KR102283056B1

KR102283056B1 - 목표체의 배열을 변화시켜 전사하는 점탈착 전사 장치

Info

Publication number: KR102283056B1
Application number: KR1020190126175A
Authority: KR
Inventors: 배원규
Original assignee: 숭실대학교 산학협력단
Priority date: 2019-10-11
Filing date: 2019-10-11
Publication date: 2021-07-29
Also published as: KR20210043240A

Abstract

전사하고자 하는 목표체가 점착되는 점착층; 및 상기 점착층의 일측면에 마련되고, 상기 점착층의 대향면에 대해 외부로부터 횡축 또는 종축 중 적어도 하나의 축 방향으로 가해지는 외력에 따라 변형되는 연질부와, 상기 외력에 따라 상기 연질부의 변형도와 비교하여 낮은 변형도를 가지는 경질부를 구비하는 기반층을 포함하는, 점탈착 전사 장치를 제공한다.

Description

목표체의 배열을 변화시켜 전사하는 점탈착 전사 장치{ADHESION AND DESORPTION TRANSFER DEVICE FOR TRANSFERRING BY CHANGING THE ARRANGEMENT OF THE TARGET ELEMENTS}

본 발명은 목표체의 배열을 변화시켜 전사하는 점탈착 전사 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 웨이퍼 또는 다른 장치에 존재하는 목표체를 점착하고, 점착된 목표체의 배열을 변화시켜 목표 위치에 전사하는 장치에 관한 것이다.

일반적으로, 웨이퍼 또는 다른 필름, 스탬프 등의 장치에 형성되는 목표체를 목표로 하는 목표 장치에 전사하기 위해서는 목표체를 흡착 또는 점착하도록 구비되는 팁(tip)을 포함하는 장치를 이용하여 개개의 목표체를 목표 위치에 전사하는 기술이 이용된다.

이러한 경우에는 서로 다른 종류의 목표체를 목표하는 위치에 전사하는데는 비교적 어려움이 크지 않으나, 전체 공정에 소요되는 시간을 단축하는데 어려움이 따른다.

이러한 어려움을 해결하기 위한 방법으로 웨이퍼 또는 다른 필름, 스탬프 등의 장치에 형성되는 복수의 목표체를 동시에 목표 위치에 전사하는 기술이 이용된다.

이러한 기술은 일반적으로, 웨이퍼 또는 다른 필름, 스탬프 등의 장치에 형성되는 복수의 목표체 중에서 목표로 하는 다른 장치 상에 설정된 목표체의 위치에 해당하는 목표체만을 전사하거나, 웨이퍼 또는 다른 필름, 스탬프 등의 장치에 형성되는 복수의 목표체를 흡착 또는 점착한 후에, 목표로 하는 다른 장치 상에 설정된 목표체의 위치에 해당하는 목표체만을 전사하는 과정을 반복하여 실시한다.

그러나, 이러한 방법도 목표체를 전사하는 전체 공정에 소요되는 시간을 단축하는데 한계가 따른다.

본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 웨이퍼 또는 다른 장치에 존재하는 목표체를 점착하고, 점착된 목표체의 배열을 변화시켜 목표로 정해지는 다른 장치에 전사하는 장치를 제공하는 것이다.

본 발명의 일측면에 따르면, 전사하고자 하는 목표체가 점착되는 점착층; 및 상기 점착층의 일측면에 마련되고, 상기 점착층의 대향면에 대해 외부로부터 횡축 또는 종축 중 적어도 하나의 축 방향으로 가해지는 외력에 따라 변형되는 연질부와, 상기 외력에 따라 상기 연질부의 변형도와 비교하여 낮은 변형도를 가지는 경질부를 구비하는 기반층을 포함할 수 있다.

또는, 상기 경질부는, 상기 연질부와 비교 시, 상대적으로 두꺼운 두께로 형성되며, 사전에 설정되는 배열에 따라 돌출되도록 형성될 수 있다.

또는, 상기 경질부는, 상기 연질부와 동일한 재질로 돌출되도록 형성되어, 상기 기반층에 작용하는 외력에 따라 상기 연질부의 변형도와 비교하여 낮은 변형도를 가지도록 형성될 수 있다.

또는, 상기 경질부는, 상기 연질부의 변형도와 비교하여 낮은 변형도를 가지도록 상기 연질부의 재질과 다른 재질로 돌출되도록 형성되어, 상기 기반층에 작용하는 외력에 따라 상기 연질부의 변형도와 비교하여 낮은 변형도를 가지도록 형성될 수 있다.

