JP2005248088A - 部品実装用フィルム及びこれを用いた実装基板 - Google Patents
部品実装用フィルム及びこれを用いた実装基板 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005248088A JP2005248088A JP2004063193A JP2004063193A JP2005248088A JP 2005248088 A JP2005248088 A JP 2005248088A JP 2004063193 A JP2004063193 A JP 2004063193A JP 2004063193 A JP2004063193 A JP 2004063193A JP 2005248088 A JP2005248088 A JP 2005248088A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- component mounting
- polymer
- film
- copolymer
- group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/831—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
- H01L2224/83101—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus as prepeg comprising a layer connector, e.g. provided in an insulating plate member
Landscapes
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
Abstract
【解決手段】 本フィルムは、ジエン系ブロック共重合体の水素添加物及び極性基変性オレフィン系重合体から選ばれる少なくとも1種の重合体を含むエラストマー組成物からなる。上記水素添加物は、共役ジエンのブロック共重合体の水素添加物、共役ジエン及び芳香族ビニル化合物からなるブロック共重合体の水素添加物等が好ましい。本実装基板は、半導体チップ及び/又は電子部品と、この半導体チップ及び/又はこの電子部品の実装面に設けられた本フィルムと、このフィルムの半導体チップ及び電子部品に対向する面に設けられたプリント基板とを備えてなる。
【選択図】 図2
Description
しかし、電子部品の多くは熱膨張係数が小さいのに対して、実装基板は電子部品に比べて熱膨張係数が大きい。このため、通常、発熱を伴う電子部品と実装基板との熱膨張係数の差に起因する応力を生じ、熱衝撃及び熱履歴等により接続信頼性の低下を招く場合があることが問題となっている。
この熱膨張係数差に起因する不具合を抑制する技術として、液状接着剤を、電子部品と実装基板との間に充填して硬化させて緩衝層を形成する方法が知られている。また、上記液状接着剤に換えて、下記特許文献1及び2に開示されるような接着フィルムを用いる方法も知られている。
本発明は、上記問題を解決するものであり、新規な接着フィルムであって、実装面に電子部品を良好に固定できる粘着性を有し、更に、柔軟性、追従性、強度、電気絶縁性、低イオン性及び耐熱性に優れる部品実装用フィルム及びこれを用いた実装基板を提供することを目的とする。
(1)ジエン系ブロック共重合体の水素添加物及び極性基変性オレフィン系重合体から選ばれる少なくとも1種の重合体を含むエラストマー組成物からなることを特徴とする部品実装用フィルム。
(2)上記ジエン系ブロック共重合体の水素添加物は、共役ジエンのブロック共重合体の水素添加物並びに共役ジエン及び芳香族ビニル化合物からなるブロック共重合体の水素添加物から選ばれる少なくとも1種である上記(1)に記載の部品実装用フィルム。
(3)上記ジエン系ブロック共重合体の水素添加物は、ビニル結合含量が25%未満であるブタジエン重合体ブロック(I)と、共役ジエン単位(a1)及び他の単量体単位(a2)の質量割合が(a1)/(a2)=(100〜50)/(0〜50)であり、ビニル結合含量が25〜95%である重合体ブロック(II)とを、それぞれ分子中に少なくとも1つ有するジエン系ブロック共重合体が水素添加されたものである上記(1)又は(2)に記載の部品実装用フィルム。
(4)上記極性基変性オレフィン系重合体は、極性基変性エチレン・α−オレフィン共重合体及び極性基変性エチレン・α−オレフィン・非共役ジエン共重合体から選ばれる少なくとも1種であり、且つ、上記エラストマー組成物は、金属イオン及び/又は金属化合物を含む上記(1)に記載の部品実装用フィルム。
(5)上記極性基は、カルボキシル基、ヒドロキシル基、エポキシ基、アミノ基、アルコキシシリル基、スルホン酸基及びニトリル基から選ばれる上記(4)に記載の部品実装用フィルム。
(6)上記エラストマー組成物は、液状材料を含み、該液状材料の含有量は、重合体成分の合計100質量部に対して、1〜5000質量部である上記(1)乃至(5)のいずれかに記載の部品実装用フィルム。
(7)上記エラストマー組成物の少なくとも一部が架橋されている上記(1)乃至(6)のいずれかに記載の部品実装用フィルム。
(8)厚さが0.1〜3000μmである上記(1)乃至(7)のいずれかに記載の部品実装用フィルム。
(9)半導体チップ及び/又は電子部品と、該半導体チップ及び/又は該電子部品が実装されたプリント基板との間に配設された上記(1)乃至(8)のうちのいずれかに記載の部品実装用フィルム。
(10)半導体チップ及び/又は電子部品と、該半導体チップ及び/又は該電子部品の実装面に設けられた上記(1)乃至(8)のうちのいずれかに記載の部品実装用フィルムと、該部品実装用フィルムの該半導体チップ及び/又は該電子部品に対向する面に設けられたプリント基板と、を備えることを特徴とする実装基板。
