CN1531077B - 用以制造薄膜晶体管导线结构的镶嵌法工艺 - Google Patents

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Abstract

本发明是提供一种利用于有机发光二极管显示器的薄膜电晶体导线结构以及薄膜电晶体导线结构的制程。该薄膜电晶体导线结构是包含一闸极金属导线，该闸极金属导线是设置于一基板上。一介电层是设置并覆盖于该闸极金属导线以及该基板上。一金属导线层是设置于该介电层上，包含一源极金属导线以及一及极金属导线。一开口位于该闸极金属导线之上，是用以分离该源极金属导线以及该汲极金属导线。其中，该闸极金属导线以及该金属导线层所使用的金属材质是为银或是铜，该薄膜电晶体导线结构是以一黄光制程或是一镶嵌法制程来制作。

Description

用以制造薄膜晶体管导线结构的镶嵌法工艺
技术领域
本发明是关于一种有机发光二极管显示器，尤指一种利用于有机发光二极管显示器的薄膜晶体管导线结构以及制造该薄膜晶体管导线结构的工艺。
背景技术
在平面显示器的领域中，有机发光二极管显示器(organic light emittingdiode；OLED)由于其制造设备的投资金额较小、工艺较简单，以及由于面板可自行发光，因而可以减少背光源元件，并可以减少显示器面板所必要的厚度。此外，于显示效能来说还有高亮度(超过100,000坎德拉)、响应时间短(小于1微秒)、广视野角、高对比值等优点。因此，有机发光二极管显示器成为未来相当具有潜力的平面显示器。
请参阅图1，图1为已知技艺有机发光二极管显示器2的构造示意图。一般而言有机发光二极管显示器包含一基板3、一透明电极4(如：铟锡氧化物；ITO)以做为阳极、一金属层6以做为阴极、一空穴传输层8、一电子传输层10、一发光层12、以及一薄膜晶体管14。
薄膜晶体管14以及透明电极4皆设置于基板3的表面，有机发光二极管显示器2由空穴传输层8传输多个空穴(hole)，并由电子传输层10传输多个电子(electron)。接着，由于透明电极4与金属层6的电位差形成一外加电场，使多个空穴与多个电子于发光层12移动并相遇而产生复合现象(recombination)，此复合现象所释放的能量将激发发光层12中的发光分子发光。其中，透明电极4需要由薄膜晶体管14(Thin Film Transistor；TFT)来控制电流的流动，而薄膜晶体管14本身包含有多个金属导线，包含栅极金属导线1、源极金属导线5、以及漏极金属导线7，该多个金属导线中的漏极金属导线7与透明电极4连接，并且该多个金属导线是以金属材料来制造。
在已知技术中，薄膜晶体管14中的金属导线是以铬(Cr)、钼(Mo)、铝(Al)或其合金所组成。然而，有机发光二极管显示器2是利用前述该多个空穴与该多个电子结合而发光，因此所使用的电流比一般液晶显示器高许多，也因此，在有限的电源供应之下，必须设法减少电流于金属导线传导时能量的消耗。更进一步，电流于金属导线传导时能量的消耗会产生热量，会降低薄膜晶体管14中元件的寿命，因此更显示出减少电流于金属导线传导时能量消耗的重要。
因此，本发明的主要目的在于提供一种薄膜晶体管导线结构以及相关工艺，以解决上述问题。
发明内容
本发明的主要目的在提供一种有机发光二极管显示器的薄膜晶体管导线结构，由适当的工艺以银或是铜来制作其中的金属导线，以改善有机发光二极管显示器中，电流于金属导线传导时的能量消耗。
