KR20060037162A - 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법 - Google Patents

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KR20060037162A
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Abstract

유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 발광 영역과 비발광 영역을 구비하는 기판; 상기 기판의 발광 영역 상에 위치하는 화소 전극; 상기 화소 전극 주변의 비발광 영역 상에 위치하고, 상기 발광 영역과 일정 간격을 가지는 스페이서; 및 상기 화소 전극 상에 위치하는 발광층을 포함한 유기층을 구비하는 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법을 제공한다.
스페이서, 레이저 열전사, 유기전계발광표시장치

Description

유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법{OLED and fabricating method of the same}
도 1a 내지 도 1c는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 제조방법을 나타낸 단면도들,
도 2a 내지 도 2c는 기판 상에 스페이서들을 형성한 것을 나타낸 평면도들,
도 3a 내지 3b는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 제조방법을 나타낸 단면도들,
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 도면 부호의 설명 *
100, 200 : 기판, 120, 220 : 박막 트랜지스터,
140, 240 : 화소 전극, 160, 260 : 스페이서,
150, 250 : 화소 정의막, 170R, 170G, 170B : 발광층,
L : 발광 영역, A, B, C : 단위화소영역,
30, 40 : 도너 기판, 35, 45 : 전사층,
5 : 레이저 빔
본 발명은 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법에 대한 것으로서, 보다 상세하게는 패터닝된 발광층의 가장자리 패턴 특성을 향상시키는 유기전계발광표시장치의 제조방법에 대한 것이다.
평판 표시 장치 중 유기전계발광표시장치는 응답속도가 1ms 이하로서 고속의 응답속도를 가지며, 소비 전력이 낮고, 자체 발광이므로 시야각에 문제가 없어서, 장치의 크기에 상관없이 동화상 표시 매체로서 장점이 있다. 또한, 저온 제작이 가능하고, 기존의 반도체 공정 기술을 바탕으로 제조 공정이 간단하므로 향후 차세대 평판 표시 장치로 주목받고 있다.
상기 유기전계발광표시장치의 발광층의 패터닝 방법 중 잉크젯 프린팅 방법의 경우 발광층 이외의 유기층들의 재료가 제한적이고, 기판 상에 잉크젯 프린팅을 위한 구조를 형성해야하는 번거로움이 있다. 또한 증착 공정에 의한 발광층의 패터닝 경우 금속 마스크의 사용으로 인해 대형 소자의 제작에 어려움이 있다.
위와 같은 패터닝의 방법을 대체할 수 있는 기술로 레이저 열전사법(LITI : Laser Induced Thermal Imaging)이 최근 개발되고 있다.
레이저 열전사법이란 광원에서 나오는 레이저를 열에너지로 변환하고, 이 열 에너지에 의해 패턴 형성 물질을 대상 기판으로 전사시켜 패턴을 형성하는 방법으로, 이와 같은 방법을 위해서는 전사층이 형성된 도너 기판과 광원, 피사체인 기판이 필요하다.
상기 레이저 열전사법은 도너 기판을 상기 기판 상에 위치시키고, 라미네이션 공정을 수행한 후 레이저 빔을 조사하여 패터닝을 수행하게 되는데, 상기 도너 기판이 기판에 밀착이 되지 않으면 패터닝이 되지 않거나, 패턴의 폭이 작아지는 불량이 발생할 수 있다. 그 반대로 상기 도너 기판이 상기 기판에 지나치게 밀착이 되면 레이저가 조사된 영역 이외의 주변부까지 부분적으로 전사가 되어 정확한 패턴을 얻기 어려울 수 있다. 즉, 라미네이션의 압력을 조절하는 것으로 상기 도너 기판과 상기 기판의 적정 밀착 수준을 결정하기가 어렵다.
