CN117178377A - Led转移材料以及工艺 - Google Patents

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Abstract

在背板上形成LED结构的范例处理方法可包括将第一转移基板与LED来源基板耦合。LED来源基板可包括多个经制造LED。可以用在第一转移基板与多个经制造LED的每个LED之间延伸的第一耦合材料来产生第一转移基板的耦合。此方法可包括从LED分离LED来源基板。此方法可包括将第二转移基板与第一转移基板耦合。可以在第二转移基板与多个经制造LED的每个LED之间延伸的第二耦合材料来产生第一转移基板的耦合。此方法可包括从第二转移基板分离第一转移基板。此方法可包括将多个经制造LED与显示器背板接合。

Description

LED转移材料以及工艺
相关申请的交叉引用
本申请请求2021年3月16日提出之标题为“LED TRANSFER MATERIALS ANDPROCESSES”的美国临时申请案第63/161,820号的优先权权益，其内容出于所有目的借由参照其全文的方式并入本文。
技术领域
本技术关于半导体处理与材料。更明确地，本技术关于用于LED部件的转移工艺及材料。
背景技术
LED显示面板可被形成具有若干光源，这些光源作为显示器上的像素操作。此像素可被形成具有单色光源，此单色光源接着被滤光以产生颜色，或此像素可各自具有被形成的个别的红、蓝及绿光源。在任一种场景中，数百万计的光源可被形成且与背板(backplane)连接以用于操作。随着装置尺寸持续发展，而像素缩减至微米或更小尺度，对准与转移操作会变的具挑战性，其会影响产生可靠显示装置的能力。
因此，有着对于可用以产生高质量装置及结构的改善系统与方法的需求。这些需求与其他需求可借由本技术所解决。
发明内容
在背板上形成LED结构的范例处理方法可包括将第一转移基板与LED来源基板耦合。LED来源基板可包括多个经制造LED。可以用在第一转移基板与多个经制造LED的每个LED之间延伸的第一耦合材料来产生第一转移基板的耦合。此方法可包括从多个经制造LED分离LED来源基板。此方法可包括将第二转移基板与第一转移基板耦合。可以用在第二转移基板与多个经制造LED的每个LED之间延伸的第二耦合材料来产生第一转移基板的耦合。此方法可包括从第二转移基板分离第一转移基板。此方法可包括将多个经制造LED与显示器背板接合(bonding)。
在一些实施例中，第二转移基板与支撑显示器背板的基板可特征在于小于或约20％的热膨胀系数差。第二转移基板与支撑显示器背板的基板各自可以是或包括玻璃、硅或聚合材料。从多个经制造LED分离LED来源基板可包括引导激光穿过LED来源基板的背侧以从多个经制造LED解耦合LED来源基板。第一耦合材料可特征在于大于或约100℃的开始(on set)或释放温度。第二耦合材料可特征在于大于或约150℃的开始或释放温度。第二耦合材料可特征在于大于在多个经制造LED的每个LED上的触点的熔化温度的开始或释放温度。第一耦合材料与第二耦合材料各自可以是黏着材料(adhesive material)、聚合有机硅材料或UV释放聚合物中的一者。第一耦合材料与第二耦合材料可以是相同材料。第一耦合材料与第二耦合材料的至少一者可以是丙烯酸黏着材料。第一耦合材料与第二耦合材料的厚度可小于或约100μm。