本发明是关于一种利用于有机发光二极管显示器(organic light emittingdiode；OLED)的薄膜晶体管导线结构以及薄膜晶体管导线结构的工艺。该薄膜晶体管导线结构是包含一栅极金属导线，该栅极金属导线是设置于一基板上。一介电层是设置并覆盖于于该栅极金属导线以及该基板之上。一金属导线层是设置于该介电层上，包含一源极金属导线以及一漏极金属导线，其中藉由该介电层以隔离该栅极金属导线与该金属导线层。一开口位于该栅极金属导线之上，是用以分离该源极金属导线以及该漏极金属导线。其中，该栅极金属导线以及该金属导线层所使用的金属材料是以银或是铜所组成，该薄膜晶体管导线结构是以一黄光工艺或是一镶嵌法工艺来制作。
本发明的目的是由以下的具体方案实现的：一种利用于有机发光二极管显示器的薄膜晶体管导线结构，该薄膜晶体管导线结构是包含：
一栅极金属导线，该栅极金属导线是设置于一基板上；
一介电层，是设置并覆盖于该栅极金属导线以及该基板之上；
一金属导线层，该金属导线层是设置于该介电层上且位于该栅极金属导线的上方，包含一源极金属导线以及一漏极金属导线，其中由该介电层以隔离该栅极金属导线与该金属导线层；
一开口，该开口是位于该栅极金属导线之上，是用以分离该源极金属导线以及该漏极金属导线；其中，该栅极金属导线所使用的金属材料是以选自于由银、铜所组成的族群中的元素。
该薄膜晶体管导线结构是以一黄光工艺来制作，该黄光工艺是包含下列步骤：
将该金属材料沉积于该基板上；
以一第一光刻工序将该金属材料形成该栅极金属导线；
将该介电层覆盖于该栅极金属导线以及该基板的上；
将该金属材料沉积于该介电层上以形成该金属导线层，其中由该介电层以隔离该栅极金属导线与该金属导线层；
以一第二光刻工序制作该开口，该开口是位于该栅极金属导线的上方，以隔离该金属导线层以形成该源极金属导线以及该漏极金属导线。
该第一光刻工序以及该第二光刻工序之前，分别具有一沉积金属工序，是以一电镀的方式来进行该沉积金属工序。
该第一光刻工序以及该第二光刻工序之前，分刖具有一沉积金属工序，是以一薄膜溅镀的方式来进行该沉积金属工序。
该第一光刻工序以及该第二光刻工序分别由一蚀刻液以将该金属材料蚀刻成该栅极金属导线以及该金属导线层，该蚀刻液是为由含三价铁溶液、硝酸溶液所组成的族群中的溶液。
该薄膜晶体管导线结构是以一镶嵌法工艺来制作，该镶嵌法工艺是包含下列步骤：
制作一第一绝缘层于该基板上；
利用非等向蚀刻以去除部分的第一绝缘层，于原有的第一绝缘层中形成多个凹洞以暴露出该基板；
将该金属材料沉积于该第一绝缘层上，并填满该多个凹洞，以使该金属材料附着于该基板上；
进行一研磨工序以去除沉积于该第一绝缘层上的金属材料，以形成该栅极金属导线；
将该介电层覆盖于该栅极金属导线以及该第一绝缘层之上；
将该金属材料沉积于该介电层上以形成该金属导线层，其中由该介电层以隔离该栅极金属导线与该金属导线层；
以一光刻工序制作该开口，该开口是位于该栅极金属导线的上方，以隔离该金属导线层以形成该源极金属导线以及该漏极金属导线。
该金属材料沉积于该第一绝缘层以及该介电层上，是以一电镀的方式来沉积该金属材料。
该金属材料沉积于该第一绝缘层以及该介电层上，是以一薄膜溅镀的方式来沉积该金属材料。
一种利用于有机发光二极管显示器的薄膜晶体管导线结构，该薄膜晶体管导线结构是包含：
一栅极金属导线，该栅极金属导线是设置于一基板上；
一介电层，是设置并覆盖于该栅极金属导线以及该基板之上；
一金属导线层，该金属导线层是设置于该介电层上且位于该栅极金属导线的上方，包含一源极金属导线以及一漏极金属导线，其中由该介电层以隔离该栅极金属导线与该金属导线层；
一开口，该开口是位于该栅极金属导线之上，是用以分离该源极金属导线以及该漏极金属导线；
其中，该金属导线层所使用的金属材料是以选自于由银、铜所组成的族群中的元素。
该薄膜晶体管导线结构是以一黄光工艺来制作，该黄光工艺是包含下列步骤：
将该金属材料沉积于该基板上；
以一第一光刻工序将该金属材料形成该栅极金属导线；
将该介电层覆盖于该栅极金属导线以及该基板之上；
将该金属材料沉积于该介电层上以形成该金属导线层，其中由该介电层以隔离该栅极金属导线与该金属导线层；
