JPWO2005113696A1 - 粘着フィルム及びそれを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents

粘着フィルム及びそれを用いた半導体装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2005113696A1
JPWO2005113696A1 JP2006519523A JP2006519523A JPWO2005113696A1 JP WO2005113696 A1 JPWO2005113696 A1 JP WO2005113696A1 JP 2006519523 A JP2006519523 A JP 2006519523A JP 2006519523 A JP2006519523 A JP 2006519523A JP WO2005113696 A1 JPWO2005113696 A1 JP WO2005113696A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
pressure
sensitive adhesive
adhesive layer
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2006519523A
Other languages
English (en)
Inventor
高松 信博
信博 高松
相原 伸
伸 相原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsui Chemicals Inc
Original Assignee
Mitsui Chemicals Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsui Chemicals Inc filed Critical Mitsui Chemicals Inc
Publication of JPWO2005113696A1 publication Critical patent/JPWO2005113696A1/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J179/00Adhesives based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen, with or without oxygen, or carbon only, not provided for in groups C09J161/00 - C09J177/00
    • C09J179/04Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C09J179/08Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/32Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyolefins
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J123/00Adhesives based on homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/10Adhesives in the form of films or foils without carriers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27Manufacturing methods
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/20Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive itself
    • C09J2301/208Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive itself the adhesive layer being constituted by at least two or more adjacent or superposed adhesive layers, e.g. multilayer adhesive
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2423/00Presence of polyolefin
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2479/00Presence of polyamine or polyimide
    • C09J2479/08Presence of polyamine or polyimide polyimide
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27Manufacturing methods
    • H01L2224/274Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/2919Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83191Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838Bonding techniques
    • H01L2224/8385Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01004Beryllium [Be]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01011Sodium [Na]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01015Phosphorus [P]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01019Potassium [K]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/0102Calcium [Ca]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01024Chromium [Cr]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01027Cobalt [Co]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01029Copper [Cu]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01047Silver [Ag]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/0105Tin [Sn]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01051Antimony [Sb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01056Barium [Ba]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01058Cerium [Ce]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01068Erbium [Er]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01078Platinum [Pt]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/014Solder alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06Polymers
    • H01L2924/0665Epoxy resin
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06Polymers
    • H01L2924/078Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025Semiconducting materials
    • H01L2924/10251Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253Silicon [Si]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025Semiconducting materials
    • H01L2924/1026Compound semiconductors
    • H01L2924/1032III-V
    • H01L2924/10329Gallium arsenide [GaAs]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/30105Capacitance
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y10T428/2852Adhesive compositions
    • Y10T428/2878Adhesive compositions including addition polymer from unsaturated monomer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

【課題】ダイシング工程ではダイシングテープとして作用し、ダイシング性、ピックアップ性に優れた粘着テープを提供し、半導体素子と支持部材との接合工程では接続信頼性に優れる接着テープを提供する。【解決手段】 オレフィン系重合体を含有する粘着剤層(A)と粘着剤層(B)を直接積層した層を含む粘着フィルムであって、前記層(A)と前記層(B)との180°ピール強度が0.7N/10mm以下であることを特徴とする粘着フィルム。

