JP6807454B2 - 多層型キャリアフィルムおよびこれを用いた素子の転写方法とこの方法を用いて電子製品を製造する電子製品の製造方法 - Google Patents
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Description
従来は、素子を基板のソルダー上に転写するために、真空チャックを用いてバラ単位で転写する方法を使用した。この時、使用する装備はdie bonderあるいはflip
chip bonderといい、真空チャックを装着したヘッド1つが秒あたり1〜3個の素子を基板上に転写することができる。
従来の真空チャックを用いた転写方法は、素子の幅が0.5mm未満か、素子の厚さが20μm未満の場合、真空チャックの設計的限界および真空吸着(suction)による素子損傷の問題によって素子を基板に円滑に転写しにくい問題点があった。
また、本発明の他の側面は、前述した多層型キャリアフィルムを用いた素子の転写方法を提供しようとする。
前記変形層は、アクリレート、シリコーンラバー、ニトリルブタジエンゴム(NBR)、ポリエステル、エポキシのうちのいずれか1つの材質で形成され、前記硬質層は、金属、セラミック、ポリマー、またはこれらの複合体のうちのいずれか1つの材質で形成される。
本発明の一実施形態による電子製品の製造方法は、前記素子の転写方法を用いて多数の素子を平板上に転写して電子製品を製造する。
また、本発明の一実施形態によれば、ベースフィルムに硬度の異なる物質を順次に積層する構造として簡単に製作することができ、積層された物質の硬度変化により粘着力を容易に調節可能である。
また、本発明の一実施形態によれば、変形層の厚さを硬質層の厚さより大きく形成することによって、ソース基板に配列された素子を多層型キャリアフィルムに円滑に粘着させることができる。
また、図面に示された各構成の大きさおよび厚さは説明の便宜のために任意に示したので、本発明が必ずしも図示のところに限定されない。
図1を参照すれば、本実施形態による多層型キャリアフィルム100は、半導体、ディスプレイ、太陽電池、センサなどに装着される素子Eをソース基板W1からターゲット基板W2(図4参照)に転写するために使用されるものであって、ベースフィルム110と、変形層120と、硬質層130とを含む。
前記ベースフィルム110は、素子Eに密着する過程で変形しない十分な強度および弾性係数を有し、変形層120の形成過程で固有の物性が維持できるように、耐熱性および耐薬品性を有する材質で形成されることが好ましく、通常、PET(Polyethylene Terephthalate)フィルムやPI(polyimide)フィルムなどがベースフィルムの材質として主に使用されるが、その材質は特に限定されない。
ベースフィルム110は、図1に示されるように、平板状に製作してソース基板W1の一定領域に配列された素子Eを個別的に粘着してターゲット基板W2に転写させてもよく、図示しないが、円筒状に製作して一般的な転写用ロールに巻いてソース基板W1に配列された素子Eを連続的に粘着してターゲット基板W2に転写させてもよい。
ベースフィルムが平板状の場合、ベースフィルム110は、線形駆動手段(図示せず)に結合されて高さが調節可能であり、ソース基板W1の表面に沿って前後左右に移動可能である。ベースフィルム110が円筒状の場合、ベースフィルム110は、回転駆動手段(図示せず)に結合されて回転可能であり、前記回転駆動手段は、昇降手段(図示せず)に結合されて高さが調節可能である。
つまり、図示のように、変形層120の厚さt1が硬質層130の厚さt2より大きい場合、素子Eをピッキングする時の粘着力Faがソース基板W1と素子Eとの粘着力Fsより大きく発生することによって、多層型キャリアフィルム100に素子Eを円滑に粘着させることができる。逆に、変形層120の厚さt1が硬質層130の厚さt2より小さい場合、素子Eをピッキングする時の粘着力Faがソース基板W1と素子Eとの粘着力Fsより小さく発生することによって、素子Eが多層型キャリアフィルム100に円滑に粘着されないことがある。
