CN101887867A - 有机发光二极管显示器的制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种有机发光二极管显示装置的制造方法，包括：在受主基板上顺次形成薄膜晶体管(TFT)阵列、第一电极、堤图案、衬垫料和第一相关层；在施主基板上顺次形成金属图案和有机光发射材料层；对准并贴合所述受主基板和所述施主基板，并通过给所述金属图案施加电将所述有机光发射材料转移到所述受主基板上而形成光发射层；以及在形成有所述光发射层的所述受主基板上顺次形成第二相关层和第二电极。
Description
本申请要求2009年5月12日在韩国提交的专利申请No.10-2009-0041245的优先权，在此援引该专利申请的全部内容作为参考。
技术领域
本文件涉及一种有机发光二极管显示器的制造方法。
背景技术
近来，正发展各种平板显示装置来减小重量和体积(现有阴极射线管(CRT)的缺点)。这样的平板显示装置包括液晶显示器(LCD)、场发射显示器(FED)、等离子体显示面板(PDP)、和电致发光(EL)装置等。
因为PDP的制造工序简单且其非常轻、薄、短和小从而最有利于确保大尺寸屏幕，所以PDP作为显示装置受到大量关注，但其具有发光效率和亮度低且耗电多的缺点。薄膜晶体管(TFT)LCD是最常用的平板显示装置之一，但其具有视角窄和响应速度慢的问题。根据光发射层的材料，EL装置分为无机发光二极管显示装置和有机发光二极管显示装置。其中，有机发光二极管显示装置(自发光装置)具有响应速度快、发光效率和亮度高、以及视角宽的优点。
有机发光二极管显示装置具有如图1中所示的有机发光二极管(OLED)。
OLED包括有机化合物层、以及彼此面对的阴极电极和阳极电极，有机化合物层夹在阴极电极和阳极电极之间。通过层叠电子注入层(EIL)、电子传输层(ETL)、光发射层(EML)、空穴传输层(HTL)和空穴注入层(HIL)，将有机化合物层形成为多层。当给阳极电极和阴极电极施加驱动电压时，穿过HTL的空穴和穿过ETL的电子移动到EML，从而形成激子(exciters)，结果使EML发射可见光。
在现有技术的OLED显示装置中，通过如图2中所示的热蒸镀(thermalevaporation)方法形成EML。为了进行热蒸镀方法，需要容纳R、G和B的EML材料的载器(boat)30、和用于引导从电阻加热载器30转移的EML材料从而使它们沉积在相应位置处的金属掩模20，由掩模框架25支撑的金属掩模20排列在其上形成有薄膜晶体管(TFT)阵列15的基板10上。在现有技术的OLED显示装置中，通过改变金属掩模20的排列位置来沉积R，G和B EML。
这种现有技术的OLED显示装置制造方法具有下面的问题。
第一，在现有技术的方法中，根据基板的尺寸确定金属掩模的尺寸。随着基板尺寸增加，金属掩模的尺寸也不得不增加。随着金属掩模尺寸增加，掩模逐渐弯曲。因而，在使用金属掩模的现有技术沉积方法中，很难对光发射层精确构图，不能应付较大面积和较高清晰度(definition)。
第二，在现有技术的方法中，装有光发射材料的载器与基板分开一定距离并且该载器被加热，然后光发射材料沉积在基板上，这导致延长了形成光发射层的工序总累积时间(TACT)。随着基板尺寸增加，基板与载器之间的距离(D)也不得不增加，以确保沉积在基板上的光发射层的均匀性，导致用于形成光发射层的腔室的尺寸增加。
发明内容
本文件的一个方面是提供一种能精确构图光发射层以支持较大面积和较高清晰度的有机发光二极管显示装置的制造方法。
本文件的另一个方面是提供一种能缩短形成光发射层的工序TACT和减小用于形成光发射层的腔室的尺寸的有机发光二极管显示装置的制造方法。