以一第二光刻工序制作该开口，该开口是位于该栅极金属导线的上方，以隔离该金属导线层以形成该源极金属导线以及该漏极金属导线。
该第一光刻工序以及该第二光刻工序之前，分别具有一沉积金属工序，是以一电镀的方式来进行该沉积金属工序。
该第一光刻工序以及该第二光刻工序之前，分别具有一沉积金属工序，是以一薄膜溅镀的方式来进行该沉积金属工序。
该第一光刻工序以及该第二光刻工序分别由一蚀刻液以将该金属材料蚀刻成该栅极金属导线以及该金属导线层，该蚀刻液是为由含三价铁溶液、硝酸溶液所组成的族群中的溶液。
该薄膜晶体管导线结构是以一镶嵌法工艺来制作，该镶嵌法工艺是包含下列步骤：
制作一第一绝缘层于该基板上；
利用非等向蚀刻以去除部分的第一绝缘层，于原有的第一绝缘层中形成多个凹洞以暴露出该基板；
将该金属材料沉积于该第一绝缘层上，并填满该多个凹洞，以使该金属材料附着于该基板上；
进行一研磨工序以去除沉积于该第一绝缘层上的金属材料，以形成该栅极金属导线；
将该介电层覆盖于该栅极金属导线以及该第一绝缘层之上；
将该金属材料沉积于该介电层上以形成该金属导线层，其中由该介电层以隔离该栅极金属导线与该金属导线层；
以一光刻工序制作该开口，该开口是位于该栅极金属导线的上方，以隔离该金属导线层以形成该源极金属导线以及该漏极金属导线。
该金属材料沉积于该第一绝缘层以及该介电层上，是以一电镀的方式来沉积该金属材料。
该金属材料沉积于该第一绝缘层以及该介电层上，是以一薄膜溅镀的方式来沉积该金属材料。
因此，利用一种有机发光二极管显示器的薄膜晶体管导线结构，由该黄光工艺或是该镶嵌法工艺以银或是铜来制作该薄膜晶体管导线结构中所需的金属导线。由此，可以减少有机发光二极管显示器中电流于金属导线传导时能量的消耗，并且延长该薄膜晶体管导线结构中元件的寿命。
附图说明
图1为已知技术的有机发光二极管显示器的构造示意图；
图2为本发明第一具体实施例薄膜晶体管导线结构的示意图；
图3a至图3i为本发明薄膜晶体管导线结构的黄光工艺的制作过程图；
图4为本发明第二具体实施例的薄膜晶体管导线结构的示意图；以及
图5a至图51为本发明薄膜晶体管导线结构的镶嵌法工艺的制作过程图。
图号说明
2      有机发光二极管显示器    6      金属层
8      空穴传输层              10     电子传输层
12     发光层                  1、32  栅极金属导线
3、34  基板                    36     介电层
5、40  源极金属导线            7、42  漏极金属导线
44     开口          52  非晶硅层
14、35 薄膜晶体管    54  掺杂非晶硅层
4、56  透明电极      58  保护层
60     发光层        62  第一绝缘层
55     金属导线层    31  金属材料
具体实施方式
请参阅图2，图2是本发明薄膜晶体管导线结构的示意图。本发明是提供一种利用于有机发光二极管显示器(organic light emitting diode；OLED)的薄膜晶体管35中的薄膜晶体管导线结构。薄膜晶体管导线结构是存在于一薄膜晶体管35中，除了薄膜晶体管导线结构所包含一栅极金属导线32、一介电层36、一金属导线层55、以及一开口44外，薄膜晶体管35更包含一非晶硅层52、掺杂非晶硅层54、透明电极56、保护层58、以及发光层60。
