CN1832149A - 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明关于一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，该制造方法包含下列步骤：形成薄膜晶体管于基板的有源区域之上与接触垫于基板的外围区域之上。依序形成无机绝缘层与有机绝缘层覆盖薄膜晶体管与接触垫。图案化有机绝缘层。再以六氟化硫/氧气蚀刻未被有机绝缘层覆盖的无机绝缘层，以形成具有第一倾斜侧壁的第一接触窗于外围区域上及具有第二倾斜侧壁的第二接触窗于有源区域上，并残留部分的有机绝缘层于外围区域之上。其中该六氟化硫/氧气的流量比大致上介于0.33～0.42之间。形成图案化导体保护层于接触窗上。

Description

薄膜晶体管阵列基板及其制造方法

技术领域

本发明是有关于一种薄膜晶体管及其制造方法，且特别是有关于一种使用此薄膜晶体管阵列基板的显示面板。

背景技术

近年来光电相关技术不断推陈出新，加上数字化时代的到来，进而推动了液晶显示器市场的蓬勃发展。液晶显示器(Liquid Crystal Displayer；LCD)因具有高画质、体积小、重量轻、低电压驱动、低消耗功率及应用范围广等优点，故广泛地应用于可携式电视、移动电话、笔记本型计算机、桌上型显示器以及投影电视等消费性电子或计算机产品，并已取代阴极射线管(Cathode Ray Tube；CRT)成为显示器的主流。

一般液晶显示器的主体为液晶单元，主要是由两片透明基板以及被封于基板之间的液晶所构成。目前液晶显示器是以薄膜晶体管(Thin FilmTransistor；TFT)液晶显示器为主，而一般薄膜晶体管液晶显示器的制作可大致区分为薄膜晶体管阵列(TFT Array)工艺、彩色滤光片(Color Filter)工艺、液晶显示单元组装(LC Cell Assembly)工艺与液晶显示模块(Liquid CrystalModule；LCM)工艺。

其中液晶显示模块组装工艺是将金属框、液晶显示面板与背光模块(Backlight Module)加以组合的组装过程，组合后则完成整个液晶显示屏幕的制造。一般常用的模块组装技术包括芯片玻璃接合(Chip on Glass；COG)、芯片薄膜接合(Chip on Film；COF)与自动卷带式芯片接合(Tape AutomaticBounding；TAB)等。

请参照第1图，绘示一种公知的液晶显示器的结构俯示图。在第1图中，液晶显示器具有下玻璃102、上玻璃104、液晶显示面板106、信号接触垫区(data pad portion)108与栅接触垫区(gate pad portion)110。其中，液晶显示面板106上具有许多液晶胞(cell)(未绘示)，且每个液晶胞上均具有一个像素电极。由第1图可知，下玻璃102并完全没有与上玻璃104互相重叠，而下玻璃102的外围保留部分的空间作为信号接触垫区108与栅接触垫区110，以电连接驱动集成电路(integrated circuits；IC)。

请参照第2图，绘示公知液晶显示面板中的一种于外围区域的接触垫的结构剖面示意图。在第2图中，接触垫122位于基板120上，且无机绝缘层124与有机保护层126依序覆盖于基板120与接触垫122之上。于接触垫122上的无机绝缘层124与有机保护层126内具有一接触窗128，且导体保护层130位于无机绝缘层124与有机保护层126之上、接触窗128内，以电连接接触垫122。

一般在液晶显示模块组装工艺中，利用TAB技术将驱动IC与位于液晶显示面板中的接触垫122连接在一起，且在接触垫122与驱动IC之间会贴附一层异向导电膜(anisotropic conductive film，ACF)，以电连接接触垫122与驱动IC。再者，液晶显示模块组装工艺中，亦可使用COG(chip on glass)技术将驱动IC与位于液晶显示面板中的接触垫122连接在一起。然而，当实施上述技术且接触垫122无法准确地与驱动IC对准时，则有必要进行重工工艺(IC Rework)，先将驱动IC与接触垫122分开之后再重新粘贴一次。然而，在重工工艺中会使用有机溶剂(例如丙酮)进行驱动IC与接触垫122的分离，无可避免的，重工工艺中的有机溶剂会影响到有机保护层126的安定性，且由于原本无机绝缘层124与有机保护层126间的粘着力就较弱，所以将驱动IC从接触垫122上移除掉时，部分的有机保护层126与位于有机保护层126上的导体保护层130也会在重工工艺时一起被移除掉。如此一来，则造成有机保护层126与导体保护层130损坏，进而降低生产良率，并同时增加制造成本。