在一个方面中，一种有机发光二极管显示装置的制造方法，所述有机发光二极管显示装置包括多个OLED，每个OLED都具有第一电极、第一相关层、光发射层、第二相关层和第二电极，所述方法包括：在受主基板上顺次形成薄膜晶体管(TFT)阵列、所述第一电极、堤(bank)图案和所述第一相关层；在施主基板上顺次形成金属图案和有机光发射材料层；通过给所述金属图案施加电将所述有机光发射材料层转移到所述受主基板上而形成所述光发射层；以及在形成有所述光发射层的所述受主基板上顺次形成所述第二相关层和所述第二电极。
所述金属图案可由Ag、Au、Al、Cu、Mo、Pt、Ti、W和Ta其中之一形成或者由其中两种或更多种的合金形成，并根据所述受主基板的将要形成所述光发射层的像素位置而被构图。
所述金属图案的宽度可以小于或等于像素宽度与堤图案宽度之和。
形成所述光发射层可以在真空或惰性气体环境下进行。
可以在0.1μs到1s的范围内以0.1W/cm2～10000W/cm2的功率密度施加一次或几次电。
所述有机发光二极管显示装置的制造方法可以进一步包括：在形成所述有机光发射材料层之前，在所述金属图案上形成电绝缘层。
所述电绝缘层可以包括二氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、和旋涂玻璃(SOG，spin-on-glass)材料至少之一。
所述第一电极和所述第二电极可以分别是阳极电极和阴极电极，所述第一相关层是进行空穴的引入(introduction)和运载(carrying)的空穴相关层，并且所述第二相关层是进行电子的引入和运载的电子相关层。
所述第一电极和所述第二电极可以分别是阴极电极和阳极电极，所述第一相关层是进行电子的引入和运载的电子相关层，并且所述第二相关层是进行空穴的引入和运载的空穴相关层。
形成所述光发射层可以包括分别执行以下工序：对所有R像素，一次地，对准并贴合所述受主基板和所述施主基板、将红色有机光发射材料层转移到所述受主基板上、分离和卸载所述施主基板；对所有G像素，一次地，对准并贴合所述受主基板和所述施主基板、将绿色有机光发射材料层转移到所述受主基板上、分离和卸载所述施主基板；以及对所有B像素，一次地，对准并贴合所述受主基板和所述施主基板、将蓝色有机光发射材料层转移到所述受主基板上、分离和卸载所述施主基板。
形成所述光发射层可以包括：对所有像素，一次地，对准并贴合所述受主基板和所述施主基板、将所述有机光发射材料层转移到所述受主基板上、分离和卸载所述施主基板。
在另一个方面中，一种有机发光二极管显示装置的制造方法，所述有机发光二极管显示装置包括多个OLED，每个OLED都具有第一电极、第一相关层、光发射层、第二相关层和第二电极，所述方法包括：在受主基板上顺次形成薄膜晶体管(TFT)阵列、所述第一电极、堤图案、衬垫料和所述第一相关层；在施主基板上顺次形成金属图案和有机光发射材料层；通过给所述金属图案施加电将所述有机光发射材料层转移到所述受主基板上而形成所述光发射层；以及在形成有所述光发射层的所述受主基板上顺次形成所述第二相关层和所述第二电极，其中所述衬垫料形成为比所述堤图案窄。
所述衬垫料可以形成在所述堤图案上方。
所述金属图案可以由Ag、Au、Al、Cu、Mo、Pt、Ti、W和Ta其中之一形成或者由其中两种或更多种的合金形成，并可以根据所述受主基板的将要形成所述光发射层的像素位置而被构图。
所述金属图案的宽度可以小于或等于像素宽度与堤图案宽度之和。
形成所述光发射层可以在真空或惰性气体环境下进行。
所述电可以在0.1μs到1s的范围内以0.1W/cm2～10000W/cm2的功率密度施加一次或几次。
所述衬垫料可以形成为线型衬垫料、柱型衬垫料和井型衬垫料之一。
所述有机发光二极管显示装置的制造方法可以进一步包括：在形成所述有机光发射材料层之前，在所述金属图案上形成电绝缘层。
所述电绝缘层可以包括二氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、和旋涂玻璃(SOG)材料至少之一。