또는, 상기 기반층은, 가역성 또는 비가역성 중 적어도 하나의 성질을 나타내도록 형성되며, 상기 가역성을 나타내도록 형성되는 기반층은 기본 형태에서 목표체가 점착되고, 외부로부터 작용하는 외력에 따라 미리 정해지는 비율로 변형되어 목표 장치에 상기 목표체를 전사하고, 상기 외력이 해소되는 경우, 기본 형태로 복원될 수 있다.

또는, 상기 기반층은, 가역성 또는 비가역성 중 적어도 하나의 성질을 나타내도록 형성되며, 상기 비가역성을 나타내도록 형성되는 기반층은 기본 형태에서 목표체가 점착되고, 외부로부터 작용하는 외력에 따라 미리 정해지는 비율로 변형되어 목표 장치에 상기 목표체를 전사하고, 상기 외력이 해소되는 경우, 상기 외력에 의해 변형된 형태로 유지될 수 있다.

또는, 상기 점착층은, 상기 목표체가 형성되는 목표체 형성판에서, 열 방향 또는 행 방향 중 적어도 하나의 방향으로 형성된 복수 개의 목표체를 점착할 수 있다.

또는, 상기 목표체는, 수 내지 수백 마이크로미터로 형성되고, 서로 다른 색상을 나타내는 적어도 하나 이상의 LED를 포함할 수 있다.

또는, 상기 점착층은, 외부로부터 조사되는 자외선에 의해 점착력이 감소하여 상기 점착층에 점착된 목표체가 목표 장치에 전사될 수 있다.

상술한 본 발명의 일측면에 따르면, 목표체의 배열을 변화시켜 전사하는 점탈착 전사 장치를 제공함으로써, 웨이퍼 또는 다른 장치에 존재하는 목표체를 점착하고, 점착된 목표체의 배열을 변화시켜 목표로 정해지는 다른 장치에 전사할 수 있다.

도1은 본 발명의 일 실시예에 따른 점탈착 전사 장치를 나타내는 개략도이다.
도2는 도1의 점착층에 목표체가 점착되는 형태를 나타내는 개략도이다.
도3 및 도4는 도1의 기반층을 나타내는 개략도이다.
도5a 내지 도6은 도1의 기반층이 변형되는 형태를 나타내는 개략도이다.
도7a 및 도7b는 도1의 점착층에 점착되어 있는 목표체를 전사하는 형태를 나타내는 개략도이다.
도8은 본 발명의 일 실시예에 따른 점탈착 전사 장치를 이용하여 목표체를 전사하는 방법을 나타내는 순서도이다.

후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예와 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭한다.

이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명하기로 한다.

도1은 본 발명의 일 실시예에 따른 점탈착 전사 장치를 나타내는 개략도이다.

점탈착 전사 장치(1)는 점착층(10) 및 기반층(20)을 포함할 수 있다.

점착층(10)은 웨이퍼(Wafer) 또는 웨이퍼로부터 목표체를 전사하도록 형성된 다른 필름, 스탬프 등을 포함하는 목표체 형성판에 형성되는 목표체를 점착시킬 수 있다.

이에 따라, 점착층(10)은 목표체 형성판에서 행 방향 또는 열 방향 중 적어도 하나의 방향으로 형성된 복수 개의 목표체를 점착할 수 있다.

이때, 목표체는 수 내지 수백 마이크로미터로 형성되는 LED를 포함할 수 있으며, 이러한 LED는 서로 다른 색상을 나타내는 복수의 LED를 포함할 수 있다.

예를 들어, 목표체는 RGB 색상을 나타내는 각각의 단색 마이크로 LED를 의미할 수 있으며, 이러한 경우에, 점탈착 전사 장치(1)는 하나의 색상을 나타내는 마이크로 LED를 목표 장치에 전사하는 과정을 서로 다른 색상의 마이크로 LED에 대해 반복할 수 있다.

점착층(10)은 점착층(10)에 형성되는 온도 조건에 따라 점착력이 변화하는 재질로 형성될 수 있다.

이와 관련하여, 점착층(10)은 일정한 온도 조건이 형성되는 경우에, 점착력이 저하되고, 해당 온도 조건이 형성되지 않을 경우에, 점착력이 증가하는 재질로 형성될 수 있다.

이에 따라, 점착층(10)은 일정한 온도 조건이 형성되지 않은 상태에서 목표체를 점착시킬 수 있으며, 점착층(10)은 목표체를 전사하는 목표 장치에 목표체를 고정하고, 점착층(10)에 일정한 온도 조건이 형성되도록 열을 가하여 점착층(10)의 점착력을 저하시킬 수 있다.