미국공개특허 출원제20030162108호에 "Using spacer elements to make electroluminescent display devices"이라는 제목으로 Mitchell S. Burberry 등에 의해 스페이서를 가지는 유기전계발광표시장치 어레이가 개시된 바 있다. 상기의 발명은 기판 상에 스페이서를 형성함으로써 상기 도너 기판과 상기 기판의 높이를 조절하여 레이저 열전사 특성을 향상시키는 것에 대한 것이다. 하지만, 기판 상에 스페이서의 정확한 위치 및 간격을 고려하지 않았으므로 패터닝 시 가장자리 영역이 정확하지 않을 수 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 단위 화소 영역들의 발광 영역과 일정 간격을 가지도록 스페이서들을 형성함으로써 발광층의 패터닝 특성을 향상시키는 유기전계발광표시장치의 제조방법을 제공하는 것에 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명은 발광 영역과 비발광 영역을 구 비하는 기판; 상기 기판의 발광 영역 상에 위치하는 화소 전극; 상기 화소 전극 주변의 비발광 영역 상에 위치하고, 상기 발광 영역과 일정 간격을 가지는 스페이서; 및 상기 화소 전극 상에 위치하는 발광층을 포함한 유기층을 구비하는 유기전계발광표시장치를 제공한다.
또한, 상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명은 발광 영역과 비발광 영역을 구비하는 기판의 상기 발광 영역 상에 화소 전극을 형성하는 단계; 상기 화소 전극 주변의 비발광 영역 상에 상기 발광 영역과 일정 간격을 가지도록 스페이서를 형성하는 단계; 및 상기 화소 전극 상에 발광층을 형성하는 단계를 포함하는 유기전계발광표시장치의 제조방법을 제공한다.
상기 스페이서는 상기 단위 화소들의 발광 영역과 2㎛ 이상의 간격을 가지도록 형성하는 것일 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되어지는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 층 및 영역의 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1c는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 단면도를 나타낸 것이다.
도면을 참조하면, 발광 영역과 비발광 영역을 구비하는 기판(100)의 상기 발 광 영역 상에 화소 전극(140)이 위치한다. 상기 화소 전극(140) 주변의 비발광 영역 상에는 상기 발광 영역과 일정 간격을 가지는 스페이서((160)가 위치한다. 또한, 상기 화소 전극(140) 상에는 발광층(170R, 170G, 170B)을 포함한 유기층이 위치한다.
도 1a 내지 도 1c는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
도면을 참조하면, 단위 화소 영역들(A, B, C)을 구비하는 기판(100) 상에 박막 트랜지스터(120)를 형성한다. 반도체층, 게이트 전극, 및 상기 반도체층에 각각 접속하는 소스 전극과 드레인 전극을 형성함으로써 상기 박막 트랜지스터(120)를 형성한다.
상기 기판(100)으로부터 상기 반도체층으로 유입되는 불순물을 방지하게 위해 상기 박막 트랜지스터(120)를 형성하기 전에, 상기 기판 상에 버퍼층(110)을 형성할 수도 있다.
상기 박막트랜지스터(120) 상에 절연막(130)을 형성한다.
상기 절연막(130)은 무기막, 유기막, 또는 그들의 이중층으로 형성하는 것일 수 있다. 예를 들면, 상기 패터닝된 전극들 및 배선들 상에 평탄화막(135)을 형성한다. 상기 평탄화막(135)은 유기막일 수 있다.
상기 평탄화막(135)을 형성하기 전에 하부층의 보호 및 박막 트랜지스터들의 반도체층의 패시베이션을 위하여, 절연막인 무기 보호막(135)을 형성하는 것이 바람직하다.
상기 절연막(130) 내에 상기 박막 트랜지스터(120)의 드레인 전극을 노출하는 비아홀을 형성한다. 그리고, 상기 절연막(130) 상에 도전막을 적층하고 패터닝하여 상기 비아홀을 통하여 상기 드레인 전극과 콘택하는 화소 전극(140)을 형성한다.
상기 화소 전극(140) 상에 절연막을 적층하고 패터닝하여 상기 화소 전극(140)을 일부분 노출시키는 화소 정의막(150)을 형성한다. 이로 인해 발광 영역이 정의된다.
상기 화소 정의막(150) 상에 상기 단위 화소 영역들(A, B, C)의 발광 영역(L)과 일정 간격(l)을 가지도록 스페이서들(160)을 형성한다.