一栅极金属导线32是设置于一基板34上。介电层36是设置并覆盖于于该栅极金属导线32以及基板34之上。金属导线层55是设置于介电层361，金属导线层55包含一源极金属导线40以及一漏极金属导线42，其中，由介电层36以隔离栅极金属导线32与金属导线层55。非晶硅层52是用以连接源极金属导线40以及漏极金属导线42，非晶硅层52并设置于栅极金属导线32上介电层36的表面。开口44位于栅极金属导线32之上，是用以分离源极金属导线40以及漏极金属导线42。掺杂非晶硅层54设置于非晶硅层52表面，并且被开口44分成二部分分别置于非晶硅层52与源极金属导线40以及漏极金属导线42之间。透明电极56是用以与漏极金属导线42连接，并设置于介电层36表面。保护层58是设置并覆盖于薄膜晶体管导线结构的表面，用以保护薄膜晶体管导线结构。发光层60设置于保护层58以及透明电极56之上，由所述复合现象以使其中的发光分子发光。
其中，为减少电流于该金属导线传导时能量的消耗，根据功率公式：功率(能量；P)等于电流(I)平方乘以电阻(R)，其中电流为定值，所以为减少传导时能量的消耗，可以更换该金属导线的金属材料以降低该金属导线的电阻。所以栅极金属导线32以及金属导线层55所使用的金属材料采用银(Ag)或铜(Cu)，由此以获得较佳的效果。
为配合银或铜金属村质来制造薄膜晶体管导线结构，须配合适当的工艺。图3a至图3i是为本发明薄膜晶体管导线结构的黄光工艺的制作过程图。配合图2并请参阅图3a至图31。
图3a是以一第一光刻工序将该金属材料沉积于基板34上以形成栅极金属导线32。其中沉积该金属材料于基板34上是以一电镀的方式或是以一薄膜溅镀(sputter)的方式来进行一沉积金属工序。
图3b是将介电层36覆盖于栅极金属导线32以及基板34之上。
图3c是进一步沉积非晶硅层52(a-Si)，并制作非晶硅层52的图形。
图3d是接着进一步沉积掺杂非晶硅层54(N+doped a-Si)，并制作掺杂非晶硅层54的图形，接着并制作介电层36的图形。
图3e是沉积透明电极56并制作线路图形。
图3f是将该金属材料沉积于介电层36上以形成金属导线层55，其中由介电层361以隔离栅极金属导线32与金属导线层55。沉积该金属材料于介电层36上是以一电镀的方式或是以一薄膜溅镀的方式来进行该沉积金属工序。
图3g是以一第二光刻工序制作开口44于栅极金属导线32的上方，以隔离金属导线层55以形成源极金属导线40以及漏极金属导线42。
图3h是沉积保护层58，并制作图形。
图3i是沉积发光层60于保护层58上。
其中，该第一光刻以及该第二光刻于沉积金属之后(本段工艺叙述于图中未示)，皆经由涂布一光阻，并以一光罩经过曝光，使该光阻硬化以形成预定金属导线的线路图形，再由一蚀刻液以将该金属材料蚀刻成栅极金属导线32以及金属导线层55，最后再以去光阻剂洗去残留于栅极金属导线32以及金属导线层55上的光阻。若该金属村质是铜，则该蚀刻液可以使用含三价铁溶液，其反应式为2Fe3++Cu→Cu2++2Fe2+。另外，不论该金属材料是铜还是银，该蚀刻液可以使用硝酸溶液，其反应式为Cu+4HNO3→Cu(NO3)2(aq)+2NO+2H 2O以及3Ag+4HNO3→3AgNO3+NO+2H2O。
请参阅图4，图4是本发明第二具体实施例的薄膜晶体管导线结构的示意图。薄膜晶体管导线结构是存在于一薄膜晶体管35中，除了薄膜晶体管导线结构所包含一栅极金属导线32、一介电层36、一金属导线层55、一开口44、以及一第一绝缘层62外，薄膜晶体管35更包含一非晶硅层52、掺杂非晶硅层54、透明电极56、保护层58、以及发光层60。