한편, 점착층(10)은 점착층(10)에 자외선이 조사되는 경우에, 점착층(10) 내에서 자외선이 조사되는 위치의 점착력이 저하되는 재질로 형성될 수도 있다.

이에 따라, 점착층(10)은 목표체가 존재하는 목표체 형성판으로부터 목표체를 점착시킬 수 있으며, 점착층(10)은 목표체를 전사하는 목표 장치에 목표체를 고정하고, 점착층(10)에서 목표체가 점착되어 있는 위치에 자외선을 조사하여 점착력을 저하시킬 수 있다.

이와 같이, 점탈착 전사 장치(1)는 점착층(10)의 점착력을 저하시켜 점착층(10)으로부터 목표체를 수월하게 분리할 수 있으며, 이를 위해, 점착층(10)은 외부로부터 작용되는 영향에 의해 점착력이 감소될 수 있다.

여기에서, 외부로부터 작용되는 영향은 점착층(10)에 형성되는 온도 조건을 조절하기 위해 가해지는 열을 의미할 수 있으며, 외부로부터 작용되는 영향은 점착층(10)에 조사되는 자외선을 의미할 수도 있다.

이외에도, 점착층(10)은 외부로부터 작용되는 여러가지 영향에 의해 점착력이 감소 또는 증가되도록 구비될 수 있다.

기반층(20)은 점착층(10)이 형성될 수 있도록 점착층(10)의 일측면에 마련될 수 있으며, 이때, 기반층(20)은 필름 또는 스탬프 등의 형태가 가능할 수 있다.

기반층(20)은 점착층(10)에 대한 대향면에 대해, 외부로부터 가해지는 외력에 따라 변형될 수 있으며, 이에 따라, 점착층(10)은 기반층(20)의 변형에 따른 형태에 적응되도록 변형이 가능한 재질로 형성될 수 있다.

이때, 기반층(20)은 목표체가 점착되는 기본 형태에서 외부로부터 작용하는 외력에 따라 변형되고, 외력이 해소되는 경우에, 기본 형태로 복원되는 가역성 성질을 나타내도록 형성될 수 있다.

이러한 경우에, 기반층(20)은 기본 형태에서 목표체가 점착되고, 외력에 따라 미리 정해지는 비율로 변형되어 목표 장치에 목표체를 전사하고, 외력이 해소되어 기본 형태로 복원될 수 있다.

여기에서, 기본 형태는 기반층(20)에 외부로부터 인위적인 외력이 작용되지 않거나, 기반층(20)의 재질 또는 특성에 따라 무시될 수 있는 크기의 외력이 작용되는 경우에, 기반층(20)이 나타내는 형태를 의미할 수 있으며, 이러한 기반층(20)의 기본 형태는 목표체 형성판으로부터 목표체를 일정한 간격으로 점착시키도록 형성되는 형태일 수 있다.

또한, 기반층(20)이 미리 정해지는 비율로 변형되는 것은 목표 장치에 복수의 목표체를 전사할 때, 각각의 목표체의 사이 간격으로 설정되는 이격거리에 따라 변형되는 것으로 이해할 수 있다.

이때, 각각의 목표체에 의해 형성되는 복수의 이격거리는 동일한 간격으로 나타날 수 있으며, 각각의 이격거리는 서로 다른 색상의 마이크로 LED가 배치되도록 설정되는 간격일 수 있다.

한편, 기반층(20)은 목표체가 점착되는 기본 형태에서 외부로부터 작용하는 외력에 따라 변형되고, 외력이 해소되는 경우에, 외력에 의해 변형된 형태로 유지되는 비가역성 성질을 나타내도록 형성될 수도 있다.

이러한 경우에, 기반층(20)은 기본 형태에서 목표체가 점착되고, 외력에 따라 미리 정해지는 비율로 변형되어 목표 장치에 목표체를 전사하고, 외력이 해소되어도, 외력에 의해 변형된 형태를 유지할 수 있다.

한편, 도1을 참조하면, 점착층(10)은 기반층(20)을 덮는 하나의 층으로 표현된 것으로 확인할 수 있으나, 점착층(10)은 기반층(20) 상의 돌출된 위치에 목표체를 점착하도록 돌출 부위의 일측면에만 존재하도록 형성될 수도 있으며, 점착층(10)은 기반층(20) 상에서 목표체를 점착하도록 다양한 실시예로 형성될 수 있다.