상기 발광 영역(L)과 일정 간격(ㅣ)을 가지도록 스페이서(160)를 형성하는 것은 상기 단위 화소들(A, B, C)의 발광 영역(L)에서 2㎛ 이상 간격을 두고 형성하는 것일 수 있다. 상기의 간격이 2㎛ 이하인 경우 패터닝이 되지 않는 영역이 상기 발광영역의 내부까지 침투될 수 있다. 따라서 상기 스페이서(160)는 상기 발광 영역과 2㎛ 이상의 간격을 가지는 것이 바람직하다.
또한, 상기 스페이서를 형성하는 것은 구형, 막대형, 및 라인형으로 이루어진 군에서 선택된 하나의 형태로 형성하는 것일 수 있다.
도 2a 내지 도 2c는 기판 상에 스페이서들을 형성한 것을 나타낸 평면도들로써, 상부에서 기판을 본 것과 같다.
도면을 참조하면, 도 2a 및 도 2b는 라인형의 스페이서를 형성한 것을 나타낸 것이고, 도 2c는 구형의 스페이서를 형성한 것을 나타낸 것이다. 즉, 상기 스페 이서(160)는 상기 단위화소들(A, B, C)과 나란하게 일정 간격(l)을 가지도록, 라인형으로 형성 하거나(도 2a), 상기 단위화소들(A, B, C)에 직각인 라인형으로 형성(도 2b)할 수 있다. 또한 각 단위화소들(A, B, C)의 발광 영역(L)과 일정 간격(l)을 가지도록 구형 또는 막대형으로 형성(도 2c)할 수 있다.
다시 도 1a를 참조하면, 상기 스페이서(160)를 형성하는 것은 0.5 내지 5㎛의 높이를 가지도록 형성하는 것일 수 있다. 상기 스페이서(160)가 너무 낮으면 스페이서로 인한 효과가 나타나지 않을 수 있고, 너무 높으면 발광 영역에 패터닝이 되지 않을 수 있으므로, 0.5 내지 5㎛의 높이를 가지도록 형성하는 것이 바람직하다.
상기 스페이서(160)들을 형성하는 것은 포토 레지스트를 사용하여 형성하는 것일 수 있다. 즉, 감광막을 상기 기판에 형성한 후 노광 및 페터닝을 수행하여 상기 화소 정의막(150) 상에 일정 간격(l)으로 상기 스페이서(160)들을 형성한다.
또한, 상기 스페이서(160)들을 형성하는 것은 잉크젯 프린팅을 사용하여 형성하는 것일 수 있다. 즉, 상기 화소 정의막(150) 상에 일정 간격(l)을 가지도록 프린팅을 하여 상기 스페이서(160)들을 형성할 수 있다.
상기 노출된 화소 전극(140) 상에 발광층을 형성한다.
상기 발광층을 형성하는 것은 레이저 열전사 방법으로 형성하는 것일 수 있다. 즉, 상기 스페이서(160)가 형성된 기판 상에 전사층(35)이 형성된 도너 기판(30)을 위치시킨다. 상기 도너 기판(30)은 전사층(35)과 베이스 기판 사이에 광열변환층(33)이 위치한다.
상기 광열변환층(33)은 적외선-가시광선 영역의 빛을 흡수하는 성질을 갖고 있는 광흡수성 물질로 형성한다. 레이저광 흡수 물질이 포함되어 있는 유기막, 금속 및 이들의 복합층 중 하나이다. 상기 광열변환층(33)은 레이저에서 조사된 레이저빔을 열에너지로 변환시키는 역할을 수행하고, 상기 열에너지는 상기 전사층(35)과 상기 광열변환층(33) 사이의 접착력을 변화시킴으로써 상기 전사층(35)을 피사체인 상기 기판 상으로 전사하는 역할을 한다.
도 1b를 참조하면, 상기 도너 기판(30)을 상기 기판 상에 밀착되도록 라미네이션한다. 상기 라미네이션은 롤러, 기체 가압, 또는 크라운 프레스를 사용하여 가압함으로써 이루어진다. 상기 도너 기판 상에 레이저 빔(5)을 조사하여 상기 전사층(35)을 패터닝한다. 상기 전사층(35)은 발광층일 수 있다.