本技术的实施例可涵盖在背板上形成LED结构的方法。此方法可包括借由第一耦合材料将第一转移基板与多个经制造LED的每个LED的第一表面耦合。多个经制造LED的每个LED的第一表面可包括金属触点。相对于每个LED的第一表面的多个经制造LED的每个LED的第二表面可与LED来源基板耦合。此方法可包括从多个经制造LED的每个LED的第二表面分离LED来源基板。此方法可包括借由第二耦合材料将第二转移基板与多个经制造LED的每个LED的第二表面耦合。此方法可包括从第二转移基板分离第一转移基板。多个经制造LED的每个LED可被第二转移基板保持。此方法可包括将多个经制造LED的每个LED的第一表面与显示器背板接合。
在一些实施例中，第一耦合材料与第二耦合材料各自可以是黏着材料、聚合有机硅材料或UV释放聚合物中的一者。第一耦合材料与第二耦合材料的至少一者可以是热可膨胀黏着材料，该热可膨胀黏着材料特征在于低于金属触点的熔化温度的释放温度。第一耦合材料与第二耦合材料的至少一者可以是热可膨胀黏着材料，该热可膨胀黏着材料特征在于高于金属触点的熔化温度的释放温度。第二转移基板与支撑显示器背板的基板可特征在于小于或约20％的热膨胀系数差。
本发明的一些实施例可涵盖在背板上形成LED结构的方法。此方法可包括借由第一耦合材料将第一转移基板与多个经制造LED的每个LED的第一表面耦合。多个经制造LED的每个LED的第一表面可包括金属触点。相对于每个LED的第一表面的多个经制造LED的每个LED的第二表面可与蓝宝石基板耦合。此方法可包括以激光剥离工艺从多个经制造LED的每个LED的第二表面分离蓝宝石基板。此方法可包括借由第二耦合材料将第二转移基板与多个经制造LED的每个LED的第二表面耦合。此方法可包括从第二转移基板分离第一转移基板。多个经制造LED的每个LED可被第二转移基板保持(retain)。此方法可包括将多个经制造LED的每个LED的第一表面与显示器背板接合。第二转移基板与支撑显示器背板的基板可特征在于小于或约20％的热膨胀系数差。此方法可包括从支撑背板的基板分离第二转移基板。
在一些实施例中，第一耦合材料与第二耦合材料的厚度可小于或约100μm。从多个经制造LED分离蓝宝石基板可包括引导激光穿过蓝宝石基板的背侧以从多个经制造LED解耦合蓝宝石基板。第一耦合材料与第二耦合材料各自可以是黏着材料、聚合有机硅材料或UV释放聚合物中的一者。
本技术可提供相较于习知系统与技术的许多益处。例如，本技术可提供将LED转移至背板的方法，其可容易地放大至大形状因子。此外，根据本发明的实施例的工艺可提供高转移可靠性以适应LED触点之间的垂直(vertical)偏移。这些与其他实施例及它们的许多优点和特征连同之后的说明书与附图而被更详细地说明。
附图说明
借由参照说明书的剩余部分及图式可实现所公开技术的本质与优点的进一步理解。
图1显示根据本技术的一些实施例的在半导体结构中形成气隙(airgap)的方法中的选定操作。
图2A-图2G绘示在根据本发明的一些实施例所执行的选定操作期间的基板材料的图解视图。
数个图标被包括作为图表。需要理解到图示是用于例示目的，且除非明确地说明为按比例，否则不被当作按比例。此外，作为图表，提供图标以助于理解且可不包括与现实代表物相比较的所有方面或信息，及可包括夸大材料以用于例示目的。
在附图中，类似部件和/或特征可具有相同附图标记。再者，相同类型的各种部件可借由在附图标记之后的字母来区分，字母用以在类似部件中区分。若在说明书中仅使用第一附图标记，则此说明可应用于具有相同第一附图标记的类似部件的任一者，而与字母无关。
具体实施方式