本部品実装用フィルムが特定の重合体を架橋してなるフィルムである場合には、特に柔軟性及び強度等に優れる。
本部品実装用フィルムが半導体チップ及び/又は電子部品と、これらが実装されたプリント基板との間に配設されたフィルムである場合には、部品実装用フィルムの有する粘着性、また、優れた柔軟性、追従性、強度、電気絶縁性、低イオン性及び耐熱性等により半導体チップ及び電子部品等を良好に固定等できる。更に、被固定物(半導体チップ及び電子部品等)の交換を要する場合には、交換を容易に行うことができ、被固定物に粘着成分等を残存させることがない。
本実装基板によると、部品実装用フィルムの有する粘着性、また、優れた柔軟性、追従性、強度、電気絶縁性、低イオン性及び耐熱性等により半導体チップ及び電子部品等が良好に固定された実装基板となる。更に、特に被固定物(半導体チップ及び電子部品等)の交換を要する場合には、その交換を容易に行うことができる。また、この際に被固定物に粘着成分等を残存させることがない。
本発明の部品実装用フィルムは、ジエン系ブロック共重合体の水素添加物及び極性基変性オレフィン系重合体から選ばれる少なくとも1種の重合体を含むエラストマー組成物からなることを特徴とするものである。
まず、ジエン系ブロック共重合体の水素添加物について説明する。
上記ジエン系ブロック共重合体の水素添加物は、ジエン系ブロック共重合体の水素添加物であれば特に限定されない。このジエン系ブロック共重合体は、共役ジエンのブロック共重合体であってもよいし、共役ジエンと1種以上の他の単量体とからなるブロック共重合体であってもよい。従って、上記ジエン系ブロック共重合体のブロック構造としては、(A−B)mA、(B−A)mB、(A−B−A)m、(B−A−B)m等が挙げられ、更に、(A−B)mX、(B−A)mX、(A−B−A)mX、(B−A−B)mX等のように、カップリング剤残基Xを介して重合体分子鎖が延長又は分岐されたものでもよい。各一般式において、「A」は共役ジエン単位を主体とするブロック、「B」は他の共役ジエン単位又は他の単量体単位を主体とするブロック、mは1以上の整数である。
これらの共役ジエンを用いたブロック共重合体としては、2つ以上のブタジエン重合体ブロックを有するポリブタジエン、2つ以上のイソプレン重合体ブロックを有するポリイソプレン等が挙げられる。
尚、上記重合体ブロック(II)において、ビニル結合(1,2−ビニル結合及び3,4−ビニル結合)の含量は、好ましくは25〜95%であり、より好ましくは25〜90%、更に好ましくは30〜85%である。
また、上記重合体(P)は、トリブロック以上のブロックを有する共重合体であれば、水素添加物とした場合に形状保持性及び力学的性質により優れる成形体を得ることができる。従って、上記一般式において、m1は、2以上の整数であることが好ましい。
上記カップリング剤としては、1,2−ジブロモエタン、メチルジクロロシラン、トリクロロシラン、メチルトリクロロシラン、テトラクロロシラン、テトラメトキシシラン、ジビニルベンゼン、アジピン酸ジエチル、アジピン酸ジオクチル、ベンゼン−1,2,4−トリイソシアネート、トリレンジイソシアネート、エポキシ化1,2−ポリブタジエン、エポキシ化アマニ油、テトラクロロゲルマニウム、テトラクロロスズ、ブチルトリクロロスズ、ブチルトリクロロシラン、ジメチルクロロシラン、1,4−クロロメチルベンゼン、ビス(トリクロロシリル)エタン等が挙げられる。
また、上記部分架橋共重合体は、これらの極性基含有化合物に多官能性不飽和結合を有する化合物を共重合することにより得られるが、この化合物としては、多価アリル化合物、多価(メタ)アクリレート化合物、ジビニル化合物、ビスマレイミド化合物、ジオキシム化合物等が挙げられる。
上記アクリル酸アルキルエステルとしては、メチルアクリレート、エチルアクリレート、n−プロピルアクリレート、n−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、n−ペンチルアクリレート、イソアミルアクリレート、n−ヘキシルアクリレート、2−メチルペンチルアクリレート、n−オクチルアクリレート、2−エチルヘキシルアクリレート、n−デシルアクリレート、n−ドデシルアクリレート、n−オクタデシルアクリレート、シアノメチルアクリレート、1−シアノエチルアクリレート、2−シアノエチルアクリレート、1−シアノプロピルアクリレート、2−シアノプロピルアクリレート、3−シアノプロピルアクリレート、4−シアノブチルアクリレート、6−シアノヘキシルアクリレート、2−エチル−6−シアノヘキシルアクリレート、8−シアノオクチルアクリレート等が挙げられる。これらは、1種単独であるいは2種以上を組み合わせて用いることができる。
上記アクリル酸アルコキシアルキルエステルとしては、2−メトキシエチルアクリレート、2−エトキシエチルアクリレート、2−(n−プロポキシ)エチルアクリレート、2−(n−ブトキシ)エチルアクリレート、3−メトキシプロピルアクリレート、3−エトキシプロピルアクリレート、2−(n−プロポキシ)プロピルアクリレート、2−(n−ブトキシ)プロピルアクリレート等が挙げられる。
上記有機ジイソシアネートとしては、4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、1,5−ナフチレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、フェニレンジイソシアネート、3,3’−ジクロロ−4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート等の芳香族ジイソシアネート類;ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、4,4’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、水添キシリレンジイソシアネート等の脂肪族又は脂環式ジイソシアネート類等が挙げられる。これらの有機ジイソシアネートは、1種単独であるいは2種以上を組み合わせて用いることができる。