도2는 도1의 점착층에 목표체가 점착되는 형태를 나타내는 개략도이다.

점착층(10)은 목표체(30)를 점착시킬 수 있도록 점착력을 가지는 재질로 형성될 수 있다.

점착층(10)은 사전에 설정되는 위치에 목표체(30)가 배치되고, 외부로부터 목표체(30)를 향하는 방향으로 가해지는 압력에 의해 점착층(10)의 내부에 목표체(30)가 일정 깊이 삽입될 수 있다.

이때, 목표체(30)가 배치되도록 사전에 설정되는 위치는 기반층(20) 상에 사전에 설정되는 배열에 따라 돌출되도록 형성되는 위치를 의미할 수 있다.

이를 위해, 점탈착 전사 장치(1)는 하부 지지대 및 상부 고정대를 포함할 수도 있다.

하부 지지대는 목표체(30)가 구비되는 웨이퍼 또는 다른 필름, 스탬프 등을 포함하는 목표체 형성판(40)을 고정할 수 있으며, 상부 고정대는 점착층(10)의 목표체(30)를 점착시키도록 구비되는 점착면이 하부 지지대를 향하도록 점착층(10)을 고정할 수 있다.

이때, 상부 고정대에 점착층(10)을 고정하는 것은 점착층(10)의 점착면에 대한 배향측으로 가장 외측에 구비되는 기반층(20)의 일측면을 고정하는 것으로 이해할 수 있으며, 점착면의 배향측으로 가장 외측에 다른 구성 요소가 존재하는 경우에는, 해당 구성 요소가 상부 고정대에 고정되는 것으로 이해할 수 있다.

이에 따라, 상부 고정대는 점착층(10)을 목표체(30)를 향하는 방향으로 이동시킬 수 있으며, 상부 고정대의 이동에 따라 목표체(30)가 점착층(10) 내부에 일정 깊이 삽입되도록 압력이 발생할 수 있다.

도2를 참조하면, 기반층(20)의 일측면에 존재하는 화살표는 목표체가 점착층(10)에 안정적으로 점착되도록 압력이 가해지는 방향을 나타내는 것으로 이해할 수 있으며, 이러한 압력은 목표체 형성판(40)이 점착층(10)을 향해 이동하는 방향으로 발생할 수도 있다.

도3 및 도4는 도1의 기반층을 나타내는 개략도이다.

기반층(20)은 연질부(21) 및 경질부(22)를 포함할 수 있다.

연질부(21)는 외부로부터 가해지는 외력에 따라 변형될 수 있다.

경질부(22)는 외부로부터 가해지는 외력에 따라 연질부의 변형도와 비교하여 낮은 변형도를 가질 수 있다.

또한, 경질부(22)는 연질부(21)와 비교 시에, 상대적으로 두꺼운 두께로 형성될 수 있으며, 사전에 설정되는 배열에 따라 돌출되도록 형성될 수 있다.

여기에서, 경질부(22)가 돌출되도록 형성되는 배열은 목표체(30)가 점착되는 위치일 수 있으며, 복수의 목표체(30)가 점착되는 위치는 각각의 목표체(30)의 사이에 일정한 간격을 두고 이격되도록 형성될 수 있다.

도3을 참조하면, 경질부(22)는 연질부(21)와 동일한 재질로 돌출되도록 형성될 수 있으며, 이러한 경우에, 경질부(22)는 연질부(21)와 비교하여 두꺼운 두께로 형성되어 기반층(20)에 작용하는 외력에 따라 연질부(21)와 비교하여 낮은 변형도를 가질 수 있다.

이와 관련하여, 경질부(22)가 형성되는 두께는 연질부(21)와 비교하여 낮은 변형도를 가질 수 있는 크기의 두께일 수 있으며, 이때, 경질부(22)의 두께는 기본 형태에서 경질부(22)가 휘어지거나, 꺽이지 않는 두께로 형성될 수 있다.

도4를 참조하면, 경질부(22)는 연질부(21)의 변형도와 비교하여 낮은 변형도를 가지는 연질부(21)의 재질과 다른 재질로 돌출되도록 형성될 수도 있다.

이러한 경우에, 경질부(22)는 연질부(21)를 전체 또는 부분 관통하도록 형성될 수 있으며, 경질부(22)는 도4와 같은 형태로, 연질부(21)의 일측면 상에 구비될 수도 있다.