显示面板的制造可包括用于将LED从上面形成有LED的基板转移至显示器背板的若干操作，显示器背板可在分离基板上。在从LED基板分离而与背板耦合之前，LED可形成在LED基板上，诸如蓝宝石或一些其他基底材料。转移LED的理想操作可简单地为倒转LED基板，及将LED接合至背板上的相关触点。取决于触点材料及它们会在何种温度下熔化，接合工艺可在100℃与200℃或更高的温度之间的温度下执行。然而，上面形成背板的基板可与上面形成LED的基板是不同材料，及此两种材料可特征在于不同的热膨胀系数。若未解决，不同的膨胀会致使LED的错位，其会致使降低产量，且会造成报废材料。
习知技术可执行用于将LED转移至背板的替代工艺，及可执行一个或多个取放操作(pick-and-place operations)。例如，一些习知技术可使用印模(stamp)或其他彻底的(sheer)转移工艺以分离LED，然后将LED再施加至背板上。然而，这些工艺通常受限于缩减的尺度，以确保遍及基板的对准及维持工艺的精确。此外，许多的这些工艺无法解决在LED基板上的LED的高度偏移，其会致使某些LED在转移期间没有被适当地与背板耦合。
本发明可借由执行双转移工艺克服这些问题，借由将易弯材料与更刚硬支撑件耦合，该双转移工艺利用材料以适应更广的缺陷容限，易弯材料与更刚硬支撑件可被放大至大基板以增加产量。虽然剩余的说明书将例行地指明特定LED材料与利用所公开技术的工艺，将轻易地理解到此系统与方法可同等地应用于当可发生用于产生显示器的各种材料与工艺。因此，本发明不应当作如此局限用于单独以蚀刻工艺的使用。
图1绘示用于将LED与背板耦合的制造方法100的选定操作。方法100在此方法的起始之前可包括一个或多个操作，包括前段工艺、沉积、蚀刻、抛光、清洁或可在所说明的操作之前执行的任何其他操作。此方法可包括若干可选的操作，该若干可选的操作可与或可不与根据本发明的方法的一些实施例明确地相关。例如，说明许多的操作以提供结构形成的更广范畴，但这些操作对于本发明并非关键，或可以替代方法来执行，如将在之后进一步论述的。方法100叙述图解地显示在图2A-图2G中的操作，这些绘示将连同方法100的操作一同说明。将理解到图2A-图2G仅绘示部分图解视图，和基板可含有任意数目的具有如图示中所绘示的方面的LED区段，及仍可从本技术的方面获益的替代结构方面。
方法100可涉及任选的操作以发展结构至特定制造操作。如图2A所绘示，LED来源基板205可具有形成或成长覆盖此基板的多个LED 210。虽然仅有2个LED 210被绘示，将理解到基板可具有数百、数千、数百万、或更多的LED被形成，及LED可以是任何尺寸，除了任何其他类型的LED结构，本发明可涵盖微型LED。基板205可以是上面可形成结构的任何基板，诸如硅材料、铝材料(包括蓝宝石)，或可在显示器或半导体制造中使用的任何其他材料。LED 210可特征在于任何形状或结构，及可被形成作为单色LED结构或特定RGB或其他LED结构。如图标，LED结构可具有如图标的阶段轮廓或任何其他结构。沿着相对于与来源基板205耦合的第二表面的第一表面，一个或多个触点可被形成或可从LED延伸。例如，第一触点215(诸如N型触点)及第二触点220(诸如P型触点)可从LED的第一表面延伸。在本发明所涵盖的实施例中，触点可由任何金属、合金或导电材料所制造。触点可被形成至实质上类似高度，然而在遍布基板形成的LED中可发生变动。
方法100可包括在操作105将第一转移基板与LED来源基板205耦合。如图2B所绘示，LED来源205可被倒转，然而需要理解也可发生相反的方式。无关定向，第一转移基板225可与LED来源基板耦合。第一转移基板225可以是任何数目的在本说明书的其他部分所述的基板材料，和在一些实施例中可以是玻璃、硅、聚合材料或在半导体或显示器技术中使用的任何其他材料。然而，因为第一转移基板可以是中介物，玻璃或一些其他通用基板会是足够的。第一耦合材料230可用以产生耦合。第一耦合材料230可在第一转移基板225与多个经制造LED的每个LED 210之间被包括且延伸。虽然被绘示为完全地延伸至LED来源基板205，第一耦合材料230可延伸至LED 210的任何高度或深度，然而在一些实施例中，当被包括在LED上时可完全地延伸超过阶段(step)，以确保所有触点被第一耦合材料所覆盖。