これらのうち、ポリエステルジオールとしては、脂肪族ジオールと脂肪族ジカルボン酸又はこれらのエステル形成性誘導体の反応により得られた脂肪族ポリエステルジオール、脂肪族ジオールと芳香族ジカルボン酸又はそれらのエステル形成性誘導体の反応により得られた芳香族ポリエステルジオール等が挙げられる。また、ポリエーテルジオールとしては、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリテトラメチレングリコール又はそれらのブロック共重合体等が挙げられる。更に、ポリカーボネートジオールとしては、脂肪族ジオールとカーボネート化合物との反応により得られたポリカーボネートジオール、ビスフェノールA等の芳香族ジオールとカーボネート化合物との反応により得られたポリカーボネートジオール等が挙げられる。これらの高分子ジオールは、1種単独であるいは2種以上を組み合わせて用いることができる。
上記以外に、エチレン・酢酸ビニル共重合体、スチレン系重合体、ポリカーボネート、ポリアセタール、エポキシ系重合体等の重合体を用いることもできる。
有機過酸化物としては、t−ブチルハイドロパーオキサイド、1,1,3,3−テトラメチルブチルハイドロパーオキサイド、p−メンタンハイドロパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、2,5−ジメチルヘキサン−2,5−ジハイドロパーオキサイド、1,1−ジ−t−ブチルパーオキシ−3,3,5−トリメチルシクロヘキサン、ジ−t−ブチルパーオキサイド、t−ブチルクミルパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、1,1−ビス(t−ブチルパーオキシ)シクロドデカン、2,2−ビス(t−ブチルパーオキシ)オクタン、1,1−ジ−t−ブチルパーオキシシクロヘキサン、2,5−ジメチル−2,5−ジ−(t−ブチルパーオキシ)ヘキサン、2,5−ジメチル−2,5−ジ−(t−ブチルパーオキシ)ヘキシン、1,3−ビス(t−ブチルパーオキシ−イソプロピル)ベンゼン、2,5−ジメチル−2,5−ジ−(ベンゾイルパーオキシ)ヘキサン、1,1−ビス(t−ブチルパーオキシ)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサン、n−ブチル−4,4−ビス(t−ブチルパーオキシ)バレレート、ベイゾイルパーオキサイド、m−トルイルパーオキサイド、p−クロロベンゾイルパーオキサイド、2,4−ジクロロベンゾイルパーオキサイド、t−ブチルパーオキシイソブチレート、t−ブチルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート、t−ブチルパーオキシベンゾエート、t−ブチルパーオキシ−イソプロピルカーボナート、t−ブチルパーオキシアリルカーボナート等が挙げられる。これらは、1種単独であるいは2種以上を組み合わせて用いることができる。
エチレン・α−オレフィン共重合体としては、エチレン・プロピレン共重合体、エチレン・1−ブテン共重合体、エチレン・1−ペンテン共重合体、エチレン・3−メチル−1−ブテン共重合体、エチレン・1−ヘキセン共重合体、エチレン・3−メチル−1−ペンテン共重合体、エチレン・4−メチル−1−ペンテン共重合体、エチレン・3−エチル−1−ペンテン共重合体、エチレン・1−オクテン共重合体、エチレン・1−デセン共重合体、エチレン・1−ウンデセン共重合体等が挙げられる。これらのうち、エチレン・プロピレン共重合体及びエチレン・1−ブテン共重合体が好ましい。尚、上記例示したエチレン・α−オレフィン共重合体は、1種単独であるいは2種以上を組み合わせて用いることができる。
エチレン・α−オレフィン・非共役ジエン共重合体としては、エチレン・プロピレン・ジシクロペンタジエン共重合体、エチレン・プロピレン・5−エチリデン−2−ノルボルネン共重合体、エチレン・1−ブテン・ジシクロペンタジエン共重合体、エチレン・1−ブテン・5−エチリデン−2−ノルボルネン共重合体等が挙げられる。これらは、1種単独であるいは2種以上を組み合わせて用いることができる。
上記一般式(1)で表される化合物を共重合させることにより得られた極性基変性エチレン・α−オレフィン共重合体又は極性基変性エチレン・α−オレフィン・非共役ジエン共重合体は、ランダム共重合体であることが好ましい。また、これらのランダム共重合体等の、GPCによるポリスチレン換算の重量平均分子量Mwは、好ましくは1,000〜3,000,000、より好ましくは3,000〜1,000,000、更に好ましくは5,000〜700,000である。前記ジエン系ブロック共重合体の水素添加物も同程度とすることができる。
これら他の重合体を用いる場合の該他の重合体の含有量は、上記極性基変性オレフィン系重合体100質量部に対し、好ましくは1〜100質量部、より好ましくは1〜90質量部、更に好ましくは1〜80質量部である。