有鉴于此，美国专利第6,650,380号提出一种改善上述缺点的方法，其于形成接触窗之后移除接触垫上的有机保护层，让后续形成的导体保护层直接覆盖于粘着性较佳的无机保护层上。然而，由第3A图(其沿着第3B图中的A-A’、B-B’、C-C’剖面线的公知液晶显示面板中的薄膜晶体管阵列基板的剖面结构示意图)可看出，此方法的最大难处在于，因源极/漏极206a、206b上方的第二接触窗216b与接触垫204、208上方的第一接触窗216a、216c为同时形成，若将接触垫204、208上的有机保护层212完全移除掉时，蚀刻后的源极/漏极206a、206b上方的第二接触窗216b的有机保护层212与无机绝缘层210的侧壁会呈现近似垂直的轮廓(profile)，所以在后续沉积像素电极214b覆盖于有机保护层212时会产生阶梯覆盖性不佳的问题。

因此，有必要提供一种新的薄膜晶体管的制造方法，以解决后续驱动IC重工工艺时因使用有机溶剂而影响有机保护层的安定性，进而造成接触垫上的导体保护层破裂的问题，且能同时降低导体保护层形成时的阶梯覆盖的困难度，以提高产品良率。

发明内容

因此本发明的目的就是在提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，用以降低导体保护层的形成时的阶梯覆盖的难度。

本发明的另一目的是在提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，以解决于后续驱动IC的重工工艺中，因使用有机溶剂而使有机保护层膨润，进而在IC重工工艺中易拨离造成接触垫上的导体保护层破裂的问题。

本发明的又一目的在于提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，以提高产品良率并降低制造成本。

根据本发明的目的，提出一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。根据本发明的一优选实施例，提供基板，再分别于基板上的有源区域与外围区域上形成薄膜晶体管与接触垫。其中薄膜晶体管具有栅极、源极与漏极。接着，在薄膜晶体管与接触垫上依序形成无机绝缘层与有机绝缘层。其中，上述的无机绝缘层的厚度为0.3微米(μm)，有机绝缘层的厚度大致上介于5.3微米(μm)至5.6微米(μm)之间。

利用一半调式光罩对有机绝缘层曝光显影，以于基板上的无机绝缘层上形成至少一个第一接触窗及至少一个第二接触窗，并且分别暴露出位于接触垫上及漏极上的无机绝缘层。其中，外围区域上的有机绝缘层的厚度小于有源区域上的有机绝缘层的厚度

随后，以六氟化硫/氧气蚀刻有机绝缘层及接触窗所暴露的无机绝缘层，直至暴露出接触垫以及漏极为止。其中，六氟化硫/氧气的流量比大致上介于0.33～0.42之间。

此时，于接触垫与源极上方会分别形成具有第一倾斜侧壁的第一接触窗与具有第二倾斜侧壁的第二接触窗，且在外围区域上会残留厚度较薄的有机绝缘层，有源区域上也会残留厚度较厚的有机绝缘层。其中，具有第一倾斜侧壁的第一接触窗的角度小于具有第二倾斜侧壁的第二接触窗的角度，且具有第一倾斜侧壁的第一接触窗的角度优选介于20°～50°之间，具有第二倾斜侧壁的第二接触窗的角度优选介于60°～80°之间。