第一耦合材料可以是或包括若干材料，其些材料可以是可流动或可变形以围绕LED 210延伸。例如，取决于材料的流动性，材料被沿着第一转移基板225，或沿着LED 210与LED来源基板205施加。例如，耦合材料230可以是或包括任何黏着材料或任何聚合材料，诸如任意数目的黏弹性材料(viscoelastic materials)。在一些实施例中，第一耦合材料可被形成遍布LED来源基板以确保一致性及完全覆盖，诸如可借由刮刀涂布、喷涂或任何其他施加机制来施加。可具有足够流动性质的一些材料可被施加至任一基板。例如，第一耦合材料230可以是聚合有机硅材料，该聚合有机硅材料可足够地流动遍布LED来源基板以容许施加遍布LED，接着与第一转移基板的耦合/固化。范例材料可包括任意数目的聚合硅氧烷材料，诸如包括聚二甲基硅氧烷。
额外材料可包括UV释放黏着剂或热可膨胀黏着剂，该UV释放黏着剂或热可膨胀黏着剂可被施加遍布第一转移基板。LED来源基板可抵靠着黏着材料被施压以使黏着剂与LED连接(engage)。此材料可包括任意数目的可作为黏着剂操作的材料，以在从LED来源基板分离LED的期间维持LED的连接，如将在之后说明的。此外，此材料可以是以紫外光、加热、或剪切力的施加而可释放。范例材料可包括丙烯酸基材料、橡胶材料、硅酮或硅氧烷基材料及任意数目的其他聚合材料，其可包括并入聚酰胺、聚酯、氨基甲酸乙酯、苯乙烯、乙烯基或在任何组合中的任何其他部分(moiety)的材料。此材料也可包括额外试剂或部分以在操作期间增加黏着及以改善释放。例如，此材料可包括发泡剂，诸如热可膨胀壳层或可在指定温度下熔化以释放气体或其他膨胀材料的壳层。
第一耦合材料可被施加至任何厚度。作为非限制性实例，对于微型LED结构，第一耦合材料可施加至厚度为大于或约1μm，及可施加至厚度为大于或约3μm、大于或约5μm、大于或约10μm、大于或约20μm、大于或约30μm、大于或约40μm、大于或约50μm、大于或约60μm、大于或约70μm、大于或约80μm、大于或约90μm、大于或约100μm或更大。在一些实施例中，此厚度可以是足够以确保各触点被连接在耦合材料内。具有增加的厚度可确保耦合材料的主体在诸如LED来源基板的分离期间可维持在临界温度下，如将在之后说明的。此外，较厚的施加可适应如会发生在蓝宝石基板的基板弯曲。然而，较厚膜在释放之后会更倾向于损失共平面性(co-planarity)，且因此在一些实施例中，第一耦合材料可施加至厚度为小于或约200μm，且可施加至厚度为小于或约150μm、小于或约100μm或更小。
在第一耦合材料被足够地施加和/或固化之后，LED来源基板可在操作110从多个经制造LED分离。如图2B与图2C图所示，在一些实施例中，此分离可被执行穿过LED来源基板的背侧，以从基板分离基底LED结构。可执行任意数目的分离技术，包括机械分离与能量增强分离。作为一个非限制性实例，在一些实施例中，可执行激光剥离工艺。例如，诸如沿着与LED来源基板205耦合的第二表面的LED的背侧可以是任意数目的半导体材料，诸如或包括氮化镓，然而使用在LED制造中的任何其他材料可被类似地使用。如上所述，虽然LED来源基板205可以是任意数目的材料，在一些实施例中，LED来源基板205可以是蓝宝石。此分离处理可包括引导激光穿过LED来源基板的背侧以从LED来源基板解耦合多个经制造LED。在操作中，激光可蒸发氮化镓的部分，其可分离LED或足以限制可从LED分离LED来源基板的最小剪切力的接触。