一栅极金属导线32是设置于一基板34上。第一绝缘层62是设置于基板34的上，并介于该栅极金属导线32以及其他栅极金属导线之间。介电层36是设置并覆盖于该栅极金属导线32以及基板32之上，并进一步是设置于基板34上的第一绝缘层62之上。金属导线层55是设置于介电层34上，金属导线层55包含一源极金属导线40以及一漏极金属导线42，其中，由介电层36以隔离栅极金属导线32与金属导线层55。非晶硅层52是用以连接源极金属导线40以及漏极金属导线42，非晶硅层52并设置于栅极金属导线32上介电层36的表面。开口44位于栅极金属导线32之上，是用以分离源极金属导线40以及漏极金属导线42。掺杂非晶硅层54设置于非晶硅层52表面，并且被开口44分成二部分分别置于非晶硅层52与源极金属导线40以及漏极金属导线42之间。透明电极56是用以与漏极金属导线42连接，并设置于介电层36表面。保护层58是设置并覆盖于薄膜晶体管导线结构的表面，用以保护薄膜晶体管导线结构。发光层60设置于保护层58以及透明电极56之上，由所述复合现象以使其中的发光分子发光。
其中，为减少电流于该金属导线传导时能量的消耗，根据功率公式：功率(能量；P)等于电流(I)平方乘以电阻(R)，其中电流为定值，所以为减少传导时能量的消耗，可以更换核金属导线的金属材料以降低该金属导线的电阻。所以栅极金属导线32以及金属导线层55所使用的金属材料采用银(Ag)或铜(Cu)，由此以获得较佳的效果。
为配合银或铜金属材料来制造薄膜晶体管导线结构，须配合适当的工艺。图5a至图51是为本发明薄膜晶体管导线结构的镶嵌法工艺的制作过程图。配合图4并请参阅图5a至图51。
图5a是制作第一绝缘层62于基板34上。
图5b是利用非等向蚀刻以去除部分的第一绝缘层62，于原有的第一绝缘层62中形成多个凹洞以暴露出基板34。其中可以使用SF6加上O2电浆中的氟(F)原子来对第一绝缘层62进行非等向蚀刻。
图5c是将一金属材料31沉积于第一绝缘层62上，并填满该多个凹洞，以使金属材料31附著于基板34上。其中沉积金属材料31于基板34上是以一电镀的方式或是以一薄膜溅镀的方式来进行一沉积金属工序。
图5d是进行一研磨工序以去除沉积于第一绝缘层62上的金属材料31，以形成栅极金属导线32。其中，该研磨工序可用化学机械研磨(Chemical MechanicalPolish；CMP)来执行，其研磨终点的判定可藉由加入阻障层(barrier layer)(图中未示)来决定。
图5e是将介电层36覆盖于栅极金属导线32以及基板34之上，并且位于基板34上的第一绝缘层62之上。
图5f是进一步沉积非晶硅层52(a-Si)，并制作非晶硅层52的图形。
图5g是接着进一步沉积掺杂非晶硅层54(N+doped a-Si)，并制作掺杂非晶硅层54的图形，并制作该介电层的图形。
图5h是沉积透明电极56并制作线路图形。
图5i是将该金属材料沉积于介电层36上以形成金属导线层55，由介电层36以隔离栅极金属导线32与金属导线层55。其中沉积该金属材料于介电层36上是以一电镀的方式或是以一薄膜溅镀的方式来进行一沉积金属工序。
图5j是以一光刻工序制作开口44于栅极金属导线32的上方，以隔离金属导线层55以形成源极金属导线40以及漏极金属导线42。
图5k是沉积保护层58，并制作图形。
图51是沉积发光层60于保护层58上。
本发明所述的薄膜晶体管导线结构，除了可利用于有机发光二极管显示器中的薄膜晶体管35之外，也可以以前述相同的工艺与结构，将此薄膜晶体管导线结构应用于低温多晶硅液晶显示器(Low Temperature Poly-Silicon TFT LCD；LTPS TFT LCD)中的薄膜晶体管。
因此，利用一种有机发光二极管显示器的薄膜晶体管导线结构，由该黄光工艺或是该镶嵌法工艺以银或是铜来制作薄膜晶体管导线结构中所需的金属导线。由此，可以减少有机发光二极管显示器中电流于金属导线传导时能量的消耗，并且延长薄膜晶体管35中元件的寿命。
由以上较佳具体实施例的详述，是希望能更加清楚描述本发明的特征与精神，而并非以上述所揭露的较佳具体实施例来对本发明的范畴加以限制。相反地，其目的是希望能涵盖各种改变及具相等性的安排于本发明所欲申请的专利范围的范畴内。