所述第一电极和所述第二电极可以分别是阳极电极和阴极电极，所述第一相关层可以是进行空穴的引入和运载的空穴相关层，并且所述第二相关层可以是进行电子的引入和运载的电子相关层。
所述第一电极和所述第二电极可以分别是阴极电极和阳极电极，所述第一相关层可以是进行电子的引入和运载的电子相关层，并且所述第二相关层可以是进行空穴的引入和运载的空穴相关层。
形成所述光发射层可以包括分别执行以下工序：对所有R像素，一次地，对准并贴合所述受主基板和所述施主基板、将红色有机光发射材料层转移到所述受主基板上、分离和卸载所述施主基板；对所有G像素，一次地，对准并贴合所述受主基板和所述施主基板、将绿色有机光发射材料层转移到所述受主基板上、分离和卸载所述施主基板；以及对所有B像素，一次地，对准并贴合所述受主基板和所述施主基板、将蓝色有机光发射材料层转移到所述受主基板上、分离和卸载所述施主基板。
形成所述光发射层可以包括：对所有像素，一次地，对准并贴合所述受主基板和所述施主基板、将所述有机光发射材料层转移到所述受主基板上、分离和卸载所述施主基板。
对于本领域技术人员来讲显而易见的是，可以基于以上特征做各种修改、变换和组合。
附图说明
所包括以给本发明提供进一步理解并结合在内组成本说明书一部分的附图图解了本发明的各实施方式并与说明书文字部分一起用于解释本发明的原理。
在附图中：
图1图解了有机发光二极管的结构。
图2图解了通过使用金属掩模的现有技术载器方法形成光发射层。
图3是图解根据本发明一个典型实施方式的有机发光二极管(OLED)显示装置的制造方法的工序的流程图。
图4A到4D是显示在受主基板上形成薄膜晶体管(TFT)阵列、以及OLED的第一电极、堤图案和空穴相关层的工序的顺序截面图。
图5A和5B是显示在施主基板上形成金属图案和有机光发射材料的顺序截面图。
图6A和6B是显示通过贴合和转移形成光发射层的工序的顺序截面图。
图7A和7B是形成OLED的电子相关层和第二电极的工序的顺序截面图。
图8A到8C是像素的等效电路。
图9图解了与像素宽度和堤图案宽度相比的金属图案的宽度。
图10是显示进一步包括衬垫料的工序截面图。
图11是显示进一步包括电绝缘层的工序截面图。
具体实施方式
现在将参照图3到11描述本发明的典型实施方式。
参照图3，根据本发明一个典型实施方式的有机发光二极管(OLED)显示装置的制造方法，其上形成有薄膜晶体管(TFT)阵列、OLED的第一电极、堤图案和空穴相关层的受主基板以及其上形成有金属图案和有机光发射材料的施主基板在惰性气体环境下对准并贴合。随后，给施主基板的金属图案施加瞬时电压/电流，从而产生焦耳热量，以升华施主基板上形成的有机光发射材料从而将其转移到受主基板。在一个实施方式中，可以对所有R像素一次进行这种贴合、转移、分离和卸载所述施主基板的工序，对所有G像素一次进行这种贴合、转移、分离和卸载所述施主基板的工序，以及对所有B像素一次进行这种贴合、转移、分离和卸载所述施主基板的工序。做为选择，在另一个实施方式中，可以对所有R、G和B像素一次进行这种贴合、转移、分离和卸载所述施主基板的工序，即，可以对所有像素同时进行所述工序。对所有R、G和B像素形成光发射层之后，在其上形成有R、G和B光发射层的受主基板上顺次沉积OLED的电子相关层和第二电极。
现在将描述在受主基板上形成TFT阵列、OLED的第一电极、堤图案和空穴相关层的工序、以及在施主基板上形成金属图案和有机光发射材料的工序。
参照图4A，在由透明玻璃或塑料材料形成的受主基板100上形成TFT阵列102，该TFT阵列102包括栅线GL、数据线DL、开关TFT(ST)、驱动TFT(DT)、存储电容器Cst、Vdd供给配线、和Vss供给配线等，如图8A到8C中所示。TFT(ST和DT)可由N型MOSFET实现，如图8A和8C中所示，或者由P型MOSFET实现，如图8B中所示。图8A到8C中所示的像素的等效电路是一般的2T1C结构的例子，即，2个晶体管和1个电容器，并且本发明的TFT阵列结构并不限于此。TFT阵列102可包括用于保护TFT阵列免受外部环境影响的钝化层、用于防止产生由于TFT(ST和DT)而导致的台阶的覆层(overcoat layer)、和用于阻隔(shield)从覆层释放气体(out-gasing)的缓冲层。