Description

本発明は、ICやLSI等の半導体装置の製造に用いられる粘着フィルム及びその使用方法に関する。
シリコン、ガリウムヒ素などの半導体ウエハは大径の状態で製造され、このウエハはICチップに切断分離(ダイシング)された後に次の工程であるパッケージ用リードフレームにICチップを載置するダイアタッチ工程(ダイボンディング工程とも言う)が実施されている。この際、半導体ウエハは予め粘着シートに貼着された状態でダイシング、洗浄、乾燥、エキスパンド、ピックアップの各工程が加えられた後、次工程のダイボンディング工程に移送される。このような半導体ウエハのダイシング工程からピックアップ工程に至る工程で用いられる粘着シートとしては、ダイシング工程から乾燥工程まではウエハチップに対して十分な粘着力を有しており、ピックアップ時にはウエハチップに粘着剤が付着しない程度の接着力を有しているものが望まれている。ダイアタッチ工程において、ピックアップされたICチップは、リードフレームのICチップ搭載部(マウント部)に塗布されたエポキシ系接着剤、ポリイミド系接着剤、銀ペーストなどの粘液状で供給されるICチップ接着用接着剤を介して固定され、その後ワイヤーボンディング工程、樹脂モールド工程を経て半導体装置が製造されている。しかしながら、このような液状接着剤の塗布では、ICチップが非常に小さな場合には、適量の接着剤を均一に塗布することが困難であり、ICチップから接着剤がはみだしたり、あるいはICチップが大きい場合には、接着剤が不足するなど、十分な接着力を有するように接着を行うことができないなどの問題点があった。一方、リードフレームへのICチップ接着用に耐熱性に優れたポリイミド樹脂を用いたフィルム状接着剤が提案されている。またこのようなICチップ接着用の接着剤を基材フィルムに剥離可能に積層したダイシングテープ・ダイアタッチ兼用のダイシングテープ(以下ダイアタッチフィルム付きダイシングテープという。)が提案されている。このような一体式テープではユーザーの使いやすさとしての利点も多い。また、近年、半導体素子、特にCPUやメモリは、大容量化が進み、その結果、半導体素子が大型化する傾向にある。さらに、ICカードあるいはメモリーカードなどの製品では、使用されるメモリの薄型化が進んでいる。これらの半導体素子の大型化や薄型化に伴い、より作業が煩雑にならない粘着テープが求められている。このような観点からもダイアタッチフィルム付きダイシングテープは有望である。このようなダイシングテープ・ダイアタッチ兼用のダイシングテープとしては、特開2003−197651、特開平8−53655、特開平9−100450、特開平8−239636、特開平10−335271等に開示がある。しかし、これらのダイアタッチフィルム付きダイシングテープは、ダイシング工程ではウエハチップに対して十分な粘着力を有しており、ピックアップ時には容易に剥離できる要件を十分に満足していない。
ウエハ裏面貼付け方式は、接着剤付き半導体素子を支持部材に接合するため、接着フィルムを個片化する装置を必要とせず、従来の銀ペースト用の組立装置を、そのまま、あるいは熱盤を付加するなどの装置の一部を改良することにより使用できるため、フィルム状接着剤を用いた組立方法の中で、組立コストが比較的安く抑えられる方法として注目されている。このウエハ裏面貼付け方式における半導体素子の個片化は、フィルム状接着剤側にダイシングテープを貼り合わせた後、ダイシング工程が行われる。その際、用いられるダイシングテープには、切断時には、ダイシングソウによる回転で各素子が飛散しないような十分な粘着力が必要である。一方、ピックアップ時には、各素子に接着剤が付着することなく、また素子を傷つけないようにするために、ピックアップできる程度の低い粘着力という相反する性能を満たす必要がある。そのため、現在粘着剤にアクリル系の光硬化性樹脂を用いたUV式ダイシングテープが主流であり、ダイシング後、ピックアップ時にはUV照射により、粘着剤を光硬化させ、粘着力を弱くすることでピックアップを可能にしている。しかし、UV式ダイシングテープにおいては輸送時や保存時での日光による照射などで不良品になるという問題点がある。また、UV式ダイシングテープ機能付きのダイアタッチフィルムでは、UV照射する際にフィルム同士が反応して、逆に接着力が高くなり、ピックアップしづらくなるような問題点が発生している。
これらはUV式のダイシングテープを用いており、反応性の高い材料を用いているので、100℃以上の高温でのウエハ貼り付けが必要な場合には、前記の問題点の他に耐熱性が必要となりダイシングテープが制限されるという問題点もある。
非反応性の材料を用いた感圧式粘着テープについて特許第3280876や特開平9−263734に開示がある。しかし、これらにおいての粘着剤もアクリル系粘着剤を用いており、ピックアップにおいて剥離性に問題があるため、特殊な剥離剤を用いることにより対処している。またウエハ貼り付けの際の貼り付け温度が100℃以上の高温での貼り付けが必要となるという問題点もある。
特開2003−197651号公報 特開平8−53655号公報 特開平9−100450号公報 特開平8−239636号公報 特開平10−335271号公報 特許第3280876号公報 特開平9−263734号公報
本発明は上記のような従来技術に鑑みてなされたものであって、ダイシングテープ・ダイアタッチ兼用のダイシングテープにおいてダイシング工程ではウエハチップに対して十分な粘着力を有しており、ピックアップ時には容易に剥離が可能な接着力を有し、半導体素子と支持部材との接合工程では接続信頼性に優れるダイアタッチテープとなる粘着テープを提供することを目的としている。
本発明者らは、鋭意検討を重ねた結果、ダイアタッチフィルムとして機能する粘着剤層(B)及びダイシングテープとして機能する粘着剤層(A)の接着強度を制御することにより上記課題を解決できることを見出し本発明を完成した。
すなわち、
第一の発明は、オレフィン系重合体を含有する粘着剤層(A)と粘着剤層(B)が隣接して積層した層を含む粘着フィルムであって、前記層(A)と前記層(B)との180°ピール強度が0.7N/10mm以下であることを特徴とする粘着フィルムである。
前記層(A)がオレフィン系重合体を含有し、前記層(B)がポリイミド樹脂を含有することは、260℃以上のハンダリフローに耐えうる耐熱性を有する上で好ましい態様である。
前記層(B)のガラス転移温度(Tg)が50℃以下であることは、100℃以下の低温でウエハラミネート接着できる点で好ましい態様である。
前記層(A)が炭素原子数2〜12のα−オレフィンから選ばれる少なくとも2種のα−オレフィンを主な単位成分とする共重合体を1種または2種以上含有することは、貼り付け時の加熱処理前後及び長期保存や輸送前後で前記層(B)に対する粘着力変化が少ない点と、前記層(B)の性能や品質に悪影響を与えない点で好ましい態様である。
前記層(B)が更に熱硬化性樹脂を含有することは高い接着性を有する点で好ましい態様である。
前記層(B)がフィラーを0〜70体積%含有することは、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂の補強効果の点で好ましい態様である。
前記層(A)の表面の一部に層(B)が積層していることは、貼り付け工程後の層(B)の切断工程を必要とせず、貼り付け装置を簡素化できる点で好ましい態様である。
第二の発明は、前記の粘着フィルムを前記層(B)を介して半導体ウエハにラミネートしたのち、半導体ウエハをチップに切断する工程、前記層(A)を前記層(B)から剥離する工程、前記層(B)付きのチップを前記層(B)を介して回路付き基板または回路付きフィルムに接着する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法である。
前記層(B)を半導体ウエハにラミネートする温度が100℃以下であることは、ハンドリングの点で好ましい態様である。
第三の発明は、前記の方法により製造された半導体装置である。
本発明の粘着フィルムはダイシング工程から乾燥工程まではウエハチップに対して十分な粘着力を有しており、ピックアップ時には粘着剤が付着しない程度の接着力を有することができる。
更には、本発明の粘着フィルムは低温でウエハへの貼り付けができ、かつ、ダイシング時にはダイシングフィルムとして耐チッピング特性、クラック特性に優れたダイシングシートとしての機能を有し、ダイマウント時には接着剤として使用することができる。また、厚みの均一性、接着強度、剪断強度特性に優れ、厳しい湿熱条件に耐えるダイアタッチフィルムとなる。また、本発明の粘着フィルムから製造された半導体装置は、これまでの液状エポキシ系のダイアタッチ材と同等または、それ以上の耐衝撃性、耐熱性を有する。
[図1]ダイアタッチフィルム部と離型フィルムの積層体
[図2]ダイアタッチフィルム部を打ち抜いた積層体
[図3]ダイシングフィルム部と基材層の積層体
[図4]本発明の粘着フィルムの断面図
[図5]本発明の粘着フィルムの上面図
符号の説明
1…離型フィルム
2…粘着剤層(B)
3…打ち抜きによりカット後の粘着剤層(B)
4…粘着剤層(A)
5…基材層
以下、本発明の粘着フィルム及びその作成方法について具体的に説明する。
まず始めにダイアタッチフィルムとして機能する粘着剤層(B)について説明する。本発明に用いる粘着剤層(B)の樹脂組成物はイミド環を有する樹脂としてポリイミド樹脂を含有することが好ましく、下記一般式(1)、(2)、(3)、(4)で表されるジアミンから得られるポリイミドが低温接着性を有する点で特に好ましい。
Figure 2005113696
Figure 2005113696
(式(1)中、nは1〜50の整数であり、Yは炭素数2〜10のアルキレン基を表し、nが2以上のとき複数のYは同一でも異なっていてもよい。)
Figure 2005113696
(式(2)中、Rは独立に炭素数1〜10のアルキレン基またはフェニレン基を表し、Qは独立に炭素数1〜10のアルキル基またはフェニル基を表し、nは1〜50の整数を表す)
Figure 2005113696
(式(3)中、pは1〜6の整数を表し、X1〜Xpはそれぞれ独立に、下記構造から選ばれる2価の基を表す。)
Figure 2005113696
Figure 2005113696
Figure 2005113696
(式(4)中、Zは、互いに独立した2価の有機基であり、単結合、−CO−、−SO−、−O−、−(CH−、−NHCO−、−C(CH−、−C(CF−、−CO−O−よりなる群から選ばれた基を表す。nおよびmは、互いに独立した0以上5以下の整数である。RGは互いに独立した官能基であり、−OH、−COOH、−OCN、−CNよりなる群から選ばれた1種または2種以上の官能基を表す。)
本発明の接着剤層(B)に使用するポリイミドは、一般式(1)で表されるジアミンが全ジアミン成分中に10モル%以上100モル%未満、さらに好ましくは40モル%以上100モル%未満であり、かつ前記一般式(2)および/または(3)および/または(4)で表されるジアミンが全ジアミン成分中に0モル%以上90モル%以下、好ましくは0モル%以上40モル%未満含まれていることが好ましい。
もしくは一般式(2)で表されるジアミンが全ジアミン成分中に50モル%以上100モル%未満、好ましくは60モル%以上100モル%未満であり、かつ前記一般式(3)で表されるジアミンが全ジアミン成分中に0モル%以上50モル%以下、好ましくは0モル%以上40モル%未満含まれていることが好ましい。また、これらのジアミン成分とテトラカルボン酸二無水物とを反応させて得られる熱可塑性ポリイミドと、熱硬化性樹脂を含有することが好ましい。このようなジアミン成分組成を用いることにより、ガラス転移温度(Tg)を50℃以下に制御することができ、100℃以下の低温において接着が可能になる。