Claims (14)

1.一种利用于有机发光二极管显示器的薄膜晶体管导线结构，该薄膜晶体管导线结构包含：
一栅极金属导线，该栅极金属导线设置于一基板上；
一介电层，设置并覆盖于该栅极金属导线以及该基板之上；
一金属导线层，该金属导线层是设置于该介电层上且位于该栅极金属导线的上方，包含一源极金属导线以及一漏极金属导线，其中由该介电层以隔离该栅极金属导线与该金属导线层，且该有机发光二极管显示器的一透明电极，设置于该介电层上，并电性连接于该源极金属导线或该漏极金属导线；
一开口，该开口位于该栅极金属导线之上，用以分离该源极金属导线以及该漏极金属导线；其中，该栅极金属导线所使用的金属材料是以选自于由银、铜所组成的族群中的元素，该薄膜晶体管导线结构是以一黄光工艺；
所述黄光工艺包含下列步骤：
将该金属材料沉积于该基板上；
以一第一光刻工序将该金属材料形成该栅极金属导线；
将该介电层覆盖于该栅极金属导线以及该基板之上；
将该金属材料沉积于该介电层上以形成该金属导线层，其中由该介电层以隔离该栅极金属导线与该金属导线层；
以一第二光刻工序制作该开口，该开口位于该栅极金属导线的上方，以隔离该金属导线层以形成该源极金属导线以及该漏极金属导线。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管导线结构，其特征在于，该第一光刻工序以及该第二光刻工序之前，分别具有一沉积金属工序，是以一电镀的方式来进行该沉积金属工序。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管导线结构，其特征在于，该第一光刻工序以及该第二光刻工序之前，分别具有一沉积金属工序，是以一薄膜溅镀的方式来进行该沉积金属工序。
4.如权利要求1所述的薄膜晶体管导线结构，其特征在于，该第一光刻工序以及该第二光刻工序分别由一蚀刻液以将该金属材料蚀刻成该栅极金属导线以及该金属导线层，该蚀刻液是为由含三价铁溶液、硝酸溶液所组成的族群中的溶液。
5.一种利用于有机发光二极管显示器的薄膜晶体管导线结构，该薄膜晶体管导线结构包含：
一栅极金属导线，该栅极金属导线设置于一基板上；
一介电层，设置并覆盖于该栅极金属导线以及该基板之上；
一金属导线层，该金属导线层是设置于该介电层上且位于该栅极金属导线的上方，包含一源极金属导线以及一漏极金属导线，其中由该介电层以隔离该栅极金属导线与该金属导线层，且该有机发光二极管显示器的一透明电极，设置于该介电层上，并电性连接于该源极金属导线或该漏极金属导线；
一开口，该开口位于该栅极金属导线之上，用以分离该源极金属导线以及该漏极金属导线；其中，该栅极金属导线所使用的金属材料是以选自于由银、铜所组成的族群中的元素，该薄膜晶体管导线结构是以一镶嵌法工艺来制作；
所述镶嵌法工艺包含下列步骤：
制作一第一绝缘层于该基板上；
利用非等向蚀刻以去除部分的第一绝缘层，于原有的第一绝缘层中形成多个凹洞以暴露出该基板；
将该金属材料沉积于该第一绝缘层上，并填满该多个凹洞，以使该金属材料附着于该基板上；
进行一研磨工序以去除沉积于该第一绝缘层上的金属材料，以形成该栅极金属导线；
将该介电层覆盖于该栅极金属导线以及该第一绝缘层之上；
将该金属材料沉积于该介电层上以形成该金属导线层，其中由该介电层以隔离该栅极金属导线与该金属导线层；
以一光刻工序制作该开口，该开口是位于该栅极金属导线的上方，以隔离该金属导线层以形成该源极金属导线以及该漏极金属导线。
6.如权利要求5所述的薄膜晶体管导线结构，其特征在于，该金属材料沉积于该第一绝缘层以及该介电层上，是以一电镀的方式来沉积该金属材料。
7.如权利要求5所述的薄膜晶体管导线结构，其特征在于，该金属材料沉积于该第一绝缘层以及该介电层上，是以一薄膜溅镀的方式来沉积该金属材料。