特に、上記一般式(1)で表される環式化合物を用いて得られた共重合体に化学的架橋構造又はそれと類似した拘束点を有する構造を形成させる場合には、金属イオン、金属化合物等を用いることができる。この金属イオンは、以下に例示する元素のイオン及びこの元素を含む金属化合物のイオンも意味する。この元素としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、アルミニウム、マグネシウム、カルシウム、バリウム、セシウム、ストロンチウム、ルビジウム、チタン、亜鉛、銅、鉄、錫、鉛、ジルコニウム等周期表第I〜VIII族の元素等が挙げられる。これらの元素を含むイオンは、上記で得られたランダム共重合体中の官能基に対するイオン結合あるいは静電的な結合により共重合体どうしの間に架橋構造を形成することもできる。尚、上記金属化合物のイオンとするための物質としては、各金属の酸化物、水酸化物、塩、錯体(金属カルボキシレート、金属アセチルアセトナート等)、金属元素を含む有機化合物(炭素数が1〜8から選ばれ、且つ、金属元素を含むアルコキシド等)等が挙げられる。
また、活性剤として用いられる金属塩における金属元素としては、上記イオンとするための物質を構成する金属元素から選択すればよいが、上記イオンとするための物質を構成する金属元素と同種の元素を含む金属塩を用いることが好ましい。
上記極性基変性オレフィン系重合体が架橋されている場合には、エラストマー組成物の少なくとも一部がその架橋構造による三次元骨格を形成することとなり、柔軟性、追従性、強度、電気絶縁性、低イオン性及び耐熱性等に優れた成形体を形成することができ、粘着剤を用いることなく、良好に被固定物(半導体チップ及び電子部品等)を固定できる。
このような液状材料としては、軟化剤、可塑剤、滑剤、液状重合体等を好適に用いることができる。
可塑剤としては、フタル酸誘導体、イソフタル酸誘導体、テトラヒドロフタル酸誘導体、アジピン酸誘導体、セバシン酸誘導体、フマル酸誘導体、クエン酸誘導体、アゼライン酸誘導体、リン酸誘導体、マレイン酸誘導体等の各種脂肪酸の誘導体等が挙げられる。
滑剤としては、パラフィン系滑剤、炭化水素系滑剤、金属セッケン等が挙げられる。
また、液状重合体としては、室温において液状である各種重合体が挙げられ、例としては、液状ポリブタジエン、液状スチレン・ブタジエンゴム等の液状ゴム、ポリイソブチレン、シリコーンオイル等が挙げられる。
上記例示した液状材料は、1種単独であるいは2種以上を組み合わせて用いることができる。
この添加剤としては、酸化防止剤、老化防止剤、紫外線吸収剤、難燃剤、熱安定剤、抗菌剤、防かび剤、耐候剤、粘着付与剤、造核剤、充填剤、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、着色剤(染料、顔料)等が挙げられる。
この表面構造及び断面構造は、例えば、平坦なものとすることができる(図1参照)。また、本部品実装用フィルムの少なくとも1面に、凸部、凹部及び溝部等の部位を、それぞれ、1種単独で又は2種以上を組み合わせて備えることができる。これらの各部位の形状は特に限定されず、凸部及び凹部の場合は、円形、角形(三角形、四角形等の多角形)、星形、ランダム形状等とすることができる。これらの形状とした場合の開口部の長さ(最大長さ等)や、凸部の場合では高さ等、凹部の場合では深さ等も特に限定されない。また、溝部の場合は、直線状、曲線状等から任意に選択又は組み合わせた形状とすることができる。溝部の断面形状も角形、U字形等目的、用途に応じた形状とすることができる。更に、溝部の幅、深さ等も特に限定されない。
尚、上記部位を複数備える場合にも、各部位の形状、サイズ等は同一であってもよいし、異なるものの組み合わせであってもよい。更には隣り合う部位どうしの間隔等も特に限定されない。
また、本発明の部品実装用フィルムは、耐熱性にも優れており、好ましくは−80〜100℃、より好ましくは−50〜70℃において、柔軟性及び形状保持性を併せ持つ。
従って、本発明の部品実装用フィルムは、常温のみならず、0℃以下の低温時における使用にも好適である。
また、本部品実装用フィルムの有する粘着性は粘着剤を含まずに発揮されるものである。また、一般的な、無機材料(金属、合金、セラミックス等)、有機材料等からなる物体と粘着させた後に、剥離を要する場合には剥離可能となるように調節できるものである。このため、本部品実装用フィルムは、剥離を要する場合には被固定物から剥離でき、また、被固定物に対して糊残りを生じないものである。
この保護フィルムの部品実装用フィルムとの接触面は、コロナ処理、プラズマ処理、プライマー処理等の化学処理がされていてもよい。更に、剥離を容易にするために、シリコーン系、フッ素系の剥離コート層を設けてもよい。また、凹凸を有してもよい。
上記保護フィルムは、単一層でも多層でもよい。また、この保護フィルムの厚さは、通常、10〜3000μm、好ましくは10〜2000μm、より好ましくは10〜500μmである。
特に本発明において、本部品実装用フィルムに対して良好な剥離性を有する保護フィルムを備える場合は、部品実装用フィルム同士の添着を防止でき、部品実装用フィルムはロール形状(ロール状に巻いて用いる)とすることができる。
即ち、本発明の部品実装用フィルムには、(1)半導体チップとこの半導体チップが実装されたプリント基板との間に配設された部品実装用フィルム、(2)電子部品とこの電子部品が実装されたプリント基板との間に配設された部品実装用フィルム、及び、(3)半導体チップ及び電子部品とこの半導体チップ及び電子部品が実装されたプリント基板との間に配設された部品実装用フィルム等が含まれる。
従って、本発明の部品実装用フィルムとしては、例えば、(1)半導体チップと該半導体チップが実装されたインターポーザとの間に配設された部品実装用フィルム、及び、(2)半導体パッケージと該半導体パッケージが実装された実装基板との間に配設された部品実装用フィルム等が挙げられる。