一般式(1)で表されるジアミン成分の内、両末端にp−アミノ安息香酸エステル基を持つジアミンが好ましく、ポリエーテルオリゴマーとしては、ポリテトラメチレンオキシド−ジ−p−アミノベンゾエート、ポリトリメチレンオキシド−ジ−p−アミノベンゾエート等が挙げられるが、これらに限定されない。
一般式(2)で表されるジアミノポリシロキサンとしては、1,3−ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルシロキサンやα、ω−ビス(3−アミノプロピル)ポリジメチルシロキサン、α,ω−ビス(2−アミノエチル)ポリジメチルシロキサン、α,ω−ビス(2−アミノプロピル)ポリジメチルシロキサン、α,ω−ビス(4−アミノブチル)ポリジメチルシロキサン、α,ω−ビス(4−アミノフェニル)ポリジメチルシロキサン、α,ω−ビス(3−アミノプロピル)ポリジフェニルシロキサン等が挙げられるがこれらに限定されない。中でも一般式(2)においてnが1〜9のものを用いれば密着性が向上し、10〜50のものを用いれば流動性が向上し、目的に応じて選択できるが両者を併用すると、より好ましい。
一般式(3)で表されるジアミンとしては、両末端にo−、m−、又はp−位の何れに結合した構造でも使用できるがm−位に結合したものが好ましい。
一般式(3)の具体的な例としては、3,3’−ジアミノベンゾフェノン、4,4’−ジアミノベンゾフェノン、3,3’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、ビス(3−(3−アミノフェノキシ)フェニル)エーテル、ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル)エーテル、1,3−ビス(3−(3−アミノフェノキシ)フェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェノキシ)ベンゼン、ビス(3−(3−(3−アミノフェノキシ)フェノキシ)フェニル)エーテル、ビス(4−(4−(4−アミノフェノキシ)フェノキシ)フェニル)エーテル、1,3−ビス(3−(3−(3−アミノフェノキシ)フェノキシ)フェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(4−(4−(4−アミノフェノキシ)フェノキシ)フェノキシ)ベンゼン、4,4’−ビス(3−アミノフェノキシ)ビフェニル、4,4’−ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル、2,2−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン等が挙げられるが、これらに限定されない。好ましくは、1,3−ビス(3−(3−アミノフェノキシ)フェノキシ)ベンゼン、4,4’−ビス(3−アミノフェノキシ)ビフェニルである。
一般式(4)で表されるジアミンとしては、3、3’−ジヒドロキシ−4,4’−ジアミノビフェニル、4、4’−ジヒドロキシ−3,3’−ジアミノビフェニル、3、3’−ジシアノ−4,4’−ジアミノビフェニル、4、4’−ジシアノ−3,3’−ジアミノビフェニル、3、3’−ジカルボキシ−4,4’−ジアミノビフェニル、4、4’−ジカルボキシ−3,3’−ジアミノビフェニル、3、3’−ジヒドロキシ−4,4’−ジアミノベンゾフェノン、4、4’−ジヒドロキシ−3,3’−ジアミノベンゾフェノン、3、3’−ジシアノ−4,4’−ジアミノベンゾフェノン、4、4’−ジシアノ−3,3’−ジアミノベンゾフェノン、3、3’−ジカルボキシ−4,4’−ジアミノベンゾフェノン、4、4’−ジカルボキシ−3,3’−ジアミノベンゾフェノン、3、3’−ジヒドロキシ−4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4、4’−ジヒドロキシ−3,3’−ジアミノジフェニルエーテル、3、3’−ジシアノ−4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4、4’−ジシアノ−3,3’−ジアミノジフェニルエーテル、3、3’−ジカルボキシ−4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4、4’−ジカルボキシ−3,3’−ジアミノジフェニルエーテル等が挙げられるが、これらに限定されない。好ましくは、3、3’−ジヒドロキシ−4,4’−ジアミノビフェニルである。
本発明で使用できるテトラカルボン酸二無水物に制限はなく、従来公知のテトラカルボン酸二無水物を用いることができる。
テトラカルボン酸二無水物は芳香環を1〜4個有し、芳香環を2つ以上有する場合はその間が単結合または1つの原子を介して結合する構造を有する芳香族テトラカルボン酸二無水物が好ましい。この具体例としては、例えば、ピロメリット酸二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、オキシ−4,4’−ジフタル酸二無水物、エチレングリコールビストリメリート二無水物、2,2−ビス(4−(3,4−ジカルボキシフェノキシ)フェニル)プロパン二無水物等が挙げられ、エチレングリコールビストリメリート二無水物が好ましい。
ポリイミドの製造方法としては、公知方法を含め、ポリイミドを製造可能な方法が全て適用できる。中でも、有機溶媒中で反応を行うことが好ましい。この反応において用いられる溶媒として、例えば、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン、1,2−ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、1,3−ジオキサン、1,4−ジオキサン、ジメチルスルホキシド、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、フェノール、クレゾール等が挙げられる。これらは単独あるいは2種以上混合して用いられる。
また、この反応における反応原料の溶媒中の濃度は、通常、2〜50重量%、好ましくは5〜40重量%であり、テトラカルボン酸二無水物とジアミン成分との反応モル比は、テトラカルボン酸二無水物/ジアミン成分で0.8〜1.2の範囲であることが好ましい。この範囲であれば、耐熱性が低下することがなく好ましい。
ポリイミドの前駆体であるポリアミド酸合成における反応温度は、通常、60℃以下、好ましくは10℃以上50℃以下である。反応圧力は特に限定されず、常圧で十分実施できる。また、反応時間は反応原料の種類、溶媒の種類および反応温度によって異なるが、通常0.5〜24時間で十分である。本発明に係るポリイミドは、このようにして得られたポリアミド酸を100〜400℃に加熱してイミド化するか、または無水酢酸等のイミド化剤を用いて化学イミド化することにより、ポリアミド酸に対応する繰り返し単位構造を有するポリイミドが得られる。
また、130℃〜250℃で反応を行うことにより、ポリアミド酸の生成と熱イミド化反応が同時に進行し、本発明に係るポリイミドを得ることができる。すなわち、ジアミン成分とテトラカルボン酸二無水物とを有機溶媒中に懸濁または溶解させ、130〜250℃の加熱下に反応を行い、ポリアミド酸の生成と脱水イミド化とを同時に行わせることにより、本発明に係るポリイミドを得ることができる。
本発明のポリイミドの分子量に特に制限はなく、用途や加工方法に応じ、任意の分子量とすることができる。本発明のポリイミドは、用いるジアミン成分、テトラカルボン酸二無水物の量比を調節することにより、例えば、ポリイミドを0.5g/dlの濃度でN−メチル−2−ピロリドンに溶解した後、35℃で測定した対数粘度の値を、0.1〜1.5dl/gの任意の値とすることができる。本発明において、ポリイミドという表現は、100%イミド化したポリイミド以外に、その前駆体であるポリアミド酸が一部共存した樹脂も含んでいる。
また、上記反応で得られたポリイミド溶液はそのまま用いても良いが、該ポリイミド溶液を貧溶媒中に投入してポリイミドを再沈析出させても良い。
本発明の層(B)に用いる接着成分は熱硬化型接着成分を含むことが好ましく、加熱により熱硬化反応が進行し、三次元網目状化し、被着体である金属リードフレーム及びテープまたは有機硬質基板と強固に接着することができる。
このような熱硬化型接着成分としては、一般的に、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂等の熱硬化性樹脂と、それぞれに対して適当な硬化促進剤とから形成されている。このような熱硬化型接着成分は、種々知られていおり、本発明では、特に制限されることなく、周知の種々の熱硬化型接着成分を用いることができる。この様な接着成分として、例えば、エポキシ樹脂(I−1)と熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤(I−2)との樹脂組成物を挙げることができる。
熱硬化性樹脂としては、加熱により3次元網目構造を形成するものであれば特に限定されるものではないが、硬化性に優れる観点から、分子内に少なくとも2個のエポキシ基を含むエポキシ樹脂と硬化剤とからなる樹脂が好ましい。
エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA、ビスフェノールS、ビスフェノールFのグリシジルエーテル、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ化合物等が挙げられる。
エポキシ樹脂の配合量は、ポリイミド100重量部に対して、1〜200重量部、好ましくは1〜100重量部である。この範囲であれば、耐熱性が維持され、フィルム形成能が悪くなることがない。
また、硬化剤としては、例えば、イミダゾール系硬化剤、フェノール系硬化剤、アミン系硬化剤、酸無水物系硬化剤等が挙げられるが、イミダゾール系硬化剤およびフェノール系硬化剤が好ましく、イミダゾール系硬化剤が特に好ましい。フェノール系硬化剤を用いる場合は、下記式(5)または(6)で表されるザイロック系硬化剤が好ましい。樹脂組成物の保存安定性という観点から、好ましくは、熱潜在性及び長い可使時間を有するものが良い。
Figure 2005113696
Figure 2005113696
Figure 2005113696
(式(5)および式(6)中、R1〜R11はそれぞれ独立に、水素、炭素数1〜10のアルキル基、フェニル基又は水酸基を示し、mは1〜10の整数を示す。また、Xは2価の有機基を表す。)
Xとしては、例えば下記の基が挙げられる。
Figure 2005113696
このようなザイロック系硬化剤としては、キシリレン変性フェノールノボラック、p−クレゾールノボラックなどが挙げられるが、下記一般式(7)に示す化合物が好適である。(
Figure 2005113696
Figure 2005113696
(式(7)中、mは1〜10の整数を表す)
硬化剤の配合量は、エポキシ樹脂100重量部に対して、0〜20重量部の範囲内であることが好ましい。この範囲内であれば、樹脂溶液状態でゲルが生じにくく、樹脂溶液の保存安定性に優れる。
粘着剤層(B)は、フィラーを含有していてもよく、フィラーとしては、公知のものであれば特に限定されるものではないが、0〜70体積%含有されていることが好ましい。
有機フィラーとしては、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂等の樹脂溶解溶剤に不溶になるまで高分子化あるいは架橋した微粒子タイプのフィラーが具体例として挙げられ、無機フィラーとしては、アルミナ、酸化アンチモン、フェライト等の金属酸化物の微粒子、あるいはタルク、シリカ、マイカ、カオリン、ゼオライト等のケイ酸塩類、硫酸バリウム、炭酸カルシウム等の微粒子が具体例として挙げられる。上記フィラーは単独または2種以上混合して使用することができる。