最后，形成图案化导体保护层于第一接触窗与第二接触窗上。其中，残留于外围区上部分的有机绝缘层厚度大致上介于0.3微米(μm)至0.5微米(μm)之间。

本发明的一优选实施例中，为了防止外围区域上的有机绝缘层残留于接触垫上，更可以在以六氟化硫/氧气蚀刻有机绝缘层与接触窗所暴露出来的部分无机绝缘层至暴露出接触垫与漏极的步骤后，以氧气为蚀刻剂蚀刻有机绝缘层，以确保接触垫上没有残留有机绝缘层。

由上述可知，应用本发明的方法可以于后续将形成导体保护层的第一接触窗与第二接触窗的侧壁上蚀刻出较为平缓的轮廓，以降低导体保护层的形成时的阶梯覆盖的难度。且应用本发明的方法更可以解决于后续驱动IC的重工工艺中，因有机溶剂的使用而影响有机保护层的安定性，又加上原本无机绝缘层与有机保护层间的粘着力就比较不足，进而造成接触垫上的导体保护层破裂的问题。此外，本发明的方法更可以提高产品良率，并同时降低制造成本。

附图说明

为让本发明的上述和其它目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，附图的详细说明如下：

第1图，绘示一种公知的液晶显示器的结构俯示图。

第2图，绘示公知液晶显示面板中的一种于外围区域的接触垫的结构剖面示意图。

第3A图，沿着第3B图中的A-A’、B-B’、C-C’剖面线的公知液晶显示面板中的薄膜晶体管阵列基板的剖面结构示意图。

第3B图，绘示一种公知薄膜晶体管阵列基板的俯视示意图。

第4图，其绘示依照本发明优选实施例的一种薄膜晶体管阵列基板的俯视示意图。

第5A～5G图，其沿着第4图中的I-I’、J-J’、K-K’剖面线的一种制造薄膜晶体管阵列基板的工艺步骤的结构示意图。

【主要组件符号说明】

10：栅极线         14：栅接触垫区       20：信号电极

32：栅接触垫       50、60、206a、206b：源/漏极电极

70a、70a’、216a、216c：第一接触窗

102：下玻璃        106：液晶显示面板

110：栅接触垫区    122、204、208：接触垫

126：有机保护层    130、214a、214c、42a、42b：导体保护层

202、302：绝缘层   306：欧姆接触层  312：半调式光罩

320：第一倾斜侧壁  322：第二倾斜侧壁

12：影像显示区     15：接触垫区

16：信号接触垫区   30：栅极

40、214b：像素电极 52：信号接触垫

70b、70b’、216b：第二接触窗

104：上玻璃        108：信号接触垫区

120、200：基板     124、210、308：无机绝缘层

128：接触窗        206：无机保护层

300：基板          304：半导体层

212、310、310a、310b、310c、310a’、310b’、310c’：有机绝缘层

A-A’、B-B’、C-C’、I-I’、J-J’、K-K’：剖面线

具体实施方式

请参照第4图，其绘示依照本发明一优选实施例的一种薄膜晶体管阵列基板的俯视示意图。在第4图中，薄膜晶体管阵列基板包含影像显示区12、接触垫区15。其中，接触垫区15包含栅接触垫区14与信号接触垫区16。栅接触垫区14与信号接触垫区16电连接驱动IC(未绘示)。

影像显示区12具有薄膜晶体管(thin film transistor；TFT)、像素电极40、栅极线(扫描线)10与信号线或信号电极(数据线)20。其中，薄膜晶体管更包含栅极30、源/漏极电极50和60。像素电极40会透过第二接触窗70b电连接漏极电极60。

栅接触垫区14位于栅极线10的末端，用以电连接驱动IC(未绘示)。且栅接触垫区14包含栅接触垫32、导体保护层42b。其中，栅接触垫32会与栅极线10连接，且导体保护层42b会与栅驱动IC(未绘示)连接。

信号接触垫区16位于信号线20的末端，用以电连接驱动IC(未绘示)。且信号接触垫区16包含信号接触垫52、导体保护层42a。其中，信号接触垫52会与信号线20连接，且导体保护层42a会与信号驱动IC(未绘示)连接。