即ち、本発明の実装基板には、(1)半導体チップとこの半導体チップの実装面に設けられた本発明の部品実装用フィルムとこの部品実装用フィルムの半導体チップに対向する面に設けられたプリント基板とを備える実装基板、(2)電子部品とこの電子部品の実装面に設けられた本発明の部品実装用フィルムとこの部品実装用フィルムの電子部品に対向する面に設けられたプリント基板とを備える実装基板、及び、(3)半導体チップ及び電子部品とこの半導体チップ及びこの電子部品の実装面に設けられた本発明の部品実装用フィルムとこの部品実装用フィルムの半導体チップ及び電子部品に対向する面に設けられたプリント基板とを備える実装基板等が含まれる。
この実装基板における半導体チップ、電子部品及びプリント基板としては、前記本発明の部品実装用フィルムにおける各々をそのまま適用できる。
従って、本発明の実装基板としては、例えば、(1)半導体チップと、該半導体チップの実装面に設けられた本発明の部品実装用フィルムと、該部品実装用フィルムの該半導体チップに対向する面に設けられたインターポーザと、を備える実装基板、及び、(2)半導体パッケージと、該半導体パッケージの実装面に設けられた本発明の部品実装用フィルムと、該部品実装用フィルムの該半導体パッケージに対向する面に設けられプリント配線板と、を備える実装基板等が挙げられる。
また、本実装基板としては、前記図2に示す実装基板が例示される。
1.エラストマー組成物の調製
以下に示す重合体及び液状材料を用いて表1に記載の割合で混合し、エラストマー組成物(i)〜(ix)を調製した。
1−1.重合体
(1)ジエン系ブロック共重合体の水素添加物(A1)
窒素置換された内容積50リットルの反応容器に、シクロヘキサン25kg、テトラヒドロフラン1g、1,3−ブタジエン1500g及びn−ブチルリチウム3.9gを投入し、70℃で重合を開始した。反応完結後、反応溶液の温度を40℃とし、テトラヒドロフラン100gを、次いで、1,3−ブタジエン3500gを添加して更に断熱重合した。30分後、メチルジクロロシラン2.7gを添加し、15分間反応を行い、反応を完結させた。
次に、水素ガスを0.4MPa−Gの圧力で供給し、反応溶液を撹拌しながら、リビングアニオンとして生きているポリマー末端リチウムと20分間反応させ、水素添加リチウムとした。その後、反応溶液を80℃とし、水添触媒であるチタノセンジクロリドを加え、水素ガスの圧力を1.0MPaで維持しながら2時間反応させた。反応後、反応溶液を常温、常圧に戻して反応容器より抜き出した。次いで、反応溶液を水中に撹拌投入して溶媒を水蒸気蒸留により除去することによって、目的とするジエン系ブロック共重合体の水素添加物A1を得た。得られたジエン系ブロック共重合体の水素添加物A1の水素添加率は99%、GPCによる重量平均分子量は34万、水素添加前ポリマーの1段目のブタジエン重合体ブロックのビニル結合含量は14%、水素添加前ポリマーの2段目のブタジエン重合体ブロックのビニル結合含量は49%であった。
窒素置換された内容積50リットルの反応容器に、シクロヘキサン25kg、テトラヒドロフラン1g、1,3−ブタジエン1500g及びn−ブチルリチウム4.1gを投入し、70℃で重合を開始した。反応完結後、反応溶液の温度を35℃とし、テトラヒドロフラン27gを、次いで、1,3−ブタジエン3500gを添加して更に断熱重合した。30分後、メチルジクロロシラン2.9gを添加し、15分間反応を行い、反応を完結させた。
次に、水素ガスを0.4MPa−Gの圧力で供給し、反応溶液を撹拌しながら、リビングアニオンとして生きているポリマー末端リチウムと20分間反応させ、水素添加リチウムとした。その後、反応溶液を80℃とし、水添触媒であるチタノセンジクロリドを加え、水素ガスの圧力を1.0MPaで維持しながら2時間反応させた。反応後、反応溶液を常温、常圧に戻して反応容器より抜き出した。次いで、反応溶液を水中に撹拌投入して溶媒を水蒸気蒸留により除去することによって、目的とするジエン系ブロック共重合体の水素添加物A2を得た。得られたジエン系ブロック共重合体の水素添加物A2の水素添加率は98%、GPCによる重量平均分子量は29万、水素添加前ポリマーの1段目のブタジエン重合体ブロックのビニル結合含量は14%、水素添加前ポリマーの2段目のブタジエン重合体ブロックのビニル結合含量は35%であった。
窒素置換された内容積50リットルの反応容器に、シクロヘキサン25kg、テトラヒドロフラン1g、1,3−ブタジエン1500g及びn−ブチルリチウム4.1gを加え、70℃で重合を開始した。反応完結後、反応溶液の温度を35℃とし、テトラヒドロフラン350gを、次いで、1,3−ブタジエン3500gを添加して更に断熱重合した。30分後、メチルジクロロシラン2.9gを添加し、15分間反応を行い、反応を完結させた。
次に、水素ガスを0.4MPa−Gの圧力で供給し、反応溶液を撹拌しながら、リビングアニオンとして生きているポリマー末端リチウムと20分間反応させ、水素添加リチウムとした。その後、反応溶液を80℃とし、水添触媒であるチタノセンジクロリドを加え、水素ガスの圧力を1.0MPaで維持しながら2時間反応させた。反応後、反応溶液を常温、常圧に戻して反応容器より抜き出した。次いで、反応溶液を水中に撹拌投入して溶媒を水蒸気蒸留により除去することによって、目的とするジエン系ブロック共重合体の水素添加物A3を得た。得られたジエン系ブロック共重合体の水素添加物A3の水素添加率は99%、GPCによる重量平均分子量は30万、水素添加前ポリマーの1段目のブタジエン重合体ブロックのビニル結合含量は14%、水素添加前ポリマーの2段目のブタジエン重合体ブロックのビニル結合含量は78%であった。
エチレンに由来する構造単位を75.1モル%、プロピレンに由来する構造単位を22.8モル%、5−エチリデン−2−ノルボルネンに由来する構造単位を1.8モル%、及び8−メチル−8−カルボキシテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセンに由来する構造単位を0.3モル%含み、重量平均分子量(Mw)が16.0×104である官能基含有オレフィン系共重合体100部をトルエン1000部に溶解した後、官能基含有オレフィン系共重合体中の官能基1モル%に対して、0.25モル%のジルコニウム(IV)ブトキシド(85%の1−ブタノール溶液(和光純薬工業社製)を使用)を用いて架橋し、トルエンを乾燥除去して、極性基変性オレフィン系重合体A4を得た。