もし、硬質層130の厚さt2が必要以上に厚ければ、変形層120と素子Eとの間の距離が遠くなって、変形層120で形成される粘着力が素子Eにうまく伝達されないことがあり、硬質層130の厚さt2が薄すぎると、変形層120の表面強度が低くなるため、多層型キャリアフィルム100をソース基板W1に加圧する過程で素子Eと密着する硬質層130の一部分が本来の形状を維持できず、変形層120側に凹みながら素子Eが変形層120に打ち込まれて束縛されることがある。
この時、変形層120の厚さt1は、硬質層130の厚さt2より大きく、具体的には、変形層120の厚さt1をソース基板W1と素子Eとの粘着力Fsに対応する基準厚さtoより大きくして素子Eを多層型キャリアフィルム100に円滑に粘着させることが好ましい。
この後、多層型キャリアフィルム100をターゲット基板W2から離隔させて、第1硬度K1の変形層120を有する新しい多層型キャリアフィルム100に切り替えて転写工程に使用する。
上述のように構成された本発明の多層型キャリアフィルムおよびこれを用いた素子の転写方法は、多層型キャリアフィルムを素子にしばらく付着後引き離す方式で転写させることによって、大きさの微小な素子を基板に容易かつ簡単に転写させることができる効果が得られる。
また、上述のように構成された本発明の多層型キャリアフィルムおよびこれを用いた素子の転写方法は、変形層が硬化する過程で変形層と素子との接触面積が減少するにつれ、多層型キャリアフィルムと素子との粘着力も減少することによって、多層型キャリアフィルムに粘着された素子をターゲット基板により容易に転写させることができる効果が得られる。
110:ベースフィルム
120:変形層
130:硬質層
200:エネルギー源
D:ソルダー
E:素子
Y:金属電極
W1:ソース基板
W2:ターゲット基板
Claims (7)
- ベースフィルムと、
前記ベースフィルムの一面に一定の厚さに形成され、第1硬度を有しかつ、エネルギーによって前記第1硬度より高い第2硬度を有するように変化する変形層と、
前記変形層の一面に一定の厚さに形成され、前記変形層の第1硬度より高い硬度で構成される硬質層とを含む多層型キャリアフィルムであって、
前記変形層は、前記多層型キャリアフィルムに粘着させる素子との間に引力が作用する物質で構成され、
前記変形層の硬度が高くなると前記硬質層と前記素子との接触面積が減少することにより、前記変形層の硬度に反比例する粘着力を有する多層型キャリアフィルム。 - 前記変形層の厚さが、前記硬質層の厚さより大きい、請求項1に記載の多層型キャリアフィルム。
- 前記変形層は、アクリレート、シリコーンラバー、ニトリルブタジエンゴム(NBR)、ポリエステル、エポキシのうちのいずれか1つの材質で形成され、
前記硬質層は、金属、セラミック、ポリマー、またはこれらの複合体のうちのいずれか1つの材質で形成される、請求項1に記載の多層型キャリアフィルム。 - 請求項1に記載の多層型キャリアフィルムを用い、
前記変形層を前記第1硬度に維持しながら、前記多層型キャリアフィルムを多数の素子が配列されたソース基板側に密着して前記素子を前記多層型キャリアフィルムに粘着させるピッキング段階と、
前記変形層を硬化させて、前記変形層の硬度を前記第1硬度から前記第2硬度に変形させる硬化段階と、
前記変形層を前記第2硬度に維持しながら、前記多層型キャリアフィルムをターゲット基板側に密着して前記素子を前記ターゲット基板に粘着させるプレーシング段階とを含み、
前記多層型キャリアフィルムと前記素子との間の粘着力は、前記変形層の硬度に反比例する多層型キャリアフィルムを用いた素子の転写方法。 - 前記多層型キャリアフィルムと前記素子との粘着力は、前記多層型キャリアフィルムを前記ソース基板または前記ターゲット基板から離型させる離型速度に比例し、
前記ピッキング段階で前記多層型キャリアフィルムを前記ソース基板から離型させる第1離型速度は、前記プレーシング段階で前記多層型キャリアフィルムを前記ターゲット基板から離型させる第2離型速度より大きい、請求項4に記載の多層型キャリアフィルムを用いた素子の転写方法。 - 前記変形層の厚さが、前記硬質層の厚さより大きい、請求項4に記載の多層型キャリアフィルムを用いた素子の転写方法。
- 請求項4に記載の多層型キャリアフィルムを用いた素子の転写方法を用いて多数の素子を平板上に転写して電子製品を製造する電子製品の製造方法。
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