また、必要に応じて、カップリング剤を添加しても良い。カップリング剤は、本発明の目的を損なわないものであれば特に限定されるものではないが、樹脂溶解溶剤への溶解性が良好なものが好ましい。例えば、シラン系カップリング剤、チタン系カップリング剤等が具体例として挙げられる。
得られた樹脂組成物を粘着剤層(B)とするためには、先ず離型シート上に、上記成分からなる粘接着剤樹脂組成物をワニス状で、コンマコーター、ダイコーター、グラビアコーターなど、一般に周知の方法に従って、塗工し、乾燥させて粘着剤層(B)を形成する。このようにすることでダイアタッチフィルムとして機能する粘着剤層(B)が作成できる。
本発明の粘着剤層(B)の厚さは、1〜100μm程度の範囲にあることが好ましく、更に5〜30μm程度の範囲にあることが、より好ましい。
次に本発明のダイシングテープとして機能する粘着剤層(A)について説明する。粘着剤層(A)は、オレフィン系重合体を含む。本発明の粘着剤層(A)は前記粘着剤層(B)と隣接して積層しており、粘着剤層(B)を介して粘着フィルムとシリコンウエハをラミネート接着したとき、粘着剤層(B)と半導体ウエハとの180°ピール強度(PB)と粘着剤層(A)と粘着剤層(B)との180°ピール強度(PA)の比(PB/PA)が5以上が好ましく、より好ましくは10以上である。粘着剤層(A)と粘着剤層(B)とのピール強度は0.7N/10mm以下が好ましく、より好ましくは0.5N/10mm以下、最も好ましくは0.1N/10mm以下の範囲である。さらに粘着剤層(A)と粘着剤層(B)が実質的に化学的な反応が起こらない粘着テープが好ましい。
粘着剤層(A)と粘着剤層(B)とのピール強度は、それぞれの層の粘着性を調整することにより制御できる。粘着剤層(A)については後述するように、プロピレン、1−ブテン、および炭素数5〜12のα−オレフィンの含有率を調整することにより粘着性を制御できる。また、他のα−オレフィンとエチレンのコオリゴマーからなる混合樹脂を添加することによっても粘着剤層(A)の粘着性を制御できる。粘着剤層(B)については、ポリイミドの重合において、前述の一般式(1)で表される柔軟な分子骨格を有するモノマーと一般式(2)で表される剛直な分子骨格を有するモノマーの使用量比を調整することにより粘着性を制御できる。
ここで実質的に化学反応が起こらないとは粘着剤層(A)がUV照射時などに粘着剤層(B)のポリイミド等と化学的な反応をしないことを意味する。また、粘着剤層(A)、(B)の表面にプライマー層を設けても良く、これらも本願発明の範囲内である。
粘着剤層(A)の粘着剤の主成分としてはアクリル系、ポリオレフィン系が挙げられるが特にオレフィン系重合体が好ましい。ただし、粘着剤層(A)と粘着剤層(B)とのピックアップ時のピール強度は、0.7N/10mm以下であるものが好ましい。
本発明において粘着剤層(A)は、基材層5と積層していることが好ましく、この積層体(図3)は、ダイシングテープとしての機能を有する。接着層(A)と基材層5は100℃程度の耐熱性を有し、半導体ウエハとのラミネート時の加熱圧着にも充分に耐えられる耐熱性を持つことが好ましい。
粘着剤層(A)は、紫外線等のエネルギー線照射処理や加熱処理では、架橋反応や分解反応などの化学反応がおこらず、処理前後で粘着力等の特性が変化しない実質的に反応性成分を含まない粘着層剤が好ましく、粘着剤層(B)と剥離可能である。
また、本発明の粘着剤層(A)は、腐蝕性イオンとして、ナトリウムイオン、カリウムイオン、塩素イオン、弗素イオン、亜硝酸イオン、硝酸イオン、燐酸イオン、硫酸イオン等や、金属イオンとして、鉄イオン、ニッケルイオン、銅イオン、アルミニウムイオン、クロムイオン等を含まない粘着層であることが好ましい。さらに、本発明の基材層5は、粘着層(A)に比べてより反応性成分を含まないことが好ましく、腐蝕性イオンや金属イオンも粘着剤層(A)比べてより低いレベルであることが好ましい。
本発明の粘着剤層(A)と基材層5からなる積層体は、基材層や粘着剤層の原料及び粘着テープの製造工程から反応性成分である腐食性イオンと金属イオンを排除することにより、イオン分析値として1ppm未満にすることが好ましい。
本発明の基材層5と粘着剤層(A)は強固に一体化したものが好ましく、例えば、碁盤目状にナイフで切れこみを入れた後粘着剤層(A)と基材層5の界面を粘着テープで剥離状況を観察する(碁盤目剥離)テストで全面に剥離が発生しないレベルにすることが、該ダイシングテープとしての機能を果たす積層体に外部から加えられる拡張する力を剥離する力に変換する効率が高くなるので好ましい。
本発明の粘着剤層(A)の厚さは、1〜50μm程度の範囲にあることが好ましく、更に5〜30μm程度の範囲にあることが、より好ましい。
本発明の粘着剤層(A)は、前記基材層5の片面に積層され、その主成分として、オレフィン系重合体を含有するものがウエハ加工に対して安定であり好ましく、特に、極性基を含まないオレフィン系重合体を主成分として含有するものが好ましい。
さらに、本発明の粘着剤層(A)は、炭素原子数2〜12のα−オレフィンから選ばれる少なくとも2種のα−オレフィンを主な単位成分とするα−オレフィン共重合体を主成分とすることが好ましく、2種以上のα−オレフィン共重合体がブレンドされていても良い。また、前記α−オレフィン共重合体と、熱可塑性エラストマー、エチレンと他のα−オレフィンとのコオリゴマーからなり、α−オレフィン共重合体が連続相を形成し、熱可塑性エラストマーが分散相を形成しているものが好ましい。
本発明の粘着剤層(A)においては、α−オレフィン共重合体が連続相を形成し、熱可塑性エラストマーが分散相を形成していることにより、ウエハ面への凹凸追従性を確保する柔らかさとチップを剥離するために必要な粘着剤層のヤング率E′の両方を満足させることが可能になるので好ましい。
本発明の粘着剤層(A)を構成するオレフィン系重合体の原料である炭素原子数2〜12のα−オレフィンとしては、例えば、エチレン、プロピレン、1−ブテン、1−ペンテン、3−メチル−1−ブテン、1−ヘキセン、4−メチル−1−ペンテン、3−メチル−1−ペンテン、1−ヘプテン、1−オクテン、1−デセン、1−ドデセン等が挙げられる。これらのα−オレフィンから選ばれる少なくとも2種の単量体からなる共重合体を、粘着剤層(A)の主成分とする場合、粘着層(A)中に占めるこのα−オレフィン共重合体の総含有割合は、通常、30重量%以上が好ましく、更に50重量%以上とすることが好ましい。
これらのα−オレフィン共重合体の中でも、プロピレン、1−ブテンおよび炭素原子数5〜12のα−オレフィンの3成分を共重合してなる共重合体を含有する粘着剤層が好ましい。特に、プロピレン10〜85モル%、1−ブテン3〜60モル%および炭素原子数5〜12のα−オレフィン10〜85モル%のモノマー組成物を重合して得られた共重合体を含有する粘着剤層は、常温付近からウエハ加工温度域すなわち約20℃〜約80℃の温度範囲で粘着剤層(B)と接着保持するための粘着特性に優れる点で好ましく、さらに、プロピレン15〜70モル%、1−ブテン5〜50モル%およびα−オレフィン15〜70モル%のモノマー組成物を重合して得られた共重合体を含有する粘着層が好ましい。炭素原子数5〜12のα−オレフィンとしては、4−メチル−1−ペンテンが好ましい。また、このプロピレン、1−ブテンおよび炭素原子数5〜12のα−オレフィンの3成分を共重合してなる共重合体を粘着剤層(A)に含有する場合、粘着層中に占めるこの共重合体の含有割合は、通常、30重量%以上が好ましく、更に好ましくは40重量%以上である。
前記の熱可塑性エラストマーの具体例としては、ポリスチレン系エラストマー、ポリオレフィン系エラストマー、ポリアミド系エラストマー、ポリウレタン系エラストマー、ポリエステル系エラストマーなどが挙げられる。
この熱可塑性エラストマーの好ましい構造としては、構造要素であるブロック共重合体が、一般式A−B−AまたはA−Bで表されるものである。ここで、Aは芳香族ビニル重合体ブロックまたは結晶性を示すオレフィン重合体ブロックを示し、Bはジエン重合体ブロック、またはこれを水素添加してなるオレフィン重合体ブロックを示す。
ポリスチレン系エラストマーとしては、硬質部(結晶部)となるポリスチレンブロックと、軟質部となるジエン系モノマー重合体ブロックとのブロック共重合体またはその水素添加重合体が挙げられ、より具体的には、スチレン・イソプレン・スチレンブロック共重合体(SIS)、スチレン・ブタジエン・スチレンブロック共重合体(SBS)、スチレン・エチレン・ブチレン・スチレンブロック共重合体(SEBS)、スチレン・エチレン・プロピレン・スチレンブロック共重合体(SEPS)などを例示することができる。これらは、1種単独でも2種以上を組み合わせても用いられる。
例えばスチレン・イソプレン・スチレンブロック共重合体は、スチレン系重合体ブロックを平均分子量に換算して12000〜100000程度、イソプレン重合体ブロックを平均分子量に換算して10000〜300000程度含むものである。このSISにおけるスチレン重合体ブロック/イソプレン重合体ブロックの含有割合は、通常、重量比で(5〜50)/(50〜95)であり、好ましくは(10〜30)/(70〜90)である。
スチレン・エチレン・プロピレン・スチレンブロック共重合体は、スチレン・イソプレン・スチレンブロック共重合体を水素添加してなるものである。
このSISの具体例としては、JSR株式会社から商品名:JSR SIS(登録商標)として、またはシェル化学株式会社から商品名:クレイトンD(登録商標)として市販されているものなどが挙げられる。また、SEPSの具体例としては、株式会社クラレから商品名:セプトン(登録商標)として市販されているものなどが挙げられる。
前記ポリオレフィン系エラストマーとして、硬質部となるポリプロピレン等の結晶性の高いポリマーを形成するポリオレフィンブロックと、軟質部となる非晶性を示すモノマー共重合体ブロックとのブロック共重合体が挙げられ、具体的には、オレフィン(結晶性)・エチレン・ブチレン・オレフィン(結晶性)ブロック共重合体、ポリプロピレン・ポリエチレンオキシド・ポリプロピレンブロック共重合体、ポリプロピレン・ポリオレフィン(非晶性)・ポリプロピレンブロック共重合体等を例示することができる。具体例としては、JSR株式会社から商品名:DYNARONとして市販されているものが挙げられる。
前記ポリエステル系エラストマーとして具体的には、ポリブチレンテレフタレート・ポリエーテル・ポリブチレンテレフタレートブロック共重合体等を例示することができる。
本発明の粘着剤層(A)の成分として、前記熱可塑性エラストマーを用いる場合、粘着層に占める熱可塑性エラストマーの含有割合は、通常、0〜60重量%が好ましく、更に好ましくは、5〜40重量%である。
本発明の粘着剤層(A)の粘着力で示される粘着性能を向上させるため、前記炭素原子数2〜12のα−オレフィンの3成分を共重合してなるα−オレフィン共重合体に加えて、他のα−オレフィン共重合体を含有させた粘着層とすることができる。このとき、前記のプロピレン、1−ブテンおよび炭素原子数5〜12のα−オレフィンの3成分からなる共重合体と、他のα−オレフィン共重合体の粘着層中に占める合計の含有量は、少なくとも50重量%以上であることが好ましい。