(5)熱可塑性ポリウレタンエラストマー(A5)
比較用として、熱可塑性ポリウレタンエラストマー(クラレ社製、商品名「クラミロンU1190」)を用いた。
「B1」;40℃における動粘度が30.85mm2/sである鉱物油系軟化剤(出光興産社製、商品名「PW−32」)である。
「B2」;40℃における動粘度が95.54mm2/sである鉱物油系軟化剤(出光興産社製、商品名「PW−90」)である。
「B3」;40℃における動粘度が381.6mm2/sである鉱物油系軟化剤(出光興産社製、商品名「PW−380」)である。
1−3.架橋剤
「C1」;有機過酸化物(日本油脂社製、商品名「パーヘキサ3M」)。
実施例1〜8及び比較例1
上記エラストマー組成物(i)〜(ix)を用い、コーター成形により厚さ500μmのフィルムを作製し、これを部品実装用フィルムとした。この部品実装用フィルムを以下の方法で評価した。その結果を表2に示す。
FR−4タイプの両面銅張積層板(積層板の厚み1.0mm、銅箔の厚み35μm)の銅箔を全面にわたってエッチングにより除去した。その後、上記両面銅張積層板にラミネーター(大成ラミネーター社製、形式「VA−700」)を用い、ロール圧1kgf/cm2及びロール温度80℃で、幅25mm、長さ300mmの大きさに切断した部品実装用フィルムを貼り合わせて、粘着試験用テストピースを作製した。引張試験機(島津製作所社製、形式「オートグラフ AG2000」)を用いて、剥離速度300mm/分、幅25mmの条件で上記粘着試験用テストピースの180℃剥離試験を行い、剥離強度を測定した。表2において、「○」は、剥離強度が0.1N/25mm以上であり、粘着性に優れ、電子部品を良好に固定できることを、「×」は、剥離強度が0.1N/25mm未満であり、粘着性に劣り、電子部品を良好に固定できないことを示す。
動的粘弾性測定装置(レオロジー社製、型式「MR−500」)により、温度30℃及び周波数1Hzの条件でフィルム(厚さ500μm)の剪断貯蔵弾性率(G’)を測定した。このG’値の低いものほど柔軟であり、被固定物の表面を傷つけることがない。表2において、「○」は、G’値が2,000,000dyn/cm2以下であり柔軟性に優れることを、「×」は、G’値が3,000,000dyn/cm2よりも大きく、柔軟性に劣ることを示す。
JIS K−7127に準拠して、引張速度500mm/分でフィルムの引張強度及び引張伸びを測定した。
部品実装用フィルムをNi/Auめっき銅回路(電極高さ:20ミクロン)付き回路基板の所定位置に貼り付けた。その後、ワイヤーボールAuバンプ(高さ30ミクロン)付きチップのバンプと上記回路基板との位置合わせを行い、上記部品実装用フィルムを介して上記回路基板と上記チップとを貼り合わせた。次いで、チップの上方から150℃、100gf/バンプの条件で加熱と加圧とを行い、回路基板とチップとを電気的に接続した。その後、得られたチップ、部品実装用フィルム及び回路基板の一体物を切断して、チップと回路基板との間の気泡の有無を観察した。表2において、「○」は、上記気泡が観察されず追従性に優れることを、「×」は、上記気泡が観察され追従性に劣ることを示す。
半田めっきが施された導体間隔50μmのくし形パターンを有する、絶縁信頼性試験用プリント配線板を使用し、このプリント配線板に部品実装用フィルムを貼り付けた。その後、上記プリント配線板を、ピーク温度が240℃に設定したリフロー炉内に通した。次いで、上記プリント配線板の絶縁抵抗を測定した。表2において、「○」は、絶縁抵抗が1×1012Ω以上であり絶縁性に優れることを、「×」は、絶縁抵抗が1×1012Ω未満であり絶縁性に劣ることを示す。
ナトリウムイオン濃度を誘導結合プラズマ発光分光分析(ICP−AES)により、塩素イオン濃度をイオンクロマトグラフにより測定した。この結果、これらのイオン濃度が共に1000ppm以下であるものには表2に「○」、少なくとも一方のイオン濃度が1000ppmを超えるものには表2に「×」と示した。
上記動的粘弾性測定装置を用い、温度70℃及び周波数1Hz並びに温度−50℃及び周波数1Hzの条件でフィルム(厚さ500μm)の剪断貯蔵弾性率をそれぞれ測定し、G70’及びG−50’を得た。そして、測定温度−50℃及び70℃におけるG’の変化量δG’〔log(−50℃におけるG−50’/70℃におけるG70’)〕を計算した。このδG’が小さいほど耐熱性に優れる。表2において、「○」は、δG’が3.5以下であったことを、「×」は、δG’が3.5より大きかったことを示す。
表2より、本発明品ではない比較例1のフィルムは、粘着性、柔軟性、追従性、電気絶縁性及び耐熱性に劣る。また、イオン濃度が高いため、実装面を汚染することがある。
これに対して、本発明品である実施例1〜8の部品実装用フィルムは、粘着性、柔軟性、強度、追従性、電気絶縁性及び耐熱性のバランスに優れる、また、イオン濃度も低いため実装面の汚染が少ない。
Claims (10)
- ジエン系ブロック共重合体の水素添加物及び極性基変性オレフィン系重合体から選ばれる少なくとも1種の重合体を含むエラストマー組成物からなることを特徴とする部品実装用フィルム。
- 上記ジエン系ブロック共重合体の水素添加物は、共役ジエンのブロック共重合体の水素添加物並びに共役ジエン及び芳香族ビニル化合物からなるブロック共重合体の水素添加物から選ばれる少なくとも1種である請求項1に記載の部品実装用フィルム。