여기에서, 연질부(21)를 전체 또는 부분 관통하도록 경질부(22)가 형성되는 것은 경질부(22)가 돌출되는 위치에 연질부(21)를 전체 또는 부분 관통하는 홈을 형성하고, 연질부(21)를 전체 또는 부분 관통하는 홈에 경질부(22)가 구비되는 형태로 이해할 수 있다.

도5a 내지 도6은 도1의 기반층이 변형되는 형태를 나타내는 개략도이다.

기반층(20)은 점착층(10)의 대향면에 대해 외부로부터 횡축 또는 종축 중 적어도 하나의 축 방향으로 가해지는 외력에 따라 변형될 수 있다.

도5a 및 도5b를 참조하면, 기반층(20)에 점착된 복수의 목표체(30)가 나열되는 방향을 나타내는 화살표에 따라 외력이 작용하는 것을 확인할 수 있으며, 이에 따라, 연질부(21)가 외력이 작용하는 방향으로 늘어나고, 경질부(22)는 연질부(21)와 비교하여 늘어나는 정도가 낮은 형태를 확인할 수 있다.

예를 들어, 변형되기 전의 기반층(20)의 길이(d1)는 변형된 기반층(20)의 길이(d2)와 비교하여 짧은 것으로 이해할 수 있으며, 변형되기 전의 연질부(21)의 두께(d3)는 변형된 연질부(21)의 두께(d4)와 비교하여 두꺼운 것으로 이해할 수 있다.

이와 같이, 기반층(20)은 목표체 형성판(40)에 구비되는 복수의 목표체(30) 중에서 하나의 행 또는 열에 위치하는 복수의 목표체(30)를 점착시키고, 기반층(20)에 외력을 가하여 각각의 목표체(30)의 위치를 조절할 수 있는 것으로 이해할 수 있다.

이러한 경우에, 기반층(20)은 기반층(20)에 점착된 복수의 목표체(30)가 나열되는 행 방향 또는 열 방향으로 가해지는 외력에 따라 각각의 목표체(30) 사이의 간격이 변화하여 이격될 수 있으며, 이러한 변화에 따른 각각의 목표체(30)의 이격간격은 목표 장치 상에 전사되도록 구비되는 목표체(30)의 위치에 따른 간격으로 형성될 수 있다.

특히, 도5a를 참조하면, 기반층(20)이 외부로부터 가해지는 외력에 따라 변형되는 형태를 확인할 수 있으며, 이와 관련하여, 도5a의 상단은 기반층(20)이 변형되기 전이고, 도5a의 하단은 외력에 의해 변형된 기반층(20)을 나타내는 것으로 이해할 수 있다.

이때, 변형된 기반층(20)의 연질부(21)는 변형되기 전의 연질부(21)와 비교하여 늘어난 형태로써, 연질부(21)의 두께가 얇아진 것으로 이해할 수 있으며, 변형된 기반층(20)의 경질부(22)는 변형되기 전의 경질부(22)와 비교하여 동일하거나, 연질부(21)의 변형과 비교하여 변형이 적은 것으로 이해할 수 있다.

한편, 도5b는 도5a의 변형된 기반층(20)을 나타내는 사시도로 이해할 수 있으며, 발명을 쉽게 이해할 수 있도록 일부 과장된 표현이 존재할 수 있음이 이해되어야 한다.

도6을 참조하면, 기반층(20)의 횡축 방향 및 종축 방향을 나타내는 화살표에 따라 외력이 작용하는 것을 확인할 수 있으며, 이에 따라, 연질부(21)가 외력이 작용하는 방향으로 늘어나고, 경질부(22)는 연질부(21)와 비교하여 늘어나는 정도가 낮은 형태를 확인할 수 있다.

이때, 도6의 기반층(20)은 도5a 및 도5b의 기반층(20)과 동일한 형태로 작용하나, 도5a 및 도5b의 기반층(20)은 횡축 또는 종축 중 적어도 하나의 축 방향으로 가해지는 외력에 따라 변형될 수 있고, 도6의 기반층(20)은 횡축 및 종축으로 가해지는 외력에 따라 변형되는 차이가 존재하는 것으로 이해할 수 있다.

이와 같이, 기반층(20)은 목표체 형성판(40)에 배열되는 복수의 목표체(30)를 점착시키고, 기반층(20)에 횡축 방향 및 종축 방향으로 외력을 가하여 각각의 목표체(30)의 위치를 조절할 수 있는 것으로 이해할 수 있다.