前記他のα−オレフィン共重合体としては、エチレン、プロピレン、1−ブテンおよび1−ヘキセンから選ばれる少なくとも2種のα−オレフィンからなる共重合体が好ましい。このα−オレフィン共重合体としては、エチレン・プロピレン共重合体、エチレン・1−ブテン共重合体、エチレン・1−ヘキセン共重合体、プロピレン・1−ブテン共重合体、プロピレン・1−ヘキセン共重合体、1−ブテン・1−ヘキセン共重合体等を例示できる。この共重合体の具体例としては、三井化学株式会社から商品名:タフマーA(登録商標)、タフマーP(登録商標)等で市販されているものなどを挙げることができる。
また、前記のエチレンと他のα−オレフィンとのコオリゴマーは、エチレンと他のα−オレフィンとの低分子量共重合体であって、常温で液体状のものである。α−オレフィンとしては、例えば、プロピレン、1−ブテン、1−ペンテン、1−ヘキセン、1−オクテン、1−デセン、1−ドデセン、1−テトラデセン、1−ヘキサデセン、1−オクタデセン、4−メチル−1−ペンテン等の炭素数3〜20のα−オレフィンが挙げられる。これらの中でも、炭素数3〜14のα−オレフィンが好ましい。
このコオリゴマーは、通常、数平均分子量が100〜10000の範囲のものであり、好ましくは数平均分子量が200〜5000の範囲のものである。また、このコオリゴマー中のエチレン単位含有量は、通常、30〜70モル%が好ましく、更に好ましくは40〜60モル%である。
本発明の粘着剤層(A)の構成成分として前記コオリゴマーを用いる場合、このコオリゴマーの粘着剤層(A)に占める含有割合は、通常0〜20重量%が好ましく、更に好ましくは0〜10重量%である。
本発明の粘着剤層(A)の構成成分として、前記炭素原子数2〜12のα−オレフィンの3成分を共重合してなるα−オレフィン共重合体に加えて、前記の他のα−オレフィン共重合体を用いると、ガラス転移温度が低下し、180度引き剥がし粘着力とせん断剥離強度とヤング率E′を適正な範囲に調整できるとともに、低温粘着特性を改善できる点で有利である。
また、粘着剤層(A)の構成成分として、前記α−オレフィン系共重合体とエチレンと他のα−オレフィンとのコオリゴマーの組み合わせからなる混合樹脂を用いると、ガラス転移温度が低下し、180度引き剥がし粘着力とせん断剥離強度とヤング率E′を適正な範囲に調整することができるとともに、粘度を適正な範囲に調整できる点で有利である。
また、粘着剤層(A)の構成成分として、前記α−オレフィン系共重合体と熱可塑性エラストマーとからなる混合樹脂を用いると、ガラス転移温度とせん断剥離強度とヤング率E′とを適正な範囲に調整することができるとともに、室温(20℃程度)から高温(80℃程度)の温度範囲に渡って必要とする180度引き剥がし粘着力を改善できる点で有利である。
本発明の粘着剤層(A)には、前記α−オレフィン系共重合体、熱可塑性エラストマー、およびエチレンと他のα−オレフィンとのコオリゴマー以外に、さらに各種の副成分を、本発明の目的を損ねない範囲で含んでいてもよい。例えば、液状ブチルゴム等の可塑剤、ポリテルペン等のタッキファイヤーなどを含んでいてもよい。本発明において、これらの副成分の内接着性を示す官能基、不飽和結合を有するものは、貼り付けた後での粘着強度の経時変化(加温、加圧、湿度、紫外線等による)や被着体へ悪影響を起こさせないように、その種類を選択し、配合量も最小限にすることが好ましい。
また、本発明の粘着剤層(A)には、この種の粘着層の素材に一般的に配合される各種添加剤を含有していてもよい。例えば、無機系或いは有機ポリマー系の充填剤、顔料、紫外線吸収剤、酸化防止剤、耐熱安定剤、滑剤等を含有していてもよい。
粘着剤層(A)の厚みは、1〜50μm程度の範囲にあることが好ましい。粘着剤層(A)の厚さが厚いほうがより粘着力の均一性に優れるが、50μmを超えてしまうと、ダイシング加工時に欠けや亀裂が発生し易くなる恐れがあり好ましくない。また、粘着剤層(A)の厚さが1μm未満であると、粘着力の均一性が不安定になる恐れがあり好ましくない。
本発明の基材層5のヤング率E′は、100〜1000MPaの範囲にあることが好ましい。基材層5のヤング率E′が、100MPa未満であると、拡張しても剥離が進行しなくなり易剥離性が悪化し好ましくない。本発明の拡張剥離モデルの計算から、基材層5のヤング率E′が大きい程剥離性に優れるが、基材層5のヤング率E′が、1000MPaを越えてしまうと、通常の装置では拡張でき難くなるため、好ましくない。
本発明の基材層5の厚さは50〜500μm程度の範囲にあることが好ましい。基材層5の厚さが厚いほうがより剥離性に優れるが、500μmを超えてしまうと、テープとして取り扱い性が悪化し好ましくない。また、基材層5の厚さが50μm未満であると、切断時に破れる恐れがあり好ましくない。
基材層5は、単層あるいは2層以上の薄層品からなり、その構成成分として、合成樹脂、天然樹脂などの伸長性と強さを併せ持つ材料であるならば限定されずに自由に選択できる。基材層5のヤング率E′を100〜1000MPaの範囲に調整し易い点と、耐水性、耐熱性、耐メッキ液性、耐エッチング液性、廃棄処理性等から、基材層5は、非ハロゲン系合成樹脂を主成分とするものが好ましく、具体例としては、オレフィン系重合体、ポリアミド、ポリエステル、ポリエーテル、ポリカーボネート、ポリウレタンなどが挙げられる。
本発明の基材層5としては、ウエハ加工に対する安定性に優れる点と、使用後に焼却処理する場合にダイオキシンに代表されるハロゲン化合物等の有毒ガスが発生しない点と、粘着層と強固な接着を形成し易い点とから、その構成成分としては、とりわけ、オレフィン系重合体を主成分とするものが好ましい。
オレフィン系重合体としては、具体的には、低密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、また、エチレンと炭素数3〜12のα−オレフィン、スチレン、酢酸ビニル、(メタ)アクリル酸、(メタ)アクリル酸エステル、アイオノマー等の各種ビニル化合物との共重合体等ポリエチレン系重合体が挙げられ、共重合体はランダム共重合体でもブロック共重合体でも良く、炭素数4以上のα−オレフィン共重合体を挙げることができる。本発明において主成分とは、それ以外の含まれている構成成分に比べて、相対的に最も大きな割合で含まれる構成成分を言う。前記基材層5における前記α−オレフィンを含む重合体の含有量は、通常、50〜100重量%程度であり、好ましくは70〜100重量%程度である。
また、基材層5のヤング率E′を100〜1000MPaの範囲に調整する方法として、ヤング率E′が1000MPaより高いオレフィン系重合体の場合、ヤング率E′が100MPaより低い熱可塑性エラストマーと複合化する方法が知られており、そのアロイ構造としては、オレフィン系重合体が連続相を形成し、熱可塑性エラストマーが分散相を形成しているものであることが、好ましい。
前記熱可塑性エラストマーとしては、本発明の粘着剤層(A)で用いたものと同様のポリマーを用いることが出来る。
基材層5が2層以上の複数層から構成される場合には、複数の層を単層と見なして基材層1のヤング率E′として、そのヤング率E′が100〜1000MPaの範囲にあるものであることが好ましい。各層に粘着テープとして要求される各種の特性を分担して受け持たせるように構成することができる。
例えば、基材層5の中間層には、拡張剥離性を高めるために最適なヤング率E′と加工時の伸び特性や、引き裂き耐性を付与し、また、耐候安定剤を添加して耐候性をより高めることができる。基材層5の最外層には表面疵の耐性を付与し、また、拡張時の滑り性を付与し巻き上げた保護フィルムが簡単に巻戻せるように粘着剤層(A)との剥離性を付与した態様が挙げられる。また、隣り合う層は、その構成成分が、溶融共押出しによって強固に接着できるものであれば、いずれのものからなる層であってもよい。
また、基材層5のうち、粘着剤層(A)に接する側の中間層は、前記のα−オレフィンを含む重合体の1種単独または2種以上の混合物を主成分として含有していると、粘着剤層(A)と基材層5の一部中間層を強固に一体化できるので好ましい。前記粘着剤層(A)に接する中間層における前記α−オレフィンを含む重合体の含有量は、通常、50〜100重量%程度であり、好ましくは70〜100重量%程度である。
本発明の基材層5の粘着剤層(A)と接着する反対側の最外層である表面層の主成分は、エチレン系重合体であることが好ましい。なかでも、低密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、エチレン・(メタ)アクリル酸共重合体が好適である。この場合、基材層5の最外層となる表面層における前記エチレン系共重合体の含有量は、通常、50〜100重量%程度であり、好ましくは70〜100重量%程度であり、他のα−オレフィン(共)重合体などが含まれていても良い。
また、基材層5が中間層と表面層からなる場合、中間層の厚さは、好ましくは40〜400μm程度であり、表面層は、好ましくは5〜50μm程度である。
基材層5は、この種の粘着テープの基材層に一般に用いられる各種添加剤を含有していてもよい。例えば、各種の充填剤、顔料、紫外線吸収剤、酸化防止剤、耐熱安定剤、滑剤等を被着体であるウエハに対して影響を与えない程度に含有していてもよい。
次に本発明の粘着フィルムの製造方法について記載する。
先ほどのような作製方法で作成した離型シート付きダイアタッチフィルム(図1)を、打ち抜きによりダイアタッチフィルム部分をシリコンウエハ形状の丸型にカットしたのち(図2)、離型フィルムを剥離したダイシングテープ(図3)をラミネート機を用い、常温、常圧でラミネートすることにより、離型フィルム、ダイアタッチフィルム、及びダイシングテープからなるダイシングシート機能つきダイアタッチフィルムを得ることができる(図4)。なお、ダイシングシート機能つきダイアタッチフィルムを上から見た図を図5に示す。
本発明のフィルムは、離型フィルム、粘接着剤層(B)、粘着剤層(A)、および基材からなるフィルムが好ましい態様である。本発明に用いられる離型フィルムは、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエステルフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリエーテルナフタレートフィルム、メチルペンテンフィルム等がある。これらのフィルムはシリコーン系、シリカ系の離型材で処理されたものであってもよい。
このようにして形成される粘接着層の総厚さは、好ましくは3〜100μmで、10〜75μmであることがより好ましい。厚さが3μm未満であると粘接着剤としての効果が小さく、100μmを超えると厚み精度が悪くなる場合がある。
本発明のダイアタッチフィルム付きダイシングテープとして機能する粘着フィルムの使用方法は、通常のダイシングテープと同様で、特にダイシングの際にダイアタッチフィルム部に半導体チップを貼り付けて使用できる。貼り付けに必要な温度は100℃程度が好ましい。ウエハへの裏面貼り付けの後、ウエハをダイシング装置上に固定し、ダイシングソーなどの切断手段を用いて、上記の粘着フィルム付きシリコンウェハーを、個片単位に切断して個片ダイとした半導体チップを得て、続いて、粘着剤層(B)を半導体チップの裏面に固着残存させたままで、ピックアップ機を用いてダイシングテープ基材(粘着剤層(A)+基材)のみを剥離する。この際には通常用いられるいずれのピックアップ装置を用いることもできる。このようにしてダイアタッチフィルムが付いた半導体チップを得ることができる。
次に、粘着剤層(B)が固着されている半導体チップを、そのまま金属リードフレームや基板に、粘着剤層(B)を介して、加熱・圧着することで、ダイボンディングすることができる。加熱・圧着の条件として、通常は、100〜300℃の加熱温度、1〜10秒の圧着時間であり、好ましくは100〜200℃の加熱、1〜5秒の圧着時間である。つづいて、粘着剤層(B)に熱硬化型接着成分を含む場合、後処理として、更に加熱にすることにより、粘着剤層(B)中の熱硬化型接着成分を硬化させ、半導体チップとリードフレームや基板等とを、強固に接着させた半導体装置を得ることができる。この場合の加熱温度は、通常は100〜300℃程度、好ましくは150〜250℃程度であり、加熱時間は通常は1〜240分間、好ましくは10〜60分間である。
