Rahmenelement (150) angeordnetes und den Aufnahmeraum (154) begrenzendes Blendenelement (160) mit wenigstens einer die Konversionsschicht (130) freigebenden Blendenöffnung (161–165), wobei ein Randbereich (136) der Konversionsschicht (30) von einem an der Blendenöffnung (161–165) angrenzenden nicht transparenten Randbereich (171) des Blendenelements (160) wenigstens teilweise überlappt wird.
  2. Optoelektronisches Modul (100) nach Anspruch 1, wobei die Blendenöffnung (161–165) entlang wenigstens eines Teils ihres Umfangs einen definierten Blendenrand (166) zum Erzeugen einer definierten Hell-Dunkel-Grenze für die von dem Halbleiterchip (121–125) und von der Konversionsschicht (130) emittierte Lichtstrahlung bildet, und wobei der an dem Blendenrand (166) angrenzende Randbereich (171) des Blendenelements (160) den Randbereich (136) der Konversionsschicht (130) überlappt.
  3. Optoelektronisches Modul (100) nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Konversionsschicht (130) in Form wenigstens eines an der Unterseite des Blendenelements (160) befestigten Konverterplättchens (131–135) ausgebildet ist.
  4. Optoelektronisches Modul (100) nach Anspruch 3, wobei der Halbleiterchip (121–125) Teil einer Halbleiterchipanordnung (120) ist, welche mehrere auf dem Trägersubstrat (110) nebeneinander angeordnete Halbleiterchips (121–125) umfasst, und wobei den Halbleiterchips (121–125) jeweils individuelle Konverterplättchen (131–135) und Blendenöffnungen (161–165) zugeordnet sind.
  5. Optoelektronisches Modul (100) nach Anspruch 4, wobei wenigstens zwei der Konverterplättchen (131–135) unterschiedliche Schichtdicken, Materialzusammensetzungen und/oder Farben aufweisen.
  6. Optoelektronisches Modul (100) nach Anspruch 4 oder 5, wobei die den äußeren Halbleiterchips (121, 125) der Halbleiterchipanordnung (120) zugeordneten Konverterplättchen (131, 135) eine größere Schichtdicke aufweisen, als die Konverterplättchen (132, 133, 134), welche den mittleren Halbleiterchips (122, 123, 124) der Halbleiterchipanordnung (120) zugeordnet sind.
  7. Optoelektronisches Modul (100) nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Konversionsschicht (130) in Form eines im Aufnahmeraum (154) auf dem Halbleiterchip (121–125) abgeschiedenen Volumenkonverters ausgebildet ist.
  8. Optoelektronisches Modul (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Rahmenelement (130) als ein direkt am Blendenelement (160) mittels eines Spritzgussverfahrens erzeugtes Kunststoffformteil ausgebildet ist.
  9. Optoelektronisches Modul (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei zum elektrischen Anschluss eines Halbleiterchips (121–125) wenigstens eine Bondverbindung (114) vorgesehen ist, und wobei die Bondverbindung (114) in einem von der zugehörigen Blendenöffnung (161–165) nicht erfassten Bereich des Blendenelements (160) angeordnet ist.
  10. Optoelektronisches Modul (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Halbleiterchip (121–125) von einer den Aufnahmeraum (154) in einem unteren Bereich füllenden Füllmasse (180) aus einem die Lichtstrahlung des Halbleiterchips (121–125) reflektierenden Material umgeben ist.
  11. Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Moduls (100) umfassend wenigstens einen auf einem Trägersubstrat (110) angeordneten Halbleiterchip (121–125) zur Emission einer Lichtstrahlung, eine oberhalb des Halbleiterchips (121–125) angeordnete Konversionsschicht (130) zum Umwandeln wenigsten eines Teils der von dem Halbleiterchip (121–125) emittierten Lichtstrahlung und ein oberhalb der Konversionsschicht (130) angeordnetes Blendenelement (160) mit wenigstens einer die Konversionsschicht (130) freigebenden Blendenöffnung (161–165), wobei an dem Blendenelement (160) ein die Blendenöffnung (161–165) umschließendes und einen Aufnahmeraum (154) für den wenigstens einen Halbleiterchip (121–125) und die Konversionsschicht (130) bildendes Rahmenelement (150) erzeugt wird, wobei das Rahmenelement (160) mit dem Blendenelement (160) derart auf dem Trägersubstrat (110) befestigt wird, dass der wenigstens eine Halbleiterchip (121–125) innerhalb des Aufnahmeraums (154) angeordnet ist und ein Randbereich (136) der Konversionsschicht (130) von einem sich an die Blendenöffnung (161–165) anschließenden nicht transparenten Randbereich (171) des Blendenelements (160) wenigstens teilweise überlappt wird.
  12. Verfahren nach Anspruch 11, wobei zum Erzeugen der Konversionsschicht (130) wenigstens ein die Blendenöffnung (161–165) verschließendes Konverterplättchen (131–135) auf der Unterseite (168) des Blendenelements (160) befestigt wird.
  13. Verfahren nach Anspruch 11 oder 12, wobei das Rahmenelement (150) durch Abscheiden eines Kunststoffmaterials mittels eines Spritzgußverfahrens auf der Unterseite (168) des Blendenelements (160) erzeugt wird.
  14. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 13, wobei die Konversionsschicht (130) in Form eines auf dem Halbleiterchip (121–125) angeordneten Volumenkonverters erzeugt wird, indem der Aufnahmeraum (154) über die Blendenöffnung (161–165) wenigstens teilweise mit einem Konversionsmaterial gefüllt wird.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102021100530A1 (de) 2021-01-13 2022-07-14 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020152000A1 (en) * 2019-01-25 2020-07-30 Lumileds Holding B.V. Method of manufacturing a wavelength-converting pixel array structure

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005022832A1 (de) * 2005-05-11 2006-11-16 Arnold & Richter Cine Technik Gmbh & Co. Betriebs Kg Scheinwerfer für Film- und Videoaufnahmen
DE102008031996A1 (de) * 2008-07-07 2010-02-18 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Strahlungsemittierende Vorrichtung
DE102012202927A1 (de) * 2012-02-27 2013-08-29 Osram Gmbh Lichtquelle mit led-chip und leuchtstoffschicht
DE102012207854A1 (de) * 2012-05-11 2013-11-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauelement undverfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2269239A2 (de) * 2008-03-21 2011-01-05 Koninklijke Philips Electronics N.V. Beleuchtungsgerät
TW201000819A (en) * 2008-06-30 2010-01-01 Create Electronic Optical Co Ltd LED illumination device
DE102011050450A1 (de) * 2011-05-18 2012-11-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip, optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
US8579451B2 (en) * 2011-09-15 2013-11-12 Osram Sylvania Inc. LED lamp

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005022832A1 (de) * 2005-05-11 2006-11-16 Arnold & Richter Cine Technik Gmbh & Co. Betriebs Kg Scheinwerfer für Film- und Videoaufnahmen
DE102008031996A1 (de) * 2008-07-07 2010-02-18 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Strahlungsemittierende Vorrichtung
DE102012202927A1 (de) * 2012-02-27 2013-08-29 Osram Gmbh Lichtquelle mit led-chip und leuchtstoffschicht
DE102012207854A1 (de) * 2012-05-11 2013-11-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauelement undverfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102021100530A1 (de) 2021-01-13 2022-07-14 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements

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