상기 화소 정의막(150) 상에 형성된 상기 스페이서(160)로 인해 상기 도너 기판과 상기 기판 사이 밀착 정도가 조절될 수 있으므로, 깨끗한 패턴을 얻을 수 있다.
또한 상기 스페이서(160)를 상기 발광 영역과 일정 간격으로 형성함으로써, 상기 발광 영역의 주변으로부터 일정한 밀착강도를 가질 수 있으므로, 더욱 깨끗한 패턴을 가진 발광층(170R)을 형성할 수 있다.
도 1c를 참조하면, 각각의 단위화소 영역(A, B, C) 상에 상기와 동일한 방법으로 각각의 발광층(170G, 170B)을 형성하고, 상기 패터닝된 발광층(170R, 170G, 170B) 상에 대향 전극을 형성한다.
상기 발광층(170R, 170G, 170B)의 상부 또는 하부에는 전하 주입층 또는 전 하 수송층을 형성할 수 있다.
도 3a 및 3b는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다. 본 발명의 제 2 실시예는 제 1 실시예와 달리 상기 스페이서들을 도너 기판을 사용하여 형성하는 것이다.
상기 도너 기판을 사용하여 형성하는 것은 상기 도너 기판의 비전사 영역에 스페이서 물질을 증착하고, 전사층 패터닝 시 스페이서 물질을 동시에 증착하는 것일 수 있다. 나아가서, 상기 스페이서 증착용 도너 기판을 사용하여 스페이서를 형성하고, 전사층 형성용 도너 기판을 사용하여 전사층을 형성함으로써, 순차적으로 스페이서 및 전사층을 형성할 수도 있다.
도 3a을 참조하면, 제 1 실시예와 마찬가지로, 기판(200) 상에 화소 전극(240) 및 화소 정의막(250)을 형성한다. 그리고, 도너 기판(40) 상에 스페이서(260)를 형성한다. 상기 스페이서(260)는 상기 도너 기판의 전사층(45)의 상부 또는 하부에 형성될 수 있으며, 상기 도너 기판의 비전사 영역에 형성된다.
상기 스페이서(260)가 상기 기판(200)의 발광 영역(L) 사이에 위치하도록 상기 기판(200)과 얼라인한다. 즉, 상기 스페이서(260)가 상기 기판(200)의 화소 정의막(250) 상에 위치하도록 상기 도너 기판(40)을 상기 기판(20)에 위치시킨다. 또한, 상기 스페이서(260)는 상기 발광 영역(L)과 일정 간격(l)을 가지도록 가지도록 형성한다. 상기 스페이서(260)는 제 1 실시예와 마찬가지로, 도 2a 내지 도 2c와 같은 형태로 형성될 수 있다.
상기 발광 영역(L)과 일정 간격(ㅣ)을 가지도록 스페이서(160)를 형성하는 것은 상기 단위 화소들(A, B, C)의 발광 영역(L)에서 2㎛ 이상 간격을 두고 형성하는 것일 수 있다. 즉, 제 1 실시예에서 설명한 바와 마찬가지로, 상기의 간격이 2㎛ 이하인 경우 패터닝이 되지 않는 영역이 상기 발광영역의 내부까지 침투될 수 있기때문에, 상기 발광 영역과 2㎛ 이상의 간격을 가지는 것이 바람직하다.
또한, 상기 스페이서(260)가 너무 낮으면 스페이서로 인한 효과가 나타나지 않을 수 있고, 너무 높으면 발광 영역에 패터닝이 되지 않을 수 있으므로, 0.5 내지 5㎛의 높이(t)를 가지도록 형성하는 것이 바람직하다.
도 3b를 참조하면, 상기 스페이서가 형성된 도너 기판을 상기 기판과 라미네이션한다. 상기 라미네이션은 롤러, 기체 가압, 또는 크라운 프레스를 사용하여 가압함으로써 이루어진다. 상기 도너 기판 상에 레이저 빔(5)을 조사하여 상기 전사층(45)을 패터닝한다. 상기 전사층(45)은 발광층일 수 있다.
상기 화소 정의막(250) 상에 일정 간격으로 형성된 상기 스페이서(260)로 인해 상기 도너 기판과 상기 기판 사이 밀착 정도가 조절될 수 있으므로, 깨끗한 패턴을 가진 발광층을 얻을 수 있다.