第一耦合材料230在操作期间可暴露至激光，其在剥离操作期间可超过500℃、750℃或更高的温度。在一些实施例中，第一耦合材料230可以是诸如聚二甲基硅氧烷或热可膨胀材料的材料，如先前所述，且其可特征在于达到可发生开始释放的特定阈值的黏着稳定性，发生开始释放的特定阈值诸如包括聚合结构的劣化或构成材料的膨胀。在一些实施例中，第一耦合材料的释放的开始温度可小于或约200℃，且可小于或约190℃、小于或约180℃、小于或约170℃、小于或约160℃、小于或约150℃、小于或约140℃、小于或约130℃、小于或约120℃、小于或约110℃、小于或约100℃或更小。因此，激光剥离操作可将第一耦合材料的区域(诸如LED之间)暴露至超过开始释放的温度。
此方面的补偿可以多种方式来达成。例如，激光剥离操作可执行持续一个时间期间，在此时间期间的在任何位置的第一耦合材料的暴露可被限制于时间为小于或约100μsec，及可被限制于时间为小于或约75μsec、小于或约50μsec、小于或约25μsec、小于或约10μsec或更小。此外，借由将第一耦合材料的厚度维持大于或约10μm，且其可大于或约50μm，第一耦合材料的主体温度在剥离工艺期间可被维持在释放的开始温度之下。类似地，对于一些材料，诸如聚二甲基硅氧烷或其他有机硅氧烷材料，由于二氧化碳的形成，会至少部分地发生劣化，二氧化碳可从材料释气，及二氧化碳可由于处理环境中的氧的存在而发生。因此，虽然在一些实施例中的分离工艺可在周围环境中执行，此工艺在一些实施例中可在惰性环境中执行，诸如氮气环境或一些其他缺氧环境，其可进一步限制或防止第一耦合材料的劣化。
一旦LED来源基板已经从LED分离，多个经制造LED 210可对于第一转移基板被倒转，如图2C所绘示。因此，方法100可包括在操作115将第二转移基板与第一转移基板耦合。如图2D所示，第二转移基板235可包括第二耦合材料240，该第二耦合材料240可沿着多个LED 210的每个LED的第二表面或背侧延伸，及可在第二转移基板与LED之间延伸。第二转移基板235可以是或包括先前所述的任何材料，包括玻璃、含硅材料、聚合材料或塑料材料、或上面可发生半导体或显示器处理的任何其他基板。如将在之后说明的，因为第二转移基板235可被包括在后续的接合工艺期间，第二转移基板235可以是与背板基板热相容的材料。
第二耦合材料240可以是先前所述的任何耦合材料，及在本发明的一些实施例中，可以是与第一耦合材料相同的材料、与第一耦合材料类似材料的不同版本、或与第一耦合材料不同的材料。在操作120，第一转移基板可从第二转移基板分离，其可暴露LED 210上的金属触点，如图2E所绘示。如图示所示，LED 210可被保持在与第二转移基板235关联的第二耦合材料240上。为了确保在分离操作期间保持第二耦合材料，在一些实施例中，第二耦合材料可包括与第一耦合材料不同的一种或多种特性。
将在之后说明的后续处理可包括接合操作，该接合操作可在升高温度下执行。因此，第二耦合材料可被暴露至第一耦合材料可被暴露的温度。因此，在一些实施例中，第二耦合材料相较于第一耦合材料可较佳地适于接合工艺。例如，在一些实施例中，第二耦合材料可以是或包括更具弹性材料，诸如UV释放聚合物，或热可膨胀黏着剂，其特征在于在大于或约可发生接合工艺的温度的温度下的黏着稳定性。例如，第二耦合材料可特征在于膨胀或释放开始温度为大于或约100℃，且可特征在于释放开始温度为大于或约130℃、大于或约150℃、大于或约170℃、大于或约200℃或更大的温度，包括前述的任何温度或范围。