이러한 경우에, 기반층(20)은 기반층(20)에 점착된 복수의 목표체(30)가 나열되는 행 방향 및 열 방향으로 가해지는 외력에 따라 각각의 목표체(30) 사이의 간격이 변화하여 이격될 수 있으며, 이러한 변화에 따른 각각의 목표체(30)의 이격간격은 목표 장치 상에 전사되도록 구비되는 목표체(30)의 위치에 따른 간격으로 형성될 수 있다.

이때, 행 방향 및 열 방향의 이격 간격은 서로 다른 간격으로 이격될 수 있으며, 이를 위해, 기반층(20)의 연질부(21)는 행 방향 및 열 방향에 대해 각각 다른 두께로 형성될 수 있으며, 기반층(20)의 경질부(22)가 행 방향 및 열 방향에 대해 다른 간격으로 돌출되도록 형성될 수도 있다.

한편, 기반층(20)은 외부로부터 횡축 또는 종축으로 작용하는 외력의 크기에 따라 행 방향 및 열 방향으로의 변형이 다르게 나타날 수 있음은 물론이며, 행 방향 및 열 방향의 이격간격이 동일하게 변형될 수 있음은 물론이다.

이와 같이, 기반층(20)은 외부로부터 작용되는 외력 및 기반층(20)에 포함되는 연질부(21) 및 경질부(22)의 형태에 따라 서로 다른 형태로 변형될 수 있으며, 이러한 기반층(20)의 변형은 상기 서술한 설명 외에도 다양한 실시예가 가능하다.

도7a 및 도7b는 도1의 점착층에 점착되어 있는 목표체를 전사하는 형태를 나타내는 개략도이다.

점착층(10)은 일정한 온도 조건이 형성되는 경우에, 점착력이 저하되고, 해당 온도 조건이 형성되지 않을 경우에, 점착력이 증가하는 재질로 형성될 수 있다.

이에 따라, 점착층(10)은 일정한 온도 조건이 형성되지 않은 상태에서 목표체(30)를 점착시킬 수 있으며, 점착층(10)은 목표체(30)를 전사하는 목표 장치(50)에 목표체(30)를 고정하고, 점착층(10)에 일정한 온도 조건이 형성되도록 열을 가하여 점착층(10)의 점착력을 저하시킬 수 있다.

이에 따라, 점착층(10)은 목표체(30)가 존재하는 목표체 형성판(40)으로부터 목표체(30)를 점착시킬 수 있으며, 점착층(10)은 목표체(30)를 전사하는 목표 장치(50)에 목표체(30)를 고정하고, 점착층(10)에서 목표체(30)가 점착되어 있는 위치에 자외선을 조사하여 점착력을 저하시킬 수 있다.

이와 같이, 점탈착 전사 장치(1)는 점착층(10)의 점착력을 저하시켜 점착층(10)으로부터 목표체(30)를 수월하게 분리할 수 있으며, 이를 위해, 점착층(10)은 외부로부터 작용되는 영향에 의해 점착력이 감소될 수 있다.

도7a를 참조하면, 점탈착 전사 장치(1)가 외력에 의해 변형되기 전의 형태를 확인할 수 있으며, 이에 대해, 목표 장치(50)의 목표체(30)를 고정하도록 구비되는 위치와 점탈착 전사 장치(1)에 점착된 목표체(30)의 위치가 다른 것을 확인할 수 있다.

이에 따라, 점탈착 전사 장치(1)의 목표체(30)가 점착되어 있는 위치는 외부로부터 작용되는 외력에 의해 목표 장치(50)에 목표체(30)를 고정하도록 구비되는 위치와 일치될 수 있다.

도7b를 참조하면, 외력에 의해 변형된 점탈착 전사 장치(1)를 확인할 수 있으며, 이에 따라, 점탈착 전사 장치(1)의 목표체(30)가 점착되어 있는 위치가 목표 장치(50)에 목표체(30)를 고정하도록 구비되는 위치와 일치된 것으로 이해할 수 있다.

도8은 본 발명의 일 실시예에 따른 점탈착 전사 장치를 이용하여 목표체를 전사하는 방법을 나타내는 순서도이다.

본 발명의 일 실시예에 따른 점탈착 전사 방법은 도 1에 도시된 점탈착 전사 장치(1)와 실질적으로 동일한 구성 상에서 진행되므로, 도 1의 점탈착 전사 장치(1)와 동일한 구성요소에 대해 동일한 도면 부호를 부여하고, 반복되는 설명은 생략하기로 한다.

점탈착 전사 방법은 점착 단계(800), 변형 단계(810) 및 전사 단계(820)를 포함할 수 있다.