도 4a 및 도 4b는 본발명의 제 3 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
도면을 참조하면, 본 발명의 제 3 실시예는 제 2 실시예와 마찬가지로 도너 기판을 사용하지만, 제 2 실시예와는 달리 전사층의 일부분을 먼저 도너 기판과 탈착시킴으로써 스페이서 역할을 하도록하는 방법이다.
즉, 도너 기판을 사용하여 스페이서를 형성하는 것은 발광층을 형성하기 전 에, 상기 도너 기판의 전사층을 일정 간격을 가지도록 부분적으로 상기 화소 정의막 상에 미리 밀착 시키고, 상기 화소정의막과 밀착된 부분의 전사층은 상기 도너 기판과 탈착됨으로써 형성하는 것일 수 있다.
도 4a를 참조하면, 기판(200) 상에 화소 전극(240) 및 화소 정의막(250)을 형성한다. 그리고, 상기 기판(200) 상에 전사층(45)이 형성된 도너 기판(40)을 위치시킨다.
상기 기판(200)과 상기 도너 기판(40)을 라미네이션하고, 상기 단위화소(B, C) 사이에 일정한 간격으로 점 또는 선을 패턴과 직교하도록 레이저 빔(5)을 조사한다. 즉, 상기의 도 2a 내지 도 2c와 같은 형태로 상기 도너 기판(40) 상에 레이저 빔을 조사한다. 따라서, 상기 레이저가 조사된 부분의 전사층이 부풀어오르면서 상기 기판(200)과 상기 도너 기판(40) 사이가 들뜨게됨으로써 스페이서의 역할을 하게 된다.
또한, 상기 전사층의 들뜬 부위는 상기 발광 영역(L)과 일정 간격(l)을 가지도록 가지도록 형성하는 것이 바람직하다. 나아가서, 상기 발광 영역(L)과 일정 간격(ㅣ)을 가지도록 형성하는 것은 상기 단위 화소들(A, B, C)의 발광 영역(L)에서 2㎛ 이상 간격을 두고 형성하는 것일 수 있다. 즉, 상기의 예들과 마찬가지로, 상기의 간격이 2㎛ 이하인 경우 패터닝이 되지 않는 영역이 상기 발광영역의 내부까지 침투될 수 있기 때문에, 상기 발광 영역과 2㎛ 이상의 간격을 가지는 것이 바람직하다.
도 4b를 참조하면, 상기 스페이서의 역할을 하는 전사층을 형성한 후, 상기 도너 기판 상에 레이저 빔(5)을 조사하여 발광 영역 상에 상기 전사층(45)을 패터닝한다. 상기 전사층(45)은 발광층일 수 있다.
상기 화소 정의막(250) 상에 일정 간격으로 형성된 전사층의 들뜬 부위는 스페이서의 역할을 하게 된다. 따라서, 상기 화소 정의막(250) 상에 형성된 상기 전사층의 들뜬 부위로 인해 상기 도너 기판과 상기 기판 사이 밀착 정도가 조절될 수 있으므로, 깨끗한 발광층 패턴을 얻을 수 있다.
도 1c와 마찬가지로, 각각의 단위화소 영역(A, B, C) 상에 상기와 동일한 방법으로 각각의 발광층을 형성하고, 상기 패터닝된 발광층상에 대향 전극을 형성함으로써 유기전계발광표시장치를 완성한다. 상기 발광층의 상부 또는 하부에는 전하 주입층 또는 전하 수송층을 형성할 수 있다.
본발명에 따른 유기전계발광표시장치의 제조방법은 발광 영역 주변에 스페이서 및 스페이서 역할을 하는 구조를 형성함으로써, 상기 스페이서로 인해 상기 도너 기판과 상기 기판 사이 밀착 정도가 조절되어 깨끗한 발광층 패턴을 얻을 수 있는 효과가 있다.