因此，在本技术的一些实施例中，借由利用特征在于不同释放温度的材料，热可膨胀材料可用于第一耦合材料与第二耦合材料的每一者。例如，第一耦合材料可特征在于释放开始温度为大于或约100℃，但是小于或约150℃。此可促进在激光剥离工艺的施加期间维持第一耦合材料，同时容许第一耦合材料在低于LED的金属触点的熔化温度的温度下被移除。此外，第二耦合材料可特征在于释放开始温度为大于或约150℃、大于或约170℃、大于或约200℃、或更大的温度，其可促进在接合工艺期间维持第二耦合材料。额外的非限制性实例可包括利用聚二甲基硅氧烷用于第一耦合材料或第二耦合材料，和/或利用UV释放聚合物用于第一耦合材料或第二耦合材料。各种的其他材料可使用在本技术的实施例中，且其可特征在于如上述用于第一耦合材料或第二耦合材料的任何性质。
在第一转移基板从第二转移基板分离之后，在操作125可执行接合操作。如图2F所示，第二转移基板235可被用以将LED 210与显示器的背板250对准，且背板250可形成在基板245上。如图示，LED的触点215与220可与背板的对应触点对准。可执行接合工艺，该接合工艺除了任意数目的接合操作之外可包括在触点材料(若不相同)之间形成共熔接合(eutectic bond)，或在触点之间形成固态连接。作为一个非限制性实例，LED触点可以是或包括铟，铟可在约156℃熔化，借由施加热至基板245，触点连接可被提升高于触点的熔点，其可将触点接合。如先前所述，此会致使背板基板245与第二转移基板235两者被加热。基于基板材料的热膨胀系数，这些基板会膨胀至不同程度，其会影响在接合工艺期间的对准，且会降低用于LED连接的产率。类似地，在接合工艺期间可施加压力至这些基板的一者或两者，其可降低触点材料的熔点温度，且可确保在低于第二耦合材料的释放开始温度下可执行接合。
因此，在本发明的一些实施例中，第二转移基板与背板基板可以是相同材料或可以是两种不同材料，两种不同材料特征在于小于或约25％的热膨胀系数的差，及可特征在于差为小于或约20％、小于或约15％、小于或约12％、小于或约10％、小于或约9％、小于或约8％、小于或约7％、小于或约6％、小于或约5％、小于或约4％、小于或约3％、小于或约2％、小于或约1％或更小。例如，上面形成LED的起始蓝宝石基板可特征在于热膨胀系数为8x 10-6m/(m·K)或更高，而上面形成背板的玻璃基板可特征在于热膨胀系数为6x 10-6m/(m·K)或更低。因此，当部件被加热，触点之间的对准会位移。然而，利用与背板基板相同材料的第二转移基板，或利用特征在于更加类似热膨胀系数的材料的第二转移基板，可维持对准且可提供增加产率。
在用于遍布显示器背板的LED的接合已经完成之后，方法100可包括在操作130从LED分离第二转移基板。如图2G中所绘示，借由从LED的第二表面或背侧释放第二耦合材料，第二转移基板可从多个LED被移除。取决于第二耦合材料的释放机制，此工艺可包括引导UV或其他能量或光穿过第二转移基板的背侧，或加热第二转移基板至释放第二转移基板的开始温度。如先前所述，在本发明的一些实施例中，释放第二转移基板的开始温度可高于LED触点的金属的熔化温度。因此，在利用热可膨胀黏着剂的一些实施例中，用于释放的加热操作可在第二转移基板上执行以限制热转移至LED触点。一旦第二转移基板已经被释放，LED与背板结构可被完成。借由利用根据本技术的实施例的工艺与材料，在LED接合操作期间可更佳地维持对准，其相较于习知技术可提供增加产率。