参照图4B，在其上形成有TFT 102的受主基板100上形成OLED的第一电极104。第一电极104通过缓冲层、覆层、和钝化层等等与驱动TFT(DT)的一个电极接触。根据驱动TFT(DT)的连接结构，第一电极104可以是具有反射膜的阴极电极或阳极电极。换句话说，在图8A中，第一电极104是与驱动TFT(DT)的源极电极(S)连接的阳极电极，在图8B中，第一电极104是与驱动TFT(DT)的漏极电极(D)连接的阳极电极，在图8C中，第一电极104是与驱动TFT(DT)的漏极电极(D)连接的阴极电极。以下，假定第一电极104是具有反射膜的阳极电极。第一电极104是包含诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)这样的氧化物的透明导体，其在由不透明金属材料形成的反射膜上按照像素被构图。第一电极104把经由驱动TFT(DT)供给的空穴施加给有机化合物层。
参照图4C，在其上形成有阳极电极104的受主基板100上形成堤图案106。堤图案106形成在像素之间的边界区域处，分隔(partitioning)各个像素的开口区域。在受主基板100上形成堤图案106之后，使用等离子体进行预处理。进行预处理从而在形成OLED的有机化合物层之前移除受主基板100上残留的碎屑。
参照图4D，通过使用现有载器或类似物的热蒸镀工序，在其上形成有堤图案106的受主基板100的整个表面上接连沉积空穴注入层(HIL)材料和空穴传输层(HTL)材料，从而形成空穴相关层108a。
参照图5A，在由透明玻璃或塑料材料形成的施主基板200上形成金属图案202。施主基板200的尺寸可等于或大于受主基板100的尺寸。金属图案202可包括Ag、Au、Al、Cu、Mo、Pt、Ti、W和Ta中的至少一种或者两种或更多种的合金。可通过使用化学气相沉积工序、溅射工序、e-束工序、和电解/无电敷镀(electroless plating)工序之一在该基板的整个表面上沉积该金属或合金，然后通过光刻工序、湿蚀刻工序或干蚀刻工序构图所沉积的金属或合金，获得金属图案202。金属图案202形成为与有机光发射材料将要被转移到的受主基板200的像素位置对应。如图9中所示，金属图案202的宽度Wd可等于或小于通过将分隔相邻像素的堤图案106的宽度Wb加上受主基板100的每个R、G和B像素的宽度(Wp)而获得的一个值。考虑到产生焦耳热量的电阻成分，金属图案202的厚度可最大在1μm的范围内。
参照图5B，通过使用现有载器或类似物的热蒸镀工序，在其上形成有金属图案202的施主基板200的整个表面上沉积有机光发射层(EML)材料。
为了防止产生焦耳热量的金属图案202被氧化或散布到要被转移的有机光发射层(EML)材料，在本发明中，可在金属图案202与有机光发射层(EML)材料之间形成电绝缘层204，如图11所示。这里，电绝缘层204可从二氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜中选出，并通过CVD工序或溅射工序沉积在金属图案202的整个表面上。此外，作为电绝缘层204，可选择诸如旋涂玻璃(SOG)这样的材料，用以在其上进行旋涂之后通过加热工序而被沉积在金属图案202的整个表面上。
接下来，将描述通过贴合和转移而形成光发射层的工序。
参照图6A，将其上形成有空穴相关层108a的受主基板100和其上形成有有机光发射层(EML)材料的施主基板200对准并贴合。在真空或惰性气体(Ar，N2等)环境下进行对准和贴合工序，以保护有机光发射层(EML)材料免受湿气/氧气影响。可以通过机械加压(mechanical pressing)进行所述贴合。