请参照第5A～5G图，其沿着第4图中的I-I’、J-J’、K-K’剖面线的一种制造薄膜晶体管阵列基板的工艺步骤的结构示意图。在第5A～5G图中，I-I’所示为外围区域上的栅极接触垫的剖面结构示意图，J-J’所示为有源区域的薄膜晶体管的剖面结构示意图，K-K’所示为外围区域上的信号接触垫的剖面结构示意图。

在第5A图中，先沉积导体层(未绘示)于基板300上，再以第一道光罩工艺定义导体层，而分别于有源区域与栅外围区域上形成栅极30与栅接触垫32。其中，基板300优选为玻璃基板、硅基板、陶瓷基板、塑料基板或可挠性基板。导体层的优选材料是钼、铝、铜、铬、钛、银或上述材料的任意组合，且导体层可以是上述材料所形成的单层或多层结构。

在第5B图中，于基板300、栅极30与栅接触垫32上方依序形成绝缘层302、半导体层304与欧姆接触层306。接着，微影蚀刻半导体层304与欧姆接触层306，直至暴露出外围区域上的绝缘层302以及有源区域上栅极30上方其它部分的绝缘层302为止。其中，上述的绝缘层302的优选材料是氮化硅、氮氧化硅、氧化硅或上述材料所形成的单层或多层结构。半导体层304的优选材料是非晶硅、多晶硅、微晶硅或上述任意组合所形成的群组。上述的欧姆接触层306的优选掺杂材料可为N型掺杂或P型掺杂。

接着，如第5C图所示，沉积金属层(未绘示)于基板300上，再以微影蚀刻工艺定义金属层与殴姆接触层306，以形成源极电极50、漏极电极60与信道区54于有源区域上，且形成信号接触垫52于信号外围区上。其中，上述的金属层的优选材料是钼、铝、铜、铬、钛、银或上述材料的任意组合所形成的合金或多层金属层所组成的群组。

如第5D图所示，依序于基板300上沉积无机绝缘层308与有机绝缘层310，再提供一半调式光罩312，以进行后续的有机绝缘层310的曝光显影，于多阶曝光之后形成不同厚度的图案化有机绝缘层310。其中上述的无机绝缘层308的材料包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或上述任意组合所形成的无机绝缘层，且此无机绝缘层308的厚度优选为0.3微米(μm)。上述的有机绝缘层310的材料包括感光材料，且此有机绝缘层310的厚度优选介于5.3微米(μm)至5.6微米(μm)之间。

接着，如第5E图所示，利用半调式光罩312对有机绝缘层310曝光显影，以于基板300上的无机绝缘层308上形成图案化有机绝缘层310。此时，基板300上的图案化有机绝缘层310中会分别形成第一接触窗70a与第二接触窗70b于栅接触垫32/信号接触垫52以及漏极电极60上方，并暴露出栅接触垫32/信号接触垫52与漏极电极60上方的部分的无机绝缘层308。由于光罩312为半调式光罩，故显影后的有机绝缘层310会因为各区域曝光量的不同，而在不同的区域上有不同厚度。外围区域上的有机绝缘层310a和310c的厚度会小于有源区域上的有机绝缘层310b的厚度。其中，在优选实施例中，外围区域上的有机绝缘层310a和310c的厚度大致上介于0.9微米(μm)至1.4微米(μm)之间，而有源区域上的有机绝缘层310b的厚度大致上介于4.6微米(μm)至4.9微米(μm)之间。

为了解决驱动IC重工工艺中因使用有机溶剂而造成接触垫上的导体保护层破裂的问题，且能同时降低导体保护层的形成时的阶梯覆盖性不佳的问题，本发明的一优选实施例藉由改变蚀刻条件，以于后续将形成导体保护层的第一接触窗与第二接触窗的侧壁上形成倾斜侧壁。请参照第5F图。在第5F图中，以有机绝缘层310a、310b和310c为罩幕，且以六氟化硫/氧气为蚀刻剂进行蚀刻工艺，蚀刻未为有机绝缘层310a、310b和310c所覆盖的无机绝缘层308，直至暴露出部分的栅接触垫32、信号接触垫52以及漏极电极60为止。