在前述的说明书中，为了阐明目的，已说明许多细节以提供理解本发明的各种实施例。然而，对于本领域技术人员显而易见的是，某些实施例可在没有这些细节中的一些细节下实行，或带有额外的细节下实行。
已经公开数个实施例，本领域技术人员将认知到在不背离实施例的精神下可使用各种修改、替代架构及等效物。此外，并未说明若干公知的工艺与组件，以避免不必要地混淆本发明。因此，上方的说明书不应作为限制本发明的范畴。
当提供一个数值范围时，除非上下文明确地另外指明，应当理解到在范围的上限值与下限值之间的至下限值的单位的最小部分之每个中介值也被明确地公开。在叙明范围中的任何叙明值或未叙明中介值及叙明范围中的任何其他叙明或中介值之间的任何较窄范围被涵盖。这些较小范围的上限值与下限值可独立地在此范围中被包括或被排除，并且受到在叙明范围中的任何明确排除限值，在较小范围中包扩该范围的任一限值、包括该范围的限值两者、或不包括该范围的限值两者的各范围也被涵盖在本发明中。当叙明范围包括限值的一者或两者，也包括排除这些被包括限值的任一者或两者的范围。
在本文中及随附权利要求书中使用时，除非上下文清楚地另外指明，单数形式的“一(a)”、“一(an)”及“该(the)”包括复数参照物。因此，例如，关于“一层”包括多个此层，及关于“该LED”包括关于一个或多个LED及本领域技术人员所知的其等效物，以此类推。
另外，当字词“包含(comprise(s))”、“包含(comprising)”、“含有(contain(s))”、“含有(containing)”、“包括(include(s))”和“包括(including)”在本说明书及在之后的权利要求书中被使用时，意于指明叙明特征、整体、部件或操作的存在，但它们不排除一个或多个其他特征、整体、部件、动作、或群组的存在或添加。

Claims (20)

1.一种在背板上形成LED结构的方法，所述方法包含以下步骤：
将第一转移基板与LED来源基板耦合，其中所述LED来源基板包含多个经制造LED，且其中用在所述第一转移基板与所述多个经制造LED的每个LED之间延伸的第一耦合材料来产生所述第一转移基板的所述耦合；
从所述多个经制造LED分离所述LED来源基板；
将第二转移基板与所述第一转移基板耦合，其中用在所述第二转移基板与所述多个经制造LED的每个LED之间延伸的第二耦合材料来产生所述第二转移基板的所述耦合；
从所述第二转移基板分离所述第一转移基板；和
将所述多个经制造LED与显示器背板接合。
2.如权利要求1所述在背板上形成LED结构的方法，其中所述第二转移基板与支撑所述显示器背板的基板特征在于小于或约20％的热膨胀系数差。
3.如权利要求2所述在背板上形成LED结构的方法，其中所述第二转移基板与支撑所述显示器背板的所述基板各自包含玻璃、硅或聚合材料。
4.如权利要求1所述在背板上形成LED结构的方法，其中从所述多个经制造LED分离所述LED来源基板的步骤包含以下步骤：
引导激光穿过所述LED来源基板的背侧，以从所述多个经制造LED解耦合所述LED来源基板。
5.如权利要求1所述在背板上形成LED结构的方法，其中所述第一耦合材料特征在于大于或约100℃的开始或释放温度。
6.如权利要求5所述在背板上形成LED结构的方法，其中所述第二耦合材料特征在于大于或约150℃的开始或释放温度。
7.如权利要求6所述在背板上形成LED结构的方法，其中所述第二耦合材料特征在于开始或释放温度，所述开始或释放温度大于在所述多个经制造LED的每个LED上的触点的熔化温度。
8.如权利要求1所述在背板上形成LED结构的方法，其中所述第一耦合材料与所述第二耦合材料各自为黏着材料、聚合有机硅材料或UV释放聚合物中的一者。