参照图6B，从外部给已经完成了对准和贴合工序的施主基板200的金属图案施加电(V)。电(V)施加使金属图案202产生焦耳热量，从而使上面的有机光发射层(EML)材料升华。结果，有机光发射层(EML)材料转移到受主基板100的相应区域，从而形成光发射层108b。这里，因为其间夹有堤图案106的受主基板100和施主基板200充分紧密贴合，所以在本发明的典型实施方式中可防止由于有机光发射层(EML)材料的转移位置偏移(misalign)或扩展(spread)而产生的色混合现象。换句话说，在本发明的典型实施方式中，在形成光发射层108b期间没有使用利用金属掩模的现有载器方法，从而光发射层108b能被精确构图，由此适于基板尺寸增加，真正可应付大基板和高清晰度的趋势。
如果有机光发射层(EML)材料长时间暴露于高温，则材料可能有所改变或其化学键(chemical bonding)断开。因而，为了防止有机光发射层(EML)材料发生热改变，给金属图案202施加电的持续时间优选在0.1μs到1s的范围内，并且施加给金属图案202的功率密度优选在0.1W/cm2到10000W/cm2的范围内。施加给金属图案202的电可以是AC电或DC电，并可间断地施加几次。依照本发明的典型实施方式，与使用金属掩模的现有载器方法相比，能够显著缩短形成光发射层108b所需的工序时间，提高生产量。
在本发明的一个典型实施方式中，如图10中所示，在堤图案106与空穴相关层108a之间，可形成衬垫料112，使衬垫料112比堤图案106窄。例如，在图10中，衬垫料的宽度可以小于相应堤图案的宽度，但是并不限于此。衬垫料112可以以线型或柱型形成在堤图案106上或者上方，或者可以以井型(well type)形成。衬垫料112增加了像素之间的分隔高度，从而防止有机光发射层(EML)材料沉积在不同颜色的相邻像素处，因而有效防止了色混合现象或者类似现象的产生。此外，衬垫料112减小了在形成光发射层108b时受主基板100和施主基板200之间的接触面积，利于基板100和200的贴合和分离，结果大大减小了在贴合或分离基板100和200过程中产生碎屑的可能性。在形成衬垫料112的情形中，通过焦耳热量沉积有机光发射层(EML)材料的沉积距离是由堤图案106的高度h1和衬垫料112的高度h2确定的。尽管形成了衬垫料，但与现有的载器方法相比，仍显著减小了有机光发射层(EML)材料的沉积距离，从而能够大大减小用于形成光发射层108b的腔室的尺寸。
在一个实施方式中，可以对所有R像素一次进行这种贴合、转移、分离和卸载所述施主基板的工序，对所有G像素一次进行这种贴合、转移、分离和卸载所述施主基板的工序，以及对所有B像素一次进行这种贴合、转移、分离和卸载所述施主基板的工序。作为选择，在另一个实施方式中，可以对所有R、G和B像素一次进行这种贴合、转移、分离和卸载所述施主基板的工序，即，可以对所有像素同时进行所述工序。在光发射层转移到所有R，G和B像素之后，贴合和转移工序就完成了。
现在将描述形成OLED的电子相关层和第二电极的工序。
参照图7A，通过使用现有载器或类似物的热蒸镀工序，在其上形成有光发射层108b的受主基板100的整个表面上接连沉积电子传输层(ETL)材料和电子注入层(EIL)材料，从而形成电子相关层108c。空穴相关层108a、光发射层108b和电子相关层108c构成OLED的有机化合物层108。
参照图7B，在其上形成有电子相关层108c的受主基板100的整个表面上形成OLED的第二电极110。第二电极110(阴极电极)可形成为由金属材料形成的单层结构或者可形成为包括夹在电介质层之间的一个或两个金属层的多层结构。第二电极110给有机化合物层施加通过Vss供给配线施加的电子。