점착 단계(800)는 목표체(30)를 점착층(10)에 점착하는 단계일 수 있다.

이때, 점착 단계(800)는 목표체 형성판(40)에 존재하는 목표체(30)를 점착시킬 수 있다.

이와 관련하여, 점착 단계(800)는 목표체(30)를 전사하도록 형성된 다른 필름 또는 스탬프 등에 존재하는 목표체(30)를 점착층(10)에 점착시키는 경우에, 웨이퍼에 형성되는 목표체(30)를 다른 필름 또는 스탬프 등에 점착시키는 단계를 더 포함할 수 있다.

이와 같이, 점착 단계(800)는 목표체(30)의 전극이 목표 장치에 구비되는 전극에 알맞게 결합되도록 목표체(30)의 방향을 변경하는 단계를 더 포함할 수 있는 것으로 이해할 수 있다.

한편, 점착 단계(800)에서는 점착층(10)의 점착력이 유지되거나, 향상되도록 점착층(10)의 환경을 조성하는 단계를 더 포함할 수도 있다.

이와 관련하여, 점착층(10)은 일정한 온도 조건이 형성되는 경우에, 점착력이 저하되고, 해당 온도 조건이 형성되지 않을 경우에, 점착력이 증가하는 재질로 형성될 수 있으며, 점착층(10)은 점착층(10)에 자외선이 조사되는 경우에, 점착층(10) 내에서 자외선이 조사되는 위치의 점착력이 저하되는 재질로 형성될 수도 있다.

변형 단계(810)는 목표체(30)가 점착된 점착층(10)의 일측면에 마련되는 기반층(20)에 회축 또는 종축 중 적어도 하나의 축 방향으로 외력을 가하여 기반층(20)을 변형시키고, 목표체(30)를 사전에 설정되는 배열로 배열하는 단계일 수 있다.

이때, 사전에 설정되는 배열은 서로 다른 색상의 마이크로 LED가 일정한 규칙에 따라 배치되도록 설정되는 간격일 수 있다.

또한, 기반층(20)은 외부로부터 가해지는 외력에 따라 변형되는 연질부(21) 및 연질부의 변형도와 비교하여 낮은 변형도를 가지는 경질부(22)를 포함할 수 있으며, 경질부(22)는 연질부(21)와 비교 시에, 상대적으로 두꺼운 두께로 형성될 수 있으며, 사전에 설정되는 배열에 따라 돌출되도록 형성될 수 있다.

전사 단계(820)는 기반층(20)이 변형되어 사전에 설정되는 배열로 배열된 목표체(30)를 목표 장치에 전사하는 단계일 수 있다.

이때, 점착층(10)은 일정한 온도 조건이 형성되는 경우에, 점착력이 저하되고, 해당 온도 조건이 형성되지 않을 경우에, 점착력이 증가하는 재질로 형성될 수 있으며, 이러한 경우에, 전사 단계(820)는 목표체(30)를 전사하는 목표 장치에 목표체(30)를 고정하고, 점착층(10)에 일정한 온도 조건이 형성되도록 열을 가하여 점착층(10)의 점착력을 저하시켜 목표체(30)를 목표 장치(50)에 전사할 수 있다.

한편, 점착층(10)은 점착층(10)에 자외선이 조사되는 경우에, 점착층(10) 내에서 자외선이 조사되는 위치의 점착력이 저하되는 재질로 형성될 수도 있으며, 이러한 경우에, 전사 단계(820)는 목표체(30)를 전사하는 목표 장치(50)에 목표체(30)를 고정하고, 점착층(10)에서 목표체(30)가 점착되어 있는 위치에 자외선을 조사하여 점착력을 저하시켜 목표체(30)를 목표 장치에 전사할 수 있다.

이때, 전사 단계(820)는 점착층(10)에서 목표체(30)가 점착되어 있는 위치에 자외선을 조사하여 점착력을 저하시키고, 목표 장치(50)에 구비되는 목표체(30)의 고정 위치에 목표체(30)를 고정하여 점착층(10)으로부터 목표체(30)를 분리할 수도 있음은 물론이다.

전사 단계(820)는 기반층(20)이 목표체(30)가 점착되는 기본 형태에서 외부로부터 작용하는 외력에 따라 변형되고, 외력이 해소되는 경우에, 기본 형태로 복원되는 가역성 성질을 나타내도록 형성된 경우에, 기반층(20)에 작용하는 외력의 해소에 따라 기본 형태로 복원되는 단계를 더 포함할 수 있다.