最終的に硬化した粘着剤層(B)は、高い耐熱性を有し、該粘着剤層中に含まれる熱硬化に関与しないイミド環を有する樹脂成分、例えば、耐熱性の高いポリイミド樹脂の硬化物は、脆質性が低く、優れた剪断強度と高い耐衝撃性、耐熱性を有する。
以下、本発明を、実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
(粘着剤層(B)の製造例)
(合成例)
(I)熱硬化型接着成分
(I−1)エポキシ化合物(三井化学株式会社製、VG3101)
(I−2)イミダゾール系硬化剤(四国化成工業株式会社製、2MAOK−PW)
(II)シリカ系フィラー(株式会社龍森製、1−FX)
(III)ポリイミド樹脂成分の合成例
(合成例1)
攪拌機、窒素導入管、温度計、メシチレンを満たしたディーンスターク管を備えた300mlの五つ口のセパラブルフラスコに、4,4’−ビス(3−アミノフェノキシ)ビフェニル17.00g、ポリテトラメチレンオキシド−ジ−p−アミノベンゾエート(イハラケミカル工業株式会社製、商品名:エラスマー1000、平均分子量1305)40.14g、N−メチル−2−ピロリドン86.37g、メシチレン37.09gを計り取り、窒素雰囲気下で50℃に加熱し溶解させ、そこにオキシ−4,4’−ジフタル酸二無水物25.05gを少量ずつ添加した。その後、窒素導入管を溶液内に挿入し(バブリング状態にし)、系内の温度を170℃〜180℃に加熱し、水を共沸除去しながら10時間保持した。冷却後、N−メチル−2−ピロリドン61.67g,メシチレン26.49gを加え希釈し、ポリイミド(III−1)の溶液を得た。このポリイミド(III−1)の対数粘度を、N−メチル−2−ピロリドンに0.5g/dlの濃度で溶液にした後、35℃において、ウベローデ粘度計を用いて測定した結果、0.45dl/gであった。
(合成例2)
攪拌機、窒素導入管、温度計、メシチレンを満たしたディーンスターク管を備えた3Lの五つ口のセパラブルフラスコに、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン180g、10Si(東レ・ダウ・コーニング株式会社製、平均分子量926)17.06g、N−メチル−2−ピロリドン1038.16g、メシチレン444.93gを計り取り、窒素雰囲気下で50℃に加熱し溶解させ、そこにオキシ−4,4’−ジフタル酸二無水物217.03g、エチレングリコールビストリメリテート二無水物(EGTA)95.6871g(新日本理化株式会社製、リカジットTMEG−1000、平均分子量410.3)を少量ずつ添加した。その後、窒素導入管を溶液内に挿入し(バブリング状態にし)、系内の温度を170℃〜180℃に加熱し、水を共沸除去しながら14時間保持した。冷却後、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン42.77gを後添し、N−メチル−2−ピロリドン200.57g、メシチレン266.89gを加え希釈し、ポリイミド(III−2)の溶液を得た。このポリイミド(III−2)の対数粘度を、N−メチル−2−ピロリドンに0.5g/dlの濃度で溶解した後、35℃において、ウベローデ粘度計を用いて測定した結果、0.24dl/gであった。
(粘着剤層(B)の製造例1)
表1に記載の重量割合で各成分を配合し、攪拌機にて十分に混合し、接着性樹脂組成物を得た。得られた樹脂組成物を表面処理PETフィルム(東洋紡株式会社製、NK281、厚さ50μm)上にキャストし、厚さ25μmのロール状粘着剤層(B)(DAF−1)を得た。得られたDAF−1はダイアタッチフィルムとして機能する。得られた粘着剤層(B)のガラス転移温度(Tg)をTMA(株式会社マック・サイエンス製、TMA4000)により測定した結果49℃であった。
(粘着剤層(B)の製造例2)
粘接着剤成分の配合割合を表1のように変更した以外は製造例1と同様の操作を行い、厚さ25μmのロール状粘着剤層(B)(DAF−2)を得た。得られた粘着剤層(B)はダイアタッチフィルムとして機能する。得られた粘着剤層(B)のガラス転移温度(Tg)をTMA(株式会社マック・サイエンス製、TMA4000)により測定した結果50℃であった。
(粘着剤層(A)と基材からなる粘着シートの製造)
(粘着剤層(A)と基材からなる粘着シートの製造例1 DC−1)
基材層は、表面層と中間層からなり、粘着層(A)とを共押出成形方法により積層製造する。基材層は2層からなり、基材層の表面層を構成する成分として、低密度ポリエチレン(LDPE;密度0.92g/cm)100重量部を用い、基材層の中間層を構成する成分として、シンジオタクティックプロピレン重合体(s−PP;ATOFINA PETROCHEMICALS,INC.製:FINAPLASTM1571;密度0.87g/cm)70重量部と、エチレン・ブテン共重合体(EB−A;密度0.87g/cm)28重量部と、高密度ポリエチレン(HDPE;密度0.96g/cm)2重量部とを用い、粘着層(A)を構成する成分として、プロピレン・1−ブテン・4−メチル−1−ペンテン共重合体(PB(4−MP);プロピレン成分43モル%、1−ブテン成分26モル%、4−メチル−1−ペンテン成分31モル%)72重量部と、プロピレン重合体(h−PP;密度0.91g/cm)8重量部と、オレフィン(結晶性)・エチレン・ブチレン・オレフィン(結晶性)ブロック共重合体(CEBC;JSR(株)製DYNARONTM6200P)8重量部と、スチレン・イソプレン・スチレンブロック共重合体(SIS;JSR(株)製SIS5229N)8重量部と、エチレンとα−オレフィンのコオリゴマー(LEO;三井化学(株)製ルーカンドTMHC−20)4重量部とを用いた。
次いで、各層の材料をフルルライト型のスクリューを備えた押し出し機により溶融した。成形条件(溶融温度)は、粘着層:220℃、中間層:230℃、外層:220℃であり、この3層の溶融樹脂を多層ダイ内で積層させた(共押出温度:230℃)。押し出された粘着シートを冷却し、スリットしてコア材に巻き取った。
このようにして2層からなる基材層と粘着層が積層されたテープ(DC−1)を製造した。
各層の厚みは、粘着層:15μm、中間層:75μm、外層:10μmで、合計厚み100μmであった。
(粘着剤層(A)と基材からなる粘着シートの製造例2 DC−2)
基材層は2層からなり、基材層の表面層を構成する成分として、製造例1と同じLDPE 100重量部を用い、基材層の中間層を構成する成分として、表面層と同じLDPE 60重量部と、製造例1と同じEB−A 40重量部とを用い、粘着層を構成する成分として、製造例1と同じPB(4−MP)80重量部と、製造例1と同じCEBC 10重量部と、製造例1と同じSIS 7重量部と、製造例1と同じLEO 3重量部とを用いた。
次いで、各層の材料をフルルライト型のスクリューを備えた押し出し機により溶融した。
成形条件(溶融温度)は、粘着層:220℃、中間層:220℃、外層:220℃であり、この3層の溶融樹脂を多層ダイ内で積層させた(共押出温度:220℃)。押し出された粘着シートを冷却し、スリットしてコア材に巻き取った。(DC−2)
このようにして得られたダイシングテープは、2層からなる基材層と粘着剤層(A)が積層されたものであり、各層の厚みは、粘着層:15μm、中間層:75μm、外層:10μmで、合計厚み100μmであった。
[実施例1]
表1に記載の組み合わせで先に製造したダイアタッチフィルムとして機能するフィルム(図1)を打ち抜きによりダイアタッチフィルム部分をシリコンウエハ形状の丸型にカットしたのち(図2)、先に製造したダイシングテープとして機能する粘着剤層(A)と基材からなる粘着剤の離型フィルムを剥離し(図3)、合わせてラミネート機を用い、常温、常圧でラミネートすることにより(図4)、保護フィルム、ダイアタッチフィルム(粘着剤層(B))、及びダイシングテープ基材(粘着剤層(A)+基材層)からなるダイアタッチフィルム付きダイシングテープとして機能する粘着剤層(A)と基材からなる粘着フィルムを得た。
[実施例2]
粘着剤層の組み合わせを表2のように変更した以外は実施例1と同様の操作を行い、ダイアタッチフィルム付きダイシングテープとして機能する粘着剤層(A)と基材からなる粘着フィルムを得た。
(比較例1)
粘着剤層の組み合わせを表2のように変更した以外は実施例1と同様の操作を行い、ダイアタッチフィルム付きダイシングテープとして機能する粘着剤層(A)と基材からなる粘着フィルムを得た。
(粘着フィルムの評価)
実施例及び比較例で製造した粘着フィルムの評価は以下の方法で行った。
(評価方法)
(1−1)感圧性粘着剤層(A)を有する粘着フィルム
粘着フィルムの保護フィルムを剥離した後、粘着剤層(B)上にシリコンウェハを80℃、で裏面貼り付けした。貼り付けの際には手動ロールでローリングし均一に貼り付けを行った。次にダイシング装置内に固定保持しダイシングソーを用いて、スピンドル回転数25,000rpm、カッティングスピード20mm/secで、5×5mm角のチップサイズにカットし、ダイシングシートとしての能力を評価した。次いで、ピックアップ機(ROYCE社製、DE35i−6)を用いて粘着剤層(B)の残着した半導体チップから、一部ダイシングテープ基材(粘着剤層(A)+基材)を剥離し、ピックアップ性を評価した。
(2)ダイシング時のチップ飛散
半導体ウエハーをダイシングした後に、粘着力が弱いためにダイアタッチフィルム上から剥離する半導体チップの個数を計測することにより評価し、結果を表3にまとめた。
(3)チッピング特性
○:チップの欠けの幅が最大で30μm未満のもの。
×:チップの欠けの幅が最大で30μm以上のもの。
評価結果は表2にまとめた。
(4)ピックアップ性
半導体ウエハーのダイシング後にダイアタッチフィルム付き半導体チップを基材から取り上げること(ピックアップ)ができるかを評価した。
○:ほぼ全てのチップがピックアップ可能なもの
×:ピックアップが50%以下なもの
評価結果は表3にまとめた。
(5)ピール強度測定
ピール強度の測定には、東洋精機社製STROGRAPH−M1を用いた。シリコンウエハ上に粘着フィルムを粘着剤層(B)を介して、80℃で貼り付けたのち粘着剤層(A)と粘着剤層(B)との180°ピール強度の測定を行った。
評価結果は表4にまとめた。
(6)ダイアタッチフィルムとしての初期接着性
粘接着層(B)の耐熱性を評価するために、5mm角に切断した接着剤層(B)を5mm角のシリコンチップと20mm角のシリコンチップの間に挟み、200℃、0.1N荷重、1秒間加熱圧着した後、180℃、無荷重、3時間加熱硬化した。得られた試験片の剪断強度を、シェアテスターを用いて、260℃、30秒間加熱時に測定し評価し、結果について表3にまとめた。
○:剪断強度が2MPa以上
×:剪断強度が2Mpa未満
本発明の粘着フィルムは、ダイシング工程ではダイシングテープとして機能し、半導体素子と支持部材との接合工程では接続信頼性に優れるダイボンディングフィルムとして機能する。また、ウエハ貼り付けの際には、低温で貼り付けることができ、低コストで半導体装置を製造できる。さらに、半導体装置の製造工程を簡略化できる。
Figure 2005113696
Figure 2005113696
Figure 2005113696
Figure 2005113696
Figure 2005113696