또한, 단위 화소 영역들의 발광 영역과 일정 간격을 가지도록 상기 스페이서를 형성함으로써, 상기 발광 영역의 주변으로부터 일정한 밀착강도를 가질 수 있으므로, 어느 한 방향으로 치우침이 없이 더욱 깨끗한 패턴을 가진 발광층을 형성할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (15)

  1. 발광 영역과 비발광 영역을 구비하는 기판;
    상기 기판의 발광 영역 상에 위치하는 화소 전극;
    상기 화소 전극 주변의 비발광 영역 상에 위치하고, 상기 발광 영역과 일정 간격을 가지는 스페이서; 및
    상기 화소 전극 상에 위치하는 발광층을 포함한 유기층을 구비하는 유기전계발광표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 스페이서는 상기 단위 화소들의 발광 영역과 2㎛ 이상의 간격을 갖는 유기전계발광표시장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 스페이서는 구형, 막대형, 및 라인형으로 이루어진 군에서 선택된 하나의 형태인 유기전계발광표시장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 스페이서는 0.5 내지 5㎛의 높이를 가지는 유기전계발광표시장치.
  5. 발광 영역과 비발광 영역을 구비하는 기판의 상기 발광 영역 상에 화소 전극을 형성하는 단계;
    상기 화소 전극 주변의 비발광 영역 상에 상기 발광 영역과 일정 간격을 가지도록 스페이서를 형성하는 단계; 및
    상기 화소 전극 상에 발광층을 형성하는 단계를 포함하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 스페이서는 상기 단위 화소들의 발광 영역과 2㎛ 이상의 간격을 가지도록 형성하는 것인 유기전계발광표시장치의 제조방법.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 스페이서를 형성하는 것은 구형, 막대형, 및 라인형으로 이루어진 군에서 선택된 하나의 형태로 형성하는 것인 유기전계발광표시장치의 제조방법.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 스페이서를 형성하는 것은 0.5 내지 5㎛의 높이를 가지도록 형성하는 것인 유기전계발광표시장치의 제조방법.
  9. 제 5 항에 있어서,
    상기 스페이서들을 형성하는 것은 포토 레지스트를 사용하여 형성하는 것인 유기전계발광표시장치의 제조방법.
  10. 제 5 항에 있어서,
    상기 스페이서들을 형성하는 것은 잉크젯 프린팅을 사용하여 형성하는 것인 유기전계발광표시장치의 제조방법.
  11. 제 5 항에 있어서,
    상기 스페이서들을 형성하는 것은 도너 기판을 사용하여 형성하는 것인 유기전계발광표시장치의 제조방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 도너 기판을 사용하여 스페이서를 형성하는 것은 상기 도너 기판의 비전사 영역에 스페이서 물질을 증착하고, 전사층 패터닝 시 스페이서 물질을 동시에 증착하는 것인 유기전계발광표시장치의 제조방법.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 도너 기판을 사용하여 스페이서를 형성하는 것은 스페이서 증착용 도너 기판을 사용하여 스페이서를 형성하고, 전사층 형성용 도너 기판을 사용하여 전사층을 형성함으로써, 순차적으로 스페이서 및 전사층을 형성하는 것인 유기전계발 광표시장치의 제조방법.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 도너 기판을 사용하여 스페이서를 형성하는 것은 상기 발광층을 형성하기 전에, 상기 도너 기판의 전사층을 일정 간격을 가지도록 부분적으로 상기 비발광 영역 상에 미리 밀착 시키고, 상기 밀착된 부분의 전사층은 상기 도너 기판과 탈착됨으로써 형성하는 것인 유기전계발광표시장치의 제조방법.
  15. 제 5 항에 있어서,
    상기 발광층을 형성하는 것은 레이저 열전사 방법으로 형성하는 것인 유기전계발광표시장치의 제조방법.
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KR100812026B1 (ko) * 2006-07-19 2008-03-10 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광표시장치 및 그의 제조방법
CN101887867A (zh) * 2009-05-12 2010-11-17 乐金显示有限公司 有机发光二极管显示器的制造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100812026B1 (ko) * 2006-07-19 2008-03-10 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광표시장치 및 그의 제조방법
KR100796618B1 (ko) * 2007-01-04 2008-01-22 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법
CN101887867A (zh) * 2009-05-12 2010-11-17 乐金显示有限公司 有机发光二极管显示器的制造方法

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