한편, 전사 단계(820)는 기반층(20)이 목표체(30)가 점착되는 기본 형태에서 외부로부터 작용하는 외력에 따라 변형되고, 외력이 해소되는 경우에, 외력에 의해 변형된 형태로 유지되는 비가역성 성질을 나타내도록 형성된 경우에, 기반층(20)에 작용하는 외력의 해소에 대해 변형된 형태를 유지할 수도 있다.

점탈착 전사 방법을 서로 다른 목표체(30)에 대해 반복하는 경우에, 각각의 목표체(30)를 설정된 위치에 전사할 수 있다.

예를 들어, R, G, B 세 종류의 마이크로 LED를 각각의 LED가 형성되는 웨이퍼로부터 목표 장치(50)에 전사하는 경우에, 점탈착 전사 장치(1)는 R에 해당하는 마이크로 LED를 점탈착 전사 방법에 따라 목표 장치(50)에 전사하고, 이어서, G에 해당하는 마이크로 LED를 목표 장치(50)에 전사할 수 있다.

이러한 과정을 반복하는 경우에, 목표 장치는 R, G, B 세 종류의 마이크로 LED가 번갈아서 설치되는 형태로 나타날 수 있다.

이상에서는 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

1: 점탈착 전사 장치
10: 점착층
20: 기반층
21: 연질부
22: 경질부
30: 목표체
40: 목표체 형성판
50: 목표 장치

Claims

전사하고자 하는 목표체가 점착되는 점착층; 및
상기 점착층의 일측면에 마련되고, 상기 점착층의 대향면에 대해 외부로부터 횡축 또는 종축 중 적어도 하나의 축 방향으로 가해지는 외력에 따라 변형되는 연질부와, 상기 외력에 따라 상기 연질부의 변형도와 비교하여 낮은 변형도를 가지는 경질부를 구비하는 기반층을 포함하고,
상기 기반층은,
가역성 또는 비가역성 중 적어도 하나의 성질을 나타내도록 형성되며,
상기 가역성을 나타내도록 형성되는 기반층은 기본 형태에서 목표체가 점착되고, 외부로부터 작용하는 외력에 따라 미리 정해지는 비율로 변형되어 목표 장치에 상기 목표체를 전사하고, 상기 외력이 해소되는 경우, 기본 형태로 복원되는, 점탈착 전사 장치.
제1항에 있어서, 상기 경질부는,
상기 연질부와 비교 시, 상대적으로 두꺼운 두께로 형성되며, 사전에 설정되는 배열에 따라 돌출되도록 형성되는, 점탈착 전사 장치.
제2항에 있어서, 상기 경질부는,
상기 연질부와 동일한 재질로 돌출되도록 형성되어, 상기 기반층에 작용하는 외력에 따라 상기 연질부의 변형도와 비교하여 낮은 변형도를 가지도록 형성되는, 점탈착 전사 장치.
제2항에 있어서, 상기 경질부는,
상기 연질부의 변형도와 비교하여 낮은 변형도를 가지도록 상기 연질부의 재질과 다른 재질로 돌출되도록 형성되어, 상기 기반층에 작용하는 외력에 따라 상기 연질부의 변형도와 비교하여 낮은 변형도를 가지도록 형성되는, 점탈착 전사 장치.
삭제
제1항에 있어서, 상기 기반층은,
가역성 또는 비가역성 중 적어도 하나의 성질을 나타내도록 형성되며,
상기 비가역성을 나타내도록 형성되는 기반층은 기본 형태에서 목표체가 점착되고, 외부로부터 작용하는 외력에 따라 미리 정해지는 비율로 변형되어 목표 장치에 상기 목표체를 전사하고, 상기 외력이 해소되는 경우, 상기 외력에 의해 변형된 형태로 유지되는, 점탈착 전사 장치.
제1항에 있어서, 상기 점착층은,
상기 목표체가 형성되는 목표체 형성판에서, 열 방향 또는 행 방향 중 적어도 하나의 방향으로 형성된 복수 개의 목표체를 점착하는, 점탈착 전사 장치.
제1항에 있어서, 상기 목표체는,
수 내지 수백 마이크로미터로 형성되고, 서로 다른 색상을 나타내는 적어도 하나 이상의 LED를 포함하는, 점탈착 전사 장치.
제1항에 있어서, 상기 점착층은,
외부로부터 외부로부터 작용되는 영향에 의해 점착력이 감소하여 상기 점착층에 점착된 목표체가 목표 장치에 전사되는, 점탈착 전사 장치.