如上所述，依照本发明典型实施方式的OLED显示装置的制造方法，将其上形成有金属图案和有机光发射层材料的施主基板在真空或惰性气体环境下对准并贴合到具有TFT阵列的受主基板，给施主基板的金属图案施加瞬时电压/电流，以产生焦耳热量，然后利用该焦耳热量升华施主基板上形成的有机光发射层材料，由此在受主基板上形成光发射层。
因此，与使用金属掩模的现有载器方法相比，在本发明中，光发射层能够被精确构图从而支持大面积和高清晰度，工序TACT能在形成光发射层过程中缩短，并且用于形成光发射层的腔室的尺寸能大大减小。
在不脱离本发明的精神或范围的情况下，本发明可进行各种修改和变化，这对于本领域技术人员来说是显而易见的。例如，在本发明的典型实施方式中，第一和第二电极分别是阳极电极和阴极电极，但本发明并不限于此，而是可适用于其中第一和第二电极分别为阴极电极和阳极电极的情形。在该情形中，可由电子相关层替换本发明典型实施方式中所述的空穴相关层，而且可由空穴相关层替换本发明典型实施方式中所述的电子相关层。因而，意在使本发明覆盖落入要求保护的方案及其等同物的范围内的本发明的修改和变化。
Claims (24)
1.一种有机发光二极管显示装置的制造方法，所述有机发光二极管显示装置包括多个OLED，每个OLED都具有第一电极、第一相关层、光发射层、第二相关层和第二电极，所述方法包括：
在受主基板上顺次形成薄膜晶体管(TFT)阵列、所述第一电极、堤图案和所述第一相关层；
在施主基板上顺次形成金属图案和有机光发射材料层；
通过给所述金属图案施加电将所述有机光发射材料层转移到所述受主基板上而形成所述光发射层；以及
在形成有所述光发射层的所述受主基板上顺次形成所述第二相关层和所述第二电极。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属图案由Ag、Au、Al、Cu、Mo、Pt、Ti、W和Ta其中之一形成或者由其中两种或更多种的合金形成，并根据所述受主基板的将要形成所述光发射层的像素位置被构图。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述金属图案的宽度小于或等于像素宽度与堤图案宽度之和。
4.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述光发射层是在真空或惰性气体环境下进行的。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述电在0.1μs到1s的范围内以0.1W/cm2～10000W/cm2的功率密度被施加一次或几次。
6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：
在形成所述有机光发射材料层之前，在所述金属图案上形成电绝缘层。
7.根据权利要求6所述的方法，其中所述电绝缘层包括二氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、和旋涂玻璃(SOG)材料至少之一。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一电极和所述第二电极分别是阳极电极和阴极电极，所述第一相关层是进行空穴的引入和运载的空穴相关层，并且所述第二相关层是进行电子的引入和运载的电子相关层。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一电极和所述第二电极分别是阴极电极和阳极电极，所述第一相关层是进行电子的引入和运载的电子相关层，并且所述第二相关层是进行空穴的引入和运载的空穴相关层。
10.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述光发射层包括分别进行以下工序：
对所有R像素，一次地，对准并贴合所述受主基板和所述施主基板、将红色有机光发射材料层转移到所述受主基板上、分离和卸载所述施主基板；