如第5F图所示，由于六氟化硫/氧气的流量比控制在介于0.33～0.42之间，所以蚀刻后于外围区域与有源区域上所形成的第一接触窗70a’与第二接触窗70b’分别具有第一倾斜侧壁320与第二倾斜侧壁322。此时，在外围区域上会残留部分的有机绝缘层310a’和310c’，有源区域上也会残留厚度较高的有机绝缘层310b’，且栅接触垫32与信号接触垫52上已无有机绝缘层310a’和310c’。

其中，上述的第一倾斜侧壁320与栅接触垫32/信号接触垫52之间形成的第一夹角小于第二倾斜侧壁322与漏极电极60之间形成的第二夹角。在外围区域上的第一夹角较佳介于20°～50°之间，且于有源区域上的第二夹角较佳介于60°～80°之间。上述残留于外围区域上的有机绝缘层310a’和310c’的厚度较佳介于0.3微米(μm)至0.5微米(μm)之间。

最后，如第5G图所示，形成导体保护层(未绘示)于有机绝缘层310a’、310b’和310c’上，并填满外围区域与有源区域上的第一接触窗70a’与第二接触窗70b’。再以一道光罩工艺对导体保护层进行微影蚀刻工艺，以形成图案化导体保护层，而分别于有源区域与外围区域上定义出像素电极40与导体保护层42a、42b。其中，上述的导体保护层的材料优选为铟锡氧化物、铝锌氧化物、铟锌氧化物、氧化铟、氧化锡或上述任意组合所形成的导体保护层。

在本发明的一优选实施例中，为了防止外围区域上的有机绝缘层310a’与310c’残留于栅接触垫32与信号接触垫52之上，更可以在以六氟化硫/氧气蚀刻部分的有机绝缘层310a、310b和310c以与门接触垫32、信号接触垫52与漏极电极60上方暴露出来的部分无机绝缘层308的步骤之后，以氧气为蚀刻剂蚀刻有机绝缘层310a’与310c’，以确保有机绝缘层310a’与310c’未残留于栅接触垫32与信号接触垫52上。其中，上述的氧气的流量优选为500sccm。

由上述可知，应用本发明的方法可以利用调整六氟化硫/氧气的蚀刻条件，以于后续将形成导体保护层的第一接触窗与第二接触窗的侧壁上蚀刻出一较为平缓的轮廓，以降低导体保护层的形成时的阶梯覆盖的难度。且应用本发明的方法更可以解决于后续驱动IC的重工工艺中，因有机溶剂的使用而影响有机保护层的安定性，又加上原本无机绝缘层与有机保护层间的粘着力就比较不足，进而造成接触垫上的导体保护层破裂的问题。此外，本发明的方法更可以提高产品良率，并同时降低制造成本。

虽然本发明已以一优选实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视权利要求所界定者为准。

Claims (23)

1.一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包含：

形成至少一个薄膜晶体管于基板的有源区域上与至少一个接触垫于该基板的外围区域之上，且该薄膜晶体管具有栅极、源极与漏极；

形成无机绝缘层覆盖该薄膜晶体管与该接触垫；

形成有机绝缘层于该无机绝缘层上；

图案化该有机绝缘层以形成至少一个第一接触窗及至少一个第二接触窗，并分别暴露出位于该接触垫上及该漏极上的该无机绝缘层，且该外围区域上的该有机绝缘层的厚度小于该有源区域上的该有机绝缘层的厚度；

以六氟化硫/氧气蚀刻该有机绝缘层及该接触窗所暴露的该无机绝缘层至暴露出该接触垫及该源/漏极为止，以形成具有第一倾斜侧壁的该第一接触窗于该接触垫上及具有第二倾斜侧壁的该第二接触窗，并残留部分该有机绝缘层于该外围区域之上，其中该六氟化硫/氧气的流量比大致上介于0.33～0.42之间；以及