9.如权利要求8所述在背板上形成LED结构的方法，其中所述第一耦合材料与所述第二耦合材料是相同材料。
10.如权利要求8所述在背板上形成LED结构的方法，其中所述第一耦合材料与所述第二耦合材料的至少一者是丙烯酸黏着材料。
11.如权利要求1所述在背板上形成LED结构的方法，其中所述第一耦合材料与所述第二耦合材料的厚度小于或约100μm。
12.一种在背板上形成LED结构的方法，所述方法包含以下步骤：
借由第一耦合材料将第一转移基板与多个经制造LED的每个LED的第一表面耦合，其中所述多个经制造LED的每个LED的所述第一表面包含金属触点，且其中与每个LED的所述第一表面相对的所述多个经制造LED的每个LED的第二表面与LED来源基板耦合；
从所述多个经制造LED的每个LED的所述第二表面分离所述LED来源基板；
借由第二耦合材料将第二转移基板与所述多个经制造LED的每个LED的所述第二表面耦合；
从所述第二转移基板分离所述第一转移基板，其中用所述第二转移基板保持所述多个经制造LED的每个LED；和
将所述多个经制造LED的每个LED的所述第一表面与显示器背板接合。
13.如权利要求12所述在背板上形成LED结构的方法，其中所述第一耦合材料与所述第二耦合材料各自为黏着材料、聚合有机硅材料或UV释放聚合物中的一者。
14.如权利要求13所述在背板上形成LED结构的方法，其中所述第一耦合材料与所述第二耦合材料的至少一者是热可膨胀黏着材料，所述热可膨胀黏着材料特征在于释放温度，所述释放温度低于所述金属触点的熔化温度。
15.如权利要求13所述在背板上形成LED结构的方法，其中所述第一耦合材料与所述第二耦合材料的至少一者是热可膨胀黏着材料，所述热可膨胀黏着材料特征在于释放温度，所述释放温度高于所述金属触点的熔化温度。
16.如权利要求12所述在背板上形成LED结构的方法，其中所述第二转移基板与支撑所述显示器背板的基板特征在于小于或约20％的热膨胀系数差。
17.一种在背板上形成LED结构的方法，所述方法包含以下步骤：
借由第一耦合材料将第一转移基板与多个经制造LED的每个LED的第一表面耦合，其中所述多个经制造LED的每个LED的所述第一表面包含金属触点，并且其中与每个LED的所述第一表面相对的所述多个经制造LED的每个LED的第二表面与蓝宝石基板耦合；
用激光剥离工艺从所述多个经制造LED的每个LED的所述第二表面分离所述蓝宝石基板；
借由第二耦合材料将第二转移基板与所述多个经制造LED的每个LED的所述第二表面耦合；
从所述第二转移基板分离所述第一转移基板，其中用所述第二转移基板保持所述多个经制造LED的每个LED；
将所述多个经制造LED的每个LED的所述第一表面与显示器背板接合，其中所述第二转移基板与支撑所述显示器背板的基板特征在于小于或约20％的热膨胀系数差；和
从支撑所述背板的所述基板分离所述第二转移基板。
18.如权利要求17所述在背板上形成LED结构的方法，其中所述第一耦合材料与所述第二耦合材料的厚度小于或约100μm。
19.如权利要求17所述在背板上形成LED结构的方法，其中从所述多个经制造LED分离所述蓝宝石基板的步骤包含以下步骤：
引导激光穿过所述蓝宝石基板的背侧，以从所述多个经制造LED解耦合所述蓝宝石基板。
20.如权利要求17所述在背板上形成LED结构的方法，其中所述第一耦合材料与所述第二耦合材料各自为黏着材料、聚合有机硅材料或UV释放聚合物中的一者。
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