对所有G像素，一次地，对准并贴合所述受主基板和所述施主基板、将绿色有机光发射材料层转移到所述受主基板上、分离和卸载所述施主基板；以及
对所有B像素，一次地，对准并贴合所述受主基板和所述施主基板、将蓝色有机光发射材料层转移到所述受主基板上、分离和卸载所述施主基板。
11.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述光发射层包括：
对所有像素，一次地，对准并贴合所述受主基板和所述施主基板、将所述有机光发射材料层转移到所述受主基板上、分离和卸载所述施主基板。
12.一种有机发光二极管显示装置的制造方法，所述有机发光二极管显示装置包括多个OLED，每个OLED都具有第一电极、第一相关层、光发射层、第二相关层和第二电极，所述方法包括：
在受主基板上顺次形成薄膜晶体管(TFT)阵列、所述第一电极、堤图案、衬垫料和所述第一相关层；
在施主基板上顺次形成金属图案和有机光发射材料层；
通过给所述金属图案施加电将所述有机光发射材料层转移到所述受主基板上而形成所述光发射层；以及
在形成有所述光发射层的所述受主基板上顺次形成所述第二相关层和所述第二电极，
其中所述衬垫料形成为比所述堤图案窄。
13.根据权利要求12所述的方法，其中所述衬垫料形成在所述堤图案上方。
14.根据权利要求12所述的方法，其中所述金属图案由Ag、Au、Al、Cu、Mo、Pt、Ti、W和Ta其中之一形成或者由其中两种或更多种的合金形成，并根据所述受主基板的将要形成所述光发射层的像素位置被构图。
15.根据权利要求14所述的方法，其中所述金属图案的宽度小于或等于像素宽度与堤图案宽度之和。
16.根据权利要求12所述的方法，其中形成所述光发射层是在真空或惰性气体环境下进行的。
17.根据权利要求12所述的方法，其中所述电在0.1μs到1s的范围内以0.1W/cm2～10000W/cm2的功率密度施加一次或几次。
18.根据权利要求12所述的方法，其中所述衬垫料形成为线型衬垫料、柱型衬垫料和井型衬垫料其中之一。
19.根据权利要求12所述的方法，进一步包括：
在形成所述有机光发射材料层之前，在所述金属图案上形成电绝缘层。
20.根据权利要求19所述的方法，其中所述电绝缘层包括二氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、和旋涂玻璃(SOG)材料至少之一。
21.根据权利要求12所述的方法，其中所述第一电极和所述第二电极分别是阳极电极和阴极电极，所述第一相关层是进行空穴的引入和运载的空穴相关层，并且所述第二相关层是进行电子的引入和运载的电子相关层。
22.根据权利要求12所述的方法，其中所述第一电极和所述第二电极分别是阴极电极和阳极电极，所述第一相关层是进行电子的引入和运载的电子相关层，并且所述第二相关层是进行空穴的引入和运载的空穴相关层。
23.根据权利要求12所述的方法，其中形成所述光发射层包括分别进行以下工序：
对所有R像素，一次地，对准并贴合所述受主基板和所述施主基板、将红色有机光发射材料层转移到所述受主基板上、分离和卸载所述施主基板；
对所有G像素，一次地，对准并贴合所述受主基板和所述施主基板、将绿色有机光发射材料层转移到所述受主基板上、分离和卸载所述施主基板；以及
对所有B像素，一次地，对准并贴合所述受主基板和所述施主基板、将蓝色有机光发射材料层转移到所述受主基板上、分离和卸载所述施主基板。
24.根据权利要求12所述的方法，其中形成所述光发射层包括：
对所有像素，一次地，对准并贴合所述受主基板和所述施主基板、将所述有机光发射材料层转移到所述受主基板上、分离和卸载所述施主基板。
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| GR01 | Patent grant |