形成图案化导体保护层于该接触窗上。

2.如权利要求1的方法，其中该接触垫与该栅极同时形成。

3.如权利要求1的方法，其中该接触垫与该源极及该漏极同时形成。

4.如权利要求1的方法，其中该无机绝缘层的厚度为0.3微米(μm)。

5.如权利要求1的方法，其中该有机绝缘层的厚度大致上介于5.3微米(μm)至5.6微米(μm)

6.如权利要求1的方法，其中该外围区域上的该有机绝缘层的厚度大致上介于0.9微米(μm)至1.4微米(μm)之间。

7.如权利要求1的方法，其中该有源区上的该有机绝缘层的厚度大致上介于4.6微米(μm)至4.9微米(μm)之间。

8.如权利要求1的方法，其中以六氟化硫/氧气蚀刻该有机绝缘层及该接触窗所暴露的该无机绝缘层至暴露出该接触垫及该漏极步骤之后，更包含：

以氧气蚀刻该有机绝缘层，以确保有机绝缘层未残留于该接触垫上，且该氧气流量大致上为500sccm。

9.如权利要求8的方法，其中残留于该外围区上部分的该有机绝缘层厚度大致上介于0.3微米(μm)至0.5微米(μm)。

10.如权利要求1的方法，其中该无机绝缘层的材料包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或上述任意组合所形成的组。

11.如权利要求1的方法，其中该有机绝缘层的材料包括感光材料。

12.如权利要求1的方法，其中该图案化导体保护层的材料包括铟锡氧化物、铝锌氧化物、铟锌氧化物、氧化铟、氧化锡或上述任意组合所形成的组。

13.如权利要求1的方法，其中该具有第一倾斜侧壁的该第一接触窗的角度小于该具有第二倾斜侧壁的该第二接触窗的角度。

14.如权利要求13的方法，其中该具有第一倾斜侧壁的该第一接触窗的角度大致上介于20°～50°之间。

15.如权利要求13的方法，其中该具有第二倾斜侧壁的该第二接触窗的角度大致上介于60°～80°之间。

16.一种薄膜晶体管阵列基板，包括：

至少薄膜晶体管，设置于基板的有源区上，且该薄膜晶体管具有栅极、源极及漏极；

至少一个接触垫，设置于该基板的外围区上；

无机绝缘层，设置于该薄膜晶体管与该接触垫上；

有机绝缘层，设置于该无机绝缘层上，且该无机绝缘层与该有机绝缘层内具有至少一个第一接触窗以暴露出该接触垫及至少一个第二接触窗以暴露出该漏极/该源极，该第一接触窗的侧壁与该接触垫之间形成第一夹角及该第二接触窗的侧壁与该漏极/该源极之间形成第二夹角，其中，该外围区上的该有机绝缘层的厚度小于该有源区上的该有机绝缘层的厚度，且该第一夹角小于该第二夹角；以及

导体保护层，设置于该接触窗上。

17.如权利要求16的薄膜晶体管阵列基板，其中该外围区上的该有机绝缘层的厚度大致上介于0.3微米(μm)至0.5微米(μm)之间。

18.如权利要求16的薄膜晶体管阵列基板，其中无机绝缘层的厚度为0.3微米(μm)。

19.如权利要求16的薄膜晶体管阵列基板，其中该第一夹角的角度范围大致上介于20°～50°之间。

20.如权利要求16的薄膜晶体管阵列基板，其中该第二夹角的角度范围大致上介于60°～80°之间。

21.如权利要求16的薄膜晶体管阵列基板，其中该无机绝缘层的材料包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或上述任意组合所形成的组

22.如权利要求16的薄膜晶体管阵列基板，其中该有机绝缘层的材料包括感光材料。

23.如权利要求16的薄膜晶体管阵列基板，其中该导体保护层的材料包括铟锡氧化物、铝锌氧化物、铟锌氧化物、氧化铟、氧化锡或上述任意组合所形成的组。

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