Claims (10)

  1. オレフィン系重合体を含有する粘着剤層(A)と粘着剤層(B)が隣接して積層した層を含む粘着フィルムであって、前記層(A)と前記層(B)との180°ピール強度が0.7N/10mm以下であることを特徴とする粘着フィルム。
  2. 前記層(B)がポリイミド樹脂を含有することを特徴とする請求項1に記載の粘着フィルム。
  3. 前記層(B)のガラス転移温度(Tg)が50℃以下であることを特徴とする請求項2に記載の粘着フィルム。
  4. 前記層(A)が炭素原子数2〜12のα−オレフィンから選ばれる少なくとも2種のα−オレフィンを主な単位成分とする共重合体を1種または2種以上含有することを特徴とする請求項1に記載の粘着フィルム。
  5. 前記層(B)が更に熱硬化性樹脂を含有することを特徴とする請求項2に記載の粘着フィルム。
  6. 前記層(B)がフィラーを0〜70体積%含有することを特徴とする請求項1に記載の接着フィルム。
  7. 前記層(A)の表面の一部に層(B)が積層していることを特徴とする請求項1に記載の粘着フィルム。
  8. 請求項1に記載の粘着フィルムを前記層(B)面を介して半導体ウエハに接着したのち、半導体ウエハをチップに切断する工程、前記層(A)と前記層(B)の界面で剥離し前記層(B)付きのチップにする工程、前記層(B)付きのチップを前記層(B)を介して回路付き基板または回路付きフィルムに接着する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  9. 前記層(B)を半導体ウエハにラミネートする温度が100℃以下であることを特徴とする請求項8に記載の半導体装置の製造方法。
  10. 請求項8または9に記載の方法により製造された半導体装置。
JP2006519523A 2004-05-06 2005-04-28 粘着フィルム及びそれを用いた半導体装置の製造方法 Pending JPWO2005113696A1 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004137111 2004-05-06
JP2004137111 2004-05-06
JP2004137498 2004-05-06
JP2004137498 2004-05-06
PCT/JP2005/008132 WO2005113696A1 (ja) 2004-05-06 2005-04-28 粘着フィルム及びそれを用いた半導体装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPWO2005113696A1 true JPWO2005113696A1 (ja) 2008-03-27