8.一种利用于有机发光二极管显示器的薄膜晶体管导线结构，该薄膜晶体管导线结构包含：
一栅极金属导线，该栅极金属导线是设置于一基板上；
一介电层，设置并覆盖于该栅极金属导线以及该基板之上；
一金属导线层，该金属导线层设置于该介电层上且位于该栅极金属导线的上方，包含一源极金属导线以及一漏极金属导线，其中由该介电层以隔离该栅极金属导线与该金属导线层，且该有机发光二极管显示器的一透明电极，设置于该介电层上，并电性连接于该源极金属导线或该漏极金属导线；
一开口，该开口位于该栅极金属导线之上，用以分离该源极金属导线以及该漏极金属导线；
其中，该金属导线层所使用的金属材料是以选自于由银、铜所组成的族群中的元素，该薄膜晶体管导线结构是以一黄光工艺；
所述黄光工艺包含下列步骤：
将该金属材料沉积于该基板上；
以一第一光刻工序将该金属材料形成该栅极金属导线；
将该介电层覆盖于该栅极金属导线以及该基板之上；
将该金属材料沉积于该介电层上以形成该金属导线层，其中由该介电层以隔离该栅极金属导线与该金属导线层；
以一第二光刻工序制作该开口，该开口是位于该栅极金属导线的上方，以隔离该金属导线层以形成该源极金属导线以及该漏极金属导线。
9.如权利要求8所述的薄膜晶体管导线结构，其特征在于，该第一光刻工序以及该第二光刻工序之前，分别具有一沉积金属工序，是以一电镀的方式来进行该沉积金属工序。
10.如权利要求8所述的薄膜晶体管导线结构，其特征在于，该第一光刻工序以及该第二光刻工序之前，分别具有一沉积金属工序，是以一薄膜溅镀的方式来进行该沉积金属工序。
11.如权利要求8所述的薄膜晶体管导线结构，其特征在于，该第一光刻工序以及该第二光刻工序分别由一蚀刻液以将该金属材料蚀刻成该栅极金属导线以及该金属导线层，该蚀刻液是为由含三价铁溶液、硝酸溶液所组成的族群中的溶液。
12.一种利用于有机发光二极管显示器的薄膜晶体管导线结构，该薄膜晶体管导线结构包含：
一栅极金属导线，该栅极金属导线是设置于一基板上；
一介电层，设置并覆盖于该栅极金属导线以及该基板之上；
一金属导线层，该金属导线层设置于该介电层上且位于该栅极金属导线的上方，包含一源极金属导线以及一漏极金属导线，其中由该介电层以隔离该栅极金属导线与该金属导线层，且该有机发光二极管显示器的一透明电极，设置于该介电层上，并电性连接于该源极金属导线或该漏极金属导线；
一开口，该开口位于该栅极金属导线之上，用以分离该源极金属导线以及该漏极金属导线；
其中，该金属导线层所使用的金属材料是以选自于由银、铜所组成的族群中的元素，该薄膜晶体管导线结构是以一镶嵌法工艺来制作；
所述镶嵌法工艺包含下列步骤：
制作一第一绝缘层于该基板上；
利用非等向蚀刻以去除部分的第一绝缘层，于原有的第一绝缘层中形成多个凹洞以暴露出该基板；
将该金属材料沉积于该第一绝缘层上，并填满该多个凹洞，以使该金属材料附着于该基板上；
进行一研磨工序以去除沉积于该第一绝缘层上的金属材料，以形成该栅极金属导线；
将该介电层覆盖于该栅极金属导线以及该第一绝缘层之上；
将该金属材料沉积于该介电层上以形成该金属导线层，其中由该介电层以隔离该栅极金属导线与该金属导线层；
以一光刻工序制作该开口，该开口位于该栅极金属导线的上方，以隔离该金属导线层以形成该源极金属导线以及该漏极金属导线。
13.如权利要求12所述的薄膜晶体管导线结构，其特征在于，该金属材料沉积于该第一绝缘层以及该介电层上，是以一电镀的方式来沉积该金属材料。
14.如权利要求12所述的薄膜晶体管导线结构，其特征在于，该金属材料沉积于该第一绝缘层以及该介电层上，是以一薄膜溅镀的方式来沉积该金属材料。
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