- 上記ジエン系ブロック共重合体の水素添加物は、ビニル結合含量が25%未満であるブタジエン重合体ブロック(I)と、共役ジエン単位(a1)及び他の単量体単位(a2)の質量割合が(a1)/(a2)=(100〜50)/(0〜50)であり、ビニル結合含量が25〜95%である重合体ブロック(II)とを、それぞれ分子中に少なくとも1つ有するジエン系ブロック共重合体が水素添加されたものである請求項1又は2に記載の部品実装用フィルム。
- 上記極性基変性オレフィン系重合体は、極性基変性エチレン・α−オレフィン共重合体及び極性基変性エチレン・α−オレフィン・非共役ジエン共重合体から選ばれる少なくとも1種であり、且つ、上記エラストマー組成物は、金属イオン及び/又は金属化合物を含む請求項1に記載の部品実装用フィルム。
- 上記極性基は、カルボキシル基、ヒドロキシル基、エポキシ基、アミノ基、アルコキシシリル基、スルホン酸基及びニトリル基から選ばれる請求項4に記載の部品実装用フィルム。
- 上記エラストマー組成物は、液状材料を含み、該液状材料の含有量は、重合体成分の合計100質量部に対して、1〜5000質量部である請求項1乃至5のいずれかに記載の部品実装用フィルム。
- 上記エラストマー組成物の少なくとも一部が架橋されている請求項1乃至6のいずれかに記載の部品実装用フィルム。
- 厚さが0.1〜3000μmである請求項1乃至7のいずれかに記載の部品実装用フィルム。
- 半導体チップ及び/又は電子部品と、該半導体チップ及び/又は該電子部品が実装されたプリント基板との間に配設された請求項1乃至8のうちのいずれかに記載の部品実装用フィルム。
- 半導体チップ及び/又は電子部品と、該半導体チップ及び/又は該電子部品の実装面に設けられた請求項1乃至8のうちのいずれかに記載の部品実装用フィルムと、該部品実装用フィルムの該半導体チップ及び/又は該電子部品に対向する面に設けられたプリント基板と、を備えることを特徴とする実装基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004063193A JP2005248088A (ja) | 2004-03-05 | 2004-03-05 | 部品実装用フィルム及びこれを用いた実装基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004063193A JP2005248088A (ja) | 2004-03-05 | 2004-03-05 | 部品実装用フィルム及びこれを用いた実装基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005248088A true JP2005248088A (ja) | 2005-09-15 |
Family
ID=35028875
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004063193A Pending JP2005248088A (ja) | 2004-03-05 | 2004-03-05 | 部品実装用フィルム及びこれを用いた実装基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005248088A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005308549A (ja) * | 2004-04-21 | 2005-11-04 | Jsr Corp | プローブ位置調整用フィルム |
WO2018070801A3 (ko) * | 2016-10-12 | 2018-08-09 | 한국기계연구원 | 다층형 캐리어 필름 및 이를 이용한 소자 전사 방법과 이 방법을 이용하여 전자제품을 제조하는 전자제품 제조방법 |
JP2019102488A (ja) * | 2017-11-28 | 2019-06-24 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 回路基板及び回路基板の製造方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04139287A (ja) * | 1990-09-28 | 1992-05-13 | Soken Kagaku Kk | キャリヤテープ用トップカバーテープ |
JP2000198968A (ja) * | 1999-01-06 | 2000-07-18 | Sekisui Chem Co Ltd | 表面保護フィルム |
JP2001247629A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-09-11 | Jsr Corp | 官能基を有するオレフィン系共重合体およびその製造方法並びにゴム組成物 |
JP2002235061A (ja) * | 2001-02-08 | 2002-08-23 | Nitto Denko Corp | 熱反応性接着剤組成物および熱反応性接着フィルム |
JP2005225925A (ja) * | 2004-02-10 | 2005-08-25 | Jsr Corp | キャリアフィルム及びキャリア部材 |
-
2004
- 2004-03-05 JP JP2004063193A patent/JP2005248088A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04139287A (ja) * | 1990-09-28 | 1992-05-13 | Soken Kagaku Kk | キャリヤテープ用トップカバーテープ |