Family

ID=35428396

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006519523A Pending JPWO2005113696A1 (ja) 2004-05-06 2005-04-28 粘着フィルム及びそれを用いた半導体装置の製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20080185700A1 (ja)
JP (1) JPWO2005113696A1 (ja)
KR (1) KR100887005B1 (ja)
CN (1) CN100587018C (ja)
MY (1) MY145363A (ja)
TW (1) TWI255499B (ja)
WO (1) WO2005113696A1 (ja)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7545042B2 (en) * 2005-12-22 2009-06-09 Princo Corp. Structure combining an IC integrated substrate and a carrier, and method of manufacturing such structure
US20090001611A1 (en) * 2006-09-08 2009-01-01 Takeshi Matsumura Adhesive sheet for manufacturing semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device using the sheet, and semiconductor device obtained by the method
JP4732472B2 (ja) * 2007-03-01 2011-07-27 日東電工株式会社 熱硬化型ダイボンドフィルム
WO2011077922A1 (ja) * 2009-12-24 2011-06-30 株式会社スリーボンド 仮固定組成物
CN102763211B (zh) * 2010-06-02 2014-11-05 三井化学东赛璐株式会社 半导体晶片表面保护用薄片、使用其的半导体晶片的保护方法以及半导体装置的制造方法
US8963337B2 (en) * 2010-09-29 2015-02-24 Varian Semiconductor Equipment Associates Thin wafer support assembly
JP5036887B1 (ja) * 2011-03-11 2012-09-26 日東電工株式会社 保護フィルム付きダイシングフィルム
KR102207369B1 (ko) * 2014-06-18 2021-01-25 린텍 가부시키가이샤 다이싱 시트용 기재 필름 및 다이싱 시트
KR102160499B1 (ko) * 2015-05-15 2020-09-28 도요보 가부시키가이샤 저유전 접착제층을 함유하는 적층체
JP6870943B2 (ja) * 2015-09-30 2021-05-12 日東電工株式会社 加熱接合用シート、及び、ダイシングテープ付き加熱接合用シート
CN107658231B (zh) * 2016-07-26 2019-08-02 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 电子器件的干法封装方法及电子器件封装结构
CN109545074B (zh) * 2019-01-05 2021-06-18 苏州江天包装彩印有限公司 一种不干胶标签制作工艺方法
KR102280585B1 (ko) * 2021-01-15 2021-07-23 씰테크 주식회사 반도체 패키지용 이형 필름 및 그 제조 방법
CN112830448B (zh) * 2021-01-19 2023-12-26 潍坊歌尔微电子有限公司 麦克风封装工艺和麦克风封装结构
CN113410164B (zh) * 2021-06-15 2024-04-09 珠海天成先进半导体科技有限公司 一种单芯片daf胶带粘晶方法
CN113547868A (zh) * 2021-07-23 2021-10-26 东莞光群雷射科技有限公司 一种耐折uv转移膜及其生产工艺

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4961804A (en) * 1983-08-03 1990-10-09 Investment Holding Corporation Carrier film with conductive adhesive for dicing of semiconductor wafers and dicing method employing same
US4968559A (en) * 1985-02-14 1990-11-06 Bando Chemical Industries. Ltd. Pressure sensitive adhesive film with barrier layer
US6007920A (en) * 1996-01-22 1999-12-28 Texas Instruments Japan, Ltd. Wafer dicing/bonding sheet and process for producing semiconductor device
KR100780505B1 (ko) * 1999-12-28 2007-11-29 가부시키가이샤 가네카 에폭시변성폴리이미드 및, 이것을 사용한 감광성조성물,커버레이필름, 솔더레지스트, 프린트배선판
JP4787397B2 (ja) * 2000-08-28 2011-10-05 日東電工株式会社 粘着剤組成物および粘着テープもしくはシート
JP4780828B2 (ja) * 2000-11-22 2011-09-28 三井化学株式会社 ウエハ加工用粘着テープ及びその製造方法並びに使用方法
JP2002256239A (ja) * 2001-03-05 2002-09-11 Hitachi Chem Co Ltd 接着フィルム、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP3542080B2 (ja) * 2001-03-30 2004-07-14 リンテック株式会社 半導体チップ担持用接着テープ・シート、半導体チップ担持体、半導体チップマウント方法および半導体チップ包装体
JP2004059859A (ja) * 2002-07-31 2004-02-26 Mitsui Chemicals Inc フィルム状接着剤及びその接着工法並びに該フィルム状接着剤を用いた半導体装置
JP4171898B2 (ja) * 2003-04-25 2008-10-29 信越化学工業株式会社 ダイシング・ダイボンド用接着テープ
JP2004349441A (ja) * 2003-05-22 2004-12-09 Shin Etsu Chem Co Ltd ダイシング・ダイボンド用接着テープ

Also Published As

Publication number Publication date
KR20070006882A (ko) 2007-01-11
KR100887005B1 (ko) 2009-03-04
TW200537608A (en) 2005-11-16
WO2005113696A1 (ja) 2005-12-01
US20080185700A1 (en) 2008-08-07
CN100587018C (zh) 2010-02-03
CN101014676A (zh) 2007-08-08
TWI255499B (en) 2006-05-21
MY145363A (en) 2012-01-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPWO2005113696A1 (ja) 粘着フィルム及びそれを用いた半導体装置の製造方法
US8476740B2 (en) Sheet for protecting surface of semiconductor wafer, semiconductor device manufacturing method and semiconductor wafer protection method using sheet
JP6928852B2 (ja) 半導体加工用テープ
JP2005060584A (ja) 封止用フィルム
TW201120171A (en) Adhesive composition, semiconductor device suing the composition and fabricating method thereof
KR101908390B1 (ko) 반도체 가공시트용 기재필름, 반도체 가공시트 및 반도체 장치의 제조방법
JP6535117B1 (ja) 半導体加工用テープ
KR100900604B1 (ko) 필름상 접착제 및 이를 이용하는 반도체 패키지
KR20140005794A (ko) 반도체 장치용 접착제 조성물, 반도체 장치용 접착 필름, 다이싱 필름을 갖는 접착 필름, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치
KR100669134B1 (ko) 반도체 패키지용 접착필름
JP4251807B2 (ja) 半導体装置製造用接着シート
JP2004059859A (ja) フィルム状接着剤及びその接着工法並びに該フィルム状接着剤を用いた半導体装置
JP2018203973A (ja) 半導体加工用テープ
JP2008153279A (ja) ダイシング兼ダイボンディング用フィルム及び半導体チップの製造方法
WO2016035687A1 (ja) 半導体加工用テープ及びこれを使用して製造した半導体装置
KR100860098B1 (ko) 반도체 패키지용 접착 필름
JP6535138B1 (ja) 半導体加工用テープ
JP6228732B2 (ja) 樹脂シート
WO2014196293A1 (ja) シート状樹脂組成物、裏面研削用テープ一体型シート状樹脂組成物、ダイシングテープ一体型シート状樹脂組成物、半導体装置の製造方法、及び、半導体装置
TW201942963A (zh) 半導體加工用膠帶
JP2009292888A (ja) 接着剤組成物、接着シートおよび半導体装置の製造方法
JP6535118B1 (ja) 半導体加工用テープ
JP2019176156A (ja) 半導体加工用テープ
JP2001144118A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2005167101A (ja) 金属積層体

Legal Events

Date Code Title Description
RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20080414

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101207

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20110405