JP2000198968A (ja) * | 1999-01-06 | 2000-07-18 | Sekisui Chem Co Ltd | 表面保護フィルム |
JP2001247629A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-09-11 | Jsr Corp | 官能基を有するオレフィン系共重合体およびその製造方法並びにゴム組成物 |
JP2002235061A (ja) * | 2001-02-08 | 2002-08-23 | Nitto Denko Corp | 熱反応性接着剤組成物および熱反応性接着フィルム |
JP2005225925A (ja) * | 2004-02-10 | 2005-08-25 | Jsr Corp | キャリアフィルム及びキャリア部材 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005308549A (ja) * | 2004-04-21 | 2005-11-04 | Jsr Corp | プローブ位置調整用フィルム |
WO2018070801A3 (ko) * | 2016-10-12 | 2018-08-09 | 한국기계연구원 | 다층형 캐리어 필름 및 이를 이용한 소자 전사 방법과 이 방법을 이용하여 전자제품을 제조하는 전자제품 제조방법 |
JP2019102488A (ja) * | 2017-11-28 | 2019-06-24 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 回路基板及び回路基板の製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2005191297A (ja) | ダイシングフィルム及び半導体ウェハの切断方法 | |
JP4475084B2 (ja) | 有機el素子用透明封止材 | |
JP6072995B1 (ja) | 水添ブロック共重合体、樹脂組成物、粘着剤、接着剤、成形体、液体包装容器、医療用具、医療用チューブ、ウェザーシール用コーナー部材及びウェザーシール | |
TWI700349B (zh) | 可再使用之濕氣固化性熱熔黏著組成物,使用其之方法,及包括其之物品 | |
ES2664971T3 (es) | Composición del polímero termoplástico y artículo moldeado | |
JP2005191296A (ja) | バックグラインドテープ及び半導体ウェハの研磨方法 | |
EP1670292A1 (en) | Transparent sealing material for organic el device | |
US9659832B2 (en) | Reactive hot-melt adhesive for use on electronics | |
TWI515115B (zh) | 覆蓋帶 | |
JPWO2006011461A1 (ja) | 衝撃吸収体、衝撃吸収積層構造体、液晶ディスプレイ用衝撃吸収積層構造体、プラズマディスプレイ用衝撃吸収積層構造体、有機エレクトロルミネセンスディスプレイ用衝撃吸収積層構造体及びディスプレイ装置 | |
JP4661056B2 (ja) | キャリアフィルム及びキャリア部材 | |
TW201741425A (zh) | 黏著劑及成形品 | |
JPWO2005113696A1 (ja) | 粘着フィルム及びそれを用いた半導体装置の製造方法 | |
WO2007122995A1 (ja) | 熱可塑性樹脂組成物およびそれからなる床タイル | |
JP4314444B2 (ja) | クリーニングフィルム、クリーニング部材、及びクリーニング方法 | |
JP6230761B2 (ja) | 第1保護膜形成用シート | |
JP2005023315A (ja) | 透明シート及びその製造方法 | |
WO2019098102A1 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR20060021885A (ko) | 투명 시트 및 그의 제조 방법 | |
JP2006165395A (ja) | プローブクリーニングフィルム及びプローブクリーニング部材 | |
TW201118145A (en) | Thermosetting die bonding film | |
JP2017171777A (ja) | 粘着性組成物、粘着剤、粘着シートおよび表示体 | |
JP2005248088A (ja) | 部品実装用フィルム及びこれを用いた実装基板 | |
TWI667287B (zh) | 硬化性組合物、導電材料及連接構造體 | |
KR101403865B1 (ko) | 이방성 도전 필름용 조성물, 이방성 도전 필름 및 반도체 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20050606 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060825 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100209 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100216 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100416 